Method of manufacturing P-type compound semiconductor
Номер патента: US5306662A
Опубликовано: 26-04-1994
Автор(ы): Masayuki Senoh, Naruhito Iwasa, Shuji Nakamura
Принадлежит: Nichia Chemical Industries Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 26-04-1994
Автор(ы): Masayuki Senoh, Naruhito Iwasa, Shuji Nakamura
Принадлежит: Nichia Chemical Industries Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of manufacturing p-type compound semiconductor
Номер патента: EP0541373B2. Автор: Shuji c/o Nichia Chemical Ind. Ltd. Nakamura,Naruhito c/o Nichia Chemical Ind. Ltd. Iwasa,Masayuki c/o Nichia Chemical Ind. Ltd. Senoh. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2004-03-31.