Mos型半導体装置の製造方法

Реферат: (57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた め要約のデータは記録されません。

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Trench MOS type silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20090315039A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

MOS type semiconductor device

Номер патента: EP1284507A3. Автор: Tatsuhiko Fujihira. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-18.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: WO2004055884A1. Автор: Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

A dielectrically isolated semiconductor device and a method for its manufacture

Номер патента: SG49599A1. Автор: Andrej Litwin. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1998-06-15.

A dielectrically isolated semiconductor device and a method for its manufacture

Номер патента: MY110382A. Автор: Litwin Andrej. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1998-04-30.

Semiconductor device with thin-film resistor

Номер патента: US09627409B2. Автор: Hans-Peter Moll,Maciej Wiatr,Andrei Sidelnicov. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Mos type semiconductor device

Номер патента: US5079607A. Автор: Kenya Sakurai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1992-01-07.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device, preparation method, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4407691A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: EP4404267A1. Автор: Bo Gao,Fei Hu,Yunbin GAO,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09466697B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Sang-Jine Park,Myung-Geun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

A semiconductor device in a thin active layer with high break-down voltage

Номер патента: SG54996A1. Автор: Andrej Litwin. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1998-12-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170110544A1. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Takashi SHIIGI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20240282864A1. Автор: Jinwook Yang,Sungil Park,Jaehyun Park,Daewon HA,Dongkyu LEE,Kyuman HWANG,Cheoljin YUN,Jinchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780179B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09484271B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Katsuyuki Horita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09431501B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240222500A1. Автор: Takeshi Ishida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device, manufacturing method, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407692A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407701A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20070166977A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US20240297214A1. Автор: Bo Gao,Fei Hu,Yunbin GAO,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US7557040B2. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-07.

Semiconductor Device and Method for Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080087957A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150243562A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9082643B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9230865B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230253473A1. Автор: Jun Kobayashi,Kazuyoshi Maki,Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA,Shu NAKASHIMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148845A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7622351B2. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device and laser marking method

Номер патента: US20240332205A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Kosuke Masuzawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having semiconductor elements on semiconductor substrate

Номер патента: US09876107B2. Автор: Shinichiro Yanagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09461036B2. Автор: Hisamitsu Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20070210330A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240204097A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12034073B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20130214271A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20150021618A1. Автор: Toru Oka,Kazuya Hasegawa,Yukihisa Ueno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Insulated gate type semiconductor device

Номер патента: US9627248B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Akitaka SOENO,Hidefumi Takaya,Sachiko Aoi,Kimimori Hamada. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4404274A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20150001535A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240097008A1. Автор: Hajime Okuda,Kazuhiro Tamura,Naoki Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Insulated gate type semiconductor device

Номер патента: WO2015145939A1. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Akitaka SOENO,Hidefumi Takaya,Sachiko Aoi,Kimimori Hamada. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20230420523A1. Автор: Yukihiko Watanabe,Yusuke Yamashita,Keita KATAOKA,Yusuke Hayama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: EP3823023A1. Автор: Takashi Hashimoto,Digh Hisamoto,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-19.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220109049A1. Автор: Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

High-voltage semiconductor device used as switching element or the like

Номер патента: US20030015771A1. Автор: Akio Nakagawa,Yusuke Kawaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20160141356A1. Автор: Shoji Higashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4372824A3. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09972679B2. Автор: Hajime Kataoka,Tatsuya Shiromoto,Tetsuya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09947670B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899469B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Shinya Nishimura,Hirokazu Fujiwara,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887301B2. Автор: Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09761668B2. Автор: Daisuke Ichikawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09640612B2. Автор: Shoji Higashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496387B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180006114A1. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060223253A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Thin film semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20020173147A1. Автор: Mitsutoshi Miyasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20150270385A1. Автор: Saya SHIMOMURA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190334001A1. Автор: Takahiro Mori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030064560A1. Автор: Isao Kimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Fabricating method of fin-type semiconductor device

Номер патента: US09923065B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09911814B2. Автор: Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

High voltage semiconductor devices and methods of making the devices

Номер патента: US09876104B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768253B2. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09673313B2. Автор: Atsushi Tanaka,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09640613B2. Автор: Junichi Takizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09450086B2. Автор: Saya SHIMOMURA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120077341A1. Автор: Masamichi Suzuki,Atsuhiro Kinoshita,Hirotaka Nishino,Yoshifumi Nishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070069303A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20120273774A1. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device

Номер патента: US9806189B2. Автор: Hiroshi Kumano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120261764A1. Автор: Yuji Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US12142679B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Makoto Koshimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09853069B2. Автор: Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Taiga MURAOKA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09806189B2. Автор: Hiroshi Kumano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09691789B2. Автор: Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Taiga MURAOKA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09443950B2. Автор: Nariaki Tanaka,Toru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240097028A1. Автор: Kazuhiro Tamura,Yusuke Shimizu,Naoki Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20180097061A1. Автор: Takashi Kanemura,Masahiro Sugimoto,Tomohiro Mimura,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20160133743A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device

Номер патента: US9496393B2. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20110278663A1. Автор: Masaki Hino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-11-17.

