Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Non-volatile memory with both single and multiple level cells

Non-volatile memory with both single and multiple level cells

Номер патента: US20110273932A1
Опубликовано: 10-11-2011
Автор(ы): Seiichi Aritome
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of programming multi-level cells in non-volatile memory device

Номер патента: US20130135929A1. Автор: Ki-hwan Choi,Chung-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-30.

Operation nand non-volatile memory with boost electrodes

Номер патента: WO2008063970A3. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: Nima Mokhlesi. Дата публикации: 2008-07-31.

Vread bias allocation on word lines for read disturb reduction in 3d non-volatile memory

Номер патента: WO2015038558A1. Автор: Masaaki Higashitani,Yingda Dong,Chenfeng Zhang,Seung Yu,Wendy OU. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-03-19.

Methods of programming memory cells in non-volatile memory devices

Номер патента: US09818477B2. Автор: Jae-Hong Kim,Jin-Man Han,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: US20170125087A1. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: WO2017074575A1. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Partial block erase for read open block in non-volatile memory

Номер патента: WO2016093936A1. Автор: Dana Lee,Henry Chin,Pitamber Shukla,Cynthia Hsu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-06-16.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: US09711211B2. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Partial block erase for open block reading in non-volatile memory

Номер патента: US09552885B2. Автор: Dana Lee,Henry Chin,Pitamber Shukla,Cynthia Hsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Controlled boosting in non-volatile memory soft programming

Номер патента: WO2008063972A3. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: Gerrit Jan Hemink. Дата публикации: 2008-07-10.

Two-stage programming using variable step voltage (dvpgm) for non-volatile memory structures

Номер патента: US20220215873A1. Автор: Ravi Kumar,Muhammad Masuduzzaman,Sujjatul Islam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-07.

Non-volatile memory with intelligent erase testing to avoid neighbor plane disturb

Номер патента: WO2024191493A1. Автор: Liang Li,Dana Lee,Dandan Yi. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-09-19.

Structures and methods of high efficient bit conversion for multi-level cell non-volatile memories

Номер патента: US20130235661A1. Автор: Lee Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Low power multi-level cell (mlc) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: WO2023229814A1. Автор: Xiang Yang,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Low power multi-level cell (mlc) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: US20230386569A1. Автор: Xiang Yang,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

High speed multi-level cell (MLC) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: US12112800B2. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: US12112812B2. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Non-volatile memory devices having uniform error distributions among pages

Номер патента: US8780627B1. Автор: Xueshi Yang. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2014-07-15.

Semiconductor non-volatile memory, data-writing method, semiconductor non-volatile memory fabrication method, and data-writing program storage medium

Номер патента: US7630269B2. Автор: Narihisa FUJII,Kenji Oonuki. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-08.

Semiconductor non-volatile memory, data-writing method, semiconductor non-volatile memory fabrication method, and data-writing program storage medium

Номер патента: US20080062801A1. Автор: Narihisa FUJII,Kenji Oonuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Output block for a vector-by-matrix multiplication array of non-volatile memory cells

Номер патента: WO2024172829A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Duc Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh,Hoa Vu,Nghia Le. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09607700B2. Автор: Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Non-volatile memory device and recovery method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242770A1. Автор: Jae-Duk Yu,Yohan Lee,Jiho Cho,Hojoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

High speed multi-level cell (mlc) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: WO2023229816A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

High speed multi-level cell (mlc) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: US20230386568A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Dynamic interference compensation for soft decoding in non-volatile memory storage devices

Номер патента: US12087362B2. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Avi STEINER,Kenji Sakurada,Eyal Nitzan. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: WO2024035476A1. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: US20240055059A1. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Column erasing in non-volatile memory strings

Номер патента: US20200013469A1. Автор: Jayavel Pachamuthu,Amul Dhirajbhai Desai,Ankitkumar Babariya. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-01-09.

Multi-state programming for non-volatile memory

Номер патента: US09595317B2. Автор: Raul-Adrian Cernea,Tai-Yuan Tseng,Yen-Lung Li,Jong Hak Yuh. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Folding data stored in binary format into multi-state format within non-volatile memory devices

Номер патента: EP2438595A1. Автор: Yan Li,BO LIU,Chi-Ming Wang,Kwang-Ho Kim,Cuong Quoc Trinh,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kwok-Tung Mak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-04-11.

Non-volatile memory and method with post-write read and adaptive re-write to manage errors

Номер патента: EP2494552A1. Автор: Jian Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-09-05.

Non-volatile memory with intentional overprogramming to improve short term data retention issue

Номер патента: US20230290405A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Non-volatile memory with adaptive dummy word line bias

Номер патента: US20240177778A1. Автор: PENG Wang,Jie Liu,Xiaoyu Yang,Feng Gao,Yihang Liu,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: US11769558B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Non-volatile memory systems with multi-write direction memory units

Номер патента: US09728262B2. Автор: Aaron Lee,Mrinal Kochar,Dennis Ea,Mikhail Palityka,Ivan Baran,Yew Yin Ng,Abhijeet Bhalerao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Non-volatile memory with loop dependant ramp-up rate

Номер патента: WO2024151342A1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during read operations

Номер патента: WO2017209812A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during program verify for improved program performance

Номер патента: WO2017209811A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during read operations

Номер патента: US09747992B1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Non-volatile memory and operating method thereof

Номер патента: US12014777B2. Автор: Li Xiang,Weihua Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Non-volatile memory devices and methods of operating non-volatile memory devices

Номер патента: US20090285027A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,June-mo Koo,Tae-eung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-19.

Non-volatile memory with two phased programming

Номер патента: US09570179B2. Автор: Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: US20240046996A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: WO2024030190A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: US11972805B2. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for suppressing gate oxide tunnel current in non-volatile memory to reduce disturbs

Номер патента: US20200143898A1. Автор: Aswin N. Mehta,John H. MacPeak,Stephen K. Heinrich-Barna,Clyde F. Dunn. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09858993B2. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile memory with efficient programming

Номер патента: US09721662B1. Автор: Chris Avila,Nian Niles Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Programming techniques for non-volatile memories with charge trapping layers

Номер патента: US09947395B2. Автор: Man Mui,Kenneth Louie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Programming techniques for non-volatile memories with charge trapping layers

Номер патента: US09627046B2. Автор: Man Mui,Kenneth Louie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Non-volatile memory with intentional overprogramming to improve short term data retention issue

Номер патента: US11978507B2. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Non-volatile memory device which utilizes a pulse applied to a bit line and/or a common source line between read operations to reduce noise

Номер патента: US11538533B2. Автор: Se Jun Park,Jin-Kyu Kang,Jae Duk Lee,Rae young Lee,Gu Yeon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-27.

Non-volatile memory and programming method thereof

Номер патента: US09779820B1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: EP4352728A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US8472247B2. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-25.

Non-volatile memory with optimized erase verify sequence

Номер патента: US12087373B2. Автор: Yi Song,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

?read after erase? method for catching single word line ?slow to erase? signature in non-volatile memory st

Номер патента: US20220415413A1. Автор: Parth AMIN,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A3. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-02-14.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A3. Автор: Daniel Sobek,Timothy J Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20130279260A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Adaptive bias decoder for non-volatile memory system

Номер патента: US20240112736A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Mark REITEN,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Adaptive bias decoder for non-volatile memory system

Номер патента: US20240127890A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Mark REITEN,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Adaptive bias decoder for non-volatile memory system

Номер патента: US20240105263A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Mark REITEN,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Adaptive voltage range management in non-volatile memory

Номер патента: US20130336072A1. Автор: Robert B. Wood,David Flynn,Hairong Sun,Jea Woong Hyun,Warner Losh. Владелец: Fusion IO LLC. Дата публикации: 2013-12-19.

Non-volatile memory with zoned control of programming

Номер патента: US20230317169A1. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile memory with zoned control for limiting programming for different groups of non-volatile memory cells

Номер патента: US12119065B2. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Non-volatile memory with zone based program speed adjustment

Номер патента: WO2023146572A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Non-volatile memory with zone based program speed adjustment

Номер патента: US12094546B2. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: EP4397152A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-10.

Enhanced operations of non-volatile memory with shared data transfer latches

Номер патента: US20240282392A1. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,Frank Wanfang TSAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods and Devices for Erasing Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220044743A1. Автор: Gianbattista Lo Giudice,Rosario Roberto Grasso,Giovanni Matranga,Alberto Jose' Di Martino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-02-10.

Non-volatile memory with supplemental select gates

Номер патента: US09715938B2. Автор: Nian Niles Yang,Yiwei Song,Jim Fitzpatrick. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11990191B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Three dimensional non-volatile memory with current sensing programming status

Номер патента: US09715924B2. Автор: Nima Mokhlesi,Ali Al-Shamma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated program control method

Номер патента: EP3910637A1. Автор: Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated program control method

Номер патента: US20210350862A1. Автор: Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Erasing of a word or a page of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20240312517A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-volatile memory with precise programming

Номер патента: US12051473B2. Автор: Liang Li,Ming Wang. Владелец: Western Digital Technolologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Non-volatile memory with updating of read compare voltages based on measured current

Номер патента: US20230298678A1. Автор: Yi Song,Dengtao Zhao,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Analog voltage supply circuit for a non-volatile memory

Номер патента: US6473338B2. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-29.

Word line dependent pass voltages in non-volatile memory

Номер патента: WO2018009282A1. Автор: Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-11.

Non-volatile memory including judgment memory cell strings and operating method thereof

Номер патента: US20240221847A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Word line dependent pass voltages in non-volatile memory

Номер патента: US20180322935A1. Автор: Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-11-08.

System and method for use of on-chip non-volatile memory write cache

Номер патента: EP1829047A1. Автор: Kevin M. Conley,Yoram Cedar. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-09-05.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: US12080355B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for programming a non-volatile memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US09966132B2. Автор: Il Han Park,Hyun Kook PARK,Hye Jin Yim,Sung Won Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Three dimensional non-volatile memory with separate source lines

Номер патента: US09947682B2. Автор: Nima Mokhlesi,Alexander Chu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US12020754B2. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Data erasure verification for three-dimensional non-volatile memory

Номер патента: US20230136479A1. Автор: Changhyun LEE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242765A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US20240046997A1. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: EP4401079A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Method of initializing 3D non-volatile memory device

Номер патента: US09685235B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells and associated high voltage circuits for an analog neural memory array in an artificial neural network

Номер патента: EP4128239A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Analog voltage supply circuit for a non-volatile memory

Номер патента: US20010040825A1. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Non-Volatile Memory With Linear Estimation of Initial Programming Voltage

Номер патента: US20100020614A1. Автор: Yan Li,Loc Tu,Charles Moana Hook. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Device and method to generate bias voltages in non-volatile memory

Номер патента: US12094542B2. Автор: Vikas RANA,Neha DALAL. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-17.

Apparatus and method for programming and verifying data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20220328113A1. Автор: Jin Haeng Lee,Sung Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Erase method for non-volatile memory with multiple tiers

Номер патента: US20240105265A1. Автор: Xiang Yang,Masaaki Higashitani,Dengtao Zhao,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: WO2023033883A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-09.

Erase method for non-volatile memory with multiple tiers

Номер патента: WO2024072497A1. Автор: Xiang Yang,Masaaki Higashitani,Dengtao Zhao,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Controller for biasing switching element of a page buffer of a non volatile memory

Номер патента: US20170025180A1. Автор: Alessandro Sanasi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Non-volatile memory with suspension period during programming

Номер патента: US12100461B2. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile memory array with memory gate line and source line scrambling

Номер патента: US09997253B1. Автор: Chun Chen,Yoram Betser,Kuo-Tung Chang,Amichai GIVANT,Shenqing Fang,Shivananda Shetty. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Controller for biasing switching element of a page buffer of a non volatile memory

Номер патента: US09697906B2. Автор: Alessandro Sanasi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Non-volatile memory with isolation latch shared between data latch groups

Номер патента: US11915769B2. Автор: Tai-Yuan Tseng,Iris LU,Kei Kitamura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20220336010A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Non-volatile memory with adjusted bit line voltage during verify

Номер патента: US11837296B2. Автор: Yu-Chung Lien,Jiahui Yuan,Ohwon KWON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

Non-volatile memory with isolation latch shared between data latch groups

Номер патента: US20230368852A1. Автор: Tai-Yuan Tseng,Iris LU,Kei Kitamura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US11915747B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20170133095A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

READ AND VERIFY METHODOLOGY AND STRUCTURE TO COUNTER GATE SiO2 DEPENDENCE OF NON VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20220148665A1. Автор: Akira Okada,Rajdeep Gautam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Peak and average icc reduction by tier-based sensing during program verify operations of non-volatile memory structures

Номер патента: US20220392552A1. Автор: Ravi Kumar,Deepanshu Dutta,Yu-Chung Lien,Huai-Yuan Tseng,Xue Bai Pitner. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-08.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20180197615A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of initializing and programming 3D non-volatile memory device

Номер патента: US9947413B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: WO2006124122A3. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: Masaaki Higashitani. Дата публикации: 2006-12-28.

Non-volatile memory device for performing precharge to cell string and program method thereof

Номер патента: US12062402B2. Автор: Byungsoo Kim,Kyungsoo Park,Hyunggon KIM,Sejin BAEK,Sangbum YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Non-volatile memory array and method of using same for fractional word programming

Номер патента: EP2907137A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-19.

Non-volatile memory program algorithm device and method

Номер патента: WO2014153174A2. Автор: James Cheng,Xian Liu,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov,Dmitry Bavinov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US20170200506A1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Location dependent sense time offset parameter for improvement to the threshold voltage distribution margin in non-volatile memory structures

Номер патента: US20230197173A1. Автор: Ravi Kumar,Xue Bai Pitner,Prafful Golani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-06-22.

Open block boundary group programming for non-volatile memory

Номер патента: US12112814B2. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Feedback validation of arbitrary non-volatile memory data

Номер патента: US09824775B2. Автор: Jonathan William Nafziger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US09704596B1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09672931B2. Автор: Myung-Hoon Choi,Seok-min Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Segmentation of blocks for faster bit line settling/recovery in non-volatile memory devices

Номер патента: US09633742B2. Автор: Hao Nguyen,Man Mui,Seungpil Lee,Amul Dhirajbhai Desai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11887669B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Non-volatile memory with supplemental select gates

Номер патента: US20170084345A1. Автор: Nian Niles Yang,Yiwei Song,Jim Fitzpatrick. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

Apparatus and method for erasing data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11929122B2. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Three dimensional non-volatile memory with current sensing programming status

Номер патента: US20170117035A1. Автор: Nima Mokhlesi,Ali Al-Shamma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-27.

Three dimensional non-volatile memory with power supply current sensing to determine programming status

Номер патента: WO2017070459A1. Автор: Nima Mokhlesi,Ali Al-Shamma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-27.

Non-volatile memory with fast partial page operation

Номер патента: US20200303010A1. Автор: Pitamber Shukla,Mohan V. Dunga. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-24.

Non-volatile memory devices and data erasing methods

Номер патента: US20240105266A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-volatile memory with shared data transfer latches

Номер патента: US20240071433A1. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,YenLung Li,Siddarth Naga Murty Bassa,Jeongduk Sohn. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Multi-block non-volatile memories with single unified interface

Номер патента: US20180336948A1. Автор: Shu Wang,Xiaoming Jin,Zhijiong Luo. Владелец: Aspiring Sky Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Non-volatile memory with shared data transfer latches

Номер патента: US12009049B2. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,YenLung Li,Siddarth Naga Murty Bassa,Jeongduk Sohn. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Programming and reading five bits of data in two non-volatile memory cells

Номер патента: US20080084740A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-10.

Non-Volatile Memory Device with Plural Reference Cells, and Method of Setting the Reference Cells

Номер патента: US20100254207A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20120257465A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20140104961A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US12014800B2. Автор: Vijay Raghavan,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Iulian C Gradinariu,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Multi time program device with power switch and non-volatile memory

Номер патента: US12068042B2. Автор: Jin Hyung Kim,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Non-volatile memory and programming method thereof

Номер патента: US12020747B2. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Folding ordering scheme for improved throughput in non-volatile memory

Номер патента: US20240221802A1. Автор: Amit Sharma,Abhinandan Venugopal. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Circuit having a low power charge pump for storing information in non-volatile memory during a loss of power event

Номер патента: US20190371415A1. Автор: Juan Manuel Cesaretti,Javier Osinaga. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device, data processing system and a method for changing threshold of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20030072202A1. Автор: Hiroaki Kotani,Toshinori Harada,Atsushi Nozoe,Tetsuya Tsujikawa,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu,Takayuki Yoshitake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor device, data processing system and a method for changing threshold of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20020008991A1. Автор: Hiroaki Kotani,Toshinori Harada,Atsushi Nozoe,Tetsuya Tsujikawa,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu,Takayuki Yoshitake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Non-volatile memory device with a plurality of cache latches and switches and method for operating non-volatile memory device

Номер патента: US09997250B2. Автор: Kang-Woo PARK,Eun-Ji Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Bit-Symbol Recognition Method and Structure for Multiple-Bit Storage in Non-Volatile Memories

Номер патента: US20080266947A1. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2008-10-30.

