Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Superconducting wire, superconducting wire precursor body and fabrication method thereof, and superconducting multi-core conductor precursor body

Superconducting wire, superconducting wire precursor body and fabrication method thereof, and superconducting multi-core conductor precursor body

Номер патента: US20150111755A1
Опубликовано: 23-04-2015
Автор(ы): Akiyasu Yamamoto, Junichi Shimoyama, Kazuhide Tanaka, Motomune Kodama
Принадлежит: HITACHI LTD, University of Tokyo NUC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Superconducting wire rod, superconducting coil, magnetic generator, and method for producing superconducting wire rod

Номер патента: US11837380B2. Автор: Takaaki Suzuki,Hideki Tanaka,Motomune Kodama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Superconducting wire rod, superconducting coil, magnetic generator, and method for producing superconducting wire rod

Номер патента: US20210233685A1. Автор: Takaaki Suzuki,Hideki Tanaka,Motomune Kodama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Superconducting wire

Номер патента: US20190304634A1. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Kotaro Ohki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Superconducting wire

Номер патента: US20170133127A1. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Takashi Yamaguchi,Masaya Konishi,Genki Honda,Kotaro Ohki,Tatsuhiko Yoshihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Superconducting wire

Номер патента: US20200111589A1. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Takashi Yamaguchi,Masaya Konishi,Genki Honda,Kotaro Ohki,Tatsuhiko Yoshihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Superconducting wire, superconducting coil, mri and nmr

Номер патента: EP3327733A1. Автор: Takaaki Suzuki,Hideki Tanaka,Kazuya Nishi,Yota Ichiki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-05-30.

Superconducting wire

Номер патента: US20180122534A1. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Takashi Yamaguchi,Tatsuhiko Yoshihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Magnesium diboride superconducting wire and method for manufacturing same

Номер патента: US20120004110A1. Автор: Masaya Takahashi,Kazuhide Tanaka,Tsuyoshi Wakuda,Yota Ichiki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Superconductivity stabilizing material, superconducting wire and superconducting coil

Номер патента: US20200340079A1. Автор: Yuki Ito,Kosei FUKUOKA,Kazunari Maki. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Superconducting wire

Номер патента: US20170140852A1. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Takashi Yamaguchi,Masaya Konishi,Genki Honda,Kotaro Ohki,Tatsuhiko Yoshihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Process for producing bismuth-based oxide superconductor, and superconductive wire

Номер патента: CA2579733A1. Автор: Naoki Ayai. Владелец: Naoki Ayai. Дата публикации: 2006-10-26.

Mgb2 superconducting wire material and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200294693A1. Автор: Takaaki Suzuki,Hideki Tanaka,Hiroshi Kotaki,Motomune Kodama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2020-09-17.

MGB2 superconducting wire material and manufacturing method therefor

Номер патента: US11694824B2. Автор: Takaaki Suzuki,Hideki Tanaka,Hiroshi Kotaki,Motomune Kodama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2023-07-04.

Pancake type bifilar winding module using high-tc superconducting wire and bobbin for winding therefor

Номер патента: US20060202787A1. Автор: Tae Ko,Duck Bae,Min Cheol Ahn. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2006-09-14.

Superconducting film-forming substrate, superconducting wire, and superconducting wire manufacturing method

Номер патента: US20150038334A1. Автор: Masaru Higuchi,Yoshinori Nagasu,Hisaki Sakamoto. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Low ac-loss multi-filament superconducting wire material and manufacturing method therefor

Номер патента: US20120245034A1. Автор: Yasuo Takahashi,Keiichi Tanabe,Teruo Izumi,Hiroshi Tobita,Takato Machi. Владелец: International Superconductivity Technology Center. Дата публикации: 2012-09-27.

Layered polycrystalline lead selenide photoelectric film and fabrication method thereof

Номер патента: US11781222B2. Автор: Jian Yang,Yuan Zhu,Junlin Liu,Guiwu LIU,Guanjun QIAO,Xiangzhao ZHANG,Quanjiang LV,Haigang HOU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2023-10-10.

Aluminum-stabilized superconducting wire

Номер патента: CA2061080C. Автор: Takuya Suzuki,Keizo Kosugi,Yoshinori Nagasu,Itaru Inoue. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-02-11.

Superconducting wire connection structure, superconducting wire connection method, and connection superconducting wire

Номер патента: US09502159B2. Автор: Masashi Yagi,Takaharu Mitsuhashi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Body with magnetic film attached and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991051B2. Автор: Hiroshi Ono,Koichi Kondo,Yukihiro Numata. Владелец: Tokin Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Superconducting wire connector and method of connecting superconducting wires

Номер патента: US11972877B2. Автор: Shinji Fujita,Tsuyoshi Wakuda,Motomune Kodama,Yota Ichiki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Mgb2 superconducting multi-core wires, superconducting cables, and superconducting magnets

Номер патента: US20140066313A1. Автор: Kazuhide Tanaka,Motomune Kodama,Yota Ichiki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-03-06.

Mgb2 superconducting multi-core wires, superconducting cables, and superconducting magnets

Номер патента: US20140066313A1. Автор: Kazuhide Tanaka,Motomune Kodama,Yota Ichiki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-03-06.

Superconducting wire and superconducting coil

Номер патента: RU2719388C1. Автор: Наонори НАКАМУРА. Владелец: Фудзикура Лтд.. Дата публикации: 2020-04-17.

Superconducting wire material, superconducting coil, superconducting magnet, superconducting motor, superconducting generator, superconducting aircraft, and superconducting device

Номер патента: US20240321485A1. Автор: Hirotaka Ishii,Tomoko Eguchi,Tomohiro Yamashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Oxide superconducting wire

Номер патента: US11756708B2. Автор: Masaki OHSUGI. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Oxide superconductive wire, method of manufacturing the same and the products using the same

Номер патента: US5372991A. Автор: Satoshi Takano,Shigeru Okuda,Noriki Hayashi,Hajime Hitotsuyanagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1994-12-13.

Nb-Based Rod Material for Producing Superconducting Wire Material and Method of Producing Nb3Sn Superconducting Wire Material

Номер патента: US20090258788A1. Автор: Shigenobu Nanba,Takayoshi Miyazaki,Kyoji Zaitsu. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2009-10-15.

Compound superconducting wire and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150024943A1. Автор: Kazuo Watanabe,Masahiro Sugimoto,Hirokazu Tsubouchi,Satoshi Awaji,Hidetoshi OGURO. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-01-22.

Compound superconducting wire and method for manufacturing the same

Номер патента: US09711262B2. Автор: Kazuo Watanabe,Masahiro Sugimoto,Hirokazu Tsubouchi,Satoshi Awaji,Hidetoshi OGURO. Владелец: Tohoku Techno Arch Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

MgB2-Based Superconducting Wire for a Liquid Hydrogen Level Sensor, a Liquid Hydrogen Level Sensor, and a Liquid Hydrogen Level Gauge

Номер патента: US20150332811A1. Автор: Hiroyoshi Yamada,Naoki Koshizuka,Satoshi Shimura,Kazunari Mochizuki. Владелец: TOKYO WIRE WORKS Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Superconducting wire and superconducting coil employing it

Номер патента: US20060077025A1. Автор: Hiroshi Fuji,Teruo Izumi,Akira Tomioka,Kazuo Funaki,Yuh Shiohara,Masataka Iwakuma,Takanobu Kisu,Toshio Uede. Владелец: INTERNATIONAL SUPERONDUCTIVITY TECHNOLOGY CENTER JURIDICAL FOUNDATION. Дата публикации: 2006-04-13.

Method and apparatus for fabricating superconducting wire

Номер патента: US5229358A. Автор: Nalin Kumar. Владелец: Microelectronics and Computer Technology Corp. Дата публикации: 1993-07-20.

Substrate having electrical interconnection structures and fabrication method thereof

Номер патента: US09903024B2. Автор: Po-Yi Wu,Chun-Hung Lu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

MgB2-based superconducting wire for a liquid hydrogen level sensor, a liquid hydrogen level sensor, and a liquid hydrogen level gauge

Номер патента: US10128024B2. Автор: Hiroyoshi Yamada,Naoki Koshizuka,Satoshi Shimura,Kazunari Mochizuki. Владелец: TOKYO WIRE WORKS Ltd. Дата публикации: 2018-11-13.

Superconducting connection between MgB2 superconducting wires via a compressed element made from HTS powder

Номер патента: US20100216645A1. Автор: Volker Gluecklich,Klaus Schlenga,Bernd Sailer,Felicitas Tenbrink,André Aubele. Владелец: BRUKER HTS GMBH. Дата публикации: 2010-08-26.

Method of producing a superconducting wire and a superconducting wire produced according to the same

Номер патента: CA1320628C. Автор: Mikio Nakagawa,Yoshimitsu Ikeno,Nobuyuki Sadakata,Masaru Sugimoto,Osamu Kohno,Shin'ya Aoki. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 1993-07-27.

Insulation-coated compound superconducting wire and rewinding method thereof

Номер патента: US12020830B2. Автор: Masahiro Sugimoto,Hirokazu Tsubouchi,Hideki Ii,Kota KATAYAMA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Connection structure of high temperature superconducting wires, method for forming same, high temperature superconducting wire, and high temperature superconducting coil

Номер патента: US12119137B2. Автор: Akinobu Nakai. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Superconductive wire, stacked superconductive wire, superconductive coil and superconductive cable

Номер патента: US12046393B2. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Takashi Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Superconducting wire and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180204658A1. Автор: Takeshi Kato,Kohei Yamazaki,Goro Osabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Resin-coated superconducting wire, superconducting coil, and shield coil

Номер патента: EP3979264A1. Автор: Hiroyuki Fukushima,Takumi Sato,Masahiro Sugimoto,Hirokazu Tsubouchi,Yonghoon Kim,Hideki Ii. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-06.

Connection structure of high temperature superconducting wires, method for forming same, high temperature superconducting wire, and high temperature superconducting coil

Номер патента: US20230005644A1. Автор: Akinobu Nakai. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Structure for connecting high-temperature superconducting wire materials, method for forming same, high-temperature superconducting wire material, and high-temperature superconducting coil

Номер патента: EP4071772A1. Автор: Akinobu Nakai. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Connection structure of high-temperature superconducting wire piece, high-temperature superconducting wire using connection structure, and high-temperature superconducting coil using connection structure

Номер патента: US20160240284A1. Автор: HIROSHI Miyazaki,Shigeki Takayama,Kenji Tasaki,Sadanori Iwai,Kei Koyanagi,Taizo Tosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Superconducting wire material and superconducting coil

Номер патента: GB2624590A. Автор: FUJITA Shinji,Muto Shogo. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Method of treating oxide superconductive wires and products using the same

Номер патента: CA2030559C. Автор: Satoshi Takano,Shigeru Okuda,Noriki Hayashi,Hajime Hitotsuyanagi. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 1995-01-31.

Superconducting wire material and method for manufacturing superconducting wire material

Номер патента: US9070495B2. Автор: Hiroyuki Fukushima,Eiji Kojima,Yoshikazu Okuno,Yuko Hayase. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Superconducting wire and superconducting coil

Номер патента: US20190259512A1. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Takashi Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Oxide superconducting wire, and superconducting coil

Номер патента: GB2608090A. Автор: FUJITA Shinji. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2022-12-21.

Method of fabricating superconducting wire

Номер патента: US20220319740A1. Автор: Sergey Li,Valery PETRYKIN. Владелец: SUPEROX JAPAN LLC. Дата публикации: 2022-10-06.

Method of fabricating superconducting wire

Номер патента: EP3973555A1. Автор: Sergey Li,Valery PETRYKIN. Владелец: SUPEROX JAPAN LLC. Дата публикации: 2022-03-30.

Anode plate and fabrication method thereof, battery cell, battery and electronic device

Номер патента: EP4067457A1. Автор: Xiangfei Yuan. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-05.

Connection structure of high-temperature superconducting wire piece, high-temperature superconducting wire using connection structure, and high-temperature superconducting coil using connection structure

Номер патента: US09691532B2. Автор: HIROSHI Miyazaki,Shigeki Takayama,Kenji Tasaki,Sadanori Iwai,Kei Koyanagi,Taizo Tosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic field generating device and superconducting rotary machine comprising magnetic field generating device

Номер патента: US09799434B2. Автор: Yohei MURASE,Katsuya Umemoto. Владелец: Kawasaki Jukogyo KK. Дата публикации: 2017-10-24.

Superconducting coil, superconducting device, and superconducting wire rod for superconducting coil

Номер патента: US11791080B2. Автор: Takashi Kuboki,Mariko Hayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Quantum dot light-emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: US20230043770A1. Автор: Zhiwen NIE. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Flexible substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20190229281A1. Автор: BO Liang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Electrode unit joining structure for superconducting wire, superconducting wire, and superconducting coil

Номер патента: US20130040819A1. Автор: Shinji Fujita,Masanori Daibo,Masashi Haraguchi. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2013-02-14.

METHOD FOR PRODUCING Nb3Sn SUPERCONDUCTING WIRE, PRECURSOR FOR Nb3Sn SUPERCONDUCTING WIRE, AND Nb3Sn SUPERCONDUCTING WIRE USING SAME

Номер патента: US20200020463A1. Автор: Banno Nobuya,TACHIKAWA Kyoji. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for manufacturing insulating superconductive wire rod

Номер патента: US20210012930A1. Автор: Eiji Komai,Hideaki Sakurai. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Superconductive wire and current limiter

Номер патента: US20180152016A1. Автор: Yoshihiro Honda,Shigeki Isojima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Superconducting wire connection structure, superconducting wire connection method, and superconducting wire for connecting

Номер патента: US20150045229A1. Автор: Masashi Yagi,Takaharu Mitsuhashi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Superconducting wire connection structure, superconducting wire connection method, and use of connection superconducting wire

Номер патента: EP2728592B1. Автор: Masashi Yagi,Takaharu Mitsuhashi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-18.

OXIDE SUPERCONDUCTING WIRE AND OXIDE SUPERCONDUCTING WIRE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160322132A1. Автор: Nakamura Naonori,KURIHARA Chihaya. Владелец: FUJIKURA LTD.. Дата публикации: 2016-11-03.

Method for producing metal laminated substrate for oxide superconducting wire, and oxide superconducting wire using the substrate

Номер патента: EP2357656A4. Автор: Takeshi Kato,Akira Kaneko,Masaya Konishi,Hironao Okayama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-05-07.

Precursor for fabricating ??3?? superconducting wire, and ??3?? superconducting wire, and method for fabricating same

Номер патента: KR100761607B1. Автор: 교오지 자이쯔,히로유끼 가또,다까유끼 미야따께,다까요시 미야자끼. Владелец: 가부시키가이샤 고베 세이코쇼. Дата публикации: 2007-09-27.

Precursor for fabricating Nb3Sn superconducting wire, and Nb3Sn superconducting wire, and method for fabricating same

Номер патента: EP1701390A2. Автор: Hiroyuki Kato,Takayuki Miyatake,Takayoshi Miyazaki,Kyoji Zaitsu. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2006-09-13.

Superconducting wires and methods of making thereof

Номер патента: US09916919B2. Автор: Xuan Peng,Michael D. Sumption,Xingchen XU. Владелец: Hyper Tech Research Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

PRODUCTION METHOD FOR MgB2 SUPERCONDUCTING WIRE ROD, SUPERCONDUCTING COIL AND MRI

Номер патента: US20200090835A1. Автор: Takaaki Suzuki,Hideki Tanaka,Hiroshi Kotaki,Shigeho Tanigawa,Motomune Kodama,Kazuya Nishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

Iron-based superconducting wire and method for producing the same

Номер патента: US20120135869A1. Автор: Yoshihiko Takano,Hiroaki Kumakura,Yoshikazu Mizuguchi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2012-05-31.

Oxide superconducting multi-core wire and method for producing the same, and oxide superconducting stranded wire and method for producing the same

Номер патента: JP3587128B2. Автор: 哲幸 兼子. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-11-10.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: US09547036B2. Автор: Woocheol Jeong,Imkuk KANG,Sungjun YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Superconducting coil protection method and superconducting magnet device

Номер патента: US09543754B2. Автор: Shinji Matsumoto,Tsukasa Kiyoshi,Mamoru Hamada,Davide Uglietti. Владелец: Japan Superconductor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Iron-based superconducting multi-core wire and preparation method thereof

Номер патента: CN110600191B. Автор: 姚超,王栋樑,马衍伟,张现平,董持衡,朱炎昌,徐中堂. Владелец: Institute of Electrical Engineering of CAS. Дата публикации: 2020-12-15.

Superconducting wire and method of producing the same

Номер патента: US4543449A. Автор: Kunishige Kuroda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-09-24.

Method for joining superconducting wires and superconducting joint

Номер патента: GB201208949D0. Автор: . Владелец: Siemens PLC. Дата публикации: 2012-07-04.

Method for joining superconducting wires and superconducting joint

Номер патента: WO2013164376A1. Автор: M'hamed Lakrimi,Mark Blumenthal. Владелец: Siemens PLC. Дата публикации: 2013-11-07.

Magnetic module for power inductor, power inductor, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09478334B2. Автор: Jung Min Park,Young Ghyu Ahn,Sang Soo Park,Min Cheol Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Precursor for manufacturing Nb3Sn superconducting wire and Nb3Sn superconducting wire

Номер патента: US20070186998A1. Автор: Hiroyuki Kato,Takayuki Miyatake,Takayoshi Miyazaki,Kyoji Zaitsu. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2007-08-16.

Superconducting wire, superconducting multi-core wire using the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: JPWO2005050674A1. Автор: 純 藤上,宗譜 上山,藤上　純. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Tape base for superconducting wire, and superconducting wire

Номер патента: EP2477193A1. Автор: Hiroyuki Fukushima. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Superconductive wire and method for producing the same

Номер патента: EP1995797A3. Автор: Michiya Okada,Masaya Takahashi,Kazuhide Tanaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-09-26.

Superconducting connection structure of nb3sn superconducting wire rod and nbti wire rod, method for producing same, and nuclear magnetic resonance apparatus using same

Номер патента: US20240242857A1. Автор: Nobuya Banno. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2024-07-18.

