Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • High aspect ratio patterning of hard mask materials by organic soft masks

High aspect ratio patterning of hard mask materials by organic soft masks

Номер патента: US09728421B2
Опубликовано: 08-08-2017
Автор(ы): Eric A. Joseph, Hiroyuki Miyazoe, Markus BRINK, Sebastian U. Engelmann
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Hard mask integrated etch process for patterning of silicon oxide and other dielectric materials

Номер патента: US20040178169A1. Автор: David Dobuzinsky,Richard Wise,Sadanand Desphande,Arpan Mahorowala,Tina Wagner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Composite hard mask etching profile for preventing pattern collapse in high-aspect-ratio trenches

Номер патента: US09449821B2. Автор: An Chyi Wei,Zusing Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Oxidizing filler material lines to increase width of hard mask lines

Номер патента: US09852900B2. Автор: Shivaji PEDDETI,Chang MAENG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

High aspect ratio contact etching with additive gas

Номер патента: US20240332029A1. Автор: Mingmei Wang,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

High aspect ratio contact etching with additive gas

Номер патента: WO2024205688A1. Автор: Mingmei Wang,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Very high aspect ratio contact

Номер патента: US20160149012A1. Автор: ABBAS Ali. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Gas mixture including hydrogen fluoride, alcohol and an additive for preventing stiction of and/or repairing high aspect ratio structures

Номер патента: US11823892B2. Автор: Ji Zhu,David Mui,Rafal Dylewicz,Nathan Lavdovsky,Gerome Michel Dominique MELAET. Владелец: LAM RESEARCH AG. Дата публикации: 2023-11-21.

High Aspect Ratio Via Etch Using Atomic Layer Deposition Protection Layer

Номер патента: US20190181041A1. Автор: Xinghua Sun,Yen-Tien Lu,Eric Chih-Fang Liu,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Gas mixture including hydrogen fluoride, alcohol and an additive for preventing stiction of and/or repairing high aspect ratio structures

Номер патента: US20240038526A1. Автор: Ji Zhu,David Mui,Rafal Dylewicz,Nathan Lavdovsky,Gerome Michel Dominique MELAET. Владелец: LAM RESEARCH AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of in situ hard mask removal

Номер патента: US20180082842A1. Автор: Alok Ranjan,Andrew Nolan,Mingmei Wang,Christopher Talone. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Metal Hard Mask Integration

Номер патента: US20230260801A1. Автор: Kaoru Maekawa,Gerrit Leusink,Angelique RALEY,Katie Lutker-Lee,Hirokazu Aizawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method For Etching High Aspect Ratio Features Within A Dielectric Using A Hard Mask Stack Having Multiple Hard Mask Layers

Номер патента: US20230360925A1. Автор: JinYing Lin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method For Improving Etch Rate And Critical Dimension Uniformity When Etching High Aspect Ratio Features Within A Hard Mask Layer

Номер патента: US20230343598A1. Автор: Yun Han,Kai-Hung YU,Shihsheng Chang,Andrew Metz,Eric Chih-Fang Liu,Minjoon PARK. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods of manufacturing semiconductor devices having high aspect ratio

Номер патента: US9324609B2. Автор: Jung-Woo Seo,Chan-Won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-26.

Low-cost method of making a hard mask for high resolution and low dimensional variations for the fabrication and manufacturing of micro- and nano-devices and -systems

Номер патента: US11990344B2. Автор: Michael A. Huff. Владелец: Corp for National Research Initiatives. Дата публикации: 2024-05-21.

Utilization of angled trench for effective aspect ratio trapping of defects in strain-relaxed heteroepitaxy of semiconductor films

Номер патента: US09799531B2. Автор: Errol Antonio C. Sanchez,Patrick M. Martin,Swaminathan T. Srinivasan,Fareen Adeni Khaja. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Utilization of angled trench for effective aspect ratio trapping of defects in strain relaxed heteroepitaxy of semiconductor films

Номер патента: US09406507B2. Автор: Errol Antonio C. Sanchez,Patrick M. Martin,Swaminathan T. Srinivasan,Fareen Adeni Khaja. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Metal hard mask for precise tuning of mandrels

Номер патента: WO2024022857A1. Автор: Koichi Motoyama,Christopher Penny,Yann Mignot,Joe Lee. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-02-01.

Utilization of angled trench for effective aspect ratio trapping of defects in strain-relaxed heteroepitaxy of semiconductor films

Номер патента: US10026613B2. Автор: Errol Antonio C. Sanchez,Patrick M. Martin,Swaminathan T. Srinivasan,Fareen Adeni Khaja. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Bottom thick oxidation growth in high aspect ratio features

Номер патента: US20240242962A1. Автор: Christopher S. Olsen,Hansel LO,Dimitrios Pavlopoulos. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Bottom thick oxidation growth in high aspect ratio features

Номер патента: WO2024151700A1. Автор: Christopher S. Olsen,Hansel LO,Dimitrios Pavlopoulos. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for increasing pattern density in self-aligned patterning schemes without using hard masks

Номер патента: US09786503B2. Автор: Akiteru Ko,Angelique D. Raley,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Protecting, oxidizing, and etching of material lines for use in increasing or decreasing critical dimensions of hard mask lines

Номер патента: US20170294308A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Protecting, oxidizing, and etching of material lines for use in increasing or decreasing critical dimensions of hard mask lines

Номер патента: US09799514B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for depositing insulating film on recessed portion having high aspect ratio

Номер патента: US09818604B2. Автор: Hai-Won Kim,Chang-Hun Shin,Seok-Yun Kim,Choon-Sik JEONG. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of forming fine island patterns of semiconductor devices

Номер патента: US20190074182A1. Автор: Shing-Yih Shih,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Hard mask composition for spin-coating

Номер патента: US09899231B2. Автор: Jung-Sik Choi,Boo-Deuk Kim,Jung-Hoon Kim,Nae-Ry Yu,Song-Se Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of removing a hard mask on a gate

Номер патента: US09484263B1. Автор: Chao-Hung Lin,Yi-Wen Chen,Chen-Ming Huang,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Ching-Ling Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Anodic aluminum oxide as hard mask for plasma etching

Номер патента: WO2019240909A1. Автор: Chanyuan Liu,Shih-Ked Lee. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-12-19.

Methods of forming patterns using hard mask

Номер патента: US20230386836A1. Автор: Joo Hwan Park,Joon Gi KWON,Myung Ok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming a dual damascene structure utilizing a three layer hard mask structure

Номер патента: US7226853B2. Автор: Nikolaos Bekiaris,Mehul B. Naik,Timothy Weidman,Michael D. Armacost. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-06-05.

Lateral-dimension-reducing metallic hard mask etch

Номер патента: US20150235951A1. Автор: Wai-Kin Li,Samuel S. Choi. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for etching back hard mask layer on tops of dummy polysilicon gates in gate last process

Номер патента: US11538923B2. Автор: Ying Xu,Ran Huang,Shidong Fu,Bohan Jiang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Semiconductor device with carbon hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US20220157712A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device with carbon hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US20220157713A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Method for manufacturing semiconductor device and method for forming hard mask

Номер патента: US20120190166A1. Автор: Kazuhiro Okuda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor device with carbon hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US11776904B2. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for etching back hard mask layer on tops of dummy polysilicon gates in gate last process

Номер патента: US20220102531A1. Автор: Ying Xu,Ran Huang,Shidong Fu,Bohan Jiang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Highly physical etch resistive photoresist mask to define large height sub 30nm via and metal hard mask for MRAM devices

Номер патента: US11930715B2. Автор: Yi Yang,Yu-Jen Wang,Dongna Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Hard mask and semiconductor device comprising the same

Номер патента: US20240231219A1. Автор: Sang Chul Han,Seok Jun Hong,Yi Hwan Kim,Nam Jin CHO,Seong Keun CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Selective removal of boron doped carbon hard mask layers

Номер патента: US09691590B2. Автор: David T. Mattson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Thin resist with nitride hard mask for via etch application

Номер патента: US6127070A. Автор: Fei Wang,Christopher F. Lyons,Scott A. Bell,Harry J. Levinson,Khanh B. Nguyen,Chih Yuh Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-03.

Preparation method for accurate pattern of integrated circuit

Номер патента: US11699594B2. Автор: Hanming Wu. Владелец: Etownip Microelectronics (beijing) Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Preparation method for accurate pattern of integrated circuit

Номер патента: US20220051903A1. Автор: Hanming Wu. Владелец: Etownip Microelectronics Beijing Co ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Metal hard mask for precise tuning of mandrels

Номер патента: US20240038535A1. Автор: Koichi Motoyama,Christopher J. Penny,Yann Mignot,Joe Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Approach to prevent collapse of high aspect ratio fin structures for vertical transport fin field effect transistor devices

Номер патента: US20200098639A1. Автор: Praveen Joseph,Stuart A. Sieg,Ekmini A. De Silva,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Surface modification compositions, methods of modifying silicon-based materials, and methods of forming high aspect ratio structures

Номер патента: US09653307B1. Автор: Michael T. Andreas,Sanjeev Sapra,Prashant Raghu,Jerome A. Imonigie,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: US09520289B2. Автор: Jin Park,Hyun-Woo Kim,Cha-Won Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Self-adjusting gate hard mask

Номер патента: US20140210004A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Method of forming multilayer hard mask with treatment for removing impurities and forming dangling bonds

Номер патента: US09613808B1. Автор: Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of filling a recess flat with a material by a bias ECR-CVD process

Номер патента: US5182221A. Автор: Junichi Sato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1993-01-26.

Layered hard mask and dielectric materials and methods therefor

Номер патента: EP1390976A1. Автор: Lynn Forester. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2004-02-25.

Method of manufacturing semiconductor structure using multi-layer hard mask

Номер патента: US20240014040A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Yu-Ting Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Methods of manufacturing semiconductor devices including a repeating pattern of lines and spaces

Номер патента: US20230411157A1. Автор: Youngwoo KIM,Yonghan PARK,Seungkyo Lee,Woojin Jung,Seunguk Han,Gyeyoung KIM,Jongin KANG,Juyoung Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

LPCVD gate hard mask

Номер патента: US20080026584A1. Автор: Christopher Dennis Bencher,Rajesh Kanuri,Chorng-Ping Chang,Hoiman Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Composition for titanium nitride hard mask and etch residue removal

Номер патента: US09472420B2. Автор: Madhukar Bhaskara Rao,Tianniu Chen,Brenda Faye Ross,Wen Dar Liu,Seiji Inaoka,Yi-Chia Lee,William Jack Casteel, Jr.. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for forming a hard mask for gate electrode patterning and corresponding device

Номер патента: US20060081917A1. Автор: Chien-Hao Chen,Tze-Liang Lee,Shih-Chang Chen,Chao-Cheng Chen,Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-04-20.

Non-planar semiconductor device with aspect ratio trapping

Номер патента: US09419074B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Deposition rate enhancement of amorphous carbon hard mask film by purely chemical means

Номер патента: US20230357921A1. Автор: Kapu Sirish Reddy,Matthew Scott Weimer,Ragesh PUTHENKOVILAKAM,Chin-Jui Hsu. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of manufacturing semiconductor structure using multi-layer hard mask

Номер патента: US20240014038A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Yu-Ting Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Patterning of a hard mask material

Номер патента: US09514955B2. Автор: Joydeep Guha,Camelia Rusu. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods for forming high aspect ratio features on a substrate

Номер патента: EP2056341A3. Автор: Subhash Deshmukh,Wonseok Lee,Stephan Wege,Kenny Lihn Doan,Kathryn Keswick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-03-03.

High aspect ratio contact (harc) etch

Номер патента: WO2024063871A1. Автор: Andrew Metz,Pingshan Luan,Matthew Ocana. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

High Aspect Ratio Contact (HARC) Etch

Номер патента: US20240096640A1. Автор: Andrew Metz,Pingshan Luan,Matthew Ocana. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Sidewall passivation layers and method of forming the same during high aspect ratio plasma etching

Номер патента: WO2023244214A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford,Kayla Diemoz. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2023-12-21.

Hardmask for high aspect ratio dielectric etch at cryo and elevated temperatures

Номер патента: WO2023224950A1. Автор: HAO Chi,Kapu Sirish Reddy,Meihua Shen,Hui-Jung Wu,Aaron Lynn ROUTZAHN,Thorsten Bernd LILL,Ragesh PUTHENKOVILAKAM,Francis Sloan Roberts,John Hoang,Sonal BHADAURIYA,Anthony Sky YU. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of making a three-dimensional memory device using composite hard masks for formation of deep via openings

Номер патента: US20230354609A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Kartik SONDHI,Roshan Jayakhar TIRUKKONDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of forming a dual damascene via by using a metal hard mask layer

Номер патента: US20030092279A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Teng-Chun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Etching carbon layer using doped carbon as a hard mask

Номер патента: WO2020123562A3. Автор: Amit Jain,Yasushi Ishikawa,Anne Le Gouil. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2021-03-25.

Hard Mask Removal for Semiconductor Devices

Номер патента: US20110223753A1. Автор: Chi-Cheng Hung,Yuan-Ching Peng,Fu-Kai Yang,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Metal/Dielectric/Metal Hybrid Hard Mask To Define Ultra-Large Height Top Electrode For Sub 60nm MRAM Devices

Номер патента: US20230389436A1. Автор: Yi Yang,Yu-Jen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of making high aspect ratio openings using multiple cladding masks and apparatus for implementing the same

Номер патента: US20240290622A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Roshan Jayakhar TIRUKKONDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

High conductive passivation layers and method of forming the same during high aspect ratio plasma etching

Номер патента: US12106971B2. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford,Kayla Diemoz. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods of forming high aspect ratio features

Номер патента: US11854869B2. Автор: KEN Tokashiki,Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Methods of forming high aspect ratio features

Номер патента: US20220344200A1. Автор: KEN Tokashiki,Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Three or more states for achieving high aspect ratio dielectric etch

Номер патента: US20200090948A1. Автор: Eric Hudson,Alexei Marakhtanov,John Holland,Bradford J. Lyndaker,Takumi Yanagawa,Nikhil Dole,Felix Leib Kozakevich,Ranadeep BHOWMICK. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Microelectronic devices including high aspect ratio features

Номер патента: US20240120237A1. Автор: KEN Tokashiki,Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Ultra-high aspect ratio dielectric etch

Номер патента: WO2008097920A1. Автор: Kyeong-koo Chi,Erik A. Edelberg. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2008-08-14.

Reducing twisting in ultra-high aspect ratio dielectric etch

Номер патента: SG176496A1. Автор: Bing Ji,Takumi Yanagawa,Erik A Edelberg. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

Method for etching high aspect ratio structures

Номер патента: WO2024205690A1. Автор: Tong Liu,Qian Fu,FENG Qiao,Sangjun Park,Hailong Zhou,Jayoung Choi,Radhe AGARWAL. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

High aspect ratio contacts

Номер патента: EP1992009A1. Автор: Aaron R. Wilson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-11-19.

High conductive passivation layers and method of forming the same during high aspect ratio plasna etching

Номер патента: WO2022146697A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford,Kayla Diemoz. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procededs Georges Claude. Дата публикации: 2022-07-07.

High conductive passivation layers and method of forming the same during high aspect ratio plasna etching

Номер патента: EP4267692A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford,Kayla Diemoz. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2023-11-01.

High aspect ratio etch using modulation of rf powers of various frequencies

Номер патента: WO2005022623B1. Автор: Lumin Li,Rajinder Dhindsa,Mukund Srinivasan,Camelia Rusu,Eric A Hudson,Felix Kozakevich. Владелец: Felix Kozakevich. Дата публикации: 2005-05-26.

High aspect ratio etch using modulation of rf powers of various frequencies

Номер патента: IL173861A0. Автор: . Владелец: Felix Kozakevich. Дата публикации: 2006-07-05.

Apparatus for producing high aspect ratio etch using modulation of rf powers of various frequencies

Номер патента: IL205779A. Автор: Lumin Li,Rajinder Dhindsa,Mukund Srinivasan,Camelia Rusu,Eric A Hudson,Felix Kozakevich. Владелец: Felix Kozakevich. Дата публикации: 2011-08-31.

High aspect ratio etch using modulation of rf powers of various frequencies

Номер патента: IL173861A. Автор: Lumin Li,Rajinder Dhindsa,Mukund Srinivasan,Camelia Rusu,Eric A Hudson,Felix Kozakevich. Владелец: Felix Kozakevich. Дата публикации: 2010-11-30.

Pulsed ultra-high aspect ratio dielectric etch

Номер патента: WO2008097925A1. Автор: Kyeong-koo Chi,Erik A. Edelberg. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2008-08-14.

Method of making a three-dimensional memory device using composite hard masks for formation of deep via openings

Номер патента: US20230343641A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Senaka Kanakamedala,Kartik SONDHI,Roshan Jayakhar TIRUKKONDA. Владелец: Inc Western Digital Technologies. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of forming a patterned hard mask and method of forming conductive lines

Номер патента: US20220139710A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of forming a patterned hard mask and method of forming conductive lines

Номер патента: US11424124B2. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Method of selectively removing patterned hard mask

Номер патента: US20120088368A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Cheng-Guo Chen,Che-Hua Hsu,Shao-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Method of fabricating gate electrode using a treated hard mask

Номер патента: US09881840B2. Автор: Yu-Lien Huang,Chii-Ming Wu,Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

In-situ sequential silicon containing hard mask layer/silicon layer plasma etch method

Номер патента: US6069091A. Автор: Ming-Yeon Hung,Fa-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Method for forming pattern using hard mask

Номер патента: US20080160778A1. Автор: Ki-Won Nam,Ky-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Method of semiconductor manufacturing using hard mask, method for forming pattern, and semiconductor structure

Номер патента: US20230086464A1. Автор: Meng-Cheng Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Etching method with metal hard mask

Номер патента: US12100601B2. Автор: Yu Zhang,Zhaocheng LIU,Aki AKIBA. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Hard mask removal scheme

Номер патента: US9754796B2. Автор: Chi-Ming Yang,Ying-Hsueh CHANGCHIEN,Yu-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device having edge seal and method of making thereof without metal hard mask arcing

Номер патента: WO2024058846A1. Автор: Kazuto Watanabe,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods To Provide Anisotropic Etching Of Metal Hard Masks Using A Radio Frequency Modulated Pulsed Plasma Scheme

Номер патента: US20230343554A1. Автор: Angelique RALEY,Shihsheng Chang,Eric Chih-Fang Liu,Na Young Bae,Ya-Ming Chen,Emilia Hirsch. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of making a three-dimensional memory device using composite hard masks for formation of deep via openings

Номер патента: US11972954B2. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Monica TITUS,Roshan Jayakhar TIRUKKONDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Hard mask removal scheme

Номер патента: US20160155646A1. Автор: Chi-Ming Yang,Ying-Hsueh CHANGCHIEN,Yu-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Trench formation using rounded hard mask

Номер патента: US9607883B2. Автор: Chien-Chih Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Hard mask removal scheme

Номер патента: US9287133B2. Автор: Chi-Ming Yang,Ying-Hsueh CHANGCHIEN,Yu-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Etching method with metal hard mask

Номер патента: US20240112923A1. Автор: Yu Zhang,Xiaoming He,Zhaocheng LIU,Aki AKIBA. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Hard mask removal scheme

Номер патента: US20150255303A1. Автор: Chi-Ming Yang,Ying-Hsueh CHANGCHIEN,Yu-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Hydrogen peroxide plasma etch of ashable hard mask

Номер патента: US12057320B2. Автор: Jeffrey J. Spiegelman. Владелец: Rasiro Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Hard mask for low-k interlayer dielectric patterning

Номер патента: US7649264B2. Автор: Magdy S. Abdelrahman,Tony V. Mule. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-01-19.

Hydrogen peroxide plasma etch of ashable hard mask

Номер патента: WO2024074929A1. Автор: Jeffrey J. Spiegelman. Владелец: RASIRC, INC.. Дата публикации: 2024-04-11.

Novel hard mask structure for patterning features in semiconductor devices

Номер патента: WO2008015212A1. Автор: Francois Leverd,Marcel Eduard Irene Broekaart,Veronique De-Jonghe. Владелец: St Microelectronics (Crolles 2) Sas. Дата публикации: 2008-02-07.

Hydrogen peroxide plasma etch of ashable hard mask

Номер патента: US20240112921A1. Автор: Jeffrey J. Spiegelman. Владелец: RASIRC Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Methods to provide uniform wet etching of material within high aspect ratio features provided on a patterned substrate

Номер патента: US20240105455A1. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Block mask litho on high aspect ratio topography with minimal semiconductor material damage

Номер патента: US09425053B2. Автор: Steven J. Holmes,Martin Glodde,Daiji Kawamura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Bi-layer hard mask for robust metallization profile

Номер патента: US09385086B2. Автор: Ching-Hua Hsieh,Shing-Chyang Pan,Hong-Hui Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for preparing fine metal lines with high aspect ratio

Номер патента: US11837499B2. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Method for preparing fine metal lines with high aspect ratio

Номер патента: US20240038585A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Methods to provide uniform wet etching of material within high aspect ratio features provided on a patterned substrate

Номер патента: WO2024072563A1. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter D'ELIA. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Structure and method for hard mask removal on an soi substrate without using CMP process

Номер патента: GB201314148D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-18.

Structure and method for hard mask removal on an soi substrate without using cmp process

Номер патента: WO2012099838A3. Автор: Oh-Jung Kwon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-26.

Structure and method for hard mask removal on an soi substrate without using cmp process

Номер патента: WO2012099838A2. Автор: Oh-Jung Kwon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of forming patterns of semiconductor device

Номер патента: US20240194521A1. Автор: JungHan LEE,Kwanyoung Chun,Jisoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for fabricating a semiconductor device having gate structure with doped hard mask

Номер патента: US09985123B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device having gate structure with doped hard mask

Номер патента: US09698255B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Pattern formation method and photosensitive hard mask

Номер патента: US20230019943A1. Автор: Kazuki Yamada,Ryuichi Asako,Hajime Nakabayashi,Tomohito Yamaji. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device having edge seal and method of making thereof without metal hard mask arcing

Номер патента: US20240096694A1. Автор: Kazuto Watanabe. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device having edge seal and method of making thereof without metal hard mask arcing

Номер патента: US20240096695A1. Автор: Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for removing a resist mask with high selectivity to a carbon hard mask used for semiconductor structuring

Номер патента: US7005385B2. Автор: Srivatsa Kundalgurki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-02-28.

Method for fabricating a semiconductor device having gate structure with doped hard mask

Номер патента: US20170263744A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

UV treatment of etch stop and hard mask films for selectivity and hermeticity enhancement

Номер патента: US8242028B1. Автор: Bart van Schravendijk,Christian Denisse. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2012-08-14.

Selective removal of metal oxide hard masks

Номер патента: EP4271765A1. Автор: WonLae KIM,Eric Hong,SeongJin Hong,JeongYeol YANG,Juhee YEO,Seunghyun CHAE. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Hard Mask Edge Cover Scheme

Номер патента: US20150072528A1. Автор: Chih-Chien Chi,Huang-Yi Huang,Szu-Ping Tung,Ching-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for removing hard masks

Номер патента: EP4189729A1. Автор: Emanuel I. Cooper,Hsing-chen Wu,Min-Chieh Yang. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-06-07.

Method for removing hard masks

Номер патента: US11788007B2. Автор: Emanuel I. Cooper,Hsing-chen Wu,Min-Chieh Yang. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for forming high aspect ratio patterning structure

Номер патента: US09991116B1. Автор: Peng Liu,Jun Zhu,Yu Ren,Hsusheng CHANG,Yukun LV,Qiyan Feng. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for high aspect ratio patterning in spin-on layer

Номер патента: WO2012024178A2. Автор: Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2012-02-23.

Method for high aspect ratio patterning in spin-on layer

Номер патента: WO2012024178A3. Автор: Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2012-04-05.

Method for high aspect ratio patterning in a spin-on layer

Номер патента: US20120037592A1. Автор: Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Metal deposition and etch in high aspect-ratio features

Номер патента: US20230290647A1. Автор: Anchuan Wang,Zhenjiang Cui,Baiwei Wang,Rohan Puligoru Reddy,Xiaolin C. Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Metal deposition and etch in high aspect-ratio features

Номер патента: US12087595B2. Автор: Anchuan Wang,Zhenjiang Cui,Baiwei Wang,Rohan Puligoru Reddy,Xiaolin C. Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Silicon epitaxy for high aspect ratio, substantially perpendicular deep silicon trench

Номер патента: US09905638B1. Автор: Seetharaman Sridhar,Satoshi Suzuki,Christopher Boguslaw Kocon,Hideaki Kawahara,Simon John Molloy,Tatsuya Tominari. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Strip Process for High Aspect Ratio Structure

Номер патента: US20180074409A1. Автор: Shawming Ma,Li Hou,Vijay M. Vaniapura. Владелец: Mattson Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Apparatus for etching high aspect ratio features

Номер патента: US20140020834A1. Автор: Xiaoping Zhou,Jeffrey W. DIETZ. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Apparatus for etching high aspect ratio features

Номер патента: US09991109B2. Автор: Xiaoping Zhou,Jeffrey William Dietz. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Metal deposition and etch in high aspect-ratio features

Номер патента: WO2023172298A1. Автор: Anchuan Wang,Zhenjiang Cui,Baiwei Wang,Rohan Puligoru Reddy,Xiaolin C. Chen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

High aspect ratio trapping semiconductor with uniform height and isolated from bulk substrate

Номер патента: US09780173B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Fabrication of high-aspect ratio nanostructures by localized nanospalling effect

Номер патента: US20220100093A1. Автор: Ricardo JANEIRO,Raquel FLORES,Jaime Viegas. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2022-03-31.

Sacrificial layer for forming merged high aspect ratio contacts in 3d nand memory device

Номер патента: US20240090213A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Sung-Kwan Kang,Jialiang Wang,Abhijit B. MALLICK,Soonil Lee,Chang Seok Kang,Eswaranand VENKATASUBRAMANIAN,Srinivas Guggilla,Amy Child,Sanjay G. KAMATH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Sacrificial layer for forming merged high aspect ratio contacts in 3d nand memory device

Номер патента: WO2024054369A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Sung-Kwan Kang,Jialiang Wang,Abhijit B. MALLICK,Soonil Lee,Chang Seok Kang,Eswaranand VENKATASUBRAMANIAN,Srinivas Guggilla,Amy Child,Sanjay G. KAMATH. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-14.

Drying high aspect ratio features

Номер патента: SG11201900351XA. Автор: Paul McHugh,John L Klocke,Eric J Bergman,Stuart Crane,Richard W Plavidal. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-02-27.

Forming method of hard mask, forming apparatus of hard mask and recording medium

Номер патента: US20170287713A1. Автор: Takashi Tanaka,Yuichiro Inatomi,Takeshi Nagao,Mitsuaki Iwashita,Koichi Yatsuda,Nobutaka Mizutani,Kazutoshi Iwai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Forming method of hard mask

Номер патента: US20190157083A1. Автор: Takashi Tanaka,Yuichiro Inatomi,Takeshi Nagao,Mitsuaki Iwashita,Koichi Yatsuda,Nobutaka Mizutani,Kazutoshi Iwai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Ruthenium hard mask process

Номер патента: WO2020033309A1. Автор: Alok Ranjan,Peter Ventzek,Zhiying Chen. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2020-02-13.

Methods and systems for patterning of low aspect ratio stacks

Номер патента: WO2019217584A1. Автор: Elliott Franke,Angelique RALEY,Sophie Thibaut. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-11-14.

