Integrated Circuit Substrate Containing Photoimageable Dielectric Material and Method of Producing Thereof.

Integrated Circuit Substrate Containing Photoimageable Dielectric Material and Method of Producing Thereof

Номер патента: US20180209046A1
Опубликовано: 26-07-2018
Автор(ы): Linhui Yuan, Loke Chew Low, Poh Cheng Ang
Принадлежит: Twisden Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

An integrated circuit substrate containing photoimageable dielectric material and method of producing thereof

Номер патента: MY182410A. Автор: Poh Cheng Ang,Loke Chew Low,Linhui Yuan. Владелец: Twisden Ltd. Дата публикации: 2021-01-25.

Photo-patternable dielectric materials curable to porous dielectric materials, formulations, precursors and methods of use thereof

Номер патента: US20130189836A1. Автор: Robert D. Miller,Qinghuang Lin,Ratnam Sooriyakumaran,Alshakim Nelson,Blake W. Davis,Jitendra S. Rathore,Phillip J. Brock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-25.

Photo-patternable dielectric materials curable to porous dielectric materials, formulations, precursors and methods of use thereof

Номер патента: US20130207278A1. Автор: Robert D. Miller,Qinghuang Lin,Ratnam Sooriyakumaran,Alshakim Nelson,Jitendra S. Rathore,Phillip J. Brock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Dielectric material, ceramic electronic device, manufacturing method of dielectric material, and manufacturing method of ceramic electronic device

Номер патента: US11837408B2. Автор: Yasuhiro Matsumoto,Koichiro Morita. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Plasma enhanced deposition arrangement for evaporation of dielectric materials, deposition apparatus and methods of operating thereof

Номер патента: EP2747122A1. Автор: Stefan Bangert,Stefan Keller,Byung-Sung Leo Kwak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-06-25.

Plasma enhanced deposition arrangement for evaporation of dielectric materials, deposition apparatus and methods of operating thereof

Номер патента: TWI607102B. Автор: 郭炳松,凱樂史帝芬,班傑史帝芬. Владелец: 應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2017-12-01.

Integrated circuit packages having electrical and optical connectivity and methods of making the same

Номер патента: US12032216B2. Автор: Jin Su Kim,Lars Martin Otfried BRUSBERG,Aramais Robert Zakharian. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

System and method for manufacturing plurality of integrated circuits

Номер патента: US20240234185A9. Автор: Scott White,Richard David Price,Neil Davies,Kenneth David WILLIAMSON,Thomas Stanley Van Den Heever,Nathaniel James GREEN. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit packaging system with dual row lead-frame having top and bottom terminals and method of manufacture thereof

Номер патента: US20110140252A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Abelardo Jr. Hadap Advincula,Erwin Aguas Sangalang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-16.

Systems and methods for manufacturing electrical components using electrochemical deposition

Номер патента: US20240240347A1. Автор: Charles Pateros,David Pain,Kareem Shaik. Владелец: Fabric8Labs Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Carbon ribbon to be covered with a thin layer made of semiconductor material and method for depositing a layer of this type

Номер патента: US20090302425A1. Автор: Christian Belouet. Владелец: SOLARFORCE. Дата публикации: 2009-12-10.

A hardening composition, a temporary bonding material, and a temporary method of using the member and the substrate

Номер патента: TWI566042B. Автор: Kiminori Sato,Akira Kobayashi,Tsuyoshi Ogawa. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-11.

Plating solution, conductive material, and surface treatment method of conductive material

Номер патента: CN1873058A. Автор: 福田启一,坂本健,森川弘康,山本恭之. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-12-06.

Integrated circuit nanotube-based substrate

Номер патента: EP1810329A2. Автор: Chris Wyland. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-07-25.

Packaged Semiconductor Device Including Liquid-Cooled Lid and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240249999A1. Автор: Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Sheng-Tsung HSIAO,Jen Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Packaged Semiconductor Device Including Liquid-Cooled Lid and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20220310482A1. Автор: Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Sheng-Tsung HSIAO,Jen Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Thermal conductivity for integrated circuit packaging

Номер патента: US20200323076A1. Автор: Brian J. Long. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Circuit substrate and method of manufacture

Номер патента: WO2007064628A1. Автор: Siang Sin Foo,Wee Yong Tay,Wai Kiong Poon. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2007-06-07.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same

Номер патента: US20160322290A1. Автор: Qing Ma,Patrick Morrow,Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Low Profile Stacking System and Method

Номер патента: US20090124045A1. Автор: David L. Roper,James Wilder,James W. Cady,James Douglas Wehrly, Jr.,Julian Partridge. Владелец: Entorian Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: EP1465249A3. Автор: Anthony M Chiu,Tom Q Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-20.

Stackable integrated circuit package and method therefor

Номер патента: EP1644976A2. Автор: Hem P. Takiar. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-04-12.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: US20040195685A1. Автор: Anthony Chiu,Tom Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-07.

Resin-sealed electronic controller and method of fabricating the same

Номер патента: US20120300404A1. Автор: Shozo Kanzaki,Hiroyoshi Nishizaki,Fumiaki Arimai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Integrated circuit having conductive paths of different heights formed from the same layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20010016407A1. Автор: Aaron Schoenfeld,Rajesh Somasekharan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Methods of treating dielectric materials with oxygen, and methods of forming capacitor constructions

Номер патента: US20030049944A1. Автор: Gurtej Sandhu,Trung Doan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

Voltage regulation integrated circuit (ic) with circuit components in an integrated three-dimensional (3d) inductor core and related methods of fabrication

Номер патента: WO2021173817A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Jonghae Kim,Evgeni Gousev,Milind Shah,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-09-02.

Voltage regulation integrated circuit (ic) with circuit components in an integrated three-dimensional (3d) inductor core and related methods of fabrication

Номер патента: US20210271275A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Jonghae Kim,Evgeni Gousev,Milind Shah,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Voltage regulation integrated circuit (ic) with circuit components in an integrated three-dimensional (3d) inductor core and related methods of fabrication

Номер патента: EP4111497A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Jonghae Kim,Evgeni Gousev,Milind Shah,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

Integrated Circuit with an Active Area Line Having at Least One Form-Supporting Element and Corresponding Method of Making an Integrated Circuit

Номер патента: US20100019345A1. Автор: Josef Willer,Michael Specht,Doris Keitel-Schulz,Christoph Friederich. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2010-01-28.

Integrated circuit with an active area line having at least one form-supporting element and corresponding method of making an integrated circuit

Номер патента: US7868415B2. Автор: Josef Willer,Michael Specht,Doris Keitel-Schulz,Christoph Friederich. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-01-11.

A semiconductor integrated circuit device including a revision number indicating the design version of said device and a method of prototyping a semiconductor

Номер патента: GB2467873A. Автор: David Lynch. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2010-08-18.

Materials and methods of producing lithium cobalt oxide materials of a battery cell

Номер патента: EP4214160A1. Автор: Shengfeng Liu,Liang-Yuh Chen,Haixia Deng,Mengchen LIU,Min-Duan LIU. Владелец: eJoule Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Materials and methods of producing lithium cobalt oxide materials of a battery cell

Номер патента: CA3198387A1. Автор: Shengfeng Liu,Liang-Yuh Chen,Haixia Deng,Mengchen LIU,Min-Duan LIU. Владелец: eJoule Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Integrated circuit package with surface modified liquid metal spheres and method of making

Номер патента: US20230034217A1. Автор: Sam Karikalan,Mayank Mayukh,Shrikara Prabhu Tendel,Nicole A. Butel. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Materials and methods of producing lithium cobalt oxide materials of a battery cell

Номер патента: CA3198390A1. Автор: Shengfeng Liu,Liang-Yuh Chen,Haixia Deng,Mengchen LIU,Min-Duan LIU. Владелец: eJoule Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Materials and methods of producing lithium cobalt oxide materials of a battery cell

Номер патента: EP4214159A1. Автор: Shengfeng Liu,Liang-Yuh Chen,Haixia Deng,Mengchen LIU,Min-Duan LIU. Владелец: eJoule Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Materials and Methods of Producing Lithium Cobalt Oxide Materials of A Battery Cell

Номер патента: US20230187632A1. Автор: Shengfeng Liu,Liang-Yuh Chen,Haixia Deng,Mengchen LIU,Min-Duan LIU. Владелец: eJoule Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Materials and Methods of Producing Lithium Cobalt Oxide Materials of A Battery Cell

Номер патента: US20230183092A1. Автор: Shengfeng Liu,Liang-Yuh Chen,Haixia Deng,Mengchen LIU,Min-Duan LIU. Владелец: eJoule Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

High-Performance Lithium-Containing Organic Sulfur Electrode Material and Preparation Method of Integrated Flexible Electrode

Номер патента: US20210367239A1. Автор: Fei Dong,Shiyou Zheng,Junhe YANG,Yuepeng Pang. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-11-25.

A method of preparing carbon supported transition metal sulfide electrode materials from bio-oil

Номер патента: AU2021100943A4. Автор: PENG Jia,XIN ZHAO,Bin Zheng,Jinyang Zhang,Wenjia Han,Jiankang ZHANG,Xingxiang JI,Cancan Li,Gaojin Lyu,Guangmei Xia. Владелец: Qilu University of Technology. Дата публикации: 2021-05-06.

Composite of cobalt-based perovskite material with negative thermal expansion material, and preparation method of same, and solid oxide fuel cell comprising same

Номер патента: US12034168B2. Автор: Yuan Zhang,Wei Zhou,Guangming Yang,Chuan Zhou,Zongping Shao. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-09.

Composite cathode active material, cathode and lithium battery containing composite cathode active material and preparation method thereof

Номер патента: EP4187634A1. Автор: Jongseok Moon,Kyueun SHIM,Jinhwan Park,Guesung Kim,Andrei KAPYLOU,Inhyuk Son,Sangkook Mah,SungNim Jo. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-31.

Composite cathode active material, cathode and lithium battery including composite cathode active material and preparation method thereof

Номер патента: US20230170479A1. Автор: Jongseok Moon,Kyueun SHIM,Jinhwan Park,Guesung Kim,Andrei KAPYLOU,Inhyuk Son,Sangkook Mah,SungNim Jo. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Hybrid materials and nanocomposite materials, methods of making same, and uses thereof

Номер патента: EP2726403A4. Автор: Lynden A Archer,Zichao Yang,Shyamal Kumar Das. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-08.

Hybrid materials and nanocomposite materials, methods of making same, and uses thereof

Номер патента: KR20140050016A. Автор: 린덴 에이. 아처,지챠오 양,시야말 쿠마르 다스. Владелец: 코넬 유니버시티. Дата публикации: 2014-04-28.

The manufacture method of graphite material and the manufacture method of electrode for lithium ion secondary battery

Номер патента: CN105152166B. Автор: 深井孝行,须藤彰孝,外轮千明,武内正隆,胁坂安显,上条祐,上条祐一,田中麻纱子. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2017-08-08.

A coating composition for composite positive electrode active material and a manufacturing method of composite positive electrode active material using the same

Номер патента: KR20230039201A. Автор: 서정현,이상헌,이주영,박용준,이준수,노성우,성주영,윤다혜,박제식,서임술,임충범. Владелец: 경기대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-03-21.

Method for manufacturing tag integrated circuit flexible board and structure of the same

Номер патента: US20080299360A1. Автор: Pei-Choa Wang. Владелец: Pyroswift Holding Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Integrated circuit package architectures with core and/or build-up layers comprising spin-on glass (sog)

Номер патента: US20240186228A1. Автор: Xiaoying Guo,Dingying Xu,Gang Duan,Srinivas V. Pietambaram,Kristof Darmawikarta,Haobo Chen,Hongxia Feng,Bai Nie,Jeremy D. Ecton,Yiqun Bai,Kyle J. Arrington,Ziyin LIN,Bohan Shan,Brandon Christian Marin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit chip with pyramid or cone-shaped conductive pads for flexible C4 connections and a method of forming the integrated circuit chip

Номер патента: US9269683B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Timothy D. Sullivan,Timothy H. Daubenspeck,Christopher D. Muzzy,Wolfgang Sauter. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-23.

Integrated circuit assemblies with stacked compute logic and memory dies

Номер патента: EP4123703A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Prashant Majhi,Van Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-01-25.

Low dielectric constant materials and methods of preparation thereof

Номер патента: EP1373358A1. Автор: Kreisler Honeywell International Inc. LAU,Feng Quan Honeywell International Inc. LIU,Boris Honeywell International Inc. KOROLEV,Emma Honeywell International Inc. BROUK,Ruslan Honeywell International Inc. ZHEREBIN,Roger Honeywell International Inc. LEUNG,David Honeywell International Inc. NALEWAJEK,Paul HONEYWELL INTERNATIONAL INC. APEN. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

Apparatus and methods of attaching hybrid vlsi chips to printed wiring boards

Номер патента: WO2009108300A2. Автор: Deepak Keshav Pai. Владелец: General Dynamics Advanced Information Systems, Inc.. Дата публикации: 2009-09-03.

Graphene fet devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids

Номер патента: EP3459115A1. Автор: Pieter Van Rooyen,Paul Hoffman,Mitchell Lerner. Владелец: Agilome Inc. Дата публикации: 2019-03-27.

Etching composition and method of manufacturing integrated circuits using the same

Номер патента: US20240059967A1. Автор: Hyosan Lee,Mihyun PARK,Wook Jang,Sangwon BAE,Daihyun Kim,Taesoo Kwon,Yeonsoek YOO. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Etchant compositions and methods of manufacturing integrated circuit devices using the same

Номер патента: US20210202264A1. Автор: Hoon Han,Youngchan Kim,Youngtak KIM,Jungah Kim,Geunjoo Baek,Chisung Ihn,Sangmoon Yun. Владелец: Samyoung Pure Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Etchant compositions for metal-containing films and methods of manufacturing integrated circuit devices using the etchant compositions

Номер патента: US20210115334A1. Автор: Kihun Song,Hyosan Lee,Minjung Kim,Jungmin Oh,Hyojoong YOON,Jongwook Baek. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Slurry composition for polishing metal and method of manufacturing integrated circuit device using the same

Номер патента: US20230332015A1. Автор: Sangkyun Kim,Hyosan Lee,Boun Yoon,Yearin BYUN,Inkwon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated circuit structures with extended conductive pathways

Номер патента: US20190109063A1. Автор: Yen Hsiang Chew. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Integrated Circuit Package and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240304535A1. Автор: Chen-Shien Chen,Yu-Chia Lai,Hui-Chun Chiang,Ting Hao Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit packaging system with ultra-thin chip and method of manufacture thereof

Номер патента: US8716108B2. Автор: Hun Teak Lee,DaeWook Yang,Yeongbeom Ko. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-06.

Packaged integrated circuits and methods of producing thereof

Номер патента: EP1356718A2. Автор: Avner Badihi. Владелец: Shellcase Ltd. Дата публикации: 2003-10-29.

Method and Apparatuses for Integrated Circuit Substrate Manufacture

Номер патента: US20130001791A1. Автор: Edward Law,Fan Yeung,Raymond (Kwok Cheung) TSANG. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Packaged IC device comprising an embedded flex circuit on leadframe, and methods of making same

Номер патента: US8217505B2. Автор: David J. Corisis,Chin Hui Chong,Choo Kuan Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-10.

Packaged ic device comprising an embedded flex circuit, and methods of making the same

Номер патента: US20100320578A1. Автор: Chong Chin Hui,David J. Corisis,Choon Kuan Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Packaged ic device comprising an embedded flex circuit, and methods of making same

Номер патента: US20080197460A1. Автор: Chong Chin Hui,Choon Kuan Lee,David J. Corisi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-21.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20190237454A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20240297166A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit packaging system withmolded interconnects and method ofmanufacture thereof

Номер патента: SG177075A1. Автор: Tai Do Byung,Senosa Trasporto Arnel,Pei Ee Chua Linda. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-01-30.

Semiconductor Package and Method of Forming Thereof

Номер патента: US20240021564A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

An integrated circuit substrate and method of producing thereof

Номер патента: MY177199A. Автор: Poh Cheng Ang. Владелец: QDOS Flexcircuits Sdn Bhd. Дата публикации: 2020-09-09.

Semiconductor device having a thermoset-containing dielectric material and methods for fabricating the same

Номер патента: US20010005548A1. Автор: Konstantinos Papathomas,Mark Poliks,Donald Farquhar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Integrated circuit packaging system with leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US20110233743A1. Автор: Erwin Aguas Sangalang,Ramona Damalerio,Jayby Agno,Dexter Anonuevo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Integrated circuit substrate and method of producing thereof

Номер патента: US20180151462A1. Автор: Poh Cheng Ang,Chee Can LEE,Shin Hung HWANG,Zalina Binti Abdullah,Roslan Bin Ahmad,Poh Choon Whong,Hai San Tew,Tiyagarajan S/O Arumugham. Владелец: QDOS Flexcircuits Sdn Bhd. Дата публикации: 2018-05-31.

Cooling package structure applied to integrated circuit and method of assembly thereof

Номер патента: US20230317555A1. Автор: Li Yuan,Jiang Zhi,ZHOU JIE,Xiao Yangyang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Assembly including plural through wafer vias, method of cooling the assembly and method of fabricating the assembly

Номер патента: US20180090427A1. Автор: Bruno Michel,Kerry Bernstein,Thomas Brunschwiler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US20240274483A1. Автор: Hsin-Yu Pan,Teng-Yuan Lo,Lipu Kris Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Package and method of forming same

Номер патента: US20230266528A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo,Cheng-chieh Hsieh,Chih-Hsuan Tai,Chung-Ming Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuit packaging system with a lead and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120326285A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Emmanuel Espiritu,Elizar Andres. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-27.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230268258A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11984389B2. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220375837A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Integrated circuit packaging system with interlock and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120074548A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Emmanuel Espiritu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Integrated circuit packaging system with pad connection and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120280376A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Leadless integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof

Номер патента: US8709873B2. Автор: Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-04-29.

Leadless integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100140765A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Leadless integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof

Номер патента: US20110285001A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Bump-on-Trace (BOT) Structures and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140252596A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

System and method for providing mechanical planarization of a sequential build up substrate for an integrated circuit package

Номер патента: US20030141595A1. Автор: Anthony Chiu,Harry Siegel. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-07-31.

System and method for providing mechanical planarization of a sequential build up substrate for an integrated circuit package

Номер патента: EP1341231A3. Автор: Anthony M. Chiu,Harry Michael Siegel. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2006-07-19.

Integrated circuit packaging system with vertical interconnects and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120326325A1. Автор: Dongsam Park,A Leam Choi,Yongduk Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-27.

Integrated circuit module and method of forming same

Номер патента: US20180122778A1. Автор: Douglas F. Link,Susan Marie JOHANSSON,Sayed Kaysarbin Rahim. Владелец: Starkey Laboratories Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Packaged semiconductor devices and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US9871018B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Chih-Fan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Integrated circuit package and method of making the same

Номер патента: US20160254216A1. Автор: Chih-Liang Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-01.

Wafer level fan-out application specific integrated circuit bridge memory stack

Номер патента: WO2020226692A1. Автор: Nam Hoon Kim,Woon-Seong Kwon,Teckgyu Kang. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Wafer level fan-out application specific integrated circuit bridge memory stack

Номер патента: US20200357743A1. Автор: Nam Hoon Kim,Teckgyu Kang,Woon seong Kwon. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Integrated circuit package with serpentine conductor and method of making

Номер патента: US12068232B2. Автор: Michael Wang,Liming Tsau,Cheng Lee,Reza Sharifi,Joon Yeob Lee,Junfei Zhu. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Electronic circuit package assembly and method of producing the same

Номер патента: US20010014016A1. Автор: Koetsu Tamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Integrated circuit die pad cavity

Номер патента: US20240274569A1. Автор: Hung-Yu Chou,Yuh-Harng Chien,Chung-Hao LIN,Bo-Hsun PAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit packaging system with conductive pillars and molded cavities and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130241053A1. Автор: Daesik Choi,KyungHoon Lee,Sooyoung Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-19.

Die Structures and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240079391A1. Автор: Sung-Feng Yeh,Chia-Hao Hsu,Kuo-Chiang Ting,Jian-Wei Hong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Integrated Circuit Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240128194A1. Автор: Ming-Fa Chen,Yun-Han Lee,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Integrated circuit including standard cell and method of fabricating the integrated circuit

Номер патента: US20230015367A1. Автор: Sidharth Rastogi,RAHEEL Azmat,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park,Kwan-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Integrated circuit including standard cell and method of fabricating the integrated circuit

Номер патента: US20200057830A1. Автор: Sidharth Rastogi,RAHEEL Azmat,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park,Kwan-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Integrated circuit packages and methods of forming the same

Номер патента: US20240266316A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Hsiu-Jen Lin,Wei-Yu Chen,Hao-Jan Pei,Hsin Liang Chen,Chao-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Underfill structure for semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US12080617B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Ying-Ching Shih,Szu-Wei Lu,Yu-Wei Chen,Kuan-Yu Huang,Li-Chung Kuo,Long Hua Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Apparatus and method for manufacturing plurality of electronic circuits

Номер патента: EP3417479A1. Автор: Stuart Philip Speakman,Richard David Price,Neil Davies,Stephen DEVENPORT. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2018-12-26.

Apparatus and method for manufacturing plurality of electronic circuits

Номер патента: WO2017141013A1. Автор: Stuart Philip Speakman,Richard David Price,Neil Davies,Stephen DEVENPORT. Владелец: Pragmatic Printing Ltd.. Дата публикации: 2017-08-24.

Method to create flexible connections for integrated circuits

Номер патента: US20080029889A1. Автор: Chirag Patel,Leena Buchwalter,Russell Budd. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-07.

Integrated circuit package with stacked integrated circuit dies and method of fabricating the same

Номер патента: EP4189740A1. Автор: Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Michelle Yejin Kim,Jialing Tong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-06-07.

