Power noise reduction technique for high density memory with frequency adjustments
Номер патента: US10418073B1
Опубликовано: 17-09-2019
Автор(ы): Harish N. Venkata, Yu-feng Chen
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-09-2019
Автор(ы): Harish N. Venkata, Yu-feng Chen
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Very high density wafer scale device architecture
Номер патента: WO1991015853A1. Автор: Mammen Thomas,James W. Hively,Richard L. Bechtel. Владелец: Tactical Fabs, Inc.. Дата публикации: 1991-10-17.