• Главная
  • Fabrication methods, structures, and uses for passive radiative cooling

Fabrication methods, structures, and uses for passive radiative cooling

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Fabrication methods, structures, and uses for passive radiative cooling

Номер патента: US20190316854A1. Автор: Romy M. FAIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-10-17.

Fabrication methods, structures, and uses for passive radiative cooling

Номер патента: NZ768493A. Автор: Romy M Fain. Владелец: Romy M Fain. Дата публикации: 2024-04-26.

Fabrication methods, structures, and uses for passive radiative cooling

Номер патента: NZ768493B2. Автор: Romy M Fain. Владелец: Romy M Fain. Дата публикации: 2024-07-30.

Fabrication methods, structures, and uses for passive radiative cooling

Номер патента: EP3781891A1. Автор: Romy M. FAIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-24.

Fabrication methods, structures, and uses for passive radiative cooling

Номер патента: AU2019255688B2. Автор: Romy M. FAIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-28.

Fabrication methods, structures, and uses for passive radiative cooling

Номер патента: WO2019204331A1. Автор: Romy M. FAIN. Владелец: Fain Romy M. Дата публикации: 2019-10-24.

Fabrication methods, structures, and uses for passive radiative cooling

Номер патента: AU2019255688A1. Автор: Romy M. FAIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-22.

Fabrication methods, structures, and uses for passive radiative cooling

Номер патента: AU2024202059A1. Автор: Romy M. FAIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-18.

Fabrication methods, structures, and uses for passive radiative cooling

Номер патента: EP4376102A2. Автор: Romy M. FAIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-29.

Fabrication method of display panel and display panel and display device

Номер патента: US09929189B2. Автор: Gang Yang,Jun Long. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

UV mask and fabrication method thereof

Номер патента: US09638845B2. Автор: Sung Hun Song. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210020868A1. Автор: Hisao Ikeda,Kensuke Yoshizumi,Tomoya Aoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Photo sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20080023782A1. Автор: Cha-Hsin Lin,Lurng-Shehng Lee,Ching-Chiun Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-01-31.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US8030652B2. Автор: Shih-Chin Chen,Ming-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-10-04.

Pixel structure and fabrication method of pixel structure

Номер патента: US20130119386A1. Автор: Chang-Yu Huang,Pei-Ming Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-05-16.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09684216B2. Автор: Chien-Han Chen,Shih-Fang Chen,Chih-Cheng Wang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Array substrate, fabrication method thereof and display device

Номер патента: US09673225B2. Автор: Yu Ma. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Array substrate fabricating method

Номер патента: US09741751B2. Автор: Ke Wang,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893098B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Fabrication method of substrate

Номер патента: US09606393B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Guanbao HUI,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09466624B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Array substrate and fabrication method thereof and display device

Номер патента: US09804463B2. Автор: Qi Yao,Zhanfeng CAO,Xiaoyang Tong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Array substrate and fabricating method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09696580B2. Автор: Tian Yang,Yanbing WU,Wenbo Li,Chunyan JI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Fabrication methods of transparent conductive electrode and array substrate

Номер патента: US09659975B2. Автор: Chunsheng Jiang,Meili Wang,Fengjuan LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

TN-type array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09620535B2. Автор: Song Wu,Jieqiong Bao. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09437487B2. Автор: Shi Shu,Feng Zhang,Feng Gu,Fang He,Yaohui GU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Array substrate and fabrication method thereof and display panel

Номер патента: US20190067339A1. Автор: Haihong Zheng. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device, fabrication method for the same, and display apparatus

Номер патента: US20130334528A1. Автор: Mitsunobu Miyamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Micro device fabricating method and apparatus

Номер патента: US20240274403A1. Автор: He Tian,Ze Zhang,Tulai SUN,Tianxing REN,Wanru ZHANG,Xinkai Chen. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-08-15.

Array substrate and fabrication method thereof, display device and driving method thereof

Номер патента: US09928801B2. Автор: Xin Gu,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09786787B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Backlight-type mini led chip and fabrication method therefor

Номер патента: US20230136566A1. Автор: Fan Zhang,Yongsheng Wu,Tingfang ZHANG,Jiapeng Qi. Владелец: Fujian Prima Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20100001286A1. Автор: Chih-Chieh Wang,Yao-Hong Chien,Xuan-Yu Liu,Li-Shan Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-01-07.

Thin film transistor, fabrication method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US20180138254A1. Автор: Zheng Liu,Xiaolong Li,Lujiang HUANG FU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Thin film transistor, fabrication method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: EP3427302A1. Автор: Zheng Liu,Xiaolong Li,Lujiang HUANG FU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-16.

Touch-sensing liquid crystal panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09355807B2. Автор: Kun-hua Tsai,Yu-Cheng Lin,Hsu-Ho Wu,Hsing-Ying LEE,Ping-Yuan Su. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Exothermic reaction electrode structure using pcb and semiconductor fabrication methods

Номер патента: US20190098760A1. Автор: Joseph A. Murray,Julie A. Morris,Tushar Tank. Владелец: IH IP Holdings Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of fabricating nano-scale structures and nano-scale structures fabricated using the method

Номер патента: US09522821B2. Автор: Ripon Kumar DEY,Bo Cui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-20.

Substrate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09605337B2. Автор: I-Chung Hsu,Kuo-Shu Hsu,Changqing Gao,Ting-Hsiang Lee,Guowei Zeng. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Steep-slope field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11869950B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Microelectronic-device fabrication method

Номер патента: US20020016015A1. Автор: Tomoharu Fujiwara. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Chemically-sensitive field effect transistors, systems and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: US09857328B2. Автор: Paul Hoffman. Владелец: Agilome Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Mark structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09773739B2. Автор: Hong Wei Zhang,Kui Feng,Dao Liang LU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Non-volatile memory, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US20060237761A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210184108A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Double-gate transistor array substrate and fabrication method of the same

Номер патента: US12034079B2. Автор: Yuhan QIAN,Libin LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Fingerprint sensors and fabrication methods thereof

Номер патента: US20190035879A1. Автор: Fu Gang CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Fingerprint sensors and fabrication methods thereof

Номер патента: US10600861B2. Автор: Fu Gang CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Fabrication method of non-volatile memory

Номер патента: US20070092997A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20190157280A1. Автор: Zhe Wang,Peng Cheng Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20200126999A1. Автор: Zhe Wang,Peng Cheng Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12089501B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12096696B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240194260A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Reticle fabrication method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US20210165333A1. Автор: Sangwook Kim,Jaewon Yang,Woo-Yong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Flash memory cell and fabricating method thereof

Номер патента: US7235839B2. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-06-26.

Fabrication method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9040410B2. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Fabrication Method For Semiconductor Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20140145354A1. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Light sensing device and fabricating method thereof

Номер патента: US09966394B2. Автор: Sheng-Ren Chiu,Yu-Sheng Lin,Feng-Chia Hsu,Chun-Yin Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-05-08.

Touch-sensitive display device and fabrication method therefor

Номер патента: US09507449B2. Автор: Hen-Ta Kang,Ching-Fu Hsu,Hsiao-Hui Liao,Ting-Yu Chang. Владелец: Wintek Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Micro led transfer method, display panel and fabrication method

Номер патента: US20240006217A1. Автор: Ping Zhu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Three-dimensional semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09601204B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09418896B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee,Yong-min Cho,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Electrode structure including transparent electrode structure, and applications thereof

Номер патента: EP1673753A2. Автор: Sadeg M. Faris. Владелец: Reveo Inc. Дата публикации: 2006-06-28.

Fabrication method for semiconductor device, exposure method, pattern correction method and semiconductor device

Номер патента: US7921386B2. Автор: Toshiyuki Ishimaru. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Pattern formation material, pattern formation method, and exposure mask fabrication method

Номер патента: US20040058279A1. Автор: Masamitsu Itoh,Takehiro Kondoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Electronic Package Device and Fabrication Method Thereof, Method for Testing Electronic Package Device

Номер патента: US20160056381A1. Автор: Dan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device package for debugging and related fabrication methods

Номер патента: US09548263B2. Автор: Damon Peter Broderick,Dirk Heisswolf,Andreas R. Pachl. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210296351A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303189A1. Автор: Zhi Dong WANG,Yi Ying ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Vertical type semiconductor device, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US09508429B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Vertical type semiconductor device, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US09508428B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Monolithic silicon acousto-optic modulator structure and method

Номер патента: WO2011094147A3. Автор: Suresh Sridaran,Sunil Bhave. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-19.

Silicon device structure, and sputtering target used for forming the same

Номер патента: US20130126345A1. Автор: Noriyuki Tatsumi,Tatsuya Tonogi. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Silicon device structure, and sputtering target used for forming the same

Номер патента: US20120007077A1. Автор: Noriyuki Tatsumi,Tatsuya Tonogi. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2012-01-12.

Silicon device structure, and sputtering target used for forming the same

Номер патента: TW201205651A. Автор: Noriyuki Tatsumi,Tatsuya Tonogi. Владелец: Hitachi Cable. Дата публикации: 2012-02-01.

