Interconnection structure of semiconductor integrated circuit and method for making the same
Номер патента: TW201101448A
Опубликовано: 01-01-2011
Автор(ы): Kuo-Hui Su, Wen-Ping Liang, Yu-Shan Chiu
Принадлежит: Nanya Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-01-2011
Автор(ы): Kuo-Hui Su, Wen-Ping Liang, Yu-Shan Chiu
Принадлежит: Nanya Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Interconnect structure with improved dielectric line to via electromigration resistant interfacial layer and method of fabricating same
Номер патента: EP2356677A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Chih-Chao Yang,Keith Kwong Hon Wong,William Robert Tonti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-17.