Methods of etching oxide, reducing roughness, and forming capacitor constructions
Номер патента: TW200703510A
Опубликовано: 16-01-2007
Автор(ы): Janos Fucsko, Kevin R Shea, Niraj B Rana
Принадлежит: Micron Technology Inc
Опубликовано: 16-01-2007
Автор(ы): Janos Fucsko, Kevin R Shea, Niraj B Rana
Принадлежит: Micron Technology Inc
Chemical vapor deposition methods and methods of etching a contact opening over a node location on a semiconductor substrate
Номер патента: US20020123221A1. Автор: Chris Hill,Mark Jost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.