Integrated circuit package with stacked integrated circuit dies and method of fabricating the same

Номер патента: WO2022026078A1. Автор: Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Michelle Yejin Kim,Jialing Tong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-02-03.

Integrated Circuit Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240071950A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wen-Yi Lin,Kuo-Chio Liu,Chien-Chen Li,Kuang-Chun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuit packaging system with transferable trace lead frame

Номер патента: US20140167236A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Integrated circuit packaging

Номер патента: US20200251440A1. Автор: Jason Chien,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Honglin Guo,Arvin Nono VERDEFLOR,Anderson LI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Upright-pin-joined resin substrate, method of producing the substrate, pins, and method of producing the pins

Номер патента: US20030027463A1. Автор: Noritaka Miyamoto,Hajime Saiki. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20130328210A1. Автор: Woo-Seok Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Identification element and method of manufacturing an identification element

Номер патента: AU1486800A. Автор: Richard Altwasser. Владелец: Meto International GmbH. Дата публикации: 2000-08-17.

Method of bonding integrated circuit chip to display panel, and display apparatus

Номер патента: EP3701775A1. Автор: Hongwei Ma,YoungYik Ko,Xiangdan Dong,Jinsan PARK,Tairong KIM. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-02.

Identification element and method of manufacturing an identification element

Номер патента: AU758260B2. Автор: Richard Altwasser. Владелец: Meto International GmbH. Дата публикации: 2003-03-20.

Electronic device cooling with microjet impingement and method of assembly

Номер патента: US20140160677A1. Автор: Stanton Earl Weaver, Jr.,Hendrik Pieter Jacobus De Bock,Gary Dwayne Mandrusiak,Raj Bahadur,Eric Ayres Browne. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-06-12.

Group iii nitride based flip-chip integrated circuit and method for fabricating

Номер патента: CA2511005C. Автор: Primit Parikh,Yifeng Wu,Umesh K. Mishra. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Integrated circuit packaging system with heat spreader and method of manufacture thereof

Номер патента: US20150084178A1. Автор: SeIl Jung,Heesoo Lee,Jae Han Chung,Oh Han Kim,YoungChul KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-26.

Integrated digital- and radio-frequency system-on-chip devices with integral passive devices in package substrates, and methods of making same

Номер патента: EP2656385A1. Автор: Valluri Rao,Telesphor Kamgaing. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-10-30.

Structure of tag integrated circuit flexible board

Номер патента: US7705461B2. Автор: Pei-Choa Wang. Владелец: Pyroswift Holding Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-27.

Semiconductor device with curved conductive lines and method of forming the same

Номер патента: US11749644B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Structure of tag integrated circuit flexible board

Номер патента: US20080310129A1. Автор: Pei-Choa Wang. Владелец: Pyroswift Holding Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-18.

Millimeter wave module (mmw) for microwave monolithic integrated circuit (mmic)

Номер патента: WO2003017323A3. Автор: Danny F Ammar,Eugene Fischer,Gavin Clark,John Hubert,Glenn Larson. Владелец: Xytrans Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Millimeter wave module (mmw) for microwave monolithic integrated circuit (mmic)

Номер патента: WO2003017323A2. Автор: Danny F. Ammar,Eugene Fischer,Gavin Clark,John Hubert,Glenn Larson. Владелец: Xytrans, Inc.. Дата публикации: 2003-02-27.

Air gaps in a multilayer integrated circuit and method of making same

Номер патента: US20110241220A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Integrated circuit repair using multiple-photon absorption of laser light

Номер патента: US7041514B1. Автор: Rutger B. Vrijen. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2006-05-09.

Integrated circuit devices including metal lines spaced apart from metal vias, and related fabrication methods

Номер патента: US20230352405A1. Автор: Kang-ill Seo,Jaemyung CHOI,Janggeun LEE,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Self-protected electrostatic discharge field effect transistor (SPESDFET), an integrated circuit incorporating the SPESDFET as an input/output (I/O) pad driver and associated methods of forming the SPESDFET and the integrated circuit

Номер патента: US8610217B2. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,Mahender Kumar,Dustin K. Slisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-17.

INTEGRATED CIRCUIT (IC) CHIP HAVING BOTH METAL AND SILICON GATE FIELD EFFECT TRANSISTORs (FETs) AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20150325647A1. Автор: Kanike Narasimhulu. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Integrated circuit having a connection to a heat sink produced by a galvanic process and method therefor

Номер патента: DE102008036285B4. Автор: von Koblinski Carsten,Friedrich Kroener. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-07-18.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: US11744039B2. Автор: Adrian Albert Van Wijk,Nikolas Lyman Henderson Radosevic. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: EP4208892A1. Автор: Adrian Van Wijk. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4325580A3. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4199044A1. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Integrated circuit with adjusting elements and method for its manufacture

Номер патента: US8338970B2. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2012-12-25.

Integrated circuit with adjusting elements and method for its manufacture

Номер патента: US20060255887A1. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Integrated Circuit with Adjusting Elements and Method for Its Manufacture

Номер патента: US20110147065A1. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-23.

Integrated circuit structures with backside self-aligned penetrating conductive source or drain contact

Номер патента: EP4246587A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Leonard P. GULER,Makram Abd El Qader,Tanir Ghani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Integrated circuit fabricated using an oxidized polysilicon mask

Номер патента: US20090218556A1. Автор: Shoaib Zaidi. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2009-09-03.

A controlled collapse chip connection (c4) integrated circuit package that has a filler which seals an underfill material

Номер патента: WO2000052739A3. Автор: Suresh Ramalingam. Владелец: Suresh Ramalingam. Дата публикации: 2001-01-11.

A controlled collapse chip connection (c4) integrated circuit package that has a filler which seals an underfill material

Номер патента: WO2000052739A2. Автор: Suresh Ramalingam. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2000-09-08.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: US20240154037A1. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4325580A2. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Integrated circuit structures having metal gate plug landed on dielectric dummy fin

Номер патента: WO2023121794A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Package architecture of three-dimensional interconnect cube with integrated circuit dies having planarized edges

Номер патента: US20230420411A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Debendra Mallik,Stephen Morein,Matthew Adiletta,Omkar G. Karhade,Nitin A. Deshpande,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Joshua Fryman,Pushkar Sharad RANADE,Ravindranath Vithal MAHAJAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having strained source or drain structures on gate dielectric layer

Номер патента: EP3930004A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ryan KEECH,Koustav Ganguly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-29.

Method for forming an isolating trench with a dielectric material

Номер патента: US20070087516A1. Автор: Uwe Wellhausen,Henry Heidemeyer,Joern Regul. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-19.

INTEGRATED CIRCUIT CHIP WITH PYRAMID OR CONE-SHAPED CONDUCTIVE PADS FOR FLEXIBLE C4 CONNECTIONS AND A METHOD OF FORMING THE INTEGRATED CIRCUIT CHIP

Номер патента: US20140187034A1. Автор: Daubenspeck Timothy H.,Gambino Jeffrey P.,Muzzy Christopher D.,Sauter Wolfgang,Sullivan Timothy D.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-03.

RF SWITCHES, INTEGRATED CIRCUITS, AND DEVICES WITH MULTI-GATE FIELD EFFECT TRANSISTORS AND VOLTAGE LEVELING CIRCUITS, AND METHODS OF THEIR FABRICATION

Номер патента: US20190267489A1. Автор: Malladi Venkata Naga Koushik. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

RF SWITCHES, INTEGRATED CIRCUITS, AND DEVICES WITH MULTI-GATE FIELD EFFECT TRANSISTORS AND VOLTAGE LEVELING CIRCUITS, AND METHODS OF THEIR FABRICATION

Номер патента: US20190267987A1. Автор: Malladi Venkata Naga Koushik. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

RF switches, integrated circuits, and devices with multi-gate field effect transistors and voltage leveling circuits, and methods of their fabrication

Номер патента: US10734516B2. Автор: Venkata Naga Koushik Malladi. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-08-04.

RF switches, integrated circuits, and devices with multi-gate field effect transistors and voltage leveling circuits, and methods of their fabrication

Номер патента: US10593800B2. Автор: Venkata Naga Koushik Malladi. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-03-17.

Films doped with carbon for use in integrated circuit technology

Номер патента: US20040164336A1. Автор: John Moore,Ronald Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-26.

Process for planarization of integrated circuit structure which inhibits cracking of low dielectric constant dielectric material adjacent underlying raised structures

Номер патента: US6489242B1. Автор: Ronald J. Nagahara,Jayanthi Pallinti,Dawn Michelle Lee. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2002-12-03.

Integrated circuit devices including vertical channel transistors with shield lines interposed between bit lines and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110303974A1. Автор: Yoo-Sang Hwang,Hyun-Woo CHUNG,Yong-Chul Oh,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-15.

ELECTRICAL COMPONENT, COMPONENT GROUP OR INTEGRATED CIRCUIT, THE ACTIVE PART OF WHICH IS BROUGHT UP ON A METAL CARRIER, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

Номер патента: DE3131887A1. Автор: Dieter Dipl.-Ing. 8039 Puchheim Pilz,Hans Ing.(grad.) 8011 Vaterstetten Stelzl,Walter 8012 Ottobrunn Wagmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-02-24.

Flexible Photovoltaic Cell, and Methods and Systems of Producing It

Номер патента: US20240282874A1. Автор: Eran MAIMON,Ramon Joseph ALBALAK,Oded Rozenberg,Esther Westreich. Владелец: Solarpaint Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

PHOTO-PATTERNABLE DIELECTRIC MATERIALS CURABLE TO POROUS DIELECTRIC MATERIALS, FORMULATIONS, PRECURSORS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20130189836A1. Автор: Miller Robert D.,Lin Qinghuang,Sooriyakumaran Ratnam,Nelson Alshakim,Brock Phillip J.,Davis Blake W.,Rathore Jitendra S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-25.

PHOTO-PATTERNABLE DIELECTRIC MATERIALS CURABLE TO POROUS DIELECTRIC MATERIALS, FORMULATIONS, PRECURSORS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20130207278A1. Автор: Miller Robert D.,Lin Qinghuang,Sooriyakumaran Ratnam,Nelson Alshakim,Brock Phillip J.,Rathore Jitendra S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-15.

Flexible Solar Panels and Photovoltaic Devices, and Methods and Systems of Producing Them

Номер патента: US20230261126A1. Автор: Eran MAIMON,Oded Rozenberg,Ramon Albalak,Yaron Tidhar,Hod YARKONI. Владелец: Solarpaint Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Flexible solar panels and photovoltaic devices, and methods and systems of producing them

Номер патента: EP4226427A1. Автор: Eran MAIMON,Oded Rozenberg,Ramon Albalak,Yaron Tidhar,Hod YARKONI. Владелец: Solarpaint Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Devices comprising aluminum oxide and metal oxide dielectric materials, capacitor constructions, and methods of forming capacitor constructions

Номер патента: US20050224913A1. Автор: F. Gealy,Vishwanath Bhat,Cancheepuram Srividya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-13.

Flexible Photovoltaic Cell, and Methods and Systems of Producing It

Номер патента: US20210313478A1. Автор: Eran MAIMON,Ramon Joseph ALBALAK,Oded Rozenberg,Esther Westreich. Владелец: Solarpaint Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Flexible Solar Panels and Photovoltaic Devices, and Methods and Systems of Producing Them

Номер патента: IL301555A. Автор: . Владелец: Solarpaint Ltd. Дата публикации: 2023-05-01.

Flexible photovoltaic cell, and methods and systems of producing it

Номер патента: US11978815B2. Автор: Eran MAIMON,Ramon Joseph ALBALAK,Oded Rozenberg,Esther Westreich. Владелец: Solarpaint Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Programmable switch circuit and method, method of manufacture, and devices and systems including the same

Номер патента: TW201006131A. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2010-02-01.

ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE, AND USING STRETCHABLE LIGHT-EMITTING MATERIAL AND A MANUFACTURING METHOD OF THEREOF

Номер патента: US20210265443A1. Автор: Park Jin-Woo,KIM Jin-hoon. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

Organic light emitting diode, and using stretchable light-emitting material and a manufacturing method of thereof

Номер патента: KR102293405B1. Автор: 박진우,김진훈. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-08-26.

Integrated Circuit Constructions Having Through Substrate Vias And Methods Of Forming Integrated Circuit Constructions Having Through Substrate Vias

Номер патента: US20130175698A1. Автор: Yangyang Sun,Brandon P. Wirz,Jaspreet S. Gandhi,Josh D. Woodland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-11.

Integrated circuit constructions having through substrate vias and methods of forming integrated circuit constructions having through substrate vias

Номер патента: EP2801111A1. Автор: Yangyang Sun,Brandon P. Wirz,Jaspreet S. Gandhi,Josh D. Woodland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-12.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784A2. Автор: Stefan Kern. Владелец: Marconi Communications GmbH. Дата публикации: 2005-04-20.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784B1. Автор: Stefan Kern. Владелец: ERICSSON AB. Дата публикации: 2008-03-12.

Method and apparatus for interconnect layout in an integrated circuit

Номер патента: WO2011093961A3. Автор: Michael J. Hart. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2011-11-17.

Through-dielectric-vias (TDVs) for 3D integrated circuits in silicon

Номер патента: US12087629B2. Автор: Cyprian Emeka Uzoh. Владелец: Adeia Semiconductor Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of applying substance to intergrated circuit die and lead frames to improve adhesion to mold compound apparatus and devices

Номер патента: SG43864A1. Автор: Robert G Mckenna. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-11-14.

Three-dimensional integrated circuit structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210020601A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Packaged integrated circuit devices with through-body conductive vias, and methods of making same

Номер патента: US20230197690A1. Автор: Tongbi Jiang,Yong Poo Chia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-06-22.

Packaged integrated circuit devices with through-body conductive vias, and methods of making same

Номер патента: US12087738B2. Автор: Tongbi Jiang,Yong Poo Chia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, circuit substrate and electronic device

Номер патента: US20050001327A1. Автор: Koji Yamaguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Stacked semiconductor device including esd protection circuits and method of fabricating the stacked semiconductor device

Номер патента: US20130009278A1. Автор: Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-10.

Integrated circuit device with antenna effect protection circuit and method of manufacturing

Номер патента: US12080658B2. Автор: Lei Pan,Xinyong Wang,Jialiang ZHONG,Yaqi Ma,Mingjian WANG,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Damascene contact structure for integrated circuits

Номер патента: SG141390A1. Автор: Zhou Mei Sheng,Ye Jian Hui. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-04-28.

Semiconductor chip and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240203833A1. Автор: Taeyoon Kim,Jungil Son,Sungwook Moon,Kunwoo KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit including guard-ring and method of designing the same

Номер патента: US20240153889A1. Автор: Seungkwon Lee,Hankyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods of post-contact back end of line through-hole via integration

Номер патента: US8187968B2. Автор: Shijian Li,John Boyd,Yezdi Dordi,Fritz Redeker,Hyungsuk Alexander Yoon. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2012-05-29.

Hall integrated circuit and corresponding method of manufacturing of a hall integrated circuit using wafer stacking

Номер патента: US12048166B2. Автор: Carsten Schmidt,Gerhard Spitzlsperger,Mario BLASINI,Alessandro MONTAGNA. Владелец: LFoundry SRL. Дата публикации: 2024-07-23.

Methods of post-contact back end of line through-hole via integration

Номер патента: US20100044867A1. Автор: Shijian Li,John Boyd,Yezdi Dordi,Fritz Redeker,Hyungsuk Alexander Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-25.

Integrated circuits using high aspect ratio vias through a semiconductor wafer and method for forming same

Номер патента: US20020127835A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn,Joseph Geusic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Increased propagation speed across integrated circuits

Номер патента: US6271795B1. Автор: Robert O. Conn,Austin H. Lesea. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2001-08-07.

Flat electric wire for wire harness and method and apparatus of producing the same

Номер патента: EP0778587A3. Автор: Yosinobu Ohta,Ryousuke Shioda. Владелец: Harness System Technologies Research Ltd. Дата публикации: 1998-09-02.

Rechargeable nonaqueous electrolytic battery and the manufacture method of negative material, its negative electrode active material and the manufacture method of this material

Номер патента: CN106067543A. Автор: 加茂博道,吉川博树,广瀬贵一,松野拓史,广瀬贵. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-02.

Hybrid Materials and Nanocomposite Materials, Methods of Making Same, and Uses Thereof

Номер патента: US20140225041A1. Автор: Archer Lynden A.,Yang Zichao,Das Shyamal Kumar. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-14.

Titanium electrode material and surface treatment method of titanium electrode material

Номер патента: KR101215812B1. Автор: 도시끼 사또오,준 스즈끼,요시노리 이또오,준 히사모또. Владелец: 가부시키가이샤 고베 세이코쇼. Дата публикации: 2012-12-26.

Mof-sulfur materials and composite materials, methods of making same, and uses thereof

Номер патента: US20220158173A1. Автор: Hector D. Abruna,Na Zhang. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-19.

A liquid laser material, and the manufacturing method of it

Номер патента: KR100371908B1. Автор: 김정호,김경신. Владелец: 김경신. Дата публикации: 2003-02-11.

Integrated circuit structures having linerless self-forming barriers

Номер патента: US12057388B2. Автор: Abhishek A. Sharma,Carl Naylor,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits with improved coherence

Номер патента: US20240237555A9. Автор: Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Mohammad H. Amin. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Structure and Method for Interconnection with Self-Alignment

Номер патента: US20200105598A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Hai-Ching Chen,Hsin-Ping Chen,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Structure and Method for Interconnection with Self-Alignment

Номер патента: US20210265208A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Hai-Ching Chen,Hsin-Ping Chen,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234210A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Yen-Hung Chen,Kung-Chen Yeh,Sung-Yueh Wu,Jen-Chun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Metallization Process for an Integrated Circuit

Номер патента: US20230197514A1. Автор: Naoto Horiguchi,Zsolt Tokei,Serge Biesemans,Julien Ryckaert,Bilal Chehab,Victor Hugo VEGA GONZALEZ. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Apparatus and method for mitigating dynamic ir voltage drop and electromigration affects

Номер патента: US20170133321A9. Автор: Wen-Hao Chen,Chung-min Fu,Yuan-Te Hou,Wan-Yu Lo,Chih-Yeh YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor die package and methods of formation

Номер патента: US20240258302A1. Автор: Shu-Hui SU,Hsin-Li Cheng,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11735487B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: EP1342267A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Semiconductor integrated circuit device and method of producing the same

Номер патента: US20040061225A1. Автор: Katsuhiko Tsuura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Integrated circuit packaging system with film assistance mold and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130154121A1. Автор: Jaehyun Lee,DokOk Yu,Ki Youn Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Integrated circuit packages and methods of forming the same

Номер патента: US20240312836A1. Автор: Yung-Chi Lin,Yi-Hsiu Chen,Ming-Tsu Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A3. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Integrated circuit package including sealed gaps and prevention of vapor induced failures and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2004030094A1. Автор: Xuejun Fan. Владелец: U.S. Philips Corporation. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor device and method of producing thereof

Номер патента: US20240113216A1. Автор: Carsten Schaeffer,Yuliya Lisunova,Andreas Frank Behrendt,Simon Paul Sindermann,Adriana Mercedes Sanchez Lotero,Silke Liebscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A2. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor device with capacitor and/or inductor and method of making

Номер патента: US20110001214A1. Автор: Ertugrul Demircan,Jack M. Higman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-01-06.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220115266A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yu-Yu Chen,Kuan-Wei Huang,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Integrated circuit structures with pre-epitaxial deep via structure

Номер патента: US20230317595A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Chanaka D. Munasinghe,Sukru Yemenicioglu,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor integrated circuits and method for designing the same

Номер патента: US6675367B1. Автор: Kensuke Torii. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Integrated circuit structures with deep via structure

Номер патента: US20230299157A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit structures with deep via structure

Номер патента: EP4246563A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Integrated circuit including backside wiring and method of designing the same

Номер патента: US20240250028A1. Автор: Minjae Jeong,Jungho DO,Seungyoung Lee,Jisu YU,Hyeongyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and apparatus for maintaining operational temperature of an integrated circuit

Номер патента: US20130062331A1. Автор: Toby Mark Padilla,Randall Dennis Bousfield,Martin Verwiebe,Ryan Neal Milbrandt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US20240296273A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG,Shang-Chih Hsieh,Jerry Chang-Jui Kao,Chi-Yu Lu,Meng-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit structures having differentiated interconnect lines in a same dielectric layer

Номер патента: US12080643B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Shem O. Ogadhoh,Yih Wang,Bernhard Sell,Juan G. ALZATE VINASCO,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Heat dissipation in integrated circuits

Номер патента: US20070064398A1. Автор: Cynthia Lee,Sidhartha Sen. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-03-22.

Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US20180150589A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG,Shang-Chih Hsieh,Jerry Chang-Jui Kao,Chi-Yu Lu,Meng-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Integrated circuit with modified metal features and method of fabrication therefor

Номер патента: US20040185652A1. Автор: Philip Ireland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Inductor on integrated circuit and methods for manufacture

Номер патента: EP1234314A1. Автор: Donald Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-08-28.

Inductor for integrated circuit and methods of manufacture

Номер патента: WO2001039220A9. Автор: Donald Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Integrated circuit heater for reducing stress in the integrated circuit material and chip leads of the integrated circit, and for optimizing performance of devices of the integrated circuit

Номер патента: US20160093549A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-31.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Bit lines having high electrical conductivity and low mutual capacitance and related apparatuses, computing systems, and methods

Номер патента: US20230207458A1. Автор: Rita J. Klein,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,David Ross Economy,Jay S. BROWN,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Interconnects for stacked non-volatile memory device and method

Номер патента: US20120112155A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Integrated circuit device and method of enabling thermal regulation within an integrated circuit device

Номер патента: US20140085758A1. Автор: Sergey Sofer,Valery Neiman,Moty Groissman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Electronic assembly with high capacity thermal interface and methods of manufacture

Номер патента: EP1342268A2. Автор: Gregory M. Chrysler,Abhay A. Watwe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Semiconductor package and method of testing same

Номер патента: US20120032167A1. Автор: Boon Yew Low,Vemal Raja Manikam,Teck Beng Lau. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor device and method of enveloping an integrated circuit

Номер патента: EP1451869A2. Автор: Jacob Wijdenes. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-09-01.