Semiconductor device, power module, and power conversion device

Номер патента: US20190288082A1. Автор: Takashi Ishigaki,Masakazu Sagawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20040031993A1. Автор: Tetsuya Yoshida,Tetsuya Okada,Mitsuhiro Yoshimura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20110254051A1. Автор: Yukio Tsuzuki,Makoto Asai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230378272A1. Автор: Takeshi Ishida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device, power module, and power conversion device

Номер патента: US10529813B2. Автор: Takashi Ishigaki,Masakazu Sagawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09653599B2. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US09576841B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Power semiconductor device

Номер патента: US09502498B2. Автор: In Hyuk Song,Jae Hoon Park,Dong Soo Seo,Kyu Hyun Mo,Chang Su Jang. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US09362352B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor device, manufacturing method, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: US20240274657A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Powerr Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070278558A1. Автор: Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812537B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09443870B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hidekazu Oda,Hirofumi Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7008831B2. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150079758A1. Автор: Toshifumi NISHIGUCHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20210143255A1. Автор: Naoki Watanabe,Hiroshi Miki,Naoki Tega,Takeru Suto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US12051745B2. Автор: WEI Liu,Zhenyi Xu,Zhendong MAO,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20230268432A1. Автор: WEI Liu,Zhenyi Xu,Zhendong MAO,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050098838A1. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20180130806A1. Автор: Sung Hee Han,Dae Sun Kim,In Cheol NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09711612B2. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang,Haizhou Yin. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-07-18.

Trench gate type semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US09559188B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Shun-Ichi Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device

Номер патента: EP3712959A1. Автор: Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-09-23.

Semiconductor device including memory cells and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030015747A1. Автор: Jiro Ida,Naoko Nakayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190237545A1. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Power semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20100140657A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: EP3993061A1. Автор: Takahiro Kato,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09929259B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09620629B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12034065B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050212057A1. Автор: Shigeru Kusunoki,Norifumi Tokuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09685544B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090206366A1. Автор: Masahiko Niwayama,Yoshimi Shimizu,Kazuyuki Sawada,Yuji Harada,Saichirou Kaneko. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060043418A1. Автор: Katsuyoshi Washio,Makoto Miura,Hiromi Shimamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20160111554A1. Автор: Hideaki Kitazawa,Eitaro Miyake,Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device internally having insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20110108882A1. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Semiconductor device internally having insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20100148214A1. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09564491B2. Автор: Mariko Suzuki,Tadashi Sakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110291242A1. Автор: Mitsuru Soma. Владелец: ON SEMICONDUCTOR TRADING LTD. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8610168B2. Автор: Mitsuru Soma. Владелец: ON SEMICONDUCTOR TRADING LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180012984A1. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20170005185A1. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9780203B2. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780203B2. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09660061B2. Автор: Sadayuki Ohnishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09570541B2. Автор: Tomonori MIZUSHIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device

Номер патента: NL2020058A. Автор: Mikawa Masato,KOTANI Ryohei,MATSUBARA Toshiki,ISHIZUKA Nobutaka,OSHINO Hiroshi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20190148354A1. Автор: Toshiki Matsubara,Masato Mikawa,Hiroshi Oshino,Nobutaka Ishizuka,Ryohei KOTANI. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: NL2020058B1. Автор: Mikawa Masato,KOTANI Ryohei,MATSUBARA Toshiki,ISHIZUKA Nobutaka,OSHINO Hiroshi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-10-03.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US7615485B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US20110018046A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Enhancement-mode semiconductor device

Номер патента: US20220199780A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Enhancement-mode semiconductor device

Номер патента: US20220199781A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor device

Номер патента: US20100123182A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor device and method of making including cap layer and nitride semiconductor layer

Номер патента: US20160163822A1. Автор: Kohji Ishikura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240096967A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Manufacturing method of MOS field effect transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100569570B1. Автор: 정상철,김영석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-10.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US10373876B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US20180233416A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US09978647B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Patterned poly silicon structure as top electric contact to MOS-type optical modulators

Номер патента: US09823499B2. Автор: Qianfan Xu,Xiao Shen,Hongmin Chen. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: NL2021436B1. Автор: NAKAMURA Hideyuki,Ito Hirokazu,Matsuzaki Yoshifumi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2019-05-24.

