Method of producing a seam beginning needle thread of a seam to be sewn in a piece of fabric,the seam having a defined nominal excess thread length,and sewing machine configured to implement a method of this type .

Method of producing a seam beginning needle thread of a seam to be sewn in a piece of fabric,the seam having a defined nominal excess thread length,and sewing machine configured to implement a method of this type

Номер патента: KR102481545B1
Опубликовано: 27-12-2022
Автор(ы): 헤크너 크리스토프
Принадлежит: 뒤르콥 아들러 게엠베하
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Vehicle seat cover leather having excellent durability and method of fabricating the same

Номер патента: US20130263383A1. Автор: Sang-Chul Lee,Mi Jung Yun,Gun Kang,Eun-Chul Shin,Won-ju Kim. Владелец: Korea Institute of Footwear and Leather Technology. Дата публикации: 2013-10-10.

Contact type plasmonic nano optical probe, parallel probe constituted of the same, plasmonic optical apparatus including the parallel probe, and a method of fabricating the parallel probe

Номер патента: US8490210B2. Автор: Jae Won Hahn. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2013-07-16.

Thermoelectric device using radiant heat as heat source and method of fabricating the same

Номер патента: EP2254169A3. Автор: Young Sam Park,Jung Wook Lim,Moon Gyu Jang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-07-04.

Light source unit, method of fabricating the light source unit and backlight assembly including the light source unit

Номер патента: US09753214B2. Автор: Seung Hwan Baek,Yeong Bae LEE,Myeong Ju SHIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Lenticular print three dimensional image display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09625730B2. Автор: Anshyang Albert Lin. Владелец: Actega North America Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Image sensor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20240234476A9. Автор: YING Wang,Sheng Hu,Guoliang YE,Shengjin Song. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Thin film transistor, method of fabricating the same, array substrate and display device

Номер патента: US09812579B2. Автор: Qi Yao,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhengliang Li,Jincheng GAO,Zhanfeng CAO,Xiangchun Kong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240251613A1. Автор: Guanghai Jin,Yong Seog Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

GaN TRANSISTOR WITH IMPROVED BONDING PAD STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150206847A1. Автор: Jong Won Lim,Ho Kyun Ahn,Hyung Sup Yoon,Hae Cheon Kim,Byoung Gue Min. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor packages having through electrodes and methods of fabricating the same

Номер патента: US09853012B2. Автор: Tae-Je Cho,In-Young Lee,Hyunsoo Chung,Jongyeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Package substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US20110186991A1. Автор: Tae Joon CHUNG,Dong Gyu Lee,Seon Jae Mun,Jin Won Choi,Dae Young Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200219934A1. Автор: ByeongJu Bae,Duckhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Substrate for oled, method of fabricating the same and organic light-emitting device having the same

Номер патента: US20140141958A1. Автор: Jaeho Lee,Jhee-Mann Kim,Seong-Sik PARK,Eun Young Cho,Kiyeon Lee,Joosok Kim,Myeongjin Ahn. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Molecular electronic device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090101955A1. Автор: Dae-Sik Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Tape substrate and semiconductor module for smart card, method of fabricating the same, and smart card

Номер патента: US20090079053A1. Автор: Yucai Huang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-26.

Wiring substrate, method of fabricating the same, and method of fabricating semiconductor package including the same

Номер патента: US20230025295A1. Автор: Sunnyeong JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-26.

Implant for repairing spinal annular defect, method of fabricating the implant, and method of repairing the defect using the implant

Номер патента: US20230372114A1. Автор: Christian M. Puttlitz,Mitchell PAGE. Владелец: COLORADO STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-11-23.

Molecular electronic device having a patterned electrode and method of fabricating the same

Номер патента: US8035137B2. Автор: Dae-Sik Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-11.

Packaging substrate having a holder, method of fabricating the packaging substrate, package structure having a holder, and method of fabricating the package structure

Номер патента: US09916990B2. Автор: Wen-Lung Lai,Yuan-Liang Lo. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

UV light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09905732B2. Автор: Hwa Mok Kim,Ki Yon Park,Jeong Hun HEO,Gun Woo Han. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Photomasks, methods of fabricating the photomasks, and method of fabricating semiconductor devices by using the photomasks

Номер патента: US09817309B2. Автор: Jung-Hwan Lee,Byung-gook Kim,Sang-Hyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated micro/nanogenerator and method of fabricating the same

Номер патента: US09762151B2. Автор: Haixia Zhang,Xiaosheng Zhang,Mengdi Han,Fuyun Zhu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09543316B2. Автор: Jongwon Kim,Changseok Kang,Hyunmin Lee,Hyeong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

UV light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09496455B2. Автор: Hwa Mok Kim,Ki Yon Park,Jeong Hun HEO,Gun Woo Han. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Thin film transistor and method of fabricating the same, array substrate and method of fabricating the same, and display device

Номер патента: US09455324B2. Автор: Qi Yao,Bing Sun,Zhanfeng CAO,Xiangchun Kong,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Organic Thin Film Transistor, Method of Fabricating the Same, and Gate Insulating Layer Used in the Same

Номер патента: US20100230662A1. Автор: Jenn-Chang Hwang,Sheng-Wei Chen,Chung--Hua Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4386844A2. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Double-sided adhesive tape, semiconductor packages, and methods of fabricating the same

Номер патента: US20130330881A1. Автор: Ho-geon Song,Jin-woo Park,Seok-hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Discharge light source and method of fabricating the same

Номер патента: US20050264214A1. Автор: Tsuyoshi Haga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-12-01.

Storage node, method of fabricating the same, semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070045701A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

(AI,Ga,In)N-Based compound semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1772909A3. Автор: Chung Hoon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-06.

Flexible organic light emitting diode display and method of fabricating the same

Номер патента: US09966572B2. Автор: Jiangjiang JIN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Stamp for printed circuit process and method of fabricating the same and printed circuit process

Номер патента: US09955584B2. Автор: Yu-Hsuan Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Single-layer wiring package substrate, single-layer wiring package structure having the package substrate, and method of fabricating the same

Номер патента: US09735080B2. Автор: Wei-Chung Hsiao,Chun-Hsien Lin,Chia-Cheng Chen,Ming-Chen Sun,Tzu-Chieh Shen,Shih-Chao Chiu,Yu-Cheng Pai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09634144B2. Автор: Gab-jin Nam,Tae-Hyun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Integrated circuits having FinFET semiconductor devices and methods of fabricating the same to resist sub-fin current leakage

Номер патента: US09472554B2. Автор: Yanxiang Liu,Michael Hargrove,Christian Gruensfelder. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Three-dimensional tunneling field-effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20200176592A1. Автор: Chang Hwan Choi,Dong Hwan Lim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-06-04.

Metal-insulator-metal capacitor and a method of fabricating the same

Номер патента: US20120211866A1. Автор: Chung-Wen Chao. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Light emitting diode package and method of fabricating the same

Номер патента: US20130214315A1. Автор: Peiching Ling,Vivek B. Dutta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-22.

AC driven plasma display panel for electrical commercial boards and method of fabricating the same

Номер патента: US20030129916A1. Автор: Jun-Sei Lee. Владелец: SCIENCE ADVENTURE TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-10.

Thermal Interface Material Compound and Method of Fabricating the same

Номер патента: US20080061267A1. Автор: Ming-Chang Liu,Kuo-Len Lin,Wen-Jung Liu,Tien-Chih Tseng. Владелец: CpuMate Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140103283A1. Автор: Kwon Hong,Kee-Jeung Lee,Beom-Yong Kim,Woo-young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Phase shifter, method of fabricating the same, and duplexer having the same

Номер патента: US7973618B2. Автор: Chul-Soo Kim,In-Sang Song,Kuang-Woo Nam,Yun-Kwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-05.

Phase shifter, method of fabricating the same, and duplexer having the same

Номер патента: US20080024242A1. Автор: Chul-Soo Kim,In-Sang Song,Kuang-Woo Nam,Yun-Kwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-31.

Reflection-type liquid crystal display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20050052598A1. Автор: Koji Ichimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

V-mn-sb-tio2 catalyst, method of fabricating the catalyst, heat recovery steam generator comprising the catalyst, and method of eliminating yellow plume using the catalyst

Номер патента: EP4410421A1. Автор: Dongho Kim,Heon Phil Ha,Dong-Wook Kwon,Yeonjae PARK. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 2024-08-07.

Substrate of touch display screen and method of fabricating the same, touch screen and display device

Номер патента: US09927647B2. Автор: Lijun Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Package stucture and method of fabricating the same

Номер патента: US09905503B2. Автор: Shih-Ping Hsu,Chao-Chung TSENG. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Frameless display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09772526B2. Автор: Junjie MA,Jian Sang,Chenru WANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Array substrate and method of fabricating the same, and display device

Номер патента: US09711539B2. Автор: Chong Liu,Haitao Ma,Zhilong PENG,Haisheng ZHAO,Hongxi XIAO,Huanping LIU. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Solar cell module and method of fabricating the same

Номер патента: US09698290B2. Автор: Bong Seok Moon. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: US09640685B2. Автор: Myoung Seok Sung. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09520297B2. Автор: Dong-Hun Lee,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060073648A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-06.

Array substrate and method of fabricating the same, display panel and display device

Номер патента: US20210217810A1. Автор: Xue Dong,Haisheng Wang,Yingming Liu,Xueyou CAO,Xiaoliang DING,Chunwei Wu,Yuzhen GUO,Chihjen Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200144129A1. Автор: Young-hun Kim,Jaeseok Yang,Haewang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060243193A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Low contact resistance semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20120241752A1. Автор: Fu-Bang CHEN,Te-Chung Wang,Hsiu-Mu Tang. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor packages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20180068956A1. Автор: Jaewook YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Band filter using film bulk acoustic resonator and method of fabricating the same

Номер патента: EP1684420A3. Автор: In-Sang Song,Kyu-Sik Kim,Seog-Woo Hong,Byeoung-ju Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-10.

Interconnection structure, method of fabricating the same, and semiconductor package including interconnection structure

Номер патента: US20230290718A1. Автор: Dongwoo Kim,Un-Byoung Kang,Chungsun Lee,Ji-Seok HONG,Hyunah KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor package including a double-faced semiconductor chip having integrated circuitry on both sides thereof and a method of fabricating the semiconductor package

Номер патента: US20030189250A1. Автор: Heui-Seog Kim,Ho-Tae Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Solid state image pickup device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050035270A1. Автор: Yasushi Maruyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-17.

Thin film transistor substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US20060281317A1. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Cell structure for a semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100096681A1. Автор: Yong-Sun Ko,Hak Kim,Yong-Kug Bae,Kyoung-Yun Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Standards for non-destructive testing methodologies and methods of fabricating the standards

Номер патента: US20230324313A1. Автор: Joseph Pecina. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240304464A1. Автор: Yonggang Jin. Владелец: Oip Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240357797A1. Автор: Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132072B2. Автор: Yong Hoon Yang,Min Suk Ko,Si Kwang Kim,Kab Jong Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Antenna structure and method of fabricating the same

Номер патента: WO2020218974A2. Автор: Cong Wang,Jie Wu,Yongxin Guo. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2020-10-29.

Optical cable assemblies having filler optical fibers and methods of fabricating the same

Номер патента: US12124090B2. Автор: Michael John Gimblet,Alvin John Mcdonald. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09972717B2. Автор: Dong-Suk Shin,Si-Hyung Lee,Jeong-Yun Lee,Yeong-Jong Jeong,Geo-Myung SHIN,Seo-Jin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Sensor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09952692B2. Автор: Jyh-Ming Wu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09911659B2. Автор: Chul Woong Lee,Youngmook Oh,Hanseung KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09911644B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US09905550B2. Автор: Sang-uk Han,Un-Byoung Kang,Taeje Cho,Seungwon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Light emitting diode device having connected light emitting diode elements and method of fabricating the same

Номер патента: US09871168B2. Автор: Yeo Jin Yoon,Jong Kyu Kim,Se Hee OH. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09870996B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Touch sensor including nanowire array and method of fabricating the same

Номер патента: US09740323B2. Автор: Myung-Han Yoon,Jaehyuk Lee. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and apparatus used in fabrication thereof

Номер патента: US09735016B2. Автор: Choong-rae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Power divider and method of fabricating the same

Номер патента: US09685686B2. Автор: Kun Liu,Bo Zhou,Junyou CHEN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09685450B2. Автор: Vladimir Urazaev,Ki-yeon Park,Jae-Hyoung Choi,Jin-Ha Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor devices including a gate core and a fin active core and methods of fabricating the same

Номер патента: US09673300B2. Автор: Heonjong Shin,Eunsil Park,Seungseok HA,Keunhee Bai,Kyounghwan YEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Touch module and method of fabricating the same

Номер патента: US09632632B2. Автор: Wei-Ting Lin,Yung-Shin Liou. Владелец: Top Victory Investments Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09607841B2. Автор: Hyojoong Kim,Songha Oh,Changgoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09583702B2. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,H.-S. Philip Wong,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09520300B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09500923B2. Автор: Hyuck Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Electrodeposited nano-twins copper layer and method of fabricating the same

Номер патента: US09476140B2. Автор: Chih Chen,King-Ning Tu,Taochi LIU. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor-on-insulator device and method of fabricating the same

Номер патента: US09355889B2. Автор: Niamh Waldron. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240203888A1. Автор: Jin Ho An,Ju-Il Choi,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Junyun Kweon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Display apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US20240147608A1. Автор: Tsung-Ying Ke. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Antenna and methods of fabricating the antenna and a resonator of the antenna

Номер патента: US20210305712A1. Автор: Stella W. Pang,Kwai-Man Luk,Shuyan Zhu,Yuanlong Li. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2021-09-30.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135722A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080143909A1. Автор: Jung Il Lee,Seung Kwang Roh. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240213199A1. Автор: Yongjae Kim,Sungwoo Park,Seung-Kwan Ryu,Heonwoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20210343613A1. Автор: Yeongkwon Ko,Seunghun SHIN,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7279791B2. Автор: Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-10-09.