Integrated circuits having an anti-fuse device and methods of forming the same

Номер патента: US20170125427A1. Автор: Danny Pak-Chum Shum. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Integrated circuit including backside wiring and method of designing the integrated circuit

Номер патента: EP4432357A1. Автор: Dalhee Lee,Sangjung Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

System and method for anti reverse engineering for analog integrated circuit

Номер патента: US20190102502A1. Автор: Yuan-Ju Chao,Ta-Shun Chu. Владелец: Ipgreat Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Integrated circuit having improved electromigration performance and method of forming same

Номер патента: US20170236780A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Michael P. Chudzik,Joyeeta Nag,Andrew H. Simon,Siddarth A. Krishnan,Shishir K. Ray. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

System For Shielding Integrated Circuits

Номер патента: US20080093742A1. Автор: John Fleming Walker. Владелец: NDS Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Integrated circuit with electrical fuse and method of forming the same

Номер патента: US20170062335A1. Автор: Chan-Hong Chern,Fu-Lung Hsueh,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Integrated circuit including asymmetric power line and method of designing the same

Номер патента: US11755809B2. Автор: Sanghoon Baek,Jonghoon Jung,Jaewoo SEO,Jisu YU,Hyeongyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for improving prompt dose radiation response of mixed-signal integrated circuits

Номер патента: US20120306050A1. Автор: John C. Rodgers. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2012-12-06.

Integrated circuit packaging system with bumps and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100320589A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Jose Alvin Caparas,Zigmund Ramirez Camacho,Emmanuel Espiritu. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240194768A1. Автор: Taegon Kim,Gilhwan Son,Jihye Yi,Sihyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

In-chip structures and methods for removing heat from integrated circuits

Номер патента: WO2006130816A2. Автор: Bala Padmakumar,Carlos Dangelo. Владелец: Nanoconduction Inc.. Дата публикации: 2006-12-07.

Assemblies used for embedding integrated circuit assemblies, and their uses and method of fabrication thereof

Номер патента: EP4315414A2. Автор: Jayna Sheats. Владелец: Terecircuits Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234312A1. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device having parallel conductive lines with bulging end portion(s) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021027B2. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

System and method for wireless and dynamic intra-process measurement of integrated circuit parameters

Номер патента: US20090240452A1. Автор: Mete Erturk,Sebastian T. Ventrone,Ezra D.B. Hall,Anthony J. Perri,Theodoros E. Anemikos,Phillip L. Corson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Assemblies used for embedding integrated circuit assemblies, and their uses and method of fabrication thereof

Номер патента: WO2022212492A3. Автор: Jayna Sheats. Владелец: Terecircuits Corporation. Дата публикации: 2022-11-10.

Substrates, Structures Within A Scribe-Line Area Of A Substrate, And Methods Of Forming A Conductive Line Of A Redistribution Layer Of A Substrate And Of Forming A Structure Within A Scribe-Line Area Of The Substrate

Номер патента: US20200227327A1. Автор: Hiroshi Toyama,Shigeru Sugioka,Kiyonori Oyu,Jung Chul Park,Raj K. Bansal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Systems and methods for silicon crack detection structure

Номер патента: US20240077531A1. Автор: Scott D. Hector,David A. Karol,Vasu P. Ganti,Date J.W. Noorlag. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Integrated circuit including standard cells and method of designing the same

Номер патента: US20240243117A1. Автор: Hayoung Kim,Kibum Kim,Eunhee Choi,Yongeun CHO,Hyunjeong ROH,Seonkyeong KIM,Moogyu Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit devices including metal-insulator-metal capacitors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20070111506A1. Автор: Min-Woo Song,Jung-min Park,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-17.

Substrates, Structures Within A Scribe-Line Area Of A Substrate, And Methods Of Forming A Conductive Line Of A Redistribution Layer Of A Substrate And Of Forming A Structure Within A Scribe-Line Area Of The Substrate

Номер патента: US20190355631A1. Автор: Hiroshi Toyama,Shigeru Sugioka,Kiyonori Oyu,Jung Chul Park,Raj K. Bansal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Iintegrated circuit including backside wiring and method of manufacturing the integrated circuit

Номер патента: US20240290692A1. Автор: Minjae Jeong,Jungho DO,Jisu YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit system with sealring and method of manufacture thereof

Номер патента: SG169276A1. Автор: Tan Soon Yoeng,TANG Teck Jung. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2011-03-30.

Integrated circuit, system and method of forming the same

Номер патента: US12080647B2. Автор: Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Pochun Wang,Wei-Hsin TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuits having reduced step height by using dummy conductive lines

Номер патента: US20020151166A1. Автор: Kye-Hyun Kyung,Bong-seok Chae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-17.

Integrated circuit and interconnect, and method of fabricating same

Номер патента: WO2012047458A3. Автор: Eric J. White,Zhong-Xiang He,Daniel S. Vanslette,Matthew D. Moon,David A. DeMuynck,Daniel R. Miga. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-31.

Methods of electroplating solder bumps of uniform height on integrated circuit substrates

Номер патента: US6117299A. Автор: Glenn A. Rinne,Christine Lizzul. Владелец: MCNC. Дата публикации: 2000-09-12.

Optical integrated circuit structure including edge coupling protective features and method of forming same

Номер патента: US20240201458A1. Автор: Hau-yan Lu,Chia-Ping Lai,Chien-Ying WU,YuehYing LEE,Sui-Ying Hsu,Chen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12046507B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Interconnects for stacked non-volatile memory device and method

Номер патента: US20120273748A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US20240250033A1. Автор: XIAO Li,Lifang Xu,Shuangqiang Luo,Jivaan Kishore Jhothiraman,Mohad Baboli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit including standard cells and method of designing the same

Номер патента: EP4407682A1. Автор: Hayoung Kim,Kibum Kim,Eunhee Choi,Yongeun CHO,Hyunjeong ROH,Seonkyeong KIM,Moogyu Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit device including a field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401144A2. Автор: Seokhoon Kim,Sungkeun Lim,Pankwi Park,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US20220058331A1. Автор: Sanghoon Baek,Jaewoo SEO,Seungman Lim,Jisu YU,Hyeongyu You,Hakchul JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

An integrated circuit chip assembly and a method of mounting an integrated circuit chip to external circuitry

Номер патента: WO2023194698A1. Автор: David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Decoupling capacitor closely coupled with integrated circuit

Номер патента: US20070065983A1. Автор: Robert Vinson,Donald Beck,Gregory Jandzio,Joseph Brief. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2007-03-22.

Electrically programmable pi-shaped fuse structures and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20070210412A1. Автор: Kangguo Cheng,Jack Mandelman,William Tonti,Roger Booth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Devices and methods for reducing stress on circuit components

Номер патента: US20220328426A1. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,Padraig Fitzgerald,Michael J. Flynn,George Redfield Spalding, JR.. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2022-10-13.

Systems and methods for integrating batteries to maintain volatile memories and protect the volatile memories from excessive temperatures

Номер патента: US20240264648A1. Автор: Wei-Ti Liu,Darrel James Guzy. Владелец: Arbor Co LLP. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit socket

Номер патента: US4616895A. Автор: Tsutomu Yoshizaki,Toshimasa Ishii. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-10-14.

Composite material, high-frequency circuit substrate made therefrom and making method thereof

Номер патента: US20100021687A1. Автор: Min She Su. Владелец: Shengyi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Circuit substrate connecting structure, liquid crystal display device having the connecting structure and mounting method of liquid crystal display device

Номер патента: KR100481239B1. Автор: 사토나카마사하루. Владелец: 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디.. Дата публикации: 2005-04-07.

COMPOSITE COATING MATERIAL AND THE PRODUCTION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20140147635A1. Автор: YAO I-PENG,Feng Chung-Ching,Huang Pei-Huo,Wang Ko-Feng,Lin Yong-Song,Kang Kai-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-29.

Employing scribbles the structure of ultraviolet radiation responsive material and carries out method of printing

Номер патента: CN101598896A. Автор: 杨诚,袁铭辉,陈景朗. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2009-12-09.

Silica reducer compositions and methods for treatment of produced water from thermal in situ bitumen or heavy hydrocarbon recovery operations

Номер патента: US20220363576A1. Автор: GANG Shi,Maryam JAFARI,Franz Xaver SPACHTHOLZ,Neil BEREZOWSKI,Richard SPROUL. Владелец: Baymag Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Compositions, dielectric materials, electronic devices, and methods of forming the same

Номер патента: WO2024019905A1. Автор: Yang Li,Xin Li,Mingqian He. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-01-25.

Tetrameric alpha/beta hydrolase variants with increased temperature stability and methods of using and producing thereof

Номер патента: US20230383269A1. Автор: Gudrun Vogtentanz,Sebastian Fruhauf,Andreas HOEBARTNER-GUSSL,Manuela KILLINGER,Florian Krainer. Владелец: DSM Austria GmbH. Дата публикации: 2023-11-30.

Production of lactic acid by continuous fermentation using an inexpensive raw material and a simplified method of lactic acid purification

Номер патента: US4771001A. Автор: Richard B. Bailey,Dilip K. Joshi,Stephen L. Michaels,Richard A. Wisdom. Владелец: Neurex Corp. Дата публикации: 1988-09-13.

Integrated circuit chip with electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2005074027A3. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Hans-Martin Ritter. Дата публикации: 2006-12-07.

Integrated circuit comprising a substrate, a die and an improved die attachment layer, as well as corresponding method of die bonding

Номер патента: WO2022124895A3. Автор: John Suman Nakka. Владелец: Stichting Chip Integration Technology Centre. Дата публикации: 2022-09-15.

Systems and methods for charging a cleaning solution used for cleaning integrated circuit substrates

Номер патента: EP1774578A1. Автор: Suraj Puri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-18.

Integrated circuits with alignment marks and methods of producing the same

Номер патента: US20170092523A1. Автор: Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Rakesh Kumar,Ying Yu,Jianbo Sun,Derui Yin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060141715A1. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20150194436A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9184171B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20160104714A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-04-14.

Integrated circuit and associated method of manufacture

Номер патента: GB2627043A. Автор: Price Richard,ALKHALIL Feras,Van Fraassen Niels. Владелец: Pragmatic Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Isolation structures for semiconductor integrated circuit substrates and methods of forming the same

Номер патента: EP1958249A1. Автор: Richard K. Williams. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2008-08-20.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A3. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A2. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-06.

Integrated circuits with magnetic tunnel junctions and methods for producing the same

Номер патента: US20170345999A1. Автор: Kangho Lee,Kazutaka Yamane,Seungmo Noh. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Integrated optical sensor and method of producing an integrated optical sensor

Номер патента: US20180337291A1. Автор: Hubert Enichlmair. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2018-11-22.

3d-integrated optical sensor and method of producing a 3d-integrated optical sensor

Номер патента: US20190237500A1. Автор: Mario Manninger,Hubert Enichlmair,Martin Schrems,Thomas Bodner,Gregor Toschkoff. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2019-08-01.

Integrated circuits with memory cells and methods for producing the same

Номер патента: US20190043992A1. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Integrated circuit structures having metal gates with tapered plugs

Номер патента: EP4109514A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel Ouellette,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Leah SHOER,Pedro FRANCO NAVARRO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Methods of forming spin on glass layers by curing remaining portions thereof

Номер патента: US20020111032A1. Автор: Min-Hee Cho,Hong-Sik Jeong,Soo-Ho Shin,Chang-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions

Номер патента: US7034365B2. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Integrated circuits with resistive non-volatile memory cells and methods for producing the same

Номер патента: US20200321396A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of forming patterns, integrated circuit device, and method of manufacturing the integrated circuit device

Номер патента: US20220293420A1. Автор: Dongjun Lee,Taejin Park,Sunghee Han,Keunnam Kim,Daehyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Carrier mobility enhanced channel devices and method of manufacture

Номер патента: WO2009148992A1. Автор: Kangguo Cheng,Haining S. Yang. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-12-10.

Method of forming patterns, integrated circuit device, and method of manufacturing the integrated circuit device

Номер патента: US11728167B2. Автор: Dongjun Lee,Taejin Park,Sunghee Han,Keunnam Kim,Daehyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Integrated circuits with deep and ultra shallow trench isolations and methods for fabricating the same

Номер патента: US20170330896A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Guan Huei See,Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234340A1. Автор: Tsung-Shu Lin,Hsin-Yu Pan,Yi-Che CHIANG,Yuan Sheng Chiu,Hong-Yu Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Radiation imaging apparatus and manufacturing method of same

Номер патента: US20220187481A1. Автор: Yoshito Sasaki,Masato Inoue,Takamasa Ishii,Masato Ofuji. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Integrated circuits including abutted blocks and methods of designing layouts of the integrated circuits

Номер патента: US20230297752A1. Автор: Minjae Jeong,Jungho DO,Sanghoon Baek,Jisu YU,Hyeongyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Tunable stressed polycrystalline silicon on dielectrics in an integrated circuit

Номер патента: US20080283927A1. Автор: Chandrasekhar Sarma,Matthias Hierlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device and method of making same

Номер патента: US20090095983A1. Автор: Shawn G. Thomas,Thomas E. Zirkle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-16.

Fabrication of integrated circuits with borderless vias

Номер патента: US20020158283A1. Автор: Henry Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Method of producing an optical sensor at wafer-level and optical sensor

Номер патента: WO2017013256A1. Автор: Franz Schrank,Thomas Bodner,Harald Etschmaier,Gregor Toschkoff. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-01-26.

Methods of routing clock trees, integrated circuits and methods of designing integrated circuits

Номер патента: US12056430B2. Автор: Bonghyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Structure and Method for FinFET Device with Asymmetric Contact

Номер патента: US20200365734A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150041910A1. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Integrated circuit structure and method of forming the same

Номер патента: US20230282639A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Yi-Hsun CHIU,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Integrated circuit product with a multi-layer single diffusion break and methods of making such products

Номер патента: US20200243643A1. Автор: Hong Yu,Hui Zang,Jiehui SHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Direct Attach Optical Receiver Module and Method of Testing

Номер патента: US20100276575A1. Автор: Stephen J. Kovacic,Iman Sherazi. Владелец: Gennum Corp. Дата публикации: 2010-11-04.

Solder Bump Configurations in Circuitry and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20240178174A1. Автор: Anwar Hashmi. Владелец: Sonova AG. Дата публикации: 2024-05-30.

Materials and methods for fabricating superconducting quantum integrated circuits

Номер патента: US20220393089A1. Автор: Daniel Yohannes,John Vivalda,Mario Renzullo,Alexander Kirichenko. Владелец: SeeQC, Inc.. Дата публикации: 2022-12-08.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20230314702A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-hao Cheng,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US9275994B2. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Circuit for and method of transmitting a signal in an integrated circuit device

Номер патента: EP3912269A1. Автор: Ramakrishna K. Tanikella,Sundeep Ram Gopal Agarwal. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Discreet placement of radiation sources on integrated circuit devices

Номер патента: US20090236699A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Michael S. Gordon,Nancy C. Labianca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Integrated circuit device

Номер патента: US11929389B2. Автор: Youn-Joung Cho,Seung-Min Ryu,Kyu-Ho Cho,Hyung-Suk Jung,Youn-Soo Kim,Chang-Su WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Integrated circuit device including low resistivity tungsten and methods of fabrication

Номер патента: US20140024208A1. Автор: Martin M. Frank,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor die, integrated circuits and driver circuits, and methods of maufacturing the same

Номер патента: US20150194421A1. Автор: Rob Van Dalen,Erik Spaan,Priscilla Boos. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-07-09.

Mask set for fabricating integrated circuits and method of fabricating integrated circuits

Номер патента: US8758961B1. Автор: Chooi Pei Lim,Francis Man-Chit Chow,Jordan Plofsky,Danny Biran. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Structure for realizing integrated circuit having schottky diode and method of fabricating the same

Номер патента: US20080096361A1. Автор: Seong-Hearn Lee,Sang-wook Kwon,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Integrated circuit system employing low-k dielectrics and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100314763A1. Автор: WEI Liu,Fan Zhang,Yeow Kheng Lim,Dong Kyun Sohn,Bei Chao Zhang,Juan Boon Tan,Wuping Liu,Jing Hui Li,Luying Du. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Device for taking images, integrated circuit for image taking element and method of processing taken images

Номер патента: RU2367108C2. Автор: Такахиро ФУКУХАРА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2009-09-10.

Method of manufacturing a redistribution layer, redistribution layer, integrated circuit and method for electrically testing the integrated circuit

Номер патента: US20220384371A1. Автор: Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Gate-all-around integrated circuit structures having necked feature

Номер патента: US20230317786A1. Автор: Tahir Ghani,Pratik Patel,Rishabh Mehandru,Mohammad Hasan,Cory Weber,Varun Mishra,Wonil CHUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures having differentiated channel sizing

Номер патента: US20230317808A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Brian Greene,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Ic germanium insulator substrate and method of manufacture of ic substrate

Номер патента: WO2007148072A3. Автор: Harold Samuel Gamble,David William Mcneill,Neil Samuel John Mitchell,Brian Mervyn Amstrong. Владелец: Brian Mervyn Amstrong. Дата публикации: 2008-03-27.

Integrated circuit structures with full-wrap contact structure

Номер патента: US20230317788A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures with full-wrap contact structure

Номер патента: EP4254480A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up approach

Номер патента: US20240266353A1. Автор: Tahir Ghani,Biswajeet Guha,Leonard GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Plastic package for an optical integrated circuit device and method of making

Номер патента: WO2000075986A9. Автор: Thomas P Glenn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20220262957A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Silicide pattern structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20020155696A1. Автор: Salman Akram,Y. Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Silicide pattern structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20010010971A1. Автор: Salman Akram,Y. Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Integrated circuit and method of designing integrated circuit

Номер патента: US20020031850A1. Автор: Tsutomu Takabayashi,Shizuo Morizane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Bias-controlled deep trench substrate noise isolation integrated circuit device structures

Номер патента: US20110291238A1. Автор: David Goren,Shlomo Shlafman,Rajendran Krishnasamy,Raminderpal Singh,Benny Sheinman,Wayne H. Woods,Phillip Francis Chapman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Method of adding fabrication monitors to integrated circuit chips

Номер патента: WO2006107356A2. Автор: David P. Vallett,Matthew S. Grady,James W. Adkisson,John M. Cohn,Greg Bazan,Thomas G. Sopchak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-12.

Integrated circuits having accessible and inaccessible physically unclonable functions

Номер патента: WO2014051741A2. Автор: Anand Rajan,David Johnston,George W. Cox,Jiangtao Li,Sanu K. Mathew,Kevin C. Gotze,Gregory M. Iovino. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

Fin end plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240153947A1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Chun-Kuo HUANG,Erica THOMPSON,Jeanne Luce,Ebony L. Mays. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Moscap-based circuitry for wireless communication devices, and methods of making and using the same

Номер патента: EP3292567A1. Автор: Somnath Mukherjee. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2018-03-14.

MOSCAP-Based Circuitry for Wireless Communication Devices, and Methods of Making and Using the Same

Номер патента: US20170317719A1. Автор: Somnath Mukherjee. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2017-11-02.

Integrated circuit for and method of testing die -to -die bonding

Номер патента: EP2585842A1. Автор: Arifur Rahman. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2013-05-01.

Integrated circuit for and method of testing die -to -die bonding

Номер патента: WO2012003008A1. Автор: Arifur Rahman. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing an optical sensor at wafer-level and optical sensor

Номер патента: US10734534B2. Автор: Franz Schrank,Thomas Bodner,Harald Etschmaier,Gregor Toschkoff. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2020-08-04.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: EP2093800A3. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,William M. Hiatt,Charles M. Watkins,Kyle K. Kirkby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-31.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: EP1763897A1. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,William M. Hiatt,Kyle K. Kirby,Charles M. Watkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: EP2093800B1. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,William M. Hiatt,Charles M. Watkins,Kyle K. Kirkby. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2011-07-06.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: SG153876A1. Автор: Salman Akram,Kyle K Kirby,Alan G Wood,William M Hiatt,Charles M Watkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-29.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: EP1763897B1. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,William M. Hiatt,Kyle K. Kirby,Charles M. Watkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-02.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: WO2006011897A1. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,William M. Hiatt,Kyle K. Kirby,Charles M. Watkins. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-02-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having nanowires with tight vertical spacing

Номер патента: EP3736851A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-11.

Gate-all-around integrated circuit structures having nanowires with tight vertical spacing

Номер патента: US11769836B2. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Integrated circuit devices including strained channel regions and methods of forming the same

Номер патента: US20150123075A1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-07.

Multichip module with built in repeaters and method

Номер патента: US6306681B1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-10-23.

