Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • synthesis method of CNF on transition metal by Chemical Vapor Deposition, and CNF thereof

synthesis method of CNF on transition metal by Chemical Vapor Deposition, and CNF thereof

Номер патента: KR101471625B1
Опубликовано: 11-12-2014
Автор(ы): 이창섭, 현유라
Принадлежит: 계명대학교 산학협력단, 한국이엔에쓰 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of producing strong and current-conducting fiber by drawing films from carbon nanotubes

Номер патента: RU2690821C1. Автор: Альберт Галийевич Насибулин,Мария Алексеевна Жиляева,Евгений Шульга. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования Сколковский институт науки и технологий. Дата публикации: 2019-06-05.

Mass synthesis method of high purity carbon nanotubes vertically aligned over large-size substrate using thermal chemical vapor deposition

Номер патента: US6350488B1. Автор: Jae-eun Yoo,Cheol-jin Lee. Владелец: Iljin Nanotech Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-26.

Moisture governed growth method of atomic layer ribbons and nanoribbons of transition metal dichalcogenides

Номер патента: US11981996B2. Автор: Xufan Li,Avetik R. Harutyunyan. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of bonding fecral alloy with fenicr alloy using filler metal by welding

Номер патента: RU2716723C2. Автор: Андерс ВАЛЛЕРЕ,Томас БЛОМФЕЛЬДТ,Оса ЛАРССОН,Андерс ВИЛЬССОН. Владелец: САНДВИК ИНТЕЛЛЕКЧУАЛ ПРОПЕРТИ АБ. Дата публикации: 2020-03-16.

Massive synthesis method of purified carbon nanotubes vertically aligned on large-area substrate using the thermal chemical vapor deposition

Номер патента: KR100372332B1. Автор: 유재은,이철진. Владелец: 이철진. Дата публикации: 2003-02-17.

Methods of peeling and transferring hetero-epitaxially grown graphene films and products containing said films

Номер патента: RU2568718C2. Автор: Виджайен С. ВЕЕРАСАМИ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2015-11-20.

Synthesis of ordered microporous carbons by chemical vapor deposition

Номер патента: US09604194B2. Автор: Cemal Ercan,Minkee Choi,Rashid M. Othman,Yuguo Wang,Seokin Choi. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-03-28.

Preparation method of nitrogen-doped carbon nanotube material containing transition metal

Номер патента: CN110773217B. Автор: 曹雪波,李孟丽. Владелец: Jiaxing University. Дата публикации: 2022-11-04.

Method of producing thin layer of large area transition metal dichalcogenides mos2 and others

Номер патента: US20200340119A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Devika Choudhury,Steven Payonk Letourneau. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus

Номер патента: US11976361B2. Автор: Dong Li,HAO WANG,Eric Wang,Eric James Shero,Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai,William George Petro,Melvin VERBAAS,Luping Li. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-07.

Systems and methods for production of graphene by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20140255621A1. Автор: Peter V. Bedworth,Steven W. Sinton. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Substrate directed synthesis of transition-metal dichalcogenide crystals with tunable dimensionality and optical properties

Номер патента: US20220380934A1. Автор: Jungkil KIM,Thomas KEMPA,Tornojit Chowdhury,Erick Sadler. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of producing electroconductive films from a graphene oxide dispersion

Номер патента: RU2701005C1. Автор: Сергей Павлович Губин,Денис Юрьевич Корнилов. Владелец: Чеглаков Андрей Валерьевич. Дата публикации: 2019-09-24.

Mask free methods of depositing compositions to form heterostructures

Номер патента: US20180142109A1. Автор: Rui Dong,Irma Kuljanishvili,Logan MOORE. Владелец: St Louis University. Дата публикации: 2018-05-24.

Sulfide-based solid electrolyte doped with alkaline earth metal and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200194827A1. Автор: HONG Seok Min,Sang Soo Lee,Dong Wook Shin,Yun Sung Kim,Yong Jun Jang,In Woo Song,Ju Yeong Seong,Chan Hwi PARK,Kyu Beom Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-06-18.

Moisture governed growth method of atomic layer ribbons and nanoribbons of transition metal dichalcogenides

Номер патента: US20230141275A1. Автор: Xufan Li,Avetik R. Harutyunyan. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Moisture governed growth method of atomic layer ribbons and nanoribbons of transition metal dichalcogenides

Номер патента: US11519068B2. Автор: Xufan Li,Avetik R. Harutyunyan. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (CVD) in liquid crystals

Номер патента: US10907038B2. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2021-02-02.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (cvd) in liquid crystals

Номер патента: US20190136033A1. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2019-05-09.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (cvd) in liquid crystals

Номер патента: WO2017181108A1. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2017-10-19.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (cvd) in liquid crystals

Номер патента: EP3442901A1. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2019-02-20.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: EP4329948A1. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Soliyarn LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: WO2022232583A8. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Soliyarn, Llc. Дата публикации: 2023-12-21.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: US20240209567A1. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Soliyarn Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Lithium transition metal oxide

Номер патента: US5160712A. Автор: Michael M. Thackeray,Rosalind J. Gummow. Владелец: Technology Finance Corp Pty Ltd. Дата публикации: 1992-11-03.

Method of transferring graphene from a metal substrate to a polymer material

Номер патента: RU2688628C1. Автор: Дмитрий Владимирович Смовж,Илья Алексеевич Костогруд,Евгений Викторович Бойко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН). Дата публикации: 2019-05-21.

Method for preparing multi-wall carbon nanotubes using chemical vapor deposition with an atomization system

Номер патента: US9878912B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for preparing multi-wall carbon nanotubes using chemical vapor deposition with an atomization system

Номер патента: US09878912B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2018-01-30.

Composite coating based on carbon nanotubes and method of its production

Номер патента: RU2727604C2. Автор: Науфаль БАЛАВАН. Владелец: Люксембург Инститьют Оф Сайенс Энд Текнолоджи (Лист). Дата публикации: 2020-07-22.

Method of obtaining polycrystalline diamond films

Номер патента: RU2750234C1. Автор: Николай Иванович Полушин,Анатолий Львович Маслов,Александр Иванович Лаптев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2021-06-24.

Large area deposition and doping of graphene, and products including same

Номер патента: RU2567949C2. Автор: Виджайен С. ВЕЕРАСАМИ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2015-11-10.

Novel combination catalysts based on iron for the substantial synthesis of multi-walled carbon nanotubes by chemical vapor deposition

Номер патента: US20120177545A1. Автор: Abdulaziz A. Bagabas,Mohammed Abdullah Bahattab,Ibrahim M. Al-Najjar. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2012-07-12.

Method of growing a graphene coating or carbon nanotubes on a catalytic substrate

Номер патента: US20160376156A1. Автор: Pierre Levesque,Richard Martel,Philippe Gagnon,Saman Choubak,Patrick Desjardins. Владелец: Valorisation-Recherche LP. Дата публикации: 2016-12-29.

Synthesis method of ssz-39 using modified reaction composition

Номер патента: RU2735527C1. Автор: Роджер МОЛТОН,Чарльз Б. ЛИТТЛ. Владелец: Сачем, Инк.. Дата публикации: 2020-11-03.

Method of producing a synthetic diamond

Номер патента: US12037703B2. Автор: Dale Vince. Владелец: Ecotricity Group Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of producing a synthetic diamond

Номер патента: US09994970B2. Автор: Dale Vince. Владелец: Ecotricity Group Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

High-purity and high-yield 4-bromofluorobenzene synthesis method

Номер патента: ZA202400346B. Автор: Ding Peijie,Ni Jinfeng,Zhao Shixin. Владелец: Shandong Xinlong Agrochem Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

ZSM-5 type molecular sieve synthesis method

Номер патента: US09963350B2. Автор: Xiaojun Bao,Haiyan Liu,Yuanyuan Yue,Shengbao HE,Tiesen Li,Jianning Yu. Владелец: China University of Petroleum Beijing. Дата публикации: 2018-05-08.

Polysaccharide microfibre synthesis method

Номер патента: RU2404194C2. Автор: Анэттэ ХЭИНЭС-СОН-ХУЛЬТЭН. Владелец: Акцо Нобель Н.В.. Дата публикации: 2010-11-20.

Method of producing hydrogen-containing gas from natural gas and reactor for realising said method

Номер патента: RU2596260C2. Автор: Владимир Зальманович Мордкович,Игорь Григорьевич Соломоник,Вадим Сергеевич Ермолаев,Эдуард Борисович Митберг,Илья Сергеевич Ермолаев,Игорь Владимирович Деревич,Петр Иванович Кульчаковский. Владелец: "Инфра Карбон Лимитед". Дата публикации: 2016-09-10.

Graphene quantum dots synthesis method

Номер патента: US09725324B2. Автор: Ji-Lin Shen,Tzu-Neng Lin,Ken-Hua Chih. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-08.

Method and system for growth of graphene nanostripes by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20200048769A1. Автор: Nai-Chang Yeh,Chen-Chih Hsu. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2020-02-13.

Method and system for growth of graphene nanostripes by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20190093227A1. Автор: Nai-Chang Yeh,Chen-Chih Hsu. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-03-28.

Method and system for growth of graphene nanostripes by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US11111584B2. Автор: Nai-Chang Yeh,Chen-Chih Hsu. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2021-09-07.

Method for forming aluminum oxide/carbon nanotubes by ultrasonic atomization and chemical vapor deposition

Номер патента: US09834444B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of producing water enriched in oxygen-18 and device for its production

Номер патента: RU2632697C1. Автор: Александр Иванович Костылев,Юрий Германович Покровский,Вера Александровна Мазгунова,Михаил Юрьевич Аляпышев. Владелец: Акционерное общество "Радиевый институт имени В.Г. Хлопина". Дата публикации: 2017-10-09.

Device and method of asymmetrical jointing of parts made from carbon and metal by strips

Номер патента: RU2352497C1. Автор: Эмманюэль ЖАК. Владелец: Эрбюс Франс. Дата публикации: 2009-04-20.

Methods of making paper products using a multilayer creping belt, and paper products made using a multilayer creping belt

Номер патента: CA2958904C. Автор: Hung Liang Chou,Daniel H. Sze,Xiaolin Fan. Владелец: GPCP IP Holdings LLC. Дата публикации: 2022-06-21.

Methods of making paper products using a multilayer creping belt, and paper products made using a multilayer creping belt

Номер патента: CA3136098C. Автор: Hung Liang Chou,Daniel H. Sze,Xiaolin Fan. Владелец: GPCP IP Holdings LLC. Дата публикации: 2023-03-07.

Method of processing monocrystalline cvd-diamond and the obtained product

Номер патента: RU2580916C1. Автор: Ризван Уддин Ахмад ХАН,Дэниэл Джеймс ТВИТЧЕН,Сара Луиз ГЕЙГАН,Нил ПЕРКИНС. Владелец: Элемент Сикс Лимитед. Дата публикации: 2016-04-10.

Method of processing monocrystalline cvd-diamond and obtained product

Номер патента: RU2540611C2. Автор: Ризван Уддин Ахмад ХАН,Дэниэл Джеймс ТВИТЧЕН,Сара Луиз ГЕЙГАН,Нил ПЕРКИНС. Владелец: Элемент Сикс Лимитед. Дата публикации: 2015-02-10.

Methods of electrically controlling photons using atomically thin transition metal dichalcogenide (tmdc) and photonic devices including tmdc

Номер патента: WO2018204482A2. Автор: Linyou Cao,Yiling YU. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2018-11-08.

Growth of silicon and boron nitride nanomaterials on carbon fibers by chemical vapor deposition

Номер патента: US09676627B2. Автор: Lingchuan Li. Владелец: University of Dayton. Дата публикации: 2017-06-13.

Metal sulfide filled carbon nanotubes and synthesis methods thereof

Номер патента: US20230203712A1. Автор: Wenzhi Li,Yuba Poudel. Владелец: Florida International University FIU. Дата публикации: 2023-06-29.

Metal sulfide filled carbon nanotubes and synthesis methods thereof

Номер патента: US20210324537A1. Автор: Wenzhi Li,Yuba Poudel. Владелец: Florida International University FIU. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for efficiently eliminating graphene wrinkles formed by chemical vapor deposition

Номер патента: US12116281B2. Автор: Jie Xu,Libo GAO,Guowen Yuan. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of making composite articles from silicon carbide

Номер патента: US20200040449A1. Автор: William F Fischer, III,Walter Wrigglesworth, III,Lauren Montgomery. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Reactor and method for production of silicon by chemical vapor deposition

Номер патента: US09793116B2. Автор: Werner O. Filtvedt,Josef Filtvedt. Владелец: Dynatec Engineering AS. Дата публикации: 2017-10-17.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition

Номер патента: US09617156B2. Автор: Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi,Rutger Alexander David Van Raalten. Владелец: Carbonx BV. Дата публикации: 2017-04-11.

Methanol synthesis method

Номер патента: RU2698200C1. Автор: Сергей Васильевич Афанасьев,Дмитрий Игоревич Трофимов,Алексей Игоревич Рощенко. Владелец: Сергей Васильевич Афанасьев. Дата публикации: 2019-08-23.

Chemical vapor deposition reactor having ceramic lining for production of polysilicon

Номер патента: US20140235041A1. Автор: Anatoly Alexandrovich Goncharov,Yury Dmitrievich Kalashnikov. Владелец: Ecolive Technologies Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US10556799B2. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-02-11.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US20170096345A1. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-04-06.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US20180339907A1. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-11-29.

Method of making large surface area filaments for the production of polysilicon in a cvd reactor

Номер патента: US20110271718A1. Автор: Carl Chartier,Chandra P. Khattak,Yuepeng Wan,Santhana Raghavan Parthasarathy,Adrian Servini. Владелец: G T Equipment Technologies Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Two-dimensional transition metal dichalcogenide micro- supercapacitors

Номер патента: US20190139713A1. Автор: Wonbong Choi. Владелец: University of North Texas. Дата публикации: 2019-05-09.

Two-dimensional transition metal dichalcogenide micro-supercapacitors

Номер патента: WO2017177168A1. Автор: Wonbong Choi. Владелец: University of North Texas. Дата публикации: 2017-10-12.

Methods and systems for stabilizing filaments in a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: MY174019A. Автор: Wenjun Qin,Aaron D Rhodes,Chad Fero,Jeffrey C Gum. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-04.

Methods and systems for stabilizing filaments in a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: WO2014100401A1. Автор: Jeffrey C. Gum,Wenjun Qin,Chad Fero,Aaron D. RHODES. Владелец: GTAT CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-26.

Plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene on optical fibers

Номер патента: US20230212743A1. Автор: Nai-Chang Yeh,Deepan Kishore Kumar. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2023-07-06.

Alkali metal silicate, alkali transition metal silicate, and method for synthesizing silicate

Номер патента: US20130059208A1. Автор: Takahiro Kawakami,Mako Motoyoshi,Masaki YAMAKAJI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-07.

Methods and Systems for Stabilizing Filaments in a Chemical Vapor Deposition Reactor

Номер патента: US20140170337A1. Автор: Jeffrey C. Gum,Wenjun Qin,Chad Fero,Aaron Dean Rhodes. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Synthesis method of hexafluorophosphate

Номер патента: US20230278862A1. Автор: Chao Wang,Jian Chen,Haifeng Chen,Yinhao CHEN,Qiliang YUAN,Pengfei XU,Dongdong JIANG,Jianfei Zhu. Владелец: Fujian Zhongxin Fluoride Material Global Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods and systems for stabilizing filaments in a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: US09701541B2. Автор: Jeffrey C. Gum,Wenjun Qin,Chad Fero,Aaron Dean Rhodes. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Alkali metal silicate, alkali transition metal silicate, and method for synthesizing silicate

Номер патента: US09472805B2. Автор: Takahiro Kawakami,Mako Motoyoshi,Masaki YAMAKAJI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition.

Номер патента: NL2005365C2. Автор: Rutger Alexander David Raalten,Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi. Владелец: Univ Delft Tech. Дата публикации: 2012-03-20.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition

Номер патента: CA2812166A1. Автор: Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi,Rutger Alexander David Van Raalten. Владелец: Delft Enterprises BV. Дата публикации: 2012-03-22.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition

Номер патента: CA2812166C. Автор: Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi,Rutger Alexander David Van Raalten. Владелец: Carbonx BV. Дата публикации: 2021-04-06.

Metal sulfide filled carbon nanotubes and synthesis methods thereof

Номер патента: US11932966B2. Автор: Wenzhi Li,Yuba Poudel. Владелец: Florida International University FIU. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of manufacturing tantalum carbide coating layer using chemical vapor deposition and tantalum carbide manufactured using the same

Номер патента: US20190185995A1. Автор: Dong Wan Jo. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Ammonia synthesis method

Номер патента: US09884770B2. Автор: Shinichi Takeshima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Anode for electrolysis of aqueous solution of alkali and method of making anode for electrolysis of aqueous solution of alkali

Номер патента: RU2709479C1. Автор: Фумия ЦУДЗИИ,Акихиро КАТО,Юдзи КАМЕИ,Икуо СИМОМУРА,Икуо НАГАСИМА. Владелец: Кавасаки Юкогё Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-12-18.

Method and apparatus of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene

Номер патента: WO2022173543A1. Автор: Hanh Nguyen,Philip Allan Kraus,Thai Cheng Chua,Bencherki Mebarki,Christian Valencia,Chikuang Wang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-08-18.

Binary and ternary metal chalcogenide materials and method of making the same

Номер патента: EP2130942A3. Автор: Liu Yang,Manchao Xiao. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2012-12-05.

Carbon nanostructures and meshes obtained by chemical precipitation from steam phase

Номер патента: RU2579075C2. Автор: Кришна Нараян Кумар КАУЛДЖИ,Герардус Йозеф Мария КОПЕР,РАЛТЕН Рутгер Александер Давид ВАН. Владелец: КарбонКс Б.В.. Дата публикации: 2016-03-27.

Carbon-coated silicon oxide/graphite composite particles, methods of making, and applications of the same

Номер патента: US11814296B2. Автор: Tatsuo Umeno,Hiroyuki Taki,Pascual Perez,Michael Spahr,Michal Gulas. Владелец: Imerys Graphite and Carbon Switzerland SA. Дата публикации: 2023-11-14.

Method of producing metallic nano particle colloidal dispersions

Номер патента: US20180015537A1. Автор: Kenneth J. Reed. Владелец: Zerovalent Nanometals Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Superhard dielectric compounds and methods of preparation

Номер патента: WO2003058644A2. Автор: John Kouvetakis,John Tolle,I. S. T. Tsong,Levi Torrison. Владелец: Arizona Board of Regents. Дата публикации: 2003-07-17.

Method of preparing sparsely pillared organic-inorganic hybrid compound

Номер патента: EP3851413A1. Автор: Jisoon Ihm,Seok Hwan PARK. Владелец: Innonep Inc. Дата публикации: 2021-07-21.

Superhard dielectric compounds and methods of preparation

Номер патента: US20040191151A1. Автор: John Kouvetakis,John Tolle,Levi Torrison,I S T Tsong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-30.

Chemical-vapor-deposition silicon carbide bulk having improved etching characteristic

Номер патента: US11859309B2. Автор: Kang Suk Kim,Young Ju Kim,Hak Jun AHN,Youn Woong JUNG,Jun Baek SONG,Won Geun SON. Владелец: DS TECHNO Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of producing higher silanes

Номер патента: RU2470859C2. Автор: Хартвиг Рауледер,Эккехард Мю,Юрген Эрвин Ланг. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2012-12-27.

Flash joule heating synthesis method and compositions thereof

Номер патента: US12054391B2. Автор: James Mitchell Tour,Wilbur Carter Kittrell,Weiyin Chen,Duy X. LUONG. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2024-08-06.

Integral reactor (versions), the method of its manufacture, the method of simultaneous realization of the exothermal and endothermal reactions (versions)

Номер патента: RU2290257C2. Автор: Анна Ли И. ТОНКОВИЧ,Стивен Т. ПЕРРИ,Син П. ФИТЦЖЕРАЛЬД,Гэри Л. РОБЕРТС. Владелец: Баттелл Мемориал инститьют. Дата публикации: 2006-12-27.

Catalyst and ammonia synthesis method

Номер патента: RU2247600C2. Автор: Клаус Я. Х. ЯКОБСЕН. Владелец: ХАЛЬДОР ТОПСЕЭ А/С. Дата публикации: 2005-03-10.

Combination gas curtains for continuous chemical vapor deposition production of silicon bodies

Номер патента: CA1178179A. Автор: Henry W. Gutsche. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1984-11-20.

Chemical vapor deposition method and apparatus

Номер патента: EP3377671A1. Автор: Daniel J. DESROSIER,Chad R. FERO. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2018-09-26.

Carbon nanoparticle synthesis method and use thereof for huvec cancer treatment

Номер патента: WO2022103364A1. Автор: Afsin KARIPER. Владелец: Erciyes Universitesi. Дата публикации: 2022-05-19.

Methods of synthesizing three-dimensional heteroatom-doped carbon nanotube macro materials and compositions thereof

Номер патента: US20190225516A1. Автор: Mauricio Terrones,Pulickel M. Ajayan,Daniel Paul Hashim. Владелец: Css Nanotech Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Methods of synthesizing three-dimensional heteroatom-doped carbon nanotube macro materials and compositions thereof

Номер патента: US10737960B2. Автор: Mauricio Terrones,Pulickel M. Ajayan,Daniel Hashim. Владелец: Css Nanotech Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same

Номер патента: US20190031515A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Takuya NOHARA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-01-31.

Method of forming amorphous carbon monolayer and electronic device including amorphous carbon monolayer

Номер патента: US09991017B2. Автор: Sungwoo HWANG,Unjeong KIM,Wonjae JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Solid source and method for the synthesis of silicon-containing precursors for chemical vapor deposition

Номер патента: US09944532B2. Автор: Mihai Scarlete,Cetin Aktik. Владелец: SOCPRA Sciences et Genie SEC. Дата публикации: 2018-04-17.

Preparation method of graphene nanoribbon on h-BN

Номер патента: US09570294B2. Автор: Li He,Lei Li,Hong Xie,Xiaoming Xie,Shujie Tang,Mianheng Jiang,Haomin Wang,Lingxiu Chen,Huishan Wang,Daoli Zhang. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of making boron nitride nanotubes and reactor therefore

Номер патента: WO2023177807A1. Автор: Siqi Zhang,Dongyan Zhang,Yoke Khin Yap,Rodney OAKLEY,Sambhawana SHARMA,Bishnu TIWARI. Владелец: MICHIGAN TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-21.

Carbon-carbon cross coupling catalyzed by transition metals on solid supports

Номер патента: EP1687282A2. Автор: Bogdan Kazimierz Wilk. Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2006-08-09.

Carbon-carbon cross coupling catalyzed by transition metals on solid supports

Номер патента: US20050137438A1. Автор: Bogdan Wilk. Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2005-06-23.

Method of regenerating flavouring catalyst using decoking step between steps of adding chlorine and fluorine

Номер патента: RU2738157C1. Автор: Райан В. СНЕЛЛ,Габриэла АЛЬВЕЗ-МАНОЛИ. Владелец: ШЕВРОН ФИЛЛИПС КЕМИКАЛ КОМПАНИ ЭлПи. Дата публикации: 2020-12-08.

Process of forming silicon-containing film and method of manufacturing integrated circuit device using the same

Номер патента: US20230407051A1. Автор: Younjoung CHO,Jihyun Lee,Sunggi Kim,Seung Son,Byungkeun Hwang,Sunhye HWANG,Yujin Cho,Gyunsang LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

METHOD OF PREPARING HYDROGENATION CATALYST BASED ON ALUMINUM-TRANSITION METAL ALLOY AND METHOD OF PRODUCTION OF ALIPHATIC α,ω-AMINONITRILES USING THIS CATALYST

Номер патента: RU2174047C2. Автор: Клеменс Флик,Вернер Шнурр,Максимиллиан ВИКАРИ,Йоганн-Петер МЕЛЬДЕР,Йоахим ВУЛЬФ-ДЕРИНГ. Владелец: Басф Аг. Дата публикации: 2001-09-27.

Solid Phase Synthesis Method of Positive Electrode Active Material of Nickel-Rich Lithium Composite Transition Metal Oxide in a Form of a Single Particle, Positive Electrode Active Material of Nickel-Rich Lithium Composite Transition Metal Oxide in a Form of a Single Particle Formed Therefrom, Positive Electrode and Lithium Secondary Battery Containing the Same

Номер патента: US20230290942A1. Автор: Myoung-Hwan Oh,Dae-sung Kim,Ho-Young Kwak,Jae-Young Moon,Jun-Gyu Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of synthesis of ammonia

Номер патента: RU2189353C1. Автор: Клаус И. Х. ЯКОБСЕН,Михаэль БОЕ. Владелец: ХАЛЬДОР ТОПСЕЭ А/С. Дата публикации: 2002-09-20.

CaCO3 OR MgCO3 SYNTHESIS METHOD

Номер патента: RU2389687C2. Автор: Якобус Йоханнес Корнелис ГЕРЛИНГС,МОССЕЛ Герардус Антониус Франсискус ВАН,ВЕН Бернардус Корнелис Мария ИН`Т. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2010-05-20.

Low zirconium, hafnium-containing compositions, processes for the preparation thereof and methods of use thereof

Номер патента: US20120029219A1. Автор: Scott Houston Meiere,James Philip Natwora, Jr.. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Non-aqueous electrolyte secondary battery, positive electrode active material and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090011336A1. Автор: Masahisa Fujimoto,Takao Inoue,Masaharu Itaya. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-08.

Synthesis method of ZIF-67 derived CoO

Номер патента: CN111559761A. Автор: 胡悦,钟丽,钱金杰,李启彭. Владелец: Zhaotong University. Дата публикации: 2020-08-21.

Manufacturing of diffractive pigments by fluidized bed chemical vapor deposition

Номер патента: US09732228B2. Автор: Alberto Argoitia. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2017-08-15.

Article and method of preparing pigments using multiple deposition sources

Номер патента: US6777085B1. Автор: Roger W. Phillips,Alberto Argoitia,Ludvik Martinu,Jolanta E. Klemberg-Sapieha. Владелец: Optical Coating Laboratory Inc. Дата публикации: 2004-08-17.

Method of growing nitride single crystal and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09871162B2. Автор: Min Ho Kim,William SOLARI,Heon Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20150318167A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Poly (melamine-co-oxalyl), methods of synthesizing and using same and articles treated with same

Номер патента: US20230365755A1. Автор: Shay Weiss,Dana Mizrahi. Владелец: Israel Institute for Biological Research. Дата публикации: 2023-11-16.

