Retention improvement of rram devices by high-k encapsulation
Номер патента: EP3671875A1
Опубликовано: 24-06-2020
Автор(ы): Albert Chen, Christopher Jezewski, Elijah Karpov, Nathan STRUTT, Oleg Golonzka, Pedro Quintero
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-06-2020
Автор(ы): Albert Chen, Christopher Jezewski, Elijah Karpov, Nathan STRUTT, Oleg Golonzka, Pedro Quintero
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Retention improvement of rram devices by high-k encapsulation
Номер патента: EP3979347A1. Автор: Albert Chen,Oleg Golonzka,Nathan STRUTT,Christopher Jezewski,Elijah Karpov,Pedro Quintero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-04-06.