• Главная
  • TRANSISTOR ELEMENT INCLUDING A BURIED INSULATING LAYER HAVING ENHANCED FUNCTIONALITY

TRANSISTOR ELEMENT INCLUDING A BURIED INSULATING LAYER HAVING ENHANCED FUNCTIONALITY

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Transistor including a gate electrode extending all around one or more channel regions

Номер патента: US09443945B2. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Electronic device including a vertical conductive structure

Номер патента: US09490358B2. Автор: Gordon M. Grivna,Gary H. Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Partial Buried Insulator Nano-Sheet Device

Номер патента: US20200411531A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Electronic device including a conductive electrode

Номер патента: US09831334B2. Автор: Gary H. Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Power device including a field stop layer

Номер патента: US09685335B2. Автор: Young-Chul Kim,Bong-Yong Lee,Kyu-Hyun Lee,Young-Chul Choi,Kyeong-Seok Park. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory structure device having a buried gate structure

Номер патента: US09373625B2. Автор: Seung Hwan Kim,Jeong Hoon Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Electronic device including a trench and a conductive structure therein

Номер патента: US20110068344A1. Автор: Gary H. Loechelt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-24.

Electronic device including a conductive electrode

Номер патента: US20160315185A1. Автор: Gary H. Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-10-27.

Electronic Device Including a Conductive Electrode and a Process of Forming the Same

Номер патента: US20140252466A1. Автор: Gary H. Loechelt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-11.

Quantum device integrating a buried metallic electrode

Номер патента: US20230063360A1. Автор: Heimanu Niebojewski. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device having a Buried Field Plate

Номер патента: US20150214311A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-07-30.

Electronic device and a transistor including a trench and a sidewall doped region

Номер патента: US20130020637A1. Автор: Peter Moens,Marnix Tack,Juame Roig-Guitart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-24.

Multi-layer active layer having a partial recess

Номер патента: US09818858B1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices including gate insulation layers on channel materials

Номер патента: US09553105B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Jung-Hwan Lee,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device including a buried channel array transistor structure

Номер патента: US12021127B2. Автор: Ching-Chia Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device having a planar insulating layer

Номер патента: US09972720B2. Автор: Dong Il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Thin-film transistor element, method for manufacturing same, and display device

Номер патента: US09508866B1. Автор: Yuji Kishida,Toshiaki Yoshitani. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device including insulated gate bipolar transistor element and freewheeling diode element

Номер патента: US11217580B2. Автор: Taku MIZUKAMI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-01-04.

Semiconductor device with a bridge insulation layer

Номер патента: US10707155B2. Автор: Hajime Okuda,Yoshinori Fukuda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-07-07.

SiC semiconductor device with insulating film and organic insulating layer

Номер патента: US12046641B2. Автор: Katsuhisa Nagao,Hidetoshi Abe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Hybrid bulk/SOI device with a buried doped layer and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2477216A1. Автор: Franz Hofmann,Wolfgang Hoenlein,Gerhard Enders. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-07-18.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including a transistor with a vertical channel

Номер патента: US09837470B2. Автор: Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device having a low-k gate side insulating layer

Номер патента: US20240162348A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US20150187586A1. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US20170263458A1. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US9337042B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Electronic device including a tapered trench and a conductive structure therein

Номер патента: US20140035052A1. Автор: Gary H. Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-02-06.

Power semiconductor devices having an insulating layer formed in a trench

Номер патента: EP1198843A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: Micro-Ohm Corp. Дата публикации: 2002-04-24.

Power semiconductor devices having an insulating layer formed in a trench

Номер патента: WO2000074146A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: Micro-Ohm Corporation. Дата публикации: 2000-12-07.

Electronic device including a multiple channel HEMT and an insulated gate electrode

Номер патента: US09741840B1. Автор: Jia GUO,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

Etch stop member in buried insulator of soi substrate to reduce contact edge punch through

Номер патента: US20210057271A1. Автор: Jiehui SHU,Ryan W. Sporer. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device including transistor having offset insulating layers

Номер патента: US09754950B2. Автор: Hyun Heo,Dong Hwan Lee,Min Gyu KOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Transistor gate having an insulating layer support structure

Номер патента: US09472633B1. Автор: Michael Schuette,Andrew Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Manufacturing method of semiconductor device including transistor having offset insulating layers

Номер патента: US10559576B2. Автор: Hyun Heo,Dong Hwan Lee,Min Gyu KOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-11.

Finfet with source/drain regions comprising an insulator layer

Номер патента: US20240021466A1. Автор: Tuoh Bin Ng,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Field effect transistor including a regrown contoured channel

Номер патента: US20150123205A1. Автор: Pouya Hashemi,Anirban Basu,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-07.

FinFet with source/drain regions comprising an insulator layer

Номер патента: US11823949B2. Автор: Tuoh Bin Ng,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Electronic device including a semiconductor fin and a process for forming the electronic device

Номер патента: US20080296620A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Da Zhang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-12-04.

High-electron-mobility transistor having a buried field plate

Номер патента: US09728630B2. Автор: Oliver Haeberlen,Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Metal-semiconductor junction formed by a buried power rail

Номер патента: EP4210101A3. Автор: Richard Geiger,Harald Gossner,Georgios Panagopoulos,Johannes Rauh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-08.

Electronic device including a conductive structure surrounded by an insulating structure

Номер патента: US09991338B2. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods of manufacturing semiconductor device having a blocking insulation layer

Номер патента: US09960046B2. Автор: Jung Ho Kim,Jaeyoung Ahn,Dongchul Yoo,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Three-dimensional semiconductor device including a word line structure having a protruding portion

Номер патента: US20220231140A1. Автор: Nam Kyeong Kim,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer

Номер патента: US09859114B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor Devices Having Channel Layer Patterns on a Gate Insulation Layer

Номер патента: US20100123128A1. Автор: Sang-Hun Jeon,Moon-Sook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor element and multiplexer including a plurality of semiconductor elements

Номер патента: US20230141173A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device including a pipe channel layer having a protruding portion

Номер патента: US20170243972A1. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

On-chip semiconductor device having enhanced variability

Номер патента: US09691718B2. Автор: Ping-Chuan Wang,Wai-Kin Li,Chengwen Pei. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor devices including a buried gate electrode

Номер патента: US11765885B2. Автор: Sangwoon Lee,Hyewon Kim,Donghyun IM,Sungmi YOON,Juhyung We,TaiUk Rim,Kyosuk CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device including a pipe channel layer having a protruding portion

Номер патента: US9818865B2. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Self aligned CCD element including two levels of electrodes and method of manufacture therefor

Номер патента: US3931674A. Автор: Gilbert F. Amelio. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1976-01-13.

Planar semiconductor device with dual conductivity insulating layers over guard rings

Номер патента: US4691224A. Автор: Ikunori Takada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1987-09-01.

Fully depleted device with buried insulating layer in channel region

Номер патента: US20160268431A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Fully depleted device with buried insulating layer in channel region

Номер патента: US09502564B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method and structure to decrease area capacitance within a buried insulator device

Номер патента: US20050130379A1. Автор: Rafael Rios,Martin Giles,Borna Obradovic,Mark Stettler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Signal and/or ground planes with double buried insulator layers and fabrication process

Номер патента: US20060246691A1. Автор: Petar Atanackovic,Michael Lebby. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2006-11-02.

Signal and/or ground planes with double buried insulator layers and fabrication process

Номер патента: US20080093670A1. Автор: Michael Lebby,Petar Atanakovic. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor device including a deep contact and a method of manufacturing such a device

Номер патента: US20130280906A1. Автор: Alfred Haeusler. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2013-10-24.

Transistor devices with high-k insulation layers

Номер патента: US09425194B2. Автор: Matthias KESSLER,Stefan Flachowsky,Martin Gerhardt. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Early gate silicidation in transistor elements

Номер патента: US20190131133A1. Автор: Elliot John Smith. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device having a buried electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US9859416B2. Автор: Takahiro Mori,Hiroki Fujii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Strained semiconductor using elastic edge relaxation of a stressor combined with buried insulating layer

Номер патента: US11978800B2. Автор: Paul A. Clifton,R. Stockton Gaines. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of fabricating semiconductor device having a trench structure penetrating a buried layer

Номер патента: US09543190B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing semiconductor device with triple gate insulating layers

Номер патента: US20050032286A1. Автор: Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Display device having insulating layer containing fluorine

Номер патента: US12127435B2. Автор: Moon Sung Kim,Young Gil Park,Soo Im Jeong,Jae Bum HAN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device with a buried oxide stack for dual channel regions and associated methods

Номер патента: US20160118387A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-04-28.

