Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • NAND flash architecture with multi-level row decoding

NAND flash architecture with multi-level row decoding

Номер патента: US8854884B2
Опубликовано: 07-10-2014
Автор(ы): Jin-Ki Kim
Принадлежит: Conversant Intellectual Property Management Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

NAND flash architecture with multi-level row decoding

Номер патента: JP2012519347A. Автор: ジン−キ・キム. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

Nand flash architecture with multi-level row decoding

Номер патента: CN102341864B. Автор: 金镇祺. Владелец: Examine Vincent Zhi Cai Management Co. Дата публикации: 2015-02-11.

Nand flash architecture with multi-level row decoding

Номер патента: US20100226179A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2010-09-09.

NAND flash architecture with multi-level row decoding

Номер патента: US8189390B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2012-05-29.

Nand flash architecture with multi-level row decoding

Номер патента: WO2010099597A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2010-09-10.

Nand flash architecture with multi-level row decoding

Номер патента: CA2754062A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2010-09-10.

NAND flash architecture with multi-level row decoding

Номер патента: DE112010000955T5. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2012-07-19.

NAND flash architecture with multi-level row decoding

Номер патента: TW201106358A. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2011-02-16.

NAND flash memory array architecture having low read latency and low program disturb

Номер патента: US9245639B1. Автор: Dae Hyun Kim,Anil Gupta,Jong Oh Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Programming memories with multi-level pass signal

Номер патента: US09396791B2. Автор: Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Charan Srinivasan,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Programming memories with multi-level pass signal

Номер патента: EP3170180A1. Автор: Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Charan Srinivasan,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-24.

Programming memories with multi-level pass signal

Номер патента: WO2016010993A1. Автор: Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Charan Srinivasan,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-01-21.

Row decoder for a non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US09966145B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-08.

Row decoder and a memory device having the same

Номер патента: US09818483B2. Автор: Wook-ghee Hahn,Chang-Yeon YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Row decoder for a non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US09679655B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-06-13.

Programming memories with multi-level pass signal

Номер патента: US09922704B2. Автор: Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Charan Srinivasan,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Programming memories with multi-level pass signal

Номер патента: US20160307622A1. Автор: Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Charan Srinivasan,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Programming memories with multi-level pass signal

Номер патента: EP3170180A4. Автор: Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Charan Srinivasan,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-28.

Charge packet programming for nand flash non-volatile memory

Номер патента: EP4345825A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Devin Verreck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-04-03.

Device selection schemes in multi chip package NAND flash memory system

Номер патента: US09524778B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Row decoder for a non-volatile memory device, having reduced area occupation

Номер патента: US09767907B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-19.

Row decoder and a memory device having the same

Номер патента: US20170084335A1. Автор: Wook-ghee Hahn,Chang-Yeon YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-23.

Devices including memory arrays, row decoder circuitries and column decoder circuitries

Номер патента: US09711224B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Devices Including Memory Arrays, Row Decoder Circuitries and Column Decoder Circuitries

Номер патента: US20160267984A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-09-15.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated program control method

Номер патента: EP3910637A1. Автор: Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated program control method

Номер патента: US20210350862A1. Автор: Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated program control method

Номер патента: EP3910637B1. Автор: Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

PROGRAMMING MEMORIES WITH MULTI-LEVEL PASS SIGNAL

Номер патента: US20180190347A1. Автор: Parat Krishna K.,Kalavade Pranav,Raghunathan Shyam Sunder,Srinivasan Charan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-07-05.

Control circuit and method for programming a flash memory device with multi-level cells

Номер патента: KR100616214B1. Автор: 장희현,이희열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-28.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: US20240161840A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: WO2024103238A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Control method for nand flash memory to complete xnor operation

Номер патента: US20240194271A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Nand flash memory and method for destroying information from the nand flash memory

Номер патента: US20190206496A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Interruptible nand flash memory

Номер патента: CA2768212C. Автор: John G. Bennett. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Control method and controller of 3D NAND flash

Номер патента: US20210350853A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Qiguang Wang,Wenzhe WEI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09899096B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: WO2022047084A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2022-03-03.

Method and circuit for performing read operation in a nand flash memory

Номер патента: US20090003079A1. Автор: Jiro Kishimoto. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method and circuit for performing read operation in a NAND flash memory

Номер патента: US7577033B2. Автор: Jiro Kishimoto. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-18.

NAND flash word line management using multiple fragment pools

Номер патента: US09455048B2. Автор: Yigal Eli,Yong Peng,Damian Yurzola,Rajeev Nagabhirava,Tal Heller,Krishnamurthy Dhakshinamurthy,Talal Ahwal,Tucker Dean BERCKMANN,Arjun Hary. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for programming nand flash memory

Номер патента: US20220084598A1. Автор: Hong Nie,Jingwei CHEN. Владелец: China Flash Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Nand flash word line management

Номер патента: WO2014209624A1. Автор: Yigal Eli,Yong Peng,Damian Yurzola,Rajeev Nagabhirava,Tal Heller,Krishnamurthy Dhakshinamurthy,Talal Ahwal,Tucker Dean BERCKMANN,Arjun Hary. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-12-31.

Error characterization and mitigation for 16nm mlc nand flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US20190172545A1. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-06-06.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Error characterization and mitigation for 16nm MLC NAND flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US10665310B2. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2020-05-26.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: EP4392975A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: WO2023028410A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Nand flash memory devices and methods of lsb/msb programming the same

Номер патента: US20090080251A1. Автор: Hyung-Gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-26.

Memory device including row decoder

Номер патента: US20230207013A1. Автор: Sang Hyun Sung,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Row decoding circuit and memory

Номер патента: US20140177333A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: EP3910636A1. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: US20210358543A1. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: EP3910636B1. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-25.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: US11264092B2. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-01.

一种nand flash存储芯片坏区检测管理方法

Номер патента: CN114627932. Автор: 吴智慧,胡红伟,邵星明. Владелец: Nanjing Changfeng Space Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Hierarchical common source line structure in nand flash memory

Номер патента: WO2009079783A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2009-07-02.

基于NAND Flash的存内计算芯片及其控制方法

Номер патента: CN111128279. Автор: 王绍迪. Владелец: Hangzhou Zhicun Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-05-08.

一种nand flash存储芯片坏区检测管理方法

Номер патента: CN114627932A. Автор: 吴智慧,胡红伟,邵星明. Владелец: Nanjing Changfeng Space Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Dual edge access nand flash memory

Номер патента: WO2008093947A1. Автор: Un Sik Seo. Владелец: Mgine Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-08-07.

NAND flash memory and reading method thereof

Номер патента: US09564236B2. Автор: Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory computing chip based on NAND Flash and control method thereof

Номер патента: CN111128279A. Автор: 王绍迪. Владелец: Hangzhou Zhicun Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-05-08.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20240290397A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for controlling nand flash memory to complete neural network operation

Номер патента: US20240194249A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatus for controlling NAND flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US12009035B2. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for nand flash memory to complete convolution operation of multi-bit data

Номер патента: US20240194230A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20220343983A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Nand flash operating techniques

Номер патента: US20200118630A1. Автор: Wei-Liang Lin,Yao-Wen Chang,Wen-Jer Tsai,Guan-Wei Wu,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

3d nand flash and operation method thereof

Номер патента: US20210366545A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang,Song Min Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

3D NAND flash and operation method thereof

Номер патента: US11342023B2. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang,Song Min Jiang. Владелец: Yangzte Memory Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Modulation of source voltage in NAND-flash array read

Номер патента: US12087365B2. Автор: Narayanan RAMANAN. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Modulation of source voltage in nand-flash array read

Номер патента: US20240363173A1. Автор: Narayanan RAMANAN. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-10-31.

Non-destructive mode cache programming in NAND flash memory devices

Номер патента: US11894075B2. Автор: Jason Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

3D NAND flash and operation method thereof

Номер патента: US10978153B1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang,Song Min Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Burst programming of a NAND flash cell

Номер патента: US11935599B2. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,Victor Avila,Fanglin Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Burst programming of a nand flash cell

Номер патента: US20230343397A1. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,Victor Avila,Fanglin Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Row decoder and row address scheme in a memory system

Номер патента: US20240339136A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Kha Nguyen,Hien Pham,Henry Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

PROGRAMMING MEMORIES WITH MULTI-LEVEL PASS SIGNAL

Номер патента: US20160307622A1. Автор: Parat Krishna K.,Kalavade Pranav,Raghunathan Shyam Sunder,Srinivasan Charan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-10-20.

一种3D NAND Flash减小数据保留错误的编程方法

Номер патента: CN114765043A. Автор: 杨洋,沙金,邓上鹏. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-19.

一种3D NAND Flash减小数据保留错误的编程方法

Номер патента: CN114765043. Автор: 杨洋,沙金,邓上鹏. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-19.

一种nand flash的数据传输方法、装置及电路

Номер патента: CN110164493. Автор: 刘会娟,束庆冉. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2019-08-23.

A kind of NAND-FLASH memory write operations method and device

Номер патента: CN108573729A. Автор: 苏志强. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

Methods and apparatus for NAND flash memory

Номер патента: US11972811B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Operating method of NAND flash memory unit

Номер патента: US9437309B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Methods and apparatus for NAND flash memory

Номер патента: US12100460B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

一种控制擦除操作的方法、装置以及Nand flash存储器

Номер патента: CN111951853. Автор: 张晓伟,马思博. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

Page buffer circuit for NAND flash memory

Номер патента: US09305649B1. Автор: Jong Oh Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-05.

NAND flash memory unit, operating method and reading method

Номер патента: US9245636B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: US20210327519A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-21.

Operating method of nand flash memory unit

Номер патента: US20160078952A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Nand flash memory unit, operating method and reading method

Номер патента: US20140286105A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

PMOS flash memory cell with multi-level threshold voltage

Номер патента: DE69614223D1. Автор: Shang-De T Chang. Владелец: Programmable Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-09-06.

Method for programming, reading, and erasing a non-volatile memory with multi-level output currents

Номер патента: TW200403682A. Автор: Chien-Hung Liu,Tung-Cheng Kuo,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-01.

Rewritable memory device with multi-level, write-once memory cells

Номер патента: EP2517209A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-10-31.

基于nand flash的文件数据存取方法、装置、设备及存储介质

Номер патента: CN115359825. Автор: 王心侠,林杯淋. Владелец: Huierfeng Information System Co ltd. Дата публикации: 2022-11-18.

一种双路8位并口nand flash存储电路

Номер патента: CN115206382. Автор: 李刚,王小波,张永安,张明,田力,李晶晶,周晓琳,段海龙,崔洁,王文艳,陈羽,赵海滨,侯安贵,陈永鹏. Владелец: Henan Pingyuan Optical & Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

一种双路8位并口nand flash存储电路

Номер патента: CN115206382A. Автор: 李刚,王小波,张永安,张明,田力,李晶晶,周晓琳,段海龙,崔洁,王文艳,陈羽,赵海滨,侯安贵,陈永鹏. Владелец: Henan Pingyuan Optical & Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

基于nand flash的文件数据存取方法、装置、设备及存储介质

Номер патента: CN115359825A. Автор: 王心侠,林杯淋. Владелец: Huierfeng Information System Co ltd. Дата публикации: 2022-11-18.

一种nand flash的最优固定电压轴的筛选方法

Номер патента: CN115295048A. Автор: 曹成,蒋书斌,石法圣. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-04.

一种nand flash的最优固定电压轴的筛选方法

Номер патента: CN115295048. Автор: 曹成,蒋书斌,石法圣. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-04.

基于读电压表设置Nand Flash读电压的方法及装置

Номер патента: CN117854563. Автор: 张用,郭静颖,曾添友. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

基于读电压表设置Nand Flash读电压的方法及装置

Номер патента: CN117854563A. Автор: 张用,郭静颖,曾添友. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Vertical NAND flash memory array

Номер патента: US7148538B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

嵌入式设备NAND Flash的ECC码存储方法

Номер патента: CN113571121. Автор: 戴志,刘怡雄. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-29.

Methods and apparatus for reading NAND flash memory

Номер патента: US11232835B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-01-25.

Managing programming errors in nand flash memory

Номер патента: US20200234780A1. Автор: Thomas Mittelholzer,Nikolaos Papandreou,Roman Alexander Pletka. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Dual Sense Bin Balancing In NAND Flash

Номер патента: US20210407598A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Richard Galbraith,Henry Yip,Jonas Goode. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Dual sense bin balancing in nand flash

Номер патента: WO2022005517A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Richard Galbraith,Henry Yip,Jonas Goode. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-01-06.

On-device data analytics using nand flash based intelligent memory

Номер патента: WO2014074483A2. Автор: Yan Li,Steven T. Sprouse,Johann George. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

Nand flash数据的掉电保护方法、装置及介质

Номер патента: CN114242125. Автор: 苏界伟. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-03-25.

NAND flash memory and method of erasing, programming, and copy-back programming thereof

Номер патента: US6813184B2. Автор: June Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-02.

NAND flash memory with worldline voltage compensation using compensated temperature coefficients

Номер патента: US10366760B1. Автор: Minyi Chen. Владелец: GigaDevice Semiconductor Shanghai Inc. Дата публикации: 2019-07-30.

Nand flash数据的掉电保护方法、装置及介质

Номер патента: CN114242125B. Автор: 苏界伟. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-08.

Nand flash device

Номер патента: US20240179899A1. Автор: NAKJIN SON,Dongjin Lee,Junhee LIM,Seongsu Kim,Hakseon KIM,Hanmin CHO,Chiwoong HAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Nand flash数据的掉电保护方法、装置及介质

Номер патента: CN114242125A. Автор: 苏界伟. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-03-25.

Nand flash memory with wordline voltage compensation using compensated temperature coefficients

Номер патента: US20190221266A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Memory architecture with serial peripheral interface

Номер патента: US20070115743A1. Автор: Giuseppe Lorusso,Demetrio Pellicone,Adamo Corsi,Marco Roveda,Laura Sartori,Daniela Ruggeri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-05-24.

Two-terminal memory compatibility with NAND flash memory set features type mechanisms

Номер патента: US09727258B1. Автор: Kuk-Hwan Kim,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Systems and methods of implementing a calibration wordline to compensate for voltage threshold shift in nand flash memory

Номер патента: US20220115074A1. Автор: Chai Im Teoh,Lip Vui Kan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-04-14.

Method of characterizing errors in nand flash memory, and error estimation method and storage system control method using the same

Номер патента: US20230297471A1. Автор: Do Hee KIM,Ha Young LIM,Ji Yoon JUNG,Sung Gil Hong. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09583204B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Nand flash memory

Номер патента: US20130286734A1. Автор: Chun-Yen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-31.

Digital neutron dosimeter based on three dimensional not-and (nand) flash memory

Номер патента: WO2023250394A1. Автор: Mark Samuilovich Akselrod,Vasiliy Vasilyevich Fomenko,Jonathan Mitchell Harrison. Владелец: Landauer, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

NAND Flash坏块内数据重读的方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN113223583A. Автор: 李晓强,吴大畏,罗挺,陈斯煜. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2021-08-06.

NAND Flash坏块内数据重读的方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN113223583. Автор: 李晓强,吴大畏,罗挺,陈斯煜. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2021-08-06.

Method and apparatus for protecting lower page data during programming in NAND flash

Номер патента: US09703494B1. Автор: Pranav Kalavade,Shantanu R. Rajwade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Digital Neutron Dosimeter Based On 3D NAND Flash Memory

Номер патента: US20230408715A1. Автор: Mark Samuilovich Akselrod,Vasiliy Vasilyevich Fomenko,Jonathan Mitchell Harrison. Владелец: Landauer Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

NAND Flash坏块内数据重读的方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN113223583B. Автор: 李晓强,吴大畏,罗挺,陈斯煜. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-17.

Method for controlling nand flash memory to implement xnor operation

Номер патента: US20240194246A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Key-value addressed storage drive using nand flash based content addressable memory

Номер патента: WO2014074153A1. Автор: Yan Li,Stephen T. SPROUSE. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

Nand flash based content addressable memory

Номер патента: WO2014074131A1. Автор: Stephen T. SPROUSE. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

Vertical nand flash memory device

Номер патента: EP4398286A1. Автор: Sunho Kim,Minhyun LEE,Kwangmin Park,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Vertical nand flash type semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20240046080A1. Автор: Jong Ho Lee,Jong Won Back. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Vertical nand flash memory device

Номер патента: US20240224530A1. Автор: Sunho Kim,Minhyun LEE,Kwangmin Park,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Flash memory device with multi level cell and burst access method therein

Номер патента: US8045376B2. Автор: Jung-Woo Lee,Jae-Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-25.

Nand flash的cg分组方法和cg分组装置

Номер патента: CN108053857A. Автор: 胡旭,苏志强,程莹,李建新,刘会娟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-05-18.

一种控制读操作的方法、装置以及Nand flash存储器

Номер патента: CN111951864. Автор: 张晓伟. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

一种提高 nand flash 可靠性的方法及装置

Номер патента: WO2018040969A1. Автор: 吴旋. Владелец: 福建联迪商用设备有限公司. Дата публикации: 2018-03-08.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

基于nand flash存储器的校验方法、终端设备及存储介质

Номер патента: CN110277131. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-24.

一种提高nand flash可靠性的方法及装置

Номер патента: CN106409321A. Автор: 吴旋. Владелец: Fujian Landi Commercial Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法

Номер патента: CN112786097. Автор: 曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

On-chip copying of data between nand flash memory and reram of a memory die

Номер патента: WO2016004317A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Manuel Antonio d'Abreu,Xinde Hu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-01-07.

Method and apparatus for reducing data program completion overhead in NAND flash

Номер патента: US09852065B1. Автор: Violante Moschiano,Pranav Kalavade,Shantanu R. Rajwade,Andrea D'Alessandro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

NAND FLASH memory-based verification method, terminal equipment and storage medium

Номер патента: CN110277131B. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-23.

多通道的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN113241110. Автор: 李金�,潘乐乐,濮建福,杨津浦,林闽佳. Владелец: Shanghai Spaceflight Institute of TT&C and Telecommunication. Дата публикации: 2021-08-10.

多通道的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN113241110B. Автор: 李金�,潘乐乐,濮建福,杨津浦,林闽佳. Владелец: Shanghai Spaceflight Institute of TT&C and Telecommunication. Дата публикации: 2024-10-25.

多通道的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN113241110A. Автор: 李金�,潘乐乐,濮建福,杨津浦,林闽佳. Владелец: Shanghai Spaceflight Institute of TT&C and Telecommunication. Дата публикации: 2021-08-10.

一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法

Номер патента: CN112786097B. Автор: 曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法

Номер патента: CN112786097A. Автор: 曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

Split gate NAND flash memory structure and array, method of programming, erasing and reading thereof, and method of manufacturing

Номер патента: US09449693B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of erasing NAND flash memory device

Номер патента: US20050185471A1. Автор: Keun Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-25.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09934863B2. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Split gate NAND flash memory structure and array, method of programming, erasing and reading thereof, and method of manufacturing

Номер патента: US8780642B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Nand flash闪存中状态码的验证方法及装置

Номер патента: CN105654989A. Автор: 刘会娟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2016-06-08.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09934865B2. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09691488B1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09659664B1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Номер патента: US20170169894A1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Номер патента: US20170169893A1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Номер патента: US20170169890A1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Nand flash memory

Номер патента: US20100277977A1. Автор: Dai Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Номер патента: US20170169891A1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

PROGRAMMING MEMORIES WITH MULTI-LEVEL PASS SIGNAL

Номер патента: US20160019949A1. Автор: Parat Krishna K.,Kalavade Pranav,Raghunathan Shyam Sunder,Srinivasan Charan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-01-21.

Rewritable memory device with multi-level, write-once memory cells

Номер патента: TW201135730A. Автор: Luca Fasoli,Roy E Scheuerlein. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-10-16.

Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器

Номер патента: CN112825263A. Автор: 朱长峰,束庆冉. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器

Номер патента: CN112825262A. Автор: 谢瑞杰,朱长峰. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器

Номер патента: CN112825263B. Автор: 朱长峰,束庆冉. Владелец: Zhaoyi Innovation Technology Group Co ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器

Номер патента: CN112825262. Автор: 谢瑞杰,朱长峰. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器

Номер патента: CN112825263. Автор: 朱长峰,束庆冉. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

Block-row decoders, memory block-row decoders, memories, methods for deselecting a decoder of a memory and methods of selecting a block of memory

Номер патента: US20140119149A1. Автор: Nicholas Hendrickson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

Compact row decoder with multiple voltage support

Номер патента: US09609254B2. Автор: Li Guo,Guangbin Zhang. Владелец: Cista System Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Row decoder for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US09466347B1. Автор: Vikas RANA,Marco Pasotti. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2016-10-11.

Modular memory architecture with gated sub-array operation dependent on stored data content

Номер патента: US12046324B2. Автор: Promod Kumar,Christophe Lecocq,Harsh Rawat,Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-07-23.

Modular memory architecture with gated sub-array operation dependent on stored data content

Номер патента: US20230051672A1. Автор: Promod Kumar,Christophe Lecocq,Harsh Rawat,Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-02-16.

Row-decoder circuit and method with dual power systems

Номер патента: US20130314980A1. Автор: Seung H. Kang,Jung Pill Kim,Taehyun Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

一种面向TLC型NAND Flash的阈值电压获取方法

Номер патента: CN111341375. Автор: 冯骅,彭喜元,乔立岩,魏德宝,陈肖钰. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-06-26.

NAND Flash数据保护电路

Номер патента: WO2019007112A1. Автор: 郭坚湖. Владелец: 深圳市英蓓特科技有限公司. Дата публикации: 2019-01-10.

