Mos型半導体装置の製造方法
Номер патента: JPS5812366A
Опубликовано: 24-01-1983
Автор(ы): Junichi Ono, 淳一 大野
Принадлежит: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd, Toshiba Corp
Опубликовано: 24-01-1983
Автор(ы): Junichi Ono, 淳一 大野
Принадлежит: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd, Toshiba Corp
Реферат: (57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた め要約のデータは記録されません。
Trench MOS type silicon carbide semiconductor device
Номер патента: US20090315039A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.