Reduced capacitance transistor with electro-static discharge protection structure and method for forming the same
Номер патента: AU1202199A
Опубликовано: 05-07-1999
Автор(ы): Michael J. Allen
Принадлежит: Intel Corp
Опубликовано: 05-07-1999
Автор(ы): Michael J. Allen
Принадлежит: Intel Corp
Reduced capacitance transistor with electro-static discharge protection structure and method for forming the same
Номер патента: WO1999031729A1. Автор: Michael J. Allen. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1999-06-24.