Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Matières diélectriques à constante diélectrique stable à température élevée

Matières diélectriques à constante diélectrique stable à température élevée

Номер патента: FR1509999A
Опубликовано: 19-01-1968
Автор(ы):
Принадлежит: United Aircraft Corp

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Dielectric material, device comprising dielectric material, and method of preparing dielectric material

Номер патента: US20210198801A1. Автор: Hyungjun Kim,Takayoshi Sasaki,Chan Kwak,Takaaki Taniguchi,Changsoo LEE,Giyoung JO,Dohwon JUNG,Yasuo Ebina. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Dielectric material, device comprising dielectric material, and method of preparing dielectric material

Номер патента: US11946154B2. Автор: Hyungjun Kim,Takayoshi Sasaki,Chan Kwak,Takaaki Taniguchi,Changsoo LEE,Giyoung JO,Dohwon JUNG,Yasuo Ebina. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Temperature insensitive dielectric constant garnets

Номер патента: US11787703B2. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank. Владелец: Allumax Tti LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Temperature insensitive dielectric constant garnets

Номер патента: US11814301B2. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank. Владелец: Allumax Tti LLC. Дата публикации: 2023-11-14.

Dielectric material, multi-layered capacitors and electronic devices comprising the same

Номер патента: US20190304685A1. Автор: Chan Kwak,Kyoung-seok MOON,Daejin YANG,Hyun Sik Kim,Yoon Chul SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-03.

Radiofrequency components incorporating temperature compensated dielectric material

Номер патента: US11912627B2. Автор: Michael David Hill. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Radiofrequency component incorporating temperature compensated dielectric material

Номер патента: US20190308911A1. Автор: Michael David Hill. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Temperature compensated dielectric material

Номер патента: US20180086673A1. Автор: Michael David Hill. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Radiofrequency component incorporating temperature compensated dielectric material

Номер патента: US20210139380A1. Автор: Michael David Hill. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Method for forming a temperature compensated dielectric material

Номер патента: US20190315660A1. Автор: Michael David Hill. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Borate Microwave Dielectric Ceramic with Low Dielectric Constant, and Preparation Method Thereof by Cold Sintering

Номер патента: US20240286910A1. Автор: Yan Shen,FENG Shi,YUE Xu,Xiangyu WANG,Jinbo Zhao,Fuzhou Song,Shuai LV,Lingcui Zhang. Владелец: Qilu University of Technology. Дата публикации: 2024-08-29.

Co-firing of low firing temperature dielectric materials with high bismuth garnet ferrites for miniaturized isolators and circulators

Номер патента: US11936088B2. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank,Jeffrey Alan Shunkwiler,John Jianzhong Jiang,David Martin Firor,Srinivas Polisetty. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Co-firing of low firing temperature dielectric materials with high bismuth garnet ferrites for miniaturized isolators and circulators

Номер патента: US20230291085A1. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank,Jeffrey Alan Shunkwiler,John Jianzhong Jiang,David Martin Firor,Srinivas Polisetty. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Dielectric material for multilayer ceramic capacitor, and multilayer ceramic capacitor

Номер патента: US09919970B2. Автор: Kunihiko Nagaoka,Minoru Ryu,Chie Kawamura,Kazumichi HIROI. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Sandwich-structured dielectric materials for pulse energy storage as well as preparation method and application thereof

Номер патента: US11735360B2. Автор: Ming LV,Ruqiang LI,Yani Wei,Qiutan Lai. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2023-08-22.

Dielectric material and multilayer ceramic capacitor including the same

Номер патента: US20220367115A1. Автор: Toshihiro Doi,Ken Yamaguchi,Kotaro Hata. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Dielectric material and multilayer ceramic capacitor including the same

Номер патента: US20210035737A1. Автор: Toshihiro Doi,Ken Yamaguchi,Kotaro Hata. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Two-dimensional perovskite material, dielectric material and multi-layered capacitor including the same

Номер патента: US11823838B2. Автор: Hyungjun Kim,Chan Kwak,Daejin YANG,Woojin Lee,Doh Won JUNG,Jong Wook Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-21.

Dielectric material for multilayer ceramic capacitor, and multilayer ceramic capacitor

Номер патента: US20170152187A1. Автор: Kunihiko Nagaoka,Minoru Ryu,Chie Kawamura,Kazumichi HIROI. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2017-06-01.

Doped perovskite barium stannate material with preparation method and application thereof

Номер патента: US12037290B2. Автор: Yun Liu,Zhenxiao Fu,Shiwo Ta,Xiuhua Cao,Jianmei LIU,Haidong Ren,Terry James Frankcombe. Владелец: Guangdong Fenghua Advanced Tech Holding Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Doped perovskite barium stannate material with preparation method and application thereof

Номер патента: US20210300827A1. Автор: Yun Liu,Zhenxiao Fu,Shiwo Ta,Xiuhua Cao,Jianmei LIU,Haidong Ren,Terry James Frankcombe. Владелец: Guangdong Fenghua Advanced Tech Holding Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Ternary paraelectric material with space group cc and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210122644A1. Автор: Hyungjun Kim,Chan Kwak,Changsoo LEE,Giyoung JO,Hyeoncheol PARK,Euncheol Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Ternary paraelectric material with space group cc and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230357043A1. Автор: Hyungjun Kim,Chan Kwak,Changsoo LEE,Giyoung JO,Hyeoncheol PARK,Euncheol Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Ternary paraelectric material with space group Cc and method of manufacturing the same

Номер патента: US11858829B2. Автор: Hyungjun Kim,Chan Kwak,Changsoo LEE,Giyoung JO,Hyeoncheol PARK,Euncheol Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Dielectric Materials Using 2D Nanosheet Network Interlayer

Номер патента: US20180323009A1. Автор: Douglas H. Adamson,Zhenhua Cui,Andrey V. Dobrynin. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2018-11-08.

Dielectric materials using 2D nanosheet network interlayer

Номер патента: US11004606B2. Автор: Douglas H. Adamson,Zhenhua Cui,Andrey V. Dobrynin. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2021-05-11.

Dielectric materials for power transfer system

Номер патента: SG176378A1. Автор: Kalaga Murali Krishna,Adnan Kutubuddin Bohori,Somakumar Ramachandrapanicker,Suma Memana Narayana Bhat,Lohit Matani,Jay Chakraborty. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 2011-12-29.

Magnetic materials with high curie temperatures and dielectric constants

Номер патента: US20200027632A1. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Magnetic materials with high curie temperatures and dielectric constants

Номер патента: US20230117745A1. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Magnetic materials with high curie temperatures and dielectric constants

Номер патента: US20240120136A1. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Magnetic materials with high curie temperatures and dielectric constants

Номер патента: US11830647B2. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Ultra-high dielectric constant garnet

Номер патента: US11987531B2. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Low temperature co-fired dielectric material and preparation method thereof

Номер патента: US20210309578A1. Автор: Tao Chen,Yun Liu,Xiaozhou Wang,Zhenxiao Fu,Shiwo Ta,Xiuhua Cao,Terry James Frankcombe,Chunyuan Hu. Владелец: Guangdong Fenghua Advanced Tech Holding Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Dielectric material with ultra-high dielectric constant and preparation method thereof

Номер патента: CN106565234A. Автор: 王妍,钟力生,高景晖,于钦学,刘泳斌,胡兴好. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2017-04-19.

CERAMIC MATERIAL WITH A HIGH DIELECTRIC CONSTANT, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF.

Номер патента: DE3782470T2. Автор: Osamu Furukawa,Seiichi Yoshida,Motomasa Imai,Mitsuo - Suge Jutaku Harata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-04-15.

CERAMIC MATERIAL WITH A HIGH DIELECTRIC CONSTANT, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF.

Номер патента: DE3782470D1. Автор: Osamu Furukawa,Seiichi Yoshida,Motomasa Imai,Mitsuo - Suge Jutaku Harata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-12-10.

Bond termination of pores in a porous carbon dielectric material

Номер патента: WO2007137033A1. Автор: Sadasivan Shankar,Michael Haverty,K.V. Ravi. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-11-29.

Electronic device comprising a dielectric material and methods for the manufacture thereof

Номер патента: US20220165495A1. Автор: Yan Wang,Jeong-Ju Cho,Valentina Lacivita,Ali Hamze. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Dielectric material, device including the same, and method of preparing the dielectric material

Номер патента: US20230162917A1. Автор: Hyeon Cheol PARK,Daejin YANG,Taewon JEONG,Giyoung JO,Doh Won JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Ltcc microwave dielectric material and preparation method thereof

Номер патента: US20210355035A1. Автор: Tao Chen,Kai Cheng,Zhenxiao Fu,Shiwo Ta,Xiuhua Cao. Владелец: Guangdong Fenghua Advanced Tech Holding Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Electronic device comprising a dielectric material and methods for the manufacture thereof

Номер патента: US11848156B2. Автор: Yan Wang,Jeong-Ju Cho,Valentina Lacivita,Ali Hamze. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Gate thin-film insulating material of high dielectric constant and its manufacturing method (alternatives)

Номер патента: RU2305346C2. Автор: Екатерина Дмитриевна Политова,Наталь Владимировна Голубко,Наталья Владимировна Голубко. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИ им. Л.Я. Карпова). Дата публикации: 2007-08-27.

Thin film structure including dielectric material layer, and method of manufacturing the same, and electronic device employing the same

Номер патента: US12071690B2. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Narae HAN,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Thin film structure including dielectric material layer and electronic device including the same

Номер патента: US11532722B2. Автор: Woojin Lee,Eunsun Kim,Yongsung Kim,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-20.

Thin film structure including dielectric material layer, method of manufacturing the same, and electronic device employing the same

Номер патента: US20230399749A1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Bo-eun Park,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Dielectric material, method of preparing the same, and device comprising the dielectric material

Номер патента: US20220246353A1. Автор: Hyeon Cheol PARK,Daejin YANG,Taewon JEONG,Giyoung JO,Doh Won JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-04.

Core-shell particles, magneto-dielectric materials, methods of making, and uses thereof

Номер патента: EP3740957A1. Автор: Kristi Pance,Yajie Chen,Karl Edward Sprentall. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 2020-11-25.

Core-shell particles, magneto-dielectric materials, methods of making, and uses thereof

Номер патента: WO2019143502A1. Автор: Kristi Pance,Yajie Chen,Karl Edward Sprentall. Владелец: Rogers Corporation. Дата публикации: 2019-07-25.

Dielectric material and process for producing the same

Номер патента: US6165927A. Автор: Hitoshi Yokoi,Motohiko Sato,Kazushige Ohbayashi. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-26.

Thin film structure including dielectric material layer, method of manufacturing the same, and electronic device employing the same

Номер патента: US11761089B2. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Bo-eun Park,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Thin film structure including dielectric material layer and electronic device including the same

Номер патента: US20210043749A1. Автор: Woojin Lee,Eunsun Kim,Yongsung Kim,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Thin film structure including dielectric material layer and electronic device including the same

Номер патента: US20230074895A1. Автор: Woojin Lee,Eunsun Kim,Yongsung Kim,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Thin film structure including dielectric material layer and electronic device including the same

Номер патента: US12015073B2. Автор: Woojin Lee,Eunsun Kim,Yongsung Kim,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Dielectric material and device and memory device comprising the same

Номер патента: US20220123102A1. Автор: Daejin YANG,Taewon JEONG,Giyoung JO,Hyeoncheol PARK,Dohwon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Dielectric material, method of preparing the same, and device comprising the same

Номер патента: US11769630B2. Автор: Hyeon Cheol PARK,Daejin YANG,Taewon JEONG,Giyoung JO,Doh Won JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Dielectric material, ceramic electronic device, manufacturing method of dielectric material, and manufacturing method of ceramic electronic device

Номер патента: US11837408B2. Автор: Yasuhiro Matsumoto,Koichiro Morita. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Rechargeable spinel lithium batteries with greatly improved elevated temperature cycle life

Номер патента: CA2308404C. Автор: Yu Wang,Jan Naess Reimers,Michael Gee,Meijie Zhang. Владелец: E One Moli Energy Canada Ltd. Дата публикации: 2011-03-29.

Deposition of rutile films with very high dielectric constant

Номер патента: US9222170B2. Автор: Dipankar Pramanik,Sergey Barabash. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

High dielectric constant type ceramic composition

Номер патента: CA1108842A. Автор: Hitoshi Tanaka,Kiyoshi Furukawa,Nobuaki Kikuchi,Shinobu Fujiwara,Osamu Iizawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1981-09-15.

High-dielectric constant ceramic composite and ceramic capacitor elements

Номер патента: US5059566A. Автор: Osamu Furukawa,Yohachi Yamashita,Hideyuki Kanai,Mitsuo Harata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-10-22.

Linked periodic networks of alternating carbon and inorganic clusters for use as low dielectric constant materials

Номер патента: US20080108774A1. Автор: Michael Raymond Ayers. Владелец: Roskilde Semiconductor Llc. Дата публикации: 2008-05-08.

Dielectric material with non-linear dielectric constant

Номер патента: CA2782792C. Автор: Jimmie R. Baran, Jr.,Ge Jiang,Andrew C. Lottes,Badri Veeraraghavan,Dipankar Ghosh,Paul V. Huynh,Nanayakkara L.D. Somasiri. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2019-06-18.

Dielectric material and electrostatic chucking device

Номер патента: US09944561B2. Автор: Masayuki Ishizuka,Hiroaki Nagatomo. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

High dielectric material composed of sintered body of rare earth sulfide

Номер патента: CA2520699A1. Автор: Kazumasa Igarashi,Yoichiro Uemura,Shinji Hirai,Toshiyuki Nishimura,Shigenori Morita,Michihiro Ohta. Владелец: Muroran Institute Of Technology. Дата публикации: 2004-10-07.

Single phase lead-free cubic pyrochlore bismuth zinc niobate-based dielectric materials and processes for manufacture

Номер патента: US09520207B2. Автор: Susan Trolier-Mckinstry,Elizabeth K. Michael. Владелец: National Science Foundation (NSF). Дата публикации: 2016-12-13.

Devices using low loss dielectric material

Номер патента: US3938064A. Автор: John Thomson, Jr.,Henry Miles O'Bryan, Jr.,James Kevin Pluorde. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1976-02-10.

Ceramic capacitor dielectric material

Номер патента: US09963393B2. Автор: Chun-Wei Chang,Sea-Fue Wang,Yuan-Cheng Lai,Jian-Hua Li,Jue-Wei WENG. Владелец: NATIONAL TAIPEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-05-08.

Modified ni-ti-ta dielectric material for multi-layer ceramic capacitor and low-temperature preparation method thereof

Номер патента: US20230352239A1. Автор: HAO LI,Hongyu YANG,Yanling LUO,Yuanyuan Yang,Xiaozhen LI,Mengjiang XING,QingYang Fan,Yunsheng Zhao. Владелец: Yangtze River Delta Research Institute of UESTC Huzhou. Дата публикации: 2023-11-02.

Modified Ni—Ti—Ta dielectric material for multi-layer ceramic capacitor and low-temperature preparation method thereof

Номер патента: US11854745B2. Автор: HAO LI,Hongyu YANG,Yanling LUO,Yuanyuan Yang,Xiaozhen LI,Mengjiang XING,QingYang Fan,Yunsheng Zhao. Владелец: Yangtze River Delta Research Institute of UESTC Huzhou. Дата публикации: 2023-12-26.

Dielectric material, device including the same, and method of preparing the dielectric material

Номер патента: US20240194407A1. Автор: Sung-Yoon Chung,Ji-Sang An. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-06-13.

Dielectric ceramic composition, dielectric material, and multilayer ceramic capacitor containing the same

Номер патента: US09984825B2. Автор: Doo Young Kim,Chang Hoon Kim,Seok Hyun Yoon,Hyoung Uk Kim,Yun Jung Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Dielectric materials for power transfer system

Номер патента: US09881732B2. Автор: Kalaga Murali Krishna,Lohit Matani. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-01-30.

Glass powder, dielectric material, sintered body, and high frequency circuit member

Номер патента: US11939258B2. Автор: Yoshio Umayahara. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Single phase lead-free cubic pyrochlore bismuth zinc niobate-based dielectric materials and processes for manufacture

Номер патента: US20160318806A1. Автор: Susan Trolier-Mckinstry,Elizabeth K. Michael. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-11-03.

Single phase lead-free cubic pyrochlore bismuth zinc niobate-based dielectric materials and processes for manufacture

Номер патента: US20150325331A1. Автор: Susan Trolier-Mckinstry,Elizabeth K. Michael. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2015-11-12.

Single phase lead-free cubic pyrochlore bismuth zinc niobate-based dielectric materials and processes for manufacture

Номер патента: US9748019B2. Автор: Susan Trolier-Mckinstry,Elizabeth K. Michael. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-08-29.

High-frequency dielectric material

Номер патента: EP2007697A1. Автор: Takahiro Yamakawa,Shi Luo. Владелец: Yokowo Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-31.

Dielectric material having a low dielectric loss factor for high-frequency use

Номер патента: US5885916A. Автор: Koichi Tanaka,Hiroshi Maruyama,Kenichi Tajima,Hideki Uchimura,Shoji Kohsaka. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1999-03-23.

Dielectric material and capacitor comprising the dielectric material

Номер патента: US9847176B2. Автор: Knuth Albertsen,Angela Ellmore. Владелец: Knowles UK Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Dielectric material and capacitor comprising the dielectric material

Номер патента: EP3097573A1. Автор: Knuth Albertsen,Angela Ellmore. Владелец: Syfer Technology Ltd. Дата публикации: 2016-11-30.

Dielectric material and capacitor comprising the dielectric material

Номер патента: EP3982385A1. Автор: Knuth Albertsen,Angela Ellmore. Владелец: Knowles UK Ltd. Дата публикации: 2022-04-13.

Dielectric material, and a condenser made from the same

Номер патента: US5183786A. Автор: Koji Kawakita,Hideyuki Okinaka,Yasuhiko Hakotani,Suzushi Kimura,Seiji Gejima. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1993-02-02.

Dielectric material and electronic component

Номер патента: US09809499B2. Автор: Tomoyuki Ono,Youji Seki,Seiichirou Hirahara,Fumito Furuuchi,Maiko NAGAYOSHI. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Dielectric material

Номер патента: US9378862B2. Автор: Yoshiki Yoshioka,Megumi Ootomo. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2016-06-28.

Dielectric material

Номер патента: US20150340121A1. Автор: Yoshiki Yoshioka,Megumi Ootomo. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Expanded polypropylene bead for forming a dielectric material and dielectric lens member formed by the expanded polypropylene beads

Номер патента: EP1794221A1. Автор: Hisao c/o Kanuma second Plant of JSP Corporation TOKORO,Kazutoshi c/o Kanuma second Plant of JSP Corporation SASAKI,Mitsuru c/o Kanuma second Plant of JSP Corporation SHINOHARA,Masakazu c/o Kanuma second Plant of JSP Corporation SAKAGUCHI,Masatoshi c/o Osaka Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. KURODA,Koichi c/o Osaka Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. KIMURA,Yoshiyuki c/o Osaka Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. ISHIBASHI. Владелец: JSP Corp. Дата публикации: 2007-06-13.

Improvements in or relating to dielectric materials

Номер патента: GB590183A. Автор: . Владелец: GORDON MORTON. Дата публикации: 1947-07-10.

Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation

Номер патента: US4405473A. Автор: Kiyoshi Murase,Masayuki Fujimoto,Nobutatsu Yamaoka. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 1983-09-20.

Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation

Номер патента: US4405475A. Автор: Kiyoshi Murase,Masayuki Fujimoto,Nobutatsu Yamaoka. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 1983-09-20.

Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation

Номер патента: US4405476A. Автор: Kiyoshi Murase,Masayuki Fujimoto,Nobutatsu Yamaoka. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 1983-09-20.

Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation

Номер патента: US4405477A. Автор: Kiyoshi Murase,Nobutatsu Yamaoka,Kazuji Onigata. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 1983-09-20.

PLZT capacitor and method to increase the dielectric constant

Номер патента: US09842695B2. Автор: Manuel Ray Fairchild,Ralph S. Taylor,Tae H. Lee,Uthamalingam Balachjandran. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation

Номер патента: US4405474A. Автор: Kiyoshi Murase,Masayuki Fujimoto,Nobutatsu Yamaoka. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 1983-09-20.

High dielectric constant ceramic material and method of manufacturing the same

Номер патента: US4767732A. Автор: Osamu Furukawa,Seiichi Yoshida,Motomasa Imai,Mitsuo Harata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-08-30.

Ceramic composition of high dielectric constant

Номер патента: CA1188089A. Автор: Takayuki Kuroda,Kaneomi Nagase,Gen Itakura,Takashi Iguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1985-06-04.

Plzt capacitor and method to increase the dielectric constant

Номер патента: EP3244428A3. Автор: Uthamalingam Balachandran,Manuel Ray Fairchild,Ralph S Taylor,Tae H LEE. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-29.

Plzt capacitor and method to increase the dielectric constant

Номер патента: US20170330685A1. Автор: Uthamalingam Balachandran,Manuel Ray Fairchild,Ralph S. Taylor,Tae H. Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-16.

High dielectric constant buried capacitors with extended operating temperature ranges

Номер патента: EP1144326A4. Автор: Barry J Thaler,Hung-Tse D Chen. Владелец: Lamina Ceramics Inc. Дата публикации: 2004-05-12.

High dielectric constant X7R ceramic capacitor, and powder for making

Номер патента: US6043174A. Автор: Galeb H. Maher,Veerabhadrarao Bheemineni. Владелец: MRA Laboratories Inc. Дата публикации: 2000-03-28.

Silicon nitride having low dielectric constant

Номер патента: US4708943A. Автор: Howard Mizuhara,Martin Y. Hsieh. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1987-11-24.

Silicon carbide electrical insulator material of low dielectric constant

Номер патента: US4544642A. Автор: Kunihiro Maeda,Tadahiko Miyoshi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-10-01.

High dielectric constant composite materials and methods of manufacture

Номер патента: US09556321B2. Автор: Randy D. Curry,Kevin O'connor. Владелец: University of Missouri System. Дата публикации: 2017-01-31.

Composite material with high dielectric constant and use in biocompatible devices

Номер патента: US11844881B2. Автор: Randy D. Curry,Kevin O'connor. Владелец: University of Missouri System. Дата публикации: 2023-12-19.

Dielectric materials

Номер патента: US20110281718A1. Автор: Kalaga Murali Krishna,Lohit Matani. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2011-11-17.

Temperature-stable, low-dielectric constant material with an ultra-low loss tangent

Номер патента: US12065381B2. Автор: Michael David Hill,Srinivas Polisetty. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Low temperature co-fireable dielectric materials

Номер патента: US20240030577A1. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank,Jianzhong Jiang,Jeffrey Alan Shunkwiler,David Martin Firor,Neil Bruce Coats. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Enhanced Q high dielectric constant material for microwave applications

Номер патента: US09755293B2. Автор: Michael David Hill. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Enhanced q high dielectric constant material for microwave applications

Номер патента: US20150158771A1. Автор: Michael David Hill. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-06-11.

Enhanced q high dielectric constant material for microwave applications

Номер патента: EP3077349A1. Автор: Michael David Hill. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-10-12.

Enhanced q high dielectric constant material for microwave applications

Номер патента: WO2015085270A1. Автор: Michael David Hill. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2015-06-11.

Impedance matching in very high dielectric constant isolator/circulator junctions

Номер патента: US09935351B2. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank,Iain Alexander MACFARLANE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Impedance matching in very high dielectric constant isolator/circulator junctions

Номер патента: US09640849B2. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank,Iain Alexander MACFARLANE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Low dielectric constant ceramic substrate

Номер патента: US4891344A. Автор: Masahiro Sugimoto,Yasumasa Wakasugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-01-02.

Impedance matching in very high dielectric constant isolator/circulator junctions

Номер патента: US20180323486A1. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank,Iain Alexander MACFARLANE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Dielectric material and dielectric material production method

Номер патента: US11890799B2. Автор: Wei Li,Chunhui Shang,Hongzhen Zheng,Yongchao Lu,Yaozhi SUN. Владелец: FOSHAN EAHISON COMMUNICATION Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Dielectric material and dielectric material production method

Номер патента: US20220297364A1. Автор: Wei Li,Chunhui Shang,Hongzhen Zheng,Yongchao Lu,Yaozhi SUN. Владелец: FOSHAN EAHISON COMMUNICATION Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Electromagnetic dielectric material and method for producing electromagnetic dielectric material

Номер патента: EP4020500A1. Автор: Wei Li,Chunhui Shang,Hongzhen Zheng,Yongchao Lu,Yaozhi SUN. Владелец: FOSHAN EAHISON COMMUNICATION Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-29.

Dielectric material and dielectric material production method

Номер патента: EP4020713A1. Автор: Wei Li,Chunhui Shang,Hongzhen Zheng,Yongchao Lu,Yaozhi SUN. Владелец: FOSHAN EAHISON COMMUNICATION Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-29.

Use of organic and organometallic high dielectric constant material for improved energy storage devices and associated methods

Номер патента: US8929054B2. Автор: Zakaryae Fathi,John James Felten,Joseph H. Simmons,James Elliott Clayton. Владелец: CLEANVOLT ENERGY Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Activation of protected cross-linking catalysts during formation of dielectric materials

Номер патента: US20180236440A1. Автор: David J. Michalak,James M. Blackwell,Marie KRYSAK,Jeffery D. Bielefeld,Jessica M. TORRES. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Low dielectric materials

Номер патента: US09455067B2. Автор: Li-Chun Chen,Meng-Song Yin. Владелец: ITEQ Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Dielectric material for plasma display panel and glass plate for plasma display panel

Номер патента: US20110230330A1. Автор: Hiroshi Oshima,Yoshiro Kitamura,Kumiko Kondo,Hiroyuki Oshita,Haruka Taniguchi. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Dielectric Material for Plasma Display Panel, and method of preparing the same

Номер патента: EP2056329A3. Автор: Sung-Hune c/o Legal & IP Team Samsung SDI Co. Ltd Yoo. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-17.

An artificial dielectric material and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP2229710A1. Автор: Serguei Matitsine. Владелец: Matsing Pte Ltd. Дата публикации: 2010-09-22.

Dielectric materials for power transfer systems

Номер патента: US09954580B2. Автор: Kalaga Murali Krishna,Lohit Matani. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-04-24.

Thermosetting aromatic dielectric material

Номер патента: US20060223898A1. Автор: James Economy,Yongqing Huang. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2006-10-05.

Method of controlling specific inductive capacity, dielectric material, mobile phone and human phantom model

Номер патента: EP1829933A1. Автор: Kazuhisa KK Fine Rubber Kenkyuusho TAKAGI,Yuko KK Fine Rubber Kenkyuusho TAKAMI,Yuji KK Fine Rubber Kenkyuusho KOYAMASHITA. Владелец: Fine Rubber Kenkyusho KK. Дата публикации: 2007-09-05.

Hydrogen free amorphous silicon as insulating dielectric material for superconducting quantum bits

Номер патента: US20170069819A1. Автор: Xiao Liu,Thomas H. Metcalf,Daniel R. Queen,Glenn G. Jernigan,Frances Hellman,Matthew R. Abernathy. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-09.

Hydrogen free amorphous silicon as insulating dielectric material for superconducting quantum bits

Номер патента: US09741921B2. Автор: Xiao Liu,Thomas H. Metcalf,Daniel R. Queen,Glenn G. Jernigan,Frances Hellman,Matthew R. Abernathy. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-08-22.

Composite dielectric material doped with rare earth metal oxide and manufacturing method thereof

Номер патента: US8546798B2. Автор: Sudip Mukherjee,Ching-Hsuan Chen,Hung-duen Yang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2013-10-01.

Dielectric material with enhanced breakdown strength

Номер патента: EP3207546A1. Автор: Andrew C. Lottes,William L. Taylor,Nanayakkara L. D. Somasiri,Levent Biyikli,Paul V. Huynh,Carl E. FISHER. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-08-23.

Composite Dielectric Material Doped with Rare Earth Metal Oxide and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130221349A1. Автор: Sudip Mukherjee,Ching-Hsuan Chen,Hung-duen Yang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2013-08-29.

Composite dielectric material doped with rare earth metal oxide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130224966A1. Автор: Sudip Mukherjee,Ching-Hsuan Chen,Hung-duen Yang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2013-08-29.

Composite dielectric material doped with rare earth metal oxide and manufacturing method thereof

Номер патента: US8551811B2. Автор: Sudip Mukherjee,Ching-Hsuan Chen,Hung-duen Yang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2013-10-08.