Method for Accessing in Reading, Writing and Programming to a NAND Non-Volatile Memory Electronic Device Monolithically Integrated on Semiconductor

Номер патента: US20090180328A1. Автор: Luigi Pascucci,Paolo Rolandi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-07-16.

Durable maintenance of memory cell electric current sense window following program-erase operations to a non-volatile memory

Номер патента: US09767914B1. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of testing non-volatile memory device and method of managing non-volatile memory device

Номер патента: US9214206B2. Автор: Dong-ku Kang,Sang-In Park,Boh-Chang KIM,Bu-il NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-15.

Memory cell and array structure of non-volatile memory and associated control method

Номер патента: US20230290414A1. Автор: Wei-Ming Ku. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: EP3910636A1. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: US20210358543A1. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: WO2023163731A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Integrated circuit memory system with high speed non-volatile memory data transfer capability

Номер патента: US20080192560A1. Автор: Seung Won Lee,Byeong Hoon Lee,Sun Kwon Kim,Ki Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

10-transistor non-volatile static random-access memory using a single non-volatile memory element and method of operation thereof

Номер патента: US09997237B2. Автор: Jayant Ashokkumar,Joseph S Tandingan,David W. Still,Jesse J Siman. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Vertical non-volatile memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: EP4398695A1. Автор: Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Background threshold voltage shifting using base and delta threshold voltage shift values in non-volatile memory

Номер патента: US09864523B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Thomas Parnell,Ioannis Koltsidas,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Non-volatile memory devices, memory systems, and methods of operating the same

Номер патента: US09824759B2. Автор: Chang-Sub Lee,Dae-Woong Kwon,Jai-Hyuk Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Non-volatile memory apparatus and on-the-fly self-adaptive read voltage adjustment method thereof

Номер патента: US09747974B2. Автор: Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of determining default read voltage of non-volatile memory device and method of reading data of non-volatile memory device

Номер патента: US09666292B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Three-dimensional NAND non-volatile memory and dram memory devices on a single substrate

Номер патента: US09859004B1. Автор: Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Three-dimensional NAND non-volatile memory and DRAM memory devices on a single substrate

Номер патента: US09754667B2. Автор: Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory refresh control circuit

Номер патента: US4218764A. Автор: Yukio Furuta,Tomisaburo Okumura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1980-08-19.

Non-volatile memory with different word line to word line pitches

Номер патента: WO2024072503A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Non-volatile memory device

Номер патента: US12073888B2. Автор: Wook-ghee Hahn,Youn-yeol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Non-volatile memory

Номер патента: US20150200017A1. Автор: Wei-Ming Ku. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Memories including multiple arrays of non-volatile memory cells selectively connected to sense circuitry using different numbers of data lines

Номер патента: US20180286482A1. Автор: Koji Sakui,Peter Feeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Non-volatile memory device utilizing dummy memory block as pool capacitor

Номер патента: US20210210501A1. Автор: Jin Yong Oh. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Voltage divider circuits, comparators, and analog-to-digital converters utilizing non-volatile memory devices

Номер патента: WO2024092044A1. Автор: Ning Ge,Sangsoo Lee,Wenbo Yin,Hengfang Zhu. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2024-05-02.

Non-volatile memory with inter-die connection

Номер патента: US20230386576A1. Автор: Tuan Pham,Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Apparatuses and methods for non-volatile memory programming schemes

Номер патента: US09576667B2. Автор: Akira Goda,William C Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Threshold voltage adjustment for a select gate transistor in a stacked non-volatile memory device

Номер патента: EP2856470A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-04-08.

Threshold voltage adjustment for a select gate transistor in a stacked non-volatile memory device

Номер патента: WO2013180893A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-12-05.

Three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US20230253044A1. Автор: Daeseok Byeon,Beakhyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Circuit for adjusting a select gate voltage of a non-volatile memory during erasure of memory cells based on a well voltage

Номер патента: US09805803B2. Автор: Shin-Jang Shen,Wei-Jen Chen,Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of controlling service life of non-volatile memory

Номер патента: RU2600525C2. Автор: Самюэль ШАРБУЙО,Ив ФУЗЕЛЛА,Стефан РИКАР. Владелец: Старшип. Дата публикации: 2016-10-20.

Method for operating non-volatile memory with symmetrical dual-channels

Номер патента: US20020167840A1. Автор: Tung-Cheng Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-14.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US20240233816A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Programming a non-volatile memory

Номер патента: US20120195124A1. Автор: Fuchen Mu,Yanzhuo Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-02.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US20240233817A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US12119054B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US09997240B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: GREENTHREAD LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Non-volatile memory with dynamic repurpose of word line

Номер патента: US09910749B2. Автор: Bin Wu,Nian Niles Yang,Jiahui Yuan,Xinde Hu,Grishma Shah,Lanlan Gu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Mass data storage system with non-volatile memory modules

Номер патента: WO2010031160A1. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2010-03-25.

Method for resetting threshold voltage of non-volatile memory

Номер патента: US20070211539A1. Автор: Chih-Kai Kang,Hann-Ping Hwang,Chih-Ming Chao,Shi-Hsien Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Mass data storage system with non-volatile memory modules

Номер патента: EP2342712A1. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2011-07-13.

Memory apparatus and associated control method for reducing erase disturb of non-volatile memory

Номер патента: US20210366557A1. Автор: Kuen-Long Chang,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Non volatile memory cell and memory array

Номер патента: US09627066B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US20240103742A1. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Temperature alert and low rate refresh for a non-volatile memory

Номер патента: WO2010076826A1. Автор: Emanuele Confalonieri,Daniele Ballucchi. Владелец: Daniele Ballucchi. Дата публикации: 2010-07-08.

Non-volatile memory device and non-volatile memory system comprising the same

Номер патента: EP4117026A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Jin-Soo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-11.

Non-volatile memory device and non-volatile memory system comprising the same

Номер патента: US20230010192A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Jin-Soo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Non-volatile memory that dynamically reduces the number of bits of data stored per memory cell

Номер патента: WO2024144910A1. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Loc Tu. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory with fast read process

Номер патента: US09672940B1. Автор: Phil Reusswig,Nian Niles Yang,Grishma Shah. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Identification of an operational condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09640230B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-02.

Non-volatile memory with intelligent erase testing to avoid neighbor plane disturb

Номер патента: US20240312538A1. Автор: Liang Li,Dana Lee,Dandan Yi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US7483302B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Vertical non-volatile memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20240221834A1. Автор: Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US20080186770A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Non-volatile memory package and method of reading stored data from a non-volatile memory array

Номер патента: US20070127293A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Positive feedback and parallel searching enhanced optimal read method for non-volatile memory

Номер патента: US20210118518A1. Автор: Xiang Yang,Jianzhi Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Non-volatile memory device with improved cell cycling and corresponding method for operating the non-volatile memory device

Номер патента: US12057180B2. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte,Francois Maugain. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-06.

Output circuitry for non-volatile memory array in neural network

Номер патента: US12112798B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Read performance of a non-volatile memory device, in particular a non-volatile memory device with buried selection transistor

Номер патента: US09825186B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-11-21.

Non-volatile memory with redundant control line driver

Номер патента: WO2023149912A1. Автор: QIN Zhen,Liang Li. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-08-10.

Row decoder for a non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US09966145B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-08.

Row decoder for a non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US09679655B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for reading a multilevel cell in a non-volatile memory device

Номер патента: US20130339577A1. Автор: Chan Wan Ha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Method for balancing data access to non-volatile memory

Номер патента: US20050273547A1. Автор: WEI Han,David Ho,Tony Tsai. Владелец: Inventec Appliances Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US20170200483A1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Verify while write scheme for non-volatile memory cell

Номер патента: US20110194355A1. Автор: Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-11.

Method and a circuit architecture for testing an integrate circuit comprising a programmable, non-volatile memory

Номер патента: US20010015925A1. Автор: Albino Pidutti,Paolo Sandri,Alessandro Camera,Ignazio Bellomo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-08-23.

Non-volatile memory with in field failure prediction using leakage detection

Номер патента: US09711227B1. Автор: Mark Shlick,Kalpana Vakati,Yuvaraj Krishnamoorthy,Srikar Peesari,Ashish Ghai,Ekamdeep Singh,Maythin Uthayopas. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Method and apparatus for treatment of state confidence data retrieved from a non-volatile memory array

Номер патента: US09582357B2. Автор: Sungho Park,Aliasgar S. Madraswala,Wayne D. Tran,Matthew Goldman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile memory (nvm) erase operation with brownout recovery technique

Номер патента: US20120117307A1. Автор: CHEN He,Jon S. Choy,Richard K. Eguchi,Peter J. Kuhn,Richard K. Glaeser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-10.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG147369A1. Автор: Liu Donghua,JUNG Sung Mun,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,CHWA SIOW LEE,Rachel Low,Louis Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-11-28.

Non-volatile memory cell compliant to a near-memory computation system

Номер патента: US20200202941A1. Автор: Chih-Hsin Chen,Chun-Fu Lin,Tsung-Mu Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for storing a key in a non-volatile memory

Номер патента: US20240267217A1. Автор: Jawad Benhammadi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-08.

Non-volatile memory device with comparison capability between target and readout data

Номер патента: US20220336027A1. Автор: Hsing-Yu Liu,Jyun-Yu Lai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Non-volatile memory device and related method of operation

Номер патента: US09478295B2. Автор: Ki-tae Park,Myung-Hoon Choi,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Non-volatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170125425A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Hau-yan Lu,Shih-Hsien Chen,Chun-Yao Ko,Liang-Tai Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG192499A1. Автор: Lim Louis,Xiaoyu Chen,Sung Mun Jung,Siow Lee Chwa,Donghua Liu,Swee Tuck Woo,Low Rachel. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-08-30.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG158882A1. Автор: Liu Donghua,JUNG Sung Mun,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,CHWA SIOW LEE,Rachel Low,Louis Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-02-26.

Redundancy for an array of non-volatile memory cells using tag registers

Номер патента: US20240256146A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Non-volatile memory cell and non-volatile memory cell array

Номер патента: US20230197156A1. Автор: Chun-Hung Lin,Chih-Chun Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080144395A1. Автор: Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Overcoming error correction coding mis-corrects in non-volatile memory

Номер патента: US20210117270A1. Автор: Ali Khakifirooz,Krishna K. Parat,Ravi H. MOTWANI,Rohit S. Shenoy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12073889B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Non-volatile memory device and method of operation thereof

Номер патента: US20230170028A1. Автор: Jae Hun Lee,Yong Kyu Lee,Chang Min Jeon,Hyun Ik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

System and method for managing non-volatile memory based on health

Номер патента: US20100058119A1. Автор: Robert Alan Reid. Владелец: Denali Software Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Non-volatile memory cell and operating method thereof

Номер патента: US20070008777A1. Автор: Ming-Hsiang Hsueh,Ming-Chang Kuo,Chao-Lun Yu,Min-Ta Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Non-volatile memory including negative capacitance blocking oxide layer, operating method of the same and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230413574A1. Автор: Taeho Kim,Sanghun Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-12-21.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12087367B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Non-volatile memory having a dynamically adjustable soft program verify voltage level and method therefor

Номер патента: WO2009017889A1. Автор: Jon S. Choy,Richard K. Eguchi. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-02-05.

Non-volatile memory device readable only a predetermined number of times

Номер патента: US12125533B2. Автор: Marco Bildgen,Francesco La Rosa. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-22.

System for handling erratic word lines for non-volatile memory

Номер патента: US09910730B2. Автор: Chris Avila,Nian Niles Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Health state of non-volatile memory

Номер патента: US09875812B2. Автор: Christian Schneckenburger,Jan Otterstedt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Data operations in non-volatile memory

Номер патента: US09859013B2. Автор: Menahem Lasser. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile memory having a gate-layered triple well structure

Номер патента: US09711516B2. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Hau-yan Lu,Shih-Hsien Chen,Chun-Yao Ko,Liang-Tai Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Non-volatile memory devices including vertical NAND channels and methods of forming the same

Номер патента: US09640545B2. Автор: Sukpil Kim,Yoondong Park,Kwang Soo SEOL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: US11894056B2. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

System and method for measuring data retention in a non-volatile memory

Номер патента: US20160322113A1. Автор: Liam Michael Parker. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-03.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11894059B2. Автор: Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US11967370B1. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US11830546B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Non-volatile memory with reduced word line switch area

Номер патента: US20240111440A1. Автор: Yuki Mizutani,Kazutaka Yoshizawa,Eiichi Fujikura,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory structure having volatile and non-volatile memory portions

Номер патента: WO2009117222A1. Автор: Werner Juengling,Howard C. Kirsch,Charles Ingalls. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-09-24.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US20240120000A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US20240071485A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Non-volatile memory with reduced word line switch area

Номер патента: US12032837B2. Автор: Yuki Mizutani,Kazutaka Yoshizawa,Eiichi Fujikura,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for trimming non-volatile memory cells

Номер патента: US20020196660A1. Автор: Theodore Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Non-volatile memory device

Номер патента: US12100452B2. Автор: Sangwon Park,Junho Choi,Kuihan KO,Minyong Kim,Jekyung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US12094552B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Host-initiated and auto-initiated non-volatile memory refresh

Номер патента: US12124717B2. Автор: Marco Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US11967369B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Apparatus and method for programming or reading data based on a program status of a non-volatile memory device

Номер патента: US20240012563A1. Автор: Seung Hwan SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Non-volatile Memory Device With Stored Index Information

Номер патента: US20210082517A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Verification of a weight stored in a non-volatile memory cell in a neural network following a programming operation

Номер патента: US11829859B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A1. Автор: Peter Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-06-08.

Circuit and Method for Reading a Memory Cell of a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20170263323A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-14.

Operation method of non-volatile memory and method of improving coupling interference from nitride-based memory

Номер патента: US20080266966A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Guan-Wei Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080279001A1. Автор: Chih-Chen Cho,Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US7567470B2. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-28.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US20080013387A1. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-01-17.

Voltage regulation system for a multiword programming of a low integration area non volatile memory

Номер патента: US20040233723A1. Автор: Ignazio Martines,Massimo Scardaci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-11-25.

Non-volatile Memory Device

Номер патента: US20100302862A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A9. Автор: Peter Lee. Владелец: Peter Lee. Дата публикации: 2006-08-03.

A multi-transistor based non-volatile memory cell with dual threshold voltage

Номер патента: WO2008038236A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van,Michiel Slotboom,Nader Akil,Almudena Huerta,Duuren Michiel J Van. Владелец: Duuren Michiel J Van. Дата публикации: 2008-07-03.

Non-volatile memory device including common source line tapping wire connected to common source line plate by vias on lower metal line and through-hole vias

Номер патента: US12089408B2. Автор: Bongsoon LIM,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20200258885A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20190267380A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-08-29.

Non-volatile memory device and a method for operating the same

Номер патента: US12112056B2. Автор: Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Negative voltage management module for an address decoder circuit of a non-volatile memory device

Номер патента: US09978429B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-22.

Circuit and method for reading a memory cell of a non-volatile memory device

Номер патента: US09865356B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of initializing and driving 3D non-volatile memory device using time varying erase signal

Номер патента: US09754673B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Multiple temperature testing of non-volatile memory data retention time

Номер патента: US20180040384A1. Автор: Kalin V. Lazarov,Michael D. Petersen,Timothy D. ROHRER. Владелец: Linear Technology Holding LLC. Дата публикации: 2018-02-08.

Non-volatile memory device with stored index information

Номер патента: EP4032089A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Non-volatile memory device with stored index information

Номер патента: WO2021055006A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-03-25.

Non-volatile memory devices and systems with volatile memory features and methods for operating the same

Номер патента: EP3785267A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Non-volatile memory with sub-blocks

Номер патента: WO2024107517A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Non-volatile memory with sub-blocks

Номер патента: US20240161828A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Non-volatile memory device and operation method of the same

Номер патента: US20200258577A1. Автор: Hyun-Jin Kim,Soo-Woong Lee,Jae-Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-13.

Method of screening non-volatile memory devices

Номер патента: US20030147294A1. Автор: Yasuhito Anzai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-07.

