Current bias circuit for controlling current in a digital region
Номер патента: KR100739327B1
Опубликовано: 12-07-2007
Автор(ы): 이준석
Принадлежит: 매그나칩 반도체 유한회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-07-2007
Автор(ы): 이준석
Принадлежит: 매그나칩 반도체 유한회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method and apparatus for controlling a high voltage generator in a wafer burn-in test
Номер патента: US20060114731A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Sang-Seok Kang,Choong-Sun Park,Hyung-Dong Kim,Yong-Hwan Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.