• Главная
  • インジウム前駆体化合物、これを用いた薄膜の製造方法、及びこれから製造された基板

インジウム前駆体化合物、これを用いた薄膜の製造方法、及びこれから製造された基板

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

ALD of metal-containing films using cyclopentadienly compounds

Номер патента: US09850575B1. Автор: Sean T. Barry,Yamile A. M. Wasslen,Antti H. Rahtu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for areal selective forming of thin film

Номер патента: US20240368762A1. Автор: Ha Na Kim,Ju Hwan Jeong,Han Bin Lee,Kyu Ho Cho,Woong Jin CHOI,Hyeon Sik Cho,Myeong Il Kim,Sun Young BAIK. Владелец: Egtm Co ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Coating method for continuous preparation of diamond thin film with HFCVD device

Номер патента: US11939669B2. Автор: Xin Jiang,Nan Huang,Lusheng Liu. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2024-03-26.

TRIS(DIALKYLAMIDE)ALUMINUM COMPOUND, AND METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM-CONTAINING THIN FILM USING SAME

Номер патента: US20140295084A1. Автор: SHIRAI Masashi,Nihei Hiroshi,Hasegawa Chihiro. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

METHOD FOR PRODUCING METALLIC RUTHENIUM THIN FILM BY ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20220002867A1. Автор: NISHIDA Akihiro,ENZU Masaki. Владелец: ADEKA CORPORATION. Дата публикации: 2022-01-06.

Plasma vapor deposition system and method for making multi-junction silicon thin film solar cell modules and panels

Номер патента: WO2010008439A1. Автор: Mohd Aslami. Владелец: Mohd Aslami. Дата публикации: 2010-01-21.

Plasma vapor deposition system and method for making multi-junction silicon thin film solar cell modules and panels

Номер патента: EP2318561A1. Автор: Mohd Aslami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-11.

Silicon carbide thin films and vapor deposition methods thereof

Номер патента: WO2022072258A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2022-04-07.

Silicon carbide thin films and vapor deposition methods thereof

Номер патента: US20240271279A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon carbide thin films and vapor deposition methods thereof

Номер патента: US11987882B2. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Silicon carbide thin films and vapor deposition methods thereof

Номер патента: EP4222293A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Method for producing synthetic diamond thin film, the thin film and device using it

Номер патента: US5531184A. Автор: Hisao Yamashita,Hiroshi Miyadera,Yasushi Muranaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-07-02.

Method for synthesis of large area thin films

Номер патента: US20140113074A1. Автор: Jia-Hung Wu,Xuesong Li. Владелец: Bluestone Global Technology Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Method for producing a copper thin film

Номер патента: EP1662020B1. Автор: Minoru Otani,Jun Hisada,Toyoki Mawatari. Владелец: MEC Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-14.

METHOD FOR PREPARING TITANIUM-ALUMINUM ALLOY THIN FILM

Номер патента: US20170104081A1. Автор: Zhao Chao,Xiang Jinjuan,DING Yuqiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

Methods for forming conductive titanium oxide thin films

Номер патента: US20150162183A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-06-11.

Method for preparing titanium-aluminum alloy thin film

Номер патента: US20170104081A1. Автор: Chao Zhao,Yuqiang DING,Jinjuan Xiang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-04-13.

Method for preparing titanium-aluminum alloy thin film

Номер патента: US09954071B2. Автор: Chao Zhao,Yuqiang DING,Jinjuan Xiang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-04-24.

Plating pretreatment solution and method for producing aluminum substrate for hard disk devices using same

Номер патента: MY162728A. Автор: Takahiro Yoshida,Nobuaki Mukai. Владелец: Toyo Kohan Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-14.

Method for improving flatness of semiconductor thin film

Номер патента: US20210043442A1. Автор: Gongbai Cao,Chihhsin Lin,Chenhua Dong. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for fabricating three dimensional anisotropic thin films

Номер патента: US6541392B2. Автор: Peter Mardilovich,Alexander N. Govyadinov,Yuval C Avniel. Владелец: Technology Ventures LLC. Дата публикации: 2003-04-01.

Method for forming an aluminum metallic thin film by vapor phase growth on a semiconductor substrate

Номер патента: US4430364A. Автор: Takashi Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-02-07.

Method for forming improved interface and thin film by using high-density radicals

Номер патента: EP4386814A1. Автор: Dong Hwa SHIN,Yong Weon Kim. Владелец: Eq Tech Plus Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Method for reducing interdiffusion rates between thin film components

Номер патента: US3751293A. Автор: P Turner,H Theuerer. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1973-08-07.

Method for manufacturing a polycrystalline silicon thin film by joule-heating induced crystallization

Номер патента: US8840720B2. Автор: Cheol-Su Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-23.

Methods for in situ deposition of coatings and articles produced using same

Номер патента: WO2012040368A1. Автор: Tushar K. Shah,Matt M. Kapelanczyk. Владелец: APPLIED NANOSTRUCTURED SOLUTIONS, LLC. Дата публикации: 2012-03-29.

Methods for in situ deposition of coatings and articles produced using same

Номер патента: EP2619347A1. Автор: Tushar K. Shah,Matt M. Kapelanczyk. Владелец: Applied Nanostructured Solutions LLC. Дата публикации: 2013-07-31.

Plasma vapor deposition system and method for making multi-junction silicon thin film solar cell modules and panels

Номер патента: US20120178202A1. Автор: Mohd Aslami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Method for doping carbon in thin film on wafer

Номер патента: EP4455376A1. Автор: Sung Kil Cho. Владелец: HPSP Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Method for producing thin film, thin film forming material, optical thin film, and optical member

Номер патента: US20190025466A1. Автор: Hirofumi Tanaka,Gentaro Tanaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Method for manufacturing molybdenum oxide-containing thin film

Номер патента: US09881796B2. Автор: Hiroki Sato,Junji Ueyama. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for removing impurities in thin film and substrate processing apparatus

Номер патента: US11972946B2. Автор: Kyu Jin Choi,Gyu Ho Choi,Sang Hyuk HWANG. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for preparing copper calcium titanate thin film, and copper calcium titanate thin film

Номер патента: EP3656889A1. Автор: Bin Lu,Jian Shen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-27.

Method for producing oxide thin film

Номер патента: US20120125764A1. Автор: Hiroyuki Fukushima. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Method for preparing copper calcium titanate thin film, and copper calcium titanate thin film

Номер патента: EP3656889A4. Автор: Bin Lu,Jian Shen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM

Номер патента: US20150311071A1. Автор: Ebata Kazuaki,NISHIMURA Mami,TAJIMA Nozomi. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Thin film forming apparatus and thin film forming method using same

Номер патента: KR19980071462A. Автор: 소네 가쯔호. Владелец: 미따라이 후지오. Дата публикации: 1998-10-26.

Method for producing noble metal thin film electrode for usli

Номер патента: WO2002046493A1. Автор: Katsutsugu Kitada. Владелец: TANAKA KIKINZOKU KOGYO K.K.. Дата публикации: 2002-06-13.

Methods for cds-based film and zno film deposition

Номер патента: CA1272107A. Автор: Cindy Xing Qiu,Ishiang Shih,Shu Nong Qui. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-07-31.

Method for making polycrystalline silicon thin film

Номер патента: US5344796A. Автор: Jong Y. Shin,Suk B. Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-09-06.

Methods and systems for forming thin films

Номер патента: US20120208352A1. Автор: Sandeep Nijhawan,Thai Cheng Chua,Philip A. Kraus. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Methods and systems for forming thin films

Номер патента: US20120208357A1. Автор: Sandeep Nijhawan,Thai Cheng Chua,Philip A. Kraus. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Titanium Sputtering Target, Production Method Therefor, And Method For Producing Titanium-Containing Thin Film

Номер патента: US20200240005A1. Автор: MURATA Shuhei,Shono Daiki. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

Method for producing single crystal thin film

Номер патента: JP4752930B2. Автор: 匡 細倉. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-17.

Method and apparatus for forming a magnetically oriented thin film

Номер патента: US5804041A. Автор: Steven Hurwitt. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1998-09-08.

Method for producing single-crystal thin film

Номер патента: US20100206215A1. Автор: Tadasu Hosokura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-19.

Method for producing gallium nitride thin film

Номер патента: KR20190131541A. Автор: 마사노리 시라이,사토루 타카사와,타쿠지 야마모토. Владелец: 울박, 인크. Дата публикации: 2019-11-26.

