Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen von zwei oder mehr Legierungskontakten an der gleichen Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers
Номер патента: DE1113990B
Опубликовано: 21-09-1961
Автор(ы): Dipl-Phys Karl-Heinz Ginsbach
Принадлежит: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Опубликовано: 21-09-1961
Автор(ы): Dipl-Phys Karl-Heinz Ginsbach
Принадлежит: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Verfahren zum betreiben einer siliziumkarbid, sic, - mosfet-anordnung sowie vorrichtung
Номер патента: EP4147353A1. Автор: Jonathan WINKLER. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-03-15.