一种NAND Flash单元数据的读取方法和装置

Номер патента: CN112309476. Автор: 邸士伟. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

一种NAND Flash单元数据的读取方法和装置

Номер патента: CN112309476A. Автор: 邸士伟. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Nand Flash Phy参数配置方法和装置

Номер патента: CN109686394. Автор: 冯元元,马越,周晨杰. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-26.

一种NAND Flash芯片的掉电保护电路、方法及固态硬盘

Номер патента: CN108389596A. Автор: 刘青,林世清,周成亮. Владелец: Beijing Purple Light Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-10.

Threshold voltage obtaining method for TLC type NAND Flash

Номер патента: CN111341375B. Автор: 冯骅,彭喜元,乔立岩,魏德宝,陈肖钰. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-12-01.

一种NAND Flash芯片的掉电保护电路、方法及固态硬盘

Номер патента: CN108389596B. Автор: 刘青,林世清,周成亮. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-22.

Nand Flash Phy parameter configuration method and device

Номер патента: CN109686394B. Автор: 冯元元,马越,周晨杰. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Nand Flash Phy method for parameter configuration and device

Номер патента: CN109686394A. Автор: 冯元元,马越,周晨杰. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-26.

一种NAND Flash的操作检测方法

Номер патента: CN110473583. Автор: 刘凯. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-19.

NAND flash reliability with rank modulation

Номер патента: US09983808B2. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck,Anxiao Jiang,Eyal EN GAD. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-05-29.

提高slc nand flash存储器重读效率及准确性的方法

Номер патента: CN116434808. Автор: 胡锦涛. Владелец: Pengti Storage Technology Nanjing Co ltd. Дата публикации: 2023-07-14.

一种NAND Flash芯片掉电保护电路及保护方法

Номер патента: CN112652348. Автор: 杨彬,邓玉良,朱晓锐,李昂阳,庄伟坚. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Error Checking and Correction for NAND Flash Devices

Номер патента: US20160283324A1. Автор: Jente B. Kuang,Gi-Joon Nam,Shawn P. Authement. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

一种SSD中在线校准NAND Flash读参考电压的方法

Номер патента: CN110473588. Автор: 刘凯,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-19.

一种NAND Flash芯片掉电保护电路及保护方法

Номер патента: CN112652348B. Автор: 杨彬,邓玉良,朱晓锐,李昂阳,庄伟坚. Владелец: STMicroelectronics Shenzhen R&D Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-22.

一种NAND Flash芯片掉电保护电路及保护方法

Номер патента: CN112652348A. Автор: 杨彬,邓玉良,朱晓锐,李昂阳,庄伟坚. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

一种NAND Flash错误率的分组测试装置

Номер патента: CN111276179. Автор: 王敏,王彦伟,阚宏伟. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-12.

提高slc nand flash存储器重读效率及准确性的方法

Номер патента: CN116434808A. Автор: 胡锦涛. Владелец: Pengti Storage Technology Nanjing Co ltd. Дата публикации: 2023-07-14.

Flash memory device with NAND architecture with reduced capacitive coupling effect

Номер патента: US7394694B2. Автор: Rino Micheloni,Ilaria Motta,Roberto Ravasio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-07-01.

一种NAND Flash错误率的分组测试装置

Номер патента: CN111276179A. Автор: 王敏,王彦伟,阚宏伟. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-12.

一种灵敏放大器、控制方法及Nand Flash

Номер патента: CN112825254A. Автор: 李琪,谢瑞杰,朱长峰. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

一种位线电压的控制电路及Nand Flash

Номер патента: CN110729015A. Автор: 陈俊,舒清明,马思博. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2020-01-24.

一种灵敏放大器、控制方法及Nand Flash

Номер патента: CN112825254. Автор: 李琪,谢瑞杰,朱长峰. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

一种位线电压的控制电路及Nand Flash

Номер патента: CN110729015. Автор: 陈俊,舒清明,马思博. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2020-01-24.

一种nand flash的读操作方法和装置

Номер патента: CN110223724. Автор: 谢瑞杰,朱长峰,马思博. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Method for regulating reading voltage of NAND flash memory device

Номер патента: US09558816B2. Автор: Seung-Hyun Han,Sun-Mo Hwang. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

A kind of method recovering Nand Flash wrong data

Номер патента: CN106205720A. Автор: 印中举. Владелец: Ramaxel Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-07.

Mask ROM cell structure with multi-level data selection by code

Номер патента: US5736771A. Автор: Hon-Shen Huang,Zon-Sheng Wu,Kun-Lu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-04-07.

Memory System with Multi-Level Status Signaling and Method for Operating the Same

Номер патента: US20120182780A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-07-19.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: WO2011002626A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2011-01-06.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: EP2449474A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-05-09.

Low latency SSD read architecture with multi-level error correction codes (ECC)

Номер патента: US12067254B2. Автор: JING Yang,Rekha Pitchumani,Zongwang Li,Marie Mai NGUYEN,Mehran Elyasi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: EP2449474B1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-09-11.

Flash memory device and architecture with multi level cells

Номер патента: US7082056B2. Автор: Ben Wei Chen,Augustine W. Chang. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2006-07-25.

Ferroelectric memory device with multi-level bit cell

Номер патента: EP4421849A1. Автор: Zhixing ZHAO,Dominik M. KLEIMAIER,Stefan Duenkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Ferroelectric memory device with multi-level bit cell

Номер патента: US20240284680A1. Автор: Zhixing ZHAO,Dominik M. KLEIMAIER,Stefan Duenkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: TW201112258A. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-04-01.

Flash memory device with multi-level cells and method of performing operations therein according to a detected writing patter

Номер патента: US09886202B2. Автор: Chan-Ik Park,Seon-Taek Kim,Sung-Up Choi,Won-Moon CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Non-linear polar material based memory bit-cell with multi-level storage by applying different voltage levels

Номер патента: US11545204B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Debo Olaosebikan,Pratyush Pandey. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-01-03.

Data storage with multi-level read destructive memory

Номер патента: US20220404982A1. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Data storage with multi-level read destructive memory

Номер патента: US11868621B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Multi-chassis array with multi-level load balancing

Номер патента: US10574754B1. Автор: QING Yang,Robert Lee,Daniel Talayco,Prabhath Sajeepa. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2020-02-25.

Memory System with Multi-Level Status Signaling and Method for Operating the Same

Номер патента: US20120182780A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-07-19.

Structure and Method for a Forming Free Resistive Random Access Memory with Multi-Level Cell

Номер патента: US20130336041A1. Автор: Tsai Chun-Yang,Ting Yu-Wei,Huang Kuo-Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-19.

MEMORY DEVICES HAVING CROSSPOINT MEMORY ARRAYS THEREIN WITH MULTI-LEVEL WORD LINE AND BIT LINE STRUCTURES

Номер патента: US20190140022A1. Автор: Lee Kwang-Jin,JEONG Ji-Hyun,KANG DAE-HWAN,Kim Du-Eung. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

NON-VOLATILE MEMORY WITH MULTI-LEVEL CELL ARRAY AND ASSOCIATED READ CONTROL METHOD

Номер патента: US20210358543A1. Автор: Ku Wei-Ming,Chang Chia-Fu,LIAO Hung-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

FORMATION OF EMBEDDED MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY DEVICES WITH MULTI-LEVEL BOTTOM ELECTRODE VIA CONTACTS

Номер патента: US20200350494A1. Автор: Yang Chih-Chao,ARNOLD JOHN C.,STANDAERT Theodorus E.,Dutta Ashim. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Memory device with multi-level storage cells and apparatuses, systems and methods including same

Номер патента: US6587372B2. Автор: Greg A. Blodgett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-01.

Memory System With Multi-level Status Signaling And Method For Operating The Same

Номер патента: CN102483729A. Автор: S.程. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2012-05-30.

一种基于SOC通用测试平台的Nand Flash测试方法

Номер патента: CN114220472. Автор: 耿敏敏. Владелец: Shanghai Xianfang Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

一种调整nand flash频率的方法及装置

Номер патента: CN112799980. Автор: 李骊,申红磊. Владелец: Beijing HJIMI Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-14.

闪存Nand Flash的动态测试方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN111816240. Автор: 杨彬,邓玉良,方晓伟,朱晓锐,殷中云,庄伟坚. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-23.

Dynamic Management of a NAND Flash Memory

Номер патента: US20190228827A1. Автор: Po-Chien Chang,Jia-Jyun Syu,Bo-Shian Hsu. Владелец: Goke US Research Laboratory. Дата публикации: 2019-07-25.

一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法

Номер патента: CN114121137A. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法

Номер патента: CN114121137. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

测试Nand-flash坏块的控制方法及控制系统

Номер патента: CN113270136. Автор: 陈月玲,刘宇洋,唐畅,谢启友. Владелец: Hunan Bojiang Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

一种实现nand flash电流测试的系统及方法

Номер патента: CN117558333. Автор: 徐晖,王嵩,刘晓健,秦东润,康雷. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

一种通用的Nand Flash比特位反转纠错方法

Номер патента: CN111061592. Автор: 张鹏,李�杰,赵波,于俊杰,栾晓娜,马宗峰. Владелец: Shandong Institute of Space Electronic Technology. Дата публикации: 2020-04-24.

一种基于Matlab的Nand Flash测试系统及方法

Номер патента: CN108109670A. Автор: 魏超,刘升. Владелец: Xi'an Qiwei Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-01.

NAND Flash颗粒模拟装置、读写方法和系统

Номер патента: CN117497036. Автор: 陆震熙. Владелец: Shenzhen Dapu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-02.

Nand Flash封装方法及封装装置

Номер патента: CN117042470. Автор: 付文明,弗兰克·陈,石环,熊小明. Владелец: Zhiyu Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-11-10.

Nand Flash的数据纠错方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN111813591. Автор: 邓玉良,苏通,唐越,朱晓锐,陈佩纯,殷中云. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-23.

一种基于SOC通用测试平台的Nand Flash测试方法

Номер патента: CN114220472A. Автор: 耿敏敏. Владелец: Shanghai Xianfang Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

Nand Flash封装方法及封装装置

Номер патента: CN117042470A. Автор: 付文明,弗兰克·陈,石环,熊小明. Владелец: Zhiyu Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-11-10.

一种nand flash芯片读写寿命的快速测试方法

Номер патента: CN112466387. Автор: 刘洋,申珅,范源泉. Владелец: Wuhan Zhongyuan Electronic Information Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

Nand Flash坏块检测方法及装置、存储介质、终端、烧录器

Номер патента: CN112382330. Автор: 陈文超. Владелец: Spreadtrum Xiamen Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

3D NAND Flash存储器的测试算法及其装置

Номер патента: CN111653305. Автор: 刘飞,霍宗亮,王颀,张桔萍. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-09-11.

测试Nand-flash坏块的控制方法及控制系统

Номер патента: CN113270136A. Автор: 陈月玲,刘宇洋,唐畅,谢启友. Владелец: Hunan Bojiang Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

一种基于FPGA的高可靠性NAND-Flash控制器及其数据处理方法

Номер патента: CN117891759B. Автор: 殷晓斌,胡易成,解歆钰. Владелец: Sanya Institute Of Oceanography Ocean University Of China. Дата публикации: 2024-07-02.

固态硬盘的Nand Flash测试方法、装置及固态硬盘

Номер патента: CN118098326. Автор: 陈力,薛红军,刘婧天,秘慧洁. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

一种基于FPGA的高可靠性NAND-Flash控制器及其数据处理方法

Номер патента: CN117891759. Автор: 殷晓斌,胡易成,解歆钰. Владелец: Sanya Institute Of Oceanography Ocean University Of China. Дата публикации: 2024-04-16.

固态硬盘的Nand Flash测试方法、装置及固态硬盘

Номер патента: CN118098326A. Автор: 陈力,薛红军,刘婧天,秘慧洁. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Nand flash存储器的数字验证方法及系统

Номер патента: CN114242153. Автор: 田淼. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-25.

一种nand flash类芯片测试系统

Номер патента: CN109448776. Автор: 赵俊,范旭阳,姜胜林,张薄军,罗朝凤. Владелец: Shenzhen Kingcos Automation Robot Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-08.

一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法

Номер патента: CN114121137B. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-10.

NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189788A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

NAND flash memory device

Номер патента: US9627082B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of Operating a NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189789A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of operating a NAND flash memory device

Номер патента: US9620231B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

一种调整nand flash频率的方法及装置

Номер патента: CN112799980A. Автор: 李骊,申红磊. Владелец: Beijing HJIMI Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-14.

一种Nand flash元件及其低格控制方法和装置

Номер патента: CN108231124A. Автор: 庄开锋. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-06-29.

一种用于加密Nand Flash仿真模型的注错系统及方法

Номер патента: CN115080330. Автор: 沈力,王建利,姚香君,夏丽媛. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

多变量的Nand Flash Ecc变化预测方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117594109. Автор: 李晓强,吴大畏,潘治锟. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-02-23.

一种nand flash的ecc功能测试方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN116913359. Автор: 王海程,陈宗廷,朱放中. Владелец: Shenzhen Dawei Chuangxin Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-10-20.

一种nand flash的ecc功能测试方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN116913359A. Автор: 王海程,陈宗廷,朱放中. Владелец: Shenzhen Dawei Chuangxin Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-10-20.

一种NAND Flash时序测试方法

Номер патента: CN110797076. Автор: 刘琦,韦亚一,董立松. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-02-14.

一种NAND Flash存储器读阈值电压修复方法

Номер патента: CN110706735. Автор: 刘琦,韦亚一,董立松. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-01-17.

一种通用的Nand Flash比特位反转纠错方法

Номер патента: CN111061592B. Автор: 张鹏,李�杰,赵波,于俊杰,栾晓娜,马宗峰. Владелец: Shandong Institute of Space Electronic Technology. Дата публикации: 2023-10-20.

一种实现nand flash电流测试的系统及方法

Номер патента: CN117558333A. Автор: 徐晖,王嵩,刘晓健,秦东润,康雷. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Nand Flash坏块检测方法及装置、存储介质、终端、烧录器

Номер патента: CN112382330B. Автор: 陈文超. Владелец: Xiamen Ziguang Zhanrui Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-09.

Nand Flash的数据纠错方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN111813591B. Автор: 邓玉良,苏通,唐越,朱晓锐,陈佩纯,殷中云. Владелец: STMicroelectronics Shenzhen R&D Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-29.

Error mitigation for 3d nand flash memory

Номер патента: US20180068726A1. Автор: Seung-Hwan Song,Zvonimir Z. Bandic,Viacheslav Anatolyevich DUBEYKO. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Nand Flash坏块检测方法及装置、存储介质、终端、烧录器

Номер патента: CN112382330A. Автор: 陈文超. Владелец: Spreadtrum Xiamen Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

一种提高NAND Flash读写操作验证效率的方法和系统

Номер патента: CN115394341. Автор: 王雷. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

基于3d nand flash存储阵列的tcam及其操作方法

Номер патента: CN115273924. Автор: 黄鹏,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,项亚臣,韩润泽,杨昊璋. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-01.

一种Nand Flash测试方法、系统及装置

Номер патента: CN111508550A. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-07.

一种Nand Flash测试方法、系统及装置

Номер патента: CN111508550. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-07.

NAND Flash颗粒模拟装置、读写方法和系统

Номер патента: CN117497036A. Автор: 陆震熙. Владелец: Shenzhen Dapu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-02.

一种nand flash芯片读写寿命的快速测试方法

Номер патента: CN112466387B. Автор: 刘洋,申珅,范源泉. Владелец: Wuhan Zhongyuan Electronic Information Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Nand flash存储器的数字验证方法及系统

Номер патента: CN114242153A. Автор: 田淼. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-25.

测试nand flash ecc纠错功能的方法

Номер патента: CN115394342. Автор: 何奇,黄俊斌,刘怡雄. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

Nand Flash页面数据纠错方法及系统

Номер патента: CN115019870. Автор: 孙飞,陶俊. Владелец: Shanghai Yingcun Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

测试nand flash ecc纠错功能的方法

Номер патента: CN115394342A. Автор: 何奇,黄俊斌,刘怡雄. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

一种NAND Flash存储架构及存储方法

Номер патента: CN112365916. Автор: 温靖康,南钟基. Владелец: XTX Technology Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2021-02-12.

时序控制全数字DLL控制电路、NAND FLash控制器控制方法

Номер патента: CN106374916B. Автор: 杨燕,李卓,李英祥. Владелец: Shenzhen Fuxintong Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-08-18.

一种Nand flash元件及其低格控制方法和装置

Номер патента: CN108231124B. Автор: 庄开锋. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-06.

多变量的Nand Flash Ecc变化预测方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117594109A. Автор: 李晓强,吴大畏,潘治锟. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-02-23.

一种用于加密Nand Flash仿真模型的注错系统及方法

Номер патента: CN115080330A. Автор: 沈力,王建利,姚香君,夏丽媛. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

一种统计nand flash busy时间的装置和方法

Номер патента: CN110993012. Автор: 王彬,曹成,朱苏雁. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-10.

基于3d nand flash存储阵列的tcam及其操作方法

Номер патента: CN115273924A. Автор: 黄鹏,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,项亚臣,韩润泽,杨昊璋. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-01.

基于3d nand flash存储阵列的tcam及其操作方法

Номер патента: CN111462792. Автор: 黄鹏,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,项亚臣,韩润泽,杨昊璋. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-07-28.

Method and system for improving read-write operation verification efficiency of NAND Flash

Номер патента: CN115394341A. Автор: 王雷. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

Nand Flash页面数据纠错方法及系统

Номер патента: CN115019870A. Автор: 孙飞,陶俊. Владелец: Shanghai Yingcun Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

一种测试Nand flash生命周期的方法

Номер патента: CN106205737A. Автор: 张翔,李振华,叶欣,孙成思,孙日欣,黄善勇,邝祖智. Владелец: Shenzhen Bai Dimensional Storage Polytron Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-07.

Nand flash memory and method for managing data thereof

Номер патента: US20110099435A1. Автор: Kai-Ping Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

一种SSD中优化NAND Flash读参考电压的方法

Номер патента: CN111192620B. Автор: 刘凯,曹成,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-08.

Serial NAND flash with XIP capability

Номер патента: US12086615B2. Автор: Chun-Lien Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

一种nand-flash的块修复方法及装置

Номер патента: CN108573735A. Автор: 苏志强. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

一种nand flash存储器并行测试及坏块回写方法

Номер патента: CN112530508. Автор: 杨超,张金凤,马成英. Владелец: Beijing Zhenxing Metrology and Test Institute. Дата публикации: 2021-03-19.

Nand-flash page位翻转控制方法及控制模块

Номер патента: CN111737042. Автор: 王磊,张亚兵,吴纪铎. Владелец: DIAS Automotive Electronic Systems Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-02.

一种SSD中优化NAND Flash读参考电压的方法

Номер патента: CN111192620. Автор: 刘凯,曹成,王璞. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-22.

基于nand flash存储器的纠错方法及装置

Номер патента: CN110750381. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

Method, device and operating system for processing and using burn data of NAND flash

Номер патента: US09524212B2. Автор: Tao Zhou. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2016-12-20.

一种NAND Flash固态存储自适应差错控制方法

Номер патента: CN109087683. Автор: 张婷,王祖良. Владелец: Xijing University. Дата публикации: 2018-12-25.

一种具有检错纠错机制的NAND Flash控制器

Номер патента: CN109036493. Автор: 王晓东,杨欢,郭阳明,艾江红. Владелец: Northwestern Polytechnical University. Дата публикации: 2018-12-18.

Nand flash memory controller and storage apparatus applying the same

Номер патента: US20200075107A1. Автор: Shih-Fu Huang,Cheng-Yu Chen,Shu-Min Lin,Jo-Hua WU. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

一种统计nand flash busy时间的装置和方法

Номер патента: CN110993012B. Автор: 王彬,曹成,朱苏雁. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Method for optimizing polar-RNNA quantizer of MLC-type NAND flash memory on basis of deep learning

Номер патента: US11966587B2. Автор: FENG CHEN,Yi Fang,Xu Luo,Zhijian Lin,Pingping CHEN,Zhen Mei,Riqing CHEN. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-23.

Command Queuing Smart Storage Transfer Manager for Striping Data to Raw-NAND Flash Modules

Номер патента: US20090204872A1. Автор: Abraham C. Ma,Charles C. Lee,Frank Yu. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

Method for optimizing polar-rnna quantizer of mlc-type nand flash memory on basis of deep learning

Номер патента: US20230127404A1. Автор: FENG CHEN,Yi Fang,Xu Luo,Zhijian Lin,Pingping CHEN,Zhen Mei,Riqing CHEN. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-27.

基于nand flash存储器的纠错方法及装置

Номер патента: CN110750381A. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

NAND flash memory with reduced planar size

Номер патента: US11778819B2. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

一种nand flash存储器并行测试及坏块回写方法

Номер патента: CN112530508B. Автор: 杨超,张金凤,马成英. Владелец: Beijing Zhenxing Metrology and Test Institute. Дата публикации: 2023-10-20.

基于nand flash存储器的纠错方法及装置

Номер патента: WO2021047472A1. Автор: 董时舫. Владелец: 百富计算机技术（深圳）有限公司. Дата публикации: 2021-03-18.

串口型nand flash数据清零处理方法及系统

Номер патента: CN109656580. Автор: 袁满. Владелец: Shenzhen Skyworth Digital Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-19.

用于NAND Flash测试电路和测试方法

Номер патента: CN112071354A. Автор: 李斌. Владелец: Shenzhen Hongwang Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2020-12-11.

一种基于NAND Flash的坏块管理方法

Номер патента: CN113921071. Автор: 高美洲,季亚男. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-11.

一种SSD中提升NAND Flash读稳定性的方法

Номер патента: CN112114747. Автор: 刘凯,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-22.

一种基于NAND Flash的坏块管理方法

Номер патента: CN113921071A. Автор: 高美洲,季亚男. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-11.

