TRANSISTOR ELEMENT INCLUDING A BURIED INSULATING LAYER HAVING ENHANCED FUNCTIONALITY
Номер патента: US20180366484A1
Опубликовано: 20-12-2018
Автор(ы): Beyer Sven, Chandrashekhar Sandhya, Duenkel Stefan, Poth Jochen Willi., Richter Ralf, Wu Zhi-Yuan
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-12-2018
Автор(ы): Beyer Sven, Chandrashekhar Sandhya, Duenkel Stefan, Poth Jochen Willi., Richter Ralf, Wu Zhi-Yuan
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Transistor including a gate electrode extending all around one or more channel regions
Номер патента: US09443945B2. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.