Modeling method of SPICE model series of SOI FET
Номер патента: US09953118B2
Опубликовано: 24-04-2018
Автор(ы): Jiexin Luo, Jing Chen, Qingqing Wu, Xi Wang, Zhan Chai
Принадлежит: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-04-2018
Автор(ы): Jiexin Luo, Jing Chen, Qingqing Wu, Xi Wang, Zhan Chai
Принадлежит: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
STI stress effect modeling method and device of an MOS device
Номер патента: US10176287B2. Автор: Shuzhen LI,Jiajun Luo,Zhengsheng Han,Jianhui Bu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-01-08.