Poly (melamine-co-oxalyl), methods of synthesizing and using same and articles treated with same

Номер патента: EP4199722A1. Автор: Shay Weiss,Dana Mizrahi. Владелец: STATE OF ISRAEL PRIME MINISTER'S OFFICE ISRAEL INSTITUTE FOR BIOLOGICAL RESEARCH. Дата публикации: 2023-06-28.

A method of making a continuous coating on the surface of a part

Номер патента: CA2433907C. Автор: LAURENT David,Jacques Thebault,Philippe Girard,Jean-Eric Pelletan. Владелец: SNECMA Propulsion Solide SA. Дата публикации: 2010-10-19.

Polymer composite having dispersed transition metal oxide particles

Номер патента: US10981843B2. Автор: Sudipta Seal,Eric Petersen,Robert Draper,David L. Reid. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2021-04-20.

Transition metal alloys for use as a gate electrode and devices incorporating these alloys

Номер патента: EP1654767A1. Автор: Kari Harkonen,Mark Doczy,Teemu Lang,Nathan Baxter,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-05-10.

Transition metal alloys for use as a gate electrode and devices incorporating these alloys

Номер патента: EP1654767B1. Автор: Kari Harkonen,Mark Doczy,Teemu Lang,Nathan Baxter,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-09-29.

Coating comprising a transition metal dichalcogenide, and coated articles and methods relating thereto

Номер патента: US20240174937A1. Автор: Diana BERMAN,Andrey Voevodin,Samir AOUADI,Stephen BERKEBILE,Euan CAIRNS. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2024-05-30.

Methods of producing organic compound of alkali metal and organic compound of transition metal

Номер патента: RU2445316C1. Автор: Атсуси САКУМА,Мунехито ФУНАЙА. Владелец: Митсуи Кемикалс, Инк.. Дата публикации: 2012-03-20.

Synthetic method of fused heteroaromatic compound and fused heteroaromatic compound and intermediate therefor

Номер патента: US20170355716A1. Автор: Eigo MIYAZAKI,Don-Wook Lee,Jeong Ii Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-14.

Synthetic method of fused heteroaromatic compound and fused heteroaromatic compound and intermediate therefor

Номер патента: US20180179227A1. Автор: Eigo MIYAZAKI,Don-Wook Lee,Jeong Ii Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-28.

Synthetic method of fused heteroaromatic compound and fused heteroaromatic compound and intermediate therefor

Номер патента: US09932357B2. Автор: Eigo MIYAZAKI,Jeong Il Park,Don-Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of forming a secondary emissive coating on a dynode

Номер патента: US4395437A. Автор: Alan G. Knapp. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1983-07-26.

Methods of forming transition metal niobium nitride films on substrates by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: CN114657535A. Автор: J·P·陈,F·阿洛克塞. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-06-24.

Method of making beryllium shapes from powder metal

Номер патента: US3724050A. Автор: E Velten,G Jagaciak,J Wambold,A Epstein. Владелец: Beryllium Corp. Дата публикации: 1973-04-03.

METHOD OF PRODUCING THIN LAYER OF LARGE AREA TRANSITION METAL DICHALCOGENIDES MOS2 AND OTHERS

Номер патента: US20200340119A1. Автор: Elam Jeffrey W.,Mane Anil U.,Letourneau Steven Payonk,Choudhury Devika. Владелец: UCHICAGO ARGONNE, LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Method of polymerizing an olefin using a novel transition metal compound

Номер патента: US5439994A. Автор: Yoshiho Sonobe,Tetsunosuke Shiomura,Norihide Inoue,Masahiro Kouno,Kazumi Mizutani. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals Inc. Дата публикации: 1995-08-08.

Method of isolating antibodies using polyalkylene glycol and transition metals

Номер патента: EP2288358B1. Автор: Robert S. Gronke,Orlando A. Jaquez. Владелец: Biogen MA Inc. Дата публикации: 2015-09-23.

Method of Isolating Biomacromolecules Using Polyalkylene Glycol and Transition Metals

Номер патента: US20090292109A1. Автор: Robert S. Gronke,Orlando A. Jaquez. Владелец: BIOGEN IDEC MA INC. Дата публикации: 2009-11-26.

Moisture governed growth method of atomic layer ribbons and nanoribbons of transition metal dichalcogenides

Номер патента: US20220106681A1. Автор: Xufan Li,Avetik R. Harutyunyan. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

METHODS FOR DEPOSITING A TRANSITION METAL NITRIDE FILM ON A SUBSTRATE BY ATOMIC LAYER DEPOSITION AND RELATED DEPOSITION APPARATUS

Номер патента: US20190003052A1. Автор: Li Dong,Alokozai Fred,Wang Hao,Wang Eric,Li Luping,Milligan Robert Brennan,Shero Eric James,Verbaas Melvin,Petro William George. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

METHODS FOR FORMING A TRANSITION METAL NITRIDE FILM ON A SUBSTRATE BY ATOMIC LAYER DEPOSITION AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180122642A1. Автор: Givens Michael Eugene,Raisanen Petri. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US20190164763A1. Автор: Petri Raisanen,Michael Eugene Givens. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-05-30.

Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US10229833B2. Автор: Petri Raisanen,Michael Eugene Givens. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-03-12.

Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus

Номер патента: US11306395B2. Автор: Dong Li,HAO WANG,Eric Wang,Eric James Shero,Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai,William George Petro,Melvin VERBAAS,Luping Li. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-04-19.

Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US10720331B2. Автор: Petri Raisanen,Michael Eugene Givens. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-07-21.

Method of coating a surface of a substrate with a metal by electroplating

Номер патента: US20070062817A1. Автор: Jerome Daviot,Jose Gonzalez,Herve Monchoix,Frédéric Raynal. Владелец: Alchimer SA. Дата публикации: 2007-03-22.

Method of producing silicon oxide film, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, display, and infrared irradiating device

Номер патента: CA2281788C. Автор: Mitsutoshi Miyasaka,Takao Sakamoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-09-08.

Amine substituted trisilylamine and tridisilylamine compounds and synthesis methods thereof

Номер патента: US09920077B2. Автор: Jean-Marc Girard,Peng Zhang,Matthew Damien Stephens,Antonio Sanchez,Manish Khandelwal,Gennadiy Itov. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of selective growth of van der waals heterostructures on a graphene substrate by chemical vapor deposition using electron-beam irradiation and a heterostructure manufactured by this method

Номер патента: WO2024058678A1. Автор: Jakub SITEK,Karolina CZERNIAK-ŁOSIEWICZ. Владелец: Politechnika Warszawska. Дата публикации: 2024-03-21.

Cutting elements of drill bit with fixed cutters containing hard cutting plates made of synthetic diamonds formed by chemical vapour deposition

Номер патента: RU2638220C2. Автор: Годун ЧЖАНЬ,Майкл С. НИКСОН. Владелец: Нэшнл Ойлвэл Дхт, Л.П.. Дата публикации: 2017-12-12.

Manufacturing method of thermoacoustic emitter based on graphene

Номер патента: RU2724227C1. Автор: Дмитрий Владимирович Смовж,Павел Евгеньевич Маточкин,Илья Алексеевич Костогруд,Евгений Викторович Бойко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН). Дата публикации: 2020-06-22.

Part with substrate from mono-crystal superalloy on base of nickel and method of its manufacturing

Номер патента: RU2738628C2. Автор: Амар САБУНДЖИ,Виржини ЖАКЕ,Жереми РАМ. Владелец: Сафран. Дата публикации: 2020-12-15.

Fischer-tropsch synthesis promoter catalyst, method of preparing said catalyst and fischer-tropsch hydrocarbon synthesis method

Номер патента: RU2389548C2. Автор: Дэйвид Кристофер РИЗ. Владелец: Петроса. Дата публикации: 2010-05-20.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Fluidized bed reactor to deposit a material on a surface by chemical vapour deposition, and methods of forming a coated substrate therewith

Номер патента: WO1998049366A1. Автор: David M. Lowe,Angel Sanjurjo,Kai-Hung Lau,Liqiang Jiang. Владелец: SRI INTERNATIONAL. Дата публикации: 1998-11-05.

Chemical vapor deposition of wear resistant coatings onto piston ring running face, side face, and inner diameter in one coating run

Номер патента: EP2906738A1. Автор: Robert Aharonov,Haron GEKONDE. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 2015-08-19.

Chemical vapor deposition of wear resistant coatings onto piston ring running face, side face, and inner diameter in one coating run

Номер патента: US09909210B2. Автор: Robert Aharonov,Haron GEKONDE. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Carboxylic acid synthesis method

Номер патента: RU2398757C2. Автор: Дидье БОННЕ,СЕН-АРРОМА Ромен ПЕТРОФФ,Себастьен РИГИНИ,Танья ИРЕЛАН,Жан-Пьер СИМОНАТО. Владелец: Родиа Шими. Дата публикации: 2010-09-10.

Method of the functionalized diene elastomer continuous synthesis

Номер патента: RU2653851C2. Автор: Элен ПАРОЛА,Гаэль КУРБЕ,Жером ДЮССИЙОЛЬ,Орели ТРИГЮЭЛЬ. Владелец: Компани Женераль Дэз Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2018-05-15.

Initiated chemical vapor deposition and structuration of polyoxymethylene

Номер патента: US20220372201A1. Автор: Kenneth K.S. Lau,Zhengtao CHEN. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-24.

Initiated chemical vapor deposition and structuration of polyoxymethylene

Номер патента: WO2021163025A1. Автор: Kenneth K.S. Lau,Zhengtao CHEN. Владелец: Drexel Uniiversity. Дата публикации: 2021-08-19.

Compact head and compact system for vapor deposition

Номер патента: US12043894B2. Автор: David MUNOZ-ROJAS. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2024-07-23.

Additive poly(3-tri(n-alkoxy)silyltricyclo[4.2.1.02.5]non-7-ene), synthesis method thereof and method for separation of gaseous hydrocarbons using membrane based thereof

Номер патента: RU2685429C1. Автор: Михаил Сергеевич Нечаев,Андрей Федорович Асаченко,Евгений Шмерович Финкельштейн,Елена Сергеевна Егорова,Максим Владимирович Бермешев,Юрий Павлович Ямпольский,Максим Анатольевич Топчий,Павел Сергеевич Грибанов,Дмитрий Александрович Алентьев,Людмила Эриковна Старанникова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2019-04-18.

Method of synthesis of cyclic carbonates

Номер патента: RU2701555C2. Автор: Ханс-Георг КИНЦЕЛЬМАНН,Юнся ВАН,Хорди МАРКЕТ КОРТЕС,Хорхе АГИЛЕРА КОРРОЧАНО,Терез ЭМЕРИ,Роса Мария СЕБАСТИАН ПЕРЕС. Владелец: Хенкель Аг Унд Ко. Кгаа. Дата публикации: 2019-09-30.

Fluoro-containing thermal chemical vapor deposition process and article

Номер патента: US20180163308A1. Автор: David A. Smith. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Initiated chemical vapor deposition of vinyl polymers for the encapsulation of particles

Номер патента: US09492805B2. Автор: Karen K. Gleason,Kenneth K. S. Lau. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2016-11-15.

Nano-catalyst from monodisperse transition metal for fischer-tropsch synthesis, method for its preparation and its application

Номер патента: RU2675839C1. Автор: Илун ЧЭНЬ,Яньфэн Чжан,Цзяньган ЧЭНЬ,Дэчэн СУН,Шэнькэ ЧЖЭН,Сяодун ЧЖАНЬ. Владелец: Ухань Кайди Инджиниринг Текнолоджи Рисерч Инститьют Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-12-25.

Deposition metalizing bulk material by chemical vapor

Номер патента: US4606941A. Автор: William C. Jenkin. Владелец: Jenkin William C. Дата публикации: 1986-08-19.

Method of preparing catalyst for oxidising methanol to formaldehyde

Номер патента: RU2388536C2. Автор: Эстерино КОНКА,Карло РУБИНИ,Марчелло МАРКИ. Владелец: Зюд-Кеми Каталистс Италия С.Р.Л.. Дата публикации: 2010-05-10.

Selenophene-Based Low Band Gap Active Layers by Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20130089659A1. Автор: Karen K. Gleason,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-04-11.

Selenophene-based low band gap active layers by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2013095733A3. Автор: Karen K. Gleason,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-08-22.

Selenophene-based low band gap active layers by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2013095733A2. Автор: Karen K. Gleason,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-06-27.

Method of manufacturing electrical conductors

Номер патента: EP2815427A1. Автор: Min Zheng,Jessica Henderson Brown Hemond,Robert Daniel Hilty,Zhengwei Liu,Rodney Ivan Martens,Mary Elizabeth Sullivan Malervy. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-24.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: AU2003232015A1. Автор: Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2003-11-17.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1502292B1. Автор: Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Method of manufacturing self-healing polymer that can control physical character according to composition using initiated chemical vapor deposition

Номер патента: US11680124B2. Автор: Yujin Lee,SungGap IM,Moon Jin KWAK,Kihoon JEONG,Youson KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-06-20.

Chemical vapor deposition functionalization

Номер патента: US09975143B2. Автор: David A. Smith,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

DRILL BIT CUTTING CUTTING ELEMENTS WITH ATTACHED CUTTERS CONTAINING SOLID CUTTING PLATES COMPLETED FROM SYNTHETIC DIAMONDS FORMED BY CHEMICAL DEPOSITION FROM VAPOR PHASE

Номер патента: RU2015119799A. Автор: Майкл С. НИКСОН,Гудун ЧЖАН. Владелец: Нэшнл Ойлвэл Дхт, Л.П.. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of producing encapsulated fire-resistant polyhydroxyether

Номер патента: RU2707747C1. Автор: Светлана Юрьевна Хаширова,Ауес Ахмедович Беев,Джульетта Анатольевна Беева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-11-29.

Single-crystal apatite nanowires sheathed in graphitic shells and synthesis method thereof

Номер патента: EP2508471A3. Автор: Jung Hoon Lee,Nam Jo Jeong. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2012-12-05.

Method and apparatus for molding of cnf-cmc onto molded pulp

Номер патента: WO2023163888A3. Автор: Jeffrey Youngblood,Endrina FORTI,Jiangxuan ZHANG. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-10-05.

Method and apparatus for molding of cnf-cmc onto molded pulp

Номер патента: AU2023224020A1. Автор: Jeffrey Youngblood,Endrina FORTI,Jiangxuan ZHANG. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-09-05.

Synthesis method of n-substituted maleimide using solid acid catalysts

Номер патента: US20190152910A1. Автор: Kyung Soo Kim,Ji Yeon Kim,Jun Seon Choi,Won Kyun Lee,Joo Young CHEON,Wang Rae Joe,Eung Seob Yeom. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Chemical vapor deposition coating, article, and method

Номер патента: US09777368B2. Автор: David A. Smith,James B. Mattzela,Paul H. Silvis,Gary A. Barone. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Low κ dielectric inorganic/organic hybrid films and method of making

Номер патента: US7153580B2. Автор: John Felts,Peter Rose,Eugene Lopata. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-26.

Intelligent synthesis device and synthesis method of silver nanowires

Номер патента: LU504740B1. Автор: Wei Zhao. Владелец: Nanjing Vocational College Of Information Tech. Дата публикации: 2024-01-15.

Ceramic corundum-based material and method of its production

Номер патента: RU2627522C2. Автор: Владимир Давыдович Бланк,Михаил Юрьевич Попов,Олег Валерьевич Пономарев,Елизавета Васильевна Тюкалова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2017-08-08.

Method of producing acrylic acid and methyl acrylate

Номер патента: RU2712277C1. Автор: Вэньлян Чжу,Юмин Ни,Ян Лю,Лэй ШИ,Цзунминь ЛЮ,Хунчао Лю. Владелец: Далянь Инститьют Оф Кемикал Физикс, Чайниз Академи Оф Сайенсез. Дата публикации: 2020-01-28.

Thin metal coating methods for high conductivity graphane-metal composites and methods of manufacture

Номер патента: US20180100233A1. Автор: James J. Farquhar,Choon Ming SEAH. Владелец: Fourte' International Sdn Bhd. Дата публикации: 2018-04-12.

Corrosion-resistant coated article and thermal chemical vapor deposition coating process

Номер патента: US12036765B2. Автор: Min YUAN. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Thermal chemical vapor deposition coating process

Номер патента: US20240359430A1. Автор: Min YUAN. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Quantum dot-polymer nanocomposite sensor array for chemical vapor sensing

Номер патента: US09970939B1. Автор: Sichu Li. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Systems and methods for depositing materials on either side of a freestanding film using laser-assisted chemical vapor deposition (LA-CVD), and structures formed using same

Номер патента: US09583354B2. Автор: David P. Taylor,Margaret H. Abraham. Владелец: Aerospace Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of producing transparent, haze-free tin oxide coatings

Номер патента: CA1268673A. Автор: Georg H. Lindner. Владелец: M&T Chemicals Inc. Дата публикации: 1990-05-08.

Methods for area-selective deposition of polymer films using sequentially pulsed initiated chemical vapor deposition (spicvd)

Номер патента: WO2024019842A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Method and apparatus for molding of cnf-cmc onto molded pulp

Номер патента: WO2023163888A2. Автор: Jeffrey Youngblood,Endrina FORTI,Jiangxuan ZHANG. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for chemical vapor deposition of silicon on to substrates for use in corrosive and vacuum environments

Номер патента: US7070833B2. Автор: David A. Smith,Martin E. Higgins,Gary A. Barone,Bruce R. F. Kendall,David J. Lavrich. Владелец: Restek Corp. Дата публикации: 2006-07-04.

3d metal printhead assembly method of manufacture

Номер патента: US20210102286A1. Автор: Jeffrey Herman,Charles Pateros,David Pain,Andrew Edmonds,Edward White,Kareemullah Shaik. Владелец: Fabric8Labs Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Localized atmospheric laser chemical vapor deposition

Номер патента: EP2842156A1. Автор: Selim Elhadj,Manyalibo Joseph Matthews. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2015-03-04.

Apparatus and method for chemical vapor deposition control

Номер патента: EP2580368A1. Автор: Eric J. Strang,Jacques Faguet,Eric M. Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Chemical vapor deposition functionalization

Номер патента: US20160059260A1. Автор: David A. Smith,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of applying a dielectric coating on a component of an electrical device

Номер патента: US20240141503A1. Автор: Todd Michael KLEIN,John Snyder,Ryan Patrick Shea,Christopher Todd DeRose,Adam Jay Ollanik,Christopher Todd Ertsgaard,Michael Ryan Gehl. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-05-02.

Abatement of effluent from chemical vapor deposition processes using ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions

Номер патента: EP1230420A1. Автор: Jose Arno,Mark Holst,Ray Dubois,Rebecca Faller. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2002-08-14.

Methods of Making Metal Organic Frameworks with Low-Connectivity and Increased Thermal Stability

Номер патента: US20240286112A1. Автор: Joseph M. Falkowski,Mary S. Abdulkarim,Julie J. Seo. Владелец: ExxonMobil Technology and Engineering Co. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing antifouling coating polymer using initiated chemical vapor deposition

Номер патента: US20230140401A1. Автор: Chang Hoon Kim,Jeong Heon Lee,Jae Bok KWAK. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chosun National University. Дата публикации: 2023-05-04.

Mono-substituted cyclopentadienes and metal cyclopentadienyl complexes and synthesis methods thereof

Номер патента: US12091374B2. Автор: Grigory Nikiforov. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of coating deposition using dli-mocvd with repeated use of precursor compound

Номер патента: RU2699126C1. Автор: Фредерик ШУСТЕР,Франсис МОРИ,Александр МИШО,Мишель ПОН,Рафаэль БУАШО,Фернандо ЛОМЕЛЛО. Владелец: Коммиссариа А Л'Энержи Атомик Э Оз Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2019-09-03.

Spumescent vinyl aromatic polymers with improved heat insulation and synthesis method thereof

Номер патента: RU2406734C1. Автор: Дарио ГИДОНИ,Алессандра СИМОНЕЛЛИ,Антонио ПОНТИЧЬЕЛЛО,Риккардо ФЕЛИЗАРИ. Владелец: Полимери Эуропа С.П.А.. Дата публикации: 2010-12-20.

Method of heavy metals deposits ore dressing

Номер патента: RU2245740C1. Автор: Б.П. Деркачев. Владелец: Деркачев Борис Павлович. Дата публикации: 2005-02-10.

Carbon composite article and method of making same

Номер патента: CA1161214A. Автор: Robert W. Mitchell,Gary Baldelli,Donald H. Leeds. Владелец: BF Goodrich Corp. Дата публикации: 1984-01-31.

Method of producing catalyst and use thereof

Номер патента: RU2739759C2. Автор: Каушик БАСАК,Ариан ВАН МАУРИК,Нишитх ВЕРМА. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2020-12-28.

Method for preparing perovskite solar cell absorbing layer by means of chemical vapor deposition

Номер патента: US20220230813A1. Автор: Hyuk Kyoo Jang,Gyu Hyun LEE,So Yeon Lee. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Chemical vapor deposition apparatus and method for forming parylene film

Номер патента: US20110151121A1. Автор: Chun-Hao Chang,Chuan-Sheng Zhuang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-06-23.

Inverse filtration apparatus and method of use

Номер патента: WO1998017384A1. Автор: Manoj C. Desai,Ronald N. Zuckermann,David C. Jones,Jason P. Chinn. Владелец: Chiron Corporation. Дата публикации: 1998-04-30.

Fixed abrasive planarization pad conditioner incorporating chemical vapor deposited polycrystalline diamond and method for making same

Номер патента: US6632127B1. Автор: Jerry W. Zimmer,Todd W. Buley,Albert B. Stubbmann. Владелец: Albert B. Stubbmann. Дата публикации: 2003-10-14.

Granular silicon carbide abrasive grain coated with refractory material, method of making the same and articles made therewith

Номер патента: CA1213443A. Автор: Thomas Gabor,David E. Broberg,Gunther H. Dierssen,Donley D. Rowenhorst. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1986-11-04.

Preparation method of reverse osmosis composite membrane and reverse osmosis composite membrane prepared thereby

Номер патента: US20240024827A1. Автор: Tao Huang,Pengfei Li,Bo Peng,Hongwei LU,Qian Liao,Fuquan Xie,Xiangyou Chen. Владелец: Hunan Ovay Film Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of using carbon nanotubes fuel production

Номер патента: US20140330059A1. Автор: Kanchan Mondal,Saikat Talapatra. Владелец: Southern Illinois University System. Дата публикации: 2014-11-06.

Ceramic laminated article, a method of producing the same and a ceramic laminate

Номер патента: US20030072930A1. Автор: Hiromichi Kobayashi,Toshio Oda,Hirotake Yamada. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2003-04-17.

Methods of preparation of omniphobic surfaces

Номер патента: US20220145037A1. Автор: Siamak Nejati,Mona Bavarian,Mahdi Mohammadi Ghaleni. Владелец: NuTech Ventures Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Synthesis device and synthesis method

Номер патента: WO2024190737A1. Автор: Yuma OTAKE,Jun-ichi Ogawa,Taiki SHAMOTO. Владелец: YOKOGAWA ELECTRIC CORPORATION. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of vacuum carbidisation of metal surfaces

Номер патента: RU2725941C1. Автор: Дмитрий Владимирович Штанский,Евгений Александрович Левашов,Александр Евгеньевич Кудряшов,Филипп Владимирович Кирюханцев-Корнеев,Александр Николаевич Шевейко,Константин Александрович Купцов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2020-07-07.

Method of cleaning for coating application plants

Номер патента: RU2554838C2. Автор: Петер НЕФФ. Владелец: Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Трюббах. Дата публикации: 2015-06-27.

Deposition systems and processes for transport polymerization and chemical vapor deposition

Номер патента: US6086679A. Автор: HUI Wang,Chung J. Lee,Giovanni Antonio Foggiato. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Coated bodies made of metal, solid alloy, cermet or ceramic and method of coating said bodies

Номер патента: RU2563080C2. Автор: Ингольф ЭНДЛЕР,Мэнди ХЁН. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2015-09-20.

Method of creating porous luminescent structures based on phosphors embedded in photonic crystal

Номер патента: RU2700875C2. Автор: Дмитрий Сергеевич Довженко,Константин Евгеньевич Мочалов,Владимир Александрович Олейников,Игорь Леонидович Мартынов,Геннадий Евгеньевич Котковский,Александр Александрович Чистяков,Дарья Олеговна Соловьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт биоорганической химии им. академиков М.М. Шемякина и Ю.А. Овчинникова Российской академии науки (ИБХ РАН). Дата публикации: 2019-09-23.

Low platinum catalyst and method of preparation

Номер патента: US09825308B1. Автор: Di-Jia Liu,Lina Chong. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of producing pt alloy catalyst using protective coating of carbon layer and ozone

Номер патента: US20180166698A1. Автор: Jun Tae Kim,Won Jung Kim,Han Sung Kim,Woong Hee LEE,Ju Hee Lee,Ju Ahn PARK,You Jung SONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-06-14.

A kind of method of low-temperature plasma synergistic catalyst of transition metal oxide oxidation mercury in flue gas

Номер патента: CN106268223A. Автор: 李�杰,安久涛. Владелец: Shandong University of Technology. Дата публикации: 2017-01-04.

Preparation method of nitrogen-sulfur co-doped carbon-coated transition metal nano sulfide electrochemical oxygen catalyst

Номер патента: CN113224319A. Автор: 沈培康,田植群,吕丹丹,姚思先. Владелец: GUANGXI UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-08-06.

Method for synthesis of material, in particular diamond, by chemical vapour deposition and device for thereof realisation

Номер патента: RU2572652C2. Автор: Орасио ТЕЛЛЕС ОЛИВА. Владелец: Диаротек. Дата публикации: 2016-01-20.

Method of coating substrate by chemical vapour deposition

Номер патента: RU2555273C2. Автор: Франц ХЁРЦЕНБЕРГЕР,Сам СИАУ,СЛУВЕР Курт ДЕ. Владелец: Ондерзуксентрум Вор Анвендинг Ван Стал Н.В.. Дата публикации: 2015-07-10.

Method of manufacturing quartz light guide preform

Номер патента: RU2649989C1. Автор: Алексей Юрьевич КУЛЕШ,Петр Андреевич Злобин,Сергей Валерьевич УСТИНОВ,Иван Анатольевич Клочков. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное объединение Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (АО "НПО ГОИ им. С.И. Вавилова"). Дата публикации: 2018-04-06.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A2. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-03-25.

Atomic layer deposition and etching of transition metal dichalcogenide thin films

Номер патента: US20230250534A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of producing near-net shape free standing articles by chemical vapor deposition

Номер патента: US20010048171A1. Автор: Jitendra Goela,Michael Pickering,Zlatko Salihbegovic,Mitch Boudreaux. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2001-12-06.

Method of making a multilayer tool surface with PCNA interruption of CVD, and tool made by the process

Номер патента: US5869147A. Автор: Udo KÖNIG. Владелец: Widia GmbH. Дата публикации: 1999-02-09.

