Method and apparatus to boost high-speed I/O signal performance using semi-interleaved transmitter/receiver pairs at silicon die bump and package layout interfaces
Номер патента: US20060292739A1
Опубликовано: 28-12-2006
Автор(ы): Cliff Lee, Fei Deng, Jeffrey Krieger, Jen-Tai Hsu, Scott Gardiner
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 28-12-2006
Автор(ы): Cliff Lee, Fei Deng, Jeffrey Krieger, Jen-Tai Hsu, Scott Gardiner
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Diode and transistor design for high speed I/O
Номер патента: US7012304B1. Автор: Sanjay Dabral,Krishna Seshan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-03-14.