Patterned integrated circuit and method of production thereof

Номер патента: EP2311078A1. Автор: Steven Grant Duvall,Pavel I. Lazarev,Pavel Khokhlov. Владелец: Carben Semicon Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Integrated devices in semiconductor packages and methods of forming same

Номер патента: US11749626B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chao-Wen Shih,Kai-Chiang Wu,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor integrated circuit device and method of laying out clock driver used in the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014898A1. Автор: Nobuyuki Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Methods of reducing a registration error of a photomask, and related photomasks and methods of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US9176375B2. Автор: CHALYKH Roman,Sang-Hyun Kim,Seong-Sue Kim,Dong-gun Lee,Mun-Ja KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-03.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using multiple bottom-up oxidation approaches

Номер патента: EP3678170A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Richard Schenker,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Method of Semiconductor Fabrication with Height Control Through Active Region Profile

Номер патента: US20160240444A1. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Control of dopant diffusion from buried layers in bipolar integrated circuits

Номер патента: US20100279481A1. Автор: Angelo Pinto,Jeffrey A. Babcock,Scott G. Balster,Gregory E. Howard,Manfred Schiekofer,Alfred Häusler. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304666A1. Автор: Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Hyojin Kim,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US12033998B2. Автор: Kuo-Nan Yang,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Jung-Chan YANG,Kuang-Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Light-emitting diode (led) and micro led substrates and methods for making the same

Номер патента: US20190305182A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20200403096A1. Автор: Seon Bae Kim,Seung Hyun Song,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: EP4270484A3. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Elliot Tan,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20230411378A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Jung-Chan YANG,Kuang-Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Silicided integrated circuit with data retaining floating-gate capacitor

Номер патента: EP2867921A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-05-06.

Analog Floating-Gate Capacitor with Improved Data Retention in a Silicided Integrated Circuit

Номер патента: US20140001526A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Integrated circuits having source/drain structure and method of making

Номер патента: US20200350432A1. Автор: Shih-Hsien Huang,Chien-Chang Su,Yi-Fang Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Integrated circuit with guard region and diode circuit

Номер патента: US12040357B2. Автор: Guido Wouter Willem Quax,Dongyong ZHU. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US20160190439A1. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Integrated circuit structures having gate cut plugremoved from trench contact

Номер патента: US20240105802A1. Автор: Robert Joachim,Robert Robinson,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Marie Conte,Kyle T. HORAK,Brandon PETERS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210376126A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Substrate-less vertical diode integrated circuit structures

Номер патента: EP4020597A1. Автор: Brian Greene,Avyaya Jayanthinarasimham,Suresh Vishwanath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: EP1929531A2. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Edward Sargent,Larissa Levina,Ian Howard,Jason Clifford,Ethan J. D. Klem. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-11.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: WO2007102051A3. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Edward Sargent,Larissa Levina,Ian Howard,Jason Clifford,Ethan J D Klem. Владелец: Ethan J D Klem. Дата публикации: 2007-11-29.

Fin end plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20210035972A1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Chun-Kuo HUANG,Erica THOMPSON,Jeanne Luce,Ebony L. Mays. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material

Номер патента: US20240222526A1. Автор: William P. Taylor,Ravi Vig,Paul A. David,Andreas P. Friedrich,P. Karl Scheller. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated Circuits and Methods of Design and Manufacture Thereof

Номер патента: US20100276759A1. Автор: Henning Haffner,Manfred Eller,Richard Lindsay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US12073170B2. Автор: Stefan Rusu,Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Jung-Chan YANG,Chi-Yu Lu,Cheng-I Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Integrated circuit processing system

Номер патента: WO2003049154A2. Автор: Gary Bouchard. Владелец: Intercon Tools, Inc.. Дата публикации: 2003-06-12.

Method of producing an optical sensor at wafer-level and optical sensor

Номер патента: US10943936B2. Автор: Franz Schrank,Thomas Bodner,Gregor Toschkoff. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-03-09.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Method of producing an optical sensor at wafer-level and optical sensor

Номер патента: US20190165020A1. Автор: Franz Schrank,Thomas Bodner,Gregor Toschkoff. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2019-05-30.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210375866A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Magnetic Tunnel Junctions And Methods Of Forming Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20160118439A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-04-28.

Magnetic tunnel junctions and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3044815A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Integrated circuit structures with backside self-aligned penetrating conductive source or drain contact

Номер патента: US20230290844A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Leonard P. GULER,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: US20230290825A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Elliot N. Tan,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210111270A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050185440A1. Автор: Shigeru Kawanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240274605A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device for regulating integrated circuit timing and power consumption

Номер патента: US20240256756A1. Автор: Wen-Hao Chen,Hung-Chih Ou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit devices including discharging path and methods of forming the same

Номер патента: US12087669B1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of producing an optical sensor at wafer-level and optical sensor

Номер патента: WO2018029204A1. Автор: Franz Schrank,Thomas Bodner,Gregor Toschkoff. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2018-02-15.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234485A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Jun-Goo Kang,Gi-hee CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming a stacked-die integrated circuit chip package on a wafer level

Номер патента: MY134235A. Автор: M Lam Ken. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-11-30.

Method of forming a stacked-die integrated circuit chip package on a wafer level

Номер патента: WO2001067511A2. Автор: Ken M. Lam. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2001-09-13.

Device Having Pocketless Regions and Methods of Making the Device

Номер патента: US20090263946A1. Автор: Greg Baldwin,Shashank Ekbote,Kamel Benaissa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-10-22.

Method of providing a gettering scheme in the manufacture of silicon-on-insulator (soi) integrated circuits

Номер патента: WO1999034432A1. Автор: Rene P. Zingg,Theodore J. Letavic. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-07-08.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Analog floating-gate capacitor with improved data retention in a silicided integrated circuit

Номер патента: US20140295631A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Integrated circuits having source/drain structure and method of making

Номер патента: US20220285157A1. Автор: Shih-Hsien Huang,Chien-Chang Su,Yi-Fang Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Integrated circuit device including integrated insulator and methods of fabrication the same

Номер патента: EP4333039A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Seungmin Song,MyungHoon JUNG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Integrated circuits including standard cells and methods of manufacturing the integrated circuits

Номер патента: US20200050728A1. Автор: Jin-Tae Kim,Tae-Joong Song,Seung-Young Lee,Jin-young Lim,Sung-We Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Integrated circuit and method of manufacturing integrated circuit

Номер патента: US10566941B2. Автор: Sachito Horiuchi,Kunihiko Iwamoto,Naohiro Nomura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-02-18.

Methods of forming gate structures for cmos based integrated circuit products and the resulting devices

Номер патента: US20140367790A1. Автор: Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20150162288A1. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Shih-Wei Liang,Chia-Chun Miao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Integrated circuits having source/drain structure and method of making

Номер патента: US20230298891A1. Автор: Shih-Hsien Huang,Chien-Chang Su,Yi-Fang Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for Realizing Heterogeneous III-V Silicon Photonic Integrated Circuits

Номер патента: US20160327759A1. Автор: Gunther Roelkens,Dries Van Thourhout,Shahram Keyvaninia. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-11-10.

Isolation structures for an integrated circuit element and method of making same

Номер патента: WO2017052616A1. Автор: Uygar E. Avci,Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,David L. Kencke,Kerryann Foley. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Hybrid sensor chip assembly and method for reducing radiative transfer between a detector and read-out integrated circuit

Номер патента: US20180190705A1. Автор: Sean P. Kilcoyne,John J. Drab,John L. Vampola,Chad W. Fulk,Christopher L. Mears,Barry M. STARR. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-07-05.

Beamforming integrated circuit having rf signal ports using a ground-signal transition for high isolation in a phased antenna array system and related methods

Номер патента: US20220285837A1. Автор: Kevin Greene,Vipul Jain,Amr IBRAHIM. Владелец: Anokiwave Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Manufacturing method and integrated circuit having a light path to a pixilated element

Номер патента: WO2009113004A2. Автор: Benoit Bataillou,Viet Nguyen Hoang,Radu Surdeanu. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-09-17.

Display device and method of inspecting the same

Номер патента: US20190334089A1. Автор: Ho Seok HAN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Integrated circuit and method of manufacturing integrated circuit

Номер патента: US20190036500A1. Автор: Sachito Horiuchi,Kunihiko Iwamoto,Naohiro Nomura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-01-31.

Integrated circuit packages having stress-relieving features

Номер патента: US12091310B2. Автор: David A. Grant,Abhijeet Ghoshal. Владелец: Apogee Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods for deposition of a thermal interface material and circuit assemblies formed therefrom

Номер патента: WO2024192062A1. Автор: Navid Kazem,Hing Jii Mea. Владелец: Arieca Inc.. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US20140217512A1. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US8928088B2. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Electronic module, method of manufacturing electronic module, and endoscope

Номер патента: US12082784B2. Автор: Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit device and method of making the same

Номер патента: WO1998000872A1. Автор: Derryl D. J. Allman,John W. Gregory,James P. Yakura,John J. Seliskar,Dim Lee Kwong. Владелец: Gill, David, Alan. Дата публикации: 1998-01-08.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Devices and methods for calibrating and operating a snapback clamp circuit

Номер патента: EP2973703A1. Автор: Ankit Srivastava,Eugene Robert Worley,Matthew David Sienko. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Less-secure processors, integrated circuits, wireless communications apparatus, methods for operation thereof, and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US20200081846A1. Автор: Erdal Paksoy,Olivier Schuepbach,Charles W. Brokish,Steve Karouby,Narendar Madurai Shankar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Layout design method and method of manufacturing integrated circuit device using the same

Номер патента: US20240104287A1. Автор: Inseop Lee,Hee JEONG,Dawoon Choi,Bongkeun Kim,Myungsoo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated Circuit Device Having Defined Gate Spacing And Method Of Designing And Fabricating Thereof

Номер патента: US20140332893A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Integrated circuit with improved signal noise isolation and method for improving signal noise isolation

Номер патента: WO2006130260A2. Автор: Olin L. Hartin,Radu M. Secareanu,Enrique Ferrer,Suman K. Banerjee. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-12-07.

Integrated circuit device having a resistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140138759A1. Автор: Keon-Soo Kim,Young-Ho Lee,Seong-Soon Cho,Jin- Hyun SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Circuit substrate and display device

Номер патента: US20110170274A1. Автор: Hiroyuki Moriwaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Optical control modules for integrated circuit device patterning and reticles and methods including the same

Номер патента: US20200348587A1. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Johannes Cobussen,Leendertjan Mekking. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200381547A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230290881A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220093786A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Integrated circuit structure with stepped epitaxial region

Номер патента: US20180366372A1. Автор: Steven Bentley,Puneet H. Suvarna,Mark V. Raymond,Peter M. Zeitzoff. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Method of and device for determining the distance between an integrated circuit and a substrate

Номер патента: EP2225532A1. Автор: Martin Weinberger,Christian Zenz,Dietmar Nessmann,Shafqat Hussain. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Self-aligned ldmos and method

Номер патента: WO1984003997A1. Автор: Antonio R Alvarez. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1984-10-11.

Semiconductor package and method of preparing same

Номер патента: EP1504469A1. Автор: Robert Nelson,Debra Soliz,Stanton Dent,Lyndon Larson. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2005-02-09.

Integrated circuit devices including device isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110248357A1. Автор: Tae-jung Lee,Sun-hyun Kim,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040238865A1. Автор: Takahisa Hayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Integrated circuits with inactive gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20160190012A1. Автор: Ming Zhu,Yiang Aun Nga. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-06-30.

Field-effect transistors, devices containing such field-effect transistors and methods of their formation

Номер патента: US11751386B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Methods of processing units comprising crystalline materials, and methods of forming semiconductor-on insulator constructions

Номер патента: EP2764551A1. Автор: Ming Zhang,SHU QIN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-13.

Integrated circuit, memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230071284A1. Автор: Chih-Wei Hung,Kuo-Pin Chang,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Memory circuit system and method

Номер патента: EP2005303A2. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: MetaRAM Inc. Дата публикации: 2008-12-24.

Integrated Circuit and Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20150091088A1. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser,Martin Vielemeyer,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic device

Номер патента: US20030052410A1. Автор: Yoshihiro Sugiura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

Method of manufacturing modules with an integrated circuit

Номер патента: US20030087474A1. Автор: Christian Brugger,Reinhard Fritz,Johannus Weekamp,Anthonie De Lange,Johannes Van Roosmalen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Device and method for radiation image retrieval and radiation image retrieval system

Номер патента: RU2325780C2. Автор: Минору ВАТАНАБЕ,Тиори МОТИЗУКИ,Кейити НОМУРА,Такамаса ИСИИ,Масаказу МОРИСИТА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2008-05-27.

Integrated circuit design

Номер патента: US20170076033A1. Автор: Robert John Harrison,Ramnath Bommu Sabbiah SWAMY. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Integrated circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20200350250A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Yu-Jung Chang,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Shih-Ming Chang,Yi-Hsiung Lin,Jung-Chan YANG,Ya-Chi CHOU,Yu-Xuan Huang,Pochun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210273105A1. Автор: Soojin JEONG,Seungmin Song,Junggil YANG,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of optimizing laser cutting of wafers for producing integrated circuit dies

Номер патента: US20230415269A1. Автор: Miguel CAMARGO SOTO,Juan Arturo Jerez,Luis Enrique Velazquez Cardenas. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for Producing MIM Capacitors with High K Dielectric Materials and Non-Noble Electrodes

Номер патента: US20130285205A1. Автор: Pragati Kumar,Hanhong Chen. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

A method of manufacturing integrated circuit sensors

Номер патента: AU2003249497A1. Автор: William Robert Betts,Steven Verlinden. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2004-02-25.

A method of manufacturing integrated circuit sensors

Номер патента: WO2004015400A1. Автор: William Robert Betts,Steven Verlinden. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2004-02-19.

A method of manufacturing integrated circuit sensors

Номер патента: EP1546681A1. Автор: William Robert Betts,Steven Verlinden. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2005-06-29.

Integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200395482A1. Автор: Soojin JEONG,Seungmin Song,Junggil YANG,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US11775724B2. Автор: Yu-Jung Chang,Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Wen-Ju Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus and method for forming compound integrated circuits

Номер патента: WO2005043601A2. Автор: Douglas John Bailey,Stephen Charles Bateman,David John Coakley. Владелец: Chipx Incorporated. Дата публикации: 2005-05-12.

Apparatus for detecting X-ray, method of manufacturing the same, and method of repairing the same

Номер патента: US9161730B2. Автор: Hyung-Jin Ham. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-20.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20230290409A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Shuangqiang Luo,Jiewei Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit system with a floating dielectric region and method of manufacture thereof

Номер патента: SG166052A1. Автор: Lee Jae Gon,Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Yin Chunshan. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2010-11-29.

Three-Dimensional Memory Device and Method

Номер патента: US20220359270A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Integrated circuit including at least one nano-ridge transistor

Номер патента: US20200075750A1. Автор: Robert Langer,Niamh Waldron,Bernardette Kunert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2006112964A3. Автор: Glenn C Abeln,Gompel Toni D Van,Mohamad Jahanbani,James D Burnett,Peter J Beckage,Kyle T Gilliland. Владелец: Kyle T Gilliland. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2006112964A2. Автор: Peter J. Beckage,James D. Burnett,Glenn C. Abeln,Toni D. Van Gompel,Mohamad Jahanbani,Kyle T. Gilliland. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-10-26.

Chip structure with moisture barrier along opening in edge thereof and manufacturing method of the chip structure

Номер патента: EP4400885A1. Автор: Zhuojie Wu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Memory Cells and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20140217351A1. Автор: Davide Erbetta,Camillo Bresolin,Valter Soncini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Memory Cells and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20150318470A1. Автор: Davide Erbetta,Camillo Bresolin,Valter Soncini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Memory Cells and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20130270504A1. Автор: Davide Erbetta,Camillo Bresolin,Valter Soncini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Integrated circuit and method of forming same

Номер патента: US20230297754A1. Автор: Po-Sheng Wang,Chien-Chi TIEN,Yangsyu Lin,Chao Yuan Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11024741B2. Автор: Soojin JEONG,Seungmin Song,Junggil YANG,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Methods for fabricating integrated circuits having substrate contacts and integrated circuits having substrate contacts

Номер патента: US20130256901A1. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Circuit configuration with temperature protection and method for implementing the temperature protection

Номер патента: US20020113617A1. Автор: Holger Heil,Zenko Gergintschw. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor integrated circuit device having reservoir capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150357377A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Apparatus and method for forming compound integrated circuits

Номер патента: WO2005043601A3. Автор: Douglas John Bailey,Stephen Charles Bateman,David John Coakley. Владелец: David John Coakley. Дата публикации: 2005-12-01.

Integrated circuit, construction of integrated circuitry, and method of forming an array

Номер патента: WO2020023087A1. Автор: Kevin R. Shea,Gurpreet Lugani,Alex Kogan,Kyle B. Campbell,Mario J. DI CINO,Aaron W. FREESE. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-01-30.

Integrated circuit arrangement and method of operating such a circuit arrangement

Номер патента: US20070079202A1. Автор: Steffen Sonnekalb,Marcus Janke,Dirk Rabe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20090148998A1. Автор: Michael Albert Tischler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-11.

Method of using an integrated circuit

Номер патента: US20020080656A1. Автор: Tapio Kuiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Methods of fabricating integrated circuit field effect transistors by performing multiple implants prior to forming the gate insulating layer thereof

Номер патента: US6117715A. Автор: Dae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-09-12.

Systems and methods for charging a cleaning solution used for cleaning integrated circuit substrates

Номер патента: WO2006010052A1. Автор: Suraj Puri. Владелец: Suraj Puri. Дата публикации: 2006-01-26.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196603A1. Автор: Sungyeon KIM,Munjun KIM,Hyukwoo KWON,Younseok CHOI,Kwanghee CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures

Номер патента: US8884363B2. Автор: Su Xing,Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen,Chin Fu Yen,Xiao Lu Huang,Yong Sheng Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Design structure, structure and method of latch-up immunity for high and low voltage integrated circuits

Номер патента: US20130168818A1. Автор: Steven H. Voldman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Large Dimension Device and Method of Manufacturing Same in Gate Last Process

Номер патента: US20140065786A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US12041779B2. Автор: Kunal Shrotri,Shyam Surthi,Matthew Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated circuit device including a field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240243188A1. Автор: Seokhoon Kim,Sungkeun Lim,Pankwi Park,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Solid-state imaging device and method of manufacturing the same, radiological imaging apparatus and method of manufacturing the same, and method of testing solid-state imaging device

Номер патента: US8653466B2. Автор: Harumichi Mori,Ryuji Kyushima,Kazuki Fujita. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2014-02-18.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory having increased memory cell density and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160133669A1. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Multi-device transducer module, apparatus including the transducer module and method of manufacturing the transducer module

Номер патента: US10091587B2. Автор: Roberto Brioschi,Marco Omar Ghidoni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-10-02.

Multi-device transducer module, apparatus including the transducer module and method of manufacturing the transducer module

Номер патента: US20170318396A1. Автор: Roberto Brioschi,Marco Omar Ghidoni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-11-02.

Ultrathin body fully depleted silicon-on-insulator integrated circuits and methods for fabricating same

Номер патента: US20130341722A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Integrated circuit device with transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20130328133A1. Автор: Seung-Chul Lee,In-Kook Jang,Seung-Hyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Phase Change Memory Cells And Methods Of Forming Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20140252302A1. Автор: Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Integrated circuit with millimeter wave and inductive coupling and methods for use therewith

Номер патента: US20130171933A1. Автор: Ahmadreza Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Three-dimensional stackable ferroelectric random access memory devices and methods of forming

Номер патента: US20240268122A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit structure with semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20200098755A1. Автор: Yan-Hsiu Liu,Wei-Lun Hsu,Ji-Fu Kung,Yung-Chien Kung,Ming-Tsung Yeh,Am-Tay Luy,Yao-Pi Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Solid-state imaging device and method of manufacturing the same, radiological imaging apparatus and method of manufacturing the same, and method of testing solid-state imaging device

Номер патента: US20120012753A1. Автор: Harumichi Mori,Ryuji Kyushima,Kazuki Fujita. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2012-01-19.

Integrated circuit memory cells and methods of forming

Номер патента: WO2005064672A2. Автор: Alexander Paterson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-07-14.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US9355909B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-31.

Notched gate configuration for high performance integrated circuits

Номер патента: US20020187646A1. Автор: Giuseppe Curello. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Analysis module, integrated circuit, system and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20040064772A1. Автор: Yoav Weizman,Shai Shperber,Ezra Baruch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Apparatus and Method for Preventing Configurable System-on-a-Chip Integrated Circuits from Becoming I/O Limited

Номер патента: US20090273101A1. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Testing module and method for using the same

Номер патента: US20230343653A1. Автор: Jung-Hui Kao,Kong-Beng Thei,Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Catalyst layer, membrane electrode assembly, fuel cell having membrane electrode assembly, method of producing catalyst layer, and method of producing membrane electrode assembly

Номер патента: US20080268326A1. Автор: Yoshinobu Okumura,Masaaki Shibata,Hiroshi Okura,Mamiko Kumagai,Kenji Nomiya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-10-30.

Insulating material and method of producing said material

Номер патента: RU2470396C2. Автор: Ханс НЕГЛЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2012-12-20.

Method and apparatus for optical coupling of optical signals for a photonic integrated circuit

Номер патента: US20200183085A1. Автор: Elad Mentovich,Sylvie Rockman,Xin Yin,Hercules Avramopoulos,Dimitrios Kalavrouziotis,Paraskevas BAKOPOULOS,Itshak Kalifa,Geert Van Steenberge,Giannis POULOPOULOS,Anna Sandomirsky. Владелец: Institute Of Communications And Computer Systems. Дата публикации: 2020-06-11.

Metal packaging liquid or aerosol jet coating compositions, coated substrates, packaging, and methods

Номер патента: US20240287316A1. Автор: Charles I. Skillman,Boxin Tang. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Light wave separation lattices and methods of forming light wave separation lattices

Номер патента: US20150293363A1. Автор: Yong Cao,Mingwei Zhu,Daniel Lee Diehl,Tai-Chou Papo CHEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Light wave separation lattices and methods of forming light wave separation lattices

Номер патента: EP3129823A1. Автор: Yong Cao,Mingwei Zhu,Daniel Lee Diehl,Tai-Chou Papo CHEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-15.