Nand flash memory and reading method thereof

Номер патента: US20180053568A1. Автор: Kazuki Yamauchi,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

串口型nand flash数据清零处理方法及系统

Номер патента: CN109656580A. Автор: 袁满. Владелец: Shenzhen Skyworth Digital Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-19.

一种用于NAND Flash不良区块的查找方法、固态硬盘

Номер патента: CN109243517A. Автор: 廖启宏,张佑全,王荣諆. Владелец: Li Ding Technology (shenzhen) Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-18.

基于寿命测试的NAND Flash磨损均衡方法

Номер патента: CN117809724. Автор: 邹飞,邱杰,黄泽诚. Владелец: Sichuan Yunhai Core Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

基于寿命测试的NAND Flash磨损均衡方法

Номер патента: CN117809724A. Автор: 邹飞,邱杰,黄泽诚. Владелец: Sichuan Yunhai Core Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

一种NAND Flash控制器多命令混合测试方法

Номер патента: CN115440294. Автор: 唐汉钊,徐源长. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

用于NAND Flash测试电路和测试方法

Номер патента: CN112071354. Автор: 李斌. Владелец: Shenzhen Hongwang Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2020-12-11.

用于NAND Flash闪存纠错的并行BCH解码方法

Номер патента: CN110908827. Автор: 何全,周津,曾永红. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2020-03-24.

一种基于NAND Flash的坏块管理方法

Номер патента: CN113921071B. Автор: 高美洲,季亚男. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-08.

一种用于NAND Flash不良区块的查找方法、固态硬盘

Номер патента: CN109243517. Автор: 廖启宏,张佑全,王荣諆. Владелец: Li Ding Technology (shenzhen) Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-18.

一种Nand Flash坏块的使用方法

Номер патента: CN108231133A. Автор: 郭芳芳,李招远. Владелец: Ramaxel Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-29.

SDRAM memory device with an embedded NAND flash controller

Номер патента: US20050027928A1. Автор: Meir Avraham,Dan Inbar,Ziv Paz. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Systems and methods for booting from nand flash using squashfs to maximize memory

Номер патента: WO2021158438A1. Автор: David L. Berger,Richard P. Rementilla,Walter H. Anderes. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Sdram memory device with an embedded nand flash controller

Номер патента: EP1649378A2. Автор: Meir Avraham,Dan Inbar,Ziv Paz. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2006-04-26.

Sdram memory device with an embedded nand flash controller

Номер патента: EP1649378A4. Автор: Meir Avraham,Dan Inbar,Ziv Paz. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2006-08-23.

Systems and methods for booting from NAND flash using squashfs to maximize memory

Номер патента: US11934680B2. Автор: David L. Berger,Richard P. Rementilla,Walter H. Anderes. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

一种SSD中提升NAND Flash读稳定性的方法

Номер патента: CN112114747B. Автор: 刘凯,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-09.

一种3D Nand Flash扫描检测方法和系统

Номер патента: CN107481764A. Автор: 龙承东. Владелец: SHENZHEN CHIPSBANK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-15.

一种SSD中提升NAND Flash读稳定性的方法

Номер патента: CN112114747A. Автор: 刘凯,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-22.

Low-leakage row decoder and memory structure incorporating the low-leakage row decoder

Номер патента: US11769545B2. Автор: Shivraj G. Dharne,Vivek Raj,Vinayak R. Ganji. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

SRAM architecture with bitcells of varying speed and density

Номер патента: US09953701B1. Автор: Lalit Gupta,Fakhruddin Ali Bohra,Shri Sagar Dwivedi,Jitendra Dasani. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit memory devices having main and section row decoders for providing improved burst mode operation

Номер патента: US5859802A. Автор: Jin-ho Lee,Hee-Chul Pack. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-01-12.

Memory row decoder

Номер патента: US20080101148A1. Автор: Cheng-Sheng Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-01.

Method of Forming a PMR Writer Device with Multi-Level Tapered Write Pole

Номер патента: US20130001190A1. Автор: Yan Wu,Moris Dovek,Zhigang Bai,Kowang Liu. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

PMR Writer Device with Multi-Level Tapered Write Pole

Номер патента: US20140177103A1. Автор: Bai Zhigang,Wu Yan,Dovek Moris,LIU Kowang. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

SMR DRIVE WITH MULTI-LEVEL WRITE-CACHE FOR HIGH RANDOM-WRITE PERFORMANCE

Номер патента: US20180260332A1. Автор: DUNN Eric R.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

PMR writer device with multi-level tapered write pole

Номер патента: US20100277832A1. Автор: Yan Wu,Moris Dovek,Zhigang Bai,Kowang Liu. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Magnetic recording system with multi-level write current

Номер патента: TWI536374B. Автор: 波里斯 利福西,羅斯 威爾森,傑森 哥德柏. Владелец: 安華高科技通用Ｉｐ（新加坡）公司. Дата публикации: 2016-06-01.

Measurement instrument with multi-level user interface

Номер патента: RU2411001C2. Автор: Барри Д. ПАУЭР,Джеффри А. КАЛВЕР. Владелец: Байер Хелткэр Ллк. Дата публикации: 2011-02-10.

Reconfigurable computing system with multi-level monitoring subsystem and automatic control

Номер патента: RU2748454C1. Автор: Аркадий Васильевич Симонов,Константин Игоревич Воротников,Ольга Анатольевна Будкина,Федор Вячеславович Демин,Виктор Викторович Парамонов,Александр Георгиевич Титов,Александр Альбертович Цыбов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт "Квант". Дата публикации: 2021-05-25.

Acoustical holography with multi-level square wave excitation signals

Номер патента: US09639056B2. Автор: Dirk Lange,Stephan Falter,James Norman Barshinger,Mark Howard FEYDO,Werner Lammerich. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-05-02.

Compact hardware electronic media of information with multi-level regulation of access to separate memory sections

Номер патента: RU2635027C1. Автор: Алексей Геннадьевич Сабанов,Сергей Львович Груздев,Антон Викторович Крячков,Константин Олегович Демченко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Аладдин Р.Д.". Дата публикации: 2017-11-08.

Acoustical holography with multi-level square wave excitation signals

Номер патента: EP3047265A1. Автор: Dirk Lange,Stephan Falter,James Norman Barshinger,Mark Howard FEYDO,Werner Lammerich. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-07-27.

Acoustical holography with multi-level square wave excitation signals

Номер патента: WO2015041764A1. Автор: Dirk Lange,Stephan Falter,James Norman Barshinger,Mark Howard FEYDO,Werner Lammerich. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-03-26.

Translation lookaside buffer (tlb) prefetcher with multi- level tlb prefetches and feedback architecture

Номер патента: US20230418763A1. Автор: John Ingalls,Benoy Alexander,Mohit Gopal Wani. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor assemblies with multi-level substrates and associated methods of manufacturing

Номер патента: US20140141572A1. Автор: Chin Hui Chong,Hong Wan Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Active filter with multi-level topology

Номер патента: RU2453963C2. Автор: Клаус ВЮРФЛИНГЕР,Инго ОЙЛЕР,Йорг ДОРН,Мике ДОММАШК,Йорг ЛАНГ,Квок-Буу ТУ,Карстен ВИТТШТОК,Тобиас БЕРНХАРД,Франц КАРЛЕЦИК-МАЙЕР,Джон-Уилльям ШТРАУСС. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2012-06-20.

Evaluation logic of an X-ray detector with multi-level multiplexer

Номер патента: US09945964B2. Автор: Michael HOSEMANN,Edgar Göderer,Thomas SUTTORP. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2018-04-17.

Social media with multi-level relationships

Номер патента: US09894170B2. Автор: Xiaozhi YAN,Yue Peter Zhao. Владелец: SuccessFactors Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Evaluation logic of an x-ray detector with multi-level multiplexer

Номер патента: US20170038479A1. Автор: Michael HOSEMANN,Edgar Göderer,Thomas SUTTORP. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2017-02-09.

Direct memory access architecture with multi-level multi-striding

Номер патента: US20210255976A1. Автор: Thomas Norrie,Matthew William Ashcraft,Mark William Gottscho,Oliver Edward Bowen. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-08-19.

Direct memory access architecture with multi-level multi-striding

Номер патента: EP4022450A1. Автор: Thomas Norrie,Matthew William Ashcraft,Mark William Gottscho,Oliver Edward Bowen. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-07-06.

Direct memory access architecture with multi-level multi-striding

Номер патента: US20240070098A1. Автор: Thomas Norrie,Matthew William Ashcraft,Mark William Gottscho,Oliver Edward Bowen. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Application gateway architecture with multi-level security policy and rule promulgations

Номер патента: US09979751B2. Автор: Robert Laird,Gregory Beckman,Alain Gagne. Владелец: Open Text SA ULC. Дата публикации: 2018-05-22.

Hosted application gateway architecture with multi-level security policy and rule promulgations

Номер патента: US09747466B2. Автор: Robert Laird,Gregory Beckman,Geoffrey Michael Obbard. Владелец: Open Text SA ULC. Дата публикации: 2017-08-29.

Malware detection with multi-level, ensemble artificial intelligence using bidirectional long short-term memory recurrent neural networks and natural language processing

Номер патента: US12095789B2. Автор: Sneha MEHTA,Sujatha Balaji,Ramachandran Periyasamy. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Increased cache performance with multi-level queues of complete tracks

Номер патента: US09665493B2. Автор: David B. Whitworth,Lokesh M. Gupta,Kevin J. Ash,Boyan ZHAO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Extended data grid components with multi-level navigation

Номер патента: US11769002B2. Автор: Blake Sullivan,Hendrik Van Den Broek,Chadwick Chow,Chris RULLAN,Max Starets. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

A gas sensor with multi-level sensitivity circuitry

Номер патента: CA2238464A1. Автор: Robert L. Newman,John S. Duesler. Владелец: CTS Corp. Дата публикации: 1998-12-11.

Neural text-to-speech synthesis with multi-level text information

Номер патента: US12094447B2. Автор: Lei He,Huaiping MING. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Neural text-to-speech synthesis with multi-level text information

Номер патента: EP3895157A1. Автор: Lei He,Huaiping MING. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-10-20.

System for generating paper and digital resource distribution documents with multi-level secure authorization requirements

Номер патента: US20180300692A1. Автор: Joseph Benjamin Castinado,Manu Jacob Kurian. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Robotics and computing learning platform with multi-level processing architecture

Номер патента: US20210225197A1. Автор: Paul Austin,Rohit Srinivasan,Sidharth Srinivasan. Владелец: Trashbots Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Real estate listing, matching, and transactions with multi-level verification using blockchain

Номер патента: US20240202846A1. Автор: James Wang. Владелец: Reai Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Robotics and computing learning platform with multi-level processing architecture

Номер патента: US20200051458A1. Автор: Paul Austin,Rohit Srinivasan,Sidharth Srinivasan. Владелец: Trashbots Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Direct memory access architecture with multi-level multi-striding

Номер патента: US20210255976A1. Автор: Thomas Norrie,Matthew William Ashcraft,Mark William Gottscho,Oliver Edward Bowen. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-08-19.

Direct memory access architecture with multi-level multi-striding

Номер патента: US11762793B2. Автор: Thomas Norrie,Matthew William Ashcraft,Mark William Gottscho,Oliver Edward Bowen. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Game with multi-level game board

Номер патента: US20030085518A1. Автор: Jonathan Bedford. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Hardware-assisted privacy protection using a secure user interface with multi-level access control of sensor data

Номер патента: US11494519B2. Автор: Prashant Dewan,Sudeep DIVAKARAN,Ranjit Sivaram Narjala. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Malware Detection with Multi-level, Ensemble Artificial Intelligence using Bidirectional Long Short-Term Memory Recurrent Neural Networks and Natural Language Processing

Номер патента: US20230063913A1. Автор: Sneha MEHTA,Sujatha Balaji,Ramachandran Periyasamy. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Hardware-assisted privacy protection using a secure user interface with multi-level access control of sensor data

Номер патента: US20190325154A1. Автор: Prashant Dewan,Sudeep DIVAKARAN,Ranjit Sivaram Narjala. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Hardware-assisted privacy protection using a secure user interface with multi-level access control of sensor data

Номер патента: US20220083678A1. Автор: Prashant Dewan,Sudeep DIVAKARAN,Ranjit Sivaram Narjala. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Malware detection with multi-level, ensemble artificial intelligence using bidirectional long short-term memory recurrent neural networks and natural language processing

Номер патента: US12021895B2. Автор: Sneha MEHTA,Sujatha Balaji,Ramachandran Periyasamy. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Level meter with multi-level luminescence devices and signal console employing same

Номер патента: US20020186849A1. Автор: Thomas Duffy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Application Gateway Architecture with Multi-Level Security Policy and Rule Promulgations

Номер патента: US20230308489A1. Автор: Robert Laird,Gregory Beckman,Alain Gagne. Владелец: Open Text SA ULC. Дата публикации: 2023-09-28.

Bypassing cache memory in a write transaction in a system with multi-level memory

Номер патента: US20190272236A1. Автор: Yanru Li,Ali Taha,Chia-Hung S. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Discretely controlled micromirror with multi-level position and its array thereof

Номер патента: TWI307458B. Автор: Tae Hyeon Kim,Woo Gim Dong,Soo Seo Cheong,Il Cho Gyoung. Владелец: Stereo Display Inc. Дата публикации: 2009-03-11.

Discretely controlled micromirror with multi-level positions

Номер патента: IL180103A0. Автор: . Владелец: Stereo Display Inc. Дата публикации: 2007-05-15.

Discretely controlled micromirror with multi-level positions

Номер патента: CA2571329A1. Автор: Cheong Soo Seo,Gyoung Il Cho,Tae Hyeon Kim,Dong Woo Gim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Computer aided traffic enforcement using dense correspondence estimation with multi-level metric learning and hierarchical matching

Номер патента: US20190065868A1. Автор: Manmohan Chandraker,Paul Vernaza,Quoc-Huy Tran,Muhammad Zeeshan Zia,Mohammed E.F. Salem. Владелец: NEC Laboratories America Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods and systems for cockpit speech recognition acoustic model training with multi-level corpus data augmentation

Номер патента: US20200335084A1. Автор: WEI YANG,Luning WANG,Zhiyong Dai. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

HOSTED APPLICATION GATEWAY ARCHITECTURE WITH MULTI-LEVEL SECURITY POLICY AND RULE PROMULGATIONS

Номер патента: US20150088934A1. Автор: Beckman Gregory,Laird Robert,Obbard Geoffrey Michael. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

HOSTED APPLICATION GATEWAY ARCHITECTURE WITH MULTI-LEVEL SECURITY POLICY AND RULE PROMULGATIONS

Номер патента: US20190228177A1. Автор: Beckman Gregory,Laird Robert,Obbard Geoffrey Michael. Владелец: Open Text SA ULC. Дата публикации: 2019-07-25.

APPLICATION GATEWAY ARCHITECTURE WITH MULTI-LEVEL SECURITY POLICY AND RULE PROMULGATIONS

Номер патента: US20180248915A1. Автор: Beckman Gregory,Laird Robert,Gagne Alain. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

HOSTED APPLICATION GATEWAY ARCHITECTURE WITH MULTI-LEVEL SECURITY POLICY AND RULE PROMULGATIONS

Номер патента: US20170316224A1. Автор: Beckman Gregory,Laird Robert,Obbard Geoffrey Michael. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

LOW LATENCY SSD READ ARCHITECTURE WITH MULTI-LEVEL ERROR CORRECTION CODES (ECC)

Номер патента: US20220374152A1. Автор: Li Zongwang,Yang Jing,Pitchumani Rekha,Elyasi Mehran,NGUYEN Marie Mai. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

Discretely controlled micromirror with multi-level position

Номер патента: TW200611089A. Автор: Cheong-Soo Seo,Tae-Hyeon Kim,Gyoung-Il Cho,Dong-Woo Gim. Владелец: Stereo Display Inc. Дата публикации: 2006-04-01.

Discretely controlled micromirror with multi-level positions

Номер патента: WO2006009689A1. Автор: Cheong Soo Seo,Gyoung Il Cho,Tae Hyeon Kim,Dong Woo Gim. Владелец: Angstrom, Inc.. Дата публикации: 2006-01-26.

Container with Multi-level Shielded Compartments

Номер патента: US20070142103A1. Автор: Oren Livne. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-21.

Network devices with multi-level electrical isolation

Номер патента: US09851770B1. Автор: Qin Zhang,Gongen Gu,Calvin Xu. Владелец: Anewcom Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Multi-threaded processor context switching with multi-level cache

Номер патента: US9063794B2. Автор: Yoshihiro Koga,Teruyuki Morita,Kouji Nakajima. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2015-06-23.

Multi-player bingo game with multi-level award amount pattern mapping

Номер патента: US20050059468A1. Автор: Lee Cannon. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2005-03-17.

FLASH MEMORY DEVICE WITH MULTI-LEVEL CELLS AND METHOD OF WRITING DATA THEREIN

Номер патента: US20130173857A1. Автор: Cheon Won-Moon,Kim Seon-Taek,Park Chan-Ik,Choi Sung-up. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

Processor with multi-level looping vector coprocessor

Номер патента: US20130185540A1. Автор: Peter Chang,Jagadeesh Sankaran,Ching-Yu Hung,Shinri Inamori. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Wagering Game With Multi-Level Progressive Game

Номер патента: US20130274005A1. Автор: Englman Allon G.,Gomez Benjamin T.,Mastropietro Michael W.,Rose Bradley A.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

VARIABLE REFRIGERANT FLOW SYSTEM WITH MULTI-LEVEL MODEL PREDICTIVE CONTROL

Номер патента: US20180004173A1. Автор: Wenzel Michael J.,Lenhardt Brett M.,Patel Nishith R.,Turney Robert D.,Ellis Matthew J.. Владелец: Johnson Controls Technology Company. Дата публикации: 2018-01-04.

Wagering Game With Multi-Level Progressive Game

Номер патента: US20150011307A1. Автор: Englman Allon G.,Gomez Benjamin T.,Mastropietro Michael W.,Rose Bradley A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

Method of generating multiple identifications with multi-level security for network-connected devices

Номер патента: US20180019988A1. Автор: Hungwen Li. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Building hvac system with multi-level model predictive control

Номер патента: US20210034024A1. Автор: Michael J. Wenzel,Robert D. Turney,Brett M. Lenhardt,Matthew J. Ellis,Nishith R. PATEL. Владелец: Johnson Controls Technology Co. Дата публикации: 2021-02-04.

Evaluation logic of an x-ray detector with multi-level multiplexer

Номер патента: US20170038479A1. Автор: Michael HOSEMANN,Edgar Göderer,Thomas SUTTORP. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2017-02-09.

OBJECT STORAGE SYSTEM WITH MULTI-LEVEL HASHING FUNCTION FOR STORAGE ADDRESS DETERMINATION

Номер патента: US20190042440A1. Автор: Kumar Mohan J.,Chagam Reddy Anjaneya R.. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

BUILDING HVAC SYSTEM WITH MULTI-LEVEL MODEL PREDICTIVE CONTROL

Номер патента: US20200041966A1. Автор: Wenzel Michael J.,Lenhardt Brett M.,Patel Nishith R.,Turney Robert D.,Ellis Matthew J.. Владелец: Johnson Controls Technology Company. Дата публикации: 2020-02-06.

ROBOTICS AND COMPUTING LEARNING PLATFORM WITH MULTI-LEVEL PROCESSING ARCHITECTURE

Номер патента: US20200051458A1. Автор: Austin Paul,Srinivasan Rohit,Srinivasan Sidharth. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

DENSE THREE-DIMENSIONAL CORRESPONDENCE ESTIMATION WITH MULTI-LEVEL METRIC LEARNING AND HIERARCHICAL MATCHING

Номер патента: US20200058156A1. Автор: Chandraker Manmohan,Tran Quoc-Huy,Zia Muhammad Zeeshan,Vernaza Paul,Fathy Salem Mohammed E.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

HARDWARE-ASSISTED PRIVACY PROTECTION USING A SECURE USER INTERFACE WITH MULTI-LEVEL ACCESS CONTROL OF SENSOR DATA

Номер патента: US20220083678A1. Автор: Dewan Prashant,Divakaran Sudeep,Narjala Ranjit Sivaram. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-03-17.

COMPUTER AIDED TRAFFIC ENFORCEMENT USING DENSE CORRESPONDENCE ESTIMATION WITH MULTI-LEVEL METRIC LEARNING AND HIERARCHICAL MATCHING

Номер патента: US20190065868A1. Автор: Chandraker Manmohan,Tran Quoc-Huy,Salem Mohammed E.F.,Zia Muhammad Zeeshan,Vernaza Paul. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

DENSE CORRESPONDENCE ESTIMATION WITH MULTI-LEVEL METRIC LEARNING AND HIERARCHICAL MATCHING

Номер патента: US20190066373A1. Автор: Chandraker Manmohan,Tran Quoc-Huy,Salem Mohammed E.F.,Zia Muhammad Zeeshan,Vernaza Paul. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

ACOUSTICAL HOLOGRAPHY WITH MULTI-LEVEL SQUARE WAVE EXCITATION SIGNALS

Номер патента: US20150078125A1. Автор: Barshinger James Norman,FALTER Stephan,Lange Dirk,Feydo Mark Howard,Lammerich Werner. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

IN-LINE POLICY MANAGEMENT WITH MULTI-LEVEL OBJECT HANDLE

Номер патента: US20170075909A1. Автор: Voruganti Kaladhar,Srinivasan Sudhir,Pasupathy Shankar,Goodson Garth Richard,Kavuri Ravi Kumar. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

INCREASED CACHE PERFORMANCE WITH MULTI-LEVEL QUEUES OF COMPLETE TRACKS

Номер патента: US20160098295A1. Автор: GUPTA Lokesh M.,Ash Kevin J.,Whitworth David B.,ZHAO Boyan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2016-04-07.