Transistors with a gate insulation layer having a channel depleting interfacial charge and related fabrication methods

Номер патента: EP2502261A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-09-26.

Transistors with a gate insulation layer having a channel depleting interfacial charge

Номер патента: US20150325655A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device including a multi-channel active pattern

Номер патента: US09755074B2. Автор: Hee-Soo Kang,Se-Wan Park,Jae-Yup Chung,Hee-Don Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device comprising a slit insulating layer configured to pass through a stacked structure

Номер патента: US09502432B1. Автор: Wan Cheul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Ultra-short channel recessed gate MOSFET with a buried contact

Номер патента: US6034396A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Structures and SRAM bit cells with a buried cross-couple interconnect

Номер патента: US10840146B1. Автор: Ruilong Xie,Bipul C. Paul,Julien Frougier. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-11-17.

Access transistor with a buried gate

Номер патента: US20140027830A1. Автор: Ebrahim Abedifard,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Cmos image sensor including stacked semiconductor chips and readout circuitry including a superlattice

Номер патента: US20190189665A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yi-Ann Chen,Abid Husain. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device including a floating gate electrode having stacked structure

Номер патента: US20080171429A1. Автор: Kazuo Hatakeyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Circuits having enhanced electrical isolation

Номер патента: US20240120371A1. Автор: Sundar Chetlur,Maxim Klebanov,James McClay,Thomas S. Chung. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device including a transistor having low threshold voltage and high breakdown voltage

Номер патента: US20050194648A1. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor device including a transistor having low threshold voltage and high breakdown voltage

Номер патента: US7217985B2. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-15.

FinFET device including a dielectrically isolated silicon alloy fin

Номер патента: US09634123B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Finfet including a gate electrode having an impurity region and methods of forming the finfet

Номер патента: US20230028496A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Semiconductor Device Having a Buried Layer

Номер патента: US20180240868A1. Автор: Andreas Meiser,Ralf Rudolf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-08-23.

Method of manufacturing a buried load device in an integrated circuit

Номер патента: US4116732A. Автор: John S. Shier. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-09-26.

Improved process for forming a buried plate

Номер патента: US20050272201A1. Автор: Cheng Kangguo,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor device with conductive structure and insulation layer of different width

Номер патента: US11810860B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Method of manufacturing a buried plate type DRAM having a widened trench structure

Номер патента: US5629226A. Автор: Sumito Ohtsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-13.

Substrate for image sensor including a spring plate and an insulating layer

Номер патента: US12132065B2. Автор: Duck Hoon Park,Jee Heum Paik,Young Joon Son. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Transistor die with primary and ancillary transistor elements

Номер патента: US20230411243A1. Автор: Humayun Kabir,Ibrahim Khalil,Bruce McRae Green. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device having a buried gate and method for forming the same

Номер патента: US8536644B2. Автор: Hae Il SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Semiconductor devices having improved gate insulating layers and related methods of fabricating such devices

Номер патента: US7452779B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-18.

Three-dimensional ferroelectric memory devices including a backside gate electrode and methods of making same

Номер патента: WO2020149937A1. Автор: Koji Sato. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor memory device having ferroelectric gate insulating layer

Номер патента: US11871579B2. Автор: Kunifumi Suzuki,Yuuichi Kamimuta. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Electronic Device Including a Contact Structure Contacting a Layer

Номер патента: US20200144194A1. Автор: Aurore Constant,Peter Coppens,Joris Baele. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor memory device with a buried drain and its memory array

Номер патента: US8994095B2. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Qingqing Sun,Shijin Ding. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-03-31.

Semiconductor Memory Device with a Buried Drain and Its Memory Array

Номер патента: US20120273866A1. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Qingqing Sun,Shijin Ding. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-01.

Display device including a first capacitor electrode and a second capacitor electrode

Номер патента: US10325971B2. Автор: Hee June KWAK,Cheol Yun JEONG,Ju Ae Youn. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-18.

Semiconductor structure including a first transistor and a second transistor

Номер патента: US09899417B2. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit including a body transistor and method

Номер патента: US20090261411A1. Автор: Dongping Wu. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US20230284432A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US20230247820A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor structure including a nonvolatile memory cell and method for the formation thereof

Номер патента: US09634017B1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor structure including a first transistor and a second transistor

Номер патента: US20170200743A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Circuit element including a layer of a stress-creating material providing a variable stress

Номер патента: US09537006B2. Автор: Johannes von Kluge. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Integrated chip having a buried power rail

Номер патента: US11742292B2. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Integrated chip having a buried power rail

Номер патента: US20230361041A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Electronic device including a plurality of nitride insulating layers

Номер патента: US11937448B2. Автор: Akinori Kamiya,Hiroki Ohara. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Transistor element having an anisotropic high-k gate dielectric

Номер патента: EP1535316A1. Автор: Karsten Wieczorek,Christian Radehaus. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-06-01.

Transistor element having an anisotropic high-k gate dielectric

Номер патента: WO2004021424A1. Автор: Karsten Wieczorek,Christian Radehaus. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor device comprising a capacitor and a buried passivation layer

Номер патента: US4897707A. Автор: Wilhelmus J. M. J. Josquin,Henderikus Lindeman. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1990-01-30.

Method for preventing excessive etching of edges of an insulator layer

Номер патента: US10249508B2. Автор: Xianchao WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

3D semiconductor devices including a supporter and methods of forming the same

Номер патента: US10651197B2. Автор: Sang Jun Hong,Joong Shik Shin,Ee Jou Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-12.

3d semiconductor devices including a supporter and methods of forming the same

Номер патента: US20200235124A1. Автор: Sang Jun Hong,Joong Shik Shin,Ee Jou Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Organic EL element including EL layer and insulating layer between electrodes

Номер патента: US09502685B2. Автор: Masahiro Nakamura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Display device including inorganic insulating layers

Номер патента: US20230180515A1. Автор: Sang Min Hong,Heeseong Jeong,Hyun-gue SONG,Nari Heo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Foldable touch display device having an insulating layer with different thicknesses

Номер патента: US12099272B2. Автор: Kuan-Feng Lee,Yuan-Lin Wu,Jui-Jen Yueh. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor package including a redistribution structure

Номер патента: US20240332157A1. Автор: Kyungdon Mun,Sangjin Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and insulating layer-forming composition

Номер патента: US09905768B2. Автор: Satoru Yamada,Yuzo Nagata,Hiroo Takizawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Electronic device including a metal substrate and a semiconductor module embedded in a laminate

Номер патента: US09935027B2. Автор: Markus Dinkel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Display module having a circuit insulating layer

Номер патента: US11205688B2. Автор: Seung-Hoon Lee,Sangmin Kim,Byoung-Hun Sung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Electrostatic discharge protection transistor element fabrication process

Номер патента: US5436183A. Автор: Stephen C. Park,Jeffrey B. Davis. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-07-25.

Display device including a light emitting layer containing quantum dots

Номер патента: US09515285B2. Автор: Toshihiro Sato. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device having doped interlayer insulating layer

Номер патента: US12107049B2. Автор: Jaechul Lee,Byungsun PARK,Youngil Lee,Jiwoon Im,Younseok CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Structure for picking up a buried layer and method thereof

Номер патента: US20130113104A1. Автор: Wensheng QIAN. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor device including inner conductive layer having regions of different surface roughness

Номер патента: US12125823B2. Автор: Shingo TSUCHIMOCHI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device including a selection element pattern confined to a hole

Номер патента: US20190157346A1. Автор: JONG CHUL LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device including TSV and multiple insulating layers

Номер патента: US12040231B2. Автор: Junghoon Han,Juik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor devices including a thick metal layer and a bump

Номер патента: US12080663B2. Автор: Junghoon Han,Yeonjin Lee,Sooho Shin,Minjung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device comprising a conductive layer having an air gap

Номер патента: US09972639B2. Автор: Ju Hak Song,Seon Kyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of fabricating integrated circuits and devices with interleaved transistor elements

Номер патента: US20180033787A1. Автор: Jason R. Fender,Michael L. Fraser,Frank E. Danaher. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Methods of fabricating integrated circuits and devices with interleaved transistor elements

Номер патента: US10283500B2. Автор: Jason R. Fender,Michael L. Fraser,Frank E. Danaher. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

Transistor element

Номер патента: US09608217B2. Автор: Junji Kido,Naoki Hirata,Naomi Oguma,Ken-ichi Nakayama,Ryotaro AKIBA. Владелец: Dainichiseika Color and Chemicals Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

High-voltage transistor device with thick gate insulation layers

Номер патента: US20190319048A1. Автор: Elliot John Smith,Nigel Chan,Nilesh Kenkare. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Image sensor including a buried gate

Номер патента: US20230144105A1. Автор: Hyuksoon CHOI,Daekun Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips

Номер патента: US12057441B2. Автор: Manho Lee,Eunseok Song,Kyungsuk Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Organic electroluminescence element including carrier injection amount control electrode

Номер патента: US20200075897A1. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device having a vertical hall element with a buried layer

Номер патента: US11069851B2. Автор: Takaaki Hioka. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2021-07-20.

