Thin film transistor and manufacturing method thereof
Номер патента: US09502574B2
Опубликовано: 22-11-2016
Автор(ы): Dong Hwan Shim, Hyun Jae NA, Seung-Hwan Cho, Yoon Ho KHANG, Young Ki Shin
Принадлежит: Samsung Display Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-11-2016
Автор(ы): Dong Hwan Shim, Hyun Jae NA, Seung-Hwan Cho, Yoon Ho KHANG, Young Ki Shin
Принадлежит: Samsung Display Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Oxide semiconductor having ohmic junction structure, thin-film transistor having same, and manufacturing methods therefor
Номер патента: US20240120379A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Ho Jae Lee. Владелец: Iucf Hyu Industry University Cooperation Hanyang Foundation University. Дата публикации: 2024-04-11.