METHOD OF FORMING A FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING A GATE STRUCTURE WITH A FIRST SECTION HAVING A FIRST EFFECTIVE WORK FUNCTION ABOVE A CENTER PORTION OF THE CHANNEL REGION AND WITH SECOND SECTIONS HAVING A SECOND EFFECTIVE WORK FUNCTION ABOVE OPPOSING SIDEWALLS OF THE CHANNEL REGION.

METHOD OF FORMING A FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING A GATE STRUCTURE WITH A FIRST SECTION HAVING A FIRST EFFECTIVE WORK FUNCTION ABOVE A CENTER PORTION OF THE CHANNEL REGION AND WITH SECOND SECTIONS HAVING A SECOND EFFECTIVE WORK FUNCTION ABOVE OPPOSING SIDEWALLS OF THE CHANNEL REGION

Номер патента: US20140070330A1
Опубликовано: 13-03-2014
Автор(ы): ANDERSON Brent A., Nowak Edward J.
Принадлежит: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Field effect transistor and method for fabricating field effect transistor

Номер патента: US20160013272A1. Автор: Yi Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Methods of Manufacturing a Power MOSFET

Номер патента: US20170236910A1. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-17.

Field effect transistor with channel core modified to reduce leakage current and method of fabrication

Номер патента: US20160020312A1. Автор: Shogo Mochizuki,Tomohiro Hirai,Toshiharu Nagumo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and its method of fabrication

Номер патента: US5498556A. Автор: Gary Hong,Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-03-12.

Schottky barrier field effect transistor with carbon-containing insulation layer and method for fabricating the same

Номер патента: WO2013117028A1. Автор: Wei Wang,Jing Wang,Mei Zhao,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-08-15.

FinFET Varactor with Low Threshold Voltage and Method of Making the Same

Номер патента: US20180337173A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI,Han-Min Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

FinFET Varactor with Low Threshold Voltage and Method of Making the Same

Номер патента: US20200126975A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI,Han-Min Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Vertical fin field effect transistor, vertical fin field effect transistor arrangement, and method for forming a vertical fin field effect transistor

Номер патента: US20230118158A1. Автор: Joachim Rudhard,Wolfgang Feiler,Daniel Krebs,Jens Baringhaus,Alberto MARTINEZ-LIMIA. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-04-20.

Method of forming source and drain of field-effect-transistor and structure thereof

Номер патента: SG144827A1. Автор: Tan Shyue Seng,Lee Jae Gon,TEO Lee Wee,Mishra Shailendra,Henry K Utomo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of forming the gate electrode of field effect transistor

Номер патента: US09812551B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Yi-An Lin,Chun-Wei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming the gate electrode of field effect transistor

Номер патента: US20200127118A1. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Yi-An Lin,Chun-Wei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Method of fabricating a double gate field effect transistor device, and such a double gate field effect transistor device

Номер патента: WO2005022648A1. Автор: Youri Ponomarev,Radu Catalin Surdeanu. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-03-10.

Methods of forming source/drain contacts in field-effect transistors

Номер патента: US11749725B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of fabricating semiconductor devices including a fin field effect transistor

Номер патента: US11978775B2. Автор: Hyun-Seung Song,Yongsik Jeong,Heonjong Shin,Doohyun Lee,Sora YOU,Yeongchang Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Methods of Forming Source/Drain Contacts in Field-Effect Transistors

Номер патента: US20200058744A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Metal gate stacks and methods of fabricating the same in multi-gate field-effect transistors

Номер патента: US11721695B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Metal gate stacks and methods of fabricating the same in multi-gate field-effect transistors

Номер патента: US20230369323A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Metal Gate Stacks and Methods of Fabricating the Same in Multi-Gate Field-Effect Transistors

Номер патента: US20230017100A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for forming a stress-reduced field-effect semiconductor device

Номер патента: US09941365B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Markus Zundel,Ralf Siemieniec,Stefan Sedlmaier,Michael Hutzler,Oliver Blank,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel and methods of fabricating silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel

Номер патента: US6956238B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Ranbir Singh,John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Lori A. Lipkin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-10-18.

Methods of forming source/drain contacts in field-effect transistors

Номер патента: US20230378282A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of forming the gate electrode of field effect transistor

Номер патента: US20180069094A1. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Yi-An Lin,Chun-Wei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

INTEGRATING A GATE-ALL-AROUND (GAA) TRANSISTOR WITH A SILICON GERMANIUM (SiGe) HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR (HBT)

Номер патента: US20210398972A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang,Kwanyong LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Structure and method of new power mos and igbt with built-in multiple vt's

Номер патента: US20220209005A1. Автор: Min-Hwa Chi,Peng Li,Conghui LIU,Dongyang ZHOU,Jinpeng QIU. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Structure and method of new power MOS and IGBT with built-in multiple VT'S

Номер патента: US11984500B2. Автор: Min-Hwa Chi,Peng Li,Conghui LIU,Dongyang ZHOU,Jinpeng QIU. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of manufacturing a field effect transistor by tilted implantation of dopants into inner sidewalls of gate spacers

Номер патента: US12062707B2. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Vertical transistor devices with composite high-k and low-k spacers with a controlled top junction

Номер патента: US20210119043A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Dual dielectric tri-gate field effect transistor

Номер патента: US20110063019A1. Автор: Josephine B. Chang,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Fabricating method of fin field effect transistor (FinFET)

Номер патента: US09793105B1. Автор: Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US12029041B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Gate air spacer for fin-like field effect transistor

Номер патента: US11764281B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US11690227B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

2D-Channel Transistor Structure with Source-Drain Engineering

Номер патента: US20230361180A1. Автор: KHADERBAD Mrunal Abhijith,DHANYAKUMAR Mahaveer Sathaiya,Tzer-Min Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for fabricating field-effect transistor

Номер патента: US11804550B2. Автор: Su Xing,Chung Yi Chiu,Hai Biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Field effect transistor with spacers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355898A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Field effect transistor and method of manufacture

Номер патента: US09847415B2. Автор: Stephen E. Luce,John J. Pekarik,Yun Shi,Alvin J. Joseph,Alan B. Botula. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of removing a hard mask layer on a gate structure while forming a protective layer on the surface of a substrate

Номер патента: US09646889B1. Автор: Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230062583A1. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234522A1. Автор: Hyunkwang SHIN. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor-on-insulator field-effect transistors including stress-inducing components

Номер патента: US20240105503A1. Автор: Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Fabrication of vertical field effect transistor structure with strained channels

Номер патента: US09755073B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Fin field effect transistor structure and method to form defect free merged source and drain epitaxy for low external resistance

Номер патента: US09985114B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Ferroelectric field-effect transistor memory structure

Номер патента: EP4386862A1. Автор: Jan Van Houdt,Amey Mahadev Walke. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-19.