Use of data latches for plane level compression of soft bit data in non-volatile memories

Номер патента: US12057188B2. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,YenLung Li,Siddarth Naga Murty Bassa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile memory and write cycle recording device thereof

Номер патента: US20220392557A1. Автор: Johnny Chan,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Method of analyzing the wear of a non volatile memory embedded in a secure electronic token

Номер патента: US20120317318A1. Автор: Frédéric Dao,Frederic Faure,Thierry Sylvestre. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2012-12-13.

Method of analyzing the wear of a non volatile memory embedded in a secure electronic token

Номер патента: WO2011054661A1. Автор: Frédéric Dao,Frederic Faure,Thierry Silvestre. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2011-05-12.

Method of analyzing the wear of a non volatile memory embedded in a secure electronic token

Номер патента: EP2499642A1. Автор: Frédéric Dao,Frederic Faure,Thierry Silvestre. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2012-09-19.

Floating gate non-volatile memory bit cell

Номер патента: US09601203B2. Автор: Andrew Horch,Martin NISET,Mads HOMMELGAARD. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Asymmetric pass field-effect transistor for non-volatile memory

Номер патента: US09589652B1. Автор: Venkatraman Prabhakar,Sungkwon Lee. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Non-volatile memory device, operating method thereof, and storage device having the same

Номер патента: US11295818B2. Автор: Jun Jin Kong,Dong Jin Shin,Ji Su Kim,Dae Seok Byeon,Ji Sang Lee,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-05.

Non-volatile memory device, operating method thereof, and storage device having the same

Номер патента: US11854627B2. Автор: Jun Jin Kong,Dong Jin Shin,Ji Su Kim,Dae Seok Byeon,Ji Sang Lee,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Data error recovery in non-volatile memory

Номер патента: WO2010080257A2. Автор: Albert Fazio,Jawad Khan,Richard Coulson. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-07-15.

Methods, circuits, devices, systems and machine executable code for reading from a non-volatile memory array

Номер патента: US20160162355A1. Автор: Clifford Alan Zitlaw,Kfir Mizrachi,Ifat Nitzan KALDERON. Владелец: Morgan Stanley Senior Funding Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Non-volatile Memory Cell Having A Floating Gate And A Coupling Gate With Improved Coupling Ratio Therebetween

Номер патента: US20140203343A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Data restoration method for a non-volatile memory

Номер патента: WO2010093440A2. Автор: Stephen Fung,Jeong Y. Choi. Владелец: MOSYS, INC.. Дата публикации: 2010-08-19.

Non-volatile memory device and memory system including the same

Номер патента: EP4436332A1. Автор: Jeehoon HAN,Kyeonghoon Park,Jaebok BAEK,Janggn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Compact non-volatile memory array with reduced disturb

Номер патента: WO2006093683A1. Автор: Alexander B. Hoefler. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-09-08.

Method and system to obtain state confidence data using multistrobe read of a non-volatile memory

Номер патента: US09754683B2. Автор: Mark Helm,Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Matthew Goldman,Nathan R. Franklin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory read/write disturb monitoring

Номер патента: US09711234B1. Автор: Richard H. Van Gaasbeck. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

High voltage architecture for non-volatile memory

Номер патента: US09704585B2. Автор: Igor G. Kouznetsov,Bogdan I. Georgescu,Vijay Raghavan,Gary P. Mosculak. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US11769561B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Multi-level cell configurations for non-volatile memory elements in a bitcell

Номер патента: US20220181387A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Device and method for protecting data in non-volatile memory

Номер патента: US8811106B2. Автор: Youjip Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-19.

Output block for array of non-volatile memory cells

Номер патента: US20240282351A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Duc Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh,Hoa Vu,Nghia Le. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Parallel-dichotomic serial sensing method for sensing multiple-level non-volatile memory cells, and sensing circuit for actuating such method

Номер патента: US5729490A. Автор: Guido Torelli,Vincenzo Daniele,Roberto Gastaldi,Cristiano Calligaro,Alessandro Manstretta,Nicola Telecco. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-03-17.

One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Номер патента: US09627088B2. Автор: Chih-Hao Huang,Yung-Jui Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Predictive pre-heating of non-volatile memory cells

Номер патента: EP2415051A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-02-08.

Predictive pre-heating of non-volatile memory cells

Номер патента: WO2010117654A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-10-14.

On-chip memory redundancy circuitry for programmable non-volatile memories, and methods for programming same

Номер патента: WO1996025744A1. Автор: James E. O'Toole. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1996-08-22.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: US20120213007A1. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: WO2012112629A3. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: SYNOPSYS INC.. Дата публикации: 2012-11-22.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: EP2676275A2. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2013-12-25.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: WO2012112629A2. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: SYNOPSYS INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

Determination of demarcation voltage for managing drift in non-volatile memory devices

Номер патента: US09691492B1. Автор: Zion S. Kwok,Philip Hillier,Bruce Querbach,Christopher F. Connor,Jeffrey W. RYDEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile memory and method with peak current control

Номер патента: EP2877995A1. Автор: Dana Lee,Yi-Chieh Chen,Farookh Moogat. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-06-03.

Methods and apparatus to detect and correct errors in destructive read non-volatile memory

Номер патента: WO2017087950A1. Автор: Yuming Zhu,Sai Zhang,Manish Goel. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2017-05-26.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: US20080056015A1. Автор: Johnny Chan,Jinshu Son. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: WO2008008613A3. Автор: Jinshu Son. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: WO2008008613A8. Автор: Johnny Chan,Jinshu Son. Владелец: Johnny Chan. Дата публикации: 2009-02-26.

Method and apparatus for information setting in a non-volatile memory device

Номер патента: US20060023508A1. Автор: Kenta Kato,Satoru Sugimoto. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-02-02.

Control circuit for refreshing voltages in a non-volatile memory during a standby mode and a method thereof

Номер патента: US20090003116A1. Автор: Kerry D. Tedrow,Gerald Barkley,Balaji SIVAKUMAR,Bharat CHAUHAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Flexible and area efficient column redundancy for non-volatile memories

Номер патента: EP1700314A1. Автор: Yan Li,Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-09-13.

Non-volatile memory storage device and controller therefor

Номер патента: US20070133299A1. Автор: Ming-Dar Chen,Hsiang-An Hsieh,Li-Pai Chen,Yen-Hsin Liu. Владелец: A Data Technology Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Device for reading a low-consumption non-volatile memory and its implementing method

Номер патента: US20090175074A1. Автор: Yves Theoduloz,Hugo Jaeggi,Nadia Harabech. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2009-07-09.

Non-volatile memory device with controlled discharge

Номер патента: US20110305092A1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-12-15.

Non-volatile memory device with controlled discharge

Номер патента: US8441865B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-05-14.

Method of Programming and Erasing a Non-Volatile Memory Array

Номер патента: US20090016116A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Chi-Ling Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074628A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038242A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

Non-volatile memory

Номер патента: GB2091511A. Автор: . Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1982-07-28.

Memory architectures including non-volatile memory devices

Номер патента: WO2006074176A3. Автор: David S Choi,John D Villasenor. Владелец: John D Villasenor. Дата публикации: 2007-05-31.

Post package repair (PPR) data in non-volatile memory

Номер патента: US09941023B2. Автор: Melvin K. Benedict,Lidia Warnes,Andrew C. Walton. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-10.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038243A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074629A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

secure non-volatile memory device and method of protecting data therein

Номер патента: US20100002511A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-01-07.

Method for storing information in a coded manner in non-volatile memory cells, decoding method and non-volatile memory

Номер патента: US20230223079A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for complete rewriting of cleared non- volatile memory

Номер патента: RU2142168C1. Автор: Циммерманн Юрген,Гроте Вальтер. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 1999-11-27.

Non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: US09646700B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: EP1565915B1. Автор: Joachim Christoph Hans Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-03-18.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: US7232983B2. Автор: Joachim C. H. Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-06-19.

Command control for multi-core non-volatile memory

Номер патента: WO2018156200A1. Автор: Jingwen Ouyang,Greg Hilton,Jayesh Pakhale. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-08-30.

Rewritable Multibit Non-Volatile Memory With Soft Decode Optimization

Номер патента: US20160163382A1. Автор: Raul-Adrian Cernea,Idan Alrod,Eran Sharon,Kevin Michael Conley. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-06-09.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: EP1565915A2. Автор: Joachim Christoph Hans Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2005-08-24.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registeting light- attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: US20060011816A1. Автор: Wolfgang Buhr,Joachim Garbe. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-19.

Adaptive Programming For Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20130250692A1. Автор: Danut Manea,Stephen Trinh,Dixie Nguyen,Erwin Castillon,Uday Mudumba,Sabina Centazzo. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Non-volatile memory for high rewrite cycles application

Номер патента: US20160307629A1. Автор: Shih-Chen Wang,Wen-hao Ching,Yen-Hsin Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Non-volatile memory for high rewrite cycles application

Номер патента: US20160035421A1. Автор: Shih-Chen Wang,Wen-hao Ching,Yen-Hsin Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Non-volatile memory for high rewrite cycles application

Номер патента: US09666279B2. Автор: Shih-Chen Wang,Wen-hao Ching,Yen-Hsin Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Rewritable multibit non-volatile memory with soft decode optimization

Номер патента: US09640253B2. Автор: Raul-Adrian Cernea,Idan Alrod,Eran Sharon,Kevin Michael Conley. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-02.

Rewritable Multibit Non-Volatile Memory With Soft Decode Optimization

Номер патента: US20170185299A1. Автор: Raul-Adrian Cernea,Idan Alrod,Eran Sharon,Kevin Michael Conley. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-29.

Operating method of memory controller controlling non-volatile memory device performing refresh read operation

Номер патента: US09984757B2. Автор: Hyun-Jin Choi,Joon-Ho Lee,Dong-hoon Ham,Sil-Wan Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Rewritable multibit non-volatile memory with soft decode optimization

Номер патента: US09946468B2. Автор: Raul-Adrian Cernea,Idan Alrod,Eran Sharon,Kevin Michael Conley. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for operating a non-volatile memory

Номер патента: US20030107921A1. Автор: Hwi-Huang Chen,Gary Hong,Chih-Jen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Non-volatile memory apparatus and erasing method thereof

Номер патента: US20160042795A1. Автор: Yu-Hsiung Tsai,Chun-Yuan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Non-volatile memory accelerator and method for speeding up data access

Номер патента: US09773534B2. Автор: Kun-Chih Chen,Hsiao-An Chuang. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of operating non-volatile memory device

Номер патента: US09501343B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor integrated, electronic control circuit incorporating an electrically programmable, electronic non-volatile memory device

Номер патента: US6081471A. Автор: Virginia Natale,Luca Fontanella,Michele Palazzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-06-27.

Multi-deck non-volatile memory architecture with improved wordline bus and bitline bus configuration

Номер патента: US12087350B2. Автор: Cheng-Yi Huang,William Waller. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method, system and device for integration of volatile and non-volatile memory bitcells

Номер патента: WO2019207282A1. Автор: George McNeil Lattimore,Shidhartha Das,Mudit Bhargava,Brian Tracy CLINE. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-10-31.

Local sensing of non-volatile memory

Номер патента: US20020085424A1. Автор: Balaji Srinivasan,Kerry Tedrow,Mark Bauer,Sandeep Guliani,Ritesh Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Data Storage System and Operating Method for Non-Volatile Memory

Номер патента: US20190348083A1. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Method for operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US20210118496A1. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US10916302B2. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Redundancy system for non-volatile memory

Номер патента: EP3097564A1. Автор: Wlodek Kurjanowicz,Mourad Abdat. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2016-11-30.

Non-Volatile Memory With Improved Sensing By Reducing Source Line Current

Номер патента: US20120113715A1. Автор: Raul-Adrian Cernea. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-10.

Device to control the power supply in an integrated circuit comprising electrically programmable non-volatile memory elements

Номер патента: US20020018367A1. Автор: Richard Fournel. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-02-14.

Method of updating data for a non-volatile memory

Номер патента: US20040205291A1. Автор: Hugues Blangy. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-10-14.

Systems and methods for managing non-volatile memory based on temperature

Номер патента: US09891859B1. Автор: Charan Srinivasan,Andrew W. Vogan,Matthew J. Byom. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Regrouping and skipping cycles in non-volatile memory

Номер патента: US09711225B2. Автор: Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Non-volatile memory device, in particular phase change memory, and reading method

Номер патента: US20190341103A1. Автор: Giovanni Campardo,Paola Zuliani,Roberto Annunziata. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-11-07.

Redundancy system for non-volatile memory

Номер патента: CA2941639A1. Автор: Wlodek Kurjanowicz,Mourad Abdat. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Protection register for a non-volatile memory

Номер патента: US20100165765A1. Автор: Duane Mills,Rich E. Fackenthal,Chin-Tin Tina Yu. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Tamper-resistant non-volatile memory device comprising an arithmetic circuit that, in operation, calculates a binary reference value based on at least a part of the pieces of resistance value information, a read circuit that, in operation, selectively assigns, based on the binary reference value, one of two values to each of the pieces of resistance value information, and a write circuit that, in operation, performs a write operation corresponding to one of the two values among memory cells

Номер патента: US09653161B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Non-volatile memory device

Номер патента: US4962484A. Автор: Naoki Mitsuishi,Masahiko Takeshima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-10-09.

Non-volatile memory having memory array with differential cells

Номер патента: US20200160907A1. Автор: Yu-Shan CHIEN. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Systems for and methods of extending lifetime of non-volatile memory

Номер патента: US09632866B2. Автор: Arthur Robert Calderbank,Daniel J. Sorin,Adam N. Jacobvitz. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2017-04-25.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of operating the same

Номер патента: US09564221B2. Автор: Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Data whitening for writing and reading data to and from a non-volatile memory

Номер патента: US8918655B2. Автор: Michael J. Smith,Tahoma M. Toelkes,Matthew J. Byom,Kenneth L. Herman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-12-23.

A non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: WO2013085676A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-06-13.

A non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: EP2788987A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Non-volatile memory device optimized for a surface mount technology (smt) process and an operating method thereof

Номер патента: US20230251781A1. Автор: Joohee Son,Wandong Kim,Hune Seo,Dongcheul Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Non-volatile memory device with a program driver circuit including a voltage limiter

Номер патента: US20210366554A1. Автор: Vikas RANA,Laura Capecchi,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2021-11-25.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240339161A1. Автор: Seiji Takenaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11915762B2. Автор: Hyung Jin Choi,Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Providing a Ready-Busy Signal From a Non-Volatile Memory Device to a Memory Controller

Номер патента: US20120039118A1. Автор: Mostafa Naguib Abdulla. Владелец: Mostafa Naguib Abdulla. Дата публикации: 2012-02-16.

Non-volatile memory and method with non-sequential update block management

Номер патента: WO2005066793A3. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Alan David Bennett,Peter John Smith,Alan Welsh Sinclair. Владелец: Alan Welsh Sinclair. Дата публикации: 2006-06-15.

Providing a ready-busy signal from a non-volatile memory device to a memory controller

Номер патента: US20130003474A1. Автор: Mostafa Naguib Abdulla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Soft erase process during programming of non-volatile memory

Номер патента: US12051468B2. Автор: Deepanshu Dutta,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Rapid restart protection for a non-volatile memory system

Номер патента: US20200381060A1. Автор: Vadim Khmelnitsky,Matthew J. Byom,Alexander Paley,Yuhua Liu,Muhammad N. Ashraf. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Soft erase process during programming of non-volatile memory

Номер патента: EP4433892A1. Автор: Deepanshu Dutta,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Non-volatile memory device and method of operation therefor

Номер патента: EP1826768A3. Автор: Dae-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-12.

Shared volatile and non-volatile memory

Номер патента: US20040008542A1. Автор: Manish Sharma,Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-01-15.

Non-volatile memory with autonomous cycling

Номер патента: US12040031B2. Автор: Yan Li,Liang Li,Wenkai Liu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Non-volatile memory

Номер патента: US20100329000A1. Автор: Mohamed Boutchich. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Non-volatile memory with virtual ground voltage provided to unselected column lines during memory write operation

Номер патента: US20220101903A1. Автор: Karthik Ramanan,Jacob T. Williams,Jon Scott Choy,Padmaraj Sanjeevarao. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Non-volatile memory with selectable hard write

Номер патента: US20210118475A1. Автор: Anirban Roy,Jon Scott Choy,Jacob Williams,Richard Eguchi,Kerry Ilgenstein. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Electronic apparatus applying unified non-volatile memory and unified non-volatile memory controlling method

Номер патента: US20170018305A1. Автор: Da-Zen Chuang,Chi-Hsiang Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Methods, Devices and Systems for an Improved Management of a Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220068367A1. Автор: Dionisio Minopoli,Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Methods, devices and systems for an improved management of a non-volatile memory

Номер патента: US12100438B2. Автор: Dionisio Minopoli,Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Electronic apparatus applying unified non-volatile memory and unified non-volatile memory controlling method

Номер патента: US09858997B2. Автор: Da-Zen Chuang,Chi-Hsiang Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Powering random access memory modules with non-volatile memory components

Номер патента: US20200310971A1. Автор: Theodore B. Vojnovich,Jonathan R. Hinkle,David W. Cosby,Jose M. Orro. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Non-volatile memory with multiple latency tiers

Номер патента: US09773547B2. Автор: R. Stanley Williams,Naveen Muralimanohar,Gregg B. Lesartre,Erik Ordentlich,Richard H. Henze,Yoocharn Jeon,Martin Foltin. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-09-26.