Semiconductor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170179145A1. Автор: Boon Jiew CHEE. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-06-22.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: WO2001024251A3. Автор: Henricus G R Maas,Erwin A Hijzen,Cornelius E Timmering. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2001-12-06.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: EP1145299A3. Автор: Erwin A. Hijzen,Henricus G. R. Maas,Cornelius E. Timmering. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-03-27.

Semiconductor device

Номер патента: US12107137B2. Автор: Yasushi Higuchi,Yuji Kato,Hidetaka Shibata,Mitsuru Okigawa,Atsushi Terai,Fujio Okui,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818840B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09640648B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140091316A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device

Номер патента: EP3823044A1. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-19.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20020098615A1. Автор: Hiroyuki Doi,Katsujirou Arai,Takuo Akashi,Hirotsugu Honda,Naritsugu Yoshii. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Current protection-type semiconductor device

Номер патента: EP4435864A1. Автор: Wenfang Du,Xinjiang LV,Xuqiang ZHU. Владелец: Nanjing Sinnopower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20220320270A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230105626A1. Автор: Koji Ito,Atsushi Ogasawara,Ryota Murai. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818851B2. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device including an IGBT as a power transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09780187B2. Автор: Tsuyoshi Kachi,Yuta IKEGAMI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09728654B2. Автор: Syoji Higashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680033B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09947806B2. Автор: Masaaki Tomita. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device including nitride layer

Номер патента: US20040031985A1. Автор: Masao Inoue,Junichi Tsuchimoto,Akinobu Teramoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Nano-tube semiconductor device and shear force sensor comprising same

Номер патента: EP4135058A1. Автор: Gyuchul Yi,Hongseok Oh. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2023-02-15.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780163B2. Автор: Satoru Kameyama,Yuki Horiuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160211385A1. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Method of manufacture of semiconductor isolation structure

Номер патента: US8962445B2. Автор: Chandra Mouli,Kamal Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-24.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240097000A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device with low lifetime region

Номер патента: US09985090B2. Автор: Mitsuhiro KAKEFU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793354B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Ryosuke Iijima,Takashi Shinohe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620681B2. Автор: Hwankuk YUH. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-04-11.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09543314B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device

Номер патента: US12062726B2. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20110193099A1. Автор: Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20180062000A1. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20140203299A1. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09818886B2. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09583606B2. Автор: Hajime Tsuyuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09577118B2. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190157466A1. Автор: Yuki Haraguchi,Fumihito MASUOKA,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device, starter circuit, and switched-mode power-supply circuit

Номер патента: US20190081135A1. Автор: Taichi KARINO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240290618A1. Автор: Sho NAKANISHI,Yanzhe Wang. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

P-type gallium oxide semiconductor device with alternating layers

Номер патента: US12132123B2. Автор: Hiroki Miyake. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Surge protection element and semiconductor device

Номер патента: US09570435B2. Автор: Tatsuo Morita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Vertical type semiconductor device, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US09508429B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Vertical type semiconductor device, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US09508428B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060284283A1. Автор: Tetsuya Nakamura,Kazuyuki Sawada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-21.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US7825497B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-02.

Pressure-contact-type semiconductor device

Номер патента: US12051671B2. Автор: Jun Okada,Kazunori Taguchi,Tetsuo Motomiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090148997A1. Автор: Kazuhiro Fukuchi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor device manufacture with in-line hotspot detection

Номер патента: US12057355B2. Автор: Michael Shifrin,Avron GER. Владелец: Nova Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Pattern form of an active region of a MOS type semiconductor device

Номер патента: US5760454A. Автор: Kenji Nishi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1953813A3. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US20110221052A1. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-15.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US8110904B2. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020019129A1. Автор: Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Production of stamps, masks or templates for semiconductor device manufacturing

Номер патента: US20100129735A1. Автор: Jelm Franse. Владелец: Singulus Mastering BV. Дата публикации: 2010-05-27.

