Bottom electrode structure for improved electric field uniformity
Номер патента: US09502649B2
Опубликовано: 22-11-2016
Автор(ы): Cheng-Yuan Tsai, Jian-Shiou Huang, Yao-Wen Chang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-11-2016
Автор(ы): Cheng-Yuan Tsai, Jian-Shiou Huang, Yao-Wen Chang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Resistive Memory Cell with Sloped Bottom Electrode
Номер патента: US20150236257A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-20.