Porous layer, low-reflective coating layer, optical member, and methods of fabricating the porous layer

Номер патента: US20170355860A1. Автор: Cheolmin Park,Giyoung Song,Suk Man Cho. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2017-12-14.

Organic light-emitting diode (oled) display and method of fabricating the same

Номер патента: US20210296612A1. Автор: Do-Hoon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

CMOS image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20070023764A1. Автор: Hyung Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

CMOS image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US7573082B2. Автор: Hyung Sik Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-08-11.

Porous layer, low-reflective coating layer, optical member, and methods of fabricating the porous layer

Номер патента: US10619054B2. Автор: Cheolmin Park,Giyoung Song,Suk Man Cho. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2020-04-14.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20220157677A1. Автор: Sheng-Ta Lin,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Light-emitting discharge tube, method of fabricating the same, and protective film forming apparatus

Номер патента: US20090128038A1. Автор: Manabu Ishimoto,Kenji Awamoto,Hitoshi Yamada,Hitoshi Hirakawa,Akira Tokai,Yosuke Yamazaki,Koji Shinohe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-21.

Light-emitting discharge tube, method of fabricating the same, and protective film forming apparatus

Номер патента: US20060175972A1. Автор: Manabu Ishimoto,Kenji Awamoto,Hitoshi Yamada,Hitoshi Hirakawa,Akira Tokai,Yosuke Yamazaki,Koji Shinohe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-08-10.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11889679B2. Автор: Eunjung Kim,Sungyeon RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Color filtering distributed bragg reflector for micro-light emitting diodes and method of fabricating the same

Номер патента: WO2024155513A1. Автор: Peng Feng,XIANG Yu,Ye Tian,Nicolas Poyiatzis,Jack Haggar. Владелец: Snap Inc.. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200105765A1. Автор: Yoosang Hwang,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11778805B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20150179718A1. Автор: Jae-Sung Lee,Eun-ah Kim,Joon-Suk Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7022624B2. Автор: Choon Kun Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-04-04.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20200373483A1. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7893473B2. Автор: Kenji Maruyama,Masao Kondo,Keisuke Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Apparatus for manufacturing bonding structure, bonding structure and method of fabricating the same

Номер патента: US8491982B2. Автор: YoungMin Lee,Eunchul Ahn,Yun-rae Cho,TaeSung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-23.

Apparatus for manufacturing bonding structure, bonding structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20110186220A1. Автор: YoungMin Lee,Eunchul Ahn,Yun-rae Cho,TaeSung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-04.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100171166A1. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US8431983B2. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-30.

Organic light-emitting display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140353606A1. Автор: Chaun Gi Choi,Hui Won Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Gradient refractive index lenses and methods of fabricating the same

Номер патента: US11719861B1. Автор: Chunlei Wang,Nezih Pala,Omena Okpowe. Владелец: Florida International University FIU. Дата публикации: 2023-08-08.

Liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080002081A1. Автор: Seok-Woo Lee,Young-joo Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Conductor-insulator-conductor capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US20180308635A1. Автор: Lu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266256A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Optoelectronic device and method of fabricating the same

Номер патента: US8890275B2. Автор: Wen-Ching Hsu,Miin-Jang Chen,Hsin-Jui Chen. Владелец: Sino American Silicon Products Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Optoelectronic device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120199935A1. Автор: Wen-Ching Hsu,Miin-Jang Chen,Hsin-Jui Chen. Владелец: Sino American Silicon Products Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230157001A1. Автор: Chih-Wei Huang,Hsu-Cheng Fan,En-Jui Li,Chih-Yu YEN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

A steering column assembly and method of fabricating the same

Номер патента: EP1568567B1. Автор: Jason R. Ridgway,Jeremy A. Ponichtera,Amelia M. Waeghe. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2007-05-16.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20230276687A1. Автор: Jaekyung Go,Yongseung Park,Chanyoung Park,Danbi Choi,Soukjune Hwang,Hyunmin Hwang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Oxide semiconductor thin-film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20220123147A1. Автор: Jin Jang,Md Mobaidul ISLAM,Ravindra Naik BUKKE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2022-04-21.

Oxide semiconductor thin-film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US11664461B2. Автор: Jin Jang,Md Mobaidul ISLAM,Ravindra Naik BUKKE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-05-30.

Capillary discharge plasma display panel and method of fabricating the same

Номер патента: WO2003023809A3. Автор: Steven Kim,Michael D Martin,Bhum-Jae Shin. Владелец: Plasmion Displays Llc. Дата публикации: 2003-07-03.

High voltage semiconductor device including field shaping layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20130196480A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Min-Suk Kim,Yong-Cheol Choi. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Touch screen panels and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140015771A1. Автор: Kyung Hyun KIM,Jaeheon Shin,Woo-Seok Cheong,Rae-Man Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-01-16.

Multi-Level Cell Thin-Film Transistor Memory and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20200119033A1. Автор: Wei Zhang,Wenjun Liu,Shibing QIAN,Shijin Ding. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device including dummy gate part and method of fabricating the same

Номер патента: US8053845B2. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Hong-Soo Kim,Jin-Sook Choi,Sang-youn Jo,Byoung-Ho Kwon,Se-rah Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Low temperature sintering ceramic composition for use in high frequency, method of fabricating the same and electronic component

Номер патента: US20060058170A1. Автор: Kiyoshi Mizushima,Mikio Takimoto,Naoki Kidani. Владелец: Nikko Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-16.

Low temperature sintering ceramic composition for use in high frequency, method of fabricating the same and electronic component

Номер патента: WO2004060829A1. Автор: Kiyoshi Mizushima,Mikio Takimoto,Naoki Kidani. Владелец: NIKKO COMPANY. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1480273A3. Автор: Jung-hyun Lee,Young-soo Park,Won-Tae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11314919B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US11749695B2. Автор: Changkeun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220037255A1. Автор: Jin Ho An,Ju-Il Choi,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Junyun Kweon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Capacitive micromachined ultrasonic transducer and method of fabricating the same

Номер патента: US20180201501A1. Автор: Dong-sik Shim,Chang-Jung Kim,Seog-Woo Hong,Seok-whan Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-19.

Mask rom cell and method of fabricating the same

Номер патента: US20010035589A1. Автор: Jin Soo Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-01.

Bandpass filter and method of fabricating the same

Номер патента: EP2865046A1. Автор: Kun Liu,Bo Zhou,Junyou CHEN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2015-04-29.

Organic light emitting display with single crystalline silicon tft and method of fabricating the same

Номер патента: US20080272381A1. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Takashi Noguchi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-06.

Identifiable flexible printed circuit board and method of fabricating the same

Номер патента: US20030058625A1. Автор: Chih-Ching Chen,Yi-Jing Leu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-27.

Silicon photonic package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240036262A1. Автор: Yonggang Jin. Владелец: Oip Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11024640B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Electrostatic discharge protection apparatus with silicon control rectifier and the method of fabricating the same

Номер патента: US20020030232A1. Автор: Chiu-Tsung Huang,Wen-Kuan Yeh,Lu-Min Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20020102773A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080230829A1. Автор: Tzyh-Cheang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-09-25.

Magnetic recording medium and method of fabricating the same

Номер патента: US20090002875A1. Автор: Hoon-Sang Oh,Sung-Hoon Choa,Hoo-san Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-01.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20090035903A1. Автор: Chang-Woo Oh,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090140321A1. Автор: Erh-Kun Lai,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Fluidic apparatus for detection of a chemical substance, a biosensor and a method of fabricating the fluidic apparatus

Номер патента: US20210041394A1. Автор: Stella W. Pang,Shuyan Zhu. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220415644A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240274599A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313097A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240306373A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Light-emitting element, display device including the same and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313166A1. Автор: Seul Ki Kim,Myeong Hee Kim,Dong Uk Kim,Hee Keun Lee,Jun Youn KIM,Hyung Rae CHA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US12087786B2. Автор: Changkeun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US12094794B2. Автор: Yeongkwon Ko,Seunghun SHIN,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Silicon photonic package and method of fabricating the same

Номер патента: US12092874B2. Автор: Yonggang Jin. Владелец: Oip Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12094704B2. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432340A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240265188A1. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-08.

Fusion memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12119336B2. Автор: Daehyun Kim,Jinmin Kim,Hyunsik Park,Hei Seung Kim,Sangkil Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240304726A1. Автор: Sang Sub KIM,Yong Su LEE,Myoung Geun CHA,Sang Gun Choi,Keun Woo Kim,Ji Yeong SHIN,Ki Seok Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device including separation pattern penetrating gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12132046B2. Автор: Mirco Cantoro,Dong Il Bae,Ho-jun Kim,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240373620A1. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09991203B2. Автор: Nae-in Lee,Byung-hee Kim,Rak-Hwan Kim,Jin-Nam Kim,Eun-ji Jung,Jong-min Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Organic light-emitting display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09978982B2. Автор: Chaun Gi Choi,Hui Won Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09978932B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Capacitive micromachined ultrasonic transducer and method of fabricating the same

Номер патента: US09957155B2. Автор: Dong-sik Shim,Chang-Jung Kim,Seog-Woo Hong,Seok-whan Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Organic light-emitting diode (OLED) display and method of fabricating the same

Номер патента: US09954197B2. Автор: Do-Hoon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated fan-out package, redistribution circuit structure, and method of fabricating the same

Номер патента: US09899342B2. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Tzung-Hui Lee,Tzu-Yun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09847456B2. Автор: So Ra LEE,Chang Yeon Kim,Jae Hye Jung. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842637B2. Автор: Juhyun Kim,Ki Woong Kim,Yong Sung Park,Sechung Oh,Woo Chang Lim,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Integrated fan-out package and method of fabricating the same

Номер патента: US09837359B1. Автор: Ming-Yen Chiu,Hsin-Chieh Huang,Ching-Fu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09818666B2. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated fan-out package, semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09812426B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Li-Han Hsu,Cheng-Hsien Hsieh,Tzu-Shiun Sheu,Yan-Fu Lin,Chin-te Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Bandpass filter and method of fabricating the same

Номер патента: US09780427B2. Автор: Kun Liu,Bo Zhou,Junyou CHEN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2017-10-03.

Flash cell structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09780101B1. Автор: Sheng Zhang,Wenbo Ding,Jubao Zhang,Xiaofei Han,Chien-Kee Pang,Yu-Yang Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768018B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,YuJeong Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Liquid crystal display device with gap spacer and push spacer and method of fabricating the same

Номер патента: US09766514B2. Автор: Hyongjong Choi,Youngjik Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

3-dimensional (3D) non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09735203B2. Автор: Cheol Seong Hwang,Jun Yeong Seok. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09735124B2. Автор: Chien-Hung Wu,Fu-Tang HUANG,Yi-Cheih Chen,Sung-Huan Sun,Cheng-An Chang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Touch panel and method of fabricating the same

Номер патента: US09733750B2. Автор: Jae Neung Kim,Kyung Seop KIM,Cheol Kyu Kim,Sung Kyun Park,Sun Haeng Cho,Ki Hyun Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Package structure with an embedded electronic component and method of fabricating the package structure

Номер патента: US09716060B2. Автор: Wei-Chung Hsiao,Chun-Hsien Lin,Chia-Cheng Chen,Ming-Chen Sun,Tzu-Chieh Shen,Shih-Chao Chiu,Yu-Cheng Pai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Solar cell module having interconnector and method of fabricating the same

Номер патента: US09698293B2. Автор: Jongkyoung Hong,Jongdae Kim,Giwon Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09679829B2. Автор: Taeseong Kim,Sunghee Kang,Byung Lyul Park,Kwangjin Moon,Sukchul Bang,Yeun-Sang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Liquid crystal display device, thin film transistor array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09638976B2. Автор: Liang Wen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Organic light-emitting display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US09627458B2. Автор: Geun Tak Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09607985B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Mask assembly and method of fabricating the same

Номер патента: US09604240B2. Автор: Jung Woo Ko,Taek Kyo Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Gate-all-around semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09601488B2. Автор: Niamh Waldron,Nadine Collaert,Clement Merckling. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-21.

Light emitting diode having magnetic structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09590142B2. Автор: Jae-Joon Kim,Seong-Ju Park,Youngchul Leem. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-03-07.

Thin film transistor, array substrate and method of fabricating the same, and display device

Номер патента: US09570629B2. Автор: Jian Guo,Xiaohui Jiang,Jiaxiang ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Light-emitting package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09559273B2. Автор: Peiching Ling,Dezhong Liu. Владелец: ACHROLUX INC. Дата публикации: 2017-01-31.

UV light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09543476B2. Автор: Hwa Mok Kim,Chang Suk Han,Ki Yon Park,Hyo Shik Choi,Jeong Hun HEO. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Flexible solar cell apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US09543459B2. Автор: Dong Keun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530789B2. Автор: Joonhee Lee,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Pixel unit and method of fabricating the same, array substrate and display device

Номер патента: US09508755B2. Автор: Jun Cheng,Dongfang Wang,Hongda Sun,Xiangyong Kong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09508737B2. Автор: Jung-Hwan Kim,Dongchul Yoo,Jintae Noh,Hanvit Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Implantable medical devices having cofire ceramic modules and methods of fabricating the same

Номер патента: US09502754B2. Автор: Joyce K. Yamamoto,Yanzhu Zhao,Gerardo Aguirre,Nicholas C. Wine,Arne Kolbjorn Knudsen. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09496488B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Package substrate having photo-sensitive dielectric layer and method of fabricating the same

Номер патента: US09485874B2. Автор: Dyi-chung Hu,Yu-Hua Chen,Wei-Chung Lo,Chang-Hong Hsieh. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09478559B2. Автор: Sung Lae OH,Jae Eun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Thermochromic window and method of fabricating the same

Номер патента: US09442313B2. Автор: Chang Gyu Kim,Yongwon Choi,Yung-Jin Jung,Hyun Bin Kim. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Solar cell module having interconnector and method of fabricating the same

Номер патента: US09419164B2. Автор: Jongkyoung Hong,Jongdae Kim,Giwon Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-08-16.

Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09373668B2. Автор: Jae-Sung Lee,Eun-ah Kim,Joon-Suk Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Display panel, thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09368634B2. Автор: Henry Wang,Xue-Hung TSAI,Chuang-Chuang Tsai,Wei-Tsung Chen,Hsiao-Wen Zan. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

High efficiency light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09362449B2. Автор: Kenji Shimoyama,Dae Sung Cho,Ki Bum Nam,Jong Kyun You,Chang Yeon Kim,Takahide Joichi,Young Wug Kim,Kaori Kurihara. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09343476B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,YuJeong Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-17.

Thin film structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09337021B2. Автор: Sung Bo Lee,Heung Nam HAN. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2016-05-10.

Light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120001218A1. Автор: Hwan Hee Jeong,Sang Youl Lee,Ji Hyung Moon,Tae-yeon Seong,Kwang Ki CHOI,June O. Song,Se Yeon Jung. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Mask ROM, mask ROM embedded EEPROM and method of fabricating the same

Номер патента: US20080087938A1. Автор: Jeong-Uk Han,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: EP4379798A1. Автор: Jin-woo Park,Myung-Sung Kang,Kyong Hwan Koh,Chung Sun Lee,Hyeon Jun Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240081043A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Electronic device including two-dimensional material and method of fabricating the same

Номер патента: US20220406911A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,JunYoung KWON,Van Luan NGUYEN,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Structure for optical device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1667242A3. Автор: Hye Jin Kim,Ki Chul Kim,Sang Hyeob Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-10-03.

Bottom chassis, method of fabricating the same, and liquid crystal display including the same

Номер патента: US20120121825A1. Автор: Sang-Joon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Lighting emitting device package and method of fabricating the same

Номер патента: WO2009031856A2. Автор: Jin Soo Park,Geun ho Kim,Bum Chul Cho,Sung Jin Son. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD. Дата публикации: 2009-03-12.

Heat generation sheet and method of fabricating the same

Номер патента: EP2112868A3. Автор: Sangsig Kim,Kyoungah Cho,Kiju Im. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-26.

Lens with low birefringence, method of fabricating the lens, and light scanning unit including the lens

Номер патента: US20140319709A1. Автор: Won-Young CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240178188A1. Автор: Jin-woo Park,Myung-Sung Kang,Kyong Hwan Koh,Chung Sun Lee,Hyeon Jun Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Apparatus and circuits including transistors with different polarizations and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220130989A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Structure for optical device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060118783A1. Автор: Sang Kim,Ki Kim,Hye Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2006-06-08.

Phase-transition optical isomer compound, transparent electroluminescent display device and method of fabricating the transparent electroluminescent display device

Номер патента: US11744139B2. Автор: Jun-Sik Hwang,Nam Ki,Chang-Woo CHUN,Eun-Ji SIM,Soo-Hyuk CHOI. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Phase-transition optical isomer compound, transparent electroluminescent display device and method of fabricating the transparent electroluminescent display device

Номер патента: US11158801B2. Автор: Jun-Sik Hwang,Nam Ki,Chang-Woo CHUN,Eun-Ji SIM,Soo-Hyuk CHOI. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-26.

Apparatus and circuits including transistors with different polarizations and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200161463A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100025827A1. Автор: Hidenori Fujii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: EP2224491A3. Автор: Kang-Hee Lee,Byung-Joo Lee,Gug-Il Jun,Woo-Su Lee,Byoung-Dong Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-30.

Quantum dot laser diode and method of fabricating the same

Номер патента: US20100260223A1. Автор: Jin Soo Kim,Dae Kon Oh,Ho Sang Kwack,Jin Hong Lee,Sung Ui Hong,Byung Seok Choi. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-10-14.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: WO2012138117A3. Автор: Jin Woo Lee. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240145417A1. Автор: Myoungchul Eum,Hyeongwoo JIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Bottom chassis, method of fabricating the same, and liquid crystal display including the same

Номер патента: US20140033536A1. Автор: Sang-Joon Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Lens with low birefringence, method of fabricating the lens, and light scanning unit including the lens

Номер патента: US20120154883A1. Автор: Won-Young CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-21.

Lens with low birefringence, method of fabricating the lens, and light scanning unit including the lens

Номер патента: US9731459B2. Автор: Won-Young CHO. Владелец: S Printing Solution Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Display substrate, method of fabricating the same, and display panel

Номер патента: US11644704B2. Автор: Liang Li,Bin Ji,Guohui Wang,Tianma LI,Yicai ZHANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-09.

Display substrate, method of fabricating the same, and display panel

Номер патента: US20220299809A1. Автор: Liang Li,Bin Ji,Guohui Wang,Tianma LI,Yicai ZHANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12082395B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Liquid crystal display and method of fabricating the same

Номер патента: US20140240630A1. Автор: Sunghun Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Transmission diffraction device for high diffraction order and method of fabricating the same

Номер патента: WO2010064776A1. Автор: Kazuhiro Hane,Jae-Young Joo,Sun-Kyu Lee,Do-Kyun Woo,Cha-Bum Lee. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110266634A1. Автор: Hae-Jung Lee,Yong-Tae Cho,Eun-Mi Kim,Kyeong-Hyo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Display device, method of fabricating the display device, and tiled display device including a plurality of display devices

Номер патента: US20240266362A1. Автор: Nak Cho CHOI,Myung Koo Hur,Sang Woo An,Min Woo Oh,Jong Hwan BAE,Jae Chil HWANG. Владелец: Nokwon C&i Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: EP2695201A2. Автор: Jin Woo Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-12.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: US20140338742A1. Автор: Dong Keun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160049346A1. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Light emitting device having wide beam angle and method of fabricating the same

Номер патента: US20150325752A1. Автор: Chung Hoon Lee,Hyun A Kim,Joon Sup LEE,Min Woo Kang,Jong Min JANG,Jong Hyeon Chae,Daewoong Suh,Won Young Roh,Seon Min Bae. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Transistor, integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US09985026B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Wai-Yi Lien,Cheng-Long Chen,Ming-Shan Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: US09941427B2. Автор: Jin Woo Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Bonding structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09931813B2. Автор: Kuan-Neng Chen,Cheng-Ta Ko,Wei-Chung Lo. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09929239B2. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Ji-hyun Hur,Dong-Soo Lee,Sang-Moon Lee,Sung-Hun Lee,Seong-Ho Cho,David Seo,Moon-seung YANG,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Transistor, integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US09893159B2. Автор: Chia-Hao Chang,Wai-Yi Lien,Ming-Shan Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09887194B2. Автор: Se-Wan Park,Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09859376B2. Автор: Jae-Young Park,Sun-Young Lee,Dong-Hun Lee,Bon-young Koo,Jae-jong Han,Han-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Optical member, display device having the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US09835785B2. Автор: Kyung Jin Kim,Jae Hong Lee,Soon Young Hyun,Ja Ram Kim,June Roh. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: US09773929B2. Автор: Dong Keun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Optical member, display device having the same and method of fabricating the same

Номер патента: US09766392B2. Автор: Mun Suk Kang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09754899B2. Автор: Hwee Seng Jimmy Chew,Shoa Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor compound structure and method of fabricating the same using graphene or carbon nanotubes, and semiconductor device including the semiconductor compound structure

Номер патента: US09748094B2. Автор: Sang-jin Lee,Jun-hee Choi,Un-Jeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Lens with low birefringence, method of fabricating the lens, and light scanning unit including the lens

Номер патента: US09731459B2. Автор: Won-Young CHO. Владелец: S Printing Solution Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Display substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09679921B2. Автор: Young-Joo Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: US09666737B2. Автор: Joohyun Park,Gi Yul HAM,Hyeongtag JEON,Seok Yoon SHIN. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device including cell region stacked on peripheral region and method of fabricating the same

Номер патента: US09666289B2. Автор: Sunghoon Kim,Jae-Eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12142587B2. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09653460B1. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Light emitting diode, method of fabricating the same and LED module having the same

Номер патента: US09640719B2. Автор: Hyun A Kim,Joon Sup LEE,Min Woo Kang,Jong Hyeon Chae,Daewoong Suh. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627509B2. Автор: Sangjin Hyun,Wandon Kim,Shinhye Kim,Byung-Suk Jung,TaekSoo JEON,Kyungbum KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device including air gaps and method of fabricating the same

Номер патента: US09627253B2. Автор: Min-ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Liquid crystal display and method of fabricating the same

Номер патента: US09618812B2. Автор: Ha Young Park,Tae Woon CHA,Sang Gun Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608126B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor devices having a supporter and methods of fabricating the same

Номер патента: US09601494B2. Автор: Seung-Jun Lee,Dae-Ik Kim,Young-Seung Cho,Kyung-Eun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Carbon dots emitting light having multiple colors and method of fabricating the same

Номер патента: US12110433B2. Автор: Dohyun Kim,Hyojeong YOO,Byeong Eun KWAK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-10-08.

Organic light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09583546B2. Автор: Myungseop Kim,SungJin Hong,Joongsun Yoon,Younghoon Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Solar cell apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US09553213B2. Автор: Min Jung SHIN. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Solar cell module and method of fabricating the same

Номер патента: US09548412B2. Автор: Kyung Am Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530693B2. Автор: Jong Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09520556B2. Автор: Hideki Horii,Jeonghee Park,Sugwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Light emitting diode, method of fabricating the same and LED module having the same

Номер патента: US09520534B2. Автор: Hyun A Kim,Joon Sup LEE,Min Woo Kang,Jong Min JANG,Jong Hyeon Chae,Daewoong Suh,Won Young Roh. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09520415B2. Автор: Jinho JU,Jung-Soo Lee,Jeongmin Park,Jung Suk Bang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device, electronic device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09515086B2. Автор: Young-Jin Noh,Jaeyoung Ahn,Kwangmin Park,Gukhyon Yon,Dongchul Yoo,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09502406B1. Автор: HyungSuk Jung,Cheolwoo Park,Seokjun Won,Kwangyul Lee,Jeongeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

MEMS structure, cap substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09481567B2. Автор: Ting-Ying CHIEN,I-Shi WANG,Jen-Hao Liu,Ren-Dou Lee,Yu-Jui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: US09466744B2. Автор: Joohyun Park,Gi Yul HAM,Hyeongtag JEON,Seok Yoon SHIN. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-10-11.

Light emitting diode having multi-junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09466642B2. Автор: Dong-Seon Lee,Chang Mo KANG,Dukjo KONG. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-10-11.

Photoelectrode including zinc oxide hemisphere, method of fabricating the same and dye-sensitized solar cell using the same

Номер патента: US09452929B2. Автор: Gun Young Jung,Ki Seok Kim,Sang Hoon Nam,Won Bae Kim,Hui Song,Sang-mook Kim,Hui Su Jeong. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-09-27.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: US09401440B2. Автор: Seung Heon Han. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Resistive memory device, method of fabricating the same, and memory apparatus and data processing system having the same

Номер патента: US09378813B2. Автор: Sung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Binary half tone photomasks and microscopic three-dimensional devices and method of fabricating the same

Номер патента: WO2004066358A3. Автор: Christopher J Progler,Peter Rhyins. Владелец: Photronics Inc. Дата публикации: 2004-11-11.

Apparatus and circuits with dual threshold voltage transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135733A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Heterostructure system and method of fabricating the same

Номер патента: US11062902B2. Автор: Gil Markovich,Yoram DAGAN,Alon RON,Amir HEVRONI. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

Heterostructure system and method of fabricating the same

Номер патента: EP3501038A1. Автор: Gil Markovich,Yoram DAGAN,Alon RON,Amir HEVRONI. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Apparatus and circuits with dual threshold voltage transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230290782A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Apparatus and circuits with dual polarization transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US11990541B2. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

[structure of quantum dot light emitting diode and method of fabricating the same]

Номер патента: US20040183062A1. Автор: Si-Chen Lee,Shih-Yen Lin,Ya-Tung Cherng,Shiang-Feng Tang. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor device having fuse circuit on cell region and method of fabricating the same

Номер патента: US6825511B2. Автор: Young-hee Song,Min-Sang Park,Ill-Heung Choi,Min-Young Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-30.

Neuron behavior-imitating electronic synapse device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210119159A1. Автор: Tae Whan Kim,Jeong Heon Lee,Young Pyo JEON. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US20160190439A1. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Terahertz transceiver and method of fabricating the same

Номер патента: US20230268654A1. Автор: Wei-Chih Wang,Karthikraj Muthuramalingam,Fiona Marie WANG. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090065864A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US20020008282A1. Автор: Hirotoshi Kubo,Eiichiroh Kuwako. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Optical fiber module and method of fabricating the same

Номер патента: US20030219215A1. Автор: Shin-Tso Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-27.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: WO2013094941A1. Автор: Chul Hwan Choi. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-27.

Terahertz transceiver and method of fabricating the same

Номер патента: AU2022442257A1. Автор: Wei-Chih Wang,Karthikraj Muthuramalingam,Fiona Marie WANG. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device having fuse circuit on cell region and method of fabricating the same

Номер патента: US20080160682A1. Автор: Young-hee Song,Min-Sang Park,Ill-Heung Choi,Min-Young Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Bipolar junction transistor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US6028329A. Автор: Chungpin Liao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2000-02-22.