Mask and fabricating method thereof, and displaying base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20220149282A1. Автор: Pengcheng LU,Yunlong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Fabricating method for quantum dot of active layer of LED by nano-lithography

Номер патента: US20090087935A1. Автор: Ming-Nung Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-02.

Composite film and fabrication method thereof, photoelectric element and photoelectric apparatus

Номер патента: US09828544B2. Автор: Chen Tang,Jingxia Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Touch unit and fabrication method therefor, touch structure, and display device

Номер патента: WO2020227974A1. Автор: 龚庆. Владелец: 成都京东方光电科技有限公司. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor structure, fabrication method for semiconductor structure and memory

Номер патента: US20240006319A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure fabrication method, semiconductor structure and memory

Номер патента: US20230015307A1. Автор: Shuangshuang WU,Yuanhao Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Fabrication method for capacitor electrode

Номер патента: WO2010101338A1. Автор: Ju-Young Lee,Seok-Jun Seo,Seung-Hyeon Moon,Gha-Young Kim. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2010-09-10.

Fabrication method for semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: EP4235788A4. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Manufacturing method of mounting structure and laminated sheet used for it

Номер патента: JP6975547B2. Автор: 浩之 岡田,和樹 西村,卓幸 橋本,卓也 石橋. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2021-12-01.

Electric wire terminal connection structure and intermediary cap used for the same

Номер патента: WO2013061562A1. Автор: Naoki Ito. Владелец: Yazaki Corporation. Дата публикации: 2013-05-02.

Electric wire terminal connection structure and intermediary cap used for the same

Номер патента: US20140224536A1. Автор: Naoki Ito. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Composite material for passive radiative cooling

Номер патента: US20220355577A1. Автор: Alex Heltzel. Владелец: Pc Krause And Associates Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

MULTI-ELEMENT INTERPENETRATING STRUCTURE AND ITS POSSIBLE USES FOR ELECTRICAL, ELECTRO -OPTICAL AND ELECTRO -CHEMICAL DEVICES

Номер патента: US20170229740A1. Автор: Preezant Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

ELECTRIC WIRE TERMINAL CONNECTION STRUCTURE AND INTERMEDIARY CAP USED FOR THE SAME

Номер патента: US20140224536A1. Автор: Ito Naoki. Владелец: Yazaki Corporation. Дата публикации: 2014-08-14.

Printed board structure and connection electrode used for the same

Номер патента: WO2009078059A1. Автор: Akira Suzuki,Tomoyuki Nagamine. Владелец: Fujitsu Peripherals Limited. Дата публикации: 2009-06-25.

Double-lens structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09513411B2. Автор: Han-Lin Wu,Yu-Kun Hsiao,Yueh-Ching CHENG. Владелец: VisEra Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Wafer structure, fabrication method, and spray apparatus

Номер патента: US20170062359A1. Автор: Jingfeng Gai. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Wafer structure, fabrication method, and spray apparatus

Номер патента: US9935059B2. Автор: Jingfeng Gai. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230299189A1. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12051737B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Fabrication method and apparatus for fabricating a spatial structure in a semiconductor substrate

Номер патента: US20030082883A1. Автор: Wolfgang Welser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-01.

Fabrication method of deflecting film

Номер патента: US20190121200A1. Автор: Zi WANG,Qibin Feng,Guoqiang Lv. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2019-04-25.

Sensor device packages and related fabrication methods

Номер патента: US09676611B2. Автор: Philip H. Bowles,Stephen R. Hooper. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166342A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

MEMS device and fabrication method

Номер патента: US09731962B2. Автор: Hongmei Xie,Xuanjie Liu,Liangliang Guo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Proximity switch fabrication method using angled deposition

Номер патента: US09449891B1. Автор: Paul D. Swanson,Andrew Wang,Charles H. Tally, IV. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-09-20.

Wire grid polarizer and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09897735B2. Автор: Yanbing WU,Yingyi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Laser firing apparatus for high efficiency solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: WO2010077018A2. Автор: Jong-Hwan Kim,Hwa-Nyeon Kim,Ju-Hwan Yun. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2010-07-08.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972543B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09779999B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US11043575B2. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Quantum dot light-emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: US20230043770A1. Автор: Zhiwen NIE. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Integrated structure of mems device and cmos image sensor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20100148283A1. Автор: Hui-Shen Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Schottky diode with low leakage current and fabrication method thereof

Номер патента: US7382035B2. Автор: Hyung Choi,Dong-sik Shim,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-03.

Fiber optic cable assembly with overlapping bundled strength members, and fabrication method and apparatus

Номер патента: US11774677B2. Автор: QI Wu. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Stretchable substrate and fabricating method therefor

Номер патента: US20210316529A1. Автор: HE Li. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Radome, and stacked plate for radome, composite plate and fabrication method

Номер патента: EP4404379A1. Автор: Kai Sheng,Liangyuan LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Passive radiative cooling film for antennas

Номер патента: WO2023203489A1. Автор: Timothy J. Hebrink,John P. Baetzold,Derek J. Dehn,Charles A. Hill,Pontus BRODDNER. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12075705B2. Автор: Wen Bin XIA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Terminal device and fabrication method therefor

Номер патента: AU2019218326A1. Автор: Jianfeng Wang. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Ultra-long silver nanowire material and fabrication method thereof

Номер патента: US12109621B2. Автор: Jing Zheng,Rui Dang. Владелец: Northwest Institute for Non Ferrous Metal Research. Дата публикации: 2024-10-08.

Flexible display panel and fabricating method thereof, and image display terminal unit

Номер патента: US09591765B2. Автор: SeokHee JEONG,Jungchul Kim,Soonkwang Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US7456713B2. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-11-25.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US20070109081A1. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Semiconductor structure and fabrication method therefor

Номер патента: EP3971954A1. Автор: Xing Jin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-23.

Content resolution adjustment for passive display devices

Номер патента: US11069325B1. Автор: Hao Wu,Haibo Lin,Shihao QIAN,Cungang Lin. Владелец: Citrix Systems Inc. Дата публикации: 2021-07-20.

Reflector structure in a liquid crystal display and its fabrication method

Номер патента: US20040228128A1. Автор: Wen-Jian Lin,Hong-Da Liu,Hung-Huei Hsu. Владелец: Prime View International Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Reflector structure in a liquid crystal display and its fabrication method

Номер патента: US7066624B2. Автор: Wen-Jian Lin,Hong-Da Liu,Hung-Huei Hsu. Владелец: Prime View International Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-27.

Content Resolution Adjustment for Passive Display Devices

Номер патента: US20210217384A1. Автор: Hao Wu,Haibo Lin,Shihao QIAN,Cungang Lin. Владелец: Citrix Systems Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Sense amplifier circuit, method for operating same, and fabrication method for same

Номер патента: US12100440B2. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Systems and methods for passive multi-factor authentication of device users

Номер патента: US12126615B2. Автор: Kyle Williams,David J. Senci,Paige Fogarty. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3912188A1. Автор: Linchum WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Fabrication method for non-volatile memory

Номер патента: US20040121535A1. Автор: Hsin-Ming Chen,Shih-Jye Shen,Ming-Chou Ho,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Fabrication method of display device and display device

Номер патента: US09547197B2. Автор: Ho Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Flexible housing and fabrication method thereof

Номер патента: US20190307004A1. Автор: Run YANG,Xiaoli Fan. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Magnetic device fabrication method

Номер патента: US10395816B2. Автор: You-Chi Liu,Chia-Ping Mo. Владелец: Ajoho Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-27.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12133337B2. Автор: Yi Hung Lin,Li-Wei Sung. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

PMOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09741820B2. Автор: Lihong Xiao,Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device including power and logic devices and related fabrication methods

Номер патента: US20160141211A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-19.

Three-dimensional transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799728B2. Автор: Ying Jin,Xinyuan Lin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09647073B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047829A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Flash memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20170263778A1. Автор: Lu Jun ZOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2018223967A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047623A1. Автор: Xin Yun XIE. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor structure and fabrication method

Номер патента: US20190273043A1. Автор: Xing Hua SONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor structure and its fabricating method

Номер патента: US12087829B2. Автор: Bing ZOU,Cheng Yeh HSU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Fabrication method of a memory and the memory

Номер патента: US12114482B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Flash memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09923100B2. Автор: Lu Jun ZOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Fabricating method of fin field effect transistor (FinFET)

Номер патента: US09793105B1. Автор: Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Metal pillar bump packaging strctures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20150279795A1. Автор: Guowei Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Trench power MOSFET structure fabrication method

Номер патента: US9035378B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and peripheral circuit

Номер патента: US12027595B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240274684A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200098765A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Fabricating method of semiconductor element

Номер патента: US20130109163A1. Автор: Po-Chao Tsao,Ming-Tsung Chen,Ming-Te Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911833B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

NAND flash memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911593B2. Автор: SHILIANG Ji,YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Seimconductor Manufacturing International (beijing) Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09548212B2. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Electrical interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09490210B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220406915A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Die edge sealing structures and related fabrication methods

Номер патента: US20150056751A1. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20210167186A1. Автор: HAIYANG Zhang,Yan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Packaging structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220246446A1. Автор: Lei Shi. Владелец: Nantong Tongfu Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230021267A1. Автор: QIAO LI,Zhi Yang,Yue Zhuo,Wentao Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Contactless channel write/erase flash memory cell and its fabrication method

Номер патента: US20020114179A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Fabricating method for optical multilayer thin film structure

Номер патента: US20070247716A1. Автор: Myoung Jin Kim,Hwe Kyung KIM. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2007-10-25.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190115280A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11257736B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180047638A1. Автор: Yan Wang,Shi Liang JI,Qiu Hua HAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Conductive plug structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09837311B2. Автор: Liang Wang,Xiaotian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09666536B2. Автор: Yi-Wei Liu,Yi-Che Lai,Hung-Wen Liu,Mao-Hua Yeh,Yan-Heng Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09472668B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066462A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and memory

Номер патента: US20230189518A1. Автор: Heng-Chia Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220148880A1. Автор: SHILIANG Ji,Zhenyang ZHAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Light-emitting diode chip structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20120153339A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Kun-Fu Huang,Jun-Rong Chen,Chi-Wen Kuo,Jui-Yi Chu. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US9397230B2. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10741689B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Metal gate transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US10037943B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-31.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US20150162417A1. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-11.