Analyzing a sidewall of hole milled in a sample to determine thickness of a buried layer

Номер патента: US12033831B2. Автор: Ilya Blayvas,Yehuda Zur. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for manufacturing a metal interconnection having enhanced filling capability

Номер патента: US20010024688A1. Автор: Sung-Kwon Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-27.

Method for manufacturing a metal interconnection having enhanced filling capability

Номер патента: US6475900B2. Автор: Sung-Kwon Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-05.

Organic light emitting display having fourth insulating layer fully covers a contact hole

Номер патента: US09876065B2. Автор: Kiyoung Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: US09837302B1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Light emitting element including metal bulk

Номер патента: US20190148597A1. Автор: Chang Yeon Kim,Ju Yong Park,Joon Sup LEE,Seung Hyun Kim,Jong Hyeon Chae,Won Young Roh,Dae Woong SUH. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Composition for insulating layer

Номер патента: US20110136992A1. Автор: Isao Yahagi. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device having doped interlayer insulating layer

Номер патента: US20220223524A1. Автор: Jaechul Lee,Byungsun PARK,Youngil Lee,Jiwoon Im,Younseok CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Organic electroluminescence element including carrier injection amount control electrode

Номер патента: US20220109129A1. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor chip and semiconductor device including a copper pillar and an intermediate layer

Номер патента: US20240170436A1. Автор: Yuji Koga,Shoji Takei. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: EP3504734A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Semiconductor package including a three-dimensional stacked memory module

Номер патента: US20240130144A1. Автор: Dong Joo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Display device including a barrier layer

Номер патента: US20200235338A1. Автор: Sangyoung Park,JoongHyun Kim,Kyongtaeg Lee,Kyungsuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Electronic device including a capacitor and a process of forming the same

Номер патента: US20090020849A1. Автор: Bradley P. Smith,Edward O. Travis. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor devices including a capping layer

Номер патента: US09953924B2. Автор: Nae-in Lee,Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Display device including a COA substrate having a photoresist plug on an ITO film

Номер патента: US09726956B2. Автор: Yue Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

CMOS-MEMS integrated device including a contact layer and methods of manufacture

Номер патента: US09718680B2. Автор: Peter Smeys,Jongwoo Shin,Daesung Lee,Jong Il Shin. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor devices including a capping layer

Номер патента: US09711453B2. Автор: Nae-in Lee,Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Systems, methods and devices for a memory having a buried select line

Номер патента: US09583195B2. Автор: Badih El-Kareh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of manufacturing a semiconductor device having a buried region with higher impurity concentration

Номер патента: US6146957A. Автор: Youichi Yamasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-11-14.

Electronic fuse having an insulation layer

Номер патента: WO2014120337A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Keith Kwong Hon Wong,Chad M. Burke. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-07.

Method of fabricating insulation layer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US7846850B2. Автор: Yang-Han Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-07.

Method of fabricating insulation layer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20100151668A1. Автор: Yang-Han Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Method for fabricating a buried bit line for a semiconductor memory

Номер патента: US20040018686A1. Автор: Veronika Polei,Mayk Röhrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-01-29.

Display apparatus including a shielding conductive layer

Номер патента: US20210183979A1. Автор: Kyunghoon Kim,Wonse Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Display device including a sealing member and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583730B2. Автор: Hee Chul JEON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device including a buffer layer structure for reducing stress

Номер патента: US09515043B2. Автор: Masatoshi Tagaki,Takeshi Yuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Circuit board having a ground layer including a plurality of polygonal openings

Номер патента: US09847306B2. Автор: Yoshihiro Iida,Fongru Lin. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Analyzing a sidewall of hole milled in a sample to determine thickness of a buried layer

Номер патента: WO2023027866A1. Автор: Ilya Blayvas,Yehuda Zur. Владелец: Applied Materials Isreal Ltd.. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor devices including a thick metal layer and a bump

Номер патента: US11817408B2. Автор: Junghoon Han,Yeonjin Lee,Sooho Shin,Minjung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor devices including a thick metal layer and a bump

Номер патента: US20240047390A1. Автор: Junghoon Han,Yeonjin Lee,Sooho Shin,Minjung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor devices including a thick metal layer and a bump

Номер патента: US20210043591A1. Автор: Junghoon Han,Yeonjin Lee,Sooho Shin,Minjung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Signal isolator having enhanced creepage characteristics

Номер патента: US20240234257A1. Автор: William P. Taylor,Robert A. Briano,Shixi Louis Liu. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20180068976A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20210057378A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20190067241A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20230275065A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: EP3913667A1. Автор: Satyamoorthi CHINNUSAMY, Kevin SIMPSON, Mark C COSTELLO. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-11-24.

Method of forming insulating layer

Номер патента: US20210011387A1. Автор: Sakae Matsuzaki. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Organic light emitting diode display comprising interlayer insulating layers

Номер патента: US12052890B2. Автор: Young Woo Park,Wang Woo LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: US09837375B2. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Construction of a hall-effect sensor in a buried isolation region

Номер патента: US09728581B2. Автор: Ajit Sharma,Keith Ryan Green,Rajni J. Aggarwal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Three-dimensional memory device with different thickness insulating layers and method of making thereof

Номер патента: US09716105B1. Автор: Masanori Tsutsumi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Magnetoresistive effect devices having enhanced magnetic anisotropy

Номер патента: US09564581B1. Автор: Kurt Allan Rubin,Young-Suk Choi,Derek Stewart. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming a low resistive current path between a buried contact and a diffusion region

Номер патента: US5376577A. Автор: Tyler A. Lowrey,Martin C. Roberts. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1994-12-27.

Semiconductor device including a through wiring area

Номер патента: US20200043830A1. Автор: Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor structure with a buried power rail

Номер патента: WO2023151939A1. Автор: Theodorus Standaert,Somnath Ghosh,Ruilong Xie,Kisik Choi,Fee Li LIE. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips

Номер патента: US20220352128A1. Автор: Manho Lee,Eunseok Song,Kyungsuk Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-03.

Dram cell formed on an insulating layer having a vertical channel and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20010032989A1. Автор: Sang Won Kang,Yo Hwan Koh,Jin Hyeok Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Chip including a scribe lane

Номер патента: US20200126932A1. Автор: Jung Ho Choi,Jun Ho Yoon,Yun Hee Kim,Yoon Sung Kim,Byung Moon BAE,Hyun Su SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor devices including an edge insulating layer

Номер патента: US11770926B2. Автор: Kiseok LEE,Huijung Kim,Junhyeok Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device having a carbon containing insulation layer formed under the source/drain

Номер патента: US12100650B2. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Display device including a light control pattern

Номер патента: US20210013455A1. Автор: YoungJe CHO,Kwangsoo Bae,Minjeong Oh,Beomsoo Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Magnetic field current sensors having enhanced current density regions

Номер патента: US09983238B2. Автор: Udo Ausserlechner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-29.

Process for making a buried bit line memory cell

Номер патента: US5536670A. Автор: Chen-Chiu Hsue. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-07-16.

Nitride semiconductor material and heat flow switching element including the same

Номер патента: US20240140797A1. Автор: Masaki Adachi,Toshiaki Fujita. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Transistor package comprising thermally conductive and electrically insulating layer

Номер патента: US12033908B2. Автор: Bozhi Yang,Charles Ingalz. Владелец: Lunar Energy Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Polishing composition and method of polishing a substrate having enhanced defect reduction

Номер патента: US12024652B2. Автор: Yi Guo. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for fabricating electronic assembly including a magnetic field shielding film

Номер патента: US12068258B2. Автор: Seong-Woo Woo,Jung Ju Suh,Jiwoong Kong. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2024-08-20.