Temporary bonding laminates for use in manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US09716025B2. Автор: Ichiro Koyama,Masafumi Yoshida,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Temporary bonding laminates for used in manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US09716024B2. Автор: Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US20160225722A1. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Holder for a semiconductor substrate, and method of manufacturing a semiconductor device using such a holder

Номер патента: US20010040329A1. Автор: Johannes H. Tyveleijn. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US09871000B2. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837459B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437639B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of measuring misregistration in the manufacture of topographic semiconductor device wafers

Номер патента: EP3970184A1. Автор: Amnon Manassen,Daria Negri,Gilad Laredo. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Socket device for testing semiconductor device

Номер патента: US09494616B2. Автор: Dong Weon Hwang,Jae Baek Hwang,Jae Suk Hwang. Владелец: HICON CO Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050285217A1. Автор: Masaru Yamada,Yasutoshi Okuno. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7446015B2. Автор: Masaru Yamada,Yasutoshi Okuno. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor device package

Номер патента: US20240222285A1. Автор: Sang Youl Lee,Eun Dk LEE,Ki Man Kang. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Shift control method in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20220077108A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Hsien-Ju Tsou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and process for fabrication thereof

Номер патента: US20020123178A1. Автор: Shigeru Kanematsu,Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308884A1. Автор: Fumitoshi Takahashi,Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837460B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Yosuke Takeuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Shift control method in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US12148733B2. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Hsien-Ju Tsou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US20020123185A1. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US6583453B2. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-24.

Laminate type semiconductor apparatus

Номер патента: US20010008306A1. Автор: Shigeki Kamei,Saeko Takagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Film for semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160322251A1. Автор: Ryuichi Kimura,Naohide Takamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Light emitting device, semiconductor device, and method of manufacturing the devices

Номер патента: US20020056841A1. Автор: Koichi Miyazaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

Method of preventing charge accumulation in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US09881785B2. Автор: Chang-Won Lee,Un-Jeong Kim,Young-geun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Shift control method in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20240379617A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Hsien-Ju Tsou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09558967B2. Автор: Risho Koh,Shinichi Uchida,Takafumi Kuramoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US09484282B2. Автор: Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch

Номер патента: WO2011096800A3. Автор: Petrus Johannes Gerardus Van Lieshout. Владелец: Polymer Vision B.V.. Дата публикации: 2012-04-26.

Optical semiconductor device and method of fabricating optical semiconductor device

Номер патента: US20060054916A1. Автор: Yoshihiko Hanamaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09977186B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Watanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09601541B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9000560B2. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Nitride-based semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030173560A1. Автор: Takashi Kano,Hiroki Ohbo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor device and power source device

Номер патента: US20140203444A1. Автор: Keiji Watanabe,Tadahiro Imada,Nobuhiro Imaizumi,Kozo Shimizu,Keishiro Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150179526A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20080298415A1. Автор: Hitoshi Nakamura,Ichiro Nomura,Kunihiko Tasai,Katsumi Kishino,Koshi Tamamura,Tsunenori Asatsuma,Sumiko Fujisaki,Takeshi Kikawa. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020074572A1. Автор: Takashi Akioka,Masao Shinozaki,Kinya Mitsumoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040150055A1. Автор: Takashi Akioka,Masao Shinozaki,Kinya Mitsumoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

Method of designing semiconductor device

Номер патента: US20090134495A1. Автор: Keiichirou Kondou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor device including oxide current aperture

Номер патента: US09812609B1. Автор: Martin F. Schubert,Michael Grundmann. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Resin sealing-type semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040201082A1. Автор: Isao Ochiai,Masato Take. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Face down type semiconductor device and manufacturing process of face down type semiconductor device

Номер патента: US20070152347A1. Автор: Eiji Hori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09496204B2. Автор: Hajime Hasebe,Tadatoshi Danno,Yukihiro Satou. Владелец: Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09455273B2. Автор: Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09431260B2. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Double-side cooling-type semiconductor device

Номер патента: US20230119737A1. Автор: Young Seok Kim,Kyoung Kook Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Stack-type semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100255637A1. Автор: Katsuhiro Ishida,Ryoji Matsushima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Resin-molded type semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5757066A. Автор: Tsutomu Nakazawa,Yumi Inoue. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-05-26.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09842869B2. Автор: Masatoshi Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09515000B2. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device including a radio frequency identification tag

Номер патента: US09483725B2. Автор: Carlos Castro Serrato,Jose Javier Padilla Alcaide. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for manufacturing a complementary MOS type semiconductor device

Номер патента: US4743564A. Автор: Masaki Sato,Kazuyoshi Shinada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-05-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070090465A1. Автор: Ken Suzuki,Masafumi Tsutsui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device which prevents light from entering therein

Номер патента: US7015576B2. Автор: Tae Yamane. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20200203570A1. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device and method of fabrication of the same

Номер патента: US20030197270A1. Автор: Tae Yamane. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-23.