Field effect transistor

Номер патента: US20170179270A1. Автор: Masashi Tanimoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Stressed nanowire stack for field effect transistor

Номер патента: US20160190246A1. Автор: Martin M. Frank,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Stressed nanowire stack for field effect transistor

Номер патента: US20160190247A1. Автор: Martin M. Frank,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Field effect transistor

Номер патента: US09972710B2. Автор: Masashi Tanimoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210226030A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of manufacturing field effect transistor with spacer structure

Номер патента: US20220262918A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Gate spacer structure and method of forming same

Номер патента: US12062709B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Wei-Ting Chien,Yi-Hsiu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09929160B1. Автор: Sung-dae Suk,Seungmin Song,Yong-Suk Tak,Juri LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220077321A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-10.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US11935790B2. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for manufacturing high-performance and low-power field effect transistor of which surface roughness scattering is minimized or removed

Номер патента: US20170243953A1. Автор: Sung Ho Kim,Kyung Rok Kim,Jong Yul PARK. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Method for manufacturing high-performance and low-power field effect transistor of which surface roughness scattering is minimized or removed

Номер патента: US9780198B2. Автор: Sung Ho Kim,Kyung Rok Kim,Jong Yul PARK. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Field effect transistor with narrowed spacer and method

Номер патента: US20240355907A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Tsung-Han CHUANG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US09991365B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method and apparatus of forming an integrated circuit with a strained channel region

Номер патента: US09768277B2. Автор: Yen-Chun Lin,Da-Wen Lin,Ming-Lung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240186183A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Field Effect Transistor Device with Raised Active Regions

Номер патента: US20130069159A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Method of Forming Transistor

Номер патента: US20230187538A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of Forming Transistor

Номер патента: US20210104618A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Vertical fin field effect transistor with a reduced gate-to-bottom source/drain parasitic capacitance

Номер патента: US20190198641A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Vertical fin field effect transistor with a reduced gate-to-bottom source/drain parasitic capacitance

Номер патента: US20200083353A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Method of Forming Transistor

Номер патента: US20240282842A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

FinFET semiconductor structures and methods of fabricating same

Номер патента: US09812336B2. Автор: Michael Ganz,Sruthi Muralidharan,Bingwu Liu,Johannes Marinus VAN MEER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Field Effect Transistor Device with Raised Active Regions

Номер патента: US20130071979A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Field effect transistor (fet) comprising channels with silicon germanium (sige)

Номер патента: EP4046202A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Kwanyong LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-08-24.

Stacked cmos devices with two dielectric materials in a gate cut

Номер патента: WO2024125246A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A2. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-07-29.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A3. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-09-16.

Field-Effect Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20140061647A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-03-06.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with a reduced contact resistance

Номер патента: US20180012969A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with a reduced contact resistance

Номер патента: US09905663B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768168B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Vertical transport field effect transistor structure with self-aligned top junction through early top source/drain epitaxy

Номер патента: US20200152791A1. Автор: Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) COMPRISING CHANNELS WITH SILICON GERMANIUM (SiGe)

Номер патента: WO2021076241A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Kwanyong LIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-04-22.

Vertical transport field effect transistor structure with self-aligned top junction through early top source/drain epitaxy

Номер патента: US20190393341A1. Автор: Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US20180026137A1. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US09905694B2. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of Forming High-Voltage Transistor with Thin Gate Poly

Номер патента: US20190027487A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Field effect transistor (fet) stack and methods to form same

Номер патента: US20210336005A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Method of Forming High-Voltage Transistor with Thin Gate Poly

Номер патента: US20240008279A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of Forming High-Voltage Transistor with Thin Gate Poly

Номер патента: US20190304990A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: WO2019018194A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-01-24.

Field effect transistor, electronic apparatus including the same, and method of manufacturing the field effect transistor

Номер патента: US20230103876A1. Автор: Minsu Seol,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09748377B2. Автор: Shen-Ping Wang,Po-Tao Chu,Lieh-Chuan Chen,Chih-Heng Shen,Tzu-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Isolation pillar first gate structures and methods of forming same

Номер патента: US20190221661A1. Автор: Haiting Wang,Wei Zhao,Hui Zang,Rui Chen,Ruilong Xie,Scott H. Beasor,Yuping REN,Ming Hao TANG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230068212A1. Автор: Hyoshin AHN,Uihui KWON,Sangjun Yun,Seongnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20210336026A1. Автор: Hyoshin AHN,Uihui KWON,Sangjun Yun,Seongnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US11791394B2. Автор: Hyoshin AHN,Uihui KWON,Sangjun Yun,Seongnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391038A1. Автор: Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Trench-gate field effect transistor with improved electrical performances and corresponding manufacturing process

Номер патента: US12027620B2. Автор: Salvatore Privitera,Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-02.

Methods for performing a gate cut last scheme for FinFET semiconductor devices

Номер патента: US09991361B2. Автор: Xintuo Dai,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained with such a method

Номер патента: EP1579488A1. Автор: Marcus J. H. Van Dal,Jacob C. Hooker,Vincent C. Venezia,Charles J. J. Dachs. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2005-09-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1579488B1. Автор: Marcus J. H. Van Dal,Jacob C. Hooker,Vincent C. Venezia,Charles J. J. Dachs. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-12-07.

Fin-type field effect transistor

Номер патента: US12046661B2. Автор: Kei-Wei Chen,Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Structure for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US20070170527A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-26.

Method for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US20080299732A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240313111A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Jhu-Min Song,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Structure for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US7355245B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-08.

Array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09966393B2. Автор: Jin-Su Kim,Sung-Jin UM,Jin-Hyung Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Gate structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US11854825B2. Автор: Bo-Feng YOUNG,Chang-Yin Chen,Chai-Wei Chang,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11869892B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Transistor gate structures and methods of forming the same

Номер патента: US12062695B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US20070254443A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US7446004B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Transistor gate structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240355882A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20240088223A1. Автор: Chun-Han Chen,Shu-Wen Shen,Yen-Po Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Buried channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (mosfet) and forming method thereof

Номер патента: US20210399132A1. Автор: Chang-Po Hsiung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor power device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4235753A3. Автор: Franz Hirler,Stefan Tegen,Alessandro Ferrara,Oliver Blank,Adrian Finney. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-08.

Method of forming a gate shield in an ED-CMOS transistor and a base of a bipolar transistor using BICMOS technologies

Номер патента: US9633995B2. Автор: Jeffrey A. Babcock,Alexei Sadovnikov. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Three-dimensional stackable ferroelectric random access memory devices and methods of forming

Номер патента: US20240268122A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US09780193B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20140070283A1. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-03-13.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20150001642A1. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20160099333A1. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US9245968B2. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Field effect transistor with backside source/drain

Номер патента: US20240113176A1. Автор: Son Nguyen,Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Kisik Choi,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Stacked cmos devices with two dielectric materials in a gate cut

Номер патента: US20240203990A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Gate-all-around field effect transistor with bottom dielectric isolation

Номер патента: WO2023078652A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Ruilong Xie,Andrew Greene,Nicolas Loubet,Julien Frougier,Maruf Amin Bhuiyan. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-11.