Light emitting device including a resin package having a cavity

Номер патента: US09887335B2. Автор: Hiroto Tamaki,Yoshitaka Bando,Takuya Nakabayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Electronic device including a semiconductor memory having multi-layered structural free layer

Номер патента: US09859490B2. Автор: Jeong-myeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of forming a layer having a high precision pattern and layer

Номер патента: US6001537A. Автор: Toshiaki Takagi,Kouichi Ohsumi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Semiconductor device having dummy patterns and an upper insulating layer having cavities

Номер патента: US5652465A. Автор: Yukio Hosoda,Masaaki Ichikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-07-29.

Method for Producing a Buried Interconnect Rail of an Integrated Circuit Chip

Номер патента: US20230046117A1. Автор: Zheng Tao,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-02-16.

Display device having varying thickness insulating layer

Номер патента: US11973088B2. Автор: Koichi Sugitani,Hye In KIM,Pil Soon HONG,Chul Won Park,Gwui Hyun PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Organic light emitting display having a first insulating layer and a gate metal layer constitute a first capacitor

Номер патента: US20180138253A1. Автор: Kiyoung Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Display device including a display substrate and a polarization layer

Номер патента: US20240105540A1. Автор: Younhwan Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Electronic device including a semiconductor memory having variable resistance structure with magnetic correction layer

Номер патента: US09876162B2. Автор: Keun-Jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Printed circuit board including a leadframe with inserted packaged semiconductor chips

Номер патента: US09721863B2. Автор: Juergen Hoegerl,Andreas Grassmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device including an insulative layer having a gap

Номер патента: US5917231A. Автор: Nobuyuki Kasai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-06-29.

Stacked multijunction solar cell having a dielectric insulating layer system

Номер патента: US11837672B2. Автор: Tim Kubera,Bianca FUHRMANN. Владелец: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH. Дата публикации: 2023-12-05.

Display panel and a display device including a pixel circuit and a driver circuit

Номер патента: US11800749B2. Автор: Ping An,Shui He,Yaqi KUANG. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Display device including concave/convex structure in the inorganic insulation layer

Номер патента: US11778879B2. Автор: Nobuto Managaki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Power semiconductor module arrangement including a contact element

Номер патента: EP3644358A1. Автор: Christian Robert Müller,Marianna Nomann,Regina Nottelmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-04-29.

Semiconductor device that includes a molecular bonding layer for bonding elements

Номер патента: US20170294408A1. Автор: Akihiko Happoya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Integrated circuit devices including a via and methods of forming the same

Номер патента: US20200144103A1. Автор: Harsono Simka,Jong Hyun Lee,Yung Bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor Devices Including a Capping Layer

Номер патента: US20180218980A1. Автор: Nae-in Lee,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,Jongmin Beak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-02.

Display device with organic insulating layer covering contact bridge and electrostatic electrode

Номер патента: US11744125B2. Автор: Sang-ho Moon,Chungi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Display device including a wiring pad and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230207573A1. Автор: Ji Woong Choi,Han Bum KWON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Composite material compositions, arrangements and methods having enhanced thermal conductivity behavior

Номер патента: WO2009061492A1. Автор: Robert S. Block,KRS Murthy,Allen J. Amaro. Владелец: SUNRGI. Дата публикации: 2009-05-14.

Redistribution layer having a sideview non-planar profile

Номер патента: EP4280266A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yufu Liu,Kuan-Hsiang Mao,Tsung Nan Lo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-11-22.

Magnetoresistance effect element including a crystallized co heusler alloy layer

Номер патента: US11621392B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-04-04.

Method for forming an electrical insulating layer on bit lines of the flash memory

Номер патента: US20020175139A1. Автор: Chien-Wei Chen,Jiun-Ren Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Wire path plate having enhanced durability for wire bonding

Номер патента: US20240347500A1. Автор: Yue Zhang,Keng Yew Song,Chonghao Chen,Heqing CHEN. Владелец: ASMPT Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Bumpless build-up layer package including a release layer

Номер патента: WO2014098965A1. Автор: Dilan Seneviratne,Liwen Jin. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-06-26.

Light scattering layer having particles for an organic EL light emitting device

Номер патента: US09871227B2. Автор: Hiroyasu Inoue. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Electronic device including a semiconductor memory

Номер патента: US09830967B2. Автор: Min-Suk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Organic light emitting diode and display device having enhanced viewing angles

Номер патента: US09692017B2. Автор: Mi-Na Kim,Ho-Sung Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Bumpless build-up layer package including a release layer

Номер патента: US09320149B2. Автор: Dilan Seneviratne,Liwen Jin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Display apparatus having inorganic insulating layers with contact holes and grooves

Номер патента: US11594692B2. Автор: SangJo Lee,WonSuk Choi,Yoonsun CHOI,Cheolsu Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-28.

Semiconductor device with tilted insulating layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20220093490A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device with tilted insulating layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20220278025A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor storage device with insulating layers for etching stop

Номер патента: US11887926B2. Автор: Kazuhiro Nojima,Hideto Takekida,Shotaro KUZUKAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Producing a buried cavity in a semiconductor substrate

Номер патента: US20210013087A1. Автор: Mirko Vogt,Uwe Rudolph,Thoralf Kautzsch,Maik Stegemann,Boris Binder,Andre Roeth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-01-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING h-BN INSULATING LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160163537A1. Автор: Kazufumi Tanaka. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device with tilted insulating layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11728299B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Packages with local high-density routing region embedded within an insulating layer

Номер патента: EP4197027A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Kuiwon Kang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Packages with local high-density routing region embedded within an insulating layer

Номер патента: WO2022035502A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Kuiwon Kang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for Forming a Buried Metal Line

Номер патента: US20210035860A1. Автор: Anshul Gupta,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-02-04.

Circuit board having a ground layer including a plurality of polygonal openings

Номер патента: US20170271282A1. Автор: Yoshihiro Iida,Fongru Lin. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Method of manufacturing imaging apparatus having etched and planarized insulating layer

Номер патента: US9570504B2. Автор: Toshiyuki Ogawa,Shunsuke Takimoto,Sho Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Display device having multiple insulating layers of same material

Номер патента: US11961849B2. Автор: Dong Hoon Shin,June Whan Choi,Keum Hee LEE,Woo Geun Lee,Seung Sok SON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Circuit carrier including a silicone polymer coating

Номер патента: US20160329259A1. Автор: Peter Pfeiffer,André Hahn,Isabel Faria,Heiko Elsinger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-11-10.

Circuit carrier including a silicone polymer coating

Номер патента: US09754850B2. Автор: Peter Pfeiffer,André Hahn,Isabel Faria,Heiko Elsinger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-09-05.

Image sensor with protection layer having convex-shaped portions over the air spacers between the plurality of filters

Номер патента: US09520429B2. Автор: Sang-Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method of forming insulating layer around semiconductor die

Номер патента: US09437552B2. Автор: Xusheng Bao,Xia Feng,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Single-plate color imaging element including color filters arranged on pixels

Номер патента: US09431444B2. Автор: Seiji Tanaka,Kenkichi Hayashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for producing semiconductor device including a refractory metal pattern

Номер патента: US4957880A. Автор: Hitoshi Itoh,Takahiko Moriya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-09-18.

Solar cell with an electrically insulating layer under the busbar

Номер патента: WO2005004242A2. Автор: Raed A. Sherif,Dimitri D. Krut,Hector Cotal. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor device including h-BN insulating layer and its manufacturing method

Номер патента: US9607824B2. Автор: Kazufumi Tanaka. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Display apparatus including a substrate having a hole

Номер патента: US12010905B2. Автор: Sunkwang Kim,Kinyeng Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Electronic fuse having an insulation layer

Номер патента: US20150130019A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Keith Kwong Hon Wong,Chad M. Burke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-14.

Display device including a color filter disposed on a bank structure

Номер патента: US20240237465A9. Автор: Eui Suk JUNG,Dong Hyun Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Process for etching an insulating layer and forming a semiconductor device

Номер патента: EP1085563A3. Автор: Ganesh Rajagopalan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-09-19.

Conversion element including a separating structure

Номер патента: US20160146434A1. Автор: Frank Singer,Wolfgang Mönch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-26.

Method for producing a horizontal insulation layer on a conductive material in a trench

Номер патента: US20040043560A1. Автор: Martin Popp. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-04.

Method for manufacturing a buried heterostructure laser diode

Номер патента: US4994143A. Автор: Sang B. Kim. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 1991-02-19.