Composite dielectric material doped with rare earth metal oxide and manufacturing method thereof

Номер патента: US8552426B2. Автор: Sudip Mukherjee,Ching-Hsuan Chen,Hung-duen Yang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2013-10-08.

Composite dielectric material doped with rare earth metal oxide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110253996A1. Автор: Sudip Mukherjee,Ching-Hsuan Chen,Hung-duen Yang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2011-10-20.

Elastomer composites with high dielectric constant

Номер патента: US20200035376A1. Автор: Evangelos Manias,Bo Li,David Eric RYAN. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Elastomer composites with high dielectric constant

Номер патента: PH12018502267A1. Автор: Evangelos Manias,Bo Li,David Eric RYAN. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2019-09-23.

Novel dielectric material

Номер патента: US20190304635A1. Автор: Satoshi Yamashita,Takumi KONNO. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2019-10-03.

Low dielectric materials and methods for making same

Номер патента: EP1464410A1. Автор: John Francis Kirner,James Edward MacDougall,Scott Jeffrey Weigel,Martha Jean Collins,Brian Keith Peterson,Lisa A. Deis. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2004-10-06.

Polysiloxane compositions and elastomeric materials with high dielectric permeability based thereon

Номер патента: RU2767650C1. Автор: Сергей Анатольевич Пономаренко,Азиз Мансурович Музафаров,Виталий Георгиевич Шевченко,Михаил Юрьевич Яблоков,Надежда Андреевна Тебенева,Иван Борисович Мешков,Павел Евгеньевич Ивашкин,Мария Сергеевна Паршина,Александр Николаевич Тарасенков,Александра Александровна Калинина,Аскольд Альбертович Труль,Алина Гайфетдиновна Хмельницкая,Елена Валерьевна Агина,Игорь Васильевич Безсуднов,Никита Олегович Алпатов. Владелец: Публичное акционерное общество «СИБУР Холдинг». Дата публикации: 2022-03-18.

Elastomer composites with high dielectric constant

Номер патента: CA3022105C. Автор: Evangelos Manias,Bo Li,David Eric RYAN. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Low dielectric constant insulating film resin composition, method of forming low dielectric constant insulating film, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20010036689A1. Автор: Masakazu Muroyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Negative dielectric constant material based on ion conducting materials

Номер патента: US20140287904A1. Автор: Cheol Park,Peter T. Lillehei,Joycelyn S. Harrison,Jin Ho Kang,Keith L. Gordon. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2014-09-25.

Glass ceramic materials having controllable temperature coefficients of dielectric constant

Номер патента: US4396721A. Автор: William N. Lawless. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-08-02.

Negative dielectric constant material based on ion conducting materials

Номер патента: US9734932B2. Автор: Cheol Park,Peter T. Lillehei,Joycelyn S. Harrison,Jin Ho Kang,Keith L. Gordon. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2017-08-15.

Composition for forming low dielectric constant resin, low dielectric member, and electronic device using same

Номер патента: EP4239000A1. Автор: Takeshi Fujiwara,Koki Sago. Владелец: JNC Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Process for lowering the dielectric constant of polyimides using diamic acid additives

Номер патента: CA1334362C. Автор: Diane M. Stoakley,Anne K. St. Clair. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1995-02-14.

Low-dielectric constant polyimide insulation coating and enameled wire

Номер патента: US20180053580A1. Автор: Wei-Fang Su,Ya-Ting Chang,Chi-Feng Hung,Ting-I Lu,Ying-Ju Lin,Ming-Han Chiang,Hui-Ju Tsai. Владелец: Ta Ya Electric Wire and Cable Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Corrosion inhibitor and metallic material with treated surface

Номер патента: RU2470094C2. Автор: Тацуя ХАСЕ,Макото МИЗОГУТИ. Владелец: Сумитомо Вайеринг Системс, Лтд.. Дата публикации: 2012-12-20.

Low dielectric constant materials and methods of preparation thereof

Номер патента: EP1373358A1. Автор: Kreisler Honeywell International Inc. LAU,Feng Quan Honeywell International Inc. LIU,Boris Honeywell International Inc. KOROLEV,Emma Honeywell International Inc. BROUK,Ruslan Honeywell International Inc. ZHEREBIN,Roger Honeywell International Inc. LEUNG,David Honeywell International Inc. NALEWAJEK,Paul HONEYWELL INTERNATIONAL INC. APEN. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

Porous dielectric material

Номер патента: US20230216164A1. Автор: Heli Jantunen,Mikko NELO,Henrikki Liimatainen,Sami MYLLYMÄKI,Olli Pitkänen,Krisztian KORDAS,Petra PALVÖLGYI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-06.

Dielectric material forming methods and enhanced dielectric materials

Номер патента: US20030045048A1. Автор: Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Methods for forming low-k dielectric materials

Номер патента: US20240363337A1. Автор: Muthukumar Kaliappan,Li-Qun Xia,Xiaobo Li,Chi-I Lang,Shankar Venkataraman,Bo Xie,Michael Haverty,Shanshan Yao,Rui Lu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods for forming low-κ dielectric materials

Номер патента: WO2024226342A1. Автор: Muthukumar Kaliappan,Li-Qun Xia,Xiaobo Li,Chi-I Lang,Shankar Venkataraman,Bo Xie,Michael Haverty,Shanshan Yao,Rui Lu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-31.

Low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric material characterized by improved resistance to oxidation

Номер патента: US20030207750A1. Автор: Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Methods and compositions for dielectric materials

Номер патента: US7981504B2. Автор: Kevin G. Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-19.

Plasma enhanced atomic layer deposition of dielectric material upon oxidizable material

Номер патента: US20240332071A1. Автор: Reken Patel,Xiaoye Qin,Sunzida Ferdous,Alireza Narimannezhad,Vladislav Kamysbayev. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Dielectric material for transducer, method for manufacturing the same, and transducer including the same

Номер патента: US20160300640A1. Автор: Shinji Kumagai,Shigeaki Takamatsu. Владелец: Sumitomo Riko Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Methods and apparatus for curing dielectric material

Номер патента: WO2021003031A1. Автор: Yang Yang,Srinivas D. Nemani,Kartik Ramaswamy,Bhargav S. CITLA,Joshua RUBNITZ,Jethro Tannos. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-01-07.

High temperature dielectric materials, method of manufacture thereof and articles comprising the same

Номер патента: US20180286587A1. Автор: QI Li,Qing Wang. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-10-04.

Methods and apparatus for depositing dielectric material

Номер патента: US11972943B2. Автор: Bhargav S. CITLA,Srinivas D Nemani,Joshua RUBNITZ,Jethro Tannos. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

High-throughput deposition of a voltage-tunable dielectric material

Номер патента: US20160351655A1. Автор: Marina Zelner,Andrew Vladimir Claude Cervin,Susan Nagy,James Dilorenzo. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Dielectric Material Layer, Surface Treatment Method, Package Substrate, and Electronic Device

Номер патента: US20240250016A1. Автор: Zihao Liu,Xueping Guo. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

High-throughput deposition of a voltage-tunable dielectric material

Номер патента: US09490314B1. Автор: Marina Zelner,Andrew Vladimir Claude Cervin,Susan Nagy,James Dilorenzo. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Layered structure with high dielectric constant for use with active matrix backplanes

Номер патента: US11921394B2. Автор: Cristina Visani. Владелец: Nuclera Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Layered structure with high dielectric constant for use with active matrix backplanes

Номер патента: EP3963396A1. Автор: Teck Ping SIM,Kenneth R. Crounse,Stephen J. Telfer,Kosta Ladavac,Timothy J. O'malley,Cristina Visani. Владелец: E Ink Corp. Дата публикации: 2022-03-09.

Layered structure with high dielectric constant for use with active matrix backplanes

Номер патента: US20220390806A1. Автор: Cristina Visani. Владелец: Nuclera Nucleics Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Layered structure with high dielectric constant for use with active matrix backplanes

Номер патента: US20240201556A1. Автор: Cristina Visani. Владелец: Nuclera Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Non-thermal process for forming porous low dielectric constant films

Номер патента: EP1420439A3. Автор: Mark Leonard O'Neill,Eugene Joseph Karwacki, Jr.,Raymond Nicholas Vrtis,Jean Louise Vincent,Aaron Scott Lukas,Mark Daniel Bitner. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2006-04-26.

Non-thermal process for forming porous low dielectric constant films

Номер патента: EP1420439A2. Автор: Mark Leonard O'Neill,Eugene Joseph Karwacki, Jr.,Raymond Nicholas Vrtis,Jean Louise Vincent,Aaron Scott Lukas,Mark Daniel Bitner. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2004-05-19.

Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates

Номер патента: US20050173374A1. Автор: Gang Zhang,Adam Cohen,Kieun Kim,Uri Frodis,Dennis Smalley,Michael Lockard,Qui Le,Dale McPherson. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2005-08-11.

Methods for seamless gap filling of dielectric material

Номер патента: US11830728B2. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Xianmin Tang,Bo Xie,Ruitong Xiong,Chengyu Liu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Solvent systems for polymeric dielectric materials

Номер патента: US20020183476A1. Автор: Tadashi Nakano,Oana Leonte,Kreisler Lau,Kelly Beres. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Method and composition for removing resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper, metal hardmask and low-k dielectric material

Номер патента: US09972485B2. Автор: Hua Cui. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated Circuit Substrate Containing Photoimageable Dielectric Material and Method of Producing Thereof

Номер патента: US20180209046A1. Автор: Poh Cheng Ang,Loke Chew Low,Linhui Yuan. Владелец: Twisden Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

An integrated circuit substrate containing photoimageable dielectric material and method of producing thereof

Номер патента: MY182410A. Автор: Poh Cheng Ang,Loke Chew Low,Linhui Yuan. Владелец: Twisden Ltd. Дата публикации: 2021-01-25.

Materials and methods for forming hybrid organic-inorganic dielectric materials

Номер патента: WO2003057702A2. Автор: Arto L. T. Maaninen,Tiina J. Maaninen,Jarkko J. Pietikainen,Juha T. Rantala. Владелец: Silecs, Inc.. Дата публикации: 2003-07-17.

High-throughput deposition of a voltage-tunable dielectric material

Номер патента: CA2931814C. Автор: Marina Zelner,Susan C. Nagy,Andrew Vladimir Claude Cervin,James Dilorenzo. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Aqueous polishing composition and method for chemical-mechanical polishing of substrates, having structured or unstructured dielectric layers with low dielectric constant

Номер патента: RU2589482C2. Автор: Виджай Иммануэль РАМАН,Франк РИТТИГ,Юйчжо ЛИ,Вей Лан Уильям ЧИУ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-07-10.

Selective deposition of a barrier layer on a dielectric material

Номер патента: US6939801B2. Автор: Ling Chen,Vincent W. Ku,Hua Chung,Michael X. Yang,Gongda Yao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Fabrication of porogen residues free low-k materials with improved mechanical and chemical resistance

Номер патента: US20120052692A1. Автор: Quoc Toan Le,Mikhaïl Baklanov,Patrick Verdonck,Laurent Souriau. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-03-01.

Dielectric having high-dielectric constant, method of manufacturing the same, target material for manufacturing the dielectric, electronic device including the dielectric, and electronic apparatus including the electronic device

Номер патента: US20230178584A1. Автор: Hyungjun Kim,Jooho Lee,Yongsung Kim,Yong-hee Cho,Boeun PARK,Jeongil BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Method and composition for removing resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper, metal hardmask and low-k dielectric material

Номер патента: US20160247672A1. Автор: Hua Cui. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Method for curing low dielectric constant film using direct current bias

Номер патента: WO2004063422A2. Автор: Li-Qun Xia,Maosheng Zhao,Juan Carlos Rocha-Alvarez,Lihua Li,Tzu-Fang Huang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2004-07-29.

Low dielectric constant siliceous film manufacturing composition and methods for producing cured film and electronic device using the same

Номер патента: WO2021028297A1. Автор: Kensuke Aida,Kazuya Arima,Issei Sakurai. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2021-02-18.

Method for forming a region of low dielectric constant nanoporous material using a microemulsion technique

Номер патента: US20030092251A1. Автор: Wang Yang,Lap Chan,Alex See,Soo Pheng,Siew Kong. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-05-15.

Substrate with a low dielectric constant material and method of molding

Номер патента: WO2015171584A1. Автор: Mary Elizabeth Sullivan Malervy,Josh Harris Golden,Aleksandar Kolev ANGELOV. Владелец: TYCO ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-12.

Method for reducing dielectric constant of film using direct plasma of hydrogen

Номер патента: US20130029498A1. Автор: Akinori Nakano. Владелец: ASM Japan KK. Дата публикации: 2013-01-31.

Low dielectric constant polymer containing dinaphthyl and hexafluorocyclobutyl ether unit, preparation method and use

Номер патента: US09518151B2. Автор: Chao Yuan,Kai Li,Yingchun Liu,Qiang Fang,Kaikai JIN,Shen DIAO. Владелец: Shanghai Institute of Organic Chemistry of CAS. Дата публикации: 2016-12-13.

Low dielectric constant film and preparation method thereof

Номер патента: US11904352B2. Автор: Jian Zong. Владелец: Jiangsu Favored Nanotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

An ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device

Номер патента: WO2004001815A1. Автор: Vishnubhai V. Patel,Alfred Grill. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2003-12-31.

Low dielectric constant materials and method

Номер патента: US6051321A. Автор: HUI Wang,Chung J. Lee,Giovanni Antonio Foggiato. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2000-04-18.

Plasma processes for depositing low dielectric constant films

Номер патента: EP1607493A3. Автор: Wai-Fan Yau,David Cheung,Yung-Cheng Lu,Farhad Moghadam,Shin-puu Jeng,Robert P. Mandal,Kuo-Wei Liu,Ralf B. Willecke,Tetsuya Ishikawa,Mike Barnes,Tze Poon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-07-04.

Low dielectric constant siliceous film manufacturing composition and methods for producing cured film and electronic device using the same

Номер патента: EP4010441A1. Автор: Kensuke Aida,Kazuya Arima,Issei Sakurai. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2022-06-15.

Low dielectric constant siliceous film manufacturing composition and methods for producing cured film and electronic device using the same

Номер патента: US20220267532A1. Автор: Kensuke Aida,Kazuya Arima,Issei Sakurai. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2022-08-25.

Hydrophobic Low-Dielectric-Constant Film and Preparation Method Therefor

Номер патента: MY196443A. Автор: Jian Zong. Владелец: Jiangsu Favored Nanotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

Method for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials

Номер патента: EP1536035A3. Автор: Bing Ji,Stephen Andrew Motika,Dingjun Wu,Eugene Joseph Karwacki Jr.. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2005-07-13.

Thermal CVD process for depositing a low dielectric constant carbon-doped silicon oxide film

Номер патента: EP1050600A1. Автор: Frederic Gaillard,Li-Qun Xia,Fabrice Geiger,Ellie Yieh,Tian Lim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-11-08.

Solvent systems for low dielectric constant polymeric materials

Номер патента: WO1999038910A1. Автор: Tian-An Chen,Kreisler S. Y. Lau,Qiang Zhao. Владелец: Alliedsignal, Inc.. Дата публикации: 1999-08-05.

Polycarbosilane adhesion promoters for low dielectric constant polymeric materials

Номер патента: EP1243003A1. Автор: Tian-An Chen,Hui-Jung Wu,Anna M. George,Lau S. Y. Kreistler. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 2002-09-25.

Methods for manufacturing high dielectric constant film

Номер патента: WO2009154836A3. Автор: Yi Ma,Khaled Z. Ahmed,Pravin K. Narwankar,Shreyas S. Kher. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-03-25.

Methods for manufacturing high dielectric constant film

Номер патента: WO2009154836A2. Автор: Yi Ma,Khaled Z. Ahmed,Pravin K. Narwankar,Shreyas S. Kher. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-12-23.

Low dielectric constant films derived by sol-gel processing of a hyperbranched polycarbosilane

Номер патента: WO2004003938A2. Автор: Ning Lu,Leonard Vincent Interrante. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 2004-01-08.

Liquid crystal component module and method of controlling dielectric constant

Номер патента: US7929067B2. Автор: Yasuyuki Irie. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2011-04-19.

Selective high dielectric constant material etchant

Номер патента: EP1828070A2. Автор: John Starzynski. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-09-05.

Semiconductor device includes gate insulating film having a high dielectric constant

Номер патента: US6949425B2. Автор: Mariko Takayanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-27.

Semiconductor device includes gate insulating film having a high dielectric constant

Номер патента: US6664577B2. Автор: Mariko Takayanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-12-16.

Method of forming a high dielectric constant film and method of forming a semiconductor device

Номер патента: EP1913629A1. Автор: Christian Dussarrat,Satoshi Kamiyama,Kazutaka Yaganita. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2008-04-23.

Thermoplastic compositions with ultra-high dielectric constant for nano molding technology (nmt) applications

Номер патента: EP4413082A1. Автор: Jian Wang,Yun ZHENG. Владелец: SHPP Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-08-14.

Method of forming low dielectric constant insulation film for semiconductor device

Номер патента: US20030124874A1. Автор: Nobuo Matsuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Low dielectric constant films derived by sol-gel processing of a hyperbranched polycarbosilane

Номер патента: WO2004003938A3. Автор: Ning Lu,Leonard Vincent Interrante. Владелец: Leonard Vincent Interrante. Дата публикации: 2004-06-24.

Method for forming low dielectric constant fluorine-doped layers

Номер патента: US7579271B2. Автор: Ting Cheong Ang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-08-25.

Thermoplastic Compositions With Ultra-High Dielectric Constant for Nano Molding Technology (NMT) Applications

Номер патента: US20240327634A1. Автор: Jian Wang,Yun ZHENG. Владелец: SHPP Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-10-03.

Very low dielectric constant plasma-enhanced CVD films

Номер патента: US20050153574A1. Автор: Robert Mandal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-14.

Electron beam modification of CVD deposited films, forming low dielectric constant materials

Номер патента: US7309514B2. Автор: Matthew Ross,Jingjun Yang,Heike Thompson. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

High dielectric constant metal silicates formed by controlled metal-surface reactions

Номер патента: EP1301941A2. Автор: James J. Chambers,Gregory N. Parsons,M. Jason Kelly. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2003-04-16.

Patternable low dielectric constant materials and their use in ulsi interconnection

Номер патента: US20080063880A1. Автор: Qinghuang Lin,Ratnam Sooriyakumaran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

A method of producing semiconductor devices comprising low dielectric constant thin films

Номер патента: WO2024079392A1. Автор: Juha Rantala,Thomas GÄDDA,Kimmo Karaste,Jagadish SALUNKE,Hanna LUUSUA,Zhongmei HAN. Владелец: Pibond Oy. Дата публикации: 2024-04-18.

Porogens, Porogenated Precursors and Methods for Using the Same to Provide Porous Organosilica Glass Films with Low Dielectric Constants

Номер патента: US20130095255A1. Автор: Mark Leonard O'Neill,Raymond Nicholas Vrtis,Mary Kathryn Haas,Jean Louise Vincent,Aaron Scott Lukas. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Layered structure with high dielectric constant for use with active matrix backplanes

Номер патента: US20230288772A1. Автор: Teck Ping SIM,Kenneth R. Crounse,Stephen J. Telfer,Kosta Ladavac,Timothy J. O'malley,Cristina Visani. Владелец: E Ink Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Electrical connector formed from a polymer composition having a low dielectric constant and dissipation factor

Номер патента: WO2021050220A1. Автор: Young Shin Kim,Xinyu Zhao. Владелец: Ticona LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

Antenna cover including a polymer composition having a low dielectric constant and dissipation factor

Номер патента: WO2021096577A1. Автор: XIANG Yuan,Young Shin Kim,Xiao Xun Xie. Владелец: Ticona LLC. Дата публикации: 2021-05-20.

Antenna cover including a polymer composition having a low dielectric constant and dissipation factor

Номер патента: EP4059089A1. Автор: XIANG Yuan,Young Shin Kim,Xiao Xun Xie. Владелец: Ticona LLC. Дата публикации: 2022-09-21.

Dielectric material with a reduced dielectric constant and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20080054487A1. Автор: Louis Hsu,Chih-Chao Yang,Jack Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Porous materials with embedded nanoparticles, preparation methods and use thereof

Номер патента: RU2410402C2. Автор: Александр Метталинович Тишин,Самед Вейсалкара Оглы Халилов. Владелец: Самед Вейсалкара Оглы Халилов. Дата публикации: 2011-01-27.

Spin-glass magnetic material with the content of itterbia

Номер патента: RU2647544C1. Автор: Герман Антонович Петраковский,Тамара Васильевна Дрокина,Дмитрий Анатольевич Великанов,Максим Сергеевич Молокеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2018-03-16.

Dielectric material

Номер патента: US12091538B2. Автор: Chee Keong Tee,Yu Jun TAN. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-09-17.

A dielectric material

Номер патента: US20220325089A1. Автор: Chee Keong Tee,Yu Jun TAN. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2022-10-13.

Dielectric materials having low dielectric constants and methods for their manufacture

Номер патента: GB2171356B. Автор: Daniel D Johnson. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 1989-08-23.

Mononuclear star-branched polymer dielectric material and organic thin film transistor

Номер патента: US7928430B2. Автор: Shu-Hua Chan,Feng-Yu Yang,Yu-Rung Peng,Wei-Yang Chou,Yu-Shen Mai,Mee-Yu Hsu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-04-19.

Dielectric material with non-halogenated curing agent

Номер патента: EP2497347A2. Автор: Joel S. Peiffer. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2012-09-12.

Dielectric material with non-halogenated curing agent

Номер патента: US20110108309A1. Автор: Joel S. Peiffer. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2011-05-12.

Iron-based material having excellent oxidation resistance at elevated temperatures and process for the production thereof

Номер патента: US5631090A. Автор: Hideo Miyake,Minoru Saito,Yasushi Fukui,Atsushi Ando,Yoshikazu Morita,Masanori Matsuno,Masahiko Souda. Владелец: Nisshin Steel Co Ltd. Дата публикации: 1997-05-20.

Low dielectric constant curable compositions

Номер патента: US12116494B2. Автор: John P. Baetzold,Claire Hartmann-Thompson,Evan L Schwartz. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2024-10-15.

Carbon Graphene Compound Additive to Eliminate ESD and EMI, and Also Manipulate Dielectric Constant

Номер патента: US20210185866A1. Автор: Ving Dee Pu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

Low dielectric constant polymer containing dinaphthyl and hexafluorocyclobutyl ether unit, preparation method and use

Номер патента: US20160060394A1. Автор: Chao Yuan,Kai Li,Qiang Fang,Yinchun LIU,Kaikai JIN,Shen DIAO. Владелец: Shanghai Institute of Organic Chemistry of CAS. Дата публикации: 2016-03-03.

Package structure having solder mask layer with low dielectric constant and method of fabricating the same

Номер патента: US20220240367A1. Автор: Kuo-Wei Li,Ming-Hao Wu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Poly(p-xylylene)-based polymer having low dielectric constant and low-loss property and insulating material, printed circuit board and functional element using the same

Номер патента: US8829155B2. Автор: Andreas Greiner,Moon-Soo Park,Do-Yeung Yoon,Jun-Rok Oh,Jae-Choon Cho,Keun-Yong Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-09.

Substrate containing low-Dk-core glass fibers having low dielectric constant (Dk) cores for use in printed circuit boards (PCBs), and method of making same

Номер патента: US09986637B2. Автор: Joseph Kuczynski,Bruce J. Chamberlin,Paula M. Nixa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Substrate containing low-Dk-core glass fibers having low dielectric constant (Dk) cores for use in printed circuit boards (PCBs), and method of making same

Номер патента: US09456496B2. Автор: Joseph Kuczynski,Bruce J. Chamberlin,Paula M. Nixa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Fluorinated resins with low dielectric constant

Номер патента: US5405677A. Автор: James R. Griffith,Henry S. W. Hu. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1995-04-11.

Poly(p-xylylene)-based polymer having low dielectric constant and low-loss property and insulating material, printed circuit board and functional element using the same

Номер патента: US20100048858A1. Автор: Andreas Greiner,Moon-Soo Park,Do-Yeung Yoon,Jun-Rok Oh,Jae-Choon Cho,Keun-Yong Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-25.

SUBSTRATE CONTAINING LOW-Dk-CORE GLASS FIBERS HAVING LOW DIELECTRIC CONSTANT (Dk) CORES FOR USE IN PRINTED CIRCUIT BOARDS (PCBs), AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20160242280A1. Автор: Joseph Kuczynski,Bruce J. Chamberlin,Paula M. Nixa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Method used for formation of the electromagnetic radiation with the high intensity of the field and treatment of the materials with its help, for example, softening of the multiphase materials

Номер патента: RU2318028C2. Автор: Самюэль Уилль м КИНГМАН,Самюэль Уилльям КИНГМАН. Владелец: Дзе Юниверсити Оф Ноттингем. Дата публикации: 2008-02-27.

Method of obtaining light-absorbing material with perovskite structure

Номер патента: RU2646671C1. Автор: Евгений Алексеевич Гудилин,Андрей Андреевич Петров,Алексей Борисович Тарасов,Николай Андреевич Белич,Алексей Юрьевич Гришко. Владелец: Акционерное общество "ЕвроСибЭнерго". Дата публикации: 2018-03-06.

METHOD OF MAKING AN ELECTRICAL STRESS CONTROL DEVICE HAVING A DIELECTRIC MATERIAL WITH NON-LINEAR DIELECTRIC CONSTANT

Номер патента: US20150108414A1. Автор: Baran,JR. Jimmie R.,Somasiri Nanayakkara L.D.,Lottes Andrew C.,Huynh Paul V.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

DIELECTRIC MATERIAL WITH NON-LINEAR DIELECTRIC CONSTANT

Номер патента: US20150137047A1. Автор: Baran,JR. Jimmie R.,Ghosh Dipankar,Somasiri Nanayakkara L.D.,Veeraraghavan Badri,Lottes Andrew C.,Huynh Paul V.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Dielectric material with non-linear dielectric constant

Номер патента: US8974706B2. Автор: Jimmie R. Baran, Jr.,Ge Jiang,Andrew C. Lottes,Badri Veeraraghavan,Dipankar Ghosh,Nanayakkara L. D. Somasiri,Paul V. Huynh. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2015-03-10.

Lightly donor-doped electrodes for materials with a high dielectric constant

Номер патента: DE69404189T2. Автор: Scott R Summerfelt,Howard R Beratan,Bruce Gnade. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-01-08.

Improvements in and relating to titanium dioxide dielectric materials

Номер патента: GB594802A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1947-11-19.

Microwave dielectric ceramic material with low dielectric constant and low density and preparation method thereof

Номер патента: NL2030388B1. Автор: Huang Jin,ZHANG Hailin,Chen Xiuli,Zhou Huanfu. Владелец: Univ Guilin Technology. Дата публикации: 2023-07-07.

Vertical metal insulator metal capacitor having a high-k dielectric material

Номер патента: US09911732B2. Автор: Tien-I Bao,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Circuit structure with low dielectric constant regions

Номер патента: US8772941B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Matthew E. Colburn,Wai-Kin Li,Louis C. Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-08.

Circuit Structure with Low Dielectric Constant Regions

Номер патента: US20090008791A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Wai-Kin Li,Louis C. Hsu,Mathew E. Colburn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for forming a porous dielectric material layer in a semiconductor device and device formed

Номер патента: US6831364B2. Автор: Kenneth Parker Rodbell,Sampath Purushothaman,Robert Rosenberg,Satyanarayana V. Nitta,Timothy Joseph Dalton,Jeffrey Curtis Hedrick,Stephen Edward Greco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-14.

Dielectric material with a reduced dielectric constant and methods of manufacturing the same

Номер патента: TW200805490A. Автор: Chih-Chao Yang,Jack Allan Mandelman,Lu-Chen Louis Hsu. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2008-01-16.

Electrical connector with dielectric properties suitable for high speed data transmission

Номер патента: US20200006878A1. Автор: Joon Lee,Scott P. Cohen,Eric J. Smoll,Bao Q. Le,Gerald A. Rhinehart, Jr.. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Polytetrafluoroethylene-based ceramic composite material with near-zero dielectric constant temperature coefficient and preparation method thereof

Номер патента: CN109437663B. Автор: 唐斌,袁颖,张树人,钟朝位,罗福川. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-07-09.

Efficient microwave preparation method with one-step simultaneous reduction/embedding and application of metal monatomic-doped reduced graphene oxide dielectric material

Номер патента: US12110230B2. Автор: Yanan Liu,Yaqing Liu,Guizhe Zhao,Chaoyang Wu. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2024-10-08.