Method for producing metallic ruthenium thin film by atomic layer deposition

Номер патента: IL282897B1. Автор: . Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-03-01.

Bi-layer thin film exhibiting pseudo elasticity and shape memory effect

Номер патента: US11220738B2. Автор: Mahmoud Nili Ahmadabadi,Maryam Mohri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-11.

Bi-layer thin film exhibiting pseudo elasticity and shape memory effect

Номер патента: US20190093209A1. Автор: Mahmoud Nili Ahmadabadi,Maryam Mohri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-03-28.

Plating pretreatment liquid and method for producing aluminum substrate for hard disk devices using same

Номер патента: CN103403223A. Автор: 迎展彰,吉田隆广. Владелец: Toyo Kohan Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-20.

Method and apparatus for producing biaxially oriented thin films

Номер патента: US7829156B2. Автор: Lutz Kirchhoff,Alexander Usoskin. Владелец: BRUKER HTS GMBH. Дата публикации: 2010-11-09.

Process for producing a functional thin film.

Номер патента: DE69103072D1. Автор: Yoshiharu Maezawa,Norimoto Nouchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-09-01.

Improved process for producing nanoporous silica thin films

Номер патента: AU7366298A. Автор: Douglas M. Smith,Kevin H. Roderick,Stephen Wallace,Theresa Ramos. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1998-11-24.

Process for producing zirconium oxide thin films

Номер патента: US7998883B2. Автор: Matti Putkonen. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2011-08-16.

Improved process for producing nanoporous silica thin films

Номер патента: WO1998049721A1. Автор: Douglas M. Smith,Kevin H. Roderick,Stephen Wallace,Theresa Ramos. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 1998-11-05.

Process for producing oxide superconductive thin-film

Номер патента: AU2003235235B2. Автор: Kazuya Ohmatsu,Shuji Hahakura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-10-25.

Process for producing oxide superconductive thin-film

Номер патента: EP1516854A4. Автор: Kazuya Ohmatsu,Shuji Hahakura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-07-11.

OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, METHOD PRODUCING THE SAME, AND SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20210257465A1. Автор: KOBAYASHI Motoshi,HANNA Taku,ONODA Jungo. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

Reactive sputtering apparatus and method for forming composite metal compound or mixed film using same

Номер патента: CN110637103B. Автор: 税所慎一郎. Владелец: Shincron Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-08.

Anticorrosive coating composition and process for producing member with anticorrosive coating film using composition

Номер патента: CN101925659B. Автор: 铃木敏道. Владелец: Yuken Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-26.

Manufacturing Apparatus and Method for Large-Scale Production of Thin-Film Solar Cells

Номер патента: US20140102891A1. Автор: Hollars Dennis R.. Владелец: MIASOLE. Дата публикации: 2014-04-17.

Low temperature fabrication of lateral thin film varistor

Номер патента: US09870851B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Low temperature fabrication of lateral thin film varistor

Номер патента: US09865674B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Conductive thin film, a capacitor using the same and a method of manufacturing.

Номер патента: US20010005026A1. Автор: Takashi Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2001-06-28.

Etching method for metal or meral oxide thin film

Номер патента: JPS53112237A. Автор: Kenji Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1978-09-30.

Low temperature fabrication of lateral thin film varistor

Номер патента: US20170104054A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Low temperature fabrication of lateral thin film varistor

Номер патента: US20160254344A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Low temperature fabrication of lateral thin film varistor

Номер патента: US20160254144A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Low temperature fabrication of lateral thin film varistor

Номер патента: US20180096760A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Method for producing thermally conductive thin film using synthetic graphite powder

Номер патента: US11737243B2. Автор: Dong Ha Kim. Владелец: Indong Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for producing an InSb thin film

Номер патента: US4080478A. Автор: Naoki Yamamoto,Kikuji Sato,Tetsu Oi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-03-21.

Method for producing block copolymer, and block copolymer obtained using same

Номер патента: US09975984B2. Автор: Hisakazu Tanaka,Nobuhiro Oe,Yukie Uemura. Владелец: DIC Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for measuring optical constants of thin film of fluorine-containing organosilicon compound

Номер патента: US12105018B2. Автор: Takashi Uchida. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Process for producing titanium oxide thin film, and photocatalyst

Номер патента: US6066359A. Автор: Koji Sato,Hisayoshi Toratani,Takeshi Yao. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2000-05-23.

Method for the wet deposition of thin films

Номер патента: US20180001290A1. Автор: Benoit Heinrichs,Cedric Calberg,Dimitri LIQUET,Carlos PAEZ,Christelle ALIÉ. Владелец: UNIVERSITE DE LIEGE. Дата публикации: 2018-01-04.

Sputtering process for producing single crystal thin films

Номер патента: US3726776A. Автор: A Mayadas,J Cuomo,R Rosenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1973-04-10.

A method for making thick and/or thin film

Номер патента: EP1429869A2. Автор: Ai Quoc Pham,Robert S. Glass. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-06-23.

Novel method for detecting detection object in sample, and detection kit using same

Номер патента: US20170184572A1. Автор: Kyu Hwan Shim,Joon Seok Seo. Владелец: Nanoentek Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Method for making optically transparent superhydrophobic thin film

Номер патента: US12037508B2. Автор: John T. Simpson. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for preparing single crystal oxide thin film

Номер патента: EP1314800A4. Автор: Masashi Kawasaki,Hideomi Koinuma,Yuji Matsumoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-02-14.

Method for Manufacturing an Environment-Friendly Heat Shielding Film Using a Non-Radioactive Stable Isotope

Номер патента: US20210355290A1. Автор: Tai-Gyeong Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for fabricating a three-dimensional thin-film semiconductor substrate from a template

Номер патента: MY159267A. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M Moslehi. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2016-12-30.

Planococcus and method for improving fermentation quality of low-salt fish sauce using same

Номер патента: EP3878945A1. Автор: Li Yuan,Jing Zhou,Yue Zhou,Ruichang GAO. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2021-09-15.

Organometallic precursor compounds

Номер патента: US20060068102A1. Автор: Scott Meiere. Владелец: Meiere Scott H. Дата публикации: 2006-03-30.

Alcohol-based processors for producing nanoporous silica thin films

Номер патента: EP1027355A1. Автор: Douglas M. Smith,Teresa Ramos,James Drage,Stephen Wallace. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 2000-08-16.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US20150140795A1. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

Room temperature multiferroic thin films

Номер патента: US20170275178A1. Автор: Kyoung Tae Kim,Yong Kyu YOON. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Room temperature multiferroic thin films

Номер патента: WO2016036838A1. Автор: Kyoung Tae Kim,Yong-kyu Yoon. Владелец: The University of Florida Research Foundation, Inc.. Дата публикации: 2016-03-10.

Room temperature multiferroic thin films

Номер патента: US10221078B2. Автор: Kyoung Tae Kim,Yong Kyu YOON. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2019-03-05.

METHOD FOR FORMING LaNiO3 THIN FILM

Номер патента: US20170095835A1. Автор: Nobuyuki Soyama,Jun Fujii,Hideaki Sakurai. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US9293327B2. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Solar Carbide Sarl. Дата публикации: 2016-03-22.

Method for synthesis and processing of continuous monocrystalline diamond thin films

Номер патента: US5221411A. Автор: Jagdish Narayan. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1993-06-22.

Method for producing thermally conductive thin film using synthetic graphite powder

Номер патента: US20200260614A1. Автор: Dong Ha Kim. Владелец: Indong Electronics Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for producing thermally conductive thin film using synthetic graphite powder

Номер патента: WO2019066543A1. Автор: 김동하. Владелец: 인동전자 주식회사. Дата публикации: 2019-04-04.

Film structure, electronic device, recording medium, and method for producing oxide conductive thin film

Номер патента: JP3472087B2. Автор: 隆男 野口,義彦 矢野. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-12-02.

Fully solid thin-film batteries and method for producing fully solid thin-film batteries

Номер патента: EP2823524B1. Автор: Fabien Gaben,Frédéric BOUYER,Bruno Vuillemin. Владелец: I Ten SA. Дата публикации: 2018-05-02.

