Lattice-constant formatted epitaxial template for light emitting devices and a method for making the same
Номер патента: US09472716B1
Опубликовано: 18-10-2016
Автор(ы): Hongmei Wang, Jianping Zhang
Принадлежит: Bolb Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-10-2016
Автор(ы): Hongmei Wang, Jianping Zhang
Принадлежит: Bolb Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Group iii nitride light-emitting device, group iii nitride epitaxial wafer, and method for producing group iii nitride light-emitting device
Номер патента: EP4401158A1. Автор: Takao Nakamura,Hideto Miyake,Kenjiro Uesugi. Владелец: Mie University NUC. Дата публикации: 2024-07-17.