Organic light emitting display and method of fabricating the same

Номер патента: US20100144072A1. Автор: Kwan-Hee Lee,Won-Kyu Kwak. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Wafer Level Chip Size Packaged Chip Device With An N-Shape Junction Inside And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: US20080111228A1. Автор: Wei Wang,Qingwei Wang,Guoqing Yu,Youjun Wang,Qinqin Xu. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

A P-N Organic Battery, a Method of Fabricating the Battery Thereof

Номер патента: US20230343960A1. Автор: Ahmed A. AL-GHAMDI,Fahrettin Yakuphanoglu,Abdullah G. Al-Sehemi,Mehboobali PANNIPARA,Aysegul Dere. Владелец: King Khalid University Rcams. Дата публикации: 2023-10-26.

Electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20050001259A1. Автор: Young-Ho Kim,Ho-Bong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-06.

Electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060108633A1. Автор: Young-Ho Kim,Ho-Bong Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-25.

Via transition and method of fabricating the same

Номер патента: EP3033801A1. Автор: Kun Liu,Bo Zhou,Junyou CHEN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2016-06-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210143182A1. Автор: Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Sung-Bum BAE,Kyu Jun CHO,Sung-Jae Chang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2021-05-13.

Adhesive transparent electrode and method of fabricating the same

Номер патента: US20190214593A1. Автор: Jin Woo Park,Jin Hoon KIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2019-07-11.

Adhesive transparent electrode and method of fabricating the same

Номер патента: US11653510B2. Автор: Jin Woo Park,Jin Hoon KIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-05-16.

Light controlling apparatus, method of fabricating the light controlling apparatus and transparent display device including the light controlling apparatus with transparent mode and light shielding mode

Номер патента: US09989798B2. Автор: Ki Han Kim,Ji Young Ahn,Moon Sun Lee,Pu Reum KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Solar cell apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US09966486B2. Автор: Kyung Eun Park. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: US09966485B2. Автор: Jong Hyun Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Solar cell module and method of fabricating the same

Номер патента: US09947819B2. Автор: Dong Keun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Solar cell module apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US09842950B2. Автор: Bong Seok Moon. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Stretchable wire and method of fabricating the same

Номер патента: US09842669B2. Автор: Sang Seok Lee,Jae Bon Koo,Chan Woo Park,Soon-Won Jung,Bock Soon Na,Ji-Young Oh,Rae-Man Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-12-12.

Light controlling apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US09804467B2. Автор: Kihan Kim,Jiyoung Ahn,Moonsun Lee,Pureum KIM,Seokwon JI. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768266B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Solar cell module and method of fabricating the same

Номер патента: US09705019B2. Автор: Suk Jae Jee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Boron nitride layer, apparatus including the same, and method of fabricating the boron nitride layer

Номер патента: US12139814B2. Автор: Hyeonjin Shin,Changseok Lee,Seunggeol NAM,Minhyun LEE,Hyeonsuk Shin,Seokmo Hong,Kyungyeol MA. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

Complex spatial light modulator and method of fabricating the same

Номер патента: US09665066B2. Автор: Yong Hae Kim,Myung Lae Lee,Hye Yong Chu,Chi-Sun Hwang,Gi Heon Kim,Chunwon Byun,Hojun Ryu,Himchan OH. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-05-30.

Metal oxide thin-film transistor, method of fabricating the same, and array substrate

Номер патента: US09634036B1. Автор: Jiangbo Yao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608040B2. Автор: Inho Kim,Jongchul Park,Jung-Ik Oh,Jong-Kyu Kim,Gwang-Hyun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Magnetic device and method of fabricating the same

Номер патента: US09570670B2. Автор: Woojin Kim,Jongchul Park,Sechung Oh,Chanjin Park,Soonoh Park,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: US09570636B2. Автор: Jin Woo Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09564499B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Ki-Hyun Hwang,Kwang-Soo Seol,Hanmei Choi,Sunghoi Hur,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Ju-Yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US09553140B2. Автор: Kuo-Ching Chang,Hung-Sen Wang,Shih-Chi Yang,Ho-Chun Liou,Wei-Sho Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Liquid crystal horizontal orientation agent, horizontal orientation type liquid crystal composition, and horizontal orientation type liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09547198B2. Автор: YONETAKE Koichiro,HABA Osamu,MOMOI Yuichi,Mu-Sun KWAK,Koda TOMONORI. Владелец: Yamagata University NUC. Дата публикации: 2017-01-17.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09536970B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Organic light emitting display and method of fabricating the same

Номер патента: US09520455B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Kum-Mi Oh,Kyung-Mo Son. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US09502646B2. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09472508B2. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US09455090B2. Автор: Hyun Kyu Park,Yong Jun Ko,Sang Won Seo,Jeong Gi Seo,Chil Young Ji,Seung Hwa Kwon. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory device based on igo channel layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20240224527A1. Автор: Xuan Wang,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Hyeon Joo SEUL,Hoon Hee HAN,Soon Oh Jeong. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-04.

Flexible supercapacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US20160284480A1. Автор: Hong Ngee Lim,Wei Kit Chee,Chi Huey Ng,Nay Ming Huang. Владелец: UNIVERSITI PUTRA MALAYSIA (UPM). Дата публикации: 2016-09-29.

Polarizing plate, liquid crystal display device having the same and method of fabricating the polarizing plate

Номер патента: US09915759B2. Автор: Wonki Park,HyeJeong Park,YoonJung Eo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Flexible supercapacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US09875854B2. Автор: Hong Ngee Lim,Wei Kit Chee,Chi Huey Ng,Nay Ming Huang. Владелец: UNIVERSITI PUTRA MALAYSIA (UPM). Дата публикации: 2018-01-23.

Thin film transistor substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09443886B2. Автор: Jung-Il Lee,Kum-Mi Oh. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Solar cell module including light guide member, and method of fabricating the same

Номер патента: US20190189824A1. Автор: Sang-Woo Kim,Youngjun PARK,Hong Joon YOON,Ahrum SOHN,Youngin SON. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2019-06-20.

Light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US9431377B2. Автор: Won Cheol Seo,Jang Woo Lee,Chang Youn KIM,Yeo Jin Yoon,Jong Kyu Kim,Joon Hee Lee,Jong Kyun You,Hwa Mok Kim,Jin Cheol Shin. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Detector and method of fabricating the same

Номер патента: US20090146135A1. Автор: Sang Chul Lim,Seong Hyun Kim,Yoon Ho Song,Yong Suk Yang,Zin Sig Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2009-06-11.

Image sensor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20240136387A1. Автор: YING Wang,Sheng Hu,Guoliang YE,Shengjin Song. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Thin film transistor, method of fabricating the same, array substrate and display device

Номер патента: US20180019346A1. Автор: Qi Yao,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhengliang Li,Jincheng GAO,Zhanfeng CAO,Xiangchun Kong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Organic light emitting display, method of fabricating the same, and mobile display including the organic light emitting display

Номер патента: US20070090340A1. Автор: Kwan Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor memory device for eliminating floating body effect and method of fabricating the same

Номер патента: US6806140B1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim,Won-suk Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-19.

MEMS switch and method of fabricating the same

Номер патента: US7251069B2. Автор: Sang-Hun Lee,Kyu-Sik Kim,Che-heung Kim,Hyung-jae Shin,Soon-cheol Kweon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-31.

Oxide semiconductor transistor having dual gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11843057B2. Автор: Jin Jang,Tae Hun Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-12-12.

Dram cell array using facing bar and method of fabricating the same

Номер патента: US20190237467A1. Автор: Jin HO KIM,Tae Gyoung Kang. Владелец: Dosilicon Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Variable resistor, non-volatile memory device using the same, and methods of fabricating the same

Номер патента: US8716690B2. Автор: Woong Kim,Seungwook KIM,Yong chan JU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-05-06.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20230207441A1. Автор: Jongyoun KIM,Eungkyu Kim,Gwangjae JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150357346A1. Автор: Chaeho Kim,Phil Ouk NAM,Junkyu Yang,Jaeyoung Ahn,Woon Kyung Lee,Jaegoo Lee,Byong-hyun JANG,Juhyung Kim,KlHYUN HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US11929316B2. Автор: Jongyoun KIM,Eungkyu Kim,Gwangjae JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Epitaxial wafer and method of fabricating the same, and electrochemical sensor

Номер патента: US20220214298A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-07.

Method of fabricating a 3-dimensional structure, mesh formwork element for fabricating a 3-dimensional structure, and method of fabricating the same

Номер патента: EP3042008A1. Автор: Norman Blank,Matthias Köhler,Fabio Matteo GRAMAZIO,Norman Peter Hack,Willi Viktor Lauer. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2016-07-13.

Strain sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20200256748A1. Автор: Dong Gyu Kim,Woo Seok Lee,Soong Ju Oh. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2020-08-13.

Epitaxial wafer, method of fabricating the same and electrochemical sensor

Номер патента: EP3966561A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-03-16.

Epitaxial wafer, method of fabricating the same and electrochemical sensor

Номер патента: WO2020223995A1. Автор: Guofu Zhou,Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-11-12.

Method of fabricating bottom chassis, bottom chassis fabricated by the method of fabricating the same, method of fabricating liquid crystal display, and liquid crystal display fabricated by the method of fabricating the same

Номер патента: US20110242446A1. Автор: Sang-Joon Park,Tae-Seok Jang,Tae-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-06.

Gate structure including multi-tunneling layer and method of fabricating the same, non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070114572A1. Автор: Byung Kim,Eun-kyung Lee,Kyung-Sang Cho,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

N-type boron-carbide semiconductor polytype and method of fabricating the same

Номер патента: US20040084690A1. Автор: Peter Dowben,Anthony Caruso,Yaroslav Losovyj. Владелец: University of Nebraska. Дата публикации: 2004-05-06.

Sintered body, method of fabricating the same, semiconductor fabricating device, and method of fabricating semiconductor fabricating device

Номер патента: US20220162083A1. Автор: Takafumi Noguchi,Chang Hwan Kim,Kenichi Nagayama,Toshihiro Iizuka. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Polycrystalline diamond compacts, methods of fabricating the same, and methods of using the same

Номер патента: US11865672B1. Автор: JIANG Qian,Kenneth E. Bertagnolli,Joshua Adam Hawks,Trevor Allen Olsen,Daniel Call Mortensen,Lindsay Sue Patton,Casey Wade Swan,Shawn Casey Scott,Matthew Kimball Baker,Anne-Grethe Slotnaes,Jason Lott. Владелец: US Synthetic Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonvolatile memory transistor having poly-silicon fin, stacked nonvolatile memory device having the transistor, method of fabricating the transistor, and method of fabricating the device

Номер патента: US7842994B2. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Young-soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240178230A1. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US20100148181A1. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-06-17.

Metallic hermetic sealing cover for a container and the method of fabricating the same

Номер патента: CA1110574A. Автор: Norman Hascoe. Владелец: Semi-Alloys Inc. Дата публикации: 1981-10-13.

Flash memory cell and method of fabricated the same

Номер патента: US6060359A. Автор: Jong-Seok Kwak. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-09.

Wafer level package and method of fabricating the same

Номер патента: US7847416B2. Автор: Dong-Ho Lee,Hyun-Soo Chung,Seong-Deok Hwang,In-Young Lee,Son-Kwan Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-07.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US7843051B2. Автор: In-Sang Song,In-Ku Kang,Kyung-Man Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-30.

Semiconductor read-only memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US5933735A. Автор: Jemmy Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-08-03.

Light Emitting Diode Employing an Array of Nanorods and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20080210956A1. Автор: Hwa Mok Kim. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-04.

Chip scale package and method of fabricating the same

Номер патента: US7176058B2. Автор: Joon Ho Yoon,Yong Chil Choi,Suk Su Bae. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-13.

Corrugated spacers for pleated air filter media and method of fabricating the same

Номер патента: CA1227444A. Автор: Richard W. Elbers, Jr.. Владелец: Cambridge Filter Corp. Дата публикации: 1987-09-29.

Package substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US20130168853A1. Автор: Jeong Suk Lee,Hyo Bin PARK,Ji Hyun Eom,Nam Gil Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Substrate including 3D nanoplasmonic composite structure, method of fabricating the same, and rapid analysis method using the same

Номер патента: US11841325B2. Автор: Dong-Ho Kim,Sung-Gyu Park,Ho-Sang JUNG,Mijeong KANG,Iris Baffour Ansah. Владелец: Korea Institute of Materials Science KIMS. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US10134836B2. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20010010381A1. Автор: Jong-Wan Jung,Jeong Nam. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-02.

Color filter of liquid crystal display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20050248699A1. Автор: Ming-Feng Tsai,Huai-An Li,Yu-Cheng Lo. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and apparatus used in fabrication thereof

Номер патента: US20190244961A1. Автор: Choong-rae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-08.

Array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US9899452B2. Автор: Hongyuan Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180219063A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Array substrate and method of fabricating the array substrate

Номер патента: US20180292718A1. Автор: Xingwu Chen,Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Package stucture and method of fabricating the same

Номер патента: US20160181193A1. Автор: Shih-Ping Hsu,Chao-Chung TSENG. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and apparatus used in fabrication thereof

Номер патента: US20170301676A1. Автор: Choong-rae Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-19.

Array Substrate and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20170229517A1. Автор: Hongyuan Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Electro-luminescence display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050057146A1. Автор: Jung Lee,Hyo Bae. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2005-03-17.

Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same

Номер патента: US9219196B2. Автор: Won Cheol Seo,Dae Sung Cho. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-22.

Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same

Номер патента: US9293664B2. Автор: Won Cheol Seo,Dae Sung Cho. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

Microneedle array module and method of fabricating the same

Номер патента: CA2424520A1. Автор: Aaron J. Fleischman,Shuvo Roy. Владелец: Shuvo Roy. Дата публикации: 2002-02-28.

Actuator assemblies, mechanical assemblies including the actuator assemblies, and methods of fabricating the same

Номер патента: CA2971619C. Автор: Daniel John Clingman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-01-03.

Semiconductor device having decoupling capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US7883970B2. Автор: Ji-Young Kim,Hyun-Ki Kim,Jung-Hwa Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor device comprising capacitor in logic circuit area and method of fabricating the same

Номер патента: US6104053A. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Photo-curable resin composition, method of patterning the same, and ink jet head and method of fabricating the same

Номер патента: US20080063978A1. Автор: Byung-Ha Park,Young-Ung Ha,Sung-Joon Park,Myong-jong Kwon. Владелец: Ha Young-Ung. Дата публикации: 2008-03-13.

Improvements in or relating to a vaned element of a hydrodynamic coupling and method of fabricating the same

Номер патента: GB669168A. Автор: . Владелец: Borg Warner Corp. Дата публикации: 1952-03-26.

Plasma display panel having trench discharge cell and method of fabricating the same

Номер патента: CA2474112A1. Автор: William Kokonaski,Dae-Il Kim. Владелец: Plasmion Displays Llc. Дата публикации: 2003-07-24.

Plasma display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20060038492A1. Автор: Jung-Suk Song. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-23.

Gradient refractive index lenses and methods of fabricating the same

Номер патента: US11693158B1. Автор: Chunlei Wang,Nezih Pala,Omena Okpowe. Владелец: Florida International University FIU. Дата публикации: 2023-07-04.

Lighting apparatus using organic light-emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US20180159071A1. Автор: Shinbok LEE,Taejoon SONG,Namkook Kim,Soonsung Yoo,Hwankeon LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor devices including through vias and methods of fabricating the same

Номер патента: US11791211B2. Автор: Taeseong Kim,Kwangjin Moon,Yi Koan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Organic light emitting display device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1737056A3. Автор: Eui-Hoon Samsung SDI Co. Ltd. Hwang,Sang-Gul Samsung SDI Co. Ltd. Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-03.

Micro light emitting device display apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US11056626B2. Автор: Yi-Min Su,Chih-Ling Wu,Shiang-Ning YANG,Bo-Wei Wu. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Microsupercapacitors and methods of fabricating the same

Номер патента: US11605507B1. Автор: Chunlei Wang,Anis Allagui,Iman Khakpour,Amin Rabiei Baboukani,Shahrzad Forouzanfar. Владелец: Florida International University FIU. Дата публикации: 2023-03-14.

Package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240021583A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Micro LED display having multi-color pixel array and method of fabricating the same based on integration with driving circuit thereof

Номер патента: US11721681B2. Автор: Sanghyeon Kim,Daemyeong GEUM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-08-08.

Micro led display having multi-color pixel array and method of fabricating the same based on integration with driving circuit thereof

Номер патента: US20210005589A1. Автор: Sanghyeon Kim,Daemyeong GEUM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-01-07.

Reel leg fixing apparatus, method of fabricating the reel leg fixing apparatus, and method of fabricating hood portion of the reel leg fixing apparatus

Номер патента: US20150272099A1. Автор: Koichi Ito,Hideyuki Naito,Katsuhiro Oikawa. Владелец: Globeride Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Massaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240024193A1. Автор: Leisheng Yan. Владелец: Shenzhen Qileyuan Health Products Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Photomask, method of fabricating the same, and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20200225572A1. Автор: Hoon Kim,Sangjin Kim,Heebom Kim,Jinseok Heo,Yigwon Kim,Heeyoung GO,Hong-Seock CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US9337121B2. Автор: Chi Hoon Jun,Sang Choon KO,Young Rak PARK,Jae Kyoung Mun,Eun Soo Nam,Seok-Hwan Moon,Woojin CHANG,Sung-Bum BAE,Je Ho NA. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230387059A1. Автор: Changbo Lee,Joon Seok OH,Kwanhoo Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Core-shell nanoparticle, method of fabricating the same and gas sensor using the same

Номер патента: US20150047417A1. Автор: Moon Youn Jung,Dae Sik Lee,Hyung Ju Park,Hyuntae KANG,Nak Jin CHOI,Kang Hyun PARK. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2015-02-19.

Integrated fan-out package and method of fabricating the same

Номер патента: US20200118934A1. Автор: Yi-Wen WU,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Liquid crystal phase shifter, phase shifting method, and method of fabricating the liquid crystal phase shifter

Номер патента: US20190243191A1. Автор: Hong Zhu,Haiyan Sun,Rui Li,Mingxing Liu,Pengju ZHANG,Hao Miao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210104527A1. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220285356A1. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor structure including metal silicide buffer layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150061030A1. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Dong-Soo Lee,Seong-Ho Cho,Moon-seung YANG,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-05.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20180076109A1. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Organic light-emitting display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20160133676A1. Автор: Geun Tak Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120107980A1. Автор: Tae Joon Song,Jin Wuk Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Puncture-Healing Thermoplastic Resin Carbon-Fiber-Reinforced Composites and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20180051147A1. Автор: Roberto J. Cano,Keith L. Gordon,Brian W. Grimsley,Michael W. Czabaj,Emile J. Siochi. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2018-02-22.

Puncture-healing thermoplastic resin carbon-fiber-reinforced composites and method of fabricating the same

Номер патента: US10450432B2. Автор: Emilie J. Siochi,Roberto J. Cano,Keith L. Gordon,Brian W. Grimsley,Michael W. Czabaj. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2019-10-22.

Method Of Forming Polysilicon, Thin Film Transistor Using The Polysilicon, And Method Of Fabricating The Thin Film Transistor

Номер патента: US20130126880A1. Автор: Jun-hee Choi,Andrei Zoulkarneev. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180040558A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Printed circuit board and method of fabricating the same

Номер патента: US20080296055A1. Автор: Jun Heyoung Park,Jee Soo Mok. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Power Module Having Stacked Flip-Chip and Method of Fabricating the Power Module

Номер патента: US20100155914A1. Автор: O-seob Jeon,Seung-won Lim,Yun-Hwa Choi,Joon-Seo Son,Keun-kyuk Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-24.

Package and method of fabricating the same

Номер патента: US11817426B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150332955A1. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-19.

Solid state image pickup device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050247991A1. Автор: Yasushi Maruyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-11-10.

Photomask, method of fabricating the same, and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US11086210B2. Автор: Hoon Kim,Sangjin Kim,Heebom Kim,Jinseok Heo,Yigwon Kim,Heeyoung GO,Hong-Seock CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-10.

Method for manufacturing n-type and p-type chalcogenide material, doped homojunction chalcogenide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: EP2068368A3. Автор: Kibong Song,Sangsu Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2009-08-05.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230422475A1. Автор: LING Li,Tsun-Min Cheng,Ronghui Lin,Wen-Yi Teng,Liandie Zhuang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Electronic device and methods of fabricating the same

Номер патента: US20180019347A1. Автор: Doo Hyeb Youn,Young-Jun Yu,Sun Jin Yun,Changbong YEON. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-01-18.

Display apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US11990499B2. Автор: Yi-Chun Shih,sheng-yuan Sun,Chun-Ming Tseng,Loganathan Murugan. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11950405B2. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240170458A1. Автор: Ae-nee JANG,Min Seung Ji,Ha Seob Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Optical cable assemblies having filler optical fibers and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240036270A1. Автор: Michael John Gimblet,Alvin John Mcdonald. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Conduits for transporting fluids and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210164592A1. Автор: John P. Leuer,Tony DI CARLO,Brian T. Vaniman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-06-03.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160276585A1. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn,H.S. Philip Wong. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210104526A1. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US20170184930A1. Автор: Guohe LIU,Xiufen Zhu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230345724A1. Автор: Li-Wei Feng,Huixian Lai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20190355741A1. Автор: SANGHOON Lee,Joonsuk Lee,Seulye KIM,Sunggil Kim,Hyeeun HONG,Hwaeon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-21.

Ultra-thin touch panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20190073057A1. Автор: Jong Hyun Ahn,Minpyo KANG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2019-03-07.

Quad-flat-non-lead (qfn) semiconductor package, method of fabricating the same, and mask sheet for manufacturing the same

Номер патента: MY193624A. Автор: Chang-Hoon Sim,Sung-Hwan Choi,In-Hyuk Hwang. Владелец: Ihn Laboratories Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Submount substrate for mounting a light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1615268A3. Автор: Geun ho Kim,Chil Keun Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-09-03.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20170076975A1. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Pressure sensor including laterally arranged electrodes on coplanar surface, method of fabricating the same, and multiaxial tactile sensor using the pressure sensor

Номер патента: US20180266898A1. Автор: Min-Ho Seo,Jun-Bo Yoon,Jae-Young YOO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-09-20.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230317769A1. Автор: Yong Hoon Yang,Min Suk Ko,Si Kwang Kim,Kab Jong Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

WAVEGUIDES SUCH SiGeC WAVEGUIDES AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: EP1453992A1. Автор: Arkadii V. Samoilov,Dean E. Berlin. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-09-08.

WAVEGUIDES SUCH SiGeC WAVEGUIDES AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: WO2003050330A1. Автор: Arkadii V. Samoilov,Dean E. Berlin. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2003-06-19.

WAVEGUIDES SUCH SiGeC WAVEGUIDES AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: EP1453992A4. Автор: Arkadii V Samoilov,Dean E Berlin. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-06-20.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060263951A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-23.

Interconnection structure, method of fabricating the same, and semiconductor package including interconnection structure

Номер патента: US12014977B2. Автор: Dongwoo Kim,Un-Byoung Kang,Chungsun Lee,Ji-Seok HONG,Hyunah KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device mitigating parasitic capacitance and method of fabricating the same

Номер патента: US12014953B2. Автор: Fei Lin. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Dye-sensitized solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: US8809104B2. Автор: Yong-Seok Jun,Hunkyun Pak,Jong-Dae Kim,Ho-gyeong Yun,Man-Gu Kang,Seung-Yup LEE,Jong-Hyeok Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-08-19.

Light emitting diode having a thermal conductive substrate and method of fabricating the same

Номер патента: WO2007001124A1. Автор: Jae Ho Lee. Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-01-04.

Light emitting device having plurality of non-polar light emitting cells and method of fabricating the same

Номер патента: US8183072B2. Автор: Won Cheol Seo,Kyung Hee Ye,Kwang Choong Kim. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20230008059A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor probe with resistive tip and method of fabricating the same

Номер патента: EP1681548A1. Автор: Ju-Hwan Jung,Hyung-Cheol Shin,Hyoung-Soo Ko,Seung-Bum 507-1305 Hayan Maeul HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-19.

Saturated polyester bottle-shaped container with hard coating and method of fabricating the same

Номер патента: CA1138355A. Автор: Hideo Kushida,Akikazu Kosugi,Hiromi Nagayama. Владелец: Yoshino Kogyosho Co Ltd. Дата публикации: 1982-12-28.

Transparent electrode having thermal stability, method of fabricating the same and dye-sensitized solar cell comprising the same

Номер патента: EP1675185A1. Автор: Ji-won Lee,Kwang-Soon Ahn,Jae-Man Choi,Byong-Cheol Shin,Wha-Sup Legal & IP Team Lee,Joung-Won Legal &IP Team Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-28.

Cesium vapor emitter and method of fabrication the same

Номер патента: US20030141187A1. Автор: Steven Kim,Minho Sohn,Seungdeok Kim. Владелец: Plasmion Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

Composite copper foil and method of fabricating the same

Номер патента: WO2020173574A1. Автор: Thomas DEVAHIF,Zainhia KAIDI,Adrien KERSTEN,Michel Streel. Владелец: Circuit Foil Luxembourg. Дата публикации: 2020-09-03.

Light emitting device having isolating insulative layer for isolating light emitting cells from each other and method of fabricating the same

Номер патента: US20110086453A1. Автор: Dae Sung Kal,Dae Won Kim. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-14.

Thin film transistor, method of fabricating the same, and organic light emitting diode display device having the same

Номер патента: US20100224882A1. Автор: Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Kil-won Lee,Jae-Wan Jung,Tae-Hoon Yang,Maxim Lisachenko. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-09.

Apparatus for measuring electrophysiological signal of three-dimensional cell and method of fabricating the same

Номер патента: US20210403845A1. Автор: Joo-Hyeon LEE,Hyunjoo Lee,Chaeyun Shim,Yehhyun Jo,Kiup Kim,Eunyoung Jang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US9640513B2. Автор: JONGHO LEE,Chul-Yong JANG,Seokhyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Touch screen panel and method of fabricating the same

Номер патента: EP2209063A2. Автор: Dong-Wook Kang,Chang-yong Lee,Seong-Je Huang,Tae-Hyeong Kim,Jung-Mok Park,Sun-Haeng Cho,Jin-Yeol Kim,In-Won Jang. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-21.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20070141767A1. Автор: Byoung-Keon Park,Keun-soo Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US7989820B2. Автор: Sang Youl Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-02.

