Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Alternating high k layers on glass pillars for super capacitors on glass substrates

Alternating high k layers on glass pillars for super capacitors on glass substrates

Номер патента: US20240055345A1
Опубликовано: 15-02-2024
Автор(ы): Brandon C. MARIN, Gang Duan, Jeremy D. Ecton, Rahul N. Manepalli, Srinivas V. Pietambaram, Suddhasattwa NAD
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Passive-on-glass (POG) device and method

Номер патента: US09893048B2. Автор: Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,David Francis Berdy,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Passive-on-glass (pog) device and method

Номер патента: EP3350832A1. Автор: Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,David Francis Berdy,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-07-25.

Thick conductive stack plating process with fine critical dimension feature size for compact passive on glass technology

Номер патента: WO2015005977A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Robert Paul Mikulka. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-01-15.

Integrated circuits (ICS) on a glass substrate

Номер патента: US09768109B2. Автор: Matthew Michael Nowak,Shiqun Gu,Jonghae Kim,David Francis Berdy,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Packaging glass substrate for semiconductor, a packaging substrate for semiconductor, and a semiconductor apparatus

Номер патента: US20210398891A1. Автор: Sungjin Kim,Youngho RHO,Jincheol Kim. Владелец: SKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Thermal paths for glass substrates

Номер патента: EP4128382A1. Автор: Xia Li,Kai Liu,Bin Yang,Xiaoju YU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Thermal paths for glass substrates

Номер патента: WO2021202345A1. Автор: Xia Li,Kai Liu,Bin Yang,Xiaoju YU. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-10-07.

Microelectronic assemblies with glass substrates and thin film capacitors

Номер патента: EP4199069A1. Автор: John Guzek,Rahul N. Manepalli,Srinivas V. Pietambaram,Tarek A. Ibrahim,Hamid Azimi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Glass substrates with self-assembled monolayers for copper adhesion

Номер патента: US20240222258A1. Автор: Darko Grujicic,Suddhasattwa NAD,Rachel Guia Parala Giron. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Stacked multichip ic device packages including a glass substrate

Номер патента: US20240224543A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods, systems, apparatus, and articles of manufacture to improve reliability of vias in a glass substrate of an integrated circuit package

Номер патента: US20240312865A1. Автор: Xiaoying Guo,Dingying Xu,Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Haobo Chen,Hongxia Feng,Bai Nie,Yiqun Bai,Ziyin LIN,Kyle Arrington,Bohan Shan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit package architectures with core and/or build-up layers comprising spin-on glass (sog)

Номер патента: US20240186228A1. Автор: Xiaoying Guo,Dingying Xu,Gang Duan,Srinivas V. Pietambaram,Kristof Darmawikarta,Haobo Chen,Hongxia Feng,Bai Nie,Jeremy D. Ecton,Yiqun Bai,Kyle J. Arrington,Ziyin LIN,Bohan Shan,Brandon Christian Marin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit package architectures with core and/or build-up layers comprising spin-on glass (sog)

Номер патента: US20240186229A1. Автор: Whitney M. Bryks,Mahdi Mohammadighaleni,Joshua J. Stacey. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Multichip ic devices with die embedded in glass substrate & a redistribution layer interconnect bridge

Номер патента: US20240113075A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Multichip ic devices with die embedded in glass substrate & a redistribution layer interconnect bridge

Номер патента: EP4362078A1. Автор: Gang Duan,Brandon C. MARIN,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Package architecture with microfluidic channels in glass substrates

Номер патента: US20240162158A1. Автор: Gang Duan,Hiroki Tanaka,Srinivas V. Pietambaram,Brandon C. MARIN,Suddhasattwa NAD,Sashi Shekhar Kandanur,Jeremy ECTON,Ravindranath Vithal MAHAJAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Apparatus and method for electroless surface finishing on glass

Номер патента: US20240194548A1. Автор: Gang Duan,Hiroki Tanaka,Srinivas V. Pietambaram,Kristof Darmawikarta,Suddhasattwa NAD,Haobo Chen,Brandon Christian Marin,Steve S. Cho. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Microelectronic assemblies with glass substrates and magnetic core inductors

Номер патента: WO2022245425A1. Автор: Srinivas V. Pietambaram,Sai Vadlamani,Krishna Bharath,Pooya Tadayon,Tarek A. Ibrahim. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-11-24.

Microelectronic assemblies with glass substrates and magnetic core inductors

Номер патента: NL2031555B1. Автор: PIETAMBARAM Srinivas,Tadayon Pooya,IBRAHIM Tarek,Vadlamani Sai,Bharath Krishan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-15.

Microelectronic assemblies with glass substrates and magnetic core inductors

Номер патента: US20220375865A1. Автор: Srinivas V. Pietambaram,Sai Vadlamani,Krishna Bharath,Pooya Tadayon,Tarek A. Ibrahim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Microelectronic assemblies with glass substrates and magnetic core inductors

Номер патента: NL2031555A. Автор: PIETAMBARAM Srinivas,Tadayon Pooya,IBRAHIM Tarek,Vadlamani Sai,Bharath Krishan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-02.

Thermal paths for glass substrates

Номер патента: US20210304944A1. Автор: Xia Li,Kai Liu,Bin Yang,Xiaoju YU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Heterogenous integration for rf, microwave and mm wave systems in photoactive glass substrates

Номер патента: CA3107810C. Автор: Jeb H. Flemming,Kyle Mcwethy. Владелец: 3D Glass Solutions. Дата публикации: 2024-05-14.

Thermally enhanced package with high k mold compound on die top

Номер патента: US20240304517A1. Автор: LI Jiang,Jie Chen,Yutaka Suzuki,Rajen Murugan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for isolating a conductive via from a glass substrate

Номер патента: US11798816B2. Автор: Tengfei Jiang,Omar Saad Ahmed. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2023-10-24.

Integrated circuit package architectures with core and/or build-up layers comprising spin-on glass (sog)

Номер патента: US20240186227A1. Автор: Xiaoying Guo,Dingying Xu,Gang Duan,Srinivas V. Pietambaram,Kristof Darmawikarta,Haobo Chen,Hongxia Feng,Jeremy D. Ecton,Kyle J. Arrington,Ziyin LIN,Bohan Shan,Brandon Christian Marin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Ein Metall-Isolator-Poly-Kondensator in einem High-k-Metal-Gate-Prozess und ein Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102019207177A1. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for fabricating glass substrate package

Номер патента: US20200161245A1. Автор: Ping-Jung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-21.

Ein Metall-Isolator-Poly-Kondensator in einem High-k-Metal-Gate-Prozess und ein Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102019207177B4. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for building conductive through-hole vias in glass substrates

Номер патента: US20220399206A1. Автор: Heng Liu. Владелец: V Finity Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Method for manufacturing semiconductor devices having a glass substrate

Номер патента: US20130228905A1. Автор: Carsten Von Koblinski,Gerald Lackner,Markus Ottowitz,Karin Schrettlinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-05.

Method of manufacturing a glass article to provide increased bonding of metal to a glass substrate via the generation of a metal oxide layer, and glass articles such as glass interposers including the metal oxide layer

Номер патента: US11756847B2. Автор: Prantik Mazumder,Mandakini Kanungo,Rajesh Vaddi,Kaveh Adib,Philip Simon Brown. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

High-K metal-insulator-metal capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09876068B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

High K dielectric de-coupling capacitor embedded in backend interconnect

Номер патента: US20020036336A1. Автор: Qi Xiang,WEI Long. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Thin-film variable metal-oxide-semiconductor (mos) capacitor for passive-on-glass (pog) tunable capacitor

Номер патента: US20200111921A1. Автор: Xia Li,Kai Liu,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Image sensor package including glass substrate and a plurality of redistribution layers disposed below the glass substrate and spaced apart from each other by a predetermined distance

Номер патента: US11955499B2. Автор: Dongkyu Kim,Minjung Kim,Jaegwon JANG,Hyeonjeong Hwang,Kyounglim SUK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device having high-k gate dielectric above an sti region

Номер патента: US20150187765A1. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device having a high-K gate dielectric above an STI region

Номер патента: US09659928B2. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Lead Lanthanum Zirconium Titanate (PLZT) capacitor on inorganic flexible glass substrate

Номер патента: EP2869321A3. Автор: Carl W. Berlin,Uthamalingam Balachandran,Beihai Ma,Manuel Ray Fairchild,Ralph S. Taylor,Celine Wk Wong. Владелец: Argonne National Laboratory. Дата публикации: 2015-08-19.

Self aligned structure and method for high-K metal gate work function tuning

Номер патента: US09899384B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Self aligned structure and method for high-K metal gate work function tuning

Номер патента: US09401311B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Method of forming a high K metallic dielectric layer

Номер патента: US20030104673A1. Автор: Alex See,Jun Song,Shyue Quek,Ting Ang,Sang Loong,Cher Cha,Wye Loh,Chua Tee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-06-05.

Self aligned structure and method for high-k metal gate work function tuning

Номер патента: US20160315083A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Glass substrate with sealing material layer, and hermetic packaging manufacturing method

Номер патента: US20240290916A1. Автор: Toru Shiragami. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Support glass substrate, multi-layer body, method for producing multi-layer body, and method for producing semiconductor package

Номер патента: EP4393892A1. Автор: Miyako TAKEDA. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device including multilayer stack including seed layer and high-k dielectric layer

Номер патента: US11664413B2. Автор: Se Ho LEE,Dong Ik SUH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Methods for forming high-K crystalline films and related devices

Номер патента: US8809160B2. Автор: Pragati Kumar,Sandra G Malhotra,Hanhong Chen,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-08-19.

Spin-on glass processing technique for the fabrication of semiconductor device

Номер патента: CA2009518A1. Автор: Luc Ouellet. Владелец: Mitel Corp. Дата публикации: 1991-08-07.

Chip on glass package

Номер патента: US20050062142A1. Автор: Chih-Huang Chang,Ying-Tsai Yeh,Yung Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2005-03-24.

Device and methods for high-k and metal gate stacks

Номер патента: US09576855B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: WO2005112110A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-11-24.

A selective etch process for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2005024929A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Robert Turkot, Jr.. Владелец: Intel Corporation (A Delaware Corporation). Дата публикации: 2005-03-17.

Method for integration of dual metal gates and dual high-k dielectrics in cmos devices

Номер патента: US20120094447A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-04-19.

Method for hydrogenating thin film transistor by using a spin-on-glass film

Номер патента: US5401685A. Автор: Hyoung C. Ha. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-03-28.

Method for manufacturing High-K MIM capacitor to improve electrical characteristics

Номер патента: US11961671B2. Автор: Dong-Ki Lee,Taedong KIM,Seunggu Lim,Jihoon CHA,Yeonglyeol PARK. Владелец: Elohim Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of fabricating a MIM capacitor with minimal voltage coefficient and a decoupling MIM capacitor and analog/RF MIM capacitor on the same chip with high-K dielectrics

Номер патента: US09466661B2. Автор: Bo Yu,Dina Triyoso,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of making super capacitors or quantum accumulators and super capacitor or quantum accumulator

Номер патента: RU2357313C2. Автор: Рольф АЙСЕНРИНГ. Владелец: Рольф АЙСЕНРИНГ. Дата публикации: 2009-05-27.

2D material super capacitors

Номер патента: US09735227B2. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Self-aligned bottom plate for metal high-k dielectric metal insulator metal (mim) embedded dynamic random access memory

Номер патента: US20140070293A1. Автор: Michael P. Chudzik,Keith Kwong Hon Wong,Zhen Zhang,Jian Yu,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

2D Material Super Capacitors

Номер патента: US20170373134A1. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

2d material super capacitors

Номер патента: EP3332410A1. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-06-13.

Dye-sensitized solar cell module using thin glass substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US09570241B2. Автор: Won Jung Kim,Ki Chun Lee,Yong-Gu Kim,Yong Jun Jang,Mi Yeon Song,In Woo Song,Sang Hak Kim,Ji Yong Lee. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-02-14.

Ceramic Phase Capacitors Devices for RF System in Photoactive Glass Substrates

Номер патента: US20240258033A1. Автор: Jeb H. Flemming,Kyle Mcwethy. Владелец: 3D Glass Solutions. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of reducing oxygen vacancies in a high k capacitor dielectric region, and DRAM processing methods

Номер патента: US20020106853A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Ceramic phase capacitors for rf system in photoactive glass substrates

Номер патента: CA3218460A1. Автор: Jeb H. Flemming,Kyle Mcwethy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-12-08.

Ceramic phase capacitors for rf system in photoactive glass substrates

Номер патента: EP4352766A1. Автор: Jeb H. Flemming,Kyle Mcwethy. Владелец: 3D Glass Solutions. Дата публикации: 2024-04-17.

하이케이(High-K) 유전체 물질을 이용한 MIM 캐패시터 및 이의 제조 방법

Номер патента: KR20220165626A. Автор: 차지훈,이동기,임승구,김태동,박영열. Владелец: 앨로힘 주식회사. Дата публикации: 2022-12-15.

Large area semiconductor on glass insulator

Номер патента: WO2007061563A1. Автор: Kishor P. Gadkaree,Alexandre M. Mayolet. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2007-05-31.

Photoelectric hybrid device based on glass waveguide and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4421548A1. Автор: Xiaofeng Liu,Guodong Wang,Hua Miao. Владелец: Shennan Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Photoelectric hybrid device based on glass waveguide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240288644A1. Автор: Xiaofeng Liu,Guodong Wang,Hua Miao. Владелец: Shennan Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of fabricating semiconductor device using high-K layer for spacer etch stop and related devices

Номер патента: US8481392B1. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-09.

Seed layer processes for MOCVD of ferroelectric thin films on high-k gate oxides

Номер патента: US20030109069A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Methods of forming semiconductor devices, including performing a heat treatment after forming a metal layer and a high-k layer

Номер патента: US09431515B2. Автор: Seok-jun Won,Weon-Hong Kim,Moon-Kyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Plasma nitrided gate oxide, high-k metal gate based cmos device

Номер патента: WO2008121939A1. Автор: Manuel Quevedo-Lopez,Husam Niman Alshareef. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-09.

Large area semiconductor on glass insulator

Номер патента: EP1955371A1. Автор: Kishor P. Gadkaree,Alexandre M. Mayolet. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2008-08-13.

High-K Film Apparatus and Method

Номер патента: US20160005832A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Yi-Ren CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

High-K Film Apparatus and Method

Номер патента: US20190157415A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Yi-Ren CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Patterns On Glass For Increased Light Transmission And/Or Light Trapping

Номер патента: US20140268331A1. Автор: Adam D. Polcyn,Pal Koppa,Szabolcs Beleznai. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Thermal writing on glass or glass-ceramic substrates and copper-exuding glasses

Номер патента: CA1320507C. Автор: Sheryl L. Hultman,Elizabeth A. Boylan,Gerald D. Fong. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 1993-07-20.

Method of fabricating a semiconductor device including high-K metal gate having reduced threshold voltage variation

Номер патента: US09570361B1. Автор: Takashi Ando,David J. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for etching high-K dielectric using pulsed bias power

Номер патента: US09570313B2. Автор: Akiteru Ko,Alok Ranjan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

High k gate insulator removal

Номер патента: US20040203246A1. Автор: Venkatesh Gopinath,Arvind Kamath,Wai Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Methods and apparatus for fabricating conductive features on glass substrates used in liquid crystal displays

Номер патента: WO2007044168A1. Автор: Jeffrey Marks. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2007-04-19.

Fdsoi channel control by implanted high-k buried oxide

Номер патента: US20180082889A1. Автор: Peter Javorka,Philipp Steinmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

High-K film apparatus and method

Номер патента: US10861954B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Yi-Ren CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-08.

High-K film apparatus and method

Номер патента: US10177238B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Yi-Ren CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-08.

Method for manufacturing on compound glass substrate multi-colored LED for use in video display board

Номер патента: US09698302B2. Автор: Jun Cheng,Min Yan,Mingbo ZHOU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of forming memory cell with high-k charge trapping layer

Номер патента: EP3262689A1. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-03.

Low threshold voltage and inversion oxide thickness scaling for a high-k metal gate p-type mosfet

Номер патента: WO2013019696A1. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Unoh Kwon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

Method for forming a transistor gate dielectric with high-k and low-k regions

Номер патента: SG99379A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Sundaresan Ravi,Yong Meng Lee James. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-10-27.

Method for forming a gate dielectric with high-K and low-K regions

Номер патента: EP1227514B1. Автор: YANG Pan,Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Ying Keung Leung,James Yong Meng Lee,Elgin Quek,Ravi Sundaresan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Methods of forming spin on glass layers by curing remaining portions thereof

Номер патента: US20020111032A1. Автор: Min-Hee Cho,Hong-Sik Jeong,Soo-Ho Shin,Chang-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

Structure and method for nFET with high k metal gate

Номер патента: US09947528B2. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

High-K layer chamfering to prevent oxygen ingress in replacement metal gate (RMG) process

Номер патента: US09865703B2. Автор: Takashi Ando,Tenko Yamashita,Hemanth Jagannathan,Veeraraghavan S. Basker,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Thin film semi-conductor-on-glass solar cell devices

Номер патента: US8071872B2. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2011-12-06.

Interfacial layer regrowth control in high-k gate structure for field effect transistor

Номер патента: EP2294609A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-16.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2004084311A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-09-30.

Method and Apparatus For Hydrogenation of Thin Film Silicon on Glass

Номер патента: US20080199612A1. Автор: Adrian Bruce Turner,Mark John Keevers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-21.

Method and apparatus for hydrogenation of thin film silicon on glass

Номер патента: EP1886339A1. Автор: Mark CSG Solar Pty Limited KEEVERS,Adrian Bruce CSG Solar Pty Limited TURNER. Владелец: CSG Solar AG. Дата публикации: 2008-02-13.

Methods of bandgap analysis and modeling for high k metal gate

Номер патента: US20190242938A1. Автор: Qiang Zhao,Min Dai,Dawei Hu,Dominic Schepis,Ming Di. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

High-K gate oxides with buffer layers of titanium for mfos single transistor memory applications

Номер патента: EP1308993A3. Автор: Tingkai Li,Sheng Teng Hsu,Bruce Dale Ulrich,Lisa Horn Stecker. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-11-07.

Silicide layers in contacts for high-k/metal gate transistors

Номер патента: EP1972004A2. Автор: Mark T. Bohr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-09-24.

METHOD OF ENHANCING HIGH-k FILM NUCLEATION RATE AND ELECTRICAL MOBILITY IN A SEMICONDUCTOR DEVICE BY MICROWAVE PLASMA TREATMENT

Номер патента: US20150249009A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US10199227B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Dipole-Engineered High-K Gate Dielectric and Method Forming Same

Номер патента: US20240304449A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods of forming a protection layer on a semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09634115B2. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of surface functionalization for high-K deposition

Номер патента: US09607829B2. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Edge termination for super-junction MOSFETs

Номер патента: US9882044B2. Автор: Deva Pattanayak. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Electrical Test Structure for Devices Employing High-K Dielectrics or Metal Gates

Номер патента: US20130140564A1. Автор: Robert C. Lutz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Thin film silicon solar cell on glass having a texturing silicon dioxide layer and manufacturing method

Номер патента: EP1142031B1. Автор: Zhengrong Shi,Jing Jia Ji. Владелец: CSG Solar AG. Дата публикации: 2010-09-22.

Vertical transistor devices with composite high-k and low-k spacers with a controlled top junction

Номер патента: US20210119043A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Method of improving the interlayer adhesion property of low-k layers in a dual damascene process

Номер патента: US20020173158A1. Автор: Pei-Ren Jeng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-21.

2d and 3d rf lumped element devices for rf system in a package photoactive glass substrates

Номер патента: AU2021201253A1. Автор: Jeff Bullington,Jeb H. Flemming,Kyle Mcwethy. Владелец: 3D Glass Solutions. Дата публикации: 2021-03-18.

Plasma composition for selective high-k etch

Номер патента: US20070099403A1. Автор: Vasile Paraschiv,Marc Demand,Denis Shamiryan. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2007-05-03.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: EP1604405A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-14.

Method and device for high k metal gate transistors

Номер патента: US09570611B2. Автор: YONG Li,Xiao Na Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of selectively providing a pattern of a material other than glass on a glass substrate by electroless metallization

Номер патента: US5384154A. Автор: Johannes W. G. De Bakker,Lambertus G. J. Fokkink,Andreas M. T. P. van der Putten,Henricus A. M. Kox. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1995-01-24.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US20170263458A1. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Dipole-Engineered High-K Gate Dielectric and Method Forming Same

Номер патента: US20230360918A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Methods of forming a protection layer on a semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US20170179246A1. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Electrical test structure for devices employing high-k dielectrics or metal gates

Номер патента: US20140203280A1. Автор: Robert C. Lutz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Method for reducing interfacial layer thickness for high-k and metal gate stack

Номер патента: US20100317184A1. Автор: Chen-Yi Lee,Clement Hsingjen Wann,Liang-Gi Yao,Jeff J. Xu,Chun-Hu CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Dipole-engineered high-k gate dielectric and method forming same

Номер патента: US11784052B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US9337042B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US9680007B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Crystallization of High-K Dielectric Layer

Номер патента: US20240097039A1. Автор: Chien-Chang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of manufacturing liquid crystal panel, glass substrate for liquid crystal panel, and liquid crystal panel including the same

Номер патента: US20120026450A1. Автор: Ikushi Yamazaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Dipole-engineered high-k gate dielectric and method forming same

Номер патента: US12020941B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Methods for depositing high-k dielectrics

Номер патента: US20100330772A1. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Methods For Depositing High-K Dielectrics

Номер патента: US20130056852A1. Автор: Sandra G. Malhotra,Imran Hashim,Sunil Shanker,Xiangxin Rui,Edward L. Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Methods for depositing high-K dielectrics

Номер патента: US8574985B2. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Method of fabricating a gate dielectric for high-k metal gate devices

Номер патента: US09711373B2. Автор: Chen-Hua Yu,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Tai-Bor Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Process for formation of isolation trenches with high-K gate dielectrics

Номер патента: US6008095A. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Charles E May. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-12-28.

Method and system for forming a high-k dielectric layer

Номер патента: US20060228898A1. Автор: Gerrit Leusink,Masanobu Igeta,Cory Wajda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Method and apparatus for hydrogenation of thin film silicon on glass

Номер патента: WO2006128247A1. Автор: Adrian Bruce Turner,Mark John Keevers. Владелец: CSG Solar AG. Дата публикации: 2006-12-07.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US20150187586A1. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US10522684B2. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Method and systems for forming device structures including high-k dielectric layers and related device structures

Номер патента: US20240072104A1. Автор: Eric James Shero,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US20190035924A1. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US20200105921A1. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Forming high-K dielectric layers on smooth substrates

Номер патента: US20080087985A1. Автор: Gilbert Dewey,Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Methods for high-k metal gate CMOS with SiC and SiGe source/drain regions

Номер патента: US09595585B2. Автор: Gang MAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Nitrogen Profile in High-K Dielectrics Using Ultrathin Disposable Capping Layers

Номер патента: US20090104743A1. Автор: Husam Alshareef,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Fin field-effect transistor (finfet) with a high-k material field-plating

Номер патента: US20230067590A1. Автор: Ming-Yeh Chuang,Umamaheswari Aghoram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Wiring substrate, method of manufacturing wiring substrate, component-embedded glass substrate, and method of manufacturing component-embedded glass substrate

Номер патента: US20170301558A1. Автор: Shuichi Oka,Shusaku Yanagawa,Shun Mitarai,Shinji Rokuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Wiring substrate, method of manufacturing wiring substrate, component-embedded glass substrate, and method of manufacturing component-embedded glass substrate

Номер патента: US10410884B2. Автор: Shuichi Oka,Shusaku Yanagawa,Shun Mitarai,Shinji Rokuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-09-10.