Method and circuit for programming non-volatile memory cells of a volatile/non-volatile memory array

Номер патента: US09640257B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory provided with associated volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US09620212B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-04-11.

Overheat prevention for annealing non-volatile memory

Номер патента: US09761290B1. Автор: Navneeth Kankani,Ning Ye,Deepanshu Dutta,Sarath Puthenthermadam,Suresh Upadhyayula. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-volatile memory interface

Номер патента: US09575882B2. Автор: Robert Wipfel,David Nellans. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Sensing a non-volatile memory device utilizing selector device holding characteristics

Номер патента: US09633724B2. Автор: Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian,Lin Shih Liu. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Microcontroller architecture for non-volatile memory

Номер патента: US20200341691A1. Автор: Yan Li,Hiroyuki Mizukoshi,Tai-Yuan Tseng,Chi-Lin Hsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Non-volatile memory device and method of writing to non-volatile memory device

Номер патента: US11195582B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Naoto Kii,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-12-07.

Non-volatile memory based compute-in-memory cell

Номер патента: US12131776B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Chia-Fu Lee,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Non-volatile memory device having a memory size

Номер патента: US09753665B2. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device with volatile memory and non-volatile memory in latched arrangement

Номер патента: US5262986A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

Circuit and method for controlling write timing of a non-volatile memory

Номер патента: US20130121058A1. Автор: Chih-He Lin,Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pi-Feng Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-05-16.

Method and System for Using Non-Volatile Memory as a Replacement for Volatile Memory

Номер патента: US20160188464A1. Автор: Shahar Bar-Or,Vsevolod Mountaniol. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-06-30.

Non-volatile memory array leakage detection

Номер патента: US20210398602A1. Автор: Sridhar Yadala,Pradeep Anantula,Aswani Krishna Lakshminarayana Addagalla,Sivakumar Grandhi,V.S.N.K.Chaitanya G. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Non-volatile memory device and method for programming the same

Номер патента: US20120147655A1. Автор: Sung Yeon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Memory circuit having non-volatile memory cell and methods of using

Номер патента: US20200043553A1. Автор: Ronald L. Cline. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US09792984B1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Azeez Jennudin Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Shared volatile and non-volatile memory

Номер патента: US20040202022A1. Автор: Manish Sharma,Frederick Perner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Writing to cross-point non-volatile memory

Номер патента: US09928894B2. Автор: Wayne Kinney,Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Bei Wang,Alessandro Calderoni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Writing to cross-point non-volatile memory

Номер патента: US09613676B1. Автор: Wayne Kinney,Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Bei Wang,Alessandro Calderoni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Non-volatile memory with lpdram

Номер патента: US20160062695A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Coherency management for volatile and non-volatile memory in a through-silicon via (tsv) module

Номер патента: US20170308309A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Adam J. McPadden,Edgar R. Cordero,Anuwat Saetow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Pseudo multi-plane read methods and apparatus for non-volatile memory devices

Номер патента: US11935585B2. Автор: Xiang Yang,Ohwon KWON,Arka Ganguly. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Non-volatile memory with capacitors using metal under pads

Номер патента: US20200013434A1. Автор: Peter Rabkin,Venkatesh P. Ramachandra,Masaaki Higashitani,Mohan DUNGA,Luisa LIN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-01-09.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4362077A3. Автор: Jinyong OH. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Non-volatile memory with atonomous cycling

Номер патента: US20230343406A1. Автор: Yan Li,Liang Li,Wenkai Liu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Non-volatile memory adapted to configure low power dynamic random access memory

Номер патента: US20180329640A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Extending shelf life of non-volatile memory devices

Номер патента: US20180210646A1. Автор: Adam J. McPadden,Janani Swaminathan,Trinadhachari Kosuru,Prashanth K. Kasula,Preetham H. Raghavendra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Initiating operation of a timing device using a read only memory (rom) or a one time programmable non volatile memory (otp nvm)

Номер патента: US20160077958A1. Автор: HUI Li,John Hsu. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Hybrid solid-state memory system having volatile and non-volatile memory

Номер патента: US20090279366A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-11-12.

Wordline strapping for non-volatile memory elements

Номер патента: US20200185374A1. Автор: Anuj Gupta,Bipul C. Paul,Joseph Versaggi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Local reference voltage generator for non-volatile memory

Номер патента: US11978494B2. Автор: Kapil Jain,Alan D. Devilbiss,Shan Sun,Fan Chu,Edwin Kim,Franklin Brodsky,Patrick F. O'Connell. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

METHODS OF OPERATING FERROELECTRIC (Fe) FET BASED NON-VOLATILE MEMORY CIRCUITS AND RELATED CONTROL CIRCUITS

Номер патента: US20230189530A1. Автор: Zheng Wang,Shimeng Yu,Asif Khan,Winston Chern,Yuan-Chun Luo,Nujhat Tasneem. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Non-volatile memory with multi-gear control using on-chip folding of data

Номер патента: EP2513908A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Jianmin Huang,Lee M. Gavens,Chris Avila,Steven T. Sprouse,Neil David Hutchison. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-10-24.

Non-volatile memory with pre-trained model and inference circuit

Номер патента: EP4420122A1. Автор: Liang Li,Loc Tu,Yinfeng YU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-28.

Non-volatile memory module architecture to support memory error correction

Номер патента: US09891864B2. Автор: Jonathan Parry,George Pax. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory device and method with backup energy reservoir to write in-flight data in non-volatile memory

Номер патента: US09977478B1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Atomic non-volatile memory data transfer

Номер патента: US09652415B2. Автор: Robert W. Ellis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Method and device to distribute code and data stores between volatile memory and non-volatile memory

Номер патента: US09582216B2. Автор: Balaji Vembu,Murali Ramadoss. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20210349664A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Non-volatile memory with a single gate-source common terminal and operation method thereof

Номер патента: US20160013194A1. Автор: ya-ting Fan,Hsin-Chang Lin,Wen-Chien Huang. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Non-volatile memory switch with host isolation

Номер патента: US12099398B2. Автор: Salil Suri,Yingdong LI,Scott Furey,Liping Guo. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Concurrent upgrade and backup of non-volatile memory

Номер патента: US09886200B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Concurrent upgrade and backup of non-volatile memory

Номер патента: US09875036B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory device with combined non-volatile memory (NVM) and volatile memory

Номер патента: US09823874B2. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Non-volatile memory systems and methods of managing power of the same

Номер патента: US09817596B2. Автор: Young Joon Choi,Hyo Jin Jeong,Jae-Hyeon Ju,Han Gu Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory device with combined non-volatile memory (NVM) and volatile memory

Номер патента: US09697897B2. Автор: Anirban Roy,Michael A Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Non-volatile memory device, controller for controlling the same, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US12045132B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Structure and method for BEOL nanoscale damascene sidewall-defined non-volatile memory element

Номер патента: US09559107B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Non-volatile memory with access control circuit for secure boot of an electronic device

Номер патента: US20230385420A1. Автор: Vincent Berthelot. Владелец: STMicroelectronics Grand Ouest SAS. Дата публикации: 2023-11-30.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Non-volatile memory with slow voltage ramp compensation

Номер патента: US20240321379A1. Автор: Long Pham,Parth AMIN,Sai Gautham THOPPA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Read cache management in multi-level cell (MLC) non-volatile memory

Номер патента: US09952981B2. Автор: Alex Radinski,Tsafrir Kamelo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Controlling persistent writes to non-volatile memory based on persist buffer data and a persist barrier within a sequence of program instructions

Номер патента: US09946492B2. Автор: Peter Chen,Stephan Diestelhorst,Ali Ghassan SAIDI,Aasheesh KOLLI,Thomas Friedrich WENISCH. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Non-volatile memory device, and storage apparatus to reduce a read retry occurrence frequency and prevent read performance from lowering

Номер патента: US09898201B2. Автор: Hiroshi Hirayama,Yoshihiro Oikawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device with volatile and non-volatile memories to retain data during power interruption

Номер патента: US09898194B2. Автор: Masaaki Hiroki,Yutaka Shionoiri,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory system includes a memory controller coupled to a non-volatile memory array configured to provide special write operation to write data in the non-volatile memory array before a board mount operation is applied and provde a regular write operation after a board mount operation is applied

Номер патента: US09798481B1. Автор: Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Accessing a serial number of a removable non-volatile memory device

Номер патента: US09552855B2. Автор: Robert D. Widergren,Eric R. Hamilton,John L. Douglas. Владелец: Mo DV Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20220149845A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20200313675A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20240063798A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20210234544A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20200186150A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Error injection for assessment of error detection and correction techniques using error injection logic and non-volatile memory

Номер патента: US20190188064A1. Автор: Michael K. Ciraula. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20190051349A1. Автор: George McNeil Lattimore,Bal S. Sandhu,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Non-volatile memory with oxygen scavenger regions and methods of making the same

Номер патента: WO2023048649A3. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-11.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Non-volatile memory bank with embedded inline computing logic

Номер патента: US20200381047A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Systems and methods for sampling data at a non-volatile memory system

Номер патента: US09785357B2. Автор: Dana Lee,Deepak Raghu,Gautam Dusija,Guirong Liang,Harish Singidi,Anne Pao-Ling Koh,Chris Aviala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Use of volatile memory as non-volatile memory

Номер патента: US09746895B2. Автор: Bryan Kelly,Mark Santaniello,Sriram Govindan,Anirudh Badam. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Tamper-resistant non-volatile memory device and integrated circuit card

Номер патента: US09948471B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory apparatus and methods thereof for preventing read errors on weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09582417B2. Автор: Sandeep Sharma,Ajith Kumar,Ashwin Narasimha,Vibhor Patel. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: US20240212781A1. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of writing data to non-volatile memory

Номер патента: EP1430386A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Alan David Bennett,Alan Welsh Sinclair. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2004-06-23.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: WO2024137333A3. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: WO2024137333A2. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Systems, methods, and devices for user configurable wear leveling of non-volatile memory

Номер патента: US20200192583A1. Автор: Mark Alan McClain,Rainer Hoehler,Willy Obereiner. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Non-volatile memory device capable of supplying power

Номер патента: US20100027365A1. Автор: Chwei-Jing Yeh. Владелец: Ritek Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20240311294A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: EP4439300A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Authentication system having a non-volatile memory including memory cells in initial or variable states and a host computer for performing authentication therebetween

Номер патента: US09898598B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Writing data in a non-volatile memory of a smart card

Номер патента: US09513842B2. Автор: Michael Barthe,Geoffrey Spinau. Владелец: Morpho SA. Дата публикации: 2016-12-06.

Non-volatile memory device and method for programming a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145016A1. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

System and method for initiating a bad block disable process in a non-volatile memory

Номер патента: US20090091994A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-09.

Two-dimensionally accessible non-volatile memory

Номер патента: US20190206487A1. Автор: ZHENG Li,Hai Li,Yiran Chen. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2019-07-04.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: EP1751763A2. Автор: Russell D. Newell. Владелец: L3 Integrated Systems Co. Дата публикации: 2007-02-14.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: EP1751763A4. Автор: Russell D Newell. Владелец: L3 Communications Integrated Systems LP. Дата публикации: 2009-08-12.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: WO2005114668A2. Автор: Russell D. Newell. Владелец: L-3 Integrated Systems Company. Дата публикации: 2005-12-01.

Non-volatile memory device for detecting progressive error, memory system, and method of operating the non-volatile memory device

Номер патента: US09842659B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Byung-Gil Jeon,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: US09548118B1. Автор: Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Non-volatile memory with sub-planes having individually biasable source lines

Номер патента: US20240105262A1. Автор: Ramy Nashed Bassely SAID,Jiahui Yuan,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Variable resistance non-volatile memory device

Номер патента: US20210065795A1. Автор: Takashi Ono,Kazuyuki Kouno,Masayoshi Nakayama,Reiji Mochida,Yuriko HAYATA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Non-volatile push-pull non-volatile memory cell having reduced operation disturb and process for manufacturing same

Номер патента: US09859289B2. Автор: Fethi Dhaoui,John McCollum. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: US09589636B1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2017051176A1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Method for operating a non volatile memory of an electronic device and the electronic device implementing the same

Номер патента: US10318184B2. Автор: Woosung Lee,Inhwan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-11.

Systems, methods, and devices for user configurable wear leveling of non-volatile memory

Номер патента: US20180095678A1. Автор: Mark Alan McClain,Rainer Hoehler,Willy Obereiner. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Generating a random number using a non-volatile memory based physical uncloneable function

Номер патента: US20240249757A1. Автор: Asaf Gueta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Method, system and device for non-volatile memory device state detection

Номер патента: US09997242B2. Автор: Shidhartha Das,Glen Arnold Rosendale,Mudit Bhargava. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Multi-bank non-volatile memory apparatus with high-speed bus

Номер патента: US09921763B1. Автор: Cliff Zitlaw. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for operating non-volatile memory controller

Номер патента: US09904492B2. Автор: Jun-Jin Kong,Chang-kyu Seol,Hong-rak Son,Dong-whan Lee,Hye-Jeong So,Young-Geon YOO,Dong-Sup Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Data decoding method of non-volatile memory device and apparatus for performing the method

Номер патента: US09672942B2. Автор: Jun Jin Kong,Myung Kyu Lee,Kwang Hoon Kim,Beom Kyu Shin,Pil Sang Yoon,Ung Hwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory device and method for programming the same using multiple program operations under different conditions

Номер патента: US11901021B2. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Differential non-volatile memory device and bit reading method for the same

Номер патента: US20040190346A1. Автор: Fabio Pasolini,Michele Tronconi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-09-30.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: EP4181143A3. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US20240304260A1. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: US12131798B2. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Non-volatile memory module architecture to support memory error correction

Номер патента: US11797225B2. Автор: George Pax,Jonathan Scott Parry. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-10-24.

Non-volatile memory module architecture to support memory error correction

Номер патента: US20240126475A1. Автор: George Pax,Jonathan Scott Parry. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Antifuse-type non-volatile memory and control method thereof

Номер патента: US20240161844A1. Автор: Chia-Fu Chang,Ming-Hsuan Tan,Jen-Yu Peng. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Adaptive configuration of non-volatile memory

Номер патента: US10026475B2. Автор: RAJESH Sundaram,David J. Zimmerman,Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Erase algorithm with a weak program pulse for non-volatile memory

Номер патента: US20240304243A1. Автор: ZHI Li,Sung Hyun Jo,Jordan Frick. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory sector retirement in a non-volatile memory

Номер патента: US09996458B1. Автор: Fuchen Mu,Botang SHAO. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Firmware interface with backup non-volatile memory storage

Номер патента: US09703346B2. Автор: Robert C. Swanson,Vincent J. Zimmer,Karunakara Kotary,Giri P. Mudusuru,Ronald N. STORY,Isaac W. ORAM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

High density selector-based non volatile memory cell and fabrication

Номер патента: US09698201B2. Автор: Sung Hyun Jo,Harry Yue Gee,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Device for generating a voltage reference comprising a non-volatile memory cell

Номер патента: US09691493B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Sandor Petenyi,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMicroelectronics Design and Application sro. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile memory for secure storage of authentication data

Номер патента: US10303623B2. Автор: Scott C. Best,Brent S. Haukness,Carl W. Werner. Владелец: Cryptography Research Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Adaptive configuration of non-volatile memory

Номер патента: US20190057737A1. Автор: RAJESH Sundaram,David J. Zimmerman,Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US20240161848A1. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US20240193058A1. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US20240160544A1. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Adaptive configuration of non-volatile memory

Номер патента: US20160203864A1. Автор: RAJESH Sundaram,David J. Zimmerman,Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US12099424B2. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile memory device including memory cells having variable resistance values

Номер патента: US09892783B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Sense amplifier circuit with offset compensation for a non-volatile memory device

Номер патента: US09627011B1. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Non-volatile memory devices and systems including bad blocks address re-mapped and methods of operating the same

Номер патента: US20080285347A1. Автор: Dae Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of utilizing a plurality of voltage pulses to program non-volatile memory elements and related embedded memories

Номер патента: US6816427B2. Автор: David Novosel,Gary S. Craig. Владелец: Novocell Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Random access memory device having parallel non-volatile memory cells

Номер патента: US5029132A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-07-02.