Method for producing articles by chemical vapor deposition and the articles produced therefrom

Номер патента: CA2068152A1. Автор: Thomas R. Anthony,Robert H. Ettinger,Charles D. Iacovangelo,William L. Mowrey,Sidney P. Young,David W. Woodruff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-12-13.

Method of coating complex substrates

Номер патента: US5139824A. Автор: Paul Lowden,Joseph Liburdi,Alina Aguero. Владелец: Liburdi Engineering Ltd. Дата публикации: 1992-08-18.

Oxide/organic polymer multilayer thin films deposited by chemical vapor deposition

Номер патента: WO1999057330A9. Автор: Seshu B Desu,John J Senkevich. Владелец: Seshu B Desu. Дата публикации: 2000-02-10.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: EP4395800A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Chemical vapor deposition of thick inorganic coating on a polarizer

Номер патента: US11746418B2. Автор: Brian Johnson,Matthew R. Linford,Anubhav Diwan. Владелец: Moxtek Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Compounds for forming alumina films using chemical vapor deposition method and process for preparing the compound

Номер патента: US20030010256A1. Автор: Hyun-koock Shin. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2003-01-16.

Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds

Номер патента: US5661115A. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-08-26.

Method of forming a film on a substrate by chemical vapor deposition

Номер патента: US11885022B2. Автор: Waichi Yamamura,Chikara MORI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Susceptorless reactor for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition

Номер патента: US20030111009A1. Автор: Vadim Boguslavskiy,Alexander Gurary. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Chemical vapor deposition methods and methods of etching a contact opening over a node location on a semiconductor substrate

Номер патента: US20020123221A1. Автор: Chris Hill,Mark Jost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Process for the deposition of thin layers by chemical vapor deposition

Номер патента: US20020127338A1. Автор: Annette Saenger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-12.

Method of substrate treatment

Номер патента: RU2410341C2. Автор: Николя НАДО,Маркус ЛЕРГЕН,Стефани РОШ,Уве ШМИДТ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2011-01-27.

CVD method of depositing copper films by using improved organocopper precursor blend

Номер патента: US6110530A. Автор: Ling Chen,Bo Zheng,Seshadri Ganguli,Christophe Marcadal,Samuel Wilson. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-08-29.

Method of producing tungsten rhenium alloys by chemical vapor deposition

Номер патента: US3637374A. Автор: Frederick A Glaski,Robert A Holzi,James R Humphrey. Владелец: Fansteel Inc. Дата публикации: 1972-01-25.

A method of fabricating rare earth doped optical fibre

Номер патента: EP1487751A1. Автор: Ranjan Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. SEN,Mrinmay Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. PAL,Mukul C. Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. PAUL,Shyamal Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. BHADRA,Somesh Cent. Glass & Ceramic Res.Inst CHATTERJEE,Kamal Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. DASGUPTA. Владелец: Ministry Of Information Techno. Дата публикации: 2004-12-22.

Self-limiting chemical vapor deposition and atomic layer deposition methods

Номер патента: US09607920B2. Автор: Mary EDMONDS,Andrew C. Kummel,Atif M. NOORI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of fabricating light-scattering substrate

Номер патента: US09464351B2. Автор: Hyun Bin Kim,June Hyoung Park,Gun Sang Yoon. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of obtaining epitaxial layer of binary semiconductor material on monocrystalline substrate by organometallic chemical vapour deposition

Номер патента: RU2548578C2. Автор: Валерий Анатольевич Буробин,Андрей Владимирович Зверев,Алексей Андреевич Арендаренко. Владелец: Алексей Андреевич Арендаренко. Дата публикации: 2015-04-20.

Selective area chemical vapor deposition

Номер патента: CA2028438C. Автор: Michael A. Pickering,Raymond L. Taylor,Joseph T. Keeley,Jitendra Singh Goela. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1993-11-30.

Triangular deposition chamber for a vapor deposition system

Номер патента: CA2120092C. Автор: Jitendra S. Goela,Lee E. Burns,James C. Macdonald,Alexander Teverovsky. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1997-05-20.

Method of manufacturing silicon carbide structure

Номер патента: US8865519B2. Автор: Joung Il Kim,Jae Seok Lim,Mi-Ra Yoon. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

High-strength material coated article made from metal, solid alloy, cermet or ceramic and method of making said articles

Номер патента: RU2588933C2. Автор: Ингольф ЭНДЛЕР,Себастьян ШОЛЬЦ. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2016-07-10.

Apparatus for producing diamonds by chemical vapor deposition and articles produced therefrom

Номер патента: US5204145A. Автор: Steven M. Gasworth. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-04-20.

Method of depositing textured tin oxide

Номер патента: CA1333461C. Автор: Anthony W. Catalano,Charles M. Fortmann,James G. O'dowd,Ora Jean Lee. Владелец: Solarex Corp. Дата публикации: 1994-12-13.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A3. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2013-01-03.

Method of manufacturing a piezoelectric thin film

Номер патента: US12063023B2. Автор: Sang Jeong An. Владелец: Wavelord Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US7410898B2. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186777A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: SG131950A1. Автор: Shuang Meng,Kyle K Kirby,Garo J Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-28.

Methods and apparatus for in-situ cleaning of copper surfaces and deposition and removal of self-assembled monolayers

Номер патента: US09673042B2. Автор: Ranga Rao Arnepalli,Robert Jan Visser,Prerna Goradia. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of producing crystalline powder of chromium-nickel spinel

Номер патента: RU2726082C1. Автор: Александр Иванович Захаров,Олег Олегович Васильков,Ольга Павловна Баринова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева". Дата публикации: 2020-07-09.

Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds

Номер патента: US5576071A. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-11-19.

Method of producing articles by chemical vapor deposition and the support mandrels used therein

Номер патента: US5869133A. Автор: Thomas Richard Anthony,Robert Helmut Ettinger,James Fulton Fleischer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1999-02-09.

Method of chemical vapor deposition of metal films

Номер патента: EP1021589A1. Автор: Chantal Arena,Joseph T. Hillman,Emmanuel Guidotti,Ronald T. Bertram. Владелец: Tokyo Electron Arizona Inc. Дата публикации: 2000-07-26.

Method of making nucleation layer for diamond growth

Номер патента: EP2257658A1. Автор: Milan Vanecek,Bohuslav Rezek,Alexander Kromka,Stepan Potocky,Jiri Potmesil. Владелец: Institute of Physics Czech Academy of Sciences. Дата публикации: 2010-12-08.

Methods and apparatus for in-situ cleaning of copper surfaces and deposition and removal of self-assembled monolayers

Номер патента: WO2017040722A1. Автор: Ranga Rao Arnepalli,Robert Jan Visser,Prerna Goradia. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-03-09.

Embedded wire chemical vapor deposition (ewcvd)

Номер патента: EP4363630A1. Автор: Joseph Pegna,Kirk L. Williams,Shay L. Harrison. Владелец: Free Form Fibers LLC. Дата публикации: 2024-05-08.

Plasma enhanced chemical vapor deposition method of forming titanium silicide comprising layers

Номер патента: US20030170982A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Ammar Derraa,Philip Campbell,Irina Vasilyeva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-11.

Plasma enhanced chemical vapor deposition method of forming titanium silicide comprising layers

Номер патента: US20060172087A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Ammar Derraa,Philip Campbell,Irina Vasilyeva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Method to reduce plasma charge damage from high density plasma chemical vapor deposition (hdp-cvd) process

Номер патента: US20080146039A1. Автор: Daewon Yang,Jeffery B. Maxson,Ann N. McDonald. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Method for producing nickel thin film on a Si substrate by chemical vapor deposition method, and method for producing Ni silicide thin film on Si substrate

Номер патента: US09805936B2. Автор: Takayuki Sone,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya,Michihiro YOKOO. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2017-10-31.

Selective area deposition of metal films by atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09583389B2. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Jeanette M. Roberts. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Chemical vapor deposition using N,O polydentate ligand complexes of metals

Номер патента: US09528182B2. Автор: Gary S. Silverman,Roman Y. Korotkov,Martin E. Bluhm. Владелец: Arkema Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US8298338B2. Автор: Ji Hye Shim,Changsung Sean KIM,Sang Duk Yoo,Jong Pa HONG,Won Shin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-30.

Composite sic-substrate and method of its production

Номер патента: RU2726283C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-07-10.

Slab laser and amplifier and method of use

Номер патента: RU2650807C9. Автор: Стивен Л. КАННИНГЕМ,Мартин А. СТЮАРТ. Владелец: Мартин А. СТЮАРТ. Дата публикации: 2018-09-06.

Apparatus for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition

Номер патента: US6547876B2. Автор: Michael Spencer,Ian Ferguson,Alexander Gurary. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2003-04-15.

Method of sputtering a carbon protective film on a magnetic disk with high sp3 carbon.

Номер патента: MY124998A. Автор: PENG Gang,YAMASHITA Tsutomu,Chen Tu,Hong Liu Wen. Владелец: Komag Incorporated. Дата публикации: 2006-07-31.

Chemical vapor deposition system arrangement

Номер патента: US20160053375A1. Автор: William David Grove,Nicholas Peter Deskevich. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Synthesis of advanced scintillators via vapor deposition techniques

Номер патента: US20130341513A1. Автор: Vinod K. Sarin,Stephen Gibson Topping. Владелец: Boston University. Дата публикации: 2013-12-26.

Chemical vapor deposition system and method

Номер патента: EP1204782A1. Автор: Robert J. Bailey,Thomas E. Kane,Lisa H. Michael. Владелец: Silicon Valley Group Thermal Systems LLC. Дата публикации: 2002-05-15.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US09994956B2. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2018-06-12.

Adjustable nozzle for plasma deposition and a method of controlling the adjustable nozzle

Номер патента: US09941100B2. Автор: Ding-I Liu,Wen-Long Lee,Wei-Ching Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Synthesis method of 2'-o-(2-methoxyethyl) thiophosphate oligonucleotide

Номер патента: RU2738093C9. Автор: Марат Феликсович Фазылов,Владимир Викторович Нестерук,Вадим Юрьевич Балабаньян. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Гелеспон". Дата публикации: 2020-12-29.

Process for chemical vapor deposition of transition metal nitrides

Номер патента: WO1991008322A1. Автор: Roy G. Gordon,Renaud Fix,David Hoffman. Владелец: President and Fellows of Harvard College. Дата публикации: 1991-06-13.

Method for the selective deposition of bismuth based ferroelectric thin films by chemical vapor deposition

Номер патента: US6120846A. Автор: Thomas H. Baum,Frank Hintermaier,Bryan Hendrix,Peter Van Buskirk,Jeff Roeder. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Method of forming composite articles from CVD gas streams and solid particles or fibers

Номер патента: US5348765A. Автор: Peter Reagan,Ann N. Scoville,Rebecca Leaf. Владелец: Thermo Electron Corp. Дата публикации: 1994-09-20.

Chemical vapor deposition of silicon nitride using a remote plasma

Номер патента: WO2024102586A1. Автор: Andrew J. McKerrow,Shane Tang,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-16.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A4. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-10-30.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A1. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-05-15.

Method of forming a conformal and continuous crystalline silicon nanosheet with improved electrical properties at low doping levels

Номер патента: US20240222114A1. Автор: Jean-Marc Girard,Venkateswara R. Pallem,Nathan Stafford,Claudia Fafard,Sana RANI. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of operating filament assisted chemical vapor deposition system

Номер патента: WO2012112334A2. Автор: Jacques Faguet,Eric M. Lee. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2012-08-23.

Method of forming refractory metal contact in an opening, and resulting structure

Номер патента: US20030165705A1. Автор: Jed Rankin,William Murphy,Randy Mann,Jonathan Chapple-Sokol,Daniel Vanslette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-04.

Synthesis of advanced scintillators via vapor deposition techniques

Номер патента: US20100200757A1. Автор: Vinod K. Sarin,Stephen Gibson Topping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Shell connection device and chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: LU505605B1. Автор: Haibo Huo. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2024-05-24.

Physical vapor deposition of doped transition metal oxide and post-deposition treatment thereof for non-volatile memory applications

Номер патента: WO2020028343A1. Автор: Mahendra Pakala,Mehul Naik,Minrui Yu,Nicolas Breil,Anindita Sen,Michel Frei,Vibhu Jindal,Michael Chudzik. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-02-06.

Process for chemical vapor deposition of materials with via filling capability and structure formed thereby

Номер патента: US20080164579A1. Автор: Alejandro G. Schrott,Fenton R. McFeely,John J. Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Chemical vapor deposition process and coated article

Номер патента: US09915001B2. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: US09534285B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of making a device comprising a patterned aluminum layer

Номер патента: CA1283006C. Автор: Ralph George Nuzzo,Martin Laurence Green,Roland Albert Levy. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1991-04-16.

Method of synthesis of polyene alcohol derivative (variants), sulfone compound and method of its synthesis

Номер патента: RU2196133C2. Автор: Тоси ТАКАХАСИ,Тосия Такахаси,Ясунобу МИЯМОТО. Владелец: Сумитомо Кемикал Компани, Лимитед. Дата публикации: 2003-01-10.

8-CHLORO-6-SULFONYLHYDROXYOCTANOIC ACIDS AND METHOD OF THEIR SYNTHESIS, THEIR ESTERS AND METHOD OF THEIR SYNTHESIS, 6,8-DICHLOROOCTANOIC ACID ESTERS AND METHOD OF THEIR SYNTHESIS, METHOD OF SYNTHESIS OF 6,8-DICHLOROOCTANOIC ACIDS AND METHOD OF SYNTHESIS OF α-LIPOIC ACID (VERSIONS)

Номер патента: RU2176641C2. Автор: Байссвенгер Томас,Гевальд Райнер,Лабан Гюнтер. Владелец: Арцнаймиттельверк Дрезден Гмбх. Дата публикации: 2001-12-10.

Methanol synthesis method

Номер патента: RU2519940C2. Автор: ФИЛИППИ Эрманно,ОСТУНИ Раффаэле. Владелец: Метанол Касале С.А.. Дата публикации: 2014-06-20.

Method of depositing a transition metal dichalcogenide

Номер патента: US20240124975A1. Автор: Benjamin Groven,Vladislav VORONENKOV,Dries VRANCKX. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-04-18.

Silicon-nitride-containing thermal chemical vapor deposition coating

Номер патента: US20170167015A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Tantalum and tantalum-based films formed using fluorine-containing source precursors and methods of making the same

Номер патента: WO2000070118A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2000-11-23.

Novel group IV metal precursors and a method of chemical vapor deposition using the same

Номер патента: US20020058843A1. Автор: Dae Kim,Young Cho,Wan Lee,Ik Lee,Yo Min,Sun Lim,Bo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Methods of synthesizing cell-free protein

Номер патента: US6869774B2. Автор: Tomio Ogasawara,Yaeta Endo,Tatsuya Sawasaki. Владелец: CellFree Sciences Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-22.

Variable-temperature vapor deposition process

Номер патента: US20240209498A1. Автор: Paul Connolly Quayle. Владелец: Great Lakes Crystal Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Variable-temperature vapor deposition process

Номер патента: WO2024138229A1. Автор: . Владелец: Great Lakes Crystal Technologies, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12069934B2. Автор: Jongwoo Kim,Hyein Yang,Jaeheung Ha,Wonjong KIM,Changyeong SONG,Woosuk Jung,Yongchan Ju,Heeyeon Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Precursor and process design for photo-assisted metal atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09932671B2. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Paul A. Zimmerman,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Harsono S. Simka,Grant M. Kloster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of producing (1-adamantyl)furanes

Номер патента: RU2661482C1. Автор: Валерий Викторович Коншин,Ида Александровна Лупанова,Джамиля Наибовна Коншина,Виталий Александрович Щербинин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2018-07-17.

Method of luminescent quartzoid bismuth-containing material producing based on high-silica porous glass

Номер патента: RU2605711C2. Автор: Татьяна Викторовна Антропова,Ирина Николаевна Анфимова,Марина Андреевна Гирсова,Галина Николаевна Головина,Людмила Николаевна Куриленко,Сергей Владимирович Фирстов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук (ИХС РАН). Дата публикации: 2016-12-27.

7-AMINO-2,2',4-TRIOXO-5'-PHENYL-1,1',2,2',3,4-HEXAHYDROSPIRO{PYRANO[2,3-d]PYRIMIDIN-5,3'-PYRROL}-6-CARBONITRILES AND SYNTHESIS METHOD THEREOF

Номер патента: RU2604878C1. Автор: Максим Викторович Дмитриев,Светлана Юрьевна Баландина,Андрей Николаевич Масливец,Павел Васильевич Мелюхин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лактон". Дата публикации: 2016-12-20.

Physiologically active bis-(dialkylamides) of phosphoryl-substituted 1,4-dicarboxylic acids and synthesis method thereof

Номер патента: RU2440361C1. Автор: Людмила Николаевна Петрова,Сергей Олегович Бачурин,Николай Серафимович Зефиров,Алла Николаевна Яркевич,Зоя Викторовна Сафронова. Владелец: Учреждение Российской Академии Наук Институт Физиологически Активных Веществ Ран (Ифав Ран). Дата публикации: 2012-01-20.

Synthesis methods and intermediate compounds during synthesis of stereoisomeric compounds, suitable for treating gastrointestinal disorders and central nervous system disorders

Номер патента: RU2418798C2. Автор: Колбот БАЙ,Дз Б ЕХ,Понни ПАН. Владелец: Арикс Терапьютикс, Инк.. Дата публикации: 2011-05-20.

Method for chemical vapor deposition in high aspect ratio spaces

Номер патента: EP1897131A2. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-03-12.

Method for chemical vapor deposition in high aspect ratio spaces

Номер патента: WO2007001296A2. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2007-01-04.

Method of forming refractory metal contact in an opening, and resulting structure

Номер патента: US20040191562A1. Автор: Jed Rankin,William Murphy,Randy Mann,Jonathan Chapple-Sokol,Daniel Vanslette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Method of determining deposition temperature

Номер патента: US20040146643A1. Автор: Wen-Cheng Lien,Shih-Liang Chou,Tsung-De Lin,Tian-Jue Hong,Tsung-Chin Wu,Kou-Yow Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-29.

Aerosol-assisted chemical vapor deposition of nickel sulfide nanowires for electrochemical water oxidation

Номер патента: US20230407497A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-12-21.

Chemical vapor deposition tool and process for fabrication of photovoltaic structures

Номер патента: US09972740B2. Автор: Jianming Fu,Yongkee Chae. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Single-unit reactor design for combined oxidative, initiated, and plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09957618B2. Автор: Karen K. Gleason,Miles C. Barr,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-05-01.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: US09663855B2. Автор: Jung-Sik Lee,Seok-won JUNG,Myung-Su Heo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Defined dosing atmospheric temperature and pressure vapor deposition system

Номер патента: US09562288B2. Автор: Adam Zax,Russell C. SLAYBAUGH,Michael Stephen METCALFE,Guillermo SETA. Владелец: Diamon Fusion International Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09478401B2. Автор: Peter Maschwitz. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Trispecific binding molecules, which specifically bind antigens of a variety of malignant tumors, and methods of using them

Номер патента: RU2718692C2. Автор: Лесли С. Джонсон,Эзио БОНВИНИ,Пол А. Мур,Джонатан С. ЛИ,Калпана Шах. Владелец: Мэкроудженикс, Инк.. Дата публикации: 2020-04-13.

Radiation heated reactor for chemical vapor deposition on substrates

Номер патента: US4263872A. Автор: Vladimir S. Ban. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-04-28.

2-alkenyl-3-aminothiophene derivative and synthesis method thereof

Номер патента: RU2403248C2. Автор: Такеси КАКИМОТО,Тосио КИТАСИМА. Владелец: Мицуи Кемикалз, Инк.. Дата публикации: 2010-11-10.

Halogen alkyl nitrate synthesis method

Номер патента: RU2388746C2. Автор: Романо РИВОЛТА,Петер ФИНЛАНДЕР. Владелец: Никокс С.А.. Дата публикации: 2010-05-10.

Synthesis method of rapamycin derivatives

Номер патента: RU2718058C2. Автор: Олександр ЗАБУДКИН,Кристиан Шикканедер,Ярослав МАТВИЕНКО,Владимир СЫПЧЕНКО. Владелец: Синбиас Фарма АГ. Дата публикации: 2020-03-30.

A coated article of martensitic steel and a method of forming a coated article of steel

Номер патента: EP2628817A1. Автор: Jürgen Gierl,Yashar Musayev,Tim Matthias Hosenfeldt,Bertram Haag,Paul Peeters,Juhana Kostamo,Serge Kursawe,Ivan KOLEV,Roland Tap. Владелец: Schaeffler AG. Дата публикации: 2013-08-21.

Chemical vapor deposition of mullite coatings and powders

Номер патента: AU4963496A. Автор: Rao Mulpuri,Vinod Sarin. Владелец: Boston University. Дата публикации: 1996-07-24.

Method for chemical vapor deposition of titanium nitride films at low temperatures

Номер патента: US5378501A. Автор: Robert F. Foster,Joseph T. Hillman. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1995-01-03.

Methods and apparatus for reducing as-deposited and metastable defects in amorphous silicon

Номер патента: AU2022281245A1. Автор: Gautam Ganguly. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods and apparatus for reducing as-deposited and metastable defects in amorphous silicon

Номер патента: EP4347915A1. Автор: Gautam Ganguly. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-10.

Methods and apparatus for reducing as-deposited and metastable defects in amorphous silicon

Номер патента: WO2022250818A1. Автор: Gautam Ganguly. Владелец: Gautam Ganguly. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device having a passivation layer and method of making the same

Номер патента: US20180166406A1. Автор: Yi-An Lin,C. C. Chang,Yu-Lung Shih,Alan KUO,Chao-Keng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method of synthesizing copper precursors

Номер патента: US20020142591A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu,Wei-Wei Zhuang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2002-10-03.

Method of selective metal deposition using separated reactant activation and plasma discharging zones

Номер патента: WO2024123432A1. Автор: Jiang Lu,Joung Joo Lee,Avgerinos V. Gelatos,Joseph Hernandez,Xianmin Tang,Dien-Yeh Wu,Weifeng Ye,Yiyang WAN,Ying-Bing JIANG,Gary HOW. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF CuInXGa1- X(SeyS1-y)2 THIN FILMS AND USES THEREOF

Номер патента: WO2008151067A3. Автор: Tim Anderson,W K Kim. Владелец: W K Kim. Дата публикации: 2009-02-19.

Processing system and method for chemical vapor deposition

Номер патента: EP1100980A2. Автор: Joseph T. Hillman. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2001-05-23.

Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films

Номер патента: WO2002086189A1. Автор: David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen,Wei-Wei Zhuang,Lawrence J. Charneski. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for selective deposition and devices

Номер патента: US20110120757A1. Автор: David H. Levy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-26.

Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films

Номер патента: EP1387898A1. Автор: David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen,Wei-Wei Zhuang,Lawrence J. Charneski. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-02-11.

Microwave plasma chemical vapor deposition apparatus comprising an inclined rotating substrate holder

Номер патента: US5234502A. Автор: Osamu Mochizuki,Toshiharu Hoshi,Hiroaki Itoh. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Methods of growing a silicon carbide epitaxial layer on a substrate to increase and control carrier lifetime

Номер патента: US09842898B2. Автор: Tangali S. Sudarshan,Amitesh Srivastava. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2017-12-12.

Mcvd method of making workpieces for single-mode light guides

Номер патента: RU2576686C1. Автор: Михаил Артемьевич Ероньян. Владелец: Михаил Артемьевич Ероньян. Дата публикации: 2016-03-10.

Benzoylguanidines, method of their synthesis, method of inhibition, pharmaceutical composition and method of its preparing

Номер патента: RU2165412C2. Автор: КЛЕЕМАНН Хайнц-Вернер,ЛАНГ Ханс-Йохен,ШВАРК Ян-Роберт,ВАЙХЕРТ Андреас,ШОЛЬЦ Вольфганг,АЛЬБУС Удо,БРЕНДЕЛЬ Йоахим. Владелец: Хехст АГ. Дата публикации: 2001-04-20.

Fluoroalkoxy-combretastatin derivatives, use and synthesis methods thereof

Номер патента: RU2417216C2. Автор: Вэйпинг ШЕН,Цзянпинг ВАНГ,Цзянкуо ВАНГ,Хонгмэй ЦЗИН,Фенг КЬЯН,Фэй ВАНГ. Владелец: Чжэцзян Даде Фармасьютикал Груп Ко. Лтд. Дата публикации: 2011-04-27.

Method of depositing polysilicon, method of fabricating a field effect transistor, method of forming a contact to a substrate, method of forming a capacitor

Номер патента: US6159852A. Автор: Er-Xuan Ping,Michael Nuttall,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

Method and a device for epitaxial growth of objects by chemical vapor deposition

Номер патента: US6093253A. Автор: Yujing Liu,Christer Hallin,Peter Lofgren,Chun Yuan Gu. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 2000-07-25.

Cooled mirror construction by chemical vapor deposition

Номер патента: US4378626A. Автор: Frederick G. Eitel. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1983-04-05.

Wafter carrier for chemical vapor deposition systems

Номер патента: US10316412B2. Автор: Yuliy Rashkovsky,Sandeep Krishnan,Alexander I. Gurary,Lukas Urban,Jeffrey Scott Montgomery. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Methods of forming a metal-insulator-semiconductor (mis) structure and a dual contact device

Номер патента: WO2015142438A3. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-12-17.

Methods of forming a metal-insulator-semiconductor (mis) structure and a dual contact device

Номер патента: WO2015142438A2. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-09-24.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods

Номер патента: US20230072705A1. Автор: Prerna Goradia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-09.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: WO2023031951A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Prerna Goradia. Дата публикации: 2023-03-09.

A method for depositing a transition metal dichalcogenide

Номер патента: EP4353863A1. Автор: Benjamin Groven,Vladislav VORONENKOV,Dries VRANCKX. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-04-17.

A chemical vapor deposition chamber article

Номер патента: WO2020242292A8. Автор: Marcus Gerardus Van Munster,Guiming SONG. Владелец: Schunk Xycarb Technology B.V.. Дата публикации: 2021-01-28.