Wiring substrate, method of manufacturing wiring substrate, component-embedded glass substrate, and method of manufacturing component-embedded glass substrate

Номер патента: US9723724B2. Автор: Shuichi Oka,Shusaku Yanagawa,Shun Mitarai,Shinji Rokuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Glass substrate-holding tool and method for producing an euv mask blank by employing the same

Номер патента: SG186550A1. Автор: MITSUMORI Takahiro,Kinoshita Takeru,Ise Hirotoshi. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

Wiring substrate, method of manufacturing wiring substrate, component-embedded glass substrate, and method of manufacturing component-embedded glass substrate

Номер патента: US20150021081A1. Автор: Shuichi Oka,Shusaku Yanagawa,Shun Mitarai,Shinji Rokuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Trench MOS Schottky barrier rectifier with high k gate dielectric and reduced mask process for the manufacture thereof

Номер патента: US20070210347A1. Автор: Carmelo Sanfilippo,Rossano Carta,Giovanni Richieri,Paolo Mercaldi. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2007-09-13.

Glass substrate transfer system and robot arm thereof

Номер патента: US09589825B2. Автор: Shih Ying Sun. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Buffer layer on semiconductor devices

Номер патента: US20140291777A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Wei-Yang Lee,Xiong-Fei Yu,Cheng-Hao Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Integrated high-k/metal gate in cmos process flow

Номер патента: US20130140643A1. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Buffer layer on semiconductor devices

Номер патента: US10374055B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Wei-Yang Lee,Xiong-Fei Yu,Cheng-Hao Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-06.

Semiconductor device with treated interfacial layer on silicon germanium

Номер патента: US20230282753A1. Автор: Zi-Wei FANG,Chih-Yu Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Integrated high-k/metal gate in CMOS process flow

Номер патента: US8841731B2. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-23.

Method for detecting defects of glass substrates

Номер патента: US20180136095A1. Автор: Seung Kim,Cheol Min Park,Woo Jin Cho,Seung Ho Kim,Jeong Woo Park,Hyun Joon Oh,Hee Kyun SHIN,Hoi Kwan Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Glass substrate and method for manufacturing glass substrate

Номер патента: US20230335427A1. Автор: Kenji Goto,Yuha KOBAYASHI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Technologies for a beam expansion in glass substrates

Номер патента: US20240027699A1. Автор: Pooya Tadayon,Nicholas D. Psaila. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for making glass substrate for display, glass substrate and display panel

Номер патента: US20130306995A1. Автор: Young Tae Park. Владелец: Avanstrate Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

Support glass substrate and laminated substrate using same

Номер патента: US20230212061A1. Автор: Ken Yuki,Tetsuya Murata,Ryota Suzuki,Tomonori ICHIMARU,Yuta Nagano. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Multilayer high-k gate dielectric for a high performance logic transistor

Номер патента: US11742407B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Chia-Ching Lin,Matthew V. Metz,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,Devin Merrill,Owen LOH,I-Cheng Tung,Eric Charles MATTSON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Glass substrate and method for manufacturing glass substrate

Номер патента: US12040212B2. Автор: Kenji Goto,Yuha KOBAYASHI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor transistors having high-k gate dielectric layers, metal gate electrode regions, and low fringing capacitances

Номер патента: US20090179284A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Multilayer high-k gate dielectric for a high performance logic transistor

Номер патента: EP3832735A3. Автор: Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Chia-Ching Lin,Ian Young,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Matthew Metz,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci,Devin Merrill,Owen LOH,I-Cheng Tung,Eric Mattson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

Semiconductor transistors having high-k gate dielectric layers, metal gate electrode regions, and low fringing capacitances

Номер патента: US20100096706A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Methods of forming interfacial layers for high-k gates by ozone oxidation

Номер патента: WO2004012237A3. Автор: Yoshihide Senzaki,Robert Herring. Владелец: Aviza Technology. Дата публикации: 2004-09-10.

UV cleaning device of glass substrate

Номер патента: US09786699B2. Автор: Jiangbo Yao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for forming a glass substrate with a depleted surface layer and polycrystalline-silicon TFT built thereon

Номер патента: US09722084B2. Автор: Robert George Manley,Yunfeng Gu,Ta-Ko Chuang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Etching method of glass substrate and wet etching apparatus thereof

Номер патента: US09676661B2. Автор: JIA Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Glass substrates with strategically imprinted B-side features and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09676649B2. Автор: Liming Wang,Hung Cheng (Henry) Lu,Ruchirej Yongsunthon,Michael Sean Dobbins,Wanda Janina Walczak,James Robert Lim. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for CMP of high-K metal gate structures

Номер патента: US09646840B2. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated high-K/metal gate in CMOS process flow

Номер патента: US09601388B2. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Yi-Hsing Chen,Jr-Jung LIN,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Apparatus of separating flexible substrate from glass substrate and manufacturing equipment thereof

Номер патента: US09508585B2. Автор: Xue Mao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Mask blank glass substrate, multilayer reflective film coated substrate, mask blank, mask, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09488904B2. Автор: Akihiro Kawahara,Tsutomu Shoki,Toshihiko Orihara. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Glass substrate for flat panel display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09469564B2. Автор: Akihiro Koyama,Satoshi AMI,Manabu Ichikawa. Владелец: Avanstrate Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Light detection device having a semiconductor light detection element, a mounting substrate, a glass substrate and a plurality of through-hole electrodes electrically connected to quenching resistors

Номер патента: US09435686B2. Автор: Takashi Baba,Tomofumi Suzuki,Noburo Hosokawa,Terumasa Nagano. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2016-09-06.

Germanium silicate spin on glass semiconductor device and methods of spin on glass synthesis and use

Номер патента: US5910680A. Автор: Papu D. Maniar. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-06-08.

Method for improving the manufacturability of the spin-on glass etchback process

Номер патента: US5618757A. Автор: Milind G. Weling,Subhas Bothra. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1997-04-08.

High-k dielectric materials with dipole layer

Номер патента: US20230386938A1. Автор: Huang-Lin Chao,I-Ming Chang,Huiching Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of patterning a substrate using spin-on glass as a hard mask

Номер патента: WO1997043782A1. Автор: Robert Dawson,Charles E. May. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-11-20.

Semiconductor device having interfacial layer and high k dielectric layer

Номер патента: US20190006476A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Composite high-k gate dielectric stack for reducing gate leakage

Номер патента: WO2014003933A1. Автор: Joseph F. Shepard,Michael P. Chudzik,Yanfeng Wang,Min Dai,Jinping Liu,Shahab Siddiqui,MaryJane Brodsky. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2014-01-03.

Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same

Номер патента: EP2156477A1. Автор: Alexey Krasnov,Scott V. Thomsen. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2010-02-24.

Fluorination during ald high-k, fluorination post high-k and use of a post fluorination anneal to engineer fluorine bonding and incorporation

Номер патента: US20170236702A1. Автор: WEI Liu,Johanes S. Swenberg,Linlin Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Manufacturing method for glass substrate and glass substrate

Номер патента: US12068181B2. Автор: Yuichi Yoshida,Keisuke Hanashima,Yuha KOBAYASHI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Hybrid gate last integration scheme for multi-layer high-k gate stacks

Номер патента: WO2014062377A2. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2014-04-24.

Glass substrate package

Номер патента: US10173833B2. Автор: Hiroki Katayama. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-08.

Glass substrate package

Номер патента: US20180072489A1. Автор: Hiroki Katayama. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

High-K Gate Dielectric and Method Forming Same

Номер патента: US20240297084A1. Автор: Chi On Chui,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Wiring structure of glass substrate, glass substrate and display device

Номер патента: US20190385970A1. Автор: Huanda WU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Method for manufacturing a low-k layer

Номер патента: US20130288045A1. Автор: Ben-Zu Wan,Hsin-Yan LU. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2013-10-31.

Support glass substrate, multi-layer body, method for producing multi-layer body, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US20240360027A1. Автор: Miyako TAKEDA. Владелец: Nippon Electric Glasss Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of cleaning glass substrates

Номер патента: US09561982B2. Автор: Liming Wang,Yoshihiro Nakamura,Darwin Gene Enicks,Wanda Janina Walczak,Siva Venkatachalam. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming different voltage devices with high-k metal gate

Номер патента: US09368499B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong,Asanga H. Perera. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-14.

Process to make high-K transistor dielectrics

Номер патента: US20060246698A1. Автор: Mong-Song Liang,Shih-Chang Chen,Ming-Fang Wang,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: US20060051924A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Ramune Nagisetty,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

A method of manufacturing a semiconductor device having a high-K-gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: DE112005001593B4. Автор: Justin Portland Brask,Chris Portland Barns,Mark Beaverton Doczy,Uday Portland Shah,Jack Portland Kavalieros,Matthew Hillsboro Metz,Suman Beaverton Datta,Anne Portland Miller,Robert Beaverton Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Etching process for high-k gate dielectrics

Номер патента: US20050042859A1. Автор: Yuan-Hung Chiu,Mo-Chiun Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Structure and method of Tinv scaling for high k metal gate technology

Номер патента: US9006837B2. Автор: Michael P. Chudzik,Dechao Guo,Carl J. Radens,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Semiconductor device and method for high-k gate dielectrics

Номер патента: US7355235B2. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-04-08.

High K dielectric channel lateral super-junction bilateral diffusion metal oxide wide band gap semiconducter field-effect tube and preparation method thereof

Номер патента: CN108198850A. Автор: 杨鑫,杨银堂,曹震,段宝兴,师通通. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2018-06-22.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20160365252A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20180174847A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20190267243A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Manufacturing method of graphene modulated high-k oxide and metal gate mos device

Номер патента: US20160005609A1. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-01-07.

High-k/metal gate mosfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: WO2009002670A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-31.

High-k gate dielectric and method forming same

Номер патента: US12020991B2. Автор: Chi On Chui,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Methods for forming thin film transistors on a glass substrate and liquid crystal displays formed therefrom

Номер патента: US12013619B2. Автор: Bin Zhu,Rajesh Vaddi,Ming-Huang Huang,Robert Bumju LEE. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods for forming thin film transistors on a glass substrate and liquid crystal displays formed therefrom

Номер патента: US20210018780A1. Автор: Bin Zhu,Rajesh Vaddi,Ming-Huang Huang,Robert Bumju LEE. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for depositing a metal gate on a high-k dielectric film and improving high-k dielectric film and metal gate interface, and a substrate treating system

Номер патента: US20060194396A1. Автор: Wickramanayaka Sunil,Naoki Yamada,Naomu Kitano,Motomu Kosuda. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Method for modifying high-k dielectric thin film and semiconductor device

Номер патента: US20090302433A1. Автор: Koji Akiyama,Shintaro Aoyama,Kazuyoshi Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same

Номер патента: EP2153469A1. Автор: Alexey Krasnov,Yiwei Lu,Scott V. Thomsen. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2010-02-17.

Removing a high-k gate dielectric

Номер патента: US20060003499A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Norman,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-01-05.

Positioning device for glass substrate

Номер патента: US20170186640A1. Автор: Yongqiang Wang,Guokun Yang,Minghu QI,Zenghong Chen,Chenyangzi Li,Zhiyou Shu,Weibing Yang,Kun Hsien Lin,Yunshao Jiang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same

Номер патента: WO2008154128A1. Автор: Alexey Krasnov,Yiwei Lu,Scott V. Thomsen. Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2008-12-18.

Structure of porous low-k layer and interconnect structure

Номер патента: US8350246B2. Автор: Chien-Chung Huang,Mei-Ling Chen,Yu-Tsung Lai,Su-Jen Sung,Kuo-Chih Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-08.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US9601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of forming a reverse gate structure with a spin on glass process

Номер патента: US20020185739A1. Автор: Yi Ma,Joseph Taylor,Huili Shao,Allen Yen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Selective in-situ cleaning of high-k films from processing chamber using reactive gas precursor

Номер патента: US12076763B2. Автор: Soo Young Choi,Tae Kyung Won,Dong-Kil Yim,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Glass substrate for space-based solar power generation

Номер патента: US20240300848A1. Автор: Takashi Murata,Koichi Hashimoto. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing a supporting glass substrate

Номер патента: US12119278B2. Автор: Hiroki Katayama. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of forming a single metal that performs N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US09960160B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-k gate stacks

Номер патента: US09941128B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US09911747B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Electrostatic chuck, glass substrate processing method, and said glass substrate

Номер патента: US09866151B2. Автор: Toshifumi Sugawara,Yoshiaki Tatsumi. Владелец: Creative Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Positioning device for glass substrate

Номер патента: US09741597B2. Автор: Yongqiang Wang,Guokun Yang,Minghu QI,Zenghong Chen,Chenyangzi Li,Zhiyou Shu,Weibing Yang,Kun Hsien Lin,Yunshao Jiang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US09721962B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Enhanced gate replacement process for high-K metal gate technology

Номер патента: US09691876B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate, and method of making same

Номер патента: US09634019B1. Автор: FENG Zhou,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of forming a singe metal that performs N and P work functions in high-K/metal gate devices

Номер патента: US09633856B2. Автор: Su-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

ZnO-based system on glass (SOG) for advanced displays

Номер патента: US09627439B2. Автор: Chieh-Jen Ku,Yicheng Lu. Владелец: Rutgers State University of New Jersey. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconducator image sensor having color filters formed over a high-K dielectric grid

Номер патента: US09601535B2. Автор: Yu-Ku Lin,Chun Che Lin,Chih-Nan Wu,Shiu-Ko Jang Jian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US09601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device comprising ferroelectric elements and fast high-K metal gate transistors

Номер патента: US09564521B2. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-K gate stacks

Номер патента: US09466492B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Uniformly distributed self-assembled cone-shaped pillars for high efficiency solar cells

Номер патента: US09459797B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Kuen-Ting Shiu,Christos Dimitrakopoulos,Augustin J. HONG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Glass substrate conveyer

Номер патента: US09434553B2. Автор: YANG Zhao,Libin Pang,Xuesong GAO. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Techniques providing high-k dielectric metal gate CMOS

Номер патента: US09431404B2. Автор: Wei-Yuan Lu,Chun-Fai Cheng,Kuan-Chung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Transistor devices with high-k insulation layers

Номер патента: US09425194B2. Автор: Matthias KESSLER,Stefan Flachowsky,Martin Gerhardt. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for forming an interfacial layer on a semiconductor using hydrogen plasma

Номер патента: US09343291B2. Автор: Toru Ito,Paul C. McIntyre. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Precise patterning of high-K films

Номер патента: US6855639B1. Автор: Justin K. Brask,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz,John Barnak,Paul R. Markworth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-02-15.

Selective high-K formation in gate-last process

Номер патента: US10964542B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Yasutoshi Okuno,Ziwei Fang,Fu-Ting Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-30.

Method for etching high-k films in solutions comprising dilute fluoride species

Номер патента: US6835667B2. Автор: Thomas J. Wagener,Kurt K. Christenson,Neil Bruce Rosengren,Brent D. Schwab. Владелец: FSI International Inc. Дата публикации: 2004-12-28.

Semiconductor device with a memory device and a high-K metal gate transistor

Номер патента: US9754951B2. Автор: Ralf Richter,Sven Beyer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Glass substrate-holding tool

Номер патента: US8192901B2. Автор: Junichi Kageyama. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-05.

Method for curing spin-on-glass film utilizing electron beam radiation

Номер патента: US6132814A. Автор: William R. Livesay,Matthew F. Ross,Anthony L. Rubiales. Владелец: Electron Vision Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Method of heating and cooling large area glass substrates

Номер патента: US5674786A. Автор: Norman L. Turner,John Macneill White,David Berkstresser. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1997-10-07.

Rogowski coil integrated in glass substrate

Номер патента: US11856711B2. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Alexander Breymesser,Klaus Sobe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-12-26.

Passivating point defects in high-k gate dielectric layers during gate stack formation

Номер патента: SG193698A1. Автор: Trentzsch Martin,Erben Elke,j carter Richard. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-30.

Protective window including protected edge glass substrate

Номер патента: US11917848B2. Автор: Dong Jin Park,Sung Chul CHOI,Dongwoo SEO,Jai Ku SHIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Uv cleaning device of glass substrate

Номер патента: US20160365371A1. Автор: Jiangbo Yao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Interfacial layer for use with high k dielectric materials

Номер патента: WO2006023027A1. Автор: Papu D. Maniar,Shawn G. Thomas,Vida Ilderem. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-03-02.

Surface treatment method of glass substrate having pit on surface thereof, production method of array substrate, and array substrate

Номер патента: US20190273097A1. Автор: Hao Yin,Donghui Zhang,Chuan Chen,Xiaoye MA. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Surface treatment method of glass substrate having pit on surface thereof, production method of array substrate, and array substrate

Номер патента: US10644033B2. Автор: Hao Yin,Donghui Zhang,Chuan Chen,Xiaoye MA. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20110068369A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

Supporting glass substrate

Номер патента: US20220144685A1. Автор: Seiji Inaba,Kazutaka Ono,Yasunari Saito,Mikio Nagano,Kiyoshi Tamai,Yuha KOBAYASHI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: US20220003678A1. Автор: Harry A. Atwater,Philippe C. ADELL. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2022-01-06.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: EP3344972A1. Автор: Philippe C. ADELL,Harry A. ATWATERE. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-07-11.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: US11808706B2. Автор: Harry A. Atwater,Philippe C. ADELL. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2023-11-07.

Method of forming high-k dielectric material

Номер патента: US11837508B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Electronic devices comprising segmented high-k dielectric materials and storage node materials, related systems, and methods of forming

Номер патента: US20230389311A1. Автор: XIN Lan,Yun Huang,Yifen Liu,Byeung Chul Kim,Sok Han Wong,Ye Xiang Hong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Synthetic quartz glass substrate with antireflection film, window material, lid for optical element package, optical element package, and light irradiation device

Номер патента: US20210293994A1. Автор: Harunobu Matsui,Daijitsu Harada,Masaki Takeuchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for making glass substrate for display, glass substrate and display panel

Номер патента: US20140370241A1. Автор: Young Tae Park. Владелец: Avanstrate Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Flat panel x-ray imager with scintillating glass substrate

Номер патента: US11802979B2. Автор: Wei Zhao,Anthony Lubinsky,Adrian HOWANSKY. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2023-10-31.

Multifunctional MZO-Based Negative Capacitance Thin Film Transistor on Glass or Flexible Substrates

Номер патента: US20240006507A1. Автор: Yicheng Lu,Fangzhou YU,Wen-Chiang Hong. Владелец: Rutgers State University of New Jersey. Дата публикации: 2024-01-04.

Glass substrates for high temperature applications

Номер патента: EP2571824A2. Автор: Kelly J. Busch,Patrick D. Watson,Brad Hickman. Владелец: Cardinal FG Co. Дата публикации: 2013-03-27.

Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for cmos devices

Номер патента: US20120276720A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

High-k gate insulator for a thin-film transistor

Номер патента: WO2019135832A1. Автор: Soo Young Choi,Dong-Kil Yim,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-07-11.

Rogowski coil integrated in glass substrate

Номер патента: EP3992641A1. Автор: Alexander Breymesser,Francisco Santos Rodriguez,Klaus Sobe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-05-04.

Aligning Apparatus and Method for Glass Substrate

Номер патента: US20140131168A1. Автор: Yongqiang Wang,Zhenhua Guo,Chunhao Wu,Kunhsien Lin,Weibing Yang,Yunshao Jiang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Method of forming continuous thin film and linear glass substrate with thin film

Номер патента: US8673396B2. Автор: Hisashi Koaizawa,Toshihiro Nakamura,Sadayuki Toda. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-18.

Reliability caps for high-k dielectric anneals

Номер патента: US20190019682A1. Автор: Shariq Siddiqui,Rohit Galatage,Chung-Ju Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Supporting glass substrate

Номер патента: US20210032155A1. Автор: Seiji Inaba,Kazutaka Ono,Yasunari Saito,Kiyoshi Tamai,Yuha KOBAYASHI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Method of forming continuous thin film and linear glass substrate with thin film

Номер патента: US20100021727A1. Автор: Hisashi Koaizawa,Toshihiro Nakamura,Sadayuki Toda. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

High-k dielectric and metal gate stack with minimal overlap with isolation region

Номер патента: US20110227171A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Renee T. Mo,Jeffrey Sleight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Flat panel x-ray imager with scintillating glass substrate

Номер патента: CA3080643A1. Автор: Wei Zhao,Anthony Lubinsky,Adrian HOWANSKY. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2019-11-28.

Multifunctional mzo-based negative capacitance thin film transistor on glass or flexible substrates

Номер патента: WO2022040702A3. Автор: Yicheng Lu,Fangzhou YU,Wen-Chiang Hong. Владелец: Rutgers, The State University of New Jersey. Дата публикации: 2022-03-31.

Treatment of synthetic quartz glass substrate

Номер патента: US20110308737A1. Автор: Harunobu Matsui,Masaki Takeuchi,Ryouhei Hasegawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Method of synthetic quartz glass substrate

Номер патента: MY160630A. Автор: Takeuchi Masaki,Matsui Harunobu,HASEGAWA Ryouhei. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2017-03-15.

Organic thin film transistor with ion exchanged glass substrate

Номер патента: US20130140540A1. Автор: Mingqian He,James Robert Matthews,Jianfeng Li,Michael S. Pambianchi. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Multiple low and high k gate oxides on single gate for lower miller capacitance and improved drive current

Номер патента: EP1927128A4. Автор: Dureseti Chidambarrao,Omer Dokumaci,Oleg Gluschenkov,Michael Belyansky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-28.

Biocompatible glass substrate with through electrode and biocompatible small electronic device

Номер патента: US20240262738A1. Автор: Akira Okuno,Yutaka ONEZAWA,Kazuhito MIYAWAKI. Владелец: Schott Japan Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices with gate electrodes on separate sets of high-k dielectric layers

Номер патента: US09991357B2. Автор: Hyeok-Jun Son,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Sangjin Hyun,Wandon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for producing glass substrate

Номер патента: US09969152B2. Автор: Yasuo Yamazaki,Takahide Fujii,Chia-Sheng Huang,Chun-Hsien Chien,Hsin-Yun Hsu,Ting-Yu Ke. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Synthetic quartz glass substrate polishing slurry and manufacture of synthetic quartz glass substrate using the same

Номер патента: US09963634B2. Автор: Harunobu Matsui,Daijitsu Harada,Masaki Takeuchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Hybrid high-k first and high-k last replacement gate process

Номер патента: US09960162B2. Автор: Mahalingam Nandakumar,Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09922831B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Apparatus for packaging liquid crystal glass substrates

Номер патента: US09897828B2. Автор: Zhilin Zhao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09859122B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09837319B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Organic electric memory device based on phosphonic acid or trichlorosilane-modified ITO glass substrate and preparation method thereof

Номер патента: US09818963B1. Автор: Jianmei Lu,Jinghui HE. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-14.