Superconducting connection structure of nb3sn superconducting wire rod and nbti wire rod, method for producing same, and nuclear magnetic resonance apparatus using same

Номер патента: EP4354664A1. Автор: Nobuya Banno. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2024-04-17.

Method For Forming A Superconducting Connection Structure And Superconducting Connection Structure

Номер патента: US20170005256A1. Автор: Marijn Pieter Oomen,Mariusz Wozniak,Wolfgang Haessler,Hannah Brice,Juliane Scheiter,Steffen Ziller. Владелец: Siemens PLC. Дата публикации: 2017-01-05.

Method for forming a superconducting connection structure and superconducting connection structure

Номер патента: EP3050169A1. Автор: Marijn Pieter Oomen,Mariusz Wozniak,Wolfgang Hässler,Hannah Brice,Juliane Scheiter,Steffen Ziller. Владелец: Siemens PLC. Дата публикации: 2016-08-03.

Method for forming a superconducting connection structure and superconducting connection structure

Номер патента: US09991437B2. Автор: Marijn Pieter Oomen,Mariusz Wozniak,Wolfgang Haessler,Hannah Brice,Juliane Scheiter,Steffen Ziller. Владелец: Siemens PLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing superconducting wire, and superconducting wire

Номер патента: US09558873B2. Автор: Shigeo Nagaya,Tomonori Watanabe,Akinobu Nakai,Naoji Kashima,Ryusuke Nakasaki. Владелец: Chubu Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Oxide superconducting wire

Номер патента: RU2606959C1. Автор: Тихая КУРИХАРА. Владелец: Фудзикура Лтд.. Дата публикации: 2017-01-10.

Low-Resistance Connection Body for High-Temperature Superconducting Wire Material and Connection Method

Номер патента: US20170011823A1. Автор: Hideaki Maeda,Yoshinori Yanagisawa,Xinzhe Jin. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2017-01-12.

Low-resistance connection body for high-temperature superconducting wire material and connection method

Номер патента: US9941032B2. Автор: Hideaki Maeda,Yoshinori Yanagisawa,Xinzhe Jin. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of producing Nb3Sn superconducting wire rod, and Nb3Sn superconducting wire rod

Номер патента: US8227089B2. Автор: Katsumi Ohata,Morio Kimura,Masahiro Seido. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2012-07-24.

Oxide superconducting wire connection structure

Номер патента: US20200251253A1. Автор: Naonori Nakamura. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Superconducting wire, superconducting conductor, and superconducting cable

Номер патента: US20090221427A1. Автор: Teruo Izumi,Shinichi Mukoyama,Masashi Yagi,Yuh Shiohara,Naoyuki AMEMIYA. Владелец: Yokohama National University NUC. Дата публикации: 2009-09-03.

Substrate for superconducting wire, method for manufacturing the same, and superconducting wire

Номер патента: US20160217890A1. Автор: Takashi Koshiro,Teppei Kurokawa,Hironao Okayama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Reinforced superconducting wire, superconducting cable, superconducting coil and superconducting magnet

Номер патента: US20200328013A1. Автор: Matteo Alessandrini,Davide Nardelli. Владелец: Bruker Switzerland AG. Дата публикации: 2020-10-15.

Fabrication of reinforced superconducting wires

Номер патента: US20170309375A1. Автор: David B. Smathers,Francois-Charles Dary,Paul Aimone. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-26.

Oxide superconducting wire

Номер патента: US11756709B2. Автор: Naonori Nakamura. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Superconducting wire rod and superconducting coil

Номер патента: US20180301249A1. Автор: Tomohiro Takagi,Toru Fukushima,Hisaki Sakamoto. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

METHOD OF PRODUCING Nb3Sn SUPERCONDUCTING WIRE ROD, AND Nb3Sn SUPERCONDUCTING WIRE ROD

Номер патента: US20110190139A1. Автор: Katsumi Ohata,Morio Kimura,Masahiro Seido. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Re123-based superconducting wire and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150357091A1. Автор: Teruo Izumi,Masateru Yoshizumi,Yuh Shiohara,Tomo YOSHIDA. Владелец: International Superconductivity Technology Center. Дата публикации: 2015-12-10.

Superconducting wire

Номер патента: US20150024942A1. Автор: Hiroyuki Fukushima,Masaru Higuchi,Hideyuki Hatakeyama,Yoshikazu Okuno,Yoshinori Nagasu,Yuko Hayase,Hisaki Sakamoto. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Fabrication of reinforced superconducting wires

Номер патента: EP3323009A2. Автор: David B. Smathers,Paul Aimone,Francois Charles DARY. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2018-05-23.

Multifunctional antistatic non-woven fabric and fabrication method thereof

Номер патента: US20100159773A1. Автор: Wei-Jen Lai,Sheng-Shan Chang. Владелец: TAIWAN TEXTILE RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2010-06-24.

Transparent Conductive Film and Fabrication Method Thereof, Display Substrate and Display Device

Номер патента: US20160042829A1. Автор: Jinyu REN,Yongzhi SONG,Tengteng HU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Electrically conductive composition and fabrication method thereof

Номер патента: US20110101283A1. Автор: Hong-Ching Lin,Chun-An Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-05-05.

Mask and fabricating method thereof, and displaying base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20220149282A1. Автор: Pengcheng LU,Yunlong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Process for making a connection between superconductive wires and to a connection obtained by this process

Номер патента: US4558512A. Автор: Andre Sulpice,Jacques Chaussy,Jean-Louis Genicon,Jean Mazuer,Jean Pilon. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 1985-12-17.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020014626A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050032339A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Bobbin structure for winding of superconducting wire rod

Номер патента: US20230282401A1. Автор: Min-jee KIM,Ki-Nam YOO. Владелец: LS Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Composite film and fabrication method thereof, photoelectric element and photoelectric apparatus

Номер патента: US09828544B2. Автор: Chen Tang,Jingxia Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Superconducting coil production apparatus and superconducting coil production method

Номер патента: US10049816B2. Автор: HIROSHI Miyazaki,Yusuke Ishii,Shigeki Takayama,Kenji Tasaki,Kei Koyanagi,Taizo Tosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-08-14.

Superconducting coil production apparatus and superconducting coil production method

Номер патента: US20160005538A1. Автор: HIROSHI Miyazaki,Yusuke Ishii,Shigeki Takayama,Kenji Tasaki,Kei Koyanagi,Taizo Tosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US7456713B2. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-11-25.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US20070109081A1. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Superconducting coil and superconducting device

Номер патента: US09552913B2. Автор: Masanori Daibo. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Superconducting coil and superconducting device

Номер патента: RU2597876C2. Автор: Масанори ДАИБО. Владелец: Фуджикура Лтд.. Дата публикации: 2016-09-20.

Alkaloid halogen-doped sulfide glasses for optical amplifier and fabricating method thereof

Номер патента: US20020025898A1. Автор: Sun-Tae Jung,Jong Heo,Dong-Chin Lee,Hye-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166342A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Energy storage structures and fabrication methods thereof

Номер патента: EP2973836A1. Автор: Anthony Sudano,Dave Rich,Renato Friello,Shreefal Sudhir MEHTA,Sudhir Rajaram KULKARNI. Владелец: PAPER BATTERY COMPANY Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Energy storage structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09831533B2. Автор: Anthony Sudano,Dave Rich,Renato Friello,Shreefal Sudhir MEHTA,Sudhir Rajaram KULKARNI. Владелец: Paper Battery Co. Дата публикации: 2017-11-28.

Connector and fabrication method thereof

Номер патента: US20130344742A1. Автор: Seiya Matsuo,Takashi Kuwahara. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Front substrate of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20060043378A1. Автор: Sung-Wook Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-03-02.

Front substrate of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20040150341A1. Автор: Sung-Wook Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-08-05.

Organic light-emitting display panel and fabricating method

Номер патента: US11228018B2. Автор: Jian Jin,Congyi SU. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-18.

Superconducting wiring lines and process for fabricating the same

Номер патента: US5856275A. Автор: Hiroshi Inada,Takao Nakamura,Michitomo Iiyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1999-01-05.

Powder and rod process for forming superconducting wire and method of manufacture thereof

Номер патента: US9385295B2. Автор: Leszek Motowidlo. Владелец: Supramagnetics Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

MOMENTUM-MATCHING AND BAND-ALIGNMENT VAN DER WAALS (vdW) INFRARED PHOTODETECTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20230420594A1. Автор: Wei Lu,ZHEN Wang,PENG Wang,FANG Wang,Ting He,Yunfeng Chen,Fang Zhong,Xiaoshuang CHEN,Weida HU,Jinshui MIAO,Runzhang XIE. Владелец: Shanghai Institute of Technical Physics of CAS. Дата публикации: 2023-12-28.

Circuit board surface structure and fabrication method thereof

Номер патента: US8164003B2. Автор: Ying-Tung Wang,Sao-Hsia Tang. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Composite film and fabrication method thereof, photoelectric element and photoelectric apparatus

Номер патента: US20150329774A1. Автор: Chen Tang,Jingxia Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Insulator, capacitor with the same and fabrication method thereof, and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20150318343A1. Автор: Kwan-Soo Kim,Soon-Wook Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Piezoelectric bio-organic films and fabrication method thereof

Номер патента: US20230363283A1. Автор: Zhengbao Yang,Zhuomin Zhang,Xuemu LI. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2023-11-09.

Insulator, capacitor with the same and fabrication method thereof, and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190148139A1. Автор: Kwan-Soo Kim,Soon-Wook Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Light emitting diode device and fabrication method thereof

Номер патента: US7884384B2. Автор: Chih-Cheng Chiang,Shu-Ru Chung,Kuan-Wen Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-02-08.

Dielectric thin film and fabrication method thereof

Номер патента: US5874379A. Автор: Jae-Hyun Joo,Seung-Ki Joo. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-23.

Method for producing superconducting wire material and superconducting joining member

Номер патента: US20180025812A1. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Kotaro Ohki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Precursor wire for compound superconducting wire, compound superconducting wire, and rewinding method for compound superconducting wire

Номер патента: EP4383281A1. Автор: Hiroyuki Fukushima,Masahiro Sugimoto,Kiyoshige Hirose,Daisuke Asami. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Precursor wire for compound superconducting wire, compound superconducting wire, and rewinding method for compound superconducting wire

Номер патента: US20240274327A1. Автор: Hiroyuki Fukushima,Masahiro Sugimoto,Kiyoshige Hirose,Daisuke Asami. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Permanent current switch and superconducting device

Номер патента: EP4033501A1. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Takashi Yamaguchi,Yoshinori Yanagisawa,Kotaro Ohki,Mamoru Hamada. Владелец: Japan Superconductor Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Connection portion for superconducting wire and method for connecting superconducting wire

Номер патента: US20230317318A1. Автор: Shinji Fujita,Tsuyoshi Wakuda,Motomune Kodama,Yota Ichiki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of processing width of superconducting wire rod

Номер патента: CA2649827A1. Автор: Kazuya Ohmatsu,Munetsugu Ueyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Electrically connecting device for superconducting wires

Номер патента: US12068567B2. Автор: Nicolas Lallouet,Sebastien Delplace,Loïc LEGRAND. Владелец: Nexans SA. Дата публикации: 2024-08-20.

Ultra-long silver nanowire material and fabrication method thereof

Номер патента: US12109621B2. Автор: Jing Zheng,Rui Dang. Владелец: Northwest Institute for Non Ferrous Metal Research. Дата публикации: 2024-10-08.

Diffusion barriers for metallic superconducting wires

Номер патента: US12073958B2. Автор: David B. Smathers,Paul R. Aimone. Владелец: Materion Newton Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Diffusion barriers for metallic superconducting wires

Номер патента: US09984795B2. Автор: David B. Smathers,Paul Aimone. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Blank for producing a long nb3 sn-based superconducting wire

Номер патента: EP3961658A1. Автор: Ildar Mansurovich ABDYUKHANOV,Maxim Viktorovich ALEKSEEV,Alexander Gennadievich SILAEV,Viktor Ivanovich PANTSYRNY,Konstantin Alekseevich MAREEV,Mariia Vladimirovna KRYLOVA,Anastasiia Sergeevna TSAPLEVA,Pavel Vladimirovich KONOVALOV,Sergei Mihailovich ZERNOV. Владелец: Tvel JSC. Дата публикации: 2022-03-02.

Oxide superconducting wire

Номер патента: US20230395285A1. Автор: Tomo YOSHIDA. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Oxide superconducting wire

Номер патента: EP4219401A1. Автор: Tomo YOSHIDA. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Persistent current switch and superconducting device

Номер патента: US11980106B2. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Takashi Yamaguchi,Yoshinori Yanagisawa,Kotaro Ohki,Mamoru Hamada. Владелец: Japan Superconductor Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Diffusion barriers for metallic superconducting wires

Номер патента: US20230420161A1. Автор: David B. Smathers,Paul R. Aimone. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-28.

Diffusion barriers for metallic superconducting wires

Номер патента: US20230187104A1. Автор: David B. Smathers,Paul R. Aimone. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-15.

Diffusion barriers for metallic superconducting wires

Номер патента: US11791066B2. Автор: David B. Smathers,Paul Aimone. Владелец: Materion Newton Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Diffusion barriers for metallic superconducting wires

Номер патента: US20230024897A1. Автор: David B. Smathers,Paul Aimone. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-01-26.

Diffusion barriers for metallic superconducting wires

Номер патента: US20210183540A1. Автор: David B. Smathers,Paul Aimone. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

Diffusion barriers for metallic superconducting wires

Номер патента: US20190267160A1. Автор: David B. Smathers,Paul Aimone. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-29.

Ultra-long silver nanowire material and fabrication method thereof

Номер патента: US20240082917A1. Автор: Jing Zheng,Rui Dang. Владелец: Northwest Institute for Non Ferrous Metal Research. Дата публикации: 2024-03-14.

SUPERCONDUCTING WIRE, SUPERCONDUCTING WIRE PRECURSOR BODY AND FABRICATION METHOD THEREOF, AND SUPERCONDUCTING MULTI-CORE CONDUCTOR PRECURSOR BODY

Номер патента: US20150111755A1. Автор: Tanaka Kazuhide,KODAMA Motomune,SHIMOYAMA Junichi,YAMAMOTO Akiyasu. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

Superconductive wire and method of its manufacturing

Номер патента: RU2332737C2. Автор: Судзи ХАХАКУРА,Казу ОХМАЦУ,Казуя ОХМАЦУ,Косо ФУДЗИНО,Маса КОНИСИ,Масая КОНИСИ. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2008-08-27.

Superconducting wire and method for formation thereof

Номер патента: RU2597247C2. Автор: Сын-Хён МУН,Чжае Хун ЛИ,Хун-Чжу ЛИ. Владелец: Санам Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-09-10.

METHOD FOR PRODUCING A SUPERCONDUCTING WIRE, METHOD FOR MODIFICATION OF AN OXIDE SUPERCONDUCTING WIRE AND OXIDE SUPERCONDUCTING WIRE

Номер патента: RU2005126947A. Автор: Синити КОБАЙАСИ,Такеси КАТО,Коухеи ЙАМАЗАКИ,Синити КОБАЙАСИ (JP),Такеси КАТО (JP),Коухеи ЙАМАЗАКИ (JP). Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp). Дата публикации: 2006-01-20.

Superconducting wire manufacturing method and superconducting wire made using said method

Номер патента: RU2613355C2. Автор: Сын-Хён МУН,У Сок ЧОН,Чжае Хун ЛИ,КёХан ЦОЙ,ДэВон СОН,БёнЧу КИМ,СанЧон АН. Владелец: Санам Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-03-16.

Method of manufacturing oxide superconducting wire, method of modifying oxide superconducting wire and oxide superconducting wire

Номер патента: CA2529894A1. Автор: Takeshi Kato,Shinichi Kobayashi,Kouhei Yamazaki. Владелец: Kouhei Yamazaki. Дата публикации: 2005-03-10.

METHOD FOR PRODUCING A SUPERCONDUCTING WIRE AND A SUPERCONDUCTING WIRE MANUFACTURED BY THIS METHOD

Номер патента: RU2015107050A. Автор: Сын-Хён МУН,У Сок ЧОН,Чжае Хун ЛИ,КёХан ЦОЙ,ДэВон СОН,БёнЧу КИМ,СанЧон АН. Владелец: Санам Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-10-20.

Superconducting wire, superconducting stranded wire with use thereof and method to manufacture thereof

Номер патента: RU2324246C2. Автор: Мунецугу ЮЯМА,Дзун ФУДЗИКАМИ. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2008-05-10.

JOINT OF MgB2 SUPERCONDUCTING WIRES

Номер патента: US20240313520A1. Автор: Serdar Atamert,Jan Mestdagh,Mehmet KUTUKCU,Chris D'HULST. Владелец: Epoch Wires Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of preparing bismuth oxide superconducting wire

Номер патента: US20020050053A1. Автор: Takeshi Kato,Kenichi Sato,Nobuhiro Shibuta,Takeshi Hikata,Hidehito Mukai,Munetsugu Ueyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

A METHOD INCLUDING A HEAT TREATMENT OF MANUFACTURING SUPERCONDUCTING WIRES BASED ON MgB2

Номер патента: EP1446365A1. Автор: Giovanni Grasso,Andrea Malagoli. Владелец: Istituto Nazionale per la Fisica della Materia INFM CNR. Дата публикации: 2004-08-18.

Connection body of high-temperature superconducting wire materials and connecting method

Номер патента: US11777269B2. Автор: Yoshinori Yanagisawa,Yu Suetomi,Xinzhe Jin,Renzhong PIAO. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2023-10-03.

Connection body of high-temperature superconducting wire materials and connecting method

Номер патента: US20200106229A1. Автор: Yoshinori Yanagisawa,Yu Suetomi,Xinzhe Jin,Renzhong PIAO. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2020-04-02.

Joint of mgb2 superconducting wires

Номер патента: EP4367991A1. Автор: Serdar Atamert,Jan Mestdagh,Mehmet KUTUKCU,Chris D'HULST. Владелец: Epoch Wires Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Magnesium ion battery cathode material doped at magnesium site and fabricating method thereof

Номер патента: AU2021104796A4. Автор: Zhenbo Peng,Zhaoshen YU,Zhengyong Yuan. Владелец: Ningbo Polytechnic. Дата публикации: 2021-09-30.