Extended data grid components with multi-level navigation

Номер патента: US20220147701A1. Автор: Blake Sullivan,Hendrik Van Den Broek,Chadwick Chow,Chris RULLAN,Max Starets. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

VARIABLE FOCAL LENGTH LENS SYSTEM WITH MULTI-LEVEL EXTENDED DEPTH OF FIELD IMAGE PROCESSING

Номер патента: US20180143419A1. Автор: Bryll Robert Kamil,NAGAHAMA Tatsuya. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

Automated Security Analytics Platform with Multi-Level Representation Conversion for Space Efficiency and Incremental Persistence

Номер патента: US20160182551A1. Автор: Kolbly Donovan. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

SOCIAL MEDIA WITH MULTI-LEVEL RELATIONSHIPS

Номер патента: US20160182659A1. Автор: Zhao Yue,Peter,YAN Xiaozhi. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

ENHANCED SMARTCARD READER WITH MULTI-LEVEL READING CONTACTS

Номер патента: US20140270170A1. Автор: Beals William Michael,LaPalme Jerome A.. Владелец: EchoStar Technologies L.L.C.. Дата публикации: 2014-09-18.

CENTRAL PLANT CONTROL SYSTEM WITH MULTI-LEVEL NON-GRANULAR ASSET ALLOCATION

Номер патента: US20210208547A1. Автор: Wenzel Michael J.,Ellis Matthew J.,Przybylski Andrew J.,Burroughs John H.. Владелец: Johnson Controls Technology Company. Дата публикации: 2021-07-08.

TABLE GRID WITH MULTI-LEVEL HEADER AND VALUE

Номер патента: US20210209559A1. Автор: Prasad Abhishek,A N R Sri Hari,Jagatram Devesh. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

ROBOTICS AND COMPUTING LEARNING PLATFORM WITH MULTI-LEVEL PROCESSING ARCHITECTURE

Номер патента: US20210225197A1. Автор: Austin Paul,Srinivasan Rohit,Srinivasan Sidharth. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Network devices with multi-level electrical isolation

Номер патента: US20180232027A1. Автор: Qin Zhang,Gongen Gu,Calvin Xu. Владелец: Anewcom Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

BYPASSING CACHE MEMORY IN A WRITE TRANSACTION IN A SYSTEM WITH MULTI-LEVEL MEMORY

Номер патента: US20190272236A1. Автор: TAHA Ali,Li Yanru,KUO Chia-Hung S.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

FLASH MEMORY DEVICE WITH MULTI-LEVEL CELLS AND METHOD OF WRITING DATA THEREIN

Номер патента: US20140379970A1. Автор: Cheon Won-Moon,Kim Seon-Taek,Park Chan-Ik,Choi Sung-up. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

SYSTEM FOR GENERATING PAPER AND DIGITAL RESOURCE DISTRIBUTION DOCUMENTS WITH MULTI-LEVEL SECURE AUTHORIZATION REQUIREMENTS

Номер патента: US20180300692A1. Автор: Castinado Joseph Benjamin,Kurian Manu Jacob. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

ROBUST DRIVER WITH MULTI-LEVEL OUTPUT

Номер патента: US20150348491A1. Автор: Chang Tallis Young,Kim Cheonhong,Chan Edward Keat Leem,Vegiraju Murali Krishna Raju. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

HARDWARE-ASSISTED PRIVACY PROTECTION USING A SECURE USER INTERFACE WITH MULTI-LEVEL ACCESS CONTROL OF SENSOR DATA

Номер патента: US20190325154A1. Автор: Dewan Prashant,Divakaran Sudeep,Narjala Ranjit Sivaram. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

METHODS AND SYSTEMS FOR COCKPIT SPEECH RECOGNITION ACOUSTIC MODEL TRAINING WITH MULTI-LEVEL CORPUS DATA AUGMENTATION

Номер патента: US20200335084A1. Автор: Yang Wei,WANG Luning,Dai Zhiyong. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2020-10-22.

FLASH MEMORY DEVICE WITH MULTI-LEVEL CELLS AND METHOD OF WRITING DATA THEREIN

Номер патента: US20150370491A1. Автор: Cheon Won-Moon,Kim Seon-Taek,Park Chan-Ik,Choi Sung-up. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

CMUT SIGNAL SEPARATION WITH MULTI-LEVEL BIAS CONTROL

Номер патента: US20180372691A1. Автор: Zhao Danhua,SIMOPOULOS Constantine. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Central plant control system with multi-level non-granular asset allocation

Номер патента: US20200363776A1. Автор: Michael J. Wenzel,Andrew J. Przybylski,Matthew J. Ellis,John H. Burroughs. Владелец: Johnson Controls Technology Co. Дата публикации: 2020-11-19.

Circuit for yielding gate signal with multi-level in thin film transistor liquid crystal display

Номер патента: KR100617611B1. Автор: 권태혁,이건호,신섭. Владелец: 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사. Дата публикации: 2006-09-01.

High-resolution image landslide automatic detection method with multi-level perception characteristics and progressive self-learning

Номер патента: CN111563408B. Автор: 许飞,谢潇,伍庭晨,张叶廷,刘铭崴. Владелец: Zhejiang Zhonghaida Space Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-04-16.

Wagering game triggering mechanism for use with multi-level progressive game

Номер патента: US20100093422A1. Автор: Benjamin T. Gomez. Владелец: WMS Gaming Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Intelligent Solid-State Non-Volatile Memory Device (NVMD) System With Multi-Level Caching of Multiple Channels

Номер патента: US20080235443A1. Автор: Abraham C. Ma,David Q. Chow,Charles C. Lee,Frank Yu,Ming-Shiang Shen. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2008-09-25.

A system and method with multi-level buffer

Номер патента: EP2093673A1. Автор: Xiaopeng Qin,Xiaohua Zhao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-26.

Variable focal length lens system with multi-level extended depth of field image processing

Номер патента: US10101572B2. Автор: Tatsuya Nagahama,Robert Kamil Bryll. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Method of indicating consumption of utility services with multi-level pricing

Номер патента: CA2579518A1. Автор: Lewis M. Kwit. Владелец: Lewis M. Kwit. Дата публикации: 2007-08-28.

Method for editing graphics objects with multi-level input devices

Номер патента: US20060064640A1. Автор: Clifton Forlines,Chia Shen. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2006-03-23.

Colour document layout analysis with multi-level decomposition

Номер патента: US20090148039A1. Автор: Eric Wai-Shing Chong,Yu-Ling Chen,Steven Richard Irrgang. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Gaming terminal with multi-level progressive jackpot

Номер патента: AU2005200253B2. Автор: Alfred Thomas,Shridhar P. Joshi. Владелец: Bally Gaming Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Game of chance with multi-level frenzy mode and systems for providing the same

Номер патента: US20230098012A1. Автор: Zachary Smith,Hanna Sanborn,Erick Ching,Nathan Warms,Jennifer Mizzi,Rogelio Decasa, JR.,Jeffrey Uss. Владелец: Aristocrat Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

RECEIVER FOR ELECTROMAGNETIC WAVES WITH MULTI-LEVEL ANTENNAS FOR DETERMINING ONE DIRECTION

Номер патента: DE1591027B2. Автор: Bernard Paris Letellier. Владелец: CSF-Compagnie Generale de Telegraphie Sans FiI, Paris. Дата публикации: 1972-08-03.

Enhanced smartcard reader with multi-level reading contacts

Номер патента: EP2973204B1. Автор: William Michael Beals,Jerome A. LaPalme. Владелец: ECHOSTAR TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2016-12-21.

Transportation planning with multi-level pooling model

Номер патента: US20060241990A1. Автор: Mukundan Srinivasan,Rongming Sun,Vinay Yadappanavar. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Game with multi-level game board

Номер патента: CN1582182A. Автор: 乔纳森·贝德福德. Владелец: Mattel Inc. Дата публикации: 2005-02-16.

Remote communication device by inductive coupling with multi-level modulation

Номер патента: WO2004093341A1. Автор: Thierry Thomas,Patrick Villard. Владелец: Commissariat A L'energie Atomique. Дата публикации: 2004-10-28.

Wagering Game With Multi-Level Progressive Game

Номер патента: US20150011307A1. Автор: Benjamin T. Gomez,Allon G. Englman,Bradley A. Rose,Michael W. Mastropietro. Владелец: WMS Gaming Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Network devices with multi-level electrical isolation

Номер патента: US20180232027A1. Автор: Qin Zhang,Gongen Gu,Calvin Xu. Владелец: Anewcom Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Acoustical holography with multi-level square wave excitation signals

Номер патента: EP3047265B1. Автор: Dirk Lange,Stephan Falter,James Norman Barshinger,Mark Howard FEYDO,Werner Lammerich. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-01-15.

Object storage system with multi-level hashing function for storage address determination

Номер патента: EP3547102B1. Автор: Mohan J. Kumar,Anjaneya R. Chagam Reddy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

Neural text-to-speech synthesis with multi-level context features

Номер патента: WO2021050134A1. Автор: Lei He,Shaofei Zhang. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

Game of chance with multi-level frenzy mode and systems for providing the same

Номер патента: US11816960B2. Автор: Zachary Smith,Hanna Sanborn,Erick Ching,Nathan Warms,Jennifer Mizzi,Rogelio Decasa, JR.,Jeffrey Uss. Владелец: Aristocrat Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Building HVAC system with multi-level model predictive control

Номер патента: US11789415B2. Автор: Michael J. Wenzel,Robert D. Turney,Brett M. Lenhardt,Matthew J. Ellis,Nishith R. PATEL. Владелец: Johnson Controls Tyco IP Holdings LLP. Дата публикации: 2023-10-17.

Wagering Game With Multi-Level Progressive Game

Номер патента: US20120289326A1. Автор: Benjamin T. Gomez,Allon G. Englman,Bradley A. Rose,Michael W. Mastropietro. Владелец: WMS Gaming Inc. Дата публикации: 2012-11-15.

Object storage system with multi-level hashing function for storage address determination

Номер патента: US20190042440A1. Автор: Mohan J. Kumar,Anjaneya R. Chagam Reddy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Discretely controlled micromirror with multi-level positions

Номер патента: EP1771762A4. Автор: Cheong Soo Seo,Gyoung Il Cho,Tae Hyeon Kim,Dong Woo Gim. Владелец: Stereo Display Inc. Дата публикации: 2008-01-23.

Discretely controlled micromirror with multi-level positions

Номер патента: EP1771762A1. Автор: Cheong Soo Seo,Gyoung Il Cho,Tae Hyeon Kim,Dong Woo Gim. Владелец: Stereo Display Inc. Дата публикации: 2007-04-11.

Virtual machine snapshot backup method and system based on multi - level row weight

Номер патента: TWI557575B. Автор: Wei Zhang,Hao Jiang,Hong Tang,Yue Zeng,xiao-gang Li. Владелец: Alibaba Group Services Ltd. Дата публикации: 2016-11-11.

Method for using nand flash memory sram in solid state drive controller

Номер патента: US20230152999A1. Автор: CHAOHONG HU,Chun Liu,Jea Woong Hyun,Xin LIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

NAND flash memory system with programmable connections between a NAND flash memory controller and a plurality of NAND flash memory modules and method thereof

Номер патента: US20080294836A1. Автор: Satoshi Sugawa,Fuja Shone,Ching-Chang Chen,Chuang Cheng,Kai-Hsun Lin. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Nand flash的数据处理方法、装置和一种Nand flash

Номер патента: WO2018166258A1. Автор: 朱细平. Владелец: 深圳市江波龙电子有限公司. Дата публикации: 2018-09-20.

Nand flash storage device and methods using non-nand storage cache

Номер патента: US20180314434A1. Автор: Dana L. Simonson. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-11-01.

一种MicroBlaze访问Nand Flash的装置及方法

Номер патента: CN117435530. Автор: 胡志强,陈洲,宫文峰,马雨岚,朱祥路,房海松. Владелец: Hubei Jiuzhiyang Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Nand flash的数据处理方法、装置和一种Nand flash

Номер патента: CN107015764A. Автор: 朱细平. Владелец: Shenzhen Netcom Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-04.

一种nand flash文件数据存取方法、装置及存储介质

Номер патента: CN113495681B. Автор: 郭磊,周东峰,徐石雄. Владелец: Hangzhou Ezviz Network Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

一种nand flash文件数据存取方法、装置及存储介质

Номер патента: CN113495681. Автор: 郭磊,周东峰,徐石雄. Владелец: Hangzhou Ezviz Network Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-12.

一种nand flash阵列的掉电处理方法

Номер патента: CN107329912A. Автор: 姜凯,李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

一种MicroBlaze访问Nand Flash的装置及方法

Номер патента: CN117435530A. Автор: 胡志强,陈洲,宫文峰,马雨岚,朱祥路,房海松. Владелец: Hubei Jiuzhiyang Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

一种NAND Flash的烧录方法及装置

Номер патента: CN112486506. Автор: 张鹏. Владелец: Embedway Technologies Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-12.

闪存Nand Flash的数据写入方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN111813339. Автор: 邓玉良,唐越,朱晓锐,李昂阳,殷中云,郑伟坤. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-23.

Manufacture bad block processing method based on NAND flash and NAND flash storage devices

Номер патента: CN108614745A. Автор: 陈诚. Владелец: Beijing Jingcun Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-02.

Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN114415961. Автор: 段程浩. Владелец: Zhuhai Pantum Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-29.

具有DDR高传输介面的新型SPI-NAND Flash存储芯片及操作方法

Номер патента: CN112395218. Автор: 黄欢,郑文豪,施冠良,刘安伟,朱纯莹. Владелец: Heyangtek Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

一种星载NAND Flash存储管理系统

Номер патента: CN112181304. Автор: 王慧泉,金仲和,楼海君,涂实磊. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2021-01-05.

一种Nand flash接口工作协议自适应方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN111414322. Автор: 段小康. Владелец: Jiangsu Xinsheng Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

The calculation method and system of NAND FLASH service life

Номер патента: CN106951701B. Автор: 赵世伟,宋荆汉. Владелец: Allwinner Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-05.

一种Nand flash元件及其载入控制方法和装置

Номер патента: CN108255540A. Автор: 庄开锋. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-07-06.

一种基于极化码和元数据信息的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN109358978B. Автор: 郭锐,陈康妮. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2022-03-25.

基于FPGA的nand flash接口控制器及读写方法

Номер патента: CN115080471A. Автор: 王维,徐克兴,杨永进. Владелец: Dfine Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

基于FPGA的nand flash接口控制器及读写方法

Номер патента: CN115080471. Автор: 王维,徐克兴,杨永进. Владелец: Dfine Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

一种NAND Flash介质剩余寿命预测的方法、装置、设备及介质

Номер патента: CN114489498. Автор: 周文强,曹琪. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

一种基于并行使用的双片nand flash坏块管理方法

Номер патента: CN113311989. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

NAND Flash存储器的寿命预估方法、装置及介质

Номер патента: CN112256462. Автор: 王敏,张闯,任智新. Владелец: Inspur Beijing Electronic Information Industry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-22.

一种贴片式SD NAND Flash IC存储器

Номер патента: CN111882018. Автор: 刘纯彬. Владелец: Shenzhen Yiyou Innovation Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

用于测量ssd单次进入ps4状态时所造成的nand flash写入量的方法

Номер патента: CN110716833. Автор: 罗发治. Владелец: Dongguan Memory Storage Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-01-21.

一种基于极化码和元数据信息的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN109358978. Автор: 郭锐,陈康妮. Владелец: Hangzhou Electronic Science and Technology University. Дата публикации: 2019-02-19.

A kind of implementation method of NAND FLASH simulator

Номер патента: CN106681893B. Автор: 罗胜. Владелец: Ramaxel Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-12.

一种降低nand flash控制器功耗的方法

Номер патента: CN104598160A. Автор: 李骥,李宝,金文�,宋蔚皓,胡光东. Владелец: Beijing Aerospace Changzheng Aircraft Institute. Дата публикации: 2015-05-06.

一种Nand flash元件及其载入控制方法和装置

Номер патента: CN108255540B. Автор: 庄开锋. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-05.

Method and system of high-throughput high-capacity storage appliance with flash translation layer escalation and global optimization on raw nand flash

Номер патента: US20180173434A1. Автор: Shu Li. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

一种基于人工智能算法的NAND Flash存储磨损平衡管理方法

Номер патента: CN114489507. Автор: 苏莹莹,李元章. Владелец: Suzhou Hongcunxinjie Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

一种减少nand flash擦写次数的方法及系统

Номер патента: CN111273864. Автор: 刘强,张瑞金,孙志正. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-12.

Mobile device capacity detecting method based on Nand Flash

Номер патента: CN105760266A. Автор: 陈伟. Владелец: SHENZHEN CHIPSBANK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-13.

一种动态的、离散的、碎片化的嵌入式系统nand flash使用方法

Номер патента: WO2023169161A1. Автор: 潘菊平. Владелец: 太仓市同维电子有限公司. Дата публикации: 2023-09-14.

Method and apparatus for data access of nand flash file, and storage medium

Номер патента: US20230168830A1. Автор: Lei Guo,Shixiong XU,Dongfeng ZHOU. Владелец: Hangzhou Ezviz Software Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for controlling nand flash memory to implement convolution operation

Номер патента: US20240193224A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

一种Nand flash元件

Номер патента: CN108345429B. Автор: 庄开锋. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

一种Nand flash元件

Номер патента: CN108345429A. Автор: 庄开锋. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

一种nand flash异常掉电的数据保护方法及装置

Номер патента: CN118260126. Автор: 李良,曾铭毅. Владелец: Zhuhai Eeasy Electronic Tech Co ltd. Дата публикации: 2024-06-28.

一种基于Nand Flash写后立即读方法及装置

Номер патента: CN117369728. Автор: 杨文华,李文彬,姜鑫杜. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

一种基于NAND Flash的电能表数据存储管理方法及系统

Номер патента: CN117331494. Автор: 李琦,张扬,魏巍,金锐,舒畅,左勇,吴海,熊剑,许金宇,田丽媛,全巧艳,菅利彬,于添灏. Владелец: Anhui Nanrui Zhongtian Electric Power Electronics Co ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Nand Flash数据块分类方法、系统和使用方法

Номер патента: CN116185885. Автор: 孙飞. Владелец: Shanghai Yingcun Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

一种基于Linux的Nand Flash镜像读取与升级的方法、介质及终端

Номер патента: CN115357275. Автор: 罗强,吴志鹏,彭水明,余伟峰,陈超鑫. Владелец: Willfar Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-18.

一种基于NAND Flash的电能表数据存储管理方法及系统

Номер патента: CN117331494A. Автор: 李琦,张扬,魏巍,金锐,舒畅,左勇,吴海,熊剑,许金宇,田丽媛,全巧艳,菅利彬,于添灏. Владелец: Anhui Nanrui Zhongtian Electric Power Electronics Co ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

一种基于Nand Flash写后立即读方法及装置

Номер патента: CN117369728A. Автор: 杨文华,李文彬,姜鑫杜. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Nand flash分组调换方法、装置、设备及介质

Номер патента: CN114968106. Автор: 徐光明,徐明揆,虞安华. Владелец: Xtx Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-30.

一种加快Nand Flash控制命令执行速度的方法及系统

Номер патента: CN114721978. Автор: 兰健. Владелец: Chengdu Chuxun Science And Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-07-08.

一种确保nand flash写均衡的方法

Номер патента: CN114527945. Автор: 潘菊平. Владелец: Taicang T&W Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Nand Flash数据块分类方法、系统和使用方法

Номер патента: CN116185885A. Автор: 孙飞. Владелец: Shanghai Yingcun Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

数据存储管理方法、NAND Flash控制器及计算机存储介质

Номер патента: CN113094295. Автор: 谢长华,余恒昌. Владелец: Chipsbank Technologies Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2021-07-09.

Nand flash分组调换方法、装置、设备及介质

Номер патента: CN114968106A. Автор: 徐光明,徐明揆,虞安华. Владелец: Xtx Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-30.

一种基于人工智能算法的NAND Flash存储磨损平衡管理方法

Номер патента: CN114489507A. Автор: 苏莹莹,李元章. Владелец: Suzhou Hongcunxinjie Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

一种Nand Flash中干扰页的检测方法、系统

Номер патента: CN110750467. Автор: 何宁波. Владелец: SHENZHEN CHIPSBANK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

Nand flash分组调换方法、装置、设备及介质

Номер патента: CN114968106B. Автор: 徐光明,徐明揆,虞安华. Владелец: Xtx Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

A kind of block message mark implementation method of NAND FLASH chips

Номер патента: CN107247563A. Автор: 姜凯,李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-13.

A kind of Nand flash data calibration method and system

Номер патента: CN106528323B. Автор: 杨涛. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-30.

Service life prediction method, device and medium of NAND Flash memory

Номер патента: CN112256462B. Автор: 王敏,张闯,任智新. Владелец: Inspur Beijing Electronic Information Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-14.

一种基于 Nand flash 芯片的数据擦写方法及系统

Номер патента: WO2023226192A1. Автор: 熊俊,陈辉阳. Владелец: 深圳市芯存科技有限公司. Дата публикации: 2023-11-30.

Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN114415961B. Автор: 段程浩. Владелец: Zhuhai Pantum Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-27.

一种Nand flash接口工作协议自适应方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN111414322A. Автор: 段小康. Владелец: Jiangsu Xinsheng Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

一种nand flash阵列的掉电处理方法

Номер патента: CN107329912B. Автор: 姜凯,李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Inspur Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

一种nand flash异常掉电的数据保护方法及装置

Номер патента: CN118260126A. Автор: 李良,曾铭毅. Владелец: Zhuhai Eeasy Electronic Tech Co ltd. Дата публикации: 2024-06-28.