Memory device with combined non-volatile memory (nvm) and volatile memory

Номер патента: US20160246539A1. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-08-25.

Suspending and resuming non-volatile memory operations

Номер патента: EP3172674A1. Автор: Robert W. Ellis,James M. Higgins,Ryan R. Jones. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-31.

Non-volatile memory

Номер патента: US20240176531A1. Автор: Christophe Arnal. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-05-30.

Redundancy for an array of non-volatile memory cells using tag registers and for a redundant array using tag registers

Номер патента: WO2024162977A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Execute-in-place mode configuration for serial non-volatile memory

Номер патента: US20150220431A1. Автор: Paolo Rolandi,Tommaso Zerilli,Raffaele Bufano,Sandra Lospalluti,Stefano Andreoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Method and System Involving Degradation of Non-Volatile Memory Based on Write Commands and Drive-Writes

Номер патента: US20200342945A1. Автор: Vidyabhushan Mohan,Yao Zhang,Cory Peterson,Jay Sarkar,Amir SANAYEI. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20230127162A1. Автор: Junhyung Kim,Jinyoung Park,Kibog PARK,Sungchul JUNG,Seokhyeong Kang,Wonho SONG,Jaehyeong JO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Execute-in-place mode configuration for serial non-volatile memory

Номер патента: US20140189220A1. Автор: Paolo Rolandi,Tommaso Zerilli,Raffaele Bufano,Sandra Lospalluti,Stefano Andreoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Execute-in-place mode configuration for serial non-volatile memory

Номер патента: US8954660B2. Автор: Paolo Rolandi,Tommaso Zerilli,Raffaele Bufano,Sandra Lospalluti,Stefano Andreoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-10.

High dielectric constant/metal gate (hk/mg) compatible floating gate (fg)/ferroelectric dipole non-volatile memory and logic device

Номер патента: WO2016089646A2. Автор: Yu Lu,Xia Li,Jeffrey Junhao XU,Bin Yang,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-09.

Non-volatile memory and voltage detecting circuit thereof

Номер патента: US12094559B2. Автор: zhe-yi Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Non-volatile memory and electronic device

Номер патента: US20240312549A1. Автор: Jianxin Li,Ligang Chen. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-volatile memory and operation method thereof

Номер патента: US20220059170A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Vertical non-volatile memory device, method of fabricating the same device, and electric-electronic system having the same device

Номер патента: US09881934B2. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Non-volatile memory element with thermal-assisted switching control

Номер патента: US09870822B2. Автор: Zhiyong Li,Ning Ge,Jianhua Yang. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-01-16.

Dynamically allocable regions in non-volatile memories

Номер патента: US09852781B2. Автор: Luca Porzio,Emanuele Confalonieri,Giuseppe Russo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-12-26.

Sensing circuit and method utilizing voltage replication for non-volatile memory device

Номер патента: US09754640B1. Автор: Shang-Chi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of repairing non-volatile memory based storage device and method of operating electronic system including the storage device

Номер патента: US09728277B2. Автор: Jong Tae Park,Joon Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Handling defective non-volatile memory

Номер патента: US09710347B2. Автор: Yaoqiao LI,Zhongyi Zhu,Jianshun Qiu,Guangxu Men. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Suspending and resuming non-volatile memory operations

Номер патента: US09645744B2. Автор: Robert W. Ellis,James M. Higgins,Ryan R. Jones. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Error location pointers for non volatile memory

Номер патента: US10025652B2. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Robert Eugeniu Mateescu,Minghai Qin,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Non-volatile memory system or sub-system

Номер патента: US11550381B2. Автор: Robert Nasry Hasbun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Non-volatile memory device using variable resistance element with an improved write performance

Номер патента: US20120224437A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim,Hung-Jun An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-06.

Structure and method for BEOL nanoscale damascene sidewall-defined non-volatile memory element

Номер патента: US9583498B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile memory device, controller for controlling the same, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US20220222139A1. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Multi-level cell (mlc) non-volatile memory data reading method and apparatus

Номер патента: US20160012887A1. Автор: Ravi H. MOTWANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20230139665A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Storage method, data processing method, device and apparatus based on non-volatile memory

Номер патента: US20220244872A1. Автор: Feng Zhang,Zhisheng CHEN,Qiang Huo,Qirui REN. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-08-04.

Centralized fixed rate serializer and deserializer for bad column management in non-volatile memory

Номер патента: US20210193226A1. Автор: CHEN CHEN,Mitsuyuki Watanabe,Min Peng,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Data write-in method and non-volatile memory

Номер патента: US20210074356A1. Автор: Yu-Ting Chen,Frederick Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chang-Tsung Pai,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Data reading method, device, and medium of non-volatile memory

Номер патента: US20200294560A1. Автор: XIAO Zheng,Tao Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Non-volatile memory and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2022260595A3. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-09.

Data reading method, device, and medium of non-volatile memory

Номер патента: US11152041B2. Автор: XIAO Zheng,Tao Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Apparatuses and methods for concurrently accessing multiple partitions of a non-volatile memory

Номер патента: US11768603B2. Автор: RAJESH Sundaram,Daniel Chu,Raymond W. Zeng,Owen W. Jungroth,Shekoufeh Qawami,DerChang Kau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Non-volatile memory and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240268126A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO,Weng Hong Hong LAI. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

Data write-in method and non-volatile memory

Номер патента: US11011231B2. Автор: Yu-Ting Chen,Frederick Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chang-Tsung Pai,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-18.

Method for managing a fail bit line of a memory plane of a non volatile memory and corresponding memory device

Номер патента: US09984770B2. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-05-29.

Error correction for non-volatile memory

Номер патента: US09959166B2. Автор: Robert Mateescu,Yongjune Kim,Seung-Hwan Song,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Номер патента: US09786383B2. Автор: Yung-Jui Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

High throughput programming system and method for a phase change non-volatile memory device

Номер патента: US09697896B2. Автор: Antonino Conte,Kailash Khairnar,Alberto Jose′ Di Martino. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Error correction for non-volatile memory

Номер патента: US09619320B2. Автор: Robert Mateescu,Yongjune Kim,Seung-Hwan Song,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Use of volatile memory as non-volatile memory

Номер патента: NZ742061A. Автор: Bryan Kelly,Mark Santaniello,Sriram Govindan,Anirudh Badam. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-09-24.

Non-volatile memory device with selection of error decoding level

Номер патента: EP4030434A1. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-20.

Memory systems comprising non-volatile memory devices

Номер патента: US20200233739A1. Автор: Hee-Tai Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Use of volatile memory as non-volatile memory

Номер патента: CA3003486C. Автор: Bryan Kelly,Mark Santaniello,Sriram Govindan,Anirudh Badam. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-01-16.

Unchangeable physical unclonable function in non-volatile memory

Номер патента: US11895236B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20240094914A1. Автор: Keisuke Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Unchangeable physical unclonable function in non-volatile memory

Номер патента: US20210167957A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Non-volatile memory compression for memory repair

Номер патента: US20230409435A1. Автор: Varun Singh,Devanathan Varadarajan,Ramakrishnan Venkatasubramanian. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Non-volatile Memory Device With Secure Read

Номер патента: US20190050602A1. Автор: Rotem Sela,Enosh Levi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Unchangeable physical unclonable function in non-volatile memory

Номер патента: US20240171384A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Non-volatile memory compression for memory repair

Номер патента: US20220197750A1. Автор: Varun Singh,Devanathan Varadarajan,Ramakrishnan Venkatasubramanian. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Non-volatile memory compression for memory repair

Номер патента: WO2022133166A1. Автор: Varun Singh,Devanathan Varadarajan,Ramarkrishnan VENKATASUBRAMANIAN. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-06-23.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: US12020762B2. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor Device and Method of Controlling Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20150261668A1. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: EP4409576A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Power architecture for non-volatile memory

Номер патента: US11763895B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Qisong Lin,Shuai Xu,Michele Piccardi,Jeremy Binfet. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Non-volatile memory device, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US20210272627A1. Автор: Kitaek LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Erroneous operation preventing circuit of non-volatile memory device

Номер патента: US20040264268A1. Автор: Katsumi Fukumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Restoring ECC syndrome in non-volatile memory devices

Номер патента: US09910729B1. Автор: Amit Shefi,Amichai GIVANT,Yoav Yogev,Ilan Bloom. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Orphan block management in non-volatile memory devices

Номер патента: US09811413B2. Автор: Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Yair Schwartz,Shai Ojalvo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Recording dwell time in a non-volatile memory system

Номер патента: US09684468B2. Автор: Timothy J. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for integrating non-volatile memory cells with static random access memory cells and logic transistors

Номер патента: US09653164B2. Автор: Cheong Min Hong,Laureen H. Parker. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Tamper-resistant non-volatile memory device

Номер патента: US09536581B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO,Satoru Ogasahara. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Non-volatile memory storage apparatus, memory controller and data storing method

Номер патента: US8416621B2. Автор: Hsiang-Hsiung Yu,Yu-Chung Shen,Yun-Chieh Chen,Ta-Chuan Wei. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Postage meter with a non-volatile memory security circuit

Номер патента: CA1247254A. Автор: Warren G. Hafner,Henry Stalzer,Peter C. Digiulio. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 1988-12-20.

Data storage device and non-volatile memory control method

Номер патента: US20240053928A1. Автор: Hsu-Ping Ou,Kuang-Ting TAI. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20190087103A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

On-chip temperature sensing with non-volatile memory elements

Номер патента: US20210164845A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20180203613A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

Data storage device and non-volatile memory control method

Номер патента: US20240053929A1. Автор: Chien-Hung Lee,Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US11989082B2. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Transfer of encoded data stored in non-volatile memory for decoding by a controller of a memory device

Номер патента: US20190034269A1. Автор: Pranav Kalavade,Ravi H. MOTWANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20200133509A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20210216217A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Spare block management in non-volatile memories

Номер патента: WO2010078540A4. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Alan David Bennett,Eugene Zilberman. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2010-10-14.

Spare block management in non-volatile memories

Номер патента: EP2374134A2. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Alan David Bennett,Eugene Zilberman. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-10-12.

Non-volatile memory

Номер патента: US09830991B2. Автор: Tzu-Neng Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Testing for threshold voltage and bit cell current of non-volatile memory arrays

Номер патента: US09691501B2. Автор: Daniel Robert Burggraf, III,Nelson Kei Leung,Trevor John Tarsi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor test system storing pin calibration data, commands and other data in non-volatile memory

Номер патента: WO2004063758A3. Автор: Robert Sauer,Rochit Rajsuman,Hiroki Yamoto. Владелец: Hiroki Yamoto. Дата публикации: 2004-12-02.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20180254084A1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Azeez Jennudin Bhavnagarwala,Robert Campbell Aitken. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-09-06.

Synchronous output buffer, particularly for non-volatile memories

Номер патента: US6424575B1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-23.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2018078349A1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Method and Apparatus for Storing Data in a Write-Once Non-Volatile Memory

Номер патента: US20090059684A1. Автор: Edward B. Harris. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2009-03-05.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US7859035B2. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Mostafa Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-28.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US09990992B2. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Azeez Jennudin Bhavnagarwala,Robert Campbell Aitken. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Health management of non-volatile memory

Номер патента: US09965345B2. Автор: Yi Chun Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Block erase schemes for cross-point non-volatile memory devices

Номер патента: US09928907B1. Автор: Jay Kumar,Won Ho Choi,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Using an FPGA for integration with low-latency, non-volatile memory

Номер патента: US09921757B1. Автор: Kevin Rowett. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Firehose Dump of SRAM Write Cache Data to Non-Volatile Memory Using a Supercap

Номер патента: US20120215971A1. Автор: Gregg S. Lucas,Craig A. Klein,Robert E. Medlin,Michael L. Harper,Mary A. J. Marquez. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-23.

Optical Disk Drive Including Non-Volatile Memory and Method of Operating the Same

Номер патента: US20110317531A1. Автор: Jeon-Taek Im,Sung-Kook Bang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP3799384A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-31.

Firehose dump of SRAM write cache data to non-volatile memory using a supercap

Номер патента: US8495321B2. Автор: Gregg S. Lucas,Craig A. Klein,Robert E. Medlin,Michael L. Harper,Mary A. J. Marquez. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Methods and systems of operating a neural circuit in a non-volatile memory based neural-array

Номер патента: US12136028B2. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-11-05.

Non-volatile memory with adapting erase process

Номер патента: US20240319905A1. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Sarath Puthenthermadam,Longju LIU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Redundant backup using non-volatile memory

Номер патента: US09921762B2. Автор: Jeffrey C. Solomon,Chi-She Chen,Jayesh Bhakta,Mike Hossein Amidi,Scott H. Milton. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Parallel use of integrated non-volatile memory and main volatile memory within a mobile device

Номер патента: WO2012003275A1. Автор: Christopher Kong Yee Chun. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Parallel use of integrated non-volatile memory and main volatile memory within a mobile device

Номер патента: EP2588963A1. Автор: Christopher Kong Yee Chun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-08.

Apparatus, method and computer program for managing memory page updates within non-volatile memory

Номер патента: US12039193B2. Автор: Colin Dean TEBBUTT,William David HUNTER. Владелец: Kigen UK Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

An apparatus, method and computer program for managing memory page updates within non-volatile memory

Номер патента: WO2020201672A1. Автор: Colin Dean TEBBUTT,William David HUNTER. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2020-10-08.

Memory controller and method for accessing a plurality of non-volatile memory arrays

Номер патента: US20120096215A1. Автор: Xingyu Li,Kevin K. Zhang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-04-19.

Updating non-volatile memory in a computer controlled device

Номер патента: EP4359917A1. Автор: Yoav SALARIOS,Tomer AYUN. Владелец: Red Bend Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Updating non-volatile memory in a computer controlled device

Номер патента: US20240289122A1. Автор: Yoav SALARIOS,Tomer AYUN. Владелец: Red Bend Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240302959A1. Автор: Shizuka SEKIGAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Storing non-volatile memory initialization failures

Номер патента: US12050779B2. Автор: QI Dong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Storing non-volatile memory initialization failures

Номер патента: US20240370183A1. Автор: QI Dong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values

Номер патента: US09870149B2. Автор: Steven Sprouse,Ryan Marlin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Systems and methods for load-balancing cache flushes to non-volatile memory

Номер патента: US20190236029A1. Автор: Stuart Allen Berke,Vadhiraj Sankaranarayanan,Wade Andrew Butcher. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2019-08-01.

Data storage device with hierarchical mapping information management, and non-volatile memory control method

Номер патента: US20210208798A1. Автор: Hsueh-Chun FU. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Non-volatile memory interface

Номер патента: US09910771B2. Автор: Blaise Fanning,Michael W. Williams,Robert J. Royer, Jr.,Eng Hun Ooi,Jeffrey R. Wilcox,Ritesh B. Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Reducing power consumption of volatile memory via use of non-volatile memory

Номер патента: US09891694B2. Автор: Ali Taha,Vipul Gandhi,Phani Babu Giddi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Storage device, method of operating storage device, and method of operating non-volatile memory

Номер патента: US20240231987A1. Автор: Sangwon Park,Jooyong PARK,Jaeha Park,Kyungduk Lee,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

An apparatus, method and computer program for managing memory page updates within non-volatile memory

Номер патента: GB2582638A. Автор: Dean Tebbutt Colin,David Hunter William. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Systems and methods to flush data in persistent memory region to non-volatile memory using auxiliary processor

Номер патента: US20240264941A1. Автор: Mallik Bulusu,Muhammad Ashfaq AHMED,Ravi Mysore Shantamurthy,Madhav Himanshubhai PANDYA,Tom Long Nguyen. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory apparatus and memory controller for accessing non-volatile memory

Номер патента: US20110113185A1. Автор: Kuo-Hua Yuan,Chao-Nan Chen. Владелец: Jmicron Tech Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Non-volatile memory storage for multi-channel memory system

Номер патента: US09996284B2. Автор: Hyun Lee. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Hybrid memory systems for autonomous non-volatile memory save and restore operations

Номер патента: US09817610B1. Автор: Aws Shallal,Dan Kunkel. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Crash recovery using non-volatile memory

Номер патента: US09558080B2. Автор: Pedro Celis,Dexter Paul Bradshaw. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Protecting cryptographic keys stored in non-volatile memory

Номер патента: EP3746901A1. Автор: Mark Evan MARSON,Michael A. Hamburg. Владелец: Cryptography Research Inc. Дата публикации: 2020-12-09.

Serving encrypted and plain data from a low latency non-volatile memory

Номер патента: US9069776B1. Автор: Emanuel Taropa. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2015-06-30.