Separator having heat-resistant insulating layer and electric device comprising the same

Номер патента: US09728757B2. Автор: Takashi Honda,Hironobu Muramatsu,Tamaki Hirai. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Separator with heat resistant insulation layer

Номер патента: US09496535B2. Автор: Takashi Honda. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Analyzing a buried layer of a sample

Номер патента: US20230019567A1. Автор: Yehuda Zur,Alexander Mairov,Gal Bruner. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Rolling-element bearing including an electrically insulating layer

Номер патента: US20180274594A1. Автор: Karl Preis,Ronald Berger,Helmut Weninger. Владелец: SKF AB. Дата публикации: 2018-09-27.

Fire resistant cable with dual insulation layer arrangement

Номер патента: AU2021209159A1. Автор: Ehsan FALLAHMOHAMMADI,Clint Nicholaus Anderson. Владелец: Prysmian SpA. Дата публикации: 2022-03-03.

Separator with heat-resistant insulation layer

Номер патента: US09847518B2. Автор: Takashi Honda,Tamaki Hirai,Miyuki Nakai. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Energy storage devices having enhanced specific energy and associated methods

Номер патента: US09685278B2. Автор: Michael C. Graf,Charles W. Holzwarth,Bum Ki Moon,Cary L. Pint. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Separator with heat resistant insulation layer

Номер патента: US09543077B2. Автор: Takashi Honda,Kazuki Miyatake,Haruyuki Saito,Hironobu Muramatsu,Tamaki Hirai. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Measurement transformer including a printed circuit board

Номер патента: US12020844B2. Автор: Francois Guillot,Patrice Chetanneau. Владелец: Safran Electronics and Defense SAS. Дата публикации: 2024-06-25.

Lead with textured insulative layer

Номер патента: US09782579B2. Автор: David J. Smith,David R. Wulfman,Daniel J. Cooke,Tolga Tas,Christopher R. Perrey,Rahul K. Rajgarhia. Владелец: Cardiac Pacemakers Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Rechargeable battery having insulation layer

Номер патента: US09601736B2. Автор: Takao Abe,Dae-Kyu Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Battery having enhanced electrical insulation capability

Номер патента: US09570774B2. Автор: Jin Soo Lee,Kil Young Lee,Dong Myung Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Additive manufacturing of Nd-Fe-B magnets with insulating layers

Номер патента: US11923133B2. Автор: Michael W. Degner,Franco Leonardi,Wanfeng LI. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Additive manufacturing of nd-fe-b magnets with insulating layers

Номер патента: US20240071666A1. Автор: Michael W. Degner,Franco Leonardi,Wanfeng LI. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Electric field reducing insulating layer for an inductive coil

Номер патента: US20210202166A1. Автор: Jacob Willem Jansen,Nilles Henricus VRIJSEN. Владелец: Prodrive Technologies BV. Дата публикации: 2021-07-01.

Field emission display including a metal grid

Номер патента: US7221080B2. Автор: Sung-Ho Jo,Byong-Gon Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Battery module including partition wall and heat insulation layer for fire suppression

Номер патента: AU2021302997A1. Автор: Sang Hyun JO,Jin Kyu Shin,Sung Goen HONG. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Field emission display including a metal grid

Номер патента: US20070026755A1. Автор: Sung-Ho Jo,Byong-Gon Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

Touch panel having a insulation layer

Номер патента: US09537483B2. Автор: Chih-Han Chao,Jia-Shyong Cheng,Po-Sheng Shih,Po-Shan Huang. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Polyethylene composition for insulation layer

Номер патента: WO2024177801A1. Автор: Andrew T. Heitsch,Paul J. Brigandi,Mohamed Esseghir,Michael T. Petr,Doug S. GINGER. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

CPP-Type Magnetoresistive Element Including Spacer Layer

Номер патента: US20120002330A1. Автор: Yoshihiro Tsuchiya,Hironobu Matsuzawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Secondary battery having enhanced safety

Номер патента: EP4336630A1. Автор: Ji Min PARK,Joo Hwan Sung,Kyung Hwan JUNG. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Electrochemical device including a binding layer having a spinel-type crystal structure

Номер патента: US8354198B2. Автор: Toshiyuki Nakamura,Takashi Ryu,Makoto Ohmori. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-01-15.

Non-aqueous electrolyte secondary battery having an improved insulating layer

Номер патента: US11450858B2. Автор: Kunihiko Hayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-09-20.

Capacitor including registration feature for aligning an insulator layer

Номер патента: EP2715752A2. Автор: Rajesh V. Iyer. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2014-04-09.

Magnet wire with a semi-conductive insulation layer

Номер патента: WO2023014976A1. Автор: Scott Ted Jolley. Владелец: Essex Furukawa Magnet Wire USA LLC. Дата публикации: 2023-02-09.

Electric field reducing insulating layer for an inductive coil

Номер патента: WO2020053026A1. Автор: Jacob Willem Jansen,Nilles Henricus VRIJSEN. Владелец: PRODRIVE TECHNOLOGIES B.V.. Дата публикации: 2020-03-19.

Electric field reducing insulating layer for an inductive coil

Номер патента: EP3850646A1. Автор: Jacob Willem Jansen,Nilles Henricus VRIJSEN. Владелец: Prodrive Technologies BV. Дата публикации: 2021-07-21.

Magnet wire with a semi-conductive insulation layer

Номер патента: EP4381530A1. Автор: Scott Ted Jolley. Владелец: Essex Furukawa Magnet Wire USA LLC. Дата публикации: 2024-06-12.

Electromagnetic actuator having enhanced magnetic structures

Номер патента: US09728315B2. Автор: William Ferry,Arni Atlason,Derek Custer. Владелец: Governors America Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Cable structure with inner insulation layer

Номер патента: US20160351294A1. Автор: Ming-Li Tsai. Владелец: Wanshih Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Assembly and method for manufacturing insulation layer of electrical conductors

Номер патента: US20180047483A1. Автор: Chao Zhang,Robert E. Ashley, III. Владелец: Siemens Energy Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

Intermodular busbar including insulating layer and battery pack including same

Номер патента: EP4391210A1. Автор: Sung Tack Hwang. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Multiple insulating layer high voltage wire insulation

Номер патента: WO1999031676A1. Автор: Tsu-Chia Shieh. Владелец: Rockbestos-Surprenant Cable Corp.. Дата публикации: 1999-06-24.

Power cable with a thick insulation layer and a method for its manufacture

Номер патента: US09728300B2. Автор: Timothy J. Person. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Storage element including multiple lithium cells

Номер патента: US09698445B2. Автор: Josef Winkler,Michael Wansner. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Display module having a circuit insulating layer

Номер патента: US12133422B2. Автор: Seung-Hoon Lee,Sangmin Kim,Byoung-Hun Sung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

OLED with electron transport layer within insulating layer

Номер патента: US11889739B2. Автор: Feng Wei,Aiguo Tu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Display module having a circuit insulating layer

Номер патента: US11856819B2. Автор: Seung-Hoon Lee,Sangmin Kim,Byoung-Hun Sung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Display module having a circuit insulating layer

Номер патента: US20240107818A1. Автор: Seung-Hoon Lee,Sangmin Kim,Byoung-Hun Sung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US20240292593A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory-element-including semiconductor device

Номер патента: US20240179887A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory-element-including semiconductor device

Номер патента: US20240179886A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Light emitting element including a fixation member fixing a flexible plate-like portion

Номер патента: US12120942B2. Автор: Takeru Okada. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Systems, methods and devices for a memory having a buried select line

Номер патента: US20140003158A1. Автор: Badih El-Kareh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Wiring circuit flexible substrate including a terminal section and a connecting section

Номер патента: US8995090B2. Автор: Yuji Narita,Jin Nishiyama. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2015-03-31.

Wireless Communications Device Having Enhanced Silent Notification Mode

Номер патента: US20170078469A1. Автор: Lawrence R. Youst. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-16.

Printed circuit board including a thick-wall via and method of manufacturing same

Номер патента: US20170367185A1. Автор: Robert Joseph Roessler. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-12-21.

Display device including a first electrode including an end portion inside a trench

Номер патента: US12114530B2. Автор: Hiroumi Kinjo. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Wireless communications device having enhanced silent notification mode

Номер патента: US09876895B2. Автор: Lawrence R. Youst. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of making a buried strap for a trench capacitor

Номер патента: WO2001008216A1. Автор: Alexander Michaelis,Stephan Kudelka. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-02-01.

System and method for enhancing functionality of electronic devices

Номер патента: US12111975B2. Автор: Ding Xu,Richard Lee Marks. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of forming insulating layer and touchscreen manufactured using the same

Номер патента: US09655250B2. Автор: Jae-Hyun Yoo,Joon-Hyung Kim,Mi-Kyoung Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

OLED device having enhancement layer(s)

Номер патента: US11832474B2. Автор: Marc A. Baldo,Michael S. Weaver,Nicholas J. Thompson,Vinod M. Menon. Владелец: Universal Display Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for manufacturing a buried strap contact in a memory cell

Номер патента: US20040048436A1. Автор: Peter Voigt,Gerhard Enders,Bjoern Fischer,Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-11.