Method of fabricating semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US7602031B2. Автор: Young Suk Kim. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-13.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200043732A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Non-planar transistor and method of forming the same

Номер патента: US20160336451A1. Автор: Shui-Yen Lu,Jhen-Cyuan Li,Nan-Yuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200335499A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Method of manufacturing a semiconductor device with metal gate etch selectivity control

Номер патента: US20180174915A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Chia-Ching Tsai,Li-Te Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of forming a transistor having multiple types of schottky junctions

Номер патента: US20080274601A1. Автор: Byoung W. Min. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-06.

Method of semiconductor fabrication in corporating disposable spacer into elevated source/drain processing

Номер патента: WO2005112099A3. Автор: Jian Chen,Rode R Mora,Yasuhito Shiho,Marc A Rossow. Владелец: Marc A Rossow. Дата публикации: 2006-04-27.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20200091318A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20180366560A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20170330969A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Field effect transistor device with separate source and body contacts and method of producing the device

Номер патента: US20180130906A1. Автор: Georg Roehrer,Jong Mun Park,Martin Knaipp. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2018-05-10.

Fin-type field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9257538B2. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-02-09.

Gate spacer and inner spacer formation for nanosheet transistors having relatively small space between gates

Номер патента: US20190341465A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Zhenxing Bi,Nicolas J. Loubet,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230253473A1. Автор: Jun Kobayashi,Kazuyoshi Maki,Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA,Shu NAKASHIMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of forming a semiconductor device with multiple etch stop layers and inter-layer dielectrics

Номер патента: US09859431B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Replacement metal gate structures

Номер патента: US09685532B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Structure and method of making strained channel CMOS transistors having lattice-mismatched epitaxial extension and source and drain regions

Номер патента: US6906360B2. Автор: Dureseti Chidambarrao,Huajie Chen,Haining S. Yang,Omer O. Dokumaci. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-14.

Structure and method of making strained channel cmos transistors having lattice-mismatched epitaxial extension and source and drain regions

Номер патента: EP1668672A2. Автор: Dureseti Chidambarrao,Omer Dokumaci,Huajie Chen,Haining S. Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-14.

System and method for metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20100171186A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Method and structure of fabricating i-shaped silicon germanium vertical field-effect transistors

Номер патента: US20190319117A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Transistor Contacts and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230282706A1. Автор: Li-Ting Wang,Wen-Yen Chen,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Wei-Ting Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

System and method for metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US8217471B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20070210330A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

High-voltage bidirectional field effect transistor

Номер патента: WO2024112426A1. Автор: Chirag Gupta,Shubhra S. Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-30.

Replacement metal gate structures

Номер патента: US09691877B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Trench-gate field effect transistor with improved electrical performances and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20220352368A1. Автор: Salvatore Privitera,Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-11-03.

Trench-gate field effect transistor with improved electrical performances and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20200027980A1. Автор: Salvatore Privitera,Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-01-23.

Trench-gate field effect transistor with improved electrical performances and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20230352578A1. Автор: Salvatore Privitera,Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-02.

Trench-gate field effect transistor with improved electrical performances and corresponding manufacturing process

Номер патента: US11742421B2. Автор: Salvatore Privitera,Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-29.

Fabrication method of forming silicon carbide mosfet

Номер патента: US20230261085A1. Автор: Seungchul Lee,Youngchul CHOI,Chaohsin Huang. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Silicon Carbide Semiconductor Device with Trench Gate Structure and Horizontally Arranged Channel and Current Spread Regions

Номер патента: US20190296110A1. Автор: Roland Rupp,Anton Mauder,Andreas Meiser,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Finfet with a silicon germanium alloy channel and method of fabrication thereof

Номер патента: US20160172448A1. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Silicon-germanium Fins and methods of processing the same in field-effect transistors

Номер патента: US12136651B2. Автор: Chih-Chung Chang,Che-Yuan Hsu,Hung-Ju Chou,Jiun-Ming Kuo,Chen-Hsuan Liao,Yu-Shan Lu,Pei-Ling Gao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Fabrication method of forming silicon carbide mosfet

Номер патента: US20230261084A1. Автор: Seungchul Lee,Youngchul CHOI,Chaohsin Huang. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US20220302315A1. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor devices, FinFET devices and methods of forming the same

Номер патента: US09876083B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Wei-Cheng Wang,Miin-Jang Chen,Liang-Chen Chi,Chin-Kun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US10396179B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Manufacturing method of flash memory structure with stress area

Номер патента: US20130171815A1. Автор: Yider Wu,Hung-Wei Chen. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2013-07-04.

Manufacturing method of flash memory structure with stress area

Номер патента: US8476156B1. Автор: Yider Wu,Hung-Wei Chen. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2013-07-02.

Semiconductor process, planar field effect transistor and fin-shaped field effect transistor

Номер патента: US9773880B2. Автор: Wei-Chih Chen,I-Chang Wang,Teng-Chuan Hu,Yi Chuen Eng,Hsiu-Kuan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor process, planar field effect transistor and fin-shaped field effect transistor

Номер патента: US20170069730A1. Автор: Wei-Chih Chen,I-Chang Wang,Teng-Chuan Hu,Yi Chuen Eng,Hsiu-Kuan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Fabrication method of forming silicon carbide mosfet

Номер патента: US20230261086A1. Автор: Seungchul Lee,Youngchul CHOI,Chaohsin Huang. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Gate Spacer Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20230307525A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Wei-Ting Chien,Yi-Hsiu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US20180315834A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US20180315835A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Methods for performing a gate cut last scheme for finfet semiconductor devices

Номер патента: US20170345913A1. Автор: Xintuo Dai,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20240371936A1. Автор: Shuntaro Fujii. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing

Номер патента: US20150236149A1. Автор: Shen-Ping Wang,Po-Tao Chu,Lieh-Chuan Chen,Chih-Heng Shen,Tzu-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Planar field effect transistor

Номер патента: US10068979B2. Автор: Wei-Chih Chen,I-Chang Wang,Teng-Chuan Hu,Yi Chuen Eng,Hsiu-Kuan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Field effect transistor with backside source/drain

Номер патента: US20240112985A1. Автор: Son Nguyen,Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Kisik Choi,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of forming transistor

Номер патента: US11990532B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Planar field effect transistor

Номер патента: US20180012971A1. Автор: Wei-Chih Chen,I-Chang Wang,Teng-Chuan Hu,Yi Chuen Eng,Hsiu-Kuan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140048883A1. Автор: Takaaki Ukeda,Akihito Miyamoto. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274470A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Bo Liao,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: US20230052056A1. Автор: Xiang Li,XIN ZHAO,Shan Liu,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: EP3968375A3. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20210074593A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU,Ming-Te Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20230377994A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU,Ming-Te Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: US11855218B2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Transistor Gate Structures and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230343822A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US11978675B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU,Ming-Te Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: US20240030347A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Schotiky barrier tunnel transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070034951A1. Автор: Seong Lee,Chel Choi,Moon Jang,Yark Kim,Myung Jun,Byoung Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US9627460B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods of forming stress enhanced PMOS structures

