METHOD FOR MANUFACTURING A GROUP III NITRIDE SUBSTRATE USING A CHEMICAL LIFT-OFF PROCESS
Номер патента: US20130193558A1
Опубликовано: 01-08-2013
Автор(ы): Dae Woo Jeon, Hwa Seop Oh, Hyung Jo Park, Ja Yeon Kim, Jin Woo Ju, Jong Hyeob Baek, Sang Hern Lee, Tae Hoon Chung, Tak Jung, Yoon Seok Kim
Принадлежит: Korea Photonics Technology Institute
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-08-2013
Автор(ы): Dae Woo Jeon, Hwa Seop Oh, Hyung Jo Park, Ja Yeon Kim, Jin Woo Ju, Jong Hyeob Baek, Sang Hern Lee, Tae Hoon Chung, Tak Jung, Yoon Seok Kim
Принадлежит: Korea Photonics Technology Institute
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for manufacturing a group iii nitride substrate using a chemical lift-off process
Номер патента: WO2012064050A3. Автор: 이상헌,이승재,백종협,정탁,전대우,주진우. Владелец: 한국광기술원. Дата публикации: 2012-07-19.