Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Test structure in an integrated semiconductor

Номер патента: US20010022360A1
Опубликовано: 20-09-2001
Автор(ы): Frank Richter
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of producing semiconductor elements using a test structure

Номер патента: WO2004057672A1. Автор: Paul L. C. Simon,Aalt M. Van De Pol. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-08.

Circuit die with isolation test structure

Номер патента: US20230268237A1. Автор: Darrell Glenn Hill,Bruce McRae Green. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated test circuit and method for manufacturing an integrated test circuit

Номер патента: US20140209904A1. Автор: Marko Lemke,Stefan Tegen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-31.

Analysis module, integrated circuit, system and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20040064772A1. Автор: Yoav Weizman,Shai Shperber,Ezra Baruch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Chip testing structure and chip testing method

Номер патента: EP4407678A1. Автор: Xiaodi XUE. Владелец: Hygon Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Improved test structures and methods for inspecting and utilizing the same

Номер патента: WO2001080304A8. Автор: David J Walker,Neil Richardson,Robert Thomas Long,David L Adler,Kurt H Weiner,Akella V S Satya,Gustavo A Pinto,Lynda C Mantalas. Владелец: Lynda C Mantalas. Дата публикации: 2001-12-27.

Test structures and models for estimating the yield impact of dishing and/or voids

Номер патента: EP1430533A2. Автор: Dennis J. Ciplickas,Brian E. Stine,Yanwen Fei. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2004-06-23.

Semiconductor test structure and method for forming the same

Номер патента: US20190139841A1. Автор: Anthony K. Stamper,Patrick S. Spinney,Jeffrey C. Stamm. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Test structures and models for estimating the yield impact of dishing and/or voids

Номер патента: WO2003028412A3. Автор: Dennis J Ciplickas,Brian E Stine,Yanwen Fei. Владелец: Yanwen Fei. Дата публикации: 2003-11-13.

Integrated circuits with leakage current test structure

Номер патента: US20130048980A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Chung-Ying Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Leakage testing structure and leakage testing method

Номер патента: US20240319267A1. Автор: Zeyong CHEN,Zhengliang Zhou. Владелец: Cansemi Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Voltage contrast test structure

Номер патента: WO2004057649A3. Автор: Ariel Ben-Porath,Douglas Ray Hendricks. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-11-11.

Metrology test structures in test dies

Номер патента: US20140061641A1. Автор: Anthony K. Stamper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Test structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230369146A1. Автор: Chih Ting Yeh,Wen Han Hung,Yen-Ning CHEN,Mao-Chia WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Test structures for a wafer, and associated devices, systems, and methods

Номер патента: US20230298951A1. Автор: Amitava Majumdar,Tejaswi K. Indukuri,Stephen W. Russell,Rajesh Kamana,Marlon W. Hug,Radhakrishna Kotti,Ahmed N. Noemaun,Chase M. Hunter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor testing structure and method for forming same

Номер патента: US11984370B2. Автор: Xiangyu WANG,Haibo Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Monitoring the reduction in thickness as material is removed from a wafer composite and test structure for monitoring removal of material

Номер патента: US7598098B2. Автор: Ralf Lerner. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2009-10-06.

Integrated circuit test structure

Номер патента: CA1049155A. Автор: James H. Lee,Akella V.S. Satya,Bernd K.S. Lessmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-02-20.

Method and apparatus for bond-pad charging protection of transistor test structures

Номер патента: US09922892B2. Автор: Wallace W Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-20.

Test structure for monitoring liner oxidation

Номер патента: US09793185B2. Автор: Daxiang Wang,Juan Boon Tan,Shaoqiang Zhang,Wanbing YI,Kemao LIN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Test structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230268238A1. Автор: Ning Li,Xiangyu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Novel test structure for detecting bridging of DRAM capacitors

Номер патента: US20040153275A1. Автор: Chien-Jung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-08-05.

Improved test structures and methods for inspecting and utilizing the same

Номер патента: WO2001080304A3. Автор: David J Walker,Neil Richardson,Robert Thomas Long,David L Adler,Kurt H Weiner,Akella V S Satya,Gustavo A Pinto,Lynda C Mantalas. Владелец: Lynda C Mantalas. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor test structure and forming method therefor

Номер патента: EP4138126A1. Автор: Xiangyu WANG,Haibo Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-22.

Redundant chain test structure for precise contact/via fail rate measurement

Номер патента: WO2009090517A3. Автор: Dirk Kenneth De Vries. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-09-11.

Multi-state test structures and methods

Номер патента: US20020047724A1. Автор: Andrew Marshall,George Harris. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-04-25.

Electrical Test Structure for Devices Employing High-K Dielectrics or Metal Gates

Номер патента: US20130140564A1. Автор: Robert C. Lutz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Thin film material residual stress testing structure and method

Номер патента: US20180164164A1. Автор: Lei Wang,LU Zhang,Weihua Li,Zaifa Zhou. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-14.

Test structure for measuring a junction resistance in a DRAM memory cell array

Номер патента: US20040057292A1. Автор: Andreas Felber,Sibina Sukman,Valentin Rosskopf,Susanne Lachenmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-25.

Test structures for electrically detecting back end of the line failures and methods of making and using the same

Номер патента: US7622737B2. Автор: Mukta G. Farooq,Xiao H. Liu,Ian D. Melville. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Test structure to monitor the release step in a micromachining process

Номер патента: US20090243625A1. Автор: Flavio Pardo,Cristian Bolle. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Test structure for monitoring overetching of silicide during contact opening

Номер патента: US6087189A. Автор: Tiao-Yuan Huang. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2000-07-11.

Method for locating defects and measuring resistance in a test structure

Номер патента: US6509739B1. Автор: Martin L. Voogel,Leon Ly Nguyen,Narasimhan Vasudevan. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2003-01-21.

Test structure and test method

Номер патента: US20230266376A1. Автор: Zhongqin Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Test structure for use in metrology measurements of patterns

Номер патента: WO2016092506A1. Автор: Gilad Barak,Oded Cohen,Igor Turovets. Владелец: NOVA MEASURING INSTRUMENTS LTD.. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor testing structure and method for forming same

Номер патента: US20230008265A1. Автор: Xiangyu WANG,Haibo Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor Test Structure For Mosfet Noise Testing

Номер патента: US20150221568A1. Автор: XIAODONG He. Владелец: CSME TECHNOLOGIES FAB1 Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-06.

Test structure for electrical well-to-well overlay

Номер патента: US20040113147A1. Автор: Roy Colclaser,Guoqiao Tao. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-17.

Silicon-on-insulator ("SOI") transistor test structure for measuring body-effect

Номер патента: US20080185581A1. Автор: Qiang Chen,Jung-Suk Goo. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-08-07.

Through-substrate via test structure

Номер патента: US20230290695A1. Автор: Chun-Lin Lu. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method and apparatus for bond-pad charging protection of transistor test structures

Номер патента: US20160329258A1. Автор: Wallace W Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-10.

Static random access memory test structure

Номер патента: US20130094315A1. Автор: Oliver D. Patterson,Thomas A. Wallner,Shenzhi Yang,Jin Zheng Wallner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-18.

Test structure for charged particle beam inspection and method for fabricating the same

Номер патента: US20100102316A1. Автор: HONG Xiao. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2010-04-29.

Electrical test structure for devices employing high-k dielectrics or metal gates

Номер патента: US20140203280A1. Автор: Robert C. Lutz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Test structures for electrical linewidth measurement and processes for their formation

Номер патента: WO2003010797A3. Автор: Harry Levinson,Jongwook Kye. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Test structure for determining a doping region of an electrode connection between a trench capacitor and a selection transistor in a memory cell array

Номер патента: US20040061110A1. Автор: Andreas Felber,Valentin Rosskopf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-01.

Test structure for use in dynamic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230360979A1. Автор: Yu-Ting Lin,Chiang-Lin Shih,Hsueh-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Tsv test structure and tsv short test method

Номер патента: US20230290690A1. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Linewidth micro-bridge test structure

Номер патента: US5247262A. Автор: Richard Allen,Michael Cresswell,Loren Linholm. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 1993-09-21.

Test structure for determination of tsv depth

Номер патента: US20120175612A1. Автор: Ping-Chuan Wang,Hanyi Ding,Kai D. Feng,Zhijian Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Contact Test Structure and Method

Номер патента: US20150380329A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Test structure and test method thereof

Номер патента: US20240274479A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Lien-Jung Hung,Jing-Yi Lin,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Test structure and method of manufacturing structure including the same

Номер патента: US09831139B2. Автор: Shaofeng Ding,Jeong Hoon Ahn,Junjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor chips with seal rings and electronic test structures, semiconductor wafers including the semiconductor chips, and methods for fabricating the same

Номер патента: US09728474B1. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Juan Boon Tan,Mahesh BHATKAR,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for producing an integrated circuit package and apparatus produced thereby

Номер патента: US09853007B2. Автор: John Plasterer. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Test structure and test method thereof

Номер патента: US20230369143A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Lien-Jung Hung,Jing-Yi Lin,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Test structure and test method thereof

Номер патента: US11996338B2. Автор: Chih-Chuan Yang,Lien-Jung Hung,Jing-Yi Lin,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor Test Structures

Номер патента: US20130076385A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Chih-Jen WU,Chen-Ming Huang,An-Chun Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Separate probe and bond regions of an integrated circuit

Номер патента: US8115321B2. Автор: Anwar Ali,Kalyan Doddapaneni,Gokulnath Sulur,Wilson Leung,Tauman T Lau. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2012-02-14.

Method and apparatus for characterizing an integrated circuit manufacturing process

Номер патента: US20100005436A1. Автор: Wayne Clark,Mark Laird,Yiping Szu. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor structure having a test structure formed in a group III nitride layer

Номер патента: US09947600B2. Автор: Clemens Ostermaier,Bernhard Brunner,Franz Heider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of forming a temporary test structure for device fabrication

Номер патента: US09735071B2. Автор: Charles L. Arvin,Gary W. Maier,Brian Michael Erwin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Test structure, test structure formation and mask reuse in semiconductor processing

Номер патента: WO2009006175A3. Автор: Yung-Tin Chen,Paul Wai Kie Poon,Calvin K Li,En-Shing Chen. Владелец: En-Shing Chen. Дата публикации: 2009-03-12.

Method of forming a temporary test structure for device fabrication

Номер патента: US09899280B2. Автор: Charles L. Arvin,Gary W. Maier,Brian Michael Erwin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Test structure for electron beam inspection and method for defect determination using electron beam inspection

Номер патента: US09711326B1. Автор: Shih-Cheng Chen,Chung-Chih Hung,Yung-Teng Tsai,Kuan-Chun Lin,Chih-Chieh Chou,Chi-Hung Chan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Test structure macro for monitoring dimensions of deep trench isolation regions and local trench isolation regions

Номер патента: US20170033023A1. Автор: Hui Zang,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Electrical test structure, semiconductor structure and electrical test method

Номер патента: US11854915B2. Автор: Hai Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Electromigration test structure for Cu barrier integrity and blech effect evaluations

Номер патента: US09759766B2. Автор: Elbert E. Huang,Baozhen Li,Griselda Bonilla,Paul S. McLaughlin,Chao-Kun Hu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Test Structures for Post-Passivation Interconnect

Номер патента: US20140151698A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-05.

Test structure, substrate and method for manufacturing substrate

Номер патента: US11719966B2. Автор: Kaijun Liu,En-Tsung Cho. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Photolithography test structure

Номер патента: US5472774A. Автор: William C. Chapman,Derick J. Wristers,Howard S. Goad,James H. Hussey, Jr.,Michael A. Hillis. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1995-12-05.

Method for locating open circuit failure point of test structure

Номер патента: US11852674B2. Автор: Cheng Wu,Jinde Gao,Shuqing Duan. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Pid test structure and semiconductor test structure

Номер патента: US20210351090A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Test structures and metrology technique utilizing the test structures for measuring in patterned structures

Номер патента: US20170023357A1. Автор: Igor Turovets. Владелец: Nova Measuring Instruments Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor layout structure and semiconductor test structure

Номер патента: EP4283674A1. Автор: Ning Li,Xiangyu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Multilayer structure in an integrated circuit for damage prevention and detection and methods of creating the same

Номер патента: US20160218070A1. Автор: Carl Radens,Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Byoung Youp Kim,Yiheng XU,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-07-28.

Apparatus and method for test structure inspection

Номер патента: WO2007079477A3. Автор: Eugene T Bullock. Владелец: Eugene T Bullock. Дата публикации: 2007-08-30.

Substrate with cut semiconductor pieces having measurement test structures for semiconductor metrology

Номер патента: US11978679B2. Автор: Chen Dror. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Fabrication of a sacrificial interposer test structure

Номер патента: US10643910B2. Автор: Keishi Okamoto,Hiroyuki Mori. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-05.

Methods and apparatus for determining pad height for a wire-bonding operation in an integrated circuit

Номер патента: US20050067678A1. Автор: Vivian Ryan,Sean Lian,Debra Yencho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-31.

Latch-up testing structure for integrated circuit

Номер патента: EP4067917A1. Автор: Qi'an Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-05.

Testing structure for an integrated chip having a high-voltage device

Номер патента: US20230170249A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Chung-Jen Huang,Chia-Sheng Lin,Wen-Tuo Huang,Ya-Chi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for fabricating an integrated semiconductor circuit having a strongly polarizable dielectric or ferroelectric

Номер патента: US20020197743A1. Автор: Walter Hartner,Günther SCHINDLER,Volker Weinrich,Manfred Mört. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-26.

Floating gate test structure for embedded memory device

Номер патента: US12096629B2. Автор: Yong-Shiuan Tsair,Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Process for producing two differently doped adjacent regions in an integrated semiconductor

Номер патента: US20020132440A1. Автор: Josef Bock. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-19.

Memory array test structure and method of forming the same

Номер патента: US20240194234A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of making integrated semiconductor structure having an MOS and a capacitor device

Номер патента: US4290186A. Автор: Thomas Klein,Andrew G. Varadi,Charles E. Boettcher. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1981-09-22.

Test structure of integrated circuit

Номер патента: US20220375802A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Direct measurement test structures for measuring static random access memory static noise margin

Номер патента: US20200319243A1. Автор: Manuel F. Cabanas-Holmen,Ethan H. Cannon,Mark Yao. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-10-08.

3D stacked die testing structure

Номер патента: US12055586B1. Автор: Vivek Chickermane,Rajesh Khurana,Sagar Kumar. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Test structure of integrated circuit

Номер патента: US20220375805A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Floating gate test structure for embedded memory device

Номер патента: US20200381443A1. Автор: Yong-Shiuan Tsair,Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Contact area size determination between 3d structures in an integrated semiconductor sample

Номер патента: WO2021083551A8. Автор: Thomas Korb,Eugen Foca,Alex Buxbaum,Dmitry Klochkov,Amir Avishai,Keumsil Lee. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2022-05-05.

Integrated semiconductor device

Номер патента: US20110198728A1. Автор: David D. Marreiro,Sudhama C. Shastri,Ali Salih,Mingjiao Liu,Steven M. Etter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-18.

Integrated semiconductor device

Номер патента: US8188572B2. Автор: David D. Marreiro,Sudhama C. Shastri,Ali Salih,Mingjiao Liu,Steven M. Etter. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2012-05-29.

Semiconductor testing structures and semiconductor testing apparatus

Номер патента: US09823271B2. Автор: Nan Li,Lilung Lai,Ling Zhu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Integrated semiconductor circuits and methods of making integrated semiconductor circuits

Номер патента: US20070228459A1. Автор: Theodore Kamins. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2007-10-04.

Integrated semiconductor structure and method for making the same

Номер патента: US20240313088A1. Автор: Boting Liu,Shenghou LIU,Wenbi Cai,Xiguo SUN. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Mitigating wire capacitance in an integrated circuit

Номер патента: US9910951B2. Автор: James G. Ballard,Kiran Vedantam,Hsiangwen LIN. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Mitigating wire capacitance in an integrated circuit

Номер патента: US09910951B2. Автор: James G. Ballard,Kiran Vedantam,Hsiangwen LIN. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuit structures having conductive structures in fin isolation regions

Номер патента: US20230317731A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Marni NABORS,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Interposer Test Structures and Methods

Номер патента: US20190057912A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Shang-Yun Hou,Wei-Cheng Wu,Hsien-Pin Hu,Tzu-Yu Wang,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Isolation structures for an integrated circuit element and method of making same

Номер патента: WO2017052616A1. Автор: Uygar E. Avci,Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,David L. Kencke,Kerryann Foley. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Interposer test structures and methods

Номер патента: US10734295B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Shang-Yun Hou,Wei-Cheng Wu,Hsien-Pin Hu,Tzu-Yu Wang,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-04.

High resistivity substrate final resistance test structure

Номер патента: US20160161545A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Anthony K. Stamper,Eric D. Johnson,Richard A. Phelps,Ian A. MCCALLUM-COOK,Michael J. Zierak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Integrated semiconductor device having a level shifter

Номер патента: US09960156B2. Автор: Steffen Thiele,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Flat laminate, symmetrical test structures and method of use to gauge white bump sensitivity

Номер патента: US09899279B2. Автор: Timothy H. Daubenspeck,Virendra R. Jadhav,David L. Questad,William E. Bernier,Valerie A. Oberson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Electromigration test structures for void localization

Номер патента: US20190162775A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Monitoring copper corrosion in an integrated circuit device

Номер патента: US12130241B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Test structure and method for performing burn-in testing of a semiconductor product wafer

Номер патента: US5707881A. Автор: Thomas Francis Lum. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-01-13.

Misalignment test structure and method thereof

Номер патента: US7217581B2. Автор: Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Chin-Ling Huang,Tie-Jiang Wu,Bo-Ching Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Floating gate test structure for embedded memory device

Номер патента: US20230345717A1. Автор: Yong-Shiuan Tsair,Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Integrated semiconductor circuit with polarity reversal protection

Номер патента: US5349489A. Автор: Johannes B. J. Schelen. Владелец: Optische Industrie de Oude Delft NV. Дата публикации: 1994-09-20.

Integrated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8349698B2. Автор: Hironori Aoki,Eiichi Kikkawa. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Integrated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100244183A1. Автор: Hironori Aoki,Eiichi Kikkawa. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for fabricating an integrated semiconductor product

Номер патента: US20020064960A1. Автор: Joachim Hoepfner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-05-30.

Metrology test structure design and measurement scheme for measuring in patterned structures

Номер патента: IL250472B. Автор: . Владелец: Nova Measuring Instr Ltd. Дата публикации: 2020-11-30.

Semiconductor test structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230290696A1. Автор: Rui Ding. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Three-dimensional (3d) interconnect structures employing via layer conductive structures in via layers and related fabrication methods

Номер патента: EP4393012A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Three-dimensional (3D) interconnect structures employing via layer conductive structures in via layers and related fabrication methods

Номер патента: US12057394B2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Electrical test structure and method for monitoring deep trench impedance to substrate

Номер патента: US11119137B2. Автор: Thomas Edward Lillibridge,Neil L Gardner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-09-14.

Highly integrated semiconductor structure providing a diode-resistor circuit configuration

Номер патента: US4170017A. Автор: Wilfried Klein,Erich Klink,Volker Rudolph,Friedrich Wernicke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-10-02.

Three-dimensional (3d) interconnect structures employing via layer conductive structures in via layers and related fabrication methods

Номер патента: US20230061693A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

High-frequency oscillator for an integrated semiconductor circuit and the use thereof

Номер патента: US6909163B2. Автор: Heinz Pfizenmaier,Juergen Hasch. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2005-06-21.

Integrated semiconductor circuit comprising a transistor and a strip conductor

Номер патента: US20060049469A1. Автор: Joerg Vollrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-09.

Integrated semiconductor circuit comprising a transistor and a strip conductor

Номер патента: US7372095B2. Автор: Joerg Vollrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-13.

High-frequency oscillator for an integrated semiconductor circuit and the use thereof

Номер патента: US20040046234A1. Автор: Heinz Pfizenmaier,Juergen Hasch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Integrated semiconductor device

Номер патента: US12074093B2. Автор: Takahiro Sato,Manabu Yanagihara,Masahiro Hikita,Hiroto YAMAGIWA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory array test structure and method of forming the same

Номер патента: US11935624B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Integrated semiconductor device

Номер патента: GB1516922A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-07-05.

Method for fabricating isolated integrated semiconductor structures

Номер патента: EP2218100A1. Автор: Scott Blaster,Bahid El-Kareh,Horishi Yasuda. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2010-08-18.

Partial gate cut structures in an integrated circuit

Номер патента: US20230299135A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Saurabh MORARKA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method and apparatus providing optical input/output through the back side of an integrated circuit die

Номер патента: WO1999032910A1. Автор: Mario J. Paniccia,Valluri R. M. Rao. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1999-07-01.

Isolation module for use between power rails in an integrated circuit

Номер патента: US09729151B2. Автор: Srinivasan Rajagopalan,Alexander Levin,Fern Nee Tan,Sanjiv Soman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated semiconductor memory with a selection transistor formed at a web

Номер патента: US20040136227A1. Автор: Gerhard Enders,Andreas Spitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-15.

Tunable stressed polycrystalline silicon on dielectrics in an integrated circuit

Номер патента: US20080283927A1. Автор: Chandrasekhar Sarma,Matthias Hierlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-11-20.

Integrated semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09812442B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Circuit test structure and method of using

Номер патента: US20240094282A1. Автор: Ching-Fang Chen,Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and integrated semiconductor circuit device

Номер патента: US20090085162A1. Автор: Satoshi Suzuki,Kenji Sasaki,Atsushi Kurokawa,Isao Obu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Partial gate cut structures in an integrated circuit

Номер патента: EP4246564A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Saurabh MORARKA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Isolation epitaxial bi-layer for backside deep trench isolation structure in an image sensor

Номер патента: US12074186B2. Автор: Yu-Hung Cheng,Ching I Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method and apparatus for interconnect layout in an integrated circuit

Номер патента: WO2011093961A3. Автор: Michael J. Hart. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2011-11-17.

Isolation epitaxial bi-layer for backside deep trench isolation structure in an image sensor

Номер патента: US20240371902A1. Автор: Yu-Hung Cheng,Ching I Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Process for producing a contact on an active zone of an integrated circuit, for example produced on an SOI substrate, in particular an FDSOI substrate, and corresponding integrated circuit

Номер патента: US09922871B2. Автор: Emmanuel Petitprez. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-03-20.

Monolithic integrated semiconductor structure

Номер патента: CA2840897C. Автор: Bernadette Kunert. Владелец: NASP III/V GMBH. Дата публикации: 2019-06-11.

Quantum chip test structure and manufacturing method therefore, and quantum chip test method and manufacturing method

Номер патента: EP4227693A1. Автор: Yongjie Zhao. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Composite deep trench isolation structure in an image sensor

Номер патента: US12027554B2. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen,Tsun-Kai Tsao,Chih-Cheng Shih,Che Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Selective cooling of an integrated circuit for minimizing power loss

Номер патента: US20040041582A1. Автор: Siva Narendra,Vivek De,Ali Keshavarzi,Jaume Segura. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-04.