Trench-type semiconductor device structure

Номер патента: US20090166702A1. Автор: Hung-Chang Liao,Ming-Cheng Chang,Shian-Jyh Lin,Neng Tai Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device including oxide current aperture

Номер патента: US09978909B2. Автор: Martin F. Schubert,Michael Grundmann. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Combined SADP fins for semiconductor devices and methods of making the same

Номер патента: US09691775B1. Автор: Guillaume Bouche,Nicholas Vincent LICAUSI,Eric Scott Kozarsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device, semiconductor device package, and lightning apparatus

Номер патента: US09583687B2. Автор: Seok Min Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device including an ultraviolet light receiving element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277690A1. Автор: Takeshi Koyama. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20220223611A1. Автор: Yoshinao Suzuki,Takatoshi MINAMOTO,Sho TOKAIRIN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Resin-sealed type semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6249043B1. Автор: Shinji Ohuchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-19.

Electronic semiconductor device having a thermal spreader

Номер патента: US20020017705A1. Автор: Benedetto Vigna,Ubaldo Mastromatteo,Bruno Murari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Nanopyramid sized opto-electronic structure and method for manufacturing of same

Номер патента: US09444007B2. Автор: Olga Kryliouk,Nathan Gardner,Giuliano Portilho Vescovi. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2016-09-13.

Lead frame for fabricating surface mount type semiconductor devices with high reliability

Номер патента: US20010033008A1. Автор: Yoshiharu Kaneda,Tokuhiro Uchiyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20140167132A1. Автор: Hideaki YAMAKOSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method for enhancing stability of n-type semiconductor through oxygen elimination

Номер патента: US20240266187A1. Автор: Liqiang LI,Jinbo HE,Wenping Hu,Yinan Huang,Liqian YUAN. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

Stack-type semiconductor device

Номер патента: US09859321B2. Автор: Donghyun Kim,Doowon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Capacitance reduction by tunnel formation for use with a semiconductor device

Номер патента: US20040056323A1. Автор: Philip Ireland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-25.

Optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09634184B2. Автор: Adrian Stefan Avramescu,Alvaro Gomez-Iglesias,Teresa Wurm,Jelena Ristic. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-25.

Electrochemical cells and manufacture of electrodes therefor

Номер патента: GB959498A. Автор: . Владелец: Imperial Chemical Industries of Australia and New Zealand Ltd. Дата публикации: 1964-06-03.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170365981A1. Автор: Eiji Nakai,Hiroaki Tsuchiya,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09948064B2. Автор: Eiji Nakai,Hiroaki Tsuchiya,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for manufacturing of pole tip of automatic circuit breaker

Номер патента: RU2572811C2. Автор: Венкай ШАНГ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2016-01-20.

Process of manufacture of induction coil of transponder and transponder manufacture by this process

Номер патента: RU2214015C2. Автор: Франсуа ДРОЗ. Владелец: НАГРА АйДи С.А.. Дата публикации: 2003-10-10.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US12099639B2. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US20240345967A1. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods and apparatus for the manufacture of microstructures

Номер патента: EP2087536A1. Автор: Stuart Philip Speakman. Владелец: 3T Technologies Ltd. Дата публикации: 2009-08-12.

Current Protection-Type Semiconductor Device

Номер патента: US20240322558A1. Автор: Wenfang Du,Xinjiang LV,Xuqiang ZHU. Владелец: Nanjing Sinnopower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and system for authenticating the computer-aided manufacturing of a three-dimensional part

Номер патента: US20210264041A1. Автор: Pérez PELAGE. Владелец: Viaccess SAS. Дата публикации: 2021-08-26.

Systems and methods for heating asphalt used in the manufacture of roofing

Номер патента: US20240247491A1. Автор: Jeremy Baer,Brian Sabatino. Владелец: Tamko Building Products LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US12105644B2. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190384165A1. Автор: Jeong-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor-device order-entry/placement management support system, and server used for the same

Номер патента: US20060010045A1. Автор: Kazuya Saito,Kunihiro Kawahara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Method of manufacture of the plastic containers for liquids

Номер патента: RU2302339C2. Автор: . Владелец: Протехна С.А.. Дата публикации: 2007-07-10.

Method of manufacture of rubber composition, rubber composition and tire

Номер патента: RU2668919C1. Автор: Ясуси ЯМАГИСИ. Владелец: Бриджстоун Корпорейшн. Дата публикации: 2018-10-04.

Method of manufacture of the plastic container for liquids

Номер патента: RU2286879C1. Автор: . Владелец: Шютц Гмбх Унд Ко. Кгаа. Дата публикации: 2006-11-10.