Номер патента: US20060226453A1. Автор: Roza Kotlyar,Martin Giles,Borna Obradovic,Everett Wang,Philippe Matagne,Mark Stettler. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Field effect transistors with a gated oxide semiconductor source/drain spacer

Номер патента: US20210193814A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Van H. Le,Rafael Rios,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Mechanically stable complementary field effect transistors

Номер патента: US20200286788A1. Автор: Chen Zhang,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220376076A1. Автор: Toshiki Kaneko,Fumiya Kimura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Forming a hybrid channel nanosheet semiconductor structure

Номер патента: US9892976B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Graphene transistor and method of manufacturing a graphene transistor

Номер патента: US12119388B2. Автор: SIMON Thomas,Robert Wallis,Ivor GUINEY,Thomas James BADCOCK. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Forming a hybrid channel nanosheet semiconductor structure

Номер патента: US09892976B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device structures and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09761724B2. Автор: Justin K. Brask,Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Amlan Majumdar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Forming a hybrid channel nanosheet semiconductor structure

Номер патента: US09704863B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US09583394B2. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Hon-Huei Liu,Nan-Yuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of fabricating a multi-gate device

Номер патента: US11955554B2. Автор: Zhiqiang Wu,Ying-Keung Leung,Chung-Cheng Wu,Yi-Ming Sheu,Hung-Li Chiang,Huan-Sheng WEI,Chia-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Structure and method of producing isolation with non-dopant implantation

Номер патента: SG150429A1. Автор: Lindsay Richard,Lee Yong Meng,Manfred Eller. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-03-30.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20240274667A1. Автор: Kei-Wei Chen,Pei-Ren Jeng,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE,Chun-An Lin,Heng-Wen Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11935939B2. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11800713B2. Автор: Changhan Kim,In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Graphene and Nanotube/Nanowire Transistor with a Self-Aligned Gate Structure on Transparent Substrates and Method of Making Same

Номер патента: US20140312298A1. Автор: Zihong Liu,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Graphene and Nanotube/Nanowire Transistor with a Self-Aligned Gate Structure on Transparent Substrates and Method of Making Same

Номер патента: US20140042393A1. Автор: Zihong Liu,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20200395461A1. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Method of fabrication of semiconductor device

Номер патента: US20140042558A1. Автор: David John Wallis,Martin Trevor Emeny,Peregrine Orr Jackson. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US12021140B2. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Jhu-Min Song,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Thin film transistor, method of fabricating thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20190267493A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang,Hongda Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240274649A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of forming a gate shield in an ed-cmos transistor and a base of a bipolar transistor using bicmos technologies

Номер патента: US20160172355A1. Автор: Jeffrey A. Babcock,Alexei Sadovnikov. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US20180006133A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chia-Lin Liu,Chun-Lung Chen,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of forming a Gate Shield in an ED-CMOS Transistor and a base of a bipolar transistor using BICMOS Technologies

Номер патента: US20160172245A1. Автор: Jeffrey A. Babcock,Alexei Sadovnikov. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of fabricating thin film transistor structure

Номер патента: US20090142886A1. Автор: Po-Tsun Liu,Yu-Cheng Chen,Chi-Lin Chen,Hsing-Hua Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-06-04.

Method of fabricating thin film transistor structure having strip-shaped silicon island

Номер патента: US7927929B2. Автор: Po-Tsun Liu,Yu-Cheng Chen,Chi-Lin Chen,Hsing-Hua Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-04-19.

Method of semiconductor fabrication in corporating disposable spacer into elevated source/drain processing

Номер патента: WO2005112099A2. Автор: Jian Chen,Rode R. Mora,Marc A. Rossow,Yasuhito Shiho. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160005830A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09917169B2. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having decoupling capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US7883970B2. Автор: Ji-Young Kim,Hyun-Ki Kim,Jung-Hwa Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-08.

Method of making an integrated circuit with drain well having multiple zones

Номер патента: US20220384646A1. Автор: Zheng Long CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Gate structure having designed profile

Номер патента: US20170317185A1. Автор: Che-Cheng Chang,Kai-Li CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Gate structure having designed profile

Номер патента: US10529822B2. Автор: Che-Cheng Chang,Kai-Li CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Fin-type field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170250280A1. Автор: Ting-Chun Wang,Cheng-ta Wu,Yung-Hsiang Chan,Yung-Yu Wang,Chia-Ying Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US8518778B2. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2013-08-27.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20120231595A1. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Three-dimensional stackable ferroelectric random access memory devices and methods of forming

Номер патента: US11991886B2. Автор: Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Silicon-germanium fins and methods of processing the same in field-effect transistors

Номер патента: US20230387213A1. Автор: Chih-Chung Chang,Che-Yuan Hsu,Hung-Ju Chou,Jiun-Ming Kuo,Chen-Hsuan Liao,Yu-Shan Lu,Pei-Ling Gao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated circuit devices including vertical field-effect transistors (vfets)

Номер патента: US20200144260A1. Автор: Jung Ho Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Array substrate, method of fabricating the same, display panel and display device

Номер патента: US09793366B2. Автор: Dong Li,Zheng Liu,Xiaolong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Power switching devices with high dv/dt capability and methods of making such devices

Номер патента: EP3679606A1. Автор: Qingchun Zhang,Sei-Hyung Ryu,Brett Hull,Adam Barkley. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-07-15.

Forming a hybrid channel nanosheet semiconductor structure

Номер патента: US10103063B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230369464A1. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Finfet with a silicon germanium alloy channel and method of fabrication thereof

Номер патента: US20160064543A1. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

FinFET with a silicon germanium alloy channel and method of fabrication thereof

Номер патента: US9312367B2. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Finfet with a silicon germanium alloy channel and method of fabricaton thereof

Номер патента: US20160064511A1. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Integrated circuit system with bandgap material and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120119281A1. Автор: Eng Huat Toh,Jae Gon Lee,Chung Foong Tan,Chunshan YIN,Lakshmi Bera. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Forming a hybrid channel nanosheet semiconductor structure

Номер патента: US20180323111A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210313454A1. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11757023B2. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Forming a hybrid channel nanosheet semiconductor structure

Номер патента: US20180076095A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Dual threshold voltage (VT) channel devices and their methods of fabrication

Номер патента: US11967615B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Neville L. DIAS,Hsu-Yu Chang,Roman W. OLAC-VAW,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of forming a semiconductor device with multiple etch stop layers and inter-layer dielectrics

Номер патента: US20180047841A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH PAIR(S) OF VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS, EACH PAIR HAVING A SHARED SOURCE/DRAIN REGION AND METHODS OF FORMING THE STRUCTURES

Номер патента: US20150221767A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-08-06.