A method of determining the location of a defect in an integrated circuit and how to use this integrated circuit

Номер патента: EP1204122A3. Автор: Tapio Kuiri. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-02-02.

Latch-up test structure

Номер патента: US12119274B2. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of manufacturing stable, low resistance contacts in integrated semiconductor circuits

Номер патента: US4562640A. Автор: Dietrich Widmann,Reiner Sigusch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1986-01-07.

Quantum chip test structure and fabrication method therefor, and test method and fabrication method for quantum chip

Номер патента: US20230345843A1. Автор: Yongjie Zhao. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Hefei Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Manufacturing method for an integrated semiconductor structure and corresponding integrated semiconductor structure

Номер патента: US20070015325A1. Автор: Dongping Wu,Matthias Goldbach. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-01-18.

Thermal interface material, test structure and method of use

Номер патента: US20110267084A1. Автор: Brian M. ERWIN,John Lawson,David L. Gardell,James N. Humenik,Rajneesh Kumar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Quantum chip test structure and fabrication method therefor, and test method and fabrication method for quantum chip

Номер патента: US12016253B2. Автор: Yongjie Zhao. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Hefei Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for producing an integrated circuit, integrated circuit, x-ray detector and x-ray device

Номер патента: US10825729B2. Автор: Michael HOSEMANN,Kay Viehweger. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2020-11-03.

Integrated device comprising wires as vias in an encapsulation layer

Номер патента: EP3140855A1. Автор: Lizabeth Ann Keser,Steve Joseph Bezuk,Reynante Tamunan Alvarado. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-15.

Providing high precision resistance in an integrated circuit using a thin film resistor of controlled dimension

Номер патента: US7005361B2. Автор: Philipp Steinmann,Eric W. Beach,Siang Ping Kwok. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-28.

Method for producing an integrated circuit, integrated circuit, x-ray detector and x-ray device

Номер патента: US20190326172A1. Автор: Michael HOSEMANN,Kay Viehweger. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2019-10-24.

Prevention of premature breakdown of interline porous dielectrics in an integrated circuit

Номер патента: US9812399B2. Автор: Pascal Fornara,Christian Rivero,Jean-Philippe Escales. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-11-07.

Providing high precision resistance in an integrated circuit using a thin film resistor of controlled dimension

Номер патента: EP1411548A3. Автор: Eric W. Beach,Siang Ping Kwok,Philipp Steinmann (Nmi). Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-06-30.

Prevention of premature breakdown of interline porous dielectrics in an integrated circuit

Номер патента: US09812399B2. Автор: Pascal Fornara,Christian Rivero,Jean-Philippe Escales. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-11-07.

Techniques for integrating thermal via structures in integrated circuits

Номер патента: US09659835B1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sundeep Mandal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Circuit test structure and method of using

Номер патента: US11828790B2. Автор: Ching-Fang Chen,Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Wafer with test structure and method of dicing wafer

Номер патента: US20240170332A1. Автор: Kai-Kuang Ho,Chen-Hsiao Wang,Wei-Ren Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for farbricating field-effect transistors in integrated semiconductor circuits and integrated semiconductor circuit fabricated with a field-effect transistor of this type

Номер патента: US20020037639A1. Автор: Wolfgang Angermann,Andreas Bänisch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-28.

Engineering multiple threshold voltages in an integrated circuit

Номер патента: US20150214323A1. Автор: Vijay Narayanan,Martin Michael Frank,Catherine Anne Dubourdieu. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-30.

Conformal shield for blocking light in an integrated circuit package

Номер патента: WO2021076284A1. Автор: John Pavelka,David Patten. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2021-04-22.

Field-effect semiconductor device having pillar regions of different conductivity type arranged in an active area

Номер патента: US09947741B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Björn Fischer,Franz-Josef Niedernostheide,Markus Schmitt,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Joachim Weyers,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Method and system of merging memory cells into multi-bit registers in an integrated circuit layout

Номер патента: US09779197B1. Автор: Howard Shih Hao Chang,Kenneth David Wagner,Kanwaldeep Singh Chhokar,Redentor De La Merced,Yoo Ho Cho. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240014130A1. Автор: Lei Zhang,Jianping Zhang,Chunhua ZHOU,Kai Cao,Weigang YAO. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Interposer Test Structures and Methods

Номер патента: US20150380324A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Shang-Yun Hou,Wei-Cheng Wu,Hsien-Pin Hu,Tzu-Yu Wang,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Interposer Test Structures and Methods

Номер патента: US20170178983A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Shang-Yun Hou,Wei-Cheng Wu,Hsien-Pin Hu,Tzu-Yu Wang,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Interposer test structures and methods

Номер патента: US9589857B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Shang-Yun Hou,Wei-Cheng Wu,Hsien-Pin Hu,Tzu-Yu Wang,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Interposer test structures and methods

Номер патента: US10090213B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Shang-Yun Hou,Wei-Cheng Wu,Hsien-Pin Hu,Tzu-Yu Wang,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-02.

Flat laminate, symmetrical test structures and method of use to gauge white bump sensitivity

Номер патента: US20180082912A1. Автор: Timothy H. Daubenspeck,Virendra R. Jadhav,David L. Questad,William E. Bernier,Valerie A. Oberson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Interposer Test Structures and Methods

Номер патента: US20200350221A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Shang-Yun Hou,Wei-Cheng Wu,Hsien-Pin Hu,Tzu-Yu Wang,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Integrated semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11967521B2. Автор: Lei Zhang,Jianping Zhang,Chunhua ZHOU,Kai Cao,Weigang YAO. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Integrated semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11967519B2. Автор: Lei Zhang,Jianping Zhang,Chunhua ZHOU,Kai Cao,Weigang YAO. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor structure, test structure, manufacturing method and test method

Номер патента: US20230378064A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Xingsong SU,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated semiconductor chip with lateral thermal insulation

Номер патента: US20080006913A1. Автор: Matthias Stecher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2008-01-10.

Test structures for dielectric reliability evaluations

Номер патента: US20160372389A1. Автор: Baozhen Li,James H. Stathis,Barry P. Linder,Roger A. Dufresne,Ernest Y. Wu,David G. Brochu, JR.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Method and System for Improved Noise Isolation in an Electrostatic Discharge Protection Scheme

Номер патента: US20210398920A1. Автор: Michael A. Stockinger,Radu Mircea Secareanu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

A process of forming an electrode interconnection in an integrated multilayer thin-film electronic device

Номер патента: US20240237504A9. Автор: Doojin Vak,Hasitha Weerasinghe,Régine CHANTLER. Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 2024-07-11.

Circuit for and method of transmitting a signal in an integrated circuit device

Номер патента: EP3912269A1. Автор: Ramakrishna K. Tanikella,Sundeep Ram Gopal Agarwal. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Arrangement and method of arrangement of stacked dice in an integrated electronic device

Номер патента: WO2002084737A2. Автор: Joseph Fernandez,Anucha Phongsantichai,Ekgachai Kenganatanon,Anucha Suwanpanang. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2002-10-24.

Dual Die Integrated Circuit System in an Integrated Circuit Package with two Separate Supply Domains

Номер патента: US20240088112A1. Автор: Ingo Freund,Paolo Marozzi. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods of forming a metal silicide region in an integrated circuit

Номер патента: WO2013016341A3. Автор: Michael G. Ward,Igor V. Peidous. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-04-18.

Methods of forming a metal silicide region in an integrated circuit

Номер патента: US20130026617A1. Автор: Michael G. Ward,Igor V. Peidous. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Electrically alterable circuit for use in an integrated circuit device

Номер патента: WO2010114739A3. Автор: Mark E. Schlarmann. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2011-01-13.

Method and circuit for lowering standby current in an integrated circuit

Номер патента: US20020021163A1. Автор: H. Manning. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Barrier for liquid metal thermal interface material in an electronic device

Номер патента: US20240250054A1. Автор: Amit Kulkarni,David Haley,Yunseok Kim,Malcolm GUTENBURG. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

High speed element of an integrated circuit with a majority carrier junction having a large current capability

Номер патента: US4015283A. Автор: Yutaka Hayashi,Yasuo Tarui. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1977-03-29.

Method for changing an integrated circuit design

Номер патента: US11769764B2. Автор: Sven Trester. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for fabricating an integrated circuit with undercut etching

Номер патента: US6524917B2. Автор: Gerd Lichter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-02-25.

Substrate structure for an integrated circuit package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050012207A1. Автор: Jackson Hsieh,Jichen Wu. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2005-01-20.

Method for fabricating an integrated circuit

Номер патента: US20020182808A1. Автор: Gerd Lichter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-05.

Method and structure for non-single-polycrystalline capacitor in an integrated circuit

Номер патента: US20050202629A1. Автор: James Beasom,Donald Hemmenway,Dustin Woodbury,Robert Kinzig,Timothy Valade,Kitty Elshot. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2005-09-15.

Conformal shield for blocking light in an integrated circuit package

Номер патента: EP4046190A1. Автор: John Pavelka,David Patten. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-08-24.

An integrated device having plugged up pores in an island or a protuberance, and corresponding method

Номер патента: EP4435153A1. Автор: Florent Tanay,Florent LALLEMAND,Maxime LEMENAGER,Francois Le Cornec. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Method of manufacturing an integrated semiconductor substrate structure

Номер патента: US20110108850A1. Автор: Kai Cheng,Stefan Degroote. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2011-05-12.

Method for detecting the reliability of integrated semiconductor components at high temperatures

Номер патента: US20040140826A1. Автор: Jochen Hagen,Andreas Martin,Wilhelm Asam,Josef Fazekas,David Smeets. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-22.

Integrated semiconductor circuit arrangement

Номер патента: CA1070854A. Автор: Gerhard Krause. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-01-29.

Mounting method for an integrated semiconductor wafer device, and mounting device able to be used therefor

Номер патента: US20230096742A1. Автор: Norbert Ambrosius,Roman Ostholt,Rafael Santos. Владелец: LPKF Laser and Electronics AG. Дата публикации: 2023-03-30.

Thin film resistor (tfr) formed in an integrated circuit device using an oxide cap layer as a tfr etch hardmask

Номер патента: US20210273037A1. Автор: Paul Fest,Greg Dix,Jacob Williams,Josh KAUFMAN. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

System to minimize the temperature coefficient of resistance of passive resistors in an integrated circuit process flow

Номер патента: US20010000122A1. Автор: Greg Baldwin,Alwin Tsao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-04-05.

A semiconductor device including an integrated circuit housed in an array package having signal terminals arranged about centrally located power supply terminals

Номер патента: WO2001086721A2. Автор: Anthony Andric. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-11-15.

System and Method for a Transducer in an eWLB Package

Номер патента: US20190148253A1. Автор: Alfons Dehe,Dominic Maier,Stephan Pindl,Daniel Lugauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-16.

Integrated device having plugged up pores in an island or a protuberance, and corresponding method

Номер патента: US20240321946A1. Автор: Florent Tanay,Florent LALLEMAND,Francois Lecornec,Maxime LEMENAGER. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated semiconductor device

Номер патента: US09793259B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Apparatus for voltage detection in an integrated circuit

Номер патента: US09746501B1. Автор: Howard Shih Hao Chang. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Integrated semiconductor device having a thyristor

Номер патента: US5581096A. Автор: Uwe Guenther,Oliver Schatz,Adolf Kugelmann,Vinko Marolt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1996-12-03.

CMOS integrated semiconductor circuit

Номер патента: US5744996A. Автор: Helmut Schettler,Thomas Ludwig,Gunther KÖTZLE,Volker Kreuter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-04-28.

Integrated semiconductor circuit, method of cooling a microwave circuit area and method of producing an integrated semiconductor circuit

Номер патента: US20030034556A1. Автор: Michael Thiel,Klaus Voigtlaender. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-20.

Integrated word line contact structures in three-dimensional (3d) memory array

Номер патента: US20210143100A1. Автор: Abhinav Tripathi,Ebony Lynn Mays,Jessica Sevanne Kachian,Nanda Kumar Chakravarthi,Kwame Nkrumah Eason,Ralf Buengener. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Integrated word line contact structures in three-dimensional (3d) memory array

Номер патента: US20230402389A1. Автор: Abhinav Tripathi,Ebony Lynn Mays,Jessica Sevanne Kachian,Nanda Kumar Chakravarthi,Kwame Nkrumah Eason,Ralf Buengener. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Isolation structures for an integrated circuit element and method of making same

Номер патента: US20180226478A1. Автор: Uygar E. Avci,Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,David L. Kencke,Kerryann Foley. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Integrated circuit and method for fabricating an integrated circuit

Номер патента: US20040245618A1. Автор: Albrecht Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-09.

Method of forming a pattern for interconnection lines and associated continuity blocks in an integrated circuit

Номер патента: US20170278720A1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS,Byoung Youp Kim,Craig Michael CHILD, JR.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Method and apparatus for maintaining operational temperature of an integrated circuit

Номер патента: US20130062331A1. Автор: Toby Mark Padilla,Randall Dennis Bousfield,Martin Verwiebe,Ryan Neal Milbrandt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Process for fabricating an integrated circuit comprising a phase of forming trenches in a substrate and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20230238272A1. Автор: Abderrezak Marzaki,Franck Julien. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of fabricating a resistor and a capacitor electrode in an integrated circuit

Номер патента: US20010049175A1. Автор: Kuo-Liang Huang,I- Ho Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

An integrated circuit including a stressed dielectric layer with stable stress

Номер патента: SG175578A1. Автор: Huang Liu,Wei Lu,Shu Jeff,Goh Luona. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2011-11-28.

Method and apparatus for maintaining operational temperature of an integrated circuit

Номер патента: US09917028B2. Автор: Toby Mark Padilla,Randall Dennis Bousfield,Martin Verwiebe,Ryan Neal Milbrandt. Владелец: ASSA ABLOY AB. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of forming a pattern for interconnection lines and associated continuity blocks in an integrated circuit

Номер патента: US09818623B2. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS,Byoung Youp Kim,Craig Michael CHILD, JR.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated semiconductor light-emitting display array

Номер патента: CA1050644A. Автор: Magnus G. Craford,Paul T. Bailey. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1979-03-13.

Method for manufacturing semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US20200350420A1. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Method for manufacturing semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US11171223B2. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-09.

Process for etching trenches in an integrated optical device

Номер патента: US20120228260A1. Автор: Pietro Montanini,Marta Mottura,Ilaria Gelmi,Giovanna Germani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-09-13.

Multiplexing of digital signals at multiple supply voltages in an integrated circuit

Номер патента: WO2005027348A1. Автор: Christopher K. Chun. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-03-24.

Power transistor free from back gate bias effect and an integrated circuit device using the same

Номер патента: US5250833A. Автор: Toshio Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-10-05.

Method for producing two n-type buried layers in an integrated circuit

Номер патента: WO2018049336A1. Автор: Tony Phan,Billy Alan WOFFORD. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2018-03-15.

Circuit And An Integrated Circuit Including A Transistor And Another Component Coupled Thereto

Номер патента: US20170025405A1. Автор: Chun-Li Liu,Woochul Jeon,Joe Fulton. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Method and apparatus for fabricating self-aligned contacts in an integrated circuit

Номер патента: US20030203613A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Method and apparatus for fabricating self-aligned contacts in an integrated circuit

Номер патента: US6974968B2. Автор: Theodore W. Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-12-13.

Method and apparatus for fabricating self-aligned contacts in an integrated circuit

Номер патента: US20030100159A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Multiplexing of digital signals at multiple supply voltages in an integrated circuit

Номер патента: US20050052204A1. Автор: Christopher Chun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

Methods of forming a P-well in an integrated circuit device

Номер патента: US20060024927A1. Автор: Frank Thiel,Ranadeep Dutta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Circuit and an integrated circuit including a transistor and another component coupled thereto

Номер патента: US09754931B2. Автор: Chun-Li Liu,Woochul Jeon,Joe Fulton. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Thermopile test structure and methods employing same

Номер патента: US20170363477A1. Автор: Peter Hofmann,Kerst GRIESBACH,Monika REINHOLD. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-12-21.

Methods of packaging an integrated circuit and methods of forming an integrated circuit package

Номер патента: USRE42457E1. Автор: Dexin Liang,Lily Zhao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-06-14.

Method for identification of parasitic transistor devices in an integrated structure

Номер патента: US4817012A. Автор: Roberta Cali'. Владелец: SGS Microelettronica SpA. Дата публикации: 1989-03-28.

Integrated semiconductor memory device

Номер патента: US4156939A. Автор: Yoshihiro Takemae,Takeo Tatematsu,Tomio Nakano,Kiyoshi Miyasaka,Katsuhiko Kabashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1979-05-29.

Manufacturing method for an integrated semiconductor structure

Номер патента: US20070224810A1. Автор: Werner Graf. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-09-27.

Integrated semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US11276690B2. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-15.

Integrated semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20200335498A1. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Method for forming integrated semiconductor device with 2D material layer

Номер патента: US11935890B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Cheng-Yi Peng,Carlos H. Diaz,Ling-Yen Yeh,Meng-Hsuan Hsiao,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Integrated semiconductor device having isolation structure for reducing noise

Номер патента: US10074644B2. Автор: Jung Hwan Lee,Kyung Ho Lee,Hyun Chul Kim,In Chul Jung,Hee Baeg An. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-09-11.

Smart integrated semiconductor light emitting system including nitride based light emitting diodes (led) and application specific integrated circuits (asic)

Номер патента: WO2013078768A1. Автор: Trung Tri Doan,Chen-Fu Chu,Wen-Huang Liu,Yung Wei Chen,Tien Wei Tan. Владелец: SEMILEDS OPTOELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-06.

Structure for decreasing minimum feature size in an integrated circuit

Номер патента: US20110115042A1. Автор: Lee James Jacobson,André Paul Labonté. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Design layout method for metal lines of an integrated circuit

Номер патента: US20040043591A1. Автор: Philip Ireland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Method and apparatus for performing metalization in an integrated circuit process

Номер патента: US20080135974A1. Автор: Che Choi C. Leung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Apparatus and method to balance the parasitic capacitances between metal tracks on an integrated circuit chip

Номер патента: US20170222615A1. Автор: Ronald R. Gobbi. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Apparatus and method to balance the parasitic capacitances between metal tracks on an integrated circuit chip

Номер патента: US09966925B2. Автор: Ronald R. Gobbi. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming a fixed distribution of induced magnetic field in a magnetic structure formed in an integrated circuit, and an integrated circuit comprising a magnetic structure

Номер патента: RU2723233C1. Автор: Эрван Филипп Мари Гапиан,Евгений Викторович Данилкин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2020-06-09.

Test structure for monitoring process characteristics for forming embedded semiconductor alloys in drain/source regions

Номер патента: US8530894B2. Автор: Casey Scott,Andreas Gehring,Andy Wei,Anthony Mowry,Markus Lenski,Vassilios Papageorgiou. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-09-10.

Method and apparatus for providing noise suppression in an integrated circuit

Номер патента: US20030214348A1. Автор: Steven Voldman,Raminderpal Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Integrated circuit, attaching a die to a substrate in an integrated circuit package and method of adapting an attachment layer

Номер патента: WO2022164317A3. Автор: Sander Dorrestein. Владелец: Chip Integration Technology Centre. Дата публикации: 2022-10-27.

A ground-signal-ground (gsg) test structure

Номер патента: WO2005054878A1. Автор: David M. Szmyd. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS, N.V.. Дата публикации: 2005-06-16.

A ground-signal-ground (gsg) test structure

Номер патента: EP1692525A1. Автор: David M. Szmyd. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-08-23.

Integrated circuit and cell structure in the integrated circuit

Номер патента: US20190123062A1. Автор: Cheng-Jyi Chang,Chuan-Shian FU,Shao-Hwang SHER. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for forming an integrated circuit with high voltage and low voltage devices

Номер патента: US20070102759A1. Автор: Fu-Hsin Chen,You-Kuo Wu,Kuo-Ting Lee,Wen-Hua Huang,An-Ming Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.

In situ inductor structure in buildup power planes

Номер патента: US20230096368A1. Автор: Feras Eid,Thomas L. SOUNART,Henning Braunisch,Kaladhar Radhakrishnan,William J. Lambert,Aleksandar Aleksov,Adel Elsherbini,Johanna Swan,Krishna Bharath,Beomseok CHOI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Top electrode for device structures in interconnect

Номер патента: US09780302B2. Автор: Wen-Chun YOU,Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Circuit arrangement including an integrated current injecotr

Номер патента: GB1425527A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1976-02-18.

Integrated semiconductor circuit having scan flip-flops at predetermined intervals and testing method thereof

Номер патента: US5680406A. Автор: Yoshiyuki Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-10-21.

Method for manufacturing an integrated semiconductor circuit having multi-layer aluminum or aluminum alloy wiring

Номер патента: CA1216964A. Автор: Ulrich Schwabe,Franz Neppl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1987-01-20.

Circuit arrangement comprising an integrated semiconductor circuit

Номер патента: CA1183279A. Автор: Cord H. Kohsiek. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1985-02-26.

Integrated semiconductor circuit including a tantalum silicide diffusion barrier

Номер патента: US4680612A. Автор: Franz Neppl,Konrad Hieber,Konrad Schober. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1987-07-14.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a Schottky diode

Номер патента: US8043910B2. Автор: Berinder P. S. Brar. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2011-10-25.

Three-dimensional (3d) interconnect structures employing via layer conductive structures in via layers and related fabrication methods

Номер патента: WO2023028402A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-03-02.

Arrangement and method in a telecommunication system for optical voltage multiplicationing in an integrated circuit

Номер патента: WO1996027211A1. Автор: Evald Koitsalu. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 1996-09-06.

Composite gate structure in an integrated circuit

Номер патента: US20070111425A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Liang-Kai Han,I-Lu Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Method and System for Matching Networks Embedded in an Integrated Circuit Package

Номер патента: US20120105168A1. Автор: Ahmadreza Rofougaran,Maryam Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Test structure for inline detection of interlayer metal defects

Номер патента: US20200027801A1. Автор: Samit Sengupta,Fadoua CHAFIK. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Integrated semiconductor circuit device, process of manufacturing the same, IC module and IC card

Номер патента: US20020105046A1. Автор: Hironori Matsumoto,Toshinori Ohmi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20070051981A1. Автор: Berinder Brar. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2007-03-08.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20080157122A1. Автор: Berinder P.S. BRAR. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2008-07-03.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20100240187A1. Автор: Berinder P.S. BRAR. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2010-09-23.

Integrated semiconductor memory

Номер патента: US20070211509A1. Автор: Joerg Vollrath. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-09-13.

Integrated semiconductor temperature detection apparatus and method

Номер патента: WO2007047013A2. Автор: Dale R. Anderson,Richard S. Bickham. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2007-04-26.

Integrated semiconductor temperature detection apparatus and method

Номер патента: WO2007047013A3. Автор: Dale R Anderson,Richard S Bickham. Владелец: Richard S Bickham. Дата публикации: 2009-04-30.