Securing temporary data stored in non-volatile memory using volatile memory

Номер патента: WO2009006728A9. Автор: Laurence Hamid,Kris Pribadi. Владелец: Memory Experts Int Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Interface of non-volatile memory

Номер патента: RU2623801C1. Автор: Ритеш Б. ТРИВЕДИ,Инг Хун ООЙ,Мл. РОЙЕР Роберт Дж.,Майкл У. УИЛЬЯМС,Джеффри Р. УИЛКОКС,Блэйз ФАННИНГ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-06-29.

Methods and systems of operating a neural circuit in a non-volatile memory based neural-array

Номер патента: US20230082240A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-16.

Methods and systems of operating a neural circuit in a non-volatile memory based neural-array

Номер патента: US20230113231A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-13.

Imaging Device Including Wear Leveling for Non-Volatile Memory and Secure Erase of Data

Номер патента: US20150002900A1. Автор: Bryan Scott Willett,Howard Charles Cochran,Michael James Klein. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Physical memory region backup of a volatile memory to a non-volatile memory

Номер патента: WO2017039598A1. Автор: Melvin K. Benedict,Eric L. POPE. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-09.

Non-volatile memory and associated control method

Номер патента: US20240320138A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Ching-Yuan Lin,Tsung-Mu Lai,Chang-Chun Lung,Cheng-Yen Shen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Reducing read access latency by straddling pages across non-volatile memory channels

Номер патента: US09940034B2. Автор: Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Thomas Parnell,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Electronic device including non-volatile memory, and non-volatile memory management method thereof

Номер патента: EP4293520A1. Автор: Woojoong Lee,Jaewook KIM,Yeongjin GIL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-20.

Setting Durations for which Data is Stored in a Non-Volatile Memory based on Data Types

Номер патента: US20210334012A1. Автор: Steven E. Raasch,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US9766961B2. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Raid logical stripe backup to non-volatile memory in response to raid storage device media errors

Номер патента: US20160371161A1. Автор: Joaquin F. Pacheco,Timothy J. Louie,Ernest N. Mandese. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Setting Durations for which Data is Stored in a Non-Volatile Memory based on Data Types

Номер патента: US20210034252A1. Автор: Steven E. Raasch,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Non-volatile memory storage device and operation method thereof

Номер патента: US20100030933A1. Автор: Fuja Shone,Shih Chieh Tai,Chih Wei Tsai,Yung Li Ji,Chuang Cheng,Chih Cheng Tu. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Memory system and method for controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240319919A1. Автор: Shinichi Matsukawa,Yongbum Park. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Write suppression in non-volatile memory

Номер патента: US20190235767A1. Автор: Anand S. Ramalingam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Repairing compromised system data in a non-volatile memory

Номер патента: US09990255B2. Автор: Boris Balacheff,Jeffrey Kevin Jeansonne,Valiuddin Y Ali. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-06-05.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US09766961B2. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile memory data storage with low read amplification

Номер патента: US09710199B2. Автор: Thomas Mittelholzer,Charalampos Pozidis,Thomas Parnell,Ioannis Koltsidas,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Coordinating replication of data stored in a non-volatile memory-based system

Номер патента: US09678673B2. Автор: Douglas L. Voigt. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-06-13.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US09652311B2. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Monitoring of excessive write operations issued to a non-volatile memory

Номер патента: US09626114B2. Автор: Li Li,Ben-Heng Juang,Arun G. Mathias. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Raid logical stripe backup to non-volatile memory in response to raid storage device media errors

Номер патента: US09588857B2. Автор: Joaquin F. Pacheco,Timothy J. Louie,Ernest N. Mandese. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory control for power saving state based on determination of volatile memory or non-volatile memory

Номер патента: US09584693B2. Автор: Toshiaki Iizuka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Throttling command execution in non-volatile memory systems based on power usage

Номер патента: US09582211B2. Автор: Robert W. Ellis,James M. Higgins,Mark Dancho. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Backup operations from volatile to non-volatile memory

Номер патента: WO2019157044A1. Автор: Eric R. Fox,Gary R. Van Sickle. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2019-08-15.

Methods and systems for accessing host memory through non-volatile memory over fabric bridging with direct target access

Номер патента: US20200401551A1. Автор: Noam Mizrahi,Eitan Joshua,Dimitry Melts,Scott Furey. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for processing data in in-memory database using non-volatile memory and in-memory database

Номер патента: US10824563B2. Автор: Sang Hyun Park,Do Young Kim,Bernd BURGSTALLER,Won Gi CHOI. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2020-11-03.

Committing transaction without first flushing processor cache to non-volatile memory when connected to ups

Номер патента: US20170168937A1. Автор: John K. Langgood,Kevin Michael Reinberg,Kevin S. Vernon,Sumanta Kumar Bahali. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Volatile memory to non-volatile memory interface for power management

Номер патента: US20240248620A1. Автор: Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Data storage device and method providing non-volatile memory buffer for real-time primary non-volatile memory protection

Номер патента: US09857995B1. Автор: Li Dong,James N. Malina,Totok Sulistiomono Sujanto. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Committing transaction without first flushing processor cache to non-volatile memory when connected to UPS

Номер патента: US09772942B2. Автор: John K. Langgood,Kevin Michael Reinberg,Kevin S. Vernon,Sumanta Kumar Bahali. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Non-volatile memory sector rotation

Номер патента: US09588882B2. Автор: Zion S. Kwok,Scott E. Nelson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Non-volatile memory with intelligent compute task distribution

Номер патента: US11977915B2. Автор: Ramanathan Muthiah,Rakesh Balakrishnan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Non-volatile memory protections

Номер патента: US20210081117A1. Автор: Christopher H. Stewart,Wei Ze Liu,Rosilet Retonamoni Braduke. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-03-18.

Non-volatile memory device with usb and wireless connectivity and method for controlling the connectivity

Номер патента: EP2044756A1. Автор: Teng Pin Poo,Henry Tan. Владелец: Trek 2000 International Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.

Managing a transfer buffer for a non-volatile memory

Номер патента: WO2015099922A1. Автор: Knut S. Grimsrud,Anand S. Ramalingam,Jawad B. Khan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-07-02.

Data storage device and non-volatile memory control method

Номер патента: US20240289269A1. Автор: Yi-Kang Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-volatile memory system, memory card having the same, and operating method of non-volatile memory system

Номер патента: US10095303B2. Автор: Hwa-Seok Oh,Seok-Won Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-09.

Method of file system design and failure recovery with non-volatile memory

Номер патента: WO2015112094A3. Автор: CHENG Chen,Jun Yang,Qingsong WEI,Chundong Wang,Mingdi XUE. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2015-11-05.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US12099728B2. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Data storage system in a key-value storage architecture with data compression, and non-volatile memory control method

Номер патента: US20210303171A1. Автор: CHAO Chen,Ningzhong MIAO. Владелец: Shannon Systems Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Maintaining quality of service of non-volatile memory devices in heterogeneous environment

Номер патента: US12112074B2. Автор: Yaron Klein,Oded Ilan. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Enabling a secure boot from non-volatile memory

Номер патента: US09977902B2. Автор: Brent Ahlquist. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Shutdowns and data recovery to avoid read errors weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09921896B2. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Vibhor Patale. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Non-volatile memory systems utilizing storage address tables

Номер патента: US09870153B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Hybrid memory controller for arbitrating access to volatile and non-volatile memories in a hybrid memory group

Номер патента: US09830086B2. Автор: Mu-Tien Chang,Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Indong KIM,Sun Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory system with high speed non-volatile memory backup using pre-aged flash memory devices

Номер патента: US09747200B1. Автор: Rino Micheloni. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Hardware apparatuses and methods for distributed durable and atomic transactions in non-volatile memory

Номер патента: US09645939B2. Автор: Sanjay Kumar,Subramanya R. DULLOOR,Rajesh M Sankaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Caching unified extensible firmware interface (UEFI) and/or other firmware instructions in a non-volatile memory of an information handling system (IHS)

Номер патента: US09563439B2. Автор: Mukund P. Khatri,Dirie N. Herzi. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-02-07.

Management of a non-volatile memory module

Номер патента: US09501392B1. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Non-volatile memory devices and control methods therefor

Номер патента: US09483212B2. Автор: Kuan-Yu KE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Storage device including non-volatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240241642A1. Автор: Young-rok Oh,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Data storage optimization for non-volatile memory

Номер патента: US20170357573A1. Автор: Nicholas Alexander Allen. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Data storage optimization for non-volatile memory

Номер патента: US10552312B2. Автор: Nicholas Alexander Allen. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2020-02-04.

Scalable and configurable non-volatile memory module array

Номер патента: US20160259551A1. Автор: Zhan PING. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-08.

Data storage device and control method for non-volatile memory

Номер патента: US20200272561A1. Автор: Shih-Chang Chang,Jian-Yu Chen,Bo-Yan JHAN,Yuh-Jang LO. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Memory controller and system for storing blocks of data in non-volatile memory devices in a redundant manner

Номер патента: EP2638545A1. Автор: Siamak Arya. Владелец: Greenliant LLC. Дата публикации: 2013-09-18.

Non-volatile memory with secure erase

Номер патента: US20240338131A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Jiahui Yuan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

System and method for tracking block level mapping overhead in a non-volatile memory

Номер патента: US09921956B2. Автор: Nicholas James Thomas,Michael Anthony Moser,Oleg Kragel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Scalable and configurable non-volatile memory module array

Номер патента: US09841904B2. Автор: Zhan PING. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Data storage device and method for using secondary non-volatile memory for temporary metadata storage

Номер патента: US09836232B1. Автор: James N. Malina,Steven R. Vasquez. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Data storage optimization for non-volatile memory

Номер патента: US09811459B1. Автор: Nicholas Alexander Allen. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Systems and methods for downloading code and data into a secure non-volatile memory

Номер патента: US09653004B2. Автор: Nicolas Prawitz,Arnaud Boscher. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US20210216466A1. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-07-15.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US11294822B2. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-04-05.

Caching data from a non-volatile memory

Номер патента: US20170308478A1. Автор: Gergely KISS,Gábor Móricz,Man Cheung Joseph Yiu. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Non-volatile memory controller cache architecture with support for separation of data streams

Номер патента: US20190272232A1. Автор: Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Data self-destruction method and system based on non-volatile memory

Номер патента: US20210373793A1. Автор: Rui CAO,Wenjing Yang,Jiezhi Chen,Yuxin GONG. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2021-12-02.

System and Method for Providing a Programming Framework for Designing High-Performance Non-Volatile Memory Objects with High Usability

Номер патента: US20240160411A1. Автор: SeungMin JEON,Jeehoon Kang,Kyeongmin Cho. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-05-16.

Redundant system boot code in a secondary non-volatile memory

Номер патента: US09785596B2. Автор: Jeffrey Kevin Jeansonne,Richard H Hodge. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-10-10.

Converting volatile memory module devices to flashless non-volatile memory module devices

Номер патента: US09619329B2. Автор: Mudi M. FLUMAN,Yaacov Frank,Yehuda Shiran,Ronny Vatelmacher,Ofir Elizov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Robust index storage for non-volatile memory

Номер патента: US8316209B2. Автор: Wanmo Wong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-20.

Read writeable randomly accessible non-volatile memory modules

Номер патента: US20180121379A9. Автор: Kumar Ganapathy,Vijay Karamcheti,Kenneth Alan Okin,Rajesh Parekh. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-05-03.

Storing memory profile data of an application in non-volatile memory

Номер патента: US20190018610A1. Автор: Shridhar Prakash Joshi,Suprateeka R. Hegde. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-01-17.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US12093560B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-09-17.

Read writeable randomly accessible non-volatile memory modules

Номер патента: US09984012B2. Автор: Kumar Ganapathy,Vijay Karamcheti,Kenneth Alan Okin,Rajesh Parekh. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and system for compacting data in non-volatile memory

Номер патента: US09910773B2. Автор: Nicholas James Thomas. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Apparatus and method for accessing a non-volatile memory blade using multiple controllers in a non-volatile memory based storage device

Номер патента: US09645940B2. Автор: William Radke,Radoslav Danilak. Владелец: Skyera LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Systems and methods for support of non-volatile memory on a DDR memory channel

Номер патента: US09645746B2. Автор: Shawn J. Dube,Stuart Allen Berke. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-05-09.

Apparatuses for securing program code stored in a non-volatile memory

Номер патента: US09542113B2. Автор: Chen Chun HUANG,Kuo En HSU. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

호스트 메모리 버퍼(Host Memory Buffer)를 관리하기 위한 NVMe(Non-Volatile Memory　Express) 컨트롤러를 포함하는 솔리드 스테이트 저장 장치(solid state storage device), 이를 포함하는 시스템 및 호스트의 호스트 메모리 버퍼를 관리하는 방법

Номер патента: KR102683696B1. Автор: 벤카타라트남 님마가따,불리가들라 아마레시. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2024-07-09.

Hybrid use of non-volatile memory as storage device and cache

Номер патента: EP3871096A1. Автор: Purvi Shah,Georgiy REYNYA,Slava OKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-09-01.

Hybrid use of non-volatile memory as storage device and cache

Номер патента: WO2020086264A1. Автор: Purvi Shah,Georgiy REYNYA,Slava OKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-04-30.

Dynamic configuring of reliability and density of non-volatile memories

Номер патента: US20220043745A1. Автор: Yi He,Amichai GIVANT,Amir Rochman,Ori Tirosh. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-02-10.

Interrupt-responsive non-volatile memory system and method

Номер патента: WO2006138522A2. Автор: Stephane Lavastre,Kiernan Heffernan,Patrick Crowe. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2006-12-28.

Solver of partial differential equation based on non-volatile memory array and method of solving partial differential equation based on non-volatile memory array

Номер патента: US20240289415A1. Автор: Xiaoyan Liu,Peng Huang,Jinfeng Kang,Haozhang YANG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-29.

System and method for precision interleaving of data writes in a non-volatile memory

Номер патента: US09778855B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Data link between volatile memory and non-volatile memory

Номер патента: WO2020092625A1. Автор: Gil Golov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-07.

Decoding method, memory storage device and rewritable non-volatile memory module

Номер патента: US20150067446A1. Автор: Wei Lin,Yu-Hsiang Lin,Kuo-Hsin Lai,Kuo-Yi Cheng,Shao-Wei Yen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Apparatus and methods for direct co-processor access to prestored file system data in a non-volatile memory system

Номер патента: US20240220115A1. Автор: Paul Blinzer,David Livingstain Ziman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

High bandwidth non-volatile memory for ai inference system

Номер патента: US20240281142A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,I-Ting KUO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Making volatile isolation transactions failure-atomic in non-volatile memory

Номер патента: WO2017052845A1. Автор: Kshitij A. Doshi. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Non-volatile memory write mechanism

Номер патента: US09665496B2. Автор: Terry Ping-Chung Lee,Xinlai Yu. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-05-30.

Storing non-volatile memory initialization failures

Номер патента: US20230393757A1. Автор: QI Dong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US12019868B2. Автор: Shizuka SEKIGAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Cooperative interconnection and operation of a non-volatile memory card and an input-output card

Номер патента: WO2002019266A3. Автор: Robert C Miller,Yoram Cedar,Robert F Wallace,Wesley G Brewer,Leonard L Ott,Kevin J Mills,Michael L Gifford. Владелец: Socket Communications Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

Methods for providing anti-rollback protection of a firmware version in a device which has no internal non-volatile memory

Номер патента: US09910659B2. Автор: Jeremy R. O'Donoghue,Neeraj Bhatia,Srilekha KRISHNAMURTHY. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Reading and writing data at multiple, individual non-volatile memory portions in response to data transfer sent to single relative memory address

Номер патента: US09645765B2. Автор: Anantharaj Thalaimalai Vanaraj,Sainath Viswasarai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile memory serial number lock for electronic postage meter

Номер патента: CA1193728A. Автор: Edward C. Duwel,John H. Godenberg. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 1985-09-17.

Volatile/non-volatile memory device access provisioning system

Номер патента: US10146704B2. Автор: Jinsaku Masuyama,Ching-Lung Chao,Mukund Khatri. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-12-04.

Non-volatile memory array controller capable of controlling memory banks having variable bit widths

Номер патента: US5630099A. Автор: James R. Macdonald,Douglas D. Gephardt. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-05-13.

Non-volatile memory storage for multi-channel memory system

Номер патента: US11314422B2. Автор: Hyun Lee. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2022-04-26.

