Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Decoupling capacitor inside gate cut trench

Номер патента: US12057387B2
Опубликовано: 06-08-2024
Автор(ы): CHENG Chi, David Wolpert, Praneet Adusumilli, Reinaldo Vega, Takashi Ando
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Decoupling capacitor inside gate cut trench

Номер патента: WO2022117565A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,David Wolpert,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-06-09.

Decoupling capacitor inside gate cut trench

Номер патента: US20220181252A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,David Wolpert,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Decoupling capacitor and method of making same

Номер патента: US09502400B2. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Cointegration of fet devices with decoupling capacitor

Номер патента: US20200273857A1. Автор: Yi Song,Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Distributed decoupling capacitor

Номер патента: US09455250B1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Decoupling capacitor using finFET topology

Номер патента: US09455251B1. Автор: II John E. Sheets,Todd A. Christensen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Distributed decoupling capacitor

Номер патента: US20170005088A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Distributed decoupling capacitor

Номер патента: US20170005087A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Distributed decoupling capacitor

Номер патента: US20200152622A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Integrated circuit with decoupling capacitor in a structure of the triple well type

Номер патента: US10535672B2. Автор: Abderrezak Marzaki. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2020-01-14.

Three dimensional integrated deep trench decoupling capacitors

Номер патента: US20120133023A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Ravi M. Todi,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Stacked cmos devices with two dielectric materials in a gate cut

Номер патента: WO2024125246A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-20.

Using source/drain contact cap during gate cut

Номер патента: US20200020687A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie,Guowei Xu,Shesh Mani Pandey,Jiehui SHU,Zhaoying Hu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Stacked cmos devices with two dielectric materials in a gate cut

Номер патента: US20240203990A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Nanopillar Decoupling Capacitor

Номер патента: US20110049673A1. Автор: Dechao Guo,Huiming Bu,Satya N. Chakravarti,Keith Kwon Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Nanopillar Decoupling Capacitor

Номер патента: US20120256294A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Huiming Bu,Satya N. Chakravarti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-11.

Decoupling capacitors using regularity finfet structures and methods for making same

Номер патента: EP3723128A1. Автор: Anis Mahmoud Jarrar,David Russell Tipple,Mark Douglas Hall. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Gate contact inside gate cut trench

Номер патента: US11916014B2. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Decoupling capacitors with back side power rails

Номер патента: US20240222264A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Decoupling capacitors with back side power rails

Номер патента: US20230010409A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Decoupling capacitors with back side power rails

Номер патента: US11942413B2. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Forming metal gate cuts using multiple passes for depth control

Номер патента: EP4345878A1. Автор: Matthew J. Prince,Reza Bayati,Alison V. DAVIS,Swapnadip Ghosh,Jeffrey Miles Tan,Bern YOUNGBLOOD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Integrated circuit structures with gate cuts above buried power rails

Номер патента: EP4064333A1. Автор: Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Decoupling capacitor cell, cell-based ic, and portable device

Номер патента: US20160379970A1. Автор: Yoshiharu Kito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-12-29.

High density area efficient thin-oxide decoupling capacitor using conductive gate resistor

Номер патента: US09633996B1. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Haining Yang,P R Chidambaram,Lixin Ge. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Decoupling capacitor cell, cell-based ic, cell-based ic layout system and method, and portable device

Номер патента: US20130248957A1. Автор: Yoshiharu Kito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-09-26.

On-chip active decoupling capacitors for regulating voltage of an integrated circuit

Номер патента: US20130027122A1. Автор: Wei Hwang,Tien-Hung Lin,Po-Tsang Huang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-01-31.

On-chip decoupling capacitor

Номер патента: US20210288046A1. Автор: LAN Yu,Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Decoupling capacitor with metal programmable knee frequency

Номер патента: US20180145071A1. Автор: Ramaprasath Vilangudipitchai,Dorav KUMAR,Andi ZHAO. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Decoupling capacitor with metal programmable knee frequency

Номер патента: EP3545553A1. Автор: Ramaprasath Vilangudipitchai,Dorav KUMAR,Andi ZHAO. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-02.

Decoupling capacitor with metal programmable knee frequency

Номер патента: WO2018097897A1. Автор: Ramaprasath Vilangudipitchai,Dorav KUMAR,Andi ZHAO. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-05-31.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: US20240321872A1. Автор: Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Clifford J. ENGEL,Ankit Kirit LAKHANI,Thomas Obrien,Prabhjot Kaur Luthra,Meenakshisundaram Ramanathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: EP4435845A1. Автор: Leonard GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Prabhjot LUTHRA,Thomas Obrien,Clifford ENGEL,Meenakshisundaram Ramanathan,Ankit LAKHANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

DISTRIBUTED DECOUPLING CAPACITOR

Номер патента: US20170005087A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Shahidi Ghavam G.,Lu Darsen D.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

Decoupling capacitor and manufacture method thereof

Номер патента: CN103199121B. Автор: 陈重辉. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

Late gate cut with optimized contact trench size

Номер патента: US20210305093A1. Автор: Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Praneet Adusumilli,Balasubramanian S. Pranatharthi Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Gate cut, and source and drain contacts

Номер патента: US20240222447A1. Автор: Lin Hu,Anupama Bowonder,Brian Greene,Amritesh Rai,Reken Patel,Conor P. PULS,Krishna GANESAN,Shruti SUBRAMANIAN,Swapnadip Ghosh,Diana Ivonne PAREDES,Akitomo Matsubayashi,Sunzida Ferdous,Lateef Uddin Syed,Kyle T. HORAK,Gordon S. FREEMAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Gate cut, and source and drain contacts

Номер патента: EP4394857A1. Автор: Lin Hu,Anupama Bowonder,Brian Greene,Amritesh Rai,Reken Patel,Conor P. PULS,Krishna GANESAN,Shruti SUBRAMANIAN,Swapnadip Ghosh,Diana Ivonne PAREDES,Akitomo Matsubayashi,Sunzida Ferdous,Lateef Uddin Syed,Kyle T. HORAK,Gordon S. FREEMAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Gate cuts with self-forming polymer layer

Номер патента: US20240105452A1. Автор: Matthew J. Prince,Andrew Arnold,Li Huey Tan,Reza Bayati,Alison V. DAVIS,Ramy Ghostine,Chun C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate cuts in a grating pattern across an integrated circuit

Номер патента: US20240088218A1. Автор: Matthew J. Prince,Gurpreet Singh,Manish Chandhok,Shao-Ming Koh,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Devices and methods of improving device performance through gate cut last process

Номер патента: US09679985B1. Автор: Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Gate cut subsequent to replacement gate

Номер патента: US20230143317A1. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Chanro Park,Andrew Gaul. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Process-compatible decoupling capacitor and method for making the same

Номер патента: US09583556B2. Автор: Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Gate cut grid across integrated circuit

Номер патента: US20230275085A1. Автор: Robert Joachim,Stephen M. Cea,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,Sukru Yemenicioglu,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Gate cut structures

Номер патента: EP4239665A1. Автор: Tahir Ghani,Robert Joachim,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Integrated circuit structures having gate cut plugremoved from trench contact

Номер патента: US20240105802A1. Автор: Robert Joachim,Robert Robinson,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Marie Conte,Kyle T. HORAK,Brandon PETERS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor devices between gate cuts and deep backside vias

Номер патента: US20240321685A1. Автор: Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Saurabh Acharya,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices between gate cuts and deep backside vias

Номер патента: EP4435846A1. Автор: Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Saurabh Acharya,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Methods, apparatus and system for a self-aligned gate cut on a semiconductor device

Номер патента: US20200185509A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Method for metal gate cut and structure thereof

Номер патента: US20220336220A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Zhi-Chang Lin,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Methods, apparatus and system for a self-aligned gate cut on a semiconductor device

Номер патента: US20190319112A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Integrated circuit structures having fin isolation regions bound by gate cuts

Номер патента: EP4345876A1. Автор: Allen GARDINER,Leonard GULER,Sean Pursel,Jonathan HINKE,Wonil CHUNG,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Gate cut structures

Номер патента: US20230282701A1. Автор: Tahir Ghani,Robert Joachim,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Integrated circuit structures having gate cut plug removed from trench contact using angled directional etch

Номер патента: US20240096881A1. Автор: Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Ala ALAZIZI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Metal gate cut with hybrid material fill

Номер патента: US20240213100A1. Автор: Matthew J. Prince,Anupama Bowonder,Chiao-Ti HUANG,Swapnadip Ghosh,Yulia Gotlib,Bishwajit Debnath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Gate dielectric preserving gate cut process

Номер патента: US11152250B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-19.

Integrated circuits with gate cut features

Номер патента: US11848326B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Gate dielectric preserving gate cut process

Номер патента: US11876013B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Integrated circuits with gate cut features

Номер патента: US20240088145A1. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit structures having fin isolation regions bound by gate cuts

Номер патента: US20240105804A1. Автор: Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Dan S. Lavric,Sean Pursel,Jonathan HINKE,Wonil CHUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate cut structures

Номер патента: US20200091143A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Etch stop layer for metal gate cut

Номер патента: US20240113106A1. Автор: Daniel J. Harris,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Nikhil J. Mehta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Decoupling capacitor inside backside power distribution network powervia trench

Номер патента: US20240203982A1. Автор: Takashi Ando,David Wolpert,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Chip-On-Interposer Assembly Containing A Decoupling Capacitor

Номер патента: US20240145528A1. Автор: Laurent Desclos. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Chip-on-interposer assembly containing a decoupling capacitor

Номер патента: WO2024097034A1. Автор: Laurent Desclos. Владелец: KYOCERA AVX Components Corporation. Дата публикации: 2024-05-10.

Hybrid gate cut for stacked transistors

Номер патента: WO2023109407A1. Автор: Chen Zhang,Carl Radens,Jingyun Zhang,Ruilong Xie. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor devices including decoupling capacitors and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11854960B2. Автор: Chung-Chieh Yang,Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng,Chung-Ting Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

DISTRIBUTED DECOUPLING CAPACITOR

Номер патента: US20170005088A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Shahidi Ghavam G.,Lu Darsen D.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

Integrated circuit with decoupling capacitor in a structure of the triple well type

Номер патента: US20200111801A1. Автор: Abderrezak Marzaki. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2020-04-09.

Distributed decoupling capacitor

Номер патента: US20200152622A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

COMPONENT, FOR EXAMPLE NMOS TRANSISTOR, ACTIVE REGION WITH RELEASED COMPRESSION STRESS, AND DECOUPLING CAPACITOR

Номер патента: FR3021457A1. Автор: Pascal Fornara,Christian Rivero,Guilhem Bouton,Syvie Wuidart. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2015-11-27.

INTEGRATED CIRCUIT WITH DECOUPLING CAPACITOR IN A TYPE TRIPLE CAISSON STRUCTURE

Номер патента: FR3057393A1. Автор: Abderrezak Marzaki. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-13.

Integrated decoupling capacitor employing conductive through-substrate vias

Номер патента: US8558345B2. Автор: Michael J. Shapiro,Tae Hong Kim,Edmund J. Sprogis,Michael F. McAllister. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-15.

Integrated circuit with decoupling capacitor using triple-well structure

Номер патента: CN107919360B. Автор: A·马扎基. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2022-03-25.

Integrated decoupling capacitor employing conductive through-substrate vias

Номер патента: CN102598263B. Автор: 金兑洪,E·J·斯普罗吉斯,M·F·麦卡利斯特,M·J·沙皮罗. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-11.

Gate cut with integrated etch stop layer

Номер патента: US12074165B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Andrew M. Greene,Marc A. Bergendahl. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Gate cut with integrated etch stop layer

Номер патента: US11776957B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Andrew M. Greene,Marc A. Bergendahl. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Gate cut with integrated etch stop layer

Номер патента: US20230282641A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Andrew M. Greene,Marc A. Bergendahl. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Gate cut with integrated etch stop layer

Номер патента: US20240222373A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Andrew M. Greene,Marc A. Bergendahl. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Forming metal gate cuts using multiple passes for depth control

Номер патента: US20240113105A1. Автор: Matthew J. Prince,Reza Bayati,Alison V. DAVIS,Swapnadip Ghosh,Jeffrey Miles Tan,Bern YOUNGBLOOD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

N/p-independently strained post-replacement metal gate (rmg) gate cut for performance enhanced finfet

Номер патента: US20240243131A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Ming-Huei Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

N/p-independently strained post-replacement metal gate (rmg) gate cut for performance enhanced finfet

Номер патента: WO2024155358A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Ming-Huei Lin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Transistor arrangements with metal gate cuts and recessed power rails

Номер патента: US11508847B2. Автор: Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei,Piyush Mohan Sinha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-22.

Interconnect through gate cut for stacked fet device

Номер патента: US20230387007A1. Автор: Kangguo Cheng,Brent A. Anderson,Albert M. Young,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Bulk cross-coupled high density power supply decoupling capacitor

Номер патента: EP3465756A1. Автор: Sreeker Dundigal,Albert KUMAR,Vasisht Vadi,Hai Dang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-10.

Bulk cross-coupled high density power supply decoupling capacitor

Номер патента: US20170352651A1. Автор: Sreeker Dundigal,Albert KUMAR,Vasisht Vadi,Hai Dang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Bulk cross-coupled high density power supply decoupling capacitor

Номер патента: WO2017209834A1. Автор: Sreeker Dundigal,Albert KUMAR,Vasisht Vadi,Hai Dang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-12-07.

High efficiency half-cross-coupled decoupling capacitor

Номер патента: EP3934101A3. Автор: Alfred Yeung,Ronen COHAN. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2022-04-27.

Reverse-biased PN diode decoupling capacitor

Номер патента: US20080122036A1. Автор: Hsien-Te Chen,Jen-Hang Yang,Chun-Hui Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

High efficiency half-cross-coupled decoupling capacitor

Номер патента: EP3308464A1. Автор: Alfred Yeung,Ronen COHAN. Владелец: Applied Micro Circuits Corp. Дата публикации: 2018-04-18.

High efficiency half-cross-coupled decoupling capacitor

Номер патента: EP3934101A2. Автор: Alfred Yeung,Ronen COHAN. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2022-01-05.

Three dimensional integrated deep trench decoupling capacitors

Номер патента: US20120133023A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Ravi M. Todi,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Three dimensional integrated deep trench decoupling capacitors

Номер патента: US8222104B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Ravi M. Todi,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-17.

Device and method to connect gate regions separated using a gate cut

Номер патента: US09853112B2. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Yanxiang Liu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device having a gate cutting region and a cross-coupling pattern between gate structures

Номер патента: US09589899B2. Автор: Heon-Jong Shin,Hwi-Chan JUN,Yu-Sun Lee,Dae-Hee Weon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Device and method to connect gate regions separated using a gate cut

Номер патента: WO2017014965A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Yanxiang Liu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-01-26.

Device and method to connect gate regions separated using a gate cut

Номер патента: EP3326198A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Yanxiang Liu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-30.

USING SOURCE/DRAIN CONTACT CAP DURING GATE CUT

Номер патента: US20200020687A1. Автор: Pandey Shesh Mani,Xie Ruilong,Economikos Laertis,Xu Guowei,Shu Jiehui,WANG Haiting,Zang Hui,Hu Zhaoying. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2020-01-16.

Buried decoupling capacitors, devices and systems including same, and methods of fabrication

Номер патента: US20080048231A1. Автор: Badih El-Kareh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Decoupling capacitors based on dummy through-silicon-vias

Номер патента: US11923150B2. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Decoupling capacitors based on dummy through-silicon-vias

Номер патента: US20240128023A1. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Gate cut structures formed before dummy gate

Номер патента: EP4239666A1. Автор: Tahir Ghani,Allen GARDINER,Leonard GULER,Sairam Subramanian,Madeleine Beasley,Aryan SHIRAZI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Gate cut with high selectivity to preserve interlevel dielectric layer

Номер патента: US09837276B2. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Ryan O. Jung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Gate cut with high selectivity to preserve interlevel dielectric layer

Номер патента: US09659786B2. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Ryan O. Jung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device with gate cut structure and method of forming the same

Номер патента: US12057341B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Gate cut first isolation formation with contact forming process mask protection

Номер патента: US20200266286A1. Автор: Xiaoming Yang,Sipeng Gu,Keith H. Tabakman,Jeffrey Chee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device with gate cut structure and method of forming the same

Номер патента: US20240363396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Gate cut structures formed before dummy gate

Номер патента: US20230282483A1. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Sairam Subramanian,Madeleine Beasley,Aryan Navabi Shirazi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Integrated circuit structures with backside gate cut or trench contact cut

Номер патента: US20220392896A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device with gate cut structure

Номер патента: US20210074842A1. Автор: Jiehui SHU. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Gate cut with asymmetrical channel to gate cut spacing

Номер патента: EP4345877A1. Автор: Tahir Ghani,Marni NABORS,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Gate cut, with asymmetrical channel to gate cut spacing

Номер патента: US20240113107A1. Автор: Tahir Ghani,Marni NABORS,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Finfet gate cut after dummy gate removal

Номер патента: US20200243648A1. Автор: Andrew M. Greene,John R. Sporre,Jeffrey Shearer,Nicole A. Saulnier,Siva Kanakasabapathy. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Forksheet transistor structures with gate cut spine

Номер патента: US20240113104A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Fin to fin trench contact through a metal gate cut

Номер патента: EP4109555A1. Автор: Guillaume Bouche,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Shashi Vyas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Backside decoupling capacitor integration with backside contact

Номер патента: US20240321687A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES WITH GATE CUTS ABOVE BURIED POWER RAILS

Номер патента: US20220310514A1. Автор: Wei Andy Chih-Hung. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-09-29.

Late middle-of-line gate cut with power bar formation

Номер патента: US20240178142A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Indira Seshadri,Shravana Kumar Katakam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Apparatus and method for simultaneous formation of diffusion break, gate cut, and independent n and p gates for 3d transistor devices

Номер патента: WO2021025796A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-02-11.

Integrated chip multilayer decoupling capacitors

Номер патента: US5739576A. Автор: Tyler A. Lowrey,Kevin G. Duesman,Brian M. Shirley,Stephen L. Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-04-14.

Integrated circuit decoupling capacitor arrangement

Номер патента: US8610188B2. Автор: Tanya Nigam,Andreas KERBER,Dieter Lipp,Marc Herden. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-12-17.

Logic-cell-compatible decoupling capacitor

Номер патента: US20110148466A1. Автор: Thomas John Aton. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Process-compatible decoupling capacitor and method for making the same

Номер патента: US20160148990A1. Автор: Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Process-compatible decoupling capacitor and method for making the same

Номер патента: US20160380043A9. Автор: Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Method for including decoupling capacitors into semiconductor circuit having logic circuit therein and semiconductor circuit thereof

Номер патента: US20140175608A1. Автор: Tao Cheng,Ming-Tzong Yang,Tien-Chang Chang,Cheng-Hsing Chien,Hsin-Hsin Hsiao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Cell architecture with intrinsic decoupling capacitor

Номер патента: WO2019027627A1. Автор: Sajin Mohamad,HariKrishna Chintarlapalli Reddy,Jonathan Holland. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-02-07.

Integrated Circuit Having Efficiently Packed Decoupling Capacitors

Номер патента: US20100163948A1. Автор: Patrick W. Bosshart. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

FeRAM decoupling capacitor

Номер патента: US12114509B2. Автор: Tzu-Yu Chen,Fu-Chen Chang,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH,Chih-Hsiang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Feram decoupling capacitor

Номер патента: US20240373645A1. Автор: Tzu-Yu Chen,Fu-Chen Chang,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH,Chih-Hsiang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device having decoupling capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US7883970B2. Автор: Ji-Young Kim,Hyun-Ki Kim,Jung-Hwa Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-08.

Low-Cost Deep Trench Decoupling Capacitor Device and Process of Manufacture

Номер патента: US20060124982A1. Автор: Brent Anderson,Paul Parries,Herbert Ho,Subramanian Iyer,Johnathan Faltermeier,Ramachandra Divakaruni,Randy Mann,Deok-kee Kim,John Barth,Wayne Ellis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-15.

High efficiency half-cross-coupled decoupling capacitor

Номер патента: US09438225B1. Автор: Alfred Yeung,Ronen COHAN. Владелец: Applied Micro Circuits Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Partial gate cut structures in an integrated circuit

Номер патента: US20230299135A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Saurabh MORARKA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Partial gate cut structures in an integrated circuit

Номер патента: EP4246564A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Saurabh MORARKA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Self-aligned gate cut structures

Номер патента: EP4138122A1. Автор: Yang-chun Cheng,Guillaume Bouche,Anand S. Murthy,Andy Chih-Hung Wei,Ryan Pearce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-22.