METHOD FOR PRODUCING 3D-STRUCTURED THIN FILMS

Номер патента: US20160006016A1. Автор: PORTHAULT Hélène,Franger Sylvain,LE CRAS Frederic. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

METHOD FOR PRODUCING CHARGE TRANSPORTING THIN FILM

Номер патента: US20220278281A1. Автор: YOSHIMOTO Takuji,OSHIMA Juro. Владелец: NISSAN CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for producing oxide crystal thin film

Номер патента: EP2865789A4. Автор: Masaya Oda,Toshimi Hitora. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2015-09-09.

Method for producing oxide crystal thin film

Номер патента: WO2014196095A1. Автор: 真也 織田,俊実 人羅. Владелец: Roca株式会社. Дата публикации: 2014-12-11.

Method for producing multilayer cholesteric thin film II

Номер патента: JP4637328B2. Автор: サイモン・グリーンフィールド,アリソン−リンダ・メイ. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2011-02-23.

Method for producing single crystal thin film

Номер патента: JP5330349B2. Автор: 優 野田. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2013-10-30.

Method for producing MgF2 optical thin film having amorphous silicon oxide binder

Номер патента: JP4858170B2. Автор: 剛 村田,均 石沢,俊輔 新坂. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-01-18.

Rh diffusion source, and method for producing r-t-b-based sintered magnet using same

Номер патента: US20140120248A1. Автор: Futoshi Kuniyoshi. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

METHOD FOR PRODUCING BLOCK COPOLYMER, AND BLOCK COPOLYMER OBTAINED USING SAME

Номер патента: US20160229943A1. Автор: UEMURA Yukie,TANAKA Hisakazu,OE Nobuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

METHOD FOR PRODUCING SILVER NANOWIRES, SILVER NANOWIRES, AND INK USING SAME

Номер патента: US20160368049A1. Автор: SATO Kimitaka,SAITO Hirotoshi,KODAMA Daisuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Method for producing vulcanized rubber composition, and studless tire using same

Номер патента: CN107108910B. Автор: 儿岛良治,竹中美夏子. Владелец: Sumitomo Rubber Industries Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Method for producing vulcanized rubber composition, and studless tire using same

Номер патента: CN107108911B. Автор: 儿岛良治,竹中美夏子. Владелец: Sumitomo Rubber Industries Ltd. Дата публикации: 2020-11-10.

Process for producing a superconducting thin film from high-temperature superconducting oxide

Номер патента: DE69328537T2. Автор: Takao Nakamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2000-08-24.

RH diffusion source, and method for producing R-T-B-based sintered magnet using same

Номер патента: US9613748B2. Автор: Futoshi Kuniyoshi. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Container, method for obtaining same and target assembly for the production of radioisotopes using such a container

Номер патента: CA2957639C. Автор: Milo CONARD. Владелец: Nanomarker Sprl. Дата публикации: 2023-02-21.

Porous carbon support, method for manufacturing porous carbon support, and fuel cell catalyst using same

Номер патента: US20240266553A1. Автор: Jae Hyun Park,Gi Min Kim. Владелец: Carbon Studio Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Planococcus and method for improving fermentation quality of low-salt fish sauce using same

Номер патента: EP3878945B1. Автор: Li Yuan,Jing Zhou,Yue Zhou,Ruichang GAO. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-10-30.

METHOD FOR PREPARING NON-TOXIC LACQUER, FERMENTED RICE BRAN POWDER USING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING POWDERED GRAIN NUTRIENT FOOD

Номер патента: US20190314434A1. Автор: YOON Hunam. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

METHOD FOR THE WET DEPOSITION OF THIN FILMS

Номер патента: US20180001290A1. Автор: PAEZ Carlos,LIQUET Dimitri,CALBERG Cédric,HEINRICHS Benoît,ALIÉ Christelle. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Method for manufacturing all-solid-state thin-film batteries

Номер патента: US20190036152A1. Автор: Fabien Gaben,Frédéric BOUYER,Bruno Vuillemin. Владелец: I Ten SA. Дата публикации: 2019-01-31.

METHODS FOR INCREASING GROWTH RATE OF THIN FILMS

Номер патента: US20140174342A1. Автор: Pore Viljami. Владелец: ASM IP HOLDING B.V.. Дата публикации: 2014-06-26.

METHOD FOR FORMING ADHEREND WITH OPTICAL THIN FILM

Номер патента: US20200095670A1. Автор: KOYANAGI Tasuku. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

METHOD FOR MEASURING OPTICAL CONSTANTS OF THIN FILM OF FLUORINE-CONTAINING ORGANOSILICON COMPOUND

Номер патента: US20220276151A1. Автор: Uchida Takashi. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for producing waterproof organic thin film

Номер патента: US20130209691A1. Автор: Shoichi Matsuda,Hiroshi TOMOHISA,Tadayuki Kameyama,Toru Umemoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Method for modifying high-k dielectric thin film and semiconductor device

Номер патента: US20090302433A1. Автор: Koji Akiyama,Shintaro Aoyama,Kazuyoshi Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Thin film transistor, manufacturing method of same, and cmos inverter

Номер патента: US20210366989A1. Автор: Huafei XIE. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Thin film transistor, manufacturing method of same, and CMOS inverter

Номер патента: US11289543B2. Автор: Huafei XIE,Shujhih CHEN,Chiayu Lee. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Nondestructive apparatus and method for detecting molecular orientation in thin films

Номер патента: US6552791B2. Автор: Michele Muccini,Carlo Taliani. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2003-04-22.

Nondestructive apparatus and method for detecting molecular orientation in thin films

Номер патента: EP1244924A2. Автор: Michele Muccini,Carlo Taliani. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2002-10-02.

Apparatus and method for manufacturing optically anisotropic polymer thin films

Номер патента: WO2022076267A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Arman Boromand. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2022-04-14.

Apparatus and method for manufacturing optically anisotropic polymer thin films

Номер патента: EP4225556A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Arman Boromand. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-16.

Method for fabricating a metallic oxide thin film transistor

Номер патента: US09893173B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-02-13.

P-type zinc oxide thin film, compound semiconductor using the same and method for producing the same

Номер патента: WO2003034510A1. Автор: Jae-min MYOUNG. Владелец: Lim, Yong-Jin. Дата публикации: 2003-04-24.

Method for fabricating a metal oxide thin film transistor

Номер патента: US09991135B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for producing multi-layer, thin-film, flexible silicon alloy photovoltaic cells

Номер патента: US4604791A. Автор: William J. Todorof. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-08-12.

Method for producing a CdTe thin-film solar cell

Номер патента: US11121282B2. Автор: MICHAEL HARR,SHOU PENG,Sven Frauenstein,Christian Drost. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

Process for producing an oral thin film comprising microparticles

Номер патента: AU2021268103B2. Автор: Markus Müller,Marius Bauer,Michael Linn. Владелец: LTS Lohmann Therapie Systeme AG. Дата публикации: 2023-11-23.

METHOD FOR PRODUCING A CdTe THIN-FILM SOLAR CELL

Номер патента: US20210210650A1. Автор: MICHAEL HARR,SHOU PENG,Sven Frauenstein,Christian Drost. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Device and method for improving interface adhesion in thin film structures

Номер патента: US20070212795A1. Автор: Michael Gaidis,Keith Milkove. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Method for Improved Patterning Accuracy for Thin Film Photovoltaic Panels

Номер патента: US20110256661A1. Автор: Frank Patterson. Владелец: CM Manufacturing Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for steering traffic in wireless communication system and device using same

Номер патента: US09838953B2. Автор: Jaewook Lee,Youngdae Lee,Sunghoon Jung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for the activation of cdte thin films for the application in cdte/cds type thin film solar cells

Номер патента: EP2489077A1. Автор: Alessio Bosio,Alessandro Romeo,Nicola Romeo. Владелец: ARENDI SpA. Дата публикации: 2012-08-22.

System and method for measuring properties of a thin film coated glass

Номер патента: US20130215415A1. Автор: Keith J. Burrows,Jordan B. Lagerman,Kyle R. Thering. Владелец: Cardinal CG Co. Дата публикации: 2013-08-22.

Laser annealing device and thin film crystallization method using same

Номер патента: US20210057218A1. Автор: Dong-Min Lee,Ji-Hwan Kim,Jongoh Seo,Byung Soo SO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Laser apparatus and method for measuring stress in a thin film using multiple wavelengths

Номер патента: US5248889A. Автор: Ilan A. Blech,Dov E. Hirsch. Владелец: Tencor Instruments Inc. Дата публикации: 1993-09-28.