Method of forming dense hole patterns of semiconductor devices

Номер патента: US20190074187A1. Автор: Shing-Yih Shih,Jen-Jui HUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Method and apparatus for forming hard mask film and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20200035491A1. Автор: Yutaka Fujino. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Hard mask composition, carbon nanotube layer structure, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09892915B2. Автор: Seung Hyun Lee,Yool Kang,Yun Seok Choi,Seung Yun Yang,Yi Seul Kim,Kyoung Sil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods of forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20150076617A1. Автор: Jong-wook Lee,Myeong-Cheol Kim,Cheol Kim,Si-Young Choi,Choong-ho Lee,Jong-Chan Shin,Jong-Seo Hong,Il-Sup Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Hard mask trimming in method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240006177A1. Автор: Li-Te Lin,Tze-Chung Lin,Chia-Chien Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor devices with fin-top hard mask and methods for fabrication thereof

Номер патента: US11757021B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Manufacturing method of power MOSFET using a hard mask as a CMP stop layer between sequential CMP steps

Номер патента: US09589810B2. Автор: Satoshi Eguchi,Daisuki Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Composition for forming organic hard mask layer for use in lithography containing polymer having acrylamide structure

Номер патента: US09514949B2. Автор: Ryo Karasawa,Yasunobu Someya,Masakazu Kato,Keisuke Hashimoto,Yuki Usui,Tetsuya Shinjo. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Manganese oxide hard mask for etching dielectric materials

Номер патента: US09472457B2. Автор: Wei Lin,Tuan A. Vo,Spyridon Skordas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Fluorine-doped silicate glass hard mask to improve metal line etching profile

Номер патента: US5962346A. Автор: Shau-Lin Shue,Chia-Shiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-10-05.

Semiconductor device including hard mask structure with repeating spin-on hard mask layers

Номер патента: US11901187B2. Автор: Songyi Baek,Yongdeok Lee,Hwanyeol PARK,JongYoung Park,Sejin KYUNG,Daewee KONG,Ilwoo KIM,Philippe COCHE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for fabricating carbon hard mask and method for fabricating patterns of semiconductor device using the same

Номер патента: US20120208367A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Hard mask removal method

Номер патента: US09960050B2. Автор: William Weilun HONG,Ying-Tsung Chen,Che-Hao Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

High etch selectivity, low stress ashable carbon hard mask

Номер патента: US12062537B2. Автор: Jun Xue,Shih-Ked Lee,Samantha SiamHwa Tan,Mary Anne Manumpil. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Forming fins utilizing alternating pattern of spacers

Номер патента: US09685440B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of forming patterned hard mask layer

Номер патента: US09543408B1. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Keng-Jen Lin,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device using hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US20240038534A1. Автор: Jin Hee Park,Bo Young Cho,Soo Min JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with hard mask layer over gate structure and method for forming the same

Номер патента: US20200105931A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Cheng-Han Wu,Jyh-Huei Chen,Yu-Ho Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device using hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US11823904B2. Автор: Jin Hee Park,Bo Young Cho,Soo Min JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor devices with fin-top hard mask and methods for fabrication thereof

Номер патента: US20230369463A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Self-Aligned Gate Hard Mask and Method Forming Same

Номер патента: US20200287042A1. Автор: Yen-Ming Chen,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Kai-Hsuan LEE,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Hard mask structure

Номер патента: US20230317452A1. Автор: Sheng-Fu Huang,Kuan Hua Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method and apparatus for forming hard mask film and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US10879069B2. Автор: Yutaka Fujino. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Hard Mask Removal Method

Номер патента: US20240105460A1. Автор: William Weilun HONG,Ying-Tsung Chen,Che-Hao Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Hard mask removal method

Номер патента: US11854821B2. Автор: William Weilun HONG,Ying-Tsung Chen,Che-Hao Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Robust ashable hard mask

Номер патента: WO2022066927A1. Автор: Kapu Sirish Reddy,Matthew Scott Weimer,Ragesh PUTHENKOVILAKAM. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of, and apparatus for, forming hard mask

Номер патента: US09779958B2. Автор: Katsuaki Nakano. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Complementary heterogeneous MOSFET using global SiGe substrate and hard-mask memorized germanium dilution for nFET

Номер патента: US09653362B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Complementary heterogeneous MOSFET using global SiGe substrate and hard-mask memorized germanium dilution for nFET

Номер патента: US09484266B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Bilayer anti-reflective coating and etch hard mask

Номер патента: US6232002B1. Автор: Suzette K. Pangrle,Lewis Shen,Kathleen R. Early,Maria C. Chan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-05-15.

Antireflective hard mask compositions

Номер патента: US7605439B2. Автор: Michael K. Gallagher,Anthony Zampini,Dana A. Gronbeck,Amy M. Kwok,Chi Q. Truong. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2009-10-20.

Double aspect ratio trapping

Номер патента: US09786497B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Complementary heterogeneous MOSFET using global SiGe substrate and hard-mask memorized germanium dilution for nFET

Номер патента: US9633912B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Multilayer low reflectivity hard mask and process therefor

Номер патента: US20120045888A1. Автор: Kouros Ghandehari,Hirokazu Tokuno,Marina V. Plat,Anna M. Minvielle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-23.

Selective removal of boron doped carbon hard mask layers

Номер патента: US20160379803A1. Автор: David T. Mattson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Carbon hard masks for patterning applications and methods related thereto

Номер патента: US11784042B2. Автор: Yang Yang,Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Kartik Ramaswamy,Eswaranand VENKATASUBRAMANIAN,Takehito KOSHIZAWA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Robust ashable hard mask

Номер патента: US20230360922A1. Автор: Kapu Sirish Reddy,Matthew Scott Weimer,Ragesh PUTHENKOVILAKAM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

견고한 애싱 가능한 하드 마스크 (robust ashable hard mask)

Номер патента: KR20230078588A. Автор: 카푸 시리쉬 레디,라게시 푸텐코빌라캄,메튜 스콧 웨이머. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-06-02.

COMPLEMENTARY HETEROGENEOUS MOSFET USING GLOBAL SiGe SUBSTRATE AND HARD-MASK MEMORIZED GERMANIUM DILUTION FOR NFET

Номер патента: US20170040227A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Double aspect ratio trapping

Номер патента: US9349808B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor device having hard mask structure and fine pattern and forming method thereof

Номер патента: US09437444B2. Автор: Sung-Kwon Lee,Ho-Jin Jung,Jun-Hyeub Sun,Chun-Hee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Hard mask layer stack and a method of patterning

Номер патента: US20070215986A1. Автор: Dirk Caspary,Martin Verhoeven,Dirk Manger,Matthias Markert,Hocine Boubekeur,Nicolas Nagel,Thomas Tatry. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-09-20.

Method of patterning a substrate using spin-on glass as a hard mask

Номер патента: WO1997043782A1. Автор: Robert Dawson,Charles E. May. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-11-20.

High aspect ratio etch without upper widening

Номер патента: US09944516B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yen Chou,Ru-Liang Lee,Lee-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

High-aspect ratio metallized structures

Номер патента: US20240297048A1. Автор: Matthew David Butts,Shubhodeep Goswami,Gregory Keith Dudoff,David Milford Shaddock. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Technologies for inverting lithographic patterns and semiconductor devices including high aspect ratio structures

Номер патента: US20180247813A1. Автор: Christopher P. Auth,Anthony A. St. Amour. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Method for preparing a structure with high aspect ratio

Номер патента: US7344995B2. Автор: Chih Hao Chang,Hung Yueh Lu,Hong Long Chang,Yung Kai Lee. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-18.

Atomic layer deposition device using multiple pulses to fill gap of semiconductor structure with high aspect ratio and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20240194448A1. Автор: Ji Eun Kang,Jong Woo HONG,Hyun Woo Tak,Geun Young Yeom,Ho Gon Kim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-13.

High aspect ratio metal gate cuts

Номер патента: US20240105453A1. Автор: Matthew J. Prince,Manish Sharma,Oleg Golonzka,Reza Bayati,Alison V. DAVIS,Ramy Ghostine,Piyush M. Sinha,Swapnadip Ghosh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

High aspect ratio metal gate cuts

Номер патента: EP4345880A1. Автор: Matthew Prince,Manish Sharma,Oleg Golonzka,Alison Davis,Reza Bayati,Ramy Ghostine,Swapnadip Ghosh,Piyush Sinha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Method of achieving atomically smooth sidewalls in deep trenches, and high aspect ratio silicon structure containing atomically smooth sidewalls

Номер патента: WO2009042983A2. Автор: Brian Doyle,Jack Kavalieros,Rajwinder Singh,Wily Rachmady. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2009-04-02.

Systems and methods for drying high aspect ratio structures without collapse using sacrificial bracing material that is removed using hydrogen-rich plasma

Номер патента: US20160097590A1. Автор: Stephen M. Sirard,Ilia Kalinovski,Jeff Hahn. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Method for etching high aspect ratio structures

Номер патента: US20240332031A1. Автор: Tong Liu,Qian Fu,FENG Qiao,Sangjun Park,Hailong Zhou,Jayoung Choi,Radhe AGARWAL. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of forming high aspect ratio features

Номер патента: US12125700B2. Автор: Hirotsugu Sugiura,Yoshio SUSA,Mitsuya Utsuno. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-22.

Technique for filling high aspect ratio, narrow structures with multiple metal layers and associated configurations

Номер патента: US09972541B2. Автор: Joseph M. Steigerwald,Nick Lindert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of collapse-free drying of high aspect ratio structures

Номер патента: US09666427B2. Автор: Diane Hymes,Stephen M. Sirard,Olivier B. Postel. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Systems and methods for drying high aspect ratio structures without collapse using stimuli-responsive sacrificial bracing material

Номер патента: US09466511B2. Автор: Stephen Sirard,Ratchana Limary. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Metal etch in high aspect-ratio features

Номер патента: WO2022235378A1. Автор: Anchuan Wang,Zhenjiang Cui,Baiwei Wang,Rohan Puligoru Reddy,Xiaolin C. Chen,Oliver Jan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-11-10.

Deposition of hafnium oxide within a high aspect ratio hole

Номер патента: US11791153B2. Автор: Petri Raisanen,Eric James Shero,Michael Schmotzer,Paul Ma,Sol Kim,Jiyeon Kim,Ying-Shen Kuo. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-17.

Even tungsten etch for high aspect ratio trenches

Номер патента: WO2015094541A1. Автор: Jie Liu,Xikun Wang,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-06-25.

Systems and methods for preventing stiction of high aspect ratio structures and/or repairing high aspect ratio structures

Номер патента: US11854792B2. Автор: Dries Dictus,Ta-Yu Lo. Владелец: LAM RESEARCH AG. Дата публикации: 2023-12-26.

Structure and process for metallization in high aspect ratio features

Номер патента: US8450204B2. Автор: Chih-Chao Yang,Fenton R. McFeely. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Hard mask for copper plasma etch

Номер патента: US20010035582A1. Автор: Peter D. Nunan,Mark Richard Tesauro. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2001-11-01.

Structure and process for metallization in high aspect ratio features

Номер патента: US20130252415A1. Автор: Chih-Chao Yang,Fenton R. McFeely. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Structure and process for metallization in high aspect ratio features

Номер патента: US20120208362A1. Автор: Chih-Chao Yang,Fenton R. McFeely. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Method of reducing pattern collapse in high aspect ratio nanostructures

Номер патента: WO2011094132A2. Автор: Ji Zhu,Katrina Mikhaylichenko,Amir A. Yasseri,Seokmin Yun,David S.L. Mui. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2011-08-04.

Steam oxidation initiation for high aspect ratio conformal radical oxidation

Номер патента: US11948791B2. Автор: Christopher S. Olsen,Taewan Kim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Technologies for inverting lithographic patterns and semiconductor devices including high aspect ratio structures

Номер патента: US10553430B2. Автор: Christopher P. Auth,Anthony A. St. Amour. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Method for etching deep, high-aspect ratio features into silicon carbide and gallium nitride

Номер патента: US11984321B1. Автор: Michael Pedersen,Michael A. Huff,Mehmet Ozgur. Владелец: Corp for National Research Initiatives. Дата публикации: 2024-05-14.

Method and apparatus for modifying the profile of high-aspect-ratio gaps using differential plasma power

Номер патента: EP1071833A2. Автор: Laxman Murugesh,Pravin Narwankar,Turgut Sahin,Sameer Desai,Walter Zygmunt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-01-31.

Two-step process for gapfilling high aspect ratio trenches with amorphous silicon film

Номер патента: US20200051815A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Rui CHENG,Shishi Jiang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

New etch process for forming high aspect ratio trenches in silicon

Номер патента: EP1036410A1. Автор: Shaoher Pan,Maocheng Li,Yiqiong Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-09-20.

Method and apparatus for modifying the profile of narrow, high-aspect-ratio gaps using RF power

Номер патента: US20030157812A1. Автор: Laxman Murugesh,Pravin Narwankar,Turgut Sahin,Sameer Desai,Walter Zygmunt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-08-21.

Metal-based liner protection for high aspect ratio plasma etch

Номер патента: US20230298896A1. Автор: Qing Xu,Eric A. Hudson,Amit Mukhopadhyay,Merrett Wong,Gregory Clinton Veber,Walter Thomas RALSTON,Taner OZEL,Shuang Pi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of achieving atomically smooth sidewalls in deep trenches, and high aspect ratio silicon structure containing atomically smooth sidewalls

Номер патента: WO2009042983A3. Автор: Brian Doyle,Jack Kavalieros,Rajwinder Singh,Wily Rachmady. Владелец: Wily Rachmady. Дата публикации: 2009-05-14.

Using a same mask for direct print and self-aligned double patterning of nanosheets

Номер патента: US12080559B2. Автор: Eric Miller,Daniel James Dechene,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for etching metal layer of a semiconductor device using hard mask

Номер патента: US6008135A. Автор: Yong-Tak Lee,Sang-Jeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-28.

Methods for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09627202B2. Автор: DAE-YONG KANG,Sung-Wook Hwang,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Byungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for forming a two-layered hard mask on top of a gate structure

Номер патента: US09607892B2. Автор: Chih-Sen Huang,Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for forming a hard mask pattern and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09793472B2. Автор: Gwanhyeob Koh,Yongkyu Lee,Yoonjong Song,Yong-Seok Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Conductive hard mask to protect patterned features during trench etch

Номер патента: EP2025000A2. Автор: Usha Raghuram,Michael W. Konevecki,Samuel V. Dunton,Steven J. Radigan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-02-18.

Method of removing a hard mask layer on a gate structure while forming a protective layer on the surface of a substrate

Номер патента: US09646889B1. Автор: Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for using disposable hard mask for gate critical dimension control

Номер патента: US5670423A. Автор: Chue-San Yoo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1997-09-23.

Self-aligned encapsulation hard mask to separate physically under-etched MTJ cells to reduce conductive re-deposition

Номер патента: US11818961B2. Автор: Yi Yang,Yu-Jen Wang,Dongna Shen,Vignesh SUNDAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Self-aligned encapsulation hard mask to separate physically under-etched mtj cells to reduce conductive re-deposition

Номер патента: US20230389435A1. Автор: Yi Yang,Yu-Jen Wang,Dongna Shen,Vignesh SUNDAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Carbon hard mask, film forming apparatus, and film forming method

Номер патента: US20240240324A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Tsuyoshi Moriya,Hirotsugu Sugiura,Masaru Hori,Makoto Sekine,Yoshinori Morisada. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and composite hard mask for forming deep trenches in a semiconductor substrate

Номер патента: US20050215061A1. Автор: Yinan Chen,Chang-Rong Wu,Tuz-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Carbon hard mask, film forming apparatus, and film forming method

Номер патента: US20220042173A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Tsuyoshi Moriya,Hirotsugu Sugiura,Masaru Hori,Makoto Sekine,Yoshinori MORISADA MORISADA. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2022-02-10.

Self-aligned contact hard mask structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12087838B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Self-Aligned Contact Hard Mask Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240363713A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Two-dimensional material hard mask, method of manufacturing the same, and method of forming material layer pattern using the hard mask

Номер патента: US09905422B2. Автор: Sangwon Kim,Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Seongjun Park,Keunwook SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Metal hard mask method and structure for strained silicon MOS transistors

Номер патента: US20060194395A1. Автор: Xian Ning,John Chen,Hanming Wu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

FinFET structure with fin top hard mask and method of forming the same

Номер патента: US11923457B2. Автор: Kai-Chieh Yang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Che-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Finfet structure with fin top hard mask and method of forming the same

Номер патента: US20240105850A1. Автор: Kai-Chieh Yang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Che-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Finfet Structure With Fin Top Hard Mask And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20220328691A1. Автор: Kai-Chieh Yang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Che-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Conductive hard mask to protect patterned features during trench etch

Номер патента: WO2007143387A2. Автор: Usha Raghuram,Michael W. Konevecki,Samuel V. Dunton,Steven J. Radigan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-12-13.

Hard mask and preparation method thereof, preparation method of josephson junction, and superconducting circuit

Номер патента: US12048255B2. Автор: Chunqing Deng,Ran GAO,Jingwei Zhou. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Hard mask, substrate processing method, and substrate processing apparatus

Номер патента: US12060635B2. Автор: Tsuyoshi Moriya,Tadahiro Ishizaka,Yoshinori Morisada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of manufacturing semiconductor structure comprising plurality of through holes using metal hard mask

Номер патента: US09793204B2. Автор: Yu-Hung Lin,Chun-Hsien Huang,I-Tseng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon carbide oxide hard mask for reducing dishing effects

Номер патента: US20210193817A1. Автор: Yi-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Titanium-Compound Based Hard Mask Films

Номер патента: US20170084459A1. Автор: Srinivas Gandikota,Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Wei Tang,Rui CHENG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Silicon carbide oxide hard mask for reducing dishing effects

Номер патента: US20220149180A1. Автор: Yi-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Carbon-doped hard mask and method of passivating structures during semiconductor device fabrication

Номер патента: US20030203157A1. Автор: Philippe Schoenborn,John Hu,Ana Ley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Silicon carbide oxide hard mask for reducing dishing effects

Номер патента: US11935942B2. Автор: Yi-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Silicon carbide oxide hard mask for reducing dishing effects

Номер патента: US20240170557A1. Автор: Yi-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Carbon hard mask, film forming apparatus, and film forming method

Номер патента: US11993849B2. Автор: SATOSHI Tanaka,Tsuyoshi Moriya,Hirotsugu Sugiura,Masaru Hori,Makoto Sekine,Yoshinori Morisada. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-05-28.

SiGe selective growth without a hard mask

Номер патента: US7494884B2. Автор: Tze-Liang Lee,Li-Te S. Lin,Ming-Hua Yu,Hsien-Hsin Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-02-24.

Fin top hard mask formation after wafer flipping process

Номер патента: US20220231021A1. Автор: Chen Zhang,Brent Anderson,Tenko Yamashita,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

High temperature ultra-fast annealed soft mask for semiconductor devices

Номер патента: US20190259616A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Ekmini Anuja De Silva,Indira Seshadri,Mona Ebrish. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Hard mask and preparation method thereof, preparation method of josephson junction, and superconducting circuit

Номер патента: US20230210020A1. Автор: Chunqing Deng,Ran GAO,Jingwei Zhou. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of forming photoresist pattern of semiconductor device

Номер патента: KR980003849A. Автор: 복철규. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Imprint methods for forming a pattern of an imprint material on a substrate-side pattern region of a substrate by using a mold, and related device manufacturing methods

Номер патента: US20200249569A1. Автор: Yusuke Tanaka,Noriyasu Hasegawa,Hirotoshi Torii,Yosuke Murakami,Tatusya Hayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Method of manufacturing a semiconductor device utilzing two hard masks and two auxiliary masks to form PN junctions structure

Номер патента: US12087812B2. Автор: Andreas Voerckel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for masking a recess in a structure with a large aspect ratio

Номер патента: US20050224451A1. Автор: Hans-Peter Moll,Dirk Efferenn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-13.

Method for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09666434B2. Автор: DAE-YONG KANG,Jaehee Kim,Joonsoo PARK,Soonmok Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Multi-layer structure for high aspect ratio etch

Номер патента: US09647022B2. Автор: Shih-Chi Kuo,Han-Tang Lo,Tsai-Hao Hung,Tsung-Hsien Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Super-high aspect ratio diffractive optics fabricated by batch-processing

Номер патента: US20190154892A1. Автор: Nicolaie A. Moldovan. Владелец: Alcorix Co. Дата публикации: 2019-05-23.

Methods for filling high aspect ratio features on substrates

Номер патента: WO2013163081A1. Автор: Michael G. Ward,Igor Peidous. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-10-31.

High aspect ratio vertical interconnect access (via) interconnections in magnetic random access memory (MRAM) bit cells

Номер патента: US09704919B1. Автор: Yu Lu,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Standard cell circuits employing high aspect ratio voltage rails for reduced resistance

Номер патента: SG11201810982UA. Автор: Mustafa Badaroglu,Da YANG,Periannan Chidambaram,Jeffrey XU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-27.

Method for chemical vapor deposition in high aspect ratio spaces

Номер патента: EP1897131A2. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-03-12.

Method for chemical vapor deposition in high aspect ratio spaces

Номер патента: WO2007001296A2. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2007-01-04.

Method of forming pattern with high aspect ratio on polycrystalline aluminum nitride substrate

Номер патента: US09814143B1. Автор: Yi-Hsiuan Yu,Lea-Hwung Leu,Chung-Yen Lu,Chia-Ting Lin. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2017-11-07.

Standard cell circuits employing high aspect ratio voltage rails for reduced resistance

Номер патента: US20180033729A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Standard cell circuits employing high aspect ratio voltage rails for reduced resistance

Номер патента: EP3491668A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-06-05.

Standard cell circuits employing high aspect ratio voltage rails for reduced resistance

Номер патента: WO2018022244A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-02-01.

Advanced pitch interconnects with multiple low aspect ratio segments

Номер патента: US20240213087A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Willie Lester Muchrison, JR.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Processing methods for providing metal-comprising materials within high aspect ratio openings

Номер патента: US20010043985A1. Автор: John Givens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Fluorocarbon molecules for high aspect ratio oxide etch

Номер патента: US09514959B2. Автор: Christian Dussarrat,Rahul Gupta,Vincent M. Omarjee,Nathan Stafford,Curtis Anderson. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Dispense pattern for thermal interface material for a high aspect ratio thermal interface

Номер патента: US09839159B1. Автор: Bahareh Banijamali. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated circuit package assemblies with high-aspect ratio metallization features

Номер патента: US20200411317A1. Автор: Hongxia Feng,Leonel Arana,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Thin film deposition in a high aspect ratio feature

Номер патента: US11139186B2. Автор: Karl A. Littau,Martin E. McBRIARTY. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2021-10-05.

Use of hard masks during etching of openings in integrated circuits for high etch selectivity

Номер патента: US6054384A. Автор: Fei Wang,Susan Chen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-04-25.

Controlling grain boundaries in high aspect-ratio conductive regions

Номер патента: US20200135556A1. Автор: Chih-Chao Yang,Conal Murray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for filling high aspect ratio openings of an integrated circuit to minimize electromigration failure

Номер патента: US6077780A. Автор: Valery M. Dubin. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-06-20.

Method for chemical vapor deposition in high aspect ratio spaces

Номер патента: US20060290013A1. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

High aspect ratio contact structure with multiple metal stacks

Номер патента: US20230317802A1. Автор: Shogo Mochizuki,Albert M. Young,Junli Wang,Su Chen Fan,Terence Hook,Indira Seshadri,Brent A Anderson,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of making silicide in high-aspect ratio structures by hybrid processes

Номер патента: WO2024206260A1. Автор: Mahendra Pakala,Joung Joo Lee,Avgerinos V. Gelatos,Le Zhang,In Seok Hwang,Xianmin Tang,Zhijun CHEN,Ying-Bing JIANG,Fredrick FISHBURN,Wangee Kim. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Interlayer dielectric structure with high aspect ratio process (HARP)

Номер патента: US09716044B2. Автор: Chun-Li Lin,Ding-I Liu,Po-Hsiung Leu,Kai-Shiung Hsu,Wen-Long Lee,Ming-Shiou Kuo,Jen-Chi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: US09576918B2. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of making silicide in high-aspect ratio structures by hybrid processes

Номер патента: US20240332023A1. Автор: Mahendra Pakala,Joung Joo Lee,Avgerinos V. Gelatos,Le Zhang,In Seok Hwang,Xianmin Tang,Zhijun CHEN,Ying-Bing JIANG,Fredrick FISHBURN,Wangee Kim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Two layer filling for high aspect ratio trenches

Номер патента: GB2402549A. Автор: John McNeil,Carl David Monnington Brancher. Владелец: Trikon Technologies Ltd. Дата публикации: 2004-12-08.

Fabrication of a via plug having high aspect ratio with a diffusion barrier layer effectively surrounding the via plug

Номер патента: US6083842A. Автор: Sergey Lopatin,Robin Cheung. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

High aspect ratio deposition

Номер патента: WO2019060069A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of depositing conductors in high aspect ratio apertures

Номер патента: CA2061119A1. Автор: Thomas L. McDevitt,James G. Ryan,Pei-Ing P. Lee,Paul C. Parries,Thomas J. Licata,David C. Strippe,Scott L. Pennington. Владелец: Scott L. Pennington. Дата публикации: 1992-10-20.

Method of depositing conductors in high aspect ratio apertures

Номер патента: MY108408A. Автор: Leddy Mcdevitt Thomas,Paul Lee Pei-Ing,John Licata Thomas,Christian Parries Paul,Lewis Pennington Scott,Gardner Ryan James,Craig Strippe David. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1996-09-30.

Process for treating high aspect ratio structures

Номер патента: US20020119655A1. Автор: Yu-Tsai Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Method for using ultrasonic treatment in combination with uv-lasers to enable plating of high aspect ratio micro-vias

Номер патента: WO1998020536A1. Автор: Robin E. Gorrell,David B. Noddin,Michael R. Leaf. Владелец: W.L. Gore & Associates, Inc.. Дата публикации: 1998-05-14.

Methods of and apparatus for making high aspect ratio microelectromechanical structures

Номер патента: WO2003071007A1. Автор: Gang Zhang,Adam L. Cohen,Qui T. Le. Владелец: Memgen Corporation. Дата публикации: 2003-08-28.

Thin film deposition in a high aspect ratio feature

Номер патента: US20210183674A1. Автор: Karl A. Littau,Martin E. McBRIARTY. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Method and structure for enabling high aspect ratio sacrificial gates

Номер патента: US9659779B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Ryan O. Jung,Jeffrey C. SHEARER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method and structure for enabling high aspect ratio sacrificial gates

Номер патента: US09842739B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Ryan O. Jung,Jeffrey C. SHEARER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method and structure for enabling high aspect ratio sacrificial gates

Номер патента: US09659779B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Ryan O. Jung,Jeffrey C. SHEARER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Controlling grain boundaries in high aspect-ratio conductive regions

Номер патента: US20190378755A1. Автор: Chih-Chao Yang,Conal Murray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Highly conformal titanium nitride deposition process for high aspect ratio structures

Номер патента: WO2002003455A3. Автор: Kwong Hon Wong,Rajarao Jammy,Uwe Schroeder,Cheryl G Faltermeier. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Method of filling a high aspect ratio trench isolation region and resulting structure

Номер патента: WO2007089377A3. Автор: Garo J Derderian. Владелец: Garo J Derderian. Дата публикации: 2007-09-20.

Method of filling a high aspect ratio trench isolation region and resulting structure

Номер патента: WO2007089377A2. Автор: Garo J. Derderian. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-08-09.

Method of filling a high aspect ratio trench isolation region and resulting structure

Номер патента: EP1984946A2. Автор: Garo J. Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-29.

Use of a shadow mask and a soft mask for aligned implants in solar cells

Номер патента: WO2013003282A2. Автор: Atul Gupta,Nicholas P.T. Bateman,Benjamin B. Riordon. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

Centrifugal method for filing high aspect ratio blind mirco vias powdered materials for circuit formation

Номер патента: US7815968B2. Автор: Gareth Hougham,Stephen L. Buchwalter,Jon Casey,Claudius Feger,Matteo Flotta,Kathleen C. Hinge,Anurag Jain,Sung K. Kang,John U. Knickerbocker,Leena Paivikki Buchwalter,Jeffrey D. Gelmore. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Sidewall smoothing in high aspect ratio/deep etching using a discreet gas switching method

Номер патента: EP1543540A2. Автор: David Johnson,Russell Westerman,Shouliang Lai. Владелец: Unaxis USA Inc. Дата публикации: 2005-06-22.

Ruthenium interconnect with high aspect ratio and method of fabrication thereof

Номер патента: US9299643B2. Автор: Wen Yu,Zheng Wang,Connie Wang,Erik Wilson,Robert Chiu. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

High aspect ratio contact structure with reduced silicon consumption

Номер патента: US6908849B2. Автор: Sujit Sharan,Ammar Derraa,Paul Castrovillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-21.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: WO2016186788A1. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2016-11-24.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: US10229858B2. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-03-12.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: US20170148698A1. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Circuit Pattern with high aspect ratio and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20140041900A1. Автор: Yi-Fong Lin,Chien-An Yu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

High aspect ratio gap fill using cyclic deposition and etch

Номер патента: WO2024044373A1. Автор: Takashi KURATOMI,Alexia Adilene PORTILLO RIVERA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of electroplating a workpiece having high-aspect ratio holes

Номер патента: EP1601822A1. Автор: Bert Reents,Tafadzwa Magaya. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2005-12-07.

Method and structure for enabling high aspect ratio sacrificial gates

Номер патента: US20180122643A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Ryan O. Jung,Jeffrey C. SHEARER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Method and structure for enabling high aspect ratio sacrificial gates

Номер патента: US20150372113A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Ryan O. Jung,Jeffrey C. SHEARER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Method and structure for enabling high aspect ratio sacrificial gates

Номер патента: US20160233095A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Ryan O. Jung,Jeffrey C. SHEARER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Method and structure for enabling high aspect ratio sacrificial gates

Номер патента: US20150372127A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Ryan O. Jung,Jeffrey C. SHEARER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Fin structure having hard mask etch stop layers underneath gate sidewall spacers

Номер патента: US09923054B2. Автор: Tahir Ghani,Ritesh JHAVERI,Bernard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for fabricating transistor having hard-mask layer

Номер патента: US09484441B2. Автор: Chao-Shun Yang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-11-01.

Transistor having hard-mask layers

Номер патента: US20160380109A1. Автор: Chao-Shun Yang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-12-29.

Hard mask films with graded vertical concentration formed using reactive sputtering in a radio frequency deposition chamber

Номер патента: US20190309410A1. Автор: Chih-Chao Yang,Yongan Xu,Ekmini Anuja De Silva,Abraham Arceo de la Pena. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Hard mask etch and dielectric etch aware overlap for via and metal layers

Номер патента: US09817927B2. Автор: Xiang Hu,David Power,Chin Teong Lim,Yuping REN,Guo Xiang NING,Paul W. Ackmann,Lalit SHOKEEN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods of fabricating semiconductor devices including hard mask patterning

Номер патента: US09640659B2. Автор: Junggun YOU,Jeongmin Choi,Ingyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of fabricating gate electrode using a hard mask with spacers

Номер патента: US20110230029A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

TiN hard mask and etch residual removal

Номер патента: US09976111B2. Автор: Madhukar Bhaskara Rao,Tianniu Chen,Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,William Jack Casteel, Jr.,Rajiv Krishan Agarwal. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for forming wire line by damascene process using hard mask formed from contacts

Номер патента: US7052952B2. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,In-deog Bae,Jeong-sic Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-30.

Method of trimming a hard mask layer, method for fabricating a gate in a mos transistor, and a stack for fabricating a gate in a mos transistor

Номер патента: US20080164526A1. Автор: Min-Chieh Yang,Yi-Hsing Chen,Jiunn-Hsiung Liao,Meng-Jun Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Method of trimming a hard mask layer, method for fabricating a gate in a mos transistor, and a stack for fabricating a gate in a mos transistor

Номер патента: US20090206403A1. Автор: Min-Chieh Yang,Yi-Hsing Chen,Jiunn-Hsiung Liao,Meng-Jun Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Dual hard mask replacement gate

Номер патента: US20200335336A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Titanium nitride hard mask and etch residue removal

Номер патента: EP3089200A1. Автор: Madhukar Bhaskara Rao,Tianniu Chen,Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,William Jack Casteel Jr.,Rajiv Krishan Agarwal. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2016-11-02.

Tin hard mask and etch residue removal

Номер патента: MY173184A. Автор: Chen Tianniu,LEE Yi-Chia,Jack Casteel William Jr,Dar Liu Wen,Bhaskara Rao Madhukar,Krishan Agarwal Rajiv. Владелец: Versum Mat Us Llc. Дата публикации: 2020-01-02.

Image sensor comprising polysilicon gate electrode and nitride hard mask

Номер патента: US11837622B2. Автор: CHUN-WEI Chia,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Shyh-Fann Ting,Kai-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Method of fabricating gate electrode using a treated hard mask

Номер патента: US20110250725A1. Автор: HUI Ouyang,Chi-Ming Yang,Shun Wu Lin,Matt Yeh,Fan-yi Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-13.

Sensor package with low aspect ratio through silicon via

Номер патента: WO2024118450A1. Автор: Ko Shibata,Daiki Komatsu,Kengo Aoya,Masamitsu Matsuura. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-06.

Structure having isolated deep substrate vias with decreased pitch and increased aspect ratio and related method

Номер патента: US09887123B2. Автор: Arjun Kar-Roy,David J. Howard. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20170316950A1. Автор: Kyungmun Byun,Sinhae DO,Badro IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Hard mask layer below via structure in display device

Номер патента: US20220359609A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Chia-Hua Lin,Yao-Wen Chang,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Dynamic random access memory device comprising memory cells having capacitor formed above cell transistor and peripheral circuit for improving shape and aspect ratio of contact hole in the peripheral circuit and producing method thereof

Номер патента: US5693970A. Автор: Shinichirou Ikemasu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-12-02.

Methods and apparatus to form silicon-based transistors on group iii-nitride materials using aspect ratio trapping

Номер патента: US20190181265A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Patterning of light emitting diode (led) down converter material by roughening techniques

Номер патента: WO2023146766A1. Автор: Rohit Modi,Gregoire Denis. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Multiply spin-coated ultra-thick hybrid hard mask for sub 60nm MRAM devices

Номер патента: US12108679B2. Автор: Yi Yang,Yu-Jen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Multiply Spin-Coated Ultra-Thick Hybrid Hard Mask for Sub 60nm MRAM Devices

Номер патента: US20200136030A1. Автор: Yi Yang,Yu-Jen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Multiply Spin-Coated Ultra-Thick Hybrid Hard Mask for Sub 60nm MRAM Devices

Номер патента: US20190259938A1. Автор: Yi Yang,Yu-Jen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Photoactive metal-based hard mask integration

Номер патента: US12100591B2. Автор: Angelique RALEY,Katie Lutker-Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Chemical mechanical polishing of carbon hard mask

Номер патента: US20240194732A1. Автор: Sharath Hegde,Gary Ding,Matthew J. Prince,Walid M. Hafez,Inki Kim,Amitesh Shrivastava,Anurag A. Jain,Caitlin M. Kilroy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

A method for producing a pattern of closely spaced features

Номер патента: EP4372787A1. Автор: Mr. Boon Teik Chan,Mr. Stefan KUBICEK,Mr. Zheng Tao,Mr. Waikin Li,Mr. Ruoyu LI. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-22.

Metal hard mask for ild rie processing of semiconductor memory devices to prevent oxidation of conductive lines

Номер патента: US20020098676A1. Автор: Xian Ning,Joachim Nuetzel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Hard mask as contact etch stop layer in image sensors

Номер патента: US09564470B1. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Yuanwei Zheng,Dyson Tai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Photovoltaic Devices with Enhanced Efficiencies Using High-Aspect Ratio Nanostructures

Номер патента: US20140041718A1. Автор: Oki Gunawan,Supratik Guha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Silicon microphone with high-aspect-ratio corrugated diaphragm and a package with the same

Номер патента: US09930453B2. Автор: Quanbo Zou,Zhe Wang. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods for fabricating high aspect ratio probes and deforming high aspect ratio nanopillars and micropillars

Номер патента: US20150050746A1. Автор: Axel Scherer,Thomas A. Tombrello,Andrew P. Homyk,Michael D. Henry,Sameer WALAVALKAR. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2015-02-19.

Methods for fabricating high aspect ratio probes and deforming high aspect ratio nanopillars and micropillars

Номер патента: US20160280537A1. Автор: Axel Scherer,Thomas A. Tombrello,Andrew P. Homyk,Michael D. Henry,Sameer WALAVALKAR. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2016-09-29.

Methods for fabricating high aspect ratio probes and deforming high aspect ratio nanopillars and micropillars

Номер патента: WO2010099220A3. Автор: Axel Scherer,Thomas A. Tombrello,Andrew P. Homyk,Michael D. Henry,Sameer WALAVALKAR. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2010-12-29.

Method for fabricating high aspect ratio electrodes

Номер патента: US20030134502A1. Автор: Hans Gudesen. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2003-07-17.

High aspect ratio gratings fabricated by electrodeposition

Номер патента: US11798844B1. Автор: Amber Lynn Dagel,Patrick Sean Finnegan,Andrew E. HOLLOWELL,Travis Ryan Young,Christian Lew Arrington,Kalin Baca. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2023-10-24.

Endpoint detection in low open area and/or high aspect ratio etch applications

Номер патента: US12046522B2. Автор: Lei Lian,Shinichi Koseki,Zefang WANG,Quentin Walker. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuits using high aspect ratio vias through a semiconductor wafer and method for forming same

Номер патента: US20020127835A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn,Joseph Geusic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Batch-processing method for super-high aspect ratio diffractive optics

Номер патента: US20170256330A1. Автор: Nicolaie A. Moldovan. Владелец: Alcorix Co. Дата публикации: 2017-09-07.

High-aspect ratio screen printable thick film paste compositions containing wax thixotropes

Номер патента: EP2691963A1. Автор: Philippe Schottland,Diptarka Majumdar,Michael Mcallister,Hsien KER. Владелец: Sun Chemical Corp. Дата публикации: 2014-02-05.

Lateral high-voltage device with high-aspect-ratio internal super junction and manufacturing method thereof

Номер патента: CN111969042A. Автор: 张波,乔明,李肇基,章文通,何乃龙,祖健,朱旭晗. Владелец: Guangdong Electronic Information Engineering Research Institute of UESTC. Дата публикации: 2020-11-20.

Formation of a capacitor using a hard mask

Номер патента: US20200243640A1. Автор: Sanjeev Sapra,Devesh Dadhich Shreeram,Diem Thy N. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

High aspect ratio openings

Номер патента: US09595387B2. Автор: Mark W. Kiehlbauch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

High aspect ratio channel semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180082901A1. Автор: Niamh Waldron,Bernardette Kunert,Weiming Guo. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-03-22.

Arrays of high-aspect-ratio germanium nanostructures with nanoscale pitch and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US20210202240A1. Автор: Max G. Lagally,Francesca Cavallo,Vijay Saradhi Mangu. Владелец: University of New Mexico UNM. Дата публикации: 2021-07-01.

Device applications for voltage switchable dielectric material having high aspect ratio particles

Номер патента: US20080023675A1. Автор: Robert Fleming,Lex Kosowsky. Владелец: Lex Kosowsky. Дата публикации: 2008-01-31.

High aspect ratio non-planar capacitors formed via cavity fill

Номер патента: US20200373381A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Engineered dielectric profile for high aspect-ratio 3d nand structures

Номер патента: US20230282578A1. Автор: Randy J. Koval,Henok T. Mebrahtu,Agus Tjandra,Vijay Saradhi Mangu,Ee Ee Eng. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Measurement of thick films and high aspect ratio structures

Номер патента: US20230341337A1. Автор: David Y. Wang,Shankar Krishnan. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Method and apparatus to develop lithographically defined high aspect ratio interconnects

Номер патента: US11822249B2. Автор: Pooya Tadayon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Method and apparatus for producing high aspect ratio surface structures

Номер патента: WO2023177289A1. Автор: Rebecca SAIVE,Mathis Alexandre Nathan VAN DE VOORDE,Janis Aivars ANDERSONS. Владелец: UNIVERSITEIT TWENTE. Дата публикации: 2023-09-21.

Measurement of thick films and high aspect ratio structures

Номер патента: WO2023205129A1. Автор: David Y. Wang,Shankar Krishnan. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2023-10-26.

Endpoint detection in low open area and/or high aspect ratio etch applications

Номер патента: WO2023158478A1. Автор: Lei Lian,Shinichi Koseki,Zefang WANG,Quentin Walker. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-08-24.

Composition for forming silicon-containing metal hard mask and patterning process

Номер патента: US20230305405A1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiharu Yano,Ryo Mitsui,Kanata Takizawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Polymers for hard masks, hard mask compositions including the same, and methods for forming a pattern of a semiconductor device using a hard mask composition

Номер патента: US09676892B2. Автор: Songse YI,Jungsik CHOI,Myeong koo Kim,Ahreum CHOI,Boodeuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for manufacturing component made of hard brittle material and component made of hard brittle material

Номер патента: US20230219193A1. Автор: Kouichi Inoue,Kazuyoshi Maeda,Hitoshi Nishijima,Norihito Shibuya,Kazumichi Hibino,Souichiro NISHIO. Владелец: Sintokogio Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Composition for forming silicon-containing metal hard mask and patterning process

Номер патента: EP4250008A1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiharu Yano,Ryo Mitsui,Kanata Takizawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Patterning of a magnetoresistance structure including two hard masks

Номер патента: US20200075846A1. Автор: Sundar Chetlur,Paolo Campiglio,Maxim Klebanov,Yen Ting Liu. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Sub-lithographic patterning of magnetic tunneling junction devices

Номер патента: US09490424B2. Автор: Yu Lu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Self-aligned patterning of plate lines in three-dimensional ferroelectric capacitors

Номер патента: US20240114693A1. Автор: Brian Doyle,Uygar E. Avci,Gurpreet Singh,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Manish Chandhok,Eungnak Han,Nafees Aminul Kabir,Christopher M. Neumann. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of forming core and periphery gates including two critical masking steps to form a hard mask in a core region that includes a critical dimension less than achievable at a resolution limit of lithography

Номер патента: US6780708B1. Автор: Yu Sun,Hiroyuki Kinoshita,Cyrus Tabery,Basab Banerjee,Christopher M. Foster,John R. Behnke. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-08-24.

Polymers for hard masks, hard mask compositions including the same, and methods for forming a pattern of a semiconductor device using a hard mask composition

Номер патента: US20160266494A1. Автор: Songse YI,Jungsik CHOI,Myeong koo Kim,Ahreum CHOI,Boodeuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

Highly thick spin-on-carbon hard mask composition and patterning method using same

Номер патента: US12105421B2. Автор: Seung Hyun Lee,Su Jin Lee,Seung Hun Lee,Gi Hong Kim. Владелец: Youngchang Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Neutral hard mask and its application to graphoepitaxy-based directed self-assembly (DSA) patterning

Номер патента: US09881793B2. Автор: Mahmoud Khojasteh,Sebastian U. Engelmann,Deborah A. Neumayer,Hsinyu Tsai,John Papalia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Hard-mask defined bit pattern substrate

Номер патента: US09837274B2. Автор: Kim Y. Lee,XiaoMin Yang,David S. Kuo,Yautzong Hsu,Shuaigang Xiao,Zhaoning Yu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Magnetic tunnel junction element with ru hard mask for use in magnetic random-access memory

Номер патента: US20200343298A1. Автор: Mustafa Pinarbasi,Jacob Anthony HERNANDEZ,Cheng Wei Chiu. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Fabricating an electroconductive contact on a top layer of a tunneling magnetoresistance element using two hard masks

Номер патента: US20240074322A1. Автор: Sundar Chetlur,Paolo Campiglio,Maxim Klebanov,Yen Ting Liu,Samridh Jaiswal. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Magnetoresistance structure including two hard masks

Номер патента: US20200136032A1. Автор: Sundar Chetlur,Paolo Campiglio,Maxim Klebanov,Yen Ting Liu. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for fabricating a 3-d integrated circuit using a hard mask of silicon-oxynitride on amorphous carbon

Номер патента: WO2009003091A1. Автор: Michael W. Konevecki,Steven J. Radigan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-12-31.

Light Emitting Diode Devices With Defined Hard Mask Opening

Номер патента: US20210288214A1. Автор: Yu-Chen Shen,Yeow Meng Teo,Erik William Young,Chee Yin Foo. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2021-09-16.

Light emitting diode devices with defined hard mask opening

Номер патента: WO2021183414A1. Автор: Yu-Chen Shen,Yeow Meng Teo,Erik William Young,Chee Yin Foo. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2021-09-16.

Light emitting diode devices with defined hard mask opening

Номер патента: EP4118687A1. Автор: Yu-Chen Shen,Yeow Meng Teo,Erik William Young,Chee Yin Foo. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-01-18.

Method of removing hard mask layer

Номер патента: US12040189B2. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sen Mao Feng,Ming Xuan Ren. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Damage free laser patterning of transparent layers for forming doped regions on a solar cell substrate

Номер патента: US09768343B2. Автор: Mehrdad M. Moslehi,Sean M. Seutter,Virendra V. Rana,Pawan Kapur. Владелец: Ob Realty LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Color filter including clear pixel and hard mask

Номер патента: US20150091119A1. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Howard E. Rhodes,Hsin-Chih Tai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Hard-mask forming composition and method for manufacturing electronic component

Номер патента: US20190341253A1. Автор: Ryoji Watanabe,Keiichi IBATA. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Small aspect ratio mmic power amplifier layout

Номер патента: WO2003005567A1. Автор: Stephen R. Nelson. Владелец: Nanowave, Inc.. Дата публикации: 2003-01-16.

Gate structure with hard mask structure formed thereon and method for forming the same

Номер патента: US09449963B2. Автор: Huang-Kui CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Hard-mask defined bit pattern substrate

Номер патента: US20160181102A1. Автор: Kim Y. Lee,XiaoMin Yang,David S. Kuo,Yautzong Hsu,Shuaigang Xiao,Zhaoning Yu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for manufacturing semiconductor device using thin hard mask and structure manufactured by the same

Номер патента: US20140183619A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Layout pattern of memory cell circuit

Номер патента: US6043521A. Автор: Koji Nii,Koji Shibutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

Light emitting diode devices with defined hard mask opening

Номер патента: US11784286B2. Автор: Yu-Chen Shen,Yeow Meng Teo,Erik William Young,Chee Yin Foo. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Method of removing hard mask layer

Номер патента: US20230317453A1. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sen Mao Feng,Ming Xuan Ren. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Hard-mask forming composition, method for manufacturing electronic component, and resin

Номер патента: US11746189B2. Автор: Keiichi IBATA. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Patterning of organic film by wet etching process

Номер патента: US20210399206A1. Автор: Yi-Fan Su,Wei Hsiang Weng,Min-Lun Yang,Shaojui Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Patterning of multilayer transition metal dichalcogenides

Номер патента: US12085859B2. Автор: Timur Shegai,Battulga Munkhbat. Владелец: Smena Catalysis AB. Дата публикации: 2024-09-10.

Hard mask-forming composition and method for manufacturing electronic component

Номер патента: US11921425B2. Автор: Junichi Tsuchiya,Keiichi IBATA. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Hard mask-forming composition and method for manufacturing electronic component

Номер патента: US20230221643A1. Автор: Junichi Tsuchiya,Keiichi IBATA. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for Lithographic Patterning of Sensitive Materials

Номер патента: US20190198785A1. Автор: Yifan Kong,Nicholas Alexander Melosh,Matt R. Angle,Mina-elraheb S. Hanna. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2019-06-27.

III-V gate-all-around field effect transistor using aspect ratio trapping

Номер патента: US09590107B2. Автор: SANGHOON Lee,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Secondary use of aspect ratio trapping holes as eDRAM structure

Номер патента: US09496343B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Hard-mask composition

Номер патента: US11746255B2. Автор: John Roth,Thomas Lada,Edward Jackson,Alan G. Brown,Alex P. G. Robinson,Guy Dawson. Владелец: Irresistible Materials LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Mounting device for solar modules having a large aspect ratio

Номер патента: CA2674794A1. Автор: Sascha Oliver Schwarze,Maik Schaefer. Владелец: SOLON SE. Дата публикации: 2010-02-13.

Aspect ratio program for optimizing semiconductor chip shape

Номер патента: US6021267A. Автор: Sharon B. Sisler,Daniel N. Maynard,Jeffrey P. Bonn,Richard C. Whiteside. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-02-01.

SECONDARY USE OF ASPECT RATIO TRAPPING HOLES AS eDRAM STRUCTURE

Номер патента: US20160155805A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Structures comprising molecular structures with high aspect ratio, and methods of their manufacturing

Номер патента: RU2526969C2. Автор: Дэвид П. БРАУН,Альберт Г. НАСИБУЛИН,Брэдли Дж. ЭЙТЧИСОН,Эско И. КАУППИНЕН. Владелец: Канату Ой. Дата публикации: 2014-08-27.

High-aspect ratio electroplated structures and anisotropic electroplating processes

Номер патента: WO2024107909A1. Автор: Douglas P. Riemer,Joseph D. Starkey,Gregory D. MACLEOD,Kyle T. TOBIAS,Justin C. NALL. Владелец: HUTCHINSON TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-23.

High-Aspect Ratio Electroplated Structures And Anisotropic Electroplating Processes

Номер патента: US20240170208A1. Автор: Douglas P. Riemer,Joseph D. Starkey,Gregory D. MACLEOD,Kyle T. TOBIAS,Justin C. NALL. Владелец: Hutchinson Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional high aspect ratio graphene film composites

Номер патента: EP4244184A2. Автор: Eldad GRADY. Владелец: B2d Holding GmbH. Дата публикации: 2023-09-20.

High-aspect ratio electroplated structures and anisotropic electroplating processes

Номер патента: US20200090852A1. Автор: Paul V. Pesavento,Peter F. Ladwig,Kurt C. Swanson,Douglas P. Riemer,Matthew S. Lang,Joseph D. Starkey. Владелец: Hutchinson Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

High-aspect ratio electroplated structures and anisotropic electroplating processes

Номер патента: PH12021551216A1. Автор: Douglas P Riemer,Kurt C Swanson,Peter F Ladwig,Matthew S Lang,Paul V Pesavento,Joseph D Starkey. Владелец: Hutchinson Technology. Дата публикации: 2021-11-08.

Differential coating of high aspect ratio objects through methods of reduced flow and dosing variations

Номер патента: US11037770B2. Автор: Matthew Breuer. Владелец: Photonis Scientific Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

Multicathode pvd system for high aspect ratio barrier seed deposition

Номер патента: WO2024155779A1. Автор: Harish V. PENMETHSA,Ming-Jui LI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-25.

High aspect ratio structure analysis

Номер патента: US09741536B2. Автор: Michael Schmidt,Sang Hoon Lee,Stacey Stone,Jeffrey Blackwood. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2017-08-22.

High aspect-ratio filler-containing conductive elastomeric materials and methods of use

Номер патента: WO2023200944A1. Автор: Li Yao,Ziyan Liu,Pinghung WEI,Ning Guo,Fang He,Lichuan Chen,Thomas John Farrell Wallin,Alejandra Alvarez Albarran,Kristopher ERICKSON,Wenyang PAN,Shawn Reese,Ryan HUISZOON,Michael Tawfik Khbeis. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

High aspect boron nitride, methods, and composition containing the same

Номер патента: EP3092207A1. Автор: Chandrashekar Raman,Bei Xiang,Anand Murugaiah,Hao QU,Kang YI-LIN. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-16.

High aspect ratio silicon oxide etch

Номер патента: US20110059617A1. Автор: Glenn Mitchell,Robert Torres, Jr.,Adam Seymour. Владелец: Matheson Tri-Gas Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Detection system for precision measurements and high resolution inspection of high aspect ratio structures using particle beam devices

Номер патента: IL111384A. Автор: . Владелец: Metrologix Inc. Дата публикации: 1998-07-15.

Monolithic signal coupler for high-aspect ratio solid-state gain media

Номер патента: WO2010085639A1. Автор: David Alan Rockwell,Vladimir V. Shkunov. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-07-29.

Composite graded-index fiber mode field adaptor for high-aspect-ratio core optical fibers

Номер патента: US10222623B2. Автор: Sean Moore. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-03-05.

Differential Coating of High Aspect Ratio Objects Through Methods of Reduced Flow and Dosing Variations

Номер патента: US20200006042A1. Автор: Matthew Breuer. Владелец: Photonis Scientific Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Composite graded-index fiber mode field adaptor for high-aspect-ratio core optical fibers

Номер патента: EP3615969A1. Автор: Sean Moore. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-03-04.

Composite graded-index fiber mode field adaptor for high-aspect-ratio core optical fibers

Номер патента: WO2018200255A1. Автор: Sean Moore. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2018-11-01.

Composite graded-index fiber mode field adaptor for high-aspect-ratio core optical fibers

Номер патента: US20180314071A1. Автор: Sean Moore. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-11-01.

Determining a state of a high aspect ratio hole using measurement results from an electrostatic measurement device

Номер патента: US9448253B2. Автор: Alon Litman,Konstantin Chirko. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Construction of three-dimensional profiles of high aspect ratio structures using top down imaging

Номер патента: US20200271442A1. Автор: Pradeep Subrahmanyan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Determining a state of a high aspect ratio hole using measurement results from an electrostatic measurement device

Номер патента: US20150362524A1. Автор: Alon Litman,Konstantin Chirko. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Reducing aspect ratio dependent etch with direct current bias pulsing

Номер патента: WO2024102146A1. Автор: Shahid Rauf,Chung Liu,Aaron Eppler,Jason A. Kenney,Sunil Srinivasan,Yi-Chuan Chou,Kuan-Ting Liu,Shreeram Jyoti DASH,Michael Thomas NICHOLS,Olivier P. Joubert,Deyang LI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Reducing aspect ratio dependent etch with direct current bias pulsing

Номер патента: US20240162007A1. Автор: Shahid Rauf,Chung Liu,Aaron Eppler,Jason A. Kenney,Sunil Srinivasan,Yi-Chuan Chou,Kuan-Ting Liu,Shreeram Jyoti DASH,Michael Thomas NICHOLS,Olivier P. Joubert,Deyang LI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of fabricating field emission arrays employing a hard mask to define column lines and another mask to define emitter tips and resistors

Номер патента: US20020003390A1. Автор: Ammar Derraa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Method of fabricating field emission arrays employing a hard mask to define column lines and another mask to define emitter tips and resistors

Номер патента: US20020102900A1. Автор: Ammar Derraa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Micromechanical device and methods to fabricate same using hard mask resistant to structure release etch

Номер патента: US20130146948A1. Автор: Ying Zhang,Fei Liu,Michael A. Guillorn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Composite Hard Masks For Ultra-Thin Magnetic Sensors

Номер патента: US20230258747A1. Автор: Min Li,Ruhang DING,Tom Zhong,Richard Zhou,Hiroshi Omine,Minghui Yu,Yewhee Chye,Qingjun Qin,Yunqing Cai. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Electrical connection having a gold contact surface with discrete areas of hardness and fuel level sensor using the same

Номер патента: US20180335333A1. Автор: Luis M. Porras,Isai Chavez,Michael Joseph Mchale. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Single-emitter etendue aspect ratio scaler

Номер патента: US20130314922A1. Автор: Joshua Monroe Cobb. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Laser structure on silicon using aspect ratio trapping growth

Номер патента: US09401583B1. Автор: Ning Li,Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for pre-stressing crt tension mask material

Номер патента: WO1997001860A1. Автор: Richard William Nosker. Владелец: Rca Thomson Licensing Corporation. Дата публикации: 1997-01-16.

Thermo-electric material having mean crystal grain diameter nor greater than 50 microns and mean aspect ratio between 1 and 3 for large figure of merit and thermo-electric element using the same

Номер патента: US5883563A. Автор: Hiroyuki Yamashita,Toshiharu Hoshi,Yuma Horio. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Highly homogeneous glass sputter targets with large aspect ratio and high relative density for physical vapor deposition

Номер патента: US20240133023A1. Автор: Yoshio Okano,William Preston,James Marro,Azatuhi AYRIKYAN. Владелец: Schott Japan Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Printing high aspect ratio patterns

Номер патента: US09750141B2. Автор: Amir Noy. Владелец: Utilight Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Risers including a plurality of high aspect ratio electrical conduits and systems and methods of manufacture and use thereof

Номер патента: WO2013039957A3. Автор: Eric Hill,Kurt Schultz,Mike Jolley,Koby L. Duckworth,Jody CURTIS. Владелец: Cascade Microtech, Inc.. Дата публикации: 2014-05-15.

Printing high aspect ratio patterns

Номер патента: EP3119531A1. Автор: Amir Noy. Владелец: Utilight Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

Fabrication method for a three-dimensional memory array of thin-film ferroelectric transistors using high-aspect-ratio local word line damascene process

Номер патента: US20240260275A1. Автор: Usha Raghuram,Jie Zhou,Kavita Shah,Eli Harari,Shohei KAMISAKA,Yosuke Nosho,Iting Lin. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Risers including a plurality of high aspect ratio electrical conduits and systems and methods of manufacture and use thereof

Номер патента: WO2013039957A2. Автор: Eric Hill,Kurt Schultz,Mike Jolley,Koby L. Duckworth,Jody CURTIS. Владелец: Cascade Microtech, Inc.. Дата публикации: 2013-03-21.

Communication satellite in a satellite communication system with high aspect ratio cell arrangement and shared and allocable bandwidth

Номер патента: US6947740B2. Автор: William L. Snell. Владелец: Spacecode LLC. Дата публикации: 2005-09-20.

Circuitry with high aspect ratio traces

Номер патента: US20140262444A1. Автор: George Gregoire. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-18.

High aspect ratio traces, circuits, and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: US20140262456A1. Автор: Brian Edward Richardson. Владелец: Imagine TF LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

High aspect ratio traces, circuits, and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: US9510458B2. Автор: Brian Edward Richardson. Владелец: Imagine TF LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for depositing high aspect ratio molecular structures

Номер патента: US09776206B2. Автор: David Gonzales,David P. Brown,Albert G. Nasibulin,Esko I. Kauppinen. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2017-10-03.

High aspect ratio traces, circuits, and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: US09510458B2. Автор: Brian Edward Richardson. Владелец: Imagine TF LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

Display subpixels having multiple emissive areas with high aspect ratios

Номер патента: US11968858B2. Автор: David James Montgomery,Hywel HOPKIN. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Fabrication of high aspect ratio masks

Номер патента: US4018938A. Автор: Ralph Feder,Eberhard A. Spiller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-04-19.

Method for fabrication of industrial parts having high-aspect-ratio-through-hole section

Номер патента: EP1634683A3. Автор: Yukihisa NGK Insulators Ltd. Takeuchi,Hiroyuki NGK Insulators Ltd. Tsuji,Kazumasa NGK Insulators Ltd. Kitamura,Yoshinori NGK Insulators Ltd. Yamaguchi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2006-03-22.

Process for producing an industrial member having throughholes of high aspect ratio

Номер патента: US20020038507A1. Автор: Yukihisa Takeuchi,Hiroyuki Tsuji,Yoshinori Yamaguchi,Kazumasa Kitamura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Method for fabrication of industrial parts having high-aspect-ratio through-hole sections

Номер патента: EP1175978A3. Автор: Yukihisa Takeuchi,Hiroyuki Tsuji,Yoshinori Yamaguchi,Kazumasa Kitamura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2004-01-02.

Memory wordline hard mask extension

Номер патента: WO2003083916A1. Автор: Minh Van Ngo,Mark T. Ramsbey,Tazrien Kamal,Hidehiko Shiraiwa,Emmanuil Lingunis,Jeffrey A. Shields,Jean Y. Yang,Angela T. Hui. Владелец: Spansion, LLC. Дата публикации: 2003-10-09.

Method of transmitting ethernet messages in distributed system of hard real time

Номер патента: RU2700190C1. Автор: Николай Николаевич Коннов,Дмитрий Владимирович Пащенко,Кирилл Игоревич Никишин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ПГУ"). Дата публикации: 2019-09-13.

Method of making a three-dimensional memory device using composite hard masks for formation of deep via openings

Номер патента: US12010841B2. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Yao-Sheng Lee,Monica TITUS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for forming a hard mask with a tapered profile

Номер патента: US20240373755A1. Автор: Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Chang-Ming Wu,Min-Yung KO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for forming a hard mask with a tapered profile

Номер патента: US12114576B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Chang-Ming Wu,Min-Yung KO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Improved system of hard precharging for parallel inverters

Номер патента: RU2620128C9. Автор: Давид БАРЛИНИ. Владелец: АЛЬСТОМ Транспор Текноложи. Дата публикации: 2017-08-30.

Method for forming a hard mask with a tapered profile

Номер патента: US20230363285A1. Автор: Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Chang-Ming Wu,Min-Yung KO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method and device for monitoring the shape of hard-to-reach components

Номер патента: US20230267631A1. Автор: Boris Anatolyevich CHICHIGIN. Владелец: Turboscan LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Replacement conductive hard mask for multi-step magnetic tunnel junction (mtj) etch

Номер патента: EP3127174A1. Автор: Yu Lu,Wei-Chuan Chen,Chando Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-08.

Electronic device for displaying visual object associated with aspect ratio of combinations of projection areas and method thereof

Номер патента: US20240214532A1. Автор: Yongjin So,Jeongmin Son,Soungmin YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Method and Apparatus for Aspect-Ratio Dependent Filtering for Intra-Prediction

Номер патента: US20210160491A1. Автор: Jianle Chen,Vasily Alexeevich RUFITSKIY,Alexey Konstantinovich FILIPPOV. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Aspect ratio conversion for automated image generation

Номер патента: US20240297957A1. Автор: Pavel Savchenkov,Jian Ren,Arnab Ghosh,Sergey Smetanin,Mykyta Bakunov. Владелец: Snap Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Aspect ratio enhancement

Номер патента: US20110279729A1. Автор: Scott C. Harris. Владелец: Harris Technology LLC. Дата публикации: 2011-11-17.

Method and apparatus for dynamically adjusting aspect ratio of images during a video call

Номер патента: US20140375758A1. Автор: Gil Osher,Itay Bianco,Sagie Machlin,Ido MINTZ. Владелец: VONAGE NETWORK LLC. Дата публикации: 2014-12-25.

Aspect ratio conversion for automated image generation

Номер патента: WO2024182144A1. Автор: Pavel Savchenkov,Jian Ren,Arnab Ghosh,Sergey Smetanin,Mykyta Bakunov. Владелец: Snap Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Signaling changes in aspect ratio of media content

Номер патента: US12069323B2. Автор: Peter Shintani,Adam Goldberg. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Data communication method for a set of hard-real time applications within a network

Номер патента: US09912569B2. Автор: John Fanson. Владелец: Edgewater Computer Systems Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Variable aspect ratio media screen frame

Номер патента: US09880456B1. Автор: Robert Yellin,Dan Poirier. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-30.

Systems and methods for encoding alternative streams of video for playback on playback devices having predetermined display aspect ratios and network connection maximum data rates

Номер патента: US09510031B2. Автор: Kourosh Soroushian,Auke Sjoerd van der Schaar. Владелец: Sonic IP LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of code frame synchronisation for reed-solomon and bose-chaudhuri-hocquenghem [rs(32,16,17), bch(31,16,7)] concatenated code in simultaneous application of hard and soft solutions

Номер патента: RU2747623C1. Автор: Сергей Алексеевич Трушин. Владелец: Акционерное общество "Калужский научно-исследовательский институт телемеханических устройств". Дата публикации: 2021-05-11.

Hard mask process for memory device without bitline shorts

Номер патента: GB2407913A. Автор: Yider Wu,Tazrien Kamal,Jean Y Yang,Mark T Ramsbey,Hidehiko Shiraiwa,Emmanuil Lingunis. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2005-05-11.

Video display system for displaying wide, and standard, aspect ratio video signals

Номер патента: CA1300738C. Автор: Robert Adams Dischert,David Lee Jose,Spyros William Tsokas. Владелец: RCA Licensing Corp. Дата публикации: 1992-05-12.

Dynamically controlled aspect ratios for communication session video streams

Номер патента: US20210203879A1. Автор: Chad A. Voss,Jason Thomas Faulkner,Kevin Daniel MORRISON,Amey Parandekar,Ruchir Astavans,Timur Aleshin. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Dynamically controlled aspect ratios for communication session video streams

Номер патента: WO2021133513A1. Автор: Chad A. Voss,Jason Thomas Faulkner,Kevin Daniel MORRISON,Amey Parandekar,Ruchir Astavans,Timur Aleshin. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Dynamically controlled aspect ratios for communication session video streams

Номер патента: EP4081901A1. Автор: Chad A. Voss,Jason Thomas Faulkner,Kevin Daniel MORRISON,Amey Parandekar,Ruchir Astavans,Timur Aleshin. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-11-02.

Aspect ratio error recognition

Номер патента: EP3742392A1. Автор: leonid Sigal,Erika Elizabeth VARIS DOGGETT,Anna M. C. Wolak. Владелец: Disney Enterprises Inc. Дата публикации: 2020-11-25.

Aspect ratio error recognition

Номер патента: US20200374585A1. Автор: leonid Sigal,Erika Elizabeth VARIS DOGGETT,Anna M.C. WOLAK. Владелец: Disney Enterprises Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Dynamic configuration of communication video stream arrangements based on an aspect ratio of an available display area

Номер патента: EP4091320A1. Автор: Chad A. Voss,Jason Thomas Faulkner. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-11-23.

Conversion between aspect ratios in camera

Номер патента: US11722631B2. Автор: Scott Patrick Campbell,Sumit Chawla,Nicholas D. Woodman,Loic Segapelli. Владелец: GoPro Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Image output method to displays with different aspect ratios

Номер патента: EP1806730A4. Автор: Sachiyo Aoki. Владелец: Sony Computer Entertainment Inc. Дата публикации: 2009-07-01.

Producing an image of desired aspect ratio

Номер патента: EP1649681A1. Автор: Jiebo Luo. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2006-04-26.

Aspect ratio enhancement

Номер патента: US20140320741A1. Автор: Scott C. Harris. Владелец: Harris Technology LLC. Дата публикации: 2014-10-30.

Systems and methods for identifying a video aspect-ratio frame attribute

Номер патента: US09992445B1. Автор: Hank J. Hundemer,Dana A. Lasher. Владелец: Tribune Broadcasting Co LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Systems and methods for identifying a video aspect-ratio frame attribute

Номер патента: US09621844B1. Автор: Dana A. Lasher,Hank J Hundemer. Владелец: Tribune Broadcasting Co LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Aspect ratio validation

Номер патента: US09594947B1. Автор: Charles Benjamin Franklin Waggoner,Srikanth Kotagiri. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Decoder for extracting a 4:3 aspect ratio signal from a high definition television signal

Номер патента: CA1231172A. Автор: Glenn A. Reitmeier,Curtis R. Carlson. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Signaling changes in aspect ratio of media content

Номер патента: US20240056617A1. Автор: Peter Shintani,Adam Goldberg. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Signaling changes in aspect ratio of media content

Номер патента: WO2024033746A1. Автор: Peter Shintani,Adam Goldberg. Владелец: Sony Group Corporation. Дата публикации: 2024-02-15.

Led video cabinet having a native 16:9 aspect ratio

Номер патента: US20180084217A1. Автор: Michael Wiener. Владелец: Aeson Led Display Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Dynamic Aspect Ratio Adjustment During Video Conferencing

Номер патента: US20230412656A1. Автор: Chi-Chian Yu. Владелец: Zoom Video Communications Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Data communication method for a set of hard-real time applications within a network

Номер патента: US20130294267A1. Автор: John Fanson. Владелец: EDGEWATER COMPUTER SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2013-11-07.

Aspect ratio modifying imaging systems and methods

Номер патента: US11982797B2. Автор: Michael D. Walters,Alan D. Kathman,David Ovrutsky. Владелец: Teledyne Flir Commercial Systems Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Systems and methods for dynamically adjusting video aspect ratios

Номер патента: US20210105433A1. Автор: Jonathan Bloch,Barak Feldman,Tal Zubalsky,Yuval Hofshy,Tomer Lahav. Владелец: JBF Interlude 2009 LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Dynamic aspect ratio adjustment during video conferencing

Номер патента: WO2023249832A1. Автор: Chi-Chian Yu. Владелец: Zoom Video Communications, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

Aspect ratio modifying imaging systems and methods

Номер патента: EP3963878A1. Автор: Michael D. Walters,Alan D. Kathman,David Ovrutsky. Владелец: Flir Commercial Systems Inc. Дата публикации: 2022-03-09.

Data communication method for a set of hard real- time applications

Номер патента: WO2009073961A1. Автор: John Fanson. Владелец: EDGEWATER COMPUTER SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2009-06-18.

Aspect ratio modifying imaging systems and methods

Номер патента: WO2020223047A1. Автор: Michael D. Walters,Alan D. Kathman,David Ovrutsky. Владелец: Flir Commercial Systems, Inc.. Дата публикации: 2020-11-05.

Image aspect ratio adjustment system and method

Номер патента: US20080151100A1. Автор: Leonard Tsai. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-06-26.

Non-linear aspect ratio adaptation

Номер патента: MY113126A. Автор: Maria Kettenis Jeroen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-30.

Modifying A Virtual Background Object Aspect Ratio

Номер патента: US20240323314A1. Автор: Thanh Le Nguyen. Владелец: Zoom Video Communications Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Device and method to determine an aspect ratio and a format of an immersive image

Номер патента: US12137299B2. Автор: Daniel Pohl. Владелец: Immervr GmbH. Дата публикации: 2024-11-05.

Using aspect-ratio transitions to output an alert indicating a functional state of a back-up video-broadcast system

Номер патента: US09955201B2. Автор: Hank J. Hundemer. Владелец: Tribune Broadcasting Co LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Using aspect-ratio transitions to output an alert indicating a functional state of a back-up video-broadcast system

Номер патента: US09648365B2. Автор: Hank J. Hundemer. Владелец: Tribune Broadcasting Co LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Systems, methods, and computer program products for multiple aspect ratio automated simulcast production

Номер патента: US09558786B2. Автор: Robert J. Snyder,Alex Holtz,John R. Benson,William H. Couch,Richard Todd,Maurice Smith,Charles M. Hoeppner,Marcel Larocque,Keith Gregory Tingle. Владелец: GVBB Holdings SARL. Дата публикации: 2017-01-31.

Television receiver with scan velocity modulation being adjusted according to aspect ratio

Номер патента: US5351094A. Автор: Takao Washino. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 1994-09-27.

Image display system for displaying picture with smaller aspect ratio on large-aspect-ratio screen of television receiver

Номер патента: US5170256A. Автор: Toshio Tabata. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1992-12-08.

Method and system for video image aspect ratio conversion

Номер патента: EP1848203B2. Автор: Okyay Vestel Elektronik Demiryurekli. Владелец: Vestel Elektronik Sanayi ve Ticaret AS. Дата публикации: 2018-05-02.

Combined image pickup and signal recorder for video signals derived from images having different aspect ratios

Номер патента: US5416598A. Автор: Tadashi Ezaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1995-05-16.

Intra-prediction mode derivation for color signals, whereby the signals may have the same or different aspect ratios than corresponding brightness signals

Номер патента: CA3040987C. Автор: Shigeru Fukushima,Hiroya Nakamura,Motoharu Ueda,Toru Kumakura. Владелец: JVCKenwood Corp. Дата публикации: 2020-10-27.

Conversion between aspect ratios in camera

Номер патента: WO2015026864A1. Автор: Scott Patrick Campbell,Sumit Chawla,Nicholas D. Woodman,Loic Segapelli. Владелец: GoPro, Inc.. Дата публикации: 2015-02-26.

Information recording/reproducing apparatus and method of coordinately processing pieces of aspect ratio information

Номер патента: EP1341378A3. Автор: Tomoaki Kurano,Mitsunori Omokawa,Takahiro Seita,Shuichi Intl. Prop. Div. K.K. Toshiba Hisatomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-01-10.

Management of aspect ratio in hierarchical coding schemes

Номер патента: US20230379483A1. Автор: Daniele SPARANO. Владелец: V Nova International Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Storage medium adaptable to changes in screen aspect ratio and reproducing method thereof

Номер патента: EP1307046A3. Автор: Kil-Soo Jung,Hyun-Kwon Chung,Byung-jun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-22.

Conversion between aspect ratios in camera

Номер патента: US20230412754A1. Автор: Scott Patrick Campbell,Sumit Chawla,Nicholas D. Woodman,Loic Segapelli. Владелец: GoPro Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Conversion between aspect ratios in camera

Номер патента: US20210037194A1. Автор: Scott Patrick Campbell,Sumit Chawla,Nicholas D. Woodman,Loic Segapelli. Владелец: GoPro Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Conversion between aspect ratios in camera

Номер патента: EP3036892A1. Автор: Scott Patrick Campbell,Sumit Chawla,Nicholas D. Woodman,Loic Segapelli. Владелец: GoPro Inc. Дата публикации: 2016-06-29.

Conversion Between Aspect Ratios in Camera

Номер патента: US20150077586A1. Автор: Scott Patrick Campbell,Sumit Chawla,Nicholas D. Woodman,Loic Segapelli. Владелец: GoPro Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Conversion Between Aspect Ratios in Camera

Номер патента: US20160173767A1. Автор: Scott Patrick Campbell,Sumit Chawla,Nicholas D. Woodman,Loic Segapelli. Владелец: GoPro Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Conversion between aspect ratios in camera

Номер патента: US20220086369A1. Автор: Scott Patrick Campbell,Sumit Chawla,Nicholas D. Woodman,Loic Segapelli. Владелец: GoPro Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Conversion between aspect ratios in camera

Номер патента: US10015413B1. Автор: Scott Patrick Campbell,Sumit Chawla,Nicholas D. Woodman,Loic Segapelli. Владелец: GoPro Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Conversion between aspect ratios in camera

Номер патента: US9674429B2. Автор: Scott Patrick Campbell,Sumit Chawla,Nicholas D. Woodman,Loic Segapelli. Владелец: GoPro Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Management of aspect ratio in hierarchical coding schemes

Номер патента: GB2615258A. Автор: Sparano Daniele. Владелец: V Nova International Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Management of aspect ratio in hierarchical coding schemes

Номер патента: EP4226619A1. Автор: Daniele SPARANO. Владелец: V Nova International Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Dynamic configuration of communication video stream arrangements based on an aspect ratio of an available display area

Номер патента: US20210218927A1. Автор: Chad A. Voss,Jason Thomas Faulkner. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

Screen aspect-ratio conversion apparatus and method

Номер патента: US20060146190A1. Автор: Young-Ho Lee,Won-seok Ahn,Jae-oh Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-06.

Hard mask for patterning magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2016195946A1. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Ha CHEN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-12-08.

Compatible wide aspect ratio receiver with spatial filtering for variable zoom

Номер патента: US5276515A. Автор: Takaaki Matono,Kenji Katsumata,Shigeru Hirahata,Kazuhiro Kaizaki,Haruki Takata,Kouichi Ishibashi,Mituo Konno,Atushi Haratani. Владелец: Hitachi Video and Information System Inc. Дата публикации: 1994-01-04.

Video Teleconferencing System Employing Aspect Ratio Transformation

Номер патента: CA2119776A1. Автор: Eric John Addeo,Thomas Helm Judd,Michael Haysom Bianchi,Henri Edouard Tohme. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-04-15.

Objective lens for image pickup apparatus with size of image pickup surface changeable between aspect ratios

Номер патента: US5696634A. Автор: Itaru Watanabe,Yasunori Imaoka,Norio Nakai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-12-09.

Recombination of low- and high-resolution segments of an extended aspect ratio picture

Номер патента: CA1243397A. Автор: Theodore S. Rzeszewski,Joseph L. Locicero,Melih Pazarci. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1988-10-18.

Control system for aspect ratio and magnification of a raster output scanner

Номер патента: US5530642A. Автор: Robert M. Lofthus,Aron Nacman,Stuart A. Schweid,Michael S. Cianciosi. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1996-06-25.

Video tape recorder with recording of a code to identify picture aspect ratio

Номер патента: US5150218A. Автор: Tadashi Ezaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-09-22.

Two-way adjustable structure of hard disk box

Номер патента: US20170269640A1. Автор: Szu-Tien Chen. Владелец: inXtron Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Circuit, method for sizing an aspect ratio of transistors of a circuit, and circuit arrangement

Номер патента: EP3744004A1. Автор: Joseph Sylvester Chang,Kwen Siong Chong,Ne Kyaw Zwa Lwin,Sivaramakrishnan Hariharakrishnan. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-12-02.

Method and apparatus for aspect-ratio dependent filtering for intra-prediction

Номер патента: EP3804336A1. Автор: Jianle Chen,Vasily Alexeevich RUFITSKIY,Alexey Konstantinovich FILIPPOV. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-14.

Aspect ratio conversion for imagers having random row access

Номер патента: EP1259068A3. Автор: Donald Henry Willis. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2004-01-07.

Systems and methods for adjusting aspect ratio of content slot

Номер патента: WO2022213303A1. Автор: Chunlei Zhu,Weiming Liu,Zekan Qian. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-10-13.

Systems and Methods for Adjusting an Aspect Ratio of a Content Slot

Номер патента: US20240205497A1. Автор: Chunlei Zhu,Weiming Liu,Zekan Qian. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Systems and methods for adjusting aspect ratio of content slot

Номер патента: EP4094169A1. Автор: Chunlei Zhu,Weiming Liu,Zekan Qian. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-11-30.

Camera and method with widescreen image on nearly-square aspect ratio photosensor array

Номер патента: US09936123B2. Автор: Kevin Johnson. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Metal mask material, method for manufacturing same, and metal mask

Номер патента: US12037673B2. Автор: Naoki Fujimoto,Keita Kimura,Mitsuharu Yonemura,Hiroto Unno. Владелец: Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

3D broadcast service providing method and apparatus, and 3D broadcast service reproduction method and apparatus for using image of asymmetric aspect ratio

Номер патента: US9998800B2. Автор: Jin Woong Kim,Sung Hoon Kim,Joo Young Lee,Hyon Gon Choo,Jin Soo Choi,Suk Jin Hong,Jin Suk Kwak,Dong Wook Kang,Kyeong Hoon Jung. Владелец: HIDEA SOLUTIONS CO Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method and apparatus for correcting aspect ratio in a camera graphical user interface

Номер патента: US5973734A. Автор: Eric C. Anderson. Владелец: FlashPoint Technology Inc. Дата публикации: 1999-10-26.

Apparatus for controlling caption display on a wide aspect ratio

Номер патента: US5680176A. Автор: Min-Soo Cho. Владелец: Daewoo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1997-10-21.

Information storage medium including device-aspect-ratio information, method and apparatus therefor

Номер патента: MY147598A. Автор: Sung-Wook Park,Hyun-Kwon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-31.

Self-adaptive display aspect ratio adjuster and gesture on rolling devices

Номер патента: US11908363B2. Автор: Ming Li,Jue LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

High aspect ratio patterning of glass film

Номер патента: US20020123007A1. Автор: Ljerka Ukrainczyk,Robert Bellman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

High aspect ratio patterning of glass film

Номер патента: EP1233933A1. Автор: Ljerka Ukrainczyk,Alan B. Bellman. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2002-08-28.

High Aspect Ratio Microstructures

Номер патента: US20100330502A1. Автор: John Christopher Rudin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for making a patterned perpendicular magnetic recording disk using glancing angle deposition of hard mask material

Номер патента: US09464348B2. Автор: Tsai-Wei Wu,Zuwei Liu,Hitesh Arora,Jean-Marc L. Beaujour. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-10-11.

Fabrication of multilayer semiconductor devices with high aspect ratio microneedles

Номер патента: WO2023225550A3. Автор: David A. Steele,Mark A. Webb,Marc S. CHOOLJIAN,Lauren M. Otto,Charles V. NGUYEN. Владелец: Mekonos Inc.. Дата публикации: 2024-04-11.

Fabrication of multilayer semiconductor devices with high aspect ratio microneedles

Номер патента: WO2023225550A2. Автор: David A. Steele,Mark A. Webb,Marc S. CHOOLJIAN,Lauren M. Otto,Charles V. NGUYEN. Владелец: Mekonos Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Multi-axial grid or mesh structures with high aspect ratio ribs

Номер патента: US09556580B2. Автор: Anthony T. Walsh. Владелец: Tensar Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Scanning probe microscopy system for mapping high aspect ratio nanostructures on a surface of a sample

Номер патента: EP3322995A1. Автор: William Edward CROWCOMBE,Stefan Kuiper. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2018-05-23.

High aspect ratio microstructures and method for fabricating high aspect ratio microstructures from powder composites

Номер патента: WO2007095241A3. Автор: Guohua Yang,Olga Makarova,Platte Amstutz. Владелец: Platte Amstutz. Дата публикации: 2008-01-17.

High aspect ratio in-plane metal microneedle array, manufacturing method and clamping and inserting auxiliary device thereof

Номер патента: US20210046298A1. Автор: Wei Zhang,Xiao Han,Guojun Ma,Chengwei WU,Yongtao LV,JianLi Ma,Xiaolong AN. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2021-02-18.

Methods for shaping high aspect ratio articles from metallic glass alloys using rapid capacitive discharge and metallic glass feedstock for use in such methods

Номер патента: US09845523B2. Автор: William L. Johnson,Marios D. Demetriou,Joseph P. Schramm,David S. Lee,Jong Hyun Na. Владелец: Glassimetal Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Heart rate sensor with high-aspect-ratio photodetector element

Номер патента: US09392946B1. Автор: Peter W. Richards,Chris H. Sarantos. Владелец: Fitbit LLC. Дата публикации: 2016-07-19.

Method of producing high-aspect microstructures

Номер патента: RU2702798C1. Автор: Алексей Георгиевич Лемзяков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки, Институт Ядерной Физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения (ИЯФ СО РАН). Дата публикации: 2019-10-11.

Solid metal hydroxide solution and solid metal oxide solution with high aspect ratios and methods for preparation thereof

Номер патента: RU2147556C1. Автор: Шигео Мията,Рюиши Ишибаши,Ацуя Кавасе,Ясунори Китано. Владелец: Татехо Кемикал Индастриз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2000-04-20.

High aspect ratio cellulose nanofilaments and method for their production

Номер патента: CA2824191C. Автор: Lahoucine Ettaleb,Xujun Hua,Makhlouf Laleg,Gilles Dorris,Keith Miles,Reza AMIRI. Владелец: FPINNOVATIONS. Дата публикации: 2015-12-08.

Method of making grating structures having high aspect ratio

Номер патента: EP1747485A1. Автор: Stefano Sardo,Sergio Doneda,Romano Morson. Владелец: Pirelli and C SpA. Дата публикации: 2007-01-31.

Headlamp assembly with multiple high aspect ratio lenses

Номер патента: US09587794B2. Автор: Li Yan,Stephen Kenneth Helwig,Ketan K. Desai,David A. Brown,Sleiman N. Abdelnour. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

High-precision and high-efficiency injection mold for high-aspect-ratio double-layer cylindrical plastic part and molding method using the same

Номер патента: US11745402B2. Автор: Kai Wen,Yaqing Liu,Guizhe Zhao,Ruikui DU. Владелец: Shanxi Zhongbei New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method and apparatus for producing a high aspect ratio nanostructured foil by extrusion coating or extrusion casting

Номер патента: CA2978364C. Автор: Henrik Pranov,Maria MATSCHUK,Sanne Norup WESTAD,Peter Lass Johansen,Ole Brodsgard. Владелец: Inmold AS. Дата публикации: 2023-01-10.

Multi-axial grid or mesh structures with high aspect ratio ribs

Номер патента: CA2715473A1. Автор: Anthony T. Walsh. Владелец: Tensar Technologies Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

High aspect ratio vacuum air sampling assembly

Номер патента: US20230194393A1. Автор: Thomas E. Kane,Michael A. Goss,Jason S. HERRINGTON. Владелец: RESTEK CORPORATION. Дата публикации: 2023-06-22.

Multi-axial grid or mesh structures with high aspect ratio ribs

Номер патента: US11834795B2. Автор: Anthony T. Walsh. Владелец: Tensar Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Masking high-aspect ratio structures

Номер патента: WO2008150930A2. Автор: Florian Solzbacher,Sandeep Negi,Rajmohan Bhandari,Richard Normann. Владелец: UNIVERSITY OF UTAH RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2008-12-11.

Scanning probe microscopy system for mapping high aspect ratio nanostructures on a surface of a sample

Номер патента: US20180210008A1. Автор: William Edward CROWCOMBE,Stefan Kuiper. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2018-07-26.

High aspect ratio devices and methods for vitrification of biological samples by rapid cooling

Номер патента: US20230365914A1. Автор: Mehmet Toner,Saul Tzipori,Derin Sevenler,Rebecca SANDLIN,Giovanni Widmer,Justyna JASKIEWICZ. Владелец: General Hospital Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method and device for generating airy light needle with long depth of focus and high aspect ratio

Номер патента: US20240201484A1. Автор: Ligang Wang,Lai Chen. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-06-20.

High aspect ratio and multi-curvature separator, and hybrid air cleaner using the same

Номер патента: US20080264006A1. Автор: Masanobu Nakamura. Владелец: Nakamura Medicine and Engineering Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Method of forming 3D micro structures with high aspect ratios

Номер патента: US20080233522A1. Автор: Wen-Cheng Yang,Chien-Chung Fu,Heng-Chi Huang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2008-09-25.

Inside out molding of high aspect ratio containers

Номер патента: WO1993016859A1. Автор: Paul J. Gelardi. Владелец: Gelardi Paul J. Дата публикации: 1993-09-02.

Atomic force microscope for profiling high aspect ratio samples

Номер патента: WO2000020823A3. Автор: Kamal Youcef-Toumi,Bernardo D Aumond. Владелец: Massachusetts Inst Technology. Дата публикации: 2000-09-21.

Multi-layer high-aspect ratio x-ray grating and method of manufacture

Номер патента: CA3228784A1. Автор: Karim S. Karim,Abdollah PIL-ALI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-23.

Multicathode pvd system for high aspect ratio barrier seed deposition

Номер патента: US20240247365A1. Автор: Harish V. PENMETHSA,Ming-Jui LI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Transmission X-ray critical dimension (T-XCD) characterization of shift and tilt of stacks of high-aspect-ratio (HAR) structures

Номер патента: US11761913B2. Автор: Matthew Wormington,Paul Anthony Ryan,Adam Ginsburg,Mark James Vermeulen. Владелец: Bruker Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

High-aspect-ratio imprinted structure

Номер патента: US20150276988A1. Автор: Ronald Steven Cok. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-01.

System for directly measuring the depth of a high aspect ratio etched feature on a wafer

Номер патента: US20140110582A1. Автор: David L. Grant,David S. Marx. Владелец: Rudolph Technologies Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Dynamic pulse plating for high aspect ratio features

Номер патента: WO2003010364A3. Автор: Yezdi Dordi,H Peter W Hey. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-11-18.

Dynamic pulse plating for high aspect ratio features

Номер патента: WO2003010364A2. Автор: Yezdi Dordi,H. Peter W. Hey. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2003-02-06.

Atomic force microscope for profiling high aspect ratio samples

Номер патента: WO2000020823B1. Автор: Kamal Youcef-Toumi,Bernardo D Aumond. Владелец: Massachusetts Inst Technology. Дата публикации: 2000-11-02.

Multi-layer high-aspect ratio x-ray grating and method of manufacture

Номер патента: US20240353353A1. Автор: Karim S. Karim,Abdollah PIL-ALI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-24.

Hydrodynamic separation using high aspect ratio channels

Номер патента: US09968869B2. Автор: Armin R. Völkel,John S. Paschkewitz,Kai Melde,Huangpin B. Hsieh. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for aligning high aspect ratio materials and compositions therefrom

Номер патента: US09637612B2. Автор: Ehsan Moaseri,Morteza Maghrebi,Majid Baniadam. Владелец: Ferdowsi University of Mashhad. Дата публикации: 2017-05-02.

System for directly measuring the depth of a high aspect ratio etched feature on a wafer

Номер патента: US09587932B2. Автор: David L. Grant,David S. Marx. Владелец: Rudolph Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

High-aspect-ratio imprinted structure

Номер патента: US09519080B2. Автор: Ronald Steven Cok. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-12-13.

Process for the preparation of high aspect ratio silver bromoiodide emulsions

Номер патента: CA1175701A. Автор: Richard L. Daubendiek,Ronald W. Strong. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1984-10-09.

Optical fingerprint sensor with high aspect-ratio metal aperture structures

Номер патента: US20230306778A1. Автор: Shih-Hsin Hsu,Jau-Jan Deng. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Fluidic die with high aspect ratio power bond pads

Номер патента: US11951739B2. Автор: Gary G. Lutnesky,James R. Przybyla,Rogelio Cicili,Eric Thomas Martin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-04-09.

Sensitized high aspect ratio silver halide emulsions and photographic elements

Номер патента: CA1175695A. Автор: Cynthia G. Jones,James T. Kofron,Robert E. Booms,John A. Haefner,Herbert S. Wilgus, Iii,Francis J. Evans. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1984-10-09.

Method for producing a metal component having a section with a high aspect ratio

Номер патента: US20220402028A1. Автор: Moritz STOLPE. Владелец: Heraeus Amloy Technologies GmbH. Дата публикации: 2022-12-22.

High aspect ratio microstructures and method for fabricating high aspect ratio microstructures from powder composites

Номер патента: WO2007095241A9. Автор: Guohua Yang,Olga Makarova,Platte Amstutz. Владелец: Platte Amstutz. Дата публикации: 2007-10-11.

High-aspect-ratio magnesium hydroxide

Номер патента: CA2813682C. Автор: Shigeo Miyata,Hitoshi Manabe,Daisuke Kudo. Владелец: Sea Water Chemical Institute Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Fabrication methods for high aspect ratio microneedles and tools

Номер патента: WO2023225540A2. Автор: David A. Steele,Mark A. Webb,Marc S. CHOOLJIAN,Charles V. NGUYEN. Владелец: Mekonos Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

High-precision and high-efficiency injection mold for high-aspect-ratio double-layer cylindrical plastic part and molding method using the same

Номер патента: US20230173723A1. Автор: Kai Wen,Yaqing Liu,Guizhe Zhao,Ruikui DU. Владелец: Shanxi Zhongbei New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Fabrication methods for high aspect ratio microneedles and tools

Номер патента: WO2023225540A3. Автор: David A. Steele,Mark A. Webb,Marc S. CHOOLJIAN,Charles V. NGUYEN. Владелец: Mekonos Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Photographic image transfer film unit including tabular silver halide grains with high aspect ratio

Номер патента: CA1174885A. Автор: Cynthia G. Jones,Cliff O. Hill. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1984-09-25.

Production of micromoldings having a high aspect ratio

Номер патента: US5298367A. Автор: Gerhard Hoffmann,Peter Hoessel,Juergen Langen,Thomas Wuensch. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1994-03-29.

High aspect ratio layered double hydroxide materials and methods for preparation thereof

Номер патента: EP3429749A1. Автор: John Adrian Hall,Andrew Whiting,Hugh Christopher Greenwell,Manohara Gudiyor Veerabhadrappa,Gasan Selman Alabedi,Abdullah A. AL-SHAHRANI. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2019-01-23.

High aspect ratio metal microstructures and method for preparing the same

Номер патента: US5814414A. Автор: Jeffrey M. Calvert,Martin C. Peckerar,Jacque H. Georger, Jr.,James J. Hickman,Milton L. Rebbert. Владелец: Geo Centers Inc. Дата публикации: 1998-09-29.

High Efficiency Swim Fin using Multiple High Aspect Ratio Hydrodynamic Vanes with Pliable Hinges and Rotation Limiters

Номер патента: US20120115377A1. Автор: David Woods. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-10.

Optical metasurfaces with high aspect ratio unit cells for large deflection angles

Номер патента: EP4302140A1. Автор: Alexander Yutong Zhu,Cameron Robert Nelson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Optical metasurfaces with high aspect ratio unit cells for large deflection angles

Номер патента: US20240151876A1. Автор: Alexander Yutong Zhu,Cameron Robert Nelson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Cement compositions comprising high aspect ratio materials and methods of use in subterranean formations

Номер патента: US8123852B2. Автор: B. Raghava Reddy,James F. Heathman. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2012-02-28.

Cement compositions comprising high aspect ratio materials and methods of use in subterranean formations

Номер патента: CA2572399C. Автор: B. Raghava Reddy,Krishna M. Ravi,Gunnar Lende. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2009-09-15.

High aspect ratio light fixture and film for use therein

Номер патента: CA1316159C. Автор: Sanford Cobb, Jr.,John F. Dreyer, Jr.. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1993-04-13.

High aspect-ratio X-ray diffractive structure stabilization methods and systems

Номер патента: US7864426B2. Автор: Yan Feng,Alan Francis Lyon,Wenbing Yun. Владелец: Xradia Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Masking process for fabricating ultra-high aspect ratio, wafer-free micro-opto-electromechanical structures

Номер патента: WO1996023667A1. Автор: Noel C. MacDonald,Ali Jazairy. Владелец: Cornell Research Foundation, Inc.. Дата публикации: 1996-08-08.

Fabrication of high aspect ratio tall free standing posts using carbon-nanotube (cnt) templated microfabrication

Номер патента: WO2017070397A1. Автор: Robert C. Davis,Richard Vanfleet,Guohai Chen. Владелец: BRIGHAM YOUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-04-27.

Processes for improving high aspect ratio cellulose filament blends

Номер патента: EP4335900A2. Автор: Tobias Ziegenbein. Владелец: Mercer International Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Plasmonic lithography for patterning high aspect-ratio nanostructures

Номер патента: US11874480B2. Автор: Xi Chen,Lingjie Jay Guo. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-01-16.

Nanotubes based on titanium dioxide with a high aspect ratio and a method of their preparation

Номер патента: WO2011137878A3. Автор: Zdenek Krulis,Miroslav Slouf,Daniela Kralova. Владелец: Institute Of Macromolecular Chemistry As Cr, V. V. I.. Дата публикации: 2012-01-12.

High modulus, toughened one-component epoxy structural adhesives with high aspect ratio fillers

Номер патента: US20240110085A1. Автор: Sergio Grunder,Andreas Lütz,Felix Koch. Владелец: DDP Specialty Electronic Materials US LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Processes for improving high aspect ratio cellulose filament blends

Номер патента: US20190316293A1. Автор: Tobias Ziegenbein. Владелец: Mercer International Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Interfacial Convective Assembly for High Aspect Ratio Structures Without Surface Treatment

Номер патента: US20190389720A1. Автор: Nam-Goo Cha,Taehoon Kim,Ahmed Busnaina,Yolanda Ehegoyen. Владелец: Northeastern University Boston. Дата публикации: 2019-12-26.

Processes for improving high aspect ratio cellulose filament blends

Номер патента: EP4335900A3. Автор: Tobias Ziegenbein. Владелец: Mercer International Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Segmentation or cross sections of high aspect ratio structures

Номер патента: EP4327274A1. Автор: Thomas Korb,Jens Timo NEUMANN,Johannes Persch,Alexander Freytag,Dmitry Klochkov,Abhilash SRIKANTHA,Eno Töppe. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-02-28.

Segmentation or cross sections of high aspect ratio structures

Номер патента: US20240087134A1. Автор: Thomas Korb,Jens Timo NEUMANN,Johannes Persch,Alexander Freytag,Dmitry Klochkov,Abhilash SRIKANTHA,Eno Töppe. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-03-14.

Multi-layer high-aspect ratio x-ray grating and method of manufacture

Номер патента: WO2023019355A1. Автор: Karim S. Karim,Abdollah PIL-ALI. Владелец: Pil Ali Abdollah. Дата публикации: 2023-02-23.

High aspect agricultural or off-road tire

Номер патента: EP1017574A1. Автор: Steven George Bishel,David Busse Weed,Andrew Caperton Shorter. Владелец: Goodyear Tire and Rubber Co. Дата публикации: 2000-07-12.

Method of increasing physical and mechanical properties of tool materials by volume pulse laser hardening

Номер патента: RU2726233C1. Автор: Михаил Николаевич Шагров. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью Научно-Производственное Объединение "Упрочнение Твердых Сплавов". Дата публикации: 2020-07-10.

Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors

Номер патента: GB2389811A. Автор: Brian W Baird,Thomas R Mcneil,Michael J Wolfe,Richard J Harris,Kevin P Fahey,Lain-Cheng Zou. Владелец: Electro Scientific Industries Inc. Дата публикации: 2003-12-24.

Method for producing thin graphite flakes with large aspect ratios

Номер патента: US5186919A. Автор: L. Roy Bunnell. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 1993-02-16.

High aspect ratio solid particulate filtering apparatus

Номер патента: CA1186637A. Автор: Max R. Montierth. Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1985-05-07.

Double-jet precipitation process for preparation of tabular grains of silver chloride with high aspect ratio

Номер патента: CA1175691A. Автор: Jong-Shinn Wey. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1984-10-09.

Silver bromide emulsions with tabular grains of high aspect ratio

Номер патента: CA1175699A. Автор: Andre G.E. Mignot. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1984-10-09.

Biocompatible high aspect-ratio porous membrane

Номер патента: US11786869B2. Автор: Douglas Albagli,William A HENNESSY. Владелец: Global Life Sciences Solutions USA LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Biocompatible high aspect-ratio porous membrane

Номер патента: US20230415100A1. Автор: William A. Hennessy,Douglas Albagli. Владелец: Global Life Sciences Solutions USA LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Biocompatible high aspect-ratio porous membrane

Номер патента: EP4132690A1. Автор: Douglas Albagli,William A HENNESSY. Владелец: Global Life Sciences Solutions USA LLC. Дата публикации: 2023-02-15.

Biocompatible high aspect-ratio porous membrane

Номер патента: WO2021204715A1. Автор: Douglas Albagli,William A HENNESSY. Владелец: Cytiva Sweden AB. Дата публикации: 2021-10-14.

High aspect ratio layered scrub

Номер патента: US20200046194A1. Автор: Timothy Paul Busby. Владелец: Bright Box Lab LLC. Дата публикации: 2020-02-13.

Electroplated Au for Conformal Coating of High Aspect Ratio Silicon Structures

Номер патента: US20190074100A1. Автор: Robert K. Grubbs,Adam M. Rowen,Jonathan Joseph Coleman. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Polystyrene-tetrathiafulvalene polymers as deep-ultraviolet mask material

Номер патента: US4543319A. Автор: Frank B. Kaufman,Burn J. Lin,Vivian W. Chao,Steven R. Kramer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-09-24.

Method for manufacturing a magnetic write head having a hard mask defined write pole trailing edge step

Номер патента: US20100155367A1. Автор: Yi Zheng,Sue Siyang Zhang,Aron Pentek. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2010-06-24.

High resolution patterning of surface energy utilizing high resolution monomolecular resist for fabrication of patterned media masters

Номер патента: US20070264833A1. Автор: Zvonimir Bandic,Bernhard Knigge,Charles Mate. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

High aspect ratio microelectrode arrays enabled to have customizable lengths and methods of making the same

Номер патента: WO2009149197A3. Автор: Florian Solzbacher,Prashant Tathireddy. Владелец: UNIVERSITY OF UTAH RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2010-03-11.

A process for modifying the surface of hard engineering ceramic materials

Номер патента: WO1989004239A1. Автор: Christopher Anthony Brookes. Владелец: J.H. Fenner & Co, Ltd.. Дата публикации: 1989-05-18.

Hydrogel for remineralisation of hard dental tissues

Номер патента: RU2691960C1. Автор: Жанна Владимировна Соловьёва. Владелец: Жанна Владимировна Соловьёва. Дата публикации: 2019-06-19.

Circular grinding method for making tools of hard alloy and circular grinding machine for grinding initial cylindrical blanks at making tool of hard alloy

Номер патента: RU2312002C2. Автор: Эрвин ЮНКЕР. Владелец: Эрвин Юнкер Машиненфабрик Гмбх. Дата публикации: 2007-12-10.

Method of prediction of wear resistance of hard alloy cutting tools

Номер патента: RU2698481C1. Автор: Владимир Петрович Нестеренко,Алексей Алексеевич Кондратюк,Владимир Иванович Корепанов,Светлана Сергеевна Вильчинская,Иван Владимирович Корепанов,Анастасия Александровна Ботвалинская. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Method for determining height of arch of hard palate in children with connective tissue dysplasia

Номер патента: RU2672369C1. Автор: Иннокентий Дмитриевич УШНИЦКИЙ,Екатерина Юрьевна Никифорова,Аэлита Михайловна Аммосова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова". Дата публикации: 2018-11-14.

Breeding method of new variety of hard-shelled razor clams

Номер патента: US20230292722A1. Автор: Lin He,Jing He,Zhihua Lin,Hongqiang XU,Yinghui DONG,Tianbao MO,Hanhan YAO. Владелец: Zhejiang Wanli University. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for heat treatment of cutting inserts made of hard alloy t5k10

Номер патента: RU2759107C1. Автор: Станислав Иванович Богодухов,Елена Станиславовна Козик,Екатерина Валерьевна Свиденко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Оренбургский государственный университет». Дата публикации: 2021-11-09.

Device for delivering a medicinal substance to pathological foci of hard tooth tissues and a method for its manufacture

Номер патента: RU2761719C1. Автор: Роман Олегович Горбатов,Светлана Иосифовна Гажва,Елена Юнировна Якубова,Анна Юрьевна Лобова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Приволжский исследовательский медицинский университет» Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО "ПИМУ" Минздрава России). Дата публикации: 2021-12-13.

Method to protect information on storage of hard magnetic drives and device for its realisation

Номер патента: RU2427933C1. Автор: Владимир Федорович Болюх,Владимир Феодосьевич Лучук,Игорь Сергеевич Щукин. Владелец: Игорь Сергеевич Щукин. Дата публикации: 2011-08-27.

Elastomeric materials with high content of hard units and method for production thereof

Номер патента: RU2483084C2. Автор: Ханс Годеливе Гвидо ВЕРБЕКЕ,Герхард Йозеф БЛЕЙС. Владелец: Хантсмэн Интернэшнл Ллс. Дата публикации: 2013-05-27.

Creating method of a classification model about hard disk efficiency problem, analysis method of hard disk efficiency problem and classification model creating system about hard disk efficiency problem

Номер патента: US20230281093A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Yi-ju LIAO,Po-Hsiu CHEN,Hsieh-Liang Tsai. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Orthopedic implants with increased hardness and increased depth of hardness and method of making

Номер патента: EP4204596A1. Автор: Helmut D. Link,Richard CSASZAR. Владелец: Waldemar Link GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-07-05.

Orthopedic implants with increased hardness and increased depth of hardness and method of making

Номер патента: US20230405183A1. Автор: Helmut D. Link,Richard CSASZAR. Владелец: Waldemar Link GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of etching magnetoresistive film by using a plurality of metal hard masks

Номер патента: US20090110960A1. Автор: Kosuke Tanaka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of prediction of wear resistance of hard alloy cutting tools

Номер патента: RU2698490C1. Автор: Владимир Петрович Нестеренко,Виктор Павлович Игнатов,Владимир Иванович Корепанов,Светлана Сергеевна Вильчинская,Иван Владимирович Корепанов,Юрий Иванович Галанов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Method for thermomechanical treatment of thin sheets of hard steel grades

Номер патента: RU2748006C1. Автор: Владимир Петрович Волков,Иван Сергеевич Каманцев,Денис Ринатович Салихянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт машиноведения Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2021-05-18.

Storage system of hard sheet information carriers

Номер патента: RU2672189C1. Автор: Антон Геннадьевич Лощилов,Александр Александрович Бомбизов,Виталий Васильевич Тимонин,Сергей Павлович Караульных,Илья Михайлович Макаров,Артем Мурадович Аллануров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Картомат технологии". Дата публикации: 2018-11-13.

Debris removal in high aspect structures

Номер патента: WO2009039088A1. Автор: Kenneth Gilbert Roessler,Tod Evan Robinson,Bernabe J. Arruza. Владелец: RAVE, LLC. Дата публикации: 2009-03-26.

Debris removal in high aspect structures

Номер патента: EP2198451A1. Автор: Kenneth Gilbert Roessler,Tod Evan Robinson,Bernabe J. Arruza. Владелец: Rave LLC. Дата публикации: 2010-06-23.

Aqueous slurry for making a powder of hard material

Номер патента: US20170001916A1. Автор: Pankaj K. Mehrotra,Neal S. Myers,Pankaj B. Trivedi. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Aqueous slurry for making a powder of hard material

Номер патента: US09796633B2. Автор: Pankaj K. Mehrotra,Neal S. Myers,Pankaj B. Trivedi. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Aqueous slurry for making a powder of hard material

Номер патента: US09475945B2. Автор: Pankaj K. Mehrotra,Neal S. Myers,Pankaj B. Trivedi. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Apparatus for processing lumpy waste products of hard alloys with use of zinc

Номер патента: RU2277601C1. Автор: Игорь Герасимович Троценко,Николай Васильевич Свистунов. Владелец: Северо-Кавказский горно-металлургический институт (Государственный технологический университет) (СКГМИ (ГТУ). Дата публикации: 2006-06-10.

System of co2 regeneration and method of hard particles removal for application in this system

Номер патента: RU2371237C1. Автор: Масаки ИИДЗИМА,Такаси КАМИДЗО. Владелец: Мицубиси Хеви Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

Composition for dissolution / removal of hardness salts

Номер патента: RU2715205C1. Автор: Мстислав Игоревич Лавров. Владелец: Крива Тарас Николаевич. Дата публикации: 2020-02-25.

Trap of hard particles that contains fibrous layer with coating

Номер патента: RU2333788C2. Автор: Рольф БРЮКК. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2008-09-20.

Method of hard to weld materials production

Номер патента: RU2742963C1. Автор: Бернд БУРБАУМ,Ахмед КАМЕЛ,Казим ОЗБАЙСАЛ,Томас ЛОРЕНЦ,Инго РАЙНКЕНСМАЙЕР,Хеннинг ХАНЕБУТ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2021-02-12.

Method of manufacturing photochromic optical product using preliminary processing by organic solvent and photochromic coating

Номер патента: RU2644911C2. Автор: Джозеф Дэвид ТУРПЕН,Глен Тодд ОУЭНС,Джерри Л. II КЕНИГ,Нэнсиэнн ГРУХАЧ. Владелец: Трэнсиженс Оптикал, Инк.. Дата публикации: 2018-02-14.

Method of development of hard-to-recover hydrocarbon deposits

Номер патента: RU2741644C1. Автор: Отто Гуйбер. Владелец: Прифолио Инвестментс Лимитед. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of separate selection of food waste, other organic substances and plastic articles polluted by organic substances

Номер патента: RU2666568C1. Автор: Владимир Александрович Парамошко. Владелец: Владимир Александрович Парамошко. Дата публикации: 2018-09-11.

A steel member and a method of hard-facing thereof

Номер патента: WO2004076116A1. Автор: Darren Muir,John Mccracken. Владелец: Bradken Resources Pty Ltd. Дата публикации: 2004-09-10.

Apparatus for the automatic soldering-on of hard metal teeth

Номер патента: US4564136A. Автор: Norbert Gerling,Peter Kähny. Владелец: KAHNY MASCHINENBAU GmbH. Дата публикации: 1986-01-14.

A steel member and a method of hard-facing thereof

Номер патента: CA2517570C. Автор: Darren Muir,John Mccracken. Владелец: Bradken Resources Pty Ltd. Дата публикации: 2012-12-18.

Method and device for allocating resource of hard disk in distributed storage system

Номер патента: US20210208802A1. Автор: Jingwen Ding. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Hardness prediction method of heat hardened rail, thermal treatment method, hardness prediction device, thermal treatment device, manufacturing method, manufacturing facilities, and generating method of hardness prediction model

Номер патента: AU2021288876A1. Автор: Hiroyuki Fukuda,Satoshi Ueoka,Kenichi Osuka. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Hardness prediction method of heat hardened rail, thermal treatment method, hardness prediction device, thermal treatment device, manufacturing method, manufacturing facilities, and generating method of hardness prediction model

Номер патента: CA3186874A1. Автор: Hiroyuki Fukuda,Satoshi Ueoka,Kenichi Osuka. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Hardness prediction method of heat hardened rail, thermal treatment method, hardness prediction device, thermal treatment device, manufacturing method, manufacturing facilities, and generating method of hardness prediction model

Номер патента: AU2021288876B2. Автор: Hiroyuki Fukuda,Satoshi Ueoka,Kenichi Osuka. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method and storage medium for detecting performance of hard disks

Номер патента: US20240070043A1. Автор: WEI Wei,Jie Yuan. Владелец: Fulian Precision Electronics Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Process for nanostructuring the surface of a material by laser

Номер патента: US12005523B2. Автор: Florent Pigeon,Anthony Abou Saleh,Jean-Philippe Colombier-Cinquantin,Florence Garrelie. Владелец: Universite Jean Monnet Saint Etienne. Дата публикации: 2024-06-11.

Determining bit aspect ratios for partially-overlapping magnetic recording tracks

Номер патента: US20190013045A1. Автор: Utt Heng Kan,Jose Mari Corral Toribio,Edmun Chian Song Seng,Det Hau Wu,Lin Nah Lim,Luh Chyuan Lau,Meng Suan June Lee. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-01-10.

Flexible image aspect ratio using machine learning

Номер патента: US20240311960A1. Автор: Han Xu,XIAO Feng,Dilip Krishnan,Huiwen Chang,Mengjie WANG,Yuanzhen Li,Yihui WANG,Omer Gimenez,AJ Maschinot. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Flexible image aspect ratio using machine learning

Номер патента: WO2023221093A1. Автор: Han Xu,XIAO Feng,Omer Gimenez Llach,Dilip Krishnan,Huiwen Chang,Mengjie WANG,Yuanzhen Li,Yihui WANG,AJ Maschinot. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Flexible image aspect ratio using machine learning

Номер патента: EP4298591A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-01-03.

Method of efficient management of hard-to-break roof in mechanized faces

Номер патента: RU2659292C1. Автор: Владимир Иванович Клишин,Даньяр Иванович Кокоулин,Глеб Юрьевич Опрук. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр угля и углехимии Сибирского отделения Российской академии наук (ФИЦ УУХ СО РАН). Дата публикации: 2018-06-29.

Treatment method of hard smooth surface

Номер патента: RU2376125C2. Автор: Хокан ТЮСЕЛЛЬ. Владелец: Хтк Свиден Аб. Дата публикации: 2009-12-20.

Method of orthodontic treatment of patients with defects of hard teeth tissue

Номер патента: RU2645641C1. Автор: Иван Григорьевич Массарский,Анна Викторовна Курятникова,Николай Николаевич Аболмасов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Смоленский государственный медицинский университет" министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-02-26.

Diamond tools on the metal bond for treatment of hard materials

Номер патента: RU2679808C1. Автор: Владимир Васильевич Журавлев,Валерий Федорович Герасимов,Алексей Леонидович Агурин. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт природных, синтетических алмазов и инструмента" - АО "ВНИИАЛМАЗ". Дата публикации: 2019-02-13.

Treatment method of hard smooth floor surface

Номер патента: RU2376124C2. Автор: Хокан ТЮСЕЛЛЬ. Владелец: Хтк Свиден Аб. Дата публикации: 2009-12-20.

Extraction method of hard-to-recover oil reserves

Номер патента: RU2728176C1. Автор: Шаура Газимьяновна Рахимова,Антон Николаевич Береговой,Наталья Алексеевна Князева. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2020-07-28.

Method of impression removal for reconstruction of replacement-occluding prosthesis with extensive defects of hard and soft tissues of upper jaw

Номер патента: RU2701591C1. Автор: Сергей Анатольевич Мартынов,Лидия Николаевна Смердина,Юлия Геннадьевна Смердина,Елена Александровна Те. Владелец: Елена Александровна Те. Дата публикации: 2019-09-30.

Insert of hard-alloy material for a tool of a sleeper tamping machine

Номер патента: RU2599137C1. Автор: Анатолий Николаевич Шилкин. Владелец: Анатолий Николаевич Шилкин. Дата публикации: 2016-10-10.

Method of determining coefficient of hard-to-separate bulk materials heterogeneous mixture

Номер патента: RU2620387C1. Автор: Анатолий Иванович Зайцев,Антон Евгеньевич Лебедев,Анна Борисовна Капранова,Иван Игоревич Верлока,Александр Александрович Ватагин,Дмитрий Владимирович Лебедев,Наталья Валентиновна Бадаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ярославский государственный технический университет" (ФГБОУ ВО "ЯГТУ"). Дата публикации: 2017-05-25.

Method of processing of hard-alloy plates of cutting tool

Номер патента: RU2587198C2. Автор: Сергей Васильевич Новиков,Пинарготе Нестор Вашингтон Солис,Павел Юрьевич Перетягин,Сергей Николаевич Григорьев,Сан Милан Рамон Торресильяс,Сергей Сергеевич Пожидаев,Анна Андреевна Окунькова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВПО МГТУ "СТАНКИН"). Дата публикации: 2016-06-20.

Device for applying layers of hard material by dusting

Номер патента: US6315877B1. Автор: Klaus Goedicke,Fred Fietzke. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2001-11-13.

Creating method of classification model about hard disk efficiency problem, analysis method of hard disk efficiency problem and classification model creating system about hard disk efficiency problem

Номер патента: US12001308B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Yi-ju LIAO,Po-Hsiu CHEN,Hsieh-Liang Tsai. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Creating method of classification model about hard disk efficiency problem, analysis method of hard disk efficiency problem and classification model creating system about hard disk efficiency problem

Номер патента: US20230281094A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Yi-ju LIAO,Po-Hsiu CHEN,Hsieh-Liang Tsai. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Wire electrode for the spark-erosive cutting of hard metal

Номер патента: US20010042735A1. Автор: Ingo Baumann,Bernd Barthel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Tailor hardening of such as a cold stamped vehicle door pillar using advanced high strength steel to exhibit each of hard, transition and soft zones

Номер патента: US20240226992A9. Автор: Vincent Millioto. Владелец: Martinrea International US Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Hard mask deposition using direct current superimposed radio frequency plasma

Номер патента: US11773484B2. Автор: Toshihiko Iwao,Jianping Zhao,Peter Lowell George Ventzek. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Control of hard water scaling in electrochemical cells

Номер патента: WO2011083443A3. Автор: Erik C. Olson,Kim R. Smith,Patrick H. Kilawee,Jenna M. Johnson. Владелец: ECOLAB USA INC.. Дата публикации: 2011-12-08.

Liquefaction Device Of Hard Bone And Method For Co-production Of Bone Collagen Polypeptide And Ultrafine Bone Powder

Номер патента: US20200022383A1. Автор: Wei Jia,Xia Li,Chunhui Zhang,Hongru ZHANG,Xiaojie QIN. Владелец: Institute of Food Science and Technology of CAAS. Дата публикации: 2020-01-23.

Method of determining the quality of hard gold

Номер патента: US20020196436A1. Автор: Chen Xu,Joseph Abys,Alan Blair,Michael Ammerman,E. Kudrak. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Aspect ratio validation

Номер патента: US10235570B1. Автор: Charles Benjamin Franklin Waggoner,Srikanth Kotagiri. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2019-03-19.

Foam furniture molded around a hollow shell of hard plastic

Номер патента: US09420890B2. Автор: Youn Jae Lee. Владелец: Zinus Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Drill bit for hard rocks, drilling rig and percussion drilling of hard rocks

Номер патента: RU2557028C2. Автор: Кристер ЛУНДБЕРГ,Расмус ХЕМПХ. Владелец: САНДВИК ИНТЕЛЛЕКЧУАЛ ПРОПЕРТИ АБ. Дата публикации: 2015-07-20.

End mill with angular radius of hard alloy with continuously curved front ridge and screw groove structure

Номер патента: RU2714755C2. Автор: Леонид ШПИГЕЛЬМАН. Владелец: Искар Лтд.. Дата публикации: 2020-02-19.

Method of manufacturing seamless tubes from cylindrical billets of hard-to-deform metals and alloys

Номер патента: RU2650474C2. Автор: Владимир Сергеевич Калинин,Александр Анатольевич Швечков. Владелец: Публичное Акционерное Общество "Корпорация Всмпо-Ависма". Дата публикации: 2018-04-13.

Device for electrodiagnosis of hard tooth tissue

Номер патента: RU2654399C2. Автор: Евгений Юрьевич Шелковников,Андрей Игоревич Кириллов,Татьяна Львовна Рединова,Антон Анатольевич Тимофеев,Татьяна Юрьевна Метелева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Удмуртский федеральный исследовательский центр Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2018-05-17.

Method of hard wear resistant nanostructured amorphous diamond-like carbon coating

Номер патента: RU2656312C1. Автор: Сергей Александрович Плотников,Александр Борисович Владимиров,Анна Петровна Рубштейн,Анатолий Брониславович Ринкевич. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук (ИФМ УрО РАН). Дата публикации: 2018-06-04.

Method and system for the production of hard plaster

Номер патента: US9340455B2. Автор: Tobias Gehle,Volker Goecke. Владелец: Claudius Peters Projects GmbH. Дата публикации: 2016-05-17.

Processing complex for extraction of hard-to-recover hydrocarbons (embodiments)

Номер патента: RU2741642C1. Автор: Отто Гуйбер. Владелец: Прифолио Инвестментс Лимитед. Дата публикации: 2021-01-28.

Cutting tool for handling products made of hard-to-cut materials

Номер патента: RU2675872C1. Автор: Сергей Александрович Москвитин,Андрей Александрович Москвитин,Александр Александрович Москвитин,Антон Евгеньевич Губанов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Сборные конструкции инструмента, фрезы Москвитина". Дата публикации: 2018-12-25.

Method for grinding, separation and removal of hard-to-grind components of mixture of materials from working chamber of spiral jet mill

Номер патента: RU2732837C1. Автор: Франк ВИНТЕР,Херманн ЗИККЕЛЬ. Владелец: Неч Троккенмальтехник Гмбх. Дата публикации: 2020-09-23.

Method of preparation of hard medicinal form of desmopressin

Номер патента: RU2334505C2. Автор: Кристин ВАННЕРБЕРГЕР,Ханс ЛИНДНЕР,Ларс-Эрик ОЛЬССОН,Анн-Элизабет СВЕНССОН,Ларс Андерс Рагнар НИЛЬССОН,Паскаль Рене Оливье ДАНГЛА. Владелец: Ферринг Б.В.. Дата публикации: 2008-09-27.

Seal element of hard material sintered from a semi-finished form with organic binder

Номер патента: US4983355A. Автор: R. Knapp Alfons. Владелец: Masco Corp of Indiana. Дата публикации: 1991-01-08.

Method of producing nickel-bearing nanorods with controlled aspect ratio

Номер патента: RU2724264C1. Автор: Дмитрий Львович Загорский,Илья Михайлович Долуденко,Дарья Борисовна Трушина,Иван Андреевич Бурмистров. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2020-06-22.

Method and apparatus for the treatment of hard biological material, such as hard dental material using lasers

Номер патента: US5415652A. Автор: Gerhard Mueller,Thomas Ertl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1995-05-16.

Improvements in and relating to the manufacture of hard alloys

Номер патента: GB429828A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1935-06-05.

METHOD FOR THE DISPERSION OF HARD .alpha. DEFECTS IN INGOTS OF TITANIUM FOR TITANIUM ALLOY AND INGOTS PRODUCED THEREBY

Номер патента: CA1258220A. Автор: Robert A. Sprague,Joseph A. Stahl,Winston H. Chang. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1989-08-08.

Method and system for the production of hard plaster

Номер патента: CA2737065C. Автор: Tobias Gehle,Volker Goecke. Владелец: Claudius Peters Projects GmbH. Дата публикации: 2016-11-29.

Heat resistant high strength composite structure of hard metal particles in a matrix,and methods of making the same

Номер патента: US3684497A. Автор: Charles S Baum,Charles F Wendler. Владелец: Permanence Corp. Дата публикации: 1972-08-15.

Longitudinal in-situ impedance and resin monitoring sensor, and method of measuring and tracking the movement of hardness in a water softener utilizing the same

Номер патента: US20230249989A1. Автор: Malcolm Kahn,George Dimotsis. Владелец: EcoWater Systems LLC. Дата публикации: 2023-08-10.

Aqueous slurry for making a powder of hard material

Номер патента: US20150096467A1. Автор: Pankaj K. Mehrotra,Neal S. Myers,Pankaj B. Trivedi. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Grinding of hard substrates

Номер патента: EP4355836A1. Автор: Rajiv K. Singh,Sunny DE. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Longitudinal in-situ impedance and resin monitoring sensor, and method of measuring and tracking the movement of hardness in a water softener utilizing the same

Номер патента: US11981583B2. Автор: Malcolm Kahn,George Dimotsis. Владелец: EcoWater Systems LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Apparatus and method for displaying browser graphic according to aspect ratio

Номер патента: WO2004077288A1. Автор: Kil-Soo Jung,Hyun-Kwon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2004-09-10.

Apparatus and method for displaying browser graphic according to aspect ratio

Номер патента: EP1599791A1. Автор: Kil-Soo Jung,Hyun-Kwon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-30.

Image cropping and processing method for adjusting aspect ratio, electronic device, terminal device in communication with the electronic device, and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US20240202929A1. Автор: Pin-Yu Chou,Yueh-Hua LEE,Hui-Mei Hung,Hao-Hsin Lo. Владелец: Compal Electronics Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Learning method and testing method of object detector to be used for surveillance based on r-cnn capable of converting modes according to aspect ratios or scales of objects, and learning device and testing device using the same

Номер патента: EP3686777A1. Автор: Kye-Hyeon Kim,Hak-Kyoung Kim,Sukhoon Boo,Myungchul Sung,Donghun Yeo,Wooju Ryu,Taewoong Jang,Kyungjoong Jeong,Hongmo Je,Hojin Cho,Yongjoong Kim,Insu Kim,Woonhyun Nam. Владелец: Stradvision Inc. Дата публикации: 2020-07-29.

Method for one-step synthesis of functional polyesters by organic catalysis

Номер патента: US20170081468A1. Автор: Zheng Fang,Kai Guo,Ning Zhu,Xin Hu,Weijun Huang,Yihuan Liu,Weiyang Feng. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-03-23.

Method for determining pattern of mold for imprint, imprint method, and apparatus

Номер патента: US09829789B2. Автор: Keita Sakai,Setsuo Yoshida,Masayuki Tanabe,Hitoshi Nakano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for combined transformation of the scale and aspect ratio of a picture

Номер патента: US09747863B2. Автор: Marina Nicolas. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2017-08-29.

Polydiorganosiloxane polymide copolymers having organic soft segments

Номер патента: US09527965B2. Автор: Stephen A. Johnson,Audrey A. Sherman,Richard G. Hansen. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for extraction of hard-to-recover oils

Номер патента: RU2765786C1. Автор: Ривнер Фазылович Ганиев,Леонид Ефимович Украинский,Олег Ривнерович Ганиев,Марат Шагинурович Саттаров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт машиноведения им. А.А. Благонравова Российской академии наук (ИМАШ РАН). Дата публикации: 2022-02-03.

Technology processing waste of hard alloys

Номер патента: RU2189402C1. Автор: М.И. Алкацев,В.Р. Гуриев. Владелец: Северо-Кавказский государственный технологический университет. Дата публикации: 2002-09-20.

Oil reflecting plates of hard rock crusher counterweight

Номер патента: RU2471559C1. Автор: Эндрью БРАУН,Курт О'БРАЙАН. Владелец: Эф-Эл-Смидт А/С. Дата публикации: 2013-01-10.

Method for manufacture of wood article resistant to rotting and atmospheric actions with properties similar to those of hard leafy wood

Номер патента: RU2323083C2. Автор: Якко КАУСЕ. Владелец: Якко КАУСЕ. Дата публикации: 2008-04-27.

Device for spiral-cutting of hard material

Номер патента: RU2649488C1. Автор: Рудольф ШИЛЛХАЙМ. Владелец: Гефу Кюхенбосс Гмбх Энд Ко. Кг. Дата публикации: 2018-04-03.

Apparatus for processing of lumpy wastes of hard alloys by zinc method

Номер патента: RU2096503C1. Автор: А.С. Медведев,М.Ю. Зыкус,Д.В. Жарков,М.В. Фисенков. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью "МИСОН". Дата публикации: 1997-11-20.

Polycrystalline compacts including metallic alloy compositions in interstitial spaces between grains of hard material, cutting elements and earth-boring tools including such polycrystalline compacts, and related methods

Номер патента: CA2827109C. Автор: Anthony A. DiGiovanni. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Pair of seal members of hard material having a low friction coefficient

Номер патента: CA1338111C. Автор: Alfons Knapp. Владелец: Masco Corp. Дата публикации: 1996-03-05.

Method of producing hollow parts of hemispherical shape of hard-deformable titanium alloy bt6-c

Номер патента: RU2635210C2. Автор: Любовь Дмитриевна Гладкова,Иван Тихонович Коптев,Сергей Степанович Юхневич,Ирина Владимировна Конопкина,Галина Александровна Сиделёва. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр имени М.В. Хруничева" (ФГУП "ГКНПЦ им. М.В. Хруничева"). Дата публикации: 2017-11-09.

Process for the synthesis of hard boron nitride

Номер патента: US5316804A. Автор: Akira Nakayama,Nobuhiko Fujita,Tadashi Tomikawa,Shyoji Nakagama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1994-05-31.

Process and apparatus for working, with the aid of abrasives, the surfaces of hard materials

Номер патента: GB449835A. Автор: . Владелец: Manufactures des Glaces et Produits Chimiques de Saint Gobain SA. Дата публикации: 1936-07-06.

Cartridge for faucets having small plates of hard material and a metallic covering

Номер патента: CA1299973C. Автор: Alfons Knapp. Владелец: Masco Corp of Indiana. Дата публикации: 1992-05-05.

Satellite having multiple aspect ratios

Номер патента: WO2012108908A1. Автор: Walter Gelon. Владелец: SPACE SYSTEMS/LORAL, INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

Tailor hardening of such as a cold stamped vehicle door pillar using advanced high strength steel to exhibit each of hard, transition and soft zones

Номер патента: US20240131574A1. Автор: Vincent Millioto. Владелец: Martinrea International US Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

LCD controller to hold a fixed image aspect ratio

Номер патента: US20040217982A1. Автор: Ming Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2004-11-04.

Pneumatic tire with tread including blocks having approximately equal aspect ratios

Номер патента: US7404423B2. Автор: Takayuki Suzuki,Toshiro Oyama. Владелец: Yokohama Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-29.

Control of hard water scaling in electrochemical cells

Номер патента: WO2011083443A2. Автор: Erik C. Olson,Kim R. Smith,Patrick H. Kilawee,Jenna M. Johnson. Владелец: ECOLAB USA INC.. Дата публикации: 2011-07-14.

Pearlescent pigments with large aspect ratio and a method of their preparation

Номер патента: EP2057237A1. Автор: Jung Min Lee,Kwang Choong Kang,Sung Yun Jo,Kwang Su Lim,Kil Wan Chang,Byung Ki Park,Jeong Kwon Suh,Dong Uk Choe. Владелец: Cqv Co ltd. Дата публикации: 2009-05-13.

Plastic bag for vacuum packaging of hard foods

Номер патента: EP4385726A1. Автор: Alejandro Ruiz Navas. Владелец: Eurobag & Film SL. Дата публикации: 2024-06-19.

Laser system for enhancing remineralization and strength of hard tissue

Номер патента: US20240226597A1. Автор: Charles Kerbage,Ali Badreddine,Stephen COUITT,Roni CANTOR-BALAN. Владелец: Convergent Dental Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Multilayer dissolvable solid article with specific aspect ratio

Номер патента: EP3911727A1. Автор: Robert Wayne Glenn, Jr.,Toshiyuki Okada,Xu Huang,Hongsing TAN,Carl David MAC NAMARA,Ruizhi PEI. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2021-11-24.

Structural component made of hard material for a wristwatch

Номер патента: US20030002393A1. Автор: Michael Bach,Christophe Guerry,Olivier Bucher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Structural component made of hard material for a wristwatch

Номер патента: US20020191494A1. Автор: Michael Bach,Christophe Guerry,Olivier Bucher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Powder composition for air polishing the surface of hard dental tissue

Номер патента: EP2861202A1. Автор: Ingo R. Haeberlein,Brenda Schmid,Aaron M. PFARRER. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2015-04-22.

Machine for rounding the corners of hard covers for books

Номер патента: EP1371502A3. Автор: Massimo Scarpellini,Dario Scarpellini,Claudio Crovetto. Владелец: SCS Automaberg SNC. Дата публикации: 2007-05-23.

Machine For The Integral Processing Of Hard-Or-Soft- Shelled Nuts

Номер патента: US20200163371A1. Автор: Jose Vicente Roig Borrell. Владелец: Jose Borrell SA. Дата публикации: 2020-05-28.

Self-orienting tampon having improved aspect ratio

Номер патента: EP2114332A1. Автор: Thomas Ward Osborn, III,Margaret Henderson Hasse,Diana Lynn Gann. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2009-11-11.

Aspect ratio measurement

Номер патента: GB9300845D0. Автор: . Владелец: ECC International Ltd. Дата публикации: 1993-03-10.

Aspect ratio measurement

Номер патента: AU5840294A. Автор: Terence Wilfred Webb,Leonard Farlam Gate. Владелец: ECC International Ltd. Дата публикации: 1994-08-15.

A process for preparation of hard capsules filled with dabigatran pellets

Номер патента: WO2024217830A1. Автор: Łukasz Woźniak. Владелец: Adamed Pharma S.A. Дата публикации: 2024-10-24.

Aqueous proteolytic enzyme-containing formulation for the cleaning of hard surfaces

Номер патента: US09725681B2. Автор: Katrin Steinhauer,Mike Peters,Judith Heidel,Dana Kunde. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-08-08.

Vehicle and method for the independent inspection of hard-to-reach inner spaces

Номер патента: US09487254B2. Автор: Patrick Schoeneich,Frederic Rochat,Francesco Mondada,Roland Richard Moser. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2016-11-08.

Utilisation method of wastes of hard alloys containing tungsten carbide and cobalt as binding agent

Номер патента: RU2489504C2. Автор: Виктор Викторович Петров,Эдуард Анатольевич Дмитриев,Павел Алексеевич Саблин,Андрей Владимирович Моисеев,Алексей Витальевич Кириллов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Комсомольский-на-Амуре государственный технический университет" (ФГБОУВПО "КнАГТУ"). Дата публикации: 2013-08-10.

Aqueous carbon dioxide foam stabilized by organic janus nanosheets and preparation method and application thereof

Номер патента: US20240228880A1. Автор: Rong Zheng,Qichao Lv,Zhaoxia Dong,Zilong LIU,Tongke Zhou,Longxuan Li,Abdolhossein HEMMATI-SARAPARDEH,Hossein JALALIFAR,Zhengen GAO. Владелец: China University of Petroleum Beijing. Дата публикации: 2024-07-11.

Reactor for decomposition of wastes of hard alloys with gaseous zinc

Номер патента: RU2581690C1. Автор: Игорь Герасимович Троценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет). Дата публикации: 2016-04-20.

Method for controlling negative effects of hard-to-remove herbosa on adjacent agrophytocenosis

Номер патента: RU2734945C1. Автор: Валерий Валерьевич Новочадов,Павел Андреевич Крылов,Елена Анатольевна Иванцова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный университет". Дата публикации: 2020-10-26.

Rotary body of hard material with plastic supporter

Номер патента: US4886377A. Автор: Minoru Adachi,Takashi Kizawa. Владелец: ADACHISHIN IND CO Ltd. Дата публикации: 1989-12-12.

Device for treatment of hard, liquid and gaseous materials, method of production of masses to be hardened, method of formation of multiphase stable media, and method of gas treatment with use of this device

Номер патента: RU2124401C1. Автор: Ховорка Франц. Владелец: Ховорка Франц. Дата публикации: 1999-01-10.

Plant for drilling of hard rocks

Номер патента: RU2171884C2. Автор: ЭСКО Маури,ЛЕММЕТТЮ Паули. Владелец: Тамрок Ой. Дата публикации: 2001-08-10.

Aqueous emulsion for preliminary washing or cleansing of hard surfaces and detergent containing it

Номер патента: RU2132369C1. Автор: Жан-Поль Бутик,Стефано СКИАЛЛА,Рафаэле Скоччанти. Владелец: Зе Проктер энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 1999-06-27.

Agent promoting assimilation by organism of food product having acid taste, when swallowing caused stimulation and hypersecretion of stomach mucous membrane and/or duodenum

Номер патента: RU2102071C1. Автор: Тьортялян Карлос. Владелец: Тьортялян Карлос. Дата публикации: 1998-01-20.

Processing roller having reinforcing jacket of hard metal

Номер патента: CA1060237A. Автор: Heinz Zimmermann,Wolfgang Martens. Владелец: Individual. Дата публикации: 1979-08-14.

Process for the solidification of tailings produced by the processing of hard rock ore

Номер патента: CA1162747A. Автор: Neil W. Cook. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-02-28.

Method of constructing a plastic rope to be introduced into a conical roller or similar mechanism in the manufacture of hard bonbons with a stratified core

Номер патента: US4615890A. Автор: Jurgen Schluter,Reinhard Mergelsberg,José Vilchez,Harmut Hagen. Владелец: Otto Hansel GmbH. Дата публикации: 1986-10-07.

An elastic base grinding wheel for smoothing and polishing toroidal contours of hard materials

Номер патента: AU7664694A. Автор: Quintilio Lupi. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-04-10.

Hard mask for metal patterning

Номер патента: US6093973A. Автор: Minh Van Ngo,Bhanwar Singh,Carmen Morales,Dawn Hopper. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-25.

Fibrillar copolyester having a large aspect ratio, production method for the same, and a resinous composite material containing the same as reinforcement

Номер патента: US5705279A. Автор: Kenji Hijikata,Ayako Migita. Владелец: Polyplastics Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-06.

Processing roller having reinforcing jacket of hard metal

Номер патента: US4105264A. Автор: Heinz Zimmermann,Wolfgang Martens. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-08-08.

Multilayer dissolvable solid article with specific aspect ratio

Номер патента: CA3124585A1. Автор: Toshiyuki Okada,Xu Huang,Hongsing TAN,Carl David MAC NAMARA,Ruizhi PEI,Jr. Robert Wayne Glenn. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2020-07-23.

Laser system for enhancing remineralization and strength of hard tissue

Номер патента: US11918824B2. Автор: Charles Kerbage,Ali Badreddine,Stephen COUITT,Roni CANTOR-BALAN. Владелец: Convergent Dental Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Tracking pieces for tracking movements of hard tissue of a jaw

Номер патента: EP3558159A1. Автор: Kustaa Nyholm,Lasse Toimela. Владелец: PLANMECA OY. Дата публикации: 2019-10-30.

Aspect ratio adjustable display

Номер патента: US20200074915A1. Автор: Abdul Kamara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-05.

Finding equivalent classes of hard defects in stacked MOSFET arrays

Номер патента: US11797737B2. Автор: Michael Dürr,Mayukh Bhattacharya,Shan Yuan,Michal Jerzy Rewienski,Chih Ping Antony Fan. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Methods and systems for detecting and controlling the dosage and residual concentration of hard surface cleaners and rinse aids in an automotive parts washer

Номер патента: US20240017298A1. Автор: Benjamin RILEY,David W. Scheimann,Paul Balent,Ashly WAGNER. Владелец: ECOLAB USA INC. Дата публикации: 2024-01-18.

Spray drying process for low aspect ratio particles comprising poly[(methyl methacrylate)-co-(methacrylic acid)]

Номер патента: CA3094591C. Автор: Michael MORGEN,Kimberly SHEPARD. Владелец: Capsugel Belgium NV. Дата публикации: 2024-03-26.

Incorporation of hard particles in an elastomeric matrix

Номер патента: WO1994012566A1. Автор: Enrico Verzocchi. Владелец: Keratek S.R.L.. Дата публикации: 1994-06-09.

Multilayer dissolvable solid article with specific aspect ratio

Номер патента: CA3124585C. Автор: Toshiyuki Okada,Xu Huang,Hongsing TAN,Carl David MAC NAMARA,Ruizhi PEI,Jr. Robert Wayne Glenn. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2023-12-12.

Apparatus for roughing surfaces, particularly in the machining of slabs of hard material

Номер патента: EP1736289B1. Автор: Claudio Lovato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-05.

Tracking pieces for tracking movements of hard tissue of a jaw

Номер патента: US11969244B2. Автор: Kustaa Nyholm,Lasse Toimela. Владелец: PLANMECA OY. Дата публикации: 2024-04-30.

Method and apparatus for non-invasive ultrasonic imaging of hard tissue

Номер патента: WO2002085178A3. Автор: Yuval Jacoby,Dan Cohen,Pavel Smirnov,Victor Anisimov,Sergei Efimov,Alon Eitan,Nadav Haas,Aharon Ocherashvili,Garri Passi,Boris Pershitz,Yuval Shay-El,Uri Stein. Владелец: Imadent Ltd. Дата публикации: 2003-05-08.

Arrangement of pedestals of varying aspect ratio for dual-wall cooling of an airfoil

Номер патента: US20230141827A1. Автор: Eric Koenig,Jeffrey F. Rhodes,Brett J. BARKER,Jerry LAYNE. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Masking material and use of the material to mask a target and ammunition for disseminating such masking material

Номер патента: US20200309494A1. Автор: Nicolas Perrot. Владелец: Mecar Sa. Дата публикации: 2020-10-01.

Masking material and use of the material to mask a target and ammunitionfor disseminating such masking material

Номер патента: CA3079576A1. Автор: Nicolas Perrot. Владелец: Mecar Sa. Дата публикации: 2019-05-02.

Method for in situ reclamation of an area contaminated by organic compounds

Номер патента: US8178742B2. Автор: Alessandro Nardella,Ivan INNOCENTI,Guido Capotorti. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2012-05-15.

Elliptical core fiber with axially decreasing aspect ratio and method

Номер патента: WO1997040408A3. Автор: Robert M Hawk. Владелец: Robert M Hawk. Дата публикации: 1997-12-04.

Method for in situ reclamation of an area contaminated by organic compounds

Номер патента: US20090299123A1. Автор: Alessandro Nardella,Ivan INNOCENTI,Guido Capotorti. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2009-12-03.

Systems and methods for beam shaping for large aspect ratio with a single cylindrical lens

Номер патента: US20240282475A1. Автор: Joachim Welte. Владелец: Ionq Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Aspect ratio measurement

Номер патента: WO1994016308A1. Автор: Terence Wilfred Webb,Leonard Farlam Gate. Владелец: Ecc International Limited. Дата публикации: 1994-07-21.

Determining bit aspect ratios for multiple, independent, actuator storage device

Номер патента: US09928861B1. Автор: Mehmet Fatih Erden,Mark Allen Gaertner. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Magnetic recording write apparatus having a pole having an aspect ratio greater than one and an auxiliary pole

Номер патента: US09721591B1. Автор: Feng Liu,Yifan ZHANG,Xiaojun Zhang,Ming Jiang,Jinqiu Zhang,Ming Sun,Xiaoyu Yang,Peng Luo,Zhigang Bai. Владелец: Western Digital Fremont LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Sensor element including an air introduction portion with a cross section having specified aspect ratio and area and sensor including the same

Номер патента: US09512770B2. Автор: Seiji Oya. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Image processing using multiple aspect ratios

Номер патента: US09418283B1. Автор: Rohit Prasad,Pradeep Natarajan,Avnish Sikka. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of making part from composite material by means of self-propagating high-temperature synthesis

Номер патента: RU2696955C2. Автор: Эрик ФИЛИПП,Эрик БУЙОН,Франсис ТЕЙССАНДЬЕ,Брис ТАЙЕ,Рене Пайе. Владелец: Сантр Насьональ Де Ля Решерш Сьянтифик. Дата публикации: 2019-08-07.

Method of making part from electrically conductive material by means of additive manufacturing

Номер патента: RU2739745C2. Автор: Фредерик ЛОРЕНСАН. Владелец: Сафран. Дата публикации: 2020-12-28.

Anti-reflective hard mask composition

Номер патента: US20230375929A1. Автор: Sangjun Choi. Владелец: Chempole Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Photo-film unit masking material and photo-film unit

Номер патента: US6539179B2. Автор: Minoru Ono,Masumi Hyakutome. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2003-03-25.

Annular furnace including roasting pits with high horizontal aspect ratio, and roasting method of carbon-containing products in it

Номер патента: RU2469251C2. Автор: Кристиан Жонвилль,Пьер-Жан РУА,Янник ДРУЭ. Владелец: Алкан Интернэшнл Лимитед. Дата публикации: 2012-12-10.