PLASMA ENHANCED DEPOSITION ARRANGEMENT FOR EVAPORATION OF DIELECTRIC MATERIALS, DEPOSITION APPARATUS AND METHODS OF OPERATING THEREOF

Номер патента: US20150284841A1. Автор: KELLER Stefan,Bangert Stefan,Leo Kwak Byung-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

The metal material and its manufacture method of surface treating agent for metallic materials and its manufacture method and subsidiary surface treatment capsule

Номер патента: CN107868951A. Автор: 内田淳,内田淳一,大浦郎,大浦一郎. Владелец: Nihon Parkerizing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

The amorphous carbon-base film of nanometer grade thickness is as the application of infrared absorbing material and the preparation method of amorphous carbon-base film

Номер патента: CN108251807A. Автор: 王丽,张栋,郭鹏,汪爱英,柯培玲. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2018-07-06.

The composite material and its manufacture method of selective three-dimensional conductive layer are realized on flexible macromolecule base material

Номер патента: CN108004529A. Автор: 唐勇,林云,兰修才,苏子凌,曹艳肖. Владелец: China Bluestar Chengrand Research Institute of Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Chemical conversion treatment liquid regeneration apparatus used for the manufacturing method of a chemical conversion treatment alloy material, and the manufacturing method of a chemical conversion treatment alloy material

Номер патента: KR102451532B1. Автор: 다카미쓰 다카기,마코토 미야지마,게이시 마쓰모토,사유리 이와타,아키라 쓰토. Владелец: 닛폰세이테츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-10-06.

Chemical conversion treatment liquid regenerator used in the manufacturing method of chemical conversion treatment alloy material and the manufacturing method of chemical conversion treatment alloy material

Номер патента: JPWO2019103067A1. Автор: 圭司松本,慎宮島,松本　圭司,崇光 ▲高▼木,さゆり岩田,昭良津戸. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Magnesium alloy material and surface treatment method of magnesium alloy

Номер патента: JP5705054B2. Автор: 貴裕石崎,健志太見,太見　健志,るり子工藤. Владелец: A&A Material Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

Electrically connecting integrated circuits and transducers

Номер патента: EP1284094A2. Автор: Schelto Vandoorn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-02-19.

Discrete device socket and method of fabrication therefor

Номер патента: US20020132533A1. Автор: David Figueroa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-09-19.

System and method of attaching an integrated circuit assembly to a printed wiring board

Номер патента: US20070259480A1. Автор: Lance Sundstrom. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Prototype development system and method

Номер патента: US20020131244A1. Автор: Fernando Martinez,Ernest Vogel,Sam Nicolino,Robert Hasslen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Proximity sensing temperature controlled power adapter and method of operation

Номер патента: WO2019099123A1. Автор: Vivek Patel,Terrell MORROW. Владелец: XENTRIS WIRELESS, LLC. Дата публикации: 2019-05-23.

Integrated circuit package, system comprising printed circuit board and integrated circuit package, method of soldering integrated circuit package to printed circuit board

Номер патента: WO2024155292A1. Автор: Zhiyang Wang,Bianca Kwok,Benson Tu,Adrian Ocampo. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods and apparatus to mitigate hotspots in integrated circuit packages using gimbaling nozzles and jet vectoring impingement

Номер патента: US20240276675A1. Автор: Patrick L. Connor,Prabhakar SUBRAHMANYAM,Mark Lawrence Bianco,Vishnu Prasadh Sugumar,Ying Feng Pang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Waveform shaping filter, integrated circuit, radiation detection device, method for adjusting time constant of waveform shaping filter, and method for adjusting gain of waveform shaping filter

Номер патента: US20160269006A1. Автор: Tetsuro Itakura,Shunsuke Kimura,Hideyuki Funaki,Masanori Furuta,Go KAWATA,Hirokatsu SHIRAHAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Integrated circuit arrangement with at least one buried circuit element and an insulation layer and method for their production

Номер патента: DE10030696B4. Автор: Bernhard Sell,Jörn Dr. Luetzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-06.

WAVEFORM SHAPING FILTER, INTEGRATED CIRCUIT, RADIATION DETECTION DEVICE, METHOD FOR ADJUSTING TIME CONSTANT OF WAVEFORM SHAPING FILTER, AND METHOD FOR ADJUSTING GAIN OF WAVEFORM SHAPING FILTER

Номер патента: US20160269006A1. Автор: Furuta Masanori,Itakura Tetsuro,Funaki Hideyuki,KAWATA Go,KIMURA Shunsuke,SHIRAHAMA Hirokatsu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-09-15.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US20140362279A1. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

The thermo-electric converting material and its manufacture method of the substrate with nanostructured are used

Номер патента: CN104137284B. Автор: 安达千波矢,加藤邦久,宫崎康次,早川晃镜. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2017-04-05.

Integrated circuit for control of an isolating resonant led converter, and method of operating the integrated circuit

Номер патента: EP4422052A1. Автор: Miguel Philipp Schneider. Владелец: Tridonic GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-28.

Devices and systems having led circuits and methods of driving the same

Номер патента: US20240255110A1. Автор: Michael Miskin. Владелец: Lynk Labs Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Systems and methods for configuring modular air quality sensing capabilities

Номер патента: US20240003860A1. Автор: Peng Seng Tan,Gaurav Satish Shewalkar. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-01-04.

Systems and methods for configuring modular air quality sensing capabilities

Номер патента: EP4256322A1. Автор: Peng Seng Tan,Gaurav Satish Shewalkar. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2023-10-11.

Lighting system and method of installing

Номер патента: US20180206300A1. Автор: Tye T. Farnsworth. Владелец: System Lighting Solutions LLC. Дата публикации: 2018-07-19.

Edge protector for electrolytic electrode, spreader bar thereof and method of attaching same to electrolytic electrode

Номер патента: CA2094473C. Автор: Hiroshi Tanaka,Yasuo Masuda. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2000-10-31.

SYSTEM AND METHOD FOR TREATMENT OF PRODUCED WATERS

Номер патента: US20140069821A1. Автор: Marcin Mark A.,Sage Thomas R.. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-13.

Gloss nickel plating material, the electronic component of use gloss nickel plating material and the preparation method of gloss nickel plating material

Номер патента: CN102812165B. Автор: 儿玉笃志. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-01-20.

Material and the manufacturing method of organic coating

Номер патента: TW336193B. Автор: Naomasa Nakakouji,Tomokatsu Katagiri,Kyouko Hamahara,Hidekazu Asahina,Ichio Mochizuki. Владелец: Kawasaki Steel Co. Дата публикации: 1998-07-11.

Integrated circuit memory devices with enhanced buffer memory utilization during read and write operations and methods of operating same

Номер патента: US12061817B2. Автор: Eung-jun YOUN,Bum-Jun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor integrated circuit which generates different voltages based on an external power supply voltage and a generating method of the different voltages

Номер патента: US20060087366A1. Автор: Masakuni Kawagoe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-27.

Systems and methods for assessment of produce shelf life using time lapse image data

Номер патента: WO2023154515A1. Автор: Richard Pattison,Ohad Michel. Владелец: Apeel Technology, Inc.. Дата публикации: 2023-08-17.

Systems and methods for assessment of produce shelf life using time lapse image data

Номер патента: US20230260273A1. Автор: Richard Pattison,Ohad Michel. Владелец: Apeel Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of recycling bonded fibrous materials and synthetic fibers and fiber-like materials produced thereof

Номер патента: CA2426014C. Автор: Gustavo Palacio,Maria Clara Garcia,Pablo Ramirez,Bernardo Vanegas. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2008-01-15.

Site coating material and the production method of the same

Номер патента: US20070196628A1. Автор: Chung-Ching Feng,Pei-Huo Huang,Yong-Song Lin,I-Peng Yao,Ko-Feng Wang,Kai-Feng Kang. Владелец: San Fang Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-23.

Composite coating material and the production method of the same

Номер патента: US20120234479A1. Автор: Chung-Ching Feng,Pei-Huo Huang,Yong-Song Lin,I-Peng Yao,Ko-Feng Wang,Kai-Feng Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-20.

Silver halide color photographic material and development processing method of the same

Номер патента: US20020009679A1. Автор: Hiroyuki Yoneyama,Kazuaki Yoshida,Yasuaki Deguchi. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-24.

Preparation of treatment composition and bath maintenance system and method for treatment formed therefrom

Номер патента: RU2721259C1. Автор: Эрик Л. МОРРИС,Гордон Л. ПОСТ,Майкл А. МЭЙО,Эдвард Ф. РАКИЕВИЧ,Майкл Дж. ПАУЛИК. Владелец: Прк-Десото Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2020-05-18.

Precursor with (methoxy)(methyl) silyolefin ligand to deposit copper and method for the same

Номер патента: MY128338A. Автор: Masato Kobayashi,Tue Nguyen,Yoshihide Senzaki,Lawrence Joel Charneski. Владелец: Sharp Microelect Tech Inc. Дата публикации: 2007-01-31.

Organotitanium precursors, method for their preparation and method of producing material and/or composite material using the same

Номер патента: IL174495A0. Автор: . Владелец: Technical University Of Szczec. Дата публикации: 2006-08-01.

Organotitanium precursors, method for their preparation and method of producing material and/or composite material using the same

Номер патента: IL174495A. Автор: . Владелец: WEST POMERANIAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY SZCZECIN. Дата публикации: 2012-07-31.

Organotitanium precursors, method for their preparation and method of producing material and/or composite material using the same

Номер патента: EP1668169A1. Автор: Anna Biedunkiewicz,Mieczyslaw Wysiecki,Przemyslaw Noworol. Владелец: Technical University od Szczecin. Дата публикации: 2006-06-14.

Laminate and method of producing the same, and gas barrier film and method of producing the same

Номер патента: US20180002804A1. Автор: Hiroshi Koyama,Mitsuru Kano,Jin Sato. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Material for cementation and method of molding

Номер патента: RU2133235C1. Автор: Дэвид Джон Браун,Стивен Джефри Хигсон. Владелец: Бритиш Нуклеа Фюэлс Плс. Дата публикации: 1999-07-20.

Asbestos-treating agent and method for treating asbestos

Номер патента: US8704032B2. Автор: Yoshihiro Taguchi,Teruhiko Kusano,Hiroaki Harano. Владелец: Santec Corp. Дата публикации: 2014-04-22.

Asbestos-treating agent and method for treating asbestos

Номер патента: US20120289756A1. Автор: Yoshihiro Taguchi,Teruhiko Kusano,Hiroaki Harano. Владелец: Santec Corp. Дата публикации: 2012-11-15.

Siliceous materials and methods of manufacture

Номер патента: AU2023215407A1. Автор: Michael C. STERN,Yet-Ming Chiang,Jesse D. BENCK,Joseph HITTINGER. Владелец: Sublime Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Sound-absorbing material, the sound-absorbing mats, the method of manufacture of the sound-absorbing material, application of the straw in the capacity of the sound-absorbing material

Номер патента: RU2309965C2. Автор: Аксель Г. ШМИДТ. Владелец: Аксель Г. ШМИДТ. Дата публикации: 2007-11-10.

Production method of myocardial cell layer, myocardial cell layer, and use thereof

Номер патента: US20240277899A1. Автор: Li Liu,Shigeru Miyagawa,Yoshiki Sawa,Junjun Li,Hayato Miyoshi,Maki Takeda. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of producing brick glaze

Номер патента: RU2740177C1. Автор: Иван Поликарпович Добровольский,Виктор Иванович Бархатов,Александр Александрович Головко,Юнер Шамильевич Капкаев,Иван Валерьевич Головачев,Владимир Валерьевич Кровяков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Челябинский государственный университет". Дата публикации: 2021-01-12.

ABSORBENT POLYMERS, AND METHODS AND SYSTEMS OF PRODUCING THEREOF AND USES THEREOF

Номер патента: US20190255512A1. Автор: Tseitlin Alexander,Sookraj Sadesh H.,Lee Han,SHERRY Kyle,LaPointe Robert E.,Ruhl John B.. Владелец: NOVOMER, INC.. Дата публикации: 2019-08-22.

Modified polyvinyl butyral material, and preparation and applications thereof

Номер патента: US11732122B2. Автор: An-Hsiung Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-22.

Modified polyvinyl butyral material, and preparation and applications thereof

Номер патента: CA3096201A1. Автор: An-Hsiung Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-16.

Adapter polypeptides and methods of using the same

Номер патента: CA3190722A1. Автор: Yifan MA,Ly James Lee,Chi-Ling CHIANG. Владелец: Spot Biosystems Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Tetrameric alpha/beta hydrolase variants with increased temperature stability and methods of using and producing thereof

Номер патента: WO2022073649A1. Автор: Gudrun Vogtentanz,Sebastian Fruhauf,Andreas HOEBARTNER-GUSSL,Manuela KILLINGER,Florian Krainer. Владелец: Erber Aktiengesellschaft. Дата публикации: 2022-04-14.

Materials having predefined morphologies and methods of formation thereof

Номер патента: US20060205875A1. Автор: Robert Miller,Willi Volksen,Ho-cheol Kim,James Hedrick,Jennifer Cha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Composite materials and methods for making the same

Номер патента: US5585165A. Автор: Christopher R. Kennedy,Birol Sonuparlak,John E. Garnier,Ali S. Fareed,Gerhard H. Schiroky. Владелец: Lanxide Technology Co LP. Дата публикации: 1996-12-17.

Siliceous materials and methods of manufacture

Номер патента: WO2023150796A1. Автор: Michael C. STERN,Yet-Ming Chiang,Jesse D. BENCK,Joseph HITTINGER. Владелец: Sublime Systems, Inc.. Дата публикации: 2023-08-10.

SYSTEM AND METHOD FOR TREATMENT OF PRODUCED WATERS

Номер патента: US20130313199A1. Автор: Marcin Mark A.,Sage Thomas R.. Владелец: High Sierra Energy, LP. Дата публикации: 2013-11-28.

Seedling or cultivating nutrition substrate containing wood fiber and organic matter fermentation materials and application

Номер патента: CN104262022A. Автор: 冯锡鸿. Владелец: NINGXIA ZHONGQING AGRICULTURAL SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-07.

Method of preparing complex additive to concrete mixtures and mortars

Номер патента: RU2349560C2. Автор: Сергей Владимирович Коваленко,Андрей Иванович Беспалов,Валентина Владимировна Коваленко,Рифкат Фоатович Валетдинов. Владелец: Сергей Владимирович Коваленко. Дата публикации: 2009-03-20.

Modified fine particulate carbon materials and method for producing same

Номер патента: US20240025747A1. Автор: Gerd Schmaucks,Tobias Wittmann,Jacob Podschun,Ulf Luder. Владелец: SUNCOAL INDUSTRIES GmbH. Дата публикации: 2024-01-25.

Self-oriented material, self-oriented liquid crystal material and manufacturing method of liquid crystal panel

Номер патента: US20200165518A1. Автор: Ling Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

CONSTRUCTION UNITS IN FORM OF BRICKS, BLOCKS OR TILES MADE FROM RECYCLABLE MATERIALS AND BY-PRODUCTS, METHODS OF MAKING THE CONSTRUCTION UNITS AND THEIR USE

Номер патента: US20190337854A1. Автор: MEDERO Gabriela,CHAPMAN Samuel. Владелец: Heriot-Watt University. Дата публикации: 2019-11-07.

Coating of the paint composition and the coating of the paint coating material and the coating method of manufacturing a construction method

Номер патента: KR20160000118A. Автор: 조근식,윤기수. Владелец: 윤기수. Дата публикации: 2016-01-04.

Aluminum composite powder, the manufacturing method of that, aluminum composite material, and the manufacturing method of the parts of spent fuel storage system

Номер патента: KR100439386B1. Автор: 무라카미가즈오,오구라가즈미,야스이도요아키. Владелец: 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2004-07-09.

Construction units in form of bricks, blocks or tiles made from recyclable materials and by-products, method of making the construction units and their use

Номер патента: CA3005406A1. Автор: Samuel Chapman,Gabriela MEDERO. Владелец: Heriot Watt University. Дата публикации: 2017-05-26.

Scribing wheel for brittle material and the scribble method of fragile material and device, instrument

Номер патента: CN102285009B. Автор: 若山治雄,前川和哉. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-17.

Dishwashing detergent composition comprising natural material and the manufacturing method of eco-friendly dishwashing detergent

Номер патента: KR102390505B1. Автор: 김수현,강종옥. Владелец: (주) 보종. Дата публикации: 2022-04-25.

Modification regeneration polypropylene prepares the expandable injection molding composite material and its manufacturing method of high fondant-strength

Номер патента: CN108929481A. Автор: 马晓敏,冯飞,叶蕾,朱金平,乔江浩. Владелец: CHANGZHOU PLASKING POLYMER-TEC Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-04.

Propylene oxide acids polymerizable composition for optical material and the preparation method of propylene oxide acids optical material that storage stability is improved

Номер патента: CN104583250B. Автор: 张东奎,卢守均,金钟孝. Владелец: KOC SOLUTION CO LTD. Дата публикации: 2017-07-07.

Aluminum alloy material and die casting method of barrier gate transmission structural member

Номер патента: CN115386771B. Автор: 李旭涛,李升�,李新豪,陈苏坚,王永科,宋秋福. Владелец: Guangzhou Zhiyuan New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-01-06.

Anchored Nanostructure Materials and Ball Milling Method Of Fabrication

Номер патента: US20100209605A1. Автор: Timothy D. Burchell,Paul A. Menchhofer,Roland D. Seals,Cristian I. Contescu. Владелец: Babcock and Wilcox Technical Services Y 12 Inc. Дата публикации: 2010-08-19.

A kind of makrolon material and its manufacturing method of flame-proof abrasion-resistant

Номер патента: CN106543680B. Автор: 叶青. Владелец: Lihua Yiwei Chemical Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

The material and heat treatment method of high-performance highly corrosion resistant tubing hanger

Номер патента: CN106011682B. Автор: 吉哲,范献兵. Владелец: Jiangsu Jinshi Casting & Forging Co ltd. Дата публикации: 2017-09-29.

The polytetrafluoroethylene material and its processing method of corona-resistant

Номер патента: CN109251447A. Автор: 全江楚. Владелец: Cosco Marine Polytron Technologies Inc. Дата публикации: 2019-01-22.

High connductivity aluminum alloy materials and the preparation method of aluminum alloy cable conductor thereof

Номер патента: CN105296816B. Автор: 王子纯,陈彩云,吴荣美,唐秀芹. Владелец: Jiangsu Dongqiang Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-14.

A kind of the regeneration PC alloy material and its production method of anti-stress cracking

Номер патента: CN106832863B. Автор: 张云,赵跃胜,任应富,姜方钰,戈永红. Владелец: Anhui Czecho New Mstar Technology Ltd. Дата публикации: 2019-05-03.

The hydrothermal preparing process of porous silica material and the preparation method of gas fluorescent optical sensor

Номер патента: CN107188184A. Автор: 张冉,马辉,程露丹. Владелец: Hangzhou Finder Detection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-22.

Roll of optical sheet material and continuous manufacturing method of liquid crystal display device

Номер патента: WO2011001835A1. Автор: 浩平矢野,武田　健太郎,悠杉本. Владелец: 日東電工株式会社. Дата публикации: 2011-01-06.

A kind of middle refractive index resin material and the preparation method of eyeglass thereof

Номер патента: CN104059212B. Автор: 邹彪,曹根庭,李秋明,唐忆君,贺建友,罗有训. Владелец: SHANGHAI CONANT OPTICS CO Ltd. Дата публикации: 2016-08-31.

Include the transparent thermal insulation material and its manufacturing method of polymeric capsule

Номер патента: CN105566828B. Автор: 高文柱,刘南浩,吕铉旭,洪暎范. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-09-14.

A kind of material and material preparation method of automotive brake pads

Номер патента: CN108412925B. Автор: 王建国,张芹,吴芳芳,吴小四. Владелец: Anhui Sanlian University. Дата публикации: 2019-09-13.

The polyvinyl chloride resin wood-plastic decorating material and its manufacture method of adsorbable gas formaldehyde

Номер патента: CN106905636A. Автор: 张庆伟,张济民,王本永,左书彬. Владелец: Heilongjiang Linhai Huaan New Materials Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2017-06-30.

A kind of polypropylene material and its preparation method of antimicrobial form Ag-Zn load graphene

Номер патента: CN110372963A. Автор: 李建龙. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-10-25.

It is a kind of for making the material and its manufacturing method of cosmetics massage head

Номер патента: CN110498969A. Автор: 蔡国象,蔡易暘. Владелец: Guangzhou Contain Packaging Product Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

The anti-corrosion leak-proof material and its construction method of cesspool concrete structures

Номер патента: CN106752823B. Автор: 李智,彭军,黄靖,唐明明,黄菲菲,葛友,侯岳,王炳章. Владелец: China Light Industry Nanning Design Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-05.

Intensity and the excellent middle carbon line material and its manufacturing method of cold-workability

Номер патента: CN108929985A. Автор: 闵世泓,金哈尼,文东俊,柳根水. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-04.

Environmentally Friendly Recycled Building Materials and Their Manufacturing Method of Mixed Waste Building Materials with Sterilized Purified Plants

Номер патента: KR102216394B1. Автор: 김명찬. Владелец: (주)정우하우징. Дата публикации: 2021-02-17.

Ceramic composites used for 3d printing for manufacturing of building exterior materials and performance improvement method of building exterior materials printed using this

Номер патента: KR102031736B1. Автор: 이준,이봉춘,박광민. Владелец: (재)한국건설생활환경시험연구원. Дата публикации: 2019-10-14.

The preparation method of carbon fiber metal material and the manufacture method of carbon fiber metal article

Номер патента: CN106862566A. Автор: 徐超. Владелец: Xian University of Science and Technology. Дата публикации: 2017-06-20.