Low-loss large-grain optical waveguide for interconnecting components integrated on a glass substrate

Номер патента: US09784917B2. Автор: Joyeeta Nag,Stephen M. Gates,Jean-Olivier Plouchart,Spyridon Skordas,Jason S. Orcutt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09768071B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09721843B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09685379B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods for working and sensing synthetic quartz glass substrate

Номер патента: US09599746B2. Автор: Masaki Takeuchi,Shuhei Ueda. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Apparatus of etching glass substrate

Номер патента: US09598310B2. Автор: Kwan-Young Han,Ah-Ram Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09577061B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09570354B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09559010B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Mechanisms for monitoring impurity in high-K dielectric film

Номер патента: US09553160B2. Автор: Wei Zhang,Yen-Yu Chen,Chang-Sheng Lee,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09543213B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for etching high-k metal gate stack

Номер патента: US09514943B1. Автор: Hae-Jung Lee,Su-Bum Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Low-loss large-grain optical waveguide for interconnecting components integrated on a glass substrate

Номер патента: US09472710B1. Автор: Joyeeta Nag,Stephen M. Gates,Jean-Olivier Plouchart,Spyridon Skordas,Jason S. Orcutt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Nitridation on HDP oxide before high-k deposition to prevent oxygen ingress

Номер патента: US09472408B2. Автор: Takashi Ando,Tenko Yamashita,Hemanth Jagannathan,Veeraraghavan S. Basker,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for etching high-k metal gate stack

Номер патента: US09431255B2. Автор: Hae-Jung Lee,Su-Bum Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09412667B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Hybrid high-k first and high-k last replacement gate process

Номер патента: US09397100B2. Автор: Mahalingam Nandakumar,Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Method of fabricating the flash memory device using high-k dielectric as inter-poly dielectric

Номер патента: KR100771541B1. Автор: 박동수,조호진,김해원,이은아,채수진,박철환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-10-30.

Spin-On Glass (SOG) Curing Method by Plasma

Номер патента: KR960019505A. Автор: 이중환,구진근,유형준,박민. Владелец: 재단법인 한국전자통신연구소. Дата публикации: 1996-06-17.

Method of forming high-K gate electrode structures after transistor fabrication

Номер патента: GB2468445A. Автор: Andy Wei,Andrew M Waite. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-09-08.

Display module having glass substrate on which side wirings are formed and manufacturing method of the same

Номер патента: WO2020166986A1. Автор: Kyungwoon Jang,Gyun Heo,Soonmin HONG,Gyuhwa KIM,Jeonggen YOON,Tackmo LEE,Youngjun MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-08-20.

Installation of a semiconductor chip on a glass substrate

Номер патента: US4190855A. Автор: Yukihiro Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1980-02-26.

High performance sol-gel spin-on glass materials

Номер патента: US20050022697A1. Автор: Ramazan Benrashid,Paul Velasco. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-03.

Increasing stability of a high-k gate dielectric of a high-k gate stack by an oxygen rich titanium nitride cap layer

Номер патента: US20110127590A1. Автор: Robert Binder,Klaus Hempel,Joachim Metzger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Tri-gate integration with embedded floating body memory cell using a high-k dual metal gate

Номер патента: US20090017589A1. Автор: Ibrahim Ban,Peter L.D. Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

OLED device, glass substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US10608191B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-31.

Oled device, glass substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20190097145A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Shezhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Devices comprising high-k dielectric layer and methods of forming same

Номер патента: US20160284540A1. Автор: Yiqun Liu,Jin Ping Liu,Sandeep Gaan,Shishir Ray,Fabio D'ADDAMIO. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Devices comprising high-K dielectric layer and methods of forming same

Номер патента: US9673039B2. Автор: Yiqun Liu,Jin Ping Liu,Sandeep Gaan,Shishir Ray,Fabio D'ADDAMIO. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Supporting glass substrate, laminate, semiconductor package, electronic device, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20230352355A1. Автор: Hiroki Katayama. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Structure and method for using high-k material as an etch stop layer in dual stress layer process

Номер патента: US20130175634A1. Автор: William K. Henson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

High-K Metal Gate Process and Device

Номер патента: US20200251574A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

High-k metal gate process and device

Номер патента: US10971602B2. Автор: Chun Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160190015A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160049337A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

High-k heterostructure

Номер патента: US20100301420A1. Автор: Guy Hollinger,Clement Merckling,Mario El-Kazzi,Guillaume Saint-Girons. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

High-k heterostructure

Номер патента: US20130200440A1. Автор: Guy Hollinger,Clement Merckling,Mario El-Kazzi,Guillaume Saint-Girons. Владелец: Ecole Centrale De Lyon. Дата публикации: 2013-08-08.

Niedrige Schwellenspannung und Skalierung der Inversionsoxiddicke für einen Mosfet vom P-Typ mit High-K-Metall-Gate

Номер патента: DE112012002543T5. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Shielded gate trench power mosfet with high-k shield dielectric

Номер патента: WO2023154636A1. Автор: Gordon M. Grivna,Zia Hossain,Christopher Lawrence Rexer,Balaji Padmanabhan,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160351452A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

High-K Metal Gate Process and Device

Номер патента: US20200105532A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

High pressure low thermal budge high-k post annealing process

Номер патента: US20180174848A1. Автор: Zhenping Wen. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Glass substrate, laminated substrate, and laminate

Номер патента: US11753330B2. Автор: Shigeki Sawamura,Kazutaka Ono,Yu HANAWA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

High-k transistors with low threshold voltage

Номер патента: US20120193716A1. Автор: Martin M. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Metal high-k transistor having silicon sidewall for reduced parasitic capacitance

Номер патента: US7843007B2. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Metal High-K Transistor Having Silicon Sidewall For Reduced Parasitic Capacitance, And Process To Fabricate Same

Номер патента: US20090298275A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Metal High-K Transistor Having Silicon Sidewall For Reduced Parasitic Capacitance, And Process To Fabricate Same

Номер патента: US20100006956A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Methods and apparatus utilizing conjugated polymers in integrated circuit packages with glass substrates

Номер патента: US20240107784A1. Автор: Benjamin DUONG,Shayan Kaviani,Miranda Ngan,Mahdi Mohammadighaleni. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Glass substrate and laminate using same

Номер патента: US20180339929A1. Автор: Hiroki Katayama. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Manufacturing method for glass substrate and glass substrate

Номер патента: US20240030051A1. Автор: Yuichi Yoshida,Keisuke Hanashima,Yuha KOBAYASHI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Abrasive pad and glass substrate abrading method

Номер патента: EP3120379A1. Автор: Yoko Nakamura. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-01-25.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20120267685A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Metal gate and high-K dielectric devices with PFET channel SiGe

Номер патента: US8796773B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Retention improvement by high-k encapsulation of rram devices

Номер патента: US20200203605A1. Автор: Albert Chen,Elijah V. KARPOV,Oleg Golonzka,Nathan STRUTT,Christopher J. Jezewski,Pedro Quintero. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for fusion bonding molded article of liquid crystalline polymer and glass substrate to each other and composite article obtained by the method

Номер патента: US20100227175A1. Автор: Yasuo Matsumi,Mitsuo Maeda,Yuichi Saka. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-09.

Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same

Номер патента: EP2232566A2. Автор: Yiwei Lu,Willem den Boer. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2010-09-29.

Tft-lcd float glass substrate processing line

Номер патента: US20240170491A1. Автор: Zhiqiang Cao,SHOU PENG,Kui WU,Chong Zhang,Liangmao Jin,Longyue Jiang,Nan ZHAN,Changzhen WANG. Владелец: Bengbu China Optoelectronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Verfahren zum Herstellen eines Transistors mit einem high-k-Gate-Dielektrikum

Номер патента: DE102005016925B4. Автор: Harald Seidl,Martin Ulrich Dr. Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Structure and Method for High-K Metal Gate

Номер патента: US20200295157A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device having high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20150200266A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Method of manufacturing glass substrate and method of manufacturing electronic components

Номер патента: EP2405472A3. Автор: Eiji Terao. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-05-29.

Fine-grained analog memory device based on charge-trapping in high-k gate dielectrics of transistors

Номер патента: US20170329575A1. Автор: Subramanian S. Iyer,Xuefeng Gu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-11-16.

Superior integrity of high-k metal gate stacks by capping sti regions

Номер патента: SG183635A1. Автор: Baars Peter,Scheiper Thilo,Beyer Sven. Владелец: Globalfoundries Dresden Mod 1. Дата публикации: 2012-09-27.

A FDSOI-MOSFET USING HIGH k MATERIAL FOR NANO SCALED CIRCUITS

Номер патента: AU2021107274A4. Автор: Dinesh Padole,Sanjay Chopade,Kavita Joshi. Владелец: Padole Dinesh Dr. Дата публикации: 2021-12-09.

Methods for removing photoresist from semiconductor structures having high-k dielectric material layers

Номер патента: US20080176388A1. Автор: Richard J. Carter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Shielded gate trench power mosfet with high-k shield dielectric

Номер патента: EP4430669A1. Автор: Gordon M. Grivna,Zia Hossain,Christopher Lawrence Rexer,Balaji Padmanabhan,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-18.

Electronic grade glass substrate and making method

Номер патента: US09902037B2. Автор: Masaki Takeuchi,Hiroyuki Yamazaki,Daiyu Okafuji. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09824930B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Foldable glass substrate including tapered sides

Номер патента: US12122706B2. Автор: Sungchul Kim,Myung-Hwan Kim,Jangdoo LEE,Bon Ki Goo,Jeong-Il Yoo. Владелец: DOWOOINSYS Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09721842B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method to improve reliability of high-K metal gate stacks

Номер патента: US09634116B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Barry P. Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Synthetic quartz glass substrate and making method

Номер патента: US09598305B2. Автор: Harunobu Matsui,Daijitsu Harada,Masaki Takeuchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for core and in/out-put device reliability improve at high-K last process

Номер патента: US09502403B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Anti-reflection glass substrate

Номер патента: US09484473B2. Автор: Naoki Okahata. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Scaling EOT by eliminating interfacial layers from high-K/metal gates of MOS devices

Номер патента: US09478637B2. Автор: Jeffrey Junhao XU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of patterning dopant films in high-K dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09472419B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

(110) surface orientation for reducing fermi-level-pinning between high-K dielectric and group III-V compound semiconductor substrate

Номер патента: US09406518B2. Автор: Chih-Hsin Ko,Chao-Ching Cheng,Hsingjen Wann. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Model for optical dispersion of high-K dielectrics including defects

Номер патента: US09405290B1. Автор: Leonid Poslavsky,Natalia Malkova. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device having high-K gate dielectric layer

Номер патента: US09385208B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography

Номер патента: KR100705849B1. Автор: 리챠드 스피어,니겔 피. 핵커,테레사 발드윈,죠셉 케네디. Владелец: 얼라이드시그날 인코퍼레이티드. Дата публикации: 2007-04-09.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Fabrication of MEMS devices with spin-on glass

Номер патента: US20050145962A1. Автор: Luc Ouellet. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-07-07.

System and method for dispensing liquid spin-on glass (sog) onto semiconductor wafers

Номер патента: US20200043724A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Method and apparatus for light induced etching of glass substrates in the fabrication of electronic circuits

Номер патента: US20140251947A1. Автор: Kenji Nomura,Je-Hsiung Lan,John H. Hong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Method for producing glass substrate

Номер патента: US20160276631A1. Автор: Yasuo Yamazaki,Takahide Fujii,Chun - Hsien Chien,Chia - Sheng Huang,Ting - Yu Ke,Hsin - Yun Hsu. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

System for dispensing spin-on glass (sog) and method of using

Номер патента: US20220367181A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Display device having a glass substrate and method of manufacture

Номер патента: US20210135158A1. Автор: Myoungan Min. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Display device having a glass substrate and method of manufacture

Номер патента: US20230165041A1. Автор: Myoungan Min. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Method of Forming a Low-K Layer and Method of Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20190333754A1. Автор: Sunyoung Lee,Sunjung Kim,Se-Yeon Kim,Yong-Suk Tak,Minjae KANG,Teawon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Method of forming a low-k layer and method of forming a semiconductor device

Номер патента: SG10201903205RA. Автор: LEE Sunyoung,TAK Yong-Suk,Kim Sunjung,Kim Se-Yeon,KANG MinJae,Kim Teawon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Forming method and structure of porous low-k layer, interconnect process and interconnect structure

Номер патента: US20110147948A1. Автор: Chien-Chung Huang,Mei-Ling Chen,Yu-Tsung Lai,Su-Jen Sung,Kuo-Chih Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Method and apparatus for light induced etching of glass substrates in the fabrication of electronic circuits

Номер патента: WO2014164152A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong,Je-Hsiung Lan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-10-09.

Fast charger for super capacitor

Номер патента: EP2304748A2. Автор: Chenyang Liu. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2011-04-06.

Electrode for super-capacitor, super-capacitor including electrode, and method for preparing electrode

Номер патента: US20100238607A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-Hwan Park,Tae-yeon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-23.

Nano-porous electrode for super capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09847183B2. Автор: Myung Gi Jeong,Chanhwa Chung,Serhiy Cherevko. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2017-12-19.

Assembly of aluminium electrodes and barrier layers for super capacitor embedding a standard capacitor and having improved resistance to corrosion

Номер патента: WO2024088780A8. Автор: David Morgan Thomas,Steen Yde-Andersen,Jorgen Schjerning Lundsgaard,Steffen Thrane VINDT. Владелец: Innocell Aps. Дата публикации: 2024-07-11.

Separation membrane for super capacitor, super capacitor comprising same, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180122588A1. Автор: Won Gil CHOI,Jong Gwan Kim,Hyeong Tak NOH. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Modularized rescue device for super capacitor and method of controlling the same remotely

Номер патента: US20220247201A1. Автор: Fu-Chieh Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-08-04.

Super capacitor structure and the manufacture thereof

Номер патента: US9208959B2. Автор: Tse-Hao Ko,Kuo-Feng Chiu,Shi-Kun Chen. Владелец: FENG CHIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-08.

Super capacitor structure and the manufacture thereof

Номер патента: US20130083452A1. Автор: Tse-Hao Ko,Kuo-Feng Chiu,Shi-Kun Chen. Владелец: FENG CHIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-04-04.

Super capacitor structure and the manufacture thereof

Номер патента: US8947853B2. Автор: Tse-Hao Ko,Kuo-Feng Chiu,Shi-Kun Chen. Владелец: FENG CHIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-02-03.

Super capacitor structure and the manufacture thereof

Номер патента: US20150121671A1. Автор: Tse-Hao Ko,Kuo-Feng Chiu,Shi-Kun Chen. Владелец: FENG CHIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-05-07.

Method of manufacturing flexible thin-film typer super-capacitor device using a hot-melt adhesive film, and super-capacitor device manufactured by the method

Номер патента: US09520243B2. Автор: Yong-Il Kim,Jung-Joon Yoo,Hana Yoon,Jong-Huy Kim,Jae-Kook YOON. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2016-12-13.

Sealing material used as a flexible thin-film type super-capacitor device

Номер патента: US09842706B2. Автор: Yong-Il Kim,Jung-Joon Yoo,Hana Yoon,Jong-Huy Kim,Jae-Kook YOON. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2017-12-12.

Systems and methods for charging super capacitors

Номер патента: US20080303488A1. Автор: Zafarullah KHAN. Владелец: SmartSynch Inc. Дата публикации: 2008-12-11.

Sealing material, method of manufacturing flexible thin-film type super-capacitor device using the same, and super-capacitor device manufactured by the method

Номер патента: US20160336120A1. Автор: Yong-Il Kim,Jung-Joon Yoo,Hana Yoon,Jong-Huy Kim,Jae-Kook YOON. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2016-11-17.

Method of manufacturing a super-capacitor electrode

Номер патента: RU2660819C1. Автор: Александр Николаевич Сауров,Александр Александрович Павлов,Сергей Николаевич Козлов,Сергей Викторович Булярский,Алексей Васильевич Живихин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук. Дата публикации: 2018-07-10.

Aqueous hybrid super capacitor

Номер патента: US20190221377A1. Автор: Chao Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-07-18.

Super-Capacitor with Separator and Method of Producing the Same

Номер патента: US20160064155A1. Автор: Kuang L. Yang,Yingqi Jiang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Super-capacitor with separator and method of producing the same

Номер патента: US09601278B2. Автор: Kuang L. Yang,Yingqi Jiang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Super capacitor for high power

Номер патента: US8390986B2. Автор: Kyung Min Lee,Sang Won Lee,Young Joo OH,Jung Rag Yoon. Владелец: Samhwa Capacitor Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-05.

Bendable yarn type super capacitor

Номер патента: US20160336119A1. Автор: Seon Jeong Kim,Chang Soon Choi. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-11-17.

一种具有高介电击穿电场的high-k氧化物及其制备方法

Номер патента: CN116504532. Автор: 于雅慧,温峥. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-28.

一种具有高介电击穿电场的high-k氧化物及其制备方法

Номер патента: CN116504532A. Автор: 于雅慧,温峥. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-28.

Etching high k dielectric films with reduced likelihood of delamination

Номер патента: US20130065023A1. Автор: ABBAS Ali,Hansley Regan Rampersad. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-03-14.

Antenna on glass with through glass via sidewall shielding structure

Номер патента: US20240313405A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Sang-June Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Antenna on glass with through glass via sidewall shielding structure

Номер патента: WO2024192039A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Sang-June Park. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of producing connection for super-conducting cable

Номер патента: RU2335046C2. Автор: Юити АСИБЕ,Хироси ТАКИГАВА. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2008-09-27.

Antenna on glass with air cavity structure

Номер патента: US20210399404A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Sang-June Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Reaction films on glass surfaces

Номер патента: US3567505A. Автор: Roy V Harrington. Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1971-03-02.

Antenna on glass with air cavity structure

Номер патента: WO2021262315A4. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Sang-June Park. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-24.

Antenna on glass with air cavity structure

Номер патента: EP4169121A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Sang-June Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Antenna on glass with air cavity structure

Номер патента: WO2021262315A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Sang-June Park. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-12-30.

Tight terminator for super conducting cable

Номер патента: RU2367076C2. Автор: Юуити АСИБЕ,Хидеки ИТОХ. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2009-09-10.

On-glass antenna system

Номер патента: CA2301323C. Автор: Donald L. Mchenry,Michael L. Bletz. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2002-02-05.

Super capacitor module for vehicle with high voltage power source and control method thereof, computer program, and computer readable memory

Номер патента: WO2020224415A1. Автор: Alexander ENGSTRÖM,Eric RUDERVALL. Владелец: Ningbo Geely Automobile Research & Development Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-12.

Glass substrate containing the profiled glass elements, the method of its manufacture (versions) and its applications (versions), the plasma screen and the flat lamp containing such a substrate

Номер патента: RU2276113C2. Автор: Дидье Жусс. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2006-05-10.

Super capacitor module for vehicle with high voltage power source and control method thereof, computer program, and computer readable memory

Номер патента: US20220044880A1. Автор: Alexander ENGSTRÖM,Eric RUDERVALL. Владелец: Ningbo Geely Automobile Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Plasma display panel with metal oxide layer on electrode

Номер патента: US6160345A. Автор: Shigeo Suzuki,Ryuichi Murai,Hideaki Yasui,Akira Shiokawa,Masaki Aoki,Hiroyoshi Tanaka,Yoshiki Sasaki,Masatoshi Kudoh,Mitsuhiro Ohtani,Koichi Kotera,Kinzou Nonomura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-12.

Image display and method for evaluating glass substrate to be used in same

Номер патента: US20050062416A1. Автор: Daisuke Adachi,Hiroyasu Tsuji,Keisuke Sumida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-24.

Power drive super capacitor, inductive power source and system for track-based vehicle systems

Номер патента: US20240075396A1. Автор: Thomas Schubert. Владелец: Digital Dream Labs LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Power drive super capacitor, inductive power source and system for track-based vehicle systems

Номер патента: EP3996824A1. Автор: Thomas Schubert. Владелец: Digital Dream Labs LLC. Дата публикации: 2022-05-18.

Manufacturing method of glass substrate for display

Номер патента: US20090071194A1. Автор: Hironori Takase,Tatsuya Takaya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Method for manufacturing glass substrate for image display

Номер патента: US20050160768A1. Автор: Daisuke Adachi,Hiroyasu Tsuji,Keisuke Sumida. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Power drive super capacitor, inductive power source and system for track-based vehicle systems

Номер патента: AU2021335238A1. Автор: Thomas Schubert. Владелец: Digital Dream Labs LLC. Дата публикации: 2022-04-07.

Manufacturing method for a glass substrate having a phosphor layer used as a color cathode ray tube front panel and a color cathode ray tube manufacturing method

Номер патента: US6592420B1. Автор: Hideo Iguchi,Naoyuki Tani,Hikaru Nishimori,Ryouji Onishi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-15.

Glass substrate for display and method for manufacturing the glass substrate

Номер патента: US8465827B2. Автор: Kazuhiko Yui,Kentaro Tatsukoshi. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-18.

Siw including glass substrate and epa including the same

Номер патента: US20240304989A1. Автор: Sungtek Kahng,Chang-Hyeong Lee,Byounggwan Kang,Gwanggyun Namgung. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of INU. Дата публикации: 2024-09-12.

Transmission line design and method, where high-k dielectric surrounds the transmission line for increased isolation

Номер патента: US09786976B2. Автор: Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Fu-Lung Hsueh,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Glass substrates with pre-attached sealing media

Номер патента: CA1066059A. Автор: Charles W. Salisbury. Владелец: Owens Illinois Inc. Дата публикации: 1979-11-13.

Glass substrate, liquid crystal antenna and high-frequency device

Номер патента: US20210013598A1. Автор: Kazutaka Ono,Shuhei Nomura. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Glass substrate, liquid crystal antenna and high-frequency device

Номер патента: EP3770129A1. Автор: Kazutaka Ono,Shuhei Nomura. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-27.

Glass substrate, liquid crystal antenna and high-frequency device

Номер патента: US20220102850A1. Автор: Kazutaka Ono,Shuhei Nomura. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for definition of the erosion speed and decaying thin layers on plasma elements facing plasma installations (variants)

Номер патента: RU2655666C1. Автор: Валерий Александрович Курнаев,Дмитрий Николаевич Синельников,Даниэль Грантович Булгадарян. Владелец: федеральное государственное автономное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2018-05-29.

Method and a device for settling at least partially of a crystalline silicon layer on a subtrate

Номер патента: RU2258764C1. Автор: Эдвард Алойс Герард ХАМЕРС,Арно Хендрикус Мари СМЕТС,ДЕ САНДЕН Мауритиус Корнелиус Мари ВАН,ДЕ САНДЕН Мауритиус Корнелиус Мария ВАН,Даниель Корнелис СХРАМ. Владелец: Технише Университет Эйндховен. Дата публикации: 2005-08-20.

Bulk acoustic wave (baw) and passive-on-glass (pog) filter co-integration

Номер патента: US20190363694A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Bulk acoustic wave (baw) and passive-on-glass (pog) filter co-integration

Номер патента: WO2019226285A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-11-28.

공기 공동 구조를 갖는 aog(antenna on glass)

Номер патента: KR20230024281A. Автор: 종해 김,제-슝 란,상-준 박. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2023-02-20.