Apparatus for processing grain material by fluid

Номер патента: RU2585022C2. Автор: Владимир Петрович Кольцов,Игорь Геннадьевич Майзель,Виктор Владимирович Ёлшин. Владелец: Открытое акционерное общество "Южуралзолото Группа Компаний". Дата публикации: 2016-05-27.

Synthetic oligonucleotide primers and method for thereof for indicating immunodeficiency viruses and leukaemia of cats in clinical material by multiplex polymerase chain reaction

Номер патента: RU2586504C1. Автор: Александр Владимирович Красников,Ольга Сергеевна Ларионова,Екатерина Сергеевна Красникова,Екатерина Владимировна Найденова,Анастасия Сергеевна Белякова,Юрий Иванович Яшечкин,Юлия Алексеевна Марушева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный аграрный университет имени Н.И. Вавилова". Дата публикации: 2016-06-10.

Method and machine for making articles made from ceramic or metal material by additive production technology

Номер патента: RU2701263C1. Автор: Кристофер ШАПЮ,Ричард ГЕНЬОН,Марк НГУЕН. Владелец: С.А.С 3ДСерам-Сэнто. Дата публикации: 2019-09-25.

Method of improving extraction of valuable components from sulphide material by electric pulse treatment

Номер патента: RU2559599C1. Автор: Вадим Львович Кузнецов,Фёдор Фёдорович Борисков,Владимир Алексеевич Мотовилов,Леонид Анатольевич Парамонов,Сергей Романович Корженевский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2015-08-10.

Method of measuring thermophysical properties of heat-insulating materials by flat pulse heat source

Номер патента: RU2601234C1. Автор: Александр Георгиевич Дивин,Сергей Васильевич Пономарев,Галина Викторовна Шишкина,Валентина Олеговна Буланова,Евгений Владимирович Буланов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" ФГБОУ ВПО "ТГТУ". Дата публикации: 2016-10-27.

Method for determining indexes of homogeneity of disperse material by the spectral method and method for determining the scale boundaries of homogeneity of disperse material by the spectral method

Номер патента: RU2646427C1. Автор: Павел Григорьевич Бережко,Валерий Вадимович Мокрушин,Ольга Юрьевна Юнчина,Ирина Алексеевна Царева,Алексей Юрьевич Постников,Андрей Александрович Потехин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2018-03-05.

Method for producing metal products from powder material by layer-layer laser synthesis method using deformation treatment

Номер патента: RU2759104C1. Автор: Алексей Александрович Мышечкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА - Российский технологический университет». Дата публикации: 2021-11-09.

Rotary extrusion producing method for producing inner ring rib with large aspect ratio formed of hollow billet

Номер патента: US10265746B2. Автор: Qiang Wang,Zhimin Zhang,Jianmin Yu,Guojun Li,Mei Cheng. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2019-04-23.

Obtaining titanium alloy materials by reducing titanium tetrachloride

Номер патента: RU2725589C1. Автор: Эндрю Филип ВУДФИЛД,Эрик Аллен ОТТ,Леон Хью ПРЕНТИС,Эван Х. КОПЛАНД,Альберт Санто СТЕЛЛА. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2020-07-02.

Method of conditioning of foam materials by squeezing

Номер патента: RU2245888C2. Автор: Клэй СИМПСОН,Рик Д. ЛОСОН. Владелец: Зе Саундкоут Компани, ИНК.. Дата публикации: 2005-02-10.

Line for producing silica woven materials by leaching method

Номер патента: RU2769711C1. Автор: Александр Николаевич Трофимов,Ираида Афанасьевна Лавринович,Сергей Павлович Манин,Юрий Владимирович Блохин. Владелец: Акционерное общество "НПО "Стеклопластик". Дата публикации: 2022-04-05.

Installation for manufacture of the articles from the pellets out of the thermoplastic material by the thermoforming method

Номер патента: RU2317201C2. Автор: Доминик ШВАБ,Тимоти КУПЕР. Владелец: Эрка Формсил. Дата публикации: 2008-02-20.

Method and apparatus for performing mathematical functions using polynomial approximation and a rectangular aspect ratio multiplier

Номер патента: US5042001A. Автор: Thomas B. Brightman,Warren Ferguson. Владелец: Cyrix Corp. Дата публикации: 1991-08-20.

Method for producing controlled aspect ratio reticulated carbon foam and the resultant foam

Номер патента: US6103149A. Автор: Edwin P. Stankiewicz. Владелец: Ultramet Inc. Дата публикации: 2000-08-15.

Photographic material comprising a layer capable of being colored by organic dyes containing a ni complex of a 2,2'-bisphenol derivative

Номер патента: CA1190427A. Автор: Peter Bergthaller,Jurgen Strauss. Владелец: Agfa Gevaert AG. Дата публикации: 1985-07-16.

Real image type finder system that changes an aspect ratio of a visual field by varying magnification

Номер патента: US5321457A. Автор: Masaki Imaizumi. Владелец: Olympus Optical Co Ltd. Дата публикации: 1994-06-14.

Pneumatic tires having low aspect ratio

Номер патента: US4112994A. Автор: Anthony Mark Mills,David Lyndon Buck. Владелец: Dunlop Ltd. Дата публикации: 1978-09-12.

Additive for drilling mud comprising i-type crystal structure cellulose fibers with specified number average fiber diameters and aspect ratios

Номер патента: CA2921219C. Автор: Koji Noda,Kazuhito Jinno,Yousuke Goi,Mineo Sabi. Владелец: Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Method for sterilizing and decontaminating post-consumer absorbent sanitary products contaminated by organic compounds deriving from human metabolism

Номер патента: EP4263081A1. Автор: Giorgio VACCARO,Tonino Caruso,Fabio PAGOTTO. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2023-10-25.

Multiple aspect-ratio design

Номер патента: US20140095975A1. Автор: William Hill,Ravipal Soin,Vinay Krishnaswamy. Владелец: ZAPRICA. Дата публикации: 2014-04-03.

3d capillary self-assembly of long aspect ratio particles

Номер патента: WO2021076239A3. Автор: Joy Rene BAXTER,Nicolas Jose ALVAREZ,Giuseppe Rafaello PALMESE. Владелец: Alvarez Nicolas Jose. Дата публикации: 2021-06-17.

Determining manufacturability of lithographic mask based on manufacturing shape penalty of aspect ratio of edge that takes into account pair of connected edges of the edge

Номер патента: US20120196210A1. Автор: Masaharu Sakamoto,Alan E. Rosenbluth,David O. Melville,Tadanobu Inoue,Kehan Tian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for preparing calcium sulfate whiskers with high aspect ratio

Номер патента: ZA202400285B. Автор: Xiao Wang,Qing LUO,Jianwu ZHANG,Xiaoting Zhang,Biao JIN,Zhuoyue Xu. Владелец: Univ Henan Urban Construction. Дата публикации: 2024-07-31.

Papermakers fabric with flat high aspect ratio yarns

Номер патента: CA2174001C. Автор: Henry J. Lee. Владелец: Asten Inc. Дата публикации: 1999-02-09.

Method of disintegration and concentration of hard materials and device for method embodiment

Номер патента: RU2191631C1. Автор: В.В. Маслов,Г.П. Кудрявцева. Владелец: Открытое Акционерное Общество Объединение "Мастер". Дата публикации: 2002-10-27.

Device for application of image onto surface of hard materials by method of impact or impact-rotary engraving (versions)

Номер патента: RU2399497C1. Автор: Магомед Хабибович Магомедов. Владелец: Магомед Хабибович Магомедов. Дата публикации: 2010-09-20.

Method of inspecting quality of sample material by acoustic emission

Номер патента: RU2494389C1. Автор: Владимир Лазаревич Шкуратник,Евгений Александрович Новиков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный горный университет" (МГГУ). Дата публикации: 2013-09-27.

Method of working of hard material surface and plant for its realization

Номер патента: RU2100520C1. Автор: Александр Владимирович Орлов,Владимир Сергеевич Полонский,Игорь Леонидович Мостинский,Валерий Ильич Залкинд,Николай Петрович Афанасьев,Валерий Анатольевич Повелицын,Вадим Федорович Крапивный. Владелец: Вадим Федорович Крапивный. Дата публикации: 1997-12-27.

Method of determining maturity of hard dental tissues

Номер патента: RU2421136C2. Автор: Александр Юрьевич Васильев,Лариса Петровна Кисельникова,Виктория Георгиевна Алпатова. Владелец: Виктория Георгиевна Алпатова. Дата публикации: 2011-06-20.

Device for continuous measurement of hardness of soil

Номер патента: RU2298778C2. Автор: Иван Петрович Добролюбов,Геннадий Леонидович Утенков,Мари Геннадиевна Утенкова,Мария Геннадиевна Утенкова. Владелец: Новосибирский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2007-05-10.

Method of forecast of wear resistance of hard alloy cutting tools

Номер патента: RU2567019C1. Автор: Владимир Петрович Нестеренко,Андрей Борисович Ефременков,Алексей Александрович Моховиков,Алексей Алексеевич Кондратюк,Оксана Николаевна Батурина,Елена Валерьевна Рачковская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2015-10-27.

Method for explosion cutting of hard materials and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2119398C1. Автор: Н.П. Михайлов. Владелец: Балтийский государственный технический университет им.Д.Ф.Устинова. Дата публикации: 1998-09-27.

Method of pulsed pressing of hard powder materials and device for its embodiment

Номер патента: RU2083328C1. Автор: В.В. Иванов,С.Н. Паранин,А.Н. Вихрев. Владелец: Fоrsсhungszеntrum Каrlsruhе Тесhnik und Umwеlt. Дата публикации: 1997-07-10.

Procedure for forecast of wear resistance of hard alloy cutting tools

Номер патента: RU2569920C1. Автор: Владимир Петрович Нестеренко,Владислав Леонидович Бибик,Виталий Алексеевич Воловоденко,Марина Евгеньевна Марьина,Иван Анисимович Шулепов,Татьяна Юрьевна Дайнатович. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2015-12-10.

Method for production of cold-rolled pipes of large and medium diametres of hardly-deformed grades of steels and alloys

Номер патента: RU2386500C2. Автор: Виктор Николаевич Еремин,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Александрович Головинов,Леонид Александрович Мосеев,Константин Александрович Усанов,Дмитрий Всеволодович Марков,Виктор Васильевич Исаенко. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2010-04-20.

Procedure for forecast of wear resistance of hard alloy cutting tools

Номер патента: RU2570340C1. Автор: Владимир Петрович Нестеренко,Алексей Александрович Моховиков,Марина Евгеньевна Марьина,Иван Анисимович Шулепов,Владимир Александрович Койнов,Владимир Дмитриевич Хоружий. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2015-12-10.

Method for predicting wear resistance of hard-alloy cutting tools

Номер патента: RU2315972C1. Автор: Лидия Александровна Егорова,Владимир Петрович Нестеренко,Тамара Сергеевна Минакова,Раиса Дмитриевна Копнова,Юрий Васильевич Копылов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2008-01-27.

Method of predicting wear resistance of hard-alloy cutting tools

Номер патента: RU2257565C1. Автор: В.П. Нестеренко,К.П. Арефьев,Ю.И. Тюрин,В.Н. Беломестных,С.В. Кирсанов. Владелец: Томский политехнический университет. Дата публикации: 2005-07-27.

Process of hardening of hard-alloy cutting tool

Номер патента: RU2167216C1. Автор: Г.Е. Ремнев,К.Н. Полещенко,И.Г. Волошина,С.Н. Поворознюк,П.Б. Гринберг. Владелец: Омский государственный университет. Дата публикации: 2001-05-20.

Method of determining detergent power of hard soap

Номер патента: RU2440570C1. Автор: Олег Павлович Титов,Ирина Ивановна Титова,Андрей Олегович Титов,Анна Александровна Макеева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Восточно-Сибирский государственный технологический университет". Дата публикации: 2012-01-20.

Method of manufacturing of hard alloys based on tungsten carbide and complex zirconium-tungsten carbonitride

Номер патента: RU2349421C2. Автор: Сергей Николаевич Перевислов,Игорь Борисович Пантелеев,Сукяс Семенович Орданьян,н Сук с Семенович Ордань. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)". Дата публикации: 2009-03-20.

Procedure and device for determination of hardness and polymer materials elasticity modulus

Номер патента: RU2438114C2. Автор: Валерий Аркадьевич Рудницкий,Александр Михайлович Кашкаров,Тамара Анатольевна Кодинцева,Александр Петрович Крень. Владелец: Открытое акционерное общество "НПО Энергомаш имени академика В.П. Глушко". Дата публикации: 2011-12-27.

Unit for levelling and repair of hard road pavements and aerodrome runways

Номер патента: RU2546681C2. Автор: Дмитрий Игоревич Шульга. Владелец: Дмитрий Игоревич Шульга. Дата публикации: 2015-04-10.

Method for production of conversion tubular billet for rolling of cold-rolled pipes of large and medium diametres of hardly-deformed grades of steels and alloys

Номер патента: RU2386493C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Виктор Николаевич Еремин,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Андреевич Логовиков,Александр Юрьевич Матюшин,Валерий Александрович Головинов,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Дмитрий Всеволодович Марков,Сергей Геннадьевич Чикалов. Владелец: Открытое акционерное общество "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2010-04-20.

Prediction method of wear resistance of hard-alloy cutting tool

Номер патента: RU2356699C1. Автор: Владимир Петрович Нестеренко,Дмитрий Васильевич Лычагин,Галина Дмитриевна Кучко,Константин Петрович Арефьев,Валентина Петровна Николаева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2009-05-27.

Tempering method of hard alloy

Номер патента: RU2356693C1. Автор: Татьяна Николаевна Осколкова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2009-05-27.

Method of surgical treatment of hard and soft palate clefts with simultaneous recovery of nasal breathing

Номер патента: RU2446758C1. Автор: Андрей Анатольевич Радкевич,Владимир Анатольевич Иванов,Виталий Иванович Кольга,Сергей Геннадиевич Вахрушев,Анастасия Александровна Скребкова. Владелец: Сергей Геннадиевич Вахрушев. Дата публикации: 2012-04-10.

Procedure for prognosis of wear resistance of hard alloy cutting tools

Номер патента: RU2422800C1. Автор: Владимир Петрович Нестеренко,Владислав Леонидович Бибик,Елена Владимировна Разумова,Леонид Дмитриевич Копнов,Галина Дмитриевна Кучко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский политехнический университет". Дата публикации: 2011-06-27.

Method for production of hard-magnetic material

Номер патента: RU2596563C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Павел Георгиевич Мин,Вадим Владимирович Крамер,Александр Геннадьевич Евгенов,Ольга Геннадиевна Оспенникова,Виталий Евгеньевич Вадеев,Руслан Анверович Валеев,Вадим Петрович Пискорский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2016-09-10.

Method for production of cold-rolled pipes of large and medium diametres of hardly-deformed grades of steels and alloys with high accuracy by wall

Номер патента: RU2386503C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Виктор Николаевич Еремин,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Андреевич Логовиков,Александр Юрьевич Матюшин,Валерий Александрович Головинов,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Дмитрий Всеволодович Марков,Сергей Геннадьевич Чикалов. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2010-04-20.

Method for predicting wear resistance of hard-alloy cutting tools

Номер патента: RU2459193C1. Автор: Владимир Петрович Нестеренко,Дмитрий Васильевич Лычагин,Сергей Сергеевич Марьин,Александр Михайлович Сухотин,Иван Анисимович Шулепов,Татьяна Юрьевна Малеткина,Владимир Петрович Нестеренко (RU),Дмитрий Васильевич Лычагин (RU),Татьяна Юрьевна Малеткина (RU),Сергей Сергеевич Марьин (RU),Александр Михайлович Сухотин (RU),Иван Анисимович Шулепов (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2012-08-20.

Method for producing hot rolled commercial and conversion tubes of large- and mean-diameters of hard-to-form steels and alloys in tube rolling plants with pilger mills

Номер патента: RU2306991C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Кирилл Николаевич Никитин,Валентин Иреклеевич Тазетдинов,Александр Юрьевич Матюшин,Валерий Александрович Головинов,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Исаак Иосифович Вольберг,Рашид Фасхеевич Нугумонов,Игорь Александрович Романцов,Валерий Александрович Логовиков,нов Анатолий Васильевич Сафь (RU),Валентин Иреклеевич Тазетдинов (RU),Исаак Иосифович Вольберг (RU),Леонид Игнатьевич Лапин (RU),Сергей Васильевич Ненахов (RU),Игорь Александрович Романцов (RU),Валерий Александрович Головинов (RU),Кирилл Николаевич Никитин (RU),Александр Анатольевич Федоров (RU),Николай Григорьевич Дановский (RU),Борис Семенович Литвак (RU),Александр Юрьевич Матюшин (RU),Валерий Александрович Логовиков (RU),Рашид Фасхеевич Нугумонов (RU). Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2007-09-27.

Device for non-destructive check of hard-to-access structure elements

Номер патента: RU2491542C1. Автор: Александр Сергеевич Генералов,Михаил Альбертович Далин,Александр Сергеевич Бойчук,Дарья Сергеевна Ложкова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2013-08-27.

Method of hard-alloy teeth pressing into roller cone

Номер патента: RU2357848C1. Автор: Родион Михайлович Богомолов,Николай Васильевич Носов,Андрей Георгиевич Ищук,Виталий Игоревич Кремлев,Вячеслав Георгиевич Шуваев,Валерий Александрович Папшев. Владелец: Открытое акционерное общество "Волгабурмаш" (ОАО "Волгабурмаш"). Дата публикации: 2009-06-10.

Method for well underground lixiviation of hard rock ores

Номер патента: RU2304712C1. Автор: Евгений Николаевич Камнев,Юрий Владимирович Культин. Владелец: ФГУП "Всероссийский проектно-изыскательский и научно-исследовательский институт промышленной технологии" ВНИПИпромтехнологии. Дата публикации: 2007-08-20.

Smelted magnetic medium on basis of hard-magnetic alloy and method of manufacturing from it of monolithic magnetic circuits of electric machines

Номер патента: RU2361307C2. Автор: Вячеслав Павлович Пучков,Василий Иванович Поздяев,Геннадий Павлович Левашов,Иван Иванович Праздничков. Владелец: Иван Иванович Праздничков. Дата публикации: 2009-07-10.

METHOD FOR PRODUCTION OF HARD-MAGNETIC MATERIAL Sm2M17Nx

Номер патента: RU2596166C1. Автор: Александр Сергеевич Верёвкин,Анатолий Анатольевич Попович,Николай Геннадьевич Разумов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2016-08-27.

Approach to optimization of operational properties of hard material

Номер патента: RU2180742C1. Автор: В.А. Решетов. Владелец: Решетов Вячеслав Александрович. Дата публикации: 2002-03-20.

Method of disposal, sorting out and processing of hard society's refuse

Номер патента: RU2164447C1. Автор: . Владелец: ООО "Компания "Спецкоммунтехника". Дата публикации: 2001-03-27.

Procedure for cyclic-continuous development of hard rock

Номер патента: RU2362877C1. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2009-07-27.

Strengthening method of surface of hard-alloy tool on basis of tungsten carbide

Номер патента: RU2430194C1. Автор: Евгений Александрович Будовских,Татьяна Николаевна Осколкова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2011-09-27.

Method for predicting wear resistance of hard-alloy cutting tools

Номер патента: RU2459192C1. Автор: Юрий Иванович Тюрин,Владимир Петрович Нестеренко,Дмитрий Васильевич Лычагин,Аркадий Павлович Мамонтов,Сергей Сергеевич Марьин,Александр Михайлович Сухотин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2012-08-20.

Method for prediction of wear resistance of hard alloy cutting tools

Номер патента: RU2584275C1. Автор: Владимир Петрович Нестеренко,Андрей Борисович Ефременков,Алексей Александрович Моховиков,Рауза Хамидовна Губайдулина,Алексей Алексеевич Кондратюк. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2016-05-20.

Method for prediction of wear resistance of hard alloy cutting tools

Номер патента: RU2596864C1. Автор: Сергей Владимирович Волков,Владимир Петрович Нестеренко,Андрей Борисович Ефременков,Алексей Александрович Моховиков,Владислав Леонидович Бибик,Валерий Иванович Меркулов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2016-09-10.

Method for producing of hard caramels

Номер патента: RU2277791C2. Автор: Валерий Николаевич Иванов. Владелец: Валерий Николаевич Иванов. Дата публикации: 2006-06-20.

Stationary durometer for measurement of hardness of metal samples under negative temperature

Номер патента: RU2515122C1. Автор: Александр Валентинович Митрофанов,Виктор Анатольевич Ломанцов. Владелец: Открытое акционерное общество "Техдиагностика". Дата публикации: 2014-05-10.

Method for producing by electrolag refining ingot-blanks of hard-to-form steels and alloys and for rolling of them commercial tubes of large and mean diameters in tube rolling plants with pilger mills and conversion tubes for further rerolling in tube cold rolling mills

Номер патента: RU2322317C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Андреевич Логовиков,Кирилл Николаевич Никитин,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Константин Эдуардович Бубнов,Валерий Александрович Головинов,нов Анатолий Васильевич Сафь,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Валерий Николаевич Половинкин,Владимир Александрович Демидов,Наталь Петровна Павлова,Наталья Петровна Павлова,Николай Николаевич Букин. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2008-04-20.

Procedure for coating items out of hard alloys

Номер патента: RU2415966C1. Автор: Антон Дмитриевич Тересов,Сергей Владимирович Григорьев,Сергей Витальевич Лыков,Игорь Михайлович Гончаренко,Максим Ильич Лобач. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2011-04-10.

Method of hard facing of metal part

Номер патента: RU2560604C1. Автор: Николай Петрович Симонов,Евгений Михайлович Кирин,Игорь Иосифович Артемов,Владимир Дмитриевич Кревчик. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "Пензенский государственный университет"). Дата публикации: 2015-08-20.

Procedure for prognosis of wear resistance of hard alloy cutting tools

Номер патента: RU2422801C1. Автор: Татьяна Николаевна Извекова,Владимир Петрович Нестеренко,Елена Владимировна Разумова,Леонид Дмитриевич Копнов,Валерий Петрович Должиков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский политехнический университет". Дата публикации: 2011-06-27.

Method for dredging of hard-dredging thawed placers

Номер патента: RU2346158C1. Автор: Виктор Александрович Баталов,Виктор Георгиевич Пятаков,таков Виктор Георгиевич П,Владимир Станиславович Гурулев. Владелец: Открытое акционерное общество "Иркутский научно-исследовательский институт благородных и редких металлов и алмазов" (ОАО "Иргиредмет"). Дата публикации: 2009-02-10.

Rope grinder of hard domestic waste

Номер патента: RU2371251C1. Автор: Олег Михайлович Кодолов,Григорий Михайлович Золотарев,Леонид Владимирович Бондарь. Владелец: ООО Фирма "РОСТ-Л". Дата публикации: 2009-10-27.

Method of hard-alloy tool machining

Номер патента: RU2509173C1. Автор: Александр Григорьевич Соколов. Владелец: ООО "Биметалл Плюс". Дата публикации: 2014-03-10.

Method of strength testing of hard materials

Номер патента: RU2250449C2. Автор: А.П. Суржиков,Т.В. Фурса,К.Ю. Осипов. Владелец: Томский политехнический университет. Дата публикации: 2005-04-20.

METHOD OF SINTERING ARTICLES FROM POWDER OF HARD ALLOYS OF WC-Co GROUP

Номер патента: RU2582851C1. Автор: Сергей Васильевич Новиков,Пинарготе Нестор Вашингтон Солис,Павел Юрьевич Перетягин,Сергей Николаевич Григорьев,Сан Милан Рамон Торресильяс,Сергей Сергеевич Пожидаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВПО МГТУ "СТАНКИН"). Дата публикации: 2016-04-27.

Method of determining dynamics of extraction of hard to recover reserves of oil

Номер патента: RU2556649C1. Автор: Сергей Николаевич Бастриков,Геннадий Михайлович Ярышев,Юрий Геннадьевич Ярышев,Владимир Владимирович Ямщиков. Владелец: Открытое акционерное общество "Сибирский научно-исследовательский институт нефтяной промышленности". Дата публикации: 2015-07-10.

Method of production of cold rolled sheet of hard drawn steel

Номер патента: RU2369456C1. Автор: Вадим Григорьевич Антипанов,Клавдия Андреевна Лисичкина,Татьяна Михайловна Кочнева,Владимир Леонидович Корнилов,Павел Петрович Полецков,Вадим Григорьевич Антипанов (RU),Владимир Леонидович Корнилов (RU),Клавдия Андреевна Лисичкина (RU),Татьяна Михайловна Кочнева (RU),Павел Петрович Полецков (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Магнитогорский металлургический комбинат". Дата публикации: 2009-10-10.

Procedure for application of hard anti-friction coating

Номер патента: RU2402599C2. Автор: Владимир Иванович Колесников,Александр Павлович Сычев,Александр Валентинович Лапицкий,Игорь Владимирович Колесников. Владелец: Игорь Владимирович Колесников. Дата публикации: 2010-10-27.

Method for determining optimal cutting speed of hard alloy tools

Номер патента: RU2173611C2. Автор: В.Н. Кусков,Е.В. Артамонов,Т.Е. Помигалова,В.М. Костив. Владелец: Тюменский государственный нефтегазовый университет. Дата публикации: 2001-09-20.

Drilling assembly for drilling of hard mine rocks

Номер патента: RU2436926C2. Автор: Владимир Стефанович Литвиненко,Георгий Никифорович Соловьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный горный институт имени Г.В. Плеханова (технический университет)". Дата публикации: 2011-12-20.

Method for producing ingot-blanks by electroslag refining of hard-to-form steels and alloys and for rolling of them commercial tubes of large and mean diameters in tube rolling plants with pilger mills and conversion tubes for rerolling in tube cold rolling mills

Номер патента: RU2322316C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Андреевич Логовиков,Кирилл Николаевич Никитин,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Константин Эдуардович Бубнов,Валерий Александрович Головинов,нов Анатолий Васильевич Сафь,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Валерий Николаевич Половинкин,Владимир Александрович Демидов,Наталь Петровна Павлова,Наталья Петровна Павлова,Николай Николаевич Букин. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2008-04-20.

Device for destruction of hard rocks

Номер патента: RU2376468C1. Автор: Виктор Николаевич Анисимов. Владелец: Ооо Нпц "Экоресурсы". Дата публикации: 2009-12-20.

Method for pulse electron-ion-plasma hardening of hard-alloy tool or item

Номер патента: RU2584366C1. Автор: Владимир Ефимович Овчаренко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук (ИФПМ СО РАН). Дата публикации: 2016-05-20.

Method for preparing forged and continuously cast billets, electroslag refining ingots, hollow-sleeve-blanks of electroslag refining for rolling boiler tubes and preparing hollow sleeve-blanks of hard-to-form steels and alloys for rolling commercial and conversion tubes

Номер патента: RU2306993C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Андреевич Логовиков,Кирилл Николаевич Никитин,Валентин Иреклеевич Тазетдинов,Александр Юрьевич Матюшин,Валерий Александрович Головинов,нов Анатолий Васильевич Сафь,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Исаак Иосифович Вольберг,Игорь Александрович Романцов,Сергей Генадьевич Чикалов. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2007-09-27.

Method of processing of hard-floatable nickel-pyrrhotine materials bearing noble metals

Номер патента: RU2249487C1. Автор: С.В. Богданов,Л.И. Алексеева,М.Н. Нафталь,П.М. Баскаев,Р.И. Исмагилов,Н.Г. Кайтмазов,Ю.А. Ширшов,Б.А. Захаров,А.А. Яценко,нц Г.Р. Погос,Г.Р. Погосянц,Н.А. Колпаков,К.А. Пристанский,И.С. Демиденко,И.В. Бойко,Ю.А. Салайкин,Т.В. Галанцева,Н.В. Плодухина,Б.С. Пыхтин,Ю.А. Благодатин. Владелец: Открытое акционерное общество "Горно-металлургическая компания "Норильский никель". Дата публикации: 2005-04-10.