Integrated semiconductor circuit having a multiplicity of memory cells

Номер патента: US6967370B2. Автор: Joerg Vollrath,Stephan Schroder,Tobias Hartner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-11-22.

Method for Forming Contact in an Integrated Circuit

Номер патента: US20130072014A1. Автор: Paul R. Besser. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-03-21.

Integrated semiconductor packaging system with enhanced dielectric-to-dielectric bonding quality

Номер патента: US20240055389A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Multi-orientation integrated cell, in particular input/output cell of an integrated circuit

Номер патента: US09735772B2. Автор: Emmanuel Josse,Alexandre Dray. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of fabricating a shallow-trench isolation structure in integrated circuit

Номер патента: US5960299A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Tri-Rung Yew. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Methods for forming interconnection structures in an integrated cluster system for semicondcutor applications

Номер патента: WO2015138056A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Mehul B. Naik,He REN,Takehito KOSHIZAWA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-09-17.

Voltage regulation integrated circuit (ic) with circuit components in an integrated three-dimensional (3d) inductor core and related methods of fabrication

Номер патента: WO2021173817A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Jonghae Kim,Evgeni Gousev,Milind Shah,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-09-02.

Integrated Circuit with an Active Area Line Having at Least One Form-Supporting Element and Corresponding Method of Making an Integrated Circuit

Номер патента: US20100019345A1. Автор: Josef Willer,Michael Specht,Doris Keitel-Schulz,Christoph Friederich. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2010-01-28.

Three-dimensional integration of dies in an integrated circuit device

Номер патента: US20240079335A1. Автор: Gang Duan,Srinivas V. Pietambaram,Suddhasattwa NAD,Jeremy D. Ecton,Brandon Christian Marin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Voltage regulation integrated circuit (ic) with circuit components in an integrated three-dimensional (3d) inductor core and related methods of fabrication

Номер патента: US20210271275A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Jonghae Kim,Evgeni Gousev,Milind Shah,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Systems and methods for integrating power and thermal management in an integrated circuit

Номер патента: US20190041923A1. Автор: Sean R. Atsatt,Scott J. Weber,Ravi Prakash Gutala,Aravind Raghavendra Dasu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Voltage regulation integrated circuit (ic) with circuit components in an integrated three-dimensional (3d) inductor core and related methods of fabrication

Номер патента: EP4111497A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Jonghae Kim,Evgeni Gousev,Milind Shah,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

Techniques for facilitating identification updates in an integrated circuit

Номер патента: US20060220013A1. Автор: Steven Bachman,Lynn Edwards. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-10-05.

Integrated circuit with an active area line having at least one form-supporting element and corresponding method of making an integrated circuit

Номер патента: US7868415B2. Автор: Josef Willer,Michael Specht,Doris Keitel-Schulz,Christoph Friederich. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-01-11.

Methods and Apparatus for Wire Bonding with Wire Length Adjustment in an Integrated Circuit

Номер патента: US20080283578A1. Автор: Joseph Michael Freund,John Wayne Bowen,John Mckenna Brennan,Timothy Brooks Bambridge. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-11-20.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and an integrated circuit comprising an ESD protection device, ESD protection devices and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09825020B2. Автор: Patrice Besse,Alexis Huot-Marchand,Alain SALLES,Jean-Philippe Laine. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and an integrated circuit comprising an ESD protection device, ESD protection devices and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09620495B2. Автор: Patrice Besse,Alexis Huot-Marchand,Alain SALLES,Jean-Philippe Laine. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated semiconductor circuit

Номер патента: GB1320884A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1973-06-20.

System and method for improving solder joint reliability in an integrated circuit package

Номер патента: EP1548824A2. Автор: Anthony M. Chiu,Tong Yan Tee. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2005-06-29.

Method of forming submicron contacts and vias in an integrated circuit

Номер патента: US6033980A. Автор: Fu-Tai Liou,Mehdi Zamanian. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-03-07.

Method for packaging an integrated circuit (IC) package with embedded heat spreader in a redistribution layer (RDL)

Номер патента: US11929300B2. Автор: Deep C. Dumka,Christo Bojkov,Kevin J. Anderson,Tarak A. Railkar,Andrew Arthur Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Latch-up test structure

Номер патента: US20230041116A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: WO2001056076A8. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K Yeh. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-02-14.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: EP1175699A1. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K. Yeh. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-01-30.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: WO2001056076A1. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K. Yeh. Владелец: Philips Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2001-08-02.

Test structure for a single-sided buried strap DRAM memory cell array

Номер патента: US20050051765A1. Автор: Andreas Felber,Valentin Rosskopf,Susanne Lachenmann,Sibina Sukman-Prahofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-10.

Method and apparatus for interconnect layout in an integrated circuit

Номер патента: EP2529325A2. Автор: Michael J. Hart. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2012-12-05.

Method and apparatus for interconnect layout in an integrated circuit

Номер патента: WO2011093961A2. Автор: Michael J. Hart. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2011-08-04.

Backside stacked die in an integrated circuit (ic) package

Номер патента: WO2017015542A1. Автор: Fernando Chen,Hazel Caballero. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-01-26.

Em and rf mitigation silicon structures in stacked die microprocessors for die to platform and die-die rf noise suppression

Номер патента: US20210398944A1. Автор: Amit Jain,Sameer Shekhar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Package structure of an integrated circuit

Номер патента: US20020096747A1. Автор: Kuang Fan,Yung Chiu,Fu Huang,C. Chen,Mon Ho,C. Cheng,Nai Yeh. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

EM and RF mitigation silicon structures in stacked die microprocessors for die to platform and die-die RF noise suppression

Номер патента: US12057433B2. Автор: Amit Jain,Sameer Shekhar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Em and rf mitigation silicon structures in stacked die microprocessors for die to platform and die-die rf noise suppression

Номер патента: US20240355778A1. Автор: Amit Jain,Sameer Shekhar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for interconnecting conducting layers of an integrated circuit device

Номер патента: US4605470A. Автор: Peter S. Gwozdz,Hubert M. Bath. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1986-08-12.

Semiconductor device including binding agent adhering an integrated circuit device to an interposer

Номер патента: US11929345B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chun Hui Yu,Kuo-Chung Yee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Methods for Avoiding Parasitic Capacitance in an Integrated Circuit Package

Номер патента: US20120021599A1. Автор: Michael Jenkins,Jeffrey Hall,Shawn Nikoukary,Amar Amin. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Integrated capacitors in an integrated circuit

Номер патента: US20220173136A1. Автор: Pascal Kamel Abouda,Evgueniy Nikolov Stefanov. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Integrated device comprising wires as vias in an encapsulation layer

Номер патента: WO2015171299A1. Автор: Lizabeth Ann Keser,Steve Joseph Bezuk,Reynante Tamunan Alvarado. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-12.

Method and apparatus for encoding information in an ic package

Номер патента: EP1240668A1. Автор: John W. Horigan,Larry L. Moresco. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-09-18.

Method and apparatus for encoding information in an ic package

Номер патента: WO2001047016A9. Автор: Larry L Moresco,John W Horigan. Владелец: John W Horigan. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for creating a selective solder seal interface for an integrated circuit cooling system

Номер патента: EP2994936A1. Автор: David H. Altman,William J. Davis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-03-16.

Integrated optical sensor and method of producing an integrated optical sensor

Номер патента: US20180337291A1. Автор: Hubert Enichlmair. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2018-11-22.

Method of wire bonding an integrated circuit die and a printed circuit board

Номер патента: US20100133323A1. Автор: Kia Silverbrook,Kiangkai Tankongchumruskul,Laval Chung-Long-Shan. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Shield structure in electronic device and operation method thereof

Номер патента: US20230209700A1. Автор: Woosung CHOI,Jonghyuk Kim,Sangdeok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

System and method using self-assembled nano structures in the design and fabrication of an integrated circuit micro-cooler

Номер патента: EP1658634A2. Автор: Carlos Dangelo. Владелец: Nanoconduction Inc. Дата публикации: 2006-05-24.

Method of and device for determining the distance between an integrated circuit and a substrate

Номер патента: EP2225532A1. Автор: Martin Weinberger,Christian Zenz,Dietmar Nessmann,Shafqat Hussain. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

Semiconductor device and method of fabricating an electrically insulating structure in a trench

Номер патента: EP4411822A1. Автор: Ingmar Neumann,Oliver Blank,Heimo Hofer,Christof Altstätter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-07.

Thermally conductive material in the recess of an encapsulant and sidewall of an integrated circuit device

Номер патента: US11756802B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Li-Hui Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and method of fabricating an electrically insulating structure in a trench

Номер патента: US20240266392A1. Автор: Ingmar Neumann,Oliver Blank,Heimo Hofer,Christof Altstätter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for producing a dielectric layer in an electroacoustic component, and electroacoustic component

Номер патента: US20110175487A1. Автор: Jürgen LEIB,Simon Maus,Ulli Hansen. Владелец: MSG LITHOGLAS AG. Дата публикации: 2011-07-21.

Transparent Force Sensitive Structures in an Electronic Device

Номер патента: US20170090638A1. Автор: John Stephen Smith,James E. Pedder,Michael Vosgueritchian,Xiaonan Wen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-03-30.

Method for attaching an integrated circuit chip to a substrate and an integrated circuit chip useful therein

Номер патента: US20010000495A1. Автор: James Lau,Geoffrey Pilkington. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2001-04-26.

Copper interconnect for an integrated circuit and methods for its fabrication

Номер патента: US20020090804A1. Автор: Allen Mcteer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Transparent force sensitive structures in an electronic device

Номер патента: US09886118B2. Автор: John Stephen Smith,James E. Pedder,Michael Vosgueritchian,Xiaonan Wen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Inductor heat dissipation in an integrated circuit

Номер патента: US09799720B2. Автор: Yan Zhang,Jeffrey P. Gambino,Qizhi Liu,Zhenzhen Ye. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for preventing electrostatic discharge failure in an integrated circuit package

Номер патента: US5712753A. Автор: Ta-Lee Yu,Yang-Sen Yeh,Kow-Liang Wen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-01-27.

Method of forming an integrated circuit region through the combination of ion implantation and diffusion steps

Номер патента: CA1082373A. Автор: Joseph Regh,Conrad A. Barile,Robert M. Brill,John L. Forneris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Interdigitated leads-over-chip lead frame for supporting an integrated circuit die

Номер патента: US6052289A. Автор: Jerry M. Brooks,Aaron Schoenfeld. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-04-18.

Method for manufacture of an integrated mos semiconductor array

Номер патента: US5094983A. Автор: Josef Furthaler,Friedemann Gschwend,Manfred Ohagen,Peter Tomaszewski. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1992-03-10.

Device for determining the mask version utilized for each metal layer of an integrated circuit

Номер патента: US20040143805A1. Автор: Arnaud Deleule. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-07-22.

Method for detecting a differential fault analysis attack and a thinning of the substrate in an integrated circuit, and associated integrated circuit

Номер патента: US11942440B2. Автор: Alexandre Sarafianos,Abderrezak Marzaki. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-03-26.

Deep trench capacitors in an inter-layer medium on an interconnect layer of an integrated circuit die and related methods

Номер патента: WO2022246351A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Giridhar Nallapati,Periannan Chidambaram,Jihong Choi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-11-24.

Data auto-relocation in an integrated memory assembly

Номер патента: US11809327B2. Автор: Vimal Kumar Jain,Bala Siva Kumar Narala. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Composite deep trench isolation structure in an image sensor

Номер патента: US20230369368A1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen,Tsun-Kai Tsao,Chih-Cheng Shih,Che Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Prevention of premature breakdown of interline porous dielectrics in an integrated circuit

Номер патента: US20180025990A1. Автор: Pascal Fornara,Christian Rivero,Jean-Philippe Escales. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-01-25.

Prevention of premature breakdown of interline porous dielectrics in an integrated circuit

Номер патента: US20170098615A1. Автор: Pascal Fornara,Christian Rivero,Jean-Philippe Escales. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-04-06.

Method for measuring overlay offset in an integrated circuit and related technology

Номер патента: US20180357754A1. Автор: Paul Knutrud. Владелец: Inspectrology LLC. Дата публикации: 2018-12-13.

Integrated detector device and method of manufacturing an integrated detector device

Номер патента: US20240021652A1. Автор: Jens Hofrichter. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2024-01-18.

Method and related apparatus for integrating electronic memory in an integrated chip

Номер патента: US20240021692A1. Автор: Tung Ying Lee,Shao-Ming Yu,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Nanowire or 2d material strips interconnects in an integrated circuit cell

Номер патента: WO2015200317A1. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2015-12-30.

Method and related apparatus for integrating electronic memory in an integrated chip

Номер патента: US11817488B2. Автор: Tung Ying Lee,Shao-Ming Yu,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Staggered power structure in a power distribution network (pdn)

Номер патента: US20150313006A1. Автор: Yue Li,Ruey Kae Zang,Ryan David Lane,Charles David Paynter. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Deep trench capacitors in an inter-layer medium on an interconnect layer of an integrated circuit die and related methods

Номер патента: US11973019B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Giridhar Nallapati,Periannan Chidambaram,Jihong Choi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Method and related apparatus for integrating electronic memory in an integrated chip

Номер патента: US20200343302A1. Автор: Tung Ying Lee,Shao-Ming Yu,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Arrangement and method of arrangement of stacked dice in an integrated electronic device

Номер патента: WO2002084737A3. Автор: Joseph Fernandez,Anucha Phongsantichai,Ekgachai Kenganatanon,Anucha Suwanpanang. Владелец: Microchip Tech Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Process for optically erasing charge buildup during fabrication of an integrated circuit

Номер патента: US20030104644A1. Автор: Ivan Berry,Kevin Stewart,Alan Janos,Anthony Sinnot. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-05.

Process for optically erasing charge buildup during fabrication of an integrated circuit

Номер патента: US20030180976A1. Автор: Ivan Berry,Kevin Stewart,Robert Mohondro,Alan Janos,Anthony Sinnot. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2003-09-25.

Process for optically erasing charge buildup during fabrication of an integrated circuit

Номер патента: US6803319B2. Автор: Ivan Berry,Kevin Stewart,Alan C. Janos,Anthony Sinnot,Robert Douglas Mohondro. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2004-10-12.

Process for optically erasing charge buildup during fabrication of an integrated circuit

Номер патента: EP1451868A2. Автор: Ivan Berry,Kevin Stewart,Alan Janos,Anthony Sinnott. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2004-09-01.

Deep trench capacitors in an inter-layer medium on an interconnect layer of an integrated circuit die and related methods

Номер патента: EP4342002A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Giridhar Nallapati,Periannan Chidambaram,Jihong Choi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Integrated circuit nanoparticle thermal routing structure in interconnect region

Номер патента: EP3545548A1. Автор: Archana Venugopal,Robert Reid Doering,Luigi Colombo,Benjamin Stassen Cook. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-10-02.

Thin film resistor (tfr) formed in an integrated circuit device using wet etching of a dielectric cap

Номер патента: WO2021173197A1. Автор: Paul Fest. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2021-09-02.

Thin film resistor (TFR) formed in an integrated circuit device using wet etching of a dielectric cap

Номер патента: US11990257B2. Автор: Paul Fest. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Creating an aligned via and metal line in an integrated circuit including forming an oversized via mask

Номер патента: US20200118868A1. Автор: Runzi Chang,Min She. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Creating an aligned via and metal line in an integrated circuit including forming an oversized via mask

Номер патента: US11081387B2. Автор: Runzi Chang,Min She. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-08-03.

Nanowire or 2d material strips interconnects in an integrated circuit cell

Номер патента: EP3158575A1. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-04-26.

Staggered power structure in a power distribution network (pdn)

Номер патента: EP3138127A1. Автор: Yue Li,Ruey Kae Zang,Ryan David Lane,Charles David Paynter. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-08.

Staggered power structure in a power distribution network (pdn)

Номер патента: WO2015168160A1. Автор: Yue Li,Ruey Kae Zang,Ryan David Lane,Charles David Paynter. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-05.

Different gate oxides thicknesses for different transistors in an integrated circuit

Номер патента: US20120108051A1. Автор: Xianfeng Zhou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-03.

Bottom electrode structure in memory device

Номер патента: US20230255124A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chao-Yang Chen,Chun-Yang Tsai,Kuo-Ching Huang,Pili Huang,Cheng-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Integrated device package with an integrated heat sink

Номер патента: EP4177946A1. Автор: Michael John Anderson,Edward Olsen. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

On-chip emf isolation of an integrated circuit coupled with photoconductive semiconductor switch under an on-chip faraday cage

Номер патента: WO2023023238A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Susan C. Trulli,Matthew DeJarld. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-02-23.

On-chip emf isolation of an integrated circuit coupled with photoconductive semiconductor switch under an on-chip faraday cage

Номер патента: EP4388588A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Susan C. Trulli,Matthew DeJarld. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-06-26.

90 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US6541873B1. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-04-01.

120 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US6617699B2. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

Integrated device package with an integrated heat sink

Номер патента: US20230142729A1. Автор: Michael John Anderson,Edward Olsen. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Multi-layer integrated semiconductor structure

Номер патента: WO2004061962A2. Автор: Rafael Reif,Andy Fan,Shamik Das. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2004-07-22.

120 Degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US20030098508A1. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Integrated semiconductor laser apparatus

Номер патента: US5787105A. Автор: Atsushi Yamada,Kazuya Okamoto,Yoshiaki Nakano,Kunio Tada. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 1998-07-28.

Integrated semiconductor optical amplifier and laser diode at visible wavelength

Номер патента: US20200295529A1. Автор: Boon Siew Ooi,Chao SHEN,Tien Khee Ng. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2020-09-17.

Apparatus for electrically testing printed circuit boards having contact pads in an extremely fine grip

Номер патента: CA1289678C. Автор: Paul Mang,Hubert Driller. Владелец: Mania Elektronik Automatisation Entwicklung und Geraetebau GmbH. Дата публикации: 1991-09-24.

Integrated semiconductor laser with electronic directivity and focusing control

Номер патента: US5233623A. Автор: Sheldon S. L. Chang. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 1993-08-03.

Method for producing an integrated micromechanical fluid sensor component, integrated micromechanical fluid sensor component and method for detecting a fluid by means of an integrated micromechanical fluid sensor component

Номер патента: US09816920B2. Автор: Richard Fix,Jochen Beintner,Rene Hartke. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-11-14.

An integrated planar variable transformer with embedded magnetic core

Номер патента: EP2370981A1. Автор: Sidharth Dalmia,James E. Quilici,Steven R. Kubes,William Lee Harrison,Anh-Vu Pham. Владелец: Planarmag Inc. Дата публикации: 2011-10-05.

Integrated semiconductor optical device

Номер патента: US8457452B2. Автор: Jun-Ichi Hashimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-06-04.

Integrated semiconductor laser element, semiconductor laser module, and optical transmission system

Номер патента: US20120128375A1. Автор: Tatsuya Kimoto,Toshikazu Mukaihara. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Method, test structure, test device and device

Номер патента: WO2022008675A1. Автор: Daniel Rhinow,Johannes SCHÖNEBERG. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2022-01-13.

An integrated inductor and a method for reduction of losses in an integrated inductor

Номер патента: WO2012126993A2. Автор: Cezary Worek,Sławomir Ligenza. Владелец: AKADEMIA GORNICZO-HUTNICZA IM. STANISLAWA STASZICA W KRAKOWIE. Дата публикации: 2012-09-27.

Ground connector in an integrated circuit testing apparatus

Номер патента: US11821916B2. Автор: Wei Kuong Foong,Eng Kiat Lee,Kok Sing Goh,Shamal Mundiyath,Fadzhirul Ridhzwan Azry Bin SULAIMAN. Владелец: JF Microtechnology Sdn Bhd. Дата публикации: 2023-11-21.

Monitoring and control systems for an integrated fuel processor and fuel cell system

Номер патента: WO2009109746A2. Автор: Michael Rendall,Robin Francis,George Carins,Jim Carter. Владелец: Voller Energy Limited. Дата публикации: 2009-09-11.

Monitoring and control systems for an integrated fuel processor and fuel cell system

Номер патента: WO2009109746A3. Автор: Michael Rendall,Robin Francis,George Carins,Jim Carter. Владелец: Voller Energy Plc. Дата публикации: 2010-03-25.

Method for compensation of distortions of amplitude-phase distribution of field in an opening of an adaptive antenna array, caused by influence of climatic factors

Номер патента: RU2717351C1. Автор: Дмитрий Викторович Сергеев,Юрий Аркадьевич Шишов,Виталий Владимирович Подъячев,Михаил Григорьевич Вахлов,Сергей Евгеньевич Шалдаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное военное образовательное учреждение высшего образования "Военно-космическая академия имени А.Ф. Можайского" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2020-03-23.

System for preventing backflow in an ion source

Номер патента: SG178993A1. Автор: Maurizio Splendore,Christopher Mullen,Eloy R Wouters,R Paul Atherton. Владелец: Thermo Finnigan LLC. Дата публикации: 2012-04-27.

System for preventing backflow in an ion source

Номер патента: EP2480317A1. Автор: Eloy R. Wouters,Maurizio Splendore,Christopher Mullen,R. Paul Atherton. Владелец: Thermo Finnigan LLC. Дата публикации: 2012-08-01.

Device and method for tuning the wavelength of the light in an external cavity laser

Номер патента: EP1159775A1. Автор: Kennet Vilhelmsson,Thomas Lock. Владелец: Radians Innova AB. Дата публикации: 2001-12-05.

System for fitting components on carrier rails in an order-specific manner

Номер патента: US20170118864A1. Автор: Frank Possel-Doelken,Joerg Oblotzki. Владелец: Phoenix Contact GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-04-27.

System and method for cooling switching devices in an integrated motor drive

Номер патента: EP4188046A1. Автор: Zoran Vrankovic,Kristin N. Yee. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-31.

Diode laser, integrated diode laser and integrated semiconductor optical amplifier

Номер патента: RU2391756C2. Автор: Игорь Петрович Ярема,Алексей Николаевич Сонк,Василий Иванович Швейкин,Виктор Арчилович Геловани. Владелец: Виктор Арчилович Геловани. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor laser element, integrated semiconductor laser element, and method for producing semiconductor laser element

Номер патента: US9509121B2. Автор: Go Kobayashi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

An integrated inductor and a method for reduction of losses in an integrated inductor

Номер патента: EP2689433A2. Автор: Cezary Worek,Sławomir Ligenza. Владелец: Akademia Gomiczo Hutnicza. Дата публикации: 2014-01-29.

Manufacturing method for an integrated semiconductor structure

Номер патента: US20070281417A1. Автор: Daniel Koehler,Peter Baars,Stefan Tegen,Klaus Muemmler,Joern Regul. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-12-06.

In-circuit test structure for printed circuit board

Номер патента: US09835684B2. Автор: Jinchai (Ivy) QIN,Bing Al. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Self test structure for interconnect and logic element testing in programmable devices

Номер патента: US20070011539A1. Автор: Danish Syed,Vishal Srivastava. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2007-01-11.