Inorganic mesoporous materials with chiral nematic structures and preparation method thereof

Номер патента: CA2795375C. Автор: Hao Qi,Wadood Yasser Hamad,Mark John Maclachlan,Kevin Eric Shopsowitz. Владелец: FPINNOVATIONS. Дата публикации: 2014-09-23.

Efficient microwave preparation method with one-step simultaneous reduction/embedding and application of metal monatomic-doped reduced graphene oxide dielectric material

Номер патента: US20240174518A1. Автор: Yanan Liu,Yaqing Liu,Guizhe Zhao,Chaoyang Wu. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2024-05-30.

Super dielectric materials

Номер патента: US09530574B1. Автор: Jonathan Phillips,Samuel Salvadore Fromille. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-12-27.

Electrolyser including a "nucleus-shell" cell with a nucleus based on low-permittivity dielectric materials

Номер патента: WO2011080789A1. Автор: Vito Di Noto,Enrico Negro,Sergio Bongiovanni,Aldo Bongiovanni,Enrico Bongiovanni,Marco Cagliari. Владелец: Strumenti Scientifici Cinel Srl. Дата публикации: 2011-07-07.

Electrolyser including a "nucleus-shell" cell with a nucleus based on low-permittivity dielectric materials

Номер патента: EP2519661A1. Автор: Vito Di Noto,Enrico Negro,Sergio Bongiovanni,Aldo Bongiovanni,Enrico Bongiovanni,Marco Cagliari. Владелец: Strumenti Scientifici Cinel Srl. Дата публикации: 2012-11-07.

Polyphenylene oxide dielectric material with improved dielectric constant

Номер патента: GB1105344A. Автор: Arthur Katchman. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1968-03-06.

Use of organic and organometallic high dielectric constant material for improved energy storage devices and associated methods

Номер патента: EP2596508A2. Автор: Zakaryae Fathi,John James Felten,Joseph H. Simmons,James Elliot Clayton. Владелец: CLEANVOLT ENERGY Inc. Дата публикации: 2013-05-29.

Dielectric material containing dipolar molecules

Номер патента: WO1994016455A1. Автор: William George McMillan. Владелец: Maxwell Laboratories, Inc.. Дата публикации: 1994-07-21.

Glass material with low dielectric constant and low fiberizing temperature

Номер патента: US20220153628A1. Автор: Chia-Yu Lin. Владелец: Taiwan Glass Industry Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Glass material with low dielectric constant and low fiberizing temperature

Номер патента: US11713273B2. Автор: Chia-Yu Lin. Владелец: Taiwan Glass Industry Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Pigments stable at high temperatures

Номер патента: CA1135479A. Автор: Arvind S. Patil,Lowell E. Netherton. Владелец: BASF Wyandotte Corp. Дата публикации: 1982-11-16.

TRAPPING NOX CATALYST SUPPORT MATERIAL WITH IMPROVED STABILITY AGAINST FORMATION OF BaAl2O4

Номер патента: RU2706060C2. Автор: Маркос ШЕНЕБОРН,Зенке РОЛЬФС,Дирк НИМЕЙЕР,Томас ХАРМЕНИНГ,Иоганна ФАБИАН. Владелец: Сасол Джёмани Гмбх. Дата публикации: 2019-11-13.

Electrodes for high dielectric constant materials

Номер патента: US5520992A. Автор: Scott R. Summerfelt,Monte A. Douglas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-05-28.

Dielectric material compressing Ta2 O5 doped with TiO2 and devices employing same

Номер патента: US5923524A. Автор: Robert Joseph Cava. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-07-13.

Dielectric material and multilayer ceramic electronic device

Номер патента: US20240266113A1. Автор: Yasuhiro Matsumoto,Yamato SASAKI. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Liquid composite dielectric material

Номер патента: WO2011058406A1. Автор: M. S. Ramachandra Rao,B. Ramachandran. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY MADRAS. Дата публикации: 2011-05-19.

Resonance circuit with a single crystal capacitor dielectric material

Номер патента: US09673384B2. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Nonlinear permittivity dielectric material

Номер патента: RU2540412C2. Автор: Дипанкар ГОШ,Ге ЦЗЯН,Джимми Р. Джр. БАРАН,Нанаяккара Л.Д. СОМАСИРИ,Эндрю К. ЛОТТЕС,Бадри ВЕЕРАРАГХАВАН,Пауль В. ГУЫНХ. Владелец: ЗМ Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2015-02-10.

Mixtures of supercritical fluids as a dielectric material

Номер патента: US20210383944A1. Автор: Jia Wei,Lukas Graber,Chanyeop Park. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Resonance circuit with a single crystal capacitor dielectric material

Номер патента: US20170263849A1. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Composite dielectric material, capacitor and methods for producing said composite dielectric material and said capacitor

Номер патента: WO2023131491A1. Автор: Thomas Ebel,William Albert GREENBANK. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTHERN DENMARK. Дата публикации: 2023-07-13.

High energy density capacitor and dielectric material therefor

Номер патента: EP2831895A1. Автор: Paul Michael Weaver,Tatiana Maria PEREIRA CORREIA. Владелец: Sec Dep For Business Innovation & Skills. Дата публикации: 2015-02-04.

Dielectric material for a high voltage capacitor

Номер патента: WO2022072130A1. Автор: Dipankar Ghosh,Gunther A. J. STOLLWERCK,Ahmad Shaaban. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2022-04-07.

Coaxial high-frequency cable and dielectric material thereof

Номер патента: CA2258317C. Автор: Hans-Bertil Martinsson,Vesa Tuunanen. Владелец: Draka NK Cables Oy. Дата публикации: 2004-12-28.

Dielectric material for a high voltage capacitor

Номер патента: US20230368975A1. Автор: Ahmad Shaaban,Gunther A.J. STOLLWERCK,Dipanker GHOSH. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2023-11-16.

Data communications cable that utilizes multiple dielectric materials associated with different relative permittivities

Номер патента: US11915839B2. Автор: Sandor Farkas,Bhyrav Mutnury. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-02-27.

Dielectric material for a high voltage capacitor

Номер патента: US20230395326A1. Автор: Dipankar Ghosh,Gunther A.J. STOLLWERCK. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2023-12-07.

Enhancing dielectric constants of elastomer sheets

Номер патента: US10818433B1. Автор: Sean Jason Keller,Tristan Thomas Trutna,David R. Perek,Vincenzo Casasanta, III. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-27.

Dielectric materials

Номер патента: GB498991A. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables PLC. Дата публикации: 1939-01-17.

Housing Having Different Dielectric Constants

Номер патента: US20230056932A1. Автор: Xiaoming Luo,Mohammad Nikfal,Hyo Chang (Chris) Yun. Владелец: TE Connectivity Germany GmbH. Дата публикации: 2023-02-23.

High dielectric- constant dielectric ceramic composition, and its fabrication process

Номер патента: MY133860A. Автор: Hitoshi Tanaka,Masami Satoh. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-11-30.

High temperature short time curing of low dielectric constant materials using rapid thermal processing techniques

Номер патента: EP1364397A2. Автор: Rahul Sharangpani,Sing-Pin Tay. Владелец: Mattson Thermal Products Inc. Дата публикации: 2003-11-26.

High temperature short time curing of low dielectric constant materials using rapid thermal processing techniques

Номер патента: WO2002067314A2. Автор: Rahul Sharangpani,Sing-Pin Tay. Владелец: Mattson Thermal Products Inc.. Дата публикации: 2002-08-29.

Variable dielectric constant materials in same layer of a package

Номер патента: US11715688B2. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-01.

Low dielectric constant interlayer dielectrics in spin torque magnetoresistive devices

Номер патента: US09722174B1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Kerry Joseph NAGEL. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor integrated circuits (ICs) employing localized low dielectric constant (low-K) material in inter-layer dielectric (ILD) material for improved speed performance

Номер патента: US09773866B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Low dielectric constant carbon-containing silicon oxide dielectric material for use in integrated circuit structures

Номер патента: EP1039520A3. Автор: Valeriy Sukharev,Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Apparatuses including memory cells with gaps comprising low dielectric constant materials

Номер патента: US20200279928A1. Автор: Minsoo Lee,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Techniques for forming interconnects in porous dielectric materials

Номер патента: US20160343665A1. Автор: Kanwal Jit Singh,David J. Michalak,Alan M. Myers,Christopher J. Jezewski. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Techniques for forming interconnects in porous dielectric materials

Номер патента: US09887161B2. Автор: Kanwal Jit Singh,David J. Michalak,Alan M. Myers,Christopher J. Jezewski. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods of forming memory cells with air gaps and other low dielectric constant materials

Номер патента: US09679778B2. Автор: Minsoo Lee,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Capacitor with high dielectric constant materials and method of making

Номер патента: US20030013263A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Mark Visokay. Владелец: Mark Visokay. Дата публикации: 2003-01-16.

Process for forming low K silicon oxide dielectric material while suppressing pressure spiking and inhibiting increase in dielectric constant

Номер патента: EP1100121A3. Автор: Valeriy Sukharev,Wei-jen Hsia. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-04-14.

Process for forming low k silicon oxide dielectric material while suppressing pressure spiking and inhibiting increase in dielectric constant

Номер патента: EP1100121A2. Автор: Valeriy Sukharev,Wei-jen Hsia. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2001-05-16.

Methods of Forming Dielectric Material-Containing Structures

Номер патента: US20120220098A1. Автор: Dave Peterson,Cunyu Yang,Vishwanath Bhat,Noel Rocklein,Chris M. Carlson,Praveen Vaidyanathan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-30.

Bonded assembly containing low dielectric constant bonding dielectric and methods of forming the same

Номер патента: US20210327838A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Ramy Nashed Bassely SAID,Lin Hou. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-10-21.

Adjustable dielectric constant ceramic window

Номер патента: US20240162010A1. Автор: Dan Marohl,Chin-Yi LIU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Capacitor with high dielectric constant materials

Номер патента: US20030011015A1. Автор: Sam Yang,Gurtej Sandhu,Cem Basceri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Microwave dielectric material

Номер патента: US20010050603A1. Автор: Leif Bergstedt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

High dielectric constant material deposition to achieve high capacitance

Номер патента: WO2001050509A1. Автор: Hua Shen,Thomas Shaw,Katherine Lynn Saenger,Jenny Lian,David Kotecki,Robert Laibowitz,Satish D. Athavale,Marin Gutsche,Yun Yu-Wang. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-07-12.

Methods of treating dielectric materials with oxygen, and methods of forming capacitor constructions

Номер патента: US20030049944A1. Автор: Gurtej Sandhu,Trung Doan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

Dielectric material treatment

Номер патента: US20040056354A1. Автор: Jihperng Leu,Grant Kloster,David Staines. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-25.

RF SOI switches including low dielectric constant features between metal line structures

Номер патента: US09755063B1. Автор: David J. Howard,Michael J. Debar,Rassul Karabalin. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

RF package with non-gaseous dielectric material

Номер патента: US09461005B2. Автор: Christian Weinschenk,Amar Ashok Mavinkurve. Владелец: Samba Holdco Netherlands BV. Дата публикации: 2016-10-04.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS (ICs) EMPLOYING LOCALIZED LOW DIELECTRIC CONSTANT (LOW-K) MATERIAL IN INTER-LAYER DIELECTRIC (ILD) MATERIAL FOR IMPROVED SPEED PERFORMANCE

Номер патента: US20160372544A1. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS (ICs) EMPLOYING LOCALIZED LOW DIELECTRIC CONSTANT (LOW-K) MATERIAL IN INTER-LAYER DIELECTRIC (ILD) MATERIAL FOR IMPROVED SPEED PERFORMANCE

Номер патента: WO2016204938A1. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-12-22.

Mixed Dielectric Materials for Improving Signal Integrity of Integrated Electronics Packages

Номер патента: US20230395444A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Liming Tsau,Reza Sharifi,Dharmendra Saraswat,Sam Zhao,Sam Karikalan,Mayank Mayukh. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor processing method of making electrical contact to a node received within a mass of insulating dielectric material

Номер патента: US6037261A. Автор: Mark E. Jost,Phillip G. Wald. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-03-14.

High dielectric constant material at locations of high fields

Номер патента: US20210193791A1. Автор: Russell Croman,Stefan N. Mastovich,Dan B. Kasha,Thomas C. Fowler. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Method of dielectric material fill and treatment

Номер патента: US12046508B2. Автор: Nikolaos Bekiaris,He REN,Mehul Naik,Naomi Yoshida,Jingmei Liang,Martin Jay Seamons,Mei-Yee Shek,Shi YOU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Anisotropic dielectric material gate spacer for a field effect transistor

Номер патента: US9337041B2. Автор: Emre Alptekin,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Horn antenna, waveguide or apparatus including low index dielectric material

Номер патента: WO2010039340A1. Автор: Allen Katz,Erik Lier. Владелец: LOCKHEED MARTIN CORPORATION. Дата публикации: 2010-04-08.

Hybrid high-k dielectric material film stacks comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US20240347551A1. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Ultrathin superlattice of MnO/Mn/MnN and other metal oxide/metal/metal nitride liners and caps for copper low dielectric constant interconnects

Номер патента: US09947622B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Donald F. Canaperi,Takeshi Nogami,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Multi-layer magneto-dielectric material

Номер патента: WO2018119341A1. Автор: Murali Sethumadhavan,Yajie Chen,Karl Sprentall,Aniruddha J. Shere. Владелец: Rogers Corporation. Дата публикации: 2018-06-28.

Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system

Номер патента: WO2007121007A2. Автор: Tatsuya Sato,Christopher Olsen,Thai Cheng Chua,Patricia M. Liu,John P. Holland,Steven Hung,Alex M Paterson,Valentin Todorov. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2007-10-25.

Compositions for preparing low dielectric materials containing solvents

Номер патента: EP1577935A2. Автор: John Francis Kirner,James Edward MacDougall,Scott Jeffrey Weigel,Thomas Albert Braymer,Shrikant Narendra Khot,Brian Kieth Peterson. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2005-09-21.

Matrial Matrix of Blocks of Dielectric Materials

Номер патента: US20190109383A1. Автор: Serguei Matitsine. Владелец: Matsing Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Hybrid high-K dielectric material film stacks comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US12080725B2. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Multi layer package substrate having different dielectric materials for metal layers with different circuit structures

Номер патента: US20230090188A1. Автор: Whitney M. Bryks,Kemal Aygun,Jieying KONG,Junxin Wang,Ala OMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Zinc silicate-based material for production of dielectric material

Номер патента: RU2683432C1. Автор: Татьяна Илларионовна Красненко,Ирина Владимировна Иванова,Рина Фаязовна Самигуллина,Наталья Анатольевна Зайцева,Татьяна Андреевна Онуфриева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2019-03-28.

Memory device having control gate dielectric structure with different dielectric materials

Номер патента: US20230397406A1. Автор: Soichi Sugiura,Jaydip Guha,Richard Beeler,Sau Ha Cheung,Anthony J. Kanago. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Dielectric filling materials with ionic compounds

Номер патента: US09514929B2. Автор: Willi Volksen,Geraud J. Dubois,Krystelle Lionti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Via-fuse with low dielectric constant

Номер патента: US20150130018A1. Автор: Naftali E. Lustig,Griselda Bonilla,Andrew H. Simon,Wai-Kin Li,Ronald G. Filippi,Junjing Bao,Samuel S. Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-14.

Lens for electromagnetic waves based on artificial dielectric material

Номер патента: AU2021472065A1. Автор: Zimeng LI. Владелец: Guangzhou Sigtenna Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Lens for electromagnetic waves based on artificial dielectric material

Номер патента: CA3236728A1. Автор: Zimeng LI. Владелец: Guangzhou Sigtenna Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Lens for Electromagnetic Waves Based on Artificial Dielectric Material

Номер патента: US20240275037A1. Автор: Zimeng LI. Владелец: Guangzhou Sigtenna Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Electromagnetic lens based on artificial dielectric material

Номер патента: EP4432472A1. Автор: Zimeng LI. Владелец: Guangzhou Sigtenna Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Self repairing process for porous dielectric materials

Номер патента: US09806026B2. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Hardmask for high aspect ratio dielectric etch at cryo and elevated temperatures

Номер патента: WO2023224950A1. Автор: HAO Chi,Kapu Sirish Reddy,Meihua Shen,Hui-Jung Wu,Aaron Lynn ROUTZAHN,Thorsten Bernd LILL,Ragesh PUTHENKOVILAKAM,Francis Sloan Roberts,John Hoang,Sonal BHADAURIYA,Anthony Sky YU. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-23.

Microwave dielectric material

Номер патента: EP1110270A1. Автор: Leif Bergstedt. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2001-06-27.

Conductor structure on a dielectric material, and method for producing such a conductor structure

Номер патента: WO2001022786A1. Автор: Leif Bergstedt. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Дата публикации: 2001-03-29.

Methods of treating dielectric materials

Номер патента: US20030045130A1. Автор: Gurtej Sandhu,Trung Doan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Microwave antenna assembly having a dielectric body portion with radial partitions of dielectric material

Номер патента: CA2676520C. Автор: Joseph A. Paulus. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2017-06-20.

Forming a high dielectric constant film using metallic precursor

Номер патента: US20050017238A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-01-27.

Artificial dielectric material and focusing lenses made of it

Номер патента: AU2021368986A1. Автор: Victor Aleksandrovich Sledkov. Владелец: Guangzhou Sigtenna Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Artificial dielectric material and focusing lenses made of it

Номер патента: EP4238186A1. Автор: Victor Aleksandrovich Sledkov. Владелец: Guangzhou Sigtenna Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Method of selective vertical growth of a dielectric material on a dielectric substrate

Номер патента: US10453681B2. Автор: Takashi Matsumoto,Gerrit J. Leusink,Kandabara N. Tapily,Yusaku Kashiwagi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Wet oxidation process performed on a dielectric material formed from a flowable CVD process

Номер патента: US09390914B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Nitin K. Ingle,Linlin Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Composite titanate aluminate dielectric material

Номер патента: US5147835A. Автор: Wei-Yean Howng,Agnes A. Franzak. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-09-15.

High-K dielectric materials comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US11894396B2. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Dielectric material having carborane derivatives

Номер патента: US20070224834A1. Автор: Sadasivan Shankar,Tim Chen,Michael Haverty. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-27.

High-k dielectric materials comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US20240120349A1. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Stacked cmos devices with two dielectric materials in a gate cut

Номер патента: WO2024125246A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device including a plurality of dielectric materials between semiconductor dies and methods of forming the same

Номер патента: US20230352448A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Tzu-Chung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device including a plurality of dielectric materials between semiconductor dies and methods of forming the same

Номер патента: US20230069496A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Tzu-Chung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Antenna module including dielectric material and electronic device including antenna module

Номер патента: US12051860B2. Автор: Hyunjin Kim,Junsig Kum,Yoongeon KIM,Youngju LEE,Jungmin Park,Seungtae Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Light-emitting diode comprising dielectric material layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130248901A1. Автор: Wen-Yu Lin,Liang-Wen Wu. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Memory devices and electronic devices including memory materials substantially encapsulated with dielectric materials

Номер патента: US20200176675A1. Автор: Agostino Pirovano,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Anisotropic material damage process for etching low-K dielectric materials

Номер патента: US09583380B2. Автор: Errol Todd Ryan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for the manufacture of a spatially varying dielectric material, articles made by the method, and uses thereof

Номер патента: US20230226751A1. Автор: Dirk Baars,Trevor POLIDORE,Sergio Clavijo. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Antenna module including dielectric material and electronic device including antenna module

Номер патента: US20230299490A1. Автор: Hyunjin Kim,Junsig Kum,Yoongeon KIM,Youngju LEE,Jungmin Park,Seungtae Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Nanoscale resolution, spatially-controlled conductivity modulation of dielectric materials using a focused ion beam

Номер патента: US20220020635A1. Автор: Hooman Mohseni,Simone Bianconi. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2022-01-20.

Antenna module including dielectric material and electronic device including antenna module

Номер патента: AU2023201172B2. Автор: Hyunjin Kim,Junsig Kum,Yoongeon KIM,Youngju LEE,Jungmin Park,Seungtae Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Antennas having lenses formed of lightweight dielectric materials and related dielectric materials

Номер патента: EP3433899A1. Автор: Matthew Galla,Scott Lynn Michaelis,Igor Timofeev. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2019-01-30.

Memory cells including dielectric materials, memory devices including the memory cells, and methods of forming same

Номер патента: US09716225B2. Автор: Qian Tao,D. V. Nirmal Ramaswamy,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett A. McTeer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Encapsulation of magnetic tunnel junction structures in organic photopatternable dielectric material

Номер патента: US09647200B1. Автор: Qinghuang Lin,Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device including a dielectric material

Номер патента: US09355881B2. Автор: Edward Fuergut,Bernhard Goller,Christian Schweiger,Eva-Maria Hess. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-31.

Dielectric material and methods of forming same

Номер патента: US20220336218A1. Автор: Yu-Yun Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and capacitor constructions

Номер патента: US20020076938A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lingyi Zheng,Behnam Moradi,John Packard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and capacitor constructions

Номер патента: US20020066920A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lingyi Zheng,Behnam Moradi,John Packard. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-06.

Multi -mode filter with dielectric resonator supporting degenerate resonant modes

Номер патента: EP2748888A1. Автор: Peter Blakeborough Kenington,David Robert HENDRY,Steven John Cooper. Владелец: MESAPLEXX PTY LTD. Дата публикации: 2014-07-02.

Multi -mode filter with dielectric resonator supporting degenerate resonant modes

Номер патента: WO2013027059A1. Автор: Peter Blakeborough Kenington,David Robert HENDRY,Steven John Cooper. Владелец: MESAPLEXX PTY LTD. Дата публикации: 2013-02-28.

Antenna carriers with magneto-dielectric material and beam-shaping elements for enhanced performance and radiation safety of electronic devices

Номер патента: US09912041B1. Автор: Adrian Napoles,Peruvemba Ranganathan Sai Ananthanarayanan,Chun Kit Lai,Rohit Sammeta,Anuj Dron,Daejoung Kim,Namhoon Kim,Eswarappa Channabasappa,Ulf Jan-Ove Mattsson,Seng Chin Tai. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Resonator filter having a rotatable rod that presses a dielectric material into an elastic spring material

Номер патента: US09905903B2. Автор: Changsoo Kwak,Man Seok Uhm. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-02-27.

Hybrid high-k dielectric material film stacks comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US20230369354A1. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Ultrathin superlattice of MnO/Mn/MnN and other metal oxide/metal/metal nitride liners and caps for copper low dielectric constant interconnects

Номер патента: US9691705B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Donald F. Canaperi,Takeshi Nogami,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Ultrathin superlattice of MnO/Mn/MnN and other metal oxide/metal/metal nitride liners and caps for copper low dielectric constant interconnects

Номер патента: US9472503B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Donald F. Canaperi,Takeshi Nogami,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

ULTRATHIN SUPERLATTICE OF MnO/Mn/MnN AND OTHER METAL OXIDE/METAL/METAL NITRIDE LINERS AND CAPS FOR COPPER LOW DIELECTRIC CONSTANT INTERCONNECTS

Номер патента: US20170005040A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Donald F. Canaperi,Takeshi Nogami,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

ULTRATHIN SUPERLATTICE OF MnO/Mn/MnN AND OTHER METAL OXIDE/METAL/METAL NITRIDE LINERS AND CAPS FOR COPPER LOW DIELECTRIC CONSTANT INTERCONNECTS

Номер патента: US20160133576A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Donald F. Canaperi,Takeshi Nogami,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

ULTRATHIN SUPERLATTICE OF MnO/Mn/MnN AND OTHER METAL OXIDE/METAL/METAL NITRIDE LINERS AND CAPS FOR COPPER LOW DIELECTRIC CONSTANT INTERCONNECTS

Номер патента: US20160035618A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Donald F. Canaperi,Takeshi Nogami,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Waveguide filter with electronically controllable variable dielectric material

Номер патента: WO2024147804A1. Автор: Ryan I. MORGAN. Владелец: VIASAT, INC.. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for Producing MIM Capacitors with High K Dielectric Materials and Non-Noble Electrodes

Номер патента: US20130285205A1. Автор: Pragati Kumar,Hanhong Chen. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Optoelectronic device with dielectric layer and method of manufacture

Номер патента: WO2017041116A1. Автор: Gang He,Brendan M. Kayes,Thomas J. Gmitter,Melissa J. ARCHER. Владелец: Alta Devices, Inc.. Дата публикации: 2017-03-09.

Dielectric materials, capacitors and memory arrays

Номер патента: US12062688B2. Автор: Timothy A. Quick,Matthew N. Rocklein,Sumeet C. Pandey,Richard Beeler,An-Jen B. Cheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor element with bonding layer having low-k dielectric material

Номер патента: US20240332227A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Oliver Zhao. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor element with bonding layer having low-k dielectric material

Номер патента: WO2024206337A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Oliver Zhao. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Manganese oxide hard mask for etching dielectric materials

Номер патента: US09472457B2. Автор: Wei Lin,Tuan A. Vo,Spyridon Skordas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Techniques for trench isolation using flowable dielectric materials

Номер патента: US09406547B2. Автор: Sang-Won Park,Jeanne L. Luce,Ritesh JHAVERI,Dennis G. Hanken. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Magneto-Dielectric Material With Low Dielectric Losses

Номер патента: US20180034160A1. Автор: Serguei Matitsine. Владелец: Matsing Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Methods for forming dielectric materials with selected polarization for semiconductor devices

Номер патента: US20220044922A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily,Dina H. Triyoso,Steven P. CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Magneto-dielectric material with low dielectric losses

Номер патента: US10199737B2. Автор: Serguei Matitsine. Владелец: Matsing Inc. Дата публикации: 2019-02-05.

Methods for forming dielectric materials with selected polarization for semiconductor devices

Номер патента: WO2022035618A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara Tapily,Dina H. Triyoso,Steven CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-02-17.

Protruded contact and insertion of inter-layer-dielectric material to match damascene hardmask to improve undercut for low-k interconnects

Номер патента: SG137744A1. Автор: HSIA Liang Choo,Liu Wuping,SEAH Boon Meng,Raymond Joy,Shyam Pal,Zhang Beichao. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-12-28.

Multi -mode filter with dielectric resonator supporting degenerate resonant modes

Номер патента: WO2013027057A1. Автор: Peter Blakeborough Kenington,David Robert HENDRY,Steven John Cooper. Владелец: MESAPLEXX PTY LTD. Дата публикации: 2013-02-28.

Multi -mode filter with dielectric resonator supporting degenerate resonant modes

Номер патента: EP2748886A1. Автор: Peter Blakeborough Kenington,David Robert HENDRY,Steven John Cooper. Владелец: MESAPLEXX PTY LTD. Дата публикации: 2014-07-02.

Technique for reducing topography-related irregularities during the patterning of a dielectric material in a contact level of closely spaced transistors

Номер патента: US20090275200A1. Автор: Robert Seidel,Ralf Richter,Heike Salz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Technique for reducing topography-related irregularities during the patterning of a dielectric material in a contact level of closely spaced transistors

Номер патента: US20130095648A1. Автор: Robert Seidel,Ralf Richter,Heike Salz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Method for depositing a selected thickness of an interlevel dielectric material to achieve optimum global planarity on a semiconductor wafer

Номер патента: WO2001093312A3. Автор: Amit S Kelkar. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2002-03-07.

Method for depositing a selected thickness of an interlevel dielectric material to achieve optimum global planarity on a semiconductor wafer

Номер патента: MY134254A. Автор: S Kelkar Amit. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-11-30.

Method for depositing a selected thickness of an interlevel dielectric material to achieve optimum global planarity on a semiconductor wafer

Номер патента: CA2409156A1. Автор: Amit S. Kelkar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Method for depositing a selected thickness of an interlevel dielectric material to achieve optimum global planarity on a semiconductor wafer

Номер патента: EP1290722A2. Автор: Amit S. Kelkar. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2003-03-12.

Method for depositing a selected thickness of an interlevel dielectric material to achieve optimum global planarity on a semiconductor wafer

Номер патента: WO2001093312A2. Автор: Amit S. Kelkar. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device having a thermoset-containing dielectric material and methods for fabricating the same

Номер патента: US20010005548A1. Автор: Konstantinos Papathomas,Mark Poliks,Donald Farquhar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Device and procedure for cooling fresh concrete at elevated temperatures

Номер патента: EP4214033A1. Автор: Željko Zečević. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-26.

Devices including a p-i-n diode disposed adjacent a silicide in series with a dielectric material

Номер патента: US20130119510A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-05-16.