Laser firing apparatus for high efficiency solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: WO2010077018A2. Автор: Jong-Hwan Kim,Hwa-Nyeon Kim,Ju-Hwan Yun. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2010-07-08.

Method of manufacturing superconducting wire

Номер патента: US5202307A. Автор: Kazuhiko Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1993-04-13.

Flexible substrate and fabrication method thereof, and flexible display apparatus

Номер патента: US20200381639A1. Автор: Dawei Wang,Weifeng ZHOU,Mingche HSIEH,Hejin WANG,Shanchen Kao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

A method including a heat treatment of manufacturing superconducting wires based on mgb2

Номер патента: CA2463963A1. Автор: Giovanni Grasso,Andrea Malagoli. Владелец: Infm Istituto Nazionale Per La Fisica Della Materia. Дата публикации: 2003-05-01.

Group iii nitride transistor structure capable of reducing leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US20230260988A1. Автор: XING Wei,Xiaodong Zhang,Baoshun Zhang,Desheng Zhao. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-08-17.

Ge/Si avalanche photodiode with integrated heater and fabrication method thereof

Номер патента: US09583664B2. Автор: Wang Chen,Su Li,Nai ZHANG,Dong Pan,Pengfei Cai,Mengyuan Huang,Tuo SHI,Liangbo Wang,Ching-yin Hong. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of preparing oxide superconducting wire

Номер патента: CA2063285C. Автор: Kenichi Sato,Takeshi Hikata. Владелец: Takeshi Hikata. Дата публикации: 1992-09-21.

Method of preparing oxide superconducting wire

Номер патента: US5434130A. Автор: Kenichi Sato,Takeshi Hikata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-07-18.

Method for Producing Nb3Sn Superconductive Wire Material Using Powder Process

Номер патента: US20080092992A1. Автор: Hiroyuki Kato,Kyoji Tachikawa,Takayoshi Miyazaki,Kyoji Zaitsu. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Method of and apparatus for fabricating oxide superconducting wire

Номер патента: CA2017082A1. Автор: Noriyuki Yoshida. Владелец: Noriyuki Yoshida. Дата публикации: 1990-11-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343101A1. Автор: JISONG Jin,Yanhua Wu,Junling PANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: US09583653B2. Автор: Jin HO KIM,Hyun Jung Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for the production of superconductive wires based on hollow filaments made of MgB2

Номер патента: EP1361617A3. Автор: Giovanni Giunchi,Sergio Ceresara. Владелец: Edison SpA. Дата публикации: 2006-02-15.

Method for the production of superconductive wires based on hollow filaments made of MgB2

Номер патента: US20040009879A1. Автор: Giovanni Giunchi,Sergio Ceresara. Владелец: Edison SpA. Дата публикации: 2004-01-15.

Fuel cell and fabricating method thereof

Номер патента: WO2010079376A1. Автор: Tsung-Her Yeh,Chen-Chia Chou. Владелец: National Taiwan University Of Science & Technology. Дата публикации: 2010-07-15.

Electrode for Secondary Battery and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20220190307A1. Автор: Jong Hyuk Lee,Mi Ryeong Lee,Hee Gyoung Kang. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09508783B2. Автор: Yong Wu,Zhengzhong CHEN,Wenxin Jiang. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of producing a superconducting wire using alloy preform

Номер патента: US4885273A. Автор: Mikio Nakagawa,Yoshimitsu Ikeno,Nobuyuki Sadakata,Mamoru Sugimoto,Osamu Kohno,Shin'ya Aoki. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 1989-12-05.

Heat exchange plate, battery, electric apparatus, and fabrication method for battery

Номер патента: EP4386935A1. Автор: Haihua Huang,Liangyi WANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Electrode and fabricating method therefor, electrochemical device, and electronic device

Номер патента: EP4432388A1. Автор: Qingwen Zhang,Yajie LI,Mingju LIU. Владелец: Ningde Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Flexible display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US11793013B2. Автор: Jing Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Photovoltaic device through lateral crystallization process and fabrication method thereof

Номер патента: EP2025006A1. Автор: Don-Hee Lee,Kwy-Ro Lee,Seh-Won Ahn,Young-Joo Eo,Heon-Min Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-02-18.

Carrier substrate and fabricating method thereof, flexible substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20200266347A1. Автор: Qing Dai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Bipolar plate of fuel cell and fabrication method thereof

Номер патента: EP1704614A1. Автор: Hong Choi,Cheol-Hwan Kim,Tae-hee Cho,Sam-Chul Ha,Kyu-Jung Kim,Seung-Tae Ko,Yong-Jun LG Electronics Dormitory H-324 HWANG,Myung-Seok Wooseong Apt. 107-103 PARK,Myeong-Ho; Lee,Seong-Geun; Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-09-27.

Thin-film double-glazed photovoltaic module and fabrication method thereof

Номер патента: CA3018695A1. Автор: Jinchun ZHANG. Владелец: Miasole Photovoltaic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-19.

Radiation-detecting structures and fabrication methods thereof

Номер патента: EP3158365A2. Автор: Rajendra P. Dahal,Ishwara B. Bhat,Yaron Danon,James Jian-Qiang Lu. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 2017-04-26.

Hybrid passivation back contact cell and fabrication method thereof

Номер патента: EP4340046A1. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Hybrid passivation back contact cell and fabrication method thereof

Номер патента: AU2023201492A1. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Mold for ceramic membrane tube and fabrication method of ceramic membrane tube using the same

Номер патента: WO2007067011A1. Автор: Ji-Haeng Yu,Ki-Suk Hong,Sang-Kuk Woo,In-Sub Han,Doo-Won Seo,Shi-Woo Lee. Владелец: KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH. Дата публикации: 2007-06-14.

Battery cushion and forming method thereof, and battery module and forming method thereof

Номер патента: US12051818B2. Автор: Guangjun Wang,Yonghuang YE,Shaojun Niu,Jiawel Zheng. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Cylindrical secondary battery to which laser welding is applied and fabricating method thereof, battery pack and vehicle including the same

Номер патента: CA3234294A1. Автор: Min-Woo Kim,Do-Gyun Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Electrode structure body and fabrication method thereof

Номер патента: EP3933863A1. Автор: Zheng Zhou,Baoliang LI,Hairong Wang,Fengrong HE,Duxin ZUO,Yuanbo YANG. Владелец: Inner Mongolia Ulanqab Dongyangguang Formed Foil Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-05.

Mask-layer-free hybrid passivation back contact cell and fabrication method thereof

Номер патента: US20240120424A1. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Mask-layer-free hybrid passivation back contact cell and fabrication method thereof

Номер патента: AU2023201491A1. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Mask-layer-free hybrid passivation back contact cell and fabrication method thereof

Номер патента: EP4354515A1. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Mask-layer-free hybrid passivation back contact cell and fabrication method thereof

Номер патента: US12021158B2. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20070167031A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor laser and fabrication method therefor

Номер патента: US12107383B2. Автор: Chao-Chen Cheng,Anh Chuong Tran. Владелец: Shenzhen Lighting Institute. Дата публикации: 2024-10-01.

Burying type avalanche photodiode and fabrication method thereof

Номер патента: US6635908B2. Автор: Kazuhiro Ito,Shinji Tsuji,Shigehisa Tanaka,Yasunobu Matsuoka,Tsukuru Ohtoshi,Sumiko Fujisaki,Tomohiro Ohno,Akira Taike. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-10-21.

Display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US11793042B2. Автор: WENXU Xianyu,Jing Zhou,Yixian Zhang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788B1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor chip, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20180337143A1. Автор: Ya Ping Wang,Li Hui Lu,Chun Chao FEI,Po Yuan CHIANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

BONDED UNIFIED SEMICONDUCTOR CHIPS AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY, AND FABRICATING AND INSPECTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150162393A1. Автор: YUN Sungjun,Kang Imkuk,JEONG Woocheol. Владелец: LG DISPLAY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-06-11.

TESTING STRUCTURE, AND FABRICATION AND TESTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180190551A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

DATA STORAGE DEVICE, AND FABRICATION AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20140307504A1. Автор: Park Eungjoon,HUNG Hsi-Hsien. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-10-16.

IMAGE SENSORS, AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20180277586A1. Автор: LIU Xuan Jie,ZHANG Hai Fang,Lu Jue,YAO Guo Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

SEMICONDUCTOR CHIP, AND FABRICATION AND PACKAGING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180337143A1. Автор: LU Li Hui,FEI Chun Chao,CHIANG Po Yuan,WANG Ya Ping. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20200350286A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

BONDED UNIFIED SEMICONDUCTOR CHIPS AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20200350322A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: CN104701348A. Автор: 郑宇喆,康任局,尹圣埈. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-10.

Multi-core conductor strand and method for installing such a multi-core conductor strand.

Номер патента: DE59003639D1. Автор: Dietrich Gebhard. Владелец: Dietrich Gebhard. Дата публикации: 1994-01-13.

One-time programmable memory based on 3d stacked array and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: KR102555572B1. Автор: 김재성,박준희,권희태,윤 김. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-07-13.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891808A4. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Substrate structure, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20220238351A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: WO2020220483A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

Inductor structure having conductive sheets having fan plate shape arranged in ring structure and fabrication method thereof, electronic package and fabrication method thereof, and method for fabricating packaging carrier

Номер патента: US12062685B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Electron transport material and fabricating method thereof, and organic light-emitting diode

Номер патента: US20240032419A1. Автор: Kui Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Electrode structure and the corresponding electrical component using the same and the fabrication method thereof

Номер патента: US09653205B2. Автор: Hsieh-Shen Hsieh,Sen-Huei Chen,Chi-Hsun Lee. Владелец: Cyntec Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Laminated superconducting wire, method of making said wire and superconducting wire node

Номер патента: RU2408956C2. Автор: Мартин В. РУПИЧ,Корнелис Лео Ханс ТИМЕ,Алексис П. МАЛОЗЕМОФФ,Урс-Детлев ШОП,Эллиотт Д. ТОМПСОН,Даррен ВЕРЕБЕЛЬИ. Владелец: Американ Суперкондактор Корпорейшн. Дата публикации: 2011-01-10.

Superconducting wire, method of manufacture thereof and the articles derived therefrom

Номер патента: EP1526586A3. Автор: James William Bray,Evangelos Trifon Laskaris,Bruce Alan Knudsen,Sergio Martins Loureiro,Robert John Zabala,Bruce Campbell Amm,Judson Sloan Marte,Kathleen Melanie Amm,Thomas Robert Raber. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2006-06-21.

Method of producting oxide superconducting wire and oxide superconducting wire produced by this method

Номер патента: CN1027937C. Автор: 池野义光,河野宰,定方伸行,杉本优,中川三纪夫. Владелец: Fujikura Electric Wire Ltd. Дата публикации: 1995-03-15.

Precursor for producing Nb3Sn superconducting wire and Nb3Sn superconducting wire

Номер патента: JP5805469B2. Автор: 弘之 加藤,加藤　弘之,村上　幸伸,秀文 倉橋,幸伸 村上. Владелец: Japan Superconductor Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-04.

Method of producing oxide superconducting wire and oxide superconducting wire produced by this method

Номер патента: EP0283313A2. Автор: Mikio Nakagawa,Yoshimitsu Ikeno,Nobuyuki Sadakata,Masaru Sugimoto,Osamu Kohno. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 1988-09-21.

Thermoplastic liquid crystal polymer film, multi-layered body and shaped article, and production methods thereof

Номер патента: TW202100608A. Автор: 澤田貴文,淺田光則,有本紀久雄. Владелец: 日商可樂麗股份有限公司. Дата публикации: 2021-01-01.

Superconducting multi-cored strip conductor for alternating and direct current

Номер патента: RU2516291C1. Автор: Эдуард Петрович Волков,Эльдар Атамович Джафаров. Владелец: Открытое акционерное общество "Энергетический институт им. Г.М. Кржижановского" ОАО "ЭНИН". Дата публикации: 2014-05-20.

Method for producing superconducting wire, method for modifying oxide-coated superconducting wire, and oxide-coated superconducting wire

Номер патента: RU2316837C2. Автор: Синити КОБАЙАСИ,Такеси КАТО,Коухеи ЙАМАЗАКИ. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2008-02-10.

Method of making superconducting wire and superconducting device

Номер патента: RU2366017C1. Автор: Казуя ОХМАЦУ,Мунецугу ЮЯМА. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2009-08-27.

Superconducting thin-film material, superconducting wire and method of production thereof

Номер патента: RU2338280C1. Автор: Судзи ХАХАКУРА,Казу ОХМАЦУ,Казуя ОХМАЦУ. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2008-11-10.

Superconducting wire and method of formation thereof

Номер патента: RU2767282C1. Автор: Сын-Хён МУН,Джудит ДРИСКОЛЛ,Ахмед КУРУСУМОВИЧ,Джон ФЕЙГАН. Владелец: Санам Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-17.

Superconducting wire holding structure

Номер патента: US20220351880A1. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Takashi Yamaguchi,Yoshinori Yanagisawa,Kotaro Ohki,Mamoru Hamada. Владелец: Japan Superconductor Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Manufacturing method of superconducting wire and superconducting wire made thereby

Номер патента: US09484129B2. Автор: SangJun AHN,Jae Hun Lee,Woo Suk Chung,Seung Hyun Moon,KyuHan Choi,DeaWon SONG,ByeongJoo KIM. Владелец: Sunam Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Reinforced 2212 multifilament superconducting wire with low aspect shape, cables thereof, and 2223 silver tape-based cables

Номер патента: US09793032B2. Автор: Alexander Otto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-17.

High-temperature superconducting wires with high structural density of current

Номер патента: RU2730429C1. Автор: Мартин В. РУПИЧ. Владелец: Американ Суперкондуктор Корпоратион. Дата публикации: 2020-08-21.

System and method for impregnation of superconductive wires

Номер патента: US20080096764A1. Автор: Adrian Thomas,Rachel Jones,Michael Mallett,Wayne Bentley,Paul Bircher,Adam Johnstone. Владелец: Siemens Magnet Technology Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Semifinished wire with PIT elements for a superconducting wire containing Nb3Sn and method of producing the semifinished wire

Номер патента: US09741471B2. Автор: Bernd Sailer,Manfred Thoener. Владелец: Bruker EAS GmbH. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for Producing Superconducting Wire, Method for Producing Superconducting Multicore Wire, and Superconducting Device

Номер патента: US20080287302A1. Автор: Koso Fujino. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Superconducting wire material holding structure

Номер патента: EP4033552A1. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Takashi Yamaguchi,Yoshinori Yanagisawa,Kotaro Ohki,Mamoru Hamada. Владелец: Japan Superconductor Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Stretchable composite electrode and fabricating method thereof

Номер патента: US20240212876A1. Автор: Wei Sheng CHEN,Ching Mao Huang,Jia Hui Zhou,Shu Xiong Wang,Chin Hui Lee,Huan Ran YUN. Владелец: TPK Advanced Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Routing of superconducting wires

Номер патента: US11741289B2. Автор: Jason Lee,Kenneth Reneris,Matus Lipka,Michael B Goulding. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-29.

Routing of superconducting wires

Номер патента: EP4330848A1. Автор: Jason Lee,Kenneth Reneris,Matus Lipka,Michael B. GOULDING. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Routing of superconducting wires

Номер патента: US20220343052A1. Автор: Jason Lee,Kenneth Reneris,Matus Lipka,Michael B. GOULDING. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-10-27.

Joint for superconducting wire

Номер патента: US20180012682A1. Автор: Tsuyoshi Wakuda,Yota Ichiki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Routing of superconducting wires

Номер патента: WO2022231774A1. Автор: Jason Lee,Kenneth Reneris,Matus Lipka,Michael B. GOULDING. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-11-03.

Multifilament superconducting wire with high resistance sleeves

Номер патента: US09859039B2. Автор: Alexander Otto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-02.

Superconducting wire rod and method for manufacturing superconducting wire rod

Номер патента: US20130316908A1. Автор: Hiroyuki Fukushima,Eiji Kojima,Yoshikazu Okuno,Yuko Hayase. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Superconducting wire rod manufacturing apparatus, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140024535A1. Автор: Daiki Iino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Graphene superconducting wire/conductor

Номер патента: GB2609506A. Автор: Stewan Kukard Gideon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-08.

Reinforced 2212 multifilament superconducting wire with low aspect shape, cables thereof, and 2223 silver tape-based cables

Номер патента: WO2016130975A2. Автор: Alexander Otto. Владелец: Alexander Otto. Дата публикации: 2016-08-18.

Superconductive wires and associated method of manufacture

Номер патента: WO2014135893A1. Автор: Jean-Louis Scandella,Serdar Atamert,Riza Berkan,Bartlomiej GLOWACKI. Владелец: Epoch Wires Limited. Дата публикации: 2014-09-12.

Ternary molybdenum chalcogenide superconducting wire and manufacturing thereof

Номер патента: WO2015117249A1. Автор: Bernd Seeber. Владелец: scMETROLOGY SARL. Дата публикации: 2015-08-13.

Stretchable composite electrode and fabricating method thereof

Номер патента: US11961637B1. Автор: Wei Sheng CHEN,Ching Mao Huang,Jia Hui Zhou,Huan Ran Yu,Shu Xiong Wang,Chin Hui Lee. Владелец: TPK Advanced Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Mask and fabrication method thereof, and method of patterning by using mask

Номер патента: US9488917B2. Автор: HONGLIANG Liu,Dawei Shi. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of forming superconducting wiring layers with low magnetic noise

Номер патента: US20180219150A1. Автор: Trevor Michael Lanting,Eric G. Ladizinsky,Byong Hyop Oh,J. Jason Yao. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Metal pillar bump packaging strctures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20150279795A1. Автор: Guowei Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12133337B2. Автор: Yi Hung Lin,Li-Wei Sung. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Antenna and fabricating method thereof, and antenna device and fabricating method thereof

Номер патента: US20220077579A1. Автор: Meng Wei,Wei Zhang,YING Wang,Liang Li,HAO LIU,Jie Wu,Chuncheng CHE,Tienlun Ting,Haocheng JIA,Cuiwei TANG,Qiangqiang LI. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Quantum devices formed from a single superconducting wire having a configurable ground connection

Номер патента: US20240030328A1. Автор: Torsten Karzig,Dmitry PIKULIN,Roman Mykolayovych LUTCHYN,Christina Paulsen KNAPP,Roman Bela BAUER,Jonne Verneri KOSKI. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Quantum devices formed from a single superconducting wire having a configurable ground connection

Номер патента: WO2024019790A1. Автор: Torsten Karzig,Dmitry PIKULIN,Roman Mykolayovych LUTCHYN,Christina Paulsen KNAPP,Roman Bela BAUER,Jonne Verneri KOSKI. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Directly flat-attached switching component for active frequency selective surface and fabricating method thereof

Номер патента: US11056796B2. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-07-06.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US10332834B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-06-25.

