Semiconductor device and manufacturing method thereof
Номер патента: US20230056697A1
Опубликовано: 23-02-2023
Автор(ы): Zheng-Long Chen
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd, TSMC China Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-02-2023
Автор(ы): Zheng-Long Chen
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd, TSMC China Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device, semiconductor substrate and manufacturing method thereof
Номер патента: US20240047343A1. Автор: Ho-Ming Tong. Владелец: Nd Hi Technologies Lab inc. Дата публикации: 2024-02-08.