Image forming apparatus that performs writing into a non-volatile memory, and a method

Номер патента: US9619736B2. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method and apparatus for high speed cache flushing in a non-volatile memory

Номер патента: US20130024623A1. Автор: Robert Alan Reid. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Image forming apparatus that performs writing into a non-volatile memory, and a method

Номер патента: US20150213338A1. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Method and apparatus for integration of non-volatile memory

Номер патента: US20180349057A1. Автор: Paul Blinzer,Nima Osqueizadeh. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Hardware-Assisted Memory Disaggregation with Recovery from Network Failures Using Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220012139A1. Автор: Andreas Nowatzyk,Pratap Subrahmanyam,Isam Akkawi. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2022-01-13.

Method and system for ensuring failure atomicity in non-volatile memory

Номер патента: US11989090B2. Автор: Wei Tong,Dan Feng,Weilin Zhu,Jingning LIU,Xueliang Wei. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-05-21.

Method and device for programming non-volatile memory

Номер патента: US20180373584A1. Автор: Shih-Chang Huang,Kun-Tse Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Apparatus for connecting non-volatile memory locally to a gpu through a local switch

Номер патента: US20190243791A1. Автор: Nima Osqueizadeh. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2019-08-08.

Apparatus for connecting non-volatile memory locally to a gpu through a local switch

Номер патента: US20180181518A1. Автор: Nima Osqueizadeh. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2018-06-28.

Hardware-Assisted Memory Disaggregation with Recovery from Network Failures Using Non-Volatile Memory

Номер патента: US20230205649A1. Автор: Andreas Nowatzyk,Pratap Subrahmanyam,Isam Akkawi. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Multi-version concurrency control (MVCC) in non-volatile memory

Номер патента: AU2024205026A1. Автор: Wolfgang Lehner,Ismail Oukid,Daniel DOS SANTOS BOSSLE. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and apparatus for integration of non-volatile memory

Номер патента: US20180181341A1. Автор: Paul Blinzer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Performing an action by an electronic device using first and second partial secret keys and using volatile and non-volatile memory for storage of keys

Номер патента: SE545445C2. Автор: Martin Kaufmann,Frans Lundberg,Adam Augustyn. Владелец: ASSA ABLOY AB. Дата публикации: 2023-09-12.

Superblock size management in non-volatile memory devices

Номер патента: US12124719B2. Автор: Steven Wells,Neil Buxton. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Physical addressing schemes for non-volatile memory systems employing multi-die interleave schemes

Номер патента: US09983829B2. Автор: Narendhiran Chinnaanangur Ravimohan,Muralitharan Jayaraman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Wear leveling based on a swapping operation between sets of physical block addresses of a non-volatile memory

Номер патента: US09971685B2. Автор: Robert W. Faber,Jason A. Gayman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method and system for managing data in non-volatile memory

Номер патента: US09959071B2. Автор: Nicholas James Thomas,Joseph Meza. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Accelerated address indirection table lookup for wear-leveled non-volatile memory

Номер патента: US09952801B2. Автор: Jun Zhu,Raj K. Ramanujan,Mohamed Arafa,Woojong Han,Jordan A. Horwich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Performing telemetry, data gathering, and failure isolation using non-volatile memory

Номер патента: US09912474B2. Автор: Saurabh Gupta,Vincent J. Zimmer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods for early write termination with non-volatile memory

Номер патента: US09727112B1. Автор: Vijay Karamcheti,Ashwin Narasimha. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Adaptive compression data storing method for non-volatile memories and system using the same

Номер патента: US09720821B2. Автор: Ming-Yi Chu,Jui Hui HUNG. Владелец: Storart Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

System, apparatus, and method for anti-replay protection of data stored in a non-volatile memory device

Номер патента: US09690922B2. Автор: Mark Buer,Jaku Jose,Weiyang Zhou,Kunyan Liu. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Programming on-chip non-volatile memory in a secure processor using a sequence number

Номер патента: US09589154B2. Автор: John Princen,Pramila Srinivasan. Владелец: Acer Cloud Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

On-chip randomly self-programmable non-volatile memory architecture

Номер патента: WO1996021225A1. Автор: Richard J. Takahashi. Владелец: Vlsi Technology, Inc.. Дата публикации: 1996-07-11.

Methods and apparatus for use in sanitizing a network of non-volatile memory express devices

Номер патента: US20210318828A1. Автор: Markku Valtonen. Владелец: Blancco Technology Group IP Oy. Дата публикации: 2021-10-14.

Storing checkpoint data in non-volatile memory

Номер патента: WO2009134264A1. Автор: Alan Davis,Richard Kaufmann,Nidhi Aggarwal,Norman Jouppi. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2009-11-05.

System and method of backing up data from a volatile memory medium to a non-volatile memory medium

Номер патента: US20220027268A1. Автор: Kurtis Wayne Dorsey. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-01-27.

Zero read on trimmed blocks in a non-volatile memory system

Номер патента: WO2017058301A1. Автор: Vered Kelner,Gadi Vishne,Ravit KRAYF. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-06.

Non-volatile memory storage for multi-channel memory system

Номер патента: US20240020024A1. Автор: Hyun Lee. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory access system comprising volatile memory, non-volatile memory, processor, and programmable logic device and memory access method thereof

Номер патента: US11720260B2. Автор: Ching-Sheng Chuang. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Non-volatile memory system, mobile apparatus including the same, and method of operating the non-volatile memory system

Номер патента: US9645925B2. Автор: Byung-yo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Method and apparatus for writing data to a non-volatile memory

Номер патента: EP1514176A2. Автор: Fabrizio Camapanale. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-03-16.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: EP1438666A4. Автор: Daniel H Bax,Richard A Lary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-28.

Systems and methods to flush data in persistent memory region to non-volatile memory using auxiliary processor

Номер патента: US11983111B2. Автор: Mallik Bulusu,Muhammad Ashfaq AHMED,Ravi Mysore Shantamurthy,Madhav Himanshubhai PANDYA,Tom Long Nguyen. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Physical memory region backup of a volatile memory to a non-volatile memory

Номер патента: US20190026026A1. Автор: Melvin K Benedict,Eric L Pope. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-01-24.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP4283508A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-29.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: WO2003029992A1. Автор: Daniel H. Bax,Richard A. Lary. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2003-04-10.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: EP1438666A1. Автор: Daniel H. Bax,Richard A. Lary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-07-21.

Systems and methods to flush data in persistent memory region to non-volatile memory using auxiliary processor

Номер патента: EP4388421A1. Автор: Mallik Bulusu,Muhammad Ashfaq AHMED,Ravi Mysore Shantamurthy,Madhav Himanshubhai PANDYA,Tom Long Nguyen. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-06-26.

Managed non-volatile memory device with data verification

Номер патента: WO2024226631A1. Автор: Marco Redaelli,Daniela Ruggeri,Francesco Lupo,Fabrizio Fiorenza. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-31.

Operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240361946A1. Автор: Jaeyong Lee,Jihong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Managed non-volatile memory device with data verification

Номер патента: US20240354005A1. Автор: Marco Redaelli,Daniela Ruggeri,Francesco Lupo,Fabrizio Fiorenza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory server with read writeable non-volatile memory

Номер патента: US09983797B2. Автор: Ajith Kumar,Vijay Karamcheti,Shibabrata Mondal. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and apparatus for providing dual memory access to non-volatile memory

Номер патента: US9785545B2. Автор: Yiren Ronnie Huang. Владелец: Cnex Labs Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method and device for writing data in a wireless handheld communications device between volatile and non-volatile memories

Номер патента: CA2594226C. Автор: Rodney Bylsma,Jeff Lejeune,Rob Oliver,Mike Rybak. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2012-09-25.

Method and device for writing data in a wireless handheld communications device between volatile and non-volatile memories

Номер патента: EP1832131B1. Автор: Mike Research In Motion Limited RYBAK,Jeff Research In Motion Limited LEJEUNE,Rodney Research In Motion Limited BYLSMA,Rob Research In Motion Limited OLIVER. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2009-04-29.

Data storage devices, having scale-out devices to map and control groups on non-volatile memory devices

Номер патента: US20200050374A1. Автор: Chan Ho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Memory card with volatile and non volatile memory space having multiple usage model configurations

Номер патента: US20200334149A1. Автор: Raj K. Ramanujan,Mohamed Arafa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Memory card with volatile and non volatile memory space having multiple usage model configurations

Номер патента: US20190042420A1. Автор: Raj K. Ramanujan,Mohamed Arafa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Integrated circuit capable of switching between non-volatile memory-based and volatile memory-based processor execution

Номер патента: US20180341424A1. Автор: Venkateswara Rao MANDELA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Mirroring data in write caches of controller of non-volatile memory

Номер патента: GB2622350A. Автор: Pletka Roman,Papandreou Nikolaos,Pozidis Charalampos,Fisher Timothy,Ioannou Nikolas,STOICA RADU,Yanes Adalberto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-13.

Method for fetching data from a non-volatile memory in an integrated circuit and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20050166004A1. Автор: Fabrizio Campanale,Gijs Van Steenwijk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-28.

Method for fetching data from a non-volatile memory in an integrated circuit and corresponding integrated circuit

Номер патента: EP1502202A1. Автор: F. Philips Int.Property & Standards Gmbh CAMPANALE,G. Philips Int.Prop.& Standards Gmbh VAN STEENWIJK. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-02-02.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: US20030065893A1. Автор: Richard Lary,Daniel Bax. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Handling errors during device bootup from a non-volatile memory

Номер патента: EP2612241A1. Автор: Kenneth Herman,Daniel J. Post,Nir J. Wakrat,Matthew Byom. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2013-07-10.

Device and method for pre-programming of in-pixel non-volatile memory

Номер патента: WO2012020817A1. Автор: Michael P. Coulson,Sunay Shah,Benjamin J. Hadwen. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-02-16.

Non-volatile memory devices, systems including same and associated methods

Номер патента: WO2008115970A2. Автор: Frank J. Sepulveda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-09-25.

Accelerated non-volatile memory device inspection and forensics

Номер патента: EP4208787A1. Автор: Tyler Vrooman,Graham Schwinn,Greg Edvenson. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

Host based non-volatile memory clustering using network mapped storage

Номер патента: WO2016120084A1. Автор: Vijoy Pandey,Keshav Govind Kamble,Atul Tambe. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2016-08-04.

Non-volatile memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20210083006A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Adaptive internal table backup for non-volatile memory system

Номер патента: US20120331208A1. Автор: Robert C. Chang,Bahman Qawami,Farshid Sabet-Sharghi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-12-27.

Reactive power management for non-volatile memory controllers

Номер патента: US20190094938A1. Автор: Matthew Davidson,Eran Erez,Daniel Tuers,Yoav Weinberg,Reed P. Tidwell. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: EP4416646A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: EP4416583A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

Supporting invalidation commands for non-volatile memory

Номер патента: US09880770B2. Автор: Fan Zhang,Yu Cai,Taeil Um. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Programming non-volatile memory using a relaxed dwell time

Номер патента: US09690702B2. Автор: Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Andrew D. Walls. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Usb non-volatile memory system for an electronic engine controller

Номер патента: US20110138107A1. Автор: James A. Gosse,Kimberly K. Sendlein,Scott Beecher,Karin Averill Parker. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US20160117243A1. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US20160117242A1. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Repairing compromised system data in a non-volatile memory

Номер патента: EP2989547A1. Автор: Boris Balacheff,Valiuddin Y. Ali,Jeffrey Kevin Jeansonne. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2016-03-02.

Memory management in non-volatile memory

Номер патента: US11768762B2. Автор: Aleksandar Dragojevic,Tudor Alexandru DAVID. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-09-26.

Electronic device including non-volatile memory, and non-volatile memory management method thereof

Номер патента: US20230409471A1. Автор: Woojoong Lee,Jaewook KIM,Yeongjin GIL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Computing device, data transfer method between coprocessor and non-volatile memory, and computer-readable recording medium

Номер патента: US10303597B2. Автор: Myoungsoo Jung. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2019-05-28.

Computing device, data transfer method between coprocessor and non-volatile memory, and computer-readable recording medium

Номер патента: US20180300230A1. Автор: Myoungsoo Jung. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Computing device, data transfer method between coprocessor and non-volatile memory, and computer-readable recording medium

Номер патента: US10013342B2. Автор: Myoungsoo Jung. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2018-07-03.

Computing device, data transfer method between coprocessor and non-volatile memory, and computer-readable recording medium

Номер патента: US20170235671A1. Автор: Myoungsoo Jung. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Apparatus and method of detecting potential security violations of direct access non-volatile memory device

Номер патента: US20200327258A1. Автор: Ariel Navon,Shay Benisty,Alon Marcu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Method for processing data in in-memory database using non-volatile memory and in-memory database

Номер патента: US20190384708A1. Автор: Sang Hyun Park,Do Young Kim,Bernd BURGSTALLER,Won Gi CHOI. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2019-12-19.

Data storage device, non-volatile memory operating method, and method for executing operational commands to operate a data storage medium

Номер патента: US20200272330A1. Автор: Ming-Hung Chang,Shu-Lei CHEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Systems and methods for implementing persistent data structures on an asymmetric non-volatile memory architecture

Номер патента: US20210397524A1. Автор: KANG Chen,Teng MA,Mingxing Zhang,Yongwei Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-12-23.

Host-managed non-volatile memory

Номер патента: US09645739B2. Автор: Annie Foong,Dan J. WILLIAMS,Bryan E. Veal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Method and device for updating software executed from non-volatile memory

Номер патента: US09594551B2. Автор: Hugo John Martin Vincent,Milosch Meriac,James Crosby,Marcus CHANG. Владелец: ARM IP LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Wagering game machines with non-volatile memory

Номер патента: WO2009042089A1. Автор: Craig J. Sylla,Stephen A. Canterbury. Владелец: WMS Gaming Inc.. Дата публикации: 2009-04-02.

A portable computing device with a non-volatile memory drive

Номер патента: WO2004114101A3. Автор: Richard Colin Fitzgerald. Владелец: Richard Colin Fitzgerald. Дата публикации: 2005-03-24.

Maintaining qualiy of service of non-volatile memory devices in heterogeneous environment

Номер патента: US20230315344A1. Автор: Yaron Klein,Oded Ilan. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile memory die with latch-based multiply-accumulate components

Номер патента: US20230418600A1. Автор: Ramanathan Muthiah,Kirubakaran Periyannan,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Non-volatile memory system with compression and encryption of data

Номер патента: US9152554B2. Автор: Toru Uno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-06.

Techniques for preserving an expected lifespan of a non-volatile memory

Номер патента: EP3776165A1. Автор: Manoj K. Radhakrishnan,Bhaskar R. ADAVI,Kaiehu H. KAAHAAINA. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-02-17.

Non-Volatile Memory Updating Apparatus and Method

Номер патента: US20230244381A1. Автор: Ho-Chol Nam,Moon-Gyu CHOI. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Volatile memory to non-volatile memory interface for power management

Номер патента: US20220075536A1. Автор: Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Volatile memory to non-volatile memory interface for power management

Номер патента: US11960738B2. Автор: Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

A portable computing device with a non-volatile memory drive

Номер патента: EP1639469A2. Автор: Richard Colin Fitzgerald. Владелец: Symbian Software Ltd. Дата публикации: 2006-03-29.

A portable computing device with a non-volatile memory drive

Номер патента: WO2004114101A2. Автор: Richard Colin Fitzgerald. Владелец: Symbian Software Limited. Дата публикации: 2004-12-29.

Virtual mapping based off-chip non-volatile memory dynamic loading method and electronic apparatus

Номер патента: EP4089545A1. Автор: Qiang Zhang,Lihang Zhang,Yujing QIU. Владелец: Nanjing Semidrive Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-16.

Non-volatile memory die with latch-based multiply-accumulate components

Номер патента: US12032959B2. Автор: Ramanathan Muthiah,Kirubakaran Periyannan,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method and system for selecting provisioning information for mobile communication device from non-volatile memory

Номер патента: EP1540837A1. Автор: Clifton E. Scott,Scott Hackman. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2005-06-15.

Method and system for selecting provisioning information for mobile communication device from non-volatile memory

Номер патента: EP1540837A4. Автор: Scott Hackman,Clifton E Scott. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-11-19.

Method and system for selecting provisioning information for mobile communication device from non-volatile memory

Номер патента: NZ538215A. Автор: Scott Hackman,Clifton E Scott. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2006-09-29.

Non-volatile memory drive partitions within microcontrollers

Номер патента: US09857976B2. Автор: Thomas C. Long. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Multi-step programming of heat-sensitive non-volatile memory (NVM) in processor-based systems

Номер патента: US09753874B2. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Rashid Ahmed Akbar Attar,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Adam Edward NEWHAM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Single-gate non-volatile memory and operation method thereof

Номер патента: US20080173915A1. Автор: Ming-Tsang Yang,Hsin-Chang Lin,Wen-Chien Huang,Hao-Cheng Chang,Cheng-Ying Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Image sensor architecture employing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: US20070177042A1. Автор: FAN He,Carl Shurboff. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Read and write interface communications protocol for digital-to-analog signal converter with non-volatile memory

Номер патента: WO2009091806A3. Автор: Jonathan Jackson,John Austin,Philippe Gimmel,Thomas Youbok Lee,Tim Sherman,Yann Johner. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2009-09-24.

