Local VDD And VSS Power Supply Through Dummy Gates with Gate Tie-Downs and Associated Benefits
Номер патента: US20240234316A9
Опубликовано: 11-07-2024
Автор(ы): Hosadurga Shobha, Huai HUANG, Lawrence A. Clevenger, Nicholas Anthony Lanzillo, Ruilong Xie
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-07-2024
Автор(ы): Hosadurga Shobha, Huai HUANG, Lawrence A. Clevenger, Nicholas Anthony Lanzillo, Ruilong Xie
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Gate tie-down for top field effect transistor
Номер патента: US20240203992A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.