Heat dissipating module having enhanced heat dissipating efficiency

Номер патента: US20130250517A1. Автор: HUA Chen,Shih-Huai Cho,Wen-Hsiung Yang. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of making a buried strap for a trench capacitor

Номер патента: EP1198832A1. Автор: Alexander Michaelis,Stephan Kudelka. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-04-24.

Set-Top Box with Enhanced Functionality and System and Method for Use of Same

Номер патента: US20190110098A1. Автор: Thomas R. Miller,William C. Fang,Vanessa Ogle. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Display apparatus including organic insulation layer defined opening

Номер патента: US11925072B2. Автор: Sanghyun Lee,Woongsik Kim,Jin-Su Byun,Donghwan BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Heating element and heater assemblies, cartridges, and e-vapor devices including a heating element

Номер патента: ZA202103476B. Автор: Holtz Arie,Weigensberg Isaac. Владелец: Altria Client Services LLC. Дата публикации: 2024-06-26.

Multilayer filter including a low inductance via assembly

Номер патента: WO2020132022A1. Автор: Kwang Choi,Marianne Berolini. Владелец: AVX CORPORATION. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory-element-including semiconductor device

Номер патента: US11756603B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Display device including a barrier layer with a concavo-convex side surface

Номер патента: US11882722B2. Автор: Sangyoung Park,JoongHyun Kim,Kyongtaeg Lee,Kyungsuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Cell Phone having Enhanced Silent Notification Mode

Номер патента: US20180205817A1. Автор: Lawrence R. Youst. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-07-19.

Resistive switching memory element including doped silicon electrode

Номер патента: US8502187B2. Автор: Wen Wu,Michael Miller,Tony Chiang,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-08-06.

Optical transceiver having enhanced emi tolerance

Номер патента: WO2012086832A1. Автор: Hiromi Kurashima,Daisuke Kawase,Hiroyasu Oomori. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-06-28.

Playback devices having enhanced spider coupling portions

Номер патента: US12120496B2. Автор: Paul MacLean,Anthony Ferraro. Владелец: Sonos Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Handoff to base station having enhanced capabilities

Номер патента: US09974116B2. Автор: James A. Proctor, Jr.,Kevin L. Farley,Howard A. Heller. Владелец: IPR Licensing Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Radio receiver having enhanced automatic gain control circuitry

Номер патента: US09735748B2. Автор: Mark May,Steve Hanawalt. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Method and apparatus having enhanced oscillator phase noise using high Vt MOS devices

Номер патента: US09734265B2. Автор: Nikolaus Klemmer,Siraj Akhtar,Himanshu Arora. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

DRAM having a buried region contacted through a field region

Номер патента: US5663585A. Автор: Chang Jae Lee,Oh Seok Han. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-02.

Display device including a pad structure sharing material with bank structure

Номер патента: US20230363211A1. Автор: In Young JUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor memory device having a protective layer provided between a source contact and a spacer insulating layer

Номер патента: US11792984B2. Автор: Takeo Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Display device capable of minimizing outgassing from insulating layers

Номер патента: US12010880B2. Автор: Hyeon Sik Kim,Seong-Min Kim,Jin Koo Chung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Wafer level package having enhanced thermal dissipation

Номер патента: US20230013541A1. Автор: Joshua James CARON,Eesa Rahimi. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Multilayer structure including insulating layer

Номер патента: EP4417413A1. Автор: Toru Arai,Ryosuke Kanto. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Sensor element including a strip conductor and a reference gas channel

Номер патента: US09841397B2. Автор: Jens Schneider,Thomas Juestel,Andreas Rottmann,Frank Buse. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-12-12.

Display device including molybdenum and polyphenylenew sulfide containing thermal insulation layer

Номер патента: US11917858B2. Автор: Masanobu Mizusaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Phase-change memory with an insulating layer on a cavity sidewall

Номер патента: US11800821B2. Автор: DANIEL Benoit,Philippe Boivin,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-10-24.

Display device with insulating layer in through hole or notch

Номер патента: US11895886B2. Автор: Masato Ito,Heisuke KANAYA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of forming insulating layer and touchscreen manufactured using the same

Номер патента: US20160252994A1. Автор: Jae-Hyun Yoo,Joon-Hyung Kim,Mi-Kyoung Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Display device including a color filter disposed on a bank structure

Номер патента: US20240138224A1. Автор: Eui Suk JUNG,Dong Hyun Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Cost function to measure objective quality for sharpness enhancement functions

Номер патента: EP1500263A1. Автор: Nehal R. Dantwala. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-01-26.

Mpeg-2 decoder with an embedded contrast enhancement function and methods therefor

Номер патента: EP1377935A2. Автор: Yibin Yang. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-01-07.

Display apparatus having a light-emitting device and a bank insulating layer

Номер патента: US12120908B2. Автор: Jung Mo CHO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Liquid crystal display including interlayer insulating layer at peripheral sealing portion

Номер патента: US20010003476A1. Автор: Takayuki Shimada,Kazuyoshi Fujioka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-14.

Thermal insulation including a cellular matrix

Номер патента: US09822919B2. Автор: Corey A. Fleischer,David C. Briggs. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Updating of a buried data channel

Номер патента: EP1614103A1. Автор: Arnoldus W. J. Oomen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-11.

Modified immune cells havig enhanced function and methods for screening the same

Номер патента: US20240167024A1. Автор: Yangbing Zhao,Jiangtao REN. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2024-05-23.

Search system and method for searching for a buried person

Номер патента: US09529072B2. Автор: Rolf Matzner. Владелец: ORTOVOX Sportartikel GmbH. Дата публикации: 2016-12-27.

Method and device for detecting insulation damage to a buried object

Номер патента: US4689552A. Автор: Akihiko Fujii,Masahiro Tsuka. Владелец: Osaka Gas Co Ltd. Дата публикации: 1987-08-25.

Apparatus for remotely lifting a buried explosive device

Номер патента: US9845229B1. Автор: James Wade,Angel Diaz,Lee Foltz,Mike Sharp,Matthew Gebstadt. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-12-19.

Apparatus for remotely lifting a buried explosive device

Номер патента: US09845229B1. Автор: James Wade,Angel Diaz,Lee Foltz,Mike Sharp,Matthew Gebstadt. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-12-19.

Apparatus and method for providing access to a buried pipe

Номер патента: US20140248088A1. Автор: Larry W. Kiest, Jr.. Владелец: LMK Technologies LLC. Дата публикации: 2014-09-04.

Apparatus and method for providing access to a buried pipe

Номер патента: US20130259578A1. Автор: Larry W. Kiest, Jr.. Владелец: LMK Technologies LLC. Дата публикации: 2013-10-03.

Apparatus and method for providing access to a buried pipe

Номер патента: US20120183358A1. Автор: Larry W. Kiest, Jr.. Владелец: LMK Enterprises Inc. Дата публикации: 2012-07-19.

Marker for locating a buried object

Номер патента: US4873533A. Автор: Tomoyasu Oike. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1989-10-10.

Interlayer insulating layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070293035A1. Автор: Yukinori Ikegawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-12-20.

Cache memory having enhanced performance and security features

Номер патента: US09864703B2. Автор: Ruby B. Lee,Zhenghong Wang. Владелец: TELEPUTERS LLC. Дата публикации: 2018-01-09.

Modified immune cells having enhanced function and methods for screening for same

Номер патента: US11920130B2. Автор: Yangbing Zhao,Jiangtao REN. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2024-03-05.

Thermal insulation including a cellular matrix

Номер патента: US20150219268A1. Автор: Corey A. Fleischer,David C. Briggs. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Insulation layer on steel pistons without gallery

Номер патента: EP3420215A1. Автор: Norbert G. SCHNEIDER. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 2019-01-02.

Insulation layer on steel pistons without gallery

Номер патента: WO2017147031A1. Автор: Norbert G. SCHNEIDER. Владелец: Federal-Mogul Llc. Дата публикации: 2017-08-31.

Molded plastic component having enhanced surface finish

Номер патента: US20010009702A1. Автор: John F Murphy. Владелец: Patent Holding Co. Дата публикации: 2001-07-26.