一种NAND Flash PHY

Номер патента: CN110399319. Автор: 杨波,马勇,唐先芝,谷卫青,吴楚怀,何觉,陈帮红. Владелец: Yaoyun Technology (xi'an) Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-01.

Method, device, equipment and medium for predicting residual life of NAND Flash medium

Номер патента: CN114489498A. Автор: 周文强,曹琪. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

具有DDR高传输介面的SPI-NAND Flash存储芯片及操作方法

Номер патента: CN112395218B. Автор: 黄欢,郑文豪,施冠良,刘安伟,朱纯莹. Владелец: Nanjing Heyangtek Co ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

一种NAND Flash的烧录方法及装置

Номер патента: CN112486506B. Автор: 张鹏. Владелец: Embedway Technologies Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-02-02.

具有DDR高传输介面的新型SPI-NAND Flash存储芯片及操作方法

Номер патента: CN112395218A. Автор: 黄欢,郑文豪,施冠良,刘安伟,朱纯莹. Владелец: Heyangtek Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

一种基于极化码和元数据信息的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN109358978A. Автор: 郭锐,陈康妮. Владелец: Hangzhou Electronic Science and Technology University. Дата публикации: 2019-02-19.

Method and apparatus to reduce memory in a nand flash device to store page related information

Номер патента: WO2024167516A1. Автор: Aliasgar S. Madraswala,Pratyush CHANDRAPATI,Naveen Prabhu VITTAL PRABHU,Shanmathi MOOKIAH. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Nand Flash芯片数据存储方法及装置

Номер патента: CN117331491. Автор: 秦燕婷. Владелец: CICT Mobile Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

一种并行双片nand flash中物理擦除块动态关联的方法

Номер патента: CN113391755. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

一种提高nand-flash存储可靠性的fpga控制方法

Номер патента: CN111596860. Автор: 刘春香,司国良,石俊霞,袁航飞,宁永慧. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2020-08-28.

一种基于NAND Flash的SOC启动方法

Номер патента: CN105117652A. Автор: 王勇,肖佐楠,郑茳. Владелец: TIANJIN TIANXIN TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2015-12-02.

一种减少nand flash擦写次数的方法及系统

Номер патента: CN111273864B. Автор: 刘强,张瑞金,孙志正. Владелец: Shandong Inspur Scientific Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

一种基于并行使用的双片nand flash坏块管理方法

Номер патента: CN113311989B. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-22.

一种nand flash的数据源区块回收方法及固态硬盘

Номер патента: CN108509349A. Автор: 林昱纬,吕绍宏. Владелец: Li Ding Technology (shenzhen) Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-07.

Method and apparatus to reduce memory in a nand flash device to store page related information

Номер патента: US20230185453A1. Автор: Aliasgar S. Madraswala,Pratyush CHANDRAPATI,Naveen Prabhu VITTAL PRABHU,Shanmathi MOOKIAH. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-06-15.

一种提高nand-flash存储可靠性的fpga控制方法

Номер патента: CN111596860A. Автор: 刘春香,司国良,石俊霞,袁航飞,宁永慧. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2020-08-28.

一种基于支持向量机的nand flash块读写阈值管理方法及装置

Номер патента: CN117149072. Автор: 安阳,赵天石,马淑香,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-01.

用于访问集成NAND Flash的控制电路和控制方法

Номер патента: CN118245408. Автор: 何亚军,黄芸佳. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

用于访问集成NAND Flash的控制电路和控制方法

Номер патента: CN118245408A. Автор: 何亚军,黄芸佳. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

一种基于NAND Flash的前照灯数据存储方法

Номер патента: CN117331508. Автор: 唐金腾,贾强强,孙加勇,朱润辰. Владелец: Changzhou Xingyu Automotive Lighting Systems Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

用于NAND Flash的通用控制模块及方法

Номер патента: CN116679887. Автор: 朱志强,华庆明. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2023-09-01.

一种基于支持向量机的nand flash块读写阈值管理方法及装置

Номер патента: CN117149072A. Автор: 安阳,赵天石,马淑香,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-01.

一种基于Nand Flash AIPR的命令预处理方法

Номер патента: CN115407944. Автор: 沈力,安阳,马淑香,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

一种基于NAND Flash的前照灯数据存储方法

Номер патента: CN117331508A. Автор: 唐金腾,贾强强,孙加勇,朱润辰. Владелец: Changzhou Xingyu Automotive Lighting Systems Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

应用于spi nand flash芯片的功能测试方法和spi测试平台

Номер патента: CN115061865. Автор: 郑文豪. Владелец: Nanjing Heyangtek Co ltd. Дата публикации: 2022-09-16.

一种NAND Flash读DQS采样方法

Номер патента: CN114528239. Автор: 李瑞东,刘奇浩,王运哲,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

一种NAND Flash读DQS采样方法

Номер патента: CN114528239B. Автор: 李瑞东,刘奇浩,王运哲,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-18.

车载终端NAND Flash的存储管理方法和系统、车载终端、车辆

Номер патента: CN113377296. Автор: 钱志,周卫,刘迎午. Владелец: Shenzhen Yuwei Information & Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2021-09-10.

采用NAND Flash作为存储器时坏块管理的方法

Номер патента: CN112711501. Автор: 刘建华,张令,向跃. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

采用NAND Flash作为存储器时坏块管理的方法

Номер патента: CN112711501A. Автор: 刘建华,张令,向跃. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

应用于spi nand flash芯片的功能测试方法和spi测试平台

Номер патента: CN115061865A. Автор: 郑文豪. Владелец: Nanjing Heyangtek Co ltd. Дата публикации: 2022-09-16.

一种SSD中处理NAND Flash读干扰的方法

Номер патента: CN111797033. Автор: 刘凯,吴斌,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

一种nand flash垃圾回收动态优化方法

Номер патента: CN111026673. Автор: 刘婷婷,王闯,刘硕,贺莹. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2020-04-17.

自适应的Nand Flash读写速度调整系统

Номер патента: CN110765041. Автор: 李岩,赵斌,仇旭东,刘慧婕. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2020-02-07.

自适应的Nand Flash读写速度调整方法

Номер патента: CN110765042. Автор: 李岩,赵斌,仇旭东,刘慧婕. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2020-02-07.

一种nand flash的坏块处理方法

Номер патента: CN110597458. Автор: 郑继清. Владелец: Wuhu Hongjing Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-20.

基于nand flash存储器的校验方法、终端设备及存储介质

Номер патента: CN109542668. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-29.

A kind of Nand Flash abrasion equilibrium methods, device and memory

Номер патента: CN106775474A. Автор: 郑静,王杰华,刘冬好. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

Hardware acceleration method and device for automatic read retry based on NAND flash memory controller

Номер патента: CN109582228B. Автор: 汤晓东,余桉. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Nand Flash controller and Nand Flash control method

Номер патента: CN106528465A. Автор: 宋相培. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

一种加快Nand Flash控制命令执行速度的方法及系统

Номер патента: CN114721978A. Автор: 兰健. Владелец: Chengdu Chuxun Science And Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-07-08.

一种确保nand flash写均衡的方法

Номер патента: CN114527945A. Автор: 潘菊平. Владелец: Taicang T&W Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

nand flash设备管理的方法和系统

Номер патента: CN106354486A. Автор: 李良. Владелец: Allwinner Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

A mobile communication terminal including NAND flash memory and method for booting the same

Номер патента: EP1607834A3. Автор: Hyung-Hoon Samsung Electronics Co. Ltd. Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-04.

Accelerator system for training deep neural network model using nand flash memory and operating method thereof

Номер патента: US20230259747A1. Автор: Yunho Jin,Jae W. Lee,Jong Hyun BAE,Tae Jun Ham,Gin A Sohn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-08-17.

用于访问集成NAND Flash的控制电路和控制方法

Номер патента: CN118245408B. Автор: 何亚军,黄芸佳. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2024-08-09.

一种基于Nand Flash AIPR的命令预处理方法

Номер патента: CN115407944A. Автор: 沈力,安阳,马淑香,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Method and system for detecting interference page in Nand Flash

Номер патента: CN110750467B. Автор: 何宁波. Владелец: Chipsbank Technologies Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2021-11-02.

Nand Flash wear leveling method and device and memory

Номер патента: CN106775474B. Автор: 郑静,王杰华,刘冬好. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-10.

Pointer type logical address mapping table implementation method for Nand Flash

Номер патента: CN107291625B. Автор: 姜凯,李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

一种加快Nand Flash控制命令执行速度的方法及系统

Номер патента: CN114721978B. Автор: 兰健. Владелец: Chengdu Chuxun Science And Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-08-25.

一种基于Linux的Nand Flash镜像读取与升级的方法、介质及终端

Номер патента: CN115357275A. Автор: 罗强,吴志鹏,彭水明,余伟峰,陈超鑫. Владелец: Willfar Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-18.

数据存储管理方法、NAND Flash控制器及计算机存储介质

Номер патента: CN113094295A. Автор: 谢长华,余恒昌. Владелец: Chipsbank Technologies Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2021-07-09.

基于nand flash的启动版本生成方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117539686. Автор: 王月鹏. Владелец: Anhui Wantong Post And Telecommunications Co ltd. Дата публикации: 2024-02-09.

Nand Flash地址映射管理方法、管理系统、终端设备及介质

Номер патента: CN117149668. Автор: 杨硕,贺东旭,白雅玲. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2023-12-01.

基于nand flash的启动版本生成方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117539686A. Автор: 王月鹏. Владелец: Anhui Wantong Post And Telecommunications Co ltd. Дата публикации: 2024-02-09.

Nand Flash地址映射管理方法、管理系统、终端设备及介质

Номер патента: CN117149668A. Автор: 杨硕,贺东旭,白雅玲. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2023-12-01.

NAND Flash的温度获取方法、装置、计算机设备及存储介质

Номер патента: CN111552617. Автор: 冯元元,臧鑫,汪汉国. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-18.

基于nand flash的实时嵌入式系统及其启动方法

Номер патента: CN111190648. Автор: 黄峰,李婷,宋凯林,赵葵银. Владелец: Hunan Institute of Engineering. Дата публикации: 2020-05-22.

A kind of Nand Flash controller and method

Номер патента: CN106528465B. Автор: 宋相培. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-02.

Jump page cache read method in nand flash memory and nand flash memory

Номер патента: US20190220226A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Spi Nand flash坏块管理方法和系统

Номер патента: CN116383097. Автор: 张波,黄柱光. Владелец: Shenzhen Xincun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Adaptive read recovery for NAND flash memory devices

Номер патента: US12107603B1. Автор: Nedeljko Varnica,Nirmal Shende. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

NAND Flash storage reliability evaluation method

Номер патента: CN107817954B. Автор: 乔立岩,魏德宝,郝梦琪,李绪金. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-07-24.

一种并行双片nand flash中物理擦除块动态关联的方法

Номер патента: CN113391755B. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-22.

一种并行双片nand flash中物理擦除块动态关联的方法

Номер патента: CN113391755A. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

用于NAND Flash的通用控制模块及方法

Номер патента: CN116679887A. Автор: 朱志强,华庆明. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2023-09-01.

用于NAND Flash的通用控制模块及方法

Номер патента: CN116679887B. Автор: 朱志强,华庆明. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

一种SSD中处理NAND Flash读干扰的方法

Номер патента: CN111797033A. Автор: 刘凯,吴斌,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

一种nand flash垃圾回收动态优化方法

Номер патента: CN111026673A. Автор: 刘婷婷,王闯,刘硕,贺莹. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2020-04-17.

Nand Flash芯片数据存储方法及装置

Номер патента: CN117331491A. Автор: 秦燕婷. Владелец: CICT Mobile Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

NAND flash数据损坏后的恢复方法、装置、计算机设备及存储介质

Номер патента: CN118193294. Автор: 张帆,刘浪,陈文伟. Владелец: Qianxun Si Network Zhejiang Co ltd. Дата публикации: 2024-06-14.

一种基于DQS恢复时钟的多Die封装Nand Flash的读数据方法

Номер патента: CN118151846. Автор: 陈健,张俊杰,李迎春,宋英雄,曹炳尧,张倩武,谭家乐. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-07.

NAND Flash中块的处理方法、装置、设备、介质

Номер патента: CN117931049. Автор: 陶伟,孔维镇. Владелец: Shanghai Jiangbolong Digital Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

面向FPGA平台的NAND Flash BCH纠检错模块

Номер патента: CN117349077. Автор: 李欣,王丹,许志宏,刘伟伟,蒋帅,刘戈,郭佳鑫,田苗苗,禹霁阳,汪路元,于敏芳. Владелец: Beijing Institute of Spacecraft System Engineering. Дата публикации: 2024-01-05.

一种用于Nand Flash控制器仿真验证中避免读空页的方法与系统

Номер патента: CN115543206. Автор: 李瑞东,沈力,姚香君,夏丽煖. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-30.

一种基于NAND Flash的星载固存高可靠数据存取方法

Номер патента: CN115357185. Автор: 王鹏,肖化超,师勇,王元乐,袁素春,璩泽旭,方火能,丁跃利. Владелец: Xian Institute of Space Radio Technology. Дата публикации: 2022-11-18.

面向FPGA平台的NAND Flash BCH纠检错模块

Номер патента: CN117349077A. Автор: 李欣,王丹,许志宏,刘伟伟,蒋帅,刘戈,郭佳鑫,田苗苗,禹霁阳,汪路元,于敏芳. Владелец: Beijing Institute of Spacecraft System Engineering. Дата публикации: 2024-01-05.

nand flash重读定位方法

Номер патента: CN113672178. Автор: 贺乐. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-19.

一种确保nand flash中序列号和mac地址存储正确的方法

Номер патента: CN113311988. Автор: 王崇吉. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

一种基于nand flash的序列号和mac地址储存方法

Номер патента: CN113312273. Автор: 王崇吉. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

一种NAND Flash控制器接口电路及闪存系统

Номер патента: CN112925483. Автор: 刘飞,霍宗亮,叶甜春,曹小天. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-08.

与非型闪存Nand Flash存储管理方法及装置

Номер патента: CN112486854. Автор: 刘晓波,许晓梦,韩国梁. Владелец: Weichai Power Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-12.

一种nand flash垃圾回收均衡优化方法

Номер патента: CN111090595. Автор: 张锐,刘婷婷,王闯,贺莹,邓豹. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2020-05-01.

提升3D NAND Flash性能的方法

Номер патента: CN109669638. Автор: 汤仁君,肖孟,李皓智,谢汇,管冬生. Владелец: Hefei Core Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

一种基于自恢复效应的NAND Flash存储可靠性优化方法

Номер патента: CN109582224. Автор: 冯骅,彭喜元,乔立岩,魏德宝,郝梦琪. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2019-04-05.

Eliminating garbage collection in nand flash devices

Номер патента: US09891833B2. Автор: Jongman Yoon,Sushma Devendrappa,Xiangyong Ouyang. Владелец: Honeycombdata Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

一种NAND Flash控制器接口电路及闪存系统

Номер патента: CN112925483B. Автор: 刘飞,霍宗亮,叶甜春,曹小天. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-11-08.

一种NAND Flash控制器接口电路及闪存系统

Номер патента: CN112925483A. Автор: 刘飞,霍宗亮,叶甜春,曹小天. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-08.

System and method of protecting metadata from nand flash failures

Номер патента: WO2012177515A3. Автор: Douglas Alan Prins,Paul Roger Stonelake,Anand Krishnamurthi Kulkarni. Владелец: SanDisk Enterprise IP LLC. Дата публикации: 2013-06-27.

NAND Flash中块的处理方法、装置、设备、介质

Номер патента: CN117931049A. Автор: 陶伟,孔维镇. Владелец: Shanghai Jiangbolong Digital Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

一种用于Nand Flash控制器仿真验证中避免读空页的方法与系统

Номер патента: CN115543206A. Автор: 李瑞东,沈力,姚香君,夏丽煖. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-30.

一种提高Nand flash数据稳定性的方法以及装置

Номер патента: CN110764693. Автор: 李虎,罗胜. Владелец: Shenzhen Demingli Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-07.

针对MLC型NAND-Flash的基于变量节点动态分块更新的LDPC码译码方法

Номер патента: CN110098895. Автор: 梁硕,郭婷,刘星成. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2019-08-06.

NAND Flash的温度获取方法、装置、计算机设备及存储介质

Номер патента: CN111552617A. Автор: 冯元元,臧鑫,汪汉国. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-18.

一种基于NAND Flash存储芯片的块管理方法

Номер патента: CN116339629. Автор: 刘传富,曾德崇. Владелец: Matrix Data Technology Shanghai Co ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

一种nand flash坏块管理方法及系统

Номер патента: CN114546292. Автор: 陈世伟,吴�灿,袁结全,詹晋川,罗仁昌. Владелец: Shenzhen Forward Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-27.

一种基于NAND Flash存储芯片的块管理方法

Номер патента: CN116339629A. Автор: 刘传富,曾德崇. Владелец: Matrix Data Technology Shanghai Co ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Verfahren Und Datenverarbeitungsgerät Zum Umstrukturieren Von In Einem Multi-Level-NAND-Flash-Speicher Zu Speichernden Eingangsdaten

Номер патента: DE102024109367A1. Автор: Sami ALSALAMIN. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2024-10-10.

执行Nand Flash操作指令的实现方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN115437568. Автор: 沈力,安阳,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

执行Nand Flash操作指令的实现方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN115437568A. Автор: 沈力,安阳,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

一种基于wordline分组优化NAND Flash性能的方法

Номер патента: CN116610264A. Автор: 李瑞东,曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-18.

Method and device for data verification of Nand Flash

Номер патента: CN107203436B. Автор: 王志浩. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

Multi-CE NAND Flash dynamic block model based on multi-channel master control and bad block processing method

Номер патента: CN105786407A. Автор: 彭鹏,马翼,向平,黄雪峰,周士兵,田达海,杨万云. Владелец: Hunan Goke Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-20.

A kind of NAND Flash memory reliability optimization method based on self- recoverage effect

Номер патента: CN109582224A. Автор: 冯骅,彭喜元,乔立岩,魏德宝,郝梦琪. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2019-04-05.

A kind of method and apparatus of Nand Flash datas verification

Номер патента: CN107203436A. Автор: 王志浩. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

The dynamic block models of many CE NAND Flash based on multichannel master control and bad block processing method

Номер патента: CN105786407B. Автор: 彭鹏,马翼,向平,黄雪峰,周士兵,田达海,杨万云. Владелец: Hunan Goke Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-14.

A kind of data buffer storage transmission method and its controller based on Nand Flash chips

Номер патента: CN104461966B. Автор: 陈元,孙长江,谢文刚,任民. Владелец: ShenZhen Guowei Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-21.

A kind of double channel A TA agreement bridge-sets based on NAND FLASH interfaces

Номер патента: CN105786749B. Автор: 李文军,孙晓宁,刘大铕,刘奇浩,徐毅松. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-07.

Self-programming method and device of file system based on NAND flash

Номер патента: CN102467522A. Автор: 陈亮. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2012-05-23.

NAND FLASH garbage recovery balance optimization method

Номер патента: CN111090595A. Автор: 张锐,刘婷婷,王闯,贺莹,邓豹. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2020-05-01.

Method and apparatus to select a plane in a nand flash die to store a read-only reserved block

Номер патента: WO2023163815A1. Автор: Chang Wan Ha,Pranav Kalavade,Aliasgar MADRASWALA,Zengtao Liu,Simerjeet SINGH,Bharat M. Pathak,Hoon Koh,Quincy S. Chiu,Kristopher H. Gaewsky,Akshay Jayaraj. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Method and apparatus to select a plane in a nand flash die to store a read-only reserved block

Номер патента: US20230266910A1. Автор: Chang Wan Ha,Pranav Kalavade,Aliasgar S. Madraswala,Zengtao Liu,Simerjeet SINGH,Bharat M. Pathak,Hoon Koh,Quincy S. Chiu,Kristopher H. Gaewsky,Akshay Jayaraj. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Spi Nand flash坏块管理方法和系统

Номер патента: CN116383097A. Автор: 张波,黄柱光. Владелец: Shenzhen Xincun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

nand flash重读定位方法

Номер патента: CN113672178A. Автор: 贺乐. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-19.

Spi Nand flash坏块管理方法和系统

Номер патента: CN116383097B. Автор: 张波,黄柱光. Владелец: Shenzhen Xincun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-05-17.

提升3D NAND Flash性能的方法

Номер патента: CN109669638A. Автор: 汤仁君,肖孟,李皓智,谢汇,管冬生. Владелец: Hefei Core Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

一种基于wordline分组优化NAND Flash性能的方法

Номер патента: CN116610264. Автор: 李瑞东,曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-18.

一种nand flash坏块管理方法及系统

Номер патента: CN114546292B. Автор: 陈世伟,吴�灿,袁结全,詹晋川,罗仁昌. Владелец: Shenzhen Forward Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-15.

一种用于nand flash的日志块快速命中方法

Номер патента: CN107832234A. Автор: 刘银萍,张志永,赵微,宗宇,谢俊玲,谷羽. Владелец: Mxtronics Corp. Дата публикации: 2018-03-23.

用于NAND Flash坏块的混合管理方法及装置

Номер патента: CN116755642A. Автор: 邹飞,黄泽诚. Владелец: Sichuan Yunhai Core Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-09-15.

NAND flash memory controller

Номер патента: US20230384938A1. Автор: Yen-Chung Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

应用于NAND Flash损耗均衡的优化方法

Номер патента: CN109684119B. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2022-05-17.

Information processing apparatus including NAND flash memory, and information processing method for the same

Номер патента: US20050157554A1. Автор: Katsuhiko Yanagawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

一种星载nand flash型固态存储器及分配存储空间的方法

Номер патента: CN111324307A. Автор: 孙璐,郑艳,池骋,周梦,高亚南,邵明强. Владелец: Xian Microelectronics Technology Institute. Дата публикации: 2020-06-23.