Lighting apparatus using organic light-emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US10135019B2. Автор: Shinbok LEE,Taejoon SONG,Namkook Kim,Soonsung Yoo,Hwankeon LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Organic light emitting diode having emission layer with host, emitting dopant and auxiliary dopant and method of fabricating the same

Номер патента: US9263692B2. Автор: Hye-In Jeong,Young-Mo Koo,Min-Woo Lee,Ok-Keun Song,Sung-Jin Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Display substrate, method of fabricating the same, and liquid crystal display device having the same

Номер патента: US20070279542A1. Автор: Hyun Park,Dong-Gyu Kim,Min-Wook Park,Yong-Woo Lee,In-Ho Park,Jeong-Ho Lee,Young-Goo Song,In-Woo Kim,Min-Hyung Choo,Kyung-Suk Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Nonvolatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060226505A1. Автор: Yoo-Cheol Shin,Jung-Dal Dhoi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US9893281B2. Автор: Hideki Horii,Jeonghee Park,Sugwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Organic light emitting display having touch sensor and method of fabricating the same

Номер патента: EP3291069A1. Автор: Jae-young Oh,Jae-won Lee,Min-Joo Kim,Eun-Hye Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US5019891A. Автор: Tatsuo Itagaki,Shinichi Fukada,Kunio Miyazaki,Jin Onuki,Yasushi Koubuchi,Katuhiko Shiota,Genji Taki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-05-28.

Active matrix organic electroluminescence display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20030122497A1. Автор: Tae-Joon Ahn,Doo-Hyun Ko. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Light emitting device having plurality of non-polar light emitting cells and method of fabricating the same

Номер патента: US20100163900A1. Автор: Won Cheol Seo,Kyung Hee Ye,Kwang Choong Kim. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070134914A1. Автор: Sang-Woo Lee,Kyung-In Choi,Jong-Won Hong,Seung-Gil Yang,Hyun-Bae Lee,Seong-hwee Cheong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Organic light emitting display device with trap for foreign substance and method of fabricating the same

Номер патента: US8018141B2. Автор: Eun-ah Kim. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-13.

Mos device and method of fabricating the same

Номер патента: US5969388A. Автор: Toshiyuki Kishi. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-19.

Organic light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: EP2863447A3. Автор: Myungseop Kim,SungJin Hong,Joongsun Yoon,Younghoon Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-01.

Organic light-emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US7695337B2. Автор: Chih-Hung Su. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-04-13.

Semiconductor memory devices including an air gap and methods of fabricating the same

Номер патента: US9166012B2. Автор: Jong-Min Lee,Jinhyun Shin,Jae-Hwang Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7981790B2. Автор: Teruhiko Kumada,Naoki Yasuda,Masazumi Matsuura,Kinya Goto,Hideharu Nobutoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: EP2816614A1. Автор: Sang Youl Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-24.

Transmissive optical shutter and method of fabricating the same

Номер патента: US10205861B2. Автор: Sanghun Lee,Changyoung PARK,Yonghwa PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-12.

Flexible panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20210408410A1. Автор: Mei-Ling Chou,Chia-Yu Liu,Yen-Chung Chen. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Capillary electrode discharge plasma display panel device and method of fabricating the same

Номер патента: CA2336614A1. Автор: Steven Kim,Erich E. Kunhardt. Владелец: Plasmion Displays, Llc. Дата публикации: 2000-01-13.

Organic electroluminescent array exposure head, method of fabricating the same, and image forming apparatus using the same

Номер патента: EP1275513A1. Автор: Yoshiro Koga,Yujiro Nomura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-15.

Organic light-emitting display device and method of fabricating the same

Номер патента: US9349982B2. Автор: Chaun Gi Choi,Hui Won Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Optical member, display device having the same, and method of fabricating the same

Номер патента: EP2734876A1. Автор: Kyung Jin Kim,Jae Hong Lee,Soon Young Hyun,Ja Ram Kim,June Roh. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-28.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: WO2009002040A3. Автор: Sang Youl Lee. Владелец: Sang Youl Lee. Дата публикации: 2009-02-26.

Light emitting device having zener diode therein and method of fabricating the same

Номер патента: US7772600B2. Автор: Duck Hwan Oh,Sang Joon Lee,Kyung Hae Kim. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-10.

Storage node, phase change random access memory and methods of fabricating the same

Номер патента: US20070200108A1. Автор: Ki-Joon Kim,Jin-seo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-30.

Germanium based metal-insulator transition thin film, metal-insulator transition device including the metal-insulator transition thin film, and method of fabricating the metal-insulator transition device

Номер патента: WO2009017305A1. Автор: Hyun-Tak Kim,Yong-Wook Lee,Bong-Jun Kim,Sung-Youl CHOI,Jae-Yeob Shim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor device having a plurality of stacked transistors and method of fabricating the same

Номер патента: US20110014754A1. Автор: Chang-Min Hong,Soon-Moon Jung,Han-Byung Park,Hoon Lim,Jae-Joo Shim,Byoung-Keun Son,Cha-Dong Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US7608869B2. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-27.

Terahertz transceiver and method of fabricating the same

Номер патента: WO2023163697A1. Автор: Wei-Chih Wang,Karthikraj Muthuramalingam,Fiona Marie WANG. Владелец: WANG WEI CHIH. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230337415A1. Автор: Yoosang Hwang,MinSu CHOI,Keunnam Kim,Myeong-Dong LEE,Hyeon-Woo Jang,Sooho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Image sensor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240072084A1. Автор: Minsun Keel,Youngjae CHOI,Sungho Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US11923343B2. Автор: Jin-woo Park,Jae-Eun Lee,Jaekyung Yoo,Jayeon LEE,Yeongkwon Ko,Teak Hoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor memory device including channel pillar with junction and method of fabricating the semiconductor memory device

Номер патента: US11937421B2. Автор: Nam Kuk KIM,Ki Chang JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Three-dimensional semiconductor memory device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230247834A1. Автор: Gukhyon Yon,Soyeong AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor memory device, method of fabricating the same, and electronic system including the same

Номер патента: EP4284142A1. Автор: JUNG Tae Sung,Moo Rym CHOI,Yun Sun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160293705A1. Автор: Jae-Young Park,Sun-Young Lee,Dong-Hun Lee,Bon-young Koo,Jae-jong Han,Han-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200312836A1. Автор: Hiroyuki Tanaka,Masahiko Higashi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Wafer stacked package having vertical heat emission path and method of fabricating the same

Номер патента: US7626261B2. Автор: Joong-hyun Baek,Hee-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11832435B2. Автор: Chih-Wei Huang,Hsu-Cheng Fan,En-Jui Li,Chih-Yu YEN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11888042B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220238518A1. Автор: Jae Hyun Park,Heonjong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-28.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20150249095A1. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Byung-Ho Lee,Jin-Hae Choi,Joo-Hee Han,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-03.

Light emitting element, display device including the same, and method of fabricating the display device

Номер патента: US20230135600A1. Автор: Jin Woo Choi,Duk Sung Kim,Dae ho Song,Soo Chul Kim,Jin Taek Park,Byeong Hwa CHOI. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Organic light-emitting display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200212134A1. Автор: Sang-Bin Lee,Yun-Joo CHO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11804459B2. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Package structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210391322A1. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11856753B2. Автор: Hyun-Jung Lee,Joon-seok Moon,Dongsoo Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US10615077B2. Автор: Po-An Chen,Vivek Ningaraju,Ching-Yuan LIAO. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Semiconductor package including an image sensor chip and a method of fabricating the same

Номер патента: US20220254827A1. Автор: Yoonha JUNG,Chajea JO,Chungsun Lee,Yonghoe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor package including an image sensor chip and a method of fabricating the same

Номер патента: US11824076B2. Автор: Yoonha JUNG,Chajea JO,Chungsun Lee,Yonghoe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-21.

Antifuse of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20150147859A1. Автор: Yeong Eui Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Spin-orbit torque-based switching device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210119117A1. Автор: Young Keun Kim,Gyu Won KIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2021-04-22.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20210159278A1. Автор: Minwoo Kim,Jaejin Lyu,Hyung-il Jeon,Donghee Lee,Junwoo Lee,Taekjoon Lee,Baek Hee Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20230005997A1. Автор: Minwoo Kim,Jaejin Lyu,Hyung-il Jeon,Donghee Lee,Junwoo Lee,Taekjoon Lee,Baek Hee Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US11462595B2. Автор: Minwoo Kim,Jaejin Lyu,Hyung-il Jeon,Donghee Lee,Junwoo Lee,Taekjoon Lee,Baek Hee Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-04.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11778807B2. Автор: Jungwoo Song,Jun Ho Lee,Yong Kwan Kim,Kwangmin Kim,Sangyeon HAN,Hyuckjin Kang,Seguen Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device including high electron mobility transistor or high hole mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US11830940B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220262790A1. Автор: Mirco Cantoro,Dong Il Bae,Ho-jun Kim,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-18.

Integrated fan-out package and method of fabricating the same

Номер патента: US20180096942A1. Автор: Ming-Yen Chiu,Hsin-Chieh Huang,Ching-Fu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Solar cell apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: WO2013094945A1. Автор: Jin Woo Lee. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20160093545A1. Автор: Hyeon Hwang,Cheol-woo Lee,Kang Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-31.

Light emitting diode having multi-junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150028356A1. Автор: Dong-Seon Lee,Chang Mo KANG,Dukjo KONG. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor package having a molding layer including a molding cavity and method of fabricating the same

Номер патента: US10361177B2. Автор: Junwoo PARK,Seung Hwan Kim,Hyunki Kim,Yun-young Kim,Sangsoo Kim,Pyoungwan Kim,Sung-Kyu Park,Insup Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-23.

Semiconductor memory device, method of fabricating the same, and electronic system including the same

Номер патента: US20230371255A1. Автор: JUNG Tae Sung,Moo Rym CHOI,Yun Sun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Package substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US20180323143A1. Автор: Dyi-chung Hu,Yu-Hua Chen,Wei-Chung Lo,Chang-Hong Hsieh. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Package substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US20170194249A1. Автор: Dyi-chung Hu,Yu-Hua Chen,Wei-Chung Lo,Chang-Hong Hsieh. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240030304A1. Автор: Wandon Kim,Munhyeon Kim,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor chip including buried dielectric pattern at edge region, semiconductor package including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US11848285B2. Автор: YoungMin Lee,Sungdong CHO,Inyoung LEE,Kwangwuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US11791362B2. Автор: Kwan Hee Lee,Sang-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Package-on-package type semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US10068881B2. Автор: Heungkyu Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-04.

Transient-voltage-suppression (TVS) diode device and method of fabricating the same

Номер патента: US10381341B2. Автор: Po-An Chen,Vinay Suresh. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Semiconductor package including an image sensor chip and a method of fabricating the same

Номер патента: US20210028217A1. Автор: Yoonha JUNG,Chajea JO,Chungsun Lee,Yonghoe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150206845A1. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240030389A1. Автор: Jae Ho Choi,Tae Gyun Kim,Dae ho Song,Ki Beom Lee,Soo Chul Kim,So Young YEO,Jin Taek Park,Eok Yi LEE,Seong Won Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20160086903A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Ching-Wen Chiang,Hsien-Wen Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Scintillator, method of fabricating the same and x-ray detector including the scintillator

Номер патента: US20140070105A1. Автор: Kyung Soo Lee,Jang Won Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Scintillator, method of fabricating the same and X-ray detector including the scintillator

Номер патента: US9146324B2. Автор: Kyung Soo Lee,Jang Won Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-29.

Semiconductor packages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20170047264A1. Автор: OLEG Feygenson,Sang Il Kim,Youngbae Kim,Jungsu Ha,Yunhyeok Im,Jichul Kim,Seungkon Mok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor chips having redistributed power/ground lines directly connected to power/ground lines of internal circuits and methods of fabricating the same

Номер патента: US20120104627A1. Автор: Jong-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor chips having redistributed power/ground lines directly connected to power/ground lines of internal circuits and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060220215A1. Автор: Jong-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-05.

Engineered aluminum alloy and method of fabricating the same

Номер патента: US20170240998A1. Автор: Dong Hyun Bae,Je Heon Jeon,Se Eun Shin. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2017-08-24.

Transparent conductive oxide thin film substrate, method of fabricating the same, and organic light-emitting device and photovoltaic cell having the same

Номер патента: US20140026952A1. Автор: Seo Hyun Kim,Hyunhee Lee,Young Zo Yoo,Gun Sang Yoon. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

An absorber, a detector comprising the absorber, and a method of fabricating the absorber

Номер патента: GB2592094A. Автор: Hutson David,GIBSON DESMOND,SONG SHIGENG. Владелец: University of the West of Scotland. Дата публикации: 2021-08-18.

Solar cell module apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US20140246091A1. Автор: Bong Seok Moon. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-04.

Light-emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120261679A1. Автор: JeongWoo Park,Gun Sang Yoon,Seohyun Kim,YoungZo Yoo,Taejung Park. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Light-emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US8828766B2. Автор: JeongWoo Park,Gun Sang Yoon,Seohyun Kim,YoungZo Yoo,Taejung Park. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-09.

Semiconductor Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20150061155A1. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,YuJeong Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-05.

Thermal image sensor with chalcogenide material and method of fabricating the same

Номер патента: US20120132804A1. Автор: Dong-Seok Suh,Tae-Yon Lee,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-31.

Pellicle for euv lithography and method of fabricating the same

Номер патента: US20180259845A1. Автор: Ju-hee Hong,Chang-hun Lee,Kee-Soo Nam,Chul-Kyun PARK. Владелец: S&S Tech Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240071818A1. Автор: Yao-Jhan Wang,Chun-jen Huang,Te-Chang Hsu,Meng-Yun Wu,I-Wei Chi. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Organic light-emitting diode (oled) display and method of fabricating the same

Номер патента: US20180212185A1. Автор: Do-Hoon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Image sensor with deep well region and method of fabricating the image sensor

Номер патента: WO2005046207A2. Автор: James Robert Janesick,Eugene L Dines,Mark S Muzilla,Maryn G Stapelbroek. Владелец: Sarnoff Corporation. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor probe with resistive tip and method of fabricating the same, and information recording apparatus, information reproducing apparatus, and information measuring apparatus having the semiconductor probe

Номер патента: EP1502296A1. Автор: Ju-Hwan Jung,Hong-Sik Park,Hyun-Jung 314-1404 Kachi Maeul Sinwon Apt. SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-02.