Power supply circuit for on board energy source or storage device and particularly for super-capacitor storage unit

Номер патента: US20130314823A1. Автор: Massimo Rigoselli,Davide Mainardi,Davide Colombo. Владелец: ALSTOM TRANSPORT SA. Дата публикации: 2013-11-28.

Co alarm for super capacitance type generator

Номер патента: US11488463B1. Автор: Wangfu ZHANG. Владелец: Shaoxing Dushang Yicheng Electric Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-01.

Piezoelectric microphone fabricated on glass

Номер патента: EP2752029A1. Автор: Philip Jason Stephanou,David William Burns. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2014-07-09.

Method and Structure for Sensors on Glass

Номер патента: US20220009771A1. Автор: Ulrich Krumbein,Stefan Jost,Carsten Ahrens,Stephan Pindl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-01-13.

Method and structure for sensors on glass

Номер патента: US11608265B2. Автор: Ulrich Krumbein,Stefan Jost,Carsten Ahrens,Stephan Pindl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-03-21.

Method for enabling multiple vt devices using high-k metal gate stacks

Номер патента: WO2009056417A1. Автор: Vijay Narayanan,Arvind Kumar,Vamsi Paruchuri,Jeffrey Sleight,Martin Michael Frank. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-05-07.

Utilizing chip-on-glass technology to jumper routing traces

Номер патента: US09639214B2. Автор: Joseph Kurth Reynolds,Jim Dunphy. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Three-axis OIS for super-resolution imaging

Номер патента: US09426362B2. Автор: Roman Gutierrez,Tony Tang. Владелец: MEMS Drive Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Apparatus and method for super high-speed wireless communications

Номер патента: US20130084904A1. Автор: Myeong Woo HAN,Joun Sup PARK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Electric power supply system cooperated by a battery and a super capacitor

Номер патента: US09543784B2. Автор: ying-rong Chen,Mi-Ching Tsai,Shyh-Jier Huang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2017-01-10.

Secure crypto module including conductor on glass security layer

Номер патента: US09887847B2. Автор: Matthew S. Doyle,Gerald K. Bartley,Darryl J. Becker,Mark O. Maxson,Mark J. Jeanson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Super capacitor based power system for delivery vehicle

Номер патента: WO2022261483A1. Автор: Robert J. Wood, Sr.,Chad E. HALL. Владелец: Systematic Power Manufacturing, LLC. Дата публикации: 2022-12-15.

Method for manufacturing ultra-thin glass substrates and method for manufacturing display panel

Номер патента: US20230391661A1. Автор: FENG CHEN,Chun-Chieh Huang,Cheng-Chung Chiang,Hao-Yu Chou,Tian-Ming WU. Владелец: Flexi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Super capacitor based power system for delivery vehicle

Номер патента: US11837908B2. Автор: Robert J. Wood, Sr.,Chad E. HALL. Владелец: Systematic Power Manufacturing LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

Super capacitor based power module for lift gate

Номер патента: US11833987B2. Автор: Bryce Gregory,Daniel A. Patsos,Robert J. Wood, Sr.,Chad E. HALL,Luke Yetto,Joseph Agrelo. Владелец: Systematic Power Manufacturing LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

Super capacitor based power system for delivery vehicle

Номер патента: GB2612536A. Автор: J Wood Robert,E Hall Chad. Владелец: Systematic Power Manufacturing LLC. Дата публикации: 2023-05-03.

Super capacitor based power system for delivery vehicle

Номер патента: EP4188740A1. Автор: Robert J. Wood, Sr.,Chad E. HALL. Владелец: Systematic Power Manufacturing LLC. Дата публикации: 2023-06-07.

Super capacitor based power module for lift gate

Номер патента: CA3186597A1. Автор: Bryce Gregory,Daniel A. Patsos,Chad E. HALL,Luke Yetto,Joseph Agrelo,SR. Robert J. Wood. Владелец: Systematic Power Manufacturing LLC. Дата публикации: 2023-03-16.

System and method for super-resolution imaging

Номер патента: EP4235269A1. Автор: Sudhakar Prasad,Steven F. Griffin,Edwin P. Walker. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-08-30.

System and method for super-resolution imaging

Номер патента: US20230266602A1. Автор: Sudhakar Prasad,Steven F. Griffin,Edwin P. Walker. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-08-24.

Loop restoration filtering for super resolution video coding

Номер патента: US20190052911A1. Автор: Sang-Hee Lee,Ximin Zhang,Keith W. ROWE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for super-resolution evaluation of microscope images illuminated in a structured manner and microscope having structured illumination

Номер патента: US12094081B2. Автор: Ingo Kleppe,Yauheni Novikau. Владелец: CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH. Дата публикации: 2024-09-17.

Master monitoring system for charging of super capacitor

Номер патента: US9774202B2. Автор: Yang Li,Wei Li,Guohua Cao,Gongbo Zhou,Zhencai Zhu,Houlian WANG. Владелец: China University of Mining and Technology CUMT. Дата публикации: 2017-09-26.

Super capacitor based power module for lift gate

Номер патента: GB2612500A. Автор: Gregory Bryce,Yetto Luke,Agrelo Joseph,J Wood Robert,E Hall Chad,A Patsos Daniel. Владелец: Systematic Power Manufacturing LLC. Дата публикации: 2023-05-03.

Super capacitor based power module for lift gate

Номер патента: WO2022261456A1. Автор: Bryce Gregory,Daniel A. Patsos,Robert J. Wood, Sr.,Chad E. HALL,Luke Yetto,Joseph Agrelo. Владелец: Systematic Power Manufacturing, LLC. Дата публикации: 2022-12-15.

Switching converter compatible with super capacitor and control circuit thereof

Номер патента: US12068686B2. Автор: YONG ZHOU. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Photovoltaic energy storage topology with super-capacitor and storage battery hybrid

Номер патента: LU103161B1. Автор: Tao Hai,Jun Wang,Hongjuan Liu,Hailiang Mo,Panlong Fan,Lantian Hai,Shenhao Li. Владелец: Univ Guangxi. Дата публикации: 2024-02-15.

Glass substrate for display and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150162946A1. Автор: Chih Hao Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Conductive glass substrate, and system and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210360783A1. Автор: Chien-Shou Liao. Владелец: Asti Global Inc Taiwan. Дата публикации: 2021-11-18.

Methods for forming vias in glass substrates

Номер патента: US09656909B2. Автор: Uta-Barbara Goers,Robert Carl Burket,Samuel Odei Owusu,Tammy Lynn Petriwsky. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Rectifier-super capacitor device for use in a power system for a telecommunication facility

Номер патента: CA2506177A1. Автор: Larry L. Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-03.

Super capacitor changing system and method of performing the same

Номер патента: US20240140223A1. Автор: Sung Jin Kim,Tae Gyung Kim. Владелец: Seoyon E Hwa Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Camera module having sandwiched lens structure in between two glass substrates

Номер патента: US20240244307A1. Автор: Jau-Jan Deng,Tsung Wei Wan,Wei Ping Chen. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for bonding an integrated circuit device to a glass substrate

Номер патента: US20030019573A1. Автор: SAKAE Tanaka,Ta-Ko Chuang. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

For hybrid super-capacitor / battery systems in pulsed power applications

Номер патента: US09882380B2. Автор: Raymond B Sepe, Jr.,Steven Bastien,Anton Steyerl. Владелец: Electro Standards Labaratories. Дата публикации: 2018-01-30.

All-silicon electrode capacitive transducer on a glass substrate

Номер патента: US09837935B2. Автор: Burgess R. Johnson,Ryan Supino. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of applying a silver layer to a glass substrate

Номер патента: US6027862A. Автор: Martin H. Blees,Antonius A. M. Van Weert. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2000-02-22.

Glass substrate for high-frequency device and circuit board for high-frequency device

Номер патента: US12037283B2. Автор: Nobuhiko Takeshita,Kazutaka Ono,Shuhei Nomura,Nobutaka KIDERA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Glass substrate for flexible display and display device including the same

Номер патента: US20230168718A1. Автор: Jinsoo Choi,Hyunsuk CHOI,Hosoon Lee,Wonsun LEE,Gyejoon YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Glass substrate for flexible display, and display device comprising same

Номер патента: EP4414333A1. Автор: Jinsoo Choi,Hyunsuk CHOI,Hosoon Lee,Wonsun LEE,Gyejoon YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Glass substrate for high-frequency device and circuit board for high-frequency device

Номер патента: US20240317631A1. Автор: Nobuhiko Takeshita,Kazutaka Ono,Shuhei Nomura,Nobutaka KIDERA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Glass substrate and glass substrate for high frequency device

Номер патента: US10264672B2. Автор: Motoshi Ono,Shigetoshi Mori,Mamoru Isobe,Kohei HORIUCHI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

Glass substrate, fabricating method of the same, and display device having the same

Номер патента: US20230202916A1. Автор: Seung Kim,Jeong Seok Lee,Myung Hwan Kim,Seung Ho Kim,Eun Kyung Yeon,Hoi Kwan Lee,Ik Hyung PARK,Jong Hoon YEUM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Organic thin film transistor with ion exchanged glass substrate

Номер патента: EP2789026A1. Автор: Mingqian He,James Robert Matthews,Jianfeng Li,Michael S. Pambianchi. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Acoustic wave devices with common glass substrate

Номер патента: US11349454B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Kwang Jae Shin. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2022-05-31.

Retention improvement of rram devices by high-k encapsulation

Номер патента: EP3979347A1. Автор: Albert Chen,Oleg Golonzka,Nathan STRUTT,Christopher Jezewski,Elijah Karpov,Pedro Quintero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-04-06.

Retention improvement of rram devices by high-k encapsulation

Номер патента: EP3671875A1. Автор: Albert Chen,Oleg Golonzka,Nathan STRUTT,Christopher Jezewski,Elijah Karpov,Pedro Quintero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-24.

Glass substrate with reduced internal reflectance and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2017178166A1. Автор: Pierre Boulanger,Benjamine NAVET. Владелец: Agc Glass Company North America. Дата публикации: 2017-10-19.

Glass substrate for flexible display, and display device comprising same

Номер патента: EP4382497A1. Автор: Jinsoo Choi,Hyunsuk CHOI,Hosoon Lee,Wonsun LEE,Gyejoon YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-12.

Method of producing thin nanocrystalline intermetallic film on glass substrate

Номер патента: RU2601365C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Анна Николаевна Макрушина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2016-11-10.

Method of partially forming oxide layer on glass substrate

Номер патента: US20010010836A1. Автор: Osamu Ishii,Koichi Sakaguchi,Yasunori Shiraishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Article with a hybrid highly absorbent energy-saving coating on a glass substrate

Номер патента: RU2696748C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Бернт,Валерий Олегович Пономаренко,Игорь Сергеевич Ерёмин,Екатерина Андреевна Мещерякова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Пилкингтон Гласс". Дата публикации: 2019-08-05.

Method of producing layer of transparent conducting oxide on glass substrate

Номер патента: RU2505888C1. Автор: Евгений Иванович Теруков,Александр Васильевич Бобыль,Федор Юрьевич Солдатенков,Дмитрий Александрович Андроников,Алексей Станиславович Абрамов,Екатерина Евгеньевна Терукова,Михаил Юрьевич Семерухин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2014-01-27.

Heat-resistant highly selective energy-saving silver coating on glass and method of its production

Номер патента: RU2734189C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Бернт,Валерий Олегович Пономаренко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Пилкингтон Гласс". Дата публикации: 2020-10-13.

Bronze color product with hybrid energy-saving coating on glass substrate

Номер патента: RU2648769C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Бернт,Валерий Олегович Пономаренко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Пилкингтон Гласс". Дата публикации: 2018-03-28.

Radiation-transmissive films on glass articles

Номер патента: EP1261560A1. Автор: Moses M. David,Brian K. Nelson,Bryon J. Cronk,Trevor W. MacDougall,Brian J. Gates,James F. Brennen, Iii. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2002-12-04.

Silver product with hybrid energy-saving coating on glass substrate

Номер патента: RU2642751C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Бернт,Валерий Олегович Пономаренко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Пилкингтон Гласс". Дата публикации: 2018-01-25.

Methods for printing on glass

Номер патента: US09724727B2. Автор: Govindarajan Natarajan,Jeffrey John DOMEY,Paul John SHUSTACK,Jian-Zhi Jay Zhang,Matthew Wade FENTON. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Blue product with hybrid energy-saving coating on glass substrate

Номер патента: RU2642753C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Бернт,Валерий Олегович Пономаренко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Пилкингтон Гласс". Дата публикации: 2018-01-25.

Radiation-transmissive films on glass articles

Номер патента: AU2001217837A1. Автор: Moses M. David,Brian K. Nelson,Brian J. Gates,Bryon J Cronk,Trevor W Macdougall,James F. Brennen III. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2001-09-17.

Heat-resistant highly selective energy-saving green coating on glass and method of production thereof

Номер патента: RU2735505C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Бернт,Валерий Олегович Пономаренко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Пилкингтон Гласс". Дата публикации: 2020-11-03.

Electrode fabrication and die shaping for metal-on-glass ion traps

Номер патента: WO2023081543A2. Автор: Jason Madjdi AMINI. Владелец: IonQ, Inc.. Дата публикации: 2023-05-11.

Electrode fabrication and die shaping for metal-on-glass ion traps

Номер патента: US20230034306A1. Автор: Jason Madjdi AMINI. Владелец: Ionq Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Method for manufacture of glass substrate with ornament(s) based on paint(s)

Номер патента: RU2197393C2. Автор: Хайнц-Йозеф НИКОЛИН. Владелец: Сэн-Гобэн Витраж. Дата публикации: 2003-01-27.

Heat-resistant highly selective energy-saving bronze color coating on glass and method of its production

Номер патента: RU2728005C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Бернт,Валерий Олегович Пономаренко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Пилкингтон Гласс". Дата публикации: 2020-07-28.

Patterns on glass for increased light transmission and/or light trapping

Номер патента: MY168409A. Автор: Pal Koppa,Adam D Polcyn,Szaboles Beleznai. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2018-11-08.

Electrode fabrication and die shaping for metal-on-glass ion traps

Номер патента: WO2023081543A3. Автор: Jason Madjdi AMINI. Владелец: IonQ, Inc.. Дата публикации: 2023-06-29.

Water-repellent metal oxide film and method of forming same on glass substrate

Номер патента: US5413865A. Автор: Ichiro Nakamura,Osamu Takahashi,Hiroaki Arai,Seiji Yamazaki,Shigeo Hamaguchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 1995-05-09.

Method of plating on glass substrate and method of manufacturing magnetic recording medium using the method of plating

Номер патента: US20060134325A1. Автор: Youichi Tei,Akira Iso. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

Method for preparing bactericidal film having silicon nitride binding layer on glass and ceramics

Номер патента: US20210180176A1. Автор: Fook Chi Mak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

Product with hybrid energy-saving coating on glass substrate

Номер патента: RU2636995C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Бернт,Валерий Олегович Пономаренко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Пилкингтон Гласс". Дата публикации: 2017-11-29.

High-k metal gate device structure for human blood gas sensing

Номер патента: US20140300340A1. Автор: Chen Shi,Yanfeng Wang,Sufi Zafar,Steven E. Steen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

High-k metal gate device structure for human blood gas sensing

Номер патента: US20140299922A1. Автор: Chen Shi,Yanfeng Wang,Sufi Zafar,Steven E. Steen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Proteinaceous colloid compositions provided on glass supports

Номер патента: US3661584A. Автор: Jozef Frans Willems,Herman Adelbert Philippaerts,Walter August Van Den Heuvel,Roland Francois Beels,Renaat Frans Heylen. Владелец: Agfa Gevaert NV. Дата публикации: 1972-05-09.

Roll mill for super absorbent polymer and method for preparing super absorbent polymer using same

Номер патента: EP4249124A1. Автор: Yoon Jae Min,Gicheul KIM,Seokhyeon Baek. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Hot-melt glass pillar lamp and multi-channel heat dissipation method thereof

Номер патента: US8197106B2. Автор: Haisheng Chen,Chunping ZHANG,Naiqun Jiang. Владелец: Shenzhen Tronsin Illuminating Technique Ltd. Дата публикации: 2012-06-12.

Method for obtaining tin oxide coat on glass

Номер патента: RU2194089C2. Автор: Мишел САУБЕЙРЭНД,Антони ХЭЛЛАЙВЕЛЛ. Владелец: Либби-Оуэнс-Форд Ко.. Дата публикации: 2002-12-10.

Method and apparatus for sand blasting a design on glass

Номер патента: US4801490A. Автор: James R. Schuette. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-01-31.

Method of forming water-repellent metal oxide film coated on glass substrate

Номер патента: US5266358A. Автор: Ichiro Nakamura,Toshikazu Nishide,Ryuzo Uemura. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1993-11-30.

Surface Micromachining Process of MEMS Ink Jet Drop Ejectors On Glass Substrates

Номер патента: US20110003405A1. Автор: Joel A. Kubby,Jingkuang Chen,James B. Boyce,Chingwen Yeh,Kathleen Boyce,Feixia Pan. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2011-01-06.

Hot-Melt Glass Pillar Lamp and Multi-Channel Heat Dissipation Method Thereof

Номер патента: US20100046216A1. Автор: Haisheng Chen,Chunping ZHANG,Naiqun Jiang. Владелец: SHENZHEN TORNSIN ILLUMINATING TECHNIQUE Ltd. Дата публикации: 2010-02-25.

Coating film-equipped glass substrate, and method for producing coating film-equipped glass substrate

Номер патента: US09988303B2. Автор: Kazunobu Maeshige,Yuki Aoshima,Nobutaka Aomine,Hiroshi HANEKAWA,Hirotomo Kawahara. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Chip-on-glass panel device

Номер патента: US20100060840A1. Автор: Tzong-Yau Ku. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2010-03-11.

Electrode fabrication and die shaping for metal-on-glass ion traps

Номер патента: EP4377975A2. Автор: Jason Madjdi AMINI. Владелец: Ionq Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Process for forming a silica coating on a glass substrate

Номер патента: WO2013041840A1. Автор: Douglas Martin NELSON. Владелец: Pilkington Group Limited. Дата публикации: 2013-03-28.

Method of forming niobium doped tin oxide coatings on glass and coated glass formed thereby

Номер патента: EP1296902A1. Автор: David A. Strickler,Srikanth Varanasi,Kevin D. Sanderson. Владелец: Pilkington North America Inc. Дата публикации: 2003-04-02.

Method of forming niobium doped tin oxide coatings on glass and coated glass formed thereby

Номер патента: US20030152711A1. Автор: Srikanth Varanasi,David Strickler,Kevin Sanderson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Method for determining a capacity value of at least one super-capacitor of an electromechanical braking system of at least one vehicle, electromechanical braking system, and vehicle

Номер патента: US20240270228A1. Автор: Matteo Frea,Roberto Tione. Владелец: Faiveley Transport Italia SpA. Дата публикации: 2024-08-15.

Device For Super Cryogenic Forming Of Metal Thin-Walled Curved Surface Part

Номер патента: US20220080488A1. Автор: Xiaobo Fan,Shijian YUAN. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for producing thin nanodiamond film on glass substrate

Номер патента: RU2614330C1. Автор: Владимир Александрович Плотников,Владимир Иванович Ярцев,Константин Васильевич Соломатин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2017-03-24.

Method of applying oxidized stainless steel on glass articles

Номер патента: RU2766421C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Старцев. Владелец: Дмитрий Юрьевич Старцев. Дата публикации: 2022-03-15.

Multilayer glass for projection display on glass

Номер патента: RU2715871C1. Автор: Валентин Шульц,Флориан Манц,Уве Ван Дер Мелен. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2020-03-03.

Liquid preparation for the production of electrically conductive and infrared-reflecting fluorine-doped tin oxide layers on glass or glass-ceramic surfaces, as well as a method for the production of such layer

Номер патента: US4963437A. Автор: Erich Ruf. Владелец: TH Goldschmidt AG. Дата публикации: 1990-10-16.

Method for laser printing of photographic image on glass article

Номер патента: RU2715435C2. Автор: Эн Ках ЭВЕ. Владелец: Эн Ках Энтерпрайз Сдн Бхд. Дата публикации: 2020-02-28.

Formation of tin oxide films on glass substrates

Номер патента: US5487784A. Автор: Frank B. Ellis, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-01-30.

Method for determining a capacity value of a super-capacitor of an electromechanical braking system of at least one vehicle, electromechanical braking system, and vehicle

Номер патента: US20240253603A1. Автор: Matteo Frea,Roberto Tione. Владелец: Faiveley Transport Italia SpA. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for determining a capacity value of at least one super-capacitor of an electromechanical braking system of at least one vehicle, electromechanical braking system, and vehicle

Номер патента: EP4347335A1. Автор: Matteo Frea,Roberto Tione. Владелец: Faiveley Transport Italia SpA. Дата публикации: 2024-04-10.

Method for determining a capacity value of a super-capacitor of an electromechanical braking system of at least one vehicle, electromechanical braking system, and vehicle

Номер патента: EP4347334A1. Автор: Matteo Frea,Roberto Tione. Владелец: Faiveley Transport Italia SpA. Дата публикации: 2024-04-10.

Systems and methods for Kalman filter-based microvessel inpainting for super-resolution imaging

Номер патента: US11748849B2. Автор: Shigao Chen,Armando Manduca,Joshua D. Trzasko,Pengfei Song,Shanshan TANG. Владелец: Mayo Foundation for Medical Education and Research. Дата публикации: 2023-09-05.

Electronic pen using a super capacitor as power supply

Номер патента: US20110001730A1. Автор: Jian Zhu,Jianzhong Wu,Weihong Lu,Jianhao LIN. Владелец: Julong Educational Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

2d and 3d rf lumped element devices for rf system in a package photoactive glass substrates

Номер патента: WO2023200624A1. Автор: Jeb H. Flemming,Kyle Mcwethy,Jeff A. Bullington. Владелец: 3D Glass Solutions, Inc.. Дата публикации: 2023-10-19.

Roll Mill for Super Absorbent Polymer and Method for Preparing Super Absorbent Polymer Using the Same

Номер патента: US20240100740A1. Автор: Yoon Jae Min,Gicheul KIM,Seokhyeon Baek. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Glass substrate with antifouling layer and front plate for display

Номер патента: EP3718977A1. Автор: Daisuke Kobayashi,Kensuke Fujii,Michinori Suehara. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-07.

Methods for super-resolution ultrasound imaging of microvessels

Номер патента: EP4349263A2. Автор: Shigao Chen,Armando Manduca,Joshua D. Trzasko,Pengfei Song. Владелец: Mayo Foundation for Medical Education and Research. Дата публикации: 2024-04-10.

System and method for super-resolution image processing in remote sensing

Номер патента: WO2022267693A1. Автор: Mei Han,Yuchuan Gou,Juihsin Lai. Владелец: PING AN TECHNOLOGY (SHENZHEN) CO., LTD.. Дата публикации: 2022-12-29.