NAND Flash中块的擦除方法、装置、设备、介质

Номер патента: CN117931048. Автор: 陶伟,孔维镇. Владелец: Shanghai Jiangbolong Digital Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

用于NAND Flash坏块的混合管理方法及装置

Номер патента: CN116755642. Автор: 邹飞,黄泽诚. Владелец: Sichuan Yunhai Core Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-09-15.

NAND Flash中块的擦除方法、装置、设备、介质

Номер патента: CN117931048A. Автор: 陶伟,孔维镇. Владелец: Shanghai Jiangbolong Digital Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

一种用于Nand Flash的磨损均衡方法及装置

Номер патента: CN111966299. Автор: 张如宏,胡来胜,曾庆聪. Владелец: Shenzhen Sandiyi Core Electronics Co ltd. Дата публикации: 2020-11-20.

一种Nand Flash存储器的管理方法和装置

Номер патента: CN111443873. Автор: 邓应如,谢爱明,汤奇龙. Владелец: Shenzhen Tianyue Innovation Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-07-24.

一种星载nand flash型固态存储器及分配存储空间的方法

Номер патента: CN111324307. Автор: 孙璐,郑艳,池骋,周梦,高亚南,邵明强. Владелец: Xian Microelectronics Technology Institute. Дата публикации: 2020-06-23.

NAND Flash存储器的坏块管理方法和系统

Номер патента: CN110795044. Автор: 李康养,夏超仁. Владелец: You Hua Telecom Technology Co Ltd Of Shenzhen. Дата публикации: 2020-02-14.

一种3D NAND Flash

Номер патента: CN110046105. Автор: 霍宗亮,叶甜春,侯旭,高帅,王颀. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-07-23.

应用于NAND Flash损耗均衡的优化方法

Номер патента: CN109684119. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2019-04-26.

一种基于nand flash的数据存储方法、终端设备及存储介质

Номер патента: CN109343790. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-15.

一种大容量NAND Flash数据存储方法

Номер патента: CN109240940. Автор: 曾建军. Владелец: Jun Chuang (xiamen) Automation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-18.

一种适用于NAND Flash控制器的索引表保护方法

Номер патента: CN109189328. Автор: 李拓,王朝辉,邹晓峰,周玉龙,刘同强,周恒钊. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-11.

一种NAND Flash垃圾回收方法及系统

Номер патента: CN109086001. Автор: 李拓,王朝辉,邹晓峰,周玉龙,刘同强,周恒钊. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-25.

Safe storage method and system based on Nand Flash flash-memory

Номер патента: CN105975878A. Автор: 张国柱,林璟锵,夏鲁宁,嵇亚飞,贾世杰,汤胜军,张琼露. Владелец: Institute of Information Engineering of CAS. Дата публикации: 2016-09-28.

Access method for NAND Flash redundant code

Номер патента: CN101425342B. Автор: 邹铮贤,周防. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-08.

A kind of date storage method based on NAND FLASH, terminal device and storage medium

Номер патента: CN109343790A. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-15.

3D NAND Flash

Номер патента: CN110046105B. Автор: 霍宗亮,叶甜春,侯旭,高帅,王颀. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-10-22.

A kind of Nand Flash memory mapped systems based on FPGA

Номер патента: CN106909519A. Автор: 李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-30.

Modified B+ tree to map logical addresses to physical addresses in NAND flash memory

Номер патента: GB2476536A. Автор: Nathanial Kiel Boyle. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-06-29.

一种适用于NAND Flash控制器的索引表保护方法

Номер патента: CN109189328A. Автор: 李拓,王朝辉,邹晓峰,周玉龙,刘同强,周恒钊. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-11.

Method and system for nand flash support in an autonomously loaded secure reprogrammable system

Номер патента: US20110197054A1. Автор: Qiang Ye,Xuemin Chen,Iue-Shuenn Chen,Andrew Dellow,Stephane Rodgers. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

Method and system for NAND flash support in an autonomously loaded secure reprogrammable system

Номер патента: US8417931B2. Автор: Qiang Ye,Xuemin Chen,Iue-Shuenn Chen,Andrew Dellow,Stephane Rodgers. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

用于NAND Flash坏块的混合管理方法及装置

Номер патента: CN116755642B. Автор: 邹飞,黄泽诚. Владелец: Sichuan Yunhai Core Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-10-27.

NAND Flash存储器的坏块管理方法和系统

Номер патента: CN110795044A. Автор: 李康养,夏超仁. Владелец: You Hua Telecom Technology Co Ltd Of Shenzhen. Дата публикации: 2020-02-14.

一种用于Nand Flash的磨损均衡方法及装置

Номер патента: CN111966299A. Автор: 张如宏,胡来胜,曾庆聪. Владелец: Shenzhen Sandiyi Core Electronics Co ltd. Дата публикации: 2020-11-20.

SPI Nand Flash的坏块管理方式

Номер патента: CN107894872A. Автор: 廖炳隆,黄亚龙. Владелец: Nanjing Yang Yang Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Caching data from a mass storage device in a NAND flash device without using atomic metadata writes

Номер патента: GB2469193A. Автор: Sanjeev Trika. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-10-06.

Method and system for nand flash support in an autonomously loaded secure reprogrammable system

Номер патента: US20130185550A1. Автор: Qiang Ye,Xuemin Chen,Iue-Shuenn Chen,Andrew Dellow,Stephane Rodgers. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Modular handling system with multi-level sorter and method of using same

Номер патента: US09988218B2. Автор: Jay Mark Dugat,Andy PETTIT. Владелец: Robotica Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Multi-chip module with multi-level interposer

Номер патента: US20120266464A1. Автор: Eugene M. Chow,James G. Mitchell,John E. Cunningham,Ivan Shubin. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Programmable logic devices with multi-level input/output signals

Номер патента: US20240364344A1. Автор: Michael Chan,Rachid Kadri. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2024-10-31.

Signal receiver with multi-level sampling

Номер патента: US09559835B2. Автор: Jianyu Zhu,Rahul Bhatia,Sheng-Yu Peng,Rodney Chandler,Pawan Tiwari,Eric Fogleman. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Latency minimization for retransmissions in communications systems with multi-level coding and multi-level sequential demodulation and decoding and code block grouping per decoding level

Номер патента: US20220070842A1. Автор: Michael Levitsky,Assaf Touboul,Daniel PAZ. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor package having a leadframe with multi-level assembly pads

Номер патента: US09922908B2. Автор: Chia-Yu Chang,Steven Su,Chih-Chien Ho. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Latency minimization for retransmissions in communications systems with multi-level coding and multi-level sequential demodulation and decoding and code block grouping from different component codes

Номер патента: EP4208968A1. Автор: Michael Levitsky,Assaf Touboul,Daniel PAZ. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Latency minimization for retransmissions in communications systems with multi-level coding and multi-level sequential demodulation and decoding and code block grouping from different component codes

Номер патента: WO2022051041A1. Автор: Michael Levitsky,Assaf Touboul,Daniel PAZ. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-10.

Digital to analog converter system and method with multi-level scrambling

Номер патента: WO2011037539A3. Автор: John Jude O'Donnell,Frederick Carnegie Thompson. Владелец: MEDIATEK SINGAPORE PTE. LTD.. Дата публикации: 2011-08-18.

Digital to analog converter system and method with multi-level scrambling

Номер патента: EP2478639A2. Автор: John Jude O'Donnell,Frederick Carnegie Thompson. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-07-25.

Digital to analog converter system and method with multi-level scrambling

Номер патента: WO2011037539A2. Автор: John Jude O'Donnell,Frederick Carnegie Thompson. Владелец: MEDIATEK SINGAPORE PTE. LTD.. Дата публикации: 2011-03-31.

Method for forming vias in multi-level integrated circuits, for use with multi-level metallizations

Номер патента: US5861673A. Автор: Jin-Yuan Lee,Chue-San Yoo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-01-19.

Coding and decoding system with multi-level format

Номер патента: US3988676A. Автор: Sang Y. Whang. Владелец: Milgo Electronic Corp. Дата публикации: 1976-10-26.

Dishwasher with multi-level dishwasher rack

Номер патента: US11882975B2. Автор: Mark W. Wilson,Robert M. Digman,Garen Gibbs. Владелец: Midea Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Communications channel with multi-level signal transmission

Номер патента: US20230011466A1. Автор: Arindam Raychaudhuri,Jhankar MALAKAR,Sisir Maity,Sushma Nirmala Sambatur. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-01-12.

Photovoltaic cell form ultra-small IOT device with multi-level voltage output

Номер патента: US11955574B2. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Ghavam G. Shahidi,Chitra K. Subramanian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Battery electric system with multi-level busbar

Номер патента: US20230261330A1. Автор: Daniel J. Casoli,Robert H. Dietze,Tyler J. Murphy. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Latency minimization for retransmissions in communications systems with multi-level coding and multi-level sequential demodulation and decoding and code block grouping per decoding level

Номер патента: US11419109B2. Автор: Michael Levitsky,Assaf Touboul,Daniel PAZ. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-08-16.

Semicondctor device with multi-level interconnect having embedded loe dielectric constant layer and process for making same

Номер патента: US20020004259A1. Автор: Ruichen Liu,Helen Louise Maynard,Chein-Shing Pai. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor memory devices with multi-level contact structures

Номер патента: US09716095B2. Автор: Jin-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

LATENCY MINIMIZATION FOR RETRANSMISSIONS IN COMMUNICATIONS SYSTEMS WITH MULTI-LEVEL CODING AND MULTI-LEVEL SEQUENTIAL DEMODULATION AND DECODING AND CODE BLOCK GROUPING PER DECODING LEVEL

Номер патента: US20220070842A1. Автор: TOUBOUL ASSAF,LEVITSKY Michael,PAZ Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device with multi-level metalization and method of making the same

Номер патента: US3668484A. Автор: William John Greig,Ralph Robert Soden. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-06-06.

Semiconductor package having a leadframe with multi-level assembly pads

Номер патента: US20180211905A1. Автор: Chia-Yu Chang,Steven Su,Chih-Chien Ho. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor package having a leadframe with multi-level assembly pads

Номер патента: US20170179007A1. Автор: Chia-Yu Chang,Steven Su,Chih-Chien Ho. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Impedance matching with multi-level power setpoint

Номер патента: US20200035461A1. Автор: Imran Ahmed Bhutta,Tomislav Lozic. Владелец: Reno Technologies Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Latency minimization for retransmissions in communications systems with multi-level coding and multi-level sequential demodulation and decoding and code block grouping from different component codes

Номер патента: US20220069941A1. Автор: Michael Levitsky,Assaf Touboul,Daniel PAZ. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Multi-level liquid reservoir-type condensation evaporator, and air separation device equipped with multi-level liquid reservoir-type condensation evaporator

Номер патента: EP4080145A4. Автор: Nobuaki Egoshi. Владелец: Taiyo Nippon Sanso Corp. Дата публикации: 2024-01-10.

Digital to analog converter system and method with multi-level scrambling

Номер патента: EP2478639B1. Автор: John Jude O'Donnell,Frederick Carnegie Thompson. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-02-11.

Game with multi-level board

Номер патента: GB2094645B. Автор: . Владелец: LINDSAY DAVID JAMES. Дата публикации: 1985-05-15.

Application Gateway Architecture with Multi-Level Security Policy and Rule Promulgations

Номер патента: US20150089224A1. Автор: Beckman Gregory,Laird Robert,Gagne Alain. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

Transistor with multi-level self-aligned gate and source/drain terminals and methods

Номер патента: US12119383B2. Автор: Mark D. Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli,Ajay RAMAN,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Automobile sign plate with multi-level colorful effect

Номер патента: US20240286560A1. Автор: Yu Yao. Владелец: Jiangsu Kaizhi Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

System and method to increase link adaptation performance with multi-level feedback

Номер патента: US09967055B2. Автор: Ozgur Ekici,Muhammad Khaledul Islam. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Hardware compression to find backward references with multi-level hashes

Номер патента: US09419646B2. Автор: Thomas Fuchs,Christian Jacobi,Joerg-Stephan Vogt,Reiner Rieke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

IMPRINTED MULTI-LAYER MICRO-STRUCTURE METHOD WITH MULTI-LEVEL STAMP

Номер патента: US20150060393A1. Автор: Cok Ronald Steven. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

Explicit and implicit token media access protocol with multi-level bus arbitration

Номер патента: US5450404A. Автор: David C. Brajczewski,Philip J. Koopman. Владелец: Otis Elevator Co. Дата публикации: 1995-09-12.

Voltage Regulator with Multi-Level, Multi-Phase Buck Architecture

Номер патента: US20210234463A1. Автор: Fletcher Jay B.. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

Preparation method of multi-element anode material with multi-level structure

Номер патента: CN103928660A. Автор: 刘洋. Владелец: 刘洋. Дата публикации: 2014-07-16.

Voltage Regulator with Multi-Level, Multi-Phase Buck Architecture

Номер патента: US20230048248A1. Автор: Jay B. Fletcher. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor assemblies with multi-level substrates and associated methods of manufacturing

Номер патента: US20130037949A1. Автор: Chin Hui Chong,Hong Wan Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-14.

System and method to increase link adaptation performance with multi-level feedback

Номер патента: US20130039266A1. Автор: Ozgur Ekici,Muhammad Khaledul Islam. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2013-02-14.

Power Converter with Multi-Level Topology

Номер патента: US20220014091A1. Автор: Giuliano David M.,Low Aichen. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-13.

COMPRESSION WITH MULTI-LEVEL ENCODING

Номер патента: US20200007867A1. Автор: Kim Jungsun,Tourapis Alexandros,Su Yeping,Mammou Khaled,Robinet Fabrice A.,Valentin Valery G.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2020-01-02.

SIGNAL RECEIVER WITH MULTI-LEVEL SAMPLING

Номер патента: US20140105339A1. Автор: PENG Sheng-Yu,Zhu Jianyu,Bhatia Rahul,Chandler Rodney,Tiwari Pawan,Fogleman Eric. Владелец: MaxLinear, Inc.. Дата публикации: 2014-04-17.

IMPEDANCE MATCHING WITH MULTI-LEVEL POWER SETPOINT

Номер патента: US20200035461A1. Автор: Bhutta Imran Ahmed,Lozic Tomislav. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

HARDWARE COMPRESSION TO FIND BACKWARD REFERENCES WITH MULTI-LEVEL HASHES

Номер патента: US20160049951A1. Автор: Jacobi Christian,FUCHS Thomas,Vogt Joerg-Stephan,Rieke Reiner. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor Package with Multi-Level Die Block

Номер патента: US20150061096A1. Автор: Goh Kok Chai. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

MODULAR HANDLING SYSTEM WITH MULTI-LEVEL SORTER AND METHOD OF USING SAME

Номер патента: US20170057756A1. Автор: Dugat Jay Mark,PETTIT Andy. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

AUTOMATED SECURITY ANALYTICS PLATFORM WITH MULTI-LEVEL REPRESENTATION CONVERSION FOR SPACE EFFICIENCY AND INCREMENTAL PERSISTENCE

Номер патента: US20140137242A1. Автор: Kolbly Donovan. Владелец: Click Security, Inc.. Дата публикации: 2014-05-15.

SEMICONDUCTOR ASSEMBLIES WITH MULTI-LEVEL SUBSTRATES AND ASSOCIATED METHODS OF MANUFACTURING

Номер патента: US20140141572A1. Автор: Chong Chin Hui,Ng Hong Wan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-05-22.

SIGNAL RECEIVER WITH MULTI-LEVEL SAMPLING

Номер патента: US20150092899A1. Автор: PENG Sheng-Yu,Zhu Jianyu,Bhatia Rahul,Chandler Rodney,Tiwari Pawan,Fogleman Eric. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

PHOTOVOLTAIC CELL FORM ULTRA-SMALL IOT DEVICE WITH MULTI-LEVEL VOLTAGE OUTPUT

Номер патента: US20190109250A1. Автор: LI NING,Shahidi Ghavam G.,Subramanian Chitra K.,Sadana Devendra. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor Device With Multi Level Interconnects And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20140209984A1. Автор: LIU Chi-Wen,Wang Ying-Lang,Chen Kei-Wei,Huang Kuo-Feng,Wei Kuo-Hsiu,Liang Jeng Min. Владелец: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD. Дата публикации: 2014-07-31.

INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS OF FORMING THE SAME WITH MULTI-LEVEL ELECTRICAL CONNECTION

Номер патента: US20140232010A1. Автор: Liu Huang,Liew San Leong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor package having a leadframe with multi-level assembly pads

Номер патента: US20170179007A1. Автор: Chia-Yu Chang,Steven Su,Chih-Chien Ho. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

ENVIRONMENTAL PROTECTION DEVICE WITH MULTI-LEVEL WATERPROOF PIEZOELECTRIC CONVERSION OF ENVIRONMENTAL MECHANICAL ENERGY CYCLE

Номер патента: US20190173398A1. Автор: MAK Kwok Ngai. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

SYSTEM AND METHOD TO INCREASE LINK ADAPTATION PERFORMANCE WITH MULTI-LEVEL FEEDBACK

Номер патента: US20160191198A1. Автор: EKICI Ozgur,ISLAM Muhammad Khaledul. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES WITH MULTI-LEVEL CONTACT STRUCTURES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150214230A1. Автор: Kim Jin-Young. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor package having a leadframe with multi-level assembly pads

Номер патента: US20180211905A1. Автор: Chia-Yu Chang,Steven Su,Chih-Chien Ho. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of hybrid automatic repeat request implementation for data transmission with multi-level coding

Номер патента: US20190207719A1. Автор: Roman Olegovich Maslennikov,Andrey Arkad'evich SHEVCHENKO,Aleksey Ur'evich TRUSHANIN,Vyacheslav Ur'evich SHUMILOV,Maksim Vital'evich MAKHLYSHEV. Владелец: "RADIO GIGABIT" LLC. Дата публикации: 2019-07-04.

SAFETY BOOTS WITH MULTI LEVEL SAFETY FEATURES

Номер патента: US20150237949A1. Автор: Poulos Efthimios. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Pulverized Coal Gasification Furnace with Multi-level Feeding of High Speed Circulating Gasification Agent and Gasification Method

Номер патента: US20170240825A1. Автор: Liu Xiaoying,Li Zhengqi,Chen Zhichao,Wang Haopeng,ZENG Lingyan,JIANG Bingkun,ZHU Qunyi,QIN Yukun. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

HARDWARE COMPRESSION TO FIND BACKWARD REFERENCES WITH MULTI-LEVEL HASHES

Номер патента: US20150280738A1. Автор: Jacobi Christian,FUCHS Thomas,Vogt Joerg-Stephan,Rieke Reiner. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

SIGNAL RECEIVER WITH MULTI-LEVEL SAMPLING

Номер патента: US20180278408A1. Автор: PENG Sheng-Yu,Zhu Jianyu,Bhatia Rahul,Chandler Rodney,Tiwari Pawan,Fogleman Eric. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

METHOD OF HYBRID AUTOMATIC REPEAT REQUEST IMPLEMENTATION FOR DATA TRANSMISSION WITH MULTI-LEVEL CODING

Номер патента: US20200274647A1. Автор: MASLENNIKOV Roman Olegovich,"SHEVCHENKO Andrey Arkadevich","TRUSHANIN Aleksey Urevich","SHUMILOV Vyacheslav Urevich","MAKHLYSHEV Maksim Vitalevich". Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor Device with Multi Level Interconnects and Method of Forming the Same

Номер патента: US20180337113A1. Автор: LIU Chi-Wen,Wang Ying-Lang,Chen Kei-Wei,Huang Kuo-Feng,Wei Kuo-Hsiu,Liang Jeng Min. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor Package with Multi-Level Conductive Clip for Top Side Cooling

Номер патента: US20200350238A1. Автор: Hong Chii Shang,TAI Chiew Li,Koo Wei Han. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor Package with Multi-Level Conductive Clip for Top Side Cooling

Номер патента: US20200350272A1. Автор: Nikitin Ivan,Hong Chii Shang,TAI Chiew Li,Koo Wei Han. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

RF THERMAL INCREASE SYSTEMS WITH MULTI-LEVEL ELECTRODES

Номер патента: US20200351992A1. Автор: Mongin Lionel,Piel Pierre Marie Jean,McCarville Jamison Michael. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

MICROFLUIDIC DEVICE WITH MULTI-LEVEL, PROGRAMMABLE MICROFLUIDIC NODE

Номер патента: US20180369809A1. Автор: Delamarche Emmanuel,Gökçe Onur. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Method of surgical treatment of osteochondrosis of lumbary spine of spine with multi-level stenosis of spinal canal

Номер патента: RU2625775C1. Автор: Сергей Васильевич Колесов,Аркадий Иванович Казьмин,Дмитрий Александрович Колбовский,Наталия Сергеевна Морозова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Центральный научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии имени Н.Н. Приорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "ЦИТО им. Н.Н. Приорова" Минздрава России). Дата публикации: 2017-07-18.

Occupancy sensor with multi-level signaling

Номер патента: US8436541B2. Автор: James V. Olson. Владелец: Schneider Electric USA Inc. Дата публикации: 2013-05-07.

Power converter with multi-level voltage output and harmonics compensator

Номер патента: CN102474201A. Автор: 拉尔斯-埃里克·尤林,汉斯·彼得·尼,伦纳特·哈内福什,比约恩·雅各布松. Владелец: ABB T&D Technology AG. Дата публикации: 2012-05-23.

ELECTRICAL BILLIARD WITH MULTI-LEVEL PLAYGROUND

Номер патента: FR2492672A1. Автор: Claude Albert Fernandez. Владелец: Bally Manufacturing Corp. Дата публикации: 1982-04-30.