Insulation layer on steel pistons

Номер патента: US12110837B2. Автор: Norbert G. SCHNEIDER. Владелец: Tenneco Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Process for producing cable with insulation layer

Номер патента: CA3241055A1. Автор: Colin Li Pi Shan,Timothy J. Person,Yabin Sun,Gaoxiang WU,Kainan Zhang,Jie Ji,Wenxin Zhang. Владелец: Dow Silicones Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Medical devices and materials having enhanced magnetic images visibility

Номер патента: AU6631994A. Автор: Richard A. Miller,Stuart W. Young. Владелец: Pharmacyclics LLC. Дата публикации: 1994-11-08.

Ground piercing metal detector method for detecting the location of a buried metal object

Номер патента: US20020017904A1. Автор: James OTT,Ellen Ott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Flexible metallic drive shaft diaphragm having enhanced damage tolerance

Номер патента: EP4339471A1. Автор: Mark R. Gurvich,Michael J. King,Brayton REED,Joyel Schaefer. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2024-03-20.

Flexible metallic drive shaft diaphragm having enhanced damage tolerance

Номер патента: US20240101265A1. Автор: Mark R. Gurvich,Michael J. King,Brayton REED,Joyel Schaefer. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Liquid lenses with ceramic insulating layers

Номер патента: EP3724702A1. Автор: Bruno Berge,Mathieu Maillard,Benjamin Burger,Stephanie Chevalliot,Gwenael BONFANTE,Bérangère TOURY-PIERRE. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2020-10-21.

Depth indicator device for protecting a buried asset

Номер патента: AU2021221787A1. Автор: Grant Ewan McLean. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-16.

Novel metal nail sleeve for fixing thermal insulation layer

Номер патента: US20240247481A1. Автор: Wing Yan Tang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-25.

Implantable medical device having enhanced endothelial migration features and methods of making the same

Номер патента: US09439789B2. Автор: Julio C. Palmaz. Владелец: Palmaz Scientific Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Cutting element having enhanced cutting geometry

Номер патента: CA2447747C. Автор: Lance T. Richman. Владелец: Smith International Inc. Дата публикации: 2007-03-27.

System for and method of detecting a buried conductor

Номер патента: CA2656365C. Автор: Jeff Thompson,John Mark Royle. Владелец: Radiodetection Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Rolled matrix device having enhanced ability to unroll and method and its production

Номер патента: IE62749B1. Автор: Jeelin Lo,Alan Clarkson Curtiss. Владелец: Pfizer. Дата публикации: 1995-02-22.

Rolled matrix device having enhanced ability to unroll and method for its production

Номер патента: AU606274B2. Автор: Jeelin Lo,Alan Clarkson Curtiss. Владелец: PFIZER INC. Дата публикации: 1991-01-31.

Sole structure for an article of footwear having enhanced roll acceleration

Номер патента: US20240225177A9. Автор: James Webster,Tom Luedecke,Monibert Narito GABA. Владелец: Under Armour Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Cable tie with two tooth shaped sides having enhanced tension

Номер патента: US20240239576A1. Автор: Lilong Duan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Flexible underwater pipe including a layer including a polyethylene having enhanced heat resistance

Номер патента: US12030287B2. Автор: Frederic Tronc. Владелец: Technip France SAS. Дата публикации: 2024-07-09.

Building product including a metal carbonate and a process of forming the same

Номер патента: US09840845B2. Автор: Gregory F. Jacobs,Husnu M. Kalkanoglu. Владелец: Certainteed LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Fluid composition having enhanced heat transfer efficiency

Номер патента: WO2005123866A2. Автор: Filipe J. Marinho,Carol S. Jeffcoate,Aleksi V. Gershun. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2005-12-29.

Cue butt with ball control enhancement function and billiard cue thereof

Номер патента: US10413806B1. Автор: Shan-Huei Kuo. Владелец: Hamson Global Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

Excavating attachment with laterally pivotable working arm for excavating beneath a buried utility

Номер патента: US09611622B2. Автор: Kelvin R. Doherty. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-04.

Loose mixture to form thermal insulating layer

Номер патента: RU2642702C2. Автор: Алоис ЭДЛЕР. Владелец: Алоис ЭДЛЕР. Дата публикации: 2018-01-25.

Data analysis system for determining coating conditions of a buried pipeline

Номер патента: CA2740376C. Автор: Thomas James Davis. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2015-06-16.

Method for detecting the metal type of a buried metal target

Номер патента: US20020005720A1. Автор: James OTT,Ellen Ott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Anticorrosive circuit for a buried structure

Номер патента: US3959664A. Автор: Kazuo Fujimoto,Hirotsugu Hattori,Yoshimi Tanaka,Yuichiro Takayama,Eiiti Kosoegawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1976-05-25.

Article of footwear including a sole structure

Номер патента: US20240225185A9. Автор: Thomas J. RUSHBROOK,Jessica Small,II Fidencio CAMPOS,Roger Paul Murphy,Matthew W. THORNTON. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Electronic device including a hybrid housing assembly

Номер патента: US20240210993A1. Автор: Drake W. Stacy. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Atherectomy devices including a plurality of distal cutting features

Номер патента: EP3986296A1. Автор: Paul Q Escudero,August Christopher Pombo,Douglas Rowe. Владелец: Philips Image Guided Therapy Corp. Дата публикации: 2022-04-27.

Flame simulating assembly with flicker element including paddle elements

Номер патента: US09739433B2. Автор: Ignazio Gallo,Michael Jach. Владелец: Dimplex North America Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Absolute position encoder including a redundant spatial phase signal

Номер патента: US09612136B1. Автор: Ted Staton Cook. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for fabricating polarizing layer including a protective layer

Номер патента: US20230017351A1. Автор: AKIRA Hirai,Akira Sakai,Masahiro Hasegawa,Miho Yamada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Neutron detector having enhanced absorption and bifurcated detection elements

Номер патента: WO2012037146A1. Автор: Craig R. Kline,Herschel E. Workman. Владелец: PartTec, Ltd.. Дата публикации: 2012-03-22.

Vehicle security system having enhanced door locking features

Номер патента: WO1996032830A2. Автор: Kenneth E. Flick,Geoffrey C. Allen,David T. Herson. Владелец: Herson David T. Дата публикации: 1996-10-17.

Feminine hygiene pad with nonwoven topsheet having enhanced skin feel

Номер патента: EP4403153A2. Автор: Digvijay Rawat. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2024-07-24.

Shield for charging device in xerographic printing device having enhanced voltage and current uniformity

Номер патента: US7236723B2. Автор: Eliud Robles Flores,John Robert Uchal. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2007-06-26.

Shield for charging device in xerographic printing device having enhanced voltage and current uniformity

Номер патента: US20070025770A1. Автор: Eliud Robles Flores,John Uchal. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Seal assembly including a notched seal element for arranging between a stator and a rotor

Номер патента: EP2964901A2. Автор: Jonathan L. Miller. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2016-01-13.

Point of sale terminal having enhanced security

Номер патента: US20160314664A1. Автор: Wai Loon OOI,Tai Liang TING,Derek Nang Hui CHAN. Владелец: Verifone Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Point of sale terminal having enhanced security

Номер патента: WO2016171880A1. Автор: Wai Loon OOI,Tai Liang TING,Derek Nang Hui CHAN. Владелец: VERIFONE, INC.. Дата публикации: 2016-10-27.

Hydrogel material having enhanced transport properties for living organisms encapsulation

Номер патента: WO2024118457A1. Автор: David Henry. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-06.

Vehicle wheel bearing having enhanced sealing function

Номер патента: US12078210B2. Автор: Yong Won Kim,Seong Kyu Jin. Владелец: Iljin Global Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Hard coat compositions and composite films including a thermoplastic polyurethane

Номер патента: EP4171956A1. Автор: Yongshang Lu,Charlie C. Ho. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2023-05-03.

Hard Coat Compositions and Composite Films Including a Thermoplastic Polyurethane

Номер патента: US20230227698A1. Автор: Yongshang Lu,Charlie C. Ho. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2023-07-20.

Knitted component with an inner layer having a thermoplastic material and related method

Номер патента: US11739448B2. Автор: Adrian Meir. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Storage devices having enhanced error detection and memory cell repair

Номер патента: US20240257889A1. Автор: Dong Kim,Inhoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Hydrogel material having enhanced transport properties for living organisms encapsulation

Номер патента: WO2024118457A9. Автор: David Henry. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-22.

Feminine hygiene pad with nonwoven topsheet having enhanced skin feel

Номер патента: EP4403153A3. Автор: Digvijay Rawat. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2024-10-23.