Silicon-based explosive devices and methods of manufacture

Номер патента: US20120174808A1. Автор: Ronald G. Polcawich,Luke J. Currano,Wayne Churaman,Mark Gelak. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2012-07-12.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20020051847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition reactors and associated methods

Номер патента: WO2024168346A1. Автор: W. Shannan O'Shaughnessy,Andrew Grant,Sergio Fernandez,Lucas BLACK. Владелец: Kayaku Advanced Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Metalorganic chemical vapor deposition of zinc oxide

Номер патента: WO2009131842A1. Автор: Bunmi T. Adekore,Jonathan Pierce. Владелец: Lumenz, Inc.. Дата публикации: 2009-10-29.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition reactors and associated methods

Номер патента: US20240282546A1. Автор: W. Shannan O'Shaughnessy,Andrew Grant,Sergio Fernandez,Lucas BLACK. Владелец: Kayaku Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Laser-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20230203660A1. Автор: Rodney S. Harris,Stephen G. Topping. Владелец: River Electro Optics LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for preventing vacuum pump pipeline from blockage, and chemical vapor deposition machine

Номер патента: US20200208262A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Metalorganic chemical vapor deposition of zinc oxide

Номер патента: EP2279284A1. Автор: Bunmi T. Adekore,Jonathan Pierce. Владелец: LUMENZ Inc. Дата публикации: 2011-02-02.

Chemical vapor deposition process for depositing a titanium oxide coating

Номер патента: US09938619B2. Автор: Jun Ni,Srikanth Varanasi,Douglas M. Nelson. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Group 5 cyclopentadienyl transition metal-containing precursors for deposition of group 5 transition metal-containing films

Номер патента: US09518075B2. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2016-12-13.

2-mercaptobenzotellurazole derivatives and synthesis method thereof

Номер патента: RU2602499C1. Автор: Патимат Абдулжалиловна Рамазанова,Гасан Магомедович Абакаров,Абдулсалам Мохаммед Мутанна Али,Керим Султанбекович Бекшоков,Хидирляс Саидович Хибиев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ", (ФГБОУ ВО "ДГУ"). Дата публикации: 2016-11-20.

Perfluorocarboxylic acid salt and synthesis method thereof

Номер патента: RU2453529C2. Автор: Риудзи СЕКИ,Хироказу ТАКАГИ. Владелец: Асахи Гласс Компани, Лимитед. Дата публикации: 2012-06-20.

Olefine synthesis method

Номер патента: RU2356876C2. Автор: Эрик В. МакФарланд,Шоули Сунь,Джеффри Х. ШЕРМАН,Майкл Дж. ВАЙС,Иван Марк ЛОРКОВИЧ,Лерой Е. ЛЭЙВЕРМАН,Дитер Дж. ШЕФЕР,Гэйлен СТАКИ,Питер ФОРД. Владелец: Дзе Риджентс Оф Дзе Юниверсити Оф Калифорния. Дата публикации: 2009-05-27.

Amphiphilic homopolymers and synthesis method thereof

Номер патента: RU2599576C2. Автор: Михаил Исаакович Штильман,Андрей Николаевич Кусков,Аристидис Тсатсакис,Павел Павлович Куликов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Производственный Центр "Амфион". Дата публикации: 2016-10-10.

Novel form of hydroquinone and synthesis method thereof

Номер патента: RU2458037C2. Автор: ТЬЕСС Жан-Клод ЛЕ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2012-08-10.

Novel phosphinic acids and sulphur-containing derivatives thereof, and synthesis methods thereof

Номер патента: RU2451021C2. Автор: Юэхой ЧЖОУ,Джеффри Чарльз Генри ДИК,Бобан ЯКОВЛЕВИЧ,Сирил Кристиан Анри БУРЖЕ,Аллан Джеймс РОБЕРТСОН,Донато НУЧЧАРОНЕ. Владелец: Сайтек Кэнада Инк.. Дата публикации: 2012-05-20.

Method for the production of highly pure copper thin films by chemical vapor deposition

Номер патента: US5441766A. Автор: Hyung S. Choi,Young S. Cho,Chong J. Lim,Soon T. Hwang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 1995-08-15.

Method of making synthetic diamond film

Номер патента: CA2108845C. Автор: Matthew Simpson,Robert M. Frey. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1999-08-17.

Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organometallic precursor compounds

Номер патента: US5997639A. Автор: Ravi Iyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-12-07.

Method for synthesising a material, in particular diamond, by chemical vapour deposition, and a device for applying the method

Номер патента: CA2806935C. Автор: Horacio Tellez Oliva. Владелец: DIAROTECH. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing large capacity preforms by MCVD

Номер патента: US6988379B2. Автор: Marc Nicolardot,Jean-Florent Campion,Gerard Orcel. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2006-01-24.

Silicon precursor and method of fabricating silicon-containing thin film using the same

Номер патента: US20210348026A1. Автор: Yeong-eun Kim,Jang-Hyun Seok,Jae-Seok AN,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Method of in-situ cleaning for LPCVD TEOS pump

Номер патента: US6498104B1. Автор: David Chi,Kent Kuohua Chang,Fuodoor Gologhlan,Hector Serrato. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-12-24.

Chemical vapor deposition of chalcogenide materials

Номер патента: CA2595761A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Smuruthi Kamepalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-10.

Method of reducing stress-induced mechanical problems in optical-quality thin films

Номер патента: EP1302792A3. Автор: Luc Ouellet,Jonathan Lachance. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-08-04.

Polysubstituted selenium-containing cyclopent(hex)ene skeleton derivative and synthesis method thereof

Номер патента: US20240228436A1. Автор: Zhongjian CAI,Shunjun JI,Dianliang WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of tisin deposition using a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2003056060A1. Автор: Mei Chang,Roderick Mosely,Chien-Teh Kao,Fufa Chen,Chiukin Steven Lai,Jing-Pei Chou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of manufacturing a semiconductor device with a contact hole

Номер патента: US20020182854A1. Автор: Junichi Miyano,Kiyohiko Toshikawa,Yoshikazu Motoyama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Manufacturing method of phase difference element, phase difference element, and projection image display device

Номер патента: US20200018882A1. Автор: Junichi Sugawara,Toshiaki Sugawara,Yoshi Kanega. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Single crystal transition metal dichalcogenide thin film and method for synthesizing the same

Номер патента: US20210222322A1. Автор: Soo Ho CHOI,Ki Kang KIM. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-07-22.

Fluorescent dye-labeled glucose bioprobe, synthesis method and usage thereof

Номер патента: US8679854B2. Автор: Seung Bum Park,Jong Min Park,Myung Haing Cho,Hyang Yeon Lee. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2014-03-25.

Synthesis method of hydroxybenzylamine

Номер патента: US12024483B2. Автор: Changping Xu,Yanrong JIA. Владелец: Taizhou Chuangyuan Industrial Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Single crystal transition metal dichalcogenide thin film and method for synthesizing the same

Номер патента: US11859308B2. Автор: Soo Ho CHOI,Ki Kang KIM. Владелец: SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-02.

Synthesis method of aromatic amine carboxylic acid derivative

Номер патента: NL2033448B1. Автор: Qu Wenyan. Владелец: Beijing Yinong Biotechnology Co ltd. Дата публикации: 2023-07-28.

New cyclopenta[b]fluorenyl coompound of transition metal, catalytic composition containing it, and method for production ethylene homopolymer or ethylene and alpha-olefin copolymer at its use

Номер патента: RU2632895C2. Автор: Донг Чеол ШИН,Хо Сеонг ЛИ,Сеонг Киунг КИМ,Санг Ик ЛИ,Сун Янг КИМ,Дзонг Сок ХАХН,Чан Воонг ДЗЕОН,Дзеонг Хван КИМ. Владелец: Сабик Ск Некслен Компани Пте.Лтд.. Дата публикации: 2017-10-11.

Method for chemical infiltration or vapor deposition

Номер патента: RU2738718C2. Автор: Стефан ГУЖАР,Адриен ДЕЛЬКАМ,Седрик ДЕСКАМ. Владелец: Сафран Серамикс. Дата публикации: 2020-12-15.

Mcvd method of manufacturing light-guide fibers with core made from quartz glass ligated with nitrogen

Номер патента: RU2668677C1. Автор: Михаил Артемьевич Ероньян. Владелец: Михаил Артемьевич Ероньян. Дата публикации: 2018-10-02.

Microgel-cointaining thermoplastic elastomer composition, synthesis method and use thereof

Номер патента: RU2372364C2. Автор: Фолькер МЮЛЛЕР,Вернер ОБРЕХТ,Роберт Ханс ШУСТЕР,Томас ФРЮ,Мартин МЮЛЛЕР,Лудгер ХАЙЛИГЕР,Хейко ТЕББЕ. Владелец: Ланксес Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2009-11-10.

Benzoylpyrazole compounds, synthesis method thereof and herbicides containing said compounds

Номер патента: RU2462457C2. Автор: Масамицу ЦУКАМОТО,Хироси КИКУГАВА,Терумаса КОМИЕДЗИ,Хироси ХАТА. Владелец: Исихара Сангио Кайся, Лтд.. Дата публикации: 2012-09-27.

Improved olefin synthesis method

Номер патента: RU2405022C1. Автор: Адам Дж. КАНЬЮ. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2010-11-27.

Alkylketone fluorotelomers, synthesis method thereof (versions) and method of making functional coatings based on said fluorotelomers

Номер патента: RU2381237C2. Автор: Вячеслав Михайлович Бузник,Дмитрий Павлович Кирюхин,Ида Павловна Ким. Владелец: Некоммерческая организация Учреждение Институт проблем химической физики Российской академии наук (статус государственного учреждения (ИПХФ РАН)). Дата публикации: 2010-02-10.

Neutral beam-assisted atomic layer chemical vapor deposition apparatus and method of processing substrate using the same

Номер патента: US7799706B2. Автор: Sung-Woo Kim,Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Jong-Tae Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-09-21.

Diamides of 4,7-disubstituted 1,10-phenanthroline-2,9-dicarboxylic acids, synthesis method thereof and extraction mixture based thereon

Номер патента: RU2601554C2. Автор: Марина Дмитриевна Решетова,Василий Александрович Бабаин,Михаил Юрьевич Аляпышев,Наталия Евгеньевна Борисова,Людмила Игоревна Ткаченко,Андрей Алексеевич Костин,Екатерина Владимировна Кенф. Владелец: Открытое акционерное общество "Радиевый институт им. В.Г.Хлопина". Дата публикации: 2016-11-10.

Chemical vapor deposition

Номер патента: US4107352A. Автор: Mohammad Javid Hakim. Владелец: Westinghouse Canada Inc. Дата публикации: 1978-08-15.

Reductive elimination chemical vapor deposition processes utilizing organometallic precursor compounds in semiconductor wafer processing

Номер патента: US5384289A. Автор: Donald L. Westmoreland. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Organometallic chemical vapor deposition of films utilizing organic heterocyclic compounds

Номер патента: US4509997A. Автор: Peter J. Wright,Brian Cockayne,Richard J. M. Griffiths. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1985-04-09.

Feedback control of sub-atmospheric chemical vapor deposition processes

Номер патента: US20030049376A1. Автор: Arulkumar Shanmugasundram,Manuel Hernandez,Rong Pan,Alexander Schwarm,Amna Mohammad. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-13.

Chemical vapor deposition process and coated article

Номер патента: US20160060763A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Continuous-feed chemical vapor deposition system

Номер патента: US20230002906A1. Автор: Yaakov Gridish,Elad Mentovich,Yaniv Rotem,Doron NAVEH,Chen STERN,Yosi BEN-NAIM,Ariel Ismach,Tal KAUFMAN,Eran BAR-RABI. Владелец: Simtal Nano Coatings Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Composition control of chemical vapor deposition nitrogen doped germanium antimony tellurium

Номер патента: US20190345607A1. Автор: Takeshi Masuda,Robert Bruce,Matthew J. BrightSky,Norma Edith Sosa,Fabio Carta,Gloria W.Y. Fraczak. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Metalorganic chemical vapor deposition system and method

Номер патента: US20200115800A1. Автор: Kazuhiro Ohkawa. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for direct formation of origami 3d graphene on copper foil using chemical vapor deposition

Номер патента: US20240052481A1. Автор: Haijun LIU,Thuc Hue LY,Quoc Huy THI. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-02-15.

Metal organic chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20240175135A1. Автор: Sung-Chul Choi,Kwang-Il Cho. Владелец: Tes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Synthesis method of glyco-drug radiotracer precursor

Номер патента: US20140066609A1. Автор: YU Chang,Wuu-Jyh Lin,Mei-Hui Wang,Cheng-Fang Hsu,Kuei-Lin Lu. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2014-03-06.

Method of obtaining a graded pecvd layer and plasma source assembly

Номер патента: WO2017164742A1. Автор: Arthur Wouter Weeber,Machteld Willemijn Petronel Elisabeth Lamers. Владелец: STICHTING ENERGIEONDERZOEK CENTRUM NEDERLAND. Дата публикации: 2017-09-28.

Process and aparatus for atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2009073292A1. Автор: Robert P. Haley,Mark G.C. Vreys,Christina A. Rhoton,Alphonsus J.P. De Rijcke. Владелец: Dow Global Technologies Inc.. Дата публикации: 2009-06-11.

Novel coating method of complex 3d structures using low pressure chemical vapor deposition

Номер патента: US20240102167A1. Автор: William C. West,Matthew R. Dickie,Harold Frank GREER,Billy Chun-Yip Li,Su C. Chi. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-03-28.

Device, system and method for plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20230349046A1. Автор: Jens-Uwe FUCHS,Ralf Reize,Mirko Tröller,Roland Leichtle. Владелец: Centrotherm International AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332011A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-03.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4439630A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Chemical vapor deposition device capable of reciprocating rotation and lifting

Номер патента: US20240327986A1. Автор: Xueqin Pan,Xiaoliang Jin,Weicong SONG. Владелец: Betone Technology Shanghai Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Gas shower device, chemical vapor deposition device and method

Номер патента: US09945031B2. Автор: Yong Jiang,Zhiyou Du. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Thin film deposition apparatus with mask roll including multiple mask patterns and method of making organic light emitting device using the apparatus

Номер патента: US09708705B2. Автор: Ki-Hyun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Optically active axially chiral alpha-allenic alcohol, synthesis method and use thereof

Номер патента: US09701601B2. Автор: Shengming Ma,Juntao Ye. Владелец: Shanghai Institute of Organic Chemistry of CAS. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for improved growth of two-dimensional transition metal dichalcogenides

Номер патента: US09620665B1. Автор: Stephen F. Bartolucci,Daniel B. Kaplan. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2017-04-11.

Fiber grade polyphenylene sulfide resin synthesis method

Номер патента: US09567440B2. Автор: Haoran Li,Hong Yin,Zhirong Chen,Guiyang ZHOU,Woyuan Li,Ming Lian,Xinfeng ZHENG. Владелец: Shangyu NHU Biological Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Directing plasma distribution in plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09543125B2. Автор: Hsiang-Wei Lin,Chia-Ho Chen,Bo-Hung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Low-pressure chemical vapor deposition apparatus and thin-film deposition method thereof

Номер патента: US09478440B2. Автор: XIAO Wu,Xunhui Wang,Qijun Guo,Jianchao Fan. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of making composite substrate from sic

Номер патента: RU2728484C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-07-29.

Oligomeric urethane acrylates, synthesis method and use thereof

Номер патента: RU2440375C2. Автор: Максим АЛЛАР,Хайнц-Петер РИНК,Вернер-Альфонс ЮНГ,Йеннифер МЁБИУС. Владелец: БАСФ Коатингс ГмбХ. Дата публикации: 2012-01-20.

7H-PYRROL[2,3-d]PYRIMIDINE DERIVATIVES, PHARMACEUTICALLY ACCEPTABLE SALTS THEREOF, PHARMACEUTICAL COMPOSITIONS CONTAINING SAID DERIVATIVES AND SYNTHESIS METHOD THEREOF

Номер патента: RU2391344C2. Автор: Янош СЁЛЧАНЬИ,Дьёрдь КЕРИ,Ласло ЭРФИ,Фридьёш ВАЦЕК,Эрика ПИНТЕР,Жужанна ХЕЛЙЕС,Тамаш СЮТШ,Йожеф НЕМЕТ. Владелец: Йожеф НЕМЕТ. Дата публикации: 2010-06-10.

Crystalline morphinan derivatives and synthesis method thereof

Номер патента: RU2397173C2. Автор: Хисанори ВАКИТА,Масахиро АКИМОТО,Такахиро ТАКЕДА. Владелец: Торей Индастриз, Инк.. Дата публикации: 2010-08-20.

Method for peptide synthesis and apparatus for realizing the solid-phase peptide synthesis method

Номер патента: RU2727200C2. Автор: Саша КНАУЭР,Тобиас Михаэль Луис РЕЗЕ,Ольга АВРУТИНА,Харальд Кольмар,Кристина УТ. Владелец: Сульфотулс Гмбх. Дата публикации: 2020-07-21.

Xylitol synthesis method

Номер патента: RU2388741C2. Автор: Джонатан А. СТЭПЛИ,Джеймс Н. БЕМИЛЛЕР. Владелец: Пердью Рисерч Фаундейшн. Дата публикации: 2010-05-10.

Method of ensuring adhesion of chemically vapor deposited oxide to gold integrated circuit interconnect lines

Номер патента: US4716071A. Автор: Dyer A. Matlock,Bruce E. Roberts,Jimmy C. Black. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1987-12-29.

Method of an apparatus for forming thin film for semiconductor device

Номер патента: US5240505A. Автор: Masanobu Iwasaki,Hiromi Itoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Dialkoxyorganoborane synthesis method

Номер патента: RU2423369C2. Автор: Элизабет БУРКХАРДТ,Уильям ЭТКИНС. Владелец: Басф Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2011-07-10.

ALKENYLCARBOXYLIC ACID GUANIDIDES, METHOD OF THEIR SYNTHESIS, METHOD OF INHIBITION OF CELLULAR Na+/H+-EXCHANGE AND PHARMACEUTICAL COMPOSITION

Номер патента: RU2164913C2. Автор: КЛЕЕМАНН Хайнц-Вернер,ЛАНГ Ханс-Йохен,ШВАРК Ян-Роберт,ВАЙХЕРТ Андреас,ШОЛЬЦ Вольфганг,АЛЬБУС Удо. Владелец: Хехст АГ. Дата публикации: 2001-04-10.

Method of forming a carbon coated optical fiber with co-current reactant flow

Номер патента: US5320659A. Автор: Gotaro Tanaka,Yoichi Ishiguro,Minoru Watanabe,Kohei Kobayashi,Masaharu Ooe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1994-06-14.

Process and apparatus for supplying zinc vapor continuously to a chemical vapor deposition process from a continuous supply of solid zinc

Номер патента: US5383969A. Автор: Michael A. Pickering,Jeffery L. Kirsch,James C. Macdonald,Alexander Teverovsky. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Chemical vapor deposition system and method

Номер патента: WO2006116776A3. Автор: Eunsung Park,Kevin Casey,Catherine E Talor. Владелец: Catherine E Talor. Дата публикации: 2007-05-03.

Chemical vapor deposition raw material containing organic nickel compound, and chemical vapor deposition method using the chemical vapor deposition raw material

Номер патента: US20160115587A1. Автор: Masayuki Saito,Satoshi Miyazaki,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-04-28.

Chemical vapor deposition raw material containing organic nickel compound, and chemical vapor deposition method using the chemical vapor deposition raw material

Номер патента: US9447495B2. Автор: Masayuki Saito,Satoshi Miyazaki,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-09-20.

Dispenser system for atomic beam assisted metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)

Номер патента: US20080026575A1. Автор: Supratik Guha,Fenton R. McFeely,John J. Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Thermal chemical vapor deposition coating

Номер патента: US20180258529A1. Автор: James B. Mattzela,Paul H. Silvis,Gary A. Barone,Thomas F. Vezza,William David Grove. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Methods of vapor deposition of ruthenium using an oxygen-free co-reactant

Номер патента: US11976352B2. Автор: Jacob Woodruff,Guo Liu,Ravindra Kanjolia. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-05-07.

Methods of depositing aluminum nitride templating layers using thermal pulsed chemical vapor deposition for the enhancement of aluminum nitride thick films and related films

Номер патента: US20240052493A1. Автор: Andrew Kummel,Aaron McLeod,Scott UEDA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for performing metallo-organic chemical vapor deposition of titanium nitride at reduced temperature

Номер патента: US20020001928A1. Автор: Mei Chang,Ming Xi,Keith K. Koai,Shulin Wang,Huan LUO,Russell C. Ellwanger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of obtaining a graded PECVD layer and plasma source assembly.

Номер патента: NL2016487A. Автор: Willemijn Petronel Elisabeth Lamers Machteld,Wouter Weeber Arthur. Владелец: STICHTING ENERGIEONDERZOEK CENTRUM NEDERLAND. Дата публикации: 2017-10-02.

Chemical vapor deposition film profile uniformity control

Номер патента: US20130149871A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Chia-Ho Chen,Chih-Tsung Lee,You-Hua Chou,Ming-Chin Tsai,Ming-Shiou Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Precursor selection method for chemical vapor deposition techniques

Номер патента: US20080243460A1. Автор: Timothy P. Holme,Masayuki Sugawara,Friedrick B. Prinz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-02.

Chemical vapor deposition furnace with a cleaning gas system to provide a cleaning gas

Номер патента: US12077854B2. Автор: Herbert Terhorst,Bert Jongbloed,Dieter Pierreux,Theodorus G. M. Oosterlaken,Lucian JDIRA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Receptor material, synthesis method and use thereof

Номер патента: US20240334824A1. Автор: Baomin Xu,Zhixin Liu,Xingzhu Wang. Владелец: Southern University of Science and Technology. Дата публикации: 2024-10-03.

Chemical vapor deposition method of silicon dioxide film

Номер патента: US5360646A. Автор: Katsumi Morita. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1994-11-01.

PLASMA-CHEMICAL METHOD OF PRODUCING CHALCOGENIDE GLASS OF As-S SYSTEM AND DEVICE THEREFOR

Номер патента: RU2585479C1. Автор: Александр Владимирович Костров,Аскольд Витальевич Стриковский,Владимир Михайлович Воротынцев,Леонид Александрович Мочалов,Алексей Сергеевич Лобанов,Андрей Николаевич Степанов,Алексей Владимирович Нежданов,Александр Иванович Машин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт прикладной физики Российской академии наук (ИПФ РАН). Дата публикации: 2016-05-27.

Prevention of low pressure chemical vapor deposition silicon dioxide undercutting and flaking

Номер патента: CA1166129A. Автор: Bernard M. Kemlage. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Chemical vapor deposition

Номер патента: CA1251100A. Автор: Guy Brien,Richard Cloutier,Laszlo Szolgyemy,Edward C.D. Darwall. Владелец: Edward C.D. Darwall. Дата публикации: 1989-03-14.

Method of surface alloying sialon articles

Номер патента: US4913936A. Автор: Pankaj K. Mehrotra,Joyce L. Swiokla. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 1990-04-03.

Chemical vapor deposition method of growing oxide films with giant magnetoresistance

Номер патента: US5487356A. Автор: Jiming Zhang,Yi-Oun Li. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1996-01-30.

Inverted diffusion stagnation point flow reactor for vapor deposition of thin films

Номер патента: CA2016970A1. Автор: Prasad N. Gadgil. Владелец: SIMON FRASER UNIVERSITY. Дата публикации: 1991-11-16.

Continuous chemical vapor deposition reactor

Номер патента: CA1068582A. Автор: Roger N. Anderson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1979-12-25.

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method of forming vanadium oxide films and vanadium oxide thin-films prepared thereby

Номер патента: US6156395A. Автор: Ping Liu,David K. Benson,C. Edwin Tracy,Ji-Guang Zhang,John A. Turner. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 2000-12-05.

Method of making a low-resistance contact to silicon having a titanium silicide interface, an amorphous titanium nitride barrier layer and a conductive plug

Номер патента: US5723382A. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu,Tyler A. Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-03.

Method for chemical vapor deposition of silicon on to substrates for use in corrosive and vacuum environments

Номер патента: US20040175578A1. Автор: David Smith,Bruce Kendall,Martin Higgins,Gary Barone,David Lavrich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Ceramic matrix composites made by chemical vapor infiltration and methods of manufacture thereof

Номер патента: CA2924053C. Автор: Krishan Lal Luthra,Gregory Scot Corman,Badri Narayan Ramamurthi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-07-17.

Metal organic chemical vapor depostion (mocvd) tunnel junction growth in iii-nitride devices

Номер патента: US20220029049A1. Автор: Steven P. DenBaars,James S. Speck,Ahmed Alyamani,Abdulrahman Albadri,Abdullah Ibrahim Alhassan. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2022-01-27.

Method of depositing a conformal hydrogen-rich silicon nitride layer onto a patterned structure

Номер патента: US20020039835A1. Автор: Stephane Thioliere,Corinne Buchet,Patrick Raffin,Christophe Balsan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-04-04.

Cold thermal chemical vapor deposition

Номер патента: US20240117495A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,Jesse BISCHOF,James B. Mattzela,Gary A. Barone,Geoffrey K. WHITE,Nicholas P. DESKEVICH,Pierre A. LECLAIR. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Metal organic chemical vapor depostion (mocvd) tunnel junction growth in iii-nitride devices

Номер патента: US20190245112A1. Автор: Steven P. DenBaars,James S. Speck,Abdullah Ibrahim Alhassan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-08-08.

Method of forming a conformal and continuous crystalline silicon nanosheet with improved electrical properties at low doping levels

Номер патента: WO2024145172A1. Автор: Jean-Marc Girard,Venkateswara R. Pallem,Nathan Stafford,Claudia Fafard,Sana RANI. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-07-04.

Green synthesis method of epoxy modified starch-based emulsion

Номер патента: AU2021105561A4. Автор: Dong Wang,Guangjun Li,Yu Guan,Shaoxiang Li,Jiaji Cheng,Wenjuan QU. Владелец: Qingdao University of Science and Technology. Дата публикации: 2021-10-14.

SYNTHESIS METHOD OF TARGETED DRUG nCoVshRNA 2ACE2

Номер патента: US20230272400A1. Автор: Lin He,HUI Wang,Zhiyong Zhu,Jun YING,Yu Ma,Hangping Yao,Lanjuan Li,Binghuan Weng,Haokun Yang,Minyue DONG,Jiaxi Chen,Yuchan Mao,Yanni Qiao. Владелец: Hangzhou Chichuang Biotechnology Co ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Vapor deposition processes

Номер патента: US12065739B2. Автор: Mikko Ritala,Timo Hatanpää,Anton Vihervaara. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-20.

Heterocyclic compounds and the synthesis method thereof

Номер патента: US20150284504A1. Автор: Sheng-Wen Cheng,Yen-Ju Cheng,De-Yang Chiou. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2015-10-08.

Chemical synthesis method of diphenyl chlorophosphate

Номер патента: NL2029670B1. Автор: Zhang Qin,LI Juan,WANG SHANGQI,Tian Yongjie,Ding Hongjun. Владелец: Heze Dijade Chemical Corp. Дата публикации: 2022-10-21.