Directly Flat-Attached Switching Component for Active Frequency Selective Surface and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20210005974A1. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080079098A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Array substrate and fabrication method thereof, display device and driving method thereof

Номер патента: US09928801B2. Автор: Xin Gu,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09911702B2. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Tien-Szu Chen,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Carrier, semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09899237B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Meng-Tsung Lee,Chiang-Cheng Chang,Jung-Pang Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893098B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

PMOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09741820B2. Автор: Lihong Xiao,Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Array substrate and fabricating method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09696580B2. Автор: Tian Yang,Yanbing WU,Wenbo Li,Chunyan JI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

UV mask and fabrication method thereof

Номер патента: US09638845B2. Автор: Sung Hun Song. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US09601428B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09466624B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Contact liners for integrated circuits and fabrication methods thereof

Номер патента: US09431303B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047829A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2018223967A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240274684A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-15.

Display panel, array substrate, and fabrication method thereof

Номер патента: US20170221925A1. Автор: Junhui Lou,Tianyi Wu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Array substrate and fabrication method thereof and display panel

Номер патента: US20190067339A1. Автор: Haihong Zheng. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Image sensor pixel and fabrication method thereof

Номер патента: EP1900029A1. Автор: Cheol Soo Park. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-19.

Stacked semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20030075788A1. Автор: Un-Young Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972543B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Array substrate and fabrication method thereof, and display panel

Номер патента: US09929184B2. Автор: Seungjin Choi,Youngjin Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Display substrate and fabricating method thereof, and system for fabricating display substrate and display device

Номер патента: US09905762B2. Автор: ZHEN Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Array substrate and fabrication method thereof and display device

Номер патента: US09804463B2. Автор: Qi Yao,Zhanfeng CAO,Xiaoyang Tong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09779999B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Amorphous silicon photoelectric device and fabricating method thereof

Номер патента: US09741893B2. Автор: Xu Chen,Shaoying Xu,Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Organic thin film transistor array substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US09716135B2. Автор: Hongyuan Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device using EMC wafer support system and fabricating method thereof

Номер патента: US09627368B2. Автор: Doo Hyun Park,Jin Young Kim,Ju Hoon Yoon,Seong Min Seo,Choon Heung Lee,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

TN-type array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09620535B2. Автор: Song Wu,Jieqiong Bao. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09607963B2. Автор: Chang-Fu Lin,Fu-Tang HUANG,Chin-Tsai Yao,Ming-Chin Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09502517B2. Автор: Jun Cheng,Guangcai Yuan,Dongfang Wang,Xiangyong Kong,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09437487B2. Автор: Shi Shu,Feng Zhang,Feng Gu,Fang He,Yaohui GU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of forming superconducting wiring layers with low magnetic noise

Номер патента: EP3195377A1. Автор: Trevor Michael Lanting,Eric Ladizinsky,Byong Hyop Oh,Jason Yao. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2017-07-26.

Hybrid integrated optical device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140023313A1. Автор: Hyun Soo Kim,Mi-Ran Park,O-Kyun Kwon,Jong Sool Jeong,Byungseok CHOI. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-01-23.

FinFET and fabrication method thereof

Номер патента: US9647067B1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Packaging substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US20130113095A1. Автор: Po-Yi Wu,Meng-Tsung Lee,Yih-Jenn Jiang,Chien-Lung Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US09698090B2. Автор: Ho-Chuan Lin,Bo-Shiang Fang,Chia-Chu Lai,Min-Han Chuang,Li-Fang Lin. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09418896B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee,Yong-min Cho,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Touch-sensing liquid crystal panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09355807B2. Автор: Kun-hua Tsai,Yu-Cheng Lin,Hsu-Ho Wu,Hsing-Ying LEE,Ping-Yuan Su. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066462A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US8188470B2. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-29.

Packaging structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220246446A1. Автор: Lei Shi. Владелец: Nantong Tongfu Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200027888A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8860003B2. Автор: Jae Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20100148278A1. Автор: Dong Woo Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Array substrate motherboard, display panel motherboard, and fabricating method thereof

Номер патента: WO2017161893A1. Автор: Wei Li,ZHI Li,Namin Kwon,Bin Cao,Jiaxin Yu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA,Xinlei CAO,Enke GUO. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20120202339A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20100258800A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-10-14.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: EP3190610A3. Автор: Gang MAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20090065893A1. Автор: Chien-Jung Yang,Chi-Huang Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020005540A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10636801B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Electronic Package Device and Fabrication Method Thereof, Method for Testing Electronic Package Device

Номер патента: US20160056381A1. Автор: Dan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Multi-chip stack structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20080224289A1. Автор: Cheng-Hsu Hsiao,Chien-Ping Huang,Chin-Huang Chang,Chung-Lun Liu,Jung-Pin Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020121667A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Array substrate motherboard, display panel motherboard, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3433670A1. Автор: Wei Li,ZHI Li,Namin Kwon,Bin Cao,Jiaxin Yu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA,Xinlei CAO,Enke GUO. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-30.

Contact via structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09978677B2. Автор: Ji Quan LIU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Transistor having germanium channel on silicon nanowire and fabrication method thereof

Номер патента: US09935189B2. Автор: Seongjae Cho,Mina Yun. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2018-04-03.

OLED display device and fabrication method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09847488B2. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Conductive plug structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09837311B2. Автор: Liang Wang,Xiaotian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Mark structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09773739B2. Автор: Hong Wei Zhang,Kui Feng,Dao Liang LU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09768308B2. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Xiaolong Li,Liang Sun,Xiaoyong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Fin field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09716178B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US09716108B2. Автор: Jun Cheng,Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09666536B2. Автор: Yi-Wei Liu,Yi-Che Lai,Hung-Wen Liu,Mao-Hua Yeh,Yan-Heng Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Optical cover plate with improved solder mask dam on glass for image sensor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09653500B2. Автор: Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Electroluminescence display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09508779B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device structures with self-aligned fin structure(s) and fabrication methods thereof

Номер патента: US09478661B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Integrated device with inductive and capacitive portions and fabrication methods

Номер патента: US09460996B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

FinFET fabrication method using buffer layers between channel and semiconductor substrate

Номер патента: US09425101B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US11990518B2. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Structure for reducing stress for vias and fabricating method thereof

Номер патента: US20090156001A1. Автор: Yung-Yu Hsu,Ra-Min Tain,Shyi-Ching Liau,Chih-Yuan Cheng,Shou-Lung Chen,Shan-Pu Yu,Ji-cheng Lin,Rong-Chang Feng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-18.

Single-sided light-emitting led chips and fabrication method thereof

Номер патента: US20200020832A1. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Display panel and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US20220157892A1. Автор: NA Li,Fei Chen,Myoungsoo Lee,Haijun Qiu,Chao Kong,Jibum Yang,Euiku LEE,Meishan XU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Photo sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20080023782A1. Автор: Cha-Hsin Lin,Lurng-Shehng Lee,Ching-Chiun Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-01-31.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US6858495B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-22.

High-voltage-withstanding semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20080111192A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Active layer, thin film transistor, array substrate, and display apparatus and fabrication methods

Номер патента: EP3403281A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-11-21.

CMOS Device for Reducing Charge Sharing Effect and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20130161757A1. Автор: DONG Yang,Xing Zhang,Ru Huang,Fei Tan,Xia An,Qianqian Huang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240194594A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Steep-slope field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11869950B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Wafer level package having a pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Shih-Kuang Chiu,Chien-An Chen,Hong-Da Chang,Chun-An Huang,Hsin-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Normally-closed device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220285538A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and memory

Номер патента: US20230189518A1. Автор: Heng-Chia Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Array substrate and fabrication method thereof, array substrate motherboard and display device

Номер патента: US20210335978A1. Автор: Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Compensated Photonic Device Structure And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170271543A1. Автор: Wang Chen,Su Li,Dong Pan,Pengfei Cai,Mengyuan Huang,Tzung-I Su,Ching-yin Hong. Владелец: SiFotonics Technologies Co Ltd Cayman Islands. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12046647B2. Автор: King Yuen Wong,Hang Liao,Lijie Zhang. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Cover plate and fabricating method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20200052241A1. Автор: Wei Li,WEI Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Integrated structure of mems device and cmos image sensor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20100148283A1. Автор: Hui-Shen Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170365514A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190259848A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chi-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11735635B2. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Schottky diode with low leakage current and fabrication method thereof

Номер патента: US7382035B2. Автор: Hyung Choi,Dong-sik Shim,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-03.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20160005697A1. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Trench power MOSFET structure fabrication method

Номер патента: US9035378B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Semiconductor device package and fabricating method thereof

Номер патента: US20090020881A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Thin film transistor and fabricating method thereof, and array substrate

Номер патента: US10535781B2. Автор: Lin Chen,Mengyu Luan,Chengshao Yang,Haijiao QIAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Single-sided light-emitting LED chips and fabrication method thereof

Номер патента: US10825960B2. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Display substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20170207420A1. Автор: Kun Li,Chun Ye,Yuting YANG,Shancai ZHANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor Device and Fabrication Method thereof

Номер патента: US20200303380A1. Автор: Chen-Chih WANG,Yeu-Yang WANG. Владелец: Hexas Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Array substrate and fabrication method thereof, display panel

Номер патента: US20220285466A1. Автор: Ming Liu,Qiuhua Meng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Oled and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20160141343A1. Автор: Wenyu Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20050035388A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-17.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20030235967A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US8030652B2. Автор: Shih-Chin Chen,Ming-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-10-04.

Structure of metal-insulator-semiconductor-like multiple-negative-differential-resistance device and fabrication method thereof

Номер патента: US6197622B1. Автор: Wen-Chau Liu,Lih-Wen Laih. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-03-06.

Mobility enhancement by strained channel CMOSFET with single workfunction metal-gate and fabrication method thereof

Номер патента: US20070069298A1. Автор: Zing-Way Pei,Yu-Ming Lin,Min-Hung Lee,Wen Hsieh,Shin-Chii Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-03-29.

Ingan-based led epitaxial wafer and fabrication method thereof

Номер патента: EP3906586A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-11-10.

InGaN-BASED LED EPITAXIAL WAFER AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220115560A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Organic electroluminescence display substrate and fabrication method thereof, display panel and display device

Номер патента: US10454073B2. Автор: Guang YAN,Xing Fan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Organic Electroluminescence Display Substrate and Fabrication Method Thereof, Display Panel and Display Device

Номер патента: US20190019991A1. Автор: Guang YAN,Xing Fan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8980683B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Active element and fabricating method thereof

Номер патента: US20160190342A1. Автор: Chia-Ming Chiang,Chih-Wen Lai,hao-wei Wang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Array substrate for liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US8178881B2. Автор: Jae Young Oh,Soopool Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Fingerprint identification substrate and fabrication method thereof, display panel and display apparatus

Номер патента: US20180307887A1. Автор: WEI Liu,Xue Dong,Rui Xu,Haisheng Wang,Yingming Liu,Changfeng LI,Xueyou CAO,Xiaoliang DING,Jing LV,Lijun Zhao,Pengpeng Wang,Yanling Han,Yuzhen GUO,Yanan Jia,chun wei Wu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Wafer level package having a pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US9133021B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Chien-An Chen,Hong-Da Chang,Chun-An Huang,Hsin-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-15.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8890104B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Read-only memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US20050087823A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Ching-Nan Hsiao,Chao-Sung Lai,Yung-Meng Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Electro-static discharge assembly, array substrate and fabrication method thereof, and display panel

Номер патента: US20180204830A1. Автор: Xiaodong Pan,Zhiming Hu,Chunxiang NAN,Chen Ting LIU. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Driving apparatus of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20040036685A1. Автор: Jin Ryu,Sam Cho,Bong Baik,Woo Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-02-26.

Interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20040241978A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ming-Shih Yeh,Chiung-Sheng Hsiung,Gwo-Shil Yang,Jen-Kon Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Driving apparatus of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20070236487A1. Автор: Jin Ryu,Sam Cho,Bong Baik,Woo Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor structure, memory structure and fabrication methods thereof

Номер патента: US20220415898A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor Package With EMI Shield and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20240274547A1. Автор: Sung Gyu Kim,Tae Yong Lee,Kyoung Yeon Lee,Doo Soub Shin. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130228733A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140322886A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9786508B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Superconducting quantum circuit and fabrication method thereof, quantum computer

Номер патента: US20240341202A1. Автор: Liangliang Ma,Bing YOU. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Hefei Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240355933A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Yongjian Yu,Guoguo Kong,Mingru Ge,Wangqin Yang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12087583B2. Автор: Jen-Chou Huang,Shengan ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20220302061A1. Автор: Hung-Hsin Hsu,Nan-Chun Lin,Shang-Yu Chang-Chien. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454434A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12136599B2. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Thin film transistor (TFT) array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09991398B2. Автор: Liangchen YAN,Dini XIE,Xiaojin Zhang,Xianbin Xu,Meili Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Display apparatus and fabricating method thereof

Номер патента: US09978728B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Tsau-Hua Hsieh,Tzu-Chien Hung,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Chien-Chung Peng. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09972643B2. Автор: Ke Wang,Zhijun LV,Fangzhen Zhang,Jiushi WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09954066B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Flexible display device having a self-healing capability and fabrication method thereof

Номер патента: US09947899B2. Автор: Conghui LIU. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display

Номер патента: US09929277B2. Автор: Zhenyu Zhang,Changgang HUANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Organic light emitting display device and fabricating method thereof

Номер патента: US09923170B2. Автор: Taro Hasumi,Jongkyung KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Mask read-only memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09905566B2. Автор: Chao Zhang,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Array substrate and fabricating method thereof, display panel and display apparatus

Номер патента: US09893091B2. Автор: Hongming Zhan. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893090B2. Автор: Heecheol KIM,Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

OLED backplane and fabrication method thereof

Номер патента: US09882172B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Jingfei Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semicondcutor light-emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09865777B2. Автор: Tzu-Han Hsu,Tung-Bao Lu. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Organic light-emitting display apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US09853241B2. Автор: Defeng Bi,Kaen Jiang. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Array substrate and fabrication method thereof, display device

Номер патента: US09837479B2. Автор: Hee Cheol Kim,Young Suk Song,Seong Yeol Yoo,Seung Jin Choi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Thin film transistor including diffusion blocking layer and fabrication method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09825175B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Lung Pao Hsin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

OLED and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09818810B2. Автор: Wenyu Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Programmable via devices with metal/semiconductor via links and fabrication methods thereof

Номер патента: US09812393B2. Автор: Min-Hwa Chi,Ajey P. Jacob,Suraj K. Patil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device, FinFET transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799676B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Normally-off high electron mobility transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US09786775B2. Автор: Shang-Ju TU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09786508B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Resistive random access memory device having a nano-scale tip, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09768381B2. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho,Sunghun Jung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-19.

Diodes and fabrication methods thereof

Номер патента: US09768325B2. Автор: Min-Hwa Chi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09768169B2. Автор: Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09761716B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09755067B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Gyu Lim,Yi Sun Chung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09754827B1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display panel

Номер патента: US09721976B2. Автор: Lung Pao Hsin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

LDMOS device and fabrication method thereof

Номер патента: US09721806B2. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

OLED device with anode of silver nanowire and fabrication method thereof, display substrate

Номер патента: US09716244B2. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG,Jiantao Liu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

OLED display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09711577B2. Автор: Peng Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Thin film transistor and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09705007B2. Автор: WEI YANG,Wenlin Zhang,Woo Bong Lee,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Electroluminescence display device with a protective layer and fabrication method thereof

Номер патента: US09698380B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09660060B2. Автор: Chih-Pang Chang,Tzu-Yin Kuo. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices including nanowire capacitors and fabricating methods thereof

Номер патента: US09646971B2. Автор: Han-jin Lim,Ki-Vin Im,Kong-Soo Lee,Dong-Hyun Im,Jin-Won MA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Organic light-emitting diode display and fabrication method thereof

Номер патента: US09640590B2. Автор: Chen-Yu Liu,Hsi-Chien Lin,Hung-Chieh Lu. Владелец: TPK Touch Solutions Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory device structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09640432B2. Автор: Sheng-Fen Chiu,Shaobin Li,Jinshuang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09627307B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Ching-Wen Chiang,Hsien-Wen Chen,Cheng-Chieh Wu,Cheng-Hao Ciou. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09620460B2. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin-film transistor and fabricating method thereof, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09608011B2. Автор: Ying Zhang,Xin Li,Hong Zhu,Hongjun Yu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Organic light-emitting display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09590177B2. Автор: Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Chia-Yang Lu,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Chien-Tao Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US09543378B2. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09536878B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Short-gate tunneling field effect transistor having non-uniformly doped vertical channel and fabrication method thereof

Номер патента: US09508839B2. Автор: Chao Wang,Ru Huang,Jiaxin Wang,Qianqian Huang,Chunlei Wu,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09502555B2. Автор: Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Display substrate and fabricating method thereof, display panel, and display device

Номер патента: US09472578B2. Автор: Yunfei Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Motherboard, array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09461074B2. Автор: Xu Liu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Electro-luminescence display panel and fabrication method thereof, display device

Номер патента: US09379332B2. Автор: Xue Dong,Peng Liu,Renwei Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Three-dimensional cavity surface emitting laser structure and fabrication method thereof

Номер патента: US5895224A. Автор: Hye-Yong Chu,Hyo-Hoon Park,Byueng-Su Yoo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1999-04-20.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210184108A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200098765A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

OLED display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09905797B2. Автор: YUTING ZHANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190272996A1. Автор: LIANG Chen,Xiao Bo Li,Chao Feng Zhou,Xiao Yan ZHONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220406915A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190172754A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230021267A1. Автор: QIAO LI,Zhi Yang,Yue Zhuo,Wentao Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210057272A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210296351A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200075603A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10741689B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Transparent wafer with optical alignment function and fabricating method and alignment method thereof

Номер патента: US20070159631A1. Автор: Yu-Lin Huang,Kuo-Ting Wu,Jun-Yao Huang,Dun-Ying Shu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-07-12.

Three-dimensional memory device comprising contact pads exposed by an opening passing through layer stack and fabrication method thereof

Номер патента: US12089406B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Bonding structure, semiconductor chip and fabricating method thereof

Номер патента: US20240321686A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Wei-Lun Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303189A1. Автор: Zhi Dong WANG,Yi Ying ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343386A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133386B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Layer structure for mounting semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972564B2. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Capacitor structures with embedded electrodes and fabrication methods thereof

Номер патента: US09881738B2. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Nitride underlayer and fabrication method thereof

Номер патента: US09559261B2. Автор: Jie Zhang,Xiaofeng Liu,Dongyan Zhang,Duxiang Wang,Weihua Du. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Electrical interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09490210B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09472668B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215271A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215272A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Microcontroller unit and fabrication method thereof

Номер патента: US11056476B2. Автор: Ying Tang,Xiaolin Yuan. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Electronic device bonding structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220068872A1. Автор: Chia-Fu Hsu,Kai-Ming Yang,Cheng-Ta Ko,Pu-Ju Lin. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

One-transistor dram cell device based on polycrystalline silicon with finfet structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190267381A1. Автор: Seongjae Cho,Hyungsoon Shin. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11417609B2. Автор: Jun Yang,Deng Feng JI,Hong Tao LIU,You He SHA,Chen Xiao WANG,Ying Nan LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Light-emitting diode chip structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20120153339A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Kun-Fu Huang,Jun-Rong Chen,Chi-Wen Kuo,Jui-Yi Chu. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US20170338186A1. Автор: Chun-Chi Ke,Fu-Tang HUANG. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Electronic package, packaging substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20240282689A1. Автор: Yu-Cheng Pai,Chan-Yu YEH,Yuan-Ping YEH,Yuan-Chang NI,Meng-Jou HE. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US9331106B2. Автор: Jen-Yu Lee,Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Hong-Syu Chen,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Fan-Wei Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-05-03.

Display panel and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US12087747B2. Автор: LIANG Xing. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Packaging structure of semiconductor chip and formation method thereof

Номер патента: US12119308B2. Автор: Honghui Wang,Xiaoyong MIAO. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure with a contact to source/drain layers and fabrication method thereof

Номер патента: US12131990B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12096696B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09754893B2. Автор: ZUOPENG He,Jingxiu Ding. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices with varying threshold voltage and fabrication methods thereof

Номер патента: US09748145B1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Siddarth Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Transistor device and fabrication method

Номер патента: US09741819B2. Автор: HAIYANG Zhang,Xuan Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Array crystal module and fabrication method thereof

Номер патента: US09599726B2. Автор: CHEN ZENG,Qingguo Xie,Daoming XI. Владелец: Raycan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Complementary metal oxide semiconductor transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09577011B2. Автор: Yi-Wei Chen,Yu-Pu Lin,Ta-wei Chiu,Chung-Tao Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09520304B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Hong-Da Chang,Chi-Hsin Chiu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230299189A1. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024130656A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240212753A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12015067B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Light emitting diode structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20110260203A1. Автор: Hsien-Chia Lin,Tzu-Yu Tang. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Flexible electronic device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170020002A1. Автор: Jia-Chong Ho,Cheng-Chung Lee,Heng-Yin Chen,Sheng-Po Wang,Yung-Hui Yeh,Tai-Jui Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070096138A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US7399997B2. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Back-illuminated image sensor and fabricating method thereof

Номер патента: US20130334636A1. Автор: Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20100001286A1. Автор: Chih-Chieh Wang,Yao-Hong Chien,Xuan-Yu Liu,Li-Shan Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-01-07.

Microcontroller unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20200212028A1. Автор: Ying Tang,Xiaolin Yuan. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Silicon-controlled-rectifier electrostatic protection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303368A1. Автор: Jie Chen,Guang Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130256789A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Sung-Nien Tang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Nitride Light Emitting Diode and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170309773A1. Автор: Chia-Hung CHANG,Changwei SONG,Chan-Chan LING,Hsiang-Pin Hsieh. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9082783B2. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150079756A1. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040240499A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Electronic package and fabricating method thereof

Номер патента: US20240266335A1. Автор: Yih-Jenn Jiang,Wei-Son Tsai,Cheng-Kai Chang,Yi-Chieh Wang,Huan-Shiang Li. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20150123111A1. Автор: Jen-Yu Lee,Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Hong-Syu Chen,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Fan-Wei Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12051737B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Flexible electronic device and fabricating method thereof

Номер патента: US10165688B2. Автор: Jia-Chong Ho,Cheng-Chung Lee,Heng-Yin Chen,Sheng-Po Wang,Yung-Hui Yeh,Tai-Jui Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-12-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240203986A1. Автор: LAN Yao,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12089501B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240313078A1. Автор: HAIYANG Zhang,BO Su,Abraham Yoo,Hanzhu WU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Nitride light emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: US09929308B2. Автор: Chia-Hung CHANG,Changwei SONG,Chan-Chan LING,Hsiang-Pin Hsieh. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device with reduced leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US09893107B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Chia-Yu WEI,Chin-Hsun Hsiao,Yen-Liang Lin,Yung-Lung Hsu,Ssu-Chiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having metal gate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09728620B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor light emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09721931B2. Автор: Tao-Chih Chang,Chih-Ming Shen,Yu-Wei HUANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-08-01.

Programmable devices with current-facilitated migration and fabrication methods

Номер патента: US09691497B2. Автор: Min-Hwa Chi,Ajey P. Jacob,Suraj K. Patil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09684216B2. Автор: Chien-Han Chen,Shih-Fang Chen,Chih-Cheng Wang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Modified tunneling field effect transistors and fabrication methods

Номер патента: US09673757B2. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09646830B2. Автор: Guohui Cai. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Vertical type AC-LED device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09537048B2. Автор: Xiaoqiang Zeng,Shaohua Huang,Jyh-Chiarng Wu,Qunfeng PAN,Shunping Chen. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor light-emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09525107B2. Автор: Yu-Hsuan Liu,Chia-Yu Tseng. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having metal gate and fabrication method thereof

Номер патента: US09524968B1. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Organic light-emitting device and fabrication method for the same, and display device

Номер патента: US09496514B2. Автор: MINGHUA XUAN,BO Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Chip package and fabrication method thereof

Номер патента: US09362134B2. Автор: Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor device and fabrication method thereof and semiconductor structure

Номер патента: US09842771B2. Автор: Chang-Fu Lin,Fu-Tang HUANG,Hung-Ming Chang,Chin-Tsai Yao,Ming-Chin Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Chip package structure and fabrication

Номер патента: US20240371716A1. Автор: LI Tao,Shanshan Zhao,Baohua Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Light guide plate and fabricating method thereof, array substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20170192155A1. Автор: YUTING ZHANG,Shanshan ZHOU,Yoon-Sung Um. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Ltps substrate and fabricating method thereof, thin film transistor thereof, array substrate thereof and display device thereof

Номер патента: US20190237488A1. Автор: Qi Yao,Haixu Li,Zhanfeng CAO,Dapeng XUE,Da Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

LTPS substrate and fabricating method thereof, thin film transistor thereof, array substrate thereof and display device thereof

Номер патента: US10916565B2. Автор: Qi Yao,Haixu Li,Zhanfeng CAO,Dapeng XUE,Da Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Anti-surge resistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20240006098A1. Автор: Ren-Hong Wang,Shen-Li Hsiao,Kuang-Cheng Lin. Владелец: Yageo Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Sensor-type semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US20080105942A1. Автор: Tse-Wen Chang,Chien-Ping Huang,Cheng-Yi Chang,Chang-Yueh Chan. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-08.

Anti-surge resistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11935675B2. Автор: Ren-Hong Wang,Shen-Li Hsiao,Kuang-Cheng Lin. Владелец: Yageo Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor substrate and fabrication method thereof, and semiconductor apparatus using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US20140299918A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Jin Ku Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

Light guide plate and fabricating method thereof, array substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20180017730A9. Автор: YUTING ZHANG,Shanshan ZHOU,Yoon-Sung Um. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Display backplane and fabrication method thereof, display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US12002913B2. Автор: Qi Qi,Ke Wang,Guangcai Yuan,Haixu Li,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Fdsoi device structure and preparation method thereof

Номер патента: US20220093799A1. Автор: Nan Li,Zhonghua Li,Jianghua LENG,Tianpeng Guan,Runling Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Insulated Gate Bipolar Transistor And Fabrication Method Therefor

Номер патента: US20210234019A1. Автор: Jianhua Liu,Xueliang Wang,Jinrong LANG,Yaneng MIN. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Corp Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230036754A1. Автор: Hui Xue,Kejun MU,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230361031A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230361030A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230317507A1. Автор: Taegyun Kim,Runping WU,Daejoong Won,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Fabricating method of mos transistor, fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20130001707A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien,Chan-Lon Yang,Yu-Ren Wang,Chien-Liang Lin,Ying-Wei Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Thin film transistor substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20080157085A1. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Self-aligned thin film transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US9252241B2. Автор: Sang Hee Park,Chi Sun Hwang,Him Chan Oh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-02-02.

Three-dimensional source contact structure and fabrication process method of making the same

Номер патента: US20240096981A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang,Li-Tien Hsueh,Jui-Tse Hsiao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-03-21.

Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor

Номер патента: SG173394A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Byung Hoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2011-08-29.

Three-dimensional source contact structure and fabrication process method of making the same

Номер патента: US20240096982A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang,Li-Tien Hsueh,Jui-Tse Hsiao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-03-21.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US12057520B2. Автор: Ke Wang,Shuang Liang,Zhiwei Liang,Yingwei Liu,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having a gate and fabrication method therefor

Номер патента: US20020034868A1. Автор: Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Light emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: MY165794A. Автор: Deyuan Xiao,Richard Rugin Chang. Владелец: Enraytek Optoelectronics Co. Дата публикации: 2018-04-27.

Connection structure and fabrication method thereof, array substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US20200365627A1. Автор: Zhen Zhang,Pengyu LIAO. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Phase change memory structure having low-k dielectric heat-insulating material and fabrication method thereof

Номер патента: US20130175493A1. Автор: Zhitang Song,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-07-11.

Display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20200350511A1. Автор: Linshan Guo. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

A porous substrate and fabricating method thereof, and a fabricating method for thin film transistor

Номер патента: US20180294442A1. Автор: Fan TANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Thin film transistor substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US7816192B2. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-19.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US9941305B2. Автор: Chi-Ho CHANG. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-04-10.

Piezoelectric device and fabricating method thereof

Номер патента: US20120319792A1. Автор: Hidenori Harima. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210020447A1. Автор: Yan Wang,Xin Jiang,Hai Yang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US20160293636A1. Автор: Yinhu HUANG,Zhixiang ZOU,Binbin CAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Vertical schottky barrier diodes using two-dimensional layered semiconductors and fabrication methods thereof

Номер патента: US20210066511A1. Автор: Sung Jin Yang,Seongil IM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2021-03-04.

Apparatus for fabricating display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US20240120230A1. Автор: Tae Hee Lee,Min Woo Kim,Sung Kook PARK,Jae Gwang Um. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Structure of an embedded channel write/erase flash memory cell and fabricating method thereof

Номер патента: US20030003660A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Trench power MOSFET structure and fabrication method thereof

Номер патента: US8872266B1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-28.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US20170141031A1. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160284643A1. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12035523B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

LED Structure and Fabrication Method

Номер патента: US20170141271A1. Автор: Su-Hui Lin,Chen-Ke Hsu,Chia-En Lee,Xinghua LIANG,Hongquan HE,Te-Ling Hsia. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor structure and fabrication method

Номер патента: US20190273043A1. Автор: Xing Hua SONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Thin film transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US6566180B2. Автор: Juhn-Suk Yoo,Min-Koo Han,Kee-Chan Park. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-20.

Carrier-free semiconductor package with stand-off member and fabrication method thereof

Номер патента: US20070054438A1. Автор: Fu-Di Tang,Chien Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10186598B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9269895B2. Автор: Hee Gyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-23.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US9570434B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee,Yong-min Cho,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Mono gate memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US7227216B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-05.

Flat panel display device and fabricating method thereof

Номер патента: US7732267B2. Автор: Hun Jeoung,Soon Kwang Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-08.

Transistor structure, semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220352361A1. Автор: Inho Park,Hui Xue,Wentao Xu,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230422465A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170256461A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

N-type fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US9929267B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166466A1. Автор: Chi-Ho CHANG. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-06-14.

Organic electroluminescent device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190006632A1. Автор: Lei PEI,Mingming Chi. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3291291A3. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Protective Cover for an Acoustic Wave Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170077899A1. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Pei-Chun Liao,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU,Re-Ching Lin. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Protective cover for an acoustic wave device and fabrication method thereof

Номер патента: US10498310B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Pei-Chun Liao,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU,Re-Ching Lin. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2019-12-03.

Flexible display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US20220005910A1. Автор: Xing Ming. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US20150076520A1. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10685962B2. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20180138184A1. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10475798B2. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20180138183A1. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

OLED display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US11957004B2. Автор: Xingyu Zhou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Pixel substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US9230999B2. Автор: Chia-Hua Yu,Mu-Kai KANG,Hsien-Tang Hu,Chang-Ming Chao,Jui-Chi Lai. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Pixel substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US20150194449A1. Автор: Chia-Hua Yu,Mu-Kai KANG,Hsien-Tang Hu,Chang-Ming Chao,Jui-Chi Lai. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

N-type fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20160322494A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Split gate memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20030214864A1. Автор: Yong Choi,Og-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-20.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20180130710A1. Автор: Xu Dong YI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11791225B2. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Vertically-integrated 3-dimensional flash memory for high reliable flash memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20190393237A1. Автор: Yang-Kyu Choi,Jun-Young Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-12-26.

Finfet and fabrication method thereof

Номер патента: US20170256632A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

FinFET and fabrication method thereof

Номер патента: US9773891B1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170256460A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210320107A1. Автор: Zhen Zhou,Er Xuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220278003A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Image sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20180138218A1. Автор: Ching-Hung Kao,Fu-Cheng Chang,Chia-Pin Cheng,Che-Chun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10199383B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Metal pillar bump packaging strctures and fabrication methods thereof

Номер патента: US9324671B2. Автор: Guowei Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210343605A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Oled display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20230422542A1. Автор: Fanjing Wu,Jingyuan HU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Electro-assisted transfer and fabrication of wire arrays

Номер патента: US20160181121A1. Автор: Xiaolin Zheng,Jeffrey Weisse. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-06-23.

Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor

Номер патента: SG139758A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Byung Hoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2008-02-29.

Micro led transfer method, display panel and fabrication method

Номер патента: US20240006217A1. Автор: Ping Zhu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Acoustic wave device and fabrication method of the same

Номер патента: US20130076205A1. Автор: Tomo Kurihara. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device interconnection contact and fabrication method

Номер патента: US20070059921A1. Автор: Michael Dunbar,Gregory Cestra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor device fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US7371694B2. Автор: Takayuki Takahagi,Hiroyuki Sakaue,Ken Sasaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-05-13.

Semiconductor device fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US20050186804A1. Автор: Takayuki Takahagi,Hiroyuki Sakaue,Ken Sasaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-08-25.

Substrate structure, fabrication method thereof and conductive structure

Номер патента: US09899344B2. Автор: Ching-Wen Chiang,Hsin-Ta Lin. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Electrically insulated fin structure(s) with alternative channel materials and fabrication methods

Номер патента: US09881830B2. Автор: Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US7489037B2. Автор: Yi-Hsin Chen,Feng-Lung Chien,Chao-Dung Suo. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-10.

Semiconductor devices with dual-metal gate structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20080099851A1. Автор: Peng-Fu Hsu,Hun-Jan Tao,Ying Jin,Huan-Just Lin,Fong-Yu Yen,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11201222B2. Автор: King Yuen Wong. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

High power light emitting diode package and fabrication method thereof

Номер патента: US20060267036A1. Автор: Seon Lee,Hun Hahm,Chang Song,Young Park,Dae Kim,Young Song. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-30.

Liquid crystal display device capable of reducing leakage current, and fabrication method thereof

Номер патента: US20060289867A1. Автор: Byoung-Ho Lim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Bipolar transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20060252214A1. Автор: Tae-Jin Kim,Dong-Kyun Nam,Sung-ryoul Bae,Kye-Won Maeng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-09.

Field emission display and fabrication method thereof

Номер патента: US20040222732A1. Автор: Chun-Tao Lee,Yu-Yang Chang,Yu-Wu Wang,Ming-Chun Hsiao,Wei-Yi Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-11-11.

Packaging structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220270982A1. Автор: Honghui Wang,Xiaoyong MIAO. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Display device, display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20220399426A1. Автор: Dongsheng Li,Pengcheng LU,Zhijian Zhu,Yunlong Li,Longfei FAN,Yuanlan TIAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200335402A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Thin film transistor, display panel and display apparatus having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US20180309074A1. Автор: Defeng MAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device having a contact window and fabrication method thereof

Номер патента: US20030132526A1. Автор: Jeong-sic Jeon,Jae-Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-17.

Light Emitting Diode and Fabricating Method thereof

Номер патента: US20110147790A1. Автор: Yu-Hsien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11205703B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-12-21.

Vertical high-voltage semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150076521A1. Автор: Atsushi Tanaka,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20160111516A1. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Integrated circuit element and fabricating method thereof, circuit board, display panel and display device

Номер патента: US20180033629A1. Автор: WEI Liu,Xue Dong,Ping Zhang,Rui Xu,Haisheng Wang,Yingming Liu,Changfeng LI,Xueyou CAO,Xiaoliang DING,Lijun Zhao,Pengpeng Wang,Chunwei Wu,Yanling Han,Yuzhen GUO,Yanan Jia. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050269670A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Image sensor and fabricating method thereof

Номер патента: US20110284984A1. Автор: Chih-Min Liu,Chung-Wei Chang,Fang-Ming Huang,Kuo-Chan Huang,Ping-Hung Yin. Владелец: Himax Imaging Inc. Дата публикации: 2011-11-24.

