Integrated Circuit Substrate Containing Photoimageable Dielectric Material and Method of Producing Thereof
Номер патента: US20180209046A1
Опубликовано: 26-07-2018
Автор(ы): Linhui Yuan, Loke Chew Low, Poh Cheng Ang
Принадлежит: Twisden Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 26-07-2018
Автор(ы): Linhui Yuan, Loke Chew Low, Poh Cheng Ang
Принадлежит: Twisden Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
An integrated circuit substrate containing photoimageable dielectric material and method of producing thereof
Номер патента: MY182410A. Автор: Poh Cheng Ang,Loke Chew Low,Linhui Yuan. Владелец: Twisden Ltd. Дата публикации: 2021-01-25.