Forming a hybrid channel nanosheet semiconductor structure

Номер патента: US9881839B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Gate formation scheme for nanosheet transistors having different work function metals and different nanosheet width dimensions

Номер патента: US20200006356A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Field effect transistor with backside source/drain contact

Номер патента: US20240153990A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Method and apparatus for placing a gate contact inside an active region of a semiconductor

Номер патента: US09941278B2. Автор: Xunyuan Zhang,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method and apparatus for placing a gate contact inside a semiconductor active region having high-k dielectric gate caps

Номер патента: US09824921B1. Автор: Xunyuan Zhang,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Multi-gate device and method of fabrication thereof

Номер патента: US09660033B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih Chieh Yeh,I-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of fabricating crystalline silicon and switching device using crystalline silicon

Номер патента: US20050064675A1. Автор: Young-joo Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-24.

Method of manufacturing flash memory

Номер патента: US6271089B1. Автор: Richard Chang,Way-Ming Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-08-07.

Semiconductor Device Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20160197175A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and methods of manufacture

Номер патента: US20210296450A1. Автор: Yu-Sheng Wang,Chia-Ching Lee,Chi-Cheng Hung,Ching-Hwanq Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor Device and Methods of Manufacture

Номер патента: US20180350950A1. Автор: Yu-Sheng Wang,Chia-Ching Lee,Chi-Cheng Hung,Ching-Hwanq Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor Device and Methods of Manufacture

Номер патента: US20200091315A1. Автор: Yu-Sheng Wang,Chia-Ching Lee,Chi-Cheng Hung,Ching-Hwanq Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Cmos top source/drain region doping and epitaxial growth for a vertical field effect transistor

Номер патента: US20230154801A1. Автор: Ruilong Xie,Heng Wu,Hemanth Jagannathan,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Cmos top source/drain region doping and epitaxial growth for a vertical field effect transistor

Номер патента: US20210305104A1. Автор: Ruilong Xie,Heng Wu,Hemanth Jagannathan,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor Device Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20140252431A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of forming a metal semiconductor field effect transistor

Номер патента: US4358891A. Автор: Bruce Roesner. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1982-11-16.

Replacement gate structure for transistor with a high-k gate stack

Номер патента: US20130175630A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Tunneling Field Effect Transistor and Manufacturing Method Thereof, Display Panel and Display Apparatus

Номер патента: US20240297243A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090159926A1. Автор: Tetsuya Ikuta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor device including thyristor and method of manufacturing the same

Номер патента: US8049248B2. Автор: Tetsuya Ikuta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220352316A1. Автор: Yuki Karamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

IGBT chip having folded composite gate structure

Номер патента: US11848375B2. Автор: Liheng Zhu,Guoyou Liu,Chunlin ZHU. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Field effect transistor having field plate

Номер патента: AU2020375557B2. Автор: Michael S. Davis,Eduardo M. Chumbes,Brian T. APPLETON JR.. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-09-05.

SONOS memory device and method of erasing data from the same

Номер патента: US20040251490A1. Автор: Chung-woo Kim,Soo-doo Chae,Jo-won Lee,Moon-kyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-16.

Method of manufacturing field effect transistors

Номер патента: US5112766A. Автор: Takayuki Fujii,Mitsunori Nakatani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-05-12.

Junction-field-effect-transistor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130109139A1. Автор: Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu,Chung Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Junction-field-effect-transistor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US8557653B2. Автор: Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu,Chung Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-15.

Field effect transistor having a gate dielectric with variable thickness

Номер патента: US5314834A. Автор: Marius K. Orlowski,Carlos A. Mazure. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-05-24.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12020935B2. Автор: Koichi Nishi,Kazuya Konishi,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of Forming A Self-Aligned Stack Gate Structure For Use In A Non-volatile Memory Array

Номер патента: US20160225878A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Method of forming a self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: US9570581B2. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of forming a nanometer-gate mosfet device

Номер патента: US20030235990A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Intelligent Sources Development Corp. Дата публикации: 2003-12-25.

Methods of fabricating a multianalyte detection device and devices thereof

Номер патента: US20240319135A1. Автор: Narendra Kumar,Kenneth S. Burch,Michael GEIWITZ,Matthew CATALANO. Владелец: Boston College. Дата публикации: 2024-09-26.

Multi-composition gate dielectric field effect transistors

Номер патента: US20150228748A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Zhengwen Li,Emre Alptekin,Unoh Kwon,Reinaldo A. Vega,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Method of forming shallow trench

Номер патента: US6514817B1. Автор: Yung-Ching Wang,Nien-Yu Tsai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-02-04.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a cmos process flow

Номер патента: US20170084465A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Hui-Mei Shih. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a CMOS process flow

Номер патента: US09911613B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Hui-Mei Shih. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09685546B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Hisashi Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Field effect transistor structure and method of forming same

Номер патента: US20120292669A1. Автор: Yun Shi,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Panglijen Candra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Gate-all-around field effect transistor with bottom dielectric isolation

Номер патента: US12100746B2. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Veeraraghavan S. Basker,Julien Frougier,Maruf Amin Bhuiyan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods of forming diodes

Номер патента: US11916129B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US09899493B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods of forming uniform and pitch independent fin recess

Номер патента: US09875939B1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Henry K. Utomo,Reinaldo Vega,Melissa A. Smith,Benjamin Moser,Yue Ke,Sameer Jain. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Field effect transistor contacts

Номер патента: US09761496B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of Forming Patterns with Multiple Layers for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170125256A1. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Etch-resistant spacer formation on gate structure

Номер патента: US20180254331A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,Eric R. Miller,Ruilong Xie,Zhenxing Bi,Pietro Montanini,Ruqiang Bao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Schottky device and method of forming

Номер патента: WO2006007143A2. Автор: Amitava Bose,Vijay Parthasarathy,Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-01-19.

Integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US09978764B2. Автор: Simon Jeannot,Raul Andres Bianchi,Sebastien Lagrasta,Fausto Piazza. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-05-22.

Superconductor gate semiconductor field-effect transistor

Номер патента: WO2023099626A1. Автор: Bogdan Cezar Zota,Eunjung Cha. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-06-08.