Raw material and additive manufacturing method of colorful multi-transparency dental prosthesis

Номер патента: CN113416071A. Автор: 沈剑英,谢宝军. Владелец: Jiaxing Yabao Medical Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

The surface treatment method of sand material and the manufacturing method of ready-mixed concrete

Номер патента: CN110088060A. Автор: 中本义范,石田光人,雪本清人,羽田政登. Владелец: TIEKE CO Ltd. Дата публикации: 2019-08-02.

It is used in particular for the high temperature thermal insulation material and its manufacturing method of gas turbine

Номер патента: CN109251025A. Автор: H-P.博斯曼,D.雷努施,T-T.楚,M.米彻勒,J.库尔伯勒. Владелец: Ansaldo Energia IP UK Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

The high-strength wire material and its manufacture method of corrosion resistance excellent

Номер патента: CN106834910A. Автор: 杨裕燮,张堤旭,金皓鍊. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

The Aluminum alloy extrusion material and its manufacturing method of excellent in machinability

Номер патента: CN105473747B. Автор: 宫田幸昌,吉原伸二,志镰隆广. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2019-04-26.

A kind of Aluminum alloy extrusion material and its manufacturing method of shock resistance energy absorption characteristics

Номер патента: CN109468502A. Автор: 周楠,王顺成,黄正华,李新涛. Владелец: Guangdong Institute of Materials and Processing. Дата публикации: 2019-03-15.

Utilize the structure of bio-based materials and the manufacture method of structure

Номер патента: CN107614259A. Автор: 瑞安·丘奇. Владелец: 瑞安·丘奇. Дата публикации: 2018-01-19.

The composite material and its manufacturing method of mechanical performance with enhancing

Номер патента: CN109312114A. Автор: 黄莹莹,S·文卡特拉曼,王恩厚,洪慧颖,尼古拉斯·丹尼尔·玛丽·福恩. Владелец: SINGAPORE HEALTH SERVICES PTE LTD. Дата публикации: 2019-02-05.

Roll of optical sheet material and continuous manufacturing method of liquid crystal display device

Номер патента: TW201111844A. Автор: Kohei Yano,Kentarou Takeda,Yuu Sugimoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2011-04-01.

The ceramic material and its manufacturing method of purifying

Номер патента: CN109311757A. Автор: D·C·布克宾德,M·贝克豪斯-瑞考尔特,T·D·凯查姆,P·M·希尔梅宏,R·M·菲亚克. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2019-02-05.

Novel Oxazollopyridine based phenol Compounds as Fluorescent Colorant Material and a Preparation Method of The Same

Номер патента: KR101392492B1. Автор: 박수열,신승림,전근,신종일. Владелец: 한국화학연구원. Дата публикации: 2014-05-07.

Methods of forming magnetoresistive devices and integrated circuits

Номер патента: US12075630B2. Автор: THOMAS Andre,Sanjeev Aggarwal,Sarin A. Deshpande,Kerry Joseph NAGEL. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Methods of fabricating static random access memories (SRAMS) having vertical transistors

Номер патента: US20070155085A1. Автор: Seung-Heon Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Integrated Circuit and Method of Arbitration in a Network on an Integrated Circuit

Номер патента: US20080186991A1. Автор: Kees Gerard Willem Goossens,Andrei Radulescu,Rikard Lennart Thid. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-08-07.

Integrated circuit and method of arbitration in a network on an integrated circuit

Номер патента: WO2006123287A2. Автор: Andrei Radulescu,Rikart L. Thid,Kees G. W. Goosens. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-11-23.

Integrated circuit and method of arbitration in a network on an integrated circuit

Номер патента: EP1884084A2. Автор: Andrei Radulescu,Rikart L. Thid,Kees G. W. Goosens. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-02-06.

Methods of fabricating integrated imager and microcontroller

Номер патента: US20100047956A1. Автор: Atif Sarwari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-25.

Methods of fabricating integrated imager and microcontroller

Номер патента: US8149307B2. Автор: Atif Sarwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-04-03.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: EP2364524A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-09-14.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: WO2010053554A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-05-14.

Integrated circuit devices having memory and methods of implementing memory in an integrated circuit device

Номер патента: WO2014138479A1. Автор: Ephrem C. Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2014-09-12.

System and method of duplicate circuit block swapping for noise reduction

Номер патента: US20200328731A1. Автор: Vitor Pereira,Arup Mukherji,Steffen Skaug. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Systems and methods of integrated circuit clocking

Номер патента: US20110316602A1. Автор: Deanne Tran Vo,Thomas Jeffrey Bingel. Владелец: East West Innovation Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

Wireless communication device, method of providing access to wireless communication, base station and method of providing crossover to wireless communication network

Номер патента: RU2524368C2. Автор: Стефан В. ШЕЛЛ,Девид Т. ХАГГЕРТИ. Владелец: ЭППЛ ИНК.. Дата публикации: 2014-07-27.

Circuits for and methods of generating a modulated signal in a transmitter

Номер патента: US20170019278A1. Автор: Yu Liao,Vassili Kireev. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Circuits for and methods of generating a modulated signal in a transmitter

Номер патента: EP3323201A1. Автор: Yu Liao,Vassili Kireev. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-05-23.

Reconfigurable switched-capacitor voltage converter circuit, integrated circuit (ic) chip including the circuit and method of switching voltage on chip

Номер патента: US20140152382A1. Автор: Leland Chang,Jae-sun Seo,Robert Montoye. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Loading machine and method of its operation

Номер патента: RU2720393C2. Автор: Уилльям А. ДОРСЕТТ,Джеймс Б. ДИЛЛИНДЖЕР,Майкл Джон ЛАЙТЕН,Маркус Н. БАРР,Дон Ф. ОУИНГС,Брэдли Максвелл НИЛСОН. Владелец: ДЖОЙ ГЛОБАЛ ЛОНГВЬЮ ОПЕРЕЙШНЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2020-04-29.

Integrated circuit and method of storing probability tables for video decoding

Номер патента: US20210400282A1. Автор: Wei Wang,Ruiyang Chen,Shuoshuo LIU. Владелец: Glenfly Tech Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

System, device and method of establishing a session

Номер патента: RU2765987C2. Автор: Хао ЦЗИН,Цзайфэн ЦЗОН. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-02-07.

Systems and methods of decreasing transit sites related to the nuclear system

Номер патента: RU2628665C2. Автор: Дэвид ПЕРРИ. Владелец: Сони Компьютер Энтертейнмент Америка Ллк. Дата публикации: 2017-08-21.

Methods of forming acoustic resonator device wafers integrated with electronic semiconductor switching device wafers using a wafer transfer process and related structures

Номер патента: US20240196753A1. Автор: Daeho Kim,Ramakrishna Vetury,Abhay Saranswarup Kochhar,Kamran Cheema. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Circuits and methods of generating and controlling signals on an integrated circuit

Номер патента: WO2006078736A3. Автор: Paul William Ronald Self. Владелец: Paul William Ronald Self. Дата публикации: 2006-12-21.

Circuits and methods of generating and controlling signals on an integrated circuit

Номер патента: EP1842288A2. Автор: Paul William Ronald Self. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-10.

Method and apparatus for controlling or managing bandwidth of a filter circuit within a system having two integrated circuits

Номер патента: US20140084996A1. Автор: Dale G. Schwent,Ryan J. Goedken. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2014-03-27.

Equipment, system and method for dynamic allocation of resources using grant frame

Номер патента: RU2688256C2. Автор: Карлос КОРДЕЙРО,Ассаф КАШЕР,Соломон Б. ТРЕЙНИН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2019-05-21.

Equipment, system and method for dynamic allocation of resources using grant frame

Номер патента: RU2675053C2. Автор: Карлос КОРДЕЙРО,Ассаф КАШЕР,Соломон Б. ТРЕЙНИН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-12-14.

Control device and method for actuation of vehicle safety means

Номер патента: RU2518200C2. Автор: ЗИВЕРС Фалько,ШУМАХЕР Хартмут,ГШВИНД-ШИЛЛИНГ Райнер,ФЮРСТ Райнер,ЛИСТ Карстен. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2014-06-10.

A circuit for and method of receving video data

Номер патента: WO2009142857A1. Автор: Yi Feng. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2009-11-26.

Systems and methods for scan test access using bond pad test access circuits

Номер патента: US20050039097A1. Автор: Amar Guettaf. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

System and method of measuring maximum power point tracking efficiency

Номер патента: US20210119483A1. Автор: Jeong Hun Kim,Seungeon Moon,Solyee IM,Jong Pil IM,Jiyong Woo,Yeriaron Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2021-04-22.

System and method of managing sim card profiles for different embedded universal integrated circuit cards

Номер патента: EP4422225A1. Автор: Amedeo Veneroso,Salatore ACUNTO,Ettore TOSCANO. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-28.

A remote station and method for re-enabling a disabled debug capability in a system-on-a-chip device

Номер патента: EP3127031A1. Автор: Ivan Hugh Mclean. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-08.

System and method of utilizing a component of an information handling system

Номер патента: US20220060339A1. Автор: Lee Eric Ballard,Jonathan Foster Lewis. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-02-24.

Integrated circuit, memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12063785B2. Автор: Chih-Wei Hung,Kuo-Pin Chang,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080265934A1. Автор: Hayato Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Integrated circuit including a combined logic cell

Номер патента: US20230061062A1. Автор: Badarish Mohan Subbannavar,Rakesh DIMRI,Mohammad Asif Farooqui,Somasekar J. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324190A1. Автор: Yeji Kim,Jooncheol Kim,Subin SON,Yunho Song,Namkyeong LEE,Bosu KIM,Hyundon YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Ultrasonic imaging system probe, and a system and a method of imaging

Номер патента: RU2734129C2. Автор: Сотир Филипов УЗУНОВ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2020-10-13.

Circuits and methods for transferring two differentially encoded client clock domains over a third carrier clock domain between integrated circuits

Номер патента: WO2021127772A1. Автор: Kamran Rahbar,Peter Meyer,Drew Jenkins. Владелец: Microsemi Semiconductor ULC. Дата публикации: 2021-07-01.

Apparatus and method for smart vcc trip point design for testability

Номер патента: US20150054554A1. Автор: ONG Mee-Choo,Teoh Boon-Weng,Hor Ching-Kooi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2015-02-26.

Clock Distribution and Generation Architecture for Logic Tiles of an Integrated Circuit and Method of Operating Same

Номер патента: US20190334526A1. Автор: Cheng C. Wang,Nitish U. Natu. Владелец: Flex Logix Technologies Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Solid-state image pickup element, image pickup apparatus, and method of controlling solid-state image pickup element

Номер патента: US11778342B2. Автор: Tomohiro Yamazaki,Shigetaka Kudo,Yoshinori Muramatsu,Kazuhiko Muraoka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of producing triggering signals for a control of a multimedia interface

Номер патента: US20230224426A1. Автор: Olivier Ferrand. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-07-13.

Dc-to-ac power inverter and methods

Номер патента: US20120051110A1. Автор: Dalun Yuan,Tranh Nguyen. Владелец: NPhysics Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Clock distribution and generation architecture for logic tiles of an integrated circuit and method of operating same

Номер патента: EP3639370A1. Автор: Cheng C. Wang,Nitish U. Natu. Владелец: Flex Logix Technologies Inc. Дата публикации: 2020-04-22.

Freeze And Clear Logic Circuits And Methods For Integrated Circuits

Номер патента: US20220216873A1. Автор: Jeffrey Chromczak,Sadegh Yazdanshenas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Piezoelectric actuator, ink-jet head, method of producing piezoelectric actuator, and method of producing ink-jet head

Номер патента: EP1705016A3. Автор: Motohiro c/o Brother Kogyo Kab. K. Yasui. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2007-09-05.

Filtering device and method of eliminating a DC component by shifting the transfer function

Номер патента: US6545569B1. Автор: Nigel Greer. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-04-08.

Back-end processing systems and methods for device identification

Номер патента: US20230297079A1. Автор: Tim Vogt,Narasimhakumar Mangipudi. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Display panel, display apparatus, and method of detecting crack in display panel

Номер патента: EP4128203A1. Автор: Yang Zeng,Yi Zhang,FAN He,Yu Wang,Shun Zhang,Ping Wen,Yuanqi ZHANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Semiconductor integrated circuit that stops power supply to at least a storage area of a first SRAM in a power-saving mode, and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10027906B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Method Of Manufacturing Oscillator And Oscillator

Номер патента: US20230246593A1. Автор: Naoki Ii,Yosuke ITASAKA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Sensor data processing module and method thereof

Номер патента: EP4224880A1. Автор: Peter Fischer,Michael RITZERT. Владелец: UNIVERSITAET HEIDELBERG. Дата публикации: 2023-08-09.

Integrated circuit memory devices having non-volatile memory transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20020197788A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Bioinformatics systems, apparatus, and methods for performing secondary and/or tertiary processing

Номер патента: EP3465507A1. Автор: Pieter Van Rooyen,Eric Ojard,Mark Hahm,Michael Ruehle,Rami Mehio,Gavin Stone,Amnon Ptashek. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2019-04-10.

Bioinformatics systems, apparatus, and methods for performing secondary and/or tertiary processing

Номер патента: AU2022252718A1. Автор: Pieter Van Rooyen,Eric Ojard,Mark Hahm,Michael Ruehle,Rami Mehio,Gavin Stone,Amnon Ptashek. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Integrated circuit with leakage control and method for leakage control

Номер патента: EP1690102A1. Автор: Petri Vaisanen,Teppo Hemia,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2006-08-16.

Bioinformatics systems, apparatus, and methods for performing secondary and/or tertiary processing

Номер патента: AU2024205108A1. Автор: Pieter Van Rooyen,Eric Ojard,Mark Hahm,Michael Ruehle,Rami Mehio,Gavin Stone,Amnon Ptashek. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Bioinformatics systems, apparatus, and methods for performing secondary and/or tertiary processing

Номер патента: AU2022252718B2. Автор: Pieter Van Rooyen,Eric Ojard,Mark Hahm,Michael Ruehle,Rami Mehio,Gavin Stone,Amnon Ptashek. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

System and Method to Fix Min-Delay Violation Post Fabrication

Номер патента: US20230251307A1. Автор: David Roberts,Jeremy Nall,Kazi Naisur Rahman,Ray Nassim. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Sensor data processing module and method thereof

Номер патента: WO2023148324A1. Автор: Peter Fischer,Michael RITZERT. Владелец: UNIVERSITÄT HEIDELBERG. Дата публикации: 2023-08-10.

Circuits and methods for implementing mode selection in multiple-mode integrated circuits

Номер патента: EP1828868A2. Автор: Kartik Nanda. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2007-09-05.

Display panel, display apparatus, and method of detecting crack in display panel

Номер патента: US20230134939A1. Автор: Yang Zeng,Yi Zhang,FAN He,Yu Wang,Shun Zhang,Ping Wen,Yuanqi ZHANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Electronic integration circuit having offset and collected charge reduction circuitries and associated methods

Номер патента: EP4211795A1. Автор: Shimon Elkind,Nadav Melamud. Владелец: Trieye Ltd. Дата публикации: 2023-07-19.

Receiving Structure, Textile-Reinforced Component and Method for Producing the Component

Номер патента: US20220341168A1. Автор: Manfred Curbach,Iurii VAKALIUK,Maria Patricia GARIBALDI,Dominik Schlüter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-10-27.

A formation ventilation gas purification coating structure using inorganic membrane, and method for manufacturing thereof

Номер патента: EP2318565A1. Автор: Byung Hoon Ryou,Jae Kyung Kong. Владелец: EMW Energy Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-11.

Material with composite particles on substrate, method of producing said material and method of producing compounds using material with composite particles on substrate as chemical synthesis catalyst

Номер патента: RU2437715C1. Автор: Кен СУЗУКИ,Тацуо ЯМАГУТИ. Владелец: Асахи Касеи Кемикалз Корпорейшн. Дата публикации: 2011-12-27.

SINGLE LINKER ANTIBODIES FabFv AND METHODS FOR PRODUCING THEREOF

Номер патента: RU2714159C2. Автор: Дэвид Пол Хамфриз,Эмма ДЕЙВ,Сэм Филлип Хейвуд. Владелец: Юсб Биофарма Спрл. Дата публикации: 2020-02-12.

Method of producing oxide catalyst and method of producing unsaturated nitrile

Номер патента: RU2720967C1. Автор: Эри ТАТЕНО,Минору КАДОВАКИ. Владелец: Асахи Касеи Кабусики Кайся. Дата публикации: 2020-05-15.

Method of producing gypsum binder, modified composite gypsum binder and method for production thereof

Номер патента: RU2601962C1. Автор: Виктор Викторович Куликов,Александр Владимирович Коблов,Тамара Викторовна Казанцева. Владелец: Тамара Викторовна Казанцева. Дата публикации: 2016-11-10.

Heat conducting electric insulating composite material (versions) and method for production thereof

Номер патента: RU2600110C1. Автор: Александр Александрович Берлин,Виталий Георгиевич Гринев,Людмила Александровна Новокшонова,Ольга Ивановна Кудинова,Петр Александрович Нежный. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химической физики им. Н.Н. Семенова Российской академии наук (ИХФ РАН). Дата публикации: 2016-10-20.

Method of producing unsupported tape material for road surface and method of construction of joints and connections of unsupported tape material

Номер патента: RU2599300C2. Автор: Олег Николаевич Чернов,Дмитрий Владиславович Барковский,Сергей Александрович Грацианский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НОВА-Брит". Дата публикации: 2016-10-10.

Hydrogen production system and method

Номер патента: RU2729502C2. Автор: ЭСКУДЕРО Амалио ГАРРИДО. Владелец: Драхе И Мате Интернасиональ, С.Л.. Дата публикации: 2020-08-07.

Thermal and sound insulation material and method of its production

Номер патента: RU2648096C1. Автор: Александр Дмитриевич Орлов,Вадим Вячеславович Киктев. Владелец: Вадим Вячеславович Киктев. Дата публикации: 2018-03-22.

Dissipating material from synthesized quartz glass and method of producing molded article completely or partially consisting of it

Номер патента: RU2720729C2. Автор: Геррит ШАЙХ,Франк НЮРНБЕРГ,Андреас ГЕТЦЕНДОРФЕР,Надин ЧОЛИЧ,Бернхард ФРАНЦ,Урсула КЛЕТТ,Мэттью ДОНЕЛОН. Владелец: Хераеус Кварцглас Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2020-05-13.

Schungite-based composite material and method of producing said material

Номер патента: RU2405749C1. Автор: Василий Анатольевич Долгорев,Виктор Семенович Лавров. Владелец: Виктор Семенович Лавров. Дата публикации: 2010-12-10.

Polymer dispersed magnetic material and method for production thereof

Номер патента: RU2601005C2. Автор: Света Жираслановна Озкан,Галина Петровна Карпачева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2016-10-27.

Baculovirus vector, method of producing thereof and method of gene transfer

Номер патента: US20050208661A1. Автор: Yoshiharu Matsuura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Nanocomposite electromagnetic material and method for its production

Номер патента: RU2768155C1. Автор: Света Жираслановна Озкан,Галина Петровна Карпачева,Александр Иванович Костев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2022-03-23.

Image recorded material and method of producing same, and laminate and method of producing same

Номер патента: US12070963B2. Автор: Masaharu Kawai,Ayato SATO,Takeshi MIYATO. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of producing low soda alumina, low soda alumina and method of producing porcelain

Номер патента: WO2002034692A8. Автор: Katsuhiko Kamimura. Владелец: Katsuhiko Kamimura. Дата публикации: 2005-06-16.

Catalyst materials and method of producing said materials

Номер патента: RU2397018C2. Автор: Марья ТИИТТА,Нарендра КУМАР,Тапио САЛМИ,Хейди ЭСТЕРХОЛМ. Владелец: Несте Ойл Ойй. Дата публикации: 2010-08-20.

Distillation processing of acetone cyanohydrin and method of producing alkyl esters of methacrylic acid and derivatives

Номер патента: RU2495868C2. Автор: Удо ГРОПП,Роберт ВЕБЕР,Томас ШЭФЕР,Андреас ПЕРЛ,Рудольф ЗИНГ,Томас МЕРТЦ. Владелец: Эвоник Рём ГмбХ. Дата публикации: 2013-10-20.

Dispersing agent for inorganic fillers and method of producing same

Номер патента: US20140080978A1. Автор: Makoto Hattori,Ippei Noda,Akira Miyano,Hironari Matsumoto,Yuji Ohi. Владелец: Takemoto Oil and Fat Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Self Locking Fasteners And Methods Relating To Same

Номер патента: US20110296668A1. Автор: Scott J. Emmerich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-08.

Device for movement and handling and ejection of material and method of its operation (versions)

Номер патента: RU2365711C2. Автор: Джеффри К. ХЭКЕТТ,Гэрри В. РАДД. Владелец: Скид Мор Девелопмент ЛЛК. Дата публикации: 2009-08-27.

Water ballistic unit for space-mission and method for its preparation for operation

Номер патента: RU2600013C2. Автор: Андрей Николаевич Щербаков,Игорь Николаевич Глухих. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева". Дата публикации: 2016-10-20.

A coin processing apparatus and method

Номер патента: EP1237784A1. Автор: Magnus Svensson. Владелец: Scan Coin Industries AB. Дата публикации: 2002-09-11.

Method of composite sheet manufacturing

Номер патента: RU2371327C1. Автор: Карлхайнц ЭГГЕР. Владелец: Карлхайнц ЭГГЕР. Дата публикации: 2009-10-27.

Mercury oxidation catalyst and method for production thereof

Номер патента: RU2493908C2. Автор: Кацуми НОТИ,Масаси КИЁСАВА,Масанао ЁНЕМУРА. Владелец: Мицубиси Хеви Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2013-09-27.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Integrated circuit memory devices with enhanced buffer memory utilization during read and write operations and methods of operating same

Номер патента: US20190227738A1. Автор: Eung-jun YOUN,Bum-Jun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Package, blank and method of producing package

Номер патента: EP1790468A1. Автор: Bo Andersson,Anders Grip. Владелец: Sudnif S A. Дата публикации: 2007-05-30.