Self-aligned gate cut structures

Номер патента: US20230057326A1. Автор: Yang-chun Cheng,Guillaume Bouche,Anand S. Murthy,Andy Chih-Hung Wei,Ryan Pearce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Dielectric layer stack for wide gate cut structures

Номер патента: US20240203739A1. Автор: Matthew J. Prince,Andrew Arnold,Alison V. DAVIS,Swapnadip Ghosh,Yulia Gotlib,Chun Chen Kuo,Cun Wen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Chemical mechanical polishing of metal gate cuts formed after source and drain contacts

Номер патента: US20240213026A1. Автор: Matthew J. Prince,Robert R. Mitchell,Girish Sharma,Reza Bayati,Alison V. DAVIS,Swapnadip Ghosh,Lawrence Zaino,Barry B. Butler,Rajaram A. Pai,Niels Sveum,Chun Chen Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Decoupling capacitor

Номер патента: US09748226B1. Автор: Chung-Hui Chen,Wei-Chih Chen,Hao-chieh Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for forming decoupling capacitors between the interposing conductors and the multiple gates

Номер патента: US11817452B2. Автор: Chung-Hui Chen,Wei-Chih Chen,Hao-chieh Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Decoupling capacitor

Номер патента: US20190035782A1. Автор: Chung-Hui Chen,Wei-Chih Chen,Hao-chieh Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

Decoupling capacitor

Номер патента: US20200126972A1. Автор: Chung-Hui Chen,Wei-Chih Chen,Hao-chieh Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Decoupling capacitor

Номер патента: US20170250178A1. Автор: Chung-Hui Chen,Wei-Chih Chen,Hao-chieh Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Decoupling capacitor

Номер патента: US20170345816A1. Автор: Chung-Hui Chen,Wei-Chih Chen,Hao-chieh Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Decoupling capacitor architecture

Номер патента: WO2024054712A1. Автор: Ankit Gupta,Kamesh MEDISETTI,Keyurkumar Karsanbhai Kansagra,Manjanaika CHANDRANAIKA,Akhtar Alam. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-14.

Decoupling capacitor and method of making same

Номер патента: US09590119B2. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Decoupling capacitor

Номер патента: US20210233904A1. Автор: Chung-Hui Chen,Wei-Chih Chen,Hao-chieh Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Wafer bonded MOS decoupling capacitor

Номер патента: US7064043B1. Автор: Richard P. Rouse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-06-20.

Wafer bonded mos decoupling capacitor

Номер патента: KR100845058B1. Автор: 리차드 피. 루즈. Владелец: 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-07-09.

Decoupling capacitor architecture

Номер патента: US20240088014A1. Автор: Ankit Gupta,Kamesh MEDISETTI,Keyurkumar Karsanbhai Kansagra,Manjanaika CHANDRANAIKA,Akhtar Alam. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Decoupling capacitor and method of making same

Номер патента: US20130181269A1. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-07-18.

Flexible self-aligned power via shape with gate cut first

Номер патента: US20240321957A1. Автор: Ruilong Xie,Eric Miller,Kisik Choi,John Christopher Arnold. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of performing concurrent fin and gate cut etch processes for FinFET semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US09761495B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Catherine B. Labelle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Gate cut critical dimension shrink and active gate defect healing using selective deposition

Номер патента: US20200135575A1. Автор: Marc Bergendahl,Andrew Greene,Yann Mignot,Ekmini A. De Silva,Gangadhara Raja MUTHINTI,Alex Joseph Varghese,Dallas Lea,Matthew T. Shoudy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Residue-free metal gate cutting for fin-like field effect transistor

Номер патента: US11915980B2. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Hsuan Hsiao,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Residue-free metal gate cutting for fin-like field effect transistor

Номер патента: US20240194534A1. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Hsuan Hsiao,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Metal trench decoupling capacitor structure penetrating through a shallow trench isolation

Номер патента: US09466526B2. Автор: Ta-Hsun Yeh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Capacitor from second level middle-of-line layer in combination with decoupling capacitors

Номер патента: US9478490B2. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Hybrid Decoupling Capacitor and Method Forming Same

Номер патента: US20190006458A1. Автор: CHEN Chung-Hui,CHAN Hao-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Hybrid Decoupling Capacitor and Method Forming Same

Номер патента: US20200119135A1. Автор: CHEN Chung-Hui,CHAN Hao-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

COMPONENT, FOR EXAMPLE NMOS TRANSISTOR, WITH AN ACTIVE REGION UNDER RELAXED COMPRESSIVE STRESS, AND ASSOCIATED DECOUPLING CAPACITOR

Номер патента: US20150340426A1. Автор: Fornara Pascal,Rivero Christian,Bouton Guilhem,Wuidart Sylvie. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2015-11-26.

Hybrid decoupling capacitor and method forming same

Номер патента: US11289569B2. Автор: Chung-Hui Chen,Hao-chieh Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Substrates for semiconductor packages, including hybrid substrates for decoupling capacitors, and associated devices, systems, and methods

Номер патента: US20220352052A1. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Substrates for semiconductor packages, including hybrid substrates for decoupling capacitors, and associated devices, systems, and methods

Номер патента: US20240128163A1. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Substrates for semiconductor packages, including hybrid substrates for decoupling capacitors, and associated devices, systems, and methods

Номер патента: US11894289B2. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

GATE CUT WITH INTEGRATED ETCH STOP LAYER

Номер патента: US20180069000A1. Автор: Venigalla Rajasekhar,Bergendahl Marc A.,Greene Andrew M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

GATE CUT WITH INTEGRATED ETCH STOP LAYER

Номер патента: US20180342512A1. Автор: Venigalla Rajasekhar,Bergendahl Marc A.,Greene Andrew M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

GATE CUT WITH INTEGRATED ETCH STOP LAYER

Номер патента: US20180350810A1. Автор: Venigalla Rajasekhar,Bergendahl Marc A.,Greene Andrew M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

FIN TO FIN TRENCH CONTACT THROUGH A METAL GATE CUT

Номер патента: US20220416057A1. Автор: Bouche Guillaume,GULER Leonard P.,Wei Andy Chih-Hung,VYAS Shashi. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Methods of forming field effect transistors using a gate cut process following final gate formation

Номер патента: US9786507B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor Devices Including Decoupling Capacitors

Номер патента: US20210358842A1. Автор: Chung-Hui Chen,Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Metal gate cut formed after source and drain contacts

Номер патента: US20240112916A1. Автор: Matthew J. Prince,Andrew Arnold,Reza Bayati,Alison V. DAVIS,Swapnadip Ghosh,Chun C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Metal gate cut formed after source and drain contacts

Номер патента: EP4345869A1. Автор: Matthew Prince,Andrew Arnold,Alison Davis,Chun Kuo,Reza Bayati,Swapnadip Ghosh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

High aspect ratio metal gate cuts

Номер патента: US20240105453A1. Автор: Matthew J. Prince,Manish Sharma,Oleg Golonzka,Reza Bayati,Alison V. DAVIS,Ramy Ghostine,Piyush M. Sinha,Swapnadip Ghosh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

High aspect ratio metal gate cuts

Номер патента: EP4345880A1. Автор: Matthew Prince,Manish Sharma,Oleg Golonzka,Alison Davis,Reza Bayati,Ramy Ghostine,Swapnadip Ghosh,Piyush Sinha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Gate cut in rmg

Номер патента: US20200044051A1. Автор: Andrew M. Greene,Ruqiang Bao,Siva Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Gate cut in rmg

Номер патента: US20200044052A1. Автор: Andrew M. Greene,Ruqiang Bao,Siva Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Decoupling capacitors and arrangements

Номер патента: EP3161866A1. Автор: Niti Goel,Silvio E. Bou-Ghazale,Rany T. ELSAYED. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-03.

Decoupling capacitors and arrangements

Номер патента: US20170148728A1. Автор: Niti Goel,Silvio E. Bou-Ghazale,Rany T. ELSAYED. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Decoupling capacitors and arrangements

Номер патента: US10026686B2. Автор: Niti Goel,Silvio E. Bou-Ghazale,Rany T. ELSAYED. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Decoupling capacitor cell, cell-based ic, cell-based ic layout system and method, and portable device

Номер патента: US20130248957A1. Автор: Yoshiharu Kito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-09-26.

DECOUPLING CAPACITOR

Номер патента: US20200126972A1. Автор: CHEN Chung-Hui,Chen Wei-Chih,CHAN Hao-Chieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-04-23.

Decoupling capacitor with metal programmable knee frequency

Номер патента: US20180145071A1. Автор: Ramaprasath Vilangudipitchai,Dorav KUMAR,Andi ZHAO. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

DECOUPLING CAPACITORS AND ARRANGEMENTS

Номер патента: US20170148728A1. Автор: GOEL Niti,ELSAYED RANY T.,BOU-GHAZALE SILVIO E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

DECOUPLING CAPACITOR

Номер патента: US20170250178A1. Автор: CHEN Chung-Hui,Chen Wei-Chih,CHAN Hao-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

DECOUPLING CAPACITOR AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20150333054A1. Автор: CHEN Chung-Hui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-11-19.

DECOUPLING CAPACITOR

Номер патента: US20170345816A1. Автор: CHEN Chung-Hui,Chen Wei-Chih,CHAN Hao-Chieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-11-30.

DECOUPLING CAPACITOR CELL, CELL-BASED IC, AND PORTABLE DEVICE

Номер патента: US20160379970A1. Автор: Kito Yoshiharu. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Integrated circuit structure comprising decoupling capacitors and arrangements

Номер патента: KR20230008240A. Автор: 니티 고엘,실비오 이. 보우 가잘,라니 티. 엘사예드. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2023-01-13.

Decoupling capacitors and arrangements

Номер патента: EP3161866A4. Автор: Niti Goel,Silvio E. Bou-Ghazale,Rany T. ELSAYED. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-14.

Methods, apparatus, and system for reducing gate cut gouging and/or gate height loss in semiconductor devices

Номер патента: US20190280114A1. Автор: Xusheng Wu,Daniel Jaeger,Haigou Huang,Michael Aquilino,Jinsheng Gao,Patrick Carpenter. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Methods, apparatus, and system for reducing gate cut gouging and/or gate height loss in semiconductor devices

Номер патента: US20190280114A1. Автор: Xusheng Wu,Daniel Jaeger,Haigou Huang,Michael Aquilino,Jinsheng Gao,Patrick Carpenter. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor device replacement metal gate with gate cut last in RMG

Номер патента: US10381458B2. Автор: Andrew M. Greene,Injo OK,Charan V. Surisetty,Balasubramanian P. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Active Microelectronic Assembly Containing A Decoupling Capacitor

Номер патента: US20240145449A1. Автор: Laurent Desclos. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Systems and methods for a continuous-well decoupling capacitor

Номер патента: US20110198677A1. Автор: Andrew E. Carlson. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-08-18.

Systems and methods for a continuous-well decoupling capacitor

Номер патента: WO2011106176A1. Автор: Andrew Carlson. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device having decoupling capacitors and dummy transistors

Номер патента: US20130320405A1. Автор: Hee-Sung Kang,Suk-joo Lee,Dae-ho Yoon,Dal-Hee LEE,Joong-Won JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-05.

Decoupling Capacitors For Integrated Circuits

Номер патента: US20140117497A1. Автор: Trent O. Dudley,Jessica P. DAVIS,Vitor M. Pereira. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

Active microelectronic assembly containing a decoupling capacitor

Номер патента: WO2024097036A1. Автор: Laurent Desclos. Владелец: KYOCERA AVX Components Corporation. Дата публикации: 2024-05-10.

CAPACITOR FROM SECOND LEVEL MIDDLE-OF-LINE LAYER IN COMBINATION WITH DECOUPLING CAPACITORS

Номер патента: US20160071795A1. Автор: Wang Zhongze,Xu Jeffrey Junhao,SONG Stanley Seungchul,RIM Kern,Zhu John Jianhong. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor integrated circuit device having a decoupling capacitor

Номер патента: US7973383B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Masayuki Furumiya,Hiroaki Ohkubo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-05.

Decoupling capacitor circuits

Номер патента: US12101091B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-Lin LIU,Yi-Hsiang Wang,Wei-Lin LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

DECOUPLING CAPACITOR AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20140159195A1. Автор: CHEN Chung-Hui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-06-12.

DECOUPLING CAPACITOR ON STRAIN RELAXATION BUFFER LAYER

Номер патента: US20170213820A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

Airgap spacers formed in conjunction with a late gate cut

Номер патента: US20200152504A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device with gate cut feature and method for forming the same

Номер патента: US12046516B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device with gate cut feature and method for forming the same

Номер патента: US20240347389A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for metal gate cut and structure thereof

Номер патента: US20240332022A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Zhi-Chang Lin,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

FORMING INTERCONNECT WITHOUT GATE CUT ISOLATION BLOCKING OPENING FORMATION

Номер патента: US20210028067A1. Автор: Narasimha Shreesh,Yamaguchi Shimpei,Jaeger Daniel J.,Siddiqui Naved A.. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

METHODS AND STRUCTURES FOR A GATE CUT

Номер патента: US20190259668A1. Автор: Park Chang Seo,Hong Junsic,Yamaguchi Shimpei,WANG Haiting,Beasor Scott,Yang Yong Mo. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

Gate dielectric preserving gate cut process

Номер патента: KR102146407B1. Автор: 슈-유안 쿠,치-밍 선,춘-파이 쳉. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2020-08-21.

Method for metal gate cut and structure thereof

Номер патента: US11996293B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Zhi-Chang Lin,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method for Metal Gate Cut and Structure Thereof

Номер патента: US20200006075A1. Автор: Tsai Ching-Wei,Cheng Kuan-Lun,LIN Zhi-Chang,Wang Pei-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Gate Dielectric Preserving Gate Cut Process

Номер патента: US20220037196A1. Автор: Sun Chih-Ming,Cheng Chun-Fai,Ku Shu-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

GATE CUT LAST PROCESSING WITH SELF-ALIGNED SPACER

Номер патента: US20200035674A1. Автор: Yang Haining,Lu Ye. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

GATE CUT METHOD FOR REPLACEMENT METAL GATE

Номер патента: US20190067115A1. Автор: Xie Ruilong,Park Chanro,Economikos Laertis,Sung Min Gyu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

GATE CUT STRUCTURES

Номер патента: US20200091143A1. Автор: Xie Ruilong,Economikos Laertis,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

Integrated Circuits with Gate Cut Features

Номер патента: US20200098750A1. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Dummy Gate Cutting Process and Resulting Gate Structures

Номер патента: US20220173225A1. Автор: LIN SHIH-YAO,LIN Chih-Han,Ku Shu-Yuan,Jang Shu-Uei,Tsai Ya-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

Dummy Gate Cutting Process and Resulting Gate Structures

Номер патента: US20210126109A1. Автор: LIN SHIH-YAO,LIN Chih-Han,Ku Shu-Yuan,Jang Shu-Uei,Tsai Ya-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

Gate Dielectric Preserving Gate Cut Process

Номер патента: US20200111700A1. Автор: Sun Chih-Ming,Cheng Chun-Fai,Ku Shu-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Gate Dielectric Preserving Gate Cut Process

Номер патента: US20190157135A1. Автор: Chun-Fai Cheng,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

FINFET GATE CUT AFTER DUMMY GATE REMOVAL

Номер патента: US20190189517A1. Автор: Greene Andrew M.,Sporre John R.,Kanakasabapathy Siva,SAULNIER Nicole A.,Shearer Jeffrey. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

METHODS, APPARATUS AND SYSTEM FOR A SELF-ALIGNED GATE CUT ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200185509A1. Автор: Xie Ruilong,Economikos Laertis,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2020-06-11.

METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS USING A GATE CUT PROCESS FOLLOWING FINAL GATE FORMATION

Номер патента: US20160233094A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2016-08-11.

GATE CUT IN REPLACEMENT METAL GATE PROCESS

Номер патента: US20190252268A1. Автор: Xie Ruilong,Park Chanro,Economikos Laertis,Greene Andrew M.,Sporre John R.,Kanakasabapathy Siva. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Self-Aligned Semiconductor Gate Cut

Номер патента: US20200258745A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

METHODS, APPARATUS AND SYSTEM FOR A SELF-ALIGNED GATE CUT ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190319112A1. Автор: Xie Ruilong,Economikos Laertis,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-10-17.

Gate Dielectric Preserving Gate Cut Process

Номер патента: US20200328106A1. Автор: Sun Chih-Ming,Cheng Chun-Fai,Ku Shu-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Low-K dielectric spacer for a gate cut

Номер патента: US9972495B1. Автор: Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated circuits with gate cut features

Номер патента: US10872891B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-22.

Method for metal gate cut and structure thereof

Номер патента: US11676819B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Zhi-Chang Lin,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor device with gate cut feature and method for forming the same

Номер патента: US20230253257A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Dummy Gate Cutting Process and Resulting Gate Structures

Номер патента: US20230361197A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Dummy gate cutting process and resulting gate structures

Номер патента: US11757019B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Dummy Gate Cutting Process and Resulting Gate Structures

Номер патента: US20210126109A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Integrated decoupling capacitors

Номер патента: US20220077084A1. Автор: Mark A. Webster,Vipulkumar K. Patel,Craig S. APPEL. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Integrated circuit device including through-silicon via structure and decoupling capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09691684B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Sung-Hee Kang,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device including power decoupling capacitor

Номер патента: US09754960B2. Автор: Jae Eun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Decoupling capacitor circuit

Номер патента: US20080142924A1. Автор: Jen Shou Hsu,Ming Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2008-06-19.

Integrated decoupling capacitors

Номер патента: US20210278589A1. Автор: Mark A. Webster,Vipulkumar K. Patel,Craig S. APPEL. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Integrated decoupling capacitors

Номер патента: US11810877B2. Автор: Mark A. Webster,Vipulkumar K. Patel,Craig S. APPEL. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Chip-On-Wafer Assembly Containing A Decoupling Capacitor

Номер патента: US20240145451A1. Автор: Laurent Desclos. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated shielding and decoupling capacitor structure

Номер патента: US09991199B1. Автор: II John E. Sheets,Todd A. Christensen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Chip-on-wafer assembly containing a decoupling capacitor

Номер патента: WO2024097035A1. Автор: Laurent Desclos. Владелец: KYOCERA AVX Components Corporation. Дата публикации: 2024-05-10.

Self-aligned gate cut method and multilayer gate-cut pillar structure

Номер патента: US10629701B1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Youngtag Woo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-21.

Self-aligned gate cut method and multilayer gate-cut pillar structure

Номер патента: US20200119163A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Youngtag Woo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

A method of manufacturing finfet devices using narrow and wide gate cut openings in conjuction with a replacement metal gate process

Номер патента: US20190341475A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,TAO Han,Hui Zhan,Laertis Economikos,John Zhang,Xusheng Wu,Jinping Liu,Jiehui SHU,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Film modification for gate cut process

Номер патента: US20240113164A1. Автор: Zhen-Cheng Wu,Chi On Chui,Heng-Chia Su,Li-Fong Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Decoupling capacitor inside gate cut trench

Номер патента: US20230422461A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,David Wolpert,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor memory device including power decoupling capacitor

Номер патента: US09666262B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Doo-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Decoupling capacitor network for off-state operation

Номер патента: US5789964A. Автор: Steven H. Voldman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-08-04.

Method and device for on-chip decoupling capacitor using nanostructures as bottom electrode

Номер патента: US20030064583A1. Автор: Sarah Kim,Scot KELLAR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Decoupling capacitor assembly, integrated circuit/decoupling capacitor assembly and method for fabricating same

Номер патента: CA2639146A1. Автор: Lyall Winger. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2009-03-18.

Integrated circuit package with decoupling capacitors

Номер патента: US20220336430A1. Автор: Naly Guo,Jerry Jia,Xiuzhuang Yang,Cindy Cui. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Method and apparatus to fabricate an on-chip decoupling capacitor

Номер патента: US20040061197A1. Автор: Christopher Thomas,Bruce Block. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor memory device having a decoupling capacitor

Номер патента: US20060113633A1. Автор: Je-min Park,Yoo-Sang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Decoupling capacitor mounted on an integrated circuit die, and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2018125256A1. Автор: Florence R. Pon,Tyler LEUTEN,John K. Yap. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Placement method for decoupling capacitors

Номер патента: US20050269599A1. Автор: Chien-Chia Huang,Yu-Wen Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-08.

Method to form decoupling capacitors on IC chip and the structure thereof

Номер патента: US20080076229A1. Автор: Jason Mao,James Yu Peng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Monolithic decoupling capacitor between solder bumps

Номер патента: US20180286828A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Monolithic decoupling capacitor between solder bumps

Номер патента: US20180286825A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Guard ring device receiving different voltages for forming decoupling capacitor and semiconductor device having the same

Номер патента: US20080273286A1. Автор: Khil Ohk Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Gate cut device fabrication with extended height gates

Номер патента: US11004944B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Andrew M. Greene,John R. Sporre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

DEVICE AND METHOD TO CONNECT GATE REGIONS SEPARATED USING A GATE CUT

Номер патента: US20170018620A1. Автор: Liu Yanxiang,SONG Stanley Seungchul,RIM Kern. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

GATE CUT DEVICE FABRICATION WITH EXTENDED HEIGHT GATES

Номер патента: US20200083334A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Greene Andrew M.,Sporre John R.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

GATE CUT DEVICE FABRICATION WITH EXTENDED HEIGHT GATES

Номер патента: US20200194563A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Greene Andrew M.,Sporre John R.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Gate cut device fabrication with extended height gates

Номер патента: US10079287B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Andrew M. Greene,John R. Sporre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-18.

Gate cut device fabrication with extended height gates

Номер патента: US10541308B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Andrew M. Greene,John R. Sporre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-21.

