Provisionally bonded wafer and method for producing same
Номер патента: EP4391018A1
Опубликовано: 26-06-2024
Автор(ы): Junya Ishizaki
Принадлежит: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 26-06-2024
Автор(ы): Junya Ishizaki
Принадлежит: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Silicon nitride film of semiconductor element, and method and apparatus for producing silicon nitride film
Номер патента: EP2579300A4. Автор: Seiji Nishikawa. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-12-18.