Machine and method of manufacture of logs of paper material

Номер патента: RU2745969C1. Автор: Фабио ПЕРИНИ. Владелец: ФУТУРА С.п.а.. Дата публикации: 2021-04-05.

Method of manufacture of ventilation blocks

Номер патента: RU2653170C1. Автор: Владимир Николаевич Нешта. Владелец: Владимир Николаевич Нешта. Дата публикации: 2018-05-07.

Semiconductor device for electrical contacting semiconductor devices

Номер патента: US20080231303A1. Автор: Jochen Kallscheuer,Bernhard Ruf,Sascha Nerger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-25.

Method of manufacture of therapeutic individual orthotics

Номер патента: RU2665955C2. Автор: Артур Витович Жиурис. Владелец: Артур Витович Жиурис. Дата публикации: 2018-09-05.

Method and apparatus for manufacture of plurality of laminated products

Номер патента: RU2266729C2. Автор: Херберт ГЕРЛАХ. Владелец: Корма, С.П.А.. Дата публикации: 2005-12-27.

Manufacture of alloys of aluminum-silicon type

Номер патента: RU2269583C2. Автор: Тома МАРГАРИА. Владелец: Энвансиль. Дата публикации: 2006-02-10.

Method of manufacture of mineral fiber

Номер патента: RU2747186C2. Автор: Себастьен БРОНЬЕ,Гийом ГЕРИ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ИЗОВЕР. Дата публикации: 2021-04-29.

Method for manufacture of parts for means of travel

Номер патента: RU2351699C2. Автор: Хендрикус Антониус ХОГЛАНД. Владелец: Эсим Текнолоджиз Б.В.. Дата публикации: 2009-04-10.

Method of manufacture of model of multi-stage aircraft

Номер патента: RU2639041C1. Автор: Николай Павлович Шоромов. Владелец: Николай Павлович Шоромов. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing of stamped plate

Номер патента: RU2417896C2. Автор: Ханс БУРКХАРТ,Вильфрид ЮД. Владелец: Амкор Флексиблз Кройцлинген АГ.. Дата публикации: 2011-05-10.

Method for manufacture of extruded leguminous micropellets

Номер патента: RU2576448C2. Автор: Номан ХАН,Сара ВЕРТМАН. Владелец: Дзе Квейкер Оутс Компани. Дата публикации: 2016-03-10.

Method for manufacture of screws augers

Номер патента: RU2703927C1. Автор: Николай Петрович Дядченко. Владелец: Николай Петрович Дядченко. Дата публикации: 2019-10-22.

Wet process for manufacture of mat from chopped yarns

Номер патента: RU2301858C2. Автор: Мишель ДРУ. Владелец: Сэн-Гобэн Ветротекс Франс С.А.. Дата публикации: 2007-06-27.

Method and apparatus for manufacture of substantially endless thin threads

Номер патента: RU2265089C2. Автор: Людер ГЕРКИНГ. Владелец: Людер ГЕРКИНГ. Дата публикации: 2005-11-27.

Method and apparatus for manufacture of circular fibrous carcasses

Номер патента: RU2309209C2. Автор: Рено Дюваль. Владелец: Мессье-Бугатти. Дата публикации: 2007-10-27.

Manufacture of screws rods and joint production and machine for manufacture thereof

Номер патента: WO2018067062A1. Автор: Magnus Gustafsson,Gunnar Gustafsson. Владелец: Aktiebolaget Ledarskruv. Дата публикации: 2018-04-12.

Method in and arrangement for the manufacture of an elongated, hollow product

Номер патента: WO1999037472A1. Автор: Vidar Franzen. Владелец: Franzen Vidar. Дата публикации: 1999-07-29.

Manufacture of patient-specific orthodontic tube

Номер патента: US12070369B2. Автор: Kelsey A. FAFARA,Alfred Charles Griffin, III,Samuel VanNoy,Dylan Winchell. Владелец: Lightforce Orthodontics Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Articles and method of manufacture of articles

Номер патента: US09788604B2. Автор: Kelly B. Jarvis. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Process of manufacture of elastomer film, deposition form unit and elastomer film

Номер патента: RU2135357C1. Автор: Винтер Хьюго Де. Владелец: Ректисел. Дата публикации: 1999-08-27.

Method and device for manufacturing of concrete hollow elements

Номер патента: RU2718743C2. Автор: Ханс-Йорг ФОЛЛЕРТ. Владелец: Фоллерт Анлагебау Гмбх. Дата публикации: 2020-04-14.

