Threshold adjustment for MOS devices by adapting a spacer width prior to implantation
Номер патента: US20090321850A1
Опубликовано: 31-12-2009
Автор(ы): Frank Feustel, Heike Berthold, Jan Hoentschel, Kai Frohberg, Katrin Reiche, Kerstin Ruttloff, Uwe Griebenow
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 31-12-2009
Автор(ы): Frank Feustel, Heike Berthold, Jan Hoentschel, Kai Frohberg, Katrin Reiche, Kerstin Ruttloff, Uwe Griebenow
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Threshold adjustment in fabricating vertical dmos devices
Номер патента: US5248627A. Автор: Richard K. Williams. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1993-09-28.