Drilling system having a super-capacitor amplifier and a method for transmitting signals

Номер патента: US09631484B2. Автор: Lawrence Chang-Yung Wang,Vladimir Rozenblit,Vadim Buryakovsky,Yevgeniy Filipp Fiterman. Владелец: R&B Industrial Supply Co. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods for laser cutting glass substrates

Номер патента: US09533910B2. Автор: Xinghua Li,Lisa Anne Moore. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Systems, apparatus, and methods for super-resolution of non-uniform blur

Номер патента: US20230281756A1. Автор: Charles Laroche,Andrés ALMANSA,Matias Tassano Ferrés. Владелец: GoPro Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

System and method for testing chip-on-glass bonding quality

Номер патента: EP3384525A1. Автор: QIAN Han,Jose Garcia,Guoping Luo,Guangrong Wu,Chuanning Chen,Xiangan Zhu,Shunlin Chen,Steven R. Loza. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-10.

System and Method for Testing Chip-on-Glass Bonding Quality

Номер патента: US20170193870A1. Автор: QIAN Han,Jose Garcia,Guoping Luo,Guangrong Wu,Chuanning Chen,Xiangan Zhu,Shunlin Chen,Steven R. Loza. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

System and method for testing chip-on-glass bonding quality

Номер патента: US09928767B2. Автор: QIAN Han,Jose Garcia,Guoping Luo,Guangrong Wu,Chuanning Chen,Xiangan Zhu,Shunlin Chen,Steven R. Loza. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of producing thick-sheet steel and steel tubes for super strong pipeline

Номер патента: RU2461636C1. Автор: Ацуси СИМИДЗУ,Таиси ФУДЗИСИРО,Такуя ХАРА,Йосио ТЕРАДА,Ясухиро СИНОХАРА,Юу УТИДА. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2012-09-20.

Data processing for super-resolution

Номер патента: RU2652722C1. Автор: Глеб Сергеевич МИЛЮКОВ,Андрей Юрьевич ЩЕРБИНИН,Сергей Станиславович Завалишин,Илья Васильевич Курилин,Ксения Юрьевна Петрова,Иван Викторович ГЛАЗИСТОВ,Владимир Геннадьевич КУРМАНОВ,Кирилл Викторович Лебедев,Александр Александрович Молчанов. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2018-04-28.

Press-mold and its insert for super-plastic molding

Номер патента: RU2264881C2. Автор: Даниэль МЕРЛЬ,Фредерик КАЙО. Владелец: Везувиус Крусибл Компани. Дата публикации: 2005-11-27.

Method of connecting fluoroplastic varnished cloth on glass-cloth basis

Номер патента: RU2600060C2. Автор: Валерий Николаевич Песков,Алексей Андреевич Арешкин. Владелец: Публичное акционерное общество "Научно-прозводственное оъединение "Алмаз" имени академика А.А. Расплетина" (ПАО "НПО "Алмаз"). Дата публикации: 2016-10-20.

New reactor for super high-temperature and pressure reactions

Номер патента: RU2471544C2. Автор: Стефан БЕРТОЛЭН,Фабрис ЖИРУДЬЕР. Владелец: Ифп. Дата публикации: 2013-01-10.

Sealing cap on glass vessel

Номер патента: RU2487064C2. Автор: Ален ГРЭЙЕ,Ги БУАРОН. Владелец: Амкор Флексибль Селеста Сас. Дата публикации: 2013-07-10.

Method for manufacturing ultra-thin glass substrate and method for manufacturing display panel

Номер патента: US20220127186A1. Автор: FENG CHEN,Chun-Chieh Huang,Cheng-Chung Chiang,Hao-Yu Chou,Tian-Ming WU. Владелец: Aeneq Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for manufacturing ultra-thin glass substrate and method for manufacturing display panel

Номер патента: US11851363B2. Автор: FENG CHEN,Chun-Chieh Huang,Cheng-Chung Chiang,Hao-Yu Chou,Tian-Ming WU. Владелец: Flexi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Process for forming a silica coating on a glass substrate

Номер патента: US20130071566A1. Автор: Douglas M. Nelson. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for manufacturing glass substrate for data storage medium and glass substrate

Номер патента: MY155556A. Автор: Tatsuo Nagashima,Tetsuya Nakashima. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-30.

Process for forming a silica coating on a glass substrate

Номер патента: EP2758350A1. Автор: Douglas Martin NELSON. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2014-07-30.

Beta-cyclodextrin immobilized on glass and cholesterol removal using the same

Номер патента: US20140348997A1. Автор: Seunho Jung,Muhammad Nazir Tahir,Seung Ryeoul Paik,Daham Jeong,Chanho Kwon. Владелец: University Industry Cooperation Corporation of Konkuk University. Дата публикации: 2014-11-27.

Beta-cyclodextrin immobilized on glass and cholesterol removal using the same

Номер патента: US9049871B2. Автор: Seunho Jung,Muhammad Nazir Tahir,Seung Ryeoul Paik,Daham Jeong,Chanho Kwon. Владелец: University Industry Cooperation Corporation of Konkuk University. Дата публикации: 2015-06-09.

Spin-on-glass assisted polishing of rough substrates

Номер патента: EP2788161A1. Автор: Henrik Pranov. Владелец: InMold Biosystems AS. Дата публикации: 2014-10-15.

Apparatus and method for super-resolution brillouin microscopy

Номер патента: US20240230532A1. Автор: Jitao Zhang. Владелец: WAYNE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and method for super-resolution brillouin microscopy

Номер патента: WO2024148350A1. Автор: Jitao Zhang. Владелец: WAYNE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-11.

Stacked substrate separation loading apparatus and method of producing glass substrates

Номер патента: SG169319A1. Автор: Haruo Watanabe,Tomohiro Hoshino,Takeshi Miyawaki. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-30.

Structure of clip-on glasses

Номер патента: AU2022203619A1. Автор: Pik Fung Chan. Владелец: Grand Maple Optical Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Metal-free CVD coating of graphene on glass and other dielectric substrates

Номер патента: US09970101B2. Автор: Xinyuan Liu,Robert George Manley,Robert Michael Morena,Zhen Song. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Time reversal and phase coherent music techniques for super-resolution ultrasound imaging

Номер патента: US09955944B2. Автор: Yassin Labyed,Lianjie Huang. Владелец: Los Alamos National Security LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Windowed time-reversal music technique for super-resolution ultrasound imaging

Номер патента: US09955943B2. Автор: Yassin Labyed,Lianjie Huang. Владелец: Los Alamos National Security LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Optimal altitude controller for super pressure aerostatic balloon

Номер патента: US09550558B1. Автор: C. O. Lee Boyce, Jr.,Johan Mathe,Keith Allen Bonawitz. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Metal-free CVD coating of graphene on glass and other dielectric substrates

Номер патента: US09505624B2. Автор: Xinyuan Liu,Robert George Manley,Robert Michael Morena,Zhen Song. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of aluminum application on glass articles

Номер патента: RU2765966C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Старцев. Владелец: Дмитрий Юрьевич Старцев. Дата публикации: 2022-02-07.

Methods of applying titanium oxide coatings on glass articles

Номер патента: RU2765964C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Старцев. Владелец: Дмитрий Юрьевич Старцев. Дата публикации: 2022-02-07.

Method of manufacturing a glass substrate coated with a metal oxide

Номер патента: US5905336A. Автор: Claudia Mutter,Thomas N. M. Bernards,Henricus A. M. Van Hal,Marcus J. Van Bommel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-05-18.

Polishing slurry, production method of glass substrate for information recording medium and production method of information recording medium

Номер патента: WO2006025539A1. Автор: Hiroyuki Machida,Katsuaki Aida,Kazuyuki Haneda. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2006-03-09.

System and method for super-resolution image processing in remote sensing

Номер патента: US11830167B2. Автор: Mei Han,Yuchuan Gou,Juihsin Lai. Владелец: Ping An Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Chemical strengthening treatment unit for applying chemical strengthening treatment to glass substrates used in information recording media application

Номер патента: US20060230788A1. Автор: Junichi Hashimoto. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-19.

Methods for super-resolution ultrasound imaging of microvessels

Номер патента: EP4349263A3. Автор: Shigao Chen,Armando Manduca,Joshua D. Trzasko,Pengfei Song. Владелец: Mayo Foundation for Medical Education and Research. Дата публикации: 2024-06-05.

Site-specific connecting of glass substrates

Номер патента: US20220089482A1. Автор: Norbert Ambrosius,Roman Ostholt,Arne Schnoor,Daniel Dunker,Robin Krüger,Bernd Rösener,Oktavia Ostermann,Malte Schulz-Ruhtenberg. Владелец: LPKF Laser and Electronics AG. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for producing chemically strengthened glass substrate, method for reworking chemically strengthened glass substrate, and chemically strengthened glass substrate

Номер патента: US20230365463A1. Автор: Yusuke Fujiwara,Takashi Eto,Akio SHIZUKAI,Seikichi Tei,Kaname Sekiya. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Carrier for thin glass substrates and use thereof

Номер патента: EP2761051A1. Автор: Oliver Heimel,Andre Brüning,Reiner Hinterschuster,Hans Georg Wolf. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-08-06.

Distribution method and distribution apparatus for distributing glass substrates and related processing system

Номер патента: US20180099819A1. Автор: Song BAN. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

Method of pre-etching glass substrate for reducing releasing time

Номер патента: US20040192047A1. Автор: Bing-Ru Chen,Long-Sun Huang,Shi-Yuan Tseng. Владелец: WALSIN LIHWA CORP. Дата публикации: 2004-09-30.

Method for manufacturing ultra-thin glass substrate, ultra-thin glass substrate, and display device

Номер патента: US20240360030A1. Автор: Zheng Fang,Xiaolin Xu,Qiang Tang,Yongxiao Gao,Tiejun Bi,Shiyou Wang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of processing a glass substrate and glass apparatus

Номер патента: US09902130B2. Автор: Govindarajan Natarajan,Kiat Chyai Kang,Sue Camille Lewis,Donald Orrin Bigelow,Eungsik Park. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Water dispersions applied on glass-containing fibres and glass-containing substrates

Номер патента: RU2415010C2. Автор: Брэд М. МОНКЛА,Дэвид Дж. МАГЛИ. Владелец: Дау Глобал Текнолоджиз Инк.. Дата публикации: 2011-03-27.

Method of applying l63 brass on glass products

Номер патента: RU2765965C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Старцев. Владелец: Дмитрий Юрьевич Старцев. Дата публикации: 2022-02-07.

Method for producing textured glass substrate with applied anti-reflecting coating of sol-gel type

Номер патента: RU2770760C2. Автор: Сяолинь ПАРДАЛЬ,Гийом ЛЕКИПП,Серван АЛЛЕ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2022-04-21.

Glass substrate for magnetic disk and manufacturing method of the same

Номер патента: US8783063B2. Автор: Hideki Isono,Shinji Eda,Katsuyuki Iwata,Kinobu Osakabe,Kenichiro Terada. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2014-07-22.

Glass substrate for an optical disk and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20020086130A1. Автор: Yasuaki Sakamoto. Владелец: itrix Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Method for manufacturing fine surface roughness on quartz glass substrate

Номер патента: US20220315482A1. Автор: Kazuya Yamamoto,Kenji Tanibe. Владелец: Nalux Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Method of remedying glass substrate defect, method of producing glass substrate, glass substrate for display panel, and display panel

Номер патента: US20110159227A1. Автор: Takenori Yoshizawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Disk-shaped glass substrate manufacturing method, sheet glass substrate manufacturing method, light guide plate manufacturing method, and disk-shaped glass substrate

Номер патента: EP4368340A1. Автор: Masao Takano,Kashio NAKAYAMA. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-05-15.

On-line thickness gauge and method for measuring the thickness of a moving glass substrate

Номер патента: WO2006076435A2. Автор: Kenneth C. Chen,Jeffrey Clinton Mccreary,Edward J. Lenhardt,Daniel Y. Ma,James P. Terrell, Jr.. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2006-07-20.

Method for the production of glass substrates for magnetic recording mediums.

Номер патента: MY126084A. Автор: Akio Fujimura,Daisaku Kobayashi. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co. Дата публикации: 2006-09-29.

Methods for forming ion-exchanged waveguides in glass substrates

Номер патента: EP3504167A1. Автор: Ming-Jun Li,Minghan CHEN,Gaozhu Peng. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2019-07-03.

Glass substrate for information recording medium and method for manufacturing the same

Номер патента: MY182274A. Автор: Noriko Shimazu. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2021-01-18.

Information recording medium glass substrate and information recording medium

Номер патента: US20070264533A1. Автор: Ryoji Kobayashi,Kouichi Tsuda. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-15.

Temperature assisted processing of flexible glass substrates

Номер патента: WO2014179137A1. Автор: Anatoli Anatolyevich Abramov,Marvin William Kemmerer,William John Bub, III. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2014-11-06.

Glass substrate, black matrix substrate, and display panel

Номер патента: US12071370B2. Автор: Daisuke Kobayashi,Atsuyoshi Takenaka,Kazutaka Ono,Hirofumi TOKUNAGA,Yoshitaka MAEYANAGI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method and apparatus for trimming edges of glass substrates during inline processing

Номер патента: WO2021154528A1. Автор: Yong-Shin Kim,Ian Kirk,Yu-Ren Wang,Nils Paul FORNELL,Suk-Ju Kim,Tae-hun HAN,Craig Marshall Phenes,Misha Andre Gerschel,Younghoo KIM,Jared David BECKWITH. Владелец: Corning Precision Materials Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-08-05.

Composition for effecting artificial frost on glass

Номер патента: US20190040265A1. Автор: Abram Scurlock,Timothy KRYTENBERG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-07.

Glass substrate having a grooved portion, method for fabricating the same, and press mold for fabricating the glass substrate

Номер патента: US20060022349A1. Автор: Takeshi Shimazaki,Hiroshi Wakatsuki,Masatoshi Ohyama. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Methods and systems for forming microstructures in glass substrates

Номер патента: EP2280912A1. Автор: Robert S Wagner. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2011-02-09.

Method of embedding material in a glass substrate

Номер патента: EP2491587A2. Автор: Kensall Wise,Razi-Ul Haque. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2012-08-29.

Method of embedding material in a glass substrate

Номер патента: WO2011049963A2. Автор: Kensall Wise,Razi-Ul Haque. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2011-04-28.

Liquid crystal display of line-on-glass type

Номер патента: US20030189679A1. Автор: Sang-Moo Song,Kwang Park,Seung Choi,Choel Woo. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-09.

Method of manufacturing glass substrate having penetrating structure, and glass substrate

Номер патента: US20230183130A1. Автор: Katsuaki Miyatani,Mamoru Isobe,Kohei HORIUCHI,Naoki UEMURA,Akiko OSAKI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for manufacturing glass block or glass blanks for hdd glass substrate, and method for manufacturing hdd glass substrate

Номер патента: MY167258A. Автор: Hiroshi Kajita. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-08-14.

Methods and apparatus for fabricating glass substrates for use in magnetic recording media

Номер патента: US20240336512A1. Автор: Shoji Suzuki,Siew Fu Chai,Tze Ming Pui. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for manufacturing glass substrate, and glass substrate

Номер патента: EP4442655A1. Автор: Takeaki ONO,Isao Saito,Akihiro Shibata,Takuma Fujiwara,Ryoichi Iida. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for cutting single sheet of glass substrate

Номер патента: US09586851B2. Автор: Jiangbo Yao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Glass substrate storage platform

Номер патента: US09487354B2. Автор: Yun Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Glass substrate for display cover glass and its production process

Номер патента: US09463996B2. Автор: Hiroyuki Yamamoto,Yusaku Matsuo. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Pick-and-place device for glass substrate

Номер патента: US09452536B2. Автор: Shih Ying Sun. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of producing thick-sheet steel and steel tubes for super strong pipeline

Номер патента: RU2459875C1. Автор: Ацуси СИМИДЗУ,Таиси ФУДЗИСИРО,Такуя ХАРА,Йосио ТЕРАДА,Ясухиро СИНОХАРА,Юу УТИДА. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2012-08-27.

Method of application of coat on glass

Номер патента: RU2269495C2. Автор: Дэвид РИММЕР,Саймон Джеймс ХЕРСТ,Кевин Дэвид СЭНДЭРСОН,Тимоти Ян МАККИТТРИК. Владелец: ПИЛКИНГТОН ПЛС. Дата публикации: 2006-02-10.

Welding material for super low temperature steels

Номер патента: US3853611A. Автор: T Sugiyama,K Nishimura,T Godai. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 1974-12-10.

Laser printed photo on glass article method thereof

Номер патента: AU2016333713A8. Автор: Eng Kah EWE. Владелец: Eng Kah Entpr Sdn Bhd. Дата публикации: 2018-08-23.

Improvements in or relating to apparatus for super-atmospheric oxygen therapy

Номер патента: GB1096112A. Автор: Karl Goitein. Владелец: Vickers Ltd. Дата публикации: 1967-12-20.

Clip-on glasses assembly and actuating mechanism therefor

Номер патента: CA2464193C. Автор: Robert G. Begg. Владелец: 20/20 MARKETING Ltd. Дата публикации: 2007-03-27.

Method and apparatus for super resolution

Номер патента: EP4339877A1. Автор: Hyong Euk Lee,Eunhee Kang,Younghyun JO,Sehwan Ki. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-20.

Windowed time-reversal music technique for super-resolution ultrasound imaging

Номер патента: US20140364738A1. Автор: Yassin Labyed,Lianjie Huang. Владелец: Los Alamos National Security LLC. Дата публикации: 2014-12-11.

Method and apparatus for super resolution

Номер патента: US20240087087A1. Автор: Hyong Euk Lee,Eunhee Kang,Younghyun JO,Sehwan Ki. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Continuous polymerization reactor for super absorbent polymer and continuous polymerization reaction system

Номер патента: US20240026040A1. Автор: Yoon Jae Min,Hee Kwan Park,Seul Ah Lee,Gicheul KIM,Kyunghoon Min,Gyunhyeok AHN. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Polymer-coated glass substrate

Номер патента: US20240217869A1. Автор: Yasuhisa Minagawa. Владелец: Sumitomo Rubber Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Polymer-coated glass substrate

Номер патента: EP4389714A1. Автор: Yasuhisa Minagawa. Владелец: Sumitomo Rubber Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for manufacturing magnetic-disk glass substrate

Номер патента: MY178448A. Автор: Ken Tamura,Junpei Fukada. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2020-10-13.

Manufacturing method for cell-unit glass substrates

Номер патента: US20240140857A1. Автор: Sung Soo Park,Jeong Won Oh. Владелец: JOONGWOO M-TECH Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for manufacturing a glass substrate for a magnetic disc

Номер патента: MY175534A. Автор: Masaaki Ueda,Seiji Sakaguchi,Ryuichi Kashima. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2020-07-01.

Apparatus for cleaning glass substrate for use in information recording medium

Номер патента: MY130390A. Автор: Junichi Hashimoto,Norihiro Fujioka. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2007-06-29.

Synthetic quartz glass substrate for use in microfluidic device, synthetic quartz glass microfluidic device, and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4201897A1. Автор: Masaki Takeuchi,Masao Ando,Hiroyuki Yamazaki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Ion exchange processes and chemically strengthened glass substrates resulting therefrom

Номер патента: US12012357B2. Автор: Sean Matthew Garner,Michael Lesley Sorensen. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Micro-optical element having high bonding strength between glass substrate and micro-structure layer

Номер патента: US12006251B2. Автор: Huiyan Fan,Guangjun Zhang,Yanquan SHAN,Weizhi DENG. Владелец: Schott Glass Technologies Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Rearview mirror assembly with flexible glass substrate

Номер патента: US12049168B2. Автор: Hamid Habibi. Владелец: Magna Mirrors of America Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Corrosion-resistant and/or cleanable coated glass substrate

Номер патента: GB2614722A. Автор: MIYAMOTO Yoko,Mitsuhiro Kawazu,Anna Louise COLLEY,Charlie James PATRICKSON,William Aspinall. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2023-07-19.

Glass Substrate Multilayer Structure, Method of Producing the Same, and Flexible Display Panel Including the Same

Номер патента: US20220073422A1. Автор: Cheol Min Yun. Владелец: SK IE Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Magnetic disk using a glass substrate

Номер патента: US20040161577A1. Автор: Hiroshi Tomiyasu,Teiichiro Umezawa,Keiji Moroishi. Владелец: Hoya Magnetics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2004-08-19.

Disk-shaped glass substrate, magnetic-disk glass substrate, method for manufacturing magnetic-disk glass substrate, and magnetic disk

Номер патента: US20160163344A1. Автор: Ryuichi Kashima. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Transmission Device and Transmission Method for Glass Substrate

Номер патента: US20140124338A1. Автор: Yongqiang Wang,Zhenhua Guo,Chunhao Wu,Kunhsien Lin,Weibing Yang,Yunshao Jiang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Glass substrate and leveling thereof

Номер патента: US20020179576A1. Автор: Masaki Takeuchi,Yukio Shibano. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Glass substrate transport box

Номер патента: SG185184A1. Автор: Ching Yang Lee,Shiang Ru Lai. Владелец: Botech Ind Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for manufacturing glass substrate, and glass substrate

Номер патента: US20240308899A1. Автор: Takeaki ONO,Isao Saito,Akihiro Shibata,Takuma Fujiwara,Ryoichi Iida. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Processing machine of display apparatus and processing method of glass substrate

Номер патента: US09798168B2. Автор: Bin Xu,Tao Xu,Chung-hsien FANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Apparatus and method for highly accurate real-time photoelectric glass substrate identification

Номер патента: US09760985B2. Автор: Ron Tsai,Ta-Jen Kuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for high-precision corner contouring of flat glass substrates in a continuous feed-through process

Номер патента: US09751183B2. Автор: Jochem SATTLER,Dominique GREINER. Владелец: Schott VTF SAS. Дата публикации: 2017-09-05.

Disk-shaped glass substrate, magnetic-disk glass substrate, method for manufacturing magnetic-disk glass substrate, and magnetic disk

Номер патента: US09697862B2. Автор: Ryuichi Kashima. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Apparatus and method for forming holes in glass substrate

Номер патента: US09688563B2. Автор: Motoshi Ono,Takanori Kobashi. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods for scribing and separating strengthened glass substrates

Номер патента: US09611167B2. Автор: James William Brown. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Cutting system for glass substrate

Номер патента: US09434085B2. Автор: Haibo Huang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Methods and apparatuses for conveying flexible glass substrates

Номер патента: US09428359B2. Автор: Sean M. Garner,Nikolay A. Panin. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Apparatus for inspecting glass substrate

Номер патента: US09291577B2. Автор: Jae Ho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

Method for applying paint and varnish coating on glass product

Номер патента: RU2750047C1. Автор: Алексей Аркадьевич Болдин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью «Гласс Декор». Дата публикации: 2021-06-21.

Casing for applying metal-oxide coating on glass tanks by vapour deposition

Номер патента: RU2633121C2. Автор: Кэтлин ФЕЙХИ. Владелец: Аркема Инк.. Дата публикации: 2017-10-11.

Data storage card having a glass substrate and data surface region and method for using same

Номер патента: US6871787B1. Автор: Malcolm G. Smith, Sr.. Владелец: UltraCard Inc. Дата публикации: 2005-03-29.

Liquid crystal display panel comprising an array glass substrate and an opposing glass substrate with a liquid crystal filler

Номер патента: US8027012B2. Автор: Tomoyuki Shimizu,Junichiro Kase. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-27.

Shaping tool with a structured surface for producing structures on glass, and the application thereof for structuring channel plates

Номер патента: CA2336697A1. Автор: Rudolf Singer,Christiane Baum,Joachim Disam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-04-20.