Power converter with multi-level voltage output and harmonics compensator

Номер патента: EP2449668A1. Автор: Lennart Harnefors,Björn Jacobsson,Lars-Erik Juhlin,Hans Peter Nee. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2012-05-09.

Panel and its manufacture method with multi-level drawing and stereochemical structure

Номер патента: CN106915195A. Автор: 赖胜文. Владелец: XINGLIANG INDUSTRY Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Spark plug with multi-level isolator seat

Номер патента: DE102017210235A1. Автор: Chris Schimmel,Matthias DOLLANSKY. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device with multi-level interconnect structure

Номер патента: KR950021406A. Автор: 군니아끼 고야마. Владелец: 니뽄 덴끼 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 1995-07-26.

Microfluidic device with multi-level, programmable microfluidic node

Номер патента: US10556233B2. Автор: Emmanuel Delamarche,Onur Gökçe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-11.

Rotary fluid device with multi-level phase shift control

Номер патента: US8292605B2. Автор: Brian S. R. Armstrong,Qinghui Yuan. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Drilling tool with multi-level cutting depth control

Номер патента: DE112013007395T5. Автор: Shilin Chen,Robert W. Arfele. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2016-05-25.

Power supply for a non-linear load with multi-level matrix converters

Номер патента: EP2947766A1. Автор: Arno DÖBBELER,Martin Pieschel,Wolfgang Hörger,Hans-Joachim Knaak,Jonas Pinkwart. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-11-25.

Power converter with multi-level voltage output and harmonics filter

Номер патента: KR101320214B1. Автор: 비외른 야콥손,렌나르트 하르네포르스. Владелец: 에이비비 테크놀로지 아게. Дата публикации: 2013-10-21.

System and method to increase link adaptation performance with multi-level feedback

Номер патента: EP2557724A1. Автор: Ozgur Ekici,Muhammad Khaledul Islam. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2013-02-13.

Data transmission with multi-level ACK/NACK feedback

Номер патента: US8332708B2. Автор: Nagendra Nagaraja. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Signal receiver with multi-level sampling

Номер патента: US8934590B2. Автор: Jianyu Zhu,Rahul Bhatia,Sheng-Yu Peng,Rodney Chandler,Pawan Tiwari,Eric Fogleman. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2015-01-13.

ROW ELECTRICAL INSTALLATION WITH MULTI-LEVEL FREQUENCY CONVERTERS

Номер патента: RU2011126238A. Автор: Валентин Алексеевич Хомяк,Борис Андреевич Балабанов,Игорь Михайлович Калинин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт судовой электротехники и технологии" (ФГУП "ЦНИИ СЭТ"). Дата публикации: 2012-12-27.

Harmonic suppression system with multi-level active power filter

Номер патента: CN105932677A. Автор: 张永. Владелец: FENGZHI (SHANGHAI) NEW ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-07.

Handover in a mobile communication system with multipleHandover in a mobile communication system with multi-level cell coverage in cell coverage

Номер патента: FI961668A0. Автор: Oscar Salonaho. Владелец: Nokia Telecommunications Oy. Дата публикации: 1996-04-16.

Semiconductor package with multi-level conductive clip for top side cooling

Номер патента: US10978380B2. Автор: Chii Shang Hong,Wei Han Koo,Chiew Li Tai. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-04-13.

Active filter with multi-level connection configuration

Номер патента: JP5371952B2. Автор: ドムマシュク、ミケ,ドルン、イェルク,オイラー、インゴ,ラング、イェルク,トゥ、クオック‐ブー,ヴュルフリンガー、クラウス,ベルンハルト、トビアス,カルレチ‐マイアー、フランツ,シュトラウス、ジョン‐ウィリアム,ヴィットシュトック、カルステン. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2013-12-18.

Safety boots with multi level safety features

Номер патента: CA2847792A1. Автор: Efthimios Poulos. Владелец: Efthimios Poulos. Дата публикации: 2015-08-25.

Low-pressure die-casting machine with multi-level opening-closing molds

Номер патента: CN106001509A. Автор: 高川,高玉良,尹悦来. Владелец: FUXIN WANDA CASTING CO LTD. Дата публикации: 2016-10-12.

CIRCUIT ARRANGEMENT FOR REMOTE COMMUNICATION SYSTEMS, IN PARTICULAR TELEPHONE SWITCHING SYSTEMS, WITH MULTI-LEVEL COUPLING FIELDS WITH STRETCHED GROUPING

Номер патента: DE2443888C2. Автор: Helga 8000 München Hofstetter. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1976-09-09.

Storage device with multi-level structure

Номер патента: JP2008160121A. Автор: Serge Gidon,セルジュ・ジドン. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-07-10.

Dishwasher with multi-level dishwasher rack

Номер патента: US20230065565A1. Автор: Mark W. Wilson,Robert M. Digman,Garen Gibbs. Владелец: Midea Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Power converter with multi-level voltage output and harmonics filter

Номер патента: US8553435B2. Автор: Lennart Harnefors,Björn Jacobson. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2013-10-08.

Three-dimensional current collector with multi-level structure for protecting lithium metal negative electrode and preparation method thereof

Номер патента: CN111697236A. Автор: 张学良,蔡跃鹏,洪旭佳,阮志钦. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-09-22.

Circuit arrangement for centrally controlled telecommunications, in particular telephone switching systems with multi-level switching networks

Номер патента: DE2148709C3. Автор: Walter 8031 Alling Meyer,Jochen 8000 Muenchen Rieder. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1975-02-20.

Wearable article with multi-level alert system

Номер патента: US7241627B2. Автор: Dave Allen Soerens,Hoa La Wilhelm,James Hongxue Wang,Lee Delson Wilhelm. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2007-07-10.

Occupancy sensor with multi-level signaling

Номер патента: EP2659744A2. Автор: James V. Olson. Владелец: Schneider Electric USA Inc. Дата публикации: 2013-11-06.

Semiconductor device with multi level interconnects and method of forming the same

Номер патента: CN103972213A. Автор: 陈科维,魏国修,王英郎,刘继文,黄国峰,郑敏良. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Power converter with multi-level voltage output and harmonics filter

Номер патента: EP2359463A1. Автор: Lennart Harnefors,Björn Jacobson. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2011-08-24.

Preparation method of high-strength high-plasticity industrial pure titanium with multi-level structure

Номер патента: CN110295334B. Автор: 陈智栋,吴敏娴,王文昌,徐腾飞,王世颖. Владелец: CHANGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-11-24.

Power converter with multi-level voltage output and harmonics compensator

Номер патента: KR101292991B1. Автор: 비외른 야콥손,라르스-에리크 율린,한스 페터 네,렌나르트 헤르네포르스. Владелец: 에이비비 테크놀로지 아게. Дата публикации: 2013-08-02.

Interface circuit compatible with multi-level input

Номер патента: CN108880527B. Автор: 张波,方健,雷一博,王定良,段艳秋,冯垚荣. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-06-26.

Rack storage system with multi-level storage racks

Номер патента: DE102020133408B3. Автор: Matthias Wehner,Edwin Prince Joseph,Traian GLIGOR,Tobias Polanz,Tsz Fung Mok,Andreas Groell,Sören Mushack. Владелец: Dematic GmbH. Дата публикации: 2022-03-17.

Modular transformer for use with multi-level power converter

Номер патента: EP1113570A1. Автор: Gene Castles,Edgar S. Thaxton,Peter M. Rinaldi. Владелец: Electric Boat Corp. Дата публикации: 2001-07-04.

Memory device with multi-level structure

Номер патента: DE602007010889D1. Автор: Serge Gidon. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2011-01-13.

SL plane embedded type noble metal spark plug with multi-level and high energy

Номер патента: AU2007209789A1. Автор: Dimin Hua. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Resistance change memory device with multi-level characteristics and fabrication method for the same

Номер патента: KR20230100693A. Автор: 김덕기,김홍균,자말 아지즈. Владелец: 세종대학교산학협력단. Дата публикации: 2023-07-05.

Spark plug with multi-level insulator seat

Номер патента: ES2898751T3. Автор: Matthias HERZBERG,Chris Schimmel. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-03-08.

Data transmission with multi-level ack/nack feedback

Номер патента: WO2011140398A1. Автор: Nagendra Nagaraja. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-11-10.

Hinges with multi-level stop function

Номер патента: KR950023497U. Автор: 우상하. Владелец: 현대중장비산업주식회사. Дата публикации: 1995-08-21.

Enhancement decoder for video signals with multi-level enhancement and coding format adjustment

Номер патента: GB2593328A. Автор: Meardi Guido,FERRARA Simone. Владелец: V Nova International Ltd. Дата публикации: 2021-09-22.

Enhancement decoder for video signals with multi-level enhancement and coding format adjustment

Номер патента: US20230412813A1. Автор: Guido Meardi,Simone FERRARA. Владелец: V Nova International Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Integrated circuits and methods of forming the same with multi-level electrical connection

Номер патента: US20140232010A1. Автор: Huang Liu,San Leong Liew. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-21.

Hardware compression to find backward references with multi-level hashes

Номер патента: US20160049951A1. Автор: Thomas Fuchs,Christian Jacobi,Joerg-Stephan Vogt,Reiner Rieke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of hybrid automatic repeat request implementation for data transmission with multi-level coding

Номер патента: US20200274647A1. Автор: Roman Olegovich Maslennikov,Andrey Arkad'evich SHEVCHENKO,Aleksey Ur'evich TRUSHANIN,Vyacheslav Ur'evich SHUMILOV,Maksim Vital'evich MAKHLYSHEV. Владелец: "RADIO GIGABIT" LLC. Дата публикации: 2020-08-27.

Phase change memory with multi-level programming

Номер патента: US20230301207A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Hardware compression to find backward references with multi-level hashes

Номер патента: US20150280738A1. Автор: Thomas Fuchs,Christian Jacobi,Joerg-Stephan Vogt,Reiner Rieke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Transistor with multi-level self-aligned gate and source/drain terminals and methods

Номер патента: US20220223694A1. Автор: Mark D. Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli,Ajay RAMAN,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

NAND Flash的存储纠错方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117724888. Автор: 李晓强,陈斌,聂蒙,吴大畏,陈寄福. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

NAND Flash的存储纠错方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117724888A. Автор: 李晓强,陈斌,聂蒙,吴大畏,陈寄福. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

一种大容量立体堆叠的Nand Flash芯片

Номер патента: CN114843252. Автор: 顾林,郑利华,江飞,胡德福,黎蕾. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2022-08-02.

一种将小容量nand flash芯片扩展成大容量模块的方法

Номер патента: CN101901116A. Автор: 李伟,梁华勇,邓昕岳. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-01.

一种大容量立体堆叠的Nand Flash芯片

Номер патента: CN114843252A. Автор: 顾林,郑利华,江飞,胡德福,黎蕾. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2022-08-02.

具有nand flash走线的刚柔结合板及实现方法

Номер патента: CN116406080A. Автор: 梁磊,秦清松. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-07.

具有nand flash走线的刚柔结合板及实现方法

Номер патента: CN116406080. Автор: 梁磊,秦清松. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-07.

基于NAND flash的高可靠性文件系统设计方法

Номер патента: CN115981560. Автор: 王瑞,曹春雨,祁宝刚. Владелец: Beijing Tianyu Yunan Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-18.

nand flash掉电测试装置、掉电测试方法及存储介质

Номер патента: CN115954042. Автор: 贺乐,胡鸿源,赖鼐. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

Nand Flash健康度检测方法、装置和计算机设备

Номер патента: CN116013398A. Автор: 伍旭东,张少壮,朱银波. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Nand Flash健康度检测方法、装置和计算机设备

Номер патента: CN116013398. Автор: 伍旭东,张少壮,朱银波. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

nand flash掉电测试装置、掉电测试方法及存储介质

Номер патента: CN115954042A. Автор: 贺乐,胡鸿源,赖鼐. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

一种容量为8G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203644768U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

一种容量为4G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203644762U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

具有纠错能力的NAND Flash控制器及控制方法

Номер патента: CN113014269. Автор: 罗梓源,李润峰,虞志益,肖山林,谢清伊,陈靖康,谢继章,古文康. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2021-06-22.

一种Nand Flash参数数据的校验方法和装置

Номер патента: CN118737248A. Автор: 张旭,姚敏,董婷,陈志�,夏渊. Владелец: Accelink Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

一种基于FPGA的高可靠性NAND-Flash控制器及其数据处理方法

Номер патента: CN117891759A. Автор: 殷晓斌,胡易成,解歆钰. Владелец: Sanya Institute Of Oceanography Ocean University Of China. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor process flow for nand flash memory products

Номер патента: EP1145308A1. Автор: Hao Fang,John Jianshi Wang,Masaaki Higashitani,Kent Kuohua Chang,Salvatore F. Cagnina. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-10-17.

LDPC code decoding method for NAND-Flash storage medium

Номер патента: CN108809330B. Автор: 杨国俊,刘星成. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2020-09-22.

一种容量为4G×16bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203746837U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-30.

容量为8G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203644770U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

Method of Forming an Integrated Circuit with NAND Flash Array Segments and Intra Array Multiplexers and Corresponding Integrated Circuit with NAND Flash Array Segments and Intra Array Multiplexers

Номер патента: US20090296473A1. Автор: Steffen Meyer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-12-03.

NAND Flash的数据处理方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN117215480B. Автор: 郑鑫. Владелец: Shenzhen Jingcun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

NAND Flash的数据处理方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN117215480. Автор: 郑鑫. Владелец: Shenzhen Jingcun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

一种用于NAND Flash随机化的随机序列种子生成方法及其系统

Номер патента: CN115878048. Автор: 龚晖,赖鼐,温佳强. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-03-31.

一种优化NAND flash双重曝光关键尺寸的方法

Номер патента: CN110379706. Автор: 何理,黄冠群,巨晓华. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-25.

用于NAND Flash主控芯片的Greedy垃圾回收系统

Номер патента: CN109739776. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2019-05-10.

针对NAND Flash主控芯片Greedy垃圾回收的优化方法

Номер патента: CN109710541. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2019-05-03.

Vertical NAND flash memory device

Номер патента: US09899406B2. Автор: Kyoung-hoon Kim,HongSoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

一种容量为16G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203644767U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

Method for optimizing double exposure key size of NAND flash

Номер патента: CN110379706B. Автор: 何理,黄冠群,巨晓华. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-13.

Random sequence seed generation method and system for NAND Flash randomization

Номер патента: CN115878048A. Автор: 龚晖,赖鼐,温佳强. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-03-31.

Random sequence seed generation method and system for NAND Flash randomization

Номер патента: CN115878048B. Автор: 龚晖,赖鼐,温佳强. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-05-12.

NAND Flash的数据处理方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN117215480A. Автор: 郑鑫. Владелец: Shenzhen Jingcun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Floating Gate Separation in NAND Flash Memory

Номер патента: US20160336182A1. Автор: Atsushi Shimoda,Takuya Sakurai,Toshiya Yokota. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-17.

Method of fabricating a charge trap nand flash memory device

Номер патента: US20130087849A1. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Method for manufacturing gate of nand flash

Номер патента: US20230170392A1. Автор: Fulong Qiao,Pengkai Xu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Nand flash memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090294829A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

一种封装基板制作方法、NAND Flash封装基板及存储颗粒

Номер патента: CN116721926. Автор: 龚晖,王闻师,赖鼐,胡秋勇. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-09-08.

与非型闪存Nand Flash存储管理方法与装置

Номер патента: CN115933990. Автор: 刘硕,高梦杰,黄瑞霞,房骁. Владелец: Weifang Weichai Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-07.

一种封装基板制作方法、NAND Flash封装基板及存储颗粒

Номер патента: CN116721926B. Автор: 龚晖,王闻师,赖鼐,胡秋勇. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-07-26.

一种改善NAND flash空气间隙中介质材料残留的方法

Номер патента: CN114999999. Автор: 张磊,陈昊瑜,陈彩云. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-02.

NAND Flash叠层结构栅极制造方法

Номер патента: CN114220814. Автор: 乔夫龙,孙文彦,许鹏凯. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

一种改善NAND flash控制栅极间形貌的方法

Номер патента: CN112530962. Автор: 王奇伟,巨晓华,吴一姗. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-19.

NAND Flash叠层结构栅极制造方法

Номер патента: CN114220814A. Автор: 乔夫龙,孙文彦,许鹏凯. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

NAND flash memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911593B2. Автор: SHILIANG Ji,YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Seimconductor Manufacturing International (beijing) Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

NAND flash memory and fabrication method thereof

Номер патента: US09741573B2. Автор: Guo Bin Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Triple patterning NAND flash memory

Номер патента: US09613806B2. Автор: Tuan Duc Pham,Jongsun Sel,Mun Pyo Hong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

Floating gate separation in NAND flash memory

Номер патента: US09595444B2. Автор: Atsushi Shimoda,Takuya Sakurai,Toshiya Yokota. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of manufacturing NAND flash memory device

Номер патента: US7727839B2. Автор: Jae Chul Om,Nam Kyeong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-01.

Method of fabricating a charge trap NAND flash memory device

Номер патента: US9224873B2. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

Method of manufacturing NAND flash memory device

Номер патента: US20070117318A1. Автор: In Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-24.

Process for Fabricating a 3D-NAND Flash Memory

Номер патента: US20230335496A1. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Mikaïlou Thiam,Amine LAKHDARI. Владелец: MacDermid Enthone Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Processes for nand flash memory fabrication

Номер патента: WO2014042960A3. Автор: Tuan Pham,Jongsun Sel. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-07-17.

Processes for nand flash memory fabrication

Номер патента: WO2014042960A2. Автор: Tuan Pham,Jongsun Sel. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

Triple Patterning NAND Flash Memory with Stepped Mandrel

Номер патента: US20150064907A1. Автор: Tuan Duc Pham,Jongsun Sel,Mun Pyo Hong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-05.

一种改善NAND flash空气间隙中介质材料残留的方法

Номер патента: CN114999999A. Автор: 张磊,陈昊瑜,陈彩云. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-02.

一种改善NAND flash控制栅极间形貌的方法

Номер патента: CN112530962A. Автор: 王奇伟,巨晓华,吴一姗. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-19.

与非型闪存Nand Flash存储管理方法与装置

Номер патента: CN115933990A. Автор: 刘硕,高梦杰,黄瑞霞,房骁. Владелец: Weifang Weichai Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-07.

Process for fabricating a 3d-nand flash memory

Номер патента: EP4225977A1. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Mikaïlou Thiam,Amine LAKHDARI. Владелец: MacDermid Enthone Inc. Дата публикации: 2023-08-16.

Process for fabricating a 3d-nand flash memory

Номер патента: WO2022074221A1. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Mikaïlou Thiam,Amine LAKHDARI. Владелец: Aveni. Дата публикации: 2022-04-14.

Method of manufacturing NAND flash device

Номер патента: US20050106814A1. Автор: Young Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-05-19.

Vertical nand flash memory device

Номер патента: US20240215249A1. Автор: Seyun KIM,Sunho Kim,Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Vertical nand flash memory device

Номер патента: EP4391761A1. Автор: Seyun KIM,Sunho Kim,Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

NAND flash memory device having a contact for controlling a well potential

Номер патента: US20090152614A1. Автор: Byung-Jun Hwang,Jae-Kwan Park,Nam-su Lim,Jee-hoon Han,So-wi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

一种封装基板制作方法、NAND Flash封装基板及存储颗粒

Номер патента: CN116721926A. Автор: 龚晖,王闻师,赖鼐,胡秋勇. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-09-08.

Method for manufacturing of microcircuit boards with multi-level thin-film commutation

Номер патента: RU2398369C1. Автор: Лидия Ивановна Тулина,Вячеслав Евгеньевич Сергеев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2010-08-27.

NAND FLASH ARCHITECTURE WITH MULTI-LEVEL ROW DECODING

Номер патента: US20120218829A1. Автор: KIM Jin-Ki. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-08-30.

Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device with multi-level interconnection structure

Номер патента: TW312847B. Автор: Jenn-Hwa Yu,xun-ming Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1997-08-11.

Method and device for modulation recognition of digitally modulated signals with multi-level magnitudes

Номер патента: TW200616393A. Автор: Ching-Yung Chen,Chih-Chun Feng. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2006-05-16.

MULTI-CHIP MODULE WITH MULTI-LEVEL INTERPOSER

Номер патента: US20120266464A1. Автор: Cunningham John E.,Chow Eugene M.,Mitchell James G.,Shubin Ivan. Владелец: ORACLE INTERNATIONAL CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-25.

Requester Based Transaction Status Reporting in a System with Multi-Level Memory

Номер патента: US20120079102A1. Автор: Venkatasubramanian Ramakrishnan,Chachad Abhijeet Ashok,Damodaran Raguram,Bhoria Naveen,Balasubramanian Dheera. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

Magnetic Memory Cell With Multi-Level Cell (MLC) Data Storage Capability

Номер патента: US20120134200A1. Автор: Gao Zheng,Khoueir Antoine,Xue Song S.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-05-31.

FLASH MEMORY DEVICE WITH MULTI-LEVEL CELLS AND METHOD OF WRITING DATA THEREIN

Номер патента: US20120159054A1. Автор: Cheon Won-Moon,Kim Seon-Taek,Park Chan-Ik,Choi Sung-up. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-21.

OCCUPANCY SENSOR WITH MULTI-LEVEL SIGNALING

Номер патента: US20120169242A1. Автор: Olson James V.. Владелец: Schneider Electric USA, Inc.. Дата публикации: 2012-07-05.

SOLID-STATE STORAGE DEVICE WITH MULTI-LEVEL ADDRESSING

Номер патента: US20120239855A1. Автор: MOSHAYEDI Mark,TOOTOONCHIAN Mohammadali. Владелец: STEC, INC.. Дата публикации: 2012-09-20.

