インジウム前駆体化合物、これを用いた薄膜の製造方法、及びこれから製造された基板
Номер патента: JP2022554122A
Опубликовано: 28-12-2022
Автор(ы): ジョン イ,ソク, ソン ジョン,ジェ, ヒ キム,ジン, ボン ヨン,チャン
Принадлежит: ソウルブレイン シーオー., エルティーディー.
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Yttrium/lanthanide metal precursor compound, composition for forming film including the same, and method of forming yttrium/lanthanide metal containing film using the same
Номер патента: US20220325411A1. Автор: Myeong-Ho Park,Jin Sik Kim,Dong Hwan Ma,Yun Gyeong YI,Jun Hwan CHOI. Владелец: UP Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.