Method of manufacturing a non-volatile memory device
Номер патента: KR101166098B1
Опубликовано: 23-07-2012
Автор(ы): 이성훈
Принадлежит: 에스케이하이닉스 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-07-2012
Автор(ы): 이성훈
Принадлежит: 에스케이하이닉스 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for Fabricating Non-Volatile Memory Device
Номер патента: US20080038907A1. Автор: Doo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-14.