Wagering Game With Multi-Level Progressive Game

Номер патента: US20120289326A1. Автор: Englman Allon G.,Gomez Benjamin T.,Mastropietro Michael W.,Rose Bradley A.. Владелец: WMS Gaming Inc.. Дата публикации: 2012-11-15.

PMR Writer Device with Multi-Level Tapered Write Pole

Номер патента: US20130003226A1. Автор: . Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

Wagering Game Triggering Mechanism For Use With Multi-Level Progressive Game

Номер патента: US20130045785A1. Автор: Gomez Benjamin T.. Владелец: WMS Gaming Inc.. Дата публикации: 2013-02-21.

Magnetic Recording System With Multi-Level Write Current

Номер патента: US20130128375A1. Автор: Livshitz Boris,Goldberg Jason S.,Wilson Ross S.. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-23.

Combined seismic mitigation and isolation system with multi-level seismic fortification function

Номер патента: CN211368329U. Автор: 赵博,李洪刚,陈仲扬,李雪红,张赵铨,满孝卫,刘朵. Владелец: Nanjing Gongda Traffic Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-08-28.

Exhibition is with multi-level show cupboard of conveniently clearing up

Номер патента: CN216932581U. Автор: 陈岷,邓正洲,张奕轩. Владелец: Wuhan Nongbo Exhibition Co ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Water logging supersound automatic check out system with multi-level scanning function

Номер патента: CN210221905U. Автор: Ying Li,李莹,Xusheng Zhang,Deliang Lian,廉德良,张绪胜,Haoran Hua,华浩然. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2020-03-31.

Magnetic medium box of high-gradient strong magnetic machine with multi-level distributed magnetic medium space

Номер патента: CN203417745U. Автор: 唐奇,马越,冯吉,杨娇,张承臣. Владелец: Longi Magnet Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-05.

The chlorine dioxide absorption plant with multi-level safety safeguard measure

Номер патента: CN203935759U. Автор: 宋海农,杨聪,王景龙,杨彦,杨崎峰,徐国涛,农斌,徐萃声,黄丙贵,杨礼平,班飞,韦海浪. Владелец: Guangxi Bossco Environmental Protection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-12.

Terahertz frequency multiplier with multi-level lower waveguide matching structure

Номер патента: CN104617881A. Автор: 胡江,张勇,陈忠飞,肖筑文. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2015-05-13.

Hydraulic power chuck with multi-level adjustable clamping force

Номер патента: CN101693301A. Автор: 杨华勇,周城,杨利奎. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2010-04-14.

Interior decoration is with multi-level high decoration and fitment operation platform

Номер патента: CN210563298U. Автор: 李铮. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-19.

Tea vinegar brewing method with multi-level fermented extraction

Номер патента: TW201234984A. Автор: xiu-hui Chen. Владелец: Ju Feng Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-01.

Non-volatile digital memory device with multi-level storage cells

Номер патента: GB9401227D0. Автор: . Владелец: MEMORY CORP Ltd. Дата публикации: 1994-03-16.

Golf club head with multi-level sole

Номер патента: CA878683A. Автор: R. Lysaght John. Владелец: Brunswick Corp. Дата публикации: 1971-08-17.

Nursery stock greenhouse is cultivated with multi-level nursery

Номер патента: CN210352326U. Автор: 尹永范. Владелец: Dalian Hongguo Agricultural Science And Technology Development Group Co ltd. Дата публикации: 2020-04-21.

Microcomputer motor protecting and monitoring device with multi-level meter automatic control

Номер патента: CN102789186A. Автор: 王晓辉,戴顺辉. Владелец: SHANGHAI HUAJIAN ELECTRICAL EQUIPMENT CO Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Keyboard with multi-level key-travel keys

Номер патента: CN105373232A. Автор: 葛少龙,葛岩. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-02.

High performance lighting device with multi-level light sources

Номер патента: TW201215810A. Автор: Jian-Yuan Chen,Ying-De Zhuang. Владелец: Power Data Comm Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-16.

一种快速烧写NAND flash的装置

Номер патента: CN201465564U. Автор: 张根林,徐旭斌. Владелец: ZHEJIANG ZHENGYUAN ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2010-05-12.

一种基于NAND Flash的系统检测方法及装置

Номер патента: CN102789408A. Автор: 王征宇. Владелец: Xiamen Overseas Chinese Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

一种确定nand flash纠错模式的方法、装置及电子设备

Номер патента: CN116028261. Автор: 柴昊. Владелец: Zhejiang Dahua Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-28.

一种提高nand flash器件文件存取速度的方法及系统

Номер патента: CN109710181. Автор: 杨磊,唐琪,邱礼胜. Владелец: CHENGDU LATEST ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-03.

一种nand flash封装设计方法

Номер патента: CN118888459A. Автор: 唐旭,万国春. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-01.

一种基于NAND Flash的系统检测方法及装置

Номер патента: CN102789408B. Автор: 王征宇. Владелец: Xiamen Xiahua Investment Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-22.

一种基于NAND Flash的系统检测装置

Номер патента: CN202720634U. Автор: 王征宇. Владелец: Xiamen Overseas Chinese Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-06.

NAND Flash的扫描方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117727354. Автор: 李晓强,陈斌,聂蒙,吴大畏,陈寄福. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

NAND Flash的扫描方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117727354A. Автор: 李晓强,陈斌,聂蒙,吴大畏,陈寄福. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

一种用于MLC NAND Flash存储器的嵌入ECC读取电路装置

Номер патента: CN207742939U. Автор: 杨燕,王滨,王天宝,陈霞,杜江,王海时,李英祥,彭映杰. Владелец: Chengdu University of Information Technology. Дата публикации: 2018-08-17.

一种nand flash存储器件

Номер патента: CN100477009. Автор: 骆建军,楚传仁. Владелец: LUO JIANJUN CHU CHUANREN. Дата публикации: 2009-04-08.

一种用于测试nand flash的PCB板

Номер патента: CN214311714U. Автор: 宗成强,范宣荣,尹相彦. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-28.

一种基于NAND Flash可靠性的数据处理方法

Номер патента: CN117215476. Автор: 杨柳,张博,李前辉,霍宗亮,叶甜春,于晓磊,王先良,王颀,何菁. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-12.

一种基于NAND Flash可靠性的数据处理方法

Номер патента: CN117215476A. Автор: 杨柳,张博,李前辉,霍宗亮,叶甜春,于晓磊,王先良,王颀,何菁. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-12.

一种NAND Flash特性模型建立方法

Номер патента: CN109871594. Автор: 刘尚,朱苏雁,孙中琳,刘大铕,刘奇浩,王运哲. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-11.

一种选择最佳NAND Flash读操作电平的方法

Номер патента: CN109741783. Автор: 李铁,王彬. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-10.

Bad queue management device for Nand Flash

Номер патента: CN203311409U. Автор: 黎健,陈文捷,庞荣,魏益新,郑灼荣. Владелец: Jianrong Integrated Circuit Technology Zhuhai Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-27.

Large-capacity NAND FLASH expansion module

Номер патента: CN201741409U. Автор: 李伟,梁华勇,邓昕岳. Владелец: Langchao Electronic Information Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-09.

Method for establishing large-page NAND Flash storage system under Windows CE condition

Номер патента: CN101923570B. Автор: 汪玮,廖颖,陈一新,莫家贵. Владелец: CETC 38 Research Institute. Дата публикации: 2012-07-04.

一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN209401621U. Автор: 余欢,牛士敏. Владелец: Xian Microelectronics Technology Institute. Дата публикации: 2019-09-17.

一种在Nand Flash存储器中直接建立只读文件系统的方法

Номер патента: CN1737759A. Автор: 赵玉峰. Владелец: Hisense Mobile Communications Technology Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-22.

一种在Nand Flash存储器中直接建立只读文件系统的方法

Номер патента: CN100395704. Автор: 赵玉峰. Владелец: Hisense Mobile Communications Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-18.

一种axi总线访问nand flash的方法及装置

Номер патента: CN109726149. Автор: 杨海波,赵强,王泉,曹朋朋,霍卫涛,胡小婷. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2019-05-07.

Nand Flash parameter reading method

Номер патента: CN105280240A. Автор: 李烨,刘方,庹凌云,卜弋天,谢长武. Владелец: Analog Microelectronics (shanghai) Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-27.

一种基于nand flash的电子盘及其运行控制方法

Номер патента: CN101751978A. Автор: 王玉章,马先明. Владелец: BEIJING EVOC INTELLIGENT TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-23.

一种多个nand Flash存储芯片同步高温测试装置

Номер патента: CN219040077U. Автор: 李斌,李芳�,胡文婷,任朝建. Владелец: Shenzhen Maide'er Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-05-16.

一种多个nand Flash存储芯片同步高温测试装置

Номер патента: CN116013399. Автор: 李斌,李芳�,胡文婷,任朝建. Владелец: Shenzhen Maide'er Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Nand Flash storer and realize the method for the continuous read operation of Nand Flash storer

Номер патента: CN103377686B. Автор: 苏志强,丁冲,张现聚. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2016-03-30.

A kind of highly reliable linear file access method based on Nand Flash

Номер патента: CN103577121B. Автор: 袁松,毛先俊,何冲. Владелец: CSIC (WUHAN) LINCOM ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-06.

Nand flash测试设备

Номер патента: CN220290466U. Автор: 孙文琪. Владелец: Lianhe Storage Technology Jiangsu Co ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

基于fpga的快速nand flash控制器及其控制方法

Номер патента: CN103226977A. Автор: 刘鹏,鞠磊,贾智平,申兆岩. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2013-07-31.

一种多个nand Flash存储芯片同步高温测试装置

Номер патента: CN116013399A. Автор: 李斌,李芳�,胡文婷,任朝建. Владелец: Shenzhen Maide'er Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法

Номер патента: CN109785891. Автор: 王彬,曹成. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

High-reliability linear file access method based on nand flash

Номер патента: CN103577121A. Автор: 袁松,毛先俊,何冲. Владелец: CSIC (WUHAN) LINCOM ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-12.

NAND Flash characteristic model establishing method

Номер патента: CN109871594B. Автор: 刘尚,朱苏雁,孙中琳,刘大铕,刘奇浩,王运哲. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-03.

一种基于单片机的nand-flash写操作方法

Номер патента: CN104166627A. Автор: 田星星,焦来宾,何刚. Владелец: KEDA INTELLIGENT ELECTRICAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-26.

Nand Flash脱机裸片烧程设备

Номер патента: CN214202348U. Автор: 黄野,孟卓,王冰洁,梅红争. Владелец: Ningbo Henglida Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

一种提高通道内3d nand flash并行度的方法及系统

Номер патента: CN114333948. Автор: 沈力,刘奇浩,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

一种提高通道内3d nand flash并行度的方法及系统

Номер патента: CN114333948B. Автор: 沈力,刘奇浩,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-20.

一种提高通道内3d nand flash并行度的方法及系统

Номер патента: CN114333948A. Автор: 沈力,刘奇浩,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Method and apparatus for accelerating write operation of Nand Flash

Номер патента: CN105138465A. Автор: 贾天亮. Владелец: Beijing Techshino Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-09.

一种axi总线访问nand flash的方法及装置

Номер патента: CN109726149A. Автор: 杨海波,赵强,王泉,曹朋朋,霍卫涛,胡小婷. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2019-05-07.

提高NAND Flash存储可靠性的数据存储方法

Номер патента: CN104467871B. Автор: 赵浩然,乔立岩,邓立宝,魏德宝. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2018-03-27.

一种小型Nand Flash多功能测试装置

Номер патента: CN215868650U. Автор: 朱言言. Владелец: Suzhou Jiecun Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

一种容量为16G×32bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN209249457U. Автор: 李晗,余欢. Владелец: Xian Microelectronics Technology Institute. Дата публикации: 2019-08-13.

基于Nand Flash多版本程序的FPGA加载技术

Номер патента: CN102750175A. Автор: 刘剑,翟刚毅. Владелец: 724th Research Institute of CSIC. Дата публикации: 2012-10-24.

一种嵌入式CPU在NAND Flash上启动的方法

Номер патента: CN103279399A. Автор: 倪成钢. Владелец: Beijing Hanbang Gaoke Digital Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-04.

一种SPI NAND Flash芯片性能测试方法及装置

Номер патента: CN118366531A. Автор: 徐培根. Владелец: Guangzhou V Solution Telecommunication Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-07-19.

用於NAND Flash的通用控制模組及其方法

Номер патента: TWI859110B. Автор: 朱志強,華慶明. Владелец: 大陸商合肥奎芯集成電路設計有限公司. Дата публикации: 2024-10-11.

一种nand flash数据校验方法及相关装置

Номер патента: CN109857586. Автор: 王磊,李冰,陈晓彤,王广军,许云龙,安志远. Владелец: Kangtai Medical System (qinhuangdao) Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2019-06-07.

Balanced loss achievement method for NAND FLASH

Номер патента: CN103092766A. Автор: 张志永,宗宇. Владелец: Mxtronics Corp. Дата публикации: 2013-05-08.

A kind of access method of NAND Flash interface and device

Номер патента: CN104750430B. Автор: 马翼,祝博,田达海. Владелец: Hunan Goke Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-16.

Method and device for write operation of NAND Flash storage device with differential storage

Номер патента: CN103680610A. Автор: 苏志强,舒清明. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2014-03-26.

Multi-channel Nand Flash controller and control method for same

Номер патента: CN103778013A. Автор: 房亮,闫蕾,宫永生,曹丽剑,吴少俊,曹素芝. Владелец: Technology and Engineering Center for Space Utilization of CAS. Дата публикации: 2014-05-07.

Write operation method and device of Nand-flash memory

Номер патента: CN103455427A. Автор: 苏志强,丁冲,张现聚,刘奎伟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2013-12-18.

NAND Flash存储系统高磨损区域数据预加重方法

Номер патента: CN105405462A. Автор: 潘立阳,高忠义,麻昊志. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2016-03-16.

一种快速烧写NAND flash的方法和装置

Номер патента: CN101527161A. Автор: 张根林,徐旭斌. Владелец: ZHEJIANG ZHENGYUAN ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2009-09-09.

一种延长NAND Flash数据可靠存储时间的编码方法

Номер патента: CN105204958B. Автор: 王世元,彭喜元,乔立岩,邓立宝,魏德宝. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2018-03-13.

一种基于DQS恢复时钟的多Die封装Nand Flash的读数据方法

Номер патента: CN118151846A. Автор: 陈健,张俊杰,李迎春,宋英雄,曹炳尧,张倩武,谭家乐. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-07.

NAND Flash存储系统保存期间数据分步加重方法

Номер патента: CN105427886A. Автор: 潘立阳,高忠义,麻昊志. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2016-03-23.

一种NAND Flash存储器的动态管理方法

Номер патента: CN100565477. Автор: 王新华,王建芬. Владелец: Zhejiang Lover Health Science and Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-02.

基于NAND Flash存储器文件系统的实现方法

Номер патента: CN100501868. Автор: 王祥生,谢斌,胡威,陈天洲. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2009-06-17.

嵌入式系统中NAND Flash存储器上建立文件系统的方法

Номер патента: CN100449549. Автор: 吴宁宁,吴明光,安庆敏. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2009-01-07.

一种针对NAND Flash最大保存时间错误数的分析方法

Номер патента: CN114283865. Автор: 李瑞东,曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-05.

一种基于支持向量回归法的NAND Flash位错误率预测方法

Номер патента: CN109947588. Автор: 刘娜,彭喜元,乔立岩,魏德宝,陈肖钰. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2019-06-28.

一种Nand-Flash错误数据冗余替换方法

Номер патента: CN109840163. Автор: 龙晓东,薛小飞,李乾男. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

一种NAND Flash弱块筛选的方法

Номер патента: CN109830257. Автор: 王彬,吴斌,曹成. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-31.

纠正NAND Flash中多比特错误的ECC装置和方法

Номер патента: CN109785895. Автор: 吕晶,周小锋,江喜平. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Nand flash的数据处理方法

Номер патента: CN101794254A. Автор: 张彦伟,罗胜,李发生,成晓华. Владелец: SHENZHEN SILICONGO SEMICONDUCTOR CO Ltd. Дата публикации: 2010-08-04.

一种对NAND flash存储器进行物理损坏模拟的系统及其方法

Номер патента: CN100337285. Автор: 刘刚. Владелец: Qingdao Hisense Communication Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-12.

NAND FLASH data storage method

Номер патента: CN106354662A. Автор: 王勇,屠晓涛. Владелец: Shaanxi Qianshan Avionics Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

Method for realizing memory file system based on NAND Flash

Номер патента: CN100501868C. Автор: 王祥生,谢斌,胡威,陈天洲. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2009-06-17.

Nand-Flash error data redundancy replacement method

Номер патента: CN109840163B. Автор: 龙晓东,薛小飞,李乾男. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

A kind of method of weak piece of NAND Flash screening

Номер патента: CN109830257A. Автор: 王彬,吴斌,曹成. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-31.

Error correction method for the electric power acquisition terminal for employing NAND FLASH

Номер патента: CN105242982B. Автор: 陈杰,刘宁,郑坚江. Владелец: Ningbo Sanxing Medical and Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Bad block management system for satellite-based NAND FLASH solid memory

Номер патента: CN105005453A. Автор: 刘波,刘辉,张恒,郑莲玉. Владелец: Shanghai Institute of Satellite Engineering. Дата публикации: 2015-10-28.

Boot loading method and device based on NAND FLASH

Номер патента: CN104077167A. Автор: 赵志宇,康向艳. Владелец: HANGZHOU H3C TECHNOLOGIES CO LTD. Дата публикации: 2014-10-01.

BCH decoder for configuring error correcting capability according to Nand Flash extra space

Номер патента: CN101483442A. Автор: 周华,诸烜程,姜启军. Владелец: VERISILICON HOLDINGS CO Ltd. Дата публикации: 2009-07-15.

Checking algorithm of NAND Flash memory chip

Номер патента: CN102789817A. Автор: 刘绍海,万籁民,韦献康. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

纠正NAND Flash中多比特错误的ECC装置和方法

Номер патента: CN109785895B. Автор: 吕晶,周小锋,江喜平. Владелец: Xi'an Ziguang Guoxin Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-03-01.

纠正NAND Flash中多比特错误的ECC装置和方法

Номер патента: CN109785895A. Автор: 吕晶,周小锋,江喜平. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

一种针对NAND Flash最大保存时间错误数的分析方法

Номер патента: CN114283865A. Автор: 李瑞东,曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-05.

一种基于支持向量回归法的NAND Flash位错误率预测方法

Номер патента: CN109947588A. Автор: 刘娜,彭喜元,乔立岩,魏德宝,陈肖钰. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2019-06-28.

NAND flash数据损坏后的恢复方法、装置、计算机设备及存储介质

Номер патента: CN118193294A. Автор: 张帆,刘浪,陈文伟. Владелец: Qianxun Si Network Zhejiang Co ltd. Дата публикации: 2024-06-14.

Nand flash存储器件及其制备方法

Номер патента: CN118284049A. Автор: 高伟,金汉洙,申女. Владелец: Lianhe Storage Technology Jiangsu Co ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

NAND FLASH file system

Номер патента: CN102981965A. Автор: 宗竞. Владелец: JIANGSU LEMAIDAO NETWORK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-20.

一种用于nand flash的ldpc测试平台

Номер патента: CN208298556U. Автор: 徐光明,后嘉伟,虞安华. Владелец: Nanjing Yang Yang Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-28.

一种Nand Flash存储器可靠性测试装置

Номер патента: CN220065194U. Автор: 张建锋,邱金辉,张春义. Владелец: Zhongke Ruice Tianjin Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

一种NAND Flash的数据处理装置

Номер патента: CN205281481U. Автор: 刘会娟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2016-06-01.

NAND flash栅形成方法

Номер патента: CN109727987A. Автор: 王一,任佳,乔夫龙,巨晓华. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-07.

一种用于nand flash的不对称稳压电路

Номер патента: CN105242735B. Автор: 邓龙利. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2017-03-15.

一种nand-flash存储芯片测试系统

Номер патента: CN118887987A. Автор: 李斌,李宁,胡文婷. Владелец: Shenzhen Maide'er Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-11-01.

一种位线电压的控制电路及Nand Flash

Номер патента: CN208637142U. Автор: 陈俊,舒清明,马思博. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2019-03-22.

一种NAND Flash固态硬盘的可靠性检测方法及装置

Номер патента: CN109857607. Автор: 杜刚,刘晓彦,王坤亮. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-07.

NAND flash栅形成方法

Номер патента: CN109727987. Автор: 王一,任佳,乔夫龙,巨晓华. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-07.

嵌有阶段性动态阈值损耗均衡模块的NAND Flash主控芯片

Номер патента: CN109712662. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2019-05-03.

Method for detecting and mapping states of NAND FLASH

Номер патента: CN102541676B. Автор: 郭鑫俊. Владелец: Fujian Newland Communication Science Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-05.

High-reliability NAND Flash reading method and system

Номер патента: CN103811071A. Автор: 苏志强,朱一明,丁冲,张君宇. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2014-05-21.

NAND Flash main control chip embedded with staged dynamic threshold value loss balancing module

Номер патента: CN109712662B. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2020-10-13.

Method for detecting and mapping states of NAND FLASH

Номер патента: CN102541676A. Автор: 郭鑫俊. Владелец: Fujian Newland Communication Science Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

用于文件系统向Nand Flash写数据的驱动装置及方法

Номер патента: CN102331911B. Автор: 张颖,赵志宇,段琳,钱嘉林,李星爽. Владелец: HANGZHOU H3C TECHNOLOGIES CO LTD. Дата публикации: 2014-07-16.

一种NAND Flash芯片存储介质的固定装置

Номер патента: CN221200765U. Автор: 陈兵兵,庄杰,徐健健,卢万进,董梓琪. Владелец: Xisu Technology Jiangsu Co ltd. Дата публикации: 2024-06-21.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.