Integrated circuit device and method of fabricating the same
Номер патента: US09859393B2
Опубликовано: 02-01-2018
Автор(ы): Bon-young Koo, Gi-gwan PARK, Hyun-seung KIM, Ki-yeon Park, Mi-seon Park, Tae-Jong Lee, Yong-Suk Tak
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-01-2018
Автор(ы): Bon-young Koo, Gi-gwan PARK, Hyun-seung KIM, Ki-yeon Park, Mi-seon Park, Tae-Jong Lee, Yong-Suk Tak
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Integrated circuit having improved electromigration performance and method of forming same
Номер патента: US20170236780A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Michael P. Chudzik,Joyeeta Nag,Andrew H. Simon,Siddarth A. Krishnan,Shishir K. Ray. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-17.