Integrated semiconductor component and method for controlling a supply voltage of a functional circuit in an integrated semiconductor component

Номер патента: US20080079402A1. Автор: Christian Kranz,Markus Hammes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-03.

A buffer compatible with skew critical protocols implemented in an integrated circuit and methods for routing metal lines to the buffer in the integrated circuit

Номер патента: EP4451565A1. Автор: Gaurav Agarwal,Siddhartha Jain,Amol Agarwal,Himanshu Mangal,Sachin Kalra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Integrated semiconductor memory comprising at least one word line and comprising a multiplicity of memory cells

Номер патента: US20050281118A1. Автор: Herbert Benzinger,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Jörg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-22.

Dynamically evolving and updating connector modules in an integration platform

Номер патента: US20220244936A1. Автор: Anton Kravchenko. Владелец: Salesforce com Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Integrated semiconductor memory comprising at least one word line and comprising a multiplicity of memory cells

Номер патента: US7180820B2. Автор: Herbert Benzinger,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Jörg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-02-20.

Capacitive digital-to-analog converter reset in an implantable medical device analog-to digital converter

Номер патента: EP2232710A1. Автор: Michael W. Heinks,Joel A. Anderson,Wenxiao Tan. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2010-09-29.

Buffer compatible with skew critical protocols implemented in an integrated circuit and methods for routing metal lines to the buffer in the integrated circuit

Номер патента: US20240354483A1. Автор: Gaurav Agarwal,Siddhartha Jain,Amol Agarwal,Himanshu Mangal,Sachin Kalra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Providing dynamic latency in an integration flow

Номер патента: US20170149641A1. Автор: Craig H. Stirling,John Hosie,Martin A. Ross,Dominic J. Storey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Method and apparatus for transmitting data in an integrated circuit

Номер патента: US20070147430A1. Автор: Brian Connolly,Todd Leonard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-06-28.

Providing dynamic latency in an integration flow

Номер патента: US20190020560A1. Автор: Craig H. Stirling,John Hosie,Martin A. Ross,Dominic J. Storey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Method and apparatus for secure provisioning of an integrated circuit device

Номер патента: US09729518B1. Автор: Sean R. Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit devices having memory and methods of implementing memory in an integrated circuit device

Номер патента: WO2014138479A1. Автор: Ephrem C. Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2014-09-12.

Enhanced amplifier topology in an analog front end (afe)

Номер патента: US20240283413A1. Автор: Sandeep Kesrimal Oswal,Nagesh Surendranath,Srinivas Bangalore Seshadri,Sravana Kumar GOLI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Silicon test structures for separate measurement of NMOS and PMOS transistor delays

Номер патента: US12044732B2. Автор: Prashant Singh,Tezaswi Vatsavai Raja. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Asynchronous peak hold circuit on an integrated circuit trace to monitor for voltage spikes caused by an electromagnetic pulse

Номер патента: US20240110954A1. Автор: Attila Zólomy,Clayton Daigle,Jeffrey Tindle,DeWitt C. Seward. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Power sequencing in an active silicon interposer

Номер патента: US20210036702A1. Автор: Shuai Jiang,Mikhail Popovich,Gregory Sizikov,Houle Gan,Chee Yee Chung. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-02-04.

Power sequencing in an active silicon interposer

Номер патента: EP4407407A2. Автор: Shuai Jiang,Mikhail Popovich,Gregory Sizikov,Houle Gan,Chee Yee Chung. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-07-31.

Discovering object definition information in an integrated application environment

Номер патента: US20160070604A1. Автор: Yury Kosov,Oleg Musteata,Glen Bentley,Zeenat Lainwala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Discovering object definition information in an integrated application environment

Номер патента: US20120291047A1. Автор: Yury Kosov,Oleg Musteata,Glen Bentley,Zeenat Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-15.

Re-routing data traffic in an integrated access and backhaul network

Номер патента: EP4441979A1. Автор: Malgorzata Tomala,Rustam PIRMAGOMEDOV. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-10-09.

Routing data in an integrated access and backhaul network

Номер патента: GB2625930A. Автор: VISA PIERRE,LAGRANGE PASCAL. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Integrated resonator and amplifier system for use in an ion accelerator or ion implanter

Номер патента: NZ522808A. Автор: Kourosh Saadatmand,Ernst Frederick Scherer,William Frank Divergilio. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2004-06-25.

B6+3 bridge for motor control and series pass regulation in an integrated starter generator application

Номер патента: US20200062234A1. Автор: Ramdas Rangnath Ugale. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-02-27.

Carrier aggregation in an integrated wireless communications network having a WLAN and a cellular communications network

Номер патента: US09775019B2. Автор: Jari Vikberg,Oumer Teyeb,Niklas Johansson,Magnus Stattin,Filip MESTANOV,Mattias TAN BERGSTRÖM,Christofer Eric LINDHEIMER. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2017-09-26.

Methods and systems for exchanging information in an integrated access and backhaul system

Номер патента: EP4165927A1. Автор: Lin Chen,Ying Huang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-04-19.

Methods and systems for exchanging information in an integrated access and backhaul system

Номер патента: US20230156565A1. Автор: Lin Chen,Ying Huang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Integrated circuitry for generating a clock signal in an implantable medical device

Номер патента: EP2968914A1. Автор: Jordi Parramon,Goran N. Marnfeldt,Emanuel Feldman. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2016-01-20.

Integrated circuitry for generating a clock signal in an implantable medical device

Номер патента: WO2014143206A1. Автор: Jordi Parramon,Goran N. Marnfeldt,Emanuel Feldman. Владелец: Boston Scientific Neuromdulation Corporation. Дата публикации: 2014-09-18.

Routing Messages in an Integrated Circuit Chip Device Using a Crosslinked Tree Structure

Номер патента: US20210051095A1. Автор: Callum Stewart. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

System and method for providing enhanced user-service interaction in an integrated telecommunications network

Номер патента: EP1266504A2. Автор: Christophe Gourraud. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2002-12-18.

System and method for presenting information from different applications in an integrated manner

Номер патента: US20240244114A1. Автор: Sourabh SHUKLA,Rina Takamatsu,Harsh SONI,Nikhil RAGHUWANSHI,Vishal BOKEY. Владелец: Rakuten Mobile Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Routing data in an integrated access and backhaul network

Номер патента: EP4406288A1. Автор: Pascal Lagrange,Pierre Visa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Programmable chopping architecture to reduce offset in an analog front end

Номер патента: US20230055860A1. Автор: Rajiv Singh,Erhan Hancioglu,Eashwar Thiagarajan,Harold Kutz,Eric Mann,Vaibhav Ramamoorthy,Amsby Richardson, Jr.. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Local interference management in an integrated access backhaul network

Номер патента: EP4074138A1. Автор: Tao Luo,Junyi Li,Karl Georg Hampel,Navid Abedini,Luca Blessent,Jianghong LUO,Naeem AKL. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

System and method for presenting information from different applications in an integrated manner

Номер патента: US12120188B2. Автор: Sourabh SHUKLA,Rina Takamatsu,Harsh SONI,Nikhil RAGHUWANSHI,Vishal BOKEY. Владелец: Rakuten Mobile Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Pad protection in an integrated circuit

Номер патента: US20200136373A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Signaling enhancements for simultaneous multiplexing in an integrated access and backhaul network

Номер патента: EP4385144A1. Автор: Tao Luo,Junyi Li,Karl Georg Hampel,Navid Abedini,Luca Blessent,Jianghong LUO,Naeem AKL. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Routing data in an integrated access and backhaul network

Номер патента: GB2625931A. Автор: VISA PIERRE,LAGRANGE PASCAL. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Flow control feedback in an integrated access and backhaul network

Номер патента: GB2607083A. Автор: VISA PIERRE,LAGRANGE PASCAL. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-11-30.

Delay bounds for scheduling priority and packet discard in an integrated access and backhaul network

Номер патента: EP4205449A1. Автор: Tao Luo,Junyi Li,Karl Georg Hampel,Navid Abedini,Luca Blessent,Jianghong LUO,Naeem AKL. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Circuit for the generation of a scanning clock in an operational analysis device of the serial type for an integrated circuit

Номер патента: USRE36123E. Автор: Flavio Scarra,Maurizio Gaibotti,Giampiero Trupia. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-03-02.

Terminal device, a base station device, a communication method and an integrated circuit

Номер патента: RU2741320C2. Автор: Тацуси АИБА,Соити Судзуки,Томоки ЕСИМУРА,Ватару Оути,Лицин ЛЮ. Владелец: ЭфДжи ИННОВЕЙШН КОМПАНИ ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2021-01-25.

Method and apparatus for dynamically aligning high-speed signals in an integrated circuit

Номер патента: US8890571B1. Автор: John G. O'Dwyer. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Modulator module in an integrated circuit device

Номер патента: EP2389724A1. Автор: Keith Curtis,Vivien Delport,Sean STEEDMAN,Jerrold S. Zdenek,Zeke R. Lundstrum. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Clock Distribution and Generation Architecture for Logic Tiles of an Integrated Circuit and Method of Operating Same

Номер патента: US20190334526A1. Автор: Cheng C. Wang,Nitish U. Natu. Владелец: Flex Logix Technologies Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Radio link failure handling in an integrated access backhaul network

Номер патента: US11722912B2. Автор: Karl Georg Hampel,Navid Abedini,Bapineedu Chowdary GUMMADI,Hem AGNIHOTRI,Naeem AKL. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Apparatuses, methods, and systems to reduce handover latency in an integrated wireless local area network and cellular network

Номер патента: EP3162121A1. Автор: Jing Zhu,Nageen Himayat,Alexander Sirotkin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-03.

Apparatuses, methods, and systems to reduce handover latency in an integrated wireless local area network and cellular network

Номер патента: US20150373608A1. Автор: Jing Zhu,Nageen Himayat,Alexander Sirotkin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Method and apparatus to actively sink current in an integrated circuit with a floating i/o supply voltage

Номер патента: EP1550217A2. Автор: Frederic Boutaud,Paul D. Krivacek,Sean M. Fitzpatrick. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2005-07-06.

Sensing a Current Signal in an Integrated Circuit

Номер патента: US20090059450A1. Автор: Stefan Hermann Groiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-03-05.

Clock distribution and generation architecture for logic tiles of an integrated circuit and method of operating same

Номер патента: EP3639370A1. Автор: Cheng C. Wang,Nitish U. Natu. Владелец: Flex Logix Technologies Inc. Дата публикации: 2020-04-22.

Method, system and device providing enhanced quality factor resonant lc tank in an integrated circuits

Номер патента: US20210399684A1. Автор: Gireesh Rajendran. Владелец: Steradian Semiconductors Pvt Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

System and method for IR subtraction in an RGB-IR Image sensor using FPGA

Номер патента: US20240298093A1. Автор: Arun Asokan,Ramesh Ponmuthu. Владелец: eCon Systems India Pvt Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Mounting structure for an integrated sensor-lens assembly in an image capture device

Номер патента: US20240314413A1. Автор: Nicholas Vitale. Владелец: GoPro Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

QoS mapping configuration of an integrated access and backhaul network node

Номер патента: US12120026B2. Автор: Tao Luo,Junyi Li,Karl Georg Hampel,Navid Abedini,Luca Blessent,Jianghong LUO,Naeem AKL. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Apparatuses, methods, and systems to reduce handover latency in an integrated wireless local area network and cellular network

Номер патента: US09820328B2. Автор: Jing Zhu,Nageen Himayat,Alexander Sirotkin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated semiconductor memory

Номер патента: US20050117442A1. Автор: Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-02.

Backhaul link issues in an integrated access and backhaul network

Номер патента: US20240236761A1. Автор: Pascal Lagrange,Pierre Visa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Resource configuration in an integrated access and backhaul network

Номер патента: US20220159517A1. Автор: HONGLEI Miao. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Random access procedure selection by an integrated access and backhaul node

Номер патента: US12058728B2. Автор: Tao Luo,Wanshi Chen,Junyi Li,Xiaoxia Zhang,Navid Abedini,Luca Blessent. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Flow control for uplink traffic in an integrated access and backhaul network

Номер патента: US11751093B2. Автор: Murali Narasimha,Candy YIU,Sudeep Palat. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Flow control for uplink traffic in an integrated access and backhaul network

Номер патента: US20230403602A1. Автор: Murali Narasimha,Candy YIU,Sudeep Palat. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Solder barrier contact for an integrated circuit

Номер патента: US20240324109A1. Автор: Uthayarajan A/L Rasalingam,Hudzaifah Yousof Bin Humayun,Babu Krishnamoorthy. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and device for determining the position angle of a rotor in an electric synchronous machine

Номер патента: US20200059175A1. Автор: Alexander Maass,Gholamabas Esteghlal. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2020-02-20.

Method of signalling in an integrated access and backhaul network

Номер патента: US12096350B2. Автор: Jeniston Deviraj Klutto Milleth,Chandrasekaran Mohandoss,Sunil Kaimalettu,Bhaskar Ramamurthi,Deepak Padmanabhan Maya,Thirunageswaram Ramachandran Ramya,Priyanka DEY,Abhijeet Abhimanyu Masal. Владелец: CENTRE OF EXCELLENCE IN WIRELESS TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-09-17.

Per-child resource configuration allocation in an integrated access and backhaul (IAB) system

Номер патента: US12058702B2. Автор: Tao Luo,Junyi Li,Karl Georg Hampel,Navid Abedini,Luca Blessent,Jianghong LUO,Naeem AKL. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Clock distribution architecture for logic tiles of an integrated circuit and method of operation thereof

Номер патента: US09882568B2. Автор: Cheng C. Wang. Владелец: Flex Logix Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Methof of forming an integrated composite structure

Номер патента: US09801276B2. Автор: Sergio H. Sanchez,Scott R. Johnston. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-10-24.

Step Drill Test Structure of Layer Depth Sensing on Printed Circuit Board

Номер патента: US20150362547A1. Автор: Michael C. Freda,Stephanie Moran,Karl Sauter. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Transmission system of a packet signal in an integrated network system using a frame format flexible for various forms of the integrated network system

Номер патента: CA1314320C. Автор: Hiroshi Shimizu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-03-09.

System of virtual data channels across clock boundaries in an integrated circuit

Номер патента: WO2007056735A3. Автор: Anthony Mark Jones. Владелец: Ambric Inc. Дата публикации: 2007-12-13.

Method and apparatus for random access in an integrated access and backhaul communication system

Номер патента: EP3818772A1. Автор: Seunghoon Choi,Yinan QI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-12.

Reporting and scheduling in an integrated access backhaul network

Номер патента: US20200068567A1. Автор: Junyi Li,Karl Georg Hampel,Navid Abedini,Sundar Subramanian,Muhammad Nazmul ISLAM,Jianghong LUO. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Reporting and scheduling in an integrated access backhaul network

Номер патента: EP3841816A1. Автор: Junyi Li,Karl Georg Hampel,Navid Abedini,Sundar Subramanian,Muhammad Nazmul ISLAM,Jianghong LUO. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-06-30.

Portable terminal cover for surrounding a portable terminal and a portable terminal case or other retainer in an integrated manner

Номер патента: US20220151355A1. Автор: Ken Takada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-05-19.

Handover command delivery via a target path in an integrated access and backhaul configuration

Номер патента: US20230300717A1. Автор: Tao Luo,Junyi Li,Karl Georg Hampel,Navid Abedini,Ozcan Ozturk,Luca Blessent,Jianghong LUO,Naeem AKL. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Handover command delivery via a target path in an integrated access and backhaul configuration

Номер патента: EP4179783A1. Автор: Tao Luo,Junyi Li,Karl Georg Hampel,Navid Abedini,Ozcan Ozturk,Luca Blessent,Jianghong LUO,Naeem AKL. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Handover command delivery via a target path in an integrated access and backhaul configuration

Номер патента: WO2022015521A1. Автор: Tao Luo,Junyi Li,Karl Georg Hampel,Navid Abedini,Ozcan Ozturk,Luca Blessent,Jianghong LUO,Naeem AKL. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-01-20.

Method and apparatus for random access in an integrated access and backhaul communication system

Номер патента: US11743949B2. Автор: Seunghoon Choi,Yinan QI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

System of virtual data channels across clock boundaries in an integrated circuit

Номер патента: WO2007056735A2. Автор: Anthony Mark Jones. Владелец: Ambric, Inc.. Дата публикации: 2007-05-18.

Granularity and adjustment accuracy in an integrated access backhaul network

Номер патента: EP3954162A1. Автор: Navid Abedini,Muhammad Nazmul ISLAM,Luca Blessent. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-02-16.

Suppression of noise in an integrated circuit

Номер патента: WO2004049605A1. Автор: Jose D. J. Pineda De Gyvez,Rosario Capo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-06-10.

System And Method For Equalizing Transition Density In An Integrated Circuit

Номер патента: US20090091369A1. Автор: Peter Meier,Robert J. Martin,Michael Martin Farmer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-09.

Handover command delivery via a target path in an integrated access and backhaul configuration

Номер патента: EP4436261A2. Автор: Tao Luo,Junyi Li,Karl Georg Hampel,Navid Abedini,Ozcan Ozturk,Luca Blessent,Jianghong LUO,Naeem AKL. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Providing multiple power paths in an integrated circuit

Номер патента: US09983643B2. Автор: Matthew R. Powell. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Methods and apparatus to control communications of endpoints in an industrial enterprise system based on integrity

Номер патента: US10051059B2. Автор: Robert A. Mixer. Владелец: Fisher Rosemount Systems Inc. Дата публикации: 2018-08-14.

Re-routing in an integrated access backhaul network

Номер патента: WO2022219060A1. Автор: Ilkka Antero Keskitalo,Rustam PIRMAGOMEDOV,Rauli Jarkko Kullervo JÄRVELÄ. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2022-10-20.

Re-routing in an integrated access backhaul network

Номер патента: EP4324172A1. Автор: Ilkka Antero Keskitalo,Rustam PIRMAGOMEDOV,Rauli Jarkko Kullervo JÄRVELÄ. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-02-21.

Crossbar and an egress packet modifier in an exact-match flow switch

Номер патента: US09807006B1. Автор: Gavin J. Stark,Stuart C. Wray. Владелец: Netronome Systems Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

System and method for insulating a web user interface application from underlying technologies in an integration cloud service

Номер патента: US20160357540A1. Автор: Axel ALLGEIER,Muthu Palanisamy,Kishore Gollapalli. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Integrated semiconductor circuit having a cell array having a multiplicity of memory cells

Номер патента: US20040196711A1. Автор: Joerg Vollrath,Stephan Schroder,Tobias Hartner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-07.

Integrated semiconductor mixer

Номер патента: US20040180644A1. Автор: Stefan Koch,Stefan Kern,Gregor Gerhard. Владелец: Marconi Communications GmbH. Дата публикации: 2004-09-16.

Integrated semiconductor circuit

Номер патента: US4686507A. Автор: Heinrich Kessler. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1987-08-11.

A method for modifying a test profile in an integrated circuit card, corresponding integrated circuit card, testing method and apparatus

Номер патента: EP4340418A1. Автор: Maria Chichierchia,Mario ALGHIRI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-03-20.

Systems, media, and methods for processing an integrated signal having a plurality of signal components with arbitrary power allocation

Номер патента: US12000935B2. Автор: Patrick C. Fenton,David A. Brown. Владелец: Novatel Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Integrated semiconductor circuit having a cell array having a multiplicity of memory cells

Номер патента: US6998664B2. Автор: Joerg Vollrath,Stephan Schroder,Tobias Hartner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-02-14.

Flow control feedback in an integrated access and backhaul network

Номер патента: US20240236003A1. Автор: Pascal Lagrange,Pierre Visa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

System and method for edge termination of parallel conductive planes in an electrical interconnecting apparatus

Номер патента: AU4000999A. Автор: Istvàn Novak,Wai-Yeung Yip. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1999-12-06.

Integrating proxies from third party libraries within an integration environment

Номер патента: US20220150117A1. Автор: Sapreen Ahuja. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2022-05-12.

Detection of light source distortion in an imaging system

Номер патента: US12078538B2. Автор: Ward Van Der Tempel,Maarten De Bock,Jeroen HERMANS,Jonathan Borremans. Владелец: Spectricity. Дата публикации: 2024-09-03.

High-throughput low-latency erasure error correction in an integrated circuit

Номер патента: US09985654B1. Автор: Ming Ruan. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

System and method for selecting a subsystem for message traffic in an integrated communication network

Номер патента: US5706331A. Автор: Zhonghe Wang,Richard C. Bernhardt. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-01-06.

System and method for call routing in an integrated telecommunications network having a packet-switched network portion and a circuit-switched network portion

Номер патента: CA2385478A1. Автор: Zeng-Jun Xiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-03-29.

Method and system for processing messages within the framework of an integrated message system

Номер патента: US20060227945A1. Автор: Jin Liu,Marian Trinkel,Heiko-Armin SCHÖNEBECK,Fred Runge,Christel Mueller,Frank Niedermueller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

Identifying groups of related nodes in an integration flow

Номер патента: US20200228403A1. Автор: Doina L. Klinger,John A. Reeve,Vlad Balanescu,Ashley Harrison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

A method for managing attachment to a communication network of profiles in an integrated circuit card operating in a communication device and corresponding system and integrated circuit card

Номер патента: EP4243467A1. Автор: Paolo Sepe. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-09-13.

Interleaving scheme for increasing operating efficiency during high current events on an integrated circuit

Номер патента: US20190044514A1. Автор: Guang Chen,Jun Pin Tan,Archanna Srinivasan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Package comprising an integrated passive device configured as a cap for a filter

Номер патента: EP4205279A1. Автор: Changhan Hobie Yun,Paragkumar Ajaybhai Thadesar,Daniel Daeik Kim,Nosun Park,Sameer Sunil VADHAVKAR. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

System and method for edge termination of parallel conductive planes in an electrical interconnecting apparatus

Номер патента: EP1078452A1. Автор: Istvàn Novak,Wai-Yeung Yip. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2001-02-28.

System and method for edge termination of parallel conductive planes in an electrical interconnecting apparatus

Номер патента: WO1999060699A1. Автор: Istvàn Novak,Wai-Yeung Yip. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 1999-11-25.

System and method for suppression of peaking in an external lc filter of a buck regulator

Номер патента: US20130257398A1. Автор: Ankit Srivastava,Vijayakumar Dhanasekaran. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

System and method for suppression of peaking in an external lc filter of a buck regulator

Номер патента: WO2013149226A2. Автор: Ankit Srivastava,Vijayakumar Dhanasekaran. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-10-03.

Analog received signal strength indication in an RF transceiver

Номер патента: US20070004357A1. Автор: Arya Behzad,Adedayo Ojo. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Migration of nodes in an IAB communication system

Номер патента: GB2627227A. Автор: VISA PIERRE,LAGRANGE PASCAL. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Migration of nodes in an iab communication system

Номер патента: WO2024170232A1. Автор: Pascal Lagrange,Pierre Visa. Владелец: Canon Europe Limited. Дата публикации: 2024-08-22.