Read and write interface communications protocol for digital-to-analog signal converter with non-volatile memory

Номер патента: EP2232711A2. Автор: Jonathan Jackson,John Austin,Philippe Gimmel,Thomas Youbok Lee,Tim Sherman,Yann Johner. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2010-09-29.

Read and write interface communications protocol for digital-to-analog signal converter with non-volatile memory

Номер патента: WO2009091806A2. Автор: Jonathan Jackson,John Austin,Philippe Gimmel,Thomas Youbok Lee,Tim Sherman,Yann Johner. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2009-07-23.

Non-volatile memory device containing oxygen-scavenging material portions and method of making thereof

Номер патента: US09812505B2. Автор: Yukihiro Sakotsubo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Read and write interface communications protocol for digital-to-analog signal converter with non-volatile memory

Номер патента: EP2132877A2. Автор: Jonathan Jackson,John Austin,Thomas Youbok Lee,Yann Johner,Andrew Swaneck. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-16.

Read and write interface communications protocol for digital-to-analog signal converter with non-volatile memory

Номер патента: WO2008127988A2. Автор: Jonathan Jackson,John Austin,Thomas Youbok Lee,Yann Johner,Andrew Swaneck. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-23.

Active field semiconductor or optoelectronic device with non-volatile memory and method for manufacture of such device

Номер патента: RU2498461C2. Автор: ДИ ПАЙВА МАРТИНШ Родригу ФЕРРАН,ФОРТУНАТУ Элвира Мария КОРРЕЯ,ПЕРЕЙРА Луиш Мигел НУНИШ,БАРКИНЬЯ Педру Мигел КАНДИДУ,ОЛИВЕЙРА КОРРЕЯ Нуну Филипи ДИ. Владелец: Факулдади Ди Сиенсьяш И Текнология Да Универсидади Нова Ди Лижбуа. Дата публикации: 2013-11-10.

Non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: WO2024076297A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-11.

Management of volatile and non-volatile memory resources in digital communications terminals

Номер патента: WO2001031442A3. Автор: Robert Charles Booth,Donald Tavoletti,Thomas F Bates Iv. Владелец: Gen Instrument Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311299A1. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US20070247913A1. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-25.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US20060097308A1. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US7361554B2. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-22.

Method for improving erase saturation in non-volatile memory devices and devices obtained thereof

Номер патента: US20080185632A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Pieter Blomme,Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-08-07.

Non-volatile memory with flat cell structures and air gap isolation

Номер патента: US09698149B2. Автор: Yuan Zhang,James Kai,Henry Chien,Vinod Robert Purayath,George Matamis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Wide-Bandgap Semiconductor Bipolar Charge-Trapping Non-Volatile Memory with Single Insulating Layer and A Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20230050475A1. Автор: LI ZHANG,Tao Chen,Jing Chen,Zheyang ZHENG. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2023-02-16.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12089419B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Non-volatile memory with efficient signal routing

Номер патента: WO2023121705A1. Автор: Tuan Pham,Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Non-volatile memory with efficient signal routing

Номер патента: US11973044B2. Автор: Tuan Pham,Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Non-volatile memory device having schottky diode

Номер патента: US20240237356A9. Автор: Peiching Ling,Nanray Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Clock generator circuits with non-volatile memory for storing and/or feedback-controlling phase and frequency

Номер патента: WO2009026513A3. Автор: Brent Haukness,Jaeha Kim. Владелец: Jaeha Kim. Дата публикации: 2009-05-07.

Non-volatile memory compatible with logic devices and fabrication method thereof

Номер патента: US20040087096A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070102751A1. Автор: Sang-Bum Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Non-Volatile Memory Devices and Methods of Manufacturing Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20080296657A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee,Kyu-Charn Park,Sang-Wook Lim,Suk-kang Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-04.

Non-volatile memory device and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812641B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing non volatile memory device

Номер патента: US09704975B2. Автор: Kyung Ho Lee,Jeong Ho Cho,Doo Yeol Ryu. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20230255036A1. Автор: Daeseok Byeon,Beakhyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of forming non-volatile memory cell using sacrificial pillar spacers and non-volatile memory cell formed according to the method

Номер патента: WO2007059239A1. Автор: Krishna Parat,Steven R. Soss. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-05-24.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9691907B1. Автор: Shih-Chang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210265474A1. Автор: Chi-Cheng Huang,Chih-Hao Pan,Po-Hsuan CHEN,Kuo-Lung Li,Szu-Ping Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Embedded HKMG non-volatile memory

Номер патента: US09793286B2. Автор: Tzu-Yu Chen,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

3-dimensional (3D) non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09735203B2. Автор: Cheol Seong Hwang,Jun Yeong Seok. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-08-15.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691907B1. Автор: Shih-Chang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09691782B1. Автор: Bong-Soon Lim,Ki-tae Park,Chul-Jin Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile memory devices with vertically integrated capacitor electrodes

Номер патента: US09659954B2. Автор: Hyun-Suk Kim,Kee-jeong Rho,Joon-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Non-volatile memory

Номер патента: US20080017919A1. Автор: Yoshiyuki Kawazu. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-24.

Non-volatile memory capable of preventing antenna effect and fabrication thereof

Номер патента: US20040026732A1. Автор: Chien-Hung Liu,Tung-Cheng Kuo,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-12.

Structure and Method for Single Gate Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20190088666A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Huang-Wen Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Non-volatile memory structure and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20010005333A1. Автор: Federico Pio,Giovanna Libera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-06-28.

Non-volatile memory cell with charge storage layer in u-shaped groove

Номер патента: WO2009086433A3. Автор: Gary Bela Bronner. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2009-08-27.

Non-volatile memory having discrete isolation structure and sonos memory cell, method of operating the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140078832A1. Автор: Takao Akaogi,Yider Wu,Yi-Hsiu Chen,Hung-Hui Lai. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Non-volatile memory bit cells with non-rectangular floating gates

Номер патента: US20210159234A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Non-volatile memory and non-volatile memory cell having asymmetrical doped structure

Номер патента: US20080128793A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Semiconductor device with embedded non-volatile memory and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09761680B2. Автор: Dongdong Li,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-volatile memory device having vertical cell

Номер патента: US09721965B2. Автор: Jang-Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Contact for a non-volatile memory and method therefor

Номер патента: US09741602B2. Автор: Gong Chen,Linghui Wu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

HKMG high voltage CMOS for embedded non-volatile memory

Номер патента: US09659953B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Ya-Chen Kao,Yi Hsien Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Electronic counter with non-volatile memory

Номер патента: CA1119730A. Автор: Vincent G. Coppola,Edwin G. Grisgraber,John L. Lorenzo. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 1982-03-09.

Non-volatile memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240222275A1. Автор: Hyung Joon Kim,Sangsoo Lee,Eunhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory cell arrays with a sectioned active region

Номер патента: US20220028873A1. Автор: William Taylor,Oscar D. Restrepo,Edmund K. Banghart. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Non-volatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130328119A1. Автор: Chun-Lien Su,Shaw-Hung Ku,Chi-Pei Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Single poly non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11825650B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Su Jin Kim,In Chul Jung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Flexible non-volatile memory

Номер патента: US8673727B1. Автор: Po-Tsun Liu,Yang-Shun FAN. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-03-18.

Self-aligned non-volatile memory cell

Номер патента: US20020063278A1. Автор: Bohumil Lojek,Alan Renninger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Process for the manufacturing of an electrically programmable non-volatile memory device

Номер патента: US20010021555A1. Автор: Bruno Vajana,Carlo Cremonesi,Roberta Bottini,Giovanna Libera. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20070093023A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Floating gate non-volatile memory

Номер патента: US20050221553A1. Автор: Yutaka Hayashi,Sumitaka Goto,Shoji Nakanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-06.

Single poly non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240049463A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Su Jin Kim,In Chul Jung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Single poly non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230053444A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Su Jin Kim,In Chul Jung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Self-aligned non-volatile memory cell

Номер патента: WO2002045176B1. Автор: Bohumil Lojek,Alan L Renninger. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Self-aligned non-volatile memory cell

Номер патента: EP1340264A1. Автор: Bohumil Lojek,Alan L. Renninger. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2003-09-03.

Non-volatile memory unit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160204274A1. Автор: Chih-Ming Chen,Jung-Chang Lu,Der-Tsyr Fan. Владелец: XINNOVA TECHNOLOGY Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Non-volatile memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20070090449A1. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Byung-yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-26.

Non-volatile memory device with charge trapping layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20090108332A1. Автор: Ki Hong Lee,Jae Young Park,Moon Sig Joo,Ki Seon Park,Yong Top Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Non-Volatile Memory Cell and Layout Structure of Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20110073924A1. Автор: Hui-Fang Tsai,Hung-Lin Shih,Pei-Ching Yin,Bin Chen, JR.. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Methods of forming non-volatile memory

Номер патента: US8372707B2. Автор: Jun Zheng. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-02-12.

Non-volatile memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US10916664B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080151645A1. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Erasing method of non-volatile memory

Номер патента: US20090059679A1. Автор: Chih-Lung Hung. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Non-volatile memory

Номер патента: US20100006916A1. Автор: Jun Zheng. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-01-14.

Methods of forming non-volatile memory

Номер патента: US20110059605A1. Автор: Jun Zheng. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-03-10.

Split-gate non-volatile memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240276716A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory elements with a narrowed electrode

Номер патента: US20210320249A1. Автор: Eng Huat Toh,Lup San Leong,Juan Boon Tan,Kin Wai Tang,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Methods of forming non-volatile memory

Номер патента: US20130146963A1. Автор: Jun Zheng. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-06-13.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12127403B2. Автор: Chun-Hao Chen,Wei-Kuang Chung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Non-volatile memory devices with asymmetrical floating gates

Номер патента: US11901425B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09966465B1. Автор: Hong Liao,Chao Jiang,Chow-Yee Lim,Hock-Chun CHIN,Lan-Xiang Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Charge storage region in non-volatile memory

Номер патента: US09899410B1. Автор: Jun Wan,Hoon Cho,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Damascene non-volatile memory cells and methods for forming the same

Номер патента: US09666588B2. Автор: Hung-Che Liao,Hung-Yu Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Dram technology compatible non volatile memory cells

Номер патента: US20020024083A1. Автор: Wendell P. Noble,Eugene H. Cloud. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Non-volatile memory with capacitors using metal under signal line or above a device capacitor

Номер патента: US20200294909A1. Автор: Peter Rabkin,Venkatesh P. Ramachandra,Masaaki Higashitani,Mohan DUNGA,Luisa LIN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Non-volatile memory with capacitors using metal under signal line or above a device capacitor

Номер патента: US20200294910A1. Автор: Peter Rabkin,Venkatesh P. Ramachandra,Masaaki Higashitani,Mohan DUNGA,Luisa LIN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Logic drive with brain-like elasticity and integrality based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20200403617A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Non-volatile memory with capacitors using metal under signal line or above a device capacitor

Номер патента: US20200013714A1. Автор: Peter Rabkin,Venkatesh P. Ramachandra,Masaaki Higashitani,Mohan DUNGA,Luisa LIN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-01-09.

Image processing apparatus having function for performing sync processing to transfer and store data of cache memory to non-volatile memory in accordance with predetermined condition

Номер патента: US8237974B2. Автор: Hiroshi Ishii. Владелец: KONICA MINOLTA BUSINESS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2012-08-07.

Memory system, memory controller, and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240275408A1. Автор: Yuki Kondo,Kosuke Morinaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Dielectric barrier at non-volatile memory tile edge

Номер патента: US11069855B2. Автор: Farrell M. Good,Kevin L. Baker,Bhumika CHHABRA,Robert K. Grubbs,Ervin T. Hill,Jay S. BROWN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Logic drive with brain-like elasticity and integrality based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20220329244A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240224522A1. Автор: Ahreum Kim,Sunghoon Kim,Changyeon Yu,Pansuk Kwak,Jonghoon Park,Myunghun Lee,Homoon Shin,Juyoung YANG,Jungseok HWANG,Mookyu BAE,Sungun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Vertical non-volatile memory device

Номер патента: US20240243020A1. Автор: Sunyoung Lee,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Double-bit non-volatile memory structure and corresponding method of manufacture

Номер патента: US20020121657A1. Автор: Chin-Yang Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Double-bit non-volatile memory structure and corresponding method of manufacture

Номер патента: US20030022443A1. Автор: Chin-Yang Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Non-volatile memory device

Номер патента: US9773796B2. Автор: Jin-Kyu Kim,Chang Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for manufacturing electronic memory devices integrated in a semiconductor substrate including non-volatile memory matrix and associated circuitry

Номер патента: US20060148173A1. Автор: Luca Pividori. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-07-06.

Memory cell of charge-trapping non-volatile memory

Номер патента: US20230240075A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Tsung-Mu Lai,Chun-Hsiao Li,Cheng-Yen Shen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Non-volatile memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240324218A1. Автор: Seulye KIM,Sunggil Kim,Jehong OH,Moohyun Kim,Younghwan JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Embedded HKMG non-volatile memory

Номер патента: US09831262B2. Автор: Tzu-Yu Chen,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US09780195B2. Автор: Chun-Hung Chen,Chien-Lung Chu,Ta-Chien Chiu. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09773859B2. Автор: Haruhiko Koyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09773796B2. Автор: Jin-Kyu Kim,Chang Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Non-volatile memory technology compatible with 1T-RAM process

Номер патента: US6902975B2. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Non-volatile memory

Номер патента: US20200152646A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040135191A1. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-15.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6995421B2. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-07.

Non-volatile memory

Номер патента: WO2006059313A2. Автор: Karen Attenborough,Hans Boeve. Владелец: U.S. Philips Corporation. Дата публикации: 2006-06-08.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130105883A1. Автор: Kwon Hong,Ki-hong Lee,Moon-Sig Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

3-dimensional non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the device

Номер патента: US20130161724A1. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Process for forming an integrated circuit comprising non-volatile memory cells and side transistors of at least two different types, and corresponding ic

Номер патента: US20020000636A1. Автор: Carlo Riva,Cesare Clementi,Gabriella Ghidini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240304692A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Three dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US20240306398A1. Автор: Yukio Hayakawa,Yongseok Kim,Bongyong Lee,Minjun LEE,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Non-volatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761596B2. Автор: Yu-Ming Cheng. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Structure and Method for Single Gate Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20220367494A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Huang-Wen Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Read and write interface communications protocol for digital-to-analog signal converter with non-volatile memory

Номер патента: WO2008127988A3. Автор: Jonathan Jackson,John Austin,Thomas Youbok Lee,Yann Johner,Andrew Swaneck. Владелец: Andrew Swaneck. Дата публикации: 2008-12-04.

Non-volatile memory device having threshold switching resistor, memory array including the non-volatile memory device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090086527A1. Автор: Young-soo Park,Myoung-Jae Lee,Chang-burn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-02.

Non-volatile memory device and manufacturing process

Номер патента: US20070183201A1. Автор: Giuseppe Cina,Lorenzo Todaro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-08-09.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230005958A1. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150194332A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Il Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-09.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20190221578A1. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20170104001A1. Автор: Takayuki Okada,Takashi Ishida,Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20150357343A1. Автор: Takayuki Okada,Takashi Ishida,Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240251559A1. Автор: Takayuki Okada,Takashi Ishida,Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180026048A1. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Non-volatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20060205157A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Chia-Hua Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Peripheral circuits for low voltage programmable non-volatile memory

Номер патента: US20230397413A1. Автор: Devraj Rajagopal,Krishnanunni B. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240274682A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7067375B1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Chia-Hua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-27.

Vertical bit line non-volatile memory systems and methods of fabrication

Номер патента: US09853090B2. Автор: Michael Konevecki,Luke Zhang,Natalie Nguyen,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US09773803B2. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09583505B2. Автор: Takayuki Okada,Takashi Ishida,Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE MEMORY WITH OVONIC THRESHOLD SWITCH AND RESISTIVE MEMORY ELEMENT

Номер патента: US20120002461A1. Автор: Karpov Elijah I.,Spadini Gianpaolo Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Parallel Use of Integrated Non-Volatile Memory and Main Volatile Memory within a Mobile Device

Номер патента: US20120004011A1. Автор: CHUN Christopher Kong Yee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for concealed storage of confidential data in secure non-volatile memory and device therefor

Номер патента: RU2527758C2. Автор: Владимир Евгеньевич Мешков,Антон Валерьевич Семенов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2014-09-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.