Semiconductor probe with resistive tip and method of fabricating the same, and information recording apparatus, information reproducing apparatus, and information measuring apparatus having the semiconductor probe

Номер патента: EP1502296A4. Автор: Ju-Hwan Jung,Hong-Sik Park,Hyun-jung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-05.

Semiconductor device having align key and method of fabricating the same

Номер патента: US7129591B2. Автор: Sung-Ho Kim,Myeong-Cheol Kim,Jin-Hee Kim,Doo-Youl Lee,Sung-woo Lee,Sang-Su Kim,In-Wook Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-31.

Memory cell array having ferroelectric capacitors, method of fabricating the same, and ferroelectric memory device.

Номер патента: US6617627B2. Автор: Eiji Natori,Tatsuya Shimoda,Koichi Oguchi,Kazumasa Hasegawa,Takao Nishikawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-09-09.

Neutron Detectors and Methods of Fabricating the Same Using Boron as Neutron Conversion Layer and Conformal Doping Source

Номер патента: US20230065803A1. Автор: Jesus Alfonso Caraveo Frescas,Siddartha Srinivasan Nandagopala Krishnan,Carlos Hugo Avila-Avendano,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2023-03-02.

Package-on-package type semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20170194299A1. Автор: Heungkyu Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor chips having redistributed power/ground lines directly connected to power/ground lines of internal circuits and methods of fabricating the same

Номер патента: US20090212414A1. Автор: Jong-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor device with bipolar transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20070166939A1. Автор: Bong-GiI Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-19.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20200303638A1. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20130221417A1. Автор: Se-Woong Park,Kilho Lee,Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-08-29.

Display apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US20210217806A1. Автор: Peng-Bo Xi,Chun-Cheng Cheng. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2021-07-15.

Tetraode field-emission display and method of fabricating the same

Номер патента: US20050231098A1. Автор: Kuo-Rong Chen,Jin-Shou Fang,Kuei-Wen Cheng. Владелец: Teco Nanotech Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-20.

Molecular electronic device including organic dielectric thin film and method of fabricating the same

Номер патента: US20080054256A1. Автор: Junghyun Lee,Hyoyoung Lee,Jonghyurk Park,Nak Jin CHOI,Gyeong Sook BANG,Ja Ryong KOO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-03-06.

Cobalt-tungsten alloy and method of fabricating the same

Номер патента: US20240026496A1. Автор: Young Keun Kim,Jun Hwan MOON,Yoo Sang Jeon,Eun Min YOO. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240040773A1. Автор: Tsuo-Wen Lu,Mingqin Shangguan,Changfu Ye,Xiqin Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor packages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20180269126A1. Автор: OLEG Feygenson,Sang Il Kim,Youngbae Kim,Jungsu Ha,Yunhyeok Im,Jichul Kim,Seungkon Mok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11887977B2. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11935924B2. Автор: Dong Il Bae,Beomjin PARK,Noh Yeong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Split gate type nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060244042A1. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-02.

Split gate type nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080318406A1. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor package including an electromagnetic shield and method of fabricating the same

Номер патента: US11942437B2. Автор: Youngwoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11980018B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Light-emitting element ink, display device, and method of fabricating the display device

Номер патента: US11935876B2. Автор: Duk Ki Kim,Chang Hee Lee,Hyo Jin Ko,Jun Bo SIM,Na Mi HONG,Yong Hwi Kim,Jae kook Ha,Chan Woo JOO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070166953A1. Автор: Hyung Sun Yun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Dual-side micro gas sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20140175570A1. Автор: Hyung-Kun Lee,Jaewoo Lee,Seungeon Moon,Nak Jin CHOI. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: EP4002448A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-25.

EUVL reflection device, method of fabricating the same, and mask, projection optics system and EUVL apparatus using the EUVL reflection device

Номер патента: US20070031741A1. Автор: Hoon Kim,I-hun Song,Young-soo Park,Suk-pil Kim,Seung-hyuk Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-08.

Image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20110198717A1. Автор: Yun-Ki Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-18.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US11758776B2. Автор: Duk Young JEONG,Byeong Seong SO,Chui Nam. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Germanium based metal-insulator transition thin film, metal-insulator transition device including the metal-insulator transition thin film, and method of fabricating the metal-insulator transition device

Номер патента: US20110233616A1. Автор: Hyun-Tak Kim,Yong-Wook Lee,Bong-Jun Kim,Sung-Youl CHOI,Jae-Yeob Shim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-09-29.

Gate-all-around (gaa) transistors with shallow source/drain regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220037493A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Centrifugal force based microfluidic device, biochemical treatment system having the same, and method of fabricating the microfluidic device

Номер патента: US20100233801A1. Автор: Su-bong Bae,Chung-ung Kim,Ki-Ju Lee,Jong-Jin Park,Dong-hwi Cho,Jong-Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074250A1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Tsen Lu,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: WO2010147392A3. Автор: Sung Bum Choi,Suk Jae Jee. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2011-04-14.

Light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: EP2405495A3. Автор: Hwan Hee Jeong,Sang Youl Lee,Ji Hyung Moon,June O Song,Kwang Ki CHOI,Se Yeon Jung,Tae Yeon Seong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-10.

Organic light emitting display device and method of fabricating the same

Номер патента: US7511309B2. Автор: Hyun-Eok Shin. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-31.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: WO2013019029A1. Автор: Se Han Kwon,Chul Hwan Choi. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2013-02-07.

Semiconductor devices including support pattern and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220130950A1. Автор: Yoosang Hwang,Sangho Lee,Jae-Hwan CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor package including an electromagnetic shield and method of fabricating the same

Номер патента: US20230245981A1. Автор: Youngwoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11804530B2. Автор: Wandon Kim,Munhyeon Kim,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11995391B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223478A1. Автор: Sang Sub KIM,Yong Su LEE,Myoung Geun CHA,Sang Gun Choi,Keun Woo Kim,Ji Yeong SHIN,Ki Seok Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor devices with scalable two transistor memory cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20040227173A1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Su-Jin Ahn,Hyoung-Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Tunable photonic device with liquid crystal elastomer microactuators and method of fabricating the same

Номер патента: US11377345B2. Автор: Hongrui Jiang,Jae-Jun Kim. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-07-05.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210066583A1. Автор: Taeho Kim,Woo Young Park,Hyunchul SOHN,Jinyeol LEE. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2021-03-04.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11825755B2. Автор: Taeho Kim,Woo Young Park,Hyunchul SOHN,Jinyeol LEE. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140035048A1. Автор: Myeongcheol Kim,Sanghyun Lee,Cheol Kim,Hak-sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-06.

Raman detecting chip, method of fabricating the same and raman spetroscopy detecting system using such raman detecting chip

Номер патента: US20230349763A1. Автор: Wei-Cheng Lin,TaJen YEN,Fang Jing LEE. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-11-02.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US7816858B2. Автор: Hoon Kim,Beohm-Rock Choi,Kyong-Tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-19.

Resistive random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US11793095B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shih-Ning TSAI,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Drug carrier and method of fabricating the same

Номер патента: US20180169030A1. Автор: Shao-Hua Wang,Fan-Gang Tseng,Chia-Wei Kang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-06-21.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200152654A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Wafer stacked package waving bertical heat emission path and method of fabricating the same

Номер патента: US20120001348A1. Автор: Joong-hyun Baek,Hee-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240147771A1. Автор: Dong Gyu JIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US11985882B2. Автор: Minwoo Kim,Jaejin Lyu,Hyung-il Jeon,Donghee Lee,Junwoo Lee,Taekjoon Lee,Baek Hee Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US10811607B2. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

Electronic chip and method of fabricating the same

Номер патента: US20140167070A1. Автор: Sang Choon KO,Young Rak PARK,Jae Kyoung Mun,Eun Soo Nam,Jong-Won Lim,Hokyun Ahn,Byoung-Gue Min,Sung-Bum BAE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210035971A1. Автор: Jae Hyun Park,Heonjong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Carbon Dots Emitting Light Having Multiple Colors and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20220333009A1. Автор: Dohyun Kim,Hyojeong YOO,Byeong Eun KWAK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210134785A1. Автор: Wootae Kim,SangDo Park,Jun SEOMUN,Hyungock KIM,Jaewan Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20210366876A1. Автор: Jin-woo Park,Jae-Eun Lee,Jaekyung Yoo,Jayeon LEE,Yeongkwon Ko,Teak Hoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240162194A1. Автор: Jin-woo Park,Jae-Eun Lee,Jaekyung Yoo,Jayeon LEE,Yeongkwon Ko,Teak Hoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Light-emitting element ink, display device, and method of fabricating the display device

Номер патента: US20240178201A1. Автор: Duk Ki Kim,Chang Hee Lee,Hyo Jin Ko,Jun Bo SIM,Na Mi HONG,Yong Hwi Kim,Jae kook Ha,Chan Woo JOO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20190206735A1. Автор: Po-An Chen,Vivek Ningaraju,Ching-Yuan LIAO. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200227419A1. Автор: Inho Kim,Jonghyuk Park,Yanghee Lee,Byoungho Kwon,Jin-Woo Bae,Inseak Hwang,Hyesung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Antenna and methods of fabricating the antenna and a resonator of the antenna

Номер патента: US11387565B2. Автор: Stella W. Pang,Kwai-Man Luk,Shuyan Zhu,Yuanlong Li. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2022-07-12.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US11973078B2. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor devices including through vias and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220199469A1. Автор: Taeseong Kim,Kwangjin Moon,Yi Koan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240153999A1. Автор: Yajie CHENG. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230395541A1. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070102707A1. Автор: Yong-In Park,Seok-Woo Lee. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconducor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240049476A1. Автор: Euipil Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180158781A1. Автор: Young Hun Kim,Byung Hee Kim,Rak Hwan Kim,Eun Ji Jung,Gyeong Yun Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230051074A1. Автор: Min Woo Kim,Jin Woo Choi,Hae Yun CHOI,Sung Kook PARK,Sung Eun BAEK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20230420477A1. Автор: Kwan Hee Lee,Sang-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159980A1. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP3979329A3. Автор: Wandon Kim,Munhyeon Kim,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230422481A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Magnetic memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200168664A1. Автор: Juhyun Kim,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor devices and CMOS image sensors having a shielding wall, electronic apparatuses having the same and methods of fabricating the same

Номер патента: US20100224918A1. Автор: Eun-Gyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-09.

Color Filter Substrate for Liquid Crystal Display and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20080252831A1. Автор: Suk Choi,Yoon Seok Choi,Dae Suk Kim,Cheol Hwan Lee. Владелец: Boe Hydis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor device having recess gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20090321821A1. Автор: Young-Kyun Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Stacked gate flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20040108542A1. Автор: Chung-Lin Huang,Chi-Hui Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Semiconductor package, semiconductor bonding structure, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240120316A1. Автор: Yu-Jie Lin,Kai-Kuang Ho,Yi-Feng Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Organic light-emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US20070145890A1. Автор: Jui-Hsing Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device having align key and method of fabricating the same

Номер патента: US20050104229A1. Автор: Sung-Ho Kim,Myeong-Cheol Kim,Jin-Hee Kim,Doo-Youl Lee,Sung-woo Lee,Sang-Su Kim,In-Wook Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-19.

Optical device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100303435A1. Автор: Gyungock Kim,Duk Jun Kim,Sahnggi Park,Kap-Joong Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-12-02.

Neutron detectors and methods of fabricating the same using boron as neutron conversion layer and conformal doping source

Номер патента: EP4097772A1. Автор: Jesus Alfonso Caraveo Frescas,Siddartha Srinivasan Nandagopala Krishnan,Carlos Hugo Avila-Avendano,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2022-12-07.

Neutron detectors and methods of fabricating the same using boron as neutron conversion layer and conformal doping source

Номер патента: WO2021155202A1. Автор: Jesus Alfonso Caraveo Frescas,Siddartha Srinivasan Nandagopala Krishnan,Carlos Hugo Avila-Avendano,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2021-08-05.

Image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20230411415A1. Автор: Changkeun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150017743A1. Автор: Kilho Lee,Ki Joon Kim,Se Woong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-15.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: EP4355049A1. Автор: Jae-Hwang Sim,Hyeongjin Kim,Seungjun Shin,Minsoo SHIN,Jeehoon HAN,Heesuk KIM,Jongseon Ahn,Sanghun Chun,Seung Yoon Kim,Yejin PARK,Sehee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-17.

Resistive random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20220216401A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shih-Ning TSAI,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Fluid injection device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060170731A1. Автор: Hung-Sheng Hu,In-Yao Lee,Kuo-Tong Ma. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2006-08-03.

Tetraode field-emission display and method of fabricating the same

Номер патента: US20050231090A1. Автор: Chih-Che Kuo,Kuo-Rong Chen,Jin-Shou Fang,Kuei-Wen Cheng,Te-Fong Chan. Владелец: Teco Nanotech Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230307435A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Mos transistors having optimized channel plane orientation, semiconductor devices including the same, and methods of fabricating the same

Номер патента: US20070069255A1. Автор: Il-Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor package including an electromagnetic shield and method of fabricating the same

Номер патента: US20240203903A1. Автор: Youngwoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240130123A1. Автор: Jae-Hwang Sim,Hyeongjin Kim,Seungjun Shin,Minsoo SHIN,Jeehoon HAN,Heesuk KIM,Jongseon Ahn,Sanghun Chun,Seung Yoon Kim,Yejin PARK,Sehee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor memory device and method of fabricating the semiconductor memory device

Номер патента: US20240206160A1. Автор: Nam Kuk KIM,Ki Chang JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240204054A1. Автор: Dong Il Bae,Beomjin PARK,Noh Yeong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240206153A1. Автор: Shuxian Wu,Huihuang TANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20100167456A1. Автор: Yun-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-01.

