喷头、气相生长装置以及气相生长方法
Номер патента: CN107366014B
Опубликовано: 27-05-2022
Автор(ы): 佐藤裕辅, 山田拓未
Принадлежит: Nuflare Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-05-2022
Автор(ы): 佐藤裕辅, 山田拓未
Принадлежит: Nuflare Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Gallium nitride vapor phase epitaxy apparatus used in vapor phase epitaxy not using organic metal as a gallium raw material and manufacturing method therefor
Номер патента: US11869767B2. Автор: Yuki Amano,Hiroshi Amano,Naoki Fujimoto,Kazuki Onishi,Shugo Nitta. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-01-09.