Array substrate and fabricating method thereof, display panel, and display apparatus

Номер патента: EP3368944A1. Автор: WEI YANG,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-05.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024108427A1. Автор: Zhiliang Xia,Jing Gao,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240170424A1. Автор: Zhiliang Xia,Jing Gao,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220416049A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2022-12-29.

High-power resistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20240013957A1. Автор: Shen-Li Hsiao,Hwan-Wen LEE,Fu-Sheng Huang. Владелец: Yageo Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20200328085A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11676865B2. Автор: HAIYANG Zhang,Zhenyang ZHAO,Enning ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20200168640A1. Автор: Ming Wang,HUI Li,Wei Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Trench power mosfet structure fabrication method

Номер патента: US20140349456A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Display panel and fabrication method thereof, and mobile terminal

Номер патента: US20240107822A1. Автор: LIANG Fang,Ding Ding. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-volatile memory, fabrication and control methods thereof

Номер патента: US20240032291A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11417738B2. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210358912A1. Автор: HAIYANG Zhang,WEI Tian,Shuaijie Chi,Ermin Chong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210358809A1. Автор: HAIYANG Zhang,Zhenyang ZHAO,Enning ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Device and fabrication of mos device with island region

Номер патента: US20180337274A1. Автор: Ji Pan,Xiaobin Wang,Anup Bhalla,Sung-Po Wei. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Pixel defining layer, display substrate, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20200043999A1. Автор: Qing Dai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Fin-type transistor structures with extended embedded stress elements and fabrication methods

Номер патента: US20150129983A1. Автор: Hong Yu,LUN Zhao,Puneet Khanna,Hyucksoo Yang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-14.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US11043575B2. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Carrying device, wet etching apparatus and usage method thereof

Номер патента: US20170202091A1. Автор: Zhiyuan Lin,Yinhu HUANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Wide-Bandgap Semiconductor Bipolar Charge-Trapping Non-Volatile Memory with Single Insulating Layer and A Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20230050475A1. Автор: LI ZHANG,Tao Chen,Jing Chen,Zheyang ZHENG. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2023-02-16.

Organic light emitting diode display panel, fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09972665B2. Автор: Ze Liu,Huifeng Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Array substrate, fabrication method thereof and display device

Номер патента: US09859350B2. Автор: Yongqian Li,Cuili Gai,Longyan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US09607885B2. Автор: Peter Zhang,Steven Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuits with varying gate structures and fabrication methods

Номер патента: US09576952B2. Автор: Richard J. Carter,Manfred Eller,Srikanth Balaji Samavedam,Manoj Joshi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Vertical type semiconductor device, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US09508429B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Vertical type semiconductor device, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US09508428B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Integrated circuits with middle of line capacitance reduction in self-aligned contact process flow and fabrication methods

Номер патента: US09443944B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Flip-chip light emitting diode and fabricating method thereof

Номер патента: US7067340B1. Автор: Tzong-Liang Tsai,Chih-Sung Chang,Tzer-Perng Chen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2006-06-27.

Dynamic random access memory cell layout and fabrication method thereof

Номер патента: US20050045936A1. Автор: Yi-Nan Chen,Tieh-Chiang Wu,Jeng-Ping Lin,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Non-volatile semiconductor memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US6809966B2. Автор: Hung-Jin Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-10-26.

Light emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: MY183934A. Автор: Xiao Deyuan,Richard Rugin Chang,Mengjan Cherng,Chi Jen Hsu. Владелец: Enraytek Optoelectronics Co. Дата публикации: 2021-03-17.

LED package and fabricating method thereof

Номер патента: US8012778B2. Автор: Yong Suk Kim,Seog Moon Choi,Taek Jung Lee,Young Soo Oh,Hyoung Ho Kim. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-06.

Infrared detector and fabrication method thereof

Номер патента: US5977603A. Автор: Tomohiro Ishikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Image sensor with optical guard ring and fabrication method thereof

Номер патента: US20070020791A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Tzu-Hsuan Hsu,Yean-Kuen Fang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20220246544A1. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230328971A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Double-sided capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: US11894419B2. Автор: Yong Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Array substrate and fabrication method thereof, array substrate motherboard and display device

Номер патента: US11943979B2. Автор: Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11869984B2. Автор: Er-Xuan Ping,Lianhong Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20230307378A1. Автор: Dong Xue. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Electro-absorption modulated laser chip and fabrication method thereof

Номер патента: US11831124B1. Автор: Haichao Zhang,Yuchen SHI,Mahui LI,Yenting Pan,Yao MU. Владелец: Yuanjie Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US9024381B2. Автор: Hyuk Woo,Chang-sik Lim,Moon-soo CHO,Kwang-yeon Jun. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-05-05.

Display module and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US20220157901A1. Автор: YuJu CHEN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Display panel, display module, and fabrication method thereof

Номер патента: US20200312931A1. Автор: Min Zheng,Yangqi OU. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10854558B2. Автор: Jun Yang,Deng Feng JI,Hong Tao LIU,You He SHA,Chen Xiao WANG,Ying Nan LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-01.

Integrated Circuit and Fabricating Method thereof

Номер патента: US20110241137A1. Автор: Tzung-Han Tan,Bang-Chiang Lan,Ming-I Wang,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Li-Che Chen,Tzung-I Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180261610A1. Автор: Er Hu ZHENG,Lu Jun ZOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Display apparatus and fabricating method thereof

Номер патента: US20170345801A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Tsau-Hua Hsieh,Tzu-Chien Hung,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Chien-Chung Peng. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240008375A1. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150207068A1. Автор: Yong Seok Lee,Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Surface-Mounted Light-Emitting Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170084808A1. Автор: Xiaoqiang Zeng,Chih-Wei Chao,Shaohua Huang. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11830921B2. Автор: Qiongyang ZHAO,Anni WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor Package With EMI Shield and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20210351137A1. Автор: Sung Gyu Kim,Tae Yong Lee,Kyoung Yeon Lee,Doo Soub Shin. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor Package With EMI Shield and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20230411303A1. Автор: Sung Gyu Kim,Tae Yong Lee,Kyoung Yeon Lee,Doo Soub Shin. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure, high electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11967642B2. Автор: Chih-Yen Chen,Franky Juanda LUMBANTORUAN,Chun-Yang Chen,Tuan-Wei WANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180122701A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180130893A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10418286B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Coms structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20170110580A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190067127A1. Автор: Shi Liang JI,Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11830913B2. Автор: Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160056231A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Fabrication of superconducting wires and rods

Номер патента: WO1996021951A1. Автор: Kamel Salama,Krishnaswamy Ravi-Chandar,Devamanohar Ponnusamy. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 1996-07-18.

Precursor of Nb3Sn Superconducting Wire Produced by Powder Process and Nb3Sn Superconducting Wire Produced by Powder Process

Номер патента: US20090011941A1. Автор: Takayoshi Miyazaki,Kyoji Zaitsu. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2009-01-08.

Fabrication of superconducting wires and rods

Номер патента: US5656574A. Автор: Kamel Salama,Krishnaswamy Ravi-Chandar,Devamanohar Ponnusamy. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 1997-08-12.

Flexible display panel and fabricating method thereof, and image display terminal unit

Номер патента: US09591765B2. Автор: SeokHee JEONG,Jungchul Kim,Soonkwang Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Superconducting joint between multifilamentary superconducting wires

Номер патента: US6531233B1. Автор: Shahin Pourrahimi,Nadder Pourrahimi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-11.

Methods of manufacturing Nb3 Al superconducting wire and coil

Номер патента: US5504984A. Автор: Yuichi Yamada,Hideo Nakajima,Hiroshi Tsuji,Yoshikazu Takahashi,Masataka Nishi,Toshinari Ando. Владелец: Japan Atomic Energy Research Institute. Дата публикации: 1996-04-09.

Method of manufacturing superconducting wire

Номер патента: CA1339638C. Автор: Kazuhiko Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-01-27.

Circuit board structure for electrical testing and fabrication method thereof

Номер патента: US8222528B2. Автор: Pao-Hung Chou. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-17.

Method of manufacturing oxide superconducting wire

Номер патента: CA2031692C. Автор: Kenichi Sato,Takeshi Hikata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-06-27.

Apparatus for continuous manufacture of high temperature superconducting wires from molten superconducting oxides

Номер патента: US5047386A. Автор: Aharon Z. Hed. Владелец: Troy Investments Inc. Дата публикации: 1991-09-10.

Digital garment using digital band and fabricating method thereof

Номер патента: WO2009107907A1. Автор: Dae Hoon Lee,Gi Soo Chung,Jae Sang An. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2009-09-03.

Flat panel display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020041150A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2002-04-11.

Flat panel display device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1195814A3. Автор: Chang Nam Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-11-02.

Procedure of densifying filaments for a superconductive wire

Номер патента: US8372784B2. Автор: Rene Flukiger. Владелец: Bruker Biospin SAS. Дата публикации: 2013-02-12.

Procedure of densifying filaments for a superconductive wire

Номер патента: US20100087324A1. Автор: Rene Fluekiger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-08.

Method for fabricating a superconducting wire

Номер патента: US20090312187A1. Автор: Kazuhiko Nakagawa,Katsumi Ohata,Masahiro Seido. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2009-12-17.

Compound superconducting wire and method of manufacturing the same

Номер патента: US4990411A. Автор: Shigeo Nakayama,Keizo Shimamura,Satoru Murase,Hachio Shiraki,Yoshiko Kohanawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-02-05.

Electro-phoretic display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20130057464A1. Автор: Chi-Ming Wu,Kai-Cheng Chuang,Yung-Sheng Chang,Tzu-Ming WANG,Po-Wen Hsiao,Yuan-Chih Tsai,Jen-Shiun Huang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Method for manufacturing superconducting wire

Номер патента: US5926942A. Автор: Takayuki Nagai,Yoshio Kubo,Kunihiko Egawa,Hiroko Higuma,Fusaoki Uchikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Textile digital band and fabricating method thereof

Номер патента: US20110130060A1. Автор: Dae Hoon Lee,Gi Soo Chung,Jae Sang An. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2011-06-02.

Resin carbon anode green body and preparation method thereof, green body intermediate and preparation method thereof, and carbon anode and preparation method thereof

Номер патента: EP4209471A1. Автор: Qing Ma,Weixin LIU,Diyuan TANG,Guobao Peng. Владелец: Shandong Shengquan New Material Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

Dual emissive electroluminescent displays and fabricating and display methods thereof

Номер патента: US20060033424A1. Автор: Chung-Wen Ko. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-02-16.

Superconductive rotor, superconductive rotating machine and superconductive rotating-machine system

Номер патента: CA2718559C. Автор: Taketsune Nakamura. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-11-24.

Gas detector fabrication method, gas detector, and ray detection device

Номер патента: US20240272316A1. Автор: Yi Zhou,Zhiyong Zhang,Changqing Feng,Ming SHAO,Sicheng WEN,Jianbei LIU. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2024-08-15.

Rotor, fabrication device thereof and fabrication method therefor

Номер патента: US20240305178A1. Автор: Jianxin Yan. Владелец: Zhejiang PanGood Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Flexible touch panel, flexible display panel and flexible display apparatus, and fabricating method thereof

Номер патента: WO2018094639A1. Автор: Xue Dong,Rui Xu,Haisheng Wang,Yingming Liu,Xiaoliang DING,Jing LV. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-05-31.

Display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20240040855A1. Автор: Hui Song. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Heat resistive particles for particle-based displays and fabrication methods thereof

Номер патента: US20130088768A1. Автор: Rong-Chang Liang,Jung-Yang Juang,Jiunn-Jye HWANG HWANG. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Alignment film and fabrication method thereof, liquid crystal panel and display device

Номер патента: US09753331B2. Автор: Jifeng TAN,Xinxing Wang,Jikai YAO,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Multi-tubular reactor and multi-tubular reactor design and fabrication method

Номер патента: US09713800B2. Автор: Shingo Yamauchi,Tamotsu Takamoto. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Mixed powder including solid-solution powder and sintered body using the mixed powder, mixed cermet powder including solid-solution powder and cermet using the mixed cermet powder, and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2008018752A1. Автор: Shin-hoo KANG,Jin-Kwan JUNG,Han-Jung Kwon. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2008-02-14.

Superconducting wire rod and method of producing the same

Номер патента: EP1429399A3. Автор: Kazuhide c/o Hitachi Ltd. Tanaka,Michiya c/o Hitachi Ltd. Okada,Hiroaki c/o Ind. Adm. Inst. Nat. Kumakura,Hitoshi c/o Ind. Adm. Inst. Nat. Kitaguchi,Kazumasa c/o Ind. Adm. Inst. Nat. Tokano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-03-08.

Method for manufacturing contact pads of high-temperature superconducting wire of second generation and complex for implementing the method

Номер патента: RU2746654C1. Автор: Кирилл Александрович Бабурин,Дамир Русланович Кумаров,Ленар Робертович Сабиров. Владелец: Закрытое акционерное общество «СуперОкс» (ЗАО «СуперОкс»). Дата публикации: 2021-04-19.

Superconducting wire and method of manufacturing the same

Номер патента: CA2033325C. Автор: Shoji Shiga,Kaname Matsumoto,Yasuzo Tanaka,Ohsuke Miura. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-18.

Method of producing superconducting wire

Номер патента: CA1286551C. Автор: Shigeo Saito. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1991-07-23.

Mitigating the effects of defects in high temperature superconducting wires

Номер патента: EP2689477A1. Автор: Henry C. VALCOUR III,Hong Cai,John Gannon,Alexander Otto,Michael A. Tanner,William L. Carter,Eric R. Podtburg,Peter D. Antaya,David Crotzer,Subramaniam Anandakugan,Dana Krause. Владелец: American Superconductor Corp. Дата публикации: 2014-01-29.

Oxide high-temperature superconducting wire and method of producing the same

Номер патента: EP1187232A3. Автор: Naoki Osaka Works of Sumitomo Elec. Ind.Ltd Ayai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-06-29.

Method of making a Nb3Sn-based superconducting wire

Номер патента: US20060196580A1. Автор: Genzo Iwaki,Morio Kimura,Kohei Tagawa. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2006-09-07.

Nb3Sn superconducting wire and precursor for the same

Номер патента: EP1788642B1. Автор: Hiroyuki Kato,Takashi Hase,Hiroyuki Yasunaka,Takayoshi Miyazaki,Kyoji Zaitsu,Yukinobu Murakami. Владелец: Japan Superconductor Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-06.

Printed circuit board and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US20240224416A1. Автор: Bin Zhang,Chang Wang,Fei Li,Kun Zuo,Xin Mu,Jiaxiang ZHANG,Yonglin CHEN,Mingqiang Wang,Hongjin HU,Xin Bi,Seungyong OH,Jiuyuan BAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20230144830A1. Автор: YING Zhou,Ming Li,Zhenzhen Zhang,LongDong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Display panel and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20240324405A1. Автор: PENG Hou,ZHU Wang,Shuo Li,Zhenglong Yan,Yanyang SHANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Organic thin film transistor, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3408876A1. Автор: Leilei CHENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-05.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Structure of a memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040004256A1. Автор: Jiun-Ren Lai,Chun-Yi Yang,Shi-Xian Chen,Gwen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Light emitting device and fabricating method thereof, and light emitting apparatus

Номер патента: US20240224582A1. Автор: Zhuo Chen,Tieshi WANG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

[organic light-emtting device and fabricating method thereof]

Номер патента: US20040189192A1. Автор: Wei-Pang Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-09-30.

Flexible housing and fabrication method thereof

Номер патента: US20190307004A1. Автор: Run YANG,Xiaoli Fan. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Backlight Module and Fabricating Method Thereof, and Display Apparatus

Номер патента: US20160370536A1. Автор: Jifeng TAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Printed circuit board and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US12082337B2. Автор: Bin Zhang,Chang Wang,Fei Li,Kun Zuo,Xin Mu,Jiaxiang ZHANG,Yonglin CHEN,Mingqiang Wang,Hongjin HU,Xin Bi,Seungyong OH,Jiuyuan BAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Mask ROM, and fabrication method thereof

Номер патента: US20030038310A1. Автор: Min Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Mask rom, and fabrication method thereof

Номер патента: US20040173857A1. Автор: Min Gyu Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Color wheel unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20070081265A1. Автор: Nak-Yun Sung,Yong-Wan Cho,Ji-Hyung Jung,Ju-Dong Oh,Kye-Woong Cho. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070153158A1. Автор: Gee-Sung Chae. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12101943B2. Автор: WEI CHANG,Qingsong DU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12075705B2. Автор: Wen Bin XIA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Organic electroluminescent structure and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US12048179B2. Автор: Li Liu,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kui Zhang,Chao PU,Rongrong SHI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Display panel and fabrication method thereof, and electronic device

Номер патента: US20240334780A1. Автор: Ming Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Eyeglass of 3D glasses and fabrication method thereof, and 3D glasses

Номер патента: US09841613B2. Автор: Junwei Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Improvements in or relating to Processes for the Production of Superconducting Wire or Strip

Номер патента: GB1164051A. Автор: Peter Robinson,Richard Barry Evans. Владелец: International Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 1969-09-10.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US12052871B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3912188A1. Автор: Linchum WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215273A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Film bulk acoustic resonator and fabrication method thereof, filter, and radio frequency communication system

Номер патента: US12081197B2. Автор: Fei Qi,Guohuang YANG,Huan SUI. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240381620A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Flexible device and fabrication method of flexible device

Номер патента: US09408300B2. Автор: Chien-Jung Huang,Heng-Yin Chen,Chen-Chu Tsai,Yung-Hui Yeh,Cheng-Che Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-08-02.

Nb3Sn superconducting wire and precursor for the same

Номер патента: EP1788642A3. Автор: Takashi Hase,Hiroyuki Yasunaka,Yukinobu Murakami,Takayoshi Kobe CRL in Kobe Steel Ltd. Miyazaki,Hiroyuki Kobe C. R. L. in Kobe Steel Ltd Kato,Kyoji Kobe C. R. L. in Kobe Steel Ltd Zaitsu. Владелец: Japan Superconductor Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-04.