Migration of nodes in an IAB communication system

Номер патента: GB2627330A. Автор: VISA PIERRE,LAGRANGE PASCAL. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Migration of nodes in an IAB communication system

Номер патента: GB2627313A. Автор: VISA PIERRE,LAGRANGE PASCAL. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Migration of nodes in an IAB communication system

Номер патента: GB2627311A. Автор: VISA PIERRE,LAGRANGE PASCAL. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

A method for managing a notification procedure between an integrated circuit card operating in a communication device and a provisioning system, corresponding system and integrated circuit card

Номер патента: EP4422226A1. Автор: Paolo Sepe,Alberto MARZAIOLI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-28.

Three-port proportional flow control valve with an integrated turbine for flow rate sensing

Номер патента: US12116969B2. Автор: Bernd Zähe. Владелец: Sun Hydraulics LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

System comprising an integrating digital signal processing device

Номер патента: CA1047606A. Автор: Ludwig D.J. Eggermont. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1979-01-30.

System and method for determining a primary switching event in an isolated converter

Номер патента: US20210242783A1. Автор: Jiandong ZHANG,Pengju Kong,Hien Bui,Kuangzhe Xu. Владелец: Dialog Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Generation of initial network credentials in an integrated tamper resistant device

Номер патента: US11943347B2. Автор: Ofir Alon,Or Elnekaveh,Shlomi Agmon. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Silicon test structures for separate measurement of nmos and pmos transistor delays

Номер патента: US20230104105A1. Автор: Prashant Singh,Tezaswi Vatsavai Raja. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Cross-client sensor user interface in an integrated security network

Номер патента: US11810445B2. Автор: Paul J. Dawes,Jim Fulker,Ken Sundermeyer. Владелец: IControl Networks Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Key management in an integrated circuit

Номер патента: EP3912071A1. Автор: Steffen Fries,Rainer Falk,Hans Aschauer,Christian Peter Feist,Hermann Seuschek,Thomas Zeschg,Aliza Maftun. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2021-11-24.

Key management in an integrated circuit

Номер патента: WO2020169470A1. Автор: Steffen Fries,Rainer Falk,Hans Aschauer,Christian Peter Feist,Hermann Seuschek,Thomas Zeschg,Aliza Maftun. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2020-08-27.

Integrity evaluation system in an implantable hearing prosthesis

Номер патента: EP2716072A2. Автор: Paul Carter,Peter Seligman,Herbert Mauch,Barry Nevison. Владелец: Cochlear Ltd. Дата публикации: 2014-04-09.

Integrity evaluation system in an implantable hearing prosthesis

Номер патента: WO2012160527A2. Автор: Paul Carter,Peter Seligman,Herbert Mauch,Barry Nevison. Владелец: COCHLEAR LIMITED. Дата публикации: 2012-11-29.

Integrity evaluation system in an implantable hearing prosthesis

Номер патента: US20160310738A1. Автор: Paul Carter,Peter Seligman,Herbert Mauch,Barry Nevison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-27.

Circuits and methods for detecting decreases in a supply voltage in an integrated circuit

Номер патента: EP4109318A1. Автор: Guang Chen,Ping-Chen Liu,Venu Kondapalli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Circuits And Methods For Detecting Decreases In A Supply Voltage In An Integrated Circuit

Номер патента: US20210313989A1. Автор: Guang Chen,Ping-Chen Liu,Venu Kondapalli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Enhanced amplifier topology in an analog front end (AFE)

Номер патента: US11979116B2. Автор: Sandeep Kesrimal Oswal,Nagesh Surendranath,Srinivas Bangalore Seshadri,Sravana Kumar GOLI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

A method for monitoring an integrity of a system by a monitoring device, computer program product as well as monitoring device

Номер патента: WO2023144131A1. Автор: Arun Das,Christopher Monaco,Maximilian Muffert,Oleg ZHUKOV,Leonid KOPPEL. Владелец: MERCEDES-BENZ GROUP AG. Дата публикации: 2023-08-03.

A method for monitoring an integrity of a system by a monitoring device, computer program product as well as monitoring device

Номер патента: GB2615077A. Автор: Das Arun,Monaco Christopher,Muffert Maximilian,Zhukov Oleg,Koppel Leonid. Владелец: Mercedes Benz Group AG. Дата публикации: 2023-08-02.

Apparatus and method for providing a public key for authenticating an integrated circuit

Номер патента: US09813392B2. Автор: Ivan Hugh Mclean,Roberto Avanzi,Dean Lorenz,Boris Dolgunov. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Device for equalizing analog circuit parts in an integrated circuit

Номер патента: CA2074473C. Автор: Martin Rieger,Rudolf Koblitz. Владелец: Deutsche Thomson Brandt GmbH. Дата публикации: 2000-10-17.

Method for arranging a read-only memory for reading out updating status information in an integrated circuit

Номер патента: US4975876A. Автор: Tord L. Haulin. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 1990-12-04.

Method for arranging a read memory for reading out updating status information in an integrated circuit

Номер патента: CA1327647C. Автор: Tord Lennart Haulin. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 1994-03-08.

EMI filter with an integrated structure of common-mode inductors and differential-mode capacitors realized by flexible printed circuit board

Номер патента: US20090128258A1. Автор: Yi Chen,Yasuhiro Okuma,Kazuaki Mino,Yanjun Zhang,Dehong Xu,Xiao-feng Wu. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Electrical arc event detection in an electric power system

Номер патента: US20210111549A1. Автор: David J. Casebolt,Brian R. Clark,David E. Whitehead,Edmund O. Schweitzer, Iii,Krishnanjan Gubba Ravikumar,Austin Edward Wade,Lisa Gayle Nelms. Владелец: Schweitzer Engineering Laboratories Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Re-routing data traffic in an integrated access and backhaul network

Номер патента: WO2023094233A1. Автор: Malgorzata Tomala,Rustam PIRMAGOMEDOV. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2023-06-01.

Calibrating internal pulses in an integrated circuit

Номер патента: US20200169251A1. Автор: Michael V. Koch,Matthias Ringe,Fatih Cilek,Thomas Makowski,Andreas H.A. Arp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

System and method for managing associations in an online network

Номер патента: CA3103246A1. Автор: Yuzhen Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-19.

Method and arrangement in an iptv terminal

Номер патента: EP2556678A2. Автор: Niklas Fondberg,Ola Andersson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2013-02-13.

Method and arrangement in an iptv terminal

Номер патента: EP2556678A4. Автор: Niklas Fondberg,Ola Andersson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2013-11-20.

Method and arrangement in an iptv terminal

Номер патента: WO2011126423A2. Автор: Niklas Fondberg,Ola Andersson. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2011-10-13.

Method for Storing Key Data in an Electronic Component

Номер патента: US20210320792A1. Автор: Christian CECH,Herbert Taucher,Martin Matschnig,Thomas Hinterstoisser. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2021-10-14.

System, a computer readable medium, and a method for providing an integrated management of message information

Номер патента: US20180248998A1. Автор: Dong Wook Kim. Владелец: NHN Entertainment Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Apparatus and methods for reducing common-mode noise in an imaging system

Номер патента: US20140193090A1. Автор: Yoshinori Kusuda,Michael C. Coln,Gary Robert Carreau. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2014-07-10.

Method for storing key data in an electronic component

Номер патента: US12058254B2. Автор: Christian CECH,Herbert Taucher,Martin Matschnig,Thomas Hinterstoisser. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-08-06.

System and method for control of linear and rotary vibrators in an electronic device

Номер патента: WO2013176809A2. Автор: Wayne W. Ballantyne,Adrian M. Schuster,Matthew D. Mottier. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2013-11-28.

Fingerprint sensor in an electronic device

Номер патента: US09984270B2. Автор: Giovanni Gozzini,Steven P. Hotelling,Benjamin B. Lyon,Marduke Yousefpor,Jean-Marie Bussat,Dale Setlak. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for forming gate segments for an integrated circuit

Номер патента: US5976930A. Автор: Wendell P. Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-11-02.

A reconfigurable integrated circuit with integrated debugging facilities for use in an emulation system

Номер патента: CA2353950C. Автор: Frederic Reblewski,Olivier LePape. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Method for detecting a malfunction suffered by an integrated drive generator, in an aircraft

Номер патента: US20240094277A1. Автор: Eric Benhamou,Matthieu Bradier,Manon BROUQUI. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2024-03-21.

System and method for presenting information from different applications in an integrated manner

Номер патента: WO2023249624A1. Автор: Sourabh SHUKLA,Rina Takamatsu,Harsh SONI,Nikhil RAGHUWANSHI,Vishal BOKEY. Владелец: Rakuten Mobile Usa Llc. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated Circuitry for Generating a Clock Signal in an Implantable Medical Device

Номер патента: US20140266375A1. Автор: Jordi Parramon,Goran N. Marnfeldt,Emanuel Feldman. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Methods and systems for exchanging information in an integrated access and backhaul system

Номер патента: WO2022021200A1. Автор: Lin Chen,Ying Huang. Владелец: ZTE CORPORATION. Дата публикации: 2022-02-03.

Systems and methods retaining components in an electronic device

Номер патента: US20230160406A1. Автор: Michael Cameron Gordon,Ryan Travis EVANS,Joseph Juseop Park,Anne Maristella PIRIE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for modifying a test profile in an integrated circuit card, corresponding integrated circuit card, testing method and apparatus

Номер патента: US20240095023A1. Автор: Maria Chichierchia,Mario ALGHIRI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-03-21.

Integrated exchange of search results in an integrated software development environment

Номер патента: US20150356193A1. Автор: Lisa Seacat Deluca,Asima Silva,Bianca Xue Jiang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Systems and methods retaining components in an electronic device

Номер патента: EP4133917A1. Автор: Michael Cameron Gordon,Ryan Travis EVANS,Joseph Juseop Park,Anne Maristella PIRIE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-02-15.

Apparatus for protecting an integrated circuit and method thereof

Номер патента: US20050117266A1. Автор: Chih-Yuan Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Apparatus for protecting an integrated circuit and method thereof

Номер патента: US7215523B2. Автор: Chih-Yuan Lin. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2007-05-08.

Circuits and methods of generating and controlling signals on an integrated circuit

Номер патента: WO2006078736A3. Автор: Paul William Ronald Self. Владелец: Paul William Ronald Self. Дата публикации: 2006-12-21.

An integrated ambient audio transformation device

Номер патента: WO2010039657A2. Автор: Sam J. Nicolino, Jr.,Ira Chayut,Stephen R. Pollock. Владелец: Adaptive Sound Technologies Inc.. Дата публикации: 2010-04-08.

Method and apparatus for multiplexing pins of an integrated circuit

Номер патента: US20140091728A1. Автор: Donald Pannell. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-04-03.

Migration of nodes in an iab communication system

Номер патента: WO2024094547A1. Автор: Pascal Lagrange,Pierre Visa. Владелец: Canon Europe Limited. Дата публикации: 2024-05-10.

Preserving stopband characteristics of electromagnetic bandgap structures in circuit boards

Номер патента: US20100084176A1. Автор: Tae Hong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Circuits and methods of generating and controlling signals on an integrated circuit

Номер патента: EP1842288A2. Автор: Paul William Ronald Self. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-10.

Method and apparatus for fully integrating a voltage controlled oscillator on an integrated circuit

Номер патента: WO2000067376A1. Автор: Christopher D. Hull,Lars G. Jansson,Lars Henrick Mucke. Владелец: Silicon Wave, Inc.. Дата публикации: 2000-11-09.

Multi-phase linear motor having an integrated coil assembly and method for forming the integrated coil assemblly

Номер патента: US20020125773A1. Автор: Guolin Xu,Howe Lim,Chai Goh. Владелец: PBA Systems Pte Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

Integrated circuit, test structure and method for testing integrated circuits

Номер патента: US20020020854A1. Автор: Ralf Schneider,Norbert Wirth,Bernhard Ruf,Arndt Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

System and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20190128961A1. Автор: Olivier Heron,Boukary Ouattara. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-05-02.

Test structure activated by probe needle

Номер патента: US20130082726A1. Автор: André Luis VILAS BOAS,Fabio Duarte de Martin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-04-04.

Method for testing a structural structure in excess impact action

Номер патента: RU2695590C1. Автор: Георгий Иванович Однокопылов,Олег Григорьевич Кумпяк,Заур Рашидович Галяутдинов,Дауд Рашидович Галяутдинов,Дмитрий Юрьевич Саркисов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный архитектурно-строительный университет" (ТГАСУ). Дата публикации: 2019-07-24.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20120161807A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20110043215A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US9075109B2. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20120166898A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Integrated Semiconductor Memory and Method for Operating an Integrated Semiconductor Memory

Номер патента: US20080049525A1. Автор: Peter Beer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-02-28.

Test structures and testing methods for semiconductor devices

Номер патента: US09891273B2. Автор: Wensen Hung,Yung-Hsin Kuo,Po-Shi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Test structure and method of step coverage for optical waveguide production

Номер патента: US6804443B2. Автор: Po-Hao Tsai,Yuh-Wen Lee,Wen-Jiun Liu,Kai-Hsiang Yen,Jing-Hung Chiou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-10-12.

Test structure and method of step coverage for optical waveguide production

Номер патента: US20040081417A1. Автор: Po-Hao Tsai,Yuh-Wen Lee,Wen-Jiun Liu,Kai-Hsiang Yen,Jing-Hung Chiou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-04-29.

A method and device for testing of an integrated circuit

Номер патента: AU7700894A. Автор: Olli Piirainen. Владелец: Nokia Telecommunications Oy. Дата публикации: 1995-05-01.

Integrated circuit built-in self-test structure

Номер патента: US5130645A. Автор: Paul S. Levy. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1992-07-14.

Method and system for validating complex data structures in a complex micro-service architecture with visual display of results

Номер патента: RU2728809C1. Автор: Юрий Сергеевич Колунов,Андрей Григорьевич Мордюк. Владелец: Банк ВТБ (публичное акционерное общество). Дата публикации: 2020-07-31.

Test structure activated by probe needle

Номер патента: US9645196B2. Автор: André Luis VILAS BOAS,Fabio Duarte de Martin. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuit, an apparatus for testing an integrated circuit, a method for testing an integrated circuit and a computer program for implementing this method using magnetic field

Номер патента: US20230099503A1. Автор: Frank Mielke. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Integrated semiconductor memory with distributor line for redundant data lines

Номер патента: US7929362B2. Автор: Peter Beer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-04-19.

Integrated semiconductor memory with determination of a chip temperature

Номер патента: US7440349B2. Автор: Georg Braun,Aaron Nygren. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-21.

Integrated semiconductor memory with determination of a chip temperature

Номер патента: US20070133329A1. Автор: Georg Braun,Aaron Nygren. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-06-14.

Method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20130076383A1. Автор: Thomas Wieja,Thomas Braun,Helmut Randoll,Stefan Doehren,Steffen Wirth,Peter Poinstingl,Ralf Kraemer,Christoph Knaupp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-28.

Method of testing structural material for plasticity

Номер патента: RU2650431C2. Автор: Марат Федорович Томилов,Федор Христианович Томилов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-04-13.

Multi-functional magnetic test structure for xmr sensors

Номер патента: US20240019508A1. Автор: Manfred Steiner,Armin Winkler,Christoph Schroers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated semiconductor memory

Номер патента: US7206980B2. Автор: Manfred Pröll,Jurgen Auge,Jörg Kliewer,Frank Schroeppel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-17.

Multi-functional magnetic test structure for XMR sensors

Номер патента: US11719770B2. Автор: Manfred Steiner,Armin Winkler,Christoph Schroers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-08.

Integrated semiconductor memory

Номер патента: US20050249002A1. Автор: Manfred Pröll,Jurgen Auge,Jörg Kliewer,Frank Schroeppel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-11-10.

Integrated semiconductor memory device

Номер патента: US20070211552A1. Автор: Simon Muff. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-09-13.

Method for testing structural materials under dynamic influence and device for its implementation

Номер патента: RU2756992C1. Автор: Олег Валерьевич Глибенко,Кирилл Евгеньевич Садкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" имени И.В. Горынина Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ЦНИИ КМ "Прометей"). Дата публикации: 2021-10-08.

Integrated semiconductor memory and method for operating an integrated semiconductor memory

Номер патента: US7471584B2. Автор: Jens Christoph Egerer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-12-30.

Microelectromechanical device with test structure, test equipment for testing microelectromechanical devices and method for manufacturing a microelectromechanical device

Номер патента: EP4379320A1. Автор: Luca Giuseppe Falorni,Luca Guerinoni,Patrick Fedeli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-06-05.

Method for generation, placement, and routing of test structures in test chips

Номер патента: US7581202B2. Автор: Julia Perez. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-08-25.

Integrated semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US09896329B2. Автор: Bernhard WINKLER,Mirko Vogt,Thoralf Kautzsch,Heiko Froehlich,Maik Stegemann,Steffen Bieselt,Alessia Scire,Andre Roeth. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-02-20.

Test structure to measure delay variability mismatch of digital logic paths

Номер патента: US09829535B2. Автор: Keith A. Jenkins,Karthik Balakrishnan,Christos VEZYRTZIS,Bruce M. Fleischer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Integrated semiconductor circuit, in particular a semiconductor memory configuration, and method for its operation

Номер патента: US20010035536A1. Автор: Jochen Müller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-11-01.

Sacrificial waveguide test structures

Номер патента: EP2414806A1. Автор: Andrew Cannon Carter,Neil David Whitbread,Lloyd Nicholas Langley. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2012-02-08.

Sacrificial Waveguide Test Structures

Номер патента: US20150147024A1. Автор: Andrew Cannon Carter,Neil David Whitbread,Lloyd Nicholas Langley. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2015-05-28.

Integrated semiconductor optical coupler

Номер патента: US09791621B2. Автор: Philippe Absil,Shankar Kumar Selvaraja. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-10-17.

Data check by using validation in an enclave

Номер патента: RU2666273C2. Автор: Нед СМИТ,Эстебан ГУТИЕРЕС,Эндрю ВУДРАФФ,Адитя КАПУР. Владелец: Макафи, Инк.. Дата публикации: 2018-09-06.

Snubber with integral test structure

Номер патента: US4730706A. Автор: Douglas P. Taylor,David A. Lee. Владелец: Tayco Developments Inc. Дата публикации: 1988-03-15.

A thermoelectric device test structure

Номер патента: WO2003100444A1. Автор: Theodore C. Harman. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2003-12-04.

Photonic devices and pics including sacrificial testing structures and method of making the same

Номер патента: WO2004017474A3. Автор: Liyou Yang,Haiyan An. Владелец: Haiyan An. Дата публикации: 2004-06-03.

Photonic devices and pics including sacrificial testing structures and method of making the same

Номер патента: EP1540722A2. Автор: Liyou Yang,Haiyan An. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2005-06-15.

Photonic devices and pics including sacrificial testing structures and method of making the same

Номер патента: WO2004017474A2. Автор: Liyou Yang,Haiyan An. Владелец: Sarnoff Corporation. Дата публикации: 2004-02-26.

Apparatus for purifying waste gases for integrated semiconductor

Номер патента: US09956525B2. Автор: Sang Joon Park,Duk Jun Kim,Ki Yong Lee,Dong Keun Jeon,Hyun Uk Sin,Gyu Dong Moon. Владелец: Global Standard Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Integrated semiconductor memory and method for reducing leakage currents in an integrated semiconductor memory

Номер патента: US20040238899A1. Автор: HELMUT Fischer,Jens Egerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-02.

Integrated semiconductor memory and method for reducing leakage currents in an integrated semiconductor

Номер патента: US6903423B2. Автор: HELMUT Fischer,Jens Egerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-07.

Electrical conductivity test structure, thin film transistor array substrate, and display panel

Номер патента: US20220036780A1. Автор: YUAN Xiong,HUI Wang,QI Xu,Wen-Lin Chen,Rui Li,Chih-Chung Liu. Владелец: Century Technology Shenzhen Corp Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Sound generation method for testing structures and device for its implementation

Номер патента: RU2707587C1. Автор: Андрей Яковлевич Стерлин,Анатолий Васильевич Фурман,Станислав Константинович Ким,Сергей Александрович Куценко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный аэрогидродинамический институт имени профессора Н.Е. Жуковского" (ФГУП "ЦАГИ"). Дата публикации: 2019-11-28.

Integrated semiconductor memory with redundancy arrangement

Номер патента: US5459690A. Автор: Johann Rieger,Johann Stecker. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1995-10-17.

Substrate with geometrical test structures

Номер патента: US20070001699A1. Автор: Stefan Falk-Jordan. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2007-01-04.

Method of fabricating integrated semiconductor device and structure thereof

Номер патента: US9302904B2. Автор: Shuo-Lun Tu,Ming-Tung Lee,Hsueh-I Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Method of fabricating integrated semiconductor device and structure thereof

Номер патента: US20150044808A1. Автор: Shuo-Lun Tu,Ming-Tung Lee,Hsueh-I Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Space-saving test structures having improved capabilities

Номер патента: WO2004097437A1. Автор: Hyeon-Seag Kim. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-11-11.

Space-saving test structures having improved capabilities

Номер патента: US20040212376A1. Автор: Hyeon-Seag Kim. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-10-28.

Method and system for optimizing illumination power and integration time in an optical sensing device

Номер патента: EP1644813A1. Автор: Robert R. Rotzoll,James Harold Lauffenburger,Gil Afriat. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2006-04-12.

Systems and/or methods for automatic detection and correction of problems in a flow service for an integration platform-as-a-service integration to reduce design time issues

Номер патента: US20240202065A1. Автор: Santhosh Hari SRIDHAR,Garima TATER. Владелец: Software AG. Дата публикации: 2024-06-20.

An integrated planar waveguide, and a method of manufacturing it

Номер патента: WO2000073838A1. Автор: Kent Erik Mattsson. Владелец: Nkt Research A/S. Дата публикации: 2000-12-07.

An integrated planar waveguide, and a method of manufacturing it

Номер патента: EP1196805A1. Автор: Kent Erik Mattsson. Владелец: NKT Research Center AS. Дата публикации: 2002-04-17.

Method of testing structural systems and reinforced concrete building elements for reliability under fire and force loads

Номер патента: RU2688891C1. Автор: Ашот Георгиевич Тамразян,Юрий Николаевич Звонов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Московский государственный строительный университет" (НИУ МГСУ). Дата публикации: 2019-05-22.

System and method for executing functional scanning in an integrated circuit environment

Номер патента: US20120053924A1. Автор: Zhiyuan WANG,Xinli Gu,Hongxia Fang,Zhanglei Wang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Evaluation of focusing performance in an assay analysis system

Номер патента: US09719855B2. Автор: Nicolas Arab. Владелец: Luminex Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for testing an integrated semiconductor memory

Номер патента: US20060044900A1. Автор: Martin Versen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Integrated semiconductor memory with sense amplifier

Номер патента: US20050207251A1. Автор: Helmut Schneider,Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-22.

Integrated circuit and data processing system supporting address aliasing in an accelerator

Номер патента: US20190332551A1. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Jeffrey A. Stuecheli,John D. Irish,Kenneth M. Valk,Michael S. Siegel,Derek E. Williams,Lakshminarayana Arimilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Codeless logging in an integration platform

Номер патента: US11734166B2. Автор: Andrew Craig Bragdon,Ignacio Agustin Manzano,Agustin Lopez Gabeiras. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Method and apparatus for cleaning an integrating sphere

Номер патента: WO2009077868A2. Автор: Alan Ingleson. Владелец: Datacolor Holding AG. Дата публикации: 2009-06-25.

Integrated semiconductor memory device with test circuit for sense amplifier

Номер патента: US20060152982A1. Автор: Martin Perner. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-07-13.

Semiconductor substrate having extended scribe line test structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US6027859A. Автор: Robert Dawson,Mark W. Michael,Fred Hause. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-02-22.

Redundant circuit configuration for an integrated semiconductor memory

Номер патента: US5657279A. Автор: Dominique Savignac,Oliver Kiehl,Diether Sommer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-08-12.

Reconfigurable array of test structures and method for testing an array of test structures

Номер патента: US5952838A. Автор: Victor Tikhonov. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 1999-09-14.

Performing static timing analysis of an integrated circuit design using dummy edge modeling

Номер патента: US7636905B2. Автор: Craig Marshall Darsow,Todd Edward Obermiller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-22.

System and method for evaluating the electromagnetic compatibility of integrated circuits in an in-situ environment

Номер патента: US8803543B2. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2014-08-12.

Method for performing an integrity test on a testing consumable of a bioprocess installation

Номер патента: WO2024074451A1. Автор: Kirit CHATTERJEE. Владелец: SARTORIUS STEDIM BIOTECH GMBH. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for performing an integrity test on a testing consumable of a bioprocess installation

Номер патента: EP4349954A1. Автор: Kirit CHATTERJEE. Владелец: SARTORIUS STEDIM BIOTECH GMBH. Дата публикации: 2024-04-10.

Apparatus and method for performing static timing analysis of an integrated circuit design using dummy edge modeling

Номер патента: US20070022397A1. Автор: Craig Darsow,Todd Obermiller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Controlling distributed power stages responsive to the activity level of functions in an integrated circuit

Номер патента: US20160011621A1. Автор: Michael Decesaris,Luke D. Remis,Brian C. Totten. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Controlling distributed power stages responsive to the activity level of functions in an integrated circuit

Номер патента: US20160011622A1. Автор: Michael Decesaris,Luke D. Remis,Brian C. Totten. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

System and Method for Evaluating the Electromagnetic Compatibility of Integrated Circuits in an In-Situ Environment

Номер патента: US20120068730A1. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2012-03-22.

Modifying implant regions in an integrated circuit to meet minimum width design rules

Номер патента: US09830419B2. Автор: David Lyndell Brown,Sreedhar PRATTY. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for checking the functioning of memory cells of an integrated semiconductor memory

Номер патента: US20020026608A1. Автор: Erwin Hammerl,Wilfried Daehn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-28.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Determining timing associated with an input or output of an embedded circuit in an integrated circuit for testing

Номер патента: US7493543B1. Автор: Arnold Louie,Vickie Wu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2009-02-17.

Production of fuels from hydroprocessed esters and fatty acids, low carbon hydrogen, and carbon dioxide in an integrated HEFA and eFuels plant

Номер патента: US12060531B1. Автор: Harold Wright,Robert Schuetzle,Benjamin Wright. Владелец: Infinium Technology LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Apparatus and method for performing static timing analysis of an integrated circuit design using dummy edge modeling

Номер патента: US20050183050A1. Автор: Craig Darsow,Todd Obermiller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Controlling an analog signal in an integrated circuit

Номер патента: US20090195258A1. Автор: Andreas Jakobs. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-08-06.

Production of fuels from hydroprocessed esters and fatty acids, low carbon hydrogen, and carbon dioxide in an integrated hefa and efuels plant

Номер патента: WO2024196450A1. Автор: Harold Wright,Robert Schuetzle,Benjamin Wright. Владелец: INFINIUM TECHNOLOGY, LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Generating a layout for an integrated circuit

Номер патента: US09916409B2. Автор: Michael Koch,Andreas H. A. Arp,Matthias Ringe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Display panel test structure

Номер патента: US9921446B2. Автор: Wei Li,Namin Kwon,Bin Cao,Long Guo,Mian Gao,Yanyan Wu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Microchip having a plurality of reconfigurable test structures

Номер патента: US11237211B2. Автор: René Krenz-Baath. Владелец: HOCHSCHULE HAMM-LIPPSTADT. Дата публикации: 2022-02-01.

Computer memory test structure

Номер патента: US20130173974A1. Автор: Sungjoon Kim,Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2013-07-04.

Computer memory test structure

Номер патента: US20140115414A1. Автор: Sungjoon Kim,Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Computer memory test structure

Номер патента: EP2449557A1. Автор: Sungjoon Kim,Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2012-05-09.

Computer memory test structure

Номер патента: WO2011002621A1. Автор: Sungjoon Kim,Chinsong Sul. Владелец: SILICON IMAGE, INC.. Дата публикации: 2011-01-06.

Display panel test structure

Номер патента: US20170192326A1. Автор: Wei Li,Namin Kwon,Bin Cao,Long Guo,Mian Gao,Yanyan Wu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Microchip Having A Plurality Of Reconfigurable Test Structures

Номер патента: US20200271723A1. Автор: René Krenz-Baath. Владелец: HOCHSCHULE HAMM-LIPPSTADT. Дата публикации: 2020-08-27.

A ram-like test structure superimposed over rows of macrocells with added differential pass transistors in a cpu

Номер патента: WO1998045850A1. Автор: Earl T. Cohen,Hank Lim. Владелец: S3 Incorporated. Дата публикации: 1998-10-15.

Spinal plate having an integral rod connector portion

Номер патента: CA2516325A1. Автор: B. Thomas Barker,Eric S. Heinz,Russell Powers,Sajan K. Hegde. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-02.

Spinal plate having an integral rod connector portion

Номер патента: EP1601296A1. Автор: Eric S. Heinz,Russell Powers,Sajan K. Hegde,B. Thomas Baker. Владелец: SDGI Holdings Inc. Дата публикации: 2005-12-07.

Method and end cell library for avoiding substrate noise in an integrated circuit

Номер патента: US20070157145A1. Автор: XIANG Song,Chih-Ju Hung,Kai Lai,Hsiao-Hui Wu,Fredrick Jen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Magneto-resistive device with built-in test structure and method for determining resistance and track width

Номер патента: US20030222645A1. Автор: Mark Church. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

Error Detection in an Integrated Circuit

Номер патента: US20100223520A1. Автор: Stephan Henzler,Dominik Lorenz,Martin Wirnshofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-09-02.

Quick-detachable brake fluid test structure

Номер патента: US20220203953A1. Автор: Shih Hsiang Chien,Chia Hsun Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-30.

An integrated timepiece for displaying synchronized worldwide time and a method for operating the same

Номер патента: WO2024153976A1. Автор: A Kirubasankar. Владелец: A Kirubasankar. Дата публикации: 2024-07-25.

Test structure, array substrate having the same and method of measuring sheet resistance using the same

Номер патента: US09928766B2. Автор: Jong-Yun Kim,Jin-Taek Kim,Cheol-Ho Yu,Bong-Won Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Techniques for clock rate changes during data rate changes in an integrated circuit (IC)

Номер патента: US09891653B2. Автор: Keith Duwel,Gary Wallichs,Ru Yin Ng. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Managed assertions in an integrated development environment

Номер патента: US09823904B2. Автор: Cary L. Bates,Justin K. King,Michelle A. Schlicht,Lee Helgeson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Managed assertions in an integrated development environment

Номер патента: US09720657B2. Автор: Cary L. Bates,Justin K. King,Michelle A. Schlicht,Lee Helgeson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

System and method of making an integrity test on an electricity network in an aircraft

Номер патента: US09696386B2. Автор: Serge Boyer,Herve Mercadal,Henri Treil. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated semiconductor configuration having a semiconductor memory with user programmable bit width

Номер патента: US6603170B2. Автор: Andreas Bänisch,Marco Troost. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-08-05.

Clock alias for timing analysis of an integrated circuit design

Номер патента: US20120204138A1. Автор: Craig M. Darsow,Michael D. Amundson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP1745489A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2007-01-24.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP2012324B1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-03-02.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: CA2565989A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP1745489B1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-10-01.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: WO2005112040A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2005-11-24.

Clock alias for timing analysis of an integrated circuit design

Номер патента: US20130074021A1. Автор: Craig M. Darsow,Michael D. Amundson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Integration Framework for Two-Dimensional and Three-Dimensional Elements in an Artificial Reality Environment

Номер патента: US20240273824A1. Автор: Rohan Mehta,Eric Griffith,Dalton Thorn FLANAGAN,Walter J. LUH,Zeya Peng,Lucas Switzer. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Integration framework for two-dimensional and three-dimensional elements in an artificial reality environment

Номер патента: EP4414835A1. Автор: Rohan Mehta,Eric Griffith,Dalton Thorn FLANAGAN,Walter J. LUH,Zeya Peng,Lucas Switzer. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-14.

An integrated inclined wrapped reinforcement structure for stone slabs

Номер патента: LU506027B1. Автор: FENG CHEN,Yixian Wu,Jianjun Yang,Xiuyi Zhang,Dongsheng Yan,Jizhuo Huang,Wangsheng Xu,Wuxuan Wu. Владелец: Min Xin Construction Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-05.

Iterative synthesis of an integrated circuit design for attaining power closure while maintaining existing design constraints

Номер патента: US20080307383A1. Автор: Manikandan Viswanath,John J. Reilly,Paul D. Kartschoke,Steven E. Charlebois. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Method of unlocking an operation of a device with a tiny rfid tag embedded on an integrated circuit

Номер патента: US20230289539A1. Автор: Scott Robert Hansen,Louisa Marie Hansen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-14.

Automatic generation of convergent data mappings for branches in an integration workflow

Номер патента: US12106105B2. Автор: Ashley Donald Harrison,Matthew James Clarke,Nishan Lakmal Satharasinghe,Sarah Beth Carnaby Hewitt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Microelectromechanical device with test structure, test equipment for testing microelectromechanical devices and method for manufacturing a microelectromechanical device

Номер патента: US20240175682A1. Автор: Luca Giuseppe Falorni,Luca Guerinoni,Patrick Fedeli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-30.

Packaging element in the form of an integrally moulded encasement piece of a pulp material

Номер патента: WO1998023501A1. Автор: Steen Ulrik Madsen. Владелец: Brødrene Hartmann A/S. Дата публикации: 1998-06-04.

Program code library consolidation in an integrated development environment

Номер патента: US20140165031A1. Автор: SWAMINATHAN BALASUBRAMANIAN,II Rick A. Hamilton,Brian M. O'Connell,Keith R. Walker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Clock alias for timing analysis of an integrated circuit design

Номер патента: US8438514B2. Автор: Craig M. Darsow,Michael D. Amundson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-07.

Clock alias for timing analysis of an integrated circuit design

Номер патента: US20130074022A1. Автор: Craig M. Darsow,Michael D. Amundson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Method and apparatus for providing feedback from a compactor to a router to facilitate layout of an integrated circuit

Номер патента: US20040123252A1. Автор: Vadim Gouterman,Edward Moulding. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Vehicle thermal management system applying an integrated thermal management valve and a cooling circuit control method thereof

Номер патента: US20210123373A1. Автор: Bong-Sang Lee,Cheol-Soo Park,Dong-Suk CHAE,Dae-Kwang KIM. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Compact metal and plastic oldham coupler with an integral gear on an input plate and a retraction spline on an output plate

Номер патента: US09879730B2. Автор: Daniel Lee Carter,Brian Reed Spencer. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Test structure to measure delay variability mismatch of digital logic paths

Номер патента: US20160209467A1. Автор: Keith A. Jenkins,Karthik Balakrishnan,Christos VEZYRTZIS,Bruce M. Fleischer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Structural integration and enhanced control of functional electrical stimulation in an exoskeleton device

Номер патента: EP3752326A1. Автор: Ryan Farris,Spencer MURRAY,Scott Morrison,Michael Goldfarb,Don TRUEX. Владелец: Parker Hannifin Corp. Дата публикации: 2020-12-23.

Technique for managing power domains in an integrated circuit

Номер патента: US20190187770A1. Автор: Dominic William BROWN,Ashley John Crawford,Christopher Vincent SEVERINO. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Device to control the power supply in an integrated circuit comprising electrically programmable non-volatile memory elements

Номер патента: US20020018367A1. Автор: Richard Fournel. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-02-14.

Test mode entering in an integrated circuit for use in floppy disk drive apparatus

Номер патента: EP1134660A3. Автор: Munehisa Haitani. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-14.

Method and device for detecting irregular combustion phenomena in an engine

Номер патента: WO1982003685A1. Автор: Gmbh Robert Bosch. Владелец: Zanten Anton Van. Дата публикации: 1982-10-28.

Method of producing phase masks in an automated layout generation for integrated circuits

Номер патента: US6485871B1. Автор: Thomas KRÜGER,Werner Schiele. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-11-26.

Energy-efficient production of a ferritic hot-rolled strip in an integrated casting-rolling plant

Номер патента: US20240209471A1. Автор: Simon Grosseiber,Thomas Lengauer,Heinz Fürst,Michael Zahedi. Владелец: Primetals Technologies Austria GmbH. Дата публикации: 2024-06-27.

Scalable scribe regions for implementing user circuit designs in an integrated circuit using dynamic function exchange

Номер патента: US20230098098A1. Автор: Adam P. Donlin,Kyle Corbett,Christopher J. Case. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Integrated meter in an electric vehicle supply equipment (evse)

Номер патента: WO2024173864A1. Автор: Ivan BARANOV,David R. Sunderland. Владелец: Chargepoint, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Energy-efficient production of a ferritic hot-rolled strip in an integrated casting-rolling plant

Номер патента: US11987859B2. Автор: Simon Grosseiber,Thomas Lengauer,Heinz Fürst,Michael Zahedi. Владелец: Primetals Technologies Austria GmbH. Дата публикации: 2024-05-21.

Correction of diffraction effects in an ultrasonic sensor

Номер патента: US09830497B2. Автор: Meir Agassy,Gal Rotem. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Optimizing error parsing in an integrated development environment

Номер патента: US09710360B2. Автор: Serge Beauchamp. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Electrical test structure and method for space and line measurement

Номер патента: US5552718A. Автор: James A. Bruce,Michael S. Hibbs,Robert K. Leidy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-09-03.

Semiconductor test structure having a laser defined current carrying structure

Номер патента: US6553661B2. Автор: James Forster,Lester Wilson,Richard W. Arnold. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Soft support systems and methods for dynamically testing structures

Номер патента: WO2007005556A1. Автор: Gary C. Foss. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2007-01-11.

Semiconductor memory device allowing acceleration testing, and a semi-finished product for an integrated semiconductor device that allows acceleration testing

Номер патента: US5953271A. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-09-14.

Integrated semiconductor circuit device for generating a switching control signal

Номер патента: CA1208310A. Автор: Masanobu Yoshida,Kiyoshi Itano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-07-22.

Tightness test for disk bond connections and test structure for carrying out said method

Номер патента: US20070196943A1. Автор: Ronald Kumst. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-23.

Identifying and mitigating electromigration failures in signal nets of an integrated circuit chip design

Номер патента: US20150205906A1. Автор: Brian Worth,Jason Chung,Paul S. Zuchowski,Leon J. Sigal,Amol A. Joshi,William J. Livingstone,John E. Barwin, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Separate test electronics and blower modules in an apparatus for testing an integrated circuit

Номер патента: WO2010129688A1. Автор: Jovan Jovanovic,II Donald P. Richmond,David S. Hendrickson,William D. Barraclough. Владелец: AEHR TEST SYSTEMS. Дата публикации: 2010-11-11.

Connecting an integrated antenna in a flat panel display to a desktop computer

Номер патента: US20090150585A1. Автор: Michael Haines. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-11.

An integrated mop system with pivot on sleeve on shaft to move mop head

Номер патента: NZ565032A. Автор: Enzo Berti,Roberto Pellacini,Marco Bizzotto. Владелец: Libman Co. Дата публикации: 2009-05-31.

Integrated meter in an electric vehicle supply equipment (evse)

Номер патента: US20240278672A1. Автор: Ivan BARANOV,David R. Sunderland. Владелец: Chargepoint Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of facilitating occupant safety in an autonomous vehicle and a vehicle occupant safety system

Номер патента: EP4454939A1. Автор: Anders Jansson. Владелец: Autoliv Development AB. Дата публикации: 2024-10-30.

Creating and using a wide-bus data structure to represent a wide-bus in an integrated circuit (IC) design

Номер патента: US09690890B1. Автор: Jovanka Ciric Vujkovic,Eyal Odiz,Janet L. Olson,Van E. Morgan. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Integrated Semiconductor Memory with Refreshing of Memory Cells

Номер патента: US20070247944A1. Автор: Frank Fischer,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Thilo Schaffroth. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-25.

Output resistance testing structure and method of using the same

Номер патента: US20150362539A1. Автор: Yung-Chow Peng,Po-Zeng Kang,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Exhaustive diagnosis of bridging defects in an integrated circuit

Номер патента: EP2035979A2. Автор: Douglas C. HEABERLIN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-03-18.

Exhaustive diagnosis of bridging defects in an integrated circuit

Номер патента: WO2007147000A3. Автор: Douglas C Heaberlin. Владелец: Douglas C Heaberlin. Дата публикации: 2008-10-09.

Systems and methods for intelligently buffer tracking for optimized dataflow within an integrated circuit architecture

Номер патента: US20240037314A1. Автор: Anthony Romano,David Fick,Eric Stotzer,Balaji Iyer,Alexander Dang-Tran,Andrew Morten,Pei-Ci Wu. Владелец: Mythic Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Device for making lists by copying portions of documents in an integrated form

Номер патента: US3690261A. Автор: Junichi Yokoi. Владелец: Individual. Дата публикации: 1972-09-12.

Expandable bag assemblies with an integral support structure for filling

Номер патента: US20140161372A1. Автор: John Funk,Ian Barclay,Alfred Sulpizio. Владелец: Evergreen Innovation Partners I LP. Дата публикации: 2014-06-12.

Expandable bag assemblies with an integral support structure for filling

Номер патента: EP2099688A2. Автор: John Funk,Ian Barclay,Alfred Sulpizio. Владелец: Evergreen Innovation Partners I LP. Дата публикации: 2009-09-16.

Expandable bag assemblies with an integral support structure for filling

Номер патента: WO2008067170A2. Автор: John Funk,Ian Barclay,Alfred Sulpizio. Владелец: Evergreen Innovation Partners I, LP. Дата публикации: 2008-06-05.

Relationship management for data modeling in an integrated development environment

Номер патента: US20050149911A1. Автор: Gaetan Nadon,Dirk Seelemann,David Spriet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Apparatus, method and system for providing termination for multiple chips of an integrated circuit package

Номер патента: US20190139592A1. Автор: Ge Chang,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Apparatus, method and system for providing termination for multiple chips of an integrated circuit package

Номер патента: EP2926342A1. Автор: Ge Chang,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-10-07.

An integrated waste containment and processing system

Номер патента: WO2003064291A3. Автор: Samuel Y K Liu. Владелец: Asia Pacific Environmental Tec. Дата публикации: 2004-06-17.

Method and System for Designing Fan-out Nets Connecting a Signal Source and Plurality of Active Net Elements in an Integrated Circuit

Номер патента: US20080059933A1. Автор: Juergen Koehl,Markus Buehler,Markus Olbrich,Philipp Panitz,Erich Barke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Method and apparatus for performing density-biased buffer insertion in an integrated circuit design

Номер патента: US20050138589A1. Автор: Charles Alpert,Stephen Quay,Milos Hrkic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-23.

Optimizing pixel settling in an integrated display and capacitive sensing device

Номер патента: US09836173B2. Автор: Joseph Kurth Reynolds,Stephen L. Morein,Prashant Shamarao. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method, apparatus and system for configuring a protocol stack of an integrated circuit chip

Номер патента: US09734116B2. Автор: Robert J. Hayes,Avinash N. Ananthakrishnan,Brent R. Boswell,Bryan L. Spry,Marcus W. Song,Aimee D. Wood,Deepak M. Rangaraj,Adam E. Letendre. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods for operating ethylene oligomerization reactor systems with an integrated ultrasonic flow meter

Номер патента: US12024479B2. Автор: Eric D. SCHWERDTFEGER,Bruce Kreischer,Steven M. Bischof,Kent E. Mitchell,Jared FERN,James Hillier,Kendall M. Hurst. Владелец: Chevron Phillips Chemical Co LP. Дата публикации: 2024-07-02.

Method and system to estimate variables in an integrated gasification combined cycle (igcc) plant

Номер патента: WO2012128814A3. Автор: Aditya Kumar,Ruijie Shi,Mustafa DOKUCU. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-01-08.

Methods for forming and programming aligned fuses disposed in an integrated circuit

Номер патента: US20010000992A1. Автор: Lucien Bissey,Bryan Carson,Mark Hadzor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-10.

Method for Generating Placement and Routing for an Integrated Circuit (IC)

Номер патента: US20240232497A1. Автор: Thierry BESSON,Pierre-Emmanuel Gaillardon. Владелец: Rapidsilicon Us Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods and systems for an integrated disassembler with a function-queue manager and a disassembly interrupter for rapid, efficient, and scalable code gene extraction and analysis

Номер патента: US11056212B1. Автор: Jay Rosenberg,Itai Tevet,Roy Halevi,Ari Eitan,Jonathan Abrahamy,David Tufik. Владелец: Intezer Labs Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Logic built in self test circuitry for use in an integrated circuit with scan chains

Номер патента: US20170192054A1. Автор: Cedric Lichtenau,Mary P. Kusko,Raghu G. Gopalakrishnasetty,Satya R.S. Bhamidipati. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Methods and systems for an integrated disassembler with a function-queue manager and a disassembly interrupter for rapid, efficient, and scalable code gene extraction and analysis

Номер патента: US20210202031A1. Автор: Jay Rosenberg,Itai Tevet,Roy Halevi,Ari Eitan,Jonathan Abrahamy,David Tufik. Владелец: Intezer Labs Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Methods for forming aligned fuses disposed in an integrated circuit

Номер патента: US20020122342A1. Автор: Lucien Bissey,Bryan Carson,Mark Hadzor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-05.

Method and system to estimate variables in an integrated gasification combined cycle (igcc) plant

Номер патента: WO2012128814A2. Автор: Aditya Kumar,Ruijie Shi,Mustafa DOKUCU. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-09-27.

Prefabricated structure made of reinforced concrete with an integrated removable handling system

Номер патента: US20070095007A1. Автор: Eric Dupont,Maurice Lecuyer,Robert Tallard,Raymond Leblanc,Mario Robichaud,Jean-Francois Lupien. Владелец: Lecuyer et fils Ltd. Дата публикации: 2007-05-03.