Air spacer formation with a spin-on dielectric material

Номер патента: US12094952B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tsung-Han Ko,Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin,Tetsuji Ueno,Tsu-Hsiu Perng,Chen-Han Wang,Ting-Ting CHEN,Yahru CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Air spacer formation with a spin-on dielectric material

Номер патента: US20240363722A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tsung-Han Ko,Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin,Tetsuji Ueno,Tsu-Hsiu Perng,Chen-Han Wang,Ting-Ting CHEN,Yahru CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structures comprising a dielectric material having a curvilinear profile

Номер патента: US8872356B2. Автор: Yangyang Sun,Jaspreet S. Gandhi,Don L. Yates. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-28.

Cyclic spin-on coating process for forming dielectric material

Номер патента: US11791154B2. Автор: Tien-I Bao,Chih-tang Peng,Yen-Chun Huang,Je-Ming Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Artificial dielectric material and focusing lenses made of it

Номер патента: US20210091478A1. Автор: Victor Aleksandrovich Sledkov. Владелец: Vasant Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Cyclic Spin-On Coating Process for Forming Dielectric Material

Номер патента: US20230411150A1. Автор: Tien-I Bao,Chih-tang Peng,Yen-Chun Huang,Je-Ming Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure having isolations between fins and comprising materials with different thermal expansion coefficients (CTE)

Номер патента: US12002766B2. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Artificial dielectric material and focusing lenses made of it

Номер патента: EP3959776A1. Автор: Victor Aleksandrovich Sledkov. Владелец: Guangzhou Sigtenna Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-02.

Memory cells, methods of forming dielectric materials, and methods of forming memory cells

Номер патента: WO2010080318A3. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Noel Rocklein,Kyu S. Min. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-09-23.

Memory cells, methods of forming dielectric materials, and methods of forming memory cells

Номер патента: WO2010080318A2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Noel Rocklein,Kyu S. Min. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-07-15.

FinFET with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US10615279B2. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Finfet with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US20180097113A1. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Finfet with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US20160197186A1. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Finfet with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US20200066908A1. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

FinFET with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US10243077B2. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

FinFET with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US9917190B2. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods for removing photoresist from semiconductor structures having high-k dielectric material layers

Номер патента: US20080176388A1. Автор: Richard J. Carter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Stress adjustment in stressed dielectric materials of semiconductor devices by stress relaxation based on radiation

Номер патента: US20110049641A1. Автор: Jan Hoentschel,Uwe Griebenow,Roman Boschke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-03.

Composition of dielectric material

Номер патента: US20070213200A1. Автор: Wei Li,Wenjun Wu,Akira Sawasaki,Yiling Wang,Meiyu Zhao,T. L. Tsai. Владелец: Walsin Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Flexible dielectric material for high voltage switch

Номер патента: US09443681B2. Автор: Larry N. Siebens. Владелец: Thomas and Betts International LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor Constructions Comprising Dielectric Material, and Methods of Forming Dielectric Fill Within Openings Extending into Semiconductor Constructions

Номер патента: US20200357682A1. Автор: Sony Varghese,Gurtej S. Sandhu,Scott L. Light,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Electronic devices comprising a compressive dielectric material, and related systems and methods

Номер патента: US20230378069A1. Автор: Jivaan Kishore Jhothiraman,Chandra S. Tiwari,Rutuparna Narulkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor Constructions Comprising Dielectric Material, and Methods of Forming Dielectric Fill Within Openings Extending into Semiconductor Constructions

Номер патента: US20190067084A1. Автор: Sony Varghese,Gurtej S. Sandhu,Scott L. Light,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of etching a porous dielectric material

Номер патента: US09679802B2. Автор: Nicolas Posseme. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-06-13.

Process for treating porous low k dielectric material in damascene structure to form a non-porous dielectric diffusion barrier on etched via and trench surfaces in the porous low k dielectric material

Номер патента: US6537896B1. Автор: Wilbur G. Catabay,Wei-jen Hsia. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2003-03-25.

Hard mask integrated etch process for patterning of silicon oxide and other dielectric materials

Номер патента: US20040178169A1. Автор: David Dobuzinsky,Richard Wise,Sadanand Desphande,Arpan Mahorowala,Tina Wagner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Artificial dielectric material and focusing lenses made of it

Номер патента: WO2021145780A1. Автор: Victor Aleksandrovich Sledkov. Владелец: VASANT LIMITED. Дата публикации: 2021-07-22.

Wet oxidation process performed on a dielectric material formed from a flowable cvd process

Номер патента: US20110151677A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Nitin K. Ingle,Linlin Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Doped dielectric material

Номер патента: US20240064962A1. Автор: David K. Hwang,Litao YANG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Electronic devices comprising segmented high-k dielectric materials and storage node materials, related systems, and methods of forming

Номер патента: US20230389311A1. Автор: XIN Lan,Yun Huang,Yifen Liu,Byeung Chul Kim,Sok Han Wong,Ye Xiang Hong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Artificial dielectric material and focusing lenses made of it

Номер патента: US11936105B2. Автор: Victor SLEDKOV. Владелец: Vasant Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Artificial dielectric material and focusing lenses made of it

Номер патента: AU2021368986B2. Автор: Victor Aleksandrovich Sledkov. Владелец: Guangzhou Sigtenna Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Dielectric filling materials with ionic compounds

Номер патента: US20160293407A1. Автор: Willi Volksen,Geraud J. Dubois,Krystelle Lionti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Artificial dielectric material and focusing lenses made of it

Номер патента: US20230395986A1. Автор: Victor SLEDKOV. Владелец: Vasant Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Integrated low-pass and band-pass filter unit formed by sheet metal coated with dielectric material

Номер патента: EP4402746A1. Автор: Weidong Wang,Jun Fu,Xueyuan Zhang. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-07-24.

Integrated low-pass and band-pass filter unit formed by sheet metal coated with dielectric material

Номер патента: US20240267029A1. Автор: Weidong Wang,Jun Fu,Xueyuan Zhang. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-08-08.

Multi-step deposition of a spacer material for reducing void formation in a dielectric material of a contact level of a semiconductor device

Номер патента: US8987103B2. Автор: Markus Lenski,Frank Seliger,Volker Jaschke,Kerstin Ruttloff,Ralf Otterbach. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-03-24.

Multi-step deposition of a spacer material for reducing void formation in a dielectric material of a contact level of a semiconductor device

Номер патента: US20100289083A1. Автор: Markus Lenski,Frank Seliger,Volker Jaschke,Kerstin Ruttloff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Wireless communication with dielectric medium

Номер патента: US09787349B2. Автор: Ian A. Kyles,Gary D. McCormack. Владелец: Keyssa Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

SOI transistor having drain and source regions of reduced length and a stressed dielectric material adjacent thereto

Номер патента: US09450073B2. Автор: Casey Scott,Andy Wei,Roman Boschke,Thorsten Kammler. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of forming through silicon via of semiconductor device using low-K dielectric material

Номер патента: US8872354B2. Автор: Han Kyu-hee,Byung-hee Kim,Jang-Hee Lee,Kyoung-Hee Kim,Byung-lyul Park,Sang-hoon Ahn,Jong-min Beak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-28.

Vapor phase repair and pore sealing of low-k dielectric materials

Номер патента: US20110020955A1. Автор: James DeYoung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Method of selective vertical growth of a dielectric material on a dielectric substrate

Номер патента: US20180301335A1. Автор: Takashi Matsumoto,Gerrit J. Leusink,Kandabara N. Tapily,Yusaku Kashiwagi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Encapsulation of magnetic tunnel junction structures in organic photopatternable dielectric material

Номер патента: US20170162626A1. Автор: Qinghuang Lin,Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Anisotropic material damage process for etching low-k dielectric materials

Номер патента: US20170125288A1. Автор: Errol Todd Ryan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Apparatuses including capacitors including multiple dielectric materials

Номер патента: US20240038904A1. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Electronic devices comprising a dielectric material, and related systems and methods

Номер патента: US11948992B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Collin Howder,Richard J. Hill,Michael A. Lindemann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device including a plurality of dielectric materials between semiconductor dies and methods of forming the same

Номер патента: US11742325B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Tzu-Chung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Apparatuses including capacitors including multiple dielectric materials, and related methods

Номер патента: US11799038B2. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-10-24.

Microelectronic devices including a doped dielectric material, methods of forming the microelectronic devices, and related systems

Номер патента: US20240130121A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Field effect transistor with a hybrid gate spacer including a low-k dielectric material

Номер патента: US11908940B2. Автор: Szuya S. LIAO,Pratik A. Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Electronic devices comprising a stack structure, a source contact, and a dielectric material

Номер патента: US20240162325A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Collin Howder,Richard J. Hill,Michael A. Lindemann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Low-k dielectric material based upon carbon nanotubres and methods of forming such low-k dielectric materials

Номер патента: WO2006041793A1. Автор: Mark C. Hakey,Toshiharu Furukawa,Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger, III. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-04-20.

Stacked cmos devices with two dielectric materials in a gate cut

Номер патента: US20240203990A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Antenna assemblies including antenna elements with dielectric for forming closed bow tie shapes

Номер патента: US09601832B2. Автор: Corey Feit,Richard E. Schneider,John Edwin Ross, III. Владелец: Antennas Direct Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Fin trim plug structures having an oxidation catalyst layer surrounded by a recessed dielectric material

Номер патента: US20230089815A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Nick Lindert,Biswajeet Guha,Leonard GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor package including a circuit substrate having a cavity and a floor plate embedded in a dielectric material and a semiconductor die disposed in the cavity

Номер патента: US11908764B2. Автор: Shin-puu Jeng,Te-Chi Wong,Shuo-Mao Chen,Po-Yao Chuang,Meng-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Encapsulation of magnetic tunnel junction structures in organic photopatternable dielectric material

Номер патента: US20170162782A1. Автор: Qinghuang Lin,Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Gate structure and method with dielectric gates and gate-cut features

Номер патента: US11791217B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Buo-Chin Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Selective deposition of dielectric materials

Номер патента: US10553480B2. Автор: Silvia Armini,Murad Redzheb. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconducting devices, back end of line portions for semiconducting devices, and dielectric materials incorporating deuterium

Номер патента: WO2021026049A1. Автор: James Lloyd,Patrick Lenahan,Niaz Mahmud. Владелец: The Research Foundation for SUNY. Дата публикации: 2021-02-11.

Thin film structure including dielectric material layer and electronic device employing the same

Номер патента: US20230015172A1. Автор: Sangwook Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Thin film structure including dielectric material layer and electronic device employing the same

Номер патента: US20220005923A1. Автор: Sangwook Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-06.

Dielectric material and methods of forming same

Номер патента: US20200006072A1. Автор: Yu-Yun Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Raised source drain mosfet with amorphous notched gate cap layer with notch sidewalls passivated and filled with dielectric plug

Номер патента: US7700425B2. Автор: Sadanand V. Deshpande,Werner A. Rausch,Tina J. Wagner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-04-20.

Repairing and restoring strength of etch-damaged low-k dielectric materials

Номер патента: SG173321A1. Автор: James DeYoung. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-08-29.

Integrated Circuit Dielectric Material

Номер патента: US20200098616A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin,Chih-tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for creating narrow trenches in dielectric materials

Номер патента: US20070066028A1. Автор: Gerald Beyer. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2007-03-22.

A method to create narrow trenches in dielectric materials

Номер патента: EP1764830A3. Автор: Gerald Beyer. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2009-02-18.

Integrated circuit structure with dielectric material to cover horizontally separated metal layers, and related method

Номер патента: US20210280352A1. Автор: Marcel B. Wieland,Frank G. Küchenmeister,Hartmuth Daniel Kunze,Lothar E. Lehmann,Sven Bedürftig,Patrick Rohlfs. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2021-09-09.

Techniques for trench isolation using flowable dielectric materials

Номер патента: EP3087613A1. Автор: Sang-Won Park,Jeanne L. Luce,Ritesh JHAVERI,Dennis G. Hanken. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-02.

Techniques for trench isolation using flowable dielectric materials

Номер патента: US20160343609A1. Автор: Sang-Won Park,Jeanne L. Luce,Ritesh JHAVERI,Dennis G. Hanken. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Methods of filling a set of interstitial spaces of a nanoparticle thin film with a dielectric material

Номер патента: WO2008073767A2. Автор: Maxim Kelman,Pingrong Yu,David Jurbergs,Francesco Lemmi,Homer Antoniadis,Elena V. Rogojina. Владелец: Innovalight, Inc.. Дата публикации: 2008-06-19.

Chip integration into cavities of a host wafer using lateral dielectric material bonding

Номер патента: US20240243026A1. Автор: James F. Buckwalter,Florian Herrault,Isaac Rivera,Daniel S. Green. Владелец: Pseudolithic Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Chip integration into cavities of a host wafer using lateral dielectric material bonding

Номер патента: US20240243025A1. Автор: James F. Buckwalter,Florian Herrault,Isaac Rivera,Daniel S. Green. Владелец: Pseudolithic Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for forming an isolating trench with a dielectric material

Номер патента: US20070087516A1. Автор: Uwe Wellhausen,Henry Heidemeyer,Joern Regul. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-19.

Method of forming dielectric material layer using plasma

Номер патента: US20240304441A1. Автор: Yoshio SUSA,Yoshiyuki Kikuchi,Norihiko Ishinohachi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-12.

Low dielectric constant insulating material in 3D memory

Номер патента: US09721964B2. Автор: Guan-Ru Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Dielectric materials for electronic devices

Номер патента: CA2524969C. Автор: Ping Liu,Beng S. Ong,Yiliang Wu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-09-21.

Device and procedure for cooling fresh concrete at elevated temperatures

Номер патента: US20240002298A1. Автор: Željko Zečević. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor devices including stack oxide materials having different densities or different oxide portions, and semiconductor devices including stack dielectric materials having different portions

Номер патента: US11889693B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Srikant Jayanti,Pavan Kumar Reddy Aella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Phase change memory structure comprising phase change alloy center-filled with dielectric material

Номер патента: US20130284999A1. Автор: Jun-Fei Zheng. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Structure and Method for Gate-All-Around Devices with Dielectric Interposer

Номер патента: US20240145566A1. Автор: Wei-Yang Lee,Huiling Shang,Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Strip line delay matching using printed dielectric material

Номер патента: US20240098886A1. Автор: Sandor Farkas,Timothy M. Lambert,Bhyrav Mutnury. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-03-21.

Foil-type switching element with dielectric layer

Номер патента: WO2004053907A1. Автор: Yves Decoster,Werner Bieck,Driss Chabach,Manuel Ruggiu. Владелец: IEE INTERNATIONAL ELECTRONICS & ENGINEERING S.A.. Дата публикации: 2004-06-24.

Chip integration into cavities of a host wafer using lateral dielectric material bonding

Номер патента: WO2024155426A1. Автор: Daniel Green,James Buckwalter,Florian Herrault,Isaac Rivera. Владелец: PseudolithIC, Inc.. Дата публикации: 2024-07-25.

Chip integration into cavities of a host wafer using lateral dielectric material bonding

Номер патента: US11756848B1. Автор: James F. Buckwalter,Florian Herrault,Isaac Rivera,Daniel S. Green. Владелец: Pseudolithic Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Chip integration into cavities of a host wafer using lateral dielectric material bonding

Номер патента: US12125759B2. Автор: James F. Buckwalter,Florian Herrault,Isaac Rivera,Daniel S. Green. Владелец: Pseudolithic Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Sinterable Compounds Comprising Dielectric Material, Articles Formed from Such Compounds, and Methods of Forming Such Compounds and Articles

Номер патента: US20230047730A1. Автор: John P. TIMLER,Xingcun C. Tong. Владелец: Science Applications International Corp SAIC. Дата публикации: 2023-02-16.

Forming inter-device STI regions and intra-device STI regions using different dielectric materials

Номер патента: US8592918B2. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chang-Yun Chang,Hung-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-26.

Method of sealing open pores on surface of porous dielectric material using iCVD process

Номер патента: US10535514B2. Автор: Sung Gap Im,Byung Jin Cho,Seong Jun Yoon,Hyungsuk Alexander Yoon,Kwanyong Pak. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-01-14.

Flexible dielectric material for high voltage switch

Номер патента: CA2855977C. Автор: Larry N. Siebens. Владелец: Thomas and Betts International LLC. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of fabricating a self-aligned contact using organic dielectric materials

Номер патента: US5482894A. Автор: Robert H. Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-01-09.

Die edge seal employing low-K dielectric material

Номер патента: US9406625B2. Автор: Zhijie Wang,Zhigang Bai,Dehong Ye,Huchang Zhang,Jiyong Niu. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-02.

Die edge seal employing low-k dielectric material

Номер патента: US20150371957A1. Автор: Zhijie Wang,Zhigang Bai,Dehong Ye,Huchang Zhang,Jiyong Niu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-24.

Device and method for dielectric material characterization

Номер патента: EP4317953A1. Автор: Rahul Yadav,Peter Offermans,Jan Willem DE WIT,Bas Boom. Владелец: STICHTING IMEC NEDERLAND. Дата публикации: 2024-02-07.

Finfet with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US20160035878A1. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Device and Method for Dielectric Material Characterization

Номер патента: US20240035987A1. Автор: Rahul Yadav,Peter Offermans,Jan Willem DE WIT,Bas Boom. Владелец: STICHTING IMEC NEDERLAND. Дата публикации: 2024-02-01.

Improvements in or relating to electro-mechanical transducers having elements of dielectric material

Номер патента: GB663422A. Автор: . Владелец: Brush Development Co. Дата публикации: 1951-12-19.

Interlayer dielectric material in a semiconductor device comprising stressed layers with an intermediate buffer material

Номер патента: US20090166814A1. Автор: Ralf Richter,Joerg Hohage,Michael Finken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Hall sensor with dielectric isolation and p-n junction isolation

Номер патента: US20230129179A1. Автор: Ricky Alan JACKSON,Erika Lynn Mazotti,Keith Ryan Green,William David French. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Antenna assemblies including antenna elements with dielectric for forming closed bow tie shapes

Номер патента: US20130113672A1. Автор: Corey Feit,Richard E. Schneider,John Edwin Ross, III. Владелец: Antennas Direct Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

Three-dimensional memory device with dielectric isolated via structures and methods of making the same

Номер патента: US20210210503A1. Автор: James Kai,Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Yoshitaka Otsu,Jixin Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-08.

Multi -mode filter with dielectric resonator supporting degenerate resonant modes

Номер патента: WO2013027060A9. Автор: Peter Blakeborough Kenington,David Robert HENDRY,Steven John Cooper. Владелец: MESAPLEXX PTY LTD. Дата публикации: 2013-09-19.

Multi -mode filter with dielectric resonator supporting degenerate resonant modes

Номер патента: EP2748887A1. Автор: Peter Blakeborough Kenington,David Robert HENDRY,Steven John Cooper. Владелец: MESAPLEXX PTY LTD. Дата публикации: 2014-07-02.

Multi -mode filter with dielectric resonator supporting degenerate resonant modes

Номер патента: WO2013027062A1. Автор: Peter Blakeborough Kenington,David Robert HENDRY,Steven John Cooper. Владелец: MESAPLEXX PTY LTD. Дата публикации: 2013-02-28.

Multi -mode filter with dielectric resonator supporting degenerate resonant modes

Номер патента: WO2013027060A1. Автор: Peter Blakeborough Kenington,David Robert HENDRY,Steven John Cooper. Владелец: MESAPLEXX PTY LTD. Дата публикации: 2013-02-28.

Use of amorphous calcium carbonate in fire-resistant inorganic mortar system based on aluminate cement to increase load values at elevated temperatures

Номер патента: RU2762180C2. Автор: Армин ПФАЙЛЬ,Анна ШАРМАК,Фридлинде ГЁТЦ-НОЙНХЁФФЕР,Даниель ЯНСЕН. Владелец: Хильти Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2021-12-16.

Coated substrate or article having a low friction surface resistant to dewetting at elevated temperatures and process of forming

Номер патента: US3681019A. Автор: Sheldon W Dean. Владелец: Olin Corp. Дата публикации: 1972-08-01.

Device applications for voltage switchable dielectric material having high aspect ratio particles

Номер патента: US20080023675A1. Автор: Robert Fleming,Lex Kosowsky. Владелец: Lex Kosowsky. Дата публикации: 2008-01-31.

Dielectric ceramic composition for high-frequency use and dielectric material

Номер патента: US5268341A. Автор: Gentaro Kaji,Nobuyoshi Fujikawa,Seiichiro Hirahara,Hidenori Miyata,Shigeji Koyasu,Djuniadi A. Sagala,Shinji Nambu. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1993-12-07.

Flared microwave horn with dielectric lens

Номер патента: US3935577A. Автор: Laurence H. Hansen. Владелец: Andrew LLC. Дата публикации: 1976-01-27.

Raised Source/Drain and Gate Portion with Dielectric Spacer or Air Gap Spacer

Номер патента: US20150087120A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Juntao Li,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Three-dimensional memory device with dielectric wall support structures and method of forming the same

Номер патента: WO2022072005A1. Автор: Tomohiro Kubo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-04-07.

Dielectric material coaxial resonator with improved resonance frequency adjusting mechanism

Номер патента: US4730174A. Автор: Koji Saito,Toshio Nishikawa,Toshiro Hiratsuka. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1988-03-08.

Improvements relating to dielectric materials and methods of making the same

Номер патента: GB586802A. Автор: . Владелец: Titanium Alloy Manufacturing Co. Дата публикации: 1947-04-01.

Methods of improving adhesion of photoresist and spin-on dielectric materials in staircase structures and methods of forming staircase structures

Номер патента: US20180366481A1. Автор: Adam L. Olson,David A. Kewley,Rohit Kothari,Jason Reece,Jason C. McFarland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device having isolation structure formed of low-k dielectric material and method for forming the same

Номер патента: US20240030281A1. Автор: Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Cheng-Ming Lin,Ming-Jie Huang,Ming-Chang Wen,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Szuya Liao,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of treatment of devices based on semiconductor and dielectric materials

Номер патента: US5997659A. Автор: Michael Lisiansky,Valentina Korchnoy. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-12-07.

Laser processing of workpieces containing low-k dielectric material

Номер патента: EP2030224A1. Автор: Brian W. Baird. Владелец: Electro Scientific Industries Inc. Дата публикации: 2009-03-04.

Method of measuring relative dielectric constant of dielectric substance of powders, cavity resonator used in the same, and application apparatus

Номер патента: EP1528618A1. Автор: Ehata TDK Corporation Katsufumi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-05-04.

FinFET having a gate electrode with sidewall spacers having asymmetric dielectric constants and method of manufacturing

Номер патента: US09941387B2. Автор: Hai Yang Zhang,Zhe Zheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Low dielectric constant insulating material in 3d memory

Номер патента: US20150357342A1. Автор: Guan-Ru Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Mineral binder based construction material with improved fire resistance behavior

Номер патента: EP4247770A1. Автор: David Weigand,Peter DOSTAL. Владелец: KNAUF GIPS KG. Дата публикации: 2023-09-27.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US09905463B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Variable dielectric constant radiation-sensing compositions and method for varying dielectric constant

Номер патента: RU2281540C2. Автор: Исао НИСИМУРА,Нобуо БЕССО,Ацуси КУМАНО,Кендзи ЯМАДА. Владелец: Джей Эс Эр КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2006-08-10.

Glass core architectures with dielectric buffer layer between glass core and metal vias and pads

Номер патента: US20230395445A1. Автор: Yi Yang,Gang Duan,Srinivas V. Pietambaram,Kristof Darmawikarta,Suddhasattwa NAD,Junxin Wang,Tarek A. Ibrahim,Jeremy D. Ecton,Benjamin T. Duong,Brandon Christian Marin,Sameer R. PAITAL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Glass core architectures with dielectric buffer layer between glass core and metal vias and pads

Номер патента: US20230395467A1. Автор: Yi Yang,Gang Duan,Srinivas V. Pietambaram,Kristof Darmawikarta,Suddhasattwa NAD,Junxin Wang,Tarek A. Ibrahim,Jeremy D. Ecton,Benjamin T. Duong,Brandon Christian Marin,Sameer R. PAITAL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for forming interconnect structure with low dielectric constant

Номер патента: US20030119306A1. Автор: Ming-Sheng Yang,Chih-Chien Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Gate insulator comprising high and low dielectric constant parts

Номер патента: WO2000049643A2. Автор: Jeffrey Lutze. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-08-24.

Semiconductor device having low-dielectric-constant film

Номер патента: US9711629B2. Автор: Yoshihiro Ikura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Low dielectric constant material having thermal resistance, insulation film between semiconductor layers using the same, and semiconductor device

Номер патента: US20060091382A1. Автор: Noboru Mikami,Sei Tsunoda,Hideharu Nobutoki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Ulsi mos with high dielectric constant gate insulator

Номер патента: MY135224A. Автор: Setton Michael. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2008-02-29.

Semiconductor device having low-dielectric-constant film

Номер патента: US09711629B2. Автор: Yoshihiro Ikura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Dielectric Fins With Different Dielectric Constants and Sizes in Different Regions of a Semiconductor Device

Номер патента: US20240379452A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Hua Feng Chen,Min-Yann Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device having high dielectric constant gate insulating layer and its manufacture method

Номер патента: US20060172498A1. Автор: Kazuto Ikeda,Masaomi Yamaguchi,Hiroshi Minakata,Tsunehisa Sakoda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Pb/Bi-containing high-dielectric constant oxides using a non-P/Bi-containing perovskite as a buffer layer

Номер патента: US5393352A. Автор: Scott R. Summerfelt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-02-28.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US20180082895A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US10229852B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-12.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US20180090375A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US10699951B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: Elpis Technologies Inc. Дата публикации: 2020-06-30.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US20170170068A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Substrate with Differing Dielectric Constants

Номер патента: US20240145392A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Liming Tsau,Kwok Cheung Tsang,Vincent Huang,Reza Sharifi,Dharmendra Saraswat,Sam Zhao,Sam Karikalan,Mayank Mayukh,Jevon Yu. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

High dielectric constant insulators and associated fabrication methods

Номер патента: US7994590B2. Автор: Thomas K. Gaylord,James D. Meindl. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2011-08-09.

3d printed electrical connector with tunable dielectric constant

Номер патента: US20220037827A1. Автор: Jessica H.B. Hemond,David Patrick Orris. Владелец: TE Connectivity Services GmbH. Дата публикации: 2022-02-03.

Restoring low dielectric constant film properties

Номер патента: US20090317971A1. Автор: May Yu,Alexandros T. Demos,Mehul Naik,Zhenjiang Cui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-24.

Interconnect structures comprising capping layers with low dielectric constants and methods of making the same

Номер патента: SG192319A1. Автор: Bonilla Griselda,Grunow Stephan,Yun Wang,Chao-Kun Hu,a clevenger Lawrence,Zhiguo Sun,Yiheng XU,Hyeok-Sang Oh,Tien Cheng,A Quon Roger,Wei-Tsui Tseng. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-08-30.

High dielectric constant insulators and associated fabrication methods

Номер патента: US20070176248A1. Автор: Thomas K. Gaylord,James D. Meindl. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor device comprising a high dielectric constant insulating film including nitrogen

Номер патента: US7872312B2. Автор: Hisashi Ogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-01-18.

High dielectric constant metal gate mos transistor and method for making the same

Номер патента: US20220278217A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Method of forming FinFET with low-dielectric-constant gate electrode spacers

Номер патента: US11749755B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Structure and method for interlevel dielectric layer with regions of differing dielectric constant

Номер патента: US20240250018A1. Автор: Anhao CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Techniques for improved low dielectric constant film processing

Номер патента: US11756796B2. Автор: Qi Gao,Martin Seamons,Shan Tang,Kyuha Shim,Rajesh Prasad,Deven Raj Mittal. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method and apparatus for heat-treating high dielectric constant film

Номер патента: US09966254B2. Автор: Hikaru KAWARAZAKI. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method and apparatus for heat-treating high dielectric constant film

Номер патента: US09837266B2. Автор: Hikaru KAWARAZAKI. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Variable dielectric constant-based antenna and array

Номер патента: WO2007139736A3. Автор: Dedi David HAZIZA. Владелец: Adventenna Inc. Дата публикации: 2008-10-09.

Continuous dielectric constant adaptation radome design

Номер патента: CA3125131C. Автор: Simon Mazoyer,Emmanuel Mimoun,Delphine Descloux. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Variable dielectric constant-based antenna and array

Номер патента: WO2007139736B1. Автор: Dedi David HAZIZA. Владелец: Adventenna Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Materials with enhanced properties for shallow trench isolation/premetal dielectric applications

Номер патента: US20060008659A1. Автор: LEI Jin,Victor Lu,Brian Daniels,Ananth Naman,Denis Endisch,Paul Apen,Arlene Suedmeyer,Deling Zhou. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor device having a field effect transistor using a high dielectric constant gate insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060125006A1. Автор: Shigenori Hayashi,Masaaki Niwa,Yoshinao Harada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Selective fabrication of high capacitance density areas in a low dielectric constant material

Номер патента: US7109125B1. Автор: Bin Zhao,Q. Z. Liu,David Feiler,Phil N. Sherman,Maureen Brongo. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2006-09-19.