Methods of manufacturing semiconductor devices using masks having varying widths

Номер патента: US9324832B1. Автор: Jong-Sung Jeon,Kang-Hyun Baek,Kwan-Jae Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220310396A1. Автор: Koichi Nishi,Kazuya Konishi,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Field effect transistor contacts

Номер патента: US20170033016A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Method for manufacturing semiconductor structure with mask structure

Номер патента: US20200051821A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Shih-Wen Liu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Methods Of Forming An Array Of Memory Cells, Methods Of Forming A Plurality Of Field Effect Transistors, Methods Of Forming Source/Drain Regions And Isolation Trenches, And Methods Of Forming A Series Of Spaced Trenches Into A Substrate

Номер патента: US20120021573A1. Автор: Ranjan Khurana,Neal L. Davis,Richard Housley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

Methods Of Forming An Array Of Memory Cells, Methods Of Forming A Plurality Of Field Effect Transistors, Methods Of Forming Source/Drain Regions And Isolation Trenches, And Methods Of Forming A Series Of Spaced Trenches Into A Substrate

Номер патента: US20130005115A1. Автор: Ranjan Khurana,Neal L. Davis,Richard Housley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Methods of forming an array of memory cells, methods of forming a plurality of field effect transistors, methods of forming source/drain regions and isolation trenches, and methods of forming a series of spaced trenches into a substrate

Номер патента: KR20120123600A. Автор: 닐 엘. 데이비스,리차드 티. 하우슬리,란잔 쿠라나. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2012-11-08.

Method for manufacturing gate structure with additional oxide layer

Номер патента: US11854789B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Cheng-Wei LIAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of forming rectangular shaped spacers

Номер патента: US6265273B1. Автор: Steven C. Avanzino,Bharath Rangarajan,Guarionex Morales,Stephen Keetai Park,Jeffrey A. Shields,Larry Yu Wang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20180240887A1. Автор: Matthias Koenig,Guenther Ruhl,Marco Kraus. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US20110057237A1. Автор: Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Hae Cheon Kim,Hokyun Ahn,Woojin CHANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-03-10.

Compound Semiconductor Substrate and Method of Forming a Compound Semiconductor Substrate

Номер патента: US20170365464A1. Автор: Simone Lavanga,Uttiya Chowdhury. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-21.

Multiple thickness gate dielectrics for replacement gate field effect transistors

Номер патента: US9368593B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Sean M. Polvino,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Diodes, and methods of forming diodes

Номер патента: EP2289104A2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-02.

Methods of Forming Diodes

Номер патента: US20210313445A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Multiple thickness gate dielectrics for replacement gate field effect transistors

Номер патента: US20160027893A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Sean M. Polvino,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Self-Aligned Stack Gate Structure For Use In A Non-volatile Memory Array And A Method Of Forming Such Structure

Номер патента: US20130234223A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12027591B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-02.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH PAIR(S) OF VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS, EACH PAIR HAVING A SHARED SOURCE/DRAIN REGION AND METHODS OF FORMING THE STRUCTURES

Номер патента: US20150243765A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

A method of forming a sharp tip on a floating gate in an asymmetrical non-volatile memory device using small in-situ doped polysilicon spacers

Номер патента: EP1391930B1. Автор: Randall Cher Liang Cha,Mei Sheng Zhou,Jia Zhen Zheng,Elgin Quek,Daniel Yen,Hoe Ang Chew,Hua Lim Eng. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Methods of Forming Diodes

Номер патента: US20160087071A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

METHODS OF SELECTIVELY GROWING SOURCE/DRAIN REGIONS OF FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20150206955A1. Автор: Jeong Seong Hoon,LEE Jeon Il,KIM Jinbum,Kim Seokhoon,Lee Choeun,LEE KWAN HEUM,PYO Yu-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

Methods of forming fin isolation regions under tensile-strained fins on finfet semiconductor devices

Номер патента: US20160225676A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Methods of forming patterns with multiple layers for semiconductor devices

Номер патента: US10014181B2. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150221767A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150243765A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-27.

Device and method of manufacture for a low noise junction field effect transistor

Номер патента: US20080061325A1. Автор: Dominik J. Schmidt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Device and method of manufacture for a low noise junction field effect transistor

Номер патента: WO2008034026A1. Автор: Dominik Schmidt. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2008-03-20.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: US20220344471A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-27.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-11-03.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: CA3156440A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-15.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468B2. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Field-effect transistor

Номер патента: US09698235B2. Автор: Hiroyuki Ota,Koichi Fukuda,Shinji Migita. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-04.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor having a consistent channel width

Номер патента: US09893169B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor having a consistent channel width

Номер патента: US09837405B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Omega Shaped Nanowire Tunnel Field Effect Transistors

Номер патента: US20120138900A1. Автор: Josephine B. Chang,Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Vertical field effect transistor and method of manufacturing a vertical field effect transistor

Номер патента: US11201241B2. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Xin Miao,Richard Glen Southwick, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-14.

Method for preparing self-aligned surface channel field effect transistor and power device

Номер патента: US20200373390A1. Автор: CUI Yu,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Chuangjie Zhou,Zezhao HE,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2020-11-26.

Method of forming a field effect transistor and methods of forming integrated circuitry

Номер патента: US6939799B2. Автор: Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US20140103444A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Want. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321688A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for fabricating vertical dual gate field effect transistor

Номер патента: EP1430536B1. Автор: Mark C. Hakey,Toshiharu Furukawa,David V. Horak,Paul A. Rabidoux,James M. Leas,William H. L. Ma,Steven J. c/o IBM United Kingdom Limited HOLMES. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-08-05.

Semiconductor device including a contact structure directly adjoining a mesa section and a field electrode

Номер патента: US09847395B2. Автор: Elisabeth Schwarz,David Laforet,Beate Weissnicht. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-19.

Integrated circuits having strained channel field effect transistors and methods of making

Номер патента: US20070099360A1. Автор: Haining Yang,Yong Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Method of forming a non-volatile electron storage memory and the resulting device

Номер патента: US7005697B2. Автор: Gurtej Sandhu,Shubneesh Batra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-02-28.

Field-effect transistor including transparent oxide and light-shielding member, and display utilizing the transistor

Номер патента: US20240266442A1. Автор: Katsumi Abe,Masafumi Sano,Hideya Kumomi,Ryo Hayashi,Kojiro Nishi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Field-effect transistor including transparent oxide and light-shielding member, and display utilizing the transistor

Номер патента: US20230307546A1. Автор: Katsumi Abe,Masafumi Sano,Hideya Kumomi,Ryo Hayashi,Kojiro Nishi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of forming multiple-vt fets for cmos circuit applications

Номер патента: US20200194569A1. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Method of forming multiple-vt fets for cmos circuit applications

Номер патента: US20230361194A1. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of forming multiple-Vt FETS for CMOS circuit applications

Номер патента: US11749739B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Vertical dual gate field effect transistor

Номер патента: EP1430536A4. Автор: Toshiharu Furukawa,James M Leas,Mark C Hakey,Steven J Holmes,David V Horak,Paul A Rabidoux,William H L Ma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-04-26.

Vertical dual gate field effect transistor

Номер патента: EP1430536A2. Автор: Mark C. Hakey,Toshiharu Furukawa,Steven J. Holmes,David V. Horak,Paul A. Rabidoux,James M. Leas,William H. L. Ma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-06-23.

Method of forming strain-causing layer for mos transistors and process for fabricating strained mos transistors

Номер патента: US20090111272A1. Автор: Pei-Lin Kuo,Huo-Tieh Lu,Jin-Sheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Vertical field effect transistor with diffused protection diode

Номер патента: US5313088A. Автор: Nobumitsu Takahashi,Mitsuasa Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-05-17.

