METHOD FOR MANUFACTURING A MONOCRYSTALLINE LAYER OF GAAS MATERIAL AND SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH OF A MONOCRYSTALLINE LAYER OF GAAS MATERIAL
Номер патента: US20220364266A1
Опубликовано: 17-11-2022
Автор(ы): Ghyselen Bruno
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-11-2022
Автор(ы): Ghyselen Bruno
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for manufacturing a monocrystalline layer of diamond or iridium material and substrate for epitaxially growing a monocrystalline layer of diamond or iridium material
Номер патента: US11935743B2. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-03-19.