Method of forming highly-integrated thin film capacitor with high dielectric constant layer

Номер патента: US5943547A. Автор: Shintaro Yamamichi,Pierre Yves Lesaicherre. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Low dielectric constant insulation layer for integrated circuit structure and method of making same

Номер патента: US5494859A. Автор: Ashok K. Kapoor. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Minimizing coating defects in low dielectric constant films

Номер патента: US6667249B1. Автор: Tien-I Bao,Yu-Hui Chen,Yao-Yi Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-12-23.

Diffusion barrier with low dielectric constant and semiconductor device containing same

Номер патента: US20040115407A1. Автор: Alfred Grill,Stephen Gates,Stephan Cohen,Vishnubhai Patel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Floating trap non-volatile semiconductor memory devices including high dielectric constant blocking insulating layers and methods

Номер патента: US20030047755A1. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee,Byoung-Woo Ye. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-03-13.

Method for manufacturing high dielectric constant metal gate for nmos and pmos

Номер патента: US20230420304A1. Автор: Wei Zhou,Weiwei Ma,Ran Huang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Gate insulator comprising high and low dielectric constant parts

Номер патента: WO2000049643A3. Автор: Jeffrey Lutze. Владелец: Philips Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-02-15.

Dielectric constant reduction of gate spacer

Номер патента: US20200135887A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Hui-Ling SHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Elevated temperature detection and interrupter circuit for power cable

Номер патента: US09564719B1. Автор: Hamze Moussa,Donald Oldham,Jon B Freeman. Владелец: Technology Research LLC. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for non-destructive, non-contact measurement of dielectric constant of thin films

Номер патента: US5528153A. Автор: Wei-Yung Hsu,Kelly J. Taylor. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-06-18.

Method for forming capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer

Номер патента: US5506166A. Автор: Gurtej S. Sandhu,Pierre C. Fazan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-04-09.

Pre-oxidizing high-dielectric-constant material electrodes

Номер патента: US5554866A. Автор: Kyung-ho Park,Scott R. Summerfelt,Yasushiro Nishioka,Pijush Bhattacharya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-09-10.

Process for manufacturing a ceramic wiring substrate having a low dielectric constant

Номер патента: US5283081A. Автор: Yuzo Shimada,Yoshinobu Kobayashi,Keiichiro Kata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-02-01.

Method for manufacturing a low dielectric constant inter-level integrated circuit structure

Номер патента: US5880018A. Автор: Terry Grant Sparks,Bruce Allen Boeck,Jeff Thomas Wetzel. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Capacitor compatible with high dielectric constant materials having two independent insulative layers and the method for forming same

Номер патента: US5392189A. Автор: Gurtej S. Sandhu,Pierre C. Fazan. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1995-02-21.

Method of manufacturing a high dielectric constant capacitor

Номер патента: US6033920A. Автор: Yasuhiro Shimada,Masamichi Azuma,Taketoshi Matsuura,Yasuhiro Uemoto,Atsuo Inoue. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2000-03-07.

Mineral binder based construction material with improved fire resistance behavior

Номер патента: US20240010557A1. Автор: David Weigand,Peter DOSTAL. Владелец: KNAUF GIPS KG. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of controlling dielectric constant of composite material by micro pattern printing

Номер патента: US20200280137A1. Автор: Wonjun Lee,Sangmin Baek,Sangyong Kim,Jeongin GO. Владелец: Agency for Defence Development. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of forming multi-threshold voltage devices using dipole-high dielectric constant combinations and devices so formed

Номер патента: US20200357700A1. Автор: Wei-E Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer and the method for forming same

Номер патента: US20020195642A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Pierre C. Fazan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Selective etch of films with high dielectric constant

Номер патента: WO2005071722B1. Автор: Chris Lee,Gowri Kota,Shyam Ramalingam. Владелец: Shyam Ramalingam. Дата публикации: 2005-11-17.

Method of forming finfet with low-dielectric-constant gate electrode spacers

Номер патента: US20230361214A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Structure and method for interlevel dielectric layer with regions of differing dielectric constant

Номер патента: US11955421B2. Автор: Anhao CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

3D printed electrical connector with tunable dielectric constant

Номер патента: US11450982B2. Автор: David Patrick Orris,Jessica H. B. Hemond. Владелец: TE Connectivity Solutions GMBH. Дата публикации: 2022-09-20.

Low dielectric constant (low-k) dielectric and method of forming the same

Номер патента: US20180068848A1. Автор: Xiangyu GUO,Weiyi Li,Huifeng Zheng,Dongfei Pei,J. Leon Shohet,Joshua Blatz. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-03-08.

Interconnect structures comprising capping layers with low dielectric constants and methods of making the same

Номер патента: SG159452A1. Автор: Wang Yun,XU Yiheng,Hu Chao-Kun,Sun Zhiguo,OH Hyeok Sang,Griselda Bonilla,Stephan Grunow,Lawrence A Clevenger,Roger A Quon,Cheng Tien,Tseng Wei-Tsui. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-03-30.

Variable dielectric constant antenna having split ground electrode

Номер патента: US20190296429A1. Автор: Dedi David HAZIZA. Владелец: Wafer Llc. Дата публикации: 2019-09-26.

조정 가능한 유전 상수 (dielectric constant) 세라믹 윈도우

Номер патента: KR20230156782A. Автор: 친-이 리우,댄 마롤. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-11-14.

High Dielectric Constant Dielectric Layer Forming Method, Image Sensor Device, and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20190157320A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

High Dielectric Constant Dielectric Layer Forming Method, Image Sensor Device, and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20200127024A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsin-Chieh Huang,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

High dielectric constant dielectric layer forming method, image sensor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160329364A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsin-Chieh Huang,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Transitional dielectric layer to improve reliability and performance of high dielectric constant transistors

Номер патента: WO2006107383A2. Автор: Olubunmi O. Adetutu,Hsing H. Tseng,Voon-Yew Thean,Sriram S. Kalpat. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor device capable of having amorphous carbon fluoride film of low dielectric constant as interlayer insulation material and method of manufacturing the same

Номер патента: US6329295B1. Автор: Yoshihisa Matsubara,Kazuhiko Endo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-11.

Rf switch device with a sidewall spacer having a low dielectric constant

Номер патента: US20220223714A1. Автор: Cheng-ta Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for forming low dielectric constant layer

Номер патента: US20020132494A1. Автор: Wen-Yi Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-19.

Method of producing low thermal budget high dielectric constant structures

Номер патента: US20020197818A1. Автор: Lan-Lin Chao,Wong-Cheng Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for fabricating a low dielectric constant material layer

Номер патента: US20020182849A1. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Tsung-Tans Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Internal hydrogen sources for heat conductive packaging of low dielectric constant semiconductor chips, and method of providing hydrogen therefor

Номер патента: US20030038364A1. Автор: Paul Farrar,Jerome Eldridge. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

Internal hydrogen sources for heat conductive packaging of low dielectric constant semiconductor chips, and method of providing hydrogen therefor

Номер патента: US20030209702A1. Автор: Paul Farrar,Jerome Eldridge. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-13.

Device having a high dielectric constant material and a method of manufacture thereof

Номер патента: US20030013269A1. Автор: Avinoam Kornblit,Kalman Pelhos,Vincent Donnelly. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Method for stabilizing low dielectric constant materials

Номер патента: US20020115305A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Ming-Sheng Yang,Yung-Tsung Wei,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

High dielectric constant/metal gate (hk/mg) compatible floating gate (fg)/ferroelectric dipole non-volatile memory and logic device

Номер патента: WO2016089646A2. Автор: Yu Lu,Xia Li,Jeffrey Junhao XU,Bin Yang,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-09.

High dielectric constant/metal gate (HK/MG) compatible floating gate (FG)/ferroelectric dipole non-volatile memory

Номер патента: US09576801B2. Автор: Yu Lu,Xia Li,Jeffrey Junhao XU,Bin Yang,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Circuit obfuscation using differing dielectric constants

Номер патента: US09565749B2. Автор: Robert Tilman WORL. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-02-07.

Passive device for protection of the electrical junction box of the LV power supply to a building from undesirable elevated temperature or flame burns

Номер патента: LU506381B1. Автор: Marek Duda,Peter Rončák. Владелец: Megellan Se. Дата публикации: 2024-06-10.

Low-dielectric constant cryptocrystal layers and nanostructures

Номер патента: CA2602365C. Автор: Seref Kalem. Владелец: Scientific and Technological Research Council of Turkey TUBITAK. Дата публикации: 2017-05-09.

High dielectric constant gate oxides for silicon-based devices

Номер патента: US6404027B1. Автор: Minghwei Hong,Ahmet Refik Kortan,Jueinai Raynien Kwo,Joseph Petrus Mannaerts. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-06-11.

Integrated circuits with multiple low dielectric-constant inter-metal dielectrics

Номер патента: WO2000075988A1. Автор: James Lin,Henry Chung,Shi-Qing Wang. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 2000-12-14.

Semiconductor device with high dielectric constant insulator material

Номер патента: US5973351A. Автор: Son V. Nguyen,David E. Kotecki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Stripline circuit requiring high dielectrical constant/high G-force resistance

Номер патента: US4159507A. Автор: Vincent R. Alfaro. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1979-06-26.

Ultra short transistor channel length formed using a gate dielectric having a relatively high dielectric constant

Номер патента: US6153477A. Автор: Mark I. Gardner,Mark C. Gilmer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-11-28.

Method for forming a capping layer over a low-k dielectric with improved adhesion and reduced dielectric constant

Номер патента: US6756321B2. Автор: Lain-Jong Li,Yung-Cheng Lu,Yu-Huei Chen,Chung-Chi Ko,Lih-Ping Li,Shu-E Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-06-29.

Electronic devices with dielectric resonator antennas having non-planar sidewalls

Номер патента: US11962101B2. Автор: Subramanian Ramalingam,Bilgehan Avser,Rodney A Gomez Angulo,Harish Rajagopalan,David GARRIDO LOPEZ,Panagiotis Theofanopoulos,Forhad Hasnat,Mikal Askarian Amiri. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Circuit board with lower dielectric constant and electrical connector having the same

Номер патента: US20230413434A1. Автор: Ming Li,Kun Liu,Qiongnan Chen,Kaide Wang,Zhaolong Zeng,Yixinchen XIAN. Владелец: Dongguan Luxshare Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Integrated circuits with high dielectric constant interfacial layering

Номер патента: EP4156273A1. Автор: Uygar E. Avci,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Sarah ATANASOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

RF switch device with a sidewall spacer having a low dielectric constant

Номер патента: US11901435B2. Автор: Cheng-ta Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

LED lighting assembly integrated with dielectric liquid lens

Номер патента: US8698180B2. Автор: Jer-Liang Yeh,Chun-Wen Chen. Владелец: Lustrous Tech Ltd. Дата публикации: 2014-04-15.

Method of manufacturing semiconductor device including ultra low dielectric constant layer

Номер патента: US20090280637A1. Автор: Kyoung-Woo Lee,Hong-jae Shin,Jae-Hak Kim,Jae-ouk Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Shortwave infrared organic photodiode with an increased dielectric constant

Номер патента: US20210111359A1. Автор: Tse Nga Ng,Zhenghui WU. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-04-15.

Led lighting assembly integrated with dielectric liquid lens

Номер патента: US20140034979A1. Автор: Jer-Liang Yeh,Chun-Wen Chen. Владелец: Lustrous Tech Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Rf switch device with a sidewall spacer having a low dielectric constant

Номер патента: US20240154023A1. Автор: Cheng-ta Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor structure for measuring dielectric constant and clarifying polarization effect of interlevel dielectric layer

Номер патента: US20020100979A1. Автор: Mu-Chun Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Transitional dielectric layer to improve reliability and performance of high dielectric constant transistors

Номер патента: WO2006107383A3. Автор: Olubunmi O Adetutu,Voon-Yew Thean,Hsing H Tseng,Sriram S Kalpat. Владелец: Sriram S Kalpat. Дата публикации: 2007-08-23.

Battery preconditioning under elevated temperatures

Номер патента: US20240072318A1. Автор: Alvaro Masias,Minghong Liu. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Passive device for protection of the electrical junction box of the LV power supply to a building from undesirable elevated temperature or flame burns.

Номер патента: NL2034987A. Автор: Duda Marek,RONCAK Peter. Владелец: Megellan Se. Дата публикации: 2023-12-14.

Elevated temperature rf ion source

Номер патента: US20090032727A1. Автор: William F. Divergilio. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Method of producing highly porous silicon nitride material with fibrous structure and installation for its implementation

Номер патента: RU2634443C1. Автор: Виктор Григорьевич Гилев,Иван Борисович Пуртов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2017-10-30.

Detail from composite material with ceramic matrix and method of its manufacture

Номер патента: RU2531394C2. Автор: Себастьен БЕРТРАН,Жак ТЕБО. Владелец: Геракл. Дата публикации: 2014-10-20.

Passive device for protection of the electrical junction box of the LV power supply to a building from undesirable elevated temperature or flame burns

Номер патента: LU506381A1. Автор: Marek Duda,Peter Rončák. Владелец: Megellan Se. Дата публикации: 2024-02-14.

Hydrophilic thermally switched pressure-sensitive adhesive composition reversibly coming off in water at elevated temperatures

Номер патента: RU2585787C2. Автор: Михаил Майорович Фельдштейн. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Умные адгезивы". Дата публикации: 2016-06-10.

Resin composition for low-dielectric material, film for multilayer substrate, multilayer substrate, method for producing resin composition for low-dielectric material, method for producing film for multilayer substrate, and method for producing multilayer substrate

Номер патента: US20240209148A1. Автор: Yoshiyuki Oishi,Yuji Shibasaki,Tadashi Tsukamoto. Владелец: Iwate University NUC. Дата публикации: 2024-06-27.

Tailorable dielectric material with complex permittivity characteristics

Номер патента: WO2009014959A9. Автор: Sayata Ghose,Donavon Mark Delozier,John W Connell,Kent A Watson,Kenneth L Dudley,Holly A Elliott,Joseph G Smith Jr. Владелец: Joseph G Smith Jr. Дата публикации: 2009-04-30.

Low-dielectric thermally curable resin composition and low dielectric material prepared therefrom

Номер патента: US11884759B2. Автор: Myong Jae Yoo,Churl Seung Lee. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-01-30.

Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates

Номер патента: US20050199583A1. Автор: Gang Zhang,Adam Cohen,Kieun Kim,Uri Frodis,Dennis Smalley,Michael Lockard,Qui Le,Dale McPherson. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2005-09-15.

Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates

Номер патента: US09546431B2. Автор: Gang Zhang,Dennis R. Smalley,Adam L. Cohen,Michael S. Lockard,Kieun Kim,Uri Frodis,Qui T. Le,Dale S. McPherson. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Compositions, dielectric materials, electronic devices, and methods of forming the same

Номер патента: WO2024019905A1. Автор: Yang Li,Xin Li,Mingqian He. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-01-25.

Dielectric materials

Номер патента: US11959007B2. Автор: Frank Meyer,Karsten Koppe,Gregor Larbig. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-04-16.

Polymer material with thermal-switching bactericidal properties, the method of its preparation and application

Номер патента: WO2019168422A1. Автор: Kamil AWSIUK,Andrzej BUDKOWSKI,Joanna RACZKOWSKA,Yurij STETSYSHYN. Владелец: UNIWERSYTET JAGIELLONSKI. Дата публикации: 2019-09-06.

Multi-laser system and method for cutting and post-cut processing hard dielectric materials

Номер патента: US09764427B2. Автор: Mathew Hannon,Marco Mendes,Jeffrey P. Sercel,Joshua Schoenly,Rouzbeh SARRAFI,Xiangyang Song,Miroslaw Sokol. Владелец: IPG Photonics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Process for producing elevated temperature corrosion resistant metal articles

Номер патента: USRE31339E. Автор: Louis E. Dardi,William R. Freeman, Jr.. Владелец: Howmet Turbine Components Corp. Дата публикации: 1983-08-09.

Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates

Номер патента: US10676836B2. Автор: Gang Zhang,Dennis R. Smalley,Adam L. Cohen,Michael S. Lockard,Kieun Kim,Uri Frodis,Qui T. Le,Dale S. McPherson. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2020-06-09.

Polymerization of macrocyclic polyester oligomers at elevated temperature using rare earth element catalysts

Номер патента: EP1814929A1. Автор: David T. Williamson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-08-08.

Polymer compositions having improved mechanical properties at elevated temperatures and corresponding articles

Номер патента: WO2021224350A1. Автор: Linda M. Norfolk,David McIlroy,Lee Carvell,Matthew R. VINCENT. Владелец: SOLVAY SPECIALTY POLYMERS USA, LLC. Дата публикации: 2021-11-11.

Dielectric material used on high power stainless steel plates and the preparation method thereof

Номер патента: US20070281848A1. Автор: Shenghong Wu,Taijun Deng. Владелец: INDUCON INDUSTRIES Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Beta titanium alloy sheet for elevated temperature applications

Номер патента: EP3292227A1. Автор: Yoji Kosaka,Phani GUDIPATI. Владелец: Titanium Metals Corp. Дата публикации: 2018-03-14.

Beta titanium alloy sheet for elevated temperature applications

Номер патента: WO2016179163A1. Автор: Yoji Kosaka,Phani GUDIPATI. Владелец: TITANIUM METALS CORPORATION. Дата публикации: 2016-11-10.

Stabilizing scavenger formulations in the presence of excess formaldehyde for storage at elevated temperatures

Номер патента: US12084616B1. Автор: Jerry J. Weers,Sunder Ramachandran,Zhengwei Liu,Jagrut Jani,Scott Lehrer. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Titanium alloy having good oxidation resistance and high strength at elevated temperatures

Номер патента: US09957836B2. Автор: Kuang-O Yu,Fusheng Sun,Ernest M. Crist. Владелец: RTI International Metals Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Dielectric material and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230374242A1. Автор: Tao Liu,Shun Yao,Ling ZHAO,Dongdong HU,Yichong Chen,Yijie LING,Zhimei XU. Владелец: EAST CHINA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-11-23.

Dielectric materials based on bismaleimides containing cardo/spiro moieties

Номер патента: US20240010796A1. Автор: Frank Egon Meyer,Pawel Miskiewicz,Gregor Larbig. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-01-11.

Dielectric materials based on bismaleimides containing cardo/spiro moieties

Номер патента: EP4255963A1. Автор: Frank Egon Meyer,Pawel Miskiewicz,Gregor Larbig. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2023-10-11.

Beta titanium alloy sheet for elevated temperature applications

Номер патента: US20160326612A1. Автор: Yoji Kosaka,Phani GUDIPATI. Владелец: Titanium Metals Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Vapor etching of nuclear tracks in dielectric materials

Номер патента: US6033583A. Автор: Robert J. Contolini,Ronald G. Musket,John D. Porter,James M. Yoshiyama. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2000-03-07.

Articles having elevated temperature elasticity made from irradiated and crosslinked ethylene polymers and method for making the same

Номер патента: CA2332139C. Автор: Thoi H. Ho,Rajen M. Patel,Michael F. Langohr,Selim Bensason,Jill M. Martin,Nancy J. Schrock. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2009-09-29.

Articles having elevated temperature elasticity made from irradiated and crosslinked ethylene polymers and method for making the same

Номер патента: MY121367A. Автор: Selim Bensason,Thoi H Hoi,Rajen M Patel,Nancy J Schrock,Jill M Martin,Michael F Langohr. Владелец: DOW GLOBAL TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2006-01-28.

Austenitic heat resistant steel excellent in elevated temperature strength

Номер патента: US5626817A. Автор: Yoshiatsu Sawaragi,Hiroyuki Senba. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1997-05-06.

Multi-laser system and method for cutting and post-cut processing hard dielectric materials

Номер патента: US11819949B2. Автор: Mathew Hannon,Marco Mendes,Jeffrey P. Sercel,Joshua Schoenly,Rouzbeh SARRAFI,Xiangyang Song,Miroslaw Sokol. Владелец: IPG Photonics Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Polyimides and copolyimides as dielectric materials

Номер патента: RU2751883C1. Автор: Иван Александрович Новаков,Борис Семёнович Орлинсон,Евгений Николаевич Савельев,Елена Александровна Потаенкова,Мария Александровна Наход,Станислав Владимирович МЕДНИКОВ,Александр Михайлович Пичугин,Мария Николаевна Ковалева,Алина Вячеславовна Киреева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2021-07-19.

Titanium alloy with good corrosion resistance and high mechanical strength at elevated temperatures

Номер патента: RU2583221C2. Автор: Ю Куанг-О,Сан Фушенг,М. Крист Эрнест. Владелец: АрТиАй Интернэшнл Металс, Инк.. Дата публикации: 2016-05-10.

Polyolefin foam materials of high dimensional stability at elevated temperatures

Номер патента: US6225366B1. Автор: Hartmut Bucka,Norbert Reichelt,Manfred Raetzsch,Achim Hesse,Ulf Panzer. Владелец: Borealis AG. Дата публикации: 2001-05-01.

Stabilizing polysaccharide solutions for tertiary oil recovery at elevated temperature

Номер патента: CA1279315C. Автор: Judson C. Philips. Владелец: PFIZER INC. Дата публикации: 1991-01-22.

Nickel/iron casting alloy exhibiting high strength at elevated temperatures and high microstructural stability

Номер патента: CA1208043A. Автор: Wolfgang Spyra,Helmut Brandis,Josef Reismann. Владелец: Thyssen Edelstahlwerke AG. Дата публикации: 1986-07-22.

Low dielectric constant materials with polymeric networks

Номер патента: EP1303550A1. Автор: Kreisler Honeywell International Inc. LAU,Feng Quan Honeywell International Inc. LIU,Boris Honeywell International Inc. KOROLEV,Emma Honeywell International Inc. BROUK,Ruslan Honeywell International Inc. ZHEREBIN,David Honeywell International Inc. NALEWAJEK. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-04-23.

Low dielectric constant materials with polymeric networks

Номер патента: EP1303550A4. Автор: David Nalewajek,Feng Quan Liu,Boris Korolev,Kreisler Lau,Emma Brouk,Ruslan Zherebin. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-07-30.

Method of forming dielectric material layer using plasma

Номер патента: US20240271280A1. Автор: Yoshio SUSA,Yoshiyuki Kikuchi,Norihiko Ishinohachi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-15.

Rubber resin material with high dielectric constant

Номер патента: US11920036B2. Автор: Hung-Yi Chang,Te-Chao Liao,Chia-Lin Liu,Chien-Kai Wei. Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Aluminum-iron-vanadium alloys having high strength at elevated temperatures

Номер патента: US4715893A. Автор: Kenji Okazaki,David J. Skinner,Richard L. Bye, Jr.,Colin M. Adam. Владелец: Allied Corp. Дата публикации: 1987-12-29.

Method of making an article from an acrylic material with a backing material

Номер патента: NZ333648A. Автор: Paul Tinker. Владелец: Aeci Ltd. Дата публикации: 2000-06-23.

Stabilizing polysaccharide solutions for tertiary oil recovery at elevated temperature with dithionite

Номер патента: CA1210233A. Автор: Judson C. Philips. Владелец: PFIZER INC. Дата публикации: 1986-08-26.

Hot-dip aluminum coated steel strip having excellent strength and oxidation resistance at elevated temperatures and process for production thereof

Номер патента: CA1226767A. Автор: Toshiro Yamada,Hisao Kawase,Noriyasu Sakai. Владелец: Nisshin Steel Co Ltd. Дата публикации: 1987-09-15.

Cyclic o,o,s-triesters of phosphorodithioic acid,uses of same as accelerators of sulfur vulcanization at elevated temperatures and improved vulcanizates

Номер патента: US3839498A. Автор: W Nudenberg,J Mann,M Harvey. Владелец: Uniroyal Inc. Дата публикации: 1974-10-01.

Method of manufacturing a tempered glass dielectric material for use as an electrical insulator and insulator fabricated therefrom

Номер патента: US4471024A. Автор: Laurent Pargamin,Jean-Paul Parant,Michel Cornebois,Henri Sa/i/ sse. Владелец: Ceraver SA. Дата публикации: 1984-09-11.

Stabilization of polyolefins against degradative deterioration as a result of exposure to light and air at elevated temperatures

Номер патента: CA1080461A. Автор: Lawrence R. Brecker,Otto S. Kauder. Владелец: Witco Chemical Canada Ltd. Дата публикации: 1980-07-01.

Magnesium-based casting alloys having improved elevated temperature performance

Номер патента: CA2394122C. Автор: Mihriban O. Pekguleryuz,Pierre Labelle. Владелец: Noranda Inc. Дата публикации: 2004-10-26.

Low density, high strength al-li alloy having high toughness at elevated temperatures

Номер патента: CA2135790A1. Автор: Alex Cho. Владелец: Pechiney Rolled Products, Llc. Дата публикации: 1993-11-25.

Low Mn-low Cr ferritic heat resistant steel excellent in strength at elevated temperatures

Номер патента: US5746843A. Автор: Nobuyoshi Komai,Masaaki Igarashi,Fujimitsu Masuyama,Tomomitsu Yokoyama,Kaori Miyata. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1998-05-05.

Bitumen/polymer composition exhibiting an adhesiveness which is retained on storage at elevated temperature and process for preparing such a composition

Номер патента: US5120777A. Автор: Jean-Pascal Planche,Pierre Chaverot. Владелец: Elf France SA. Дата публикации: 1992-06-09.

Treating shaped arylene sulfide/sulfone polymer with organic liquid at elevated temperature

Номер патента: US4299951A. Автор: Robert W. Campbell. Владелец: Phillips Petroleum Co. Дата публикации: 1981-11-10.

Rotavirus preparations with excess calcium ions and high viscosities that ensure vaccine viability at elevated temperatures

Номер патента: WO2013029033A3. Автор: Brian Pulliam. Владелец: Brian Pulliam. Дата публикации: 2014-04-24.

Ceramic ion exchange materials with hydrophobic groups

Номер патента: WO2024015277A1. Автор: Stephanie Lynn Candelaria,Olivia Marie Lenz,Emily Jane RABE. Владелец: Membrion, Inc.. Дата публикации: 2024-01-18.

Cmp compositions for polishing dielectric materials

Номер патента: EP4323462A1. Автор: Rajiv K. Singh,Akshay RAJOPADHYE,Sunny DE. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Inert material with increased hardness for thermally stressed parts

Номер патента: CA2416950C. Автор: Gabriele Saller,Johann Sammer,Gottfried Mayerbock. Владелец: Boehler Edelstahl GmbH and Co KG. Дата публикации: 2007-08-28.

Optically transparent adamantane-containing polyimides and copolyimides based on 5.5'-(1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane-2,2-diyl)bis(2-benzofuran-1,3-dione) having low dielectric constant

Номер патента: RU2753691C1. Автор: Иван Александрович Новаков,Борис Семёнович Орлинсон,Евгений Николаевич Савельев,Елена Александровна Потаенкова,Станислав Владимирович МЕДНИКОВ,Александр Михайлович Пичугин,Мария Николаевна Ковалева,Алина Вячеславовна Киреева,Мария Мария Александровна Наход. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2021-08-19.

Tire with component comprising cured rubber composition having high dielectric constant and related methods

Номер патента: US20190144639A1. Автор: Craig R. Balnis. Владелец: Bridgestone Americas Tire Operations LLC. Дата публикации: 2019-05-16.

Siloxane-based low dielectric constant thin films using cyclo-siloxane and a method for preparing the same

Номер патента: US20120004368A1. Автор: He Seung Lee,Seung Sang Hwang,Kyung Youl Baek,Seung-Sock CHOI,Sungyoun OH,Eun Kyeong KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2012-01-05.

High-dielectric constant zwitterionic liquids

Номер патента: WO2023225050A1. Автор: Ralph H. Colby,Robert J. Hickey,Wenwen MEI. Владелец: THE PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-11-23.

Control of nanoparticles dispersion stability through dielectric constant tuning, and determination of intrinsic dielectric constant of surfactant-free nanoparticles

Номер патента: US20230287195A1. Автор: Hung-Jue Sue,Masahiro Miyamoto,Xi Zhang,Haiqing YAO. Владелец: Kaneka Americas Holding Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Rubber resin material with high thermal conductivity and high dielectric constant and metal substrate using the same

Номер патента: US20230406982A1. Автор: Hung-Yi Chang,Te-Chao Liao,Chia-Lin Liu,Hao-Sheng Chen. Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Optically clear pressure sensitive adhesives with a low dielectric constant

Номер патента: WO2024110817A1. Автор: Sung-Tso LIN. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2024-05-30.