Omega shaped nanowire tunnel field effect transistors

Номер патента: US8507892B2. Автор: Josephine B. Chang,Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-13.

Method of forming ferroelectric memory device

Номер патента: US20230363173A1. Автор: Tsann Lin,Chung-Te Lin,Han-Ting Tsai,Kuo-Chang Chiang,Min-Kun Dai,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240113166A1. Автор: Shun-Hui YANG,Chun-Liang Lai,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,Yun-Chen Wu,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Metal oxide semiconductor field effect transistor having a relatively high doped region in the channel for improved linearity

Номер патента: US20020125509A1. Автор: Larry M. Tichauer. Владелец: Ophir RF Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Method for forming semiconductor device structure with nanowires

Номер патента: US11862732B2. Автор: Cheng-Hsien Wu,Stefan Rusu,Wilman Tsai,I-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for operation of a field effect transistor arrangement

Номер патента: US20180076323A1. Автор: Udo Schwalke,Frank WESSELY,Tillmann Krauss. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DARMSTADT. Дата публикации: 2018-03-15.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09960234B2. Автор: Kirk HUANG,Chun-Li Liu,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor Device Including a Contact Structure Directly Adjoining a Mesa Section and a Field Electrode

Номер патента: US20170005171A1. Автор: Elisabeth Schwarz,David Laforet,Beate Weissnicht. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-05.

Methods of Forming Dielectric Material-Containing Structures

Номер патента: US20120220098A1. Автор: Dave Peterson,Cunyu Yang,Vishwanath Bhat,Noel Rocklein,Chris M. Carlson,Praveen Vaidyanathan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-30.

Capacitors, dielectric structures, and methods of forming dielectric structures

Номер патента: WO2010044965A1. Автор: Dave Peterson,Cunyu Yang,Vishwanath Bhat,Noel Rocklein,Chris M. Carlson,Praveen Vaidyanathan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-04-22.

Methods of forming semiconductor devices having stressed active regions therein

Номер патента: US11784254B2. Автор: Hoon-Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor devices having stressed active regions therein and methods of forming same

Номер патента: US20190393348A1. Автор: Hoon-Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170053992A1. Автор: Masakazu Okada,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor device containing tubular liner spacer for lateral confinement of self-aligned silicide portions and methods of forming the same

Номер патента: WO2021177991A1. Автор: Fumitaka Amano,Yosuke Kita. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-10.

Stacked field effect transistor with wrap-around contacts

Номер патента: US11869893B2. Автор: Dechao Guo,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

DRAM Arrays, Vertical Transistor Structures, and Methods of Forming Transistor Structures and DRAM Arrays

Номер патента: US20110018045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Manufacturing method of thin film transistor substrate

Номер патента: US20170005119A1. Автор: Nuree UM,Minjung KANG,Daeyoun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20120156855A1. Автор: Jae-Hwang Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-21.

Hybrid orientation fin field effect transistor and planar field effect transistor

Номер патента: WO2014058552A1. Автор: Shom Ponoth,Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Balasubramanian S. Haran. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-17.

Back-to-back power field-effect transistors with associated current sensors

Номер патента: EP3909076A1. Автор: Indumini Ranmuthu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Back-to-back power field-effect transistors with associated current sensors

Номер патента: WO2020146624A1. Автор: Indumini Ranmuthu. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-07-16.

Display device and method of sensing element characteristics thereof

Номер патента: US20180151099A1. Автор: Namyong Gong,Sohee Choi,Sungsoo SHIN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Display device including a first capacitor electrode and a second capacitor electrode

Номер патента: US10325971B2. Автор: Hee June KWAK,Cheol Yun JEONG,Ju Ae Youn. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-18.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20220037483A1. Автор: Aaron Michael Lowe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device comprising a lateral super junction field effect transistor

Номер патента: US20230411447A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for forming a trench dram cell with asymmetric strap using ion bombardment and corresponding dram structure

Номер патента: WO2009092657A1. Автор: Kangguo Cheng,Xi Li,Richard Stephen Wise. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2009-07-30.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: WO2007092653A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Da Zhang. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-08-16.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413632A1. Автор: Hyun Kim,Kwang Soo LEE,Seung Ha CHOI,Dong Hyun WON,Ye Eun KANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods of selectively growing source/drain regions of fin field effect transistor and method of manufacturing semiconductor device including a fin field effect transistor

Номер патента: US9252244B2. Автор: Seokhoon Kim,Jinbum Kim,Jeon Il LEE,Seong Hoon JEONG,Kwan Heum Lee,Choeun LEE,Yu-Jin PYO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-02.

Method of producing low threshold complementary insulated gate field effect devices

Номер патента: US3759763A. Автор: R Wang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1973-09-18.

NAND memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US10361215B2. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

NAND memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US10566341B2. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

NAND memory cell string having a stacked select gate structure and process for forming same

Номер патента: US11069699B2. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Nand memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US20210082927A1. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Nand memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US20180366473A1. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Nand memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US20200168618A1. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Nand memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US20190326303A1. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Methods of forming an array of flash field effect transistors and circuitry peripheral to such array

Номер патента: US20030235963A1. Автор: Mark Helm,Roger Lindsay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Method of forming high stability self-registered field effect transistors

Номер патента: US3614829A. Автор: James F Burgess,Constantine A Neugebauer,Reuben E Joynson. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1971-10-26.

Microelectronic package and method of manufacturing same

Номер патента: US20110318850A1. Автор: John S. Guzek,Hamid R. Azimi,Mahadevan Suryakumar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Microelectronic package and method of manufacturing same

Номер патента: WO2011056306A2. Автор: John S. Guzek,Hamid R. Azimi,Mahadevan Survakumar. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2011-05-12.

Method of forming self aligned extended base contact for a bipolar transistor having reduced cell size

Номер патента: US5227316A. Автор: Madhukar Vora,Greg Burton,Ashok Kapoor. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-07-13.

Maskless exposure method, maskless exposure apparatus and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20190146347A1. Автор: Sang-hyun Park,Sang-min Lee,Won-Don JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Display device comprising a metal wiring between an organic insulating film and a first inorganic insulating film and having a portion overlapping a drain electrode of a thin film transistor

Номер патента: US11789327B2. Автор: Takahiro Ochiai,Tohru Sasaki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Corp of America. Дата публикации: 2023-10-17.

Optoelectronic detectors having a dilute nitride layer on a substrate with a lattice parameter nearly matching GaAs

Номер патента: US09768339B2. Автор: Howard Williams,Rodney Pelzel,Robert Yanka,Seokjae Chung,Kalyan Nunna. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2017-09-19.