Method for producing steel in an integrated metallurgical plant

Номер патента: US20240271232A1. Автор: Daniel Schubert,Nils Jäger,Matthias Weinberg. Владелец: THYSSENKRUPP STEEL EUROPE AG. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods for operating ethylene oligomerization reactor systems with an integrated ultrasonic flow meter

Номер патента: US11753356B2. Автор: Eric D. SCHWERDTFEGER,Bruce E. Kreischer,Steven M. Bischof,Kent E. Mitchell,Jared FERN,James Hillier,Kendall M. Hurst. Владелец: Chevron Phillips Chemical Co LP. Дата публикации: 2023-09-12.

Detecting anomalous latent communications in an integrated circuit chip

Номер патента: EP4070198A1. Автор: Marcin Hlond,Gajinder Panesar. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Detecting anomalous latent communications in an integrated circuit chip

Номер патента: WO2021110529A1. Автор: Marcin Hlond,Gajinder Panesar. Владелец: ULTRASOC TECHNOLOGIES LTD.. Дата публикации: 2021-06-10.

Microfluidic element, in particular a flow cell, comprising an integrated dry reagent

Номер патента: US20240342714A1. Автор: Lutz Weber. Владелец: Thinxxs Microtechnology Gmbh. Дата публикации: 2024-10-17.

Correcting non-compliant source code in an integrated development environment

Номер патента: US20160216964A1. Автор: SWAMINATHAN BALASUBRAMANIAN,Brian M. O'Connell,Keith R. Walker,Radha M. De. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Electrochemical method for early detection of damages in titanium alloys, which are deformable in an aqueous medium

Номер патента: RU2725692C1. Автор: Алексей Васильевич Шуклинов,Александр Анатольевич Шибков,Михаил Александрович Желтов,Александр Евгеньевич Золотов,Андрей Александрович Денисов,Михаил Фахраддинович Гасанов,Владимир Владимирович Столяров,Дмитрий Валерьевич Михлик,Сергей Сергеевич Кочегаров. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тамбовский государственный университет имени Г.Р. Державина". Дата публикации: 2020-07-03.

Electrochemical method for early detection of damages in aluminum alloys, which are deformable in an aqueous medium

Номер патента: RU2698519C1. Автор: Артем Сергеевич Протасов,Александр Анатольевич Шибков,Михаил Александрович Желтов,Александр Евгеньевич Золотов,Андрей Александрович Денисов,Михаил Фахраддинович Гасанов,Дмитрий Валерьевич Михлик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тамбовский государственный университет имени Г.Р. Державина". Дата публикации: 2019-08-28.

System and Method for Detecting Parasitic Thyristors in an Integrated Circuit

Номер патента: US20130019222A1. Автор: Jens Schneider,Krzysztof Domański,Angelika Jungmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-01-17.

Flat or extended architecture using an integrated application and operating system component for computing systems and environments

Номер патента: US20100131966A1. Автор: Doreen Cheng,Jean-Pierre Seifert,Xinwen Zhang,Victoria S. Coleman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-27.

Test structure for additive manufacture and related method for emitter alignment

Номер патента: US20180345409A1. Автор: Kassy Moy Hart,Mikhail PAVLOV,Kamilla Koenig-Urban. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-12-06.

Integrated semiconductor memory circuit and a method for operating the same

Номер патента: US6965535B2. Автор: Ralf Schneider,Manfred Proell,Stephan Schroeder,Joerg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-11-15.

Managing characterization of optical couplers in an integrated circuit

Номер патента: US20230384520A1. Автор: Christine Latrasse,Marie-Josee Picard. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Low power mode testing in an integrated circuit

Номер патента: US20200284830A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Thomas Henry Luedeke,Venkannababu AMBATI,Mark Shelton CINQUE,Joseph Rollin WRIGHT. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Integrated semiconductor memory and method for operating a data path in a semiconductor memory

Номер патента: US7813196B2. Автор: Rüdiger Brede,Arne Heittmann. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-10-12.

Flow analysis in an integration platform

Номер патента: US20200249914A1. Автор: Andrew Craig Bragdon,Ignacio Agustin Manzano,Agustin Lopez Gabeiras. Владелец: Salesforce com Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Extending an integrity measurement

Номер патента: WO2011146305A3. Автор: Graeme John Proudler,Liqun Chen. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2012-04-19.

Method for aligning contact pins in an integrated circuit testing apparatus

Номер патента: US20230314501A1. Автор: Wei Kuong Foong,Eng Kiat Lee,Kok Sing Goh,Shamal Mundiyath,Caleb LIM. Владелец: JF Microtechnology Sdn Bhd. Дата публикации: 2023-10-05.

Design Structure for a Redundant Micro-Loop Structure for use in an Integrated Circuit Physical Design Process and Method of Forming the Same

Номер патента: US20090158231A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Juergen Koehl,Jason D. Hibbeler,Jeanne P. Bickford,Markus Buehler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

System and method for measuring fault coverage in an integrated circuit

Номер патента: US20040000922A1. Автор: Jeffrey Witte. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-01-01.

Detection Method for Identifying Unintentionally Forward-Biased Diode Devices in an Integrated Circuit Device Design

Номер патента: US20090089724A1. Автор: Joseph A. Iadanza,Arnold E. Baizley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Multi-bank memory array architecture utilizing topologically non-uniform blocks of sub-arrays and input/output assignments in an integrated circuit memory device

Номер патента: US20040095796A1. Автор: John Heightley,Jon Faue. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Testing embedded memory in an integrated circuit

Номер патента: US20060059386A1. Автор: WEI Han,Loren McLaury. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

Detecting anomalous latent communications in an integrated circuit chip

Номер патента: GB2589594A. Автор: Panesar Gajinder,Hlond Marcin. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2021-06-09.

Parasitic extraction in an integrated circuit with multi-patterning requirements

Номер патента: US20140123086A1. Автор: David J. Hathaway,Natesan Venkateswaran,Eric A. Foreman,Peter A. Habitz,Chandramouli Visweswariah,Vladimir Zolotov,Jeffrey G. Hemmett,John P. Dubuque,Nathan Buck,Brian DREIBELBIS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

One-dimensional computational unit for an integrated circuit

Номер патента: EP4423631A2. Автор: Michial Allen Gunter,Reiner Pope,Charles Ross,Wren Romano. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-09-04.

Control block size reduction through ip migration in an integrated circuit device

Номер патента: US20170098026A1. Автор: Chee Yong Ew. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Surface roughening to reduce adhesion in an integrated mems device

Номер патента: WO2014163985A1. Автор: Martin Lim,Jongwoo Shin,Kegang Huang,Kirt Reed Williams,Wencheng Xu. Владелец: InvenSense, Inc.. Дата публикации: 2014-10-09.

Surface roughening to reduce adhesion in an integrated mems device

Номер патента: EP2973657A1. Автор: Martin Lim,Jongwoo Shin,Kegang Huang,Kirt Reed Williams,Wencheng Xu. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Automated test runs in an integrated development environment system and method

Номер патента: US09965380B2. Автор: Matthew G. Marum,Samuel G. Padgett,Steven K. Speicher,Michael J. Tabb. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

System and method for providing additional functionality to developer side application in an integrated development environment

Номер патента: US09875172B2. Автор: Wayne Chang,Jeffrey Hall Seibert, Jr.,Matthew William Massicotte. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2018-01-23.

Systems and methods for group constraints in an integrated circuit layout

Номер патента: US09842185B2. Автор: Lionel Riviere-Cazaux. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Acoustic signature management engine in an object integrity sensing system

Номер патента: US20220412923A1. Автор: Ranveer Chandra,Deepak Vasisht,Nissanka Arachchige Bodhi Priyantha,Nikunj Raghuvanshi,Manikanta Kotaru,Akshay Sanjay GADRE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Acoustic signature management engine in an object integrity sensing system

Номер патента: EP4363842A1. Автор: Ranveer Chandra,Deepak Vasisht,Nissanka Arachchige Bodhi Priyantha,Nikunj Raghuvanshi,Manikanta Kotaru,Akshay Sanjay GADRE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-05-08.

Method for detecting malfunctioning of a fuel return valve in an aircraft

Номер патента: US20240094088A1. Автор: Eric Benhamou,Matthieu Bradier,Manon BROUQUI. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2024-03-21.

Integrated semiconductor device including an optoelectronic switching element

Номер патента: US5058972A. Автор: Philippe Autier,Marko Erman. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1991-10-22.

Integrated semiconductor memory with redundant memory cells

Номер патента: US7203106B2. Автор: Martin Perner,Martin Versen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-10.

Integrated semiconductor circuit

Номер патента: US5276643A. Автор: Kurt Hoffmann,Rainer Kraus,Oskar Kowarik. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-01-04.

Integrated semiconductor device comprising a chemoresistive gas microsensor and manufacturing process thereof

Номер патента: US6248609B1. Автор: Paolo Ferrari,Benedetto Vigna,Ubaldo Mastromatteo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-06-19.

Integrated semiconductor resistance temperature and resistive heater

Номер патента: CA1272517A. Автор: Fred C. Sittler,Robert C. Bohara. Владелец: Rosemount Inc. Дата публикации: 1990-08-07.

Test structures to determine integrated circuit bonding energies and methods of making and using the same

Номер патента: US20240094104A1. Автор: Chin-Fu Kao,Yu-Sheng Lin,Yao-Chun Chuang,Jyun-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Codeless logging in an integration platform

Номер патента: US20230116130A1. Автор: Andrew Craig Bragdon,Ignacio Agustin Manzano,Agustin Lopez Gabeiras. Владелец: Salesforce com Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Codeless logging in an integration platform

Номер патента: US20230091664A1. Автор: Andrew Craig Bragdon,Ignacio Agustin Manzano,Agustin Lopez Gabeiras. Владелец: Salesforce com Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Codeless logging in an integration platform

Номер патента: US11803466B2. Автор: Andrew Craig Bragdon,Ignacio Agustin Manzano,Agustin Lopez Gabeiras. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Codeless logging in an integration platform

Номер патента: US11880297B2. Автор: Andrew Craig Bragdon,Ignacio Agustin Manzano,Agustin Lopez Gabeiras. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Descriptor-transformer framework in an integration platform

Номер патента: US20180341477A1. Автор: Gopalkrishna Kulkarni. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2018-11-29.

Automated process for manufacturing items of furniture in an integrated manufacturing cell and integrated cell for manufacturing items of furniture

Номер патента: US20170326818A1. Автор: Gustavo Franco Barbosa,Elton CANDIA CORDEIRO,Fábio Rodrigues COSTA. Владелец: Embraer SA. Дата публикации: 2017-11-16.

Integrated semiconductor memory with generation of data

Номер патента: US20070247989A1. Автор: Thomas Hein. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-25.

Systems and methods for storing data in an integrated array and linked list based structure

Номер патента: AU2019253882A1. Автор: Mahesh Damodar BARVE,Swapnil RODI,Sunil Anant PURANIK,Manoj Nambiar. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

System and Method for Asynchronous Clock Modeling in an Integrated Circuit Simulation

Номер патента: US20080072197A1. Автор: Yee Ja,Bradley S. Nelson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-03-20.

Generating a layout for an integrated circuit

Номер патента: US20180189437A1. Автор: Michael Koch,Matthias Ringe,Andreas H.A. Arp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Automated process for manufacturing items of furniture in an integrated manufacturing cell and integrated cell for manufacturing items of furniture

Номер патента: EP3224029A1. Автор: Gustavo Franco Barbosa,Elton CANDIA CORDEIRO,Fábio Rodrigues COSTA. Владелец: Embraer SA. Дата публикации: 2017-10-04.

Method of monitoring the reagent dosing in an exhaust system of an internal combustion engine

Номер патента: GB201213239D0. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2012-09-05.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Title: testing a pipeline in an ic

Номер патента: WO2006006132A1. Автор: Paul Wielage,Kees Van Kaam. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-01-19.

Detachable decomposition reactor with an integral mixer

Номер патента: WO2010045285A2. Автор: Achuth Munnannur,Jason Drost,Mihai Chiruta,Robert Schellin,Diane Boose. Владелец: CUMMINS FILTRATION IP INC.. Дата публикации: 2010-04-22.

Arrangement in an oil filter

Номер патента: EP1059981A1. Автор: Erik Hedman. Владелец: Purolator Products Co LLC. Дата публикации: 2000-12-20.

Method of forming bidomain structure in ferrielectric monocrystal plates

Номер патента: RU2566142C2. Автор: Александр Сергеевич Быков,Юрий Николаевич Пархоменко,Дмитрий Александрович Киселев,Михаил Давыдович Малинкович,Роман Николаевич Жуков,Илья Викторович Кубасов,Седрак Гургенович Григорян. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2015-10-20.

Method for forming an integral porous region in cast implant

Номер патента: CA2712014C. Автор: Brad Rauguth,William Hutchison. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Ceramic valve supporting structure in use for internal combustion engine

Номер патента: US4838218A. Автор: Masato Taniguchi,Yasushi Sato,Junichi Kagawa,Mitsuyoshi Kawamura,Shigeru Nagasaki. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1989-06-13.

Method for measuring current distribution in an integrated circuit by detecting magneto-optic polarization rotation in an adjacent magneto-optic film

Номер патента: US5663652A. Автор: Mark Russel Freeman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-09-02.

Monitoring device for the position regulator in an electronic accelerator pedal

Номер патента: US5167212A. Автор: CORNELIUS Peter,Karl-Heinrich Preis. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1992-12-01.

Generating a layout for an integrated circuit

Номер патента: US9953124B2. Автор: Michael Koch,Andreas H. A. Arp,Matthias Ringe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Testing apparatus and testing method for an integrated circuit, and integrated circuit

Номер патента: US20070168816A1. Автор: Hideaki Konishi,Daisuke Maruyama,Junko Kumagai,Takahisa Hiraide,Hitoshi Yamanaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Detection of strain direction in an integrated circuit

Номер патента: US20200200618A1. Автор: Steven Bartling,Ralf Peter Brederlow. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Method and process for delivering a rewards based online cyber security education course via an integrated automated learning management system

Номер патента: AU2020102927A4. Автор: Keegan Crage. Владелец: Trustee For Top Invest Trust. Дата публикации: 2020-12-17.

Generating a layout for an integrated circuit

Номер патента: US20170161423A1. Автор: Michael Koch,Matthias Ringe,Andreas H.A. Arp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Method and apparatus for isolating defects in an integrated circuit near field scanning photon emission microscopy

Номер патента: US5981967A. Автор: Zhouxing Luo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-11-09.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: EP1476734A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-11-17.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: WO2003069287A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM MICROELECTRONIC-MARIN SA. Дата публикации: 2003-08-21.

Pneumatic tire tread having protruding shape structure in groove

Номер патента: EP4303037A1. Автор: Hyoyul Ahn. Владелец: Kumho Tire Co Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Integrated temperature sensor, method for producing an integrated temperature sensor and method for determining a temperature by means of an integrated temperature sensor

Номер патента: WO2018054596A1. Автор: Willem Frederik Adrianus Besling,Zoran ZIVKOVIC,Casper Van Der Avoort. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2018-03-29.

Interconnect delay driven placement and routing of an integrated circuit design

Номер патента: WO2000062207A1. Автор: So-Zen Yao,C. K. Cheng. Владелец: MENTOR GRAPHICS CORPORATION. Дата публикации: 2000-10-19.

Interconnect delay driven placement and routing of an integrated circuit design

Номер патента: EP1173817A1. Автор: So-Zen Yao,C. K. Cheng. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2002-01-23.

Calibrating a depth control system of a row unit in an agricultural planter

Номер патента: CA3050813A1. Автор: Johnathon R. Dienst. Владелец: CNH INDUSTRIAL AMERICA LLC. Дата публикации: 2020-03-28.

Downhole motor bearing assembly with an integrated thrust shock absorber for downhole drilling and method thereof

Номер патента: WO2011022403A3. Автор: Matthew J. Barnes,Aaron T. Kirk,Christopher J. Rayha. Владелец: MAGNUM DRILLING SERVICES, INC.. Дата публикации: 2011-05-26.

Fuel rail/fuel conduit connecting structure in engine of outboard engine system

Номер патента: US20020185110A1. Автор: Tomonori Ikuma,Tetsu Wada,Sadafumi Shidara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Grease feeding piping arrangement structure in construction machine

Номер патента: WO2020182345A1. Автор: Hiroya Ito,Toru Amaya,Kota Tatsumi,Naoki Miyata,Kazufumi Nishimoto,Hirokazu Koga,Tetsuya Koshima. Владелец: CATERPILLAR SARL. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for an adaptive ascertainment of an integrity range of a parameter estimate

Номер патента: US11802973B2. Автор: Marco Limberger,Lena SCHINDLER,Csaba Rokosz,Thomas Friederichs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-10-31.

Method and system for performing self-tests in an electronic system

Номер патента: US8659310B2. Автор: Martin Eckert,Jochen Supper,Roland Frech,Otto A. Torreiter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-25.

Method for releasable contact-connection of a plurality of integrated semiconductor modules on a wafer

Номер патента: US20020137238A1. Автор: Frank Weber,Martin Fritz,Jens Möckel,Michael Hubner,Gerrit Färber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

System and method for topology-aware job scheduling and backfilling in an HPC environment

Номер патента: US09904583B2. Автор: Shannon V. Davidson,Anthony N. Richoux. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for processing an edge of catalyst-supporting honeycomb structure in exhaust gas denitration apparatus

Номер патента: US09802179B2. Автор: Susumu Hikazudani,Seigo Yamamoto,Naoe Hino,Kana Shimizu. Владелец: Hitachi Zosen Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for controlling an integrated circuit, integrated circuit and computer including an integrated circuit

Номер патента: US09703556B2. Автор: Bertrand Danet,Stéphane Laborie-Fulchic. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2017-07-11.

System and method for topology-aware job scheduling and backfilling in an HPC environment

Номер патента: US09594600B2. Автор: Shannon V. Davidson,Anthony N. Richoux. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-03-14.

Method and apparatus for sampling a power supply current of an integrated circuit, and storage medium onto which is recorded a control program therefor

Номер патента: US20060007226A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Input coupling for reducing the wavelength dependency of an integrated optical filter

Номер патента: CA2344582A1. Автор: Vincent Delisle,Alan J.P. Hnatiw. Владелец: Lumentum Ottawa Inc. Дата публикации: 2001-10-20.

System and method for identifying component parts in an assembly

Номер патента: US20070103302A1. Автор: Michael Brodine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-10.

Methods and apparatus for monitoring internal signals in an integrated circuit

Номер патента: US20050289418A1. Автор: Manoj Agarwal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-29.

Systems and methods for storing data in an integrated array and linked list based structure

Номер патента: US20200133942A1. Автор: Mahesh Damodar BARVE,Swapnil RODI,Sunil Anant PURANIK,Manoj Nambiar. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

System and method for providing recommended mappings for use by a mapper in an integration cloud service design time

Номер патента: US20160357826A1. Автор: Rajesh Raheja,Virupaksha Vajragiri,Viresh Amin. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Systems and methods for storing data in an integrated array and linked list based structure

Номер патента: EP3644196A1. Автор: BARVE Mahesh Damodar,Swapnil RODI,Sunil Anant PURANIK,Manoj Nambiar. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2020-04-29.

Generating a layout for an integrated circuit

Номер патента: US20170161421A1. Автор: Michael Koch,Matthias Ringe,Andreas H.A. Arp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

An integrated centrifugal blood pump-oxygenator, an extracorporeal life support system and a method of de-bubbling and priming an extracorporeal life support system

Номер патента: CA2613610A1. Автор: Barry N. Gellman,Zhongjun Wu,Andrew Koert,Juntao Zhang. Владелец: Levitronix LLC. Дата публикации: 2008-06-07.

Securing An Integrated Circuit

Номер патента: US20080043558A1. Автор: Robert Dixon,Phil Paone,Kirk Morrow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: EP1399828A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-24.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A3. Автор: Neal T Wingen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-23.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-05.

Software updates without downtime via an integration content mapper for integration services

Номер патента: US20230401053A1. Автор: Gopalkrishna Kulkarni. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for mounting an abradable element comprising a cellular structure in an annular groove of a turbomachine member

Номер патента: US20240240567A1. Автор: Quentin Alexandre DA SILVA,Bastien Gilbert ASSOULY. Владелец: Safran Aircraft Engines SAS. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: WO2017172322A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Network Display Support in an Integrated Circuit

Номер патента: US20140253570A1. Автор: Brijesh Tripathi,Timothy J. Millet,Peter F. Holland. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: EP3437009A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Protected resource acces in an object-oriented computing environment

Номер патента: US20020199033A1. Автор: Michael Krivoruchko. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Software updates without downtime via an integration content mapper for integration services

Номер патента: US12135964B2. Автор: Gopalkrishna Kulkarni. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2024-11-05.

System and method for finding saddle point-like structures in an image and determining information from the same

Номер патента: US09946947B2. Автор: William M. Silver,Xiangyun Ye,Ivan A. Bachelder,Earle B. Stokes,Fenghua JIN. Владелец: Cognex Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Circuit design implementations in secure partitions of an integrated circuit

Номер патента: US09946826B1. Автор: Herman Schmit,Ting Lu,Dana How,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Rotary machines including a hybrid rotor with an integrally bladed rotor portion

Номер патента: US09810078B2. Автор: Sean A. Whitehurst,Patrick James McComb. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Device for testing an integrated circuit and method for implementing same

Номер патента: US20120001088A1. Автор: Florent Miller,Cecile Weulersse,Thierry Carriere,Patrick Heins,Antonin Bougerol,Samuel Hazo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for determining mechanical quantities associated with a deformation force by utilizing an integrated computational element

Номер патента: CA2934621C. Автор: Dale E. Jamison,Cato Russell Mcdaniel. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Using schemas to generate application specific business objects for use in an integration broker

Номер патента: US8145653B2. Автор: Yury Kosov,Thomas Pollinger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-03-27.

Measurement structure in a standard cell for controlling process parameters during manufacturing of an integrated circuit

Номер патента: US7930660B2. Автор: Erwin Ruderer,Walther Lutz,Roswitha Deppe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-04-19.

Apparatus for testing an integrated circuit in an oven during burn-in

Номер патента: US5966021A. Автор: Victor M. Eliashberg,Kombupalayam M. Prakash. Владелец: Pycon Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Technique for modifying an integrated circuit layout

Номер патента: US5231590A. Автор: Jean P. Meunier,Niraj Kumar. Владелец: Zilog Inc. Дата публикации: 1993-07-27.

Determining the effects of noise or crosstalk in an integrated circuit

Номер патента: GB2410802A. Автор: William Eric Corr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-10.