Manufacturing method of the materials and the parts with low dielectric constant and low dielectric loss by inkjet printing

Номер патента: US20240316948A1. Автор: Jong Hee Kim,Seongkeun IH. Владелец: Crhm Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Single-component foamed material with low content of monomer

Номер патента: RU2281298C2. Автор: Родни БИКНЭЛЛ,Джон ГРИМШО. Владелец: Ратор Аг. Дата публикации: 2006-08-10.

Downhole fluids with high dielectric constant and high dielectric strength

Номер патента: MY183665A. Автор: Paul F Rodney. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2021-03-07.

Downhole fluids with high dielectric constant and high dielectric strength

Номер патента: CA2982556C. Автор: Paul F. Rodney. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2021-03-02.

Downhole fluids with high dielectric constant and high dielectric strength

Номер патента: CA2982556A1. Автор: Paul F. Rodney. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Siloxane-based low dielectric constant thin films using cyclo-siloxane and a method for preparing the same

Номер патента: US20120004368A1. Автор: He Seung Lee,Seung Sang Hwang,Kyung Youl Baek,Seung-Sock CHOI,Sungyoun OH,Eun Kyeong KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2012-01-05.

Modular electrolyzer cell and process to convert carbon dioxide to gaseous products at elevated pressure and with high conversion rate

Номер патента: AU2019447528A1. Автор: Richard Jones,Ferenc Darvas,Antal DANYI,Balázs ENDRÖDI,Csaba JANÁKY,Egon KECSENOVITY,Angelika SAMU,Viktor Török. Владелец: Echemicles Zrt. Дата публикации: 2022-02-03.

Additive manufacturing for elevated-temperature ductility and stress rupture life

Номер патента: RU2670827C9. Автор: Даниэль Э. МАТЕЙЧИК,Колин Л. СВИНГЛЕР. Владелец: Аэроджет Рокетдайн оф ДЕ, Инк.. Дата публикации: 2018-11-29.

Additive manufacturing for elevated-temperature ductility and stress rupture life

Номер патента: RU2670827C2. Автор: Даниэль Э. МАТЕЙЧИК,Колин Л. СВИНГЛЕР. Владелец: Аэроджет Рокетдайн оф ДЕ, Инк.. Дата публикации: 2018-10-25.

High dielectric constant neat polymeric film

Номер патента: WO2024064576A1. Автор: Kathleen OPPER,Christopher SEAY,Kevin KAURICH,Jacob PRETKO. Владелец: Dupont Safety & Construction, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Siloxane-based low dielectric constant thin films using cyclo-siloxane and a method for preparing the same

Номер патента: US8865852B2. Автор: He Seung Lee,Seung Sang Hwang,Kyung Youl Baek,Seung-Sock CHOI,Sungyoun OH,Eun Kyeong KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-10-21.

High dielectric constant neat polymeric film

Номер патента: US20240117131A1. Автор: Kathleen OPPER,Christopher SEAY,Kevin KAURICH,Jacob PRETKO. Владелец: DuPont Safety and Construction Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Liquid crystal polyester composition of low dielectric constant and low dielectric loss rate with improved fluidity

Номер патента: US11820860B2. Автор: Youn Eung Lee,Jin Kyu Lee,Sun Hwa Jang,Tae-Young Ha,Hyuk Jin Kim. Владелец: Seyang Polymer Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Low dielectric constant materials from plant oils and chicken feathers

Номер патента: WO2004008498A3. Автор: Chang Kook Hong,Richard P Wool. Владелец: Richard P Wool. Дата публикации: 2004-08-12.

Low bulk density, low surface dielectric constant latex polymers for ink-jet ink applications

Номер патента: EP1590411A2. Автор: Sivapackia Ganapathiappan,Kent D. Vincent. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-11-02.

Nanoporous low dielectric constant polymers with hollow polymer particles

Номер патента: US20020115735A1. Автор: Jim Drage. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2002-08-22.

Coatings having filler-polymer compositions with combined low dielectric constant, high resistivity, and optical density properties and controlled electrical resistivity, devices made therewith, and methods for making same

Номер патента: US09982158B2. Автор: Eugene N. Step,Qingling Zhang,Geoffrey D. Moeser,Agathagelos Kyrlidis,Andriy Korchev,Pavel A. Kossyrev,Jeremy K. Huffman. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Coatings having filler-polymer compositions with combined low dielectric constant, high resistivity, and optical density properties and controlled electrical resistivity, devices made therewith, and methods for making same

Номер патента: US09790393B2. Автор: Eugene N. Step,Qingling Zhang,Geoffrey D. Moeser,Agathagelos Kyrlidis,Andriy Korchev,Pavel A. Kossyrev,Jeremy K. Huffman. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Low dielectric constant glass fiber

Номер патента: US09556060B2. Автор: Yuan Yao,Cong Zhang,Guoyun Yang,Lixiong Han,Haishen Liu. Владелец: Chongqing Polycomp International Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Chemically stable, stain-, abrasion- and temperature-resistant, easy-to-clean metalware for use in elevated temperatures

Номер патента: WO2014184160A1. Автор: Besim Tahincioglu. Владелец: EKSEN MAKINE SANAYI VE TICARET A.S.. Дата публикации: 2014-11-20.

Carbon black-filed polyurethanes with high dielectric constant and dielectric strength

Номер патента: IL199801A0. Автор: . Владелец: BAYER MATERIALSCIENCE AG. Дата публикации: 2010-04-15.

Catalysis of amine curable polymers by high dielectric constant compounds

Номер патента: GB1499215A. Автор: . Владелец: Firestone Tire and Rubber Co. Дата публикации: 1978-01-25.

Titanium silicate films with high dielectric constant

Номер патента: EP1607375A2. Автор: Luc Ouellet,Daniel Brassard,El Khakani My Ali,Sarkar Dilip K.. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-21.

Liquid crystalline polyesters (lcp) and thermoplastic compositions having low dielectric constant (dk) and dissipation factor (df)

Номер патента: EP4255958A1. Автор: Joel POLLINO,Ryan MONDSCHEIN. Владелец: Solvay Specialty Polymers USA LLC. Дата публикации: 2023-10-11.

Liquid Crystalline Polyesters (LCP) and Thermoplastic Compositions having Low Dielectric Constant (Dk) and Dissipation Factor (Df)

Номер патента: US20230399460A1. Автор: Joel POLLINO,Ryan MONDSCHEIN. Владелец: Solvay Specialty Polymers USA LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Liquid Crystalline Polymer Composition having a Low Dielectric Constant

Номер патента: US20230407181A1. Автор: Xiaowei Zhang,Xinyu Zhao. Владелец: Ticona LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Low dielectric constants organic-soluble polyimides, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20060178499A1. Автор: Yaw-Terng Chern. Владелец: Home Sun Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-10.

Polymeric compositions with high dielectric constant and low dielectric loss

Номер патента: EP3898820A1. Автор: Yunfeng Jiao. Владелец: DuPont Polymers Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Low dielectric constant organic dielectrics based on cage-like structures

Номер патента: EP1274755A2. Автор: Kreisler Honeywell International Inc. LAU,Feng Quan Honeywell International Inc. LIU,Boris Honeywell International Inc. KOROLEV,Emma Honeywell International Inc. BROUK,Ruslan Honeywell International Inc. ZHEREBIN,Roger Honeywell International Inc. LEUNG. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-01-15.

Liquid crystalline polyesters (lcp) and thermoplastic compositions having low dielectric constant (dk) and dissipation factor (df)

Номер патента: EP4255956A1. Автор: Joel POLLINO,Ryan MONDSCHEIN,Anthony BOCAHUT. Владелец: Solvay Specialty Polymers USA LLC. Дата публикации: 2023-10-11.

Liquid Crystalline Polyesters (LCP) and Thermoplastic Compositions having Low Dielectric Constant (Dk) and Dissipation Factor (Df)

Номер патента: US20230416453A1. Автор: Joel POLLINO,Ryan MONDSCHEIN,Anthony BOCAHUT. Владелец: Solvay Specialty Polymers USA LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Low dielectric constant organic dielectrics based on cage-like structures

Номер патента: WO2001078110B1. Автор: Feng Quan Liu,Boris Korolev,Roger Leung,Kreisler Lau,Emma Brouk,Ruslan Zherebin. Владелец: Ruslan Zherebin. Дата публикации: 2002-05-16.

Liquid crystalline polymer composition having a low dielectric constant

Номер патента: WO2023249878A1. Автор: Xiaowei Zhang,Xinyu Zhao. Владелец: Ticona LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Low dielectric constant organic dielectrics based on cage-like structures

Номер патента: WO2001078110A3. Автор: Feng Quan Liu,Boris Korolev,Roger Leung,Kreisler Lau,Emma Brouk,Ruslan Zherebin. Владелец: Ruslan Zherebin. Дата публикации: 2002-03-07.

Polymeric compositions with high dielectric constant and low dielectric loss

Номер патента: US20220056267A1. Автор: Yunfeng Jiao. Владелец: DuPont Polymers Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Connected medical device containing a liquid crystalline polymer composition having a low dielectric constant

Номер патента: EP4351413A1. Автор: Young Shin Kim,Philip T. Wilson,Don DEMELLO. Владелец: Ticona LLC. Дата публикации: 2024-04-17.

Connected medical device containing a liquid crystalline polymer composition having a low dielectric constant

Номер патента: WO2022245717A1. Автор: Young Shin Kim,Philip T. Wilson,Don DEMELLO. Владелец: Ticona LLC. Дата публикации: 2022-11-24.

Connected medical device containing a liquid crystalline polymer composition having a high dielectric constant

Номер патента: EP4351414A1. Автор: Young Shin Kim,Philip T. Wilson,Don DEMELLO. Владелец: Ticona LLC. Дата публикации: 2024-04-17.

Connected medical device containing a liquid crystalline polymer composition having a high dielectric constant

Номер патента: WO2022245728A1. Автор: Young Shin Kim,Philip T. Wilson,Don DEMELLO. Владелец: Ticona LLC. Дата публикации: 2022-11-24.

Low dielectric constant organic dielectrics based on cage-like structures

Номер патента: EP1274755A4. Автор: Feng Quan Liu,Boris Korolev,Roger Leung,Kreisler Lau,Emma Brouk,Ruslan Zherebin. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2004-05-12.

Magnesium alloy having superior elevated-temperature properties and die castability

Номер патента: US5855697A. Автор: Toru Shinoda,Aihua A. Luo. Владелец: IMRA America Inc. Дата публикации: 1999-01-05.

Method for determining the effectiveness of asphaltene dispersant additives for inhibiting or preventing asphaltene precipitation in a hydrocarbon-containing material subjected to elevated temperature and presssure conditions

Номер патента: US09921205B2. Автор: Estrella Rogel,Cesar Ovalles,Michael Moir. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of producing high-caloric fuel pellets from organic material with annual renewal

Номер патента: RU2723938C1. Автор: Владислав Васильевич Степанов,Ольга Владимировна Степанова,Евгения Витальевна Степанова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭКОТОПЛИВО". Дата публикации: 2020-06-18.

Method of producing metal-polymer nanocomposite materials with metal nanoparticles

Номер патента: RU2711427C1. Автор: Ольга Владимировна Аржакова,Алла Анатольевна Долгова,Екатерина Геннадьевна Рухля,Елена Анатольевна Зезина,Петр Александрович Кечекьян,Алексей Александрович Зезин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-01-17.

Device for vacuum-plasma deposition of materials with ion stimulation

Номер патента: RU2682744C2. Автор: Владимир Борисович Павлов,Владимир Петрович Ращинский,Вадим Александрович Сологуб,Александр Арменакович Айрапетов,Вадим Васильевич Одиноков,Георгий Яковлевич Павлов,Александр Михайлович Никонов,Михаил Георгиевич Бирюков,Константин Викторович Вавилин,Елена Александровна Кралькина,Полина Алексеевна Неклюдова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения". Дата публикации: 2019-03-21.

Low-resistance material with improved wearing capacity for current transfer and method for production thereof

Номер патента: RU2244037C2. Автор: Да Хай ХЕ,Рафаэль Р. МАНОРИ,Норман Дж. ГРЕЙДИ,Гарри СИНКИС,Клим ПАЧЕКО. Владелец: Викториэн Рэйл Трэк. Дата публикации: 2005-01-10.

Material with composite particles on substrate, method of producing said material and method of producing compounds using material with composite particles on substrate as chemical synthesis catalyst

Номер патента: RU2437715C1. Автор: Кен СУЗУКИ,Тацуо ЯМАГУТИ. Владелец: Асахи Касеи Кемикалз Корпорейшн. Дата публикации: 2011-12-27.

Method of obtaining porous glass material with low content of manganese from poor and highly phosphorous manganese ores

Номер патента: RU2365546C2. Автор: Борис Николаевич Нефедов,Вячеслав Фролович Павлов,Василий Филиппович Шабанов,Игорь Вячеславович Павлов. Владелец: СПЕЦИАЛЬНОЕ КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ БЮРО "НАУКА" КРАСНОЯРСКОГО НАУЧНОГО ЦЕНТРА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (СКТБ "Наука" КНЦ СО РАН). Дата публикации: 2009-08-27.

Metal material with processed surface and device for metal surface processing

Номер патента: RU2415200C2. Автор: Ацуси МОРИСИТА,Хироси КАНАИ,Масахиро ФУДА,Хироси КОСУГЕ,Цутому ТАВА. Владелец: Мицуи Кемикалз Полиюрифейнс, Инк.. Дата публикации: 2011-03-27.

Vacuum unit for nanostructured coating made of material with shape memory effect on part surface

Номер патента: RU2674532C1. Автор: Жесфина Михайловна Бледнова,Эътибар Юсиф Оглы Балаев,Олег Игоревич Боровец. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВО "КубГТУ"). Дата публикации: 2018-12-11.

Method for manufacturing a nanocomposite material with biological activity

Номер патента: RU2659997C2. Автор: Вера Матвеевна Елинсон,Ольга Андреевна Сильницкая. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)". Дата публикации: 2018-07-04.

Installation for catalytic recycling of light hydrocarbon raw material with production of aromatic hydrocarbons

Номер патента: RU2758765C2. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2021-11-01.

Method of producing metal composite material with a carbide-based disperse phase

Номер патента: RU2707055C1. Автор: Владимир Михайлович Смирнов,Борис Николаевич Семенов,Елена Георгиевна Земцова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ)". Дата публикации: 2019-11-21.

Composite material with aluminum matrix and carbon fiber and method for its production

Номер патента: RU2759840C1. Автор: Сергей Николаевич Галышев,Андрей Игоревич Гомзин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «ЦФАЛ». Дата публикации: 2021-11-18.

METHOD OF MANUFACTURING FUNCTIONAL MATERIAL WITH REVERSIBLE SHAPE MEMORY FROM TiNi-TiCu INTERMETALLIC SYSTEM QUASI-BINARY ALLOY (EMBODIMENTS)

Номер патента: RU2692711C1. Автор: Николай Николаевич Ситников,Александр Васильевич Шеляков,Кирилл Анатольевич Бородако,Алексей Павлович Менушенков,Дина Викторовна Шейфер. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2019-06-26.

Light-sensitive polymer material with fluorescent reading of information, activated by trichloroacetyl pyrazoline, and method for production thereof

Номер патента: RU2725766C1. Автор: Сергей Михайлович Долотов,Иван Викторович Иванов,Валерий Федорович Травень,Дмитрий Андреевич Чепцов,Анна Викторовна Вавина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2020-07-06.

Elastomeric materials with high content of hard units and method for production thereof

Номер патента: RU2483084C2. Автор: Ханс Годеливе Гвидо ВЕРБЕКЕ,Герхард Йозеф БЛЕЙС. Владелец: Хантсмэн Интернэшнл Ллс. Дата публикации: 2013-05-27.

Rapidly solidified aluminum based, silicon containing alloys for elevated temperature applications

Номер патента: CA1330004C. Автор: David John Skinner,Colin Mclean Adam,Santosh Kumar Das,Richard Lister Bye. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1994-06-07.

High-strength film multilayer material with layers of plasticiser-containing polyvinyl(h)acetal and plasticiser-containing polyvinyl(iso)acetal

Номер патента: RU2588632C2. Автор: Мартин ШТОЙЕР,Уве КЕЛЛЕР,Маркус МАЙЗЕ,Михаэль ФРАНК,Ян БЕККХУЙЦЕН. Владелец: Курарай Юроп Гмбх. Дата публикации: 2016-07-10.

Composite material with invar properties

Номер патента: RU2676537C1. Автор: Павел Александрович Алексеев,Дмитрий Александрович Серебренников,Евгений Станиславович Клементьев. Владелец: Дмитрий Александрович Серебренников. Дата публикации: 2019-01-09.

Dielectric material including particulate filler

Номер патента: WO2000066674A1. Автор: William F. Hartman,Kristen J. Law,Kirk M. Slenes. Владелец: TPL, INC.. Дата публикации: 2000-11-09.

Method for metal coating of dielectric material of component of electronic microwave technology

Номер патента: RU2654963C1. Автор: Нина Борисовна Гудкова,Ольга Ивановна Хахина,Ирина Валентиновна Белова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2018-05-23.

Device for static electricity removal from dielectric materials

Номер патента: RU2723346C1. Автор: Андрей Александрович Данилов,Александр Петрович Бобров,Владимир Альбертович Паранюшкин. Владелец: Владимир Альбертович Паранюшкин. Дата публикации: 2020-06-10.

Acoustic surface wave-apparatus having dielectric material separating transducer from acoustic medium

Номер патента: US3760299A. Автор: Carmine F Vasile. Владелец: Hazeltine Corp. Дата публикации: 1973-09-18.

Dielectric material including particulate filler

Номер патента: US20010036052A1. Автор: William F. Hartman,Kristen J. Law,Kirk M. Slenes. Владелец: TPL Inc. Дата публикации: 2001-11-01.

Uv curable dielectric materials for 3d printing and 3d printing systems with the same

Номер патента: US20240260201A1. Автор: FENG Zhou,Ercan Mehmet DEDE,Tianzhu Fan. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Mram devices containing a hardened gap fill dielectric material

Номер патента: WO2021059114A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Alexander Reznicek,Devika Sil,Yasir Sulehria. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-04-01.

Mram devices containing a hardened gap fill dielectric material

Номер патента: GB2603684A. Автор: Reznicek Alexander,Sil Devika,Gluschenkov Oleg,Sulehria Yasir. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

Memory element with memory material comprising phase-change material and dielectric material

Номер патента: WO1999054128A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Wolodymyr Czubatyj,David A. Strand,Boil Pashmakov,Sergey Kostylev,Patrick J. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices, Inc.. Дата публикации: 1999-10-28.

Surface-Acoustic-Wave (SAW) Filter with Dielectric Material Disposed in a Piezoelectric Layer

Номер патента: US20230402989A1. Автор: Matthias PERNPEINTNER,Stefan Ammann,Marc Esquius Morote,Michael Merker. Владелец: RF360 Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Surface-acoustic-wave (saw) filter with dielectric material disposed in a piezoelectric layer

Номер патента: WO2023244165A1. Автор: Matthias PERNPEINTNER,Stefan Ammann,Marc Esquius Morote,Michael Merker. Владелец: Rf360 Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2023-12-21.

Method and apparatus for using electromagnetic radiation to heat a dielectric material

Номер патента: US5977532A. Автор: Lars Sven Erling Ekemar. Владелец: Antrad System Ab. Дата публикации: 1999-11-02.

Substrates having voltage switchable dielectric materials

Номер патента: US8272123B2. Автор: Glen Irvin,Shurui Shang,Robert Fleming,Xiaofeng Chen,Lex Kosowsky,Bhret Graydon. Владелец: Shocking Technologies Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Method for checking and verifying the correct stripping process of the insulating layer in predefined sections of a conducting wire covered by a layer of dielectric material, and related assembly for checking and verifying

Номер патента: WO2024047038A1. Автор: Massimiliano GIACHI,Anton Giulio ROGAI. Владелец: ATOP S.P.A.. Дата публикации: 2024-03-07.

Microstrip delay matching using printed dielectric material

Номер патента: US11991819B2. Автор: Sandor Farkas,Timothy M. Lambert,Bhyrav Mutnury. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-05-21.

Microstrip delay matching using printed dielectric material

Номер патента: US20240098883A1. Автор: Sandor Farkas,Timothy M. Lambert,Bhyrav Mutnury. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-03-21.

Hall sensor with dielectric isolation and p-n junction isolation

Номер патента: US11782102B2. Автор: Ricky Alan JACKSON,Erika Lynn Mazotti,Keith Ryan Green,William David French. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Directive window ablation antenna with dielectric loading

Номер патента: CA2711827C. Автор: Joseph D. Brannan. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2018-06-19.

An improved radio-frequency apparatus for the application of variably configured electromagnetic fields for processing dielectric materials

Номер патента: WO2005002284A1. Автор: Alessandro Tonello. Владелец: Stalam S.P.A.. Дата публикации: 2005-01-06.

Carbon Graphene Compound Additive to Eliminate ESD and EMI, and Also Manipulate Dielectric Constant

Номер патента: US20230117613A1. Автор: Ving Dee Pu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-20.

Test coupon for measuring a dielectric constant of a memory module board and method of use

Номер патента: US20020106822A1. Автор: Yong-Hyun Kim,Sei-Gu Lee,Joung-Rhang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-08.

Method of measuring light and elevated temperature induced degradation and method of predicting power degradation rate of solar cell

Номер патента: US20240056028A1. Автор: Norikazu Ito,Yuji Ino,Katsuhiko Shirasawa,Koichiro Niira,Hidetaka Takato,Shunsuke HEITO. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Resistive memory with a switching zone between two dielectric regions having different doping and/or dielectric constants

Номер патента: US11944022B2. Автор: Laurent Grenouillet,Marios Barlas,Etienne Nowak. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-03-26.

Preparation method for copper clad laminate having low dielectric constant and high peel strength, copper clad laminate and application thereof

Номер патента: US20220402255A1. Автор: Hongzhuan Zheng,Yonghua LIANG,Liangwen JIN. Владелец: Jiangmen Dezhongtai Engineering Plastics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Dielectric constant measurement circuit and dielectric constant measurement method

Номер патента: US09423438B2. Автор: Chii-Wann Lin,Sheng-Yu Peng,Bo-Shen Chen,Jhih-Hong Lin. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2016-08-23.

Systems and methods for humidity measurement using dielectric material-based relative humidity sensors

Номер патента: US09696272B2. Автор: Elzbieta A. Ledwosinska,John C. Gammel,William H. Simcoe. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for determination of dielectric material level

Номер патента: RU2642166C2. Автор: Сергей Владимирович Сидоров,Станислав Викторович Балакин,Ярослав Вячеславович Хачатуров,Дмитрий Леонидович Сербинов,Владимир Юрьевич Федулов,Илья Евгеньевич Одновол,Александр Юрьевич Федулов. Владелец: Публичное акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королёва". Дата публикации: 2018-01-24.

Electronic timepiece having an antenna body with dielectric

Номер патента: US09727029B2. Автор: Teruhiko Fujisawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of determining dielectric permeability of dielectric materials

Номер патента: RU2637174C1. Автор: Игорь Викторович Емельянов,Максим Олегович Забежайлов,Виталий Петрович Крылов,Иван Васильевич Подольхов,Александр Петрович Шадрин. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина". Дата публикации: 2017-11-30.

Process of sterilization of materials with use of shf radiation of high-intensity field and gear for its realization

Номер патента: RU2161505C1. Автор: Ю.В. Корчагин. Владелец: Корчагин Юрий Владимирович. Дата публикации: 2001-01-10.

Drier for loose dielectric materials

Номер патента: RU2452909C2. Автор: Игорь Викторович Дикуха,Александр Юрьевич Волошко,Виктор Леонидович Самойлов,Владимир Петрович Семиноженко,Олег Валерьевич Шишкин,Николай Викторович Левкин,Виктор Андреевич Хомичук,Алексей Андреевич Чепкий. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "НАУЧНО ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС "ИНСТИТУТ МОНОКРИСТАЛЛОВ" Национальной академии наук Украины. Дата публикации: 2012-06-10.

Method of defining electrodes using laser-ablation and dielectric material

Номер патента: EP2198283A1. Автор: Greg P. Beer,Andrew J. Edelbrock. Владелец: Bayer HealthCare LLC. Дата публикации: 2010-06-23.

Temperature measurement using changes in dielectric constant and associated resonance

Номер патента: EP2008069A2. Автор: Thomas Holst,Jonathan Geisheimer,Scott Billington. Владелец: Radatec Inc. Дата публикации: 2008-12-31.

Microwave unit for processing articles from dielectric materials with large volumes and surfaces

Номер патента: RU2742147C1. Автор: Николай Валерьевич Бекренев,Ирина Владимировна Злобина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2021-02-03.

Impregnation of fibrous sheet material with synthetic resins

Номер патента: GB836786A. Автор: Friederich Jakob Hermann,Egide Rossi. Владелец: REICHHOLD BECKACITE. Дата публикации: 1960-06-09.

Apparatus for testing mechanical properties of dielectric materials at high temperature

Номер патента: RU2685074C1. Автор: Валерий Алексеевич Смирнов,Алексей Владимирович Виноградов,Алла Юрьевна Киселева,Дмитрий Сергеевич Тонин. Владелец: Акционерное общество "Корпорация "Московский институт теплотехники" (АО "Корпорация "МИТ"). Дата публикации: 2019-04-16.

High-resolution, nondestructive imaging of dielectric materials

Номер патента: CA2615685A1. Автор: Jack R. Little, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Electrostatic image developing toner with high dielectric material

Номер патента: US4789613A. Автор: Shoji Ohtani,Rikio Tsushima,Yukiya Sato,Kazunari Takemura. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 1988-12-06.

Nondestructive testing of dielectric materials

Номер патента: AU9403498A. Автор: Jack R. Little Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-04-12.

Method for calculating the electric field inside a dielectric material layer of a high voltage electric cable for direct electric current, and system thereof

Номер патента: EP4396593A1. Автор: Pietro ROMANO,Giuseppe Rizzo,Antonino IMBURGIA,Guido ALA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Roller construction for operation at elevated temperatures

Номер патента: US20020146660A1. Автор: Jiann-Hsing Chen,Allen Kass,Terence Miller,Rainer Bleil. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Monitoring and control of process streams at elevated temperatures

Номер патента: US5213668A. Автор: Vaclav G. Zboril. Владелец: DuPont Canada Inc. Дата публикации: 1993-05-25.

Method for express measurement of humidity of dielectric material moved by air through a pipeline

Номер патента: RU2694464C1. Автор: Валерий Генрихович Гуляев,Иван Валерьевич Гуляев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный архитектурно-строительный университет" (ННГАСУ). Дата публикации: 2019-07-15.

Method for measuring thickness of thin-filmed dielectric materials

Номер патента: RU2652156C2. Автор: Алексей Владимирович Хорват. Владелец: Алексей Владимирович Хорват. Дата публикации: 2018-04-25.

Resistance to tomato brown rugose fruit virus at elevated temperatures

Номер патента: WO2024223901A1. Автор: Lilian FONTANET,Yaniv Rotem,Thomas Duge De Bernonville,Shai Koussevitzky,Stéphanie MALLARD,Nicolas SOUNAC. Владелец: Vilmorin & Cie. Дата публикации: 2024-10-31.

Metasurface for Complex Permittivity Characterization of Dielectric Materials and the Use thereof

Номер патента: US20240264094A1. Автор: David R. Reid,Kenneth Wayne ALLEN,William Daniel Hunt,Christopher T. Howard. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Temperature measurement using changes in dielectric constant and associated resonance

Номер патента: US20080175300A1. Автор: Thomas Holst,Jonathan Geisheimer,Scott Billington. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Apparatus and methods for altering charge on a dielectric material

Номер патента: EP2235595A1. Автор: Robert A. Yapel,Mitchell A. F. Johnson,Joan M. Noyola,Mikhail L. Pekurovsky,Peter T. Benson,Matthew S. Stay,William B. Kolb,Richard M. Jendrejack. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2010-10-06.

Temperature measurement using changes in dielectric constant and associated resonance

Номер патента: CA2649060A1. Автор: Thomas Holst,Jonathan Geisheimer,Scott Billington. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Method for Determining the Humidity and Density of a Dielectric Material

Номер патента: US20080234958A1. Автор: Klaus Kupfer,Eberhard Trinks. Владелец: Sartorius AG. Дата публикации: 2008-09-25.