Method for manufacture of panels with decorative surface

Номер патента: RU2633251C2. Автор: Бенжамен КЛЕМАН,БУ Люк ДЕ. Владелец: Юнилин, Бвба. Дата публикации: 2017-10-11.

Method of manufacture of piece building articles

Номер патента: RU2186750C2. Автор: О.Б. Неумолотов. Владелец: Неумолотов Олег Борисович. Дата публикации: 2002-08-10.

Residential building and method of manufacture of thermal insulation

Номер патента: RU2746422C2. Автор: Иван МАЛЛИНОВСКИ. Владелец: Верк Айнс Гмбх. Дата публикации: 2021-04-13.

Netting and method for manufacturing of netting

Номер патента: RU2303664C2. Автор: Хейко ПИНЦ. Владелец: Хюскер Зюнтетик Гмбх. Дата публикации: 2007-07-27.

Articles and methods of manufacture of articles

Номер патента: US12004592B2. Автор: Kelly B. Jarvis. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Vessel hull to facilitate onboard additive manufacturing of components

Номер патента: EP4403454A1. Автор: Ignacio Requena Rodriguez. Владелец: Advantaria SL. Дата публикации: 2024-07-24.

Method for the design and manufacture of a dental component

Номер патента: US11771523B2. Автор: Peter Fornoff,Daniel Weiss,Oliver Nowarra,Hans-Christian Schneider. Владелец: Dentsply Sirona Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus and process for the manufacturing of composite formwork building members and formwork members so manufactured

Номер патента: EP3397447A1. Автор: Piero Cretti. Владелец: Plastedil SA. Дата публикации: 2018-11-07.

Process for manufacture of 2,3-dichloro-1,1,1-trifluoropropane

Номер патента: US20220144730A1. Автор: Yong Wang,Changyue ZHOU. Владелец: Fujian Yongjing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Process for manufacture of 2-chloro-1,1,1-trifluoropropene

Номер патента: US20220144729A1. Автор: Yong Wang,Changyue ZHOU. Владелец: Fujian Yongjing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for the Additive Manufacturing of a Component

Номер патента: US20240286198A1. Автор: Tobias Hauser,Raven Thomas Reisch,Tobias Kamps. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Bench and method for the support and manufacturing of parts with complex geometry

Номер патента: US8495811B2. Автор: Matteo Zoppi,Rezia Molfino,Dimiter Zlatanov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-30.

New process for the manufacture of nonafluoro-tert-butyl alcohol by electrofluorination (ecf)

Номер патента: WO2024075007A1. Автор: Max Josef Braun. Владелец: Fluorinnovation L.L.C-Fz. Дата публикации: 2024-04-11.

Articles and methods of manufacture of articles

Номер патента: US09883717B2. Автор: Kelly B. Jarvis. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Articles and methods of manufacture of articles

Номер патента: US09788594B2. Автор: Kelly B. Jarvis. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for manufacture of screw spirals

Номер патента: RU2718770C1. Автор: Николай Петрович Дядченко. Владелец: Николай Петрович Дядченко. Дата публикации: 2020-04-14.

Method of manufacture of the spray jet for the diesel engine fuel valve

Номер патента: RU2313422C2. Автор: Харро Андреас ХЕГ. Владелец: Ман Б Энд В Диесель А/С. Дата публикации: 2007-12-27.

Method for manufacturing of material boards and material board

Номер патента: RU2399484C1. Автор: Герберт РУДОРФЕР. Владелец: Интерглэрион Лимитед. Дата публикации: 2010-09-20.

Method of manufacture of footwear components

Номер патента: RU2670076C1. Автор: Шуй-Му ВАН. Владелец: Чаэй Хсин Энтерпрайз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-10-17.

Raw mix for manufacturing of lightweight concrete

Номер патента: RU2379266C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2010-01-20.

Wheel with mandrels for manufacturing of packages

Номер патента: RU2664008C1. Автор: Михаель ХАЙЛЬ. Владелец: Сиг Текнолоджи Аг. Дата публикации: 2018-08-14.

Method for manufacture of moulded plastic container

Номер патента: RU2143340C1. Автор: Курт Х. Руппман. Владелец: Курт Х. Руппман. Дата публикации: 1999-12-27.

Method of manufacture of architectural articles

Номер патента: RU2160239C1. Автор: И.М. Баранов. Владелец: Баранов Иван Митрофанович. Дата публикации: 2000-12-10.

Manufacture of high melting-point metallic gate mos semiconductor device

Номер патента: JPS61287172A. Автор: Hiroaki Otsuki,大槻 博明. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1986-12-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Power semiconductor device of tablet structure

Номер патента: RU2231862C1. Автор: А.В. Новиков,А.И. Савкин. Владелец: Савкин Анатолий Иванович. Дата публикации: 2004-06-27.

