STACK CAPACITOR FOR DRAM CELL AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
Номер патента: FR2662850A1
Опубликовано: 06-12-1991
Автор(ы): Bae Dong-Joo, Baek Won-Shik, CHOI Kyu-Hyun
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-12-1991
Автор(ы): Bae Dong-Joo, Baek Won-Shik, CHOI Kyu-Hyun
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Capacitor for a dynamic random-access memory (direct-access memory) and method for producing the same
Номер патента: DE4430963A1. Автор: Cheol Soo Park,Dong Yeal Keum,Zui Kyu Ryou. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-03-02.