Magnetically enhanced high density plasma-chemical vapor deposition plasma source for depositing diamond and diamond-like films

Номер патента: US09951414B2. Автор: Roman Chistyakov,Bassam Hanna Abraham. Владелец: IonQuest Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Coated body wherein the coating scheme includes a coating layer of TiAl2O3 and method of making the same

Номер патента: US09903018B2. Автор: Zhenyu Liu,Yixiong Liu,Mark S. Greenfield,Peter R. Leicht,Rodrigo A. COOPER. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Chemical synthesis method of diphenyl chlorophosphate

Номер патента: NL2029670A. Автор: Zhang Qin,LI Juan,WANG SHANGQI,Tian Yongjie,Ding Hongjun. Владелец: Heze Dijade Chemical Corp. Дата публикации: 2021-12-21.

Hemin derivatives, having antimicrobial activity or pharmaceutically acceptable salts thereof, synthesis method, pharmaceutical composition and use

Номер патента: RU2415868C1. Автор: Владимир Евгеньевич Небольсин,Галина Александровна Желтухина,Сергей Александрович Окороченков. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Фарминтерпрайсез". Дата публикации: 2011-04-10.

Pentafluorosulphanyl-benzoyl guanidines, synthesis method thereof, use thereof as medicinal or diagnostic agents, as well as medicinal agents containing said compounds

Номер патента: RU2380358C2. Автор: Хайнц-Вернер КЛЕЕМАНН. Владелец: Санофи-Авентис Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2010-01-27.

Chemical vapor deposition coatings on titanium

Номер патента: US3787223A. Автор: C Reedy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1974-01-22.

Aromatic n-glycidylamine synthesis method

Номер патента: RU2378265C2. Автор: Роже МАЛЕРБЕ,Жан-Марк ПФЕФФЕРЛЕ. Владелец: Хантсман Эдвансд Мэтириалз (Свитзерланд) Гмбх. Дата публикации: 2010-01-10.

Novel 2h-chromene synthesis methods

Номер патента: RU2397980C2. Автор: Петер ШНАЙДЕР,Шуэб ТАТАУИ. Владелец: Арпида Аг. Дата публикации: 2010-08-27.

Alkylaminothiazole derivatives, synthesis method thereof and use thereof in therapy

Номер патента: RU2401262C2. Автор: ДОРССЕЛАР Вивьян ВАН,Сильви БАЛЬТЗЕР. Владелец: Санофи-Авентис. Дата публикации: 2010-10-10.

Methods of making and deposition methods using hafnium- or zirconium-containing compounds

Номер патента: WO2011057114A2. Автор: Christian Dussarrat,Vincent M. Omarjee,Venkateswara Pallem. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2011-05-12.

Method of making primary current detector using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US4851367A. Автор: David J. Wolf. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1989-07-25.

Superconducting thin-film material and method of making said material

Номер патента: RU2384907C1. Автор: Судзи ХАХАКУРА,Казуя ОХМАЦУ,Мунецугу ЮЯМА,Кацуя ХАСЕГАВА. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2010-03-20.

Method of making an electrode from reinforced lead dioxide

Номер патента: RU2691967C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Тураев. Владелец: Дмитрий Юрьевич Тураев. Дата публикации: 2019-06-19.

Method of producing beta-diketonate of palladium (ii)

Номер патента: RU2641893C1. Автор: Наталья Борисовна Морозова,Галина Ивановна Жаркова,Ксения Васильевна Жерикова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Мембраны-НЦ" (ООО "Мембраны-НЦ"). Дата публикации: 2018-01-23.

Vapor deposition method for the gaas thin film

Номер патента: CA1274429A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-09-25.

Method of producing highly efficient and electrically stable semiconductor layers of metal oxides, layers made using this method, and use thereof

Номер патента: RU2601210C2. Автор: Юрген ШТАЙГЕР,Алексей МЕРКУЛОВ,Арне ХОППЕ,Дуи Ву ПАМ,Анита НОЙМАНН. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2016-10-27.

Method and apparatus for the combustion chemical vapor deposition of films and coatings

Номер патента: CA2158568C. Автор: Andrew T. Hunt,Joe K. Cochran,William Brent Carter. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2001-12-04.

Metal organic vapor deposition procedure for preparing group III--V compounds on a heated substrate

Номер патента: US4436769A. Автор: Rodney H. Moss,Marc M. Faktor. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1984-03-13.

Metal-organic (MO) chemical vapor deposition method and MO chemical vapor deposition reactor

Номер патента: US6180541B1. Автор: Jae-Hyun Joo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-30.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US6110283A. Автор: Takaaki Kawahara,Mikio Yamamuka,Tsuyoshi Horikawa,Masayoshi Tarutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: WO2007106788A2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

Chemical vapor deposition method for the gaas thin film

Номер патента: CA1305910C. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1992-08-04.

Atmospheric pressure chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4834020A. Автор: Lawrence D. Bartholomew,Nicholas M. Gralenski,Michael A. Richie,Michael L. Hersh. Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1989-05-30.

Method and system for inline chemical vapor deposition

Номер патента: WO2012170166A3. Автор: Piero Sferlazzo,Thomas Michael Lampros. Владелец: AVENTA TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2013-04-25.

Platinum source compositions for chemical vapor deposition of platinum

Номер патента: US5783716A. Автор: Thomas H. Baum,Peter S. Kirlin,Sofia Pombrik. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1998-07-21.

Gas injection system for chemical vapor deposition using sequenced valves

Номер патента: WO2012082225A1. Автор: William E. Quinn,Eric A. Armour. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Gas Injection System For Chemical Vapor Deposition Using Sequenced Valves

Номер патента: US20160168710A1. Автор: William E. Quinn,Eric A. Armour. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US20160040288A1. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2016-02-11.

Technique for high efficiency metalorganic chemical vapor deposition

Номер патента: US20030049932A1. Автор: Sam Yang,Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

Metal organic chemical vapor deposition apparatus for solar cell

Номер патента: US20160225933A1. Автор: Heonmin Lee,Dongjoo YOU,Wonki Yoon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-08-04.

Methods for depositing polymer layer for sensor applications via hot wire chemical vapor deposition

Номер патента: EP3551780A1. Автор: Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Colin NEIKIRK. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Method of forming refractory metal contact in an opening, and resulting structure

Номер патента: US6900505B2. Автор: Randy W. Mann,Jed H. Rankin,William J. Murphy,Daniel S. Vanslette,Jonanthan D. Chapple-Sokol. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-05-31.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186790A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186770A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20070141835A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-21.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: SG131951A1. Автор: Shuang Meng,Kyle K Kirby,Garo J Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-28.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: WO2005083778A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-09-09.

Methods for depositing polymer layer for sensor applications via hot wire chemical vapor deposition

Номер патента: WO2018106886A1. Автор: Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Colin NEIKIRK. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-06-14.

Chemical vapor deposition of metal sulfide films from metal thiocarboxylate complexes with monodentate or multidentate ligands

Номер патента: WO1997032056A1. Автор: Klaus Kunze,Mark Hampden-Smith,May Nyman. Владелец: The University Of New Mexico. Дата публикации: 1997-09-04.

Method of forming ferroelectric film

Номер патента: US20040259275A1. Автор: Takeshi Kijima,Eiji Natori,Yasuaki Hamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Peptide synthesis method involving sterically hindered tri-tert-butyl-tryptophan (tbt) residue

Номер патента: WO2024146948A1. Автор: John Sigurd Svendsen,Jacobus Johannes EKSTEEN,Florence Malmedy,Jonathan GUEVARA. Владелец: Amicoat AS. Дата публикации: 2024-07-11.

Preparation method of phenylisoxazoline compound

Номер патента: US20230303545A1. Автор: Changling Liu,Aiying Guan,Qiao Wu,Jichun Yang,Enming WU,Gongxin WU. Владелец: Shenyang Sinochem Agrochemicals R&D Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

HYDRAZINECARBOTHIOAMIDE AND 1,2,4-TRIAZOLE-3-THION DERIVATIVE COMPOUNDS CARRYING IMIDAZO[2,1-b]THIAZOLE RING AND SYNTHESIS METHODS OF THESE COMPOUNDS

Номер патента: WO2024076331A1. Автор: Nuray GUZELDEMIRCI,Efe Dogukan DINCEL,Tugba YILMAZ OZDEN,Gozde HASBAL CELIKOK. Владелец: Istanbul Universitesi Rektorlugu. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of manufacturing film structure, method of manufacturing optical waveguide substrate and method of manufacturing second harmonic generation device

Номер патента: US20010046552A1. Автор: Takashi Yoshino,Makoto Iwai,Makoto Ohmori. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2001-11-29.

Polycrystalline silicon carbide substrate with density gradient and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4439628A1. Автор: Carlo Riva,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Synthesis method of chiral (S)-nicotine

Номер патента: US11981653B2. Автор: Yang Zou,Jun Zou,Meisen LIU,Weixian LUO. Владелец: Shenzhen Zinwi Biotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Vapor Deposition Processes

Номер патента: US20240368763A1. Автор: Mikko Ritala,Timo Hatanpää,Anton Vihervaara. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of preparing compound for killing insects or mites (variants), insecticide and antimite composition, method of killing insects or mite, strain saccharopolyspora spinosa used for preparing compound for insect and mite killing

Номер патента: RU2165704C2. Автор: КРИМЕР Лоуренс,А. КИРСТ Херберт,С. МИНДЕРС Джон,С. БРАФТОН Мери,Л. Б. ХЬЮБЕР Мери,В. МАРТИН Джеймс,Р. ТЕРНЕР Джан. Владелец: ДАУ Агросайнсис ЛЛС. Дата публикации: 2001-04-27.

Article from graphite with modified near-surface layer and method of modification of article surface, having base from graphite

Номер патента: RU2695423C1. Автор: Алексей Викторович Редьков,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов,Александр Сергеевич Гращенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-07-23.

Improved method of producing dipeptidyl peptidase-iv inhibitor and intermediate compound

Номер патента: RU2498976C2. Автор: Ву Йоунг КВАК,Хеунг Джае КИМ,Джонг Пил МИН,Тае Хьюн ЙУН,Хьюн Джу ШИМ,Мухи ЙУ. Владелец: Донг-А Фармасьютикал. Ко., Лтд. Дата публикации: 2013-11-20.

Novel derivative vitronectin receptor antagonists, synthesis method thereof, use thereof as medicinal agent and pharmaceutical compositions containing said antagonists

Номер патента: RU2412185C2. Автор: Жан-Мишель ЛЕФРАНСУА,Бертран ЭКМАНН,Жан-Мари Рюксер. Владелец: Галапаго Сас. Дата публикации: 2011-02-20.

Sic single crystal and method of its production

Номер патента: RU2160329C1. Автор: Китий ТАНИНО,Китийя ТАНИНО. Владелец: Ниппон Пиллар Пэкинг Ко., Лтд. Дата публикации: 2000-12-10.

Low pressure chemical vapor deposition of silicon dioxide with oxygen enhancement of the chlorosilane- nitrous oxide reaction

Номер патента: CA1166128A. Автор: Bernard M. Kemlage. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Method of structuring layers with a polysilicon layer and an overlying metal or metal silicide layer using a three step etching process with fluorine, chlorine, bromine containing gases

Номер патента: US6479373B2. Автор: Ralf Zedlitz,Stephan Wege,Joerg Dreybrodt,Dirk Drescher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-11-12.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4503807A. Автор: Satoshi Nakayama,Shigeru Takeda,Masuo Suzuki,Hideaki Takeuchi,Harushige Kurokawa,Junichi Murota,Tatuhiko Hurukado,Humihide Ikeda. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1985-03-12.

Macromolecular compounds with nucleus-shell structure, synthesis method thereof, use thereof as semiconductors in electronic functional element and as electronic functional element

Номер патента: RU2397995C2. Автор: Штефан КИРХМАЙЕР,Сергей ПОНОМАРЕНКО,Азиз МУЗАФАРОВ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2010-08-27.

Method of making carbon-carbon composites

Номер патента: US5061414A. Автор: Glen B. Engle. Владелец: NUCLEAR AND AEROSPACE MATERIALS CORP. Дата публикации: 1991-10-29.

Stable low-viscosity polymer-polyol having hydroxyl number ≥35, and synthesis method thereof

Номер патента: RU2423388C2. Автор: Рик Л. ЭДКИНС,Шринивас С. ЧОК. Владелец: Байер МатириальСайенс ЛЛСИ. Дата публикации: 2011-07-10.

Method of chemical vapor deposition in a continuous treatment line

Номер патента: US5352490A. Автор: Masahiro Abe,Kazuhisa Okada,Shuzo Fukuda. Владелец: NKK Corp. Дата публикации: 1994-10-04.

Light olefin synthesis method and device for realising said method

Номер патента: RU2398754C2. Автор: Андреа Джулио БОДЗАНО. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2010-09-10.

Chamber for reducing contamination during chemical vapor deposition

Номер патента: US6114227A. Автор: Joseph P. Ellul,Stephen M. Campbell,Chung J. Lee,Giovanni Antonio Foggiato,David Leksell,Ming Xi Chan,Jeanne L. Luce,David T. Ryan,Iqbal A. Shareef. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Apparatus and method for chemical vapor deposition using an axially symmetric gas flow

Номер патента: GB2181460A. Автор: Mcdonald Robinson,Klavs F Jensen,Wayne L Johnson,Wiebe B Deboer,Gary W Read. Владелец: Epsilon LP. Дата публикации: 1987-04-23.

Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US5843233A. Автор: Barry L. Chin,Eliot K. Broadbent,Jeffrey C. Benzing,Christopher W. Burkhart,Edward J. McInerney,Everhardus P. van de Ven,Lawrence C. Lane. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 1998-12-01.

Very low pressure chemical vapor deposition process for deposition of titanium silicide films

Номер патента: US4957777A. Автор: Vida Ilderem,L. Rafael Reif,Prabha K. Tedrow. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1990-09-18.

Low thermal budget chemical vapor deposition processing

Номер патента: US20080119059A1. Автор: Yuji Maeda,R. Suryanarayanan Iyer,Jacob W. Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-22.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20030165619A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-04.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition coating system

Номер патента: US20220275509A1. Автор: Attila Nagy,Benjamin Lawrence,Ludmil Zambov,Daniel Pulsipher,Pravin Chaubey,John Winterroth. Владелец: HZO Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition coating system

Номер патента: EP4298665A1. Автор: Attila Nagy,Benjamin Lawrence,Ludmil Zambov,Daniel Pulsipher,Pravin Chaubey,John Winterroth. Владелец: HZO Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: US11842883B2. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: EP4243052A3. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Synthesis and use of precursors for vapor deposition of tungsten containing thin films

Номер патента: US20190300468A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Miika Mattinen,Timo Hatanpää. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatus for forming single crystal piezoelectric layers using low-vapor pressure metalorganic precursors in cvd reactors with temperature-controlled injector columns and methods of forming single crystal piezoelectric layers using the same

Номер патента: US20230235459A1. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Transition metal chalcogenide thin-layer material, preparation method and application thereof

Номер патента: US20220316054A1. Автор: Bilu LIU,Huiming Cheng,Zhengyang CAI,Yongjue LAI. Владелец: Tsinghua Berkeley Shenzhen Institute In Preparation. Дата публикации: 2022-10-06.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: US20220025515A1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-27.

Method of fabricating a MOS device

Номер патента: US20020168855A1. Автор: John Smythe,John Berg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-14.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220238851A1. Автор: Jongwoo Kim,Hyein Yang,Jaeheung Ha,Wonjong KIM,Changyeong SONG,Woosuk Jung,Yongchan Ju,Heeyeon Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: US20180010245A1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Methods and apparatus for microwave plasma assisted chemical vapor deposition reactors

Номер патента: US11702749B2. Автор: Jing Lu,Jes Asmussen,Yajun Gu,Shreya Nad. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2023-07-18.

Chemical vapor deposition of chalcogenide materials via alternating layers

Номер патента: US20090022883A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Smuruthi Kamepalli. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition

Номер патента: EP1238421A4. Автор: Ofer Sneh,Carl Galewski. Владелец: Genus Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: EP4243052A2. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Method for improving film uniformity in plasma enhanced chemical vapor deposition system

Номер патента: US20050025906A1. Автор: Hui-Chu Lin,Wen-Cheng Lu. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Method of forming a silicon comprising layer

Номер патента: US20230360905A1. Автор: Werner Knaepen,Bert Jongbloed,Dieter Pierreux,Arjen KLAVER. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for chemical vapor deposition in high aspect ratio spaces

Номер патента: US20060290013A1. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Apparatus for forming single crystal piezoelectric layers using low-vapor pressure metalorganic precursors in cvd reactors with temperature-controlled injector columns and methods of forming single crystal piezoelectric layers using the same

Номер патента: WO2023141620A2. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich. Владелец: Akoustis, Inc.. Дата публикации: 2023-07-27.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: EP1719168A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Microwave plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: US20240158910A1. Автор: Zhiwen Kang,Bingfeng CAI,Kangfu GUO. Владелец: Wuhan Youmeike Automation Co ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Metal compound, material for chemical vapor phase growth, and process for forming metal-containing thin film

Номер патента: US20100247765A1. Автор: Naoki Yamada,Senji Wada,Atsuya Yoshinaka. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Compressible tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: US20230115177A1. Автор: Jacob Thomas,Chase Parker,Bryan C. Hendrix,John N. Gregg,Scott L. Battle,Donn K. Naito,James Schindler,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Chemical vapor deposition apparatus and blocker plate

Номер патента: US20200131640A1. Автор: Chao-chun WANG,Keith Kuang-Kuo Koai,Chih-Yu Wu,Huan-Chieh CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

High density plasma chemical vapor deposition chamber

Номер патента: US20020112666A1. Автор: Pei-Ren Jeng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-22.

Chemical vapor deposition tool and operating method thereof

Номер патента: US20170032940A1. Автор: Chien-Ta Lee,Pen-Li HUNG,Yu-Shan SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: WO2023059827A1. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-04-13.

Metal organic chemical vapor deposition method and apparatus

Номер патента: US20130095658A1. Автор: Chien-Chih Chen,Ching-Chiun Wang,Chih-Yung Huang,Szu-Hao Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-04-18.

Film quality control in a linear scan physical vapor deposition process

Номер патента: US20190311905A1. Автор: Joung Joo Lee,Xianmin Tang,Bencherki Mebarki. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method for controlling the same

Номер патента: EP2689048A2. Автор: Kwangho Lee,Jinhyouk Shin,Jangwoo Lee,Junggeun Oh,Jeonggyu Kim,Moonkap Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-01-29.

Chemical vapor deposition of dense and transparent zirconia films

Номер патента: US5145720A. Автор: Toshio Hirai,Hisanori Yamane. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 1992-09-08.

Method of preparation of electrode for electrocatalysis

Номер патента: CA3175601A1. Автор: Alberto Bucci,Julio Lloret-Fillol. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of preparation of electrode for electrocatalysis

Номер патента: AU2021255897A1. Автор: Alberto Bucci,Julio Lloret-Fillol. Владелец: Institut Catala dInvestigacio Quimica ICIQ. Дата публикации: 2022-11-03.

Method of preparation of electrode for electrocatalysis

Номер патента: EP4136274A1. Автор: Alberto Bucci,Julio Lloret-Fillol. Владелец: Institut Catala dInvestigacio Quimica ICIQ. Дата публикации: 2023-02-22.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: WO2023059827A9. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-02-15.

Continuous-flow synthesis method of 13c-urea

Номер патента: US20230124002A1. Автор: Jing Qing,Kai Chen,Guowei Li,Quansheng Han,Hengzhi YOU,Jingyuan LIAO,Xuelei JIA,Desheng DAI. Владелец: Shenzhen Zhonghe Headway Bio Sci & Tech Co ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target

Номер патента: US20020132721A1. Автор: Jianxing Li,Tim Scott,Tamara White. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target

Номер патента: WO2001044535A1. Автор: Jianxing Li,Tim Scott,Tamara White. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2001-06-21.

Wafer carrier and metal organic chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20220064791A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Shen-Jie Wang,Chien-Chih Yen. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Titanium containing dielectric films and methods of forming same

Номер патента: AU7083400A. Автор: Cem Basceri,Dan Gealy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-03-26.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: EP4413177A1. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US20200040447A1. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US10975467B2. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US20190085446A1. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Method of inhibiting production of projections in metal deposited-film

Номер патента: US20030108673A1. Автор: Fumiaki Kikui,Takeshi Nishiuchi,Yoshimi Tochishita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Compressible tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: EP4413176A1. Автор: Jacob Thomas,Chase Parker,Bryan C. Hendrix,John N. Gregg,Scott L. Battle,Donn K. Naito,James Schindler,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Chemical film on substrate and method of forming the same, method of forming paracyclophane containing functional ground with disulfide bond

Номер патента: US10246412B2. Автор: Chih-Yu Wu,Hsien-Yeh Chen,Zhen-Yu Guan. Владелец: May-Hwa Enterprise Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

METHOD OF GROWING PURE Ge THIN FILM WITH LOW THREADING DISLOCATION DENSITY

Номер патента: US20100144124A1. Автор: Sang Hoon Kim,Hyun Tak Kim,Dong Woo Suh,Gyung Ock Kim,Ji Ho Joo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-10.

Auxiliary gasline-heating unit in chemical vapor deposition

Номер патента: US20010042930A1. Автор: Chien-Hsin Lai,Juen-Kuen Lin,Peng-Yih Peng,Fu-Yang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Sic composite and method of production thereof

Номер патента: US20010033936A1. Автор: Yasuhiro Akune,Kichiya Tanino. Владелец: Nippon Pillar Packing Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-25.

Device, system and method for plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CA3192596A1. Автор: Jens-Uwe FUCHS,Ralf Reize,Mirko Tröller,Roland Leichtle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-24.

Microwave energy-assisted chemical vapor infiltration

Номер патента: WO1993019856A1. Автор: Edward L. Paquette,Iftikhar Ahmad,Richard Silberglitt. Владелец: Technology Assessment And Transfer, Inc.. Дата публикации: 1993-10-14.

Plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: US10151033B2. Автор: Yuji Takano,Hiromichi Nakata,Yoji Sato,Takayasu Sato,Kazutaka Tachibana,Osamu Ariyada,Ryo TSURUMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-12-11.

개시제를 이용한 화학 기상 증착법(iCVD, initiated chemical vapor deposition)을 통해 전자 부품에 고분자 박막을 형성하는 장치 및 그 제조 방법

Номер патента: KR20220168089A. Автор: 김하영,김호연,김용호,김창재,김광순,이다미. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-12-22.

Solar Cell With Selectively Doped Conductive Oxide Layer and Method of Making the Same

Номер патента: US20180190844A1. Автор: James W. Mccamy,Ashtosh Ganjoo,Gary J. Nelis,Peter Tausch. Владелец: Vitro SAB de CV. Дата публикации: 2018-07-05.

Chemical Vapor Deposition Diamond (CVDD) Wires for Thermal Transport

Номер патента: US20210143080A1. Автор: Philip Andrew Swire,Nina Biddle. Владелец: Microsemi Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: WO2023160793A1. Автор: Hristo Strakov,Vasileios PAPAGEORGIOU,Manfred Pfitzner,Anja BÄUMCHEN. Владелец: Ihi Bernex Ag. Дата публикации: 2023-08-31.

Titanium containing dielectric films and methods of forming same

Номер патента: EP1212476A1. Автор: Cem Basceri,Dan Gealy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-12.

Method of forming highly adhesive copper thin films on metal nitride substrates via CVD

Номер патента: US20030031790A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu,Wei-Wei Zhuang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Hydroxyethylhydrazinium Nitrate-Acetone formulations and methods of making Hydroxyethylhydrazinium Nitrate-Acetone formulations

Номер патента: US20100287824A1. Автор: James E. Smith, JR.,Gregory E. Ogden,Clinton J. Brown,Paul M. Frisby,Sahar A. Torabzadeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

AEROSOL-ASSISTED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND NiVOx MATERIAL FOR ELECTROCHEMICAL WATER OXIDATION

Номер патента: US20240044026A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of Growing Personalized Single Crystal Diamond

Номер патента: US20240240354A1. Автор: William Holber,Robert J. BASNETT. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

High pressure spatial chemical vapor deposition system and related process

Номер патента: US20240209502A1. Автор: Siddha Pimputkar. Владелец: Lehigh University. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of synthesizing diglycerol tetranitrate, and solid rocket motor propellant containing the same

Номер патента: EP1136468A3. Автор: Andrew Sanderson,Laura Martins. Владелец: Cordant Technologies Inc. Дата публикации: 2001-11-14.

Plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: US20160376707A1. Автор: Yuji Takano,Hiromichi Nakata,Yoji Sato,Takayasu Sato,Kazutaka Tachibana,Osamu Ariyada,Ryo TSURUMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Multifunctional wafer pretreatment chamber and chemical vapor deposition device

Номер патента: US20240337011A1. Автор: Yongjun Feng,Dongping Zhou,Weicong SONG. Владелец: Betone Technology Shanghai Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Cell-free protein synthesis method and device using a eukaryotic cell lysate in the presence of a caspase inhibitor and the use of a caspase inhibitor for increasing the yield and/or the stability of the synthesized proteins in such a method

Номер патента: US09951366B2. Автор: Marlitt Stech,Stefan Kubick,Robert Quast,Doreen WUESTENHAGEN. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2018-04-24.

Chemical vapor deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09899210B2. Автор: Ren-Hua GUO,Ju-Ru HSIEH,Jen-Hao Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Slotted seal plates and slotted preforms for chemical vapor deposition densification

Номер патента: US09834842B2. Автор: Christopher T. Kirkpatrick. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming borides in carbon composites

Номер патента: US09725803B2. Автор: Jean-Francois Le Costaouec,Paul Perea. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for testing susceptor of chemical vapor deposition apparatus and method for manufacturing organic light emitting display apparatus by using the same

Номер патента: US09508613B2. Автор: Jin-Woo Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Shower head unit and chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US09493875B2. Автор: Pyung-Yong Um. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Hydroxyethylhydrazinium nitrate-acetone formulations and methods of making hydroxyethylhydrazinium nitrate-acetone formulations

Номер патента: US09481840B2. Автор: James E. Smith, JR.,Gregory E. Ogden,Clinton J. Brown,Paul M. Frisby,Sahar A. Torabzadeh. Владелец: OGDEN ENGINEERING & ASSOCIATES LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Apparatus of chemical vapor deposition with a showerhead regulating injection velocity of reactive gases positively and method thereof

Номер патента: US09476121B2. Автор: Chul Soo Byun,Man Cheol Han. Владелец: Piezonics Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US09410247B2. Автор: Jung Hyun Lee,Jong Hyun Lee,Young Sun Kim,Ki Sung Kim,Suk Ho Yoon,Hyun Seok Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Methods of forming semiconductor films and methods of manufacturing transistors including semiconductor films

Номер патента: US09384973B2. Автор: Myung-kwan Ryu,Tae-Sang Kim,Jong-baek Seon,Chil Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-05.

