Method of reducing generation of particulate matter in a sputtering chamber
Номер патента: SG65694A1
Опубликовано: 22-06-1999
Автор(ы): Kenny K Ngan
Принадлежит: Applied Materials Inc
Опубликовано: 22-06-1999
Автор(ы): Kenny K Ngan
Принадлежит: Applied Materials Inc
Method of manufacturing semiconductor device by alternatively increasing and decreasing pressure of process chamber
Номер патента: US09508531B2. Автор: Koei KURIBAYASHI,Shinya EBATA. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-11-29.