Method for crystallizing silicon film and thin film transistor and fabricating method using the same

Номер патента: US6710411B2. Автор: Dae-Gyu Moon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-23.

Method for forming patterned tin oxide thin film element

Номер патента: CA1286167C. Автор: Shih-Chia Chang,Adolph L. Micheli,David B. Hicks. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1991-07-16.

Method for forming high tc superconductive thin films

Номер патента: US5922651A. Автор: Masahiro Kawamura,Hiroki Hoshizaki. Владелец: Advanced Mobile Telecommunication Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-13.

Process for producing a compound thin-film solar cell

Номер патента: EP1489666B1. Автор: Satoshi c/o Honda Engineering Kabushiki Kaisha AOKI. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-05.

Method for determining link availability for iab node, and node using same

Номер патента: US20230068891A1. Автор: Hyunsoo Ko,Hyangsun YOU,Gyeongcheol LEE,Sukhyon Yoon,Haewook Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-03-02.

Apparatus and method for charging battery using a thin film printed solar cell

Номер патента: US8354819B2. Автор: Byeng-Sang Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-15.

Method for high volume manufacturing of thin film batteries

Номер патента: WO2009055529A1. Автор: Byung-Sung Kwak,Nety Krishna,Kurt Eisenbeiser,William J. Dauksher,Jon Candelaria. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2009-04-30.

Method for modifying surfaces with ultra thin films

Номер патента: US5897918A. Автор: Brij P. Singh,Pramod K. Arora. Владелец: NanoFilm Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Method for coating photovoltaic panel, and photovoltaic power generating device using same

Номер патента: US11935970B2. Автор: Haeng Woo Lee,Hyo Sook Song,Do Hyeon Lee. Владелец: Bk Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Nondestructive apparatus and method for detecting molecular orientation in thin films

Номер патента: WO2001048515A3. Автор: Michele Muccini,Carlo Taliani. Владелец: Carlo Taliani. Дата публикации: 2002-06-06.

Method for communication in wireless lan system and wireless terminal using same

Номер патента: US20200367169A1. Автор: Kiseon Ryu,Jeongki Kim,Jinsoo Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for communication in wireless LAN system and wireless terminal using same

Номер патента: US11425651B2. Автор: Kiseon Ryu,Jeongki Kim,Jinsoo Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-08-23.

Apparatus and method for performing high spatial resolution thin film layer thickness metrology

Номер патента: US5543919A. Автор: Peter B. Mumola. Владелец: Integrated Process Equipment Corp. Дата публикации: 1996-08-06.

System and method for measuring properties of a thin film coated glass

Номер патента: US20130215413A1. Автор: Keith J. Burrows,Jordan B. Lagerman,Kyle R. Thering. Владелец: Cardinal IG Co. Дата публикации: 2013-08-22.

Thin Film Transistor, Display Including the Same, and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20170194502A1. Автор: Ju-Heyuck BAECK. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials

Номер патента: WO2010039882A1. Автор: Robert D. Wieting. Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2010-04-08.

Thin Film Transistor, Display Including the Same, and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20200335629A1. Автор: Ju-Heyuck BAECK. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Thin Film Transistor, Display Including the Same, and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20220223738A1. Автор: Ju-Heyuck BAECK. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for manufacturing cooling device and motor housing cooling device using same

Номер патента: EP3681021A1. Автор: Jin ho YOO. Владелец: MH Technologies Inc. Дата публикации: 2020-07-15.

Method for operating terminal in wireless communication system, and device using same

Номер патента: EP4373188A1. Автор: Hyunsoo Ko,Kijun KIM,Seonwook Kim,Hyangsun YOU,Jaenam SHIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-05-22.

Reference circuit and method for mitigating switching jitter and delay-locked loop (dll) using same

Номер патента: EP2313976A1. Автор: William Petrie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2011-04-27.

Conductive composition and method for making conductive features on thin film pv cells

Номер патента: US20130196465A1. Автор: Chun Christine Dong. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

A conductive composition and method for making conductive features on thin film pv cells

Номер патента: WO2012054245A4. Автор: Chun Christine Dong. Владелец: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Method for determining link availability for IAB node, and node using same

Номер патента: US11962450B2. Автор: Hyunsoo Ko,Hyangsun YOU,Gyeongcheol LEE,Sukhyon Yoon,Haewook Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-04-16.

Method for preventing swelling of battery cell and battery pack using same

Номер патента: US20190363407A1. Автор: Seung Jin NOH. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

A method for optically marking an elongated indication path and devices using same

Номер патента: AU5876498A. Автор: Zamir Tribelsky,Michael Ende. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-08-26.

Method for determining link availability for iab node, and node using same

Номер патента: US20230055869A1. Автор: Hyunsoo Ko,Hyangsun YOU,Gyeongcheol LEE,Sukhyon Yoon,Haewook Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-02-23.

Method for configuring timing alignment for iab node, and node using same method

Номер патента: US20240031961A1. Автор: Hyangsun YOU,Haewook Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for testing power leakage of circuit and processing system using same

Номер патента: US20230075145A1. Автор: Yu-Lan Lo,Meng-Jung Lee. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for operating terminal in wireless communication system, and device using same method

Номер патента: US20200351837A1. Автор: Daesung HWANG,Yunjung Yi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-11-05.

Method for determining link availability for iab node, and node using same

Номер патента: EP3993538A1. Автор: Hyunsoo Ko,Hyangsun YOU,Gyeongcheol LEE,Sukhyon Yoon,Haewook Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-05-04.

Method for detecting unauthorized copying of content and service server using same

Номер патента: US12003597B2. Автор: Inwoo RO,Choong Hyun SEO. Владелец: Naver Webtoon Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for operating terminal in wireless communication system, and device using same method

Номер патента: EP4383633A1. Автор: Hyunsoo Ko,Kijun KIM,Seonwook Kim,Hyangsun YOU. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-06-12.

A method for optically marking an elongated indication path and devices using same

Номер патента: EP1015810A1. Автор: Zamir Tribelsky,Michael Ende. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-07-05.

A method for optically marking an elongated indication path and devices using same

Номер патента: EP1015810B1. Автор: Zamir Tribelsky,Michael Ende. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Method for operating terminal in wireless communication system, and device using same method

Номер патента: EP3627946A1. Автор: Daesung HWANG,Yunjung Yi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-03-25.

Thin-film transistor and method for making the smae

Номер патента: US20010028057A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Hisao Hayashi,Masahiro Fujino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Method for producing piezoelectric thin-film resonator

Номер патента: US8726475B2. Автор: Ryuichi Kubo,Hidetoshi Fujii. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-20.

Piezoelectric thin-film resonator and method for producing the same

Номер патента: US20060097823A1. Автор: Ryuichi Kubo,Hidetoshi Fujii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-11.

Piezoelectric thin-film resonator and method for producing the same

Номер патента: US20090000091A1. Автор: Ryuichi Kubo,Hidetoshi Fujii. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Vibration damping system and method for estimating cutting force of machine tool using same

Номер патента: US12053849B2. Автор: Hyeong Joon Ahn. Владелец: Soongsil University. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for treating tantalum metal thin film, quantum device, and quantum chip

Номер патента: US20240164221A1. Автор: Hao Deng,Xiaohang Zhang. Владелец: Alibaba Damo Hangzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Production method for organic semiconductor thin film

Номер патента: EP3923359A1. Автор: Eijiro Iwase,Akihiko Suyama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-12-15.

Method for producing electronic device, thin-film transistor, electrooptical device and sensor

Номер патента: TW201231695A. Автор: Masahiro Takata,Masayuki Suzuki,Masashi Ono. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-08-01.

Method for producing metal thin film

Номер патента: US20120103222A1. Автор: Toshiki Shimamura,Masanobu Tanaka,Takahiro Kamei,Hirotsugu Ishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Method for inducing a merge candidate block and device using same

Номер патента: US09930359B2. Автор: Bae Keun Lee,Jae Cheol Kwon,Joo Young Kim. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Formation of SiOCN thin films

Номер патента: US09786492B2. Автор: Toshiya Suzuki,Viljami J. Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-10-10.