5-(4-[4-(5-cyano-3-indolyl)butyl]-1-piperazinyl)benzofuran-2-carboxamide synthesis method

Номер патента: RU2397981C2. Автор: Андреас БАТЕ. Владелец: Мерк Патент Гмбх. Дата публикации: 2010-08-27.

Precursor compound for atomic layer deposition(ald), chemical vapor deposition(cvd) and ald/cvd deposition using the same

Номер патента: KR20210093011A. Автор: 박정우,석장현,문기영,염규현,이현경. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2021-07-27.

Di(3-sulphophenylphosphinyl) derivatives of 2,2'-bipyridyl, 1,10-phenanthroline and pyridine derivatives and synthesis method thereof

Номер патента: RU2620265C1. Автор: Марина Дмитриевна Решетова,Леонид Алексеевич Коротков,Наталия Евгеньевна Борисова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2017-05-24.

Method of phosphorus removal from waste water of inner-surface sewage of sewage treatment facilities

Номер патента: RU2708310C1. Автор: Евгений Николаевич Матюшенко,Владислав Андреевич Возный. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Новосибирский государственный архитектурно-строительный университет (Сибстрин). Дата публикации: 2019-12-05.

Triamyl citrate synthesis method

Номер патента: RU2656105C1. Автор: Александр Борисович Соколов,Светлана Васильевна Леванова,Илья Леонидович Глазко,Светлана Вячеславовна Сушкова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-31.

Composite metal-diamond coating, method of its production, disperse system for deposition of composite metal-diamond coating and method for its production

Номер патента: RU2706931C1. Автор: Сергей Константинович Есаулов,Сергей Сергеевич Кукушкин,Геннадий Валентинович Светлов,Евгений Васильевич Рыжов. Владелец: Евгений Васильевич Рыжов. Дата публикации: 2019-11-21.

Chemical vapor deposition processes using ruthenium precursor and reducing gas

Номер патента: WO2020096976A1. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Philip S.H. Chen. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2020-05-14.

4-(benzimidazolyl-methylamino)benzamidine synthesis method

Номер патента: RU2401264C2. Автор: Георг ЦЕРБАН,Арндт ХАУСХЕРР,Райнер ХАММ,Гунтер КОХ,Керстин ШЛАРБ,Хайнц-Петер ШМИТТ,Бьёрн ВЕЙЕЛЛЬ. Владелец: Бёрингер Ингельхайм Интернациональ Гмбх. Дата публикации: 2010-10-10.

Diamond films and methods of making diamond films

Номер патента: CA2548782A1. Автор: John Harvie Chaffin Iii. Владелец: Nanotech Llc. Дата публикации: 2005-06-23.

Crystalline forms of thiazolidinedione compounds and synthesis method thereof

Номер патента: RU2414470C2. Автор: Хироси МИЯМОТО,Хисаки КАДЗИНО,Ютака ИКЕУТИ,Еидзи НУМАГАМИ,Сатору НИХЕИ. Владелец: Дайити Санкио Компани, Лимитед. Дата публикации: 2011-03-20.

Chemical vapor deposition wafer boat

Номер патента: CA1234972A. Автор: Arthur J. Learn,Dale R. DuBois. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1988-04-12.

Method of manufacturing an injector for chemical vapor deposition processing

Номер патента: US5935647A. Автор: Jay B. DeDontney,Nicholas M. Gralenski,Adam Q. Miller. Владелец: WJ Semiconductor Equipment Group Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Method of water purification from radionuclides

Номер патента: RU2580952C1. Автор: Владимир Иванович Высоцкий,Альбина Александровна Корнилова. Владелец: Альбина Александровна Корнилова. Дата публикации: 2016-04-10.

Protein synthesis method in bacterial cell culture

Номер патента: RU2688383C2. Автор: Дмитрий Александрович Горин,Глеб Борисович Сухоруков,Ярослав Андреевич Рыбкин,Алеш Лапание. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2019-05-21.

Multiblock copolymer and synthesis method thereof

Номер патента: RU2387674C2. Автор: Питер БЕРНЕР,Дэниел ГРЭЙВЗ,Джеймс ХОЛЛ,Брент АЙСМАН. Владелец: ФАЙРСТОУН ПОЛИМЕРС, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2010-04-27.

Growth of non-polar m-plane iii-nitride film using metalorganic chemical vapor deposition (mocvd)

Номер патента: US20080026502A1. Автор: James Speck,Steven DenBaars,Bilge Imer. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-01-31.

RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods

Номер патента: US6112697A. Автор: Paul Smith,Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Method for tungsten chemical vapor deposition on a semiconductor substrate

Номер патента: EP1219725A1. Автор: Joris Baele,Hans Vercammen. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2002-07-03.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US5803974A. Автор: Tadahiro Ohmi,Nobumasa Suzuki,Nobuo Mikoshiba,Kazuo Tsubouchi,Kazuya Masu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-09-08.

Method of forming an electrical contact to a silicon substrate

Номер патента: US6054191A. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-04-25.

Photo-chemical vapor deposition of silicon nitride film

Номер патента: US4588610A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1986-05-13.

Diamond manufacturing system and method via chemical vapor deposition assisted with laser initiated plasma fed with microwave energy

Номер патента: EP3291279A1. Автор: Elena PALACIOS ZAMBRANO,Pedro Julián MARTÍN VELASCO,Vasily LENNIKOV,Susana Maria LUACES OROBITG. Владелец: Nano Coatings SL. Дата публикации: 2018-03-07.

Chemical vapor deposition of high quality flow-like silicon dioxide using a silicon containing precursor and atomic oxygen

Номер патента: US7825038B2. Автор: ZHENG Yuan,Nitin K. Ingle,Paul Gee,Kedar Sapre. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-11-02.

Migration and plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CA2756994C. Автор: Kenneth Scott Alexander Butcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-07.

Surface mounted circuits including hybrid circuits, having cvd interconnects, and method of preparing the circuits

Номер патента: CA1242810A. Автор: Jaime Reyes,David Allred. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1988-10-04.

Method of forming silicon nitride films

Номер патента: US20090087586A1. Автор: Toshiya Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Organometallic antimony compounds useful in chemical vapor deposition processes

Номер патента: US4960916A. Автор: John C. Pazik. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1990-10-02.

Method for manufacturing cigs light absorption layer for solar cell through chemical vapor deposition

Номер патента: EP4340047A1. Автор: Seung Hyun Lee,Hyuk Kyoo Jang,Gyu Hyun LEE,Hea Yong KWON,Tae Yeop Jeon,Tae Woo Eom. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Catalyst complex for fuel cell and method of manufacturing same

Номер патента: US11735746B2. Автор: Hyun Joo Lee,Jong Kil Oh,Bo Ki Hong,Jung Han Yu,Chi Woo Roh. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Catalyst complex for fuel cell and method of manufacturing same

Номер патента: US20200411881A1. Автор: Hyun Joo Lee,Jong Kil Oh,Bo Ki Hong,Jung Han Yu,Chi Woo Roh. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of chemical sample preparation of carbon rocks for quantitative determination of gold, platinum, palladium, rodium and iridium

Номер патента: RU2639824C1. Автор: Дмитрий Борисович Петренко,Андрей Викторович Подгаецкий. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение Науки Институт Проблем Комплексного Освоения Недр Им. Академика Н.В. Мельникова Российской Академии Наук (Ипкон Ран). Дата публикации: 2017-12-22.

Transition metal complex with nitrosyl ligand dopant and iridium dopant combinations in silver halide

Номер патента: US5372926A. Автор: Dorothy J. Beavers,Gladys L. MacIntyre. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1994-12-13.

SYSTEM APPARATUS AND METHOD OF SAMPLING A BROAD RANGE OF CHEMICALS (SBRC) BY COLLECTION AND ANALYSIS OF CHEMICAL VAPORS AEROSOLS PARTICULATES AND LIQUID DROPLETS ON SURFACES

Номер патента: US20140260693A1. Автор: Sanghera Jasbinder S.,Gibson Daniel J.,Miklos Robert E.,EWING KENNETH J.. Владелец: US Gov't Represented by Secretary of the Navy Chief of Naval Research Office of Counsel. Дата публикации: 2014-09-18.

Diagnostic method of chronical and accidental soils pollution by the heavy metals by means of dehydrogenase enzyme activity analysis

Номер патента: RU2617533C1. Автор: Анатолий Кузьмич Арабский,Олег Борисович Арно,Владимир Николаевич Башкин,Рауф Валиевич Галиулин,Роза Адхамовна Галиулина. Владелец: Государственное автономное учреждение Ямало-Ненецкого автономного округа "Окружной технологический парк "Ямал". Дата публикации: 2017-04-25.

Header having high-density conductor arrangement and method of making same

Номер патента: US3636235A. Автор: Neal T Williams. Владелец: Sealtronics Inc. Дата публикации: 1972-01-18.

Memory device and method of manufacturing the device by simultaneously conditioning transition metal oxide layers in a plurality of memory cells

Номер патента: US20060267086A1. Автор: Steven Holmes,Mark Hakey,David Horak,Charles Koburger,Toshijaru Furukawa,Chung Lam,Gerhard Meijer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Methods of Electrically Controlling Photons Using Atomically Thin Transition Metal Dichalcogenide (TMDC) and Photonic Devices Including TMDC

Номер патента: US20200057354A1. Автор: Cao Linyou,YU Yiling. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Memory device and method of manufacturing the device by simultaneously conditioning transition metal oxide layers in a plurality of memory cells

Номер патента: US7256415B2. Автор: Mark C. Hakey,Toshijaru Furukawa,Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Chung H. Lam,Gerhard I. Meijer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-14.

Memory device and method of manufacturing the device by simultaneously conditioning transition metal oxide layers in a plurality of memory cells

Номер патента: US7541608B2. Автор: Mark C. Hakey,Toshijaru Furukawa,Steven J. Holmes,David V. Horak,Chung H. Lam,Gerhard I. Meijer,Charles W. Koburger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Memory device and method of manufacturing the device by simultaneously conditioning transition metal oxide layers in a plurality of memory cells

Номер патента: US7378678B2. Автор: Mark C. Hakey,Toshijaru Furukawa,Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Chung H. Lam,Gerhard I. Meijer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-05-27.

Memory device and method of manufacturing the device by simultaneously conditioning transition metal oxide layers in a plurality of memory cells

Номер патента: US20070212810A1. Автор: Steven Holmes,Mark Hakey,David Horak,Charles Koburger,Toshijaru Furukawa,Chung Lam,Gerhard Meijer. Владелец: Meijer Gerhard I. Дата публикации: 2007-09-13.

Method of adjusting the elemental inhomogeneity of a continuous cast metal

Номер патента: EP4314781A1. Автор: Frenk VAN DEN BERG,Begona SANTILLANA,Kateryna HECHU. Владелец: TATA STEEL NEDERLAND TECHNOLOGY BV. Дата публикации: 2024-02-07.

Method of adjusting the elemental inhomogeneity of a continuous cast metal

Номер патента: US20240175818A1. Автор: Frenk VAN DEN BERG,Begona SANTILLANA,Kateryna HECHU. Владелец: TATA STEEL NEDERLAND TECHNOLOGY BV. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of producing zeolites and zeolite-like structures doped with metals, and methods for use thereof for catalytic reduction of nitrogen oxides

Номер патента: RU2595336C2. Автор: Даниель ХЕРАЙН,Фэй ВЭНЬ,Барри У. Л. САУТУОРД,Лисбет ЙОНГЕН,Александр ХОФМАНН. Владелец: Умикоре Аг Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2016-08-27.

Fuel tank and method of its making

Номер патента: RU2565857C2. Автор: Мехмет Челаль ГЁКЦЕН. Владелец: Полимтек Инжиниринг Аг, Морен (Фл), Суккурсале Ди Лугано. Дата публикации: 2015-10-20.

Method of fabricating active layers in a laser utilizing InP-based active regions

Номер патента: US20040165631A1. Автор: YING-LAN Chang,Ashish Tandon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-26.

Supported transistion metal carbide catalyst and one-step synthesis method thereof

Номер патента: US12083508B2. Автор: Shuang Li,Yuying Li,Xichao FU. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of making super capacitors or quantum accumulators and super capacitor or quantum accumulator

Номер патента: RU2357313C2. Автор: Рольф АЙСЕНРИНГ. Владелец: Рольф АЙСЕНРИНГ. Дата публикации: 2009-05-27.

Gate Structures in Transistor Devices and Methods of Forming Same

Номер патента: US20240249938A1. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Kun-Yu LEE,Jia-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Thermal ink jet with chemical vapor deposited nozzle plate

Номер патента: CA2506728C. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2010-08-24.

Saw for cutting silicon into seed rods for use in a chemical vapor deposition polysilicon reactor

Номер патента: EP2731770A1. Автор: Rodolfo Bovo,Paolo Molino. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2014-05-21.

Method of producing photoluminescence of individual color centers in vapor-deposited diamond

Номер патента: RU2655026C1. Автор: Владимир Алексеевич Кукушкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2018-05-23.

Metal complex derived catalyst and method of forming

Номер патента: US5990039A. Автор: Partha P Paul,Stuart T Schwab. Владелец: Southwest Research Institute SwRI. Дата публикации: 1999-11-23.

Mixing or dispersing element and method of static mixing or dispersing

Номер патента: RU2538879C2. Автор: Себастьян ХИРШБЕРГ,Марсель ЗУНЕР. Владелец: Зульцер Хемтех Аг. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of producing fluid exhaust head

Номер патента: RU2422289C1. Автор: Масатака КАТО,Казухиро ХАЯКАВА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-06-27.

Method of measuring diamond luminescence

Номер патента: RU2712995C2. Автор: Джеймс Гордон Чартерс СМИТ,Дэвид ФИШЕР,Колин МАКГИННЕСС. Владелец: Де Бирс Юк Лтд. Дата публикации: 2020-02-03.

Methods for stabilization of self-assembled monolayers (sams) using sequentially pulsed initiated chemical vapor deposition (spicvd)

Номер патента: WO2024019841A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods For Stabilization Of Self-Assembled Monolayers (SAMs) Using Sequentially Pulsed Initiated Chemical Vapor Deposition (spiCVD)

Номер патента: US20240017290A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Controllable synthesis method of nickel-platinum alloy nanoparticles

Номер патента: LU501404B1. Автор: Aixian SHAN. Владелец: Univ Beijing Science & Technology. Дата публикации: 2022-08-10.

Closure assembly consisting of cover and container, closure of type rt and method of closure

Номер патента: RU2686946C2. Автор: Роберт ФИНК,Ханс-Петер ХАЙН,Хельмут КЛЕММ,Андрэас МАНИРА,Людвиг КРАМЕР. Владелец: Силган Холдингс Инк.. Дата публикации: 2019-05-06.

Preform and method of producing plastic bottles

Номер патента: RU2404053C1. Автор: Роберт ЗИГЛЬ. Владелец: Альпла Верке Альвин Ленер Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2010-11-20.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: CA3217114A1. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-03.

Synthesis method of metal catalyst having carbon shell using metal complex

Номер патента: US20190326606A1. Автор: Oh Joong KWON,Mohanraju Karuppannan. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of INU. Дата публикации: 2019-10-24.

Methods of coating surfaces using initiated plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09884341B2. Автор: Karen K. Gleason,Anna M. Coclite. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-02-06.

Controlled manufacturing method of metal oxide semiconductor and metal oxide semiconductor structure having controlled growth crystallographic plane

Номер патента: US09748095B2. Автор: Young-Jun Park,Seung-Nam Cha,Jung-Inn Sohn,Ji-yeon KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing parts of thermoplastic film by deep drawing

Номер патента: RU2641934C2. Автор: Клаус МАЙЕР,Курт НИБЛИНГ. Владелец: Байер Матириальсайенс Аг. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of decorative panel manufacture and decorative relief panel

Номер патента: RU2661991C1. Автор: Антон Алексеевич АНТОНОВ. Владелец: Антон Алексеевич АНТОНОВ. Дата публикации: 2018-07-23.

Method for producing metal products from powder material by layer-layer laser synthesis method using deformation treatment

Номер патента: RU2759104C1. Автор: Алексей Александрович Мышечкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА - Российский технологический университет». Дата публикации: 2021-11-09.

Nanoscopic wire-based devices, arrays, and method of their manufacture

Номер патента: CA2372707C. Автор: Thomas Rueckes,Kevin Kim,Charles M. Lieber,Ernesto Joselevich. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2014-12-09.

Capacitor for a semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20070004133A1. Автор: Moon-han Park,Ho-kyu Kang,Seok-jun Won,Yong-kuk Jeong,Hong-Ki Kim,Kyung-hun Kim,Myong-Geun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-04.

PROTECTIVE SPINEL COATING FOR Ni-Mn-Co (NMC) CATHODE WITH HIGH Li CONTENT FOR LITHIUM-ION BATTERIES, METHOD OF APPLYING SAID COATING ON CATHODE AND CATHODE WITH SAID COATING

Номер патента: RU2702785C1. Автор: Артем Михайлович Абакумов,Евгений Владимирович Дикарев,Хан Хайшанг,Андрей Олегович Шевцов. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий". Дата публикации: 2019-10-14.

Optically clear, durable infrared windows, and method of making the same

Номер патента: WO2000022206A1. Автор: Stephen A. Gabelich,William W. Chen,Norman H. Harris. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2000-04-20.

Large-area schottky-junction photovoltaics using transition-metal dichalcogenides

Номер патента: WO2023239543A3. Автор: Matthew David Escarra,Kazi M. Islam,Timothy ISMAEL. Владелец: The Administrators of the Tulane Educational Fund. Дата публикации: 2024-03-28.

Metal silicide nanowires and methods of their production

Номер патента: US20100279115A1. Автор: Song Jin,Andrew L. Schmitt,Yipu Song. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2010-11-04.

Organic EL lighting emitting device, method of manufacturing the same, and organic EL light source device

Номер патента: US9196854B2. Автор: Yasuhiko Takamatsu. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Low resistivity tungsten film and method of manufacture

Номер патента: WO2022046320A1. Автор: Wei Lei,Joung Joo Lee,Kai Wu,Zhebo CHEN,Xi CEN,Feihu Wang,Chunming Zhou,Zhibo YUAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-03-03.

Methods of forming metal wiring of semiconductor devices

Номер патента: US20040132283A1. Автор: Dong-Ki Jeon,Jae-Won Han. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Organic polymeric antireflective coatings deposited by chemical vapor deposition

Номер патента: CA2400157A1. Автор: Ram W. Sabnis,Terry Brewer,Douglas Guerrero,Mary J. Spencer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

2H/1T phase contact engineering for high performance transition metal dichalcogenide chemical vapor sensors

Номер патента: US10436744B2. Автор: F. Keith Perkins,Adam L. Friedman,Paul M. Campbell,James C. Culbertson,Aubrey T. Hanbicki. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-10-08.

2H/1T Phase Contact Engineering for High Performance Transition Metal Dichalcogenide Chemical Vapor Sensors

Номер патента: US20170299544A1. Автор: F. Keith Perkins,Adam L. Friedman,Paul M. Campbell,James C. Culbertson,Aubrey T. Hanbicki. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-10-19.

Method of treating CVD titanium nitride with silicon ions

Номер патента: US6080667A. Автор: Koji Urabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Method of manufacturing semiconductor device including bonding pad and fuse elements

Номер патента: US20070176258A1. Автор: Takashi Yamashita,Noriaki Fujiki,Junko Izumitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-02.

Method of manufacturing semiconductor device including bonding pad and fuse elements

Номер патента: US7335537B2. Автор: Takashi Yamashita,Noriaki Fujiki,Junko Izumitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-02-26.

Method of manufacturing a copper metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: US20020031911A1. Автор: Sung Pyo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-03-14.

Silicon fixtures for supporting wafers during thermal processing and method of fabrication

Номер патента: EP1297558A2. Автор: Robert L. Davis,Raanan Y. Zehavi,James E. Boyle,Laurence D. Delaney. Владелец: Integrated Materials Inc. Дата публикации: 2003-04-02.

Method of forming metal connections

Номер патента: US5328868A. Автор: James F. White,Richard A. Conti,Kenneth DeVries. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-07-12.

Semiconductor interconnection structure and method of fabrication

Номер патента: EP1317772A1. Автор: Stefan Weber,Roy Iggulden. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-11.

Epitaxial wafer and a method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2014086742A1. Автор: Norbert Werner,Peter Storck,Martin Vorderwestner,Peter Tolchinsky,Irwin Yablok. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2014-06-12.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2002062593A1. Автор: Ram Sabnis,Douglas J. Guerrero. Владелец: Brewer Science, Inc.. Дата публикации: 2002-08-15.

Epitaxial wafer and a method of manufacturing thereof

Номер патента: EP2959500A1. Автор: Norbert Werner,Peter Storck,Martin Vorderwestner,Peter Tolchinsky,Irwin Yablok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-12-30.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US20080311747A1. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1397260A1. Автор: Ram Sabnis,Douglas J. Guerrero. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-03-17.

Epitaxial wafer and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US9691632B2. Автор: Norbert Werner,Peter Storck,Martin Vorderwestner,Peter Tolchinsky,Irwin Yablok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Metal Organic Chemical Vapor Deposition of Embedded Resistors for ReRAM Cells

Номер патента: US20150179937A1. Автор: Yun Wang,Chien-Lan Hsueh. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Epitaxial wafer and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150303071A1. Автор: Norbert Werner,Peter Storck,Martin Vorderwestner,Peter Tolchinsky,Irwin Yablok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Method of forming nitride capped cu lines with reduced electromigration along the cu/nitride interface

Номер патента: WO2003007368A3. Автор: Minh Van Ngo,Larry Zhao,Paul R Besser. Владелец: Paul R Besser. Дата публикации: 2003-03-27.

Method of making an electron beam window

Номер патента: US4468282A. Автор: Armand P. Neukermans. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1984-08-28.

Superconducting wire and method of formation thereof

Номер патента: RU2767282C1. Автор: Сын-Хён МУН,Джудит ДРИСКОЛЛ,Ахмед КУРУСУМОВИЧ,Джон ФЕЙГАН. Владелец: Санам Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-17.

Manufacturing method of group of whiskers

Номер патента: US20120094420A1. Автор: Makoto Ishikawa,Toshihiko Takeuchi,Yuki Murakami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of dielectric material fill and treatment

Номер патента: US12046508B2. Автор: Nikolaos Bekiaris,He REN,Mehul Naik,Naomi Yoshida,Jingmei Liang,Martin Jay Seamons,Mei-Yee Shek,Shi YOU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of fabricating nonpolar gallium nitride-based semiconductor layer, nonpolar semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09966497B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Measurement method of harmonic distortion of fm signal generated by the direct digital synthesis method

Номер патента: RU2614191C1. Автор: Алексей Вячеславович Зенькович,Виктор Львович Балло,Валентин Борисович Добровольский. Владелец: Открытое акционерное общество "Корпорация космических систем специального назначения "Комета". Дата публикации: 2017-03-23.

Method of making a field effect transistor having an elevated source and an elevated drain

Номер патента: US6057200A. Автор: Sujit Sharan,Kirk Prall,Pai-Hung Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-05-02.

Method of making superconducting wire and superconducting device

Номер патента: RU2366017C1. Автор: Казуя ОХМАЦУ,Мунецугу ЮЯМА. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2009-08-27.

Method of fabricating a metal plug of a semiconductor device using a novel tin barrier layer

Номер патента: US20020016063A1. Автор: Ming-Shing Chen,Bill Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Optically clear, durable infrared windows, and method of making the same

Номер патента: EP1040213A1. Автор: Stephen A. Gabelich,William W. Chen,Norman H. Harris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2000-10-04.

Protected Transition Metal Hexacyanoferrate Battery Electrode Synthesis Method

Номер патента: US20160087260A1. Автор: David Evans,Jong-Jan Lee,Yuhao Lu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

High density plasma chemical vapor deposition process

Номер патента: US20020030033A1. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Chih-Chien Liu,Ta-Shan Tseng,W.B. Shieh,J.Y. Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Protected transition metal hexacyanoferrate battery electrode synthesis method

Номер патента: US09595706B2. Автор: David Evans,Jong-Jan Lee,Yuhao Lu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of making solid oxide fuel cell on metal base

Номер патента: RU2571824C1. Автор: Юрий Иванович Тюрин,Алексей Станиславович Маслов,Андрей Александрович Соловьев,Александр Иванович Кирдяшкин,Людмила Иосифовна Семкина,Михаил Алексеевич Бубенчиков,Александр Викторович Лу-Фу,Игорь Вячеславович Ионов,Анастасия Николаевна Ковальчук,Анна Викторовна Шипилова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпром трансгаз Томск" (ООО "Газпром трансгаз Томск"). Дата публикации: 2015-12-20.

Text-to-speech synthesis method and system, a method of training a text-to-speech synthesis system, and a method of calculating an expressivity score

Номер патента: US12046226B2. Автор: John Flynn,Zeenat QURESHI. Владелец: SPOTIFY AB. Дата публикации: 2024-07-23.

In situ plasma pre-deposition wafer treatment in chemical vapor deposition technology for semiconductor integrated circuit applications and structures fabricated using the treatment

Номер патента: US20030001263A1. Автор: Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

In situ plasma pre-deposition wafer treatment in chemical vapor deposition technology for semiconductor integrated circuit applications

Номер патента: US20010050435A1. Автор: Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Piezoelectric element and method of producing the same

Номер патента: US09444032B2. Автор: Makoto Ishida,Noriyuki Matsushita,Hiroyuki Wado,Daisuke Akai. Владелец: Toyohashi University of Technology NUC. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of forming a Ta2 O5 dielectric layer, method of forming a capacitor having a Ta2 O5 dielectric layer, and capacitor construction

Номер патента: US5814852A. Автор: Gurtej S. Sandhu,Pierre C. Fazan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-09-29.

Large-area schottky-junction photovoltaics using transition-metal dichalcogenides

Номер патента: WO2023239543A2. Автор: Matthew David Escarra,Kazi M. Islam,Timothy ISMAEL. Владелец: The Administrators of the Tulane Educational Fund. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of nonstoichiometric cvd dielectric film surface passivation for film roughness control

Номер патента: WO2010056731A1. Автор: Kwanghoon Kim,Lance Kim. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2010-05-20.

A text-to-speech synthesis method and system, and a method of training a text-to-speech synthesis system

Номер патента: EP4205106A1. Автор: John Flynn,Zeenat QURESHI,Felix VAUGHAN,Ines Almeida NOLASCO. Владелец: SPOTIFY AB. Дата публикации: 2023-07-05.