Gate cut device fabrication with extended height gates

Номер патента: US10658473B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Andrew M. Greene,John R. Sporre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Gate-cut and separation techniques for enabling independent gate control of stacked transistors

Номер патента: WO2023083699A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Lawrence Clevenger,Dechao Guo,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Junli Wang,Julien Frougier,Prasad Bhosale. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-05-19.

Sublithography gate cut physical unclonable function

Номер патента: US20210320190A1. Автор: Kangguo Cheng,Eric Miller,Marc A. Bergendahl,Gauri Karve,Fee Li LIE,John Ryan Sporre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Gate cut method for replacement metal gate integration

Номер патента: US09818836B1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Dong-Ick Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods for performing a gate cut last scheme for FinFET semiconductor devices

Номер патента: US09991361B2. Автор: Xintuo Dai,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Flexible cell boundary with curved gate cut region

Номер патента: US20240072035A1. Автор: CHENG Chi,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods for performing a gate cut last scheme for finfet semiconductor devices

Номер патента: US20170345913A1. Автор: Xintuo Dai,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor memory device including decoupling capacitor array arranged overlying one-time programmable device

Номер патента: US20200343253A1. Автор: Shian-Jyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING DECOUPLING CAPACITOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20150102395A1. Автор: Park Byung-lyul,PARK Jae-Hwa,MOON Kwang-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

COINTEGRATION OF FET DEVICES WITH DECOUPLING CAPACITOR

Номер патента: US20200273857A1. Автор: Cheng Kangguo,Song Yi,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

Strain based performance enhancement using selective metal oxidation inside gate

Номер патента: US20210193844A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi,Hsiao-Yuan WANG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12057492B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240332399A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Nanosheet transistors with self-aligned gate cut

Номер патента: US12107014B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

INTEGRATED CIRCUIT HAVING OXIDIZED GATE CUT REGION AND METHOD TO FABRICATE SAME

Номер патента: US20180047726A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Greene Andrew Mark. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

GATE-CUT ISOLATION STRUCTURE AND FABRICATION METHOD

Номер патента: US20210143152A1. Автор: Yang Haining. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

GATE CUT WITH INTEGRATED ETCH STOP LAYER

Номер патента: US20200152628A1. Автор: Venigalla Rajasekhar,Bergendahl Marc A.,Greene Andrew M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

GATE CUT AND FIN TRIM ISOLATION FOR ADVANCED INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE FABRICATION

Номер патента: US20200212200A1. Автор: Ghani Tahir,HO Byron,HATTENDORF Michael L.,AUTH Christopher P.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US10304940B1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-28.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20220223717A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Gate cut with integrated etch stop layer

Номер патента: US10083961B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Andrew M. Greene,Marc A. Bergendahl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Integrated circuit having oxidized gate cut region and method to fabricate same

Номер патента: US10128238B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Andrew Mark Greene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-13.

Nanosheet transistors with self-aligned gate cut

Номер патента: US20230099643A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11799015B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20230420545A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Nanosheet transistors with self-aligned gate cut

Номер патента: WO2023051596A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-04-06.

Ultra-low voltage transistor cell design using gate cut layout

Номер патента: US20240113118A1. Автор: Paul A. Packan,Yanbin LUO,Tao Chu,Minwoo Jang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Decoupling capacitor closely coupled with integrated circuit

Номер патента: US20070065983A1. Автор: Robert Vinson,Donald Beck,Gregory Jandzio,Joseph Brief. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2007-03-22.

Package-on-package assembly containing a decoupling capacitor

Номер патента: WO2024097037A1. Автор: Laurent Desclos. Владелец: KYOCERA AVX Components Corporation. Дата публикации: 2024-05-10.

Molded integrated circuit package incorporating thin decoupling capacitor

Номер патента: US4989117A. Автор: Jorge M. Hernandez. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1991-01-29.

Electronic packaging structure with integrated distributed decoupling capacitors

Номер патента: EP1614157A1. Автор: Tobias Georg Philips IP & Standards Gmbh TOLLE,Thomas Philips IP & Standards GmbH DÜRBAUM,Rainer Philips IP & Standards GmbH KIEWITT,Reinhold Philips IP & Standards GmbH ELFERICH. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2006-01-11.

Selectable decoupling capacitors for integrated circuit and methods of use

Номер патента: US20020119583A1. Автор: Krishna Seshan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Package-On-Package Assembly Containing A Decoupling Capacitor

Номер патента: US20240145452A1. Автор: Laurent Desclos. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Decoupling capacitor and layout for the capacitor

Номер патента: US20130193499A1. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Decoupling capacitor and layout for the capacitor

Номер патента: US20130193499A1. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Decoupling capacitors and filler cells

Номер патента: TW200810133A. Автор: Hsien-Te Chen,Jen-Hang Yang,Chun-Hui Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-02-16.

Method for including decoupling capacitors into semiconductor circuit having logic circuit therein and semiconductor circuit thereof

Номер патента: US20150001675A1. Автор: Tao Cheng,Ming-Tzong Yang,Tien-Chang Chang,Cheng-Hsing Chien,Hsin-Hsin Hsiao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

INTEGRATED CIRCUIT WITH DECOUPLING CAPACITOR IN A STRUCTURE OF THE TRIPLE WELL TYPE

Номер патента: US20180102377A1. Автор: Marzaki Abderrezak. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2018-04-12.

BULK CROSS-COUPLED HIGH DENSITY POWER SUPPLY DECOUPLING CAPACITOR

Номер патента: US20170352651A1. Автор: Dundigal Sreeker,Kumar Albert,DANG Hai,VADI Vasisht. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

Apparatus and method of manufacturing semiconductor device including decoupling capacitor

Номер патента: KR0183739B1. Автор: 김성봉. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-03-20.

A semiconductor device including a vertical decoupling capacitor

Номер патента: CN101213666A. Автор: M·莱勒,K·弗罗贝格,C·施万. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-07-02.

High efficiency half-cross-coupled decoupling capacitor

Номер патента: EP3308464B1. Автор: Alfred Yeung,Ronen COHAN. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2021-10-06.

Semiconductor device with decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088111A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088113A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor Devices Including Decoupling Capacitors

Номер патента: US20230386993A1. Автор: Chung-Hui Chen,Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor package with decoupling capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240332270A1. Автор: Kyoung Lim SUK,Ji Hwang Kim,Kyung Don Mun,Sangjin Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices including decoupling capacitors

Номер патента: US11837535B2. Автор: Chung-Hui Chen,Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Threshold voltage adjustment from oxygen vacancy by scavenge metal filling at gate cut (ct)

Номер патента: US20200287048A1. Автор: Andrew M. Greene,Gen Tsutsui,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Threshold voltage adjustment from oxygen vacancy by scavenge metal filling at gate cut (CT)

Номер патента: US11282962B2. Автор: Andrew M. Greene,Gen Tsutsui,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Threshold voltage adjustment from oxygen vacancy by scavenge metal filling at gate cut (ct)

Номер патента: US20200052125A1. Автор: Andrew M. Greene,Gen Tsutsui,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Buried decoupling capacitors, devices and systems including same, and methods of fabrication

Номер патента: US20120119275A1. Автор: Badih El-Kareh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-17.

DECOUPLING CAPACITOR ON STRAIN RELAXATION BUFFER LAYER

Номер патента: US20180350816A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Method for forming decoupling capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100721191B1. Автор: 김용택. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-23.

Method of forming on-chip decoupling capacitor by selectively etching grain boundaries in electrode

Номер патента: US7033882B2. Автор: Bruce A. Block,Richard Scott List,Ruitao Zhang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-04-25.

Late gate cut using selective conductor deposition

Номер патента: US20200176258A1. Автор: Hui Zang,David P. Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Replacement material for backside gate cut feature

Номер патента: US20220384250A1. Автор: Chih-Hao Wang,Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Wang-Chun Huang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Replacement material for backside gate cut feature

Номер патента: US11894260B2. Автор: Chih-Hao Wang,Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Wang-Chun Huang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for reducing the inductance in series with a decoupling capacitor for a bga chip and corresponding assembly

Номер патента: WO2007021642A2. Автор: Patrick Ying Cheung Fung. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-02-22.

Packaged RF power transistor device having next to each other a ground and a video lead for connecting a decoupling capacitor, RF power amplifier

Номер патента: US09820401B2. Автор: Yi Zhu,Josephus Van Der Zanden. Владелец: Samba Holdco Netherlands BV. Дата публикации: 2017-11-14.

ZrO-Based High K Dielectric Stack for Logic Decoupling Capacitor or Embedded DRAM

Номер патента: US20150179730A1. Автор: Imran Hashim,Xiangxin Rui. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

GATE CUT ISOLATION INCLUDING AIR GAP, INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING SAME AND RELATED METHOD

Номер патента: US20200152736A1. Автор: Yu Hong,Shu Jiehui,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

GATE CUT AND FIN TRIM ISOLATION FOR ADVANCED INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE FABRICATION

Номер патента: US20190165131A1. Автор: Ghani Tahir,HO Byron,HATTENDORF Michael L.,AUTH Christopher P.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

GATE CUT WITH HIGH SELECTIVITY TO PRESERVE INTERLEVEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20180315606A1. Автор: Xie Ruilong,Jung Ryan O.,Greene Andrew M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Gate cut isolation formed as layer against sidewall of dummy gate mandrel

Номер патента: US10707206B2. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-07.

METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS USING A GATE CUT PROCESS FOLLOWING FINAL GATE FORMATION

Номер патента: US20160056181A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device with gate cut structure

Номер патента: US20210074842A1. Автор: Jiehui SHU. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

FINFET WITH POST-RMG GATE CUT

Номер патента: US20170148682A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Gate cut isolation including air gap, integrated circuit including same and related method

Номер патента: US20210183997A1. Автор: Hong Yu,Hui Zang,Jiehui SHU. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

GATE CUT ISOLATION FORMED AS LAYER AGAINST SIDEWALL OF DUMMY GATE MANDREL

Номер патента: US20200161296A1. Автор: Xie Ruilong,Economikos Laertis,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

LATE GATE CUT USING SELECTIVE DIELECTRIC DEPOSITION

Номер патента: US20200168509A1. Автор: Xie Ruilong,Park Chanro,Economikos Laertis,Shu Jiehui,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

LATE GATE CUT USING SELECTIVE CONDUCTOR DEPOSITION

Номер патента: US20200176258A1. Автор: Brunco David P.,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Gate cut using selective deposition to prevent oxide loss

Номер патента: US20190189782A1. Автор: Andrew M. Greene,Ekmini Anuja De Silva,Siva Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

VERY PLANAR GATE CUT POST REPLACEMENT GATE PROCESS

Номер патента: US20150243651A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-08-27.

GATE CUT AND FIN TRIM ISOLATION FOR ADVANCED INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE FABRICATION

Номер патента: US20190245060A1. Автор: Ghani Tahir,HO Byron,HATTENDORF Michael L.,AUTH Christopher P.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

FINFET GATE CUT AFTER DUMMY GATE REMOVAL

Номер патента: US20200243648A1. Автор: Greene Andrew M.,Sporre John R.,Kanakasabapathy Siva,SAULNIER Nicole A.,Shearer Jeffrey. Владелец: TESSERA, INC.. Дата публикации: 2020-07-30.

DEVICE FOR IMPROVING PERFORMANCE THROUGH GATE CUT LAST PROCESS

Номер патента: US20170365676A1. Автор: Huang Haigou,Wu Xusheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-12-21.

Multi-layer filled gate cut to prevent power rail shorting to gate structure

Номер патента: US9805983B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Hao Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Gate cut isolation including air gap, integrated circuit including same and related method

Номер патента: US11610965B2. Автор: Hong Yu,Hui Zang,Jiehui SHU. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-21.

Gate cut using selective deposition to prevent oxide loss

Номер патента: US10622482B2. Автор: Andrew M. Greene,Ekmini Anuja De Silva,Siva Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-14.

Off-center gate cut

Номер патента: US9607988B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Yanxiang Liu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Replacement material for backside gate cut feature

Номер патента: US20240178052A1. Автор: Chih-Hao Wang,Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Wang-Chun Huang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit with backside metal gate cut for reduced coupling capacitance

Номер патента: US20230335444A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Chun-Yuan Chen,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Replacement Material for Backside Gate Cut Feature

Номер патента: US20220277985A1. Автор: Chih-Hao Wang,Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Wang-Chun Huang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Corrosion-resistant electrode structure for integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: US20030075805A1. Автор: Jun Wang,Bruce Copeland,Kenneth TRAVIS,Mark TAKACS,Rebecca Gorrell,Donald Scheider,Peter Ulanmo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-04-24.

Back-end-of-line compatible metal-insulator-metal on-chip decoupling capacitor

Номер патента: US20210028274A1. Автор: Takashi Ando,Paul Jamison,John Greg MASSEY,Eduard Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Back-end-of-line compatible metal-insulator-metal on-chip decoupling capacitor

Номер патента: GB2600602A. Автор: Ando Takashi,Jamison Paul,Cartier Eduard,Greg Massey John. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Back-end-of-line compatible metal-insulator-metal on-chip decoupling capacitor

Номер патента: WO2021014334A1. Автор: Takashi Ando,Paul Jamison,John Massey,Eduard Cartier. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-01-28.

Integrated Circuit with Integrated Decoupling Capacitor

Номер патента: KR970063716A. Автор: 토드 알랜 크리스텐센,존 에드워드 2세 시츠. Владелец: 제프리 엘. 포맨. Дата публикации: 1997-09-12.

Embedded decoupling capacitor

Номер патента: AU2001287605A1. Автор: Archibald J. Allen,Edward W. Conrad,Orest Bula,William C. Leipold,John M. Cohn,Daniel Cole. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2002-01-30.

Embedded decoupling capacitor

Номер патента: IL141961A0. Автор: . Владелец: Ibm. Дата публикации: 2002-03-10.

Embedded decoupling capacitor

Номер патента: IL141961A. Автор: . Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-11-20.

Decoupling capacitors for interposers

Номер патента: US09379202B2. Автор: Abraham F. Yee. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Integrated circuit with integrated decoupling capacitors

Номер патента: US20130313679A1. Автор: John A. Rodriguez,Steven Craig Bartling,Scott Robert Summerfelt,Huang-Chun Wen. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-11-28.

Process-compatible decoupling capacitor and method for making the same

Номер патента: US20160148990A1. Автор: Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor memory device including power decoupling capacitor and processing method thereof

Номер патента: KR101444381B1. Автор: 김성훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-11-03.

Semiconductor device having decoupling capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: KR100675281B1. Автор: 김지영,김현기,이중화. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-29.

Method and apparatus for self-contained automatic decoupling capacitor switch-out in integrated circuits

Номер патента: US7750511B2. Автор: Vikas Agarwal,Saiful Islam,Asit S. Ambekar,Sanjay Dubey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Intralevel decoupling capacitor, method of manufacture and testing circuit of the same

Номер патента: US20040046230A1. Автор: William Cote,Kerry Bernstein,Tak Ning,John Bracchitta,Wilbur Pricer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-03-11.

Integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: US9425192B2. Автор: Irfan Rahim,William Bradley Vest,Myron Wai Wong. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

FeRAM decoupling capacitor

Номер патента: US11296099B2. Автор: Tzu-Yu Chen,Fu-Chen Chang,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH,Chih-Hsiang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-05.

Integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: US20100148304A1. Автор: Irfan Rahim,William Bradley Vest,Myron Wai Wong. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

MIM decoupling capacitors under a contact pad

Номер патента: US8866260B2. Автор: Hau-Tai Shieh,Chen-Hui Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Method for including decoupling capacitors into semiconductor circuit having logic circuit therein and semiconductor circuit thereof

Номер патента: TW201014101A. Автор: Tao Cheng,Ming-Tzong Yang,Tien-Chang Chang,Cheng-Hsing Chien,Hsin-Hsin Hsiao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2010-04-01.

Method of forming a semiconductor structure including two photoresist exposure processes for providing a gate cut

Номер патента: US20160260607A1. Автор: Thomas Merelle,Rèmi RIVIÈRE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

SELF-ALIGNED GATE CUT WITH POLYSILICON LINER OXIDATION

Номер патента: US20180248029A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

CELL CIRCUITS FORMED IN CIRCUIT CELLS EMPLOYING OFFSET GATE CUT AREAS IN A NON-ACTIVE AREA FOR ROUTING TRANSISTOR GATE CROSS-CONNECTIONS

Номер патента: US20190319022A1. Автор: SONG Stanley Seungchul,RIM Kern,Yang Da,Zhu John Jianhong. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

GATE CUT WITH HIGH SELECTIVITY TO PRESERVE INTERLEVEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20170018628A1. Автор: Xie Ruilong,Jung Ryan O.,Greene Andrew M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

ASYMMETRIC GATE CUT ISOLATION FOR SRAM

Номер патента: US20210020644A1. Автор: Xie Ruilong,Zang Hui,Paul Bipul C.,Chanemougame Daniel,Frougier Julien. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE REPLACEMENT METAL GATE WITH GATE CUT LAST IN RMG

Номер патента: US20170084463A1. Автор: OK Injo,Greene Andrew M.,Surisetty Charan V.,Haran Balasubramanian P.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

SELF-ALIGNED GATE CUT WITH POLYSILICON LINER OXIDATION

Номер патента: US20180108770A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

GATE CUT DEVICE FABRICATION WITH EXTENDED HEIGHT GATES

Номер патента: US20180190781A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Greene Andrew M.,Sporre John R.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

SELF-ALIGNED GATE CUT WITH POLYSILICON LINER OXIDATION

Номер патента: US20180248030A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

GATE CUT FIRST ISOLATION FORMATION WITH CONTACT FORMING PROCESS MASK PROTECTION

Номер патента: US20200266286A1. Автор: Tabakman Keith H.,YANG Xiaoming,Gu Sipeng,CHEE JEFFREY. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

GATE CUTS AFTER METAL GATE FORMATION

Номер патента: US20180277645A1. Автор: Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

GATE CUT DEVICE FABRICATION WITH EXTENDED HEIGHT GATES

Номер патента: US20180323272A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Greene Andrew M.,Sporre John R.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

GATE CUT DEVICE FABRICATION WITH EXTENDED HEIGHT GATES

Номер патента: US20180331194A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Greene Andrew M.,Sporre John R.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Output circuit of semiconductor apparatus having two different types of decoupling capacitors

Номер патента: US20110187450A1. Автор: Jun Ho Lee,Yang Hee Kim,Hyun Seok Kim,Boo Ho JUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Optimized decoupling capacitor using lithographic dummy filler

Номер патента: WO2001037320A3. Автор: Louis Hsu,Henning Haffner,Gunther Lehmann,Armin M Reith. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Optimized decoupling capacitor using lithographic dummy filler

Номер патента: EP1232519A2. Автор: Louis Hsu,Henning Haffner,Gunther Lehmann,Armin M. Reith. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-08-21.

Isolating faulty decoupling capacitors

Номер патента: US20100308663A1. Автор: Vikas Agarwal,Sanjay Dubey,Ankit K. Gheedia,Nikhil Kejriwal,Sankara Reddy S. Kommareddi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Low inductance decoupling capacitor

Номер патента: WO1990001782A1. Автор: Jorge M. Hernandez. Владелец: Rogers Corporation. Дата публикации: 1990-02-22.

Output circuit of semiconductor apparatus having two different types of decoupling capacitors

Номер патента: US8405454B2. Автор: Jun Ho Lee,Yang Hee Kim,Hyun Seok Kim,Boo Ho JUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-03-26.

Companion integrated circuit having decoupling capacitor and mobile device having the same

Номер патента: US09648747B2. Автор: Jeong-Sik Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Surface mounted decoupling capacitor system and process of making the same

Номер патента: WO2003100858A2. Автор: Weston Roth,Damion Searls,James Jackson. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-12-04.

Systems and methods for decoupling capacitor for inverter for electric vehicle

Номер патента: WO2024069437A1. Автор: Seyed R. Zarabadi,Mark Wendell Gose,David Paul Buehler. Владелец: Delphi Technologies IP Limited. Дата публикации: 2024-04-04.

Systems and methods for decoupling capacitor for inverter for electric vehicle

Номер патента: US20240106371A1. Автор: Seyed R. Zarabadi,Mark Wendell Gose,David Paul Buehler. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

DECOUPLING CAPACITOR FOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20140246715A1. Автор: Kamal Pratyush,Gupta Mukul,VANG FOUA. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-04.

EMBEDDED METAL-INSULATOR-METAL (MIM) DECOUPLING CAPACITOR IN MONOLITIC THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUIT (IC) STRUCTURE

Номер патента: US20180204796A1. Автор: Cheng Kangguo,Pei Chengwen,Wang Geng,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

DECOUPLING CAPACITOR ON STRAIN RELAXATION BUFFER LAYER

Номер патента: US20170213884A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor device with structure of decoupling capacitor

Номер патента: KR100351452B1. Автор: 권기원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-09.

Integrated thin-film blocking or Decoupling capacitor for monolithic circuits and method for its manufacture

Номер патента: DE1924712C3. Автор: Robert Joseph Domenico,Robert Hugh Francis Lloyd. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-06-21.

STRAIN BASED PERFORMANCE ENHANCEMENT USING SELECTIVE METAL OXIDATION INSIDE GATE

Номер патента: US20210193844A1. Автор: Hafez Walid M.,Ramaswamy Rahul,Nidhi Nidhi,CHANG Hsu-Yu,CHANG Ting,FALLAHAZAD Babak,TRIVEDI Tanuj,KIM Jeong Dong,WANG Hsiao-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Residue-Free Metal Gate Cutting For Fin-Like Field Effect Transistor

Номер патента: US20210193528A1. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Hsuan Hsiao,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Residue-Free Metal Gate Cutting For Fin-Like Field Effect Transistor

Номер патента: US20190164839A1. Автор: CHEN Ryan Chia-Jen,Chang Ming-Ching,Hsiao Yi-Hsuan,Ku Shu-Yuan,Tsai Ya-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

TRANSISTOR ARRANGEMENTS WITH METAL GATE CUTS AND RECESSED POWER RAILS

Номер патента: US20210280708A1. Автор: Ma Sean T.,Wei Andy Chih-Hung,Sinha Piyush Mohan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-09-09.

GATE CUT METHOD

Номер патента: US20190013245A1. Автор: Zhao Wei,Hong Wei,JHA Ashish Kumar,WANG Haiting,LEE Tae Jeong,HU Zhenyu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-01-10.

MULTI-LAYER FILLED GATE CUT TO PREVENT POWER RAIL SHORTING TO GATE STRUCTURE

Номер патента: US20180053694A1. Автор: Cheng Kangguo,Tang Hao,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

Residue-Free Metal Gate Cutting For Fin-Like Field Effect Transistor

Номер патента: US20200058557A1. Автор: CHEN Ryan Chia-Jen,Chang Ming-Ching,Hsiao Yi-Hsuan,Ku Shu-Yuan,Tsai Ya-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Replacement Material for Backside Gate Cut Feature

Номер патента: US20220277985A1. Автор: Wang Chih-hao,CHEN Hou-Yu,Cheng Kuan-Lun,HUANG Wang-Chun,HUANG Yu-Xuan. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

GATE CUT CRITICAL DIMENSION SHRINK AND ACTIVE GATE DEFECT HEALING USING SELECTIVE DEPOSITION

Номер патента: US20200135575A1. Автор: Mignot Yann,De Silva Ekmini A.,Shoudy Matthew T.,Bergendahl Marc,Greene Andrew,Joseph Varghese Alex,Lea Dallas,Muthinti Gangadhara Raja. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

OFF-CENTER GATE CUT

Номер патента: US20160225767A1. Автор: Liu Yanxiang,SONG Stanley Seungchul. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

METHODS OF PERFORMING CONCURRENT FIN AND GATE CUT ETCH PROCESSES FOR FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20170243790A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu,Labelle Catherine B.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

GATE CUT USING SELECTIVE DEPOSITION TO PREVENT OXIDE LOSS

Номер патента: US20190259665A1. Автор: Greene Andrew M.,De Silva Ekmini Anuja,Kanakasabapathy Siva. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

GATE CUT METHOD

Номер патента: US20180277440A1. Автор: Yu Hong,WANG Haiting,HU Zhenyu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-09-27.

METHOD FOR FORMING AND TRIMMING GATE CUT STRUCTURE

Номер патента: US20190341468A1. Автор: Xie Ruilong,Economikos Laertis,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

RESIDUE REMOVAL IN METAL-GATE CUTTING PROCESS

Номер патента: DE102019126339B4. Автор: Chih-Chang Hung,Chieh-Ning Feng,Yih-Ann Lin,Bing-Hung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Gate Cut Dielectric Feature and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210118875A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Decoupling capacitor structure distributed in a thin film layer above an integrated circuit, and method for making same

Номер патента: TW403996B. Автор: Wei Hwang,Stephen M Gates,Philip G Emma. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2000-09-01.

INTEGRATED CIRCUIT DECOUPLING CAPACITOR ARRANGEMENT

Номер патента: US20140110772A1. Автор: Kerber Andreas,Nigam Tanya,Lipp Dieter,Herden Marc. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2014-04-24.

Semiconductor device having stacked decoupling capacitors

Номер патента: KR100665848B1. Автор: 양향자. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-09.

Controlled leakage CMOS decoupling capacitor for application specific integrated circuit libraries

Номер патента: US7098523B2. Автор: Terry C. Coughlin, Jr.,David Jia Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-29.

Distributed semiconductor power supplies and decoupling capacitor therefor

Номер патента: US3538397A. Автор: Stanley P Davis. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1970-11-03.

3D IC decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11908788B2. Автор: Chewn-Pu Jou,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

3d ic decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200006218A1. Автор: Chewn-Pu Jou,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

3d ic decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200266143A1. Автор: Chewn-Pu Jou,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

3D IC Decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US10665536B2. Автор: Chewn-Pu Jou,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

3d ic decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210313261A1. Автор: Chewn-Pu Jou,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

BEOL decoupling capacitor materials

Номер патента: TW452857B. Автор: Daniel Charles Edelstein,Deborah Ann Neumayer,Peter Richard Duncombe,Robert Benjamin Laibowitz,Tak Hung Ning. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-09-01.

High voltage decoupling capacitor and integration methods

Номер патента: US11469169B2. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-10-11.

Implementing decoupling capacitors with hot-spot thermal reduction on integrated circuit chips

Номер патента: US7723816B2. Автор: Ii John Edward Sheets,Todd Alan Christensen,Gerald Keith Bartley,Paul Eric Dahlen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-05-25.

Gate structure and method with dielectric gates and gate-cut features

Номер патента: US11791217B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Buo-Chin Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Ultra-scale gate cut pillar with overlay immunity and method for producing the same

Номер патента: US09960077B1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Josef Watts. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

GATE CUT IN RMG

Номер патента: US20200044051A1. Автор: Bao Ruqiang,Greene Andrew M.,Kanakasabapathy Siva. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

GATE CUT IN RMG

Номер патента: US20200044052A1. Автор: Bao Ruqiang,Greene Andrew M.,Kanakasabapathy Siva. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

AIRGAP SPACERS FORMED IN CONJUNCTION WITH A LATE GATE CUT

Номер патента: US20200152504A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Frougier Julien. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

GATE CUT IN RMG

Номер патента: US20190371912A1. Автор: Bao Ruqiang,Greene Andrew M.,Kanakasabapathy Siva. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

METAL GATE CUTTING SHAPE

Номер патента: DE102019101555B4. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Chih-Chang Hung,Chieh-Ning Feng,Chun-Liang Lai,Yih-Ann Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Gate cut structure and method of forming the same

Номер патента: US11532744B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-20.

EDRAM/DRAM fabricated capacitors for use in on-chip PMUS and as decoupling capacitors in an integrated EDRAM/DRAM and PMU system

Номер патента: US09607680B2. Автор: Sanjay Dabral. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Decoupling capacitors for thin gate oxides

Номер патента: US20020140109A1. Автор: Tanay Karnik,Vivek K. De,Ali Keshavarzi,Rajendran Nair. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

How to Form Trench Capacitors and Decoupling Capacitors

Номер патента: KR19980079704A. Автор: 리챠드 레오 클레인헨즈,스탠리 에버렛 츄스터,카레 바디 엘. Владелец: 포맨 제프리 엘. Дата публикации: 1998-11-25.

Process-compatible decoupling capacitor and method for making the same

Номер патента: US20140021584A1. Автор: Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

DECOUPLING CAPACITOR CIRCUIT

Номер патента: US20190081038A1. Автор: KONG Wan Chul. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2019-03-14.

MICROELECTRONIC DEVICES INCLUDING DECOUPLING CAPACITORS, AND RELATED APPARATUSES, ELECTRONIC SYSTEMS, AND METHODS

Номер патента: US20210358915A1. Автор: Wang Chao Wen. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING DECOUPLING CAPACITOR ARRAY ARRANGED OVERLYING ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICE

Номер патента: US20200343182A1. Автор: Lin Shian-Jyh. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

DECOUPLING CAPACITORS AND METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20220415896A1. Автор: Sell Bernhard,Armstrong Mark,Hamzaoglu Fatih,Alzate-Vinasco Juan G.,Wang Pei-hua,Lajoie Travis W.,Ku Chieh-jen,JAIN Pulkit,GOMES Wilfred,Waldemer James. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-12-29.

Decoupling capacitor for finfet compatible process

Номер патента: KR101461792B1. Автор: 잠웸 리,이펭 창. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-11-13.

Process-compatible decoupling capacitor and method for making the same

Номер патента: KR101390029B1. Автор: 쿠어치 투,웬팅 추. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-04-29.

Decoupling capacitors for thin gate oxides

Номер патента: KR20020089311A. Автор: 케사바르지알리,디이비벡케이.,칼니크타네이,네어라젠드라. Владелец: 인텔 코오퍼레이션. Дата публикации: 2002-11-29.

Decoupling capacitor circuit

Номер патента: US10615157B2. Автор: Wan Chul KONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Near tier decoupling capacitors

Номер патента: US11694992B2. Автор: Shidong Li,Thomas Edward Lombardi,Joseph Jacobi,Charles Leon Arvin,Bhupender Singh,Joseph C. Sorbello,Mark William Kapfhammer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Decoupling capacitors for thin gate oxides

Номер патента: KR100532208B1. Автор: 케사바르지알리,디이비벡케이.,칼니크타네이,네어라젠드라. Владелец: 인텔 코오퍼레이션. Дата публикации: 2005-11-29.

Decoupling capacitors for thin gate oxides.

Номер патента: HK1046776A1. Автор: Tanay Karnik,Ali Keshavarzi,Rajendran Nair,De K Vevek. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-01-24.

Method of making decoupling capacitor

Номер патента: US20230387329A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-Lin LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor

Номер патента: US09406812B1. Автор: Andrew E. Horch,Martin Luc Cecil Arthur Niset. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

INTEGRATED DECOUPLING CAPACITORS

Номер патента: US20220077084A1. Автор: Webster Mark A.,PATEL Vipulkumar K.,APPEL Craig S.. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

Decoupling Capacitor for FinFET Compatible Process

Номер патента: US20140183610A1. Автор: Lee Jam-Wem,Chang Yi-Feng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-07-03.

INTEGRATED SHIELDING AND DECOUPLING CAPACITOR STRUCTURE

Номер патента: US20180145024A1. Автор: Christensen Todd A.,Sheets,II John E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor

Номер патента: US20160204279A1. Автор: Andrew E. Horch,Martin Luc Cecil Arthur Niset. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

3D IC DECOUPLING CAPACITOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210313261A1. Автор: JOU Chewn-PU,Liao Wen-Shiang. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-07.

3D IC DECOUPLING CAPACITOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200266143A1. Автор: JOU Chewn-PU,Liao Wen-Shiang. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

Integrated Circuits With On-Die Decoupling Capacitors

Номер патента: US20140374877A1. Автор: Liu Hui,Shi Hong,Oh Kyung Suk,Shumarayev Sergey,Ding Weiqi,Wang Bonnie,Chandra Sunitha,Chand Kundan. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2014-12-25.

Integrated circuit device having through-silicon via structure and decoupling capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102114340B1. Автор: 박재화,박병률,문광진,강성희,방석철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-05-22.

Semiconductor device with decoupling capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: KR100688546B1. Автор: 시게노부 마에다. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-02.

Decoupling capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4475919B2. Автор: 健司 塩賀,和明 栗原,デイビッド ベネキ ジョン. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-09.

Through substrate via with embedded decoupling capacitor

Номер патента: US8536678B2. Автор: Matthew Michael Nowak,Shiqun Gu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Method of making decoupling capacitor

Номер патента: US11901463B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-Lin LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Gate cut on a vertical field effect transistor with a defined-width inorganic mask

Номер патента: US09882048B2. Автор: John R. Sporre,Brent A. Anderson,Sivananda K. Kanakasabapathy,Junli Wang,Stuart A. Sieg,Jeffrey C. SHEARER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Self-aligned gate cut method and multilayer gate-cut pillar structure

Номер патента: US20200119163A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Youngtag Woo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

SELF-ALIGNED GATE CUT FOR OPTIMAL POWER AND ROUTING

Номер патента: US20200020795A1. Автор: Bao Junjing,Yang Haining,Lu Ye,LIM Hyeokjin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

GATE CUT WITH HIGH SELECTIVITY TO PRESERVE INTERLEVEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20170221721A1. Автор: Xie Ruilong,Jung Ryan O.,Greene Andrew M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

GATE CUT ON A VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH A DEFINED-WIDTH INORGANIC MASK

Номер патента: US20180006150A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Kanakasabapathy Sivananda K.,SIEG STUART A.,Sporre John R.,SHEARER JEFFREY C.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

GATE CUT WITH HIGH SELECTIVITY TO PRESERVE INTERLEVEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20170018437A1. Автор: Xie Ruilong,Jung Ryan O.,Greene Andrew M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

Residue Removal in Metal Gate Cutting Process

Номер патента: US20210083072A1. Автор: Chen Bing-Hung,Lin Yih-Ann,HUNG Chih-Chang,Feng Chieh-Ning. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE REPLACEMENT METAL GATE WITH GATE CUT LAST IN RMG

Номер патента: US20170084723A1. Автор: OK Injo,Greene Andrew M.,Surisetty Charan V.,Haran Balasubramanian P.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

Method for Producing a Gate Cut Structure on an Array of Semiconductor Fins

Номер патента: US20200083090A1. Автор: Chan Boon Teik,Kim Ryan Ryoung Han,Altamirano Sanchez Efrain. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

GATE CUT ON A VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH A DEFINED-WIDTH INORGANIC MASK

Номер патента: US20180097107A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Kanakasabapathy Sivananda K.,SIEG STUART A.,Sporre John R.,SHEARER JEFFREY C.. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

GATE CUT INTEGRATION AND RELATED DEVICE

Номер патента: US20180233579A1. Автор: Economikos Laertis,LI Hui-feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

A METHOD OF MANUFACTURING FINFET DEVICES USING NARROW AND WIDE GATE CUT OPENINGS IN CONJUCTION WITH A REPLACEMENT METAL GATE PROCESS

Номер патента: US20190341475A1. Автор: Zhang John,Liu Jinping,Economikos Laertis,Han Tao,Shu Jiehui,WANG Haiting,Zhan Hui,Zang Hui,Huang Haigou,Wu Xusheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-11-07.

Gate cut integration and related devices

Номер патента: CN108493156B. Автор: 李慧峰,L·埃克诺米科思. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-06-24.

Gate cutting for a vertical transistor device

Номер патента: US9673199B1. Автор: John R. Sporre,Brent A. Anderson,Sivananda K. Kanakasabapathy,Junli Wang,Stuart A. Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Three-dimensional memory device with drain select gate cut and method of forming the same

Номер патента: CN111886696B. Автор: 夏志良,周文犀,韩玉辉,赵利川. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

Integrated circuits and methods with two types of decoupling capacitors

Номер патента: EP2100333A2. Автор: Brian Cheung,Emmanuel de Muizon. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-09-16.

Integrated circuits and methods with two types of decoupling capacitors

Номер патента: WO2008083378A3. Автор: Brian Cheung,Muizon Emmanuel De. Владелец: Muizon Emmanuel De. Дата публикации: 2008-09-04.

Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor

Номер патента: US20140145253A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor

Номер патента: US09508868B2. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Decouple capacitor forming circuit, integrated circuit utilizing the decouple capacitor forming circuit and related method

Номер патента: US20100046139A1. Автор: Chih-hao Chen,Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Package programmable decoupling capacitor array

Номер патента: US09998100B2. Автор: Alfred Yeung,Rich THAIK,April Lambert,Jeremy Plunkett. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Stacked decoupling capacitors with integration in a substrate

Номер патента: US11417637B2. Автор: Jonghae Kim,Milind Shah,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-08-16.

Decoupling capacitor and method

Номер патента: US7245477B2. Автор: Elliot Malcolm Philofsky. Владелец: Applied Ceramics Res. Дата публикации: 2007-07-17.

Decoupling capacitor and method

Номер патента: US20060034033A1. Автор: Elliot Philofsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Package having embedded decoupling capacitor and method of forming the same

Номер патента: US20230230970A1. Автор: Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor

Номер патента: WO2013116003A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2013-08-08.

Package programmable decoupling capacitor array

Номер патента: EP3341964A1. Автор: Alfred Yeung,Rich THAIK,April Lambert,Jeremy Plunkett. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2018-07-04.

Method and apparatus to fabricate an on-chip decoupling capacitor

Номер патента: AU2003272622A8. Автор: Christopher Thomas,Bruce Block. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-04-23.

Method and apparatus to fabricate an on-chip decoupling capacitor

Номер патента: AU2003272622A1. Автор: Christopher Thomas,Bruce Block. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-04-23.

Method and apparatus to fabricate an on-chip decoupling capacitor

Номер патента: TW200406820A. Автор: Christopher Thomas,Bruce Block. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-05-01.

Placement method for decoupling capacitors

Номер патента: TWI257146B. Автор: Chien-Chia Huang,Yu-Wen Tsai. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Integrated circuits and methods with two types of decoupling capacitors

Номер патента: TW200837927A. Автор: Brian Cheung,Muizon Emmanuel De. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-09-16.

Integrated circuits and methods with two types of decoupling capacitors

Номер патента: EP2100333A4. Автор: Brian Cheung,Muizon Emmanuel De. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-05-09.

Asymmetric Dense Floating Gate Nonvolatile Memory with Decoupled Capacitor

Номер патента: US20130193501A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING CELL-TYPE POWER DECOUPLING CAPACITORS

Номер патента: US20130256832A1. Автор: Oh Se-Il,YOO HAN-SIK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DECOUPLING CAPACITORS AND DUMMY TRANSISTORS

Номер патента: US20130320405A1. Автор: Lee Suk-Joo,Kang Hee-Sung,YOON Dae-ho,LEE Dal-hee,JEON Joong-won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-12-05.

3D IC DECOUPLING CAPACITOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200006218A1. Автор: JOU Chewn-PU,Liao Wen-Shiang. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING THROUGH-SILICON VIA STRUCTURE AND DECOUPLING CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150028450A1. Автор: Park Byung-lyul,PARK Jae-Hwa,MOON Kwang-Jin,BANG Suk-Chul,KANG Sung-hee. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

PACKAGE PROGRAMMABLE DECOUPLING CAPACITOR ARRAY

Номер патента: US20170063355A1. Автор: Thaik Rich,Yeung Alfred,Lambert April,Plunkett Jeremy. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

SEMICONDUCTOR DIE WITH DECOUPLING CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220093602A1. Автор: YANG Wu-Der. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

DECOUPLING CAPACITOR AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20210083129A1. Автор: HORNG Jaw-Juinn,LIU SZU-LIN. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

NEAR TIER DECOUPLING CAPACITORS

Номер патента: US20220271005A1. Автор: LI SHIDONG,Sorbello Joseph C.,Singh Bhupender,Arvin Charles Leon,Lombardi Thomas Edward,Jacobi Joseph,Kapfhammer Mark William. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

Dc/ ac dual function power delivery network (pdn) decoupling capacitor

Номер патента: US20140252544A1. Автор: Yue Li,Xiaoming Chen,Xiaonan Zhang,Ryan D. LANE,Charles D. Paynter,Zhongping Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH PACKAGE-LEVEL DECOUPLING CAPACITORS FORMED WITH BOND WIRES

Номер патента: US20150221592A1. Автор: Garg Vikas,KUMAR Shailesh,Kalandar Navas Khan Oratti,Verma Chetan,Bhooshan Rishi. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor memory device including power decoupling capacitor

Номер патента: US20170221543A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Doo-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-03.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING SEALING REGIONS AND DECOUPLING CAPACITOR REGIONS

Номер патента: US20160240475A1. Автор: PARK Chul-yong,AHN Jeong-hoon. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

DECOUPLING CAPACITOR

Номер патента: US20180233460A1. Автор: Lisart Mathieu,Froment Benoit. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

INTEGRATED CIRCUIT WITH DETECTION OF THINNING VIA THE BACK FACE AND DECOUPLING CAPACITORS

Номер патента: US20180247901A1. Автор: Marzaki Abderrezak. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2018-08-30.

MONOLITHIC DECOUPLING CAPACITOR BETWEEN SOLDER BUMPS

Номер патента: US20180286825A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

MONOLITHIC DECOUPLING CAPACITOR BETWEEN SOLDER BUMPS

Номер патента: US20180286828A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Decoupling capacitor mounted on an integrated circuit die, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190312005A1. Автор: Florence R. Pon,Tyler LEUTEN,John K. Yap. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

3D IC DECOUPLING CAPACITOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180337122A1. Автор: JOU Chewn-PU,Liao Wen-Shiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

MONOLITHIC DECOUPLING CAPACITOR BETWEEN SOLDER BUMPS

Номер патента: US20190348383A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

INTEGRATED CIRCUIT WITH DETECTION OF THINNING VIA THE BACK FACE AND DECOUPLING CAPACITORS

Номер патента: US20200411454A1. Автор: Marzaki Abderrezak. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2020-12-31.

A decoupling capacitor for an integrated circuit

Номер патента: EP3503180A1. Автор: Jean-Marie Martin,David France,Erick Giroux,Frederic PETI-JEAN. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2019-06-26.

Decoupling capacitor configuration for integrated circuit chip

Номер патента: US6191479B1. Автор: Dennis J. Herrell,Mathias Boettcher. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-02-20.

Method for manufacturing semiconductor die with decoupling capacitor

Номер патента: US20220189959A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Integrated decoupling capacitors

Номер патента: US6812109B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-11-02.

Decoupling capacitor control circuit and method for enhanced ESD performance

Номер патента: US7495878B2. Автор: Ronald C. Todd. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2009-02-24.

Enhanced on-chip decoupling capacitors and method of making same

Номер патента: US7416954B2. Автор: Bruce A. Block,Richard Scott List. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-08-26.

Semiconductor apparatus with decoupling capacitor

Номер патента: US20020145180A1. Автор: Makoto Terui,Noritaka Anzai. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Tuneable ferroelectric decoupling capacitor

Номер патента: US6507476B1. Автор: Thomas M. Shaw,W. David Pricer,Robert B. Laibowitz,Deborah A. Neumayer,John D. Baniecki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-14.

Package with improved connection of a decoupling capacitor

Номер патента: US20090085158A1. Автор: Jitesh Shah. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-02.

High capacitive density stacked decoupling capacitor structure

Номер патента: US6969880B2. Автор: Frank S. Johnson,Edmund Burke,Benjamin P. Mckee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-29.

Tuneable ferroelectric decoupling capacitor

Номер патента: US6888714B2. Автор: Thomas M. Shaw,W. David Pricer,Robert B. Laibowitz,Deborah A. Neumayer,John D. Baniecki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Decoupling capacitor design

Номер патента: TWI246096B. Автор: Shine-Chien Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-12-21.

Deep trench decoupling capacitor and methods of forming

Номер патента: US9385179B2. Автор: James S. Nakos,Anthony K. Stamper,Edmund J. Sprogis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor die with decoupling capacitor

Номер патента: CN114256243A. Автор: 杨吴德. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-29.

Integrated circuits and methods with two types of decoupling capacitors

Номер патента: KR101462886B1. Автор: 브라이언 청,엠마누엘 드 뮈종. Владелец: 샌디스크 테크놀로지스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2014-11-19.

System, method and computer product for enhancing implementation of decoupling capacitor

Номер патента: TWI647582B. Автор: 黑利賓 艾昂,戴茲 拉斐爾埃利澤,夏林 阿納. Владелец: 新唐科技股份有限公司. Дата публикации: 2019-01-11.

ESD protection of noise decoupling capacitors

Номер патента: US20030202311A1. Автор: Charvaka Duvvury. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Package programmable decoupling capacitor array

Номер патента: WO2017040239A1. Автор: Alfred Yeung,Rich THAIK,April Lambert,Jeremy Plunkett. Владелец: Applied Micro Circuits Corporation. Дата публикации: 2017-03-09.

Shared on-chip decoupling capacitor and heat-sink devices

Номер патента: TW200410382A. Автор: Kwong-Hon Wong,Lawrence A Clevenger,Louis L Hsu,Amy R Hsu. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-06-16.

Shared on-chip decoupling capacitor and heat-sink devices

Номер патента: TWI269417B. Автор: Kwong Hon Wong,Lawrence A Clevenger,Louis L Hsu,Amy R Hsu. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-12-21.

Placement method for decoupling capacitors

Номер патента: TW200541016A. Автор: Chien-Chia Huang,Yu-Wen Tsai. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2005-12-16.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: WO2022133990A1. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-30.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US11871573B2. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240090227A1. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

METHODS FOR PERFORMING A GATE CUT LAST SCHEME FOR FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170345913A1. Автор: Huang Haigou,Wu Xusheng,DAI Xintuo. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Leakage current blocking circuit and leakage current blocking method for decoupling capacitor

Номер патента: US11777302B2. Автор: Hung-Der Su. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

A decoupling capacitor

Номер патента: EP1021812A2. Автор: Roland Bergstedt Leif,Bjorn Rudberg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2000-07-26.

Decoupling capacitors

Номер патента: US20090207552A1. Автор: Yew Keong Chong,Marlin Frederick, JR.,Jean-Luc Pelloie,David Paul Clark. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2009-08-20.

Decoupling capacitor and method of manufacture thereof

Номер патента: US4532572A. Автор: Donald P. Schilling. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1985-07-30.

Decoupling capacitor and method of manufacture thereof

Номер патента: CA1202696A. Автор: Jorge M. Hernandez. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1986-04-01.

Decoupling capacitor and method of manufacture thereof

Номер патента: US4475143A. Автор: Jorge M. Hernandez. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1984-10-02.

INTEGRATED CIRCUIT WITH ON-DIE DECOUPLING CAPACITORS

Номер патента: US20160056099A1. Автор: Garg Vikas,KUMAR Shailesh,Verma Chetan,Varshney Sumit. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2016-02-25.

Method for forming decoupling capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100437617B1. Автор: 김용택. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-30.

Process monitoring for gate cut mask

Номер патента: US09685336B1. Автор: Elliot John Smith,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Decoupling capacitor for integrated circuit package and electrical components using the decoupling capacitor and associated methods

Номер патента: WO2003009389A1. Автор: Leonard W. Schaper. Владелец: The Board of Trustees of the University of Arkansas. Дата публикации: 2003-01-30.

Wiring connection structure of laminated capacitor and decoupling capacitor, and wiring board

Номер патента: US6556420B1. Автор: Masaaki Taniguchi,Yasuyuki Naito,Haruo Hori,Takanori Kondo,Yoichi Kuroda. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-29.

Wiring connection structure of laminated capacitor and decoupling capacitor, and wiring board

Номер патента: KR100367859B1. Автор: 나이토야스유키,다니구치마사아키,구로다요이치,호리하루오,곤도다카노리. Владелец: 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼. Дата публикации: 2003-01-10.

Wiring connection structure of laminated capacitor and decoupling capacitor, and wiring board

Номер патента: US7215531B2. Автор: Masaaki Taniguchi,Yasuyuki Naito,Haruo Hori,Takanori Kondo,Yoichi Kuroda. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-08.

Dedicated Integrated Circuit Chip Carrier Plane Connected to Decoupling Capacitor(s)

Номер патента: US20200075468A1. Автор: Arvin Charles L.,Preda Francesco,Baez Franklin M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE INCLUDING DECOUPLING CAPACITOR

Номер патента: US20210327830A1. Автор: LEE Jae Hoon,CHO Hyung Ho. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-10-21.

integrated circuit chip package having ring-shaped silicon decoupling capacitor

Номер патента: KR100592787B1. Автор: 송은석,이희석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-26.

Decoupling capacitor for an integrated circuit and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20060067031A1. Автор: Myoung-Soo Jeon,Stanford Crane,Zsolt Horvath,Josh Nickel,Charley Ogata,Vincent Alcaria,Patrick Codd. Владелец: Silicon Bandwidth Inc. Дата публикации: 2006-03-30.

SELF-ALIGNED GATE CUT IN DIRECT STACKED VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR (VTFET)

Номер патента: US20200135877A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

THRESHOLD VOLTAGE ADJUSTMENT FROM OXYGEN VACANCY BY SCAVENGE METAL FILLING AT GATE CUT (CT)

Номер патента: US20200287048A1. Автор: Belyansky Michael P.,Bao Ruqiang,Greene Andrew M.,Tsutsui Gen,Zhou Huimei. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

THRESHOLD VOLTAGE ADJUSTMENT FROM OXYGEN VACANCY BY SCAVENGE METAL FILLING AT GATE CUT (CT)

Номер патента: US20200052125A1. Автор: Belyansky Michael P.,Bao Ruqiang,Greene Andrew M.,Tsutsui Gen,Zhou Huimei. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

Asymmetric Dense Floating Gate Nonvolatile Memory with Decoupled Capacitor

Номер патента: US20180108666A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor

Номер патента: WO2013116002A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2013-08-08.

Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor

Номер патента: US09853036B2. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Decoupling capacitor structure

Номер патента: US6320237B1. Автор: Fariborz Assaderaghi,Harold Wayne Chase,Stephen Larry Runyon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-11-20.

Asymmetric Dense Floating Gate Nonvolatile Memory with Decoupled Capacitor

Номер патента: US20150001603A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Electronic component package with decoupling capacitors completely within die receiving cavity of substrate

Номер патента: TW435059B. Автор: Kenneth Alfred Bird,Jason Lee Frankel,Peter Jeffrey Brofman,Francis F Cappo Jr,Suresh Damodardas Kadakia. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-05-16.

HIGH PERFORMANCE IC CHIP HAVING DISCRETE DECOUPLING CAPACITORS ATTACHED TO ITS IC SURFACE

Номер патента: US20140021630A1. Автор: Lin Mou-Shiung. Владелец: Megica Corporation. Дата публикации: 2014-01-23.

Asymmetric Dense Floating Gate Nonvolatile Memory with Decoupled Capacitor

Номер патента: US20150001603A1. Автор: Horch Andrew E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

DECOUPLING CAPACITORS FOR INTERPOSERS

Номер патента: US20140131834A1. Автор: YEE Abraham F.. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-15.

ASYMMETRIC DENSE FLOATING GATE NONVOLATILE MEMORY WITH DECOUPLED CAPACITOR

Номер патента: US20140145253A1. Автор: Horch Andrew E.. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2014-05-29.

Asymmetric Dense Floating Gate Nonvolatile Memory with Decoupled Capacitor

Номер патента: US20180108666A1. Автор: Horch Andrew E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

Packaged rf power transistor device having next to each other a ground and a video lead for connecting a decoupling capacitor, rf power amplifier

Номер патента: US20150156910A1. Автор: Yi Zhu,Josephus Van Der Zanden. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-06-04.

ZrO-Based High K Dielectric Stack for Logic Decoupling Capacitor or Embedded DRAM

Номер патента: US20150179730A1. Автор: Rui Xiangxin,Hashim Imran. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

PROCESS-COMPATIBLE DECOUPLING CAPACITOR AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20160380043A9. Автор: Tu Kuo-Chi,Chu Wen-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Decoupling Capacitors for Semiconductor Devices

Номер патента: KR100327660B1. Автор: 이병렬. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-09.

Method for manufacturing decoupling capacitor

Номер патента: KR100261210B1. Автор: 신헌종. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-07-01.

INTEGRATED CIRCUIT WITH REAR-SIDE SLURRY DETECTION AND DECOUPLING CAPACITORS

Номер патента: FR3063385B1. Автор: Abderrezak Marzaki. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2019-04-26.

INTEGRATED CIRCUIT WITH REAR-SIDE SLURRY DETECTION AND DECOUPLING CAPACITORS

Номер патента: FR3063385A1. Автор: Abderrezak Marzaki. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-08-31.

Arrangement for packing high-speed integrated circuits, including decoupling capacitors for the power input terminals, and method for realizing it.

Номер патента: EP0000384A1. Автор: Ven Young Doo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-01-24.

Arrangement for packing high-speed integrated circuits, including decoupling capacitors for the power input terminals, and method for realizing it.

Номер патента: DE2861463D1. Автор: Ven Young Doo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-02-18.

Integrated circuit with detection of thinning via the back face and decoupling capacitors

Номер патента: US10109601B2. Автор: Abderrezak Marzaki. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-10-23.

Decoupling capacitor control circuitry

Номер патента: US8669828B1. Автор: Wilson Wong,Sergey Shumarayev,Allen Chan. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-03-11.

Gate cut-off thyristor and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2622521B2. Автор: ロッグヴィラー ペーター. Владелец: アセア ブラウン ボヴエリ アクチエンゲゼルシヤフト. Дата публикации: 1997-06-18.

Gate cut-off thyristor and manufacture of the same

Номер патента: JPS63262870A. Автор: ペーター　ロッグヴィラー. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1988-10-31.

BACK-END-OF-LINE COMPATIBLE METAL-INSULATOR-METAL ON-CHIP DECOUPLING CAPACITOR

Номер патента: US20210028274A1. Автор: Ando Takashi,Massey John Greg,Jamison Paul,Cartier Eduard. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

BACK-END-OF-LINE COMPATIBLE METAL-INSULATOR-METAL ON-CHIP DECOUPLING CAPACITOR

Номер патента: US20210193793A1. Автор: Ando Takashi,Massey John Greg,Jamison Paul,Cartier Eduard. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING DECOUPLING CAPACITOR ARRAY ARRANGED OVERLYING ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICE

Номер патента: US20200343253A1. Автор: Lin Shian-Jyh. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor memory device having power decoupling capacitor

Номер патента: KR101988001B1. Автор: 김성훈,김두영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-06-11.

Back-end-of-line compatible metal-insulator-metal on-chip decoupling capacitor

Номер патента: GB2600602B. Автор: Ando Takashi,Jamison Paul,Cartier Eduard,Greg Massey John. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-11-02.

Back-end-of-line compatible metal-insulator-metal on-chip decoupling capacitor

Номер патента: GB202201258D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-03-16.

Self-Aligned Select Gate Cut for 3D NAND

Номер патента: US20210082936A1. Автор: KOSHIZAWA Takehito. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Gate cutting method for molded lead frame

Номер патента: JPS58199531A. Автор: Hideo Sakamoto,Hiroshi Kawada,英男 坂本,博史 川田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-11-19.

Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor

Номер патента: US09520404B2. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor

Номер патента: US20150034909A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2015-02-05.

Circuit board including embedded decoupling capacitor and semiconductor package thereof

Номер патента: US20120080222A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Ji-hyun Lee,Hee-Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-05.

DEEP TRENCH DECOUPLING CAPACITOR AND METHODS OF FORMING

Номер патента: US20130147015A1. Автор: Stamper Anthony K.,SPROGIS EDMUND J.,NAKOS James S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-13.

INTEGRATED DECOUPLING CAPACITOR EMPLOYING CONDUCTIVE THROUGH-SUBSTRATE VIAS

Номер патента: US20130344675A1. Автор: SHAPIRO MICHAEL J.,SPROGIS EDMUND J.,Kim Tae Hong,McAllister Michael F.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-26.

ASYMMETRIC DENSE FLOATING GATE NONVOLATILE MEMORY WITH DECOUPLED CAPACITOR

Номер патента: US20150034909A1. Автор: Horch Andrew E.. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2015-02-05.

FeRAM Decoupling Capacitor

Номер патента: US20210035993A1. Автор: Tu Kuo-Chi,Chen Tzu-Yu,Shih Sheng-Hung,CHANG Chih-Hsiang,Chang Fu-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

INTEGRATED DECOUPLING CAPACITOR UTILIZING THROUGH-SILICON VIA

Номер патента: US20140127875A1. Автор: Hebig Travis R.,Behrends Derick G.,Christensen Todd A.,Launsbach Michael,Sheets,II John E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-08.

METHOD FOR INCLUDING DECOUPLING CAPACITORS INTO SEMICONDUCTOR CIRCUIT HAVING LOGIC CIRCUIT THEREIN AND SEMICONDUCTOR CIRCUIT THEREOF

Номер патента: US20140175608A1. Автор: YANG Ming-Tzong,Cheng Tao,CHIEN Cheng-Hsing,Chang Tien-Chang,Hsiao Hsin-Hsin. Владелец: MEDIATEK INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

ON-DIE DECOUPLING CAPACITOR AREA OPTIMIZATION

Номер патента: US20190370425A1. Автор: Mehetre Shrikrishna Nana,Chhabra Nitin Kumar,HALBA Rohit. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

DECOUPLING CAPACITOR FOR NETWORK ERGOTS NETWORK MODULE

Номер патента: FR2606206A1. Автор: Jorge M Hernandez,Aleta Gilderdale. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1988-05-06.

DECOUPLING CAPACITOR FOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2627007B1. Автор: Henri Laville,Pascal Le Gal. Владелец: EUROFARAD EFD. Дата публикации: 1994-06-03.

Integrated decoupling capacitor process

Номер патента: US20070026626A1. Автор: Robert Ditizio,Steve Selbrede. Владелец: CollabRx Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Companion integrated circuit having decoupling capacitor and mobile device having the same

Номер патента: KR102180030B1. Автор: 유정식. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-11-17.

Decoupling capacitor placement method applied to system-in-package

Номер патента: CN112447606A. Автор: 高静,徐江涛,聂凯明,高志远,于东哲. Владелец: Tianjin University Marine Technology Research Institute. Дата публикации: 2021-03-05.

Semiconductor package with embedded decoupling capacitors

Номер патента: TWI517354B. Автор: 潘吉良. Владелец: 力成科技股份有限公司. Дата публикации: 2016-01-11.

Surface mounted decoupling capacitor system and process of making the same

Номер патента: AU2003233619A1. Автор: Weston Roth,Damion Searls,James Jackson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-12-12.

Surface mounted decoupling capacitor system and process of making the same

Номер патента: AU2003233619A8. Автор: Weston Roth,Damion Searls,James Jackson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-12-12.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES WITH DRAIN-SELECT-GATE CUT STRUCTURES AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210335812A1. Автор: Geng Jingjing,XU Zongke,Wu Jianzhong. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-28.

METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE INCLUDING TWO PHOTORESIST EXPOSURE PROCESSES FOR PROVIDING A GATE CUT

Номер патента: US20160260607A1. Автор: Merelle Thomas,RIVIERE Remi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Methods for forming three-dimensional memeory devices with drain-select-gate cut structures

Номер патента: US11502098B2. Автор: Jianzhong Wu,Zongke Xu,Jingjing Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-15.

Connector assembly with decoupling capacitors

Номер патента: US20020171443A1. Автор: Jeffrey LUKE,James Neeb,Nader Abazarnia. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

DECOUPLING CAPACITOR FOR CIRCUIT COMPONENTS WITH GRID-SHAPED CONTACT PIN ARRANGEMENTS AND EXISTING DECOUPLING ARRANGEMENTS THEREOF

Номер патента: DE3601681A1. Автор: Jorge M. Mesa Ariz. Hernandez,Michael S. Tempe Ariz. Hyslop,Steven C. Lockard. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1986-08-07.

DECOUPLING CAPACITOR FOR INTEGRATED CIRCUITS AND ELECTRONIC SUB-ASSEMBLY INCLUDING SUCH A CAPACITOR

Номер патента: FR2555801A1. Автор: Akihiko Matsumaru. Владелец: Nippon Mektron KK. Дата публикации: 1985-05-31.

A decoupling capacitor

Номер патента: EP1021812B1. Автор: Roland Bergstedt Leif,Bjorn Rudberg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2005-10-19.

Decoupling capacitor and method of manufacture thereof

Номер патента: GB2149968A. Автор: Michael M Gottlieb. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1985-06-19.

Decoupling capacitor and method of manufacture thereof

Номер патента: GB2149968B. Автор: Michael M Gottlieb. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1987-12-31.

Dielectric K Value Tuning of HAH Stack for Improved TDDB Performance of Logic Decoupling Capacitor or Embedded DRAM

Номер патента: US20150170837A1. Автор: Wu Wen,Hashim Imran,Fuchigami Nobumichi,Madhukar Sucharita. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2015-06-18.

Capacitive RF-MEMS device with integrated decoupling capacitor

Номер патента: JP4814316B2. Автор: ジェラルド スティーンケン ペーター. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2011-11-16.

DECOUPLING CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2554962B1. Автор: William A Watson. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1987-11-27.

DECOUPLING CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2554963A1. Автор: Donald P Schilling. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1985-05-17.

DECOUPLING CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR2539246A1. Автор: Jorge M Hernandez. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1984-07-13.

DECOUPLING CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2554961B1. Автор: Michael M Gottlieb,David S Fishman. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1988-05-13.

DECOUPLING CAPACITOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

Номер патента: DE3441668A1. Автор: William A. Mesa Ariz. Watson. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1985-05-23.

DECOUPLING CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2554966B1. Автор: Michael M Gottlieb,David S Fishman,Henri Buysse. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1988-05-13.

FLAT DECOUPLING CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2575859A1. Автор: Donald P Schilling,Raymond C Jodoin,Joseph E Johnston. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1986-07-11.

DECOUPLING CAPACITOR FOR ASSEMBLY WITH A PIN GRID ARRANGEMENT

Номер патента: FR2576448B1. Автор: Jorge M Hernandez,Steven C Lockard,Michael S Hyslop. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1989-04-14.

THREE-DIMENSIONAL ELECTRIC MODULE CONTAINING A DECOUPLING CAPACITOR

Номер патента: FR3061827B1. Автор: Benoit Thollin. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2021-06-18.

Capacitive RF-MEMS device with integrated decoupling capacitor

Номер патента: US8238074B2. Автор: Peter Gerard Steeneken. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2012-08-07.

DECOUPLING CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF.

Номер патента: BE904407A. Автор: William A Watson,Jorge M Hernandez,Donald P Schilling,Joseph E Johnston,Raymond Jodoin,Eugene Kask. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1986-06-30.

Decoupling capacitor

Номер патента: GB8601412D0. Автор: . Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1986-02-26.

DECOUPLING CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2554966A1. Автор: Michael M Gottlieb,David S Fishman,Henri Buysse. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1985-05-17.

DECOUPLING CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2539246B1. Автор: Jorge M Hernandez. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1988-10-07.

DECOUPLING CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2554964A1. Автор: Donald P Schilling. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1985-05-17.

Decoupling capacitor

Номер патента: GB8428764D0. Автор: . Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1984-12-27.

Capacitive rf-mems device with integrated decoupling capacitor

Номер патента: US20090201623A1. Автор: Peter Gerard Steeneken. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2009-08-13.