Organic thin-film solar cell and production method for the same

Номер патента: US20130092238A1. Автор: Shinya Tahara,Yuriko Kaida,Yuichiro Ogata. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Composition and method of making high-reflection silver mirrors or thin-film optical filters

Номер патента: US20040114247A1. Автор: James Lane,Philip Buchsbaum. Владелец: Ocean Optics Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Metallic oxide thin film transistor, array substrate and their manufacturing methods, display device

Номер патента: US20160365366A1. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Method for formation of an ultra-thin film and semiconductor device containing such a film

Номер патента: US20050170531A1. Автор: Bum-Ki Moon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-08-04.

Monitoring and measurement of thin film layers

Номер патента: US8796048B1. Автор: Lance Scudder,Pushkar Ranade,Charles Stager,Scott E. Thompson. Владелец: Suvolta Inc. Дата публикации: 2014-08-05.

Method for producing a semiconductor thin film and semiconductor thin film produced therewith

Номер патента: DE69033153T2. Автор: Takao Yonehara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-11-11.

Oral thin film

Номер патента: CA3212297A1. Автор: Markus Müller,Mario FICKER. Владелец: LTS Lohmann Therapie Systeme AG. Дата публикации: 2022-09-09.

Oral thin film

Номер патента: US20240148672A1. Автор: Markus Müller,Mario FICKER. Владелец: LTS Lohmann Therapie Systeme AG. Дата публикации: 2024-05-09.

Oral thin film

Номер патента: US20240065974A1. Автор: Christoph Schmitz,Marius Bauer,Michael Linn. Владелец: LTS Lohmann Therapie Systeme AG. Дата публикации: 2024-02-29.

Method pertaining to guard symbol considering multiple timing modes for iab, and device using same

Номер патента: EP4383853A1. Автор: Hyunsoo Ko,Hyangsun YOU,Jaenam SHIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-06-12.

Method for setting information about battery pack and battery system using same

Номер патента: EP4279934A1. Автор: Jeong Seok Ki. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Apparatus and method for modeling coarse stepsize delay element and delay locked loop using same

Номер патента: US20110316598A1. Автор: William Petrie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Fabrication of flexible thin film gaas-based group iii-v solar cell on si substrate

Номер патента: WO2022139729A1. Автор: Mustafa KULAKCI,Ugur SERINCAN. Владелец: Eskisehir Teknik Universitesi. Дата публикации: 2022-06-30.

METHOD FOR PRODUCING AMORPHOUS OXIDE THIN FILM AND THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20140103341A1. Автор: TANAKA Atsushi,SUZUKI Masayuki,Shimoda Tatsuya,UMEDA Kenichi. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2014-04-17.

METHOD FOR PRODUCING COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM AND SOLAR CELL INCLUDING COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM

Номер патента: US20150075614A1. Автор: Wada Takahiro,Yamada Akira,Zhang Yiwen. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

Thin film laminate and method for producing patterned conductive thin film

Номер патента: CN111696703A. Автор: 鹰尾宽行,酒井和也,竹安智宏. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Thin film magnetic head and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040100730A1. Автор: Kimitoshi Etoh,Tetsuya Okai,Yoji Maruyama,Makoto Morijiri. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-05-27.

Apparatus and method for uniform air gap in thin film magnetic cores

Номер патента: US20230057305A1. Автор: Osman Ersed Akcasu,John Othniel Mcdonald. Владелец: Atlas Magnetics. Дата публикации: 2023-02-23.

Safe method for bleaching teeth

Номер патента: US09949810B2. Автор: Lion Flyash,Fabian TENENBAUM. Владелец: Colgate Palmolive Co. Дата публикации: 2018-04-24.

METHOD FOR PRODUCING SOLID ELECTROLYTE THIN FILMS FOR LITHIUM ION BATTERIES

Номер патента: FR2982083B1. Автор: Fabien Gaben. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-06-27.

METHOD FOR PRODUCING SOLID ELECTROLYTE THIN FILMS FOR LITHIUM ION BATTERIES

Номер патента: FR2982083A1. Автор: Fabien Gaben. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-03.

Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US7295255B2. Автор: Yun Bok Lee,Jae Hong Jun. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-13.

Method for producing a protective thin film for a magnetic head

Номер патента: US7280312B2. Автор: Masatoshi Nakayama. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-10-09.

Thin film cutting apparatus for a display panel and thin film cutting method using same

Номер патента: WO2012023797A2. Автор: 조원익. Владелец: (주)에스와이리더. Дата публикации: 2012-02-23.

Method for manufacturing polarizer and polarizer manufactured by the same

Номер патента: US20160216422A1. Автор: Jin Yong Park,Ji Young Kim,Hye Min Yu,Eungki Lee,Taek Geun NAM,Kyun II Rah. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

METHOD FOR PRODUCING WATERPROOF ORGANIC THIN FILM

Номер патента: US20130209691A1. Автор: Umemoto Toru,Matsuda Shoichi,Kameyama Tadayuki,Tomohisa Hiroshi. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-15.

METHOD FOR PRODUCING A CdTe THIN-FILM SOLAR CELL

Номер патента: US20210210650A1. Автор: PENG Shou,HARR Michael,DROST CHRISTIAN,FRAUENSTEIN SVEN. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Method for producing oxide superconductor thin film

Номер патента: JP2854623B2. Автор: 六月 山崎,久士 芳野. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-02-03.

Method for producing polycrystalline semiconductor thin film

Номер патента: JP3642546B2. Автор: 幸治 鈴木. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-04-27.

Method for producing a hydrocarbon thin film

Номер патента: KR102347279B1. Автор: 김동욱,이종훈,김의태. Владелец: 울산과학기술원. Дата публикации: 2022-01-05.

Method for producing polycrystalline silicon thin film

Номер патента: JP4729191B2. Автор: 八井  浄,俊昭 鈴木. Владелец: Meidensha Corp. Дата публикации: 2011-07-20.

Method for producing solar cell thin film

Номер патента: JP3089407B2. Автор: 宏之 大柳,栄 仁木,昭政 山田,フォンス ポール. Владелец: 工業技術院長. Дата публикации: 2000-09-18.

Method for producing a photovoltaic thin film module

Номер патента: SK12902002A3. Автор: Albert Plessing. Владелец: ISOVOLTA �sterreichische Isolierstoffwerke Aktiengesellschaft. Дата публикации: 2003-05-02.

Method for producing oxide superconducting thin film

Номер патента: JP2853250B2. Автор: 謙一 佐藤,悟 高野,典之 葭田,繁 奥田,憲器 林. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1999-02-03.

Method for producing insulated gate thin film semiconductor device

Номер патента: US6265745B1. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoto Kusumoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-24.

Method for producing organic monomolecular thin film

Номер патента: JP3929142B2. Автор: 一志 藤岡,幹宏 山中,公隆 大野,郷子 御手洗. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-06-13.

Method for producing oxide superconducting thin film

Номер патента: JP3110473B2. Автор: 築志 原,悟 高野,隆彦 山本,典之 葭田,繁 奥田,憲器 林,潔 岡庭. Владелец: Tokyo Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2000-11-20.

Method for producing oxide superconductor thin film

Номер патента: JP3015393B2. Автор: 忠男 三浦,正之 砂井,喜昭 寺島. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-03-06.

Method for producing MgB2 superconducting thin film

Номер патента: JP4081795B2. Автор: 哲治 内山. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2008-04-30.

Method for producing high temperature thin film silicon layer on glass

Номер патента: US8129215B1. Автор: Ann B Campbell,Joel F Farber,Harry R Campbell,James P Campbell. Владелец: James P Campbell. Дата публикации: 2012-03-06.

Method for producing a piezoelectric thin-film arrangement

Номер патента: DE69735011D1. Автор: Masato Shimada,Masami Murai,Tsutomu Nishiwaki,Kouji Sumi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for producing hafnium silicate thin film by atomic layer adsorption deposition

Номер патента: JP3627106B2. Автор: 三紀子 安原,秀公 門倉. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2005-03-09.

Method for producing a photovoltaic thin film module

Номер патента: IL151410A0. Автор: . Владелец: Isovolta Osterreichishe Isolie. Дата публикации: 2003-04-10.

Method for forming organic semiconductor thin film and method of manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100029040A1. Автор: Akihiro Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Method for producing oxide superconductor thin film

Номер патента: JP2953776B2. Автор: 二朗 吉田,正之 砂井. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-09-27.

Method for producing polycrystalline silicon thin film

Номер патента: JP2012526379A. Автор: ウォン テ リ,,ハン シク チョ,,ヒュン ス キム,. Владелец: Nokord Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-25.