Methods for mechanically forming crack initiation defects in thin glass substrates

Номер патента: WO2012141874A1. Автор: James W. Brown,Ian David Tracy,Thaddeus Francis Trzeciak,Nicholas D. CAVALLARO, III,Chester H. H CHANG. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2012-10-18.

Methods for laser cutting glass substrates through narrow apertures

Номер патента: WO2023081082A1. Автор: Craig John Mancusi UNGARO,Reinhard Moritz Malchus,Lauren Leigh TAYLOR. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2023-05-11.

Strengthened glass substrates with glass frits and methods for making the same

Номер патента: US20130295353A1. Автор: Lisa A. Lamberson,Robert M. Morena,Melinda A. Drake. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Supporting glass substrate and laminated body

Номер патента: US20210147279A1. Автор: Hirofumi Yamamoto,Seiji Inaba,Yusuke Kobayashi,Kazutaka Ono,Izuru Kashima,Kiyoshi Tamai. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Clamping jig for glass substrate, buffer sheet, method for processing glass substrate, and glass substrate

Номер патента: MY136450A. Автор: Takeo Watanabe,Takamasa Yoshikawa,Koji Okuhata,Kensuke Matsuno. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2008-10-31.

Laser bonding of glass substrates

Номер патента: WO2024118226A1. Автор: Stephan Lvovich Logunov. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for protecting a glass substrate coated with an electrochromic stack and method for producing an insulating glazing

Номер патента: US12007658B2. Автор: Jean-Christophe Giron,Bertrand Heurtefeu,Charline Lalande,Florent Martin. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2024-06-11.

Back gate ion-sensitive field effect transistor sensing with stacked high-k nanosheets

Номер патента: US20240219343A1. Автор: Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Chia Ching YEO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Crystallized glass substrate for information recording medium and method of producing the same

Номер патента: US20130011695A1. Автор: Toshitaka Yagi,Noyuki GOTO. Владелец: Ohara Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Hot end metal oxide coatings for glass substrates and containers

Номер патента: WO2024097584A1. Автор: Jean-Pierre Disson,Marina Despotopoulou,Ryan Christopher Smith,Sandrine Nathalie RIVILLON. Владелец: Arkema Inc.. Дата публикации: 2024-05-10.

Acyl fluoride activation of carboxysilyl-coated glass substrates

Номер патента: EP1483583A2. Автор: Raymond C. Milton. Владелец: Beckman Coulter Inc. Дата публикации: 2004-12-08.

Aligned crystalline semiconducting film on a glass substrate and methods of making

Номер патента: WO2008048628A2. Автор: Alp T. Findikoglu. Владелец: Los Alamos National Security, LLC. Дата публикации: 2008-04-24.

Method of manufacturing a glass substrate for a magnetic disk and method of manufacturing a magnetic disk

Номер патента: SG188778A1. Автор: Yamaguchi Tomoyuki,IIIZUMI Kyosuke. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2013-04-30.

Developer unit for an electrophotographic printing device for printing on glass or ceramic material

Номер патента: WO2008128649A1. Автор: Dieter Jung,Andreas Schönberger,Christian Hornickel. Владелец: Agc Flat Glass Europe Sa. Дата публикации: 2008-10-30.

Glass substrate, method of manufacturing glass substrate, and method of manufacturing glass element using glass substrate

Номер патента: US20230348313A1. Автор: Mikio Ikenishi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for cleaning disk-shape glass substrate and magnetic disk

Номер патента: US20070017547A1. Автор: Osamu Miyahara,Tsutomu Maruyama,Kazuo Mannami,Kuniyuki Someya. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Interference filter having a glass substrate

Номер патента: US20020048440A1. Автор: Sally Pucilowski,Joseph Hayden,Alexander Marker. Владелец: Schott Glass Technologies Inc. Дата публикации: 2002-04-25.

Developer unit for an electrophotographic printing device for printing on glass or ceramic material

Номер патента: EP2142963A1. Автор: Dieter Jung,Andreas Schönberger,Christian Hornickel. Владелец: AGC Glass Europe SA. Дата публикации: 2010-01-13.

Developer unit for an electrophotographic printing device for printing on glass or ceramic material

Номер патента: EP2142964A1. Автор: Dieter Jung,Andreas Schönberger,Christian Hornickel. Владелец: AGC Glass Europe SA. Дата публикации: 2010-01-13.

Method of polishing glass substrate for information recording media, and glass substrate for information recording media

Номер патента: MY134803A. Автор: Hiromi Nakano,Koji Okuhata,Yoichiro Shimizu. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2007-12-31.

Glass article configured to accommodate thermal dimensional changes of midframe that joins glass substrate to frame

Номер патента: EP4426554A1. Автор: Christopher Lee Timmons,Khaled LAYOUNI,Paul James YANISKO,Rohan Ram Galgalikar. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Developer unit for an electrophotographic printing device for printing on glass or ceramic material

Номер патента: WO2008128648A1. Автор: Dieter Jung,Andreas Schönberger,Christian Hornickel. Владелец: Agc Flat Glass Europe Sa. Дата публикации: 2008-10-30.

Glass substrate and manufacturing device for glass substrate

Номер патента: US20240343641A1. Автор: Kohei HORIUCHI,Yuha KOBAYASHI,Kaede KATSUNO. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Process for coating a glass substrate with an aqueous fluoropolymer coating

Номер патента: US09714191B2. Автор: Min Zheng,Mei Wen,Scott R. Gaboury,Kurt A. Wood,Ronald H. Partridge. Владелец: Arkema Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Glass substrate for magnetic disk and magnetic recording medium

Номер патента: US09704526B2. Автор: Kenichi Nishimori. Владелец: Hoya Glass Disk Thailand Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Magnetic-disk glass substrate, magnetic disk and method for manufacturing magnetic-disk glass substrate

Номер патента: US09697860B2. Автор: Masaaki Ueda. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Glass substrate for magnetic disk and magnetic recording medium

Номер патента: US09685185B2. Автор: Kenichi Nishimori. Владелец: Hoya Glass Disk Thailand Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Glass substrate and method of treating same

Номер патента: US09682528B2. Автор: Chao-Sheng Huang,ren-bo Wang. Владелец: Fih Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Glass substrate strip

Номер патента: US09662862B2. Автор: Stephan Zachmann,Christian Göricke,Juergen Vogt,Ulrich Neuhaeusler. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Glass substrate for magnetic disk and magnetic disk

Номер патента: US09595286B2. Автор: Masanori Tamaki,Masaaki Ueda,Takeyoshi Takahashi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Glass substrate for magnetic disk and magnetic disk

Номер патента: US09595283B2. Автор: Masanori Tamaki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Magnetic-disk glass substrate and magnetic disk

Номер патента: US09583128B2. Автор: Masaaki Ueda,Takeyoshi Takahashi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of strengthening an edge of a glass substrate

Номер патента: US09488857B2. Автор: Shyamala Shanmugam,Jennifer Lynn Lyon,Gregory Scott Glaesemann,Richard Curwood Peterson,Gregory William Keyes,Christopher Clark Thompson,Donald Arthur CLARK,Krishna Hemanth Vepakomma,Kathleen Ann Wexell,Kody Luce Bornstein. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Window block-glass unit with triple silver coating and dielectric coating on opposite sides of glass substrate

Номер патента: RU2754898C2. Автор: Говэнь ДИН,Виллем ДЕН БУР,Ивэй ЛУ,Сейзар КЛАВЕРО,Даниель ШВАЙГЕРТ,Санг ЛИ. Владелец: ГАРДИАН ГЛАСС, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2021-09-08.

Furnace for sauna, protective screen for furnace (versions), heat exchanger for furnace, system for prevention of soot deposition on glass of furnace door

Номер патента: RU2740971C1. Автор: Николай Александрович Виноградов. Владелец: Николай Александрович Виноградов. Дата публикации: 2021-01-22.

Method of manufacturing a glass substrate for a magnetic disk, glass substrate for a magnetic disk, method of manufacturing a magnetic disk, and magnetic disk

Номер патента: US20110165439A1. Автор: Tadashi Tomonaga,Kenichi Nishimori. Владелец: Hoya Glass Disk Thailand Ltd. Дата публикации: 2011-07-07.

Crystallized glass for information recording medium, crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate

Номер патента: US6294490B1. Автор: Xuelu Zou,Kouji Azegami. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2001-09-25.

Glass substrate for magnetic disk and manufacturing method thereof

Номер патента: US9085479B2. Автор: Hideki Isono,Shinji Eda. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Device for applying decors and/or characters on glass, glass ceramics and ceramics products

Номер патента: CA2348592C. Автор: Dieter Jung,Michael Zimmer,Waldemar Weinberg,Petra Auchter-Krummel. Владелец: Schott Glaswerke AG. Дата публикации: 2004-09-28.

Method for fusing glass substrates using laser beam and laser processing apparatus

Номер патента: CA2947657C. Автор: Tokutake Sashima,Koji Yamamoto,Seiji Shimizu,Yuhan MIYAZAKI. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-07.

Method of printing on glass surfaces

Номер патента: GB1133112A. Автор: . Владелец: Armstrong Cork Co. Дата публикации: 1968-11-06.

Manufacturing method of glass substrate for magnetic disk

Номер патента: MY158938A. Автор: Hideki Isono,Shinji Eda. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2016-11-30.

Method of fabricating glass substrate for disk

Номер патента: CA2062840C. Автор: Tetsuya Inui,Junji Hirokane,Kenji Ohta,Michinobu Mieda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-09-16.

Crystalized glass for information recording medium, crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate

Номер патента: US20040241455A1. Автор: Xuelu Zou,Kouji Azegami. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Preparation of synthetic quartz glass substrate

Номер патента: MY157225A. Автор: Daijitsu Harada,Masaki Takeuchi. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2016-05-13.

Glass substrate for a magnetic disk and magnetic disk

Номер патента: MY186233A. Автор: Yoshinori Marumo,Takashi Maeda,Hideki Isono,Shinji Eda,Hiroshi Tsuchiya. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2021-06-30.

Method for manufacturing magnetic-disk glass substrate and method for manufacturing magnetic disk, and treatment liquid

Номер патента: MY176437A. Автор: Tawara Yoshihiro. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2020-08-10.

Thin-sheet glass substrate laminate and method of manufacturing the same

Номер патента: CA2772110C. Автор: Minoru Yoshikawa,Tomohiro Yachida. Владелец: Micro Technology Co Ltd Japan. Дата публикации: 2013-07-23.

Capacitive accelerating sensor bonding silicon substrate and glass substrate

Номер патента: US20080028856A1. Автор: Kiyoshi Sato,Katsuya Kikuiri,Tetsuya Fukuda. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-07.

Polishing composition for glass substrate

Номер патента: GB2439799A. Автор: Kazuhiko Nishimoto,Toshiaki Oi. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2008-01-09.

Thin-sheet glass substrate laminate and method of manufacturing the same

Номер патента: CA2772110A1. Автор: Minoru Yoshikawa,Tomohiro Yachida. Владелец: Micro Technology Co Ltd Japan. Дата публикации: 2012-06-06.

Process for forming rust resistant tin oxide coatings on glass containers

Номер патента: CA1201023A. Автор: Syed R. Ali-Zaidi. Владелец: Glass Containers Corp. Дата публикации: 1986-02-25.

Glass substrate with fine hole and method for producing the same

Номер патента: US20030150839A1. Автор: Fumitoshi Kobayashi,Naoko Hikichi,Katsuhide Shimmo. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Process for forming rust resistant tin oxide coatings on glass containers

Номер патента: US4477494A. Автор: Syed R. Ali-Zaidi. Владелец: Glass Containers Corp. Дата публикации: 1984-10-16.

Method of embedding material in a glass substrate

Номер патента: CA2778319C. Автор: Kensall Wise,Razi-Ul Haque. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of cleaning glass substrate for magnetic disk or semiconductor substrate

Номер патента: US6048466A. Автор: Masao Kawaguchi,Tadao Tokushima,Toshinori Morizane. Владелец: Fine Glass Technology Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-11.

Method for forming tin oxide coating on glass

Номер патента: AU2828197A. Автор: Anthony C. Halliwell,Michel J Soubeyrand. Владелец: Libbey Owens Ford Co. Дата публикации: 1997-11-26.

Method for obtaining a coating of a preferred composition on a surface of a glass substrate

Номер патента: CA1193151A. Автор: Sandy T.S. Vong. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1985-09-10.

Retardation layer having thin glass substrates

Номер патента: US5576077A. Автор: Martin Bosma,Stephen J. Picken,Jan W. Venema,Gustaaf R. Mohlmann. Владелец: Akzo Nobel NV. Дата публикации: 1996-11-19.

Process for producing glass substrate and glass substrate

Номер патента: US20090226733A1. Автор: Yoshinari Kato,Eiji Matsuki. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Glass substrate, black matrix substrate, and display panel

Номер патента: US20210147290A1. Автор: Daisuke Kobayashi,Atsuyoshi Takenaka,Kazutaka Ono,Hirofumi TOKUNAGA,Yoshitaka MAEYANAGI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Modifying bulk properties of a glass substrate

Номер патента: US20170144929A1. Автор: Ludovic Godet,Joseph C. Olson,Gary Dickerson. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

System and method of measuring irregularity of a glass substrate

Номер патента: US20120133952A1. Автор: Soon-Jong Lee,Bong-Joo Woo,Jae-Hoon Chung,Seong-Jin Choi,Byoung-Chan Park. Владелец: Semisysco Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-31.

Manufacturing method for glass substrate, method for forming hole in glass substrate, and apparatus for forming hole in glass substrate

Номер патента: US20170282299A1. Автор: Motoshi Ono. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Glass substrate and optical component

Номер патента: EP3617167A1. Автор: Tomohiro Shibuya,Daisuke Kobayashi,Michinori Suehara,Shin-ichi AMMA,Yosuke Amino. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-04.

Glass substrate multilayer structure, a method for manufacturing the same, and a display panel including the same

Номер патента: US11794446B2. Автор: Hyun Joo Song,Cheol Min Yun. Владелец: SK IE Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Device for cleaning glass substrate and method of cleaning glass substrate

Номер патента: US11607714B2. Автор: WEI YANG. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-21.

Method and system to form deletion windows on a glass substrate.

Номер патента: US20130017344A1. Автор: Alberto Hernandez Delsol,Jesús Alberto Gonzalez Rodriguez,Miguel Arroyo Ortega. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-17.

Cutting System for Glass Substrate

Номер патента: US20140352508A1. Автор: Haibo Huang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Glass substrate

Номер патента: US20160052819A1. Автор: Takahiro Kawaguchi,Yoshinari Kato,Katsutoshi Fujiwara,Hisatoshi Aiba. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Glass substrate package

Номер патента: WO2003070603A1. Автор: Makoto Abe,Tetsuzou Yamada. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2003-08-28.

Glass substrate for information recording medium and information recording medium

Номер патента: MY162311A. Автор: ZOU Xuelu,IKENISHI Mikio,Shiraishi Kouichiro. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-05-31.

Glass substrate for magnetic recording medium, magnetic recording medium, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020110706A1. Автор: Takemi Miyamoto. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Non-contact glass substrate guiding apparatus and method

Номер патента: WO2019168951A1. Автор: Yao-Chang Huang,I-Wen CHOU,Po-Hao Kao,Jia-xing YE. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2019-09-06.

Method of manufacturing glass substrate, glass substrate manufactured by the method, and magnetic recording medium using the glass substrate

Номер патента: SG150455A1. Автор: Minazawa Hiroshi. Владелец: Fuji Elec Device Tech Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-30.

Method for producing glass substrate for magnetic disk

Номер патента: MY169422A. Автор: Satoshi Ishii,Taiji Osada,Junpei Fukada. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

Inspecting apparatus for glass substrate

Номер патента: US7630071B2. Автор: Jungho Park,Sooyoun Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-08.

Glass substrate for magnetic recording medium, magnetic recording medium, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030194583A1. Автор: Takemi Miyamoto. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2003-10-16.

Method for manufacturing ultra-thin glass substrates and method for manufacturing display panel

Номер патента: US20230406757A1. Автор: FENG CHEN,Chun-Chieh Huang,Cheng-Chung Chiang,Hao-Yu Chou,Tian-Ming WU. Владелец: Flexi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Glass substrate for display cover glass and its production process

Номер патента: US20140308512A1. Автор: Hiroyuki Yamamoto,Yusaku Matsuo. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-16.

Large-size glass substrate for photomask and making method, computer-readable recording medium, and mother glass exposure method

Номер патента: MY142230A. Автор: Yukio Shibano,Shuhei Ueda,Atsushi Watabe,Daisuke Kusabiraki. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2010-11-15.

Glass substrate for information recording media and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020064620A1. Автор: Yasuhiro Saito,Kazuishi Mitani,Tatsuro Umeyama. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-30.

Glass substrate heat chamfering method and apparatus

Номер патента: US20240076226A1. Автор: Dipakbin Qasem Chowdhury,Euiho Kim,Euisoo Kim,Seong-Ryong Ryoo. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Glass base plate for magnetic recording medium, and process for producing glass substrate for magnetic recording medium

Номер патента: PH12012000178A1. Автор: Mannami Kazuo. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-22.

Pressure mapping apparatus and method of cleaning glass substrate by using the same

Номер патента: WO2019018663A1. Автор: Sung-Ha Park,Sangmo KIM,Jun-Uk PARK,Young-Choon SONG. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2019-01-24.

Site-specific connecting of glass substrates

Номер патента: US11851366B2. Автор: Norbert Ambrosius,Roman Ostholt,Arne Schnoor,Daniel Dunker,Robin Krüger,Bernd Rösener,Oktavia Ostermann,Malte Schulz-Ruhtenberg. Владелец: LPKF Laser and Electronics AG. Дата публикации: 2023-12-26.

Strengthened glass substrates with glass frits and methods for making the same

Номер патента: EP2844619A1. Автор: Melinda Ann Drake,Robert Michael Morena,Lisa Ann Lamberson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2015-03-11.

Strengthened glass substrates with glass frits and methods for making the same

Номер патента: WO2013166367A1. Автор: Melinda Ann Drake,Robert Michael Morena,Lisa Ann Lamberson. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of removing foreign matter from surface of glass substrate

Номер патента: EP2177487A4. Автор: Yoshiaki Ikuta. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-11.

Method of cutting combined structure of glass substrate and light-absorbing plate

Номер патента: US20220388890A1. Автор: Cheol Hee Park,Dong Keun Shin,Joo Sok Kim. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Methods for forming ion-exchanged waveguides in glass substrates

Номер патента: WO2018039311A1. Автор: Ming-Jun Li,Minghan CHEN,Gaozhu Peng. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of processing glass substrate surface

Номер патента: EP2152638A1. Автор: Masabumi Ito,Kenji Okamura. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-17.

Chemical strengthening treatment unit for applying chemical strengthening treatment to glass substrates used in information recording media applications

Номер патента: US20030090005A1. Автор: Junichi Hashimoto. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-15.

Device for cleaning glass substrate and method of cleaning glass substrate

Номер патента: US20220168782A1. Автор: WEI YANG. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Glass substrate molding method

Номер патента: US20170107140A1. Автор: Shoichi Mori,Junji Nishii,Yasushi Hirata,Shiro Funatsu,Masashi Takei,Keiichiro Uraji. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Mask blank glass substrate manufacturing method, mask blank manufacturing method, mask manufacturing method, mask blank glass substrate, mask blank, and mask

Номер патента: US20110059390A1. Автор: Yasushi Okubo,Akinori Kurikawa,Hisashi Kasahara. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Glass substrate heat chamfering method and apparatus

Номер патента: EP4263451A1. Автор: Dipakbin Qasem Chowdhury,Euiho Kim,Euisoo Kim,Seong-Ryong Ryoo. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Method of ion beam milling a glass substrate prior to depositing a coating system thereon, and corresponding system for carrying out the same

Номер патента: EP1337489A2. Автор: Vijayen S. Veerasamy,Rudolph H. Petrmichl. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2003-08-27.

Glass substrate interleaf material and coating therefor

Номер патента: WO2024102297A1. Автор: Nityanshu Kumar,Wanda Janina Walczak,Siva Venkatachalam,Gilbert Alexander Castillo,Christine Marie Mahoney Fahey,Elizabeth Irene Luther MORIN. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-16.

Interleaving element for a roll of glass substrate

Номер патента: US20150175471A1. Автор: Jyun-Kai Ciou,Chia-Sheng Huang,Hsin-Yun Hsu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-06-25.

Glass substrate, display device, and method for manufacturing glass substrate

Номер патента: US20220363587A1. Автор: Satoru Tomeno,Takayuki KAKEGAWA,yuki Akama. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Chemically strengthened glass substrate with reduced invading ion surface concentration and method for making the same

Номер патента: EP3844120A1. Автор: JACQUES Amory,Benjamine NAVET. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Glass substrate

Номер патента: US20230046712A1. Автор: Kohei HORIUCHI,Keisuke Hanashima,Yuha KOBAYASHI,Shigeto KUMANO,Kaede KATSUNO. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Coloured glass substrate carrying a coating

Номер патента: EP1140717A1. Автор: Eric Tixhon,Andre Hecq,Dominique Coster. Владелец: Glaverbel Belgium SA. Дата публикации: 2001-10-10.

Low-expansion glass substrate for a reflective mask and reflective mask

Номер патента: US20070009812A1. Автор: Masabumi Ito,Hitoshi Mishiro. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-11.

Glass substrate

Номер патента: US20240246854A1. Автор: Mamoru Isobe,Yuha KOBAYASHI,Izuru SUWA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Glass substrate for data recording medium and manufacturing method thereof

Номер патента: MY131181A. Автор: Okuda Eiji,Fujino Kazuya,Matsuno Kensuke,Horisaka Tamaki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2007-07-31.

Low loss optical waveguides inscribed in media glass substrates, associated optical devices and femtosecond laser-based systems and methods for inscribing the waveguides

Номер патента: EP3077150A1. Автор: Jerome Lapointe,Raman Kashyap,Mathieu Gagne. Владелец: Polyvalor LP. Дата публикации: 2016-10-12.

Inspection device for glass substrate

Номер патента: US20130049785A1. Автор: Wen-Da Cheng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Polishing brush, polishing method, polishing apparatus, method of manufacturing glass substrate for magnetic disk, and method of manufacturing magnetic disk

Номер патента: MY151483A. Автор: Ueda Masaaki,KASHIMA Ryuichi,Shigeta Fumihiko. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2014-05-30.

Coated glass substrate with heat treatable ultraviolet blocking characteristics

Номер патента: EP2148843A1. Автор: John P. Hogan,Desaraju V. Varaprasad. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2010-02-03.

Heat treatable coated article having coatings on opposite sides of glass substrate

Номер патента: MY194544A. Автор: Ting Huang,Xuequn Hu,Jian-gang Weng,Suresh DEVISETTI,Gyorgy VIKOR,Cyrus Baker,Adam Burghardt. Владелец: Guardian Europe SARL. Дата публикации: 2022-11-30.

Heat treatable coated article having coatings on opposite sides of glass substrate

Номер патента: EP3577085A1. Автор: Ting Huang,Xuequn Hu,Jian-gang Weng,Suresh DEVISETTI,Gyorgy VIKOR,Cyrus Baker,Adam Burghardt. Владелец: Guardian Europe SARL. Дата публикации: 2019-12-11.