A decoupling capacitor

Номер патента: AU8470398A. Автор: Roland Bergstedt Leif,Bjorn Rudberg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 1999-03-16.

A decoupling capacitor

Номер патента: SE9703036D0. Автор: Leif Roland Bergstedt,Bjoern Rudberg. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1997-08-22.

Apparatus for performing signal driving in an electronic device with aid of different types of decoupling capacitors for pre-driver and post-driver

Номер патента: US09825627B2. Автор: Shang-Pin Chen,An-Siou Li. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Implementing smart switched decoupling capacitors to efficiently reduce power supply noise

Номер патента: US20120008443A1. Автор: David Paul Paulsen,Travis Reynold Hebig. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-12.

Decoupling capacitor booster module

Номер патента: US20240260193A1. Автор: Kean Huat Leong,Herh Nan CHEN,Sze Lin Mak,Muhammad Danial Asyraf Abd Rahman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Switchable decoupling capacitors

Номер патента: US09871506B2. Автор: Mikhail Popovich,Ryan Michael Coutts. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Low voltage class B amplifier with low value decoupling capacitors

Номер патента: US4719430A. Автор: William A. Cole. Владелец: LINEAR TECHNOLOGY Inc. Дата публикации: 1988-01-12.

Switchable decoupling capacitors

Номер патента: WO2015160454A1. Автор: Mikhail Popovich,Ryan Michael Coutts. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-10-22.

Switchable decoupling capacitors

Номер патента: US20150303912A1. Автор: Mikhail Popovich,Ryan Michael Coutts. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Method for flattening impedance of power delivery network by means of selecting decoupling capacitor

Номер патента: US11735921B2. Автор: Yen-Hao Chen,Ding-Bing Lin,Jhih-Yu Yu. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for flattening impedance of power delivery network by means of selecting decoupling capacitor

Номер патента: US20220320864A1. Автор: Yen-Hao Chen,Ding-Bing Lin,Jhih-Yu Yu. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Switchable decoupling capacitors

Номер патента: EP3132327A1. Автор: Mikhail Popovich,Ryan Michael Coutts. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-22.

TTL input buffer with on-chip reference bias regulator and decoupling capacitor

Номер патента: US5517131A. Автор: Chau-Chin Wu,Richard C. Li,Ta-Ke Tien. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 1996-05-14.

Low-dropout (LDO) voltage regulator including amplifier and decoupling capacitor

Номер патента: US11906997B2. Автор: Yi-Wen Chen,Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Integrated grid cell

Номер патента: US11322491B1. Автор: Naveen Kumar,Raza Imam,Shreyans Jain. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

Integrated grid cell

Номер патента: US20220122959A1. Автор: Naveen Kumar,Raza Imam,Shreyans Jain. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Circuits and Structures Including Tap Cells and Fabrication Methods Thereof

Номер патента: US20170194319A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,jin-wei Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371873A1. Автор: Fu-Hsiang Su,Shih-Hsun Chang,Hong-Chih Chen,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Decoupling capacitor analysis techniques

Номер патента: US09805157B1. Автор: John J. Rinck. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: US20240103604A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: WO2023091279A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC.. Дата публикации: 2023-05-25.

Apparatus for the dynamic detection, selection and deselection of leaking decoupling capacitors

Номер патента: US20100080043A1. Автор: Jochen Hoffmann,Steffen Loeffler. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Method and apparatus for performing automatic decoupling capacitor selection for power distribution networks

Номер патента: US09582628B1. Автор: Dmitry Denisenko,Andrew E. Oishei. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Decoupling capacitor parameter determination for a power distribution network

Номер патента: US20240119208A1. Автор: Shad Shepston. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Architectures for multi-electrode implantable stimulator devices having minimal numbers of decoupling capacitors

Номер патента: US10071239B2. Автор: Jordi Parramon,Rafael Carbunaru. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2018-09-11.

Semiconductor memory device with a decoupling capacitor

Номер патента: US20040141398A1. Автор: Hyong-Ryol Hwang,Jae-Yoon Sim,Young-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-22.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: US11921565B2. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Preserving a decoupling capacitor's charge during low power operation of a logic circuit

Номер патента: US20230393639A1. Автор: Andre Gunther,Rob Cosaro,Jeffrey Alan Goswick. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-12-07.

Presence and operability test of a decoupling capacitor

Номер патента: WO2012041825A2. Автор: Christophe Belet. Владелец: ST-Ericsson SA. Дата публикации: 2012-04-05.

Memory device having architecture of voltage driver circuit and decoupling capacitor

Номер патента: US20240170042A1. Автор: Yooseok YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for placing decoupling capacitors

Номер патента: US8739097B2. Автор: Chin-Chou Liu,Chi-Wei Hu,Kuan-Yu Lin,Wan-Chun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-27.

Trench wall cutting device and method for cutting a cutting trench in the ground

Номер патента: US20240141614A1. Автор: Leonhard Weixler,Christian Herrmann,Stefan Roth,Stefan Michael Finkenzeller,Ulli Wiedenmann,Alexander Blatt. Владелец: BAUER MASCHINEN GMBH. Дата публикации: 2024-05-02.

Diaphragm wall cutter and method for cutting a cutting trench in the ground

Номер патента: US20240240427A1. Автор: Stefan Roth,Ulli Wiedenmann. Владелец: BAUER MASCHINEN GMBH. Дата публикации: 2024-07-18.

Trench cutter and method for producing a cut trench in the soil

Номер патента: KR102311859B1. Автор: 레온하르트 바이슬러,디터 슈테터,세바스티안 크리스토프 바우어,울리 비덴만. Владелец: 바우어 머쉬넨 게엠베하. Дата публикации: 2021-10-12.

Hook nozzle for inside gated mold

Номер патента: US5378139A. Автор: Harald Schmidt,Robert D. Schad. Владелец: HUSKY INJECTION MOLDING SYSTEMS LTD. Дата публикации: 1995-01-03.

Field decoupling capacitor

Номер патента: EP1442641A1. Автор: Ricki D. Williams. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-08-04.

Power supply decoupling circuit with decoupling capacitor

Номер патента: US09525349B1. Автор: Yeong-Sheng Lee. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Programmable integrated circuits with decoupling capacitor circuitry

Номер патента: US09329608B1. Автор: Chris Wysocki,Zahir Parpia. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Capacitance multiplier for decoupling capacitor

Номер патента: EP4216435A1. Автор: Sang Hyun Woo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Asymmetric dense nonvolatile memory with decoupled capacitor

Номер патента: WO2015017126A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2015-02-05.

Capacitance Multiplier for Decoupling Capacitor

Номер патента: US20230421136A1. Автор: Sang Hyun Woo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

APPARATUS FOR PERFORMING SIGNAL DRIVING IN AN ELECTRONIC DEVICE WITH AID OF DIFFERENT TYPES OF DECOUPLING CAPACITORS FOR PRE-DRIVER AND POST-DRIVER

Номер патента: US20170040995A1. Автор: CHEN Shang-Pin,Li An-Siou. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

Switchable decoupling capacitors

Номер патента: US20150303912A1. Автор: Mikhail Popovich,Ryan Michael Coutts. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

COMPANION INTEGRATED CIRCUIT HAVING DECOUPLING CAPACITOR AND MOBILE DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20150342051A1. Автор: YU Jeong-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

THREE-DIMENSIONAL ELECTRICAL MODULE COMPRISING A DECOUPLING CAPACITOR

Номер патента: US20190335585A1. Автор: THOLLIN Benoît. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2019-10-31.

Techniques for manufacturing a circuit board with an improved layout for decoupling capacitors

Номер патента: US7360307B2. Автор: Zhiping Yang,Vinayagam Arumugham,Lekhanh Dang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-22.

Programmable integrated circuits with decoupling capacitor circuitry

Номер патента: US8704549B1. Автор: Chris Wysocki,Zahir Parpia. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-04-22.

Method for high-density, low-via-count, decoupling capacitor placement

Номер патента: US20020172023A1. Автор: John Atkinson,Robert Blakely. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-11-21.

Pumping circuit using decoupling capacitor

Номер патента: KR100781857B1. Автор: 박기천. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-12-03.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US12048149B2. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional memory devices with drain-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US12082414B2. Автор: Jianzhong Wu,Zongke Xu,Jingjing Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Structure containing a via-to-buried power rail contact structure or a via-to-backside power rail contact structure

Номер патента: WO2023073483A1. Автор: Ruilong Xie,Eric Miller,Kevin Petrarca,Stuart Sieg. Владелец: Ibm (China) Investment Company Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Structure containing a via-to-buried power rail contact structure or a via-to-backside power rail contact structure

Номер патента: EP4423811A1. Автор: Ruilong Xie,Eric Miller,Kevin Petrarca,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Self-aligned buried power rail formation for semiconductor devices

Номер патента: EP4420162A1. Автор: Huiming Bu,Miaomiao Wang,Ruilong Xie,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Three-dimensional memory devices with drain-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: EP4290998A3. Автор: Jianzhong Wu,Zongke Xu,Jingjing Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Three-dimensional memory devices with drain-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: EP4290998A2. Автор: Jianzhong Wu,Zongke Xu,Jingjing Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Three-dimensional memory devices with drain select gate cut and methods for forming and operating the same

Номер патента: US12058857B2. Автор: Lichuan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Three-dimensional memory devices with drain-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: EP3931869B1. Автор: Jianzhong Wu,Zongke Xu,Jingjing Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Decoupling MIM Capacitor Designs for Interposers and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160155700A1. Автор: Chen-Jong Wang,Kuo-Chi Tu,Kuo-Chyuan Tzeng,Hsiang-Fan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Cell-based ic layout system and cell-based ic layout method

Номер патента: US20150137202A1. Автор: Yoshiharu Kito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-05-21.

Cell-based IC layout system and cell-based IC layout method

Номер патента: US09472546B2. Автор: Yoshiharu Kito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Decoupling MIM capacitor designs for interposers and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09401395B2. Автор: Chen-Jong Wang,Kuo-Chi Tu,Kuo-Chyuan Tzeng,Hsiang-Fan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Decoupling MIM Capacitor Designs for Interposers and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20140235019A1. Автор: Chen-Jong Wang,Kuo-Chi Tu,Kuo-Chyuan Tzeng,Hsiang-Fan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Self-aligned contact with ct cut after rmg

Номер патента: US20240347533A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Power distribution network

Номер патента: US09536820B1. Автор: Hui Liu,Hong Shi,Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

FinFET power supply decoupling

Номер патента: US09570388B2. Автор: II John E. Sheets,Todd A. Christensen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

On-chip power supply noise suppression through hyperabrupt junction varactors

Номер патента: US20190393360A1. Автор: Ioannis Savidis,Divya Pathak. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-12-26.

Trench formation for dielectric filled cut region

Номер патента: US09601366B2. Автор: Peng Xu,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Ryan O. Jung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Trench formation for dielectric filled cut region

Номер патента: US09601335B2. Автор: Peng Xu,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Ryan O. Jung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of forming field effect transistors with replacement metal gates and contacts and resulting structure

Номер патента: US09911736B1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang,Xiaofeng Qiu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuit (ic) design methods using process friendly cell architectures

Номер патента: US20230394217A1. Автор: Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Fei Fan DUAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Discrete storage element formation for thin-film storage device

Номер патента: US09786674B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Capacitor that includes high permittivity capacitor dielectric

Номер патента: US20060124965A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chenming Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-15.

Self-propelling decoupling capacitor design for flexible area decoupling capacitor fill design flow

Номер патента: US8423943B2. Автор: Mu-Jing Li. Владелец: Oracle America Inc. Дата публикации: 2013-04-16.

Self-propelling decoupling capacitor design for flexible area decoupling capacitor fill design flow

Номер патента: US8117581B1. Автор: Mu-Jing Li. Владелец: Oracle America Inc. Дата публикации: 2012-02-14.

Techniques for Providing Switchable Decoupling Capacitors for an Integrated Circuit

Номер патента: US20090179669A1. Автор: Gerald K. Bartley,Darryl J. Becker,Paul E. Dahlen,Philip R. Germann,Andrew B. Maki,Mark O. Maxson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

System and method for decoupling capacitor selection and placement using genetic optimization

Номер патента: US11501044B1. Автор: YANG LU,Shirin Farrahi. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Power distribution network design method based on decoupling capacitor decoupling region

Номер патента: CN105956289B. Автор: 王君,李先锐,路建民,初秀琴. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2018-11-30.

System and method for determining the required decoupling capacitors for a power distribution system using an improved capacitor model

Номер патента: AU2002252707A1. Автор: Larry D. Smith,David Hockanson. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-11-05.

Decoupling capacitor insertion using hypergraph connectivity analysis

Номер патента: US20120284676A1. Автор: Samuel I. Ward,David A. Papa,Jeremy T. Hopkins. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Multi-Electrode Implantable Stimulator Device with a Single Current Path Decoupling Capacitor

Номер патента: US20130131742A1. Автор: Parramon Jordi,Feldman Emanuel,He Yuping,Nimmagadda Kiran. Владелец: BOSTON SCIENTIFIC NEUROMODULATION CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-23.

Location and timing window based decoupling capacitor evaulation tool and method

Номер патента: US20130167096A1. Автор: Martin Fennell,James Monthie,Iain Stickland. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING POWER DECOUPLING CAPACITOR

Номер патента: US20130242643A1. Автор: KIM Sung-Hoon,Kim Doo-Young. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-19.

Presence and Operability Test of a Decoupling Capacitor

Номер патента: US20130314101A1. Автор: Belet Christophe. Владелец: ST-Ericsson SA. Дата публикации: 2013-11-28.

Multi-Electrode Implantable Stimulator Device with a Single Current Path Decoupling Capacitor

Номер патента: US20200086125A1. Автор: Parramon Jordi,Feldman Emanuel,He Yuping,Nimmagadda Kiran. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

Architectures for Multi-Electrode Implantable Stimulator Devices Having Minimal Numbers of Decoupling Capacitors

Номер патента: US20160151622A1. Автор: Parramon Jordi,Carbunaru Rafael. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

Architectures for Multi-Electrode Implantable Stimulator Devices Having Minimal Numbers of Decoupling Capacitors

Номер патента: US20170189673A1. Автор: Parramon Jordi,Carbunaru Rafael. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

INTEGRATED DECOUPLING CAPACITORS

Номер патента: US20210278589A1. Автор: Webster Mark A.,PATEL Vipulkumar K.,APPEL Craig S.. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Multi-Electrode Implantable Stimulator Device with a Single Current Path Decoupling Capacitor

Номер патента: US20150258340A1. Автор: Parramon Jordi,Feldman Emanuel,He Yuping,Nimmagadda Kiran. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Presence and Operability Test of a Decoupling Capacitor

Номер патента: US20160274173A1. Автор: Belet Christophe. Владелец: ST-Ericsson SA. Дата публикации: 2016-09-22.

Multi-Electrode Implantable Stimulator Device with a Single Current Path Decoupling Capacitor

Номер патента: US20170340886A1. Автор: Jordi Parramon,Emanuel Feldman,Yuping He,Kiran Nimmagadda. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Architectures for Multi-Electrode Implantable Stimulator Devices Having Minimal Numbers of Decoupling Capacitors

Номер патента: US20180345007A1. Автор: Parramon Jordi,Carbunaru Rafael. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

SYSTEM, METHOD AND COMPUTER PRODUCT FOR ENHANCED DECOUPLING CAPACITOR IMPLEMENTATION

Номер патента: US20180365363A1. Автор: Sharlin Arnon,HEILPRIN Aryeh,DIAZ Rafael Eliezer. Владелец: Nuvoton Technology Corporation. Дата публикации: 2018-12-20.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, POWER DECOUPLING CAPACITOR ARRAY THEREOF, AND MEMORY SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20190378556A1. Автор: LEE HO CHEOL,Lim Ju Won. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Bias circuit for series connected decoupling capacitors

Номер патента: US6429730B2. Автор: Russell J. Houghton,Christopher P. Miller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-06.

The Decoupling Capacitor Of MML Semiconductor Device And Method For Forming Thereof

Номер патента: KR100564422B1. Автор: 김승완. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-28.

semiconductor memory device, power decoupling capacitor array and memory system

Номер патента: CN110580923A. Автор: 林周元,李镐哲. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-17.

Automatic placement of decoupling capacitors

Номер патента: US7600208B1. Автор: Bharat Bhushan,Albert Lee,Harsh Dev Sharma,Rajeev Srivastava,Srivinas R. Kommoori,Mithunjoy Parui. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2009-10-06.

Multi-electrode implantable stimulator device with a single current path decoupling capacitor

Номер патента: US9737713B2. Автор: Jordi Parramon,Emanuel Feldman,Yuping He,Kiran Nimmagadda. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Implantable multi-electrode stimulator device with a single current path decoupling capacitor

Номер патента: ES2559058T3. Автор: Jordi Parramon,Yuping He,Kiran Nimmagadda,Emmanuel Feldman. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2016-02-10.

Multi-electrode implantable stimulator device with a single current path decoupling capacitor

Номер патента: CA2666420A1. Автор: Jordi Parramon,Yuping He,Kiran Nimmagadda,Emmanuel Feldman. Владелец: Emmanuel Feldman. Дата публикации: 2008-04-24.

Multi-electrode implantable stimulator device with a single current path decoupling capacitor

Номер патента: US9072904B2. Автор: Jordi Parramon,Emanuel Feldman,Yuping He,Kiran Nimmagadda. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Method for optimizing decoupling capacitor design in delay locked loops

Номер патента: US20030154065A1. Автор: Claude Gauthier,Brian Amick,Dean Liu,Pradeep Trivedi. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-08-14.

Multi-electrode implantable stimulator device with a single current path decoupling capacitor

Номер патента: US8369963B2. Автор: Jordi Parramon,Emanuel Feldman,Yuping He,Kiran Nimmagadda. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2013-02-05.

Method for selecting decoupling capacitors from power supply distribution network on basis of maximum anti-resonance point

Номер патента: CN104112048B. Автор: 刘洋,赵强,陈伟伟,原玉章,甄江平,陈孔前. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2017-02-15.

Architectures for multi-electrode implantable stimulator devices having minimal numbers of decoupling capacitors

Номер патента: AU2010236883A2. Автор: Jordi Parramon,Rafael Carbunaru. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Semoconductor memory device and arrangement method of decoupling capacitor thereof

Номер патента: KR100534101B1. Автор: 김치욱,최형찬. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-06.

Multi-electrode implantable stimulator device with a single current path decoupling capacitor

Номер патента: US7881803B2. Автор: Jordi Parramon,Emanuel Feldman,Yuping He,Kiran Nimmagadda. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Decoupling capacitor design method for printed circuit board

Номер патента: CN110348039B. Автор: 翟丽,胡桂兴. Владелец: Beijing Institute of Technology BIT. Дата публикации: 2021-11-30.

Method for evaluating decoupling capacitor placement for VLSI chips

Номер патента: US20020040467A1. Автор: Howard Smith,Wiren Becker,Allan Dansky,Peter Camporese,Kwok Eng,Dale Hoffman,Bhupindra Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-04-04.

System and method for determining the decoupling capacitors for power distribution systems with a frequency-dependent target impedance

Номер патента: US6571184B2. Автор: Raymond E. Anderson,Tanmoy Roy,Larry D. Smith. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-05-27.

Decoupling capacitor sizing and placement

Номер патента: US20040073881A1. Автор: Haihua Su,Sani Nassif. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Method and apparatus for allocating decoupling capacitor cells

Номер патента: US6763509B2. Автор: Alexander I. Korobkov. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-07-13.

Method for decoupling capacitor optimization for a temperature sensor design

Номер патента: US20030154048A1. Автор: Claude Gauthier,Brian Amick,Dean Liu,Pradeep Trivedi. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-08-14.

A kind of decoupling capacitor optimization method and device

Номер патента: CN108694262A. Автор: 周末. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2018-10-23.

Automated gate cutting system

Номер патента: US20180304350A1. Автор: Donald Johnson,Theodore Chad Harbour,Timothy P. Hipp,Kelby Wayne Klink. Владелец: Mueller International LLC. Дата публикации: 2018-10-25.

Injection-molding gate cutting device and gate cutting method

Номер патента: US20240066775A1. Автор: Sang Min Lee,Jong Dae BACK. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Trench cutter and method for forming a cut trench in the ground

Номер патента: US20240035252A1. Автор: Johannes Herb,Sebastian Soier,Kristina HEINDL. Владелец: BAUER MASCHINEN GMBH. Дата публикации: 2024-02-01.

TRENCH CUTTER AND METHOD FOR PRODUCING A CUT TRENCH IN THE SOIL

Номер патента: US20210095435A1. Автор: DOMANSKI Thomas,VAN DER WAAL Karl. Владелец: BAUER SPEZIALTIEFBAU GMBH. Дата публикации: 2021-04-01.

TRENCH CUTTER AND METHOD FOR PRODUCING A CUT TRENCH IN THE SOIL

Номер патента: US20190323200A1. Автор: WIEDENMANN Ulli,WEIXLER Leonhard,STETTER Dieter,Bauer Sebastian Christoph. Владелец: BAUER MASCHINEN GMBH. Дата публикации: 2019-10-24.

Trench wall cutting device and method for cutting a cut trench in the ground

Номер патента: US20220162828A1. Автор: Leonhard Weixler,Christian Herrmann,Stefan Michael Finkenzeller,Peter PLATZEK. Владелец: BAUER MASCHINEN GMBH. Дата публикации: 2022-05-26.

Sunshade, has automatic closing mechanism including lever which pivots inside tubular mast around its tab and moves towards inside gate, and return spring that assures exiting of gate

Номер патента: FR2872003A1. Автор: Bernard Amalric,Jean Paul Taillefer,Christian Migrenne. Владелец: Christian Migrenne. Дата публикации: 2005-12-30.

Machine for cutting trenches in soil

Номер патента: FR2749866A1. Автор: Daniel Rivard. Владелец: SDTO. Дата публикации: 1997-12-19.

Excavator towed by tractor - cuts trench 3 metres wide by 200 mm deep using rolling inclined deck traversed by endless blade conveyor

Номер патента: FR2436852A1. Автор: . Владелец: Verbiese Raphael. Дата публикации: 1980-04-18.

Cutting device for cutting trenches in the ground

Номер патента: CN1525015A. Автор: M·阿兹伯格,M・阿兹伯格. Владелец: BAUER MASCHINEN GMBH. Дата публикации: 2004-09-01.

Cutting device for cutting trenches in the ground

Номер патента: US20050000123A1. Автор: Maximilian Arzberger. Владелец: BAUER MASCHINEN GMBH. Дата публикации: 2005-01-06.

Cutting device for cutting trenches in the ground

Номер патента: US7178273B2. Автор: Maximilian Arzberger. Владелец: BAUER MASCHINEN GMBH. Дата публикации: 2007-02-20.

Stripping cutter for road surfaces - is clamped on excavator scoop end for cutting trench boundary groove

Номер патента: DE2412017A1. Автор: Berthold Wurmbach. Владелец: Individual. Дата публикации: 1975-09-18.

Watertight wall of any desired length without joints constructed by cutting trenches in the ground and method for its construction

Номер патента: US3820344A. Автор: C Caron,J Hurtado. Владелец: Soletanche SA. Дата публикации: 1974-06-28.

Apparatus for cutting trenches for drains and the like.

Номер патента: US1234449A. Автор: James Wilson Cooper. Владелец: Individual. Дата публикации: 1917-07-24.

Gate cutting device and gate cutting method for injection molding machine

Номер патента: JP4117756B2. Автор: 晋二 角陸,博 油谷,忠雄 村田,龍馬 村瀬. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-07-16.

Automated gate cutting system

Номер патента: US20200306824A1. Автор: Donald Johnson,Theodore Chad Harbour,Timothy P. Hipp,Kelby Wayne Klink. Владелец: Mueller International LLC. Дата публикации: 2020-10-01.

Gate cut apparatus and method for a disc molding apparatus

Номер патента: SG92649A1. Автор: Ishikawa Atsushi. Владелец: Sumitomo Heavy Industries. Дата публикации: 2002-11-19.

Gate cut device for plastic molded products

Номер патента: JP3104138B2. Автор: 治記 加藤,憲行 真弓. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-30.

Gate cutting apparatus for injection molding lens

Номер патента: KR101688590B1. Автор: 김경태,박재완,신선호,김혁명,유웅현. Владелец: (주)엠피티. Дата публикации: 2016-12-21.

Valve body casting sprue gate cutting processing machine and processing method

Номер патента: CN111774553B. Автор: 高峰,王彦洲. Владелец: Hunan Senge Precision Machinery Co ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

AUTOMATED GATE CUTTING SYSTEM

Номер патента: US20180304350A1. Автор: Johnson Donald,Harbour Theodore Chad,Hipp Timothy P.,Klink Kelby Wayne. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

AUTOMATED GATE CUTTING SYSTEM

Номер патента: US20200306824A1. Автор: Johnson Donald,Harbour Theodore Chad,Hipp Timothy P.,Klink Kelby Wayne. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Gate cutting machine of injection mold

Номер патента: KR100730690B1. Автор: 김정식,김현석,유수창,이동신,연규현. Владелец: 유수창. Дата публикации: 2007-06-21.

Gate cutting apparatus for injection molding lens

Номер патента: KR101759291B1. Автор: 김경태,박재완,신선호,김혁명,유웅현. Владелец: (주)엠피티. Дата публикации: 2017-07-19.

Forming and gate cutting apparatus

Номер патента: KR100250646B1. Автор: 김종만. Владелец: 밍루. Дата публикации: 2000-04-01.

Projection gate cutting system

Номер патента: KR200399974Y1. Автор: 민병종. Владелец: 민병종. Дата публикации: 2005-10-31.

Gate cutting and polishing apparatus for injection mold

Номер патента: KR101178943B1. Автор: 김선호,박정우,김영빈,정경원. Владелец: 조선대학교산학협력단. Дата публикации: 2012-08-31.

Gate cutting device

Номер патента: KR900002702U. Автор: 김성일. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 1990-02-06.

It is a kind of that the method that diaphragm gate cuts off automatically is realized in mould ejection

Номер патента: CN105538616B. Автор: 王进丁,王正成,朱排进,李宏志. Владелец: Chang Fai Precision Mould (mount Huangshan) Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Mold gate cutting apparatus

Номер патента: KR0136498Y1. Автор: 김충섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 1999-05-15.

Gate cutting machine for food, in particular bread

Номер патента: DE8610692U1. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-06-05.

A kind of automatic gate cutting equipment for digital shell moulding

Номер патента: CN104162962B. Автор: 吴宝玉,方维祥. Владелец: Guangdong Green Precision Parts Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2018-11-27.

Direct compression and gate cutting structure of an injection molds and operating method thereof

Номер патента: KR100707379B1. Автор: 김영세. Владелец: (주) 민성정밀. Дата публикации: 2007-04-13.

Compression molding apparatus with gate cutting

Номер патента: KR100599385B1. Автор: 금영원. Владелец: 주식회사 제이엠피. Дата публикации: 2006-07-18.

Gate cutting apparatus

Номер патента: KR101894011B1. Автор: 이희석. Владелец: 주식회사 우성엠엔피. Дата публикации: 2018-08-31.

Injection molding product gate cutting system

Номер патента: KR102161337B1. Автор: 정성수. Владелец: 정성수. Дата публикации: 2020-09-29.

Automatic gate cutting device with cabinet

Номер патента: CN105014889A. Автор: 朱海,宋明生. Владелец: Zhongshan Youwei Automation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-04.

Water pump body casting sprue gate cutting machining system and machining process

Номер патента: CN111730046A. Автор: 宋丰艾. Владелец: 宋丰艾. Дата публикации: 2020-10-02.

Titanium sponge gate cutting machine

Номер патента: CN113245614A. Автор: 陈建立,贾宏,孙开�,孙存山,张满苍. Владелец: Beijing Shougang Mechinery & Electric Co ltd. Дата публикации: 2021-08-13.

Automatic gate cutting machine

Номер патента: CN105921726A. Автор: 刘学深. Владелец: Dongguan Shunlin Model Gifts Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-07.

Rotary injection mold and gate cutting method

Номер патента: JPH06102349B2. Автор: 正三 西田,真司 賀佐見. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 1994-12-14.

Lens Gate Cutting Device

Номер патента: KR102324907B1. Автор: 이장노. Владелец: 주식회사 코엠에스. Дата публикации: 2021-11-11.

Standard calibration irradiator for dosimetric detectors - has shutter with two falling gates, the outer gate exposing and the inner gate cutting off the beam

Номер патента: FR2409583A1. Автор: Philippe Germond,Jean-Pierre Brethon,Lucien Papot. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1979-06-15.

Automatic gate cutting structure in injection mold mould

Номер патента: CN104227996B. Автор: 陆亦飞,董晶淼. Владелец: Zhejiang Zhongcai Pipes Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-06.

Water pump body casting sprue gate cutting machining system and machining process

Номер патента: CN111730046B. Автор: 宋丰艾. Владелец: TAIZHOU YONGXIN PUMP INDUSTRY Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

Automatic injection gate cutting device

Номер патента: KR880011848U. Автор: 허선실. Владелец: 주식회사 금성사. Дата публикации: 1988-08-26.

Gate cutting device for plate like synthetic resin molded product with gate

Номер патента: JPS59178213A. Автор: Hideo Matsumoto,英夫 松本. Владелец: Taisei Kako Co Ltd. Дата публикации: 1984-10-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09960112B2. Автор: Chanho LEE,Hyunsoo Chung,Myeong Soon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20170162500A1. Автор: Chanho LEE,Hyunsoo Chung,Myeong Soon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-08.

Tsv-connected backside decoupling

Номер патента: MY186309A. Автор: Robert L Sankman,William J Lambert,Charles A Gealer,Tyler N Osborn. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-07.

Tsv-connected backside decoupling

Номер патента: EP3123504A1. Автор: Robert L. Sankman,William J. Lambert,Charles A. Gealer,Tyler N. OSBORN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

Номер патента: GB1252212A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1971-11-03.

Capacitor having electrodes formed within a substrate

Номер патента: US20240021545A1. Автор: Wen Wei LUM,Kelvin Aik Boo TAN,Alaa N. ALI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Over-molded ic package with in-mold capacitor

Номер патента: MY202342A. Автор: Eng Cheah Bok,Chung Peng Kong Jackson,Wei LUM Wen,Ling CHANG Mooi,Ping Ooi Ping. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-24.

Tunable power distribution network and method of use thereof

Номер патента: US9331014B1. Автор: Hui Liu,Hong Shi. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Multi terminal capacitor within input output path of semiconductor package interconnect

Номер патента: US20180053717A1. Автор: Charles L. Arvin,Jean Audet,Charles L. REYNOLDS,Brian R. Sundlof,Brian W. Quinlan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Multi terminal capacitor within input output path of semiconductor package interconnect

Номер патента: US09899313B2. Автор: Charles L. Arvin,Jean Audet,Charles L. REYNOLDS,Brian R. Sundlof,Brian W. Quinlan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Interconnects for semiconductor packages

Номер патента: US20180286804A1. Автор: Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Jiun Hann Sir,Hoay Tien Teoh,Jenny Shio Yin ONG,Seok Ling Lim,Jia Yan Go. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Interconnect structure with increased decoupling capacitance

Номер патента: US20240105583A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Distributing capacitance with gate driver for power switch

Номер патента: US09530765B1. Автор: Yashodhan Vijay Moghe. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Storage system including a decoupling device having a plurality of unit capacitors

Номер патента: US11764144B2. Автор: Bok Kyu CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Storage system including a decoupling device having a plurality of unit capacitors

Номер патента: US20230386995A1. Автор: Bok Kyu CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Power module, power conversion device, and vehicle

Номер патента: US20240321761A1. Автор: Hao Peng,Xiaojing Liao. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Lossy mim capacitor for on-die noise reduction

Номер патента: US20190139889A1. Автор: Chong Ding,Stephen Douglas Weitzel,Douglas Bruce White,Carl Hanke,Richard LaBarbera. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor chiplet device

Номер патента: US20230144129A1. Автор: CHEN Lee,Yuan-Hung Lin,Sheng-Fan Yang,Chih-Chiang Hung. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Flip chip overmold package

Номер патента: EP2311084A2. Автор: Kang Teck-Gyu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2011-04-20.

Flip chip overmold package

Номер патента: WO2010002969A2. Автор: Kang Teck-Gyu. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-01-07.

Three-dimensional metal-insulator-metal capacitor embedded in seal structure

Номер патента: US20230084798A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Huimei Zhou,Nan Jing. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Failure prevention of chip power network

Номер патента: US20210280514A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Off-grid decoupling of ball grid array (BGA) devices and method

Номер патента: US20060166398A1. Автор: Alex Chan. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2006-07-27.

Cell structure in intergrated circuits for eco at upper metal layer and method for forming spare cell structure

Номер патента: US20170069660A1. Автор: Hyun-Teck OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-09.

Interdigitated capacitor design for integrated circuit lead frames

Номер патента: US20020074632A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Wiring Board and Semiconductor Device

Номер патента: US20070285907A1. Автор: Katsura Hayashi,Shigeo Tanahashi,Hiroyuki Nishikawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2007-12-13.

Die stacking scheme

Номер патента: US20020137258A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Methods and apparatus for forming package-on-packages

Номер патента: US09478474B2. Автор: En-Hsiang Yeh,Chen-Shien Chen,Monsen Liu,Chih-Hua Chen,Hsu-Hsien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Water-scale-integrated assembly

Номер патента: US4675717A. Автор: Leonard W. Schaper,Victor Herrero. Владелец: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY AT&T BELL LABORATORIES. Дата публикации: 1987-06-23.

Depleted silicon-on-insulator capacitive MOSFET for analog microcircuits

Номер патента: US09813024B2. Автор: VINOD KUMAR. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-11-07.

Embedded capacitor multi-chip modules

Номер патента: EP1123565A1. Автор: Bruce W. Chignola,Christopher D. Cotton,Dennis Kling. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2001-08-16.

Power distribution lid for IC package

Номер патента: US5475565A. Автор: Bidyut K. Bhattacharyya,J. D. Wilson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1995-12-12.

Unpacked structure for power device of radio frequency power amplification module and assembly method therefor

Номер патента: US20170055341A1. Автор: Gordon Chiang Ma. Владелец: INNOGRATION (SUZHOU) CO Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Unpacked structure for power device of radio frequency power amplification module and assembly method therefor

Номер патента: US09941242B2. Автор: Gordon Chiang Ma. Владелец: INNOGRATION (SUZHOU) CO Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Ferroelastic integrated circuit device

Номер патента: US20030205724A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang,Yoshi Ono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Ferroelastic lead germanate thin film and deposition method

Номер патента: US20010024835A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang,Yoshi Ono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-27.

Ferroelastic lead germanate thin film and deposition method

Номер патента: US20020024072A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Teng Hsu,Fengyan Zhang,Yoshi Ono. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2002-02-28.

Wide range ESD protection with fast POR transient time

Номер патента: US09847106B1. Автор: Byung Wook KIM,In Su LEE,Sang Gwon Hwang,Chea Jung Lim. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

DC-DC converter assembly, method of manufacturing a DC-DC converter assembly and method of manufacturing an output inductor for a DC-DC converter assembly

Номер патента: US09892851B2. Автор: Brian Molloy,Emil Todorov. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-13.

A driving circuit of a power circuit and a package structure thereof

Номер патента: EP3734647A1. Автор: Chang-Jing Yang,Liang-Cheng WANG. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Power amplification circuit and transmitter

Номер патента: US09866181B2. Автор: Xiaomin Zhang,An Huang,Liuyan Jiao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Configurable redundant systems for safety critical applications

Номер патента: US20210234376A1. Автор: Palkesh Jain,Rahul Gulati. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Configurable redundant systems for safety critical applications

Номер патента: WO2021154785A1. Автор: Palkesh Jain,Rahul Gulati. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-08-05.

Configurable redundant systems for safety critical applications

Номер патента: EP4097592A1. Автор: Palkesh Jain,Rahul Gulati. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Electronic apparatus, method of optimizing de-coupling capacitor and computer-readable recording medium

Номер патента: US09659127B2. Автор: Sang-Ho Lee,Seung-Hun Park,Dong-yeol Jung,Jeong-nam CHEON. Владелец: S Printing Solution Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Surface mount solder method and apparatus for decoupling capacitance and process of making

Номер патента: US7135758B2. Автор: Damion T. Searls,Weston C. Roth,James Daniel Jackson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-11-14.

A surface mount solder method and apparatus for decoupling capacitance and process of making

Номер патента: MY135650A. Автор: Damion T Searls,Weston C Roth,Jackson James Daniel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-30.

Electronic devices having semiconductor memories

Номер патента: US9171889B2. Автор: Seok-Pyo Song,Jae-Yun YI,Joon-Seop Sim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-27.

Monolithic half-bridge die

Номер патента: US20230369983A1. Автор: Alireza Khaligh,Yongwan PARK,Shiladri CHAKRABORTY. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2023-11-16.

DC decoupled current measurement

Номер патента: US09594097B2. Автор: Peter Bogner,Luca Petruzzi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Antenna package

Номер патента: EP4447224A1. Автор: Zhiwei Gong,Tingdong Zhou,Mustafa Acar,Robert Joseph Wenzel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-10-16.

Crosstalk, power supply noise and/or EMI reduction methods and apparatuses

Номер патента: US9806392B2. Автор: Shaowu HUANG,Kai Xiao,Gary Charles,John J. Abbott,Beom-Taek Lee,Hanqiao Zhang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Crosstalk, power supply noise and/or emi reduction methods and apparatuses

Номер патента: US20160344085A1. Автор: Shaowu HUANG,Kai Xiao,Gary Charles,John J. Abbott,Beom-Taek Lee,Hanqiao Zhang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Antenna module

Номер патента: US09450302B2. Автор: Pei-Ling Teng,Kuo-Cheng Chen,Chi-Hsuan Lee. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Power connector with integrated decoupling

Номер патента: EP1748519A3. Автор: Brent Ryan Rothermel. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2007-03-28.

Method for designing a power supply decoupling circuit

Номер патента: EP1096839A3. Автор: Hirokazu Tohya,Hiroshi Wabuka,Noriaki Ando,Hitoshi Irino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-08-13.

Power and data switch

Номер патента: US09559685B1. Автор: Albert Chen,Jay Li,John Othniel Mcdonald. Владелец: Silego Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Interface circuit for connecting a microphone circuit to a preamplifier

Номер патента: US20130308795A1. Автор: Germano Nicollini,Andrea Barbieri. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2013-11-21.

Discharge circuit, information processing apparatus, discharge method, and storage medium

Номер патента: US09853495B2. Автор: Masahiro Takizawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

RF switching converter with ripple correction

Номер патента: US09484797B2. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Switching regulator synchronous node snubber circuit

Номер патента: US09768678B1. Автор: Marshall Stanley. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Microphone preamplifier circuit

Номер патента: US09554209B2. Автор: Germano Nicollini,Andrea Barbieri. Владелец: Optis Circuit Technology LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Supply voltage decoupling circuits for voltage droop mitigation

Номер патента: US20200304112A1. Автор: Xin Zhang,Todd Takken,Tianyu Jia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Low inductance power module with vertical power loop structure and insulated baseplates

Номер патента: US20240032261A1. Автор: JIN Wang,Xintong Lyu. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2024-01-25.

Unidirectional ring mitigation in a voltage converter

Номер патента: US20180294710A1. Автор: Michael Lueders,Sujan K. Manohar,Yogesh Ramadass,Jeffrey Morroni,Shailendra BARANWAL. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Method and apparatus for preventing circuit failure

Номер патента: US20120056667A1. Автор: Ping-Chuan Wang,Jong-Ru Guo,Kai D. Feng,Zhijian Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-03-08.

Reducing signal dependence for CDAC reference voltage

Номер патента: US09473165B2. Автор: Kentaro Yamamoto,Weihua Chen,Sameer Wadhwa,Seyed Arash Mirhaj,Dinesh Jagannath Alladi,Masoud Ensafdaran,Xiaoke WEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Single-phase device-multiplexing active power decoupling cascaded rectifier and control method thereof

Номер патента: US20220052620A1. Автор: Chunshui DU. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2022-02-17.

Power amplifier

Номер патента: US20230327611A1. Автор: Yuehang Xu,Bowen TANG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-10-12.

Improvements in or relating to neutralised amplifier circuits

Номер патента: GB641087A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1950-08-02.

Power decoupling circuit generating system and power decoupling circuit generating method

Номер патента: US6519741B2. Автор: Takashi Harada,Hideki Sasaki,Takahiro Yaguchi,Kiyoshi Asao. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-11.

Shared via decoupling for area arrays components

Номер патента: WO2005091700A3. Автор: Paul Brown,Charles M Elliott,Alex L Chan. Владелец: Alex L Chan. Дата публикации: 2006-01-19.

Noise suppression circuit device

Номер патента: US20200163202A1. Автор: Yen-Hao Chen,Ding-Bing Lin,Lin-Zong Zheng,Min-Hung Hsieh. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Shared via decoupling for area arrays components

Номер патента: WO2005091700A2. Автор: Paul Brown,Alex L. Chan,Charles M. Elliott. Владелец: ALCATEL. Дата публикации: 2005-10-06.

Audio circuit and mobile terminal provided with audio circuit

Номер патента: US11895469B2. Автор: Fabiao Jiang. Владелец: Xian Zhongxing New Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Low inductance power module with vertical power loop structure and insulated baseplates

Номер патента: US12004331B2. Автор: JIN Wang,Xintong Lyu. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2024-06-04.

Printed circuit board wiring structure checkup system

Номер патента: EP1168208A3. Автор: Kenji Araki,Ayao c/o Sony EMCS Corp. Nagano TEC Yokoyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-14.

Detecting presence of active optical cables in peripheral component interconnect-express links

Номер патента: US09838116B2. Автор: Qin Chen,Hongdang He. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Apparatus and methods for capacitive load reduction of an envelope tracker

Номер патента: US09548702B2. Автор: Sabah Khesbak. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Improvements in and relating to thermionic valve relaxation circuits

Номер патента: GB628409A. Автор: . Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1949-08-29.

