Rauscharmer Transistor und Verfahren zur Herstellung desselben
Номер патента: DE102008000141A1
Опубликовано: 07-08-2008
Автор(ы): Adrian Berthold, Michael Bianco, Reinhard Mahnkopf
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-08-2008
Автор(ы): Adrian Berthold, Michael Bianco, Reinhard Mahnkopf
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Super-Junction-Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben
Номер патента: DE102014112810A1. Автор: c/o MagnaChip Semiconductor Jun Kwang Yeon,c/o MagnaChip Semiconductor Choi Chang Yong,c/o MagnaChip Semiconductor Ltd. Woo Hyuk,c/o MagnaChip Semiconductor L Cho Moon Soo,c/o MagnaChip Semiconductor Lt Kwon Soon Tak. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.