Non-volatile memory and fabricating method thereof and operation thereof

Номер патента: US20060240618A1. Автор: Chao-I Wu,Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor structure, memory structure and fabrication methods thereof

Номер патента: US20220415898A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US20150333189A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,XIin LIN. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240355933A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Yongjian Yu,Guoguo Kong,Mingru Ge,Wangqin Yang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133386B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Contact via structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09978677B2. Автор: Ji Quan LIU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09859203B2. Автор: Jae Yun Kim,Keun Soo Kim,Dae Byoung Kang,Byoung Jun Ahn,Dong Soo Ryu,Chel Woo Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09754893B2. Автор: ZUOPENG He,Jingxiu Ding. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Optical cover plate with improved solder mask dam on glass for image sensor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09653500B2. Автор: Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Package structure and its fabrication method

Номер патента: US09536864B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Protection device and related fabrication methods

Номер патента: US09502890B2. Автор: Rouying Zhan,Chai Ean Gill,Wen-Yi Chen,Michael H. Kaneshiro. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-22.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US09397230B2. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3968371A1. Автор: Zhen Zhou,Er Xuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-16.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12015067B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Light emitting diode structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20110260203A1. Автор: Hsien-Chia Lin,Tzu-Yu Tang. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Substrate structure and the fabrication method thereof

Номер патента: US20060286485A1. Автор: Joseph Cheng. Владелец: Boardtek Electronics Corp. Дата публикации: 2006-12-21.

Electronic device bonding structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220068872A1. Автор: Chia-Fu Hsu,Kai-Ming Yang,Cheng-Ta Ko,Pu-Ju Lin. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240055325A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure and associated fabricating method

Номер патента: US20170194439A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Low-resistance conductive pattern structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110100693A1. Автор: Bo-Un Yoon,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: EP2673806A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,D Defresart EDOUARD. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-18.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20150123111A1. Автор: Jen-Yu Lee,Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Hong-Syu Chen,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Fan-Wei Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2015-05-07.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US9331106B2. Автор: Jen-Yu Lee,Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Hong-Syu Chen,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Fan-Wei Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-05-03.

Structure and method of MOS transistor having increased substrate resistance

Номер патента: US20030207543A1. Автор: Zhiqiang Wu,Craig Salling,Che-Jen Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor device and related fabrication method

Номер патента: US20240234370A1. Автор: Shadi Sabri. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and related fabrication method

Номер патента: WO2024151385A1. Автор: Shadi Sabri. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240313078A1. Автор: HAIYANG Zhang,BO Su,Abraham Yoo,Hanzhu WU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12136599B2. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US09893070B2. Автор: Chin-Shan WANG,Shun-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device, FinFET transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799676B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09735161B2. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704970B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Modified tunneling field effect transistors and fabrication methods

Номер патента: US09673757B2. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09640432B2. Автор: Sheng-Fen Chiu,Shaobin Li,Jinshuang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US09590097B2. Автор: XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Nitride underlayer and fabrication method thereof

Номер патента: US09559261B2. Автор: Jie Zhang,Xiaofeng Liu,Dongyan Zhang,Duxiang Wang,Weihua Du. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US09553187B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Mazhar Ul Hoque. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Protection device and related fabrication methods

Номер патента: US09543420B2. Автор: Chai Ean Gill,Wen-Yi Chen. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Shielded trench semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US09515178B1. Автор: Moaniss Zitouni,Ganming Qin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11309318B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20040241978A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ming-Shih Yeh,Chiung-Sheng Hsiung,Gwo-Shil Yang,Jen-Kon Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12087583B2. Автор: Jen-Chou Huang,Shengan ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09842758B2. Автор: Chun-Tang Lin,Yan-Heng Chen,Chieh-Yuan Chi. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor structure and associated fabricating method

Номер патента: US09831340B2. Автор: Yi-huan Chen,Ker-Hsiao Huo,Chen-Liang Chu,Ta-Yuan Kung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09646830B2. Автор: Guohui Cai. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Photovoltaic nanowire structures and related fabrication methods

Номер патента: US09559231B2. Автор: Nobuhiko Kobayashi,Shih-Ping Wang,Yu-Min Houng. Владелец: SHIH-PING BOB WANG. Дата публикации: 2017-01-31.

FinFET device and fabrication method thereof

Номер патента: US09514994B2. Автор: Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4210095A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Yexiao Yu,Zhong KONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130256789A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Sung-Nien Tang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Finfet fabrication method

Номер патента: US20150333062A1. Автор: Xusheng Wu,Hongliang Shen,Wanxun He. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20170294372A1. Автор: Chia-Cheng Chen,Chi-Ching Ho,Ying-Chou Tsai,Shao-Tzu Tang,Yu-Che Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US09991197B2. Автор: Chia-Cheng Chen,Chi-Ching Ho,Ying-Chou Tsai,Shao-Tzu Tang,Yu-Che Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Normally-off high electron mobility transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US09786775B2. Автор: Shang-Ju TU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Fdsoi device structure and preparation method thereof

Номер патента: US20230126031A1. Автор: Nan Li,Zhonghua Li,Jianghua LENG,Tianpeng Guan,Runling Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Structure and method for making low leakage and low mismatch nmosfet

Номер патента: US20130193523A1. Автор: Haining S. Yang,Xiangdong Chen,Xinlin Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Fabrication method for ball grid array semiconductor package

Номер патента: US20040058471A1. Автор: Han-Ping Pu,Chih-Ming Huang,Chien-Ping Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240321997A1. Автор: Hailong Yu,Xuezhen JING,Jinhui MENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Chip package structure and fabrication

Номер патента: US20240371716A1. Автор: LI Tao,Shanshan Zhao,Baohua Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Fabrication method of interconnect structure

Номер патента: US09754799B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US11367774B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-06-21.

Fdsoi device structure and preparation method thereof

Номер патента: US20220093799A1. Автор: Nan Li,Zhonghua Li,Jianghua LENG,Tianpeng Guan,Runling Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Terminal structure of power device, fabrication method therefor, and power device

Номер патента: EP4207306A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Boning Huang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210280669A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210091192A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210280583A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Spacer structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180337249A1. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Szu-Hsien Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12058864B2. Автор: Wei Xu,Wenbin Zhou,Qingqing WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11749745B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Structure and method for FinFET device with source/drain modulation

Номер патента: US12080607B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Split-gate non-volatile memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240276716A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system packaging structure, and method for forming the same

Номер патента: EP4437588A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12068397B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09852976B2. Автор: Michael Kelly,Roger St. Amand,Ronald Huemoeller,David Hiner. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Fabrication method of pixel structure

Номер патента: US09818774B2. Автор: Xiaofeng Yang,Zelin Chen,Xiaotao JIN,Fei OU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device having metal gate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09728620B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09653428B1. Автор: Michael Kelly,Ronald Huemoeller,David Hiner. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Fin field-effect transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US09613868B2. Автор: Guobin Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09543242B1. Автор: Michael Kelly,Roger St. Amand,Ronald Huemoeller,David Hiner. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated device with inductive and capacitive portions and fabrication methods

Номер патента: US09460996B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Thin film transistor memory and its fabricating method

Номер патента: US20130264632A1. Автор: Sun Chen,Wei Zhang,Pengfei Wang,Shijin Ding,Xingmei Cui. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US8188470B2. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-29.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11978737B2. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device fabrication methods with enhanced control in recessing processes

Номер патента: US20130078791A1. Автор: Robert J. Miller,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US10332834B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-06-25.

Contact structure with arched top surface and fabrication method thereof

Номер патента: US20240266412A1. Автор: Kuo-Hua Pan,Ruoh-Ning TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20120202339A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20100258800A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-10-14.

Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor

Номер патента: SG173394A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Byung Hoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2011-08-29.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080079098A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device having a gate and fabrication method therefor

Номер патента: US20020034868A1. Автор: Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Fabrication method for a chip packaging structure

Номер патента: US20070099339A1. Автор: Wen-Yin Chang. Владелец: Taiwan Solutions Systems Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09978641B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US09601428B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Contact liners for integrated circuits and fabrication methods thereof

Номер патента: US09431303B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Waveplates on a curved surface and fabrication method thereof

Номер патента: EP3921145A1. Автор: Ying Geng,Babak Amirsolaimani. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-15.

Photoelectric sensor and fabrication method thereof, and electronic device

Номер патента: US20240222415A1. Автор: Siriguleng ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Transistor with fin structure and nanosheet and fabricating method of the same

Номер патента: US20240162291A1. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Ching-In Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Fabrication method for a semiconductor structure having integrated capacitors

Номер патента: US7312115B2. Автор: Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-25.

Integrated inductor and integrated inductor fabricating method

Номер патента: US20140284762A1. Автор: Ta-Hsun Yeh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Monolithically-Integrated New Dual Surge Protective Device and Its Fabrication Method

Номер патента: US20120175704A1. Автор: Yanfeng JIANG. Владелец: NORTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20080081384A1. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Display panel, array substrate, and fabrication method thereof

Номер патента: US20170221925A1. Автор: Junhui Lou,Tianyi Wu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device and a fabrication method thereof

Номер патента: US11222897B2. Автор: Jinwoo Bae,Jonghyuk Park,Myungjae JANG,Boun Yoon,Hyesung Park,YoungHo Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-11.

CMOS Image Sensor Integrated with 1-T SRAM and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20070184571A1. Автор: Jinsheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Image sensor pixel and fabrication method thereof

Номер патента: EP1900029A1. Автор: Cheol Soo Park. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-19.

Stacked semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20030075788A1. Автор: Un-Young Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240339402A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11955565B2. Автор: Chi REN,Chun-Sung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Array substrate and fabrication method thereof, and display panel

Номер патента: US09929184B2. Автор: Seungjin Choi,Youngjin Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

OLED backplane and fabrication method thereof

Номер патента: US09882172B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Jingfei Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Array substrate, fabrication method thereof and display device

Номер патента: US09859350B2. Автор: Yongqian Li,Cuili Gai,Longyan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

OLED display element and its fabricating method, display panel and display device

Номер патента: US09831472B2. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Carrier structure, packaging substrate, electronic package and fabrication method thereof

Номер патента: US09818635B2. Автор: Chang-Lun Lu,Lu-Yi Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Thin film transistor, fabricating method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09754970B2. Автор: Jiangbo Chen,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Amorphous silicon photoelectric device and fabricating method thereof

Номер патента: US09741893B2. Автор: Xu Chen,Shaoying Xu,Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Organic thin film transistor array substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US09716135B2. Автор: Hongyuan Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Electrowetting display panel, fabrication method thereof and display apparatus comprising the same

Номер патента: US09709799B2. Автор: Juan Chen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor fin fabrication method and Fin FET device fabrication method

Номер патента: US09698253B2. Автор: Jing Zhao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09601620B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09502517B2. Автор: Jun Cheng,Guangcai Yuan,Dongfang Wang,Xiangyong Kong,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220223720A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ta-wei Chiu,Ruei-Jhe Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Fabrication method of semiconductor package with stacked semiconductor chips

Номер патента: US20180261563A1. Автор: Lu-Yi Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

FinFET and fabrication method thereof

Номер патента: US9647067B1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Hole channel semiconductor transistor, manufacturing method therefor and use thereof

Номер патента: EP3944337A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Floating gate fabrication method

Номер патента: US20190363096A1. Автор: Jun Zhou,Yun Li,Chaoran ZHANG. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US20130119551A1. Автор: Hung-Chang Chen. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230402540A1. Автор: Lijie Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Vertical transistor and transistor fabrication method

Номер патента: US20030080346A1. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240194797A1. Автор: Chi REN,Chun-Sung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

GaN-based high electron mobility transistors and fabrication method thereof

Номер патента: US12113127B2. Автор: Kuang-Po Hsueh. Владелец: Nanjing Greenchip Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240371837A1. Автор: Peng-Yu Chen. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device fabricating method

Номер патента: US20240371784A1. Автор: Jung Han Lee,Ji Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Organic light emitting diode display panel, fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09972665B2. Автор: Ze Liu,Huifeng Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09922834B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09786610B2. Автор: Hui-Chuan Lu,Po-Yi Wu,Chun-Hung Lu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US09780195B2. Автор: Chun-Hung Chen,Chien-Lung Chu,Ta-Chien Chiu. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Methods, structures and devices for intra-connection structures

Номер патента: US09721956B2. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12027463B2. Автор: LIANG XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240224526A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Trenched power mosfet with enhanced breakdown voltage and fabrication method thereof

Номер патента: US20140042534A1. Автор: Chun-Ying Yeh. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor

Номер патента: SG139758A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Byung Hoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2008-02-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240234505A1. Автор: Hsu Ting,Yu-Ren Wang,Shao-Wei Wang,Kuang-Hsiu Chen,Shou-Hung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Acoustic wave device and fabrication method of the same

Номер патента: US20130076205A1. Автор: Tomo Kurihara. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device interconnection contact and fabrication method

Номер патента: US20070059921A1. Автор: Michael Dunbar,Gregory Cestra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Stereoscopic display device, fabrication method and stereoscopic display method

Номер патента: US20210223569A1. Автор: Wenchu Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Fabrication method for photovoltaic assembly

Номер патента: AU2019460092B2. Автор: Juan Wang,Zhiqiu Guo,Yeyi Jin. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US10446463B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: EP3190610A3. Автор: Gang MAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

Semiconductor device fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US7371694B2. Автор: Takayuki Takahagi,Hiroyuki Sakaue,Ken Sasaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-05-13.

Fabricating method of complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensor

Номер патента: US20080113477A1. Автор: JHY-JYI SZE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Semiconductor device fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US20050186804A1. Автор: Takayuki Takahagi,Hiroyuki Sakaue,Ken Sasaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-08-25.

Fabrication method of light emitting diodes

Номер патента: US20060138683A1. Автор: Chih-Ming Hsu. Владелец: Cleavage Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Package substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20240282590A1. Автор: Min-Yao CHEN,Andrew C. Chang. Владелец: Aaltosemi Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Bonding structure, semiconductor chip and fabricating method thereof

Номер патента: US20240321686A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Wei-Lun Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Capacitor structures with embedded electrodes and fabrication methods thereof

Номер патента: US09881738B2. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09793170B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chia Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon interposer, semiconductor package using the same, and fabrication method thereof

Номер патента: US09748167B1. Автор: Ming-Tse Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US09716108B2. Автор: Jun Cheng,Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Electroluminescence display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09508779B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for passivating a through hole of a semiconductor plate

Номер патента: RU2745656C1. Автор: Александер ФРЕЙ. Владелец: АЦУР СПЭЙС Золяр Пауер ГмбХ. Дата публикации: 2021-03-30.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method and device using titanium doped aluminum oxide for passivation of ferroelectric materials

Номер патента: US20040056276A1. Автор: HONG Ying,Sheng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190172754A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343101A1. Автор: JISONG Jin,Yanhua Wu,Junling PANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200027888A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210057272A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20100148278A1. Автор: Dong Woo Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20070087521A1. Автор: Osamu Fujita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20090065893A1. Автор: Chien-Jung Yang,Chi-Huang Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200075603A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Fabrication method for heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20050051797A1. Автор: Cheng-Wen Fan,Hua-Chou Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020005540A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10636801B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20070167031A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020121667A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343386A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

OLED display device and fabrication method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09847488B2. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Fabrication method of fast recovery diode

Номер патента: US09837275B2. Автор: QUAN Wang,Wei Zhou,Deming Sun,Jieqiong DONG. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Fin field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09716178B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US09607885B2. Автор: Peter Zhang,Steven Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: US09583653B2. Автор: Jin HO KIM,Hyun Jung Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-02-28.

Pixels, imagers and related fabrication methods

Номер патента: US09466634B2. Автор: Bedabrata Pain,Thomas J. Cunningham. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2016-10-11.

Fabrication method of wiring structure for improving crown-like defect

Номер патента: US09426894B2. Автор: Yi-Ming Chang,I-Min Lin,Po-Shen Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US11990518B2. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Fabricating method of pixel structure

Номер патента: US20130011976A1. Автор: Meng-Chi Liou. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-01-10.

Fabricating method of pixel structure

Номер патента: US8404528B2. Автор: Meng-Chi Liou. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-03-26.

Single-sided light-emitting led chips and fabrication method thereof

Номер патента: US20200020832A1. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Fabrication method of pixel structure

Номер патента: US20100233859A1. Автор: Yi-Wei Chen,Yi-Sheng Cheng,Ming-Yan Chen,Ying-Chi Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-09-16.

Fabrication method of power semiconductor structure with reduced gate impedance

Номер патента: US20120045877A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7803716B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-28.

Fabricating method of a semiconductor light emitting device

Номер патента: US20170294421A1. Автор: Tao-Chih Chang,Chih-Ming Shen,Yu-Wei HUANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-10-12.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US20240222133A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Microcontroller unit and fabrication method thereof

Номер патента: US11056476B2. Автор: Ying Tang,Xiaolin Yuan. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Led flip chip, fabrication method thereof and display panel

Номер патента: US20220216370A1. Автор: CHEN Hung-Wen. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US6858495B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-22.

High-voltage-withstanding semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20080111192A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

CMOS Device for Reducing Charge Sharing Effect and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20130161757A1. Автор: DONG Yang,Xing Zhang,Ru Huang,Fei Tan,Xia An,Qianqian Huang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240194594A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Transistor, Fabrication Method Thereof, and Display Apparatus Comprising the Same

Номер патента: US20240213369A1. Автор: Jaehyun Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Normally-closed device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220285538A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Array substrate and fabrication method thereof, array substrate motherboard and display device

Номер патента: US20210335978A1. Автор: Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12046647B2. Автор: King Yuen Wong,Hang Liao,Lijie Zhang. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Array substrate, fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US10978542B2. Автор: Kan Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

A fabrication method of transparent resin substrate along with transparent resin substrate

Номер патента: EP2402794A3. Автор: Takuji Mizuno. Владелец: TONY OPTICAL ENTERPRISES CO Ltd. Дата публикации: 2012-06-06.

Cover plate and fabricating method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20200052241A1. Автор: Wei Li,WEI Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Array substrate, display device and fabrication method

Номер патента: US20240250176A1. Автор: Jun Wang,Zhonghao Huang. Владелец: Chongqing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Fabricating Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20240258378A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Organic field-effect transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US20230093494A1. Автор: Hong Meng,Xinwei Wang,Lin Ai,Yuhao SHI. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Self aligned mosfet devices and associated fabrication methods

Номер патента: WO2023163855A1. Автор: Sudarsan Uppili,David Lee Snyder,Scott Joseph Alberhasky. Владелец: Scdevice LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Back-illuminated image sensor and fabricating method thereof

Номер патента: US20130334636A1. Автор: Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20160005697A1. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100330760A1. Автор: Kao-Way Tu,Yen-Chih Huang. Владелец: Nico Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Light-emitting diode structure, fabrication method therefor, and display panel

Номер патента: US11778855B2. Автор: Zhuo Chen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Image sensor and fabricating method of image sensor

Номер патента: US20150048466A1. Автор: Yang Wu,Inna Patrick,Yu Hin Desmond Cheung,Feixia Yu. Владелец: Himax Imaging Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7439190B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-21.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20080299752A1. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device package and fabricating method thereof

Номер патента: US20090020881A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Single-sided light-emitting LED chips and fabrication method thereof

Номер патента: US10825960B2. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor chip fabrication method

Номер патента: US20090209088A1. Автор: Tadato Nagasawa. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Laser, fabrication method therefor, and laser device

Номер патента: US20240266806A1. Автор: Min Teng,Xuezhe Zheng,Yinchao DU. Владелец: Innolight Technology Suzhou Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Electron beam pumped semiconductor laser screen and associated fabrication method

Номер патента: US20040028109A1. Автор: Robert Morgan,Robert Rice,Neil Ruggieri,J. Whiteley,Richard Skogman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2004-02-12.

Oxide spacer HCG VCSELS and fabrication methods

Номер патента: US12068580B2. Автор: Constance J. Chang-Hasnain,Jiaxing Wang,Jipeng QI,Kevin T. COOK. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-08-20.

[pixel structure and fabricating method thereof]

Номер патента: US20050036079A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20060033101A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Energy storage structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09831533B2. Автор: Anthony Sudano,Dave Rich,Renato Friello,Shreefal Sudhir MEHTA,Sudhir Rajaram KULKARNI. Владелец: Paper Battery Co. Дата публикации: 2017-11-28.

Radiative cooling film with surface periodic micro-nano structure and preparation method

Номер патента: US20240287272A1. Автор: Han Lin,Baohua Jia. Владелец: Innofocus Photonics Technology Pty Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Laser, fabrication method therefor, and laser device

Номер патента: EP4401251A1. Автор: Min Teng,Xuezhe Zheng,Yinchao DU. Владелец: Innolight Technology Suzhou Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Display panel with single substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09983446B2. Автор: Yanbing WU,Wenbo Li,Dongsheng Wang,Youmei Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Micro-connector structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20060046552A1. Автор: Hsing Chen. Владелец: Solidlite Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Silicon-based rib-waveguide modulator and fabrication method thereof

Номер патента: US09429776B2. Автор: Changhua Chen,Dong Pan,Tuo SHI,Tzung-I Su,Yongbo Shao. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Smart rectenna design for passive wireless power harvesting

Номер патента: US12027882B2. Автор: Shanay Ravin Kothari. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Magnesium ion battery cathode material doped at magnesium site and fabricating method thereof

Номер патента: AU2021104796A4. Автор: Zhenbo Peng,Zhaoshen YU,Zhengyong Yuan. Владелец: Ningbo Polytechnic. Дата публикации: 2021-09-30.

Pixel structure for transflective LCD panel and fabricating method thereof

Номер патента: US20070058117A1. Автор: Liang-Neng Chien. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-03-15.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20060273315A1. Автор: Yong-Min Ha,Han-Wook Hwang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Fabricating method of alignment film

Номер патента: US09766499B2. Автор: Yongzhi SONG,Xiaona Liu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Conductive porous layer for batteries and fabrication method for same

Номер патента: US09666872B2. Автор: Hiroshi Kishimoto,Kasumi Oi,Naoya Takeuchi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Liquid crystal display device and a fabricating method

Номер патента: US20010013918A1. Автор: Kwang Park,Dong Kwak. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-16.

Liquid crystal panel and fabricating method thereof

Номер патента: US09933653B2. Автор: Yuejun TANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Liquid crystal display panel, driving method and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09645455B2. Автор: Miki Kashima. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Handheld electronic device, support assembly, and support assembly fabricating method

Номер патента: US09426263B2. Автор: Ailan Zhu,Mingxing YANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor laser and fabrication method therefor

Номер патента: US12107383B2. Автор: Chao-Chen Cheng,Anh Chuong Tran. Владелец: Shenzhen Lighting Institute. Дата публикации: 2024-10-01.

Stripe waveguide structure type semiconductor laser device and fabricating method therefor

Номер патента: US20030152122A1. Автор: Syuzo Ohbuchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070096138A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Display-panel motherboard and fabricating method thereof

Номер патента: US20200292862A1. Автор: JI Li,Lisen Wang,Zhiyang Gao,Zhaozhe Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Electrode for Secondary Battery and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20220190307A1. Автор: Jong Hyuk Lee,Mi Ryeong Lee,Hee Gyoung Kang. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US7399997B2. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Connector and fabrication method thereof

Номер патента: US20130344742A1. Автор: Seiya Matsuo,Takashi Kuwahara. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Fabrication method of minute pattern

Номер патента: US8461048B2. Автор: Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-06-11.

Fabrication method of battery

Номер патента: US20150372341A1. Автор: Chin-Ming Chen,Yen-Kai Peng. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Fabrication method of battery

Номер патента: EP2975674A3. Автор: Chin-Ming Chen,Yen-Kai Peng. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-01-27.

Device fabrication method for a non-volatile memory device used for non-overlapping implant

Номер патента: US6300200B1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-09.

Optical apparatus and use method thereof for passive optical network system

Номер патента: US20090208227A1. Автор: Susumu Kinoshita,Setsuo Yoshida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Microscopically structured polymer monoliths and fabrication methods

Номер патента: US09494865B2. Автор: Juan P Hinestroza,Huaning Zhu. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-15.

Tip array structure and fabricating method of tip structure

Номер патента: US7814566B2. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-10-12.

MEMS structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09630837B1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Hydroelectric/hydrokinetic turbine and methods for making and using same

Номер патента: US20240287956A1. Автор: Walter SCHURTENBERGER. Владелец: HYDROKINETIC ENERGY CORP. Дата публикации: 2024-08-29.

Staggered Vertical Comb Drive Fabrication Method

Номер патента: US20070241076A1. Автор: John M. Miller,Steven H. Moffat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Simulated tissue structure composition and use for surgical training

Номер патента: AU2022353968A1. Автор: Oscar Raygan,Brannon Smudz. Владелец: Applied Medical Resources Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Simulated tissue structure composition and use for surgical training

Номер патента: EP4409564A1. Автор: Oscar Raygan,Brannon Smudz. Владелец: Applied Medical Resources Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Fabrication method for pattern-formed structure

Номер патента: US09568827B2. Автор: Makoto Abe,Kazuaki Baba,Masaaki Kurihara. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Copper oxide with hollow porous structure, and preparation method therefor and use thereof

Номер патента: US20240199437A1. Автор: Xue ZUO,Kuo Wei,Faming Gao,Yisong ZHAO,Yuping MI. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-20.

System and method for passive damping of mechanical vibrations

Номер патента: US11963451B2. Автор: Gilles Grosso,Frédéric MOSCA. Владелец: Pytheas Technology SAS. Дата публикации: 2024-04-16.

Quantum dot film layer, quantum dot light-emitting device, and fabrication method

Номер патента: US20230389406A1. Автор: Wenhai MEI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Fabrication method of rigid-flex circuit board

Номер патента: US20100043962A1. Автор: Chih-Ming Chang,Hsin-En Chung,Yu-Feng Tseng. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Rotor, fabrication device thereof and fabrication method therefor

Номер патента: US20240305178A1. Автор: Jianxin Yan. Владелец: Zhejiang PanGood Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Correction of shift for passive mixers

Номер патента: RU2450421C2. Автор: Роджер БРОКЕНБРАФ,Вэй ЧЖО,Солти ПЕНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Circuit board structure for electrical testing and fabrication method thereof

Номер патента: US8222528B2. Автор: Pao-Hung Chou. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12101943B2. Автор: WEI CHANG,Qingsong DU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Coating with smart sub-ambient radiative cooling

Номер патента: US12031754B2. Автор: WEI Jin,Xiao Xue,Meng QIU,Dangyuan LEI,Jianguo DAI. Владелец: Hong Kong Polytechnic University HKPU. Дата публикации: 2024-07-09.

Service management method and apparatus for passive optical network, optical line terminal and medium

Номер патента: EP4213493A1. Автор: Yu Xie. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-07-19.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7220521B2. Автор: Eiichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

High-density three-dimensional multilayer memory and fabrication method

Номер патента: US20240224546A1. Автор: Ke Wang,Jack Zezhong Peng. Владелец: Chengdu Pbm Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Fiber-containing diamond-impregnated cutting tools and methods of forming and using same

Номер патента: US09404311B2. Автор: Michael D. Rupp,Kristian S. Drivdahl. Владелец: Longyear Tm Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240251558A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Antenna System, Integrated Communication Structure and Terminal

Номер патента: US20160277042A1. Автор: Chun He. Владелец: Yulong Computer Telecommunication Scientific Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070153158A1. Автор: Gee-Sung Chae. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Antenna system, integrated communication structure and terminal

Номер патента: US09917602B2. Автор: Chun He. Владелец: Yulong Computer Telecommunication Scientific Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Touch device and fabrication method thereof

Номер патента: US09665230B2. Автор: FENG CHEN,Yuh-Wen Lee,Yanjun Xie,Hsiang-Lung Hsia,Xianbin Xu,Keming Ruan,Fengming Lin. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Electrostatic electroacoustic transducer and fabricating methods for the same

Номер патента: US09456283B2. Автор: Jen-Luan Chen,Dar-Ming Chiang,E-Hung LU. Владелец: 3-O Lab Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US12052871B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20240324224A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240315142A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Crystallized artificial marble using incineration ash and related fabrication method

Номер патента: US20050179159A1. Автор: Dae Kim,Hyun Shin,Yeong Seok Yoo,Chai Gee,Soo Um. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-18.

Ion detection sensor fabrication method and ion detection sensor fabricated by the same

Номер патента: US12025580B2. Автор: Ki Soo Kim,Seung Min CHO,Min Gu Cho,Hong Gi OH. Владелец: Mck Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Touch panel, fabrication method, repair method,and touch device

Номер патента: US20200272278A1. Автор: Conghua MA,Qijun Yao. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20050199941A1. Автор: Toru Anezaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Low-density structured materials and methods of making and using same

Номер патента: US12091150B2. Автор: Jan Willem VAN EGMOND. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-17.

Fabrication method for flash memory source line and flash memory

Номер патента: US20050181563A1. Автор: Ing-Ruey Liaw,Jui-Hsiang Yang,Yue-Feng Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Three-dimensional memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20230144830A1. Автор: YING Zhou,Ming Li,Zhenzhen Zhang,LongDong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Fabrication method for flash memory source line and flash memory

Номер патента: US7129134B2. Автор: Ing-Ruey Liaw,Jui-Hsiang Yang,Yue-Feng Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Low thermal budget fabrication method for a mask read only memory device

Номер патента: US20030207539A1. Автор: Jen-Chuan Pan,Shui-Chin Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Organic thin film transistor, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3408876A1. Автор: Leilei CHENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-05.

Grounding structure and method of grounding of tube audio amplifier

Номер патента: RU2695048C1. Автор: Си-Сянь ЧЭНЬ. Владелец: Эковелл Электроник Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-07-18.

Quantum chip, quantum computer, and fabrication method for quantum chip

Номер патента: US20240119335A1. Автор: Ye Li,Hui Yang. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Hefei Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Half tone mask and fabricating method

Номер патента: WO2010074481A3. Автор: Joo Hyun Hwang,Jin Ho HONG,Seung Ho Back,Seung Han Kang. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2010-09-16.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Display panel and its fabrication method, and display device

Номер патента: US20220206634A1. Автор: Ruiqi HUANG,Qingxia Wang. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Structure of a memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040004256A1. Автор: Jiun-Ren Lai,Chun-Yi Yang,Shi-Xian Chen,Gwen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Light emitting device and fabricating method thereof, and light emitting apparatus

Номер патента: US20240224582A1. Автор: Zhuo Chen,Tieshi WANG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Camera Decoration Part, Fabrication Method, and Electronic Device

Номер патента: US20240187507A1. Автор: ZHEN Wang,Qi Wang,Baojun GAO,Jiajing ZHANG. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

[organic light-emtting device and fabricating method thereof]

Номер патента: US20040189192A1. Автор: Wei-Pang Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-09-30.

Digital garment using digital band and fabricating method thereof

Номер патента: WO2009107907A1. Автор: Dae Hoon Lee,Gi Soo Chung,Jae Sang An. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2009-09-03.

Flat panel display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020041150A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2002-04-11.

Flat panel display device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1195814A3. Автор: Chang Nam Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-11-02.

COMPOSITE FABRIC, METHOD FOR FORMING COMPOSITE FABRIC, AND USE OF A COMPOSITE MATTER FABRIC

Номер патента: US20210071355A1. Автор: SHEFTEL Scott N.,SKIBA Jeffry B.,SHEFTEL Stanley N.. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

Film structures and packages therefrom useful for packaging respiring food products

Номер патента: CA2539942C. Автор: Jay D. Hodson,Chad M. Perre. Владелец: EXOPACK LLC. Дата публикации: 2013-02-05.

SILICON DEVICE STRUCTURE, AND SPUTTERING TARGET USED FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20130126345A1. Автор: TATSUMI Noriyuki,TONOGI Tatsuya. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2013-05-23.

Film structures and packages therefrom useful for packaging respiring food products

Номер патента: CA2539942A1. Автор: Jay D. Hodson,Chad M. Perre. Владелец: Chad M. Perre. Дата публикации: 2005-04-07.

Industrial fabric, method for producing a nonwoven, and use of an industrial fabric

Номер патента: US20170356104A1. Автор: Pascal Debyser,Jean-Louis Monnerie,Dieter Kuckart. Владелец: AstenJohnson PGmbH. Дата публикации: 2017-12-14.

COMPOSITE FABRIC, METHOD FOR FORMING COMPOSITE FABRIC, AND USE OF A COMPOSITE MATTER FABRIC

Номер патента: US20190161910A1. Автор: SHEFTEL Scott N.,SKIBA Jeffry B.,SHEFTEL Stanley N.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

warp knitting fabric, method for making the fabric and using the fabric

Номер патента: BR112014017210A2. Автор: Lizhi Zhang. Владелец: E.I Du Pont De Mours And Company. Дата публикации: 2020-10-27.

Composite fabric, method for forming composite fabric, and use of a composite matter fabric

Номер патента: IL278547B1. Автор: . Владелец: First Step Holdings LLC. Дата публикации: 2023-10-01.

Composite fabric, method for forming composite fabric, and use of a composite matter fabric

Номер патента: IL278547B2. Автор: . Владелец: First Step Holdings LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

INDUSTRIAL FABRIC, METHOD FOR PRODUCING A NONWOVEN, AND USE OF AN INDUSTRIAL FABRIC

Номер патента: US20170356104A1. Автор: Monnerie Jean-Louis,Debyser Pascal,Kuckart Dieter. Владелец: AstenJohnson PGmbH. Дата публикации: 2017-12-14.

Fluid flow structure and method of use for continuous motion washing machine

Номер патента: WO2023023389A1. Автор: Roger Moore,Robert McNamara,Michael Licata,Richard Seiss. Владелец: Unified Brands, Inc.. Дата публикации: 2023-02-23.

Systems, methods, and apparatuses for passive radiative cooling for mobile and fixed assets

Номер патента: US20240255236A1. Автор: Julian Bell. Владелец: United Parcel Service of America Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Metamaterials-enhanced passive radiative cooling panel

Номер патента: US09927188B2. Автор: Armin R. Völkel,Victor Liu,Bernard D. Casse. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Passive Radiative Cooling Ceramic

Номер патента: US20240044593A1. Автор: Tong Zhu,Yihao Zhu,Chi Yan TSO,Hau Him LEE,Siru CHEN,Tsz Chung HO,Kaixin Lin. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-02-08.

Patterned graphene fabrication method

Номер патента: US20130183625A1. Автор: Chien-Min Sung,Hung-Cheng Lin,I-Chiao Lin. Владелец: Ritedia Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Foams of nanomaterials and fabrication methods thereof

Номер патента: US11932581B1. Автор: Arvind Agarwal,Tony Thomas,Kazue Orikasa,Tyler Dolmetsch. Владелец: Florida International University FIU. Дата публикации: 2024-03-19.