Optoelectronic detectors having a dilute nitride layer on a substrate with a lattice parameter nearly matching gaas

Номер патента: EP3311420A1. Автор: Howard Williams,Rodney Pelzel,Robert Yanka,Seokjae Chung,Kalyan Nunna. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2018-04-25.

Method of post mold curing plastic encapsulated semiconductor chips mounted on lead frames by operating a post mold curing apparatus in association with a molding line system

Номер патента: US5830403A. Автор: Richard H. J. Fierkens. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-11-03.

Semiconductor IC device having a memory and a logic circuit implemented with a single chip

Номер патента: US6097663A. Автор: Hitoshi Tanaka,Takao Watanabe,Kazumasa Yanagisawa,Ryo Fujita,Kazushige Ayukawa. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 2000-08-01.

3d and flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230225126A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Guan-Ru Lee,Chia-Jung Chiu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Controlling threshold voltage in carbon based field effect transistors

Номер патента: US20130175633A1. Автор: Dechao Guo,Shu-Jen Han,Martin M. Frank,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220223713A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210134975A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Field-effect transistors with independently-tuned threshold voltages

Номер патента: US20210091202A1. Автор: Xiaoli He,Bingwu Liu,Tao Chu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040229432A1. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7041558B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US12100706B2. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US9478653B2. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with a memory device and a high-K metal gate transistor

Номер патента: US9754951B2. Автор: Ralf Richter,Sven Beyer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: EP3692576A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: WO2019070383A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-11.

Transistor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20060211195A1. Автор: Hongfa Luan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-09-21.

Transistor Device and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20110284970A1. Автор: Hongfa Luan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-11-24.

Transistor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: WO2006100186A1. Автор: Hongfa Luan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-09-28.

Field-effect transistor stack voltage compensation

Номер патента: US09721936B2. Автор: David Scott Whitefield,Yu Zhu,Guillaume Alexandre Blin,Ambarish Roy. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Intra-metal capacitor and method of forming the same

Номер патента: US20180269201A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Shu-Hung Yu,Wen-Kai Lin,Hsin-Hsien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240038762A1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Tzu-Ying LIN,Hui-Zhong ZHUANG,Jung-Chan YANG,Jia-Hong Gao,Johnny Chiahoa Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of fabricating row lines of a field emission array and forming pixel openings therethrough by employing two masks

Номер патента: US20020006761A1. Автор: Ammar Derraa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Method of fabricating row lines of a field emission array and forming pixel openings therethrough by employing two masks

Номер патента: US20030092346A1. Автор: Ammar Derraa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Method of fabricating row lines of a field emission array and forming pixel openings therethrough by employing two masks

Номер патента: US20020121850A1. Автор: Ammar Derraa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of producing a coil device, coil device, measuring transducer with coil device, instrument having a measuring transducer

Номер патента: US12009143B2. Автор: Marc Werner,Benjamin Schwenter,Claude Hollinger. Владелец: Endress and Hauser Flowtec AG. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of producing a coil device, coil device, measuring transducer with coil device, instrument having a measuring transducer

Номер патента: US20210313108A1. Автор: Marc Werner,Benjamin Schwenter,Claude Hollinger. Владелец: Endress and Hauser Flowtec AG. Дата публикации: 2021-10-07.

Electrical enclosure having a dual bus bar and a component with a dual bus bar connector

Номер патента: US20150263500A1. Автор: Ravi Kumar,David Michael Shamine,Suresh Kasi Venkata Redditha,II Gerald Newman Stevens. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-09-17.

Connector mountable on a circuit board and having a coupling portion coupling an enclosing portion with a housing

Номер патента: US09692167B2. Автор: Takayuki Nishimura,Katsumi Arai,Toshiro Kobuchi,Hiroaki Obikane. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20200075875A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20240284688A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20220367824A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US12010856B2. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20200358015A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Self-adjusting gate bias network for field effect transistors

Номер патента: WO2010029186A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,M. Ibrahim Khalil. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2010-03-18.

Method of making a CMOS transistor using liquid phase deposition

Номер патента: US5824578A. Автор: Ching-Nan Yang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1998-10-20.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US09905463B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Conformal organic field-effect transistor, transistor array, and preparation method thereof

Номер патента: US11411190B2. Автор: Xiaoli Zhao,Yi Chun Liu,Qing xin TANG,Yan hong TONG. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2022-08-09.

Conformal organic field-effect transistor, transistor array, and preparation method thereof

Номер патента: US20210210704A1. Автор: Xiaoli Zhao,Yi Chun Liu,Qing xin TANG,Yan hong TONG. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2021-07-08.

Method of manufacturing array substrate for use in liquid crystal display device

Номер патента: US20020187574A1. Автор: Kyo-Ho Moon,Hu-Sung Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-12.

Isolation layer structure, method of forming the same and method of manufacturing a semiconductor device including the same

Номер патента: US20110298036A1. Автор: Min Kim,Seung-Bae Park,Ju-Wan Kim,Kyu-Tae Na,Dae-Young Kwak,Il-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-08.

Isolation layer structure, method of forming the same and method of manufacturing a semiconductor device including the same

Номер патента: US8237240B2. Автор: Min Kim,Seung-Bae Park,Ju-Wan Kim,Kyu-Tae Na,Dae-Young Kwak,Il-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-07.

Method of forming isolation layer structure and method of manufacturing a semiconductor device including the same

Номер патента: US8017495B2. Автор: Min Kim,Seung-Bae Park,Ju-Wan Kim,Kyu-Tae Na,Dae-Young Kwak,Il-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-13.

Fabricating method of transistors without dishing occurred during cmp process

Номер патента: US20220084878A1. Автор: Fu-Shou Tsai,Kun-Ju Li,Yu-Lung Shih,Yang-Ju Lu,yong-yi Lin,Ching-Yang Chuang,Ji-Min LIN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of joining electrical and mechanical components using laminated modular preforms

Номер патента: WO2023138902A8. Автор: Bawa Singh,Oscar Khaselev,Matthew SIEBENHUHNER,Maurizio FENECH,Andres SOCARRAS. Владелец: Setna, Rohan, P.. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing semiconductor device and method of forming pattern

Номер патента: US20230307287A1. Автор: Toshiaki Komukai,Motofumi Komori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of forming a semiconductor device including strain reduced structure

Номер патента: US09997480B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Yu-feng Chen,Tsung-Ding Wang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods of forming staircase structures

Номер патента: US20190206726A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Kaveri Jain,Robert Dembi,Lance Williamson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Method of forming contact holes

Номер патента: US8883630B2. Автор: Yong Jae Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09972678B2. Автор: Chia-Lin Wang,Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ping-Hung Chiang,Chang-Po Hsiung,Shih-Chieh Pu,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of producing epitaxial wafer and the epitaxial wafer having a highly flat rear surface

Номер патента: US09685315B2. Автор: Sumihisa Masuda,Kazuhiro Narahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Field effect transistor with contact via structures that are laterally spaced by a sub-lithographic distance and method of making the same