Method for producing soft magnetic thin film

Номер патента: JP3127070B2. Автор: 正司 道嶋,昌則 享保. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-01-22.

Method for producing oxide superconducting thin film

Номер патента: JP3038758B2. Автор: 淳一 佐藤,恵吉 中村,恵一 小川,正次 貝瀬,光明 大貫. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2000-05-08.

Method for producing oxide superconducting thin film

Номер патента: JP3192667B2. Автор: 築志 原,悟 高野,隆彦 山本,典之 葭田,繁 奥田,憲器 林,潔 岡庭. Владелец: Tokyo Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2001-07-30.

Thin film encapsulation structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11765926B2. Автор: Rui Hong,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Thin film encapsulation structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210336200A1. Автор: Rui Hong,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Lithium metal thin film composite and preparation method thereof

Номер патента: EP4350806A1. Автор: Seunghyeon JO,Kyu Tae Lee,Jeongeun Oh,Bomee KWON. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-04-10.

Method for removing floor from a substrate

Номер патента: US20090282959A1. Автор: Douglas C. Willis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

Method for fabricating and repairing organic thin film transistor

Номер патента: TW201112465A. Автор: Jenn-Chang Hwang,Sheng-Wei Chen,Chung-Hwa Wang. Владелец: Nat Univ Tsing Hua. Дата публикации: 2011-04-01.

Nondestructive apparatus and method for detecting molecular orientation in thin films

Номер патента: AU3364701A. Автор: Michele Muccini,Carlo Taliani. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2001-07-09.

Servo control method, apparatus using the same, and recording medium having program for executing the method

Номер патента: US20070025011A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-01.

METHOD FOR PRODUCING SILVER NANOWIRES, SILVER NANOWIRES, AND INK USING SAME

Номер патента: US20190154598A1. Автор: SATO Kimitaka,SAITO Hirotoshi,KODAMA Daisuke. Владелец: DOWA HOLDINGS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-23.

PROCESSES FOR PRODUCING AND TREATING THIN-FILMS COMPOSED OF NANOMATERIALS

Номер патента: US20160250712A1. Автор: Cheng Gary J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

PROCESS FOR PRODUCING A STACKED THIN FILM TRANSFER STRUCTURE

Номер патента: FR2856841A1. Автор: Hubert Moriceau,Sorin Cristoloveanu,Frederic Allibert. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2004-12-31.

Optical member and process for producing it and thin films

Номер патента: CA2421538A1. Автор: Masakazu Matsumoto,Yukihiro Takahashi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2003-09-18.

Method for recovering damage of pzt thin film using low temperature process

Номер патента: KR100378344B1. Автор: 김창정,정지원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-06-12.

Apparatus and method for converting the properties of thin film using electron beam

Номер патента: KR101558731B1. Автор: 박규창. Владелец: 경희대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-10-08.

Device for producing a photovoltaic thin-film module

Номер патента: CN102422420A. Автор: 赫尔曼·瓦格纳. Владелец: SCHOTT SOLAR AG. Дата публикации: 2012-04-18.

Method of fabricating polycrystalline silicon-germanium thin film transistor

Номер патента: US5753541A. Автор: Kousaku Shimizu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-05-19.

Process for producing an oral thin film comprising microparticles

Номер патента: CA3182522A1. Автор: Markus Müller,Marius Bauer,Michael Linn. Владелец: LTS Lohmann Therapie Systeme GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-11-11.

Impregnating agent preparation and method for producing various paper products paper products by using same

Номер патента: HUT52835A. Автор: Philip Hakansson,Tony Blixt. Владелец: Grace W R & Co. Дата публикации: 1990-08-28.

Process for producing of a thin film transistor with self-aligned gate

Номер патента: EP0139585B1. Автор: Bernard Diem,Andre Chenevas-Paule. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1987-06-24.

Process for producing a photovoltaic thin film module

Номер патента: NO20024280L. Автор: Albert Plessing. Владелец: Isovolta. Дата публикации: 2002-10-06.

Process for producing a semiconductor thin film

Номер патента: DE69738608T2. Автор: Bernard Aspar,Michel Bruel,Thierry Poumeyrol. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2009-04-30.

Non-planar stretching apparatus for producing large dimension thin films

Номер патента: TW201204535A. Автор: Shia-Chung Chen,Ping-Shun Hsu,Chia-Yen Tseng. Владелец: Univ Chung Yuan Christian. Дата публикации: 2012-02-01.

Process for producing CIS-type thin film solar battery module

Номер патента: CN101278407B. Автор: 栉屋胜巳. Владелец: Showa Shell Sekiyu KK. Дата публикации: 2010-11-17.

Thin film bulk acoustic resonator and manufacturing process therefor

Номер патента: US20230208383A1. Автор: ZHOU Jiang,Linping Li,Jinghao SHENG. Владелец: Jwl Zhejiang Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Thin film bulk acoustic resonator and manufacturing process therefor

Номер патента: US11901872B2. Автор: ZHOU Jiang,Linping Li,Jinghao SHENG. Владелец: Jwl Zhejiang Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Defect Prevention Methods for Pixel-Array Substrates

Номер патента: US20230122521A1. Автор: Gang Chen,Qin Wang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Multi-layer oral thin film

Номер патента: US20240156726A1. Автор: Michael Linn,Claudia Norelli,Mario FICKER. Владелец: LTS Lohmann Therapie Systeme AG. Дата публикации: 2024-05-16.

Formation of SiOCN thin films

Номер патента: US11996284B2. Автор: Toshiya Suzuki,Viljami J. Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-28.

Thin film packaging structure and preparation method therefor

Номер патента: EP3731292A1. Автор: Rui Hong,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-28.

Display device and method for repairing and detecting thin film transistor of display device

Номер патента: US20200168516A1. Автор: Meng Hsiu Ho. Владелец: AU Optronics Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Multi-layer oral thin film

Номер патента: US20240091144A1. Автор: Christoph Schmitz,Michael Linn,Claudia Norelli,Mario FICKER. Владелец: LTS Lohmann Therapie Systeme AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for setting information about battery pack and battery system using same

Номер патента: EP4279934A4. Автор: Jeong Seok Ki. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Method for determining whether medication has been administered and server using same

Номер патента: EP4200870A4. Автор: Hwiwon Lee,Sang Pil Yoo. Владелец: Inhandplus Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

SYSTEMS AND METHODS FOR PROCESSING A FILM, AND THIN FILMS

Номер патента: US20140045347A1. Автор: Im James S.. Владелец: The Trustees of Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2014-02-13.

LASER ANNEALING DEVICE AND THIN FILM CRYSTALLIZATION METHOD USING SAME

Номер патента: US20210057218A1. Автор: LEE Dong-Min,KIM Ji-Hwan,SEO Jongoh,SO Byung Soo. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

THIN FILM SOLAR MODULE HAVING SERIES CONNECTION AND METHOD FOR THE SERIES CONNECTION OF THIN FILM SOLAR CELLS

Номер патента: US20140246070A1. Автор: Karg Franz. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-04.

Method for manufacturing interconnects in a thin film photovoltaic module and thin film photovoltaic module

Номер патента: EP2442361A3. Автор: Wilhelm Stein. Владелец: Wilhelm Stein. Дата публикации: 2017-05-03.

Method of making series-connected, thin-film solar module formed of crystalline silicon

Номер патента: US4879251A. Автор: Wolfgang Kruehler,Peter Milla. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-11-07.

Method for deriving a merge candidate block and device using same

Номер патента: CA2968598C. Автор: Bae Keun Lee,Jae Cheol Kwon,Joo Young Kim. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 2019-04-30.

Amorphous silicon thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US4916090A. Автор: Yoshihisa Ogiwara,Noboru Motai,Yasunari Kanda. Владелец: Seikosha KK. Дата публикации: 1990-04-10.

Method for applying a conductive epoxy conductive bar / contact tab system to a substrate and substrate

Номер патента: BR9909150A. Автор: John E Smarto. Владелец: Ppg Ind Ohio Inc. Дата публикации: 2001-09-04.

Method for measuring film thickness of thin film laminate

Номер патента: JP5095422B2. Автор: 明男 米山,和浩 上田. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-12-12.

Method for manufacturing offset polysilicon thin-film transistor

Номер патента: US5543340A. Автор: Joo-hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-08-06.

