Gate cut device fabrication with extended height gates
Номер патента: US10541308B2
Опубликовано: 21-01-2020
Автор(ы): Andrew M. Greene, John R. Sporre, Kangguo Cheng, Peng Xu
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-01-2020
Автор(ы): Andrew M. Greene, John R. Sporre, Kangguo Cheng, Peng Xu
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Gate link across gate cut in semiconductor devices
Номер патента: US20240321872A1. Автор: Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Clifford J. ENGEL,Ankit Kirit LAKHANI,Thomas Obrien,Prabhjot Kaur Luthra,Meenakshisundaram Ramanathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.