Detecting power supply sag in an integrated circuit

Номер патента: US20180356450A1. Автор: Gary Lynn Swoboda. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Detecting Power Supply Sag in an Integrated Circuit

Номер патента: US20140253141A1. Автор: Gary Lynn Swoboda. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Method for manufacturing an integrated MEMS transducer device and integrated MEMS transducer device

Номер патента: US11878906B2. Автор: Jörg Siegert,Kailash Vijayakumar,Remco Henricus Wilhelmus Pijnenburg,Willem Frederik Adrianus Besling,Sophie GUILLEMIN. Владелец: Sciosense BV. Дата публикации: 2024-01-23.

Limiting performance in an integrated circuit to meet export restrictions

Номер патента: US20030225999A1. Автор: Michael Kim,Tse-Yu Yeh,Robert Rogenmoser. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

Position reporting and navigation in an integrated flight application using bullseye

Номер патента: US20200074869A1. Автор: Travis Scott Clayton Root,Luis Manuel Flores Vasquez. Владелец: ForeFlight LLC. Дата публикации: 2020-03-05.

Method for fetching data from a non-volatile memory in an integrated circuit and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20050166004A1. Автор: Fabrizio Campanale,Gijs Van Steenwijk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-28.

Halo test method for an optical chip in an integrated circuit

Номер патента: US20200311375A1. Автор: Hua Wang,Zhiyong Zhang,Bin Luo,Kun Yu,Weiwei Deng,Haiying JI. Владелец: Sino IC Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Halo test method for an optical chip in an integrated circuit

Номер патента: US10977469B2. Автор: Hua Wang,Zhiyong Zhang,Bin Luo,Kun Yu,Weiwei Deng,Haiying JI. Владелец: Sino IC Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Buffer-bay placement in an integrated circuit

Номер патента: US10726185B2. Автор: Sumantra Sarkar,Jayaprakash Udhayakumar,Chaitanya Kompalli,Srinivasa Rahul Batchu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-28.

Method for fetching data from a non-volatile memory in an integrated circuit and corresponding integrated circuit

Номер патента: EP1502202A1. Автор: F. Philips Int.Property & Standards Gmbh CAMPANALE,G. Philips Int.Prop.& Standards Gmbh VAN STEENWIJK. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-02-02.

Position reporting and navigation in an integrated flight application using bullseye

Номер патента: CA3043210A1. Автор: Travis Scott Clayton Root,Luis Manuel Flores Vasquez. Владелец: ForeFlight LLC. Дата публикации: 2020-02-29.

Apparatus and method for providing multiple power supply voltages to an integrated circuit

Номер патента: US20020109413A1. Автор: Aviv Malinovitch. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Extracting wiring parasitics for filtered interconnections in an integrated circuit

Номер патента: WO2004021227A3. Автор: Teja Singh,Joshua A Bell,Mahesh S Sharma,David M Newmark. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-09-30.

Extracting wiring parasitics for filtered interconnections in an integrated circuit

Номер патента: WO2004021227A2. Автор: Teja Singh,Mahesh S. Sharma,David M. Newmark,Joshua A. Bell. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-03-11.

Extracting wiring parasitics for filtered interconnections in an integrated circuit

Номер патента: EP1543454A2. Автор: Teja Singh,Mahesh S. Sharma,David M. Newmark,Joshua A. Bell. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-06-22.

Buffer-bay placement in an integrated circuit

Номер патента: US20200117768A1. Автор: Sumantra Sarkar,Jayaprakash Udhayakumar,Chaitanya Kompalli,Srinivasa Rahul Batchu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Performance, thermal and power management system associated with an integrated circuit and related method

Номер патента: US20150025829A1. Автор: Alice Wang,Gordon Gammie,Uming Ko. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Performance, thermal and power management system associated with an integrated circuit and related method

Номер патента: US20150022254A1. Автор: Alice Wang,Gordon Gammie,Uming Ko. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Methods and system for an integrated circuit

Номер патента: US20200401552A1. Автор: Tomonori Kamiya,Yukihito Takeda. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Shutter shaft holding structure in adapter with shutter

Номер патента: US20220011520A1. Автор: Takashi Sato. Владелец: Sanwa Denki Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Method and system to improve the operations of an integrated non-transparent bridge device

Номер патента: WO2011152950A3. Автор: Aric W. Griggs. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-04-05.

An integrated docking station for fluid analysis of an optical signal received from a photonic chip assembly

Номер патента: WO2023158574A9. Автор: Daniel Carothers,John Kevin KILPATRICK,Kelly S. DAUGHTRY. Владелец: Strike Photonics, Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Method and system to improve the operations of an integrated non-transparent bridge device

Номер патента: WO2011152950A2. Автор: Aric W. Griggs. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2011-12-08.

Method and system to improve the operations of an integrated non-transparent bridge device

Номер патента: EP2577491A2. Автор: Aric W. Griggs. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-04-10.

Inner-c-forging assembly, front axle assembly and modification method of an integral front axle assembly

Номер патента: AU2022203205B2. Автор: Dehui Du,Jia Fu. Владелец: Shanghai Yinshun Trading Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Electronic system for collecting and communicating clinical order information in an acute care setting

Номер патента: WO2002052392A3. Автор: Christopher Alban,Carl Dvorak,Indu Prakash. Владелец: Epic Systems Corp. Дата публикации: 2003-12-11.

Methods, mediums, and systems for uploading and visualizing data in an analytical ecosystem

Номер патента: WO2023079484A1. Автор: Steven M. Cohn,Christopher Carver. Владелец: WATERS TECHNOLOGIES IRELAND LIMITED. Дата публикации: 2023-05-11.

Test mode control circuit for reconfiguring a device pin of an integrated circuit chip

Номер патента: WO2004030034A2. Автор: Colin Price,Colin S. Mcintosh. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2004-04-08.

A closure assembly comprising a cap with an integrated tamper-evident ring member

Номер патента: EP4234434A2. Автор: Frederik Adriaan van Spronsen,Jeroen Pieter Fiere,Willem Jan Adriaan Oosterling,Johannes Wilhelmus Van Tuil. Владелец: Scholle IPN IP BV. Дата публикации: 2023-08-30.

Epicyclic gearing, in particular reduction gearing with an integrated spur gear differential

Номер патента: US10935119B2. Автор: Manfred Goetz,Franz Kurth,Ralph Schimpf. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2021-03-02.

Storage area structure in information processor

Номер патента: US5043869A. Автор: Norihisa Suzuki,Tohru Nojiri,Shumpei Kawasaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-08-27.

Electronic system for collecting and communicating clinical order information in an acute care setting

Номер патента: WO2002052392A2. Автор: Christopher Alban,Carl Dvorak,Indu Prakash. Владелец: Epic Systems Corporation. Дата публикации: 2002-07-04.

Method for analyzing voltage drop in power distribution across an integrated circuit

Номер патента: WO2007054925A2. Автор: Mark Turner,Brent Buchanan. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-05-18.

Unifying multiple audio bus interfaces in an audio system

Номер патента: US20240296009A1. Автор: Syed Naseef,David Belz. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Canister mounting structure in power generating apparatus

Номер патента: US20080271717A1. Автор: Takahide Sugiyama,Masanobu Yamamoto. Владелец: Yamaha Motor Powered Products Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-06.

Interconnecting computing modules to form an integrated system

Номер патента: US20110145467A1. Автор: Stephen B. Lyle,Loren M. Koehler,Dick T. Fong. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2011-06-16.

Methods, mediums, and systems for uploading and visualizing data in an analytical ecosystem

Номер патента: EP4427147A1. Автор: Steven M. Cohn,Christopher Carver. Владелец: Waters Technologies Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Test arrangement and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US12085607B2. Автор: Alessio CIARCIA. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Unifying multiple audio bus interfaces in an audio system

Номер патента: WO2024186399A1. Автор: Syed Naseef,David Belz. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Injector valve for an integrated air/fuel module

Номер патента: EP1359315A3. Автор: Didier J. De Vulpillieres,Jim R. Morris. Владелец: Continental Automotive Systems US Inc. Дата публикации: 2009-01-21.

Unifying multiple audio bus interfaces in an audio system

Номер патента: US12112091B2. Автор: Syed Naseef,David Belz. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semi-conductor moisture sensor with two patterend capacitors and an integrated heating element

Номер патента: WO2024205765A1. Автор: Abhijeet Paul,Mishel Matloubian. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Strip-form acoustic material having an integrated flange, and internal wall of an aircraft air intake made with this material

Номер патента: US12134982B2. Автор: Alain Porte,Jacques Lalane. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2024-11-05.

Method and an integrated circuit for executing a trusted application within a trusted runtime environment

Номер патента: US09927995B2. Автор: Patrik Ekdahl,Arash VAHIDI. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-03-27.

An integrated microfluidic device with actuator

Номер патента: EP2554843A2. Автор: Robert Johnstone,Stephane Martel. Владелец: Teledyne Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-06.

Drawer assembly with bezel including an integral drawer centering device

Номер патента: RU2675229C2. Автор: ЛОЭРА Хосе Альфредо ПЕРЕГРИНА,МЕЛЕНДЕС Франсиско РОНКИЛЬО,ПАВОН Омар Антонио РАМИРЕС,ДУРАН Дэвид КАСТРО. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-12-17.

Techniques for placing dummy features in an integrated circuit based on dielectric pattern density

Номер патента: US7197737B1. Автор: Yitzhak Gilboa,Artur Balasinski,Walter Iandolo. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-03-27.

Frequency comparison and generation in an integrated processor

Номер патента: US6081143A. Автор: Anup K. Sharma,Kenneth S. Ho. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2000-06-27.

Testing of an integrated circuit that contains secret information

Номер патента: EP1917535B1. Автор: Erik J. Marinissen,Sandeepkumar Goel,Andre K. Nieuwland,Hubertus G. H. Vermeulen,Hendrikus P. E. Vranken. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-05-19.

Light intensity modulator in an integrated optical circuit with feedback means

Номер патента: US4340272A. Автор: Claude Puech,Michel Papuchon. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1982-07-20.

Implementation of endpoints as JMX MBeans in an integrated media and JAVA EE application server

Номер патента: US8615607B2. Автор: Oleg Kulikov,Amit Bhayani. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2013-12-24.

Method and apparatus for estimating state-dependent gate leakage in an integrated circuit

Номер патента: US6718524B1. Автор: Benjamin Mbouombouo. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-04-06.

Internal combustion engine having an integral cylinder head

Номер патента: US5143033A. Автор: Robert K. Catterson,Norbert M. Vogl,Michael E. Kendziora. Владелец: Briggs and Stratton Corp. Дата публикации: 1992-09-01.

A device for integrated injection and ignition in an internal combustion engine

Номер патента: AU3712097A. Автор: Sven Cornéer. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-02-02.

Method and apparatus for controlling the air-fuel ratio in an internal combustion engine

Номер патента: US4467770A. Автор: Takashi Arimura,Toshimi Matsumura,Hisamitsu Yamazoe. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1984-08-28.

A method of managing memory in an integrated circuit card and corresponding integrated circuit card

Номер патента: EP4261693A1. Автор: Amedeo Veneroso,Carlo Cimino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-18.

Verification of a hardware design for an integrated circuit to implement a floating point product of power functions

Номер патента: EP4300348A1. Автор: Sam Elliott,Rachel Edmonds,Simon Gaulter. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Compact metal and plastic oldham coupler with an integral gear on an input plate and a retraction spline on an output plate

Номер патента: US20160305485A1. Автор: Daniel Lee Carter,Brian Reed Spencer. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Transition fault testing of functionally asynchronous paths in an integrated circuit

Номер патента: US11709203B2. Автор: Sundarrajan Rangachari,Prakash Narayanan,Prashanth Saraf. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-25.

T-Shirt Garment Having an Integrated Zipper

Номер патента: US20220354187A1. Автор: Breanna McClure. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for provisioning decoupling capacitance in an integrated circuit

Номер патента: US20140282340A1. Автор: Savithri Sundareswaran,Benjamin S. Huang,Ravi K. Vaidyanathan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-09-18.

Timing-aware and simultaneous optimization of latch clustering and placement in an integrated circuit

Номер патента: US20230394211A1. Автор: Gi-Joon Nam,Jinwook Jung,Gustavo Enrique Tellez,Jennifer Kazda,Chau-Chin HUANG,Yao-Wen CHENG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for optimizing and prioritizing video routing operations in conjunction with multiple integrated device controls in an integrated, configurable operation room system

Номер патента: WO2010148056A2. Автор: Joseph K. Leo,Douglas J. Eberhart,Nathaniel J. Finger,Peter A. Cardillo,John T. Nedick,Louis J. Russo. Владелец: OLYMPUS AMERICA INC.. Дата публикации: 2010-12-23.

Technique for managing power domains in an integrated circuit

Номер патента: US10908667B2. Автор: Dominic William BROWN,Ashley John Crawford,Christopher Vincent SEVERINO. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2021-02-02.

Method and device for selectively adding timing margin in an integrated circuit

Номер патента: US20120112341A1. Автор: Paul S. Zuchowski,David E. Lackey,Chandramouili VISWESWARIAH. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Method and device for selectively adding timing margin in an integrated circuit

Номер патента: US20120124538A1. Автор: Paul S. Zuchowski,David E. Lackey,Chandramouili VISWESWARIAH. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Method and device for selectively adding timing margin in an integrated circuit

Номер патента: US20120115256A1. Автор: Paul S. Zuchowski,David E. Lackey,Chandramouili VISWESWARIAH. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Method of Operating an Integrated Circuit for Reading the Logical State of a Memory Cell

Номер патента: US20090059673A1. Автор: Josef Willer,Detlev Richter. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of making in an integrated circuit including simplifying metal shapes

Номер патента: US20110113400A1. Автор: Olivier Rizzo,Hanno Melzner,Jacques Herry. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-05-12.

Method for improved single event latch up resistance in an integrated circuit

Номер патента: US7474011B2. Автор: Chuen-Der Lien,Ta-Ke Tien,Pao-Lu Louis Huang. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2009-01-06.

Transistion fault testing of funtionally asynchronous paths in an integrated circuit

Номер патента: US20190204387A1. Автор: Sundarrajan Rangachari,Prakash Narayanan,Prashanth Saraf. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Transistion fault testing of funtionally asynchronous paths in an integrated circuit

Номер патента: US20220196738A1. Автор: Sundarrajan Rangachari,Prakash Narayanan,Prashanth Saraf. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for improved single event latch up resistance in an integrated circuit

Номер патента: US20080122473A1. Автор: Chuen-Der Lien,Ta-Ke Tien,Pao-Lu Louis Huang. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Method for optimizing and prioritizing video routing operations in conjunction with multiple integrated device controls in an integrated, configurable operation room system

Номер патента: WO2010148056A3. Автор: Joseph K. Leo,Douglas J. Eberhart,Nathaniel J. Finger,Peter A. Cardillo,John T. Nedick,Louis J. Russo. Владелец: OLYMPUS AMERICA INC.. Дата публикации: 2011-03-31.

Clock alias for timing analysis of an integrated circuit design

Номер патента: US8250515B2. Автор: Craig M. Darsow,Michael D. Amundson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20190347380A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20190065657A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20210117608A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US10534891B2. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US10977419B2. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20220138391A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

System and method for built-in self test (bist) in an integrated circuit

Номер патента: WO2014049402A1. Автор: Bharadwaj Amrutur,Rajath VASUDEVAMURTHY. Владелец: Department of Electronics and Information Technology. Дата публикации: 2014-04-03.

Vehicle having an integrated coolant control valve and a control method for same

Номер патента: US20200025059A1. Автор: Seong Kyu Park,Jungsup Byun. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20210248295A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US11657200B2. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2023-05-23.

System and method for communicating with an integrated circuit

Номер патента: EP1089187A3. Автор: Stephen James Wright,David Alan Edwards,Bernard Ramanadin. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-09-29.

System and method for communicating with an integrated circuit

Номер патента: EP1089178A3. Автор: Stephen James Wright,David Alan Edwards,Bernard Ramanadin. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2003-07-16.

Underwater platform installation in an existing swimming pool

Номер патента: WO2019083651A1. Автор: Thomas Joseph Masterson. Владелец: Masterson Thomas Joseph. Дата публикации: 2019-05-02.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Breathable air safety system for civilians in a building structure in an emergency

Номер патента: WO2010011571A3. Автор: Anthony J. Turiello. Владелец: Rescue Air Systems, Inc.. Дата публикации: 2010-04-22.

Absorbent structure in an absorbent article

Номер патента: EP1079786A1. Автор: Kent Vartiainen. Владелец: SCA HYGIENE PRODUCTS AB. Дата публикации: 2001-03-07.

Method for forming a guide structure for guiding an elevator car in an elevator shaft

Номер патента: US12071325B2. Автор: Christian Studer,Daniel Meierhans,Michael Geisshusler,Andrea CAMBRUZZI,Julian Stahli. Владелец: INVENTIO AG. Дата публикации: 2024-08-27.

Socket for testing of an integrated circuit

Номер патента: EP4407323A1. Автор: Gianluigi Frigerio,Alessandro Copeta. Владелец: Officina Meccanica Di Precisione G3. Дата публикации: 2024-07-31.

Method and system for custom model definition of analog defects in an integrated circuit

Номер патента: US11763056B2. Автор: Michael Dürr,Mayukh Bhattacharya,Mira Tzakova,Beatrice Solignac,Rayson Yam. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Methods and systems for performing timing sign-off of an integrated circuit design

Номер патента: US20120089383A1. Автор: Rajkumar Agrawal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Method of testing multiple modules on an integrated circuit

Номер патента: US20030221150A1. Автор: Prashant Balakrishnan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-27.

Method, computer system and computer-readable storage medium for creating a layout of an integrated circuit

Номер патента: US20150213185A1. Автор: Rainer Mann,Ulrich Hensel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Hermetically-covered photonic integrated circuit (pic) on a substrate having an integrated laser diode

Номер патента: US20240295690A1. Автор: Rahul Agarwal,Giuseppe Calafiore,Zhujun Shi,Steven Alexander-Boyd HICKMAN,Petr Markov,John Michael Goward,Dusan Coso,Shermin Arab. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Power optimization of a mixed-signal system on an integrated circuit

Номер патента: US20060217920A1. Автор: Matthew Felder,Marcus May. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-28.

Method and apparatus for increasing security in a system using an integrated circuit

Номер патента: US20100244888A1. Автор: Asaf ASHKENAZI,Thomas E. Tkacik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Method of forming a dynamically transformable nanotwinned structure in an austenite steel alloy

Номер патента: US20240240277A1. Автор: QIAN LI,Tao Yang. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-07-18.

Latency reduction for transitions between active state and sleep state of an integrated circuit

Номер патента: US20240319781A1. Автор: Ashish Jain,Randall Brown,Gia Tung Phan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Integral test structure to assess reliability and metallisation

Номер патента: RU2460169C1. Автор: Сергей Васильевич Фоминых. Владелец: Открытое акционерное общество "Ангстрем-М". Дата публикации: 2012-08-27.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL OF A RESONANT SWITCHING SYSTEM WITH MONITORING OF THE WORKING CURRENT IN AN OBSERVATION WINDOW

Номер патента: US20120001662A1. Автор: Adragna Claudio,Pidutti Albino,Beria Stefano. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of measuring diffusion length of minority charge carriers in semiconductors and test structure for implementation thereof

Номер патента: RU2501116C1. Автор: Владимир Васильевич Васильев,Александр Владиленович Предеин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2013-12-10.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Test structure for estimation of curvature radius of scanning probe microscopy cantilever needle-point

Номер патента: RU2335735C1. Автор: Алексей Николаевич Белов,Сергей Александрович Гаврилов,Игорь Юрьевич Орлов,Алексей Александрович Тихомиров,ков Василий Иванович Шев,Василий Иванович Шевяков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет). Дата публикации: 2008-10-10.

Front panel with an integrated upper window for a vehicle canopy

Номер патента: CA194197S. Автор: . Владелец: Rock Solid Industries International Pty Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of testing structural materials for biostability

Номер патента: RU2471188C1. Автор: Виктор Федорович Строганов,Дарья Александровна Куколева. Владелец: Дарья Александровна Куколева. Дата публикации: 2012-12-27.

OPTICAL BEAM SPLITTER FOR USE IN AN OPTOELECTRONIC MODULE, AND A METHOD FOR PERFORMING OPTICAL BEAM SPLITTING IN AN OPTOELECTRONIC MODULE

Номер патента: US20120002284A1. Автор: Wen Pengyue,McColloch Laurence R.. Владелец: AVAGO TECHNOLOGIES FIBER IP (SINGAPORE) PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method to test structures at axial and eccentric application of sign alternating loads and test bench for its implementation

Номер патента: RU2523074C1. Автор: Сергей Михайлович Анпилов,Валерий Алексеевич Ерышев,Василий Геннадьевич Мурашкин,Андрей Сергеевич Рыжков,Екатерина Валерьевна Латышева,Сергей Владимирович Ключников. Владелец: Сергей Михайлович Анпилов. Дата публикации: 2014-07-20.

Test structure for graduating scanning probe microscopes

Номер патента: RU2402021C1. Автор: Иван Иванович Бобринецкий,Владимир Кириллович Неволин,Валерий Николаевич Суханов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт метрологии имени Д.И.Менделеева" (ФГУП "ВНИИМ им Д.И.Менделеева"). Дата публикации: 2010-10-20.

Test structure for ground fault circuit interrupters

Номер патента: CA1125856A. Автор: John Misencik,Ronnie D. Davidson. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1982-06-15.

METHOD FOR DATA TRANSMISSION IN AN OPTICAL TRANSPORT NETWORK

Номер патента: US20120002965A1. Автор: Bellato Alberto,Grandi Pietro Vittorio,Gumier Matteo,Belotti Sergio,Trowbridge Stephen John. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR DEVICES FOR IMAGING STRUCTURES IN OR AT ONE OR MORE LUMINAL ORGANS

Номер патента: US20120004506A1. Автор: Tearney Guillermo J.,Bouma Brett E.,Shishkov Milen,SUTER Melissa,Gora Michalina,Yoo Hongki. Владелец: The General Hospital Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Composite connecting element with an integral inner thread

Номер патента: RU2317892C1. Автор: Виталий Ираклиевич Сисаури,Александр Викторович Суханов,Алексей Вадимович Асеев,Виктор Андреевич Першин,Валентина Николаевна Першина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Компания "Армопроект". Дата публикации: 2008-02-27.

Power control of an integrated circuit memory

Номер патента: US20120002499A1. Автор: Chong Yew Keong,Kinkade Martin Jay,Yeung Gus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Test structure for graduating scanning probing microscope

Номер патента: RU2244254C2. Автор: В.А. Быков,С.А. Саунин,Д.А. Евплов,Г.А. Емельченко,В.М. Масалов,Б.К. Медведев,В.В. Редченко. Владелец: Зао "Нт-Мдт". Дата публикации: 2005-01-10.

Waveguide structures in particular for use in acousto-optical mode converters and method for making same

Номер патента: NZ336141A. Автор: Steffen Schmid,Salvatore Morasca,Sergio Bosso,Harald Herrmann. Владелец: Pirelli Cavi e Sistemi SpA. Дата публикации: 2000-06-23.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.