METHOD FOR TREATING SURFACE OF DIAMOND THIN FILM, METHOD FOR FORMING TRANSISTOR, AND SENSOR DEVICE

Номер патента: US20150054000A1. Автор: Kawarada Hiroshi,Saruya Toshiyuki,Shintani Yukihiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

method for fabricating semiconductor layer for thin film transistor

Номер патента: KR100660814B1. Автор: 양명수. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2006-12-26.

Method for recycling indium tin oxide thin film and method for recycling a substrate

Номер патента: TWI408239B. Автор: Jiun Wen Cheng,Li Han Chen,Ying Chieh Lai. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-09-11.

Method for making cu2-xse nanoparticle and method for making deposited cu2-xse thin film by electrophoresis

Номер патента: TWI439578B. Автор: Chu Chi Ting,Wen Yuan Lee. Владелец: Nat Univ Chung Cheng. Дата публикации: 2014-06-01.

Method for Image Capture of TFT Flat-Panel Image Sensor

Номер патента: US20180070039A1. Автор: YAN Ling,Hong Zhu. Владелец: Shanghai Oxi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Sodium Sputtering Doping Method for Large Scale CIGS Based Thin Film Photovoltaic Materials

Номер патента: US20120018828A1. Автор: May Shao. Владелец: CM Manufacturing Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

METHOD FOR FABRICATING A GaN-BASED THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120122281A1. Автор: YI Chang,Chia-Hua Chang,Yueh-Chin Lin. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2012-05-17.

Method for transmitting/receiving media and device for transmitting/receiving using same

Номер патента: US20130125186A1. Автор: Hyeonjae Lee,Waqar Zia. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2013-05-16.

CONDUCTIVE COMPOSITION AND METHOD FOR MAKING CONDUCTIVE FEATURES ON THIN FILM PV CELLS

Номер патента: US20130196465A1. Автор: Dong Chun Christine. Владелец: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Дата публикации: 2013-08-01.

SYSTEM AND METHOD FOR MEASURING PROPERTIES OF A THIN FILM COATED GLASS

Номер патента: US20130215415A1. Автор: Burrows Keith J.,Lagerman Jordan B.,Thering Kyle R.. Владелец: CARDINAL CG COMPANY. Дата публикации: 2013-08-22.

METHOD FOR MANUFACTURING AND SCRIBING A THIN-FILM SOLAR CELL

Номер патента: US20130270237A1. Автор: Springer Jiri. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

METHOD FOR FABRICATING A THREE-DIMENSIONAL THIN-FILM SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FROM A TEMPLATE

Номер патента: US20130288418A1. Автор: Moslehi Mehrdad M.,Wang David Xuan-Qi. Владелец: SOLEXEL, INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

METHOD FOR FORMING LOW TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM

Номер патента: US20140057419A1. Автор: Long Chunping,Tian Xueyan,Yao Jiangfeng. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-02-27.

METHOD FOR TRANSCEIVING MEDIA FILES AND DEVICE FOR TRANSMITTING/RECEIVING USING SAME

Номер патента: US20160029068A1. Автор: Lee Hyeonjae,Kim Kyungho,Zia Waqar. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

METHOD FOR FABRICATING CONDUCTING STRUCTURE AND THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL

Номер патента: US20190027571A1. Автор: Chang Wei-Chih,LIN HSIN-HUA,KAO YI-CHUN,WU I-WEI,SHIH PO-LI,WAN CHANG-CHUN. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

METHOD FOR MANUFACTURING ALL-SOLID-STATE THIN-FILM BATTERIES

Номер патента: US20190036172A1. Автор: Gaben Fabien,Vuillemin Bruno,BOUYER Frédéric. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

DISPLAY FOR AUTOMATED TELLER MACHINE AND METHOD FOR DEPOSITING MONEY IN A PLURALITY OF ACCOUNTS BY USING SAME

Номер патента: US20170039818A1. Автор: MIN Yoo Mee,LEE Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING GATE PROFILE USING THIN FILM STRESS IN GATE LAST PROCESS

Номер патента: US20170053913A1. Автор: Ryu Koung-Min,KANG Sang-Koo,Min Sun-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

METHOD FOR TRANSCEIVING MEDIA FILES AND DEVICE FOR TRANSMITTING/RECEIVING USING SAME

Номер патента: US20160073178A1. Автор: Lee Hyeonjae,Kim Kyungho,Zia Waqar. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

DISTANCE RENDERING METHOD FOR AUDIO SIGNAL AND APPARATUS FOR OUTPUTTING AUDIO SIGNAL USING SAME

Номер патента: US20180077514A1. Автор: Suh Jongyeul,LEE Tung Chin. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2018-03-15.

METHOD FOR DETERMINING LINK AVAILABILITY FOR IAB NODE, AND NODE USING SAME

Номер патента: US20220141074A1. Автор: Ko Hyunsoo,YOON Sukhyon,PARK Haewook,YOU Hyangsun,LEE Gyeongcheol. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

METHOD FOR MANUFACTURING POLYSILICON LAYER AND THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING THE POLYSILICON LAYER

Номер патента: US20190103495A1. Автор: LEE Dong-Min,LEE Dong-Sung,SO Byung Soo,SEO Jong Oh. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

THIN FILM TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND IMAGE DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20150129862A1. Автор: MURATA Kodai. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

Method for manufacturing poly-silicon layer, thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20180122634A1. Автор: Qianqian Bu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

METHODS FOR FORMING DOPED SILICON OXIDE THIN FILMS

Номер патента: US20150147875A1. Автор: Fukuda Hideaki,NISKANEN Antti,Fukazawa Atsuki,Nakano Ryu,Haukka Suvi,Takamure Noboru,Namba Kunitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

METHODS FOR FORMING CONDUCTIVE TITANIUM OXIDE THIN FILMS

Номер патента: US20150162183A1. Автор: LESKELA Markku,Ritala Mikko,Pore Viljami. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

METHOD FOR MANUFACTURING A SILICON NITRIDE THIN FILM

Номер патента: US20150179437A1. Автор: Li Zhanxin. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2015-06-25.

METHOD FOR PRODUCING METAL THIN FILM

Номер патента: US20120000382A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing composite material thin film using pulsed laser deposition method

Номер патента: JP2687845B2. Автор: 哲朗 佐藤,貞彦 三浦. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-12-08.

Process for producing a ferromagnetic thin film

Номер патента: CA765785A. Автор: TERAJIMA Makoto. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1967-08-22.

Improved process for producing nanoporous silica thin films

Номер патента: TW392309B. Автор: Douglas M Smith,Stephen Wallace,Theresa Ramos,Kevin H Roderick. Владелец: Allied Signal Inc. Дата публикации: 2000-06-01.

Method for producing silicon oxide thin film or titanium oxide thin film

Номер патента: JP4133353B2. Автор: 和志 林,敏洋 釘宮,裕史 後藤,勇藏 森. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2008-08-13.

Method for producing metal oxide thin film and thin film composite material

Номер патента: JP4135154B2. Автор: 靖 島田,恭 神代,裕介 近藤,善毅 平田. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-20.

Method for producing polyamic acid thin film and liquid crystal display device using the polyamic acid thin film

Номер патента: JP2542745B2. Автор: 隆 佐々木,浩之 藤井. Владелец: GTC KK. Дата публикации: 1996-10-09.

Memory and method for repairing same, data processing device and driving method using same

Номер патента: TW201222552A. Автор: Zhong Xu. Владелец: Hon Hai Prec Ind Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-01.

Method for producing crosslinked polymer thin film

Номер патента: JP3128782B2. Автор: 豊喜 国武,範鍾 李,裕一 有戸. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2001-01-29.

Method for producing titanium oxide thin film

Номер патента: JPH0812302B2. Автор: 繁 佐々木,康夫 日良,秀己 佐藤,貴子 福島,和民 川本. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-02-07.

Method for producing crystalline alumina thin film at low temperature

Номер патента: JP2001335917A. Автор: 平 金,Taira Kin. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 2001-12-07.

Method for producing oriented metal thin film

Номер патента: JPH0723534B2. Автор: 賢二 飯島,良一 高山,佳宏 富田,一朗 上田. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1995-03-15.

Method for producing composite oxide thin film

Номер патента: JP3706409B2. Автор: 幸彦 白川,恭之 山本,美穂子 佐藤. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-10-12.

Method for producing ruthenium oxide thin film

Номер патента: JP3257279B2. Автор: 浩司 渡部,均洋 田中,浩一 川角,美保 貞本. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-02-18.

Method for producing single crystal thin film by liquid phase epitaxy

Номер патента: JP3188541B2. Автор: 哲史 大野,昌宏 辻. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-16.

Method for producing zinc oxide thin film

Номер патента: JP5288464B2. Автор: 功一 徳留,浩司 豊田,健一 羽賀,賢二 吉野,孝一郎 稲葉. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2013-09-11.

Method for producing silica-based thin film and organic-inorganic composite gradient material

Номер патента: JP3889615B2. Автор: 典宏 仲山,匡 小池. Владелец: Ube-Nitto Kasei Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-07.

Method for producing inorganic compound thin film

Номер патента: JP2876409B2. Автор: 文彦 武居,浩幸 竹屋. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-31.

Method for producing carbon material thin film

Номер патента: JP4910332B2. Автор: 義明 前田. Владелец: Nok Corp. Дата публикации: 2012-04-04.

Method for producing amorphous magnetic thin film

Номер патента: JPH0626171B2. Автор: 憲雄 太田,愃 杉田,成範 岡峯. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-04-06.

Method for producing perovskite ferroelectric thin film

Номер патента: JP3663436B2. Автор: 知二 川合,光 小林,仁 田畑,英治 六田. Владелец: 大阪大学長. Дата публикации: 2005-06-22.

Method for producing electron-emitting thin film, electrode substrate and electron-emitting device

Номер патента: JP4490901B2. Автор: 徹 野口,章 曲尾. Владелец: Nissin Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-30.

Method for producing transparent conductive thin film

Номер патента: JP3154189B2. Автор: 雅郎 御園生,正清 外池. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2001-04-09.

Method for producing silicon oxide thin film

Номер патента: JP4711733B2. Автор: 宏樹 佐藤,篤也 芳仲. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2011-06-29.

Method for sputtering copper indium chalcogenides thin film

Номер патента: TW200932933A. Автор: yao-xian Fu,Wen-Qi Huang,shi-ren Lin,bang-yan Zhou,Chun-Hui Chen. Владелец: Nanowin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-01.

Method for manufacturing poly-Si of thin-film transistor

Номер патента: TW584969B. Автор: Ching-Lin Fan. Владелец: RiTdisplay Corp. Дата публикации: 2004-04-21.

Method for manufacturing poly-Si of thin-film transistor

Номер патента: TW200419807A. Автор: Ching-Lin Fan. Владелец: RiTdisplay Corp. Дата публикации: 2004-10-01.

METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING A PHOTOVOLTAIC THIN-FILM MODULE

Номер патента: US20120164782A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

Method for preparing a Quantum dot Thin Film using Dithiol Compound

Номер патента: KR100583364B1. Автор: 장은주,안태경,노태용. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-25.

Formaldehyde-free adhesive and method for producing formaldehyde-free palm fiber mattress by using same

Номер патента: CN102618210A. Автор: 田志壮. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-01.

Composition for producing complex oxide thin film

Номер патента: JP5702258B2. Автор: 功一 徳留,浩司 豊田,健一 羽賀,孝一郎 稲葉,豊田 浩司. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2015-04-15.

Method and apparatus for producing diamond-like thin film

Номер патента: JP2989198B2. Автор: 正俊 中山,正典 柴原,国博 上田. Владелец: TEII DEII KEI KK. Дата публикации: 1999-12-13.

Method and apparatus for producing diamond-like thin film

Номер патента: JP2687129B2. Автор: 正俊 中山,国博 上田. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1997-12-08.

Method and apparatus for producing molecular crystalline thin film

Номер патента: JPS6333557A. Автор: Jiro Sakata,二郎 坂田. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 1988-02-13.

METHOD FOR FORMING TCO FILMS AND THIN FILM STACK

Номер патента: US20120255602A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-10-11.

DIBENZOFLUORANTHENE COMPOUND AND ORGANIC THIN-FILM SOLAR CELL USING SAME

Номер патента: US20120298203A1. Автор: MATSUURA Masahide,Ikeda Hidetsugu. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

Method for producing polypropylene resin suitable for film use

Номер патента: JP4884638B2. Автор: 松村  秀司,殖 播摩,橋詰  聡,芳雄 佐々木,章博 犬飼. Владелец: Prime Polymer Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-29.

Method for forming magnetic pole of thin film magnetic head and method for manufacturing thin film magnetic head

Номер патента: JP3792396B2. Автор: 芳高 佐々木. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-07-05.

Method for Manufacturing of Multi-layer Thin film Substrate and the multi-layer Thin film Substrate

Номер патента: KR100942944B1. Автор: 김상희. Владелец: 주식회사 탑 엔지니어링. Дата публикации: 2010-02-22.

A composition for a foamable refractory paint and a method for producing a foamable refractory coating film using the same.

Номер патента: JP6995230B1. Автор: 木 彬 大. Владелец: 大木 彬. Дата публикации: 2022-01-14.

Method for preparing low temperature polysilicon thin film and transistor of low temperature polysilicon thin film

Номер патента: CN1540719A. Автор: 陈韵升. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-10-27.

GAS BARRIER THIN FILM, ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF PREPARING GAS BARRIER THIN FILM

Номер патента: US20130059155A1. Автор: CHOI Jae-Young,PARK Ho-bum. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-07.

A method for protecting plant propagation material from pest pesticidal composition for achieving same and plant

Номер патента: IL120385A0. Автор: . Владелец: NOVARTIS AG. Дата публикации: 1999-10-28.

METHOD FOR CALCULATING PARAMETER VALUES OF THIN-FILM TRANSISTOR AND APPARATUS FOR PERFORMING THE METHOD

Номер патента: US20120323542A1. Автор: . Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-12-20.

Method for preparing conductive paste for thin-film switch

Номер патента: CN101937735B. Автор: 陈春锦. Владелец: Irico Group Corp. Дата публикации: 2011-12-21.

Method for deposition and etching of thin films for microelectronic applications

Номер патента: CA2029518A1. Автор: Tu T. Chau,Sergio R. Mejia,Kwan C. Kao. Владелец: Kwan C. Kao. Дата публикации: 1992-05-09.

MANUFACTURING METHOD FOR A ZINC OXIDE PIEZOELECTRIC THIN-FILM WITH HIGH C-AXIS ORIENTATION

Номер патента: US20120023719A1. Автор: Huang I-Yu,CHEN Yu-Hung,Lin Chang-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-02.

SYSTEMS AND METHODS FOR HIGH-RATE DEPOSITION OF THIN FILM LAYERS ON PHOTOVOLTAIC MODULE SUBSTRATES

Номер патента: US20120024695A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-02-02.

METHOD FOR MANUFACTURING MICROCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR AND THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120100677A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-26.

METHOD FOR FORMING AN ALUMINUM NITRIDE THIN FILM

Номер патента: US20120100698A1. Автор: Kato Koji,YAMAMURA Waichi,KANO Shoji. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-26.

METHODS FOR MANUFACTURING PASSIVATION LAYER AND THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120129303A1. Автор: . Владелец: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-24.

METHOD FOR HIGH VOLUME MANUFACTURING OF THIN FILM BATTERIES

Номер патента: US20120214047A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-23.

METHODS FOR MANUFACTURING A METAL-OXIDE THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20130045567A1. Автор: ZAN Hsiao-Wen,TSAI Chuang-Chuang,YEH Chun-Cheng,CHEN Liang-Hao. Владелец: E Ink Holdings Inc.. Дата публикации: 2013-02-21.

SYSTEM AND METHOD FOR MEASURING PROPERTIES OF A THIN FILM COATED GLASS

Номер патента: US20130215413A1. Автор: Burrows Keith J.,Lagerman Jordan B.,Thering Kyle R.. Владелец: CARDINAL IG COMPANY. Дата публикации: 2013-08-22.

DEVICES AND METHODS FOR DISCHARGING PIXELS HAVING OXIDE THIN-FILM TRANSISTORS

Номер патента: US20130234919A1. Автор: Huang Chun-Yao,Chu Chia-Ching,Choi Wonjae. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

METHOD FOR SYNTHESIS OF LARGE AREA THIN FILMS

Номер патента: US20140113074A1. Автор: Li Xuesong,Wu Jia-Hung. Владелец: BLUESTONE GLOBAL TECH LTD.. Дата публикации: 2014-04-24.