Hybrid drive shaft using friction-stir welding and fabrication method thereof

Номер патента: US09958003B2. Автор: Dong Ho Kim. Владелец: Woo Shin Emc Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Graphene platelet fabrication method and graphene platelet fabricated thereby

Номер патента: US9944530B2. Автор: Hung-Cheng Lin,I-Chiao Lin. Владелец: Ritedia Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Graphene platelet fabrication method and graphene platelet fabricated thereby

Номер патента: US09944530B2. Автор: Hung-Cheng Lin,I-Chiao Lin. Владелец: Ritedia Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Flooring material and fabrication method thereof

Номер патента: US09833974B2. Автор: Gyeongmin Lee,Hyunjong Kwon,Kyungtae Ha. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Mouse pad fabrication method

Номер патента: US20040065975A1. Автор: Bob Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-08.

Fabrication method of v-ribbed belt

Номер патента: US20140103562A1. Автор: Takayuki Okubo,Hiroyuki Shiriike. Владелец: Bando Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Eyeless Sewing Needle and Fabrication Method for the Same

Номер патента: US20090039117A1. Автор: Kanji Matsutani,Masaki Mashiko,Kosuke Shinohara,Mieko Akaba. Владелец: Mani Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Catalyst having a monolayer of active metal, its preparation and its use for ketone production

Номер патента: EP1124634A1. Автор: Jack Warren. Владелец: EagleView Technologies Inc. Дата публикации: 2001-08-22.

Adsorbent composition, method of its production and use

Номер патента: RU2739923C2. Автор: Нури ХМИДИ,Эдуард ГУЭРРА. Владелец: Голдкорп Инк.. Дата публикации: 2020-12-29.

Lost circulation fabric, method, and deployment systems

Номер патента: US20210388683A1. Автор: Guodong Zhan,Bodong Li,Chinthaka Pasan Gooneratne,Jothibasu RAMASAMY. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2021-12-16.

Silicide capacitive micro electromechanical structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230116389A1. Автор: Chun-Chieh Lin,Di-Bao Wang. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Mems sensor and fabricating method therefor

Номер патента: EP4282811A1. Автор: Hai Chi,Xueqian Song,Yawei SONG. Владелец: Hangzhou Hikmicro Sensing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

G protein coupled receptor protein, production and use thereof

Номер патента: US20030113909A1. Автор: Yuji Kawamata,Shuji Hinuma,Ryo Fujii. Владелец: Takeda Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2003-06-19.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US20240326320A1. Автор: Hiroyuki Naito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-03.

Nucleic acid molecules inducing RNA interference, and uses thereof

Номер патента: US09637742B2. Автор: Dong Ki Lee. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2017-05-02.

Lamination fabricating method

Номер патента: US20230278102A1. Автор: Yasuyuki Yamashita,Hisataka Takagi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Fabricating method for sleeve-type ornament of display device

Номер патента: US20100283170A1. Автор: Wen-Hung Huang. Владелец: Hannspree Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

Chiral diene ligands, a fabrication method thereof and applications thereof

Номер патента: US20130096348A1. Автор: Hsyueh-Liang Wu,Chia-Chen Liu,Chun-Chih Chen,Wei-Ting Wei,Jo-Hsuan Fang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-18.

Crystal structure and uses thereof

Номер патента: US20070136006A1. Автор: Emmanuelle Fantino,Christopher Burns,Andrew Wilks,Jamie Rossjohn,Isabelle Lucet,Michelle Styles. Владелец: Cytopia Research Pty Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Crystal structure and uses thereof

Номер патента: US20070129896A1. Автор: Emmanuelle Fantino,Christopher Burns,Andrew Wilks,Jamie Rossjohn,Isabelle Lucet,Michelle Styles. Владелец: Cytopia Research Pty Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Electromagnetic fresh-keeping structure and refrigerator

Номер патента: EP4459207A1. Автор: Ying Bai,Shanshan Li,Haijuan WANG. Владелец: TCL Home Appliances Hefei Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Keyboard keys using marked elastic domes and fabrication method thereof

Номер патента: US7083343B2. Автор: Hung-Ming Tseng. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2006-08-01.

Rubber pad fabrication method

Номер патента: US20050269739A1. Автор: Rong-Fen Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-08.

Double-Layer Open-End Zipper, Double-Layer 3-in-One Open-End Zipper, and Their Fabrication Method

Номер патента: US20150026932A1. Автор: Lien-Chou Wang. Владелец: GENMORE ZIPPER CORP. Дата публикации: 2015-01-29.

Radiative cooling paint mixtures, single-layer paints, and methods of producing and using the same

Номер патента: WO2024118766A1. Автор: Xiulin Ruan,Emily BARBER. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-06.

Anti-il1rap antibodies and their use for treating human

Номер патента: RU2597831C2. Автор: Тоас ФИОРЕТОС,Маркус ЙЕРОС. Владелец: Кантаргия Аб. Дата публикации: 2016-09-20.

Molecules which bind ligands and use thereof

Номер патента: RU2699007C2. Автор: Майкл ДЖЕРОМЕТТА,Тимоти АДАМС. Владелец: Ведженикс Пти Лимитед. Дата публикации: 2019-09-02.

Inkjet printer head and fabricating method thereof

Номер патента: US20070171259A1. Автор: Won-Chul Sim,Soon-Young Kim,Jae-Woo Joung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Nano fabrication method for glass

Номер патента: US20080110863A1. Автор: Geun-bae Lim,Pan-Kyeom Kim. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2008-05-15.

Method for producing Chinese hamster ovary cell strain, being a producer of recombinant SARS-CoV-2 virus protein RBD, Chinese hamster ovary cell strain, producer of recombinant SARS-CoV-2 protein RBD, method for producing recombinant SARS-CoV-2 virus protein RBD, test system for enzyme immunoassay of human serum or plasma, and use thereof

Номер патента: RU2723008C1. Автор: Александр Леонидович Гинцбург,Денис Юрьевич Логунов,Амир Ильдарович Тухватулин,Ольга Вадимовна Зубкова,Алина Шахмировна Джаруллаева,Инна Вадимовна Должикова,Борис Савельевич Народицкий,Татьяна Андреевна Ожаровская,Дмитрий Викторович Щебляков,Наталья Михайловна Тухватулина,Ильяс Булатович Есмагамбетов,Ирина Алексеевна Фаворская,Артем Алексеевич Деркаев,Фатима Магометовна Ижаева,Павел Вячеславович Симакин. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр эпидемиологии и микробиологии имени почетного академика Н.Ф. Гамалеи» Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-06-08.

Auxetic web structure or field structure, and use

Номер патента: US20240226393A9. Автор: Eckhardt Quandt,Sabrina M. Curtis,Duygu DENGIZ. Владелец: Christian Albrechts Universitaet Kiel. Дата публикации: 2024-07-11.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US20240227087A1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-11.

Organic silicon phosphate and fabrication method thereof

Номер патента: US20110160475A1. Автор: Dick Zhong,Hsueh-Tso Lin,Kuan-Ching Chen,Shang-Wei Tang. Владелец: Grand Tek Advance Material Science Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Fabrication method of a holding sleeve

Номер патента: US20180369999A1. Автор: Larry Lee. Владелец: Tien I Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Fluid control assembly and fabrication method therefor

Номер патента: US20240159321A1. Автор: LONG Lin,Yun Wang,Lixin Wang,Jianhua CHI. Владелец: Zhejiang Sanhua Automotive Components Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Plate brush fabrication method and plate brush proper

Номер патента: RU2344736C2. Автор: Мауно КИРККАЛА. Владелец: Саякорпи Ой. Дата публикации: 2009-01-27.

Plain-weave fabric, method for manufacturing same, and stent graft

Номер патента: US12053367B2. Автор: Nobuaki Tanaka,Kazuhiro Tanahashi,Hiroshi Tsuchikura,So KAKIYAMA. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-08-06.

Fabrication method for stratified and layered tissue to repair osteochondral defects

Номер патента: US09616110B2. Автор: Corey P. Neu,Tyler A. Novak,Garrett Shannon. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-04-11.

Injectable compositions and methods of preparation and use thereof

Номер патента: AU2022204886B2. Автор: Samuel RAYBIN,Matthew B. HOLLYER. Владелец: Boston Scientific Scimed Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Exposure process, fabricating method of pixel structure and half tone mask thereof

Номер патента: TWI340869B. Автор: Yuan Hao Chang,Kuo Feng Hung. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Method of carrying residence unit into structure and carrying roller used for said method

Номер патента: JPS5457310A. Автор: Hiroshi Hori,Tadao Ooki. Владелец: Nissan Construction Co Ltd. Дата публикации: 1979-05-09.

Method for weaving three-dimensional fiber structure and reed device used for the method

Номер патента: JP2701435B2. Автор: 俊英 関戸,亨 石渡,正史 小笠原. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 1998-01-21.

SILICON DEVICE STRUCTURE, AND SPUTTERING TARGET USED FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120007077A1. Автор: TATSUMI Noriyuki,TONOGI Tatsuya. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-12.