Seal assembly including a notched seal element for arranging between a stator and a rotor

Номер патента: US09982553B2. Автор: Jonathan L. Miller. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetic sensor having enhanced linearization by applied field angle rotation

Номер патента: US09753098B2. Автор: Alexander Latham. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Slurry mixer gate having enhanced extractor ports

Номер патента: US09700861B2. Автор: James R. Wittbold,Ronald Edward SCHENCK. Владелец: United States Gypsum Co. Дата публикации: 2017-07-11.

Biosensor desiccant system having enhanced measurement performance

Номер патента: US09664638B2. Автор: Amy H. Chu,Mary Ellen Warchal-Windham. Владелец: Ascensia Diabetes Care Holdings AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Polymer scaffolds having enhanced axial fatigue properties

Номер патента: US09662231B2. Автор: Syed Hossainy,Mikael Trollsas,Michael Huy Ngo,Samit Mustafa. Владелец: Abbott Cardiovascular Systems Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Point of sale terminal having enhanced security

Номер патента: US09595174B2. Автор: Wai Loon OOI,Tai Liang TING,Derek Nang Hui CHAN. Владелец: Verifone Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Magnetic sensor having enhanced linearization by applied field angle rotation

Номер патента: US09470765B1. Автор: Alexander Latham. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Recording medium having an insulating layer

Номер патента: US5014259A. Автор: Paul R. Goldberg,Bryan K. Clark,Joel D. Finegan,Robert Guerra. Владелец: Tandy Corp. Дата публикации: 1991-05-07.

Insulating layer forming composition and use thereof

Номер патента: RU2650148C2. Автор: Мартин ЛАНГ. Владелец: Хильти Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2018-04-09.

A detector for detecting a buried current carrying conductor

Номер патента: CA2612876C. Автор: Jeff Thompson,John Mark Royle,Richard Pearson,Robert Ashworth Worsley. Владелец: Radiodetection Ltd. Дата публикации: 2014-09-16.

Insulating layer with integral grommets

Номер патента: CA2259207C. Автор: Michael T. Campbell. Владелец: Cascade Engineering Inc. Дата публикации: 2005-04-12.

Portable transmitter apparatus for inducing alternating current in a buried metallic line

Номер патента: US5055793A. Автор: Donald M. Mulcahey. Владелец: MULCAHEY THOMAS W D/B/A/ GOLDAK/UDSEC. Дата публикации: 1991-10-08.

Post assembly for a buried valve

Номер патента: US4702275A. Автор: John V. Ballun,Lorand H. Gain, Jr.. Владелец: Amsted Industries Inc. Дата публикации: 1987-10-27.

Excavating attachment with laterally pivotable working arm for excavating beneath a buried utility

Номер патента: CA2857239C. Автор: Kelvin R. Doherty. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-26.

Adhesion and insulating layer

Номер патента: EP3322591A1. Автор: Lawrence H. White,David R. Thomas,Michael Hager,Claire Schaffer O'CULL. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-05-23.

Polymer-based railroad tie having enhanced ballast interaction

Номер патента: US20200283962A1. Автор: Thomas J. Nosker,Arya S. Tewatia. Владелец: Rutgers State University of New Jersey. Дата публикации: 2020-09-10.

Polymer-based railroad tie having enhanced ballast interaction

Номер патента: EP3704305A1. Автор: Thomas J. Nosker,Arya Singh TEWATIA. Владелец: Rutgers State University of New Jersey. Дата публикации: 2020-09-09.

Phase qubit cell having enhanced coherence

Номер патента: EP2707903A1. Автор: Ofer Naaman,Rupert M. Lewis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2014-03-19.

Handheld and Operated Urinal Device and Method of Enhancing Functionality of a Toilet

Номер патента: US20240200318A1. Автор: Christopher Errickson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-20.

Compression garment having enhanced strap configuration

Номер патента: CA2988985C. Автор: Adrian Slattery,Douglas Halley,Greg BIDDULPH,Carla BLACKMAN. Владелец: Julius Zorn Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Handheld and operated urinal device and method of enhancing functionality of a toilet

Номер патента: WO2024129123A1. Автор: Christopher Errickson. Владелец: Errickson Christopher. Дата публикации: 2024-06-20.

Bronze colored glazing comprising a stack of thin layers having an absorber layer

Номер патента: WO2024150244A1. Автор: Priyesh DHANDHARIA,Uditendu MUKHOPADHYAY. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2024-07-18.

System including a skin-engageable element of an ostomy appliance

Номер патента: EP4403147A2. Автор: Carsten Sletten,Jais Ask HANSEN,Lars Erup LARSEN. Владелец: Coloplast AS. Дата публикации: 2024-07-24.

Ball bat including a stiffening element in the barrel

Номер патента: US09895588B2. Автор: Ian Montgomery,Stephen J. Davis,Dewey Chauvin. Владелец: Easton Diamond Sports LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Plants having enhanced yield-related traits and a method for making the same

Номер патента: US09428763B2. Автор: Ana Isabel Sanz Molinero,Steven Vandenabeele. Владелец: BASF Plant Science Co GmbH. Дата публикации: 2016-08-30.

Ball bat including a stiffening element in the barrel

Номер патента: US09427640B2. Автор: Ian Montgomery,Stephen J. Davis,Dewey Chauvin. Владелец: Easton Baseball Softball Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Well screens having enhanced well treatment capabilities

Номер патента: CA2818668C. Автор: Jr. Harvey J. Fitzpatrick. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2015-11-24.

Dental implant system having enhanced soft-tissue growth features

Номер патента: US11166792B2. Автор: Zachary B. Suttin,Ross W. Towse,Michael D. Scalise. Владелец: Biomet 3I LLC. Дата публикации: 2021-11-09.

Club head having enhanced striking power

Номер патента: US20070087860A1. Автор: Chin-Sui Chen,Chin-I Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Process for producing cable with insulation layer

Номер патента: WO2023108588A1. Автор: Colin Li Pi Shan,Timothy J. Person,Yabin Sun,Gaoxiang WU,Kainan Zhang,Jie Ji,Wenxin Zhang. Владелец: Dow Silicones Corporation. Дата публикации: 2023-06-22.

Insulated container having an internal gel layer and a vacuum insulate layer

Номер патента: WO2024123344A1. Автор: Otoniel Florez. Владелец: Sophia Investments Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Magnetic head structure with enlarged insulating layer

Номер патента: US20070165329A1. Автор: Hiroshi Maeda,Toshinori Hoshino,Toshiyuki Nakada,Kenichiro Aoki,Keiji Aruga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Magnetic head structure with enlarged insulating layer

Номер патента: US20070133126A1. Автор: Hiroshi Maeda,Toshinori Hoshino,Toshiyuki Nakada,Kenichiro Aoki,Keiji Aruga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Magnetic head structure with enlarged insulating layer

Номер патента: US20050219749A1. Автор: Hiroshi Maeda,Toshinori Hoshino,Toshiyuki Nakada,Kenichiro Aoki,Keiji Aruga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-10-06.

Method for providing immune cells with enhanced function

Номер патента: WO2021097521A9. Автор: Alan Osborne Trounson,Richard Boyd,Vera EVTIMOV,Ian NISBET,Runzhe Shu,Nicholas Boyd. Владелец: CARTHERICS PTY. LTD.. Дата публикации: 2021-07-01.

Method for providing immune cells with enhanced function

Номер патента: CA3157344A1. Автор: Alan Osborne Trounson,Richard Boyd,Vera EVTIMOV,Ian NISBET,Runzhe Shu,Nicholas Boyd. Владелец: Cartherics Pty Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

X-ray apparatus including a filter provided with filter elements having an adjustable absorption

Номер патента: EP1169715A1. Автор: Menno W. J. Prins. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-01-09.

X-ray apparatus including a filter provided with filter elements having an adjustable absorption

Номер патента: US20010043670A1. Автор: Menno Prins. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Insulation layer composition and insulation layer for plant tissue culture

Номер патента: US20200079928A1. Автор: Jun-Nan LIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-12.

COMBINATION STAMPING AND EMBOSSING IMPLEMENT AND SEAL HAVING ENHANCED SECURITY FEATURES

Номер патента: US20120000378A1. Автор: Slane Shawn,Eke Daniel A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SUBSTRATE PROCESSING INCLUDING A MASKING LAYER

Номер патента: US20120001320A1. Автор: Kumar Nitin,Duong Anh,Lang Chi-I,Chiang Tony P.,BOUSSIE Thomas R.,Malhotra Sandra G.,Fresco Zachary,Tong Jinhong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.