MANUFACTURE OF PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000532A1. Автор: Meyers Peter V.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing process for heavy-power semiconductor devices

Номер патента: RU2022399C1. Автор: Игорь Николаевич Клопов. Владелец: Игорь Николаевич Клопов. Дата публикации: 1994-10-30.

Device for manufacture of wide-neck thermoplastic barrels

Номер патента: RU2295478C2. Автор: . Владелец: Шютц Гмбх Унд Ко. Кгаа. Дата публикации: 2007-03-20.

Method of manufacture of heat-insulating material

Номер патента: RU2323191C2. Автор: . Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭКТ". Дата публикации: 2008-04-27.

Method for manufacturing of waveguide polariser

Номер патента: RU2402120C1. Автор: Сергей Николаевич Белов. Владелец: Сергей Николаевич Белов. Дата публикации: 2010-10-20.

Jewelry material-synthetic polycrystal corundum and method of manufacture of articles from such material

Номер патента: RU2253706C2. Автор: . Владелец: Комягин Юрий Петрович. Дата публикации: 2005-06-10.

Method for manufacturing of outerwear

Номер патента: RU2417716C1. Автор: Людмила Юрьевна Какурина. Владелец: Людмила Юрьевна Какурина. Дата публикации: 2011-05-10.

Method for manufacture of bakery products

Номер патента: RU2245045C1. Автор: С.В. Захаров,В.Д. Малкина. Владелец: Малкина Валентина Даниловна. Дата публикации: 2005-01-27.

Method for manufacturing of paper with protective member for controlling authenticity of protected graphic products, protective member for controlling authenticity of protected graphic products and paper with protective member

Номер патента: RU2296191C1. Автор: Андрей Борисович Курятников,Аркадий Владимирович Трачук,Андрей Валерьевич Чеглаков,Александр Георгиевич Писарев,Елена Самуиловна Туркина,Владимир Васильевич Павлов,Сергей Юрьевич Вязалов,Александр Васильевич Курочкин,Евгений Михайлович Метельский,Виктор Сергеевич Солдатченков,Ольга Викторовна Агафонова,Эрик Гершонович Семенов,Андрей Валерьевич Чеглаков (RU),Аркадий Владимирович Трачук (RU),Александр Георгиевич Писарев (RU),тников Андрей Борисович Кур (RU),залов Сергей Юрьевич В (RU),Александр Васильевич Курочкин (RU),Владимир Васильевич Павлов (RU),Евгений Михайлович Метельский (RU),Виктор Сергеевич Солдатченков (RU),Елена Самуиловна Туркина (RU),Ольга Викторовна Агафонова (RU),Эрик Гершонович Семенов (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Гознак"(ФГУП "Гознак"). Дата публикации: 2007-03-27.

Manufacture of quaternary ammonium compounds

Номер патента: GB462720A. Автор: . Владелец: IG Farbenindustrie AG. Дата публикации: 1937-03-10.

Method for manufacturing of non-smoking article from tobacco

Номер патента: RU2251372C2. Автор: О.И. Квасенков. Владелец: Квасенков Олег Иванович. Дата публикации: 2005-05-10.

Raw mix for manufacture of silica brick, blocks

Номер патента: RU2556547C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2015-07-10.

Process of manufacture of electric contact

Номер патента: RU2155405C1. Автор: В.И. Колосов. Владелец: ОАО "Пермский моторный завод". Дата публикации: 2000-08-27.

Raw mixture for manufacture of aerated concrete

Номер патента: RU2484064C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2013-06-10.

Method for manufacture of preserves "poultry with garnish"

Номер патента: RU2509486C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2014-03-20.

Raw mixture for manufacture of aerated concrete

Номер патента: RU2400453C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2010-09-27.

Method for manufacturing of non-smoking tobacco article

Номер патента: RU2251367C2. Автор: О.И. Квасенков. Владелец: Квасенков Олег Иванович. Дата публикации: 2005-05-10.

Composition for manufacturing of structural material

Номер патента: RU2466954C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2012-11-20.

Method for manufacture of decorative application compositions

Номер патента: RU2169084C1. Автор: бьев С.В. Ал,С.В. Алябьев. Владелец: Алябьев Сергей Васильевич. Дата публикации: 2001-06-20.

Method for manufacturing of non-smoking article from tobacco

Номер патента: RU2251379C2. Автор: О.И. Квасенков. Владелец: Квасенков Олег Иванович. Дата публикации: 2005-05-10.