Floor structure and skirting board used for floor structure

Номер патента: JP4121303B2. Автор: 博文 柿本,治 木曽. Владелец: Hayakawa Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-23.

Construction method of underground structure and starting pit used for it

Номер патента: JP2668648B2. Автор: 厚一 植村,誠 植村. Владелец: 誠 植村. Дата публикации: 1997-10-27.

Construction method of earth retaining structure and reinforcing pipe used for it

Номер патента: JPH0696859B2. Автор: 邦光 山田,洋司 菊地. Владелец: Nittoc Constructions Co Ltd. Дата публикации: 1994-11-30.

Weed control structure and concrete products used for it

Номер патента: JP2879190B2. Автор: 敏秀 尾▲崎▼. Владелец: CHIZAIKO JUGEN. Дата публикации: 1999-04-05.

Construction method of structure and foundation structure used for it

Номер патента: JP4612422B2. Автор: 渡邊  徹,良浩 堀井,俊昌 長尾. Владелец: Taisei Corp. Дата публикации: 2011-01-12.

Folded roof fixed structure and tight frame used for it

Номер патента: JP2777081B2. Автор: 重一 安本,隆 鎌谷,重治 河野. Владелец: Maruichi Inc. Дата публикации: 1998-07-16.

Bolt joint structure and bolt parts used for this joint structure

Номер патента: JP3301435B1. Автор: 博信 黒田. Владелец: 博信 黒田. Дата публикации: 2002-07-15.

Wiring / pipe floor structure and floor support used for it

Номер патента: JP2900115B2. Автор: 昭八 清水. Владелец: Mirai Kogyo KK. Дата публикации: 1999-06-02.

Drainage structure of underground structure and waterproof sheet used for it

Номер патента: JP2584555B2. Автор: 勝 山下,達雄 猪野,貢 熊野,貞男 和田. Владелец: Takenaka Komuten Co Ltd. Дата публикации: 1997-02-26.

CHIP-SIZED PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001328A1. Автор: Huang Chien-Ping,Ke Chun-Chi,Chang Chiang-Cheng. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SUPERHYDROPHILIC AND OLEOPHOBIC POROUS MATERIALS AND METHODS FOR MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20120000853A1. Автор: Mabry Joseph M.,TUTEJA Anish,Kota Arun Kumar,Kwon Gibum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NOVEL MONOCLONAL ANTIBODY, AND USE THEREOF

Номер патента: US20120003149A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Novel Retinoid Inducible Factor and Uses Thereof

Номер патента: US20120003181A1. Автор: Lillehaug Johan R.,Frederic Pendino. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LATERAL VENTRICLE CELL COMPOSITIONS AND USE FOR TREATING NEURAL DEGENERATIVE DISEASES

Номер патента: US20120003190A1. Автор: Yamoah Ebenezer N.,Wei Dongguang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANTAGONIST ANTIBODIES AGAINST GDF-8 AND USES IN TREATMENT OF ALS AND OTHER GDF-8 ASSOCIATED DISORDERS

Номер патента: US20120003212A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANTIBODIES AND PHARMACEUTICAL COMPOSITIONS CONTAINING SAME USEFUL FOR INHIBITING ACTIVITY OF METALLOPROTEINS

Номер патента: US20120003236A1. Автор: . Владелец: Yeda Research and Development Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAVIVIRUS HOST-RANGE MUTATIONS AND USES THEREOF

Номер патента: US20120003255A1. Автор: Brown Dennis T.,Hernandez Raquel. Владелец: RESEARCH DEVELOPMENT FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MODIFIED SODIUM-MONTMORILLONITE, PREPARATION METHOD AND USES THEREOF

Номер патента: US20120003328A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MULTIPOTENT STEM CELLS AND USES THEREOF

Номер патента: US20120003737A1. Автор: Crawford Keith D.. Владелец: THE BRIGHAM AND WOMEN'S HOSPITAL, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

HYDROXYPROLINE COMPOSITIONS AND USES THEREOF

Номер патента: US20120004157A1. Автор: Aksnes Anders. Владелец: Bergen Teknologioverforing AS. Дата публикации: 2012-01-05.

SELECTIVE ANDROGEN RECEPTOR MODULATORS (SARMS) AND USES THEREOF

Номер патента: US20120004220A9. Автор: Zhi Lin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GERMANIA-SILICA-BASED SOL-GEL MONOLITH AND USES THEREOF

Номер патента: US20120004434A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

Structure and Process for the Formation of TSVs

Номер патента: US20120001334A1. Автор: Kuo Chen-Cheng,Ching Kai-Ming,Chen-Shien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Optical module and fabrication method

Номер патента: US20120002915A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Vehicle wheel tyre fabrication method and installation

Номер патента: RU2344933C1. Автор: Джанни МАНЧИНИ. Владелец: ПИРЕЛЛИ ТАЙР С.П.А.. Дата публикации: 2009-01-27.

Method for passive underwater vertical spine extension

Номер патента: RU2541464C1. Автор: Юрий Иванович Андрияшек. Владелец: Юрий Иванович Андрияшек. Дата публикации: 2015-02-10.

IN VITRO MICRO-ORGANS, AND USES RELATED THERETO

Номер патента: US20120003194A1. Автор: Mitrani Eduardo N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IN VITRO MICRO-ORGANS, AND USES RELATED THERETO

Номер патента: US20120003195A1. Автор: Mitrani Eduardo N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANTAGONISTS OF ACTRIIB AND USES FOR INCREASING RED BLOOD CELL LEVELS

Номер патента: US20120003218A1. Автор: Seehra Jasbir,Sherman Matthew L.,Borgstein Niels. Владелец: Acceleron Pharma Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

MODULATING PDX-1 WITH PCIF1, METHODS AND USES THEREOF

Номер патента: US20120003242A1. Автор: Stoffers Doris. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

6-SUBSTITUTED ISOFLAVONOID COMPOUNDS AND USES THEREOF

Номер патента: US20120003270A1. Автор: James Michael,HUSBAND Alan James,KUMAR Naresh. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Diagnostic Marker for Migraine and Use Thereof

Номер патента: US20120004122A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MICROARRAYS AND USES THEREFOR

Номер патента: US20120004131A1. Автор: Hoeffler James P.,Fernandez Joseph M.,Nasoff Marc S.. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

THERAPEUTIC AGENTS USEFUL FOR TREATING PAIN

Номер патента: US20120004217A1. Автор: TAFESSE Laykea,SUN Qun,VICTORY Sam. Владелец: Purdue Pharma L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

SCELETIUM EXTRACT AND USES THEREOF

Номер патента: US20120004275A1. Автор: Gericke Nigel,Harvey Alan,Viljoen Alvaro,Hofmeyr Deon. Владелец: H.L. HALL & SONS LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Glass foam fabrication method

Номер патента: RU2255060C1. Автор: М.П. Дудко,А.А. Зиновьев,В.З. Леонидов. Владелец: Зиновьев Андрей Адольфович. Дата публикации: 2005-06-27.

ELECTRICALLY EXTENSIVELY HEATABLE, TRANSPARENT OBJECT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND USE THEREOF

Номер патента: US20120000896A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TUNABLE WHITE COLOR METHODS AND USES THEREOF

Номер патента: US20120001555A1. Автор: Leung Wa-Hing,Tu Qifei. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Topical Lightening Composition and Uses Thereof

Номер патента: US20120003168A1. Автор: Lyga John W.,Santhanam Uma,Welsh William J.. Владелец: AVON PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SELF-DISPERSIBLE COATED METAL OXIDE POWDER, AND PROCESS FOR PRODUCTION AND USE

Номер патента: US20120003287A1. Автор: Schlossman David,Shao Yun,Orr Carl. Владелец: KOBO PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Crosslinked Dextran Composite Magnetic Microparticles and Preparation Process and Using Method Thereof

Номер патента: US20120003321A1. Автор: . Владелец: XI'AN GOLDMAG NANOBIOTECH CO. LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FRET-PROBES AND USE THEREOF

Номер патента: US20120003632A1. Автор: . Владелец: Life Science Patents. Дата публикации: 2012-01-05.

Production Process for a Microneedle Arrangement and Corresponding Microneedle Arrangement and Use

Номер патента: US20120004614A1. Автор: Schatz Frank,Stumber Michael. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

SERIAL VALVES AND HUBS FOR TUBULAR DEVICES AND METHODS FOR MAKING AND USING THEM

Номер патента: US20120004622A1. Автор: . Владелец: AUST DEVELOPMENT, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SAFETY AND ARMING DEVICE FOR A PROJECTILE AND USING MICRO ELECTRO-MECHANICAL TECHNOLOGY

Номер патента: US20120000388A1. Автор: . Владелец: NEXTER MUNITIONS. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Ester Gels, Methods of Manufacture, and Uses Thereof

Номер патента: US20120003165A1. Автор: . Владелец: Jeen International Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR SPLICING OPTICAL FIBERS, AND USE OF AN END PIECE IN A DEVICE FOR SPLICING

Номер патента: US20120002929A1. Автор: . Владелец: DIAMOND SA. Дата публикации: 2012-01-05.