Method of forming an intermetal dielectric layer

Номер патента: US6410106B2. Автор: Ming-Sheng Yang,Chih-Chien Liu,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Method of forming an intermetal dielectric layer

Номер патента: US20010001678A1. Автор: Ming-Sheng Yang,Chih-Chien Liu,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Material synthesis apparatus and method of operating the same

Номер патента: US20220319642A1. Автор: Jinwoo Park,Yongsik JUNG,Jaejun Chang,Minsik MIN,Youngchun KWON,Wonseok Oh,Younsuk Choi,Jeonghun Kim,Hyundo CHOI,Aram JEON,Hyunjeong JEON,Youngjin Park,ByungKwon CHOI,Minsik PARK,Eunji Kim,Bosung Kim,Dongseon LEE,Sangyoon Lee,Taesin HA,Wooram HONG,Wonje Choi,Hyukju Kwon,Dal Heo,Gahee Kim,Hyungtae Seo,Joonkee Cho,Junwon JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-06.

Diffusion barrier layers and methods of forming same

Номер патента: US6323081B1. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-27.

Plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) silicon nitride barrier layer for high density plasma chemical vapor deposited (HDP-CVD) dielectric layer

Номер патента: US6127238A. Автор: Wei Lu,Yih-Shung Lin,Jia Zhen Zheng,Marvin De-Dui Liao,Kho Liep Chok. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Method of making truly complementary and self-aligned bipolar and CMOS transistor structures with minimized base and gate resistances and parasitic capacitance

Номер патента: US5439833A. Автор: Rashid Bashir,Francois Hebert,Datong Chen. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-08-08.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5747375A. Автор: Satoru Kaneko,Toshiyuki Ohkoda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-05.

Method of reducing contact resistance of a metal

Номер патента: US20140035143A1. Автор: Hung-Wen Su,Ya-Lien Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Silicon thin film transistors, systems, and methods of making same

Номер патента: WO2009094639A1. Автор: John Snyder,John M. Heitzinger. Владелец: Soligie, Inc.. Дата публикации: 2009-07-30.

Ruthenium silicide diffusion barrier layers and methods of forming same

Номер патента: EP1114449A1. Автор: Brian A. Vaartstra,Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2003087233A3. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-02-05.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1493061A4. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1493061A2. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2005-01-05.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2003087233A2. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science, Inc.. Дата публикации: 2003-10-23.

Method of manufacturing a magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20210043833A1. Автор: Jungmin Lee,Junghwan Park,Younghyun Kim,Sechung Oh,Kyungil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of forming a conformal oxide film

Номер патента: US20020106907A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865699B2. Автор: Shintaro Sato,Daiyu Kondo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Chemical vapor deposition technique for depositing titanium silicide on semiconductor wafers

Номер патента: US5278100A. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-01-11.

Method of applying an electrically conducting current collector on a self-supporting electrode and assembly of electrode and current collector

Номер патента: WO2000060685A1. Автор: Rifat A. M. Hikmet. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-10-12.

Method of forming multilayer interconnection structure

Номер патента: US5312773A. Автор: Naoki Nagashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1994-05-17.

Method of carrying out plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US6432493B1. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-13.

Method of making ROM/PLA semiconductor device by late stage personalization

Номер патента: US4536944A. Автор: Arthur R. Edenfeld,Harish N. Kotecha,Al M. Bracco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-08-27.

Method of applying a dielectric coating on a component of an electrical device

Номер патента: WO2024097774A1. Автор: Todd Michael KLEIN,John Snyder,Ryan Patrick Shea,Christopher Todd DeRose,Adam Jay Ollanik,Christopher Todd Ertsgaard,Michael Ryan Gehl. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-05-10.

Light emitters on transition metal dichalcogenides directly converted from thermally and electrically conductive substrates and method of making the same

Номер патента: US20200328079A1. Автор: Lain-Jong Li,Chao Zhao,Boon Siew Ooi,Tien Khee Ng,Ahmed Y. ALYAMENI,Munir M. ELDESOUKI. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2020-10-15.

Methods of forming rutile titanium dioxide

Номер патента: US20140065301A1. Автор: Chris Carlson,Vishwanath Bhat,Tsai-Yu Huang,Vassil Antonov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US20240154018A1. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Synthesis method of chinese printed character images and device thereof

Номер патента: SG11201907521SA. Автор: Hongyu Li. Владелец: Zhongan Information Technology Service Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-27.

Method of obtaining two-sided superconductor of second generation

Номер патента: RU2386732C1. Автор: Сергей Владимирович Самойленков,Андрей Рафаилович Кауль,Олег Юрьевич Горбенко,Игорь Евгеньевич Корсаков,Вадим Анатольевич Амеличев. Владелец: Закрытое акционерное общество "СуперОкс". Дата публикации: 2010-04-20.

Thin film implantable electrode and method of manufacture

Номер патента: US5324322A. Автор: Warren M. Grill, Jr.,Graham H. Creasey,David A. Ksienski,Claude S. Veraart,J. Thomas Mortimer. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 1994-06-28.

Method of making multiple-junction and multiple-electrode photovoltaic cells

Номер патента: RU2529659C2. Автор: Марк ВЕРМЕЕРШ,Лоик ФРАНК. Владелец: Тоталь Маркетинг Сервисиз. Дата публикации: 2014-09-27.

Method of processing animal or human biological tissue, eg swine or bovine pericardium or human cadaver mitral valves and properly processed biological tissue

Номер патента: RU2456023C2. Автор: Ханнгёрг ЦИММЕРМАНН,Маркус ХАЙНЛЕЙН. Владелец: Гфе Наномедикал Интернациональ Аг. Дата публикации: 2012-07-20.

Simultaneous deposit and etch method for forming a void-free and gap-filling insulator layer upon a patterned substrate layer

Номер патента: US5858876A. Автор: Peter Chew. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 1999-01-12.

Thin film semiconductor device and method of production

Номер патента: US5389580A. Автор: Mitsutoshi Miyasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1995-02-14.

Fabricating method of a barrier layer

Номер патента: US6025264A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Yimin Huang,Tri-Rung Yew. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-02-15.

Deposition and etch of silicon-containing layer

Номер патента: WO2024006211A1. Автор: Bo Gong,Ching-Yun Chang,Nuoya YANG,Andrew John McKerrow,Yuxi Wang. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of preventing analyte alteration in diagnostic apparatuses involving contact of liquid and electrode

Номер патента: EP1943008A2. Автор: Jie Li,Thomas N. Corso. Владелец: Advion Biosciences Inc. Дата публикации: 2008-07-16.

High-level synthesis method, high-level synthesis apparatus, and high-level synthesis system

Номер патента: US20200311328A1. Автор: Shintaro Imamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

CMOS tapered gate and synthesis method

Номер патента: US20020157079A1. Автор: Lisa Lacey,Ruchir Puri,Leon Stok,Brian Curran,Gregory Northrop. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Speech synthesis model training method, speech synthesis method, and related apparatuses

Номер патента: EP4447040A1. Автор: BING Yang,Xiong Zhang,Kun SONG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Integrated micro/nanogenerator and method of fabricating the same

Номер патента: US09762151B2. Автор: Haixia Zhang,Xiaosheng Zhang,Mengdi Han,Fuyun Zhu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-09-12.

Preparation method of crystalline silicon film based on layer transfer

Номер патента: US09502240B2. Автор: Wei Zhang,Cong Wang,Xiaoyuan Chen,Hui Yang,Dongfang Liu,Linfeng LU. Владелец: Shanghai Advanced Research Institute of CAS. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of manufacturing isolation trenches using silicon nitride liner

Номер патента: US6277706B1. Автор: Hiraku Ishikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-21.

Method of making a highly absorptive dye-containing underlayer for laser recording and data storage

Номер патента: US4383024A. Автор: Eric W. Bouldin. Владелец: Drexler Technology Corp. Дата публикации: 1983-05-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7981790B2. Автор: Teruhiko Kumada,Naoki Yasuda,Masazumi Matsuura,Kinya Goto,Hideharu Nobutoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Synthesis method for a ybco superconducting material

Номер патента: US20240224818A1. Автор: Yassine SLIMANI,Munirah Abdullah ALMESSIERE,Faten Ben Azzouz. Владелец: Imam Abdulrahman Bin Faisal University. Дата публикации: 2024-07-04.

Solid state imaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050181528A1. Автор: Hiroaki Takao. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-18.

Practical method of producing a porous composite continuous thin film thermoelectric semiconductor or strong material by modified mocvd

Номер патента: US20170194551A1. Автор: The Pen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-06.

Light field synthesis method and light field synthesis system

Номер патента: US20220377301A1. Автор: Hong-Ming Chen,Kuang-Tsu Shih,Chang-Le Liu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2022-11-24.

Low contact resistance semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20120241752A1. Автор: Fu-Bang CHEN,Te-Chung Wang,Hsiu-Mu Tang. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Solid state imaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US7265432B2. Автор: Hiroaki Takao. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Plattenanordnung mit CVDD-(Chemical Vapor Deposition Diamond)-Fenstern für den Wärmetransport

Номер патента: DE112019007581B4. Автор: Philip Andrew Swire,Nina Biddle. Владелец: Microchip Tech Caldicot Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Light field synthesis method and light field synthesis system

Номер патента: US12058299B2. Автор: Hong-Ming Chen,Kuang-Tsu Shih,Chang-Le Liu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-08-06.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US20030100156A1. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Magnetic recording medium and method of fabricating the same

Номер патента: US20050048322A1. Автор: Hitoshi Wako. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Method of forming a passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070161254A1. Автор: Tae Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of manufacturing flash memory

Номер патента: US20020072175A1. Автор: Cheng-Chen Hsueh,Kent Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-13.

In-situ p-type activation of iii-nitride films grown via metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: US20210151329A1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2021-05-20.

Growth of carbon nanotube (cnt) leads on circuits in substrate-free continuous chemical vapor deposition (cvd) process

Номер патента: US20170077370A1. Автор: Keith Daniel Humfeld. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-03-16.

Method of fabricating a magnetic recording head for perpendicular recording with enhanced covering power

Номер патента: US7882617B2. Автор: Tomohiro Okada,Isao Nunokawa,Atsushi Kato,Ichiro Oodake. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2011-02-08.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US6624020B2. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-09-23.

Methods for fabricating integrated circuits using flowable chemical vapor deposition techniques with low-temperature thermal annealing

Номер патента: US09831098B2. Автор: TAO Han,Sukwon Hong,Sandeep Gaan,Xinyuan Dou,Shimpei Yamaguchi,Satyajit Shinde,Carlos Chacon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Growth of carbon nanotube (CNT) leads on circuits in substrate-free continuous chemical vapor deposition (CVD) process

Номер патента: US09825210B2. Автор: Keith Daniel Humfeld. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of decreasing fin bending

Номер патента: US09552978B1. Автор: Chien-Ting Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Tong-Jyun Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Growth of carbon nanotube (CNT) leads on circuits in substrate-free continuous chemical vapor deposition (CVD) process

Номер патента: US09544998B1. Автор: Keith Daniel Humfeld. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-01-10.

Speech synthesis device, speech synthesis method, and speech synthesis program

Номер патента: US09520125B2. Автор: Masanori Kato,Yasuyuki Mitsui,Reishi Kondo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of growing gallium nitride based semiconductor layers and method of fabricating light emitting device therewith

Номер патента: US09449815B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Woo Chul Kwak,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Multiprotocol antenna and beam pattern synthesis method for said antenna

Номер патента: RU2494503C1. Автор: Сон-Йуп СУ,Салих ЯРГА,Ананд КОНАНУР,Сонгнам ЯНГ,Улун КАРАКАОГЛУ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2013-09-27.

Method of making composite substrate from sic

Номер патента: RU2721306C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-05-18.

Micro-machined thin film sensor arrays for the detection of H2 containing gases, and method of making and using the same

Номер патента: US6596236B2. Автор: Thomas H. Baum,Frank DiMeo, Jr.. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2003-07-22.

Air gap based low dielectric constant interconnect structure and method of making same

Номер патента: US6057226A. Автор: Lawrence D. Wong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-05-02.

SUBSTITUTED 2H,8H-1,4-DIOXA-9b-AZAPHENALENE-2,8-DIONES AND SYNTHESIS METHOD THEREOF

Номер патента: RU2393162C2. Автор: Игорь Павлович Яковлев,Борис Юрьевич Лалаев,Ольга Андреевна Петина,Александр Васильевич Препьялов,Ольга Андреевна Петина (RU),Игорь Павлович Яковлев (RU),Александр Васильевич Препьялов (RU),Борис Юрьевич Лалаев (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ ХИМИКО-ФАРМАЦЕВТИЧЕСКАЯ АКАДЕМИЯ (ГОУ ВПО СПХФА Росздрава). Дата публикации: 2010-06-27.

Method of sealing open pores on surface of porous dielectric material using iCVD process

Номер патента: US10535514B2. Автор: Sung Gap Im,Byung Jin Cho,Seong Jun Yoon,Hyungsuk Alexander Yoon,Kwanyong Pak. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-01-14.

Method of producing LED lens array

Номер патента: US5301063A. Автор: Ryoichi Tohmon. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1994-04-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6137176A. Автор: Michio Asahina,Yukio Morozumi,Eiji Suzuki,Kazuki Matsumoto,Naohiro Moriya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-10-24.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

A kind of one-step synthesis method method of degradable branched polyester

Номер патента: CN103421167B. Автор: 张广照,黄文艳,杨宏军,蒋必彪,钱小磊. Владелец: CHANGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-24.

Method of purification of chrome solution

Номер патента: RU2083268C1. Автор: В.Т. Фомичев,Н.Г. Вурдова. Владелец: Волгоградская государственная архитектурно-строительная академия. Дата публикации: 1997-07-10.

Method of producing granulated organo-silicon sorbent for transition metals

Номер патента: SU1308379A1. Автор: Михаил Григорьевич Воронков,Наталья Николаевна Власова,Анатолий Иванович Кириллов,Юрий Николаевич Пожидаев,Антонина Егоровна Пестунович,Ольга Васильевна Землянушнова. Владелец: Иркутский институт органической химии СО АН СССР. Дата публикации: 1987-05-07.

The Czochralski grown method of the magnesium aluminate spinel crystal of transition-metal ion doping

Номер патента: CN104005088B. Автор: 王小飞,刘文鹏,孙敦陆,张庆礼,孙贵花,殷绍唐,罗建乔,谷长江. Владелец: Hefei Institutes of Physical Science of CAS. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of obtaining lubricant for cold and hot working of metals by application of pressure

Номер патента: SU652203A2. Автор: Николай Иванович Осейко,Ольга Андреевна Левченко,Юрий Ефимович Казанцев,Александр Адольфович Петровский,Ирина Аркадьевна Савенкова,Светлана Валентиновна Скрябина. Владелец: Всесоюзный научно-исследовательский институт биосинтеза белковых веществ. Дата публикации: 1979-03-15.

Method of refining black copper and secondary salts of noble metals by eletrolysis

Номер патента: SU1595947A1. Автор: Анатолий Петрович Самоделов. Владелец: Центральный научно-исследовательский институт оловянной промышленности. Дата публикации: 1990-09-30.

Method of measuring stresses in disk junctions of glass with metal by the polarization-optical method

Номер патента: SU121578A1. Автор: В.Л. Инденбом. Владелец: В.Л. Инденбом. Дата публикации: 1958-11-30.

Method of determining contact friction coefficient in plastic deformation of metals by compression

Номер патента: SU1289579A1. Автор: Юрий Константинович Колечкин,Анатолий Александрович Литвиненко,Владимир Иванович Семенов. Владелец: Уфимский авиационный институт им.Серго Орджоникидзе. Дата публикации: 1987-02-15.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Radiation-resistant fibre-optic guide, method for production thereof and method of improving radiation resistance of fibre-optic guide (versions)

Номер патента: RU2537523C1. Автор: Валерий Ефимович Карасик,Алексей Николаевич Гурьянов,Евгений Михайлович Дианов,Алексей Борисович Пнев,Владимир Федорович Хопин,Михаил Юрьевич Салганский,Александр Леонидович Томашук,Павел Федорович Кашайкин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2015-01-10.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Ammonium Fluoroalkanesulfonates and a Synthesis Method Therefor

Номер патента: US20120004447A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Manganese (ii) fumarate synthesis method

Номер патента: RU2376278C1. Автор: Анатолий Михайлович Иванов,Светлана Дмитриевна Пожидаева,Татьяна Александровна Маякова,Ирина Владимировна Пахомова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Курский государственный технический университет (КурскГТУ). Дата публикации: 2009-12-20.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for application of coating by method of chemical deposition from gas phase

Номер патента: RU2338006C2. Автор: Грегор АРНОЛЬД,Штефан БЕЛЕ,Андреас ЛЮТРИНГХАУС-ХЕНКЕЛЬ,Матиас БИКЕР. Владелец: Шотт АГ. Дата публикации: 2008-11-10.

Method of producing graphene nano-ribon fet

Номер патента: RU2400858C1. Автор: Виктор Яковлевич Принц,Сергей Владимирович Мутилин,Сергей Владиславович Голод. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2010-09-27.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Recording Media Having a Nanocomposite Protection Layer and Method of Making Same

Номер патента: US20120003399A1. Автор: Li Lei,Kiely James Dillon,Jones Paul Max,Hsia Yiao-Tee,Johns Earl Chrzaszcz. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming switching jumper

Номер патента: RU2579166C2. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Manufacturing method of nanowires, matrix of nanowires from nitrides of group iii of periodic table (versions), and substrate (versions)

Номер патента: RU2437180C2. Автор: Синь Ван,Синьюй СУНЬ,Стивен М. ХЕРСИ. Владелец: эСТиСи.ЮэНэМ. Дата публикации: 2011-12-20.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of obtaining single-wall carbon nanotubes

Номер патента: RU2465198C2. Автор: Светлана Вячеславовна Заглядова,Игорь Александрович Маслов,Александр Георгиевич Рябенко,Алексей Константинович Дон. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенный центр исследований и разработок". Дата публикации: 2012-10-27.

Method of producing high-purity tellurite glass

Номер патента: RU2455243C1. Автор: Евгений Михайлович Дианов,Михаил Федорович Чурбанов,Алексей Сергеевич Лобанов,Виктор Геннадьевич Плотниченко,Геннадий Евгеньевич Снопатин,Виталий Витальевич Дорофеев. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт химии высокочистых веществ РАН (ИХВВ РАН). Дата публикации: 2012-07-10.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of production of carbon nanotubes and reactor for their production

Номер патента: RU2493097C2. Автор: Алексей Григорьевич Ткачев,Александр Васильевич Мележик. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НаноТехЦентр". Дата публикации: 2013-09-20.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LONG-ACTING VETERINARY POLYPEPTIDES AND METHODS OF PRODUCING AND ADMINISTERING SAME

Номер патента: US20120004286A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of modifying surface of inorganic fibre, modified fibre and composite material

Номер патента: RU2475463C1. Автор: Виктор Васильевич Авдеев,Валерий Васильевич Кулаков,Алексей Валерьевич Кепман,Артем Петрович Малахо,Алексей Юрьевич Толбин,Евгений Иванович Крамаренко. Владелец: Закрытое акционерное общество "ГрАВИОНИКС-К" (ЗАО "ГрАВИОНИКС-К"). Дата публикации: 2013-02-20.

Method of obtaining 10-ethyl-11,12-dialkyl-10-aluminabicyclo [7,3,01,9]dodeca-8,11-dienes

Номер патента: RU2348640C1. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Владимир Анатольевич Дьяконов,Асхат Габдрахманович Ибрагимов,конов Владимир Анатольевич Дь,Галина Аркадьевна Джемилева,Рустам Камилевич Тимерханов. Владелец: Институт нефтехимии и катализа РАН. Дата публикации: 2009-03-10.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION BATTERY, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION BATTERY, ELECTRODE FOR LITHIUM ION BATTERY, AND LITHIUM ION BATTERY

Номер патента: US20120003540A1. Автор: Nakano Masatsugu,YAMAZAKI Akinori. Владелец: Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

N,n-diallylaminoethanoic acid and synthesis method thereof

Номер патента: RU2458045C2. Автор: Арсен Мухамедович Хараев,Мадина Биляловна Бегиева,Юсуф Ахматович Малкандуев,Абдуллах Казбулатович Микитаев,Римма Чамаловна Бажева,Аннета Ахмедовна Альмова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова"(КБГУ). Дата публикации: 2012-08-10.

Polyester-ketone synthesis method

Номер патента: RU2394847C2. Автор: Рима Чамаловна Бажева,Арсен Мухамедович Хараев,Абдуллах Казбулатович Микитаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2010-07-20.

1,2,3,4,5,6,10,11,12,13,14,15,15a,15b-TETRADECAHYDRO-DICYCLONONE[b,d]THIOPHENE SYNTHESIS METHOD

Номер патента: RU2398772C2. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Владимир Анатольевич Дьяконов,Асхат Габдрахманович Ибрагимов,Галина Аркадьевна Джемилева,Алексей Александрович Макаров,Наталья Романовна Поподько. Владелец: Учреждение Российской Академии Наук Институт Нефтехимии И Катализа Ран. Дата публикации: 2010-09-10.

Polyarylsilane monodendrons and method of obtainment

Номер патента: RU2348657C1. Автор: Сергей Анатольевич Пономаренко,Олег Валентинович Борщёв,Азиз Мансурович Музафаров,Юрий Николаевич Лупоносов. Владелец: Институт синтетических полимерных материалов (ИСПМ) им. Н.С. Ениколопова РАН. Дата публикации: 2009-03-10.

Fibre-forming acrylonitrile copolymer and synthesis method thereof

Номер патента: RU2422467C2. Автор: Наталья Константиновна Китаева,Владимир Васильевич Поликарпов,Владимир Робертович Дуфлот,Нина Семеновна Савинова,Екатерина Александровна Касьянова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (ФГУП "НИФХИ им. Л.Я. Карпова"). Дата публикации: 2011-06-27.

Method of synthesis of spatial six-link mechanism with rotary kinematic pairs and spatial six-link mechanism with rotary kinematic pairs (versions)

Номер патента: RU2566170C1. Автор: Герман Викторович Демидов,Леонард Шамсиевич Хаиров,Светлана Валентиновна Юдина,Александр Васильевич Сачков,Елена Ивановна Егорова,Александр Васильевич Щербаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технически университет им. А.Н. Туполева - КАИ" (КНИТУ-КАИ). Дата публикации: 2015-10-20.

Method of producing adamant-1-yl-containing 3-r-4,5-dihydroisoxazole-5-carboxylic esters

Номер патента: RU2461547C1. Автор: Святослав Аркадьевич Шевелев,Геннадий Михайлович Бутов,Игорь Львович Далингер,Ирина Анатольевна Вацадзе,Борис Анатольевич Лысых,Глеб Юрьевич Паршин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Волгоградский государственный технический университет (ВолгГТУ). Дата публикации: 2012-09-20.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIOLET LASER EXCITABLE DYES AND THEIR METHOD OF USE

Номер патента: US20120004397A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

UZM-7 ALUMINOSILICATE ZEOLITE, METHOD OF PREPARATION AND PROCESSES USING UZM-7

Номер патента: US20120004484A1. Автор: . Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

UZM-45 ALUMINOSILICATE ZEOLITE, METHOD OF PREPARATION AND PROCESSES USING UZM-45

Номер патента: US20120004486A1. Автор: . Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE MATERIAL C/Al2O3 AND METHOD OF ITS OBTAINING

Номер патента: RU2552634C1. Автор: Анатолий Владимирович Романенко,Артём Борисович Аюпов,Галина Николаевна Ильинич,Рэн Ил Квон. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-06-10.

Method of producing multimode low-dispersion light guides

Номер патента: RU2547032C1. Автор: Михаил Артемьевич Ероньян,Константин Владимирович Дукельский,Леонид Григорьевич ЛЕВИТ,Сергей Викторович Буреев,Екатерина Ивановна Ромашова,Валерий Борисович Шилов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2015-04-10.

Drotaverine synthesis method

Номер патента: RU2561489C2. Автор: Вадим Петрович Бахарев. Владелец: Вадим Петрович Бахарев. Дата публикации: 2015-08-27.

Method of growing gallium nitride film

Номер патента: RU2578870C2. Автор: Наталия Владимировна Садовская,Юрий Яковлевич Томашпольский,Владимир Михайлович Матюк. Владелец: Открытое акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (ОАО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова"). Дата публикации: 2016-03-27.

Method of making composite polycrystalline and monocrystalline diamond plate

Номер патента: RU2489532C1. Автор: Анатолий Леонтьевич Вихарев,Алексей Михайлович Горбачёв,Михаил Петрович Духновский,Юрий Юрьевич Федоров,Александра Константиновна Ратникова,Анатолий Борисович Мучников. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2013-08-10.

Metal coating of upgraded adhesion to material of pad and method of fabrication of this coating

Номер патента: RU2358034C2. Автор: Александр Германович Ермилов,Сергей Иванович Сухонос,Дмитрий Николаевич Вовк. Владелец: Дмитрий Николаевич Вовк. Дата публикации: 2009-06-10.

2-phenylpyrrole synthesis method

Номер патента: RU2397974C1. Автор: Борис Александрович Трофимов,Альбина Ивановна Михалева,Ольга Витальевна Петрова,Любовь Николаевна Собенина. Владелец: Учреждение Российской академии наук Иркутский институт химии им. А.Е. Фаворского Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2010-08-27.

METHOD OF FORMING A TERNARY ALLOY CATALYST FOR FUEL CELL

Номер патента: US20120003569A1. Автор: Protsailo Lesia V.,Kawamura Tetsuo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

11b-(HET)ARYL-2,3,611b-TETRAHYDROOXAZOLO[2',3':2,1]PYRROLO[3,4-b]QUINOLIN-5,11-DIONES AND SYNTHESIS METHOD THEREOF

Номер патента: RU2381229C2. Автор: Анастасия Андреевна Ботева,Ольга Петровна Красных,Сергей Юрьевич Солодников. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пермская государственная фармацевтическая академия Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию" (ГОУ ВПО ПГФА Росздрава). Дата публикации: 2010-02-10.

Method of synthesis of methanol

Номер патента: RU2181117C2. Автор: Г.И. Лин,А.Я. Розовский,Анна Викторовна Черепнова,Аида Анатольевна Лендер,Александр Павлович Какичев,Виктор Андреевич Топчий,Алевтина Григорьевна Краснянская,Анна Ивановна Углова,Петр Викторович Овсиенко. Владелец: Государственный научно-исследовательский и проектный институт химических технологий "Химтехнология". Дата публикации: 2002-04-10.