Apparatus and methods for altering charge on a dielectric material

Номер патента: US8605406B2. Автор: Robert A. Yapel,Joan M. Noyola,Mikhail L. Pekurovsky,Peter T. Benson,Matthew S. Stay,William B. Kolb,Richard M. Jendrejack,Mitchelle A. F. Johnson. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2013-12-10.

Submillimeter laser measurement of water or filler content of sheets and bands of dielectric material

Номер патента: US4785185A. Автор: Jerald R. Izatt,Russell Boulay. Владелец: University of Alabama UA. Дата публикации: 1988-11-15.

Improvements in or relating to the heating of dielectric materials

Номер патента: GB598587A. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables PLC. Дата публикации: 1948-02-23.

Method for calculating the electric field inside a dielectric material layer of a high voltage electric cable for direct electric current, and system thereof

Номер патента: WO2023031980A1. Автор: Pietro ROMANO,Giuseppe Rizzo,Antonino IMBURGIA,Guido ALA. Владелец: Ala Guido. Дата публикации: 2023-03-09.

Method of processing polyethylene-terephthalate- containing materials with removal of impurities from polyethylene-terephthalate (versions)

Номер патента: RU2137787C1. Автор: Симон Майкл Уэст. Владелец: СВИГ ПТИ Лтд.. Дата публикации: 1999-09-20.

Protein formulations for use at elevated temperatures

Номер патента: US7678764B2. Автор: Dongling Su,Venkata Garigapati,Julius Lopez. Владелец: Johnson and Johnson Regenerative Therapeutics LLC. Дата публикации: 2010-03-16.

Method for calculating the electric field inside a dielectric material layer of a high voltage electric cable for direct electric current, and system thereof

Номер патента: AU2022337159A1. Автор: Pietro ROMANO,Giuseppe Rizzo,Antonino IMBURGIA,Guido ALA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for calculating the electric field inside a dielectric material layer of a high voltage electric cable for direct electric current, and system thereof

Номер патента: CA3230472A1. Автор: Pietro ROMANO,Giuseppe Rizzo,Antonino IMBURGIA,Guido ALA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for measurement of properties of anisotropic dielectric material and device for its embodiment

Номер патента: RU2059229C1. Автор: А.Б. Ваганов,А.В. Францессон. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью "АВАНТЕ Лтд". Дата публикации: 1996-04-27.

Liquid protein formulations comprising gdf-5 for use at elevated temperatures

Номер патента: CA2692231A1. Автор: Dongling Su,Julius Lopez,Venkat Garigapati. Владелец: Venkat Garigapati. Дата публикации: 2009-01-08.

Dies for bonding dielectric materials

Номер патента: GB1130615A. Автор: . Владелец: Ford Motor Co Ltd. Дата публикации: 1968-10-16.

Noise suppression electrode provided with a rotor of dielectric material

Номер патента: CA1093630A. Автор: Shin Yamamoto,Kazuhiro Kozuka,Susumu Asari,Katsutaro Iwaki,Mikio Huruhashi. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1981-01-13.

Noise suppression electrode arrangement with a rotor of dielectric material

Номер патента: US4177366A. Автор: Shin Yamamoto,Kazuhiro Kozuka,Susumu Asari,Katsutaro Iwaki,Mikio Huruhashi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 1979-12-04.

Improvements in or relating to the testing of dielectric material

Номер патента: GB1014562A. Автор: Roger Neil Dawson. Владелец: Plessey Co Ltd. Дата публикации: 1965-12-31.

Metal powder compositions containing binding agents for elevated temperature compaction

Номер патента: US5368630A. Автор: Sydney Luk. Владелец: Hoeganaes Corp. Дата публикации: 1994-11-29.

Method of utilization of high dielectric constant (hdc) materials for reducing sar and enhancing snr in mri

Номер патента: US20150038831A1. Автор: Qing X. Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-05.

Thermotransfer process for printing synthetic fibre materials with multi-color effects, and carrier for performing the process

Номер патента: US4265630A. Автор: Rolf Bauerle. Владелец: Ciba Geigy AG. Дата публикации: 1981-05-05.

Method for finely polishing/structuring thermosensitive dielectric materials by a laser beam

Номер патента: CA2604641A1. Автор: Lutz Ehrentraut,Ingolf Hertel,Arkadi Rosenfeld. Владелец: Arkadi Rosenfeld. Дата публикации: 2006-10-26.

Apparatus and methods for determining the responses of materials at elevated thermobaric conditions

Номер патента: US20230095025A1. Автор: Apostolos Kantzas,Ilia Kuznetcov. Владелец: Perm Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Method and device for monitoring moisture content of an immersed solid dielectric material

Номер патента: WO2004008129A2. Автор: Michel Belanger. Владелец: Michel Belanger. Дата публикации: 2004-01-22.

Method and device for monitoring moisture content of an immersed solid dielectric material

Номер патента: US20040007052A1. Автор: Michel Belanger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-15.

Apparatus and methods for determining the responses of materials at elevated thermobaric conditions

Номер патента: CA3174661A1. Автор: Apostolos Kantzas,Ilia Kuznetcov. Владелец: Perm Inc. Дата публикации: 2023-03-27.

Method of using diazotype photographic materials with preexposure treatment to form uniform sites of refractive index change

Номер патента: US4508808A. Автор: Wai-Hon Lee,Paul H. Voisin. Владелец: Xidex Corp. Дата публикации: 1985-04-02.

Apparatus for evaluating fuel lubricity at elevated pressure conditions

Номер патента: US6070456A. Автор: Alastair Cameron,David A. Cusac,II Marcel R. Hanard. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2000-06-06.

Thermographic recording material with improved image tone

Номер патента: US20020052294A1. Автор: Ivan Hoogmartens,Ingrid Geuens,Geert Defieuw. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Method and system for electronic detection of conductive or dielectric substance with dielectric constant higher than dielectric constant of air

Номер патента: RU2304285C2. Автор: Збигнев ШЕЛА,Казимеж ЗАЯЦ,Влодзимеж КАЛИТА,Збигнев ЛАССОТА,Михаил ЛАССОТА,Збигнев ШЕЛА (PL),Казимеж ЗАЯЦ (PL),Влодзимеж КАЛИТА (PL),Збигнев ЛАССОТА (PL),Михаил ЛАССОТА (PL). Владелец: Электроничны Закляд Инновацийно-Вдроженевы "Хыбрес" Сп. З О.О.. Дата публикации: 2007-08-10.

Device and method for manipulating decorations at elevated locations

Номер патента: CA2509569A1. Автор: Sharon Deslaurier. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-10.

Apparatus and method for tuning the permittivity of ultrahigh dielectric constant materials in an rf coil for mr imaging

Номер патента: US20200319275A1. Автор: Wei Chen,Michael T. Lanagan,Byeong-Yeul Lee,Xiao-Hong Zhu,Hannes M. Wiesner,Qing X. Yang,Sebastian Rupprecht,Navid P. Gandji,Maryam Sarkarat. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2020-10-08.

Methods and apparatus for determining dielectric constant and resistivity with electromagnetic propagation measurements

Номер патента: US20230375739A1. Автор: Ping Zhang,Dean M. Homan,Wael Abdallah,Shouxiang Ma,Gong Li Wang. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for measuring complex dielectric constant of micron powder

Номер патента: LU500723B1. Автор: Xiang Wang,JIN Wang,Hua Zhao,Jia Zhao,Chao Fu,Qing LV,Xiancong Wu,Chungang Liu. Владелец: Univ Hebei Normal. Дата публикации: 2022-04-12.

Improvements in or relating to apparatus for measuring the dielectric constant of a layer of material such as a film or sheet

Номер патента: GB985428A. Автор: . Владелец: WAYNE KERR LAB Ltd. Дата публикации: 1965-03-10.

Liquid complex dielectric constant sensor in a csrr structure and measurement method

Номер патента: NL2032421B1. Автор: Wang Chen,Liu Kai,Liu Xiaoming,Gan Lu,Zhang Dan,WANG Haiyang,WANG Jiajia,Zhu Chenghui. Владелец: Univ Anhui Normal. Дата публикации: 2024-01-23.

Determination of complex dielectric constants from electromagnetic propagation measurements

Номер патента: US20100324826A1. Автор: Martin G. Luling. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Determination of complex dielectric constants from electromagnetic propagation measurements

Номер патента: WO2009083114A2. Автор: Martin G. Luling. Владелец: Schlumberger Holdings Limited. Дата публикации: 2009-07-09.

Determining Dielectric Constant and Resistivity with Induction Measurement

Номер патента: US20190353819A1. Автор: John Rasmus,Dean Homan,Gong Li Wang. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Method and system for stability determination of asphaltenes utilizing dielectric constant measurements

Номер патента: US20190113473A1. Автор: Berna HASCAKIR,Abhishek PUNASE. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2019-04-18.

Differential dielectric constant sensing system and method

Номер патента: US20240264093A1. Автор: Muhammad Amin,Rashad RAMZAN,Hattan F. Abutarboush,Omar F. Siddiqui,Daniyal Ali Sehrai,Raghied H. Atta. Владелец: TAIBAH UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

Measurement of complex dielectric constant and permeability

Номер патента: US09952269B2. Автор: Kerim Akel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

Differential dielectric constant sensing system and method

Номер патента: US12105031B2. Автор: Muhammad Amin,Rashad RAMZAN,Hattan F. Abutarboush,Omar F. Siddiqui,Daniyal Ali Sehrai,Raghied H. Atta. Владелец: TAIBAH UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

High frequency induction log for determining resistivity and dielectric constant of the earth

Номер патента: US4278941A. Автор: Robert Freedman. Владелец: Shell Oil Co. Дата публикации: 1981-07-14.

Secondary field dielectric constant well logging system and method

Номер патента: CA1228397A. Автор: Donald L. Johnson,Theodore W. Nussbaum,Percy T. Cox,Wayne F. Warren. Владелец: Texaco Development Corp. Дата публикации: 1987-10-20.

Apparatus for detecting fuel dielectric constant

Номер патента: US5313168A. Автор: Kenji Ogawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-05-17.

Complex dielectric constant well logging means and method for determining the water saturation and the water resistivity of an earth formation

Номер патента: US4774471A. Автор: Jackie C. Sims,Percy T. Cox,Richard S. Simpson. Владелец: Texaco Inc. Дата публикации: 1988-09-27.

Dielectric constant measurement method

Номер патента: GB1331327A. Автор: . Владелец: Chevron Research and Technology Co. Дата публикации: 1973-09-26.

Apparatus and method for performing membrane gas/liquid absorption at elevated pressure

Номер патента: AU7457498A. Автор: Jan Hendrik Hanemaaijer,Albert Edward Jansen,Paul Hubert Maria Feron,Piet Huisjes. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 1998-12-08.

Method and apparatus for single pulse electromagnetic measurements of soil conductivity and dielectric constant

Номер патента: CA1189569A. Автор: Charles Rodiere,Michel Crochet. Владелец: AIRBUS GROUP SAS. Дата публикации: 1985-06-25.

Dielectric constant measuring method and apparatus

Номер патента: US5532604A. Автор: Shinichi Nagata. Владелец: New Oji Paper Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-02.

Apparatus adapted for single pulse electromagnetic measurements of soil conductivity and dielectric constant

Номер патента: US4502009A. Автор: Charles Rodiere,Michel Crochet. Владелец: AIRBUS GROUP SAS. Дата публикации: 1985-02-26.

Anisotropic resistivity and dielectric constant measurements of a subterranean formation

Номер патента: WO2024015701A1. Автор: Dean Homan,Gong Li Wang. Владелец: Schlumberger Technology B.V.. Дата публикации: 2024-01-18.

Spiral resonator based sensor for measuring lossless dielectric constant in double frequency bands

Номер патента: NL2032460B1. Автор: Liu Xiaoming,Wang Ye,Gan Lu,Zhang Dan,WANG Haiyang,Yu Shuo. Владелец: Univ Anhui Normal. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatus and method for measuring dielectric constant

Номер патента: US20140361791A1. Автор: Myung Hun Jeong,Seong-Ook Park,Byeong Yong Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-12-11.

Resonant system and method of determining a dielectric constant of a sample

Номер патента: US09841448B2. Автор: Jeffrey Barber,James C. Weatherall,Barry T. Smith. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Dyeing and printing cellulosic materials with dyes containing haloacylamino groups

Номер патента: GB886379A. Автор: . Владелец: Cassella Farbwerke Mainkur AG. Дата публикации: 1962-01-03.

Method of obtaining three-dimensional carbon structures of photon type by pyrolysis of ethanol at elevated pressure

Номер патента: RU2659277C1. Автор: Татьяна Григорьевна Шумилова,Владимир Яковлевич Медведев,Лариса Александровна Иванова,Марина Валерьевна Марчук,Сергей Иванович Исаенко,Сергей Сергеевич Шевчук. Владелец: Татьяна Григорьевна Шумилова. Дата публикации: 2018-06-29.

Integrated capacitive sensor system for the measurement of resistivity and dielectric constant in geophysical, environmental, groundwater and related applications

Номер патента: US7183777B2. Автор: Quentin Bristow,Jonathan Mwenifumbo. Владелец: Canada Minister of Natural Resources. Дата публикации: 2007-02-27.

Method for rapidly determining the swelling-clay content in shales and shaly sandstone formations by high-frequency dielectric constant measurements

Номер патента: US4876512A. Автор: John M. Longo,Ronald P. Steiger,Michael K. Kroeger,Peter K. Leung. Владелец: Exxon Production Research Co. Дата публикации: 1989-10-24.

Treatment of patients at elevated cardiovascular risk with a combination of a cholesterol-lowering agent, an inhibitor of the renin-angiotensin system, and aspirin

Номер патента: US20030049314A1. Автор: Matthew Liang,JoAnn Manson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

Determination of the density of a hydrocarbon liquid at elevated pressure

Номер патента: USH490H. Автор: Harold K. Ebbrell. Владелец: Shell Oil Co. Дата публикации: 1988-07-05.

Low loss high efficiency photonic phase shifter with dielectric electrodes

Номер патента: US11953729B2. Автор: Nikhil Kumar. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Low loss high efficiency photonic phase shifter with dielectric electrodes

Номер патента: US20230266537A1. Автор: Nikhil Kumar. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Capacitance probe for suface dielectric constant measurements

Номер патента: US20040100288A1. Автор: Tien-I Bo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-05-27.

A radiosonde and a method for atmospheric measurements performed at an elevated temperature

Номер патента: WO2014128348A1. Автор: Markus Turunen,Jukka Leppänen,Eero Hiltunen,Tomi Salo. Владелец: VAISALA OYJ. Дата публикации: 2014-08-28.

A radiosonde and a method for atmospheric measurements performed at an elevated temperature

Номер патента: EP2959328A1. Автор: Markus Turunen,Jukka Leppänen,Eero Hiltunen,Tomi Salo. Владелец: Vaisala Oy. Дата публикации: 2015-12-30.

Parallel plate dielectric constant measuring apparatus having means for preventing sample deformation

Номер патента: US5389884A. Автор: Nobuo Iizuka,Nobutaka Nakamura,Masafumi Take. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1995-02-14.

Shredding device for shredding stipiform material with distributor adjoining it in width, and method of shredding stipiform material

Номер патента: RU2467553C2. Автор: Фридрих Вильхельм Шумахер,Хайнц-Гюнтер Шумахер,Михель ФЛАНХАРДТ,Андреа АЦИМАС. Владелец: Расспе Зюстемтехник Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2012-11-27.

Delivery of a stent at an elevated temperature

Номер патента: US7951185B1. Автор: Anthony J. Abbate,Jeffrey David Royal. Владелец: Advanced Cardiovascular Systems Inc. Дата публикации: 2011-05-31.

Photopolymerised composition for single-stage obtaining of polymer nanoporous material with hydrophobic pore surface, nanoporous polymer material with selective sorbing properties, method of obtaining thereof, method of single-stage formation based thereon of water-separating filtering elements and method of purifying organic liquids from water

Номер патента: RU2525908C1. Автор: Татьяна Ивановна Куликова,Алексей Николаевич Конев,Сергей Николаевич Менсов,Сергей Артурович Чесноков,Глеб Арсентьевич Абакумов,Роман Сергеевич Ковылин,Максим Александрович Батенькин,Юрий Владимирович Чечет. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлорганической химии им. Г.А. Разуваева Российской академии наук (ИМХ РАН). Дата публикации: 2014-08-20.

Method of producing mould from material with heat-resistant polymer matrix

Номер патента: RU2604285C2. Автор: Леонид Викторович Воронцов,Георгий Виликович Оганесов,Андрей Викторович Буянкин. Владелец: Акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега". Дата публикации: 2016-12-10.

Distributor of wiping material with cutting tool containing formate selection block

Номер патента: RU2359603C2. Автор: Морис ГРАНЖЕ. Владелец: Морис ГРАНЖЕ. Дата публикации: 2009-06-27.

Lyophilised injected pharmaceutical compostion of semisynthetic alkaloids vinca and carbohydrates, stable at room temperature

Номер патента: RU2449791C2. Автор: Эли ЛЕВЕР,Жоэль БУГАРЕ,Мари-Доминик ИБАРРА. Владелец: Пьер Фабр Медикамент. Дата публикации: 2012-05-10.

Raman analysis apparatus capable of real-time analysis under elevated temperature and pressure conditions

Номер патента: US11921047B2. Автор: Jong Hwan Oh,Seungwoo Lee,Gwang Mok KIM. Владелец: Korea Institute of Geoscience and Mineral Resources KIGAM. Дата публикации: 2024-03-05.

Aerosol generating device containing several materials with solid-to-liquid phase transition

Номер патента: RU2642520C2. Автор: Патрик Чарльз СИЛЬВЕСТРИНИ,Майкл Роджер КЕЙН,Мари ФАРИН,Кристофер Джеймс РОУ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2018-01-25.

Method for production of knitted material with antibacterial properties

Номер патента: RU2703631C1. Автор: Юлия Александровна Тимошина,Эмиль Фаатович Вознесенский. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский национальный исследовательский технологический университет" (ФГБОУ ВО "КНИТУ"). Дата публикации: 2019-10-21.

Novel intermediate material with constant width for manufacturing composite components by direct method

Номер патента: RU2523575C2. Автор: Жак ДЮКАРР,Жан-Марк БЕРО,Ален БРЮЙЕР,Жан-Флоран ЛАМЕТ. Владелец: Хексел Риинфорсментс. Дата публикации: 2014-07-20.

Systems and methods for sorting and molding composite material with chopped fiber filler

Номер патента: RU2722146C2. Автор: Мортеза САФАИ,Кимберли Д. МЕРЕДИТ,Сахрудин АПДАЛХАЛИЕМ,Вильям Б. АВЕРИ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2020-05-27.

Material with tobacco intertangled with structural fibres

Номер патента: RU2580483C2. Автор: Фрэнк Скотт ЭЧЛИ,Манмайа К. МИШРА,Джеймс М. РОССМАН. Владелец: Олтриа Клайент Сервисиз Инк.. Дата публикации: 2016-04-10.

Method of determining strength of communication of dental restoration material with tooth dental specimen and device for implementation thereof

Номер патента: RU2725077C1. Автор: Михаил Сергеевич Попов,Александр Александрович Олейников,Андрей Владимирович Севбитов,Владимир Эммануилович Тихонов,Евгения Николаевна Митина,Юлианна Ивановна Енина,Инна Геннадьевна Пустохина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный медицинский университет имени академика И.П. Павлова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-06-29.

Method of producing biomedical titanium-polylactide nickelide material with possibility of controlled drug delivery

Номер патента: RU2723588C1. Автор: Михаил Александрович Каплан,Александр Владимирович Леонов,Алексей Георгиевич Колмаков,Михаил Анатольевич Севостьянов,Константин Владимирович Сергиенко,Александр Сергеевич Баикин,Елена Олеговна Насакина,Сергей Викторович Конушкин,Анастасия Алексеевна Колмакова,Людмила Анатольевна Шатова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2020-06-16.

Method of the chemical reprocessing of the ash-and-slag materials with production of silicon dioxide and aluminum oxide

Номер патента: RU2302375C2. Автор: Владимир Владимирович Жабо,Карл Ефимович Зегер,Эльмира Мироновна Тимошенко,Владимир Владимирович Ильюшин,Михаил Александрович Грайвер. Владелец: Закрытое акционерное общество "ЭКОНЭФ". Дата публикации: 2007-07-10.

Method of producing textile materials with bacteriostatic properties

Номер патента: RU2727335C1. Автор: Иван Владимирович Родионов. Владелец: Иван Владимирович Родионов. Дата публикации: 2020-07-21.

Multicomponent two-layer bioactive material with controlled antibacterial effect

Номер патента: RU2697720C1. Автор: Дмитрий Владимирович Штанский,Александр Николаевич Шевейко,Ирина Викторовна Сухорукова,Виктор Андреевич Пономарев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2019-08-19.

Unit for connection of parts made from materials with different coefficients of thermal expansion

Номер патента: RU2702382C1. Автор: Владимир Петрович Дятлов,Александр Сергеевич Стрельников. Владелец: Акционерное Общество "Государственное Машиностроительное Конструкторское Бюро "Радуга" Имени А.Я. Березняка". Дата публикации: 2019-10-08.

Structure of unmanned aerial vehicle for transportation of material with adjustable temperature

Номер патента: RU2770426C2. Автор: Джузеппе Роберто ТОРТОРА,Андреа КАННАС. Владелец: Абзеро Срлс. Дата публикации: 2022-04-18.

Ultra-fibrous biopolymer material with bactericidal effect

Номер патента: RU2681319C1. Автор: Анатолий Александрович Ольхов,Анатолий Анатольевич Попов,Алексей Леонидович Иорданский,Антон Валерьевич Лобанов,Полина Михайловна Тюбаева,Светлана Геннадьевна Карпова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский экономический университет имени Г.В. Плеханова" (ФГБОУ ВО "РЭУ им. Г.В. Плеханова"). Дата публикации: 2019-03-06.

Mould, method of mould production and method of production of article from plastic or composite material with help of this mould

Номер патента: RU2565703C2. Автор: Тьерри ВЭКЕРЛЬ. Владелец: Аперам. Дата публикации: 2015-10-20.

Mobile machine for processing bulk material with removable suspension assembly

Номер патента: RU2658374C1. Автор: Терри МАКДЕВИТТ,Гари МАГАУАН. Владелец: САНДВИК ИНТЕЛЛЕКЧУАЛ ПРОПЕРТИ АБ. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of chlorine-ammonium extraction of oxides of copper and nickel of raw materials with its following separation

Номер патента: RU2352651C1. Автор: Александр Николаевич Дьяченко,Роман Иванович Крайденко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2009-04-20.

Seal structure for elevated temperature service

Номер патента: CA2030206C. Автор: Eduardo Alvarez,Richard E. Irby,G. Stephen Kyker,Lorenzo P. Disano. Владелец: Dresser Industries Inc. Дата публикации: 1994-04-05.

Absorbing product containing microencapsulated material with changeable phase state, and method for applying a material with changeable phase state on absorbing device

Номер патента: RU2752380C1. Автор: Филип БЛОМСТРЁМ,Анна КНЕС,Лиза ПАЛЬМКВИСТ. Владелец: Эссити Хайджин Энд Хелт Актиеболаг. Дата публикации: 2021-07-26.

Method of connecting parts made from materials with different coefficients of thermal expansion

Номер патента: RU2692708C1. Автор: Владимир Петрович Дятлов,Александр Сергеевич Стрельников. Владелец: Акционерное Общество "Государственное Машиностроительное Конструкторское Бюро "Радуга" Имени А.Я. Березняка". Дата публикации: 2019-06-26.

Method for creating 3d object from materials with low adhesive strength to each other, and device for its implementation

Номер патента: RU2751442C1. Автор: Рамиль Наилевич Кашапов,Наиль Фаикович Кашапов,Рустам Ринатович Фарахов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2021-07-13.

Sheet material with window, method of its manufacturing and protected document with such material

Номер патента: RU2418126C2. Автор: Мишель КАМЮ,Пьер ДУБЛЕ. Владелец: Аржовигжен Сикьюрити. Дата публикации: 2011-05-10.

Method of producing metal fluoroplastic material with mesh antifriction layer

Номер патента: RU2686969C1. Автор: Виталий Евдокимович Рогов,Любовь Александровна Бохоева,Анна Сергеевна Чермошенцева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Малое инновационное предприятие "Байкальский научный центр прочности". Дата публикации: 2019-05-06.

Method and device for processing pressed part from material with anisotropic conductivity

Номер патента: RU2644493C1. Автор: Владислав Павлович Смоленцев,Олег Николаевич Кириллов,Сергей Степанович Юхневич. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр имени М.В. Хруничева" (ФГУП "ГКНПЦ им. М.В. Хруничева"). Дата публикации: 2018-02-12.

Lyocell material with modified cross section for tobacco filters and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2666427C2. Автор: Санг Ву ДЗИН,Ву Чул КИМ,Дзонг Чеол ДЗЕОНГ,Санг Мок ЛИ,Санг Йоел ЛИ,Дзонг Йеол КИМ,Соо Хо КИМ,Бонг Су ЧЕОНГ,Хиун Сук ЧО,Сунг Дзонг КИ. Владелец: Колон Индастриз, Инк.. Дата публикации: 2018-09-07.

Method of producing titanium-polylactide nickelide composite biomedical material with possibility of controlled drug delivery

Номер патента: RU2733708C1. Автор: Михаил Александрович Каплан,Михаил Анатольевич Севостьянов,Константин Владимирович Сергиенко,Александр Сергеевич Баикин,Елена Олеговна Насакина,Сергей Викторович Конушкин,Анастасия Алексеевна Колмакова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «ЦЕНТР НОВЫХ МАТЕРИАЛОВ». Дата публикации: 2020-10-06.

Method for manufacturing high-pressure vessel and apparatus for impregnating reinforcing material with binding agent for implementation thereof

Номер патента: RU2750827C1. Автор: Олег Станиславович Клюнин. Владелец: Олег Станиславович Клюнин. Дата публикации: 2021-07-05.

Multiple well elevated temperature column flow testing

Номер патента: CA2938636C. Автор: Zheng Lu,Ajish Sreeni Radhakrishnan POTTY,Jody M. Burks. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2019-01-22.

Ointment and cream bases capable of withstanding elevated temperatures

Номер патента: US4164564A. Автор: James L. Chen. Владелец: ER Squibb and Sons LLC. Дата публикации: 1979-08-14.

Detecting an object having an elevated temperature

Номер патента: GB2503451A. Автор: Martin Dechert,Andreas Buning. Владелец: BOMBARDIER TRANSPORTATION GMBH. Дата публикации: 2014-01-01.

Device for the materials with different properties comparative accelerated tests for resistance to abrasive wear in non-rigidly fixed abrasive

Номер патента: RU2672791C1. Автор: Александр Михайлович Михальченков,Татьяна Александровна Ермакова,Марина Александровна Михальченкова,Антон Вячеславович Дьяченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Брянский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2018-11-19.

Method to process metal-containing sulphide mineral raw materials with extraction of metals

Номер патента: RU2468097C1. Автор: Евгения Александровна Хамнагдаева,Сергей Юрьевич Абрамовский. Владелец: Сергей Юрьевич Абрамовский. Дата публикации: 2012-11-27.

Method of producing nonwoven material with low inflammability

Номер патента: RU2700730C1. Автор: Сергей Владимирович Радкевич,Игорь Владимирович Пугачев,Евгений Степанович Кудинов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Предприятие нетканых материалов". Дата публикации: 2019-09-19.

Absorbing item containing microcapsulated material with variable phase state, and method for applying material with variable phase state on absorbing item

Номер патента: RU2750447C1. Автор: Филип БЛОМСТРЁМ,Анна КНЕС,Лиза ПАЛЬМКВИСТ. Владелец: Эссити Хайджин Энд Хелт Актиеболаг. Дата публикации: 2021-06-28.

Flexible thrust links for fixation of parts from composite materials with ceramic matrix

Номер патента: RU2493395C2. Автор: Эрик КОНЕТ. Владелец: Снекма Пропюльсьон Солид. Дата публикации: 2013-09-20.

Method of applying hydrophobic and oleophobic coating to textile material and textile material with hydrophobic and oleophobic coating

Номер патента: RU2642775C1. Автор: Марат Олегович Галлямов,Игорь Владимирович Эльманович,Михаил Сергеевич Кондратенко,Дмитрий Олегович Коломыткин. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий". Дата публикации: 2018-01-25.