Amplifier device with low frequency resonance decoupling circuitry

Номер патента: US20240162862A1. Автор: Yuanyuan Dong,Olivier Lembeye,Damien Scatamacchia. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Reducing signal dependence for cdac reference voltage

Номер патента: EP3183819A1. Автор: Kentaro Yamamoto,Weihua Chen,Sameer Wadhwa,Seyed Arash Mirhaj,Dinesh Jagannath Alladi,Masoud Ensafdaran,Xiaoke WEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-28.

Decoupling method, appratus for designing power feeding line, and circuit board

Номер патента: US20140016282A1. Автор: Kazuhiro Kashiwakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Printed circuit board wiring structure checkup system

Номер патента: US20020017907A1. Автор: Kenji Araki,Ayao Yokoyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Microphone Preamplifier Circuit

Номер патента: US20140153746A1. Автор: Germano Nicollini,Andrea Barbieri. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2014-06-05.

Reducing signal dependence for cdac reference voltage

Номер патента: US20160056833A1. Автор: Kentaro Yamamoto,Weihua Chen,Sameer Wadhwa,Seyed Arash Mirhaj,Dinesh Jagannath Alladi,Masoud Ensafdaran,Xiaoke WEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Microphone preamplifier circuit

Номер патента: WO2013014009A1. Автор: Germano Nicollini,Andrea Barbieri. Владелец: ST-Ericsson SA. Дата публикации: 2013-01-31.

Totem pole power factor correction system

Номер патента: WO2024104997A1. Автор: Reinhold Elferich,Christian Hattrup. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2024-05-23.

Analog-to-digital converting circuit receiving reference voltage from alternatively switched reference voltage generators and reference voltage capacitors and operating method thereof

Номер патента: US11984907B2. Автор: Yong Lim,Jaehoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Small-capacitance power converter, and grid-side electrical-energy quality control working method and bus voltage suppression control method therefor

Номер патента: GB2610545A. Автор: Xu Lei,Zhang Li,Zhang Chao,Zhu Xiaoyong,Du Yi,Qin Yuanyuan. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2023-03-08.

Mitigating electromagnetic interference and compatibility issues

Номер патента: US9628199B1. Автор: Jagan Vaidyanathan Rajagopalan,Mudit Sunilkumar Khasgiwala,Akshay Mohan,Duck Ho Bae. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

DC offset mitigation in a single-supply amplifier

Номер патента: US7466194B2. Автор: Babak Mazda,Farzad Sahandiesfanjani,Rahul Shinkre,Maziar Sayyedi,Krishna Prasad Sarangapani. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2008-12-16.

Electronic board for voltage converter

Номер патента: US11950388B2. Автор: Nicolas ALLALI,Emmanuel Talon. Владелец: Valeo Systemes de Controle Moteur SAS. Дата публикации: 2024-04-02.

Detecting presence of active optical cables in peripheral component interconnect-express links

Номер патента: US20170026115A1. Автор: Qin Chen,Hongdang He. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Power conversion module

Номер патента: US20230413467A1. Автор: Woochan Kim,Fang Luo,Vivek Kishorechand Arora,David Ryan Huitink,Hayden Seth Carlton,Asif Imran Emon. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Power conversion module and method of forming the same

Номер патента: US11751353B2. Автор: Woochan Kim,Fang Luo,Vivek Kishorechand Arora,David Ryan Huitink,Hayden Seth Carlton,Asif Imran Emon. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

De-coupling capacitance placement

Номер патента: US20170004239A1. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Thomas Strach,Joachim Keinert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

De-coupling capacitance placement

Номер патента: US20170004248A1. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Thomas Strach,Joachim Keinert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

De-coupling capacitance placement

Номер патента: US09684759B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Thomas Strach,Joachim Keinert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

De-coupling capacitance placement

Номер патента: US09679099B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Thomas Strach,Joachim Keinert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Verifying on-chip decoupling capacitance using transistor and capacitor surface area information

Номер патента: US20030097646A1. Автор: Tyler Thorp,Devendra Vidhani. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-05-22.

Transceiving circuit for contactless communication

Номер патента: EP2076868A2. Автор: Erich Merlin. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-08.

Method and device for ascertaining an insulation resistance, and high voltage battery system having a device of this type

Номер патента: US09995776B2. Автор: Andreas Gleiter. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for provisioning decoupling capacitance in an integrated circuit

Номер патента: US09465899B2. Автор: Savithri Sundareswaran,Benjamin S. Huang,Ravi K. Vaidyanathan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-11.

Fiber optic transceiver array and fiber optic transceiver channel for short wave fiber optic communications

Номер патента: US7076178B2. Автор: David P. Swart,Randolph B. Heineke,David J. Orser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-07-11.

Fiber optic transceiver array and fiber optic transceiver channel for short wave fiber optic communications

Номер патента: US20050220455A1. Автор: Randolph Heineke,David Orser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-10-06.

Verifying decoupling capacitance using a maximum flow determination of a network

Номер патента: US20030106032A1. Автор: Tyler Thorp,Devendra Vidhani. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Fast and accurate capacitance checker

Номер патента: US9262572B2. Автор: Raghuraman Ganesan,Am M. Yusuf. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-02-16.

Printed circuit board design assisting method, printed circuit board design assisting device, and storage medium

Номер патента: US20100325594A1. Автор: Yoshitaka Nishio,Toshiyasu Sakata,Eiichi Konno,Takahiko Orita,Kazunori Kumagai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Transceiving circuit for contactless communication

Номер патента: WO2008047264A2. Автор: Erich Merlin. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-24.

Subframes and phase shifting for lidar acquisition

Номер патента: US20240302502A1. Автор: Richmond G. Hollen. Владелец: Ouster Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Variable capacitor based on frequency of operation

Номер патента: US5805016A. Автор: Chongjun Jiang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-09-08.

Hierarchical large block synthesis (HLBS) filling

Номер патента: US11775730B2. Автор: Timothy A. Schell,Ofer Geva,Jesse Peter Surprise,Brittany DUFFY,Eduard HERKEL. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for provisioning decoupling capacitance in an integrated circuit

Номер патента: US20140282340A1. Автор: Savithri Sundareswaran,Benjamin S. Huang,Ravi K. Vaidyanathan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-09-18.

Non-volatile memory device including decoupling circuit

Номер патента: US20190080770A1. Автор: Se-heon BAEK,Jung-ho Song,Yong-Sung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Linear regulator having a closed loop frequency response based on a decoupling capacitance

Номер патента: US09625925B2. Автор: Axel Thomsen,Shouli Yan,Praveen Kallam. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Driving chip and display apparatus

Номер патента: US11776455B2. Автор: Zheng Wang,Xiaobao Zhang,Yuqing Wang,Xinquan CHEN. Владелец: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Hot swap decoupling for noise reduction and failure prevention

Номер патента: US09547621B1. Автор: Gregory Sizikov,Weifeng PAN. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-01-17.

Hot swap decoupling for noise reduction and failure prevention

Номер патента: US09454503B1. Автор: Gregory Sizikov,Weifeng PAN. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Self-Propelling Decoupling Capacitor Design for Flexible Area Decoupling Capacitor Fill Design Flow

Номер патента: US20120110534A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-03.

A self-leakage-detection circuit for a decoupling capacitor

Номер патента: TWI221920B. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-10-11.

Decoupling capacitor circuit with dynamic control

Номер патента: TW200423366A. Автор: Chang-Fen Hu,Wen-Tai Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-11-01.

A self-leakage-detection circuit for a decoupling capacitor

Номер патента: TW200504375A. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-01.

IMPLEMENTING SMART SWITCHED DECOUPLING CAPACITORS TO EFFICIENTLY REDUCE POWER SUPPLY NOISE

Номер патента: US20120008443A1. Автор: Hebig Travis Reynold,Paulsen David Paul. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-12.

DECOUPLING CAPACITOR

Номер патента: US20120212878A1. Автор: . Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2012-08-23.

Nanopillar Decoupling Capacitor

Номер патента: US20120256294A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Guo Dechao,Chakravarti Satya N.,Bu Huiming. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-11.

DECOUPLING CAPACITORS RECESSED IN SHALLOW TRENCH ISOLATION

Номер патента: US20120267759A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.

DECOUPLING CAPACITOR CIRCUITRY

Номер патента: US20130001664A1. Автор: Khor Chin Hieang. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor Devices with Orientation-Free Decoupling Capacitors and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20130020678A1. Автор: Tzeng Kuo-Chyuan,Tu Kuo-Chi,Wang Chen-Jong,Chiang Wen-Chuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-01-24.

ON-CHIP ACTIVE DECOUPLING CAPACITORS FOR REGULATING VOLTAGE OF AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20130027122A1. Автор: Hwang Wei,LIN TIEN-HUNG,HUANG PO-TSANG. Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-01-31.

THROUGH SUBSTRATE VIA WITH EMBEDDED DECOUPLING CAPACITOR

Номер патента: US20130040436A1. Автор: Gu Shiqun,Nowak Matthew Michael. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-02-14.

EARLY DECOUPLING CAPACITOR OPTIMIZATION METHOD FOR HIERARCHICAL CIRCUIT DESIGN

Номер патента: US20130054202A1. Автор: Tremble Eric W.,Toub David,Carlsen Kurt A.,Chiu Charles S.,Garofano Umberto,Pang Ze Gui,Wemple Ivan L.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-28.

Integrated Circuit with Integrated Decoupling Capacitors

Номер патента: US20130062733A1. Автор: Summerfelt Scott Robert,Rodriguez John A.,Wen Huang-Chun,Bartling Steven Craig. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-03-14.

INTEGRATED CIRCUIT DECOUPLING CAPACITOR ARRANGEMENT

Номер патента: US20130069131A1. Автор: Kerber Andreas,Nigam Tanya,Lipp Dieter,Herden Marc. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SEAL RING WITH EMBEDDED DECOUPLING CAPACITOR

Номер патента: US20130119449A1. Автор: Chen Hsien-Wei,Tsai Hao-Yi,Chen Kuo-Ji,MA Wei Yu,GUO Ta-Pen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-05-16.

DECOUPLING CAPACITOR AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20130175589A1. Автор: CHEN Chung-Hui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-07-11.

DECOUPLING CAPACITOR AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20130181269A1. Автор: CHEN Chung-Hui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-07-18.

Asymmetric Dense Floating Gate Nonvolatile Memory with Decoupled Capacitor

Номер патента: US20130193498A1. Автор: Horch Andrew E.. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2013-08-01.

FAST WAKE-UP OF DIFFERENTIAL RECEIVERS USING COMMON MODE DECOUPLING CAPACITORS

Номер патента: US20130268784A1. Автор: Vlaiko Julian. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2013-10-10.

METHOD FOR PLACING DECOUPLING CAPACITORS

Номер патента: US20140082575A1. Автор: LIN KUAN-YU,Liu Chin-Chou,Chen Wan-Chun,HU Chi-Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-03-20.

Decoupling Capacitors For Integrated Circuits

Номер патента: US20140117497A1. Автор: Pereira Vitor M.,Davis Jessica P.,Dudley Trent O.. Владелец: Silicon Laboratories Inc.. Дата публикации: 2014-05-01.

INTEGRATED DECOUPLING CAPACITOR UTILIZING THROUGH-SILICON VIA

Номер патента: US20140124943A1. Автор: Hebig Travis R.,Behrends Derick G.,Christensen Todd A.,Launsbach Michael,Sheets,II John E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-08.

Efficient layout method of decoupling capacitor

Номер патента: CN103984841A. Автор: 陈懿,鲁成,叶鹤,应朝晖,华毅,陈传开. Владелец: PCBA ELECTRONIC (WUXI) Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-13.

On-chip decoupling capacitor insertion method

Номер патента: JP4293028B2. Автор: 崇 後藤. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-07-08.

Quick method for implementing noise optimization of integrated circuit supply network using decoupling capacitor

Номер патента: CN1305127C. Автор: 洪先龙,谭向东,蔡懿慈,潘著,傅静静,骆祖莹. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-03-14.

Decoupling capacitor circuit with dynamic control

Номер патента: TW584951B. Автор: Chang-Fen Hu,Wen-Tai Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-04-21.

Improved apparatus for cutting trenches for drains and the like

Номер патента: AU1673015A. Автор: Wilson Cooper James. Владелец: Individual. Дата публикации: 1915-09-28.

Improvements relating to level-cut trench excavators

Номер патента: AU3467250A. Автор: . Владелец: Priestman Brothers Ltd. Дата публикации: 1950-08-03.

Improvements relating to level-cut trench excavators

Номер патента: AU145157B2. Автор: . Владелец: Priestman Brothers Ltd. Дата публикации: 1950-08-03.

Apparatus for cutting trenches

Номер патента: AU4442164A. Автор: MYERS and ALAN DOBSON JOHN. Владелец: Individual. Дата публикации: 1965-11-18.

Arrangement for cutting trenches in frozen and rocky soil

Номер патента: SU1221286A1. Автор: Александр Павлович Вяжев,Владимир Гаврилович Шишлов,Юрий Иванович Тушнолобов,Николай Васильевич Ли. Владелец: Казахский Филиал Всесоюзного Головного Проектно-Технологического Института "Союзоргтехводстрой". Дата публикации: 1986-03-30.

Arrangement for loosening frozen ground and cutting trenches

Номер патента: SU588299A1. Автор: Семен Абрамович Фейтельман,Петр Дмитриевич Стрельников,Вячеслав Владимирович Жигарев,Вячеслав Михайлович Кузнецов,Яков Аронович Мазин,Радий Борисович Виркерман,Вольтемар Александрович Данцитис,Лев Николаевич Ермилов. Владелец: Всесоюзный научно-исследовательский институт транспортного строительства. Дата публикации: 1978-01-15.

Device for cutting trenches

Номер патента: SU1668577A1. Автор: Геннадий Михайлович Голенков,Владимир Васильевич Снигирь. Владелец: Киевский Инженерно-Строительный Институт. Дата публикации: 1991-08-07.

Wide cut trench digging groove coating device

Номер патента: CN204498629U. Автор: 王伟均. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-29.

Improvements in excavators for cutting' trenches and for other similar purposes

Номер патента: AU574712A. Автор: Montague Bowser George. Владелец: Individual. Дата публикации: 1912-11-26.

Improvements in excavators for cutting' trenches and for other similar purposes

Номер патента: AU574712B. Автор: Montague Bowser George. Владелец: Individual. Дата публикации: 1912-11-26.

Gate cutting machine and gate cutting method

Номер патента: JP3780658B2. Автор: 博史 磯崎,敏 小森谷. Владелец: TOYO SEIKAN KAISHA LTD. Дата публикации: 2006-05-31.

Hydro-generator inside gate

Номер патента: CN203050980U. Автор: 陈明,陈雄,李哲明,张琼平,王俐娟. Владелец: China Chang Jiang Energy Group Corp. Дата публикации: 2013-07-10.

Battery cover cast gate cuts tool

Номер патента: CN206568493U. Автор: 马丽丽,赵文峰,赵明久. Владелец: Dalian Source Precision Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-20.

Gate Cutting Device of Injection Molding Mold

Номер патента: KR940024438U. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1994-11-16.

Gate cutting method for plastic molded piece and device therefor

Номер патента: JPH1119981A. Автор: Azuma Endo,東 遠藤. Владелец: AZUMA KOKI KK. Дата публикации: 1999-01-26.

Multiple mould for making polymeric products having gate cutting device

Номер патента: SU763113A1. Автор: Юрий Анатольевич Никифоров. Владелец: Предприятие П/Я М-5206. Дата публикации: 1980-09-15.

Many caves button cover gate cut equipment

Номер патента: CN205255439U. Автор: 沈明,王小平,黄和生,施祥来,查育君,胡素莹,黄宗福. Владелец: Suzhou Lichuang Precision Mould Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-25.

Automatic gate cutting device

Номер патента: CN202388750U. Автор: 洪性斗,宋宇范. Владелец: HUIZHOU YOOWON HUAYANG PRECISION COMPONENT CO Ltd. Дата публикации: 2012-08-22.

Casting mould for making polymeric products with inlet gate cutting

Номер патента: SU763117A1. Автор: Александр Андреевич Корниенко. Владелец: Предприятие П/Я Р-6670. Дата публикации: 1980-09-15.

Cast gate cutting injection moulding mould

Номер патента: CN203994506U. Автор: 蒋正,朱贞吉,黄启金. Владелец: SUZHOU PLASTIC ELECTRONIC CO Ltd. Дата публикации: 2014-12-10.

Mold gate cutting device

Номер патента: JP2610198B2. Автор: 進 伊藤,善治 稲葉,尊之 平,菊夫 渡辺,晃 纐纈,利夫 松倉,薫 前田,広志 米久保,健二 芳賀,一成 徳田. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 1997-05-14.

Gate cut device

Номер патента: JPH072354B2. Автор: 孝夫 三浦,茂樹 藤居. Владелец: Murata Machinery Ltd. Дата публикации: 1995-01-18.

Trim gate cut of central authorities machine

Номер патента: CN204954903U. Автор: 吴华,吴道宏,朱承慈,严舶. Владелец: YANKANG AUTO PARTS RUGAO Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-13.

Pouring gate cutting device

Номер патента: CN203253905U. Автор: 周大全,李德寿,包行方. Владелец: China Central Power Transmission & Distribution Equipment (pinghu) Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-30.

A one -way gate cut system for optical resin lens

Номер патента: CN204977306U. Автор: 王佳,朱文杰,小谷洋一. Владелец: CHANGZHOU NALUX OPTICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-20.

Gate cutting method

Номер патента: JPH0643082B2. Автор: 行雄 中村,修一 八川,典永 米岡,利賢 奥村. Владелец: National Aerospace Laboratory of Japan. Дата публикации: 1994-06-08.

A kind of alloy product sprue gate cutting machine

Номер патента: CN208680509U. Автор: 金日范. Владелец: Tianjin Yong Na Pml Precision Mechanism Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Injection gate cutting device

Номер патента: KR19990086407A. Автор: 민병도. Владелец: 전주범. Дата публикации: 1999-12-15.

Gate cut part treatment apparatus

Номер патента: JPH1024428A. Автор: 孝夫 三浦,Takao Miura. Владелец: Murata Machinery Ltd. Дата публикации: 1998-01-27.

Arc work piece gate cut frock

Номер патента: CN205043138U. Автор: 袁朝晖,李占权,韩晓凤,侯志阳. Владелец: Shenyang Stl Automatic Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-24.

Injection mold with retractable gate runner and electric pouring gate cutting device

Номер патента: CN102431126A. Автор: 刘勇,焦志伟,谢鹏程,丁玉梅,杨卫民,邵剑波,夏令涛. Владелец: Beijing University of Chemical Technology. Дата публикации: 2012-05-02.

Gate cutting device of refrigerator injection mold

Номер патента: CN210880695U. Автор: 贾磊,徐新宇,贡贝. Владелец: Taizhou Langtuo Plastic Co ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Gate cutting device for resin molded products with sprue runner

Номер патента: JP2875449B2. Автор: 輝男 若野. Владелец: Dai Ichi Seiko Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-31.

Product gate cutting device

Номер патента: CN104325480A. Автор: 吴昊,张庆文,胡爱琴,俞奇渊. Владелец: NINGGUO HUASHENG PLASTIC PRODUCTS CO Ltd. Дата публикации: 2015-02-04.

Gate cut and protrusion control apparatus and method in injection molding machine

Номер патента: JP2622229B2. Автор: 行雄 吉沢,昭司 宮嶋,雅和 大野,澄夫 佐藤,寿男 稲毛. Владелец: Sankyo Kasei Co Ltd. Дата публикации: 1997-06-18.

Gate cutting tool for front wheel cover guide plate

Номер патента: CN210100586U. Автор: 王文广,张山. Владелец: Beijing Force Standard Cause Polytron Technologies Inc. Дата публикации: 2020-02-21.

Gate cutting device

Номер патента: JP2554503Y2. Автор: 等 中井. Владелец: Murata Machinery Ltd. Дата публикации: 1997-11-17.

ELECTROSTATIC DISCHARGE CIRCUIT

Номер патента: US20120002334A1. Автор: Anderson Warren R.,Kosonocky Stephen V.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Pulse power source for fluorescent lamps with cold cathode

Номер патента: RU2271079C2. Автор: Виктор Васильевич Аблогин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз". Дата публикации: 2006-02-27.

Voltage regulator circuit

Номер патента: US20120001606A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM FOR CONTROLLING A DEVICE

Номер патента: US20120001738A1. Автор: HILGERS ACHIM. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Piezo electric transducer

Номер патента: RU2400867C1. Автор: Александр Александрович Кирпичёв,Александр Анатольевич Симчук,Николай Федорович Архипкин,Андрей Андреевич Редюшев,Андрей Николаевич Цыпленков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ГлобалТест". Дата публикации: 2010-09-27.

MINITURIZATION TECHNIQUES, SYSTEMS, AND APPARATUS RELATNG TO POWER SUPPLIES, MEMORY, INTERCONNECTIONS, AND LEDS

Номер патента: US20120002455A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Controlled power splitter

Номер патента: RU2258280C1. Автор: Б.А. Беляев,ев Б.А. Бел,А.А. Лексиков. Владелец: Научно-исследовательское учреждение Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2005-08-10.

Divided-voltage fet power amplifiers

Номер патента: CA2374794C. Автор: Lloyd Lynn Lautzenhiser,Barry Arthur Lautzenhiser. Владелец: Emhiser Res Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.