Method of producing yttrium aluminium garnet alloyed with rare earth elements

Номер патента: RU2503754C1. Автор: Георгий Алексеевич Досовицкий,Алексей Ефимович Досовицкий,Александр Леонидович Михлин,Алексей Геральдович Миронов,Константин Борисович Богатов,Игорь Владимирович Слюсарь. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Химических Реактивов И Особо Чистых Химических Веществ" Министерства Образования И Науки Российской Федерации. Дата публикации: 2014-01-10.

Method of manufacture of large-sized blanks for quartz light conduits

Номер патента: RU2281260C1. Автор: Михаил Артемьевич Ероньян,н Михаил Артемьевич Еронь,Петр Андреевич Злобин. Владелец: Михаил Артемьевич Ероньян. Дата публикации: 2006-08-10.

2-ALKYL-5,6,7,8,9,10-HEXAHYDRO-4-CYCLONONE[b]SELENOPHENE SYNTHESIS METHOD

Номер патента: RU2389726C2. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Владимир Анатольевич Дьяконов,Асхат Габдрахманович Ибрагимов,Алексей Александрович Макаров,Наталья Романовна Поподько,Элина Хамзиновна Закирова. Владелец: Учреждение Российской Академии Наук Институт Нефтехимии И Катализа Ран. Дата публикации: 2010-05-20.

Synthesis method of superconducting intermetallic compound in films

Номер патента: RU2287614C2. Автор: Адил Жианшахович Тулеушев,Валерий Николаевич Володин,Юрий Жианшахович Тулеушев. Владелец: Дочернее государственное предприятие (на праве хозяйственного ведения) "Институт ядерной физики" Республиканского государственного предприятия (на праве хозяйственного ведения) "Национальный ядерный центр Республики Казахстан" Министерства энергетики и минеральных ресурсов Республики Казахстан. Дата публикации: 2006-11-20.

1,2,3,4-substituted naphthalene compounds, method of their synthesis, method of control of pests, pesticide composition

Номер патента: RU2180330C2. Автор: Палл Сингх КАМБАЙ Бхупиндер,БЭТТИ Дункан,КАМЕРОН Стюарт,Гордон БЕДДИ Дэвид. Владелец: Бритиш текнолоджи груп лимитед. Дата публикации: 2002-03-10.

Fluorinated potassium xanthogenates, synthesis methods thereof and use in flotation benefication of sulphide ore

Номер патента: RU2454404C2. Автор: Сергей Александрович Кондратьев,Виктор Иванович Ростовцев,Юрий Сергеевич Каргаполов,Светлана Алексеевна Муха,Сергей Александрович Кондратьев (RU),Юрий Сергеевич Каргаполов (RU),Светлана Алексеевна Муха (RU),Виктор Иванович Ростовцев (RU). Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт горного дела Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2012-06-27.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of combined synthesis of 1-(alkoxy)-2,4-dialkyl(phenyl)- -alumacyclopentadiens and 1-(alkoxy)-2-alkyl(phenyl)aluma- -cyclopropenes

Номер патента: RU2131431C1. Автор: У.М. Джемилев,А.Г. Ибрагимов,З.А.-Я. Юсупов,Л.М. Халилов,Р.В. Кунакова,А.З. Шарипова. Владелец: Институт нефтехимии и катализа с опытным заводом АН Республики Башкортостан. Дата публикации: 1999-06-10.

Silica aldehyde synthesis method

Номер патента: RU2400468C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Марченко,Вера Михайловна Островская,Владимир Анатольевич Ермаков,Георгий Георгиевич Васхияров,Фаниль Наилевич Абдуллин. Владелец: Учреждение Российской Академии Наук Институт Общей И Неорганической Химии Им. Н.С. Курнакова Ран (Ионх Ран). Дата публикации: 2010-09-27.

Method of operation over biochemical process

Номер патента: RU2148643C1. Автор: А.Ю. Винаров,Д.Г. Победимский,Д.А. Винаров,Д.Д. Победимский. Владелец: Победимский Дмитрий Глебович. Дата публикации: 2000-05-10.

Method of receiving of high-carbon steel of cord qualit

Номер патента: RU2378391C1. Автор: Борис Александрович Дубровский,Владимир Викторович Павлов,Юрий Александрович Ивин,Глеб Александрович Куницын,Сергей Николаевич Ушаков,Константин Владимирович Казятин. Владелец: Открытое акционерное общество "Магнитогорский металлургический комбинат". Дата публикации: 2010-01-10.

Oligoalkylhydridesiloxanes and synthesis method thereof

Номер патента: RU2389735C2. Автор: Владимир Васильевич Иванов,Виктор Михайлович Копылов,Инна Юрьевна Маркузе,Наталья Николаевна Сазикова,Надежда Сергеевна Плеханова,Ольга Михайловна Горячкина. Владелец: Государственный научный центр РФ Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ГНЦ ФГУП ГНИИХТЭОС). Дата публикации: 2010-05-20.

2-ethyl-6-methyl-3-hydroxypyridine and nicotinic acid salt, having hypoglycemic, hypolipidemic and neuroprotective activity and synthesis method thereof

Номер патента: RU2454406C2. Автор: Александр Владимирович Семенов,Елена Васильевна Семенова,Вера Ивановна Инчина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева". Дата публикации: 2012-06-27.

(E)-4'-ARYL-7'-ARYLMETHYLENE-4',5',6',7'-TETRAHYDRO-2'H-SPIRO[CYCLOALKANE-1,3'-CYCLOPENTA[b]PYRAN]-2'-ONES, EXHIBITING ANALGESIC ACTIVITY AND SYNTHESIS METHOD THEREOF

Номер патента: RU2455300C2. Автор: Николай Федорович Кириллов,Рамиз Рагибович Махмудов,Людмила Геннадьевна Марданова,Александр Геннадьевич Гаврилов,Николай Федорович Кириллов (RU),Рамиз Рагибович Махмудов (RU),Александр Геннадьевич Гаврилов (RU),Людмила Геннадьевна Марданова (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пермский государственный университет". Дата публикации: 2012-07-10.

Method of producing workpieces for light guides

Номер патента: RU2542061C1. Автор: Михаил Артемьевич Ероньян,Игорь Касьянович Мешковский,Алексей Юрьевич КУЛЕШ,Сергей Валерьевич УСТИНОВ. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики". Дата публикации: 2015-02-20.

Yttrium ortho-phosphate-based infrared luminophore and synthesis method thereof

Номер патента: RU2434926C2. Автор: Борис Михайлович Синельников,Ошир Яизгилович Манаширов,Виктор Андреевич Воробьев. Владелец: Виктор Андреевич Воробьев. Дата публикации: 2011-11-27.

C4 olefin hydrocarbon synthesis method

Номер патента: RU2376274C1. Автор: Сурен Татевосович Гулиянц,Николай Фотеевич Стрепетилов,Марина Викторовна Мальцева,Марат Галимуллович Фаткуллин. Владелец: Сурен Татевосович Гулиянц. Дата публикации: 2009-12-20.

Method of detecting gas-phase acetone

Номер патента: RU2547893C1. Автор: Михаил Владимирович Алфимов,Александр Викторович Кошкин,Вячеслав Александрович Сажников,Марина Сергеевна Пилипенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Центр фотохимии Российской академии наук (ЦФ РАН). Дата публикации: 2015-04-10.

Method of obtaining [(2s)-trans]-1s,5s-6,6-dimethylbicyclo[3,1,1]heptan-2-yl-methanol

Номер патента: RU2365575C2. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Леонард Мухибович Халилов,Людмила Вячеславовна Парфенова,Светлана Витальевна Печаткина,Татьяна Вячеславовна Берестова,Рушана Флоридовна Вильданова,Венер Забирович Габдрахманов. Владелец: Институт нефтехимии и катализа РАН. Дата публикации: 2009-08-27.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of preparing hydroskimming catalyst

Номер патента: RU2496580C1. Автор: Вадим Анатольевич Яковлев,Дмитрий Юрьевич Ермаков,Светлана Александровна Селищева,Мария Валерьевна Быкова,Софья Александровна Хромова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2013-10-27.

Novel dipeptidyl peptidase iv inhibitors, synthesis methods thereof and pharmaceutical compositions containing said inhibitors

Номер патента: RU2443687C2. Автор: Баласубраманиан Гопалан,Мохаммед РАШИД,Дхамджевар РАВИ,Свами Кешавапура Хосаманэ СРИДХАРА,Ахмад ИШТИЯК. Владелец: Матрикс Лэборетериз Лтд.. Дата публикации: 2012-02-27.

Aromatic oligoesters and synthesis method thereof

Номер патента: RU2458917C2. Автор: Рима Чамаловна Бажева,Арсен Мухамедович Хараев,Рузана Алексеевна Хараева,Мадина Биляловна Бегиева,Оксана Лионовна Истепанова,Фатимат Крымовна Казанчева,Абубекир Хасанович Шаов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2012-08-20.

QUANTUM DOT SENSITIZED WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC DEVICES & METHODS OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120003773A1. Автор: Harkness,IV Samuel D.,Richter Hans J.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Polishing Chalcogenide Alloy

Номер патента: US20120003834A1. Автор: Reddy Kancharla-Arun Kumar,Liu Zhendong,Koo Ja-Ho,Sawant Kaveri. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

1-phenyl-2,3-dimethyl-4-iodopyralozone-5 (iodoantipyrine) synthesis method

Номер патента: RU2401830C1. Автор: Виктор Дмитриевич Филимонов,Марина Евгеньевна Трусова,Елена Александровна Краснокутская. Владелец: Худолей Владимир Николаевич. Дата публикации: 2010-10-20.

Fluorine-containing trimethylsilane synthesis method

Номер патента: RU2399624C1. Автор: Алексей Владимирович Прохоров,Сергей Михайлович Игумнов,Владимир Аркадьевич Вязков. Владелец: Сергей Михайлович Игумнов. Дата публикации: 2010-09-20.

Methyl chloride synthesis method

Номер патента: RU2404952C1. Автор: Павел Аркадьевич Стороженко,Олег Леонидович Ершов,Андрей Александрович Кочурков,Александр Николаевич Поливанов,Владимир Александрович Михайлов,Акиф Абдуллович Гезалов,Елена Александровна Каменская,Борис Семенович Кругляков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП ГНИИХТЭОС). Дата публикации: 2010-11-27.

Synthesis method for sulfentrazone intermediate

Номер патента: CA3227757A1. Автор: Qiang Liu,Zhiqing Li,Yongkang Xie,Haihua Li,Guangli ZHAO,Yanlei Xu. Владелец: Ningxia Rainbow Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

COMPOSITIONS AND METHODS OF USE OF TARGETING PEPTIDES FOR DIAGNOSIS AND THERAPY OF HUMAN CANCER

Номер патента: US20120003152A1. Автор: Pasqualini Renata,Arap Wadih,KOLONIN Mikhail G.,Mintz Paul J.,Zurita Amado J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIRUS LIKE PARTICLE COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003266A1. Автор: . Владелец: The United States of America,as represented by The Secretary, National Institues of Health. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SCREENING METHOD OF ANTI-LUNG OR ESOPHAGEAL CANCER COMPOUNDS

Номер патента: US20120004172A1. Автор: Nakamura Yusuke,Tsunoda Takuya,Daigo Yataro. Владелец: Oncotherapy Science, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

2,3,4,5-tetraalkylmagnesacyclonone-2,4-dienes synthesis method

Номер патента: RU2558762C2. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Рифкат Мухатьярович Султанов,Владимир Владиславович Васильев. Владелец: Учреждение Российской Академии Наук Институт Нефтехимии И Катализа Ран. Дата публикации: 2015-08-10.

Method of obtaining of arrays of nanodimensional filamentary silicon crystals with controlled surface density

Номер патента: RU2568217C2. Автор: Александр Юрьевич Воробьев,Валерий Александрович Небольсин,Александр Игоревич Дунаев,Максим Алексеевич Завалишин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технологический центр микро- и нанотехнологий". Дата публикации: 2015-11-10.

Method of producing palladium beta-ketoiminates

Номер патента: RU2506268C1. Автор: Наталья Борисовна Морозова,Игорь Константинович Игуменов,Александр Николаевич Михеев,Галина Ивановна Жаркова,Андрей Васильевич Аржанников,Ксения Васильевна Жерикова,Манфред Каспар Андреас Тумм. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ). Дата публикации: 2014-02-10.

Tricyclo-[6;6;0;0]-hexadecadiene-6,10 synthesis method

Номер патента: RU2402513C2. Автор: Петр Богданович Крайкивский,Виталий Васильевич Сараев,Дмитрий Александрович Матвеев,Сергей Владимирович Федоров,Станислав Константинович Петровский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Иркутский государственный университет. Дата публикации: 2010-10-27.

Method of calibrating pipes made from quartz glass

Номер патента: RU2591856C1. Автор: Алексей Юрьевич КУЛЕШ,Сергей Валерьевич УСТИНОВ,Иван Анатольевич Клочков. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (АО "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова"). Дата публикации: 2016-07-20.

Stable crystlalline form of 2-ethyl-6-methyl-3-oxypyridine succinate and synthesis method thereof

Номер патента: RU2453538C1. Автор: Сергей Борисович Германов,Андрей Михайлович Гомжин,Елизавета Сергеевна Филиппова,Ольга Леонидовна Германова,Александр Борисович Миссюль. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Фармамед". Дата публикации: 2012-06-20.

Carbon nanofibre and method of obtaining of multiwall carbon nanotubes

Номер патента: RU2567628C1. Автор: Михаил Рудольфович Предтеченский. Владелец: МСД Текнолоджис частная компания с ограниченной ответственностью. Дата публикации: 2015-11-10.

Metal salts of fatty acids and synthesis method thereof

Номер патента: RU2415886C2. Автор: Иван Аркадьевич Осошник,Сергей Германович Тихомиров,Марина Викторовна Енютина,Сергей Иванович Корыстин,Галина Викторовна Кудрина,Ольга Викторовна Карманова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Совтех". Дата публикации: 2011-04-10.

Method of production of surface-nanostructured metal

Номер патента: RU2570599C1. Автор: Георгий Владимирович Коновалов,Владимир Юрьевич Бажин,Андрей Гордианович Сырков,Елена Александровна Назарова,Людмила Александровна Ячменова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный минерально-сырьевой университет "Горный". Дата публикации: 2015-12-10.

Oligo oxypropylene acrylates for primary layer of polymer coating of optical guides and synthesis method thereof

Номер патента: RU2387634C1. Автор: Сергей Николаевич Лысенко,Равиль Максумзянович Якушев,Эльвира Гильфановна Огородова. Владелец: Государственное учреждение Институт технической химии Уральского отделения Российской академии наук (ИТХ УрО РАН). Дата публикации: 2010-04-27.

Allobetulin synthesis method

Номер патента: RU2402561C1. Автор: Генрих Александрович Толстиков,Оксана Борисовна Казакова,Дмитрий Валерьевич Казаков,Наталья Ивановна Медведева. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт органической химии Уфимского научного центра РАН. Дата публикации: 2010-10-27.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANTI-COBRA TOXIN ANTIBODY FRAGMENTS AND METHOD OF PRODUCING A VHH LIBRARY

Номер патента: US20120003245A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF PRODUCING C4 DICARBOXYLIC ACIDS

Номер патента: US20120003708A1. Автор: . Владелец: ARCHER DANIELS MIDLAND COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEOTIDE SEQUENCES ENCODING GSH1 POLYPEPTIDES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004114A1. Автор: . Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY AND PIONEER HI-BRED INTERNATIONAL. Дата публикации: 2012-01-05.

Methyl diethanolamine synthesis method

Номер патента: RU2380354C1. Автор: Наталья Трофимовна Никущенко,Татьяна Алексеевна Михайлова,Сергей Анатольевич Луговской,Вячеслав Вячеславович Потехин,Михаил Иосифович Нагродский. Владелец: Закрытое акционерное общество "Химтэк Инжиниринг". Дата публикации: 2010-01-27.

3,3,3-trifluoropropanal synthesis method

Номер патента: RU2378246C1. Автор: Сергей Михайлович Игумнов. Владелец: Сергей Михайлович Игумнов. Дата публикации: 2010-01-10.

Ethyl 1'-benzyl-3,3-dimetnyl-1,2'-dioxo-5'-phenyl-1'2,2',3,4,10-hexahydro-1h-spiro[acridine-9,3'-pyrrol]-4'-carboxylates and synthesis method thereof

Номер патента: RU2387651C1. Автор: Максим Викторович Дмитриев,Павел Сергеевич Силайчев,Андрей Николаевич Масливец,Анастасия Николаевна Федоровцева,Рамиз Рагипович Махмудов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пермский государственный университет". Дата публикации: 2010-04-27.

Formation method of ultrathin film

Номер патента: RU2485209C1. Автор: Николай Иннокентьевич Плюснин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2013-06-20.

ETHYL 3',7-DIOXO-5'-PHENYL-1,6-DIHYDRO-1'H-SPIRO{INDENO[1,2-b]QUINOLINE-6,3'-PYRROLE}-4'-CARBOXYLATES AND SYNTHESIS METHOD THEREOF

Номер патента: RU2453549C1. Автор: Рамиз Рагибович Махмудов,Максим Викторович Дмитриев,Павел Сергеевич Силайчев,Андрей Николаевич Масливец. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пермский государственный университет". Дата публикации: 2012-06-20.

4(5)-(2-hetaryl) and 4(5)-(2-hetaryl)-2-(2'-hetaryl)-imidazole synthesis method

Номер патента: RU2400480C1. Автор: Михаил Михайлович Ельчанинов,Евгения Витальевна Власова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2010-09-27.

Allobetulin 3-o-benzoate synthesis method

Номер патента: RU2397989C1. Автор: Борис Николаевич Кузнецов,Владимир Александрович Левданский,Александр Владимирович Левданский. Владелец: Институт химии и химической технологии СО РАН (ИХХТ СО РАН). Дата публикации: 2010-08-27.

METHOD OF PRODUCING ALKYLBENZENE AND CATALYST USED THEREFOR

Номер патента: US20120000819A1. Автор: MATSUSHITA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE PRESSURE VESSEL AND METHOD OF ASSEMBLING THE SAME

Номер патента: US20120000916A1. Автор: Kleber Richard M.,Kia Hamid G.,Wang Chen-Shih,Carsley John E.,Berger Elisabeth J.,SUN Ce,Schultheis Valentin,Fell Stephan. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMMUNO-MOLECULES CONTAINING VIRAL PROTEINS, COMPOSITIONS THEREOF AND METHODS OF USING

Номер патента: US20120003249A1. Автор: Reiter Yoram,Lev Avital. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POROUS CLUSTERS OF SILVER POWDER COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE FOR USE IN GAS DIFFUSION ELECTRODES, AND METHODS OF PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120003549A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Cvd-reactor and method of synthesis of hetero-epitaxial films of silicon carbide on silicon

Номер патента: RU2394117C2. Автор: Борис Михайлович Синельников,Виталий Алексеевич Тарала,Иван Сергеевич Митченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная фирма "Эпикрист". Дата публикации: 2010-07-10.

Method of producing isotopically-enriched germanium

Номер патента: RU2483130C1. Автор: Сергей Васильевич Филимонов,Сергей Владимирович Голубев,Сергей Михайлович Зырянов,Леонид Александрович Мочалов,Петр Геннадьевич Сенников,Владимир Иванович Шашкин,Владимир Александрович Колданов,Дмитрий Александрович Пряхин,Роман Алексеевич Корнев,Дмитрий Викторович Рогожин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г.Девятых Российской академии наук (ИХВВ РАН). Дата публикации: 2013-05-27.

Method of producing diamond structure with nitrogen-vacancy defects

Номер патента: RU2448900C2. Автор: Павел Георгиевич Баранов,Александра Андреевна Солтамова,Александр Яковлевич Вуль,Фёдор Михайлович Шахов,Сергей Викторович Кидалов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Дата публикации: 2012-04-27.

Polyether-ketone synthesis method

Номер патента: RU2388768C2. Автор: Фатимат Крымовна Казанчева,Вадим Анатольевич Квашин,Юрий Исрафилович Мусаев,Элеонора Борисовна Мусаева,Абдуллах Казбулаиович Микитаев,Фатимат Крымовна Казанчева (RU),Юрий Исрафилович Мусаев (RU),Элеонора Борисовна Мусаева (RU),Абдуллах Казбулаиович Микитаев (RU),Вадим Анатольевич Квашин (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2010-05-10.

Method of obtaining carbon nanomaterials

Номер патента: RU2490205C2. Автор: Алексей Григорьевич Ткачев,Александр Васильевич Мележик. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НаноТехЦентр". Дата публикации: 2013-08-20.

Ternary bromine-containing copolymers based on tetrafluoroethylene for thermo-aggressive resistant materials and synthesis method thereof

Номер патента: RU2408608C2. Автор: Виктор Андреевич Губанов,Михаил Васильевич Журавлев,Игорь Владимирович Кокотин,Николай Валентинович Лебедев,Галина Викторовна Григорян,Евгений Владиславович Синютин,Ольга Викторовна Благодатова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт синтетического каучука имени академика С.В. Лебедева". Дата публикации: 2011-01-10.

1-dichloromethylisoquinoline synthesis method

Номер патента: RU2402535C2. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Равил Исмагилович Хуснутдинов,Альфия Руслановна Байгузина,Ринат Рифхатович Мукминов,Усеин Меметович Джемилев (RU),Равил Исмагилович Хуснутдинов (RU),Альфия Руслановна Байгузина (RU),Ринат Рифхатович Мукминов (RU). Владелец: Институт нефтехимии и катализа РАН. Дата публикации: 2010-10-27.

1-bromoadamantane synthesis method

Номер патента: RU2428408C2. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Равил Исмагилович Хуснутдинов,Нина Алексеевна Щаднева,Лилия Фагимовна Мухаметшина. Владелец: Учреждение Российской Академии Наук Институт Нефтехимии И Катализа Ран. Дата публикации: 2011-09-10.

N-nitro-5-azidomethyloxazolidine-1,3 synthesis method

Номер патента: RU2404168C1. Автор: Гильмутдин Хисамутдинович Хисамутдинов,Иван Зиновьевич Кондюков,Сергей Иванович Валешний,Владимир Петрович Ильин,Владимир Александрович Тартаковский,Дмитрий Борисович Виноградов,Валентина Михайловна Шаронова,Светлана Григорьевна Шарыпова,Евгений Юрьевич Петров,Ольга Николаевна Бушкова,Павел Валерьевич Булатов. Владелец: Российская Федерация в лице Министерства промышленности и торговли (Минпромторг России). Дата публикации: 2010-11-20.

Method of forming ultrathin film

Номер патента: RU2486279C1. Автор: Николай Иннокентьевич Плюснин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2013-06-27.

Butyl rubber synthesis method

Номер патента: RU2394844C1. Автор: Владимир Михайлович Бусыгин,Равиль Тагирович Шияпов,Наиль Рахматуллович Гильмутдинов,Валерий Павлович Погребцов,Анас Гаптынурович Сахабутдинов,Хамит Хамисович ГИЛЬМАНОВ,Ольга Владимировна Софронова,Олег Николаевич Нестеров,Рафик Хатмуллаевич Хабибуллин,Валерий Гарафович Шамсутдинов,Нариман Турганович Хасанов,Савия Минизакиевна Челнокова,Владимир Михайлович Бусыгин (RU),Наиль Рахматуллович Гильмутдинов (RU),Хамит Хамисович Гильманов (RU),Ольга Владимировна Софронова (RU),Анас Гаптынурович Сахабутдинов (RU),Олег Николаевич Нестеров (RU),Валерий Павлович Погребцов (RU),Валерий Гарафович Шамсутдинов (RU),Рафик Хатмуллаевич Хабибуллин (RU),Нариман Турганович Хасанов (RU),Равиль Тагирович Шияпов (RU),Савия Минизакиевна Челнокова (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Нижнекамскнефтехим". Дата публикации: 2010-07-20.

Copolymers based on derivatives of substituted cyclopentanone-bithiophene and synthesis method thereof

Номер патента: RU2423392C2. Автор: Сергей Анатольевич Пономаренко,Павел Анатольевич Трошин,Азиз Мансурович Музафаров,Диана Каримовна Сусарова,Владимир Федорович Разумов,Екатерина Николаевна Мышковская,Владислав Александрович Костяновский. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН. Дата публикации: 2011-07-10.

Method of tungsten hexafluoride purification

Номер патента: RU2342323C1. Автор: Александр Николаевич Моисеев,Игорь Александрович Краев,Александр Николаевич Моисеев (RU),Игорь Александрович Краев (RU). Владелец: Институт химии высокочистых веществ Российской академии наук (ИХВВ РАН). Дата публикации: 2008-12-27.

Method of producing 4,5,6,7-tetra-alkyl-1,4,6,9-decatetraenes

Номер патента: RU2349570C1. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Владимир Анатольевич Дьяконов,Асхат Габдрахманович Ибрагимов,Регина Адиковна Туктарова,Усеин Меметович Джемилев (RU),Асхат Габдрахманович Ибрагимов (RU),конов Владимир Анатольевич Дь (RU),Регина Адиковна Туктарова (RU). Владелец: Институт нефтехимии и катализа РАН. Дата публикации: 2009-03-20.

Method of manufacturing multilayer contour-profiled tissue

Номер патента: RU2466219C1. Автор: Владимир Терентьевич Сергеев,Ирина Юрьевна Павлихина,Марина Николаевна Никулина,Татьяна Леонидовна Доброва. Владелец: Закрытое акционерное общество "ТРИ-Д". Дата публикации: 2012-11-10.

Method of preparing mixtures of cis-and trans-polymers of conjugated dienes

Номер патента: RU2129566C1. Автор: М.С. Габутдинов,В.Ф. Черевин,Ч.Б. Медведева,Б.А. Кренцель,Е.А. Мушина,Н.А. Платэ,В.А. Яковлев,Е.М. Антипов,И.Ф. Гавриленко,Ю.Я. Подольский,Е.И. Тинякова,В.М. Фролов. Владелец: Институт нефтехимического синтеза им.А.В.Топчиева РАН. Дата публикации: 1999-04-27.

3β,28-DI-O-ACETYL-29-NOR-20(30)-LUPINE SYNTHESIS METHOD

Номер патента: RU2402562C1. Автор: Генрих Александрович Толстиков,Оксана Борисовна Казакова,Наталья Ивановна Медведева,Леонид Васильевич Спирихин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт органической химии Уфимского научного центра РАН. Дата публикации: 2010-10-27.

4-(3-methoxy-propoxy)-2,3-dimethylpyridine-n-oxide synthesis method

Номер патента: RU2404970C1. Автор: Михаил Викторович Горелик,Вера Ивановна Ломзакова,Тамара Хаимовна Гладышева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научный центр "Научно-исследовательский институт органических полупродуктов и красителей" (ФГУП "ГНЦ "НИОПИК"). Дата публикации: 2010-11-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.