Low voltage switching gate driver under a high voltage rail
Номер патента: US09960755B2
Опубликовано: 01-05-2018
Автор(ы): Zakaria Mengad
Принадлежит: Dialog Semiconductor UK Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-05-2018
Автор(ы): Zakaria Mengad
Принадлежит: Dialog Semiconductor UK Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Low Voltage Switching Gate Driver under a High Voltage Rail
Номер патента: US20170331466A1. Автор: Zakaria Mengad. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.