Packaging structure, fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20240224732A1. Автор: Wei Huang,Zhongyuan Sun,Wenqi Liu,Che AN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Laundry apparatus and control method thereof

Номер патента: US11926947B2. Автор: Sangwook Hong,Changoh Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-03-12.

Laundry apparatus and control method thereof

Номер патента: US20200115839A1. Автор: Sangwook Hong,Changoh Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-04-16.

Piezoelectric device and fabricating method thereof, and electronic device and controlling method thereof

Номер патента: US11985898B2. Автор: YuJu CHEN,Shuai Hou. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Thin-film transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20080054257A1. Автор: Chao-Kai Cheng,Yuh-Zheng Lee,Jhih-Ping Lu,Hsuan-Ming Tsai,Kuo-Tong Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-03-06.

Single-fiber bidirectional multimode WDM optical-to-electrical converter and fabrication method thereof

Номер патента: US11054591B2. Автор: HAO WANG,Dong Wang. Владелец: Hangzhou Mo Link Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Tandem Solar Cell and Fabricating Method thereof

Номер патента: US20110100431A1. Автор: Ming-Kun Lee,Sheng-fu Horng,Jen-Chun Wang,Hsin-Fe Meng,Tsung-Te Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2011-05-05.

Sense amplifier circuit, method for operating same, and fabrication method for same

Номер патента: US12100440B2. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Organic light emitting diode display panel, display apparatus having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3523827A1. Автор: Dejiang Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-14.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240172429A1. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory Device with a Double Helix Biopolymer Layer and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20130320305A1. Автор: Yu-Chueh Hung,Wei-Ting Hsu,Ting-Yu Lin,Ljiljana Fruk. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2013-12-05.

Composite substrate, surface acoustic wave resonator, and fabricating methods thereof

Номер патента: US20220352870A1. Автор: Wei Li,Herb He Huang,Hailong LUO,Fei Qi. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

System for displaying images and fabrication method thereof

Номер патента: US20090021152A1. Автор: Du-Zen Peng,Chuan-Yi Chan. Владелец: TPO Displays Corp. Дата публикации: 2009-01-22.

Ultra-low power and ultra-low voltage bandgap voltage regulator device and method thereof

Номер патента: US09780652B1. Автор: Ali Tasdighi Far. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-03.

Mobile terminal with terminal case and operating method thereof

Номер патента: US09742893B2. Автор: Byunghwa Lee,Kyungtae Yang,Hyunho Choi,Seoungho BAEK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-08-22.

Organic electro-luminescence display device and fabricating method thereof

Номер патента: US7589462B2. Автор: Hak Su Kim,Kwang Young Kim,Kwang Heum Baik. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-15.

2-bit mask ROM device and fabrication method thereof

Номер патента: US6590266B1. Автор: Tao-Cheng Lu,Yen-hung Yeh,Mu-Yi Liu,Kwang-Yang Chan,Tso-Hung Fan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-08.

Fabry-Perot Type Tunable Filter and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20100091372A1. Автор: Takashi Endou,Toshio Yamanoi. Владелец: Koshin Kogaku Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-15.

Film bulk acoustic resonator and fabrication method thereof

Номер патента: US11942917B2. Автор: Guohuang YANG. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130313504A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-28.

Organic electroluminescent structure and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US11871595B2. Автор: Li Liu,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kui Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Protective Cover for an Acoustic Wave Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170272052A1. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Pei-Chun Liao,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU,Re-Ching Lin,Chih-Feng Chiang. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Display device, stretchable display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US20210064091A1. Автор: Qian Jin,Wei Wang,Xiaoyan Zhu,Xiaoyun Liu,Xiaohu Li,Jingkai Ni,Xiaofen Wang,Kai SUI,Haibin Zhu,Weikang Xiao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Superconductive multi-core wire of circular section for alternate and direct currents

Номер патента: RU2341838C2. Автор: Эдуард Петрович Волков,Шота Иванович Лутидзе,Эльдар Атамович Джафаров. Владелец: Эльдар Атамович Джафаров. Дата публикации: 2008-12-20.

Heat insulation integrated ultra-thin panel fixing structural and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN106284899A. Автор: 周荣,周平,周奇,周述文. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-04.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Flooring material and fabrication method thereof

Номер патента: US09833974B2. Автор: Gyeongmin Lee,Hyunjong Kwon,Kyungtae Ha. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Water-repellent resin, water-repellent fabric, and fabricating method thereof

Номер патента: US11746466B2. Автор: Chun-Hung Lin,Chen-Shou Hsu,Sun-Wen Juan. Владелец: TAIWAN TEXTILE RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Inkjet printer head and fabricating method thereof

Номер патента: US20070171259A1. Автор: Won-Chul Sim,Soon-Young Kim,Jae-Woo Joung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Organic silicon phosphate and fabrication method thereof

Номер патента: US20110160475A1. Автор: Dick Zhong,Hsueh-Tso Lin,Kuan-Ching Chen,Shang-Wei Tang. Владелец: Grand Tek Advance Material Science Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: US20210113999A1. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2021-04-22.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: EP3808452A1. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2021-04-21.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: US11583835B2. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-02-21.

Optical storage media and fabrication method thereof

Номер патента: US20050142323A1. Автор: Shin-Shin Wang,Hui-Ping Tsai,Wen-Yih Liao,Ming-Chia Lee,Wen-Ping Chu,Hsin-Hong Yao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-06-30.

Display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20180348552A1. Автор: Xin Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Polarizer and fabrication method thereof

Номер патента: US09739919B2. Автор: Long Zhang,Ting Zhou,Poping Shen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Touch electrode and fabricating method thereof, capacitive touch device and touch dislay device

Номер патента: US09684401B2. Автор: Jing Wang,Yun Qiu,Youqiang Lu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Color electrophoretic display panel and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US09454058B2. Автор: Mingchao Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Intelligent fabric sensor layer and preparation method thereof and flexible fabric sensor

Номер патента: NL2030827A. Автор: Zhang Jie,Wang Ziwen,LIU Jianxun,Zheng Pengfei,Lei Yisong,Gong Zidan,Lao Junda. Владелец: Univ Shenzhen Technology. Дата публикации: 2023-06-19.

Intelligent fabric sensor layer and preparation method thereof and flexible fabric sensor

Номер патента: NL2030827B1. Автор: Zhang Jie,Wang Ziwen,LIU Jianxun,Zheng Pengfei,Lei Yisong,Gong Zidan,Lao Junda. Владелец: Univ Shenzhen Technology. Дата публикации: 2023-10-11.

Latent hardener with improved storage stability through a dry surface treatment process, one-component epoxy adhesive formulation comprising the same, and fabrication method thereof

Номер патента: US20210155749A1. Автор: Jong Hyuk Park,Min Park,Jongwon Kim,Tae Ann KIM,Sung Min JEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-05-27.

Metal nanoparticle sensor and fabrication method

Номер патента: US12077844B2. Автор: BO XIAO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-03.

Tip array structure and fabricating method of tip structure

Номер патента: US7814566B2. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-10-12.

Protofibril-binding antibodies and use thereof in therapeutic and diagnostic methods for parkinson's disease, dementia with lewy bodies and other alpha-synucleinopathies

Номер патента: RU2555526C2. Автор: Эва НОРДСТРЕМ,Алекс КАСРАИАН,Моника ЭКБЕРГ,Валентина СКРЕПАНТИ СУНДКВИСТ,Ларс ЛАННФЕЛЬТ,Матс ХОЛЬМКВИСТ. Владелец: Байоарктик Ньюросайенс Аб. Дата публикации: 2015-07-10.

Display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US11762239B2. Автор: Dongze Li,Yongming YIN. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US20210200038A1. Автор: Dongze Li,Yongming YIN. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Single cell array microchip and fabrication, electrical measurement and electroporation method thereof

Номер патента: US09695412B2. Автор: Rong Zhu,Xiaoliang Guo. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-07-04.

Polymeric based and surface treated metallic hybrid materials and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180369453A1. Автор: Karen Wong Hoi Man,Kelvin Yeung Wai Kwok,Kenneth Cheung Man Chee,Keith Luk Dip Kei,John Lam Kin On,Paul Chu Kim Ho. Владелец: Versitech Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Water-repellent resin, water-repellent fabric, and fabricating method thereof

Номер патента: EP4036304A1. Автор: Chun-Hung Lin,Chen-Shou Hsu,Sun-Wen Juan. Владелец: TAIWAN TEXTILE RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2022-08-03.

Water-repellent resin, water-repellent fabric, and fabricating method thereof

Номер патента: US20220235517A1. Автор: Chun-Hung Lin,Chen-Shou Hsu,Sun-Wen Juan. Владелец: TAIWAN TEXTILE RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2022-07-28.

Ordering structure of scintillator and fabrication method

Номер патента: US09551793B2. Автор: Ker-Jer Huang,Soon-Lin Chen,Chien-Chon Chen,Deng-Horng Tsai,Tsan-Nan Yang. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2017-01-24.

Functional glue mixed with crushed on ginko (leaves) and poulownia (leaves) materials and fabricating method thereof

Номер патента: US20020185039A1. Автор: Man-Gu Sim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Chiral diene ligands, a fabrication method thereof and applications thereof

Номер патента: US8586810B2. Автор: Hsyueh-Liang Wu,Chia-Chen Liu,Chun-Chih Chen,Wei-Ting Wei,Jo-Hsuan Fang. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2013-11-19.

Chiral diene ligands, a fabrication method thereof and applications thereof

Номер патента: US20130096348A1. Автор: Hsyueh-Liang Wu,Chia-Chen Liu,Chun-Chih Chen,Wei-Ting Wei,Jo-Hsuan Fang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-18.

High-strength and ductile multicomponent precision resistance alloys and fabrication methods thereof

Номер патента: US11851735B2. Автор: Yong Zhang,Zhiming Li,Shuya ZHU,Dingshun YAN,Kefu GAN. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-12-26.

Alloy-coated optical fiber and fabricating method thereof

Номер патента: US20010048800A1. Автор: Un-Chul Paek,Jin-han Kim,Dong-Soo Park,Yong-Kon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-06.

Capacitive touch panel and recognition method and fabrication method thereof

Номер патента: US20130038562A1. Автор: Te-Mu CHEN,Hsin-Hao Lee. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2013-02-14.

Led illumination apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120294018A1. Автор: Sung-Chul Park,Cheol-Hyun Kim. Владелец: V L SYSTEM CO Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Flame retardant phosphonium dicarboxylic acid ionic liquid compound, flame retardant synthetic polymer, fiber and fabric containing the same

Номер патента: US20230348786A1. Автор: Krishnaswamy Kasthuri Rangan,Tirumalai Srinivas Sudarshan. Владелец: Materials Modification Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Phenyl-modified polydimethylsiloxane (PDMS) separation membrane, fabrication method thereof, and use thereof in separation of aromatic compound

Номер патента: US11969697B2. Автор: YANG Pan,Gongping Liu,Haipeng Zhu,Wanqin Jin. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-30.

Moulded body and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2678031C2. Автор: Томонори КАТО,Кадзуя САТО,Маюми КИКУТИ,Масаюки КОБАЯСИ. Владелец: Мицубиси Гэс Кемикал Компани, Инк.. Дата публикации: 2019-01-22.

Method for continuous, non-contact testing of an elongated superconducting multi-core conductor and device for carrying out the method

Номер патента: DE2837693C2. Автор: Guenter Dipl.-Phys. Dr.Rer. Nat. 8521 Marloffstein Rupp. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-07-24.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: WO2016177028A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei Boe Display Light Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-11-10.

Antibacterial ultraviolet-proof fabric spraying agent and preparation method thereof, and fabric and preparation method thereof

Номер патента: CN111893774B. Автор: 刘慧香,谢玉青,张宜斐. Владелец: Shanghai Weilujia New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-29.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: US10195800B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-05.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: US20170139107A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

LIGHT GUIDE PLATE, BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME, AND FABRICATION DEVICE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20170139107A1. Автор: LIU Xiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof

Номер патента: CN1991501A. Автор: 秋教燮,姜熙光. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Deodorant for clothes and fabrics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101822929B1. Автор: 윤혜진. Владелец: 윤혜진. Дата публикации: 2018-01-29.

Deodorant for clothes and fabrics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20170128861A. Автор: 윤혜진. Владелец: 윤혜진. Дата публикации: 2017-11-24.

Anti-skid and anti-bouncing yarn and fabric and production method thereof

Номер патента: CN110629342A. Автор: 贺光明,柯文博,周冰倩. Владелец: Foshan Shunde Lianjin Textile Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof

Номер патента: US20110187954A1. Автор: Hee Kwang Kang,Kyo Seop Choo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Measuring mechanism for contact ratio of center of mass and optical center of falling body and measuring method and adjusting method thereof

Номер патента: CN105910758A. Автор: 张兵,张涛,滕云田,吴琼,郭有光. Владелец: INSTITUTE OF GEOPHOSICS OF CHINA EARTHQUAKE ADMINISTRATION. Дата публикации: 2016-08-31.

Health-care food with efficacy of maintaining beauty, caring skin, molding body and losing weight and preparation method thereof

Номер патента: CN104095239A. Автор: 张莉,刘宗利,王乃强,李方华,薛雅莺. Владелец: Baolingbao Biology Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-15.

Compound essential oil for losing weight, shaping body and repairing skin and preparation method thereof

Номер патента: CN110664664A. Автор: 黄飞,张惠生. Владелец: Hunan Woman Spring Cosmetology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-10.

Hollow body and sheet structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: JPWO2006064577A1. Автор: 達樹 三好. Владелец: NEW LINE CORPORATION. Дата публикации: 2008-06-12.

Superconductive wire of "cable-conduit" type for magnetic systems winding

Номер патента: RU2456696C2. Автор: Александр Михайлович Джетымов. Владелец: Александр Михайлович Джетымов. Дата публикации: 2012-07-20.

METHOD FOR MANUFACTURING OF COMPOSITE SUPERCONDUCTING WIRE BASED ON Nb3Sn COMPOSITION AND PRODUCTION LINE FOR MANUFACTURING OF COMPOSITE SUPERCONDUCTING WIRE BASED ON Nb3Sn COMPOSITION

Номер патента: RU2559803C2. Автор: Александр Константинович Шиков,Дмитрий Константинович Фигуровский,Александра Евгеньевна Воробьёва,Ильдар Мансурович Абдюханов,Елена Александровна Дергунова,Евгений Васильевич Никуленков,Мансур Нурахметович Насибулин,Надежда Викторовна Трактирникова. Владелец: Акционерное общество "Высокотехнологический научно-исследовательский институт неорганических материалов имени академика А.А. Бочвара". Дата публикации: 2015-08-10.

Superconducting wire of "sheathed cable" type (conduit cable)

Номер патента: RU2413319C2. Автор: Александр Михайлович Джетымов. Владелец: Александр Михайлович Джетымов. Дата публикации: 2011-02-27.

Method for producing niobium-titanium base superconducting wires

Номер патента: RU2159474C1. Автор: Г.К. Зеленский,Г.П. Ведерников,Э.И. Плашкин,Н.И. Салунин,Е.А. Осколков,А.В. Маракулин,Е.В. Никуленков. Владелец: Государственный научный центр Российской Федерации Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им. акад. А.А. Бочвара. Дата публикации: 2000-11-20.

Superconducting wire

Номер патента: RU2027236C1. Автор: В.Б. Зенкевич,С.С. Иванов,Ю.П. Ипатов,А.В. Рычагов,В.Е. Сытников. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский проектно-конструкторский и технологический институт кабельной промышленности. Дата публикации: 1995-01-20.

Single-photon detector, and array and fabricating method thereof

Номер патента: US12078535B2. Автор: Ching-Wen Chang,Shang-Jr Gwo. Владелец: Hermes Epitek Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for detecting non-superconducting transition of superconducting wire

Номер патента: US09488606B2. Автор: Yoshihiro Terada,Koji Omichi. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Elastic hydrophilic non woven fabric and fabrication method thereof

Номер патента: US20230087906A1. Автор: Chin-San Huang. Владелец: Nan Liu Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Magnetically driven capsule robot with controllable drug administration and sampling functions and fabrication method thereof

Номер патента: US20240299715A1. Автор: Liang Li,WANG Zhang,Yuxuan Sun,Enmin SONG,Quanliang Cao. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-09-12.

Cell-assembled motherboard and fabrication method thereof, and liquid crystal display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09488872B2. Автор: Mingchao Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Hybrid drive shaft using friction-stir welding and fabrication method thereof

Номер патента: US09958003B2. Автор: Dong Ho Kim. Владелец: Woo Shin Emc Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Biomimetic, nanofiber-based and directional moisture-wicking electronic skins and fabrication methods thereof

Номер патента: US20240260899A1. Автор: Jinlian Hu,Shuo SHI,Yifan Si,Chuanwei ZHI. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-08-08.

Superconducting magnetic levitated train, train system method of controlling the same, and superconducting coil for magnetic levitated train

Номер патента: CA2037267C. Автор: Fumio Iida,Naofumi Tada,Ryukichi Takahashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-10-03.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20060273315A1. Автор: Yong-Min Ha,Han-Wook Hwang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Display panel with single substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09983446B2. Автор: Yanbing WU,Wenbo Li,Dongsheng Wang,Youmei Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Wire grid polarizer and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09897735B2. Автор: Yanbing WU,Yingyi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Silicon-based rib-waveguide modulator and fabrication method thereof

Номер патента: US09429776B2. Автор: Changhua Chen,Dong Pan,Tuo SHI,Tzung-I Su,Yongbo Shao. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Single-photon detector comprising superconducting wire disposed on a reflector

Номер патента: EP4354101A1. Автор: Ching-Wen Chang,Shang-Jr Gwo. Владелец: Hermes Epitek Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Touch device and fabrication method thereof

Номер патента: US09665230B2. Автор: FENG CHEN,Yuh-Wen Lee,Yanjun Xie,Hsiang-Lung Hsia,Xianbin Xu,Keming Ruan,Fengming Lin. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Thermoluminescent dosimeter for radiation monitoring, comprising LiF doped with Mg, Cu, and Si, and fabrication method thereof

Номер патента: US20080142731A1. Автор: Jong-Soo Kim,Bong-Hwan Kim,Jung-Il Lee,Jang-Lyul Kim,Jeong-Sun Yang. Владелец: Korea Hydro and Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Covering for railroad switch mechanisms in hollow sleepers and fabrication method thereof

Номер патента: EP2226426A3. Автор: Cesar Fernandez Sanchez,Luis Blanco Belda. Владелец: Desarrollos Y Fabricacion Dyf Sa. Дата публикации: 2014-01-01.

Liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20040227892A1. Автор: Ya-Hsiang Tai,Jun Chang Chen. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

[pixel structure and fabricating method thereof]

Номер патента: US20050036079A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20060033101A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Suture-free coagulation-assisted fixed cardiac patch and preparation method thereof

Номер патента: US20240335272A1. Автор: Yang Zhu,Changyou Gao,Yuwen LU,Tanchen REN,Liyin SHEN,Xiaoqian HONG. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-10-10.

Liquid crystal panel and fabricating method thereof

Номер патента: US09933653B2. Автор: Yuejun TANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Liquid crystal display panel, driving method and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09645455B2. Автор: Miki Kashima. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicide capacitive micro electromechanical structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230116389A1. Автор: Chun-Chieh Lin,Di-Bao Wang. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US20240227087A1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-11.

Artificial retinal nerve flexible microelectrode device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210290947A1. Автор: Chengzhi LUO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20100068965A1. Автор: Bong Chul Kim,Seung Hyun Lee,Jeong-Hyun Kim,Myoung Ho Lee,Min Joo Kim,Kyo Yong Koo,Hyeon Jin Seo,Se Jong Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-18.

Display-panel motherboard and fabricating method thereof

Номер патента: US20200292862A1. Автор: JI Li,Lisen Wang,Zhiyang Gao,Zhaozhe Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Touch substrate, mask plate for fabricating the same, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3488329A1. Автор: Ming Zhang,Chunjian Liu,Ming Hu,Yu Zhu,Shifeng Xu,Zouming Xu,Xinbin TIAN,Qitao ZHENG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US12042885B1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-23.

Solid-state light emitting display and fabrication method thereof

Номер патента: US20080280384A1. Автор: Chun-Hung Lin,Chia-Chiang Chang,Chia-Hung Hung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-11-13.

Liquid crystal panel for improving the uniformity of the parasitic capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: US8179511B2. Автор: Moon Soo Kang,Hyung Ho Ahn. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Liquid crystal panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20070103609A1. Автор: Moon Kang,Hyung Ahn. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.

Whispering gallery mode resonator based on cylindrical cavity in optical fiber and fabrication method thereof

Номер патента: US20240295794A1. Автор: Dongning Wang,Yongli Mei,Qiaoben Wang. Владелец: Shenzhen Technology University. Дата публикации: 2024-09-05.

Ferroelectric liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20020085145A1. Автор: Su Choi. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-04.

Ferroelectric liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20040070703A1. Автор: Su Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-15.

Fluid injection devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060071302A1. Автор: Hung-Sheng Hu,Wei-Lin Chen,Der-Rong Shyn. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Recording medium cartridge and fabrication method thereof

Номер патента: US20070086111A1. Автор: Hideaki Shiga. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Composition for sheet using biomass, eco-friendly composite sheet, and fabrication method for thereof

Номер патента: US09963832B2. Автор: Chan Suk Yoon,Chung Ku Han,Seung In Hong. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2018-05-08.

Touch display panel and fabrication method thereof, and touch display apparatus

Номер патента: US09927911B2. Автор: Lei Wang,WEI Liu,Xue Dong,Xiaochuan Chen,Haisheng Wang,Yingming Liu,Changfeng LI,Shengji Yang,Weijie Zhao,Xiaoliang DING,Hongjuan Liu,Liguang DENG,Huizhong ZHU. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Array substrate and fabricating method thereof, and display panel

Номер патента: US09891495B2. Автор: Fu Chen,Zhi Hou,Ying Zhang,Xin Ding,Rong Shen,Yinan WANG,Ziheng Yang,Jianhui Liu,Daeoh Oh. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Touch panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09874954B2. Автор: Yuh-Wen Lee,Xianbin Xu,Fengming Lin,Chuangdai Tang. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Display substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US09696594B2. Автор: Xiaobin Yin. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Device substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09581906B2. Автор: Kai Pei. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-02-28.

Transflective liquid crystal panel, display device, array substrate, color filter substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09513506B2. Автор: HUI Li,Zhiqiang Xu,Hyun Sic CHOI,Yoon Sung Um. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Radiation sensor having photonic crystal structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09377542B1. Автор: Vivek V. Nagarkar,Bipin Singh,Hamid Sabet,Jules Gardener. Владелец: Radiation Monitoring Devices Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Waveplates on a curved surface and fabrication method thereof

Номер патента: EP3921145A1. Автор: Ying Geng,Babak Amirsolaimani. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-15.

Light-emitting panel, and driving method and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US11244603B1. Автор: Lihua Wang,Conghua MA,Xiaoping Sun,Qiang Dong. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Array substrate for a transflective liquid crystal display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20050237453A1. Автор: Kyoung-Su Ha,Joo-Soo Lim,Won-Seok Kang,Se-Duk Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-27.

Touch substrate and fabrication method thereof and display apparatus

Номер патента: US09996188B2. Автор: Jun Li,Lei Zhang,Ming Hu,Xiaodong Xie. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Touch display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US09785005B2. Автор: Po-Yuan Liu,Yu-Feng Chien,Hung-Wen Chou,Chia-Chun Yeh,Wen-Rei Guo,Chin-Chuan Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-10-10.

Monolithic bubble-ink jet print head having anti-curing-deformation part and fabrication method thereof

Номер патента: US7168787B2. Автор: Myung-Song Jung,Tae-Kyun Kim,Jung-Woog Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-30.

Substrate, display panel and display apparatus having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: WO2016188087A1. Автор: Junwei Wang,Weitao CHEN,Xiaopeng CUI,Zhixiao Yao,Jianguo XING. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2016-12-01.

Optical security device and system and fabrication methods thereof

Номер патента: US09789724B2. Автор: Yingqiu Jiang,Aharon Hochbaum. Владелец: Opthentic Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Touch screen and fabrication method thereof

Номер патента: US09772707B2. Автор: Xiaomin Liu,Ting Zhou. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

In-plane switching mode liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09581869B2. Автор: Seungwon Oh,Junhee Park,Taehoon Yoon. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2017-02-28.

Fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US20240326320A1. Автор: Hiroyuki Naito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-03.

Fabrication method and fabrication device for composite material hollow part

Номер патента: US09403302B2. Автор: Tadashi Yazaki,Hidetaka Hattori,Hideki Horizono,Naoaki Fujiwara. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Led light bulb and fabrication method thereof

Номер патента: EP3290773A1. Автор: Szu-Min Fan. Владелец: Double Good Co. Дата публикации: 2018-03-07.

LED light bulb and fabrication method thereof

Номер патента: US20180066812A1. Автор: Szu-Min Fan. Владелец: Double Good Co. Дата публикации: 2018-03-08.

Flexible pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20190353548A1. Автор: Xiaoming Yang,Hua PAN,Daji TU,Houjun XIA. Владелец: Zhejiang Ouren New Materials Co ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Miniature diaphragm-based fiber-optic tip FP pressure sensor, and fabrication method and application thereof

Номер патента: US12044591B2. Автор: Wei Peng,Qiang Liu,Ang Li,Yueying Liu,Zhenguo Jing. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-07-23.

Coffee yarn and fabric using the same

Номер патента: US20170002485A1. Автор: Cheng-Chun Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-05.

Method to apply retro-reflective material on elastic materials and fabrics

Номер патента: US09427947B2. Автор: Felipe Luis Harrison Eyquem. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-30.

Keyboard keys using marked elastic domes and fabrication method thereof

Номер патента: US7083343B2. Автор: Hung-Ming Tseng. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2006-08-01.

End cap of dialyzer and fabricating method thereof, and dialyzer

Номер патента: US20190184085A1. Автор: Wei-Ming Shieh,Yi-Feng Pu,Pei-Hsuan HUANG. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Polymeric based and surface treated metallic hybrid materials and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2011006354A8. Автор: Dipkei Keith Luk,Waikwok Kelvin Yeung,Manchee Cheung,Kimho Paul Chu,Hoiman Karen Wong,Kinon John Lam. Владелец: The City University Of Hong Kong. Дата публикации: 2012-02-02.

Silicon-Based Rib-Waveguide Modulator And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150378185A1. Автор: Changhua Chen,Dong Pan,Tuo SHI,Tzung-I Su,Yongbo Shao. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US7646439B1. Автор: Seung Kyu Choi,Sang Moo Song. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-12.

Optical disc apparatus, information recording method, adjustment apparatus, adjustment method and fabrication method for optical disc apparatus, and method and apparatus for adjusting phase shift amount

Номер патента: US20050047297A1. Автор: Kuniaki Arai. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Optical pickup head of optical recording reproducing apparatus, fabrication method thereof, lubricant-coated optical pickup head of optical recording reproducing apparatus and lubricant coating method thereof

Номер патента: US20040202101A1. Автор: Chang-Hoon Oh,Young-Joo Yee,Seong-Hyok Kim,Jung-Hoon Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-10-14.

Coffee yarn and fabric using the same

Номер патента: US9617666B2. Автор: Cheng-Chun Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-11.

Scent infused nasal cannula and methods of use and fabrication thereof

Номер патента: US20210162159A1. Автор: Patrick Michael O'NEILL,Robert Alexander ARMENTROUT,Salim Oblen DAHDAH. Владелец: First Street Concepts LLC. Дата публикации: 2021-06-03.

Coffee yarn and fabric using the same

Номер патента: US09617666B2. Автор: Cheng-Chun Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-11.

Testing probe and semiconductor testing fixture, and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160124017A1. Автор: Lei Shi. Владелец: Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

Self-locking bracket and opening method thereof

Номер патента: EP3622915A1. Автор: Li Ji. Владелец: Guangzhou OO Medical Scientific Ltd. Дата публикации: 2020-03-18.

3d printing and fabrication

Номер патента: US20230405881A1. Автор: Charlotte A.E. Hauser,Panagiotis BILALIS,Hamed Albalawi. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2023-12-21.

Active array color filter structure and fabricating method therefor

Номер патента: US20070268421A1. Автор: Chao-Kai Cheng,Yuh-Zheng Lee,Wan-Wen Chiu,Fu-Kang Cheng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-11-22.

Hidden storage/utility system and fabrication thereof

Номер патента: WO1997005008A1. Автор: Scott Clare. Владелец: Scott Clare. Дата публикации: 1997-02-13.

Damper in a washing machine and fabricating method of the same

Номер патента: EP1699964A1. Автор: Gwan-Ryong Park,Seok-Kyu Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-09-13.

Touch control unit and fabricating method thereof

Номер патента: US20160291734A1. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG,Jiantao Liu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Fingerprint recognition unit and fabrication method thereof, fingerprint recognition module and display device

Номер патента: US20220035503A1. Автор: Qi Yao,Yang Yue,Feng Zhang,Haitao Huang,Liwen Dong,Zhijun LV,Libo Wang,Wenqu Liu,Xiaoxin Song,Zhao CUI,Detian MENG,Dongfei HOU,Jaiil Ryu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Green manure covering device for pomelo orchards and covering method thereof

Номер патента: LU505141B1. Автор: Jie Wu. Владелец: Univ Guizhou Education. Дата публикации: 2024-03-21.

Keyboard Having a Key-In Area Integrated with a Touch Sensor Device and a Method Thereof

Номер патента: US20130234939A1. Автор: Wen-Chin Lee. Владелец: POLOSTAR Tech CORP. Дата публикации: 2013-09-12.

Keyboard having a key-in area integrated with a touch sensor device and a method thereof

Номер патента: GB201301509D0. Автор: . Владелец: SHENZHEN DZH INDUTRIAL CO Ltd. Дата публикации: 2013-03-13.

Anti-Slide Sheath of Grip and Methods for Using and Fabricating the Same

Номер патента: US20220096904A1. Автор: Yicong Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-31.

Pipeline inspection robot with crisscross structure-changeable crawler belts and control method thereof

Номер патента: US20240353049A1. Автор: Bo Xu,Aiguo SONG,Huijun Li,Tianyuan MIAO,Qinjie JI,Shaohu Wang,Yuefeng Xu. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-24.

Dual interface electronic module with value-add component and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4433943A1. Автор: Carsten Nieland. Владелец: Linxens Holding SAS. Дата публикации: 2024-09-25.

Light guide plate and manufacturing method thereof, backlight module

Номер патента: US09791615B2. Автор: YONG Song,Hong Zhu,Gang Yang,Jun Long,Rui Li,Hongkun Zhang,Hongjun Yu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Fingerprint sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US7400750B2. Автор: Yun-Woo Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-15.

Reflective liquid crystal display device and fabricating method thereof

Номер патента: US7242452B2. Автор: Hyun-Suk Jin,Yong-Jin Cho,Woo-Nam Jeong. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-10.

Display substrate and fabrication method thereof, display panel and display system

Номер патента: US10719154B2. Автор: Na Zhao,Liyun DENG,Miao YUAN. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-21.

Display panel and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20200264483A1. Автор: Xibin Shao,Xueqiang QIAN,Yanping Liao. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

METHOD FOR PRODUCING METAL LAMINATED SUBSTRATE FOR OXIDE SUPERCONDUCTING WIRE, AND OXIDE SUPERCONDUCTING WIRE USING THE SUBSTRATE

Номер патента: US20120040840A1. Автор: Kato Takeshi,Okayama Hironao,KONISHI Masaya,KANEKO Akira. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-16.

CONSTRUCTION OF SUPERCONDUCTING MULTI-CORE BILLET AND METHOD FOR MANUFACTURING SUPERCONDUCTING MULTI-CORE WIRES

Номер патента: US20120190555A1. Автор: . Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-07-26.

MULTI-PIECE BOARD AND FABRICATION METHOD METHOD THEREOF

Номер патента: US20120047728A1. Автор: . Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

Manufacture of complex oxide superconductive multi-core wire material

Номер патента: JPH01194213A. Автор: Susumu Yamaguchi,Osamu Tsubouchi,内 修 坪,口 進 山,Koji Yoshiyanagi,柳 考 二 吉. Владелец: Aisin Seiki Co Ltd. Дата публикации: 1989-08-04.

Suction duct of air conditioner compressor and fabricating and connecting method thereof

Номер патента: CN101328878A. Автор: 马铁军,徐利华,戎谨,宗远华,谭嘉辉,余治忠,谭田养. Владелец: Guangdong Meizhi Compressor Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-24.

A kind of precast splice type arch rib of ultra-high performance concrete and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN103898831B. Автор: 蒋田勇,田仲初,陈福焕. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-05-18.

Anti-fuse one-time-programmable nonvolatile memory cell and fabricating and programming method thereof

Номер патента: TWI289855B. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-11.

Embedded elastic retaining ring dust cover and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN106627636A. Автор: 李亚军,李鹏,罗燕,郭红锋,刘文松,杜方孟. Владелец: Zhuzhou Times New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Multi-color blended yarn and fabric and production method thereof

Номер патента: CN102758363A. Автор: 徐伟杰,解新生,王景呈. Владелец: ZHEJIANG HUAFU MELANGE YARN CO Ltd. Дата публикации: 2012-10-31.

Device for winding multi-core conductor around contact pins

Номер патента: SU1003404A1. Автор: Олег Григорьевич Костин. Владелец: Ленинградский Ордена Ленина И Ордена Красного Знамени Механический Институт. Дата публикации: 1983-03-07.

Machine for twisting multi-core conductor

Номер патента: SU780052A1. Автор: Петр Федорович Ходячих. Владелец: Предприятие П/Я Г-4498. Дата публикации: 1980-11-15.

Compound thermal insulation plate for thermal insulation of wall body and preparation method and using method thereof

Номер патента: CN101725187A. Автор: 黄辛猗,王生劳,苑麒. Владелец: SHANGHAI AOBO APPLICATION TECHNOLOGY ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-09.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING WIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120004110A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP-SIZED PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001328A1. Автор: Huang Chien-Ping,Ke Chun-Chi,Chang Chiang-Cheng. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER LEVEL PACKAGE HAVING A PRESSURE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Chen Chien-An,Huang Chun-An,Chiu Shih-Kuang,Liao Hsin-Yi,Chang Hong-Da. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for Manufacturing a Vacuum Chamber and Components Thereof, and Improved Vacuum Chambers and Components Thereof

Номер патента: US20120000811A1. Автор: . Владелец: Kurt J. Lesker Company. Дата публикации: 2012-01-05.

Optical module and fabrication method

Номер патента: US20120002915A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Spiral-type heat exchanger and its fabrication method

Номер патента: RU2358218C1. Автор: Леонид Владимирович Чумазов. Владелец: Леонид Владимирович Чумазов. Дата публикации: 2009-06-10.

WAVELENGTH-TUNABLE SPECTROMETER AND WAVELENGTH TUNING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002198A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION APPARATUS HAVING HUMAN BODY CONTACT SENSING FUNCTION AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003929A1. Автор: . Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Basidiomycete inoculating mycelium and preparation method thereof

Номер патента: RU2430155C1. Автор: Лариса Михайловна Краснопольская,Анастасия Витальевна Автономова,Мария Ильинична Леонтьева. Владелец: Учреждение Российской академии медицинских наук Научно-исследовательский институт по изысканию новых антибиотиков им. Г.Ф. Гаузе РАМН. Дата публикации: 2011-09-27.

Unmanned aerial vehicle (versions) and operation method thereof

Номер патента: RU2597740C1. Автор: Николай Евгеньевич Староверов. Владелец: Николай Евгеньевич Староверов. Дата публикации: 2016-09-20.

Ball valve with full opening and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2369795C2. Автор: Владимир Николаевич Бекетов,Сергей Анатольевич Перепелкин,Сергей Геннадиевич Куликов,Константин Валерьевич Лаптинский,Вячеслав Алексеевич Маклаков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Актан". Дата публикации: 2009-10-10.

Chip light emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: MY135367A. Автор: Chung-Hoon Lee,Kwan Young HAN,Do-Hyung Kim,Seung-Man Yang,Hong-San Kim,Kwang-II Park. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-31.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.