P-I-N DIODE CRYSTALLIZED ADJACENT TO A SILICIDE IN SERIES WITH A DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20120001296A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method and apparatus for obtaining spatial information and measuring the dielectric constant of an object

Номер патента: US20120001628A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of non-contact measurement of the dielectric constant

Номер патента: RU2442179C2. Автор: Ирен Евгеньевна Кузнецова,Борис Давыдович Зайцев,Александр Магомедович Шихабудинов,Андрей Алексеевич Теплых. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Дата публикации: 2012-02-10.

Method for pulse-periodic ion-beam cleaning of surface of articles made of dielectric material or conducting material with dielectric inclusions

Номер патента: RU2526654C2. Автор: Игорь Борисович Степанов,Денис Олегович Сивин,Александр Ильич Рябчиков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессинального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2014-08-27.

Microwave plant for processing of dielectric materials

Номер патента: RU2416891C1. Автор: Борис Константинович Сивяков,Юлия Петровна Слаповская. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ). Дата публикации: 2011-04-20.

Composite dielectric material and antenna lens made of this material

Номер патента: RU2307432C2. Автор: Нина Васильевна Зайцева,Олег Иванович Кудрин,Тамара Александровна Перлина,Олег Иванович Кудрин (RU),Нина Васильевна Зайцева (RU),Тамара Александровна Перлина (RU). Владелец: ФГУП "Центральное конструкторское бюро автоматики". Дата публикации: 2007-09-27.

Method of drying of bulk dielectric materials and device for implementation of this method

Номер патента: RU2330225C1. Автор: Николай Петрович Коновалов,Петр Николаевич Коновалов,Александра Андреевна Хайдурова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Иркутский государственный технический университет" (ГОУ ИрГТУ). Дата публикации: 2008-07-27.

Microwave device for heating dielectric materials

Номер патента: RU2354083C2. Автор: Игорь Васильевич Назаров,Владимир Николаевич Нефедов,Александр Владимирович Мамонтов,Татьяна Александровна Потапова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)". Дата публикации: 2009-04-27.

Device for drying granular dielectric materials

Номер патента: RU2368852C2. Автор: Александр Юрьевич Волошко,Виктор Леонидович Самойлов,Владимир Петрович Семиноженко,Олег Валерьевич Шишкин,Наталья Александровна Пинчукова,Вадим Борисович Моисеев,Игорь Борисович Стельмах. Владелец: Государственное научное учреждение "Научно-технологический комплекс "Институт монокристаллов" НАН Украины". Дата публикации: 2009-09-27.

Method to measure flow rate of two-phase loose dielectric material flow transported in metal pipeline by air

Номер патента: RU2518514C1. Автор: Николай Михайлович Плотников,Валерий Генрихович Гуляев,Михаил Николаевич Плотников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный архитектурно-строительный университет" (ННГАСУ). Дата публикации: 2014-06-10.

Device for checking of defects in articles made of dielectric materials

Номер патента: RU2103700C1. Автор: А.Б. Орлов,А.С. Кузнецов,А.С. Денисов,В.В. Зорин,Б.И. Ведерников. Владелец: Управление оперативно-технических мероприятий МВД России. Дата публикации: 1998-01-27.

Artificial dielectric material and focusing lenses made of it

Номер патента: NZ752904B2. Автор: Victor Aleksandrovich Sledkov. Владелец: VASANT LIMITED. Дата публикации: 2021-03-19.

Solution for laser-induced metallisation of dielectric materials, and method of laser-induced metallisation of dielectric materials using it

Номер патента: RU2462537C2. Автор: Владимир Алексеевич Кочемировский,Сергей Владимирович Сафонов,Илья Игоревич Тумкин,Алексей Валерьевич Поволоцкий,Юрий Станиславович Тверьянович,Ирина Анатольевна Балова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет. Дата публикации: 2012-09-27.

Radio-wave phase method of measuring thickness of dielectric materials

Номер патента: RU2579173C1. Автор: Дмитрий Владиленович Хаблов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук. Дата публикации: 2016-04-10.

Device for electromagnetic processing of loose dielectric materials

Номер патента: RU2382529C1. Автор: Олег Александрович Морозов,Владимир Иванович Пахомов,Михаил Филиппович Воскобойник,Александр Николаевич Каргин,Игорь Геннадьевич Воробьев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Магратеп" (ЗАО "НПП "Магратеп"). Дата публикации: 2010-02-20.

Method of plasma and electromagnetic effect on dielectric material

Номер патента: RU2537372C2. Автор: Игорь Анатольевич Леонтьев,Юрий Михайлович ЯШНОВ,Георгий Васильевич Лысов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Твинн". Дата публикации: 2015-01-10.

Process indicating destruction of plates and shells from dielectric materials

Номер патента: RU2099691C1. Автор: В.В. Виноградский,В.А. Лукьянов,В.П. Лушев,А.Г. Митин,А.С. Кицанов. Владелец: Производственное объединение "Спецавтоматика". Дата публикации: 1997-12-20.

Meter of flow rate of two-phase flow of dielectric materials moved by air along metal pipeline

Номер патента: RU2565348C1. Автор: Валерий Генрихович Гуляев,Иван Валерьевич Гуляев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный архитектурно-строительный университет" (ННГАСУ). Дата публикации: 2015-10-20.

Method of powder paint electrostatic spray on dielectric material

Номер патента: RU2379122C1. Автор: Егор Сергеевич Макаров,Светлана Орестовна Полякова. Владелец: Светлана Орестовна Полякова. Дата публикации: 2010-01-20.

Device determining parameters of dielectric materials

Номер патента: RU2131120C1. Автор: А.П. Мартынов,Е.Л. Маслов,Д.Н. Покусин,И.Ю. Субботин,А.Д. Титков. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью Фирма "Феррат". Дата публикации: 1999-05-27.

Method to produce nanosize current-conducting material with electric discharge in liquid

Номер патента: RU2483379C2. Автор: Александр Андрианович Шумков,Александр Евсеевич Макаров,Александр Александрович Гребёнкин,Владимир Александрович Шумков. Владелец: Александр Андрианович Шумков. Дата публикации: 2013-05-27.

Rail plasma generator to manufacture coats on surfaces of dielectric materials

Номер патента: RU2124069C1. Автор: О.Г. Егоров. Владелец: Егоров Олег Георгиевич. Дата публикации: 1998-12-27.

Composition for manufacture of glass-like dielectric material

Номер патента: RU2096848C1. Автор: В.А. Воробьев,В.З. Петрова,А.И. Тельминов,Р.И. Усманова. Владелец: Московский государственный институт электронной техники (технический университет). Дата публикации: 1997-11-20.

Device for investigation of electric strength of dielectric materials

Номер патента: RU2592728C1. Автор: Иван Викторович Витковский,Сергей Анатольевич Крижановский,Валерия Святославовна Федеряева. Владелец: Акционерное общество "НИИЭФА им. Д.В. Ефремова" (АО "НИИЭФА"). Дата публикации: 2016-07-27.

Semiconductor or dielectric material surface metallisation method

Номер патента: RU2443799C2. Автор: Геннадий Иванович Смирнов,Арам Мамиконович Бадалян,Борис Петрович Кашников,Олег Васильевич Поляков,Олег Петрович Пчеляков. Владелец: Сибирское отделение Международного института нелинейных исследований (СО МИНИ). Дата публикации: 2012-02-27.

Installation for drying of dielectric materials by microwave power

Номер патента: RU2199064C2. Автор: Ф.Х. Гареев. Владелец: Гареев Фаузат Хамитович. Дата публикации: 2003-02-20.

Device to apply coats on dielectric material in discharge

Номер патента: RU2066703C1. Автор: А.А. Фёдоров. Владелец: Кубанский государственный технологический университет. Дата публикации: 1996-09-20.

Arrangement for measuring resistance of dielectric material

Номер патента: RU2299443C1. Автор: Александр Витальевич Вострухин,Игорь Георгиевич Минаев,Дмитрий Геннадьевич Ушкур. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ставропольский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2007-05-20.

Method of determining hydrophobic/wetting ability of dielectric material

Номер патента: RU2298175C1. Автор: Виктор Иванович Герасимов,Геннадий Федорович Синицын,Виктор Иванович Герасимов (RU),Геннадий Федорович Синицын (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П.Огарева". Дата публикации: 2007-04-27.

Device for heat treatment of flat dielectric materials

Номер патента: RU2061203C1. Автор: Ю.Н. Пчельников,А.А. Елизаров. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью "Научно-техническое предприятие "Ликташ". Дата публикации: 1996-05-27.

Method of determining current in channel of electric breakdown of dielectric material

Номер патента: RU2589509C1. Автор: Владимир Александрович Пахотин,Владимир Александрович Закревский,Николай Тобисович Сударь. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2016-07-10.

Method of inspection of quality of powdery ceramic dielectric materials

Номер патента: RU2059971C1. Автор: Е.А. Кузнецов,А.В. Шильников,С.В. Горин,Н.М. Галиярова. Владелец: Волгоградская государственная архитектурно-строительная академия. Дата публикации: 1996-05-10.

Method of determining properties of multi-component dielectric material

Номер патента: RU2317538C1. Автор: Евгений Николаевич Гончаров,Александр Алексеевич Хазанов,Николай Витальевич Силин,Марат Абрамович Кац. Владелец: Николай Витальевич Силин. Дата публикации: 2008-02-20.

Device for measurement of characteristics of dielectric materials

Номер патента: RU2096791C1. Автор: Д.А. Усанов,А.В. Скрипаль,Б.Н. Коротин,А.А. Авдеев. Владелец: Саратовский государственный университет им.Н.Г.Чернышевского. Дата публикации: 1997-11-20.

Set for high-frequency treatment of dielectric materials

Номер патента: RU2036397C1. Автор: Николай Васильевич Цугленок,Андрей Владимирович Бастрон,Сергей Николаевич Шахматов,Николай Васильевич Кулаков. Владелец: Николай Васильевич Кулаков. Дата публикации: 1995-05-27.

Device for thermal processing of free-flowing dielectric materials

Номер патента: RU2311002C1. Автор: Николай Васильевич Цугленок,Андрей Владимирович Бастрон,ков Андрей Васильевич Мещер,Андрей Васильевич Мещеряков. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Красноярский Государственный аграрный университет. Дата публикации: 2007-11-20.

Method of control over integrity of current conducting coat on dielectric material

Номер патента: RU2504730C1. Автор: Владимир Васильевич Прокофьев,Александр Иванович Никонов,Александр Сергеевич Самсонов,Александр Николаевич Филатов,Роман Александрович Помельников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный технический университет (ФГБОУ ВПО "СамГТУ"). Дата публикации: 2014-01-20.

Device for measurement of property of dielectric material

Номер патента: RU2528130C1. Автор: Гурам Николаевич Ахобадзе. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук. Дата публикации: 2014-09-10.

Paste for metallisation of dielectric materials and products from them

Номер патента: RU2336249C1. Автор: Сергей Николаевич Сытилин,пин Леонид Викторович Л,Леонид Викторович Ляпин,Галина Алексеевна Парилова,Елена Сергеевна Алексахина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2008-10-20.

Contactless radiowave device to measure thickness of dielectric materials

Номер патента: RU2528131C1. Автор: Дмитрий Владиленович Хаблов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук. Дата публикации: 2014-09-10.

Method of measuring air-tightness of closed jars made of dielectric material

Номер патента: RU2301978C1. Автор: Гурам Николаевич Ахобадзе. Владелец: Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН. Дата публикации: 2007-06-27.

Dielectric material for products working in uhf-range

Номер патента: RU2273969C1. Автор: Броня Цой,Владимир Владимирович Лаврентьев,Брон Цой (RU),Владимир Владимирович Лаврентьев (RU). Владелец: Броня Цой. Дата публикации: 2006-04-10.

Method of microwave treatment of dielectric materials

Номер патента: RU2302592C1. Автор: Анатолий Фомич Маслов,Светлана Николаевна Куликова. Владелец: Ооо "Рецикл". Дата публикации: 2007-07-10.

Method and device for drying loose dielectric materials

Номер патента: RU2262051C2. Автор: Николай Николаевич Смирнов,Александр Юрьевич Волошко,Борис Викторович Гринев,Егор Дмитриевич Крамской,Владимир Петрович Семиноженко,Олег Валерьевич Шишкин,Валентина Дмитриевна Бальных,Анатолий Иннокентиевич Овчинников. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Технологический Парк "Институт Монокристаллов". Дата публикации: 2005-10-10.

Composition for making electroconductive protective-decorative coating of dielectric material

Номер патента: RU2398808C2. Автор: Егор Сергеевич Макаров,Светлана Орестовна Полякова. Владелец: Светлана Орестовна Полякова. Дата публикации: 2010-09-10.

Tribo-electro-chemical method of drilling fragile dielectric materials

Номер патента: RU2410210C2. Автор: Юрий Георгиевич Асцатуров,Виктор Федорович Кукоз,Александр Владимирович Ременцов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2011-01-27.

Device for drying loose dielectric materials

Номер патента: RU2281447C1. Автор: Александр Юрьевич Волошко,Борис Викторович Гринев,Егор Дмитриевич Крамской,Виктор Леонидович Самойлов,Владимир Петрович Семиноженко,Сергей Иванович Солодовченко,Олег Валерьевич Шишкин,Александр Юрьевич Волошко (UA),Борис Викторович Гринев (UA),Егор Дмитриевич Крамской (UA),Виктор Леонидович Самойлов (UA),Владимир Петрович Семиноженко (UA),Сергей Иванович Солодовченко (UA),Олег Валерьевич Шишкин (UA). Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Технологический Парк "Институт Монокристаллов". Дата публикации: 2006-08-10.

Device measuring deformation of structures from composite materials under elevated temperatures

Номер патента: RU2149352C1. Автор: Т.Г. Сорина,Ю.С. Ильин,Г.М. Гуняев,А.Х. Хайретдинов. Владелец: Центральный аэрогидродинамический институт им. проф. Н.Е. Жуковского. Дата публикации: 2000-05-20.

Onboard system for fuel control and measurement with compensation for fuel dielectric constant

Номер патента: RU2532969C2. Автор: Юрий Иванович Новиков,Николай Мушегович Степанян,Дмитрий Владимирович Земсков,Ольга Евгеньевна Котенева. Владелец: Открытое акционерное общество "Техприбор". Дата публикации: 2014-11-20.

Onboard fuel metering system with compensation for dielectric constant

Номер патента: RU2532967C2. Автор: Юрий Иванович Новиков,Николай Мушегович Степанян,Дмитрий Владимирович Земсков,Ольга Евгеньевна Котенева. Владелец: Открытое акционерное общество "Техприбор". Дата публикации: 2014-11-20.

Microwave method for metering thickness and complex dielectric constant of insulating coatings

Номер патента: RU2256168C2. Автор: П.А. Федюнин,Д.А. Дмитриев,Н.П. Федоров. Владелец: Тамбовский военный авиационный инженерный институт. Дата публикации: 2005-07-10.

Onboard fuel metering system with compensation for dielectric constant

Номер патента: RU2532965C2. Автор: Юрий Иванович Новиков,Николай Мушегович Степанян,Дмитрий Владимирович Земсков,Ольга Евгеньевна Котенева. Владелец: Открытое акционерное общество "Техприбор". Дата публикации: 2014-11-20.

Onboard fuel control system with compensation for fuel dielectric constant

Номер патента: RU2532968C2. Автор: Юрий Иванович Новиков,Николай Мушегович Степанян,Дмитрий Владимирович Земсков,Ольга Евгеньевна Котенева. Владелец: Открытое акционерное общество "Техприбор". Дата публикации: 2014-11-20.

Method for manufacturing of multilevel copper metallisation with ultralow value of dielectric constant for intralayer insulation

Номер патента: RU2548523C1. Автор: Адиль Салихович Валеев,Геннадий Яковлевич Красников,Владимир Александрович Гвоздев,Павел Игоревич Кузнецов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (АО "НИИМЭ"). Дата публикации: 2015-04-20.

Remote determination of dielectric constant of dielectric object

Номер патента: RU2563581C1. Автор: Андрей Викторович Кузнецов,Валерий Петрович Аверьянов,Игорь Юрьевич Горшков,Станислав Игоревич Воробьев,Игорь Борисович ВОРОБЬЕВ,Виктор Владимирович МЕЩЕРЯКОВ. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АПСТЕК Лабс". Дата публикации: 2015-09-20.

Method of determining dielectric constant of dielectric product

Номер патента: RU2354980C2. Автор: Ринад Исмагилович Волков,Эдуард Иванович Федоров,Юрий Николаевич Салаев,Владимир Алексеевич Малыгин,Наталия Анатольевна Куянова. Владелец: Наталия Анатольевна Куянова. Дата публикации: 2009-05-10.

Fire-extinguishing installation for extinguishing fire at elevated locations (variants)

Номер патента: RU2230585C1. Автор: С.Д. Ваулин,Е.В. Сафонов,М.С. Зайков,Н.Ф. Кривощапов,Л.В. Осыко. Владелец: Южно-Уральский государственный университет. Дата публикации: 2004-06-20.

Device for measurement of high quantities of complex dielectric constant of low-impedance composite materials at shf

Номер патента: RU2321010C1. Автор: Герман В чеславович Дмитриенко,Герман Вячеславович Дмитриенко,Николай Александрович Трефилов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-03-27.

Onboard system for fuel control and measurement with compensation for fuel dielectric constant

Номер патента: RU2532970C2. Автор: Юрий Иванович Новиков,Николай Мушегович Степанян,Дмитрий Владимирович Земсков,Ольга Евгеньевна Котенева. Владелец: Открытое акционерное общество "Техприбор". Дата публикации: 2014-11-20.

Onboard fuel gage-and-fuel flow rate meter system with compensation for temperature and fuel dielectric constant

Номер патента: RU2533950C2. Автор: Юрий Иванович Новиков,Николай Мушегович Степанян,Дмитрий Владимирович Земсков,Ольга Евгеньевна Котенева. Владелец: Открытое акционерное общество "Техприбор". Дата публикации: 2014-11-27.

Onboard system for fuel control and measurement with compensation for fuel dielectric constant

Номер патента: RU2532964C2. Автор: Юрий Иванович Новиков,Николай Мушегович Степанян,Дмитрий Владимирович Земсков,Ольга Евгеньевна Котенева. Владелец: Открытое акционерное общество "Техприбор". Дата публикации: 2014-11-20.

Method for assessment of complex dielectric constant and magnetic permeability of radio-absorbing materials

Номер патента: RU2046351C1. Автор: С.М. Нестеров,И.А. Скородумов. Владелец: Военный объединенный совет Всероссийского общества изобретения и рационализаторов. Дата публикации: 1995-10-20.

Method for manufacturing of improved multilevel copper metallisation using dielectrics with ultra low dielectric constant (ultra low-k)

Номер патента: RU2486632C2. Автор: Адиль Салихович Валеев,Геннадий Яковлевич Красников,Владимир Александрович Гвоздев. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2013-06-27.

Method of measuring length, thickness and dielectric constant of dielectric coating on metal surface

Номер патента: RU2258214C1. Автор: П.А. Федюнин,Д.А. Дмитриев. Владелец: Тамбовский военный авиационный инженерный институт. Дата публикации: 2005-08-10.

Passive method for remote detection of actual dielectric constant portion of oil film spilled over water surface

Номер патента: RU2202779C2. Автор: В.В. Чирков. Владелец: Государственное унитарное предприятие Научно-производственное предприятие "Полет". Дата публикации: 2003-04-20.

Method for posterior spondylosis at elevational thoracoplasty at treating vertebral deformation

Номер патента: RU2263480C2. Автор: Ю.И. Поздникин,А.П. Афанасьев. Владелец: Научно-исследовательский детский ортопедический институт им. Г.И. Турнера. Дата публикации: 2005-11-10.

Method for manufacture of parts from materials with disordered structure (versions) and die mold for axial pressing of bottom and butt of blank for parts such as long-length revolution body with axial hole from materials with disordered structure (versions)

Номер патента: RU2343036C2. Автор: кин Юрий Михайлович Кор,Юрий Михайлович Корякин,Петр Иванович Голубев. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик-Федеральное агентство по атомной энергии. Дата публикации: 2009-01-10.

Photopolymerising composition for single-stage obtaining of polymer nanoporous material with hydrophobic surface of pores, nanoporous polymer material with selective sorptive properties, method of obtaining thereof, method of its obtaining, method of single-stage formation of water-separating filtering elements on its basis and method of purification of organic liquids from water

Номер патента: RU2537860C2. Автор: Татьяна Ивановна Куликова,Алексей Николаевич Конев,Сергей Николаевич Менсов,Сергей Артурович Чесноков,Глеб Арсентьевич Абакумов,Роман Сергеевич Ковылин,Максим Александрович Батенькин,Юрий Владимирович Чечет. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлоорганической химии им. Г.А. Разуваева Российской академии наук (ИМХ РАН). Дата публикации: 2015-01-10.

Method and device for testing elastic materials with low cross-section when exposed to tension and temperature

Номер патента: RU2704579C1. Автор: Андрей Борисович Курятников,Елена Михайловна Федорова,Ирина Владимировна Журавлева,Анатолий Владимирович Круликовский,Игорь Аркадьевич Хайденко,Александр Егорович Никитин,Петр Константинович Бобрович,Александр Робертович Мишин. Владелец: Акционерное общество "Гознак" (АО "Гознак"). Дата публикации: 2019-10-29.

Method of fabrication of thick-walled large-size ogival shell from materials with intensive hardening

Номер патента: RU2550477C1. Автор: Любовь Дмитриевна Гладкова,Виктор Анатольевич Андреев,Иван Тихонович Коптев,Ирина Алексеевна Лозоцева,Геннадий Владимирович Тюрин,Наталия Александровна Евдокимова,Василий Иванович Колесник. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр имени М.В. Хруничева" (ФГУП "ГКНПЦ им. М.В. Хруничева"). Дата публикации: 2015-05-10.

Processing method of copper-cobalt oxidised raw materials with receiving of blister copper and alloy on basis of cobalt

Номер патента: RU2359047C2. Автор: Лев Шлемович Цемехман,Михаил Рафаилович Русаков,Алексей Николаевич Басов,Нина Александровна Федорова,Максим Сергеевич Федоров,Александр Юрьевич Привалов. Владелец: ООО "Институт Гипроникель". Дата публикации: 2009-06-20.

Method and device for determining impact of proofing materials on adhesive strength in connection of dental materials with tooth tissues

Номер патента: RU2496443C1. Автор: Александр Александрович Копытов,Елена Александровна Кузьмина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет". Дата публикации: 2013-10-27.

Method to manufacture items from composite material with carbon-ceramic matrix

Номер патента: RU2570076C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Дмитрий Сергеевич Оболенский,Антон Юрьевич Милюков. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2015-12-10.

Method of obtaining material with ultra fine-grained or submicrocrystallic structure by deformation with maintaining of intense plastic deformation (versions)

Номер патента: RU2334582C2. Автор: Юрий Романович Колобов,Евгений Владимирович Найденкин,Илья Васильевич Раточка,Владимир Алексеевич Винокуров,Надежда Викторовна Рожинцева,Иль Васильевич Раточка. Владелец: Институт физики прочности и материаловедения Сибирское отделение Российской академии наук (ИФПМ СО РАН). Дата публикации: 2008-09-27.

Method of extraction of the colloidal silica from the hydrothermal heat-carrier with production of the cilica-containing material with the decreased concentration of the impurities

Номер патента: RU2296103C1. Автор: Вадим Владимирович Потапов,Владимир Александрович Горбач,Анхель Анхелевич Сердан. Владелец: Анхель Анхелевич Сердан. Дата публикации: 2007-03-27.

Method for preparation of fodders of raw materials with high content of lignified cellulose

Номер патента: RU2539144C2. Автор: Илья Васильевич Кобозев,Николай Васильевич Кобозев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный аграрный университет - МСХА имени К.А. Тимирязева" (ФГБОУ ВПО РГАУ - МСХА имени К.А. Тимирязева). Дата публикации: 2015-01-10.

Recipe composition of cooled chopped semi-product using meat raw material with dfd-properties

Номер патента: RU2594959C1. Автор: Ольга Викторовна Чугунова,Валерий Михайлович Позняковский,Сергей Леонидович Тихонов,Евгений Григорьевич Ваганов,Егор Вячеславович Улитин,Наталия Валерьевна Тихонова,Елена Ивановна Першина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный экономический университет" (ФГБОУ ВПО "УрГЭУ"). Дата публикации: 2016-08-20.

Composition of charge for high-porosity ceramic material with latticed-cellular structure

Номер патента: RU2525396C1. Автор: Владимир Николаевич Грунский,Александр Валентинович Беспалов,Микаэл Давидович Гаспарян,Евгений Степанович Лукин,Светлана Николаевна Санникова,Александр Дмитриевич Чепуренко,Неля Александровна Попова,Лиана Тагировна Павлюкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева)". Дата публикации: 2014-08-10.

Method of obtaining composite polymer-carbon electrode material with high electrochemical capacity

Номер патента: RU2543982C2. Автор: Ирина Юрьевна Сапурина,Михаил Александрович Шишов. Владелец: Ирина Юрьевна Сапурина. Дата публикации: 2015-03-10.

Method of producing cellulose from non-wood plant material with native cellulose content of not more than 50% and method of producing carboxymethyl cellulose therefrom

Номер патента: RU2448118C1. Автор: Геннадий Викторович Сакович,Вера Владимировна Будаева,Сергей Викторович Сысолятин,Владимир Николаевич Золотухин,Марина Викторовна Обрезкова. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт проблем химико-энергетических технологий Сибирского отделения РАН (ИПХЭТ СО РАН). Дата публикации: 2012-04-20.

Method for manufacturing articles of carbon-silicon carbide composite material with variable content of silicon carbide

Номер патента: RU2570068C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Сергей Михайлович Никулин,Никита Александрович Хохлявин. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2015-12-10.

Charge and high-temperature material with low value of thermal linear expansion coefficient, which is obtained from it

Номер патента: RU2542001C1. Автор: Станислав Алексеевич Суворов,Валентин Николаевич Фищев,Александр Владимирович Русинов,Алена Николаевна Игнатьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)". Дата публикации: 2015-02-20.

Method to manufacture packaging materials with antimicrobial properties based on silver nanoparticles

Номер патента: RU2488535C1. Автор: Дмитрий Олегович Подкопаев. Владелец: Дмитрий Олегович Подкопаев. Дата публикации: 2013-07-27.

Method of producing autoclave wall materials with composite protective-decorative coatings

Номер патента: RU2597340C1. Автор: Василий Степанович Бессмертный,Валерий Станиславович Лесовик,Надежда Ивановна Бондаренко,Диана Олеговна Бондаренко,Николай Михайлович Бурлаков,Елена Леонидовна Белоковаленко,Дмитрий Михайлович Сопин,Ирина Александровна Ильина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова". Дата публикации: 2016-09-10.

METHOD OF MANUFACTURING FROM SHEET MATERIALS WITH THICKNESS FROM 0,2 mm AND BELOW OF STEPPED AXIALLY SYMMETRIC SHELLS WITH CENTRAL PROTRUSION, HEIGHT RATIO OF WHICH TO ITS DIAMETER IS EQUAL OR MORE THAN 0,5

Номер патента: RU2327539C2. Автор: Иван Николаевич Поздов,Константин Иванович Поздов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственный заказчик - Федеральное агентство по атомной энергии. Дата публикации: 2008-06-27.

Cast composite material with aluminium alloy in the basis and way of its obtaining

Номер патента: RU2323991C1. Автор: Александр Александрович Панфилов,Татьяна Александровна Чернышова,Александр Васильевич Панфилов,Дмитрий Николаевич Бранчуков,Алексей Александрович Панфилов,Алексей Валерьевич Петрунин,Тать на Александровна Чернышова,Игорь Евгеньевич Калашников,Любовь Ивановна Кобелева,Людмила Константиновна Болотова. Владелец: Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН. Дата публикации: 2008-05-10.

Method of production of the inorganic gradient-porous material with the clad layer

Номер патента: RU2312703C1. Автор: Лев Ильич Трусов,Владимир Петрович Федотов. Владелец: Ассоциация делового сотрудничества в области передовых коплексных технологий "АСПЕКТ". Дата публикации: 2007-12-20.

Control method for processes of drying and storage of plant materials with increased content of fatty acids

Номер патента: RU2534264C1. Автор: Сергей Александрович Шевцов,Алексей Викторович Дранников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет инженерных технологий" (ФГБОУ ВПО "ВГУИТ"). Дата публикации: 2014-11-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.