Image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US7939362B2. Автор: Yun-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-10.

Random number generator and method of fabricating the same

Номер патента: US20200310759A1. Автор: Euk Jin Alexander LING,James Anthony GRIEVE. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2020-10-01.

Lighting emitting device package and method of fabricating the same including a plating layer at an outer circumference of the package body

Номер патента: US8203163B2. Автор: Jin Soo Park,Geun ho Kim,Bum Chul Cho,Sung Jin Son. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-19.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: EP2443660A2. Автор: Sung Bum Choi,Suk Jae Jee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-25.

Probe card and method of fabricating the same

Номер патента: WO2007049878A1. Автор: Oug-Ki Lee,Seong-Hoon Jeong,Kyu-Hyun Shin. Владелец: Phicom Corporation. Дата публикации: 2007-05-03.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: EP2737549A1. Автор: Se Han Kwon,Chul Hwan Choi. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-04.

Multi-well CMOS image sensor and methods of fabricating the same

Номер патента: US7777259B2. Автор: Taek Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-17.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US12015088B2. Автор: Sang Sub KIM,Yong Su LEE,Myoung Geun CHA,Sang Gun Choi,Keun Woo Kim,Ji Yeong SHIN,Ki Seok Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor devices including support pattern and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210043722A1. Автор: Yoosang Hwang,Sangho Lee,Jae-Hwan CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240222472A1. Автор: Xiang Wang,Rong He,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan,You-Di Jhang,Jinjian Ouyang. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190355817A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Chung-Hao Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Tunable Photonic Device With Liquid Crystal Elastomer Microactuators And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: US20220009765A1. Автор: Hongrui Jiang,Jae-Jun Kim. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240130107A1. Автор: Eunjung Kim,Sungyeon RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Two-terminal vertical 1t-dram and method of fabricating the same

Номер патента: US20200027882A1. Автор: Jea Gun Park,Seung Hyun Song,Min Won KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-01-23.

Polymers containing poly(hydroxyalkanoates) and agents for use with medical articles and methods of fabricating the same

Номер патента: US8007775B2. Автор: Stephen D. Pacetti,Syed F.A. Hossainy. Владелец: Advanced Cardiovascular Systems Inc. Дата публикации: 2011-08-30.

Light-emitting diode package having electrostatic discharge protection function and method of fabricating the same

Номер патента: US8129726B2. Автор: Hung-Lieh Hu,Chih-Tsung Shih,Chen-Peng Hsu,Shih-Tsai Huang,Hsin-Yun Tsai,Kuan-Chieh Tu,Bing-Ru Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-03-06.

Polymers containing poly(hydroxyalkanoates) and agents for use with medical articles and methods of fabricating the same

Номер патента: EP1846476A1. Автор: Stephen D. Pacetti,Syed F. A. Hossainy. Владелец: Abbott Cardiovascular Systems Inc. Дата публикации: 2007-10-24.

Polymers containing poly(ester amides) and agents for use with medical articles and methods of fabricating the same

Номер патента: EP1828281A2. Автор: Stephen D. Pacetti,Syed F.A. Hossainy,Thierry Glauser,Charles Claude,Jessica R. DesNoyer. Владелец: Advanced Cardiovascular Systems Inc. Дата публикации: 2007-09-05.

Small molecular organic electroluminescent display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090197497A1. Автор: Jun-Yeob Lee. Владелец: Jun-Yeob Lee. Дата публикации: 2009-08-06.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US8390075B2. Автор: Weon-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-05.

White organic light emitting diode display device and method of fabricating the same

Номер патента: US8916876B2. Автор: Hee-Suk Pang,Eun-Ju JEON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-23.

Fuel cell electrode with patterned microporous layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US11764365B2. Автор: Arvind V. Harinath,Jennie Eastcott,Udit N. Shrivastava. Владелец: Hydrogenics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Fuel cell electrode with patterned microporous layer and methods of fabricating the same

Номер патента: EP4084157A3. Автор: Arvind V. Harinath,Jennie Eastcott,Udit N. Shrivastava. Владелец: Hydrogenics Corp. Дата публикации: 2023-01-11.

Phase change memory device having phase change material layer containing phase change nano particles and method of fabricating the same

Номер патента: US20090278108A1. Автор: Yoon-Ho Khang,Dong-Seok Suh,Wil-Liam Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160155794A1. Автор: In Su Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Three dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110204421A1. Автор: Byoungkeun Son,Kyunghyun Kim,Sukhun Choi,ChangSup Mun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Polarizing plate, liquid crystal display device having the same and method of fabricating the polarizing plate

Номер патента: US20150362648A1. Автор: Wonki Park,HyeJeong Park,YoonJung Eo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20160118350A1. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Surface-enhanced raman scattering substrate based on surface plasmon resonance and method of fabricating the same

Номер патента: US20230213451A1. Автор: Si Jin KIM,Hyung Joon Park,Hee Jin GIL. Владелец: Pico Foundry Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20150349045A1. Автор: Kuo-Ching Chang,Hung-Sen Wang,Shih-Chi Yang,Ho-Chun Liou,Wei-Sho Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100164537A1. Автор: Bong-Il Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-01.

Azobenzene derivative compound, particle and method of fabricating the same

Номер патента: US20060194771A1. Автор: Masahiko Hara,Mina Han. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2006-08-31.

Boron nitride layer, apparatus including the same, and method of fabricating the boron nitride layer

Номер патента: US20230272554A1. Автор: Hyeonjin Shin,Changseok Lee,Seunggeol NAM,Minhyun LEE,Hyeonsuk Shin,Seokmo Hong,Kyungyeol MA. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Fuel cell electrode with patterned microporous layer and methods of fabricating the same

Номер патента: EP4084157A2. Автор: Arvind V. Harinath,Jennie Eastcott,Udit N. Shrivastava. Владелец: Hydrogenics Corp. Дата публикации: 2022-11-02.

Fuel cell electrode with patterned microporous layer and methods of fabricating the same

Номер патента: CA3145554A1. Автор: Arvind V. Harinath,Jennie Eastcott,Udit N. Shrivastava. Владелец: Cummins Enterprises LLC. Дата публикации: 2022-10-30.

Fuel cell electrode with patterned microporous layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220352524A1. Автор: Arvind V. Harinath,Jennie Eastcott,Udit N. Shrivastava. Владелец: Corporation Hydrogenics. Дата публикации: 2022-11-03.

Light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080315224A1. Автор: Dae Sung Kang,Hyo Kun Son. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Heterostructure system and method of fabricating the same

Номер патента: US20190273012A1. Автор: Gil Markovich,Yoram DAGAN,Alon RON,Amir HEVRONI. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Heterostructure system and method of fabricating the same

Номер патента: WO2018033916A1. Автор: Gil Markovich,Yoram DAGAN,Alon RON,Amir HEVRONI. Владелец: Ramot at Tel-Aviv University Ltd.. Дата публикации: 2018-02-22.

Surface-enhanced Raman scattering substrate based on surface plasmon resonance and method of fabricating the same

Номер патента: US11754501B2. Автор: Yong Won Choi,Si Jin KIM,Hyung Joon Park,Hee Jin GIL. Владелец: Pico Foundry Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Nano particle complex and method of fabricating the same

Номер патента: WO2013042863A1. Автор: Jin Kyu Lee,Gwang Hei Choi,Yu Won Lee,Yun Ku Jung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2013-03-28.

Thermoelectric material, method of fabricating the same, and thermoelectric device

Номер патента: US20190035995A1. Автор: Hye Jin Choi,Mann Ho CHO,Ji Min Chae,Han Bum Park. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2019-01-31.

Drug-transfer device, drug-delivery system incorporating the same, methods of fabricating the same, and methods of enabling administration of a drug

Номер патента: US20100326020A1. Автор: Scott Albert Uhland,Philipp Helmut Schmaelzle. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Optical waveguide sensor for detecting heavy metal ions and method of fabricating the same

Номер патента: WO2024117893A1. Автор: Khong Nee KOO,Mei Qun SEAH,Farah Hidayah BINTI JAMALUDIN. Владелец: Vulcan Photonics Sdn. Bhd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Mode size converters and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2015176024A1. Автор: Jibin Sun,Haipeng Zhang,Sandeep Razdan,Nicola PUGLIANO, (Nick). Владелец: TYCO ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-19.

Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09960376B2. Автор: Dae-Hyun Kim,Joon-Young HEO,Han-Sun Park,Young-Mi Kim,Eui-Doo Do,Jong-Geun Yoon,Yeon-Kyeong Lee,Jong-Sik Shim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Poled fiber, a method of fabricating the poled fiber, and a dispersion compensator

Номер патента: US6845201B2. Автор: Sahnggi Park,Jongbae Kim,Yonggyu Choi,Jungjin Ju. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2005-01-18.

Organic light-emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09818965B2. Автор: Changhee Lee,Yongtaek Hong,Hyunkoo Lee,Hyunduck CHO,Jeongkyun Roh. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-11-14.

Package module and method of fabricating the same

Номер патента: US09806010B2. Автор: Tao Wang,Kai Lu,Zhen-Qing ZHAO. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Display device integrated with touch screen panel and method of fabricating the same

Номер патента: US09710086B2. Автор: Taehwan Kim,Minjoo KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Integrated circuit devices including device isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110248357A1. Автор: Tae-jung Lee,Sun-hyun Kim,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355780A1. Автор: Chajea JO,Juhyeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Interconnection structures for semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09941206B2. Автор: Minsung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Resistive switching memory including resistive switching layer fabricated using sputtering and method of fabricating the same

Номер патента: US20210167286A1. Автор: Jin Pyo Hong,Tae Yoon Kim,Gwang Ho BAEK,Da Seul HYEON,Gabriel JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-06-03.

Substrate with locally integrated single crystalline silicon layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20060144323A1. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Takashi Noguchi,Young-soo Park,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-06.

Liquid leak sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20220065737A1. Автор: Beak Myeong SEONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-03.

Package substrates, semiconductor packages having the same, and methods of fabricating the semiconductor packages

Номер патента: US20130288431A1. Автор: Jin-woo Park,Hwan-Sik Lim,Eunchul Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-31.

Liquid leak sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US11747234B2. Автор: Beak Myeong SEONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of fabricating nonpolar gallium nitride-based semiconductor layer, nonpolar semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09966497B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

FinFET devices having fins with a tapered configuration and methods of fabricating the same

Номер патента: US09875905B2. Автор: Ruilong Xie,Min Gyu Sung,Catherine B. Labelle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Ferroelectric polymer memory device including polymer electrodes and method of fabricating the same

Номер патента: WO2006036691A2. Автор: Ebrahim Andideh,Lee Rockford. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-04-06.

Laser diode and method of fabrication the laser diode

Номер патента: EP2438663A1. Автор: Piotr Perlin,Marcin Sarzyński,Michal Leszczyński,Robert Czernecki,Tadeusz Suski,Izabella Grzegory,Boleslaw Lucznik,Michal Bockowski,Katarzyna Holc. Владелец: Instytut Wysokich Cisnien of PAN. Дата публикации: 2012-04-11.

Laser diode and method of fabrication the laser diode

Номер патента: WO2010140909A1. Автор: Piotr Perlin,Marcin Sarzyński,Michal Leszczyński,Robert Czernecki,Tadeusz Suski,Izabella Grzegory,Boleslaw Lucznik,Michal Bockowski,Katarzyna Holc. Владелец: INSTYTUT WYSOKICH CISNIEN POLSKIEJ AKADEMII NAUK. Дата публикации: 2010-12-09.

Номер патента: US20240162293A1. Автор: Seokhoon Kim,Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Seung Hun Lee,Jaemun Kim,Keun Hwi Cho,Kihyun Hwang,Dahye Kim,Haejun YU,Kyungin Choi,Ilgyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of fabricating polysilicon layer, thin film transistor, organic light emitting diode display device including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US09576797B2. Автор: Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Tae-Hoon Yang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor optical modulator integrated resistor for impedance matching using semiconductor doped layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20060132884A1. Автор: Yong Kwon,Joong Choe. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070069303A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Scanning heat flow probe and the method of fabricating the same

Номер патента: US6652139B2. Автор: LI Shi,Uttam Shyamalindu Ghoshal,Steven Alan Cordes,Chandler Todd McDowell,James Patrick Doyle,David R. DiMilia,Matthew James Farinelli,Snigdha Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-11-25.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060141715A1. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Method of dressing an abrasive wheel using a polycrystalline cvd synthetic diamond dresser and method of fabricating the same

Номер патента: EP2790877A1. Автор: Neil Perkins. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2014-10-22.

Method of dressing an abrasive wheel using a polycrystalline cvd synthetic diamond dresser and method of fabricating the same

Номер патента: WO2013087703A1. Автор: Neil Perkins. Владелец: ELEMENT SIX LIMITED. Дата публикации: 2013-06-20.

Metal-semiconductor field effect transistors (mesfets) having drains coupled to the substrate and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2006049677A2. Автор: Saptharishi Sriram,Scott Allen. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2006-05-11.

Thin-film deposition mask, method of fabricating the same, and method of fabricating an organic light emitting display apparatus using the same

Номер патента: US09450185B2. Автор: Tae-Wook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Power electronics system having a differential hall sensor, method of fabricating the power electronics system, and method of operating a power semiconductor module of the power electronics system

Номер патента: US20240275268A1. Автор: Dietmar Spitzer,Tomas Reiter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-15.

FinFET semiconductor devices including recessed source-drain regions on a bottom semiconductor layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US09716176B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing a seam beginning needle thread of a seam to be sewn in a piece of fabric,the seam having a defined nominal excess thread length,and sewing machine configured to implement a method of this type

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты