Method of forming a metal layer and method of manufacturing a substrate having such metal layer
Номер патента: US09988730B2
Опубликовано: 05-06-2018
Автор(ы): Hitoshi Ishikawa, Jun Higuchi, Tadahiro Nishigawa
Принадлежит: Atotech Deutschland GmbH and Co KG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-06-2018
Автор(ы): Hitoshi Ishikawa, Jun Higuchi, Tadahiro Nishigawa
Принадлежит: Atotech Deutschland GmbH and Co KG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Interconnect And Method For Mounting An Electronic Device To A Substrate
Номер патента: US20100123115A1. Автор: Warren M. Farnworth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-20.