Screening method for fine material by density and concentrator for its implementation

Номер патента: RU2338595C2. Автор: Виктор Александрович Пузырев,Михаил Викторович Шкрибеев,Виктор Александрович Пузырев (RU),Михаил Викторович Шкрибеев (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Циклон". Дата публикации: 2008-11-20.

Operability improvement method of hard-alloy cutting tool using pulse laser treatment method

Номер патента: RU2460811C1. Автор: Валерий Михайлович Гончаров,Вячеслав Григорьевич Копченков,Александр Митрофанович Пинахин,Игорь Александрович Пинахин,Вячеслав Григорьевич Копченков (RU),Александр Митрофанович Пинахин (RU),Игорь Александрович Пинахин (RU),Валерий Михайлович Гончаров (RU). Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Кавказский государственный технический университет" (ФГБОУ ВПО "СевКавГТУ"). Дата публикации: 2012-09-10.

Method of predicting wear resistance of hard-alloy cutting tools

Номер патента: RU2249198C1. Автор: В.П. Нестеренко,К.П. Арефьев,В.И. Меркулов,Л.В. Сериков,В.Д. Хоружий,Ю.И. Тюрин. Владелец: Томский политехнический университет. Дата публикации: 2005-03-27.

Roll passes for asymmetric forming of breakdowns out of hard-to-form alloys

Номер патента: RU2218224C1. Автор: Ю.А. Мягков. Владелец: ОАО Верхнесалдинское металлургическое производственное объединение. Дата публикации: 2003-12-10.

Tungsten carbide-based hard alloy for cutting of hard-to-machine materials

Номер патента: RU2521747C1. Автор: Анатолий Матвеевич Адаскин,Алексей Анатольевич Верещака,Анатолий Степанович Верещака,Константин Викторович Крючков,Виктор Николаевич Бутрим,Александр Марьянович Дембицкий,Валентин Валентинович Каширцев. Владелец: Валентин Валентинович Каширцев. Дата публикации: 2014-07-10.

Method for producing micro-wire of hard-to-form materials

Номер патента: RU2315674C2. Автор: Александр Георгиевич Залазинский,Вадим Леонидович Колмогоров,Владимир Леонидович Колмыков,Марина Юрьевна Глазунова. Владелец: Институт машиноведения Уральского отделения Российской Академии наук (ИМАШ УрО РАН). Дата публикации: 2008-01-27.

Method for making conversion cast iron and technical-grade tubes from center-die cast hollow billets of hard-to-form steels and alloys

Номер патента: RU2233721C2. Автор: А.В. Сафьянов,нов А.В. Сафь,А.А. Фёдоров,Л.И. Лапин,И.А. Романцов,С.В. Ненахов,В.В. Игнатьев,С.А. Панов,В.А. Логовиков,В.В. Гавриш,А.Ю. Матюшин. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2004-08-10.

Surfactant selection method for wetting of hard coals using permeability coefficient

Номер патента: RU2533562C1. Автор: Иван Сергеевич Елкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кузбасский государственный технический университет имени Т.Ф. Горбачева" (КузГТУ). Дата публикации: 2014-11-20.

Method for treatment of hard-alloy cutting tools

Номер патента: RU2119551C1. Автор: Г.И. Геринг,К.Н. Полещенко,С.Н. Поворознюк,П.В. Орлов. Владелец: Омский государственный университет. Дата публикации: 1998-09-27.

Device for thermal-mechanical drill of hard formations

Номер патента: RU2365731C1. Автор: Владимир Стефанович Литвиненко,Георгий Никифорович Соловьев,Владимир Стефанович Литвиненко (RU),Георгий Никифорович Соловьев (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный горный институт имени Г.В. Плеханова (технический университет)". Дата публикации: 2009-08-27.

Process testing quality of hard-alloy and diamond rock- breaking tool

Номер патента: RU2146815C1. Автор: С.Я. Рябчиков,А.П. Мамонтов,И.П. Чернов,Б.В. Чахлов. Владелец: Томский политехнический университет. Дата публикации: 2000-03-20.

Method of hard facing of metal articles

Номер патента: RU2167742C2. Автор: Ф.Н. Рыжков,А.В. Башурин,Е.В. Авилова. Владелец: Курский государственный технический университет. Дата публикации: 2001-05-27.

Method of mining of hard ores from thin deposits by drilling-out

Номер патента: RU2168625C1. Автор: А.Е. Васильев,Ю.В. Михайлов,В.И. Давиденко. Владелец: Михайлов Юрий Васильевич. Дата публикации: 2001-06-10.

Smart system for conversion of hardness salts

Номер патента: RU2552474C1. Автор: Арсений Николаевич Маслов,Николай Борисович Маслов. Владелец: Николай Борисович Маслов. Дата публикации: 2015-06-10.

Method of surface hardening of cutting tool out of hard alloys based on tungsten carbide with cobalt binder

Номер патента: RU2564645C1. Автор: Василий Иванович Шведунов,Валерий Константинович Ковальков,Борис Николаевич Беляев,Андрей Владимирович Соколов,Ярослав Юрьевич ФИЛИППОВ,Дмитрий Сергеевич Юров. Владелец: Валерий Константинович Ковальков. Дата публикации: 2015-10-10.

Forming of hardly-deformed materials (versions)

Номер патента: RU2542046C2. Автор: Виктор Николаевич Мироненко,Валерий Валерьевич Васенев,Татьяна Ивановна Голубятникова. Владелец: Открытое акционерное общество "Композит" (ОАО "Композит"). Дата публикации: 2015-02-20.

Method of evaluation of tire-gripping properties of hard-surface road

Номер патента: RU2161671C2. Автор: Э.И. Деникин,Л.П. Медрес,А.А. Шестопалов. Владелец: Медрес Лев Петрович. Дата публикации: 2001-01-10.

Method of hard-to-make turning

Номер патента: RU2422248C2. Автор: Константин Николаевич Колесов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский Государственный Технологический Университет "СТАНКИН". Дата публикации: 2011-06-27.

Method of hard mineral raw materials fluoridation and reactor for its implementation

Номер патента: RU2329949C2. Автор: Владимир Александрович Карелин,Александр Иванович Карелин,Валерий Андреевич Казимиров,Тимофей Заурбиевич Кушхабиев. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "Гелиос". Дата публикации: 2008-07-27.

Method of identifying system of thermo-physical properties of hard materials

Номер патента: RU2324164C1. Автор: Игорь Николаевич Ищук. Владелец: Тамбовское высшее военное авиационное инженерное училище радиоэлектроники (военный институт). Дата публикации: 2008-05-10.

Method for prediction of wear resistance of hard alloy cutting tools

Номер патента: RU2591874C1. Автор: Сергей Владимирович Волков,Александр Васильевич Петров,Владимир Петрович Нестеренко,Андрей Борисович Ефременков,Павел Викторович Чазов,Алексей Александрович Моховиков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2016-07-20.

Method of determining coefficient of heterogeneity of mixture of hard-to-separate granular materials

Номер патента: RU2515009C1. Автор: Анатолий Иванович Зайцев,Антон Евгеньевич Лебедев,Анна Борисовна Капранова,Александр Игоревич Чадаев,Артем Анатольевич Петров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ярославский государственный технический университет". Дата публикации: 2014-05-10.

Method for automatic development of specified bottom-hole space during second bottom-hole working in underground extraction of hard coal

Номер патента: RU2459955C2. Автор: Мартин ЮНКЕР,Армин МОЦАР. Владелец: Раг Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2012-08-27.

Procedure predicting wear resistance of hard-alloy cutting tools

Номер патента: RU2209413C1. Автор: А.П. Суржиков,В.П. Нестеренко,К.П. Арефьев,В.И. Меркулов,А.А. Кондратюк,Б.П. Романов. Владелец: Томский государственный архитектурно-строительный университет. Дата публикации: 2003-07-27.

Method for producing hot rolled conversion large- and mean-diameter tubes of hard-to-form steels and alloys in tube rolling plants with pilger mills

Номер патента: RU2278750C2. Автор: Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Валерий Александрович Головинов,нов Анатолий Васильевич Сафь,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Исаак Иосифович Вольберг,Игорь Александрович Романцов,Павел Александрович Гриценко. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2006-06-27.

Method of receiving of hard magnetic composite material with nanocrystalline structure

Номер патента: RU2368026C1. Автор: Алексей Сергеевич Лилеев,Борис Григорьевич Разумейко,Владислав Николаевич Викторов,Дмитрий Геннадьевич Жуков,Анна Сергеевна Старикова,Алексей Викторович Дупляков. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Государственный технологический университет"Московский институт стали и сплавов". Дата публикации: 2009-09-20.

Method and device for embedding into soil of hard-crushed plant residues

Номер патента: RU2546899C1. Автор: Владимир Алексеевич Волобуев,Валерий Юрьевич Ревенко,Михаил Михайлович Белоусов. Владелец: Государственное научное учреждение Армавирская опытная станция Всероссийского научно-исследовательского института масличных культур им. В.С. Пустовойта Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ АОС ВНИИМК Россельхозакадемии). Дата публикации: 2015-04-10.

Method of hard facing of metal items

Номер патента: RU2541325C1. Автор: Юрий Николаевич Тюрин,Николай Яковлевич Василик,Олег Викторович Колисниченко. Владелец: Олег Викторович Колисниченко. Дата публикации: 2015-02-10.

Method of producing article from billet made of hard-to-deform metal or alloy

Номер патента: RU2589965C2. Автор: Владимир Михайлович Лебедев,Максим Владимирович Лебедев,Сергей Николаевич Боровиков,Сергей Леонидович Корякин,Валерий Иванович Сидоренко. Владелец: Акционерное общество "ОДК - Пермские моторы". Дата публикации: 2016-07-10.

Production of hard alloy charge with hardening nanosized particles

Номер патента: RU2525192C1. Автор: Петр Петрович Шарин,Михаил Петрович Лебедев,Василий Егорович Гоголев,Геннадий Георгиевич Винокуров,Виктор Петрович Атласов,Петр Петрович Петров,Анатолий Андреевич Платонов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физико-технических проблем Севера им. В.П. Ларионова Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2014-08-10.

Flux for high-temperature welding of hard alloys by copper-based solders

Номер патента: RU2346798C2. Автор: Олег Владиславович Тихонов. Владелец: Олег Владиславович Тихонов. Дата публикации: 2009-02-20.

Pharmaceutical composition in form of hard peroral drug for treatment of gastrointestinal tract diseases

Номер патента: RU2418576C2. Автор: Аллан Герович Бениашвили,Маргарита Алексеевна Морозова. Владелец: Маргарита Алексеевна Морозова. Дата публикации: 2011-05-20.

Method of and device for combustion of hard fuel, mainly, wood wastes

Номер патента: RU2236643C1. Автор: В.И. Анискин,А.В. Голубкович,А.Г. Чижиков,К.К. Курбанов. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт механизации сельского хозяйства. Дата публикации: 2004-09-20.

Method for determining temperature of maximum serviceability of hard-alloy cutting plates

Номер патента: RU2567938C2. Автор: Евгений Владимирович Артамонов,Дмитрий Сергеевич Василега,Андрей Михайлович Тверяков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тюменский государственный нефтегазовый университет" (ТюмГНГУ). Дата публикации: 2015-11-10.

Method for making tubes of hard-to-form kinds of steel

Номер патента: RU2175899C2. Автор: А.В. Сафьянов,А.А. Воронин,А.А. Фёдоров,Л.И. Лапин,И.А. Романцов,С.В. Ненахов,В.А. Головинов,Г.И. Спиридонов,В.В. Игнатьев,В.А. Логовиков,Н.Г. Дановский. Владелец: Открытое акционерное общество "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2001-11-20.

Method of identifying system of thermo-physical properties of hard materials

Номер патента: RU2324166C1. Автор: Александр Иванович Фесенко,Сергей Михайлович Лобанов,Игорь Николаевич Ищук,Александр Сергеевич Скрипкин. Владелец: Тамбовское высшее военное авиационное инженерное училище радиоэлектроники (военный институт). Дата публикации: 2008-05-10.

Method for electron beam strengthening of hard-alloy tool or item

Номер патента: RU2457261C1. Автор: Владимир Ефимович Овчаренко,Николай Николаевич Коваль,Юрий Федорович Иванов,Антон Дмитриевич Тересов,Алексей Александрович Моховиков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" (ГОУ ВПО НИ ТПУ). Дата публикации: 2012-07-27.

Tempering method of hard alloy on basis of tungsten carbide

Номер патента: RU2355513C1. Автор: Татьяна Николаевна Осколкова,Алла Борисовна Щеглова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2009-05-20.

Method of estimating severity degree of epilepsy complicated by organic encelophathy

Номер патента: RU2433784C2. Автор: Екатерина Анатольевна Корсакова,Евгений Робертович Баранцевич,Сергей Кузьмич Хоршев. Владелец: Государственное учреждение "Санкт-Петербургский научно-исследовательский психоневрологический институт им. В.М. Бехтерева" (НИПИ им. В.М. Бехтерева). Дата публикации: 2011-11-20.

Composition of hard deer antler for treating osteoporosis

Номер патента: NZ577945A. Автор: James Anderson,David Collie. Владелец: Andeer Nz Ltd. Дата публикации: 2012-01-12.

Device for loosening of hard grounds

Номер патента: RU2018584C1. Автор: И.В. Золотухин,А.Г. Катранов. Владелец: Военная инженерно-космическая академия им.А.Ф.Можайского. Дата публикации: 1994-08-30.

Method for pack rolling of thin sheets of hard-to-form alloys

Номер патента: RU2201821C1. Автор: А.Н. Козлов,С.Н. Полянский. Владелец: ОАО Верхнесалдинское металлургическое производственное объединение. Дата публикации: 2003-04-10.

Composition of coating for protection of hard alloy items from carbonisation at sintering

Номер патента: RU2432378C2. Автор: Андрей Георгиевич Ищук,Александр Петрович Амосов,Георгий Владимирович Бичуров,Сергей Маратович Ахметсагиров,Михаил Александрович Сальников. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный технический университет. Дата публикации: 2011-10-27.

Method for predicting wear resistance of hard-alloy cutting tools

Номер патента: RU2272275C1. Автор: Владимир Петрович Нестеренко,Владимир Дмитриевич Клопотов,Владимир Александрович Пилипенко,Сергей Дмитриевич Заверткин,Сергей Васильевич Кирсанов,Константин Петрович Арефьев,Владимир Петрович Нестеренко (RU),Владимир Дмитриевич Клопотов (RU),Владимир Александрович Пилипенко (RU),Сергей Дмитриевич Заверткин (RU),Сергей Васильевич Кирсанов (RU),Константин Петрович Арефьев (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский политехнический университет". Дата публикации: 2006-03-20.

Method for preparing centrifugally cast billets of hard-to-form steels and alloys to tube rolling

Номер патента: RU2242303C2. Автор: А.В. Сафьянов,нов А.В. Сафь,А.А. Фёдоров,Л.И. Лапин,И.А. Романцов,С.В. Ненахов,нов М.Р. Хамедз,М.Р. Хамедзянов,В.В. Игнатьев,С.А. Панов,В.А. Логовиков,х А.П. Л,А.П. Лях,В.В. Гавриш,А.Ю. Матюшин,В.И. Кисличенко. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2004-12-20.

Method testing anisotropy of strength of hard materials and articles

Номер патента: RU2134876C1. Автор: В.Я. Герасимов,В.П. Егий,Н.В. Парышев,В.И. Копырин. Владелец: ДЗАО "Курганстальмост". Дата публикации: 1999-08-20.

Device for evaluating adhesion properties of hard-surface road

Номер патента: RU2181811C2. Автор: Э.И. Деникин,Ю.Д. Нетеса,А.Д. Нетеса,А.А. Шестопалов. Владелец: Нетеса Юрий Дмитриевич. Дата публикации: 2002-04-27.

Method for strengthening of hard-alloy and diamond tools for drilling rock

Номер патента: RU2101456C1. Автор: С.Я. Рябчиков,А.П. Мамонтов. Владелец: Томский политехнический университет. Дата публикации: 1998-01-10.

Method for producing hot rolled commercial and conversion tubes of large and mean diameters of hard-to-form steels and alloys in tube rolling plants with pilger mills

Номер патента: RU2311979C1. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Андреевич Логовиков,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Константин Эдуардович Бубнов,Валерий Александрович Головинов,нов Анатолий Васильевич Сафь,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Исаак Иосифович Вольберг,Дмитрий Всеволодович Марков. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2007-12-10.

Method of manufacture of hard-carbide-tipped tools

Номер патента: RU2279946C2. Автор: Анатолий Андреевич Батаев,Юрий Васильевич Каллойда,Анатолий Андреевич Батаев (RU),Юрий Васильевич Каллойда (RU). Владелец: Новосибирский государственный технический университет. Дата публикации: 2006-07-20.

Apparatus for mechanical working of hard materials

Номер патента: RU2178013C2. Автор: А.Н. Иванов,А.М. Титов,А.А. Барзов,А.М. Борисов,А.Ф. Львов,А.Ф. Пуповский,А.Б. Коршунов,В.Н. Рябов,К.И. Шахова,Г.В. Самохвалов,А.Н. Бажинов,С.А. Шестериков,Г.А. Крысов,М.П. Духновский,Т.А. Свиридова,А.В. Поветкин,А.А. Поветкин,Е.А. Романовский. Владелец: Научно-исследовательский институт механики Московского Государственного Университета им. М.В. Ломоносова. Дата публикации: 2002-01-10.

Method for development of hard-to-recover carbohydrates

Номер патента: RU2395679C1. Автор: Александр Александрович Михайлов,Каплан Сафербиевич Басниев,Фатима Аслановна Адзынова,Дмитрий Любчович Стоянов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Российский государственный университет нефти и газа им. И.М. Губкина. Дата публикации: 2010-07-27.

ROLL OF PILGER MILL FOR ROLLING OF HEAVY-WALL 630×56 mm PIPES OF HARDLY-DEFORMED STEEL AND ALLOY GRADES FOR NUCLEAR POWER PRODUCTION STRUCTURES FROM ESR SLEEVES AND HOLLOW INGOTS SIZED TO 690-720×70-90×3400 mm

Номер патента: RU2545932C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Виктор Николаевич Еремин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Владимир Яковлевич Осадчий,Николай Петрович Климов,Константин Эдуардович Бубнов,Владимир Сергеевич Баричко. Владелец: Открытое акционерное общество "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2015-04-10.

Method for making conversion tubes of hard-to-form kinds of steels and alloys with increased linear expansion factor

Номер патента: RU2220794C2. Автор: А.В. Сафьянов,нов А.В. Сафь,А.А. Фёдоров,Л.И. Лапин,И.А. Романцов,С.В. Ненахов,В.В. Игнатьев,В.А. Логовиков,Н.П. Климов. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2004-01-10.

Method of hard material test for melting and/or softening temperature and related device for implementation thereof

Номер патента: RU2343463C1. Автор: Станислав Алексеевич Суворов,Владимир Вадимович Козлов,Станислав Алексеевич Суворов (RU),Владимир Вадимович Козлов (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)". Дата публикации: 2009-01-10.

Method of hard facing of steel parts by sulphidising

Номер патента: RU2360038C2. Автор: Владимир Исаевич Серебровский,Людмила Николаевна Серебровская,Вадим Владимирович Серебровский,Николай Васильевич Коняев,Руслан Игоревич Сафронов,Юлия Петровна Гнездилова. Владелец: ФГОУ ВПО Курская государственная сельскохозяйственная академия им. профессора И.И. Иванова. Дата публикации: 2009-06-27.

Method of treating diseases complicated by organ hypotonia and atonia accompanying diabetes mellitus

Номер патента: RU2538693C2. Автор: Алексей Викторович Новиков,Станислав Петрович Серегин,Александр Геннадьевич Коцарь,Маргарита Николаевна Цуканова,Сергей Дмитриевич Долженков,Сергей Вячеславович Петров,Александр Сергеевич Чуев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2015-01-10.

Method of and device for processing of hard domestic waste

Номер патента: RU2155108C1. Автор: А.А. Агибалов,Г.И. Андреев,А.В. Исаченко,А.Н. Новожилов,А.А. Юшин. Владелец: Юшин Александр Ардальонович. Дата публикации: 2000-08-27.

Method for making seamless hot rolled conversion elongated tubes of hard-to-form kinds of steels and alloys

Номер патента: RU2226132C2. Автор: А.В. Сафьянов,нов А.В. Сафь,А.А. Фёдоров,Л.И. Лапин,И.А. Романцов,С.В. Ненахов,нов М.Р. Хамедз,М.Р. Хамедзянов,В.В. Игнатьев,Н.Г. Дановский. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2004-03-27.

Device and method of thermo-gas-hydro-depression wave fracturing of productive formations for development of hard-to-recover reserves (versions)

Номер патента: RU2592910C1. Автор: Арнольд Геннадьевич Корженевский,Андрей Арнольдович Корженевский,Татьяна Арнольдовна Корженевская,Алексей Арнольдович Корженевский. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Волго-Уральский Центр Научно-Технических Услуг "Нейтрон". Дата публикации: 2016-07-27.

Method of predicting wear resistance of hard alloy cutting tools

Номер патента: RU2251095C1. Автор: В.П. Нестеренко,К.П. Арефьев,А.С. Сурков,Ю.И. Галанов,В.Т. Федько. Владелец: Томский политехнический университет. Дата публикации: 2005-04-27.

Method of pre-sowing treatment of hard-to-germinate seeds of legume grasses

Номер патента: RU2415537C2. Автор: Александр Федорович Степанов,Наталья Алексеевна Прохорова. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2011-04-10.

Hydraulic borehole mining of hard minerals

Номер патента: RU2517728C1. Автор: Сергей Николаевич Кошколда,Олег Валерьевич Носов. Владелец: Олег Валерьевич Носов. Дата публикации: 2014-05-27.

Method of hard tooth tissues pathology prevention and treatment with 10% calcium solution

Номер патента: RU2325201C1. Автор: Валентин Николаевич Павлов,Лариса Павловна Герасимова,Маргарита Ивановна Астахова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "БАШКИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ МЕДИЦИНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Федерального Агентства по здравоохранению и социальному развитию" (ГОУ ВПО БГМУ РОСЗДРАВА). Дата публикации: 2008-05-27.

Method of assembly of hard alloy insertion with case of antiskid pin and facility for implementation of this method

Номер патента: RU2373042C2. Автор: Владимир Леонидович Медведев,Юрий Михайлович Силов,Геннадий Николаевич Ларионов. Владелец: Открытое акционерное общество "Белебеевский завод "Автонормаль". Дата публикации: 2009-11-20.

Method of drying of hard-dried wood species

Номер патента: RU2263257C1. Автор: нова Т.К. Курь,Т.К. Курьянова,А.Д. Платонов. Владелец: Воронежская государственная лесотехническая академия. Дата публикации: 2005-10-27.

Method for explosive loosening of hard rocks using charges with air cushion

Номер патента: RU2456538C1. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский,Константин Абрамович Рудницкий,Александр Валентинович Языков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2012-07-20.

Device for forming powders of hard deformed materials in long-length briquettes

Номер патента: RU2347646C1. Автор: Илья Георгиевич Роберов,Станислав Александрович Козерадский,Иль Георгиевич Роберов,Иван Андреевич Устинов,Виктори Николаевна Беззубова,Виктория Николаевна Беззубова. Владелец: Федеральное агентство по образованию ФГОУ ВПО Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов". Дата публикации: 2009-02-27.

Method of determining maturity of hard rennet cheese

Номер патента: RU2386966C2. Автор: Рамиль Равилевич Хаертдинов. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанская государственная академия ветеринарной медицины им. Н.А. Баумана". Дата публикации: 2010-04-20.

Drilling method of hard rocks with hydrotransport of core sample and drilling assembly for its implementation

Номер патента: RU2386005C2. Автор: Юрий Евдокимович Будюков,Василий Иванович Спирин,Олег Анатольевич Наумов,Анатолий Алексеевич Анненков,Виктор Николаевич Евсеев. Владелец: Открытое акционерное общество "Тульское научно-исследовательское геологическое предприятие" (ОАО "Тульское НИГП"). Дата публикации: 2010-04-10.

Method for making tubes of hard-to-form steels and alloys with increased coefficient of linear expansion

Номер патента: RU2214312C2. Автор: А.В. Сафьянов,А.А. Фёдоров,Л.И. Лапин,И.А. Романцов,С.В. Ненахов,В.В. Игнатьев,Н.Г. Дановский. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2003-10-20.

Reactor for obtaining carbon material by catalytic pyrolysis of hydrocarbon-containing gases

Номер патента: RU2343188C2. Автор: Игорь Николаевич Шубин,Алексей Григорьевич Ткачев,Владимир Леонидович Негров,Александр Анатольевич Пасько,Сергей Владимирович Мищенко,Андрей Алексеевич Баранов,Нариман Рустемович Меметов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Молодежный исследовательский центр инноваций". Дата публикации: 2009-01-10.

Automated technological line for surface modification of polymer fibrous material by metal oxide nanoparticles

Номер патента: RU2542303C1. Автор: Геннадий Георгиевич Волокитин,Татьяна Дмитриевна Малиновская,Анатолий Сергеевич Рухов,Вячеслав Рудольфович Артюшин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный архитектурно-строительный университет" (ТГАСУ). Дата публикации: 2015-02-20.

Method of cutting metallic and current-conducting materials by current-conducting cutting tool

Номер патента: RU2456125C2. Автор: Валентин Иванович Голубев,Сергей Васильевич Андреев,Дмитрий Владимирович Калашник,Виталий Викторович Медисон,Сергей Михайлович Мурыжников. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Корпорация Всмпо-Ависма". Дата публикации: 2012-07-20.

Lead-based matrix alloy for production of composite materials by impregnation

Номер патента: RU2554263C1. Автор: Николай Алексеевич Кидалов,Сергей Сергеевич Волков,Виктор Александрович Гулевский,Валерий Иванович Антипов,Алексей Георгиевич Колмаков,Леонид Викторович Виноградов,Михаил Юрьевич Федотов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2015-06-27.

Procedure for production of carbon nano materials by method of chemical sedimentation from gas phase

Номер патента: RU2434085C1. Автор: Алексей Григорьевич Ткачев,Максим Алексеевич Ткачев,Александр Васильевич Мележик,Артем Викторович Рухов,Евгений Николаевич Туголуков,Елена Юрьевна Филатова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НаноТехЦентр". Дата публикации: 2011-11-20.

Procedure for sealing gap between surfaces out of magnet-conducting and non-magnetic material by means of magnetic fluid

Номер патента: RU2397380C1. Автор: Сергей Михайлович Перминов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский государственный энергетический университет имени В.И. Ленина" (ИГЭУ). Дата публикации: 2010-08-20.

Method to determine properties of material by nanoindentation

Номер патента: RU2551263C2. Автор: Андрей Леонидович Худолей,Татьяна Анатольевна Кузнецова. Владелец: Государственное Научное Учреждение "Институт Тепло- И Массообмена Имени А.В. Лыкова Национальной Академии Наук Беларуси". Дата публикации: 2015-05-20.

Apparatus for determining hardness of materials by scratching technique

Номер патента: RU2473881C1. Автор: Владимир Сергеевич Уткин,Александр Николаевич Редькин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Вологодский государственный технический университет" (ВоГТУ). Дата публикации: 2013-01-27.

Composition for printing of textile materials by pigments

Номер патента: RU2387748C1. Автор: Владимир Иванович Рудыка,Ольга Витальевна Козлова,Александра Александровна Алёшина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский государственный химико-технологический университет" (ИГХТУ). Дата публикации: 2010-04-27.

Method of measuring thermal diffusivity of heat-insulating materials by regular third kind mode technique

Номер патента: RU2478939C1. Автор: Сергей Васильевич Пономарев,Галина Викторовна Шишкина,Дарья Александровна Дивина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" (ФГБОУ ВПО ТГТУ). Дата публикации: 2013-04-10.

Transparent iron oxide pigment prepared by organic solvent washing

Номер патента: CA1102505A. Автор: Arvind S. Patil,Lowell E. Netherton. Владелец: BASF Wyandotte Corp. Дата публикации: 1981-06-09.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.