Si ribbon, sio2 ribbon and ultra pure ribbons of other substances
Номер патента: WO2007019494A3
Опубликовано: 13-11-2008
Автор(ы): Sadeg M Faris
Принадлежит: Reveo Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 13-11-2008
Автор(ы): Sadeg M Faris
Принадлежит: Reveo Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Preparation method of p-type high-resistance and ultra-high-resistance czochralski monocrystalline silicon substrate
Номер патента: US20240141547A1. Автор: XING Wei,ming hao Li,Rong Wang Dai,Zi Wen Wang,Zhong Ying Xue. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2024-05-02.