Method of producing a stacking projection and corresponding tool

Номер патента: CA2902774C. Автор: Gianfranco D'amato. Владелец: Seda Internatonal Packaging Group SpA. Дата публикации: 2017-09-05.

Lens shape measurement device and method, method of producing eyeglass lens, and method of producing eyeglasses

Номер патента: WO2008016066A1. Автор: Masaaki Inoguchi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2008-02-07.

Fluid valve module, fluid valve system and methods of producing the same

Номер патента: WO2020169282A1. Автор: Daniel Schmitz,Martin KALMUTZKI,Igor BERKOVYCH,Sigurd STURM,Dominik VOELK,Gerhard HOERBER. Владелец: Schukra Geratebau GmbH. Дата публикации: 2020-08-27.

Garment with uni-directional reduced-stretch properties, and method and system of producing such garment

Номер патента: EP4018028A4. Автор: Eli Almog. Владелец: Delta Galil Industries Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Composite material, method of producing the same and the use thereof

Номер патента: EP2560812A1. Автор: Kasperi Sokka. Владелец: Metsaliitto Osuuskunta. Дата публикации: 2013-02-27.

PHOTO-PATTERNABLE DIELECTRIC MATERIALS CURABLE TO POROUS DIELECTRIC MATERIALS, FORMULATIONS, PRECURSORS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20130197253A1. Автор: Miller Robert D.,Sooriyakumaran Ratnam,Nelson Alshakim,Rathore Jitendra S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-01.

Composite material-2 and method for manufacturing the same

Номер патента: RU2648886C2. Автор: Николай Евгеньевич Староверов. Владелец: Николай Евгеньевич Староверов. Дата публикации: 2018-03-28.

High fat feed pellets and method of manufacture

Номер патента: CA1053498A. Автор: Frederick H. Steinke. Владелец: Ralston Purina Co. Дата публикации: 1979-05-01.

Embossed material and method and apparatus of producing same

Номер патента: US3176058A. Автор: Mittman Emanuel. Владелец: WR Grace and Co. Дата публикации: 1965-03-30.

ORAL DRUG DOSAGE FORMS HAVING A DESIRED PK PROFILE AND METHODS OF DESIGNING AND PRODUCING THEREOF

Номер патента: US20210196638A1. Автор: Zheng Yu,Liu Xin,Li Xiaoling,CHENG Jie,DENG Feihuang,CHENG Senping. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Method of recycling bonded fibrous materials and synthetic fibers and fiber-like materials produced thereof

Номер патента: US7255816B2. Автор: Gustavo Palacio,Maria Clara Garcia,Pablo Ramirez,Bernardo Vanegas. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2007-08-14.

Porogen compositions, methods of making and uses

Номер патента: CA2799201C. Автор: Futian Liu,Nicholas J. Manesis,Xiaojie Yu,Athene W. Chan. Владелец: Allergan Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Oral drug dosage forms having a desired pk profile and methods of designing and producing thereof

Номер патента: EP4025195A4. Автор: Yu Zheng,Jie Cheng,Xin Liu,Xiaoling Li,Senping Cheng,Feihuang DENG. Владелец: Triastek Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

MEMBRANE AND METHOD FOR PRESERVATION OF PRODUCE

Номер патента: US20190045804A1. Автор: Vries Filicity Ann,Kalombo Michel Lonji,Mathabe Patricia Mmatsetlha Kgomotoso. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

Garment with Uni-Directional Reduced-Stretch Properties, and Method and System of Producing Such Garment

Номер патента: US20220298681A1. Автор: Almog Eli. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

FABRIC FOR ARTICLES OF CLOTHING, AND METHOD AND SYSTEM OF PRODUCING SAME

Номер патента: US20180271184A1. Автор: Shalev Itzhak,MAOZ Esther,GABBAI Limor. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Sanitary napkin and method and means of producing

Номер патента: US3667468A. Автор: Ernst Daniel Nystrand,Brian H Mcintosh. Владелец: Paper Converting Machine Co. Дата публикации: 1972-06-06.

Membrane and method for preservation of produce

Номер патента: EP3346843A1. Автор: Filicity Ann VRIES,Michel Lonji KALOMBO,Patricia Mmatsetlha Kgomotso MATHABE. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2018-07-18.

Lithium bromide refrigerating heat sink and method in procedure of producing soda under joint alkaline process

Номер патента: CN108534389A. Автор: 赵川,赵祥海,卓士彬. Владелец: Lianyungang Prime State Science And Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-14.

Sanitary napkin and method and means of producing

Номер патента: CA952256A. Автор: Ernst D. Nystrand,Brian H. Mcintosh. Владелец: Paper Converting Machine Co. Дата публикации: 1974-08-06.

Lock-stitch seam and method and means of producing same.

Номер патента: US1186518A. Автор: Franklin A Reece. Владелец: Individual. Дата публикации: 1916-06-06.

Method of obtaining homogenized tobacco material and homogenized tobacco material

Номер патента: RU2680562C2. Автор: Йорик Клипфель,Йоханнес Петрус Мария Пейненбург,Майкл Эллиотт ДОЙЛ,Паскаль РОЗИ,БЕДОЙА Хуан Давид МАНСУР. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2019-02-22.

Method of extracting water-soluble plant components

Номер патента: RU2569728C2. Автор: Вячеслав Васильевич Сова. Владелец: Попова Наталья Дмитриевна. Дата публикации: 2015-11-27.

Device and method of implementing subpass interleaving of tiled image rendering

Номер патента: US20240104685A1. Автор: Michael John Livesley,Mika Tuomi,Ruijin Wu,Kiia Kallio,Jan H. Achrenius. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of bleaching of cellulose and other cellulose and lignocellulose fibrous materials and three-stage method of bleaching of cellulose and lignocellulose materials

Номер патента: RU2141016C1. Автор: Льюис Д. Шекфорд,Уильям Дж. Миллер,Брайан П. Рой,Лироп Барбара Ван,Ричард М. Берри. Владелец: Палп энд Пейпер Рисерч Инститьют ов Кэнеда. Дата публикации: 1999-11-10.

Soil Removal System and Method, Method of Manufacture of the System, and Use of a Cleaning Wipe

Номер патента: DE102019006721A1. Автор: Julia Becker,Julia Christina Gwendolin Thomas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-25.

Memory device having resistance change material and operating method for the memory device

Номер патента: US20180197602A1. Автор: Jung Sunwoo,Young Hoon Oh,Yong Jun Lee,Hyun Kook PARK,Chea Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-12.

Inspection Apparatus and Methods, Methods of Manufacturing Devices

Номер патента: US20160011523A1. Автор: WARNAAR Patrick,Pellemans Henricus Petrus Maria,SINGH Amandev. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2016-01-14.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: TWI572992B. Автор: 阿曼帝席恩,漢瑞克皮杜斯瑪利亞皮勒曼,派翠克華那爾. Владелец: Ａｓｍｌ荷蘭公司. Дата публикации: 2017-03-01.

METHOD OF REDUCING THE EMISSIONS OF NITROGEN OXIDES IN THE EXHAUST GAS OF THE FURNACE DURING THE HEAT TREATMENT OF MATERIALS AND OPERATING THIS METHOD OF THE FURNACE

Номер патента: RU2013152604A. Автор: Маркус АБЕЛЬ,Александр МЮЛЛЕР,Виктор Юрди РИСОНАРТА,Михель ХАЙН,Мехмет Фатих ГЕКЦЕ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-06-10.

Photosensitive composition, photosensitive planographic printing plate material, and image forming method of photosensitive planographic printing plate material

Номер патента: US20070015086A1. Автор: Toshiyuki Matsumura. Владелец: Konica Minolta Medical and Graphic Inc. Дата публикации: 2007-01-18.

A kind of filtering material and its manufacture method of the blending type aramid fibre containing containing sulfuryl and high-temperature fibre

Номер патента: CN104652040B. Автор: 张光旭,吴佳,汪晓峰,陈晟晖,钱春芳. Владелец: Shanghai Tanlon Fiber Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-02.

A kind of cutting machine of high extension flexible material and its control method of constant width

Номер патента: CN109850657A. Автор: 简镇明,汪俊学,陈丰良. Владелец: XIAMEN QIANRUN TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-07.

Composite coating material and the production method of the same

Photosensitive composition, photosensitive planographic printing plate material, and image forming method of the same

Номер патента: US20070003866A1. Автор: Yasuhiko Takamuki. Владелец: Konica Minolta Medical and Graphic Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Mobile Temporary Reservoir Water-Tight Material and Temporary Reservoir Method of Under Construction Structure Using Thereof

Номер патента: KR100542658B1. Автор: 배석동. Владелец: 배석동. Дата публикации: 2006-01-11.

Strengthen the modified asphalt waterproof coiled material and its production method of overlap edge

Номер патента: CN107175870A. Автор: 卢桂才,伍盛江,朱方伍,陆善庆,陈立斌,赵晓岚,周为为. Владелец: GUANGXI GOLDEN UMBRELLA WATERPROOFING CO Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Tobacco-containing material, be added with the tobacco product of this tobacco-containing material and the manufacture method of tobacco-containing material

Номер патента: CN105228472A. Автор: 千田正浩,合原义人,宫乡正平,立松正. Владелец: Japan Tobacco Inc. Дата публикации: 2016-01-06.

Photosensitive composition, photosensitive lithographic printing plate material, and image forming method of lithographic printing plate material

Номер патента: JPWO2006137261A1. Автор: ▲高▼向　保彦,保彦 ▲高▼向. Владелец: Konica Minolta Medical and Graphic Inc. Дата публикации: 2009-01-08.

Gland packing materials made from expansive graphite, gland packing made from expansive graphite made from the materials, and a producing method of gland packing made from expansive graphite

Номер патента: US6601377B2. Автор: Katsuro Tsukamoto. Владелец: Japan Matex KK. Дата публикации: 2003-08-05.

COMPOSITE PART IN RESPECTIVELY INTERNAL AND EXTERNAL MOLDABLE MATERIALS, AND INJECTION MOLDING METHOD OF SUCH A PART.

Номер патента: FR2601618B1. Автор: Gerard Thomas,Yves Rene Michel Jaugey. Владелец: Automobiles Citroen SA. Дата публикации: 1988-11-25.

Leak out isolated material and the construction method of a kind of coal mine gob fire extinguishing

Номер патента: CN104763460B. Автор: 王伟峰,韩力,马砺,李贝,文虎,李珍宝,雷昌奎. Владелец: Xian University of Science and Technology. Дата публикации: 2017-08-25.

A kind of bionical compound support frame material and its construction method of doped graphene

Номер патента: CN108273139A. Автор: 李文芳,刘天庆,宋克东,卢延国,李丽颖,胡雪岩. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2018-07-13.

Compositions containing labile bioactive materials and mammalian colostrum, methods of preparation and treatment

Номер патента: WO2003080082A1. Автор: Gottfried Lichti,Grant Thomas Rawlin,Roy Michael Robins-Browne. Владелец: Anadis Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Resin impregnated mold for pultrusion molding of composite material and pultrusion molding method of composite meterial using the same

Номер патента: KR102492082B1. Автор: 김성구,박상언,박병학. Владелец: 주식회사 성우하이텍. Дата публикации: 2023-01-27.

Image recording material and image forming method of image recording material

Номер патента: WO2006129506A1. Автор: Takahiro Mori. Владелец: Konica Minolta Medical & Graphic, Inc.. Дата публикации: 2006-12-07.

Marinating material and food marinating method of marinating material

Номер патента: CN103504265B. Автор: 杨华,杨世德. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-22.

the hollow material and the construction method of light slab structure using the same

Номер патента: KR101691624B1. Автор: 신세영,정경진. Владелец: 정경진. Дата публикации: 2017-01-09.

For manufacturing the fiber carrier material and its manufacture method of porous type coated base paper or prepreg

Номер патента: CN108026701A. Автор: D.瓦莱什,T.齐默尔曼,G.斯奎拉,S.乔西特. Владелец: Xia Te Decorative Joint-Stock Co. Дата публикации: 2018-05-11.

It cuts up to cheese volatile materials and the recognition methods of organoleptic quality level dependencies

Номер патента: CN110082458A. Автор: 王蓓,孙践知,谭励,干佳俪. Владелец: Beijing Technology and Business University. Дата публикации: 2019-08-02.

A silver halide photographic light-sensitive material and a manufacturing method of a silver halide emulsion

Номер патента: EP0736797B1. Автор: Hiromi Akahori. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2004-07-21.

A media player an integrated circuit for a media player and a method of producing both

Номер патента: WO2008004235A3. Автор: Amir Geva,Rafi Mosseri. Владелец: Musicpump Ltd. Дата публикации: 2009-04-09.

A media player an integrated circuit for a media player and a method of producing both

Номер патента: WO2008004235A2. Автор: Amir Geva,Rafi Mosseri. Владелец: Musicpump Ltd.. Дата публикации: 2008-01-10.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US20160061891A1. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20210224222A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20220358081A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Iterative approach to determine failure threshold associated with desired circuit yield in integrated circuits

Номер патента: US20200379041A1. Автор: TONG Li,David Winston,Richard Daniel Kimmel,Pravin Kamdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Device and method of processing sheet material, mainly banknotes

Номер патента: RU2363986C1. Автор: Виттих КАУЛЕ,Манфред ХАЙМ,Мариус ДИХТЛЬ,Норберт ХОЛЛЬ,Томас ГИРИНГ,Юрген ШЮТЦМАНН,Клаус ФИНКЕНЦЕЛЛЕР,Томас ХИЛЬДЕБРАНДТ,Ральф ХОБМАЙЕР,Ларс ХОФФМАНН,Фридрих КРЕЧМАР,Маркус КРОМБХОЛЬЦ,Ральф ЛИБЛЕР,Торстен ПИЛЛО,Харальд РАЙНЕР,Вальтер ШНАЙДЕР,Эккарт ШРЁДЕР-БЕРГЕН,Мартин ЗЕЙЗЕН,Дитер ШТАЙН,Александер ШТАЙНКОГЛЕР,Кристиан ФЁЛЛЬМЕР,Бернд ВУНДЕРЕР,Фабиола БЕЛЛЕРСХАЙМ. Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2009-08-10.

Integrated circuit with nano-conductive sensors in field transistors, manufactured by chemical method, sensor device, method of measurement and method of manufacture

Номер патента: RU2638132C2. Автор: Йохан Хендрик КЛОТВИЙК,Марлен МЕСХЕР,Мануэль Эдуардо АЛАРКОН-РИВЕРО,ВИЛД Нико Марис Адриан ДЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-12-11.

System and Method of Multi-Frequency Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20080282123A1. Автор: Gerard M. Salem,Pedro Martin-de-Nicolas,Charles L. Meissner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Integrated circuit and layout method for the same using blank area of macrocell

Номер патента: US6691292B2. Автор: Koujiro Hatanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Optoelectronic component and method of manufacturing an optoelectronic component

Номер патента: US20230305250A1. Автор: Elad Mentovich,Dimitrios Kalavrouziotis,Paraskevas BAKOPOULOS,Boaz Atias,Anna Sandomirsky,James Steven Fields, Jr.. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Circuit for and method of enabling the transfer of data by an integrated circuit

Номер патента: WO2013081683A1. Автор: Sanjay A. KULKARNI. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Method of producing phase masks in an automated layout generation for integrated circuits

Номер патента: US6485871B1. Автор: Thomas KRÜGER,Werner Schiele. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-11-26.

System for and method of improving the yield of integrated circuits

Номер патента: US20240264227A1. Автор: Manoj Sachdev. Владелец: Zinite Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for estimating substrate noise in mixed signal integrated circuits

Номер патента: US20040187085A1. Автор: Bipasha Ghosh,Stephen Kiel,Snehamay Sinha,Raghu Srinivasa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

On-chip single layer horizontal deflecting waveguide and damascene method of fabricating the same

Номер патента: US20010041027A1. Автор: Derryl Allman,Verne Hornbeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Circuitry and methods for implementing galois-field reduction

Номер патента: US20160313978A1. Автор: Pohrong Rita Chu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

System and method of compensating for the effects of on-chip processing variation on an integrated circuit

Номер патента: US20060212735A1. Автор: David Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-09-21.

System and Method of Compensating for the Effects of On-Chip Processing Variation on an Integrated Circuit

Номер патента: US20080034244A1. Автор: David Allen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-07.

System and method of configuring integrated circuits

Номер патента: US20240232490A9. Автор: Nadav Azaria,Ofir Ezrielev. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-07-11.

Device and method for monitoring functional saffety in integrated circuits (ics)

Номер патента: US20210303379A1. Автор: Radha Krishna Moorthy Sadhu. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Security system for at least an ic integrated circuit, securely integrated circuit card and method of secure wireless communication

Номер патента: EP2603881A1. Автор: Giovanni Girlando,Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-19.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

In-line test circuit and method for determining interconnect electrical properties and integrated circuit incorporating the same

Номер патента: WO2007137070A3. Автор: Andrew Marshall,Makarand R Kulkarni. Владелец: Makarand R Kulkarni. Дата публикации: 2008-07-24.

In-line test circuit and method for determining interconnect electrical properties and integrated circuit incorporating the same

Номер патента: WO2007137070A2. Автор: Andrew Marshall,Makarand R. Kulkarni. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Homogenised tobacco material and method for production of homogenised tobacco material

Номер патента: RU2694929C2. Автор: Йоханнес Петрус Мария Пейненбург,Ану Аджиткумар,Эстер ВАЙРИМУ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2019-07-18.

In line test circuit and method for determining interconnnect electrical properties and integrated circuit incorporating the same

Номер патента: US20100297793A1. Автор: Andrew Marshall,Makarand R. Kulkarni. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-11-25.

Probe card for testing semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010015650A1. Автор: Masahiro Tanaka,Yoshihiro Kashiba,Shigeki Maekawa,Yoshinori Deguchi,Megumi Takemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

System and method of utilizing off-chip memory

Номер патента: US20050060485A1. Автор: Mark Buer. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-03-17.

Display device for low power driving and method of operating the same

Номер патента: US12080232B2. Автор: Jonghyun Lee,JongOh LEE,Yuneseok Chung,Hyeokman KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

System and method for correcting systematic parametric variations on integrated circuit chips in order to minimize circuit limited yield loss

Номер патента: US20110098838A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Kirk D. Peterson,Jed H. Rankin,John J. Ellis-Monaghan,James A. Culp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-04-28.

Integrated circuit, memory device including the integrated circuit, and method of operating the same

Номер патента: US20240310437A1. Автор: Seaeun PARK,Saeeun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Material and method of producing ozone decomposing material

Номер патента: RU2411984C2. Автор: Сергей Николаевич Ткаченко,Сергей Георгиевич Киреев,Евгений Зиновьевич Голосман,Валерий Васильевич Лунин,Илья Сергеевич Ткаченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр ТИМИС". Дата публикации: 2011-02-20.

Mac processing pipeline having activation circuitry, and methods of operating same

Номер патента: WO2022169586A1. Автор: Frederick A. Ware,Cheng C. Wang. Владелец: Flex Logix Technologies, Inc.. Дата публикации: 2022-08-11.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

MAC Processing Pipelines having Programmable Granularity, and Methods of Operating Same

Номер патента: US20220027152A1. Автор: Cheng C. Wang,Frederick A Ware. Владелец: Flex Logix Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Display device and method of controlling power integrated circuit

Номер патента: US20170169765A1. Автор: Jinwon Lee,Suhyuk Jang,Hyojin Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Display device and method of controlling power integrated circuit

Номер патента: US10134337B2. Автор: Jinwon Lee,Suhyuk Jang,Hyojin Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Integrated circuit internal test circuit and method of testing by using test pattern and signature generations therewith

Номер патента: US7653853B1. Автор: Prabha Jairam,Himanshu J. Verma. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-01-26.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Integrated circuit memory devices with per-bit redundancy and methods of operation thereof

Номер патента: US20020110029A1. Автор: Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

Testing method for permanent electrical removal of an integrated circuit output after packaging

Номер патента: US20030145262A1. Автор: Alan Wheeler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Testing method for permanent electrical removal of an integrated circuit output

Номер патента: US20070201293A1. Автор: Alan Wheeler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-30.

Testing method for permanent electrical removal of an integrated circuit output after packaging

Номер патента: US20050180234A1. Автор: Alan Wheeler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-18.

Flat substrate with organic basis, use of such a substrate, and method

Номер патента: US20120100340A1. Автор: Natacha Valera,Edgar Habich. Владелец: CHAM PAPER GROUP SCHWEIZ AG. Дата публикации: 2012-04-26.

Semiconductor memory device and method of outputting data strobe signal thereof

Номер патента: US20030179627A1. Автор: Jun-Young Jeon,Jae-Hyeong Lee,Eun-Youp Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-25.

Integrated Circuit, Memory Cell Array, Memory Module, and Method of Operating an Integrated Circuit

Номер патента: US20090273966A1. Автор: Rainer Leuschner,Ulrich Klostermann,Dietmar Gogl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Photonic integrated circuit system and method of fabrication

Номер патента: US20240280748A1. Автор: Lei Wang,Thomas W. Baehr-Jones,Mitchell A. Nahmias. Владелец: Luminous Computing Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Device and method for coupling laser to a photonic integrated circuit

Номер патента: WO2020159614A9. Автор: Ryohei Urata,Lieven Verslegers,Daoyi Wang. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-04-15.

Integrated digital circuit and method of reconfiguring the same

Номер патента: WO2023199016A1. Автор: Taner Dosluoglu. Владелец: 5g3i Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor integrated circuit and method of testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210063484A1. Автор: Yuki Watanabe,Masato Nakazato,Shohei Morishima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Wireless transponder unit, electrical joint monitoring system including the same, and method of monitoring electrical joints

Номер патента: WO2014193495A1. Автор: John Joseph Shea,Jason B. CARRODUS. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 2014-12-04.

Device and method for coupling laser to a photonic integrated circuit

Номер патента: EP3803482A1. Автор: Ryohei Urata,Lieven Verslegers,Daoyi Wang. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-04-14.

Systems and methods of automatic generation of integrated circuit IP blocks

Номер патента: US11741284B2. Автор: Danny Rittman,Mo Jacob. Владелец: GBT Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

System and method for executing functional scanning in an integrated circuit environment

Номер патента: US20120053924A1. Автор: Zhiyuan WANG,Xinli Gu,Hongxia Fang,Zhanglei Wang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE20220219A1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US20010009381A1. Автор: Hiroshi Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

LCD driver IC and method of arranging pads in the driver integrated circuit

Номер патента: US20070008689A1. Автор: Hyun-Sang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-11.

Method of collecting information on technical device and system for its implementation

Номер патента: RU2701714C1. Автор: Андрей Владимирович Смирнов,Айрат Наилевич Галиев,Дмитрий Николаевич Махотин,Владимир Николаевич Мымрин. Владелец: Акционерное общество "Московский машиностроительный завод "Вперед". Дата публикации: 2019-09-30.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20180203953A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20200074018A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US10503852B2. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Medium processing apparatus and control method of medium processing apparatus

Номер патента: US20190248611A1. Автор: Shinya Okazaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

In line test circuit and method for determining interconnect electrical properties and integerated circuit incorporating the same

Номер патента: US20070269912A1. Автор: Andrew Marshall,Makarand R. Kulkarni. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-22.

Three dimensional tracheal substitute replacing respiratory organs and method of producing the same

Номер патента: US11389285B2. Автор: Jin Woo Lee,Ju Young Park,Jae Yeon Lee,Dong-Woo Cho,Sung Won Kim,Sun Hwa Park,Jung-Seob Lee,Jeong Hun Park,Min Jun AHN,Inn Chul NAM,Byeong Gon YUN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2022-07-19.

Semiconductor integrated circuit device and method of designing thereof

Номер патента: US20070240087A1. Автор: Hiroshige Fujii,Fujio Ishihara,Toshihiko Himeno,Ryubi Okuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of automatically generating repeater blocks in HDL and integrating them into a region constrained chip design

Номер патента: US6473889B1. Автор: Robert J. Gluss,Nicholas S. Fiduccia. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-10-29.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Integrated circuit interconnect shape optimizer

Номер патента: WO2023158579A1. Автор: Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Nonvolatile memory devices, systems and methods with switching charge pump architectures

Номер патента: US11705163B1. Автор: Hendrik Hartono,John Dinh,Shane Charles Hollmer,Stephen Trinh,Duong Vinh Hao,Nguyen Khac Hieu. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

System and method for marketing integrated circuits

Номер патента: US20060010088A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE87492B1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2024-03-27.

Composite fuel model material with inert porous metal matrix and method for production thereof

Номер патента: RU2522744C2. Автор: Валерий Александрович Астафьев,Анатолий Петрович Иванов,Эдуард Михайлович Глаговский,Сергей Дмитриевич Шляпин,Игорь Алексеевич Шлепов,Алексей Александрович Климов,Игорь Иванович Коновалов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Госкорпорация "Росатом". Дата публикации: 2014-07-20.

Medium processing apparatus and control method of medium processing apparatus

Номер патента: US10815088B2. Автор: Shinya Okazaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-10-27.

Integrated temperature sensor, method for producing an integrated temperature sensor and method for determining a temperature by means of an integrated temperature sensor

Номер патента: WO2018054596A1. Автор: Willem Frederik Adrianus Besling,Zoran ZIVKOVIC,Casper Van Der Avoort. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of generating a floorplan for an integrated circuit

Номер патента: WO2004068373A1. Автор: Adrianus W. P. G. G. Vaassen,Erwin Waterlander. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-08-12.

Driving integrated circuit, display device including the same, and method of measuring bonding resistance

Номер патента: US9772514B2. Автор: Jong-Won Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Analog square root calculating circuit for a sampled data system and method

Номер патента: US20060015552A1. Автор: Timothy Streit. Владелец: Anadigm Inc. Дата публикации: 2006-01-19.

Pharmaceutical composition made from Chinese traditional medecine and method of producing thereof

Номер патента: US20050106276A1. Автор: Wei Xiao. Владелец: Jiangsu Kanion Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-19.

Device with integrated SRAM memory and method of testing such a device

Номер патента: US20010053102A1. Автор: Roelof Salters. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-20.

Probe card for fine pitch circuit probe testing of semiconductor integrated circuit devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240272200A1. Автор: Yuan-Li Lin,Hsiao Kang LI,I-Tee LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20210216696A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20200264892A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Method of testing multiple modules on an integrated circuit

Номер патента: US20030221150A1. Автор: Prashant Balakrishnan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-27.

Personal dosimeter on the base of radiation integrated circuit.

Номер патента: US20110260070A1. Автор: Volodymyr Polishchuk. Владелец: John Theologian Community Inc. Дата публикации: 2011-10-27.

Integrated circuit with self-test circuit, method for operating an integrated circuit with self-test circuit, multi-core processor device and method for operating a multi-core processor device

Номер патента: US11619668B2. Автор: Jens Rosenbusch,Heiko Ahrens,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-04.

Command signal management in integrated circuit devices

Номер патента: US20160005467A1. Автор: Nicholas Hendrickson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Low Cost Testing and Sorting of Integrated Circuits

Номер патента: US20120026817A1. Автор: Roger G. Stewart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-02.

Design method for integrated circuit chips

Номер патента: US20030121014A1. Автор: Junichi Goto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Electrical test method of an integrated circuit

Номер патента: US20080061810A1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2008-03-13.

Method of searching for wiring route in integrated circuit, automatic wiring device for integrated circuit, and program therefor

Номер патента: US20080209384A1. Автор: Ikuo Ohtsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Integrated circuit, test structure and method for testing integrated circuits

Номер патента: US20020020854A1. Автор: Ralf Schneider,Norbert Wirth,Bernhard Ruf,Arndt Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Re-programmable integrated circuit architecture and method of manufacture

Номер патента: US20230116065A1. Автор: Anand Seshadri,Michael Allen Ball. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Integrated circuit package for scan testing semiconductor chip, operating method of integrated circuit package, and integrated circuit

Номер патента: EP4336197A3. Автор: Youngin PARK,Taewoong AHN,Junyeong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of designing a circuit of a semiconductor device

Номер патента: US20050229133A1. Автор: Kazuaki Goto,Reiko Harada. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Molding subsidiary material and method of producing same

Номер патента: US20240239071A1. Автор: Hajime Sakai,Motoyoshi OHTSUKA. Владелец: Ohtsuka Sangyo Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and software tool for designing an integrated circuit

Номер патента: US7480876B2. Автор: Alex Jones,Marlin H. Mickle,James T. Cain,Raymond R. Hoare,Swapna Dontharaju. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2009-01-20.

Method and software tool for designing an integrated circuit

Номер патента: US20080028355A1. Автор: Marlin Mickle,Alex Jones,James Cain,Raymond Hoare,Swapna Dontharaju. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2008-01-31.

Active implantable medical device comprising application specific integrated circuit and method thereof for heating control

Номер патента: US20240050740A1. Автор: Norbert Kaula. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-15.

System and method for configuring an integrated circuit

Номер патента: WO2006053320A3. Автор: Andrew S Brown. Владелец: Andrew S Brown. Дата публикации: 2007-06-14.

Memory with Clock-Controlled Memory Access and Method of Operating the Same

Номер патента: US20070291554A1. Автор: Florian Schnabel,Falk Roewer,Christian Sichert. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-12-20.

Wiring design method of integrated circuit device, system thereof, and program product thereof

Номер патента: US20030227032A1. Автор: Takashi Yoneda,Toshikatsu Hosono,Takanori Nawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

System and method for communicating with an integrated circuit

Номер патента: EP1089187A3. Автор: Stephen James Wright,David Alan Edwards,Bernard Ramanadin. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-09-29.

System and method for communicating with an integrated circuit

Номер патента: EP1089178A3. Автор: Stephen James Wright,David Alan Edwards,Bernard Ramanadin. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2003-07-16.

Package, optical device, and manufacturing method of package

Номер патента: US20210239904A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Methods and systems for performing timing sign-off of an integrated circuit design

Номер патента: US20120089383A1. Автор: Rajkumar Agrawal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Method and software tool for designing an integrated circuit

Номер патента: WO2008024623A2. Автор: Alex Jones,Marlin H. Mickle,James T. Cain,Raymond R. Hoare,Swapna Dontharaju. Владелец: University of Pittsburgh - of the Commonwealth System of Higher Education. Дата публикации: 2008-02-28.

Humidity sensor, wireless device including the same, and methods of making and using the same

Номер патента: EP3332602A1. Автор: Mao Takashima,Aditi Chandra. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2018-06-13.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

System and method for auto-power gating synthesis for active leakage reduction

Номер патента: WO2009023651A3. Автор: Alice Wang,Gordon Gammie,Uming Ko,Hugh T Mair. Владелец: Hugh T Mair. Дата публикации: 2009-05-14.

Logic integrated circuit having dynamic substitution function, information processing apparatus using the same, and dynamic substitution method of logic integrated circuit

Номер патента: US20060236209A1. Автор: Hiroshi Murakami,Nobuyoshi Aida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-10-19.

Integrated circuit assembly cleaning apparatus and method

Номер патента: US20020134408A1. Автор: John Pratt,William Hanna,Pamela Christison,Lawrence Houdek,Russell Bjorlie,Perry Pierce. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-09-26.

Apparatus and method for flexible visibility in integrated circuits with minimal package impact

Номер патента: US20080170506A1. Автор: William Milton Hurley. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Apparatus and method for determining process width variations in integrated circuits

Номер патента: US20020060577A1. Автор: Malcolm Smith,John Carelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-23.

Method and software tool for designing an integrated circuit

Номер патента: WO2008024623A3. Автор: Alex Jones,Marlin H Mickle,Raymond R Hoare,James T Cain,Swapna Dontharaju. Владелец: Swapna Dontharaju. Дата публикации: 2008-09-18.

Scalp stimulant and method of using it

Номер патента: RU2737021C1. Автор: Анна Евгеньевна Побилат. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ХЭА ТЕХНОЛОДЖИ". Дата публикации: 2020-11-24.

Nuclear fuel composition, nuclear reactor, method of producing nuclear fuel composition (versions) and method of imparting subcriticality to nuclear fuel

Номер патента: RU2482556C2. Автор: Грегори А. ДЖОНСОН. Владелец: Прэтт & Уитни Рокетдайн, Инк.. Дата публикации: 2013-05-20.

Design Structure for a Redundant Micro-Loop Structure for use in an Integrated Circuit Physical Design Process and Method of Forming the Same

Номер патента: US20090158231A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Juergen Koehl,Jason D. Hibbeler,Jeanne P. Bickford,Markus Buehler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Adapting the usage configuration of integrated circuit input-output pads

Номер патента: WO2016113530A1. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2016-07-21.

Integrated circuit (ic) module, multi-interface ic card, and methods of forming same

Номер патента: WO2024131394A1. Автор: Lan DENG,Shek Tong LAM. Владелец: Act Identity Technology Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

Multiphasic crystalline nanoparticles and methods of producing thereof

Номер патента: WO2023113699A3. Автор: Yun Li,Kwan Wee TAN. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-14.

Optical integrated circuit module and optical communication apparatus

Номер патента: US20240159978A1. Автор: Nobuaki Mitamura,Yohei Yamashita,Yurika YANADA. Владелец: Fujitsu Optical Components Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Clock frequency adjustment for workload changes in integrated circuit devices

Номер патента: WO2021055048A1. Автор: William Paul Hovis,Andrew Benson Maki,Francine Mary SHAMMAMI. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

System and method for reducing temperature variation during burn in

Номер патента: WO2005085884A9. Автор: DAVID H HOFFMAN,John Laurence Niven,Eric Chien-Li Sheng. Владелец: Eric Chien-Li Sheng. Дата публикации: 2006-02-09.

Package, optical device, and manufacturing method of package

Номер патента: US20230358956A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Autonomous method and apparatus for mitigating soft-errors in integrated circuit memory storage devices at run-time

Номер патента: EP1746505A3. Автор: Robert Morton,David Motz,Toby James Koktan,James Wisener,David Henry Graham,Saida Benlarbi,David Ambrose Stortz. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2010-02-17.

System and method for simplifying clock construction and analysis

Номер патента: US20030149950A1. Автор: Edgardo Lopez,Laurent Pinot,Guy Humphrey,Gayvin Stong,Kristin Richling,Richard Krzyzkowski. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-08-07.

Optical network device and method for packaging optical network device

Номер патента: US20230341630A1. Автор: Mao-Jen Wu,Jun-Rong Chen,Jenq-Yang Chang,Po-Kuan Shen,Chun-Chiang Yen,Sheng-Fu LIN,Yi-Ting LU. Владелец: Authenx Inc USA. Дата публикации: 2023-10-26.

Mold mat, mold and method of producing such

Номер патента: SE2251570A1. Автор: Dragos Dancila. Владелец: Dragos Dancila. Дата публикации: 2024-06-24.

Mold mat, mold and method of producing such

Номер патента: SE546219C2. Автор: Dragos Dancila. Владелец: Dragos Dancila. Дата публикации: 2024-07-02.

Base for catalyst, catalyst and methods for producing those

Номер патента: US20100069231A1. Автор: Yasuyoshi Kato,Naomi Imada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Base for catalyst, catalyst and methods for producing those

Номер патента: US8518852B2. Автор: Yasuyoshi Kato,Naomi Imada. Владелец: Babcock Hitachi KK. Дата публикации: 2013-08-27.

Mold mat, mold and method of producing such

Номер патента: WO2024136745A1. Автор: Dragos Dancila. Владелец: Dragos Dancila. Дата публикации: 2024-06-27.

Optical interconnect and method of manufacture thereof

Номер патента: US12055772B2. Автор: Luigi Tallone,Marco Romagnoli,Francesco Testa. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-08-06.

Apparatus and method for performing static timing analysis of an integrated circuit design using dummy edge modeling

Номер патента: US20050183050A1. Автор: Craig Darsow,Todd Obermiller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Apparatus and method for performing static timing analysis of an integrated circuit design using dummy edge modeling

Номер патента: US20070022397A1. Автор: Craig Darsow,Todd Obermiller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Functional Testing of an Integrated Circuit Chip

Номер патента: US20160033575A1. Автор: Andrew Brian Thomas Hopkins,Iain Craig Robertson,Michael Jonathan Thyer. Владелец: UltraSoC Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Ultra-wideband integrated circuit (uwb ic) and method of calibrating a uwb product that employs the uwb ic

Номер патента: WO2022182576A1. Автор: Jeff Clancy. Владелец: QORVO US, INC.. Дата публикации: 2022-09-01.

Evaluating circuit, system, and method for evaluating a capacitive or inductive sensor

Номер патента: US20200110116A1. Автор: Peter CZARDYBON. Владелец: Czardybon Marius. Дата публикации: 2020-04-09.

Photonic integrated circuit, light detection and ranging system and method for operating the same

Номер патента: WO2021133445A1. Автор: Amnon Yariv,George Rakuljic,Naresh Satyan,Israel Petronius,Yaakov VILENCHIK,Daniel Grodensky,Ron Friedman. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-07-01.

System and Method for Determining a Guard Band for an Operating Voltage of an Integrated Circuit Device

Номер патента: US20080189090A1. Автор: Iwao Takiguchi,Yoichi Nishino,Makoto Aikawa,Gilles Gervais,Tetsuji Tamura,Sang H. Dhong,Yaping Zhou,Brian Flachs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-07.

Integrated circuit having memory array including ecc and/or column redundancy, and method of programming, controlling and/or operating same

Номер патента: WO2008002513A2. Автор: Anant Pratap Singh. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2008-01-03.

Fabric-based rfid tags and methods of manufacture

Номер патента: EP4402606A1. Автор: Daniel Smith,Mohammed RAMZAN. Владелец: Sml Brand Identification Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Active implantable medical device comprising application specific integrated circuit and method thereof for heating control

Номер патента: US20230241378A1. Автор: Norbert Kaula. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-03.

Holder for papers of value, and method of registering the contents thereof

Номер патента: WO2003079299A3. Автор: Rens Bas J E Van. Владелец: Rens Bas J E Van. Дата публикации: 2003-12-18.

Computing validation coverage of integrated circuit model

Номер патента: US20130055179A1. Автор: LIANG Chen,Bo Fan,Yongfeng Pan,Fan S.H. Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Display substrate and method for repairing lead of driver integrated circuit

Номер патента: US20150212379A1. Автор: HUI Wang,Long Xia. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Duty analysis system for a semiconductor integrated circuit and duty analysis method of the same

Номер патента: US20030126568A1. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Method of Achieving Dense-Pitch Interconnect Patterning in Integrated Circuits

Номер патента: US20090101983A1. Автор: James Walter Blatchford,Steven Lee Prins. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Improvements in Compound Yarns or Threads of Fibrous Material, and in the Method of Producing same.

Номер патента: GB190326409A. Автор: John Reynard Brogden. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-10-20.

Method of obtaining aramid threads modified with carbon nanotubes

Номер патента: RU2557625C1. Автор: Владимир Юрьевич Лакунин,Галина Борисовна Склярова,Сергей Владимирович Комиссаров,Владимир Викторович Ведехин,Марина Александровна Руснак. Владелец: Открытое акционерное общество "Каменскволокно". Дата публикации: 2015-07-27.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE INCORPORATING A CONDUCTOR LAYER WITH BOTH TOP SURFACE AND SIDEWALL PASSIVATION AND A METHOD OF FORMING THE INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE

Номер патента: US20120025383A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-02.

Super-hydrophobic coating composition and method of producing super-hydrophobic coating therefrom

Номер патента: RU2572974C1. Автор: Сергей Валентинович Колосов,Игорь Леонидович Радченко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-технический центр "Электросети". Дата публикации: 2016-01-20.

Method of preparing coatings and films utilizing organo-inorganic nanocomposite materials based on film-forming organic polymers with grafted oligosiloxane chains

Номер патента: RU2318852C2. Автор: Вадим Владимирович Анненков,Сергей Иванович Беликов,Елена Николаевна Даниловцева,Елена Анатольевна Филина,Наталия Вадимовна Анненкова,Наталия Николаевна Деникина. Владелец: Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Дата публикации: 2008-03-10.

Composition of the granulated explosive material and the method of its preparation

Номер патента: RU2303023C2. Автор: Юрий Владимирович Варнаков,Виктор Ярославович Панчишин. Владелец: Виктор Ярославович Панчишин. Дата публикации: 2007-07-20.

Integrated Circuit (IC) Chip Having Both Metal and Silicon Gate Field Effect Transistors (FETs) and Method of Manufacture

Номер патента: US20120292664A1. Автор: Kanike Narasimhulu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of producing 5-hetarylmethylenepyrimidine-2,4,6-triones

Номер патента: RU2598607C1. Автор: Алексей Георгиевич Тырков,Екатерина Алексеевна Юртаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Астраханский государственный университет" (Астраханский государственный университет). Дата публикации: 2016-09-27.

An improved sliding clasp fastner and method and apparatus of producing the same

Номер патента: AU242777B2. Автор: Adolf Gerlach and Kurt Leimbach Paul Hillringhaus. Владелец: . Дата публикации: 1962-11-06.

Improvements in Channels or Receptacles for Sewage and the like Materials, and in the Method of Deodorizing or Disinfecting the same.

Номер патента: GB189414733A. Автор: Hermann Stoffert. Владелец: Individual. Дата публикации: 1894-09-01.

Номер патента: RU2558599C2. Автор: Александр Сергеевич Саушин,Геннадий Михайлович Михеев,Василий Михайлович Стяпшин,Руслан Геннадьевич Зонов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт механики Уральского отделения РАН. Дата публикации: 2015-08-10.

Method to produce filtration material, filtration material and respiratory system protector

Номер патента: RU2385177C1. Автор: Евгения Ивановна Зорина,Геннадий Анатольевич Оборин,Раиса Дмитриевна Заболотская. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Собинтел". Дата публикации: 2010-03-27.

Method of receiving of cordierite on basis of dunite

Номер патента: RU2378225C2. Автор: Борис Николаевич Нефедов,Вячеслав Фролович Павлов,Василий Филиппович Шабанов,Игорь Вячеславович Павлов. Владелец: СПЕЦИАЛЬНОЕ КОНСТРУКТОРСКО- ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ БЮРО "НАУКА" КРАСНОЯРСКОГО НАУЧНОГО ЦЕНТРА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (СКТБ "Наука" КНЦ СО РАН). Дата публикации: 2010-01-10.

A kind of the micro-nano aluminium powder/porous carbon composite material and its synthetic method of acid and alkali-resistance

Номер патента: CN107626915B. Автор: 陈颖,刘忠华,许森,许冬,陈祥迎,韩夏. Владелец: ANHUI AOYA ALLOY Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-19.

Indication material and versions of method of leakage testing of articles

Номер патента: SU1154572A1. Автор: Виталий Дмитриевич Походенко,Валерий Людвикович Куцевич,Казбек Соломонович Касаев,Вадим Николаевич Наумов,Александр Васильевич Шульженко,Лев Иванович Бударин,Римма Васильевна Сучкова,Леонид Сергеевич Дегтярев. Владелец: Институт Физической Химии Им.Л.В.Писаржевского. Дата публикации: 1985-05-07.

Tobacco material class produced by taking citrus materials as raw materials and electric heating method of tobacco material class

Номер патента: CN103908012A. Автор: 戴亚,黄玉川,冯广林,陶文生,肖克毅. Владелец: China Tobacco Chuanyu Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-09.