Method for recycling a disk having a layered structure on a glass substrate

Номер патента: US20020084247A1. Автор: Johannes Windeln,Dirk Hammel,Theo Schmitz,Holger Roehl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Glass substrate, manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: US20240254038A1. Автор: Shuang Wu,Jingna Cui,Jiaxin Zhang,Qiying GAI,Yulei PEI. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Glass substrate and methods of making the same

Номер патента: US20240174561A1. Автор: Aize LI,En HONG,Robert Randall Hancock, JR.,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Apparatus and methods for manufacturing a glass substrate

Номер патента: US12091348B2. Автор: Yukio Yuhara. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for detecting and reading a matrix code marked on a glass substrate

Номер патента: US12086681B2. Автор: Jean-Baptiste Laudereau,Vincent NIER. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2024-09-10.

Glass substrate, manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4414335A1. Автор: Shuang Wu,Jingna Cui,Jiaxin Zhang,Qiying GAI,Yulei PEI. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Manufacturing method for glass substrate and disc-shaped glass substrate

Номер патента: US20240327280A1. Автор: Toshio Takizawa,Shuhei Azuma. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Glass substrate detergent tank and cleaning device

Номер патента: US09993850B2. Автор: Liangliang LI,Mingming Wang,Dongseob Kim,Shikai Wang,Jaeyun Jung,Yadong Liang. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Alkali-free glass substrate and method for producing same

Номер патента: US09963379B2. Автор: Akio Koike,Masaya Kunigita,Hirofumi TOKUNAGA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Glass substrate for magnetic disk and magnetic disk for heat assisted magnetic recording

Номер патента: US09728217B2. Автор: Masahiro Katagiri,Masayoshi Yoshida. Владелец: Hoya Glass Disk Vietnam II Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Alkali-free glass substrate and method for producing same

Номер патента: US09708211B2. Автор: Akio Koike,Masaya Kunigita,Hirofumi TOKUNAGA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Glass substrate for magnetic disk and magnetic disk

Номер патента: US09595284B2. Автор: Masanori Tamaki,Masaaki Ueda,Takeyoshi Takahashi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Glass substrate for flat panel display and method for manufacturing same

Номер патента: US09580352B2. Автор: Akihiro Koyama,Satoshi AMI,Manabu Ichikawa. Владелец: Avanstrate Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods and apparatuses for conveying flexible glass substrates

Номер патента: US09522800B2. Автор: Sean Matthew Garner,Nikolay Anatolyevich PANIN. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for manufacturing glass blank for magnetic disk, method for manufacturing glass substrate for magnetic disk

Номер патента: US09336810B2. Автор: Takashi Sato,Akira Murakami,Masaru Onishi,Hideki Isono,Hidekazu TANINO,Masamune SATO. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Dual-airy-beam systems and methods for processing glass substrates

Номер патента: US10494290B2. Автор: Anping Liu,Ming-Jun Li,Minghan CHEN,Gaozhu Peng. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2019-12-03.

Method for protective oleophobic processing of thin film electroducing optical coatings on glass

Номер патента: RU2622281C1. Автор: Александр Александрович Писарев,Дмитрий Дмитриевич Бернт,Валерий Олегович Пономаренко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Пилкингтон Гласс". Дата публикации: 2017-06-13.

Adhesive film for glass substrates

Номер патента: US6127032A. Автор: Robert H. Kelch,Harvey C. Tung. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 2000-10-03.

Method of making liquid-crystal panel, glass substrate for liquid crystal panel and liquid crystal panel having glass substrate

Номер патента: RU2481608C1. Автор: Икуси ЯМАЗАКИ. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-05-10.

Super capacitor of surface mount type

Номер патента: KR101337373B1. Автор: 박용성. Владелец: 비나텍주식회사. Дата публикации: 2013-12-05.

Method for cleaning a glass substrate, method for fabricating a glass substrate, and magnetic disk using the same

Номер патента: US20080014469A1. Автор: Hideki Kawai,Yukitoshi Nakatsuji,Hiroaki Sawada,Shinichi Saeki. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2008-01-17.

Polishing method, polishing device, glass substrate for magnetic recording medium, and magnetic recording medium

Номер патента: US20010055935A1. Автор: Takemi Miyamoto. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Solid carrier covered with the layer on the basis of chitosan and the method of its manufacture

Номер патента: RU2293751C2. Автор: Ален ДОМАР,Северин ДЕСПОН,Ноэль КАРТЬЕ,Элиан ЭСПЮШ. Владелец: Альстром Резеч Энд Сервисез. Дата публикации: 2007-02-20.

Method for manufacturing glass substrate for magnetic disk, and method for manufacturing magnetic disk

Номер патента: MY177101A. Автор: Tokumitsu Shuzo,IIIZUMI Kyosuke,Tamoto Kouichi,Cho Daisuke. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2020-09-07.

Method and apparatus for heat-sealing lids on glass containers

Номер патента: US4297161A. Автор: Andre J. Graffin. Владелец: Societe dEtude et Realisation dApplications Composites SA SERAC. Дата публикации: 1981-10-27.

Glass substrate for information recording medium and information recording medium

Номер патента: US8652659B2. Автор: Hideki Kawai. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2014-02-18.

Method for producing glass substrate for magnetic disk and method for manufacturing magnetic disk

Номер патента: MY160185A. Автор: TAKIZAWA Toshio,KOSHIMIZU Takumi,MARUMO Yoshinori,KATAGIRI Masahiro. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for polishing glass substrate and process for producing glass substrate

Номер патента: US7959493B2. Автор: Masabumi Ito,Hiroyuki Tomonaga,Mitsuru Horie,Noriaki Shimodaira. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-14.

Fabric based on glass and carbon fibers and articles comprising such a fabric

Номер патента: CA1303342C. Автор: Jean Aucagne,Herve Auduc. Владелец: Brochier SA. Дата публикации: 1992-06-16.

Glass substrate for magnetic disk and magnetic disk

Номер патента: MY166439A. Автор: Masanori Tamaki,Masaaki Ueda,Takeyoshi Takahashi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-06-27.

Method for producing a glass substrate for a magnetic disk

Номер патента: US5871654A. Автор: Ichiro Hayashi,Kazuo Mannami,Atsushi Tokuma. Владелец: AG Technology Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-16.

Memory cell with high-k antifuse for reverse bias programming

Номер патента: WO2007005273A1. Автор: James M. Cleeves. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-01-11.

Magnetic-disk glass substrate, magnetic disk and method for manufacturing magnetic-disk glass substrate

Номер патента: MY169200A. Автор: Masaaki Ueda. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-02-26.

Method of and apparatus for pyrolytically forming an oxide coating on a hot glass substrate

Номер патента: CA2019191C. Автор: Jean-Francois Thomas,Robert Terneu. Владелец: Glaverbel Belgium SA. Дата публикации: 2001-10-16.

Glass substrate for information recording medium and information recording medium

Номер патента: US20110111260A1. Автор: Hideki Kawai. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2011-05-12.

Glass substrate for information recording medium and information recording medium

Номер патента: US20110111263A1. Автор: Hideki Kawai. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2011-05-12.

Method for coating large-area glass substrates

Номер патента: WO2023131389A1. Автор: Marcus Frank,Bernhard Stalder. Владелец: BÜHLER ALZENAU GMBH. Дата публикации: 2023-07-13.

Glass substrate with a textured surface with surface features having a certain ratio of height-to-width to provide anti-glare properties and increased resistance to scratches

Номер патента: US11926556B2. Автор: Yuhui Jin,Aize LI,Jaymin Amin,Robert Randall Hancock, JR.,Raymond Chih Chung Hsiao,Jared Hilliard SEAMAN. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

High-k gate dielectrics prepared by liquid phase anodic oxidation

Номер патента: US6887310B2. Автор: Jenn-Gwo Hwu,Szu-Wei Huang,Yen-Po Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2005-05-03.

A glass substrate having a heat treatable enamel coating and a method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024033936A1. Автор: Jagadis S,Srinivas Prasad B.S,Swathi MANIVANNAN. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2024-02-15.

Process for preparing a coated glass substrate

Номер патента: AU2019358314B2. Автор: David Rimmer,Deborah RAISBECK,Kevin David Sanderson,Paul Andrew Skinner,Mark John GLYNN,Hans-Eckhard Leitl. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Glass substrate for information recording medium, method of manufacturing the substrate, magnetic recording medium using the glass substrate, and method of manufacturing the medium

Номер патента: MY197749A. Автор: Takahashi Koji,Watanabe Tsuyoshi,TAKANO Masao. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

Method for manufacturing high silicate glass substrate, high silicate glass substrate and porous glass

Номер патента: US20230093194A1. Автор: Yutaka Kuroiwa,Tomonori Ogawa,Kosho AKATSUKA,Hiroyuki Hijiya. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Method for manufacturing magnetic-disk glass substrate and method for manufacturing magnetic disk

Номер патента: MY183852A. Автор: Hideo Sakai. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2021-03-17.

Method of modifying a textured glass substrate with a region under compressive stress to increase strength of the glass substrate

Номер патента: US11905202B2. Автор: Yuhui Jin,Taylor Marie Wilkinson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Chemically-strengthened thin glass substrates new paradigms for modified curvature and methods of manufacture

Номер патента: US20230416144A1. Автор: Russell Ashley ALDER,Richard Ashley ALDER. Владелец: Pgbc Intellectual Holdings LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Chemically-strengthened thin glass substrates new paradigms for modified curvature and methods of manufacture

Номер патента: NZ763864A. Автор: Russell Ashley ALDER,Richard Ashley ALDER. Владелец: Pgbc Intellectual Holdings LLC. Дата публикации: 2023-09-29.

Coating compositions for glass substrates

Номер патента: US20200024457A1. Автор: Daniel Caldwell. Владелец: Schott Gemtron Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Method of electroless plating on a glass substrate and method of manufacturing a magnetic recording medium using the method of electroless plating

Номер патента: US7514118B2. Автор: Youichi Tei,Akira Iso. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-07.

Quartz glass substrate with improved adhesion of thermal spray coating, its manufacturing method, and method for manufacturing quartz glass parts covered with thermal spray coating

Номер патента: US20230312406A1. Автор: Masahide Kato,Yasuhiro Umetsu,Yo MATSUURA. Владелец: Techno Quartz Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Chemically-strengthened thin glass substrates new paradigms for modified curvature and methods of manufacture

Номер патента: US11795103B2. Автор: Russell Ashley ALDER,Richard Ashley ALDER. Владелец: Pgbc Intellectual Holdings LLC. Дата публикации: 2023-10-24.

Glass Substrate Multilayer Structure, Method of Producing the Same, and Flexible Display Panel Including the Same

Номер патента: US20220064059A1. Автор: Jong Nam Ahn,Cheol Min Yun. Владелец: SK IE Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Coated article including soda-lime-silica glass substrate with lithium and/or potassium to reduce sodium migration and /or improve surface stability and method of making same

Номер патента: WO2007018993A1. Автор: Vijayen S. Veerasamy,Anthony V. Longobardo,Ksenia A. Landa,Leonid M. Landa. Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2007-02-15.

Method for producing a glass substrate with an embossed surface finish and glass substrate obtained using said method

Номер патента: CA3126198A1. Автор: Victor ABAD REGUERA. Владелец: Tvitec System Glass SL. Дата публикации: 2020-07-30.

Glass substrate of disk for recording information, a disk for recording information, and a disk device for recording information

Номер патента: US6136401A. Автор: Takashi Naito,Masahiro Watanabe,Ken Takahashi,Hiroki Yamamoto,Takashi Namekawa,Noriyuki Takeo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-10-24.

Chemical vapor deposition process for depositing a silica coating on a glass substrate

Номер патента: EP2817433A1. Автор: Douglas Martin NELSON,Steven Edward PHILLIPS,Michael Martin Radtke. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2014-12-31.

Method of Manufacturing Glass Substrate

Номер патента: US20170144924A1. Автор: Wen-Liang Huang. Владелец: HONY GLASS TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Glass substrate with antireflection film, and optical member

Номер патента: US11964904B2. Автор: Teruo Fujiwara,Yasuhiko Akao. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Apparatus for inspecting glass substrate

Номер патента: US20140118534A1. Автор: Jae Ho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Glass substrate and optical component

Номер патента: US20200095164A1. Автор: Tomohiro Shibuya,Daisuke Kobayashi,Michinori Suehara,Shin-ichi AMMA,Yosuke Amino. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Glass substrate with antireflection film, and optical member

Номер патента: US20200346973A1. Автор: Teruo Fujiwara,Yasuhiko Akao. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Process for polishing glass substrate

Номер патента: US20070125747A1. Автор: Masabumi Ito,Koji Otsuka. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Method for manufacturing glass substrate for information recording medium

Номер патента: MY196751A. Автор: Nakae Hazuki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2023-05-03.

Chemically-strengthened thin glass substrates new paradigms for modified curvature and methods of manufacture

Номер патента: CA3072222C. Автор: Russell Ashley ALDER,Richard Ashley ALDER. Владелец: Pgbc Intellectual Holdings LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Process for preparing a coated glass substrate

Номер патента: AU2019358314A1. Автор: David Rimmer,Deborah RAISBECK,Kevin David Sanderson,Paul Andrew Skinner,Mark John GLYNN,Hans-Eckhard Leitl. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Process for preparing a coated glass substrate

Номер патента: US11845690B2. Автор: David Rimmer,Deborah RAISBECK,Kevin David Sanderson,Paul Andrew Skinner,Mark John GLYNN,Hans-Eckhard Leitl. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Process for preparing a coated glass substrate

Номер патента: WO2020074877A1. Автор: David Rimmer,Deborah RAISBECK,Kevin David Sanderson,Paul Andrew Skinner,Mark John GLYNN,Hans-Eckhard Leitl. Владелец: Pilkington Group Limited. Дата публикации: 2020-04-16.

Coating film-attached glass, production method therefor, and modified glass substrate

Номер патента: CA3143316C. Автор: Atsushi Ishikawa,Masamichi Wada. Владелец: Nipro Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Process for smoothing surface of glass substrate

Номер патента: US20090286166A1. Автор: Masabumi Ito,Takashi Sugiyama,Yoshiaki Ikuta. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-19.

Method of remedying glass substrate defect

Номер патента: US8298045B2. Автор: Takenori Yoshizawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Chemically-strengthened thin glass substrates new paradigms for modified curvature and methods of manufacture

Номер патента: NZ763864B2. Автор: Russell Ashley ALDER,Richard Ashley ALDER. Владелец: Pgbc Intellectual Holdings LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for producing synthetic quartz glass substrate

Номер патента: US20190366510A1. Автор: Masaki Takeuchi,Atsushi Watabe,Yoko ISHITSUKA. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for manufacturing annular glass substrate, annular glass substrate, and method for manufacturing glass substrate for magnetic disc

Номер патента: US20240174556A1. Автор: Toshio Takizawa,Shuhei Azuma. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Glass substrate with a base film to improve adhesion of thermal spray coating, and glass parts with thermal spray coating

Номер патента: US20230257863A1. Автор: Masahide Kato,Yasuhiro Umetsu,Yo Mastuura. Владелец: Techno Quartz Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of supporting manufacture of magnetic disk, method of manufacturing a magnetic disk, package for a magnetic-disk glass substrate, method of packaging a magnetic-disk glass substrate, method of manufacturing a magnetic-disk glass substrate

Номер патента: MY201980A. Автор: NISHIMORI Kenichi,Tomonaga Tadashi. Владелец: Hoya Lamphun Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Method for producing a glass substrate with an embossed surface finish and glass substrate obtained using said method

Номер патента: CA3126198C. Автор: Victor ABAD REGUERA. Владелец: Tvitec System Glass SL. Дата публикации: 2024-06-11.

Glass substrate multilayer structure, manufacturing method thereof, and flexible display panel including the same

Номер патента: US12012355B2. Автор: Cheol Min Yun. Владелец: SK IE Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Process for polishing glass substrate

Номер патента: EP1761471A1. Автор: Kouji c/o Asahi Glass Company Limited OTSUKA,Masabumi c/o Asahi Glass Company Limited ITO. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-14.

Method for coating large-area glass substrates

Номер патента: CA3241297A1. Автор: Marcus Frank,Bernhard Stalder. Владелец: Buehler Alzenau GmbH. Дата публикации: 2023-07-13.

A method of manufacturing glass substrates for information recording medium

Номер патента: WO2013015750A8. Автор: Supagan DEEPLUB. Владелец: Hoya Glass Disk (Thailand) Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Synthetic quartz glass substrate for use in microfluidic device, synthetic quartz glass microfluidic device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230191397A1. Автор: Masaki Takeuchi,Masao Ando,Hiroyuki Yamazaki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Hot end metal oxide coatings for glass substrates and containers

Номер патента: WO2024097583A1. Автор: Leonard H. Palys,Marina Despotopoulou,Ryan Christopher Smith,Sandrine Nathalie RIVILLON. Владелец: Arkema Inc.. Дата публикации: 2024-05-10.

Low-emissivity coating for a glass substrate

Номер патента: CA3047603C. Автор: Ingo Wegener,Roberto Cabrera Llanos,Jose Guadalupe Cid Aguilar,Carmen Jerg,jia lin Xu,Rubi Aglae Hernandez Carrillo,Jose Luis Tavares Cortez. Владелец: Vidrio Plano de Mexico SA de CV. Дата публикации: 2024-06-18.

Acyl fluoride activation of carboxysilyl-coated glass substrates

Номер патента: WO2003076940A3. Автор: Raymond C Milton. Владелец: Beckman Coulter Inc. Дата публикации: 2003-12-11.

Glass substrate adhesion control

Номер патента: WO2019173557A1. Автор: He Jing,Tatyana Vyacheslavovna BROWN,Nikolay Zhelev Zhelev,Gabriel Pierce AGNELLO. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2019-09-12.

Glass substrate adhesion control

Номер патента: US20210039986A1. Автор: He Jing,Tatyana Vyacheslavovna BROWN,Nikolay Zhelev Zhelev,Gabriel Pierce AGNELLO. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Sputter target of a silver alloy, its use and glass substrate with thermal insulation layer

Номер патента: US20070259191A1. Автор: Martin Weigert,Christoph Simons. Владелец: WC Heraus GmbH and Co KG. Дата публикации: 2007-11-08.

Systems and methods for designing manufacturing and mixing systems of glass substrates

Номер патента: US20240211661A1. Автор: Menghu LI. Владелец: Irico Display Devices Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Mask blank glass substrate

Номер патента: EP3923071A1. Автор: Daijitsu Harada,Masaki Takeuchi,Naoki YARITA. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-15.

Glass substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US20220126416A1. Автор: Takeaki ONO,Koki Moriya. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Glass substrate carrier assembly

Номер патента: US20080042019A1. Автор: Jui-Chung Cheng,Tung-Yin Shiue. Владелец: Prime View International Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Method for manufacturing glass substrate and method for manufacturing magnetic disk

Номер патента: US12084376B2. Автор: Shuhei Azuma. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Mask blank glass substrate

Номер патента: US12117724B2. Автор: Daijitsu Harada,Masaki Takeuchi,Naoki YARITA. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Glass substrate for mask blank

Номер патента: US09904164B2. Автор: Hiroshi Nakanishi. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

High-quality/high-definition screen printing ink composition for glass substrate, printed product obtained by screen printing said ink composition, and manufacturing method for said printed product

Номер патента: US09879145B2. Автор: Takuya Torihata,Tomomi Ogata,Naoto Takada. Владелец: Teikoku Printing Inks Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Glass substrate for mask blank, and method for producing the same

Номер патента: US09684232B2. Автор: Yusuke Hirabayashi. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Manufacture of synthetic quartz glass substrate

Номер патента: US09616542B2. Автор: Harunobu Matsui,Daijitsu Harada,Masaki Takeuchi,Ryouhei Hasegawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Magnetic-disk glass substrate and magnetic disk

Номер патента: US09607647B2. Автор: Kinobu Osakabe,Masanobu Itaya. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Glass and glass substrate

Номер патента: US09598307B2. Автор: Masahiro Hayashi,Shinkichi Miwa. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Transparent glass substrate having antiglare surface

Номер патента: US09573842B2. Автор: Jacques Gollier,II Alan Thomas Stephens,Shandon Dee Hart,James Andrew West. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Mask, glass substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09482942B2. Автор: Li Chai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Information recording medium glass substrate and information recording medium

Номер патента: US09454984B2. Автор: Takeshi Endo. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Glass substrate for information recording medium and method for manufacturing the same

Номер патента: US09437235B2. Автор: Yasuhiro Saito,Toshiaki Hashimoto,Yuriko Kudoh. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Plastic adhesive labels for glass substrates

Номер патента: US5712031A. Автор: Robert H. Kelch,Harvey C. Tung. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1998-01-27.

Multilayer pigments based on glass flakes

Номер патента: WO2003006558A2. Автор: Ralf Anselmann,Sabine Schoen,Klaus Ambrosius. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2003-01-23.

Method of manufacturing micro-nanostructured porous layer on titanium implant surface

Номер патента: RU2677271C1. Автор: Максим Игоревич Захаров,Александр Владимирович Ревякин,Игорь Николаевич Колганов,Ирина Анатольевна Захарова. Владелец: Игорь Николаевич Колганов. Дата публикации: 2019-01-16.

Method for controlling boundary layer on aerodynamic surface with swept front edge

Номер патента: RU2735477C9. Автор: Андрей Викторович Иванов,Максим Владимирович Устинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича Сибирского отделения Российской академии наук (ИТПМ СО РАН). Дата публикации: 2021-04-27.

Method of cleaning a glass substrate by ionic bombardment in a wet active gas

Номер патента: US3868271A. Автор: Neil M Poley,Howard L Whitaker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-02-25.

Glass substrate for information recording medium, process for producing the glass substrate, information recording medium, and process for producing the same

Номер патента: MY137031A. Автор: Mikio Ikenishi,Xuelu Zou. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2008-12-31.

Microprocessing of synthetic quartz glass substrate

Номер патента: CA2700114A1. Автор: Masaki Takeuchi,Hiroyuki Yamazaki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-16.

Method of producing microporous layer on surface of articles from titanium or its alloy

Номер патента: RU2600294C1. Автор: Павел Сергеевич Гордиенко,Иван Геннадьевич Жевтун. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН). Дата публикации: 2016-10-20.

Device and method for monitoring roof separation layer on basis of fiber grid in mining

Номер патента: RU2627051C1. Автор: Синьцю ФАН,Миньфу ЛЯН,Сяонин ЛЮ,Хайлян ФАНЬ,Ган Ву,Цзунчжу ЛЮ,Синго ЛЮ. Владелец: Чайна Юниверсити Оф Майнинг Энд Текнолоджи. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of terracing with increasing a humus layer on extraction strip of a bed for intensive gardening

Номер патента: RU2646232C2. Автор: Владимир Нажмудинович Бербеков,Жамал Хажиосманович Бакуев,Хадис Ибрагимович Кучмезов,Садин Талович Кармов,Ильяс Османович Темиржанов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное научное учреждение "Северо-Кавказский научно-исследовательский институт горного и предгорного садоводства". Дата публикации: 2018-03-02.

Method for manufacturing an aluminosilicate glass substrate for hard disks

Номер патента: US9053736B2. Автор: Kazuhiko Nishimoto,Haruhiko Doi,Yosuke Uchino. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2015-06-09.

Glass substrate for information recording medium and magnetic disk

Номер патента: MY151552A. Автор: Jun Endo,Tetsuya Nakashima. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-13.

Coating for glass substrate for anti-reflective properties with abrasion, chemical and UV resistance

Номер патента: US6040378A. Автор: Carl Horowitz,Abraham Thomas,Mohan L. Sanduja,Paul Thottathil. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2000-03-21.

Tool for engraving, particularly on glass plates and the like

Номер патента: EP1070566A2. Автор: Franco Bavelloni. Владелец: Z Bavelloni SpA. Дата публикации: 2001-01-24.

Enamel coating of a coated glass substrate

Номер патента: WO2021023965A1. Автор: Roland Katzbach. Владелец: JOHNSON MATTHEY PUBLIC LIMITED COMPANY. Дата публикации: 2021-02-11.

Glass substrate

Номер патента: US9096463B2. Автор: Yoshikazu Hirose,Kazuaki Hashimoto. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

System and method for testing chip on glass bonding quality

Номер патента: CN108431935A. Автор: 吴广荣,陈顺林,骆国平,韩茜,朱湘安,琼斯·加西亚,史蒂芬·R·娜莎,陈传宁. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-21.

Glass substrate for data recording medium and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050223744A1. Автор: Tamaki Horisaka,Eiji Okuda,Kazuya Fujino,Kensuke Matsuno. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2005-10-13.

Glass substrate for information recording medium and magnetic disk device

Номер патента: MY168982A. Автор: Naoyuki Fukumoto. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Crystallized glass substrate

Номер патента: US11926562B2. Автор: Toshitaka Yagi,Yutaka Yamashita,Naoyuki Goto,Kohei Ogasawara,Yuki Motoshima,Reika Kojima. Владелец: Ohara Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Apparatus and method for processing a glass substrate

Номер патента: EP4253334A3. Автор: Allan Mark Fredholm,Olivier FOURNEL. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Transporting method of glass substrates

Номер патента: WO2022035668A1. Автор: Dongwoo Kim,Soyoung CHO,Eun Yong Choi,In Bum JEON,Soo-von KOO,Insuk WOO,Jeongwoon YOON. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2022-02-17.

Glass Substrate Trolley Handling System

Номер патента: US20120273349A1. Автор: Chao-Mu Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-01.

Molding die for hard disk glass substrate

Номер патента: MY169493A. Автор: Sakaguchi Mikio,Aoki Tetsuya,NOZAKI MORIJI,YOSHIDA Toshiaki,Ueyama Hiroki,Inoue Keisaku. Владелец: Ohara Kk. Дата публикации: 2019-04-15.

Apparatus and method for processing a glass substrate

Номер патента: EP4253334A2. Автор: Allan Mark Fredholm,Olivier FOURNEL. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Method for detecting and reading a matrix code marked on a glass substrate

Номер патента: US20230351130A1. Автор: Jean-Baptiste Laudereau,Vincent NIER. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2023-11-02.

Thin glass substrate, method and apparatus for its production

Номер патента: US11890844B2. Автор: Jochen Alkemper,Armin Vogl,Lutz Klippe,Rüdiger Dietrich,Christian Kunert,Thilo Zachau,Michael Meister,Thomas Schmiady. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2024-02-06.

Mask, glass substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160334708A1. Автор: Li Chai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-17.

Glass substrate

Номер патента: US20190047892A1. Автор: Yoshitaka Ono,Motoichi Iga,Masaya Kunigita,Nobuaki IKAWA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Alkali-free glass substrate

Номер патента: US20180282202A1. Автор: Daisuke Kobayashi,Kenta Saito. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Coated glass substrate and method for making the same

Номер патента: WO2024074490A1. Автор: Valentin GOFFINET. Владелец: AGC Glass Europe. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of manufacturing photosensitive glass substrate

Номер патента: US20160194240A1. Автор: Takashi Fushie. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Method and apparatus for coating glass substrate

Номер патента: EP2440502A2. Автор: Markku Rajala,Sami Kauppinen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2012-04-18.

Glass substrate for a magnetic disk, magnetic disk and method of manufacturing a magentic disk

Номер патента: MY201736A. Автор: Takashi Maeda,Kouji KITSUNAI. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-03-15.

Method for manufacturing glass substrate for information recording medium, method for manufacturing information recording medium, and polishing pad

Номер патента: MY175952A. Автор: Komatsu Takafumi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Glass substrate having through holes

Номер патента: US20230295036A1. Автор: Masaki MAKITA. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Glass substrate for mask blank, mask blank and photomask

Номер патента: US10599031B2. Автор: Yuzo OKAMURA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Pick-and-Place Apparatus for Glass Substrate

Номер патента: US20130272834A1. Автор: Yongqiang Wang,Weibing Yang,Kun Hsien Lin,Erqing Zhu,Chun Hao Wu,Xiande Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

Cutting knife for cutting through adhesive beads on glass panes of vehicles

Номер патента: US20020023357A1. Автор: Peter Grunikiewicz,Bert G. Wurst. Владелец: C&E Fein GmbH and Co. Дата публикации: 2002-02-28.

Glass substrate

Номер патента: US11802080B2. Автор: Kohei HORIUCHI,Keisuke Hanashima,Yuha KOBAYASHI,Shigeto KUMANO,Kaede KATSUNO. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Thin glass substrate, method and apparatus for its production

Номер патента: US12005687B2. Автор: Jochen Alkemper,Armin Vogl,Lutz Klippe,Rüdiger Dietrich,Christian Kunert,Thilo Zachau,Michael Meister,Thomas Schmiady. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2024-06-11.

Head-mounted augmented reality stereo vision optical film on glasses

Номер патента: US20230185092A1. Автор: Chia-Hsin Chao,Wei-Cheng Chao,Cheng-Jhih Luo. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-06-15.

Method and apparatus for coating glass substrate

Номер патента: WO2010142847A2. Автор: Markku Rajala,Sami Kauppinen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2010-12-16.

Coated glass substrate

Номер патента: US12017951B2. Автор: Philip Savage,Charlie James PATRICKSON,Rachel YEATES. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

A method of manufacturing glass substrates for information recording medium

Номер патента: WO2013015751A1. Автор: Phuchong SUPADEJ. Владелец: Hoya Glass Disk Thailand Ltd. Дата публикации: 2013-01-31.

SEMICONDUCTOR ON GLASS SUBSTRATE WITH STIFFENING LAYER AND PROCESS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120001293A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing thin nanocrystalline intermetallic film on glass substrate

Номер патента: RU2566129C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Анна Николаевна Макрушина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2015-10-20.

Nanocrystalline titanium dioxide-based composition, method for preparation thereof and method of using said composition to obtain photocatalytic coating on glass

Номер патента: RU2477257C1. Автор: Ирина Алексеевна Зверева,Иван Алексеевич Родионов,Любовь Михайловна Калинкина,Анна Михайловна Санкович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ). Дата публикации: 2013-03-10.

Device for application of current conducting layer on glass

Номер патента: RU2493114C1. Автор: Александр Васильевич Пестов,Борис Аарнеевич Кауппонен,Шираслан Немат Оглы Кязымов,Надежда Ильинична Тукачева,Борис Ефимович Гвоздев. Владелец: Открытое акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2013-09-20.

Method of coating glass substrate

Номер патента: RU2118302C1. Автор: А.Руссо Дэвид,Р.Диркс Райан,П.Флорсак Гленн. Владелец: ЕЛФ Атокем Норт Америка, Инк.. Дата публикации: 1998-08-27.

Dielectric compound for contrast coating on glass substrate under low-melting glass

Номер патента: RU2185672C2. Автор: А.Н. Ивлюшкин,В.Г. Самородов,О.И. Томина,Н.Н. Людвиковская,Н.П. Данилина. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт газоразрядных приборов "Плазма". Дата публикации: 2002-07-20.

ชุดอุปกรณ์จ่ายพลังงานเพื่อสตาร์ทเครื่องยนต์ที่มีซุปเปอร์คาปาซิเตอร์ (super capacitor) ชุดที่หนึ่งทำหน้าที่สร้างความหนาแน่นของกำลังไฟฟ้า (power density) และ ซุปเปอร์คาปาซิเตอร์ (super capacitor) ชุดที่สองที่ทำหน้าที่สร้างความหนาแน่นของพลังงาน (energy density)

Номер патента: TH16543A3. Автор: กรรกริช นายกรร. Владелец: นายจิรโรจน์ สีสรรพ์. Дата публикации: 2020-07-29.

ชุดอุปกรณ์จ่ายพลังงานเพื่อสตาร์ทเครื่องยนต์ที่มีซุปเปอร์คาปาซิเตอร์ (super capacitor) ชุดที่หนึ่งทำหน้าที่สร้างความหนาแน่นของกำลังไฟฟ้า (power density) และ ซุปเปอร์คาปาซิเตอร์ (super capacitor) ชุดที่สองที่ทำหน้าที่สร้างความหนาแน่นของพลังงาน (energy density)

Номер патента: TH16543C3. Автор: กรรกริช นายกรร. Владелец: นายจิรโรจน์ สีสรรพ์. Дата публикации: 2020-07-29.

Method of forming carbon nano-objects on glass-ceramic substrates

Номер патента: RU2601044C2. Автор: Владимир Николаевич Чернышов,Виктор Прокопьевич Шелохвостов,Алексей Геннадьевич Стивкин,Максим Николаевич Дутов,Денис Владимирович Образцов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" ФГБОУ ВПО ТГТУ. Дата публикации: 2016-10-27.

Silicon tip to glass substrate securing method

Номер патента: RU2271907C2. Автор: Николай Александрович Зотов,Александр Валентинович Неудахин,Владислав Львович Фролов. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие Научно-Исследовательский Институт "Волга". Дата публикации: 2006-03-20.

Method of applying decorative pattern on glass mirror

Номер патента: RU2271342C1. Автор: Александр Викторович Каченюк,Полиевктос Панаиотович Калайдопуло,ков Игорь Св тославович Чист,Игорь Святославович Чистяков,Юрий В чеславович Шинков,Юрий Вячеславович Шинков. Владелец: Юрий Вячеславович Шинков. Дата публикации: 2006-03-10.

อุปกรณ์สตาร์ทเครื่องยนต์แบบพกพาด้วยซุปเปอร์คาปาซิเตอร์ (Super Capacitor)

Номер патента: TH160563A. Автор: บุญยงค์ เคมรอน นาย. Владелец: นาย จิรโรจน์ สีสรรพ์. Дата публикации: 2017-03-02.

Improvements in the Production of Pictures or the like on Glass.

Номер патента: GB190420904A. Автор: Wilhelm Schell. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-11-10.

Composition of film-forming solution for preparing color oxide cover on glass and ceramics

Номер патента: RU2223925C2. Автор: В.В. Дроботенко,М.И. Конев,А.А. Олейник. Владелец: Олейник Алексей Анатольевич. Дата публикации: 2004-02-20.

Method and device for super-fine disintegrating of material

Номер патента: RU2322301C1. Автор: Петр Федорович Трофимов,Юрий Дмитриевич Сахаров. Владелец: Юрий Дмитриевич Сахаров. Дата публикации: 2008-04-20.

Process for Producing Imitation Paintings on Glass and Glass Mosaic Work as Transfer Pictures.

Номер патента: GB189920695A. Автор: Rudolf Backhaus. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-10-13.

อุปกรณ์สตาร์ทเครื่องยนต์แบบพกพาด้วยซุปเปอร์คาปาซิเตอร์ (Super Capacitor)

Номер патента: TH160563B. Автор: . Владелец: นาย บุญยงค์ เคมรอน. Дата публикации: 2017-03-02.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing decorative coatings on glass kremnezite

Номер патента: RU2595074C2. Автор: Василий Степанович Бессмертный,Наталья Михайловна Здоренко,Виктор Иванович Стадничук,Сергей Викторович Семененко,Надежда Ивановна Бондаренко. Владелец: Автономная некоммерческая организация высшего профессионального образования "Белгородский университет кооперации, экономики и права". Дата публикации: 2016-08-20.

Apparatus for super-finishing surface of revolution of part with curvilinear generatrix

Номер патента: RU2264282C1. Автор: Алексей Борисович Черенов. Владелец: Алексей Борисович Черенов. Дата публикации: 2005-11-20.

Glass substrate for magnetic recording medium and magnetic recording medium

Номер патента: SG194411A1. Автор: Tasaki Raita,Otsuka Haruhiko. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-29.

An Improved Process for Producing Marbled Effects on Glass, Porcelain and like Surfaces.

Номер патента: GB190515452A. Автор: Frederick William Bundy. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-07-26.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Unit for metal coating application on glass or ceramic microspheres

Номер патента: RU2556161C1. Автор: Валерий Никитич Гринавцев,Олег Валерьевич Гринавцев. Владелец: Олег Валерьевич Гринавцев. Дата публикации: 2015-07-10.

Manufacturing method of glass substrate for magnetic disc and manufacturing method of magnetic disc

Номер патента: SG153716A1. Автор: Yosuke Suzuki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of glass substrate for magnetic disc and manufacturing method of magnetic disc

Номер патента: SG148982A1. Автор: Osamu Koshimizu. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Glass substrate for magnetic recording medium and magnetic recording medium

Номер патента: PH12012000400A1. Автор: Haruhiko Otsuka,Raita Tasaki. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-23.

Glass substrate for magnetic recording medium and magnetic recording medium

Номер патента: PH12013000297A1. Автор: Haruhiko Otsuka,Raita Tasaki. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-11.

Glass substrate for magnetic recording medium and magnetic recording medium

Номер патента: PH12012000400B1. Автор: Haruhiko Otsuka,Raita Tasaki. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-23.

Glass substrate for magnetic recording medium and magnetic recording medium

Номер патента: SG191513A1. Автор: Tasaki Raita,Otsuka Haruhiko. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-31.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of glass substrate for magnetic disc and manufacturing method of magnetic disc

Номер патента: SG148981A1. Автор: Osamu Koshimizu. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Improvements in or relating to the Reproduction of Images on Glass, Porcelain, Ceramic, Metallic or other Surfaces.

Номер патента: GB190724214A. Автор: . Владелец: EDWIN LLOYD Ltd. Дата публикации: 1908-04-16.

Method of ornamental image application on glass, metal or ceramic tile

Номер патента: RU2344000C2. Автор: Александр Иванович Гречко. Владелец: Александр Иванович Гречко. Дата публикации: 2009-01-20.

Production of textured continuous or spot-like films on glass surface

Номер патента: RU2562619C1. Автор: Алексей Викторович Редьков,Игорь Владимирович Редуто,Андрей Александрович Липовский,Семен Дмитриевич Червинский,Владимир Юрьевич Сергеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный политехнический университет" (ФГБОУ ВПО "СПбГПУ"). Дата публикации: 2015-09-10.

Modified on-glass antenna

Номер патента: CA1293052C. Автор: Herbert R. Blaese. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-12-10.

一种具有high-k/low-k复合介质结构的AlGaN/GaN HEMT及制备方法

Номер патента: CN117747657A. Автор: 古佳茜. Владелец: Shenzhen Sirius Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-03-22.

一种具有high-k/low-k复合介质结构的AlGaN/GaN HEMT及制备方法

Номер патента: CN117747657B. Автор: 古佳茜. Владелец: Shenzhen Sirius Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Manufacturing method of glass substrate for magnetic disc and manufacturing method of magnetic disc

Номер патента: SG153715A1. Автор: Yoshinori Marumo. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Manufacturing method of glass substrate for magnetic disc and manufacturing apparatus thereof, glass substrate for magnetic disc, manufacturing method of magnetic disc, and magnetic disc

Номер патента: SG155086A1. Автор: Masao Takano,Masaaki Ueda. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-09-30.

Glass substrate for magnetic recording medium

Номер патента: SG188769A1. Автор: YOSHIMUNE Daisuke,Otsuka Haruhiko. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-30.

High-K电容介质刻蚀的方法

Номер патента: CN115988958. Автор: 汪健,王玉新,姚智,赵雁雁. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-18.

一种具有high-k/low-k复合介质结构的AlGaN/GaN HEMT及制备方法

Номер патента: CN117747657. Автор: 古佳茜. Владелец: Shenzhen Sirius Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-03-22.

High-K电容介质刻蚀的方法

Номер патента: CN115988958A. Автор: 汪健,王玉新,姚智,赵雁雁. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-18.

Method for obtaining nickel coating on glass

Номер патента: RU2572859C1. Автор: Вячеслав Сергеевич Заводнов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2016-01-20.

Method of manufacturing a substrate, method of manufacturing a magnetic disk glass substrate and method of manufacturing a magnetic disk

Номер патента: MY168569A. Автор: Shimada Takashi,Yamashiro Yuji,ISHIKAWA Nami,Kurata Noboru. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-11-13.

Method for manufacturing magnetic-disk glass substrate, method for manufacturing magnetic-disk, and cleaning apparatus

Номер патента: MY196818A. Автор: Supawititpattana Siwat,Sricum Pannee. Владелец: Hoya Lamphun Ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Improvements in and relating to Metal Printing on Glass and like Surfaces.

Номер патента: GB190810237A. Автор: Heinrich Rudolf. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-09-17.

Improved Process for Producing Marbled Effects on Glass, Porcelain and like Surfaces.

Номер патента: GB190522335A. Автор: Frederick William Bundy. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-05-31.

Improvements in Apparatus for Cutting Lines, Circles and other Designs on Glass.

Номер патента: GB189801105A. Автор: Leonard West. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-04-14.

Manufacturing method of glass substrate for magnetic disc or manufacturing apparatus thereof, glass substrate for magnetic disc, manufacturing method of magnetic disc, and magnetic disc

Номер патента: SG155085A1. Автор: Masao Takano,Masaaki Ueda. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-09-30.

Method of manufacturing a glass substrate for a magnetic disk

Номер патента: SG155141A1. Автор: Tadashi Tomonaga,Kenichi Nishimori. Владелец: Hoya Glass Disk Thailand Ltd. Дата публикации: 2009-09-30.

Method for developing photoresist layer on a video disc master

Номер патента: CA1165613A. Автор: Richard L. Wilkinson. Владелец: Discovision Associates. Дата публикации: 1984-04-17.

Package for a glass substrate for a magnetic disk, method of packaging a glass substrate for a magnetic disk and method of manufacturing a magnetic disk

Номер патента: SG153788A1. Автор: Tadashi Tomonaga,Kenichi Nishimori. Владелец: Hoya Glass Disk Thailand Ltd. Дата публикации: 2009-07-29.

Apparatus for measuring thickness of glass substrate

Номер патента: SG136848A1. Автор: Tomohiro Nishiyama. Владелец: Nishiyama Stainless Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Glass substrate for magnetic recording medium and magnetic recording medium using the glass substrate for magnetic recording medium

Номер патента: MY152421A. Автор: Minoru Tamada. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-30.

Glass substrate for magnetic recording medium and magnetic recording medium using the glass substrate for magnetic recording medium

Номер патента: SG189628A1. Автор: TAMADA Minoru. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-31.

Glass substrate for magnetic recording medium

Номер патента: MY156723A. Автор: Haruhiko Otsuka,Daisuke Yoshimune. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Method of manufacturing a glass substrate for a magnetic disk

Номер патента: SG173344A1. Автор: Gosuke Ikemori,Hiroshi Tsuchiya. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2011-08-29.

Manufacturing method of glass substrate for magnetic disk

Номер патента: SG180148A1. Автор: Ueda Masaaki,Takahashi Takeyoshi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2012-05-30.

一种具有High K介质的超结SGT结构及其制作方法

Номер патента: CN117790312. Автор: 李铁生,赵宏美,陈桥梁,肖晓军. Владелец: Longteng Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-03-29.

Method of manufacturing a glass substrate for a magnetic disk

Номер патента: SG161125A1. Автор: Gosuke Ikemori,Hiroshi Tsuchiya. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2010-05-27.

一种具有High K介质的超结SGT结构及其制作方法

Номер патента: CN117790312A. Автор: 李铁生,赵宏美,陈桥梁,肖晓军. Владелец: Longteng Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-03-29.

Manufacturing method of high-k grid electrode dielectric medium\metal stack-up grid electrode

Номер патента: CN103165441A. Автор: 何有丰. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-06-19.

Methods of deposition of the working layers on the cylindrical details

Номер патента: RU2310016C1. Автор: Виктор Владимирович Вашковец. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2007-11-10.

High k plzt ceramic capacitor and method for making

Номер патента: CA1154835A. Автор: Galeb H. Maher. Владелец: Sprague Electric Co. Дата публикации: 1983-10-04.

Glass substrate for magnetic recording medium and method for manufacturing the same

Номер патента: PH12013000245A1. Автор: Toru Momose. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-16.

Method of manufacturing a glass substrate for a magnetic disk

Номер патента: SG155127A1. Автор: Tadashi Tomonaga,Kenichi Nishimori. Владелец: Hoya Glass Disk Thailand Ltd. Дата публикации: 2009-09-30.

Improvements in the Production of Letters and Designs on Glass.

Номер патента: GB189707376A. Автор: Robert William Billings. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-03-05.

Manufacturing method of glass substrate for magnetic disk

Номер патента: MY162562A. Автор: Ueda Masaaki,Takahashi Takeyoshi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-06-30.

一种high-k介质材料新型同质阻变存储器及其制备方法

Номер патента: CN109904313. Автор: 王芳,张楷亮,张宝军,李宇翔,王路广,邓盟. Владелец: Tianjin University of Technology. Дата публикации: 2019-06-18.

Method for measuring height of melt aluminum layer on bottom of aluminum cell

Номер патента: RU2307880C1. Автор: Андрей Васильевич Завадяк,Виталий Валерьевич Пингин,Дмитрий Александрович Требух,Юрий Глебович Михалев,Сергей Илаевич Ахметов,к Андрей Васильевич Завад,Алексей Иванович Толкачев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Русская инжиниринговая компания". Дата публикации: 2007-10-10.

Device for re-laminarisation of boundary layer on arrow wing flow streamline

Номер патента: RU2339541C2. Автор: Виктор Максимович Филиппов,Владимир Яковлевич Нейланд. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный аэрогидродинамический институт имени профессора Н.Е. Жуковского" (ФГУП "ЦАГИ"). Дата публикации: 2008-11-27.

Method to produce nanostructured layer on surface of metals under conditions of acoustocapillary effect

Номер патента: RU2547051C2. Автор: Николай Петрович Симонов,Алексей Владимирович Соколов,Александр Викторович Липов,Наталья Евгеньевна Артемова,Игорь Иосифович Артемов,Светлана Борисовна Меньшова,Владимир Дмитриевич Кревчик,Александр Васильевич Рудин,Александр Александрович Воинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "Пензенский государственный университет"). Дата публикации: 2015-04-10.

Method for producing oxide layer on anodes of oxide-semiconductor and electrolytic capacitors

Номер патента: RU2322722C1. Автор: Лев Матвеевич Меринов,Виталий Евгеньевич Александров,Сергей Павлович Прокофьев,Натали Вениаминовна Галашина,Наталия Вениаминовна Галашина. Владелец: Открытое акционерное общество "Завод "Мезон". Дата публикации: 2008-04-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.