Maximum transmit power indication for bandwidths above 160 mhz or for punctured bandwidths
Номер патента: US20230292252A1
Опубликовано: 14-09-2023
Автор(ы): Abdel Karim AJAMI, Abhishek Pramod PATIL, Alfred ASTERJADHI, Gaurang NAIK, George Cherian, Sai Yiu Duncan Ho, Yanjun SUN
Принадлежит: Qualcomm Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-09-2023
Автор(ы): Abdel Karim AJAMI, Abhishek Pramod PATIL, Alfred ASTERJADHI, Gaurang NAIK, George Cherian, Sai Yiu Duncan Ho, Yanjun SUN
Принадлежит: Qualcomm Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Electronic device and method by which electronic device controls transmit power according to over temperature state
Номер патента: EP4284080A1. Автор: Sanghyun Lee,Sungbo PARK,Byungki Moon,Dongchul Ma,Seungmoo CHO,Yonghyon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-29.