Wafer structure and power device using the same
Номер патента: US20140252554A1
Опубликовано: 11-09-2014
Автор(ы): Zhongping Liao
Принадлежит: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-09-2014
Автор(ы): Zhongping Liao
Принадлежит: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Super junction power device and method of making the same
Номер патента: US12136647B2. Автор: Min-Hwa Chi,Huan WANG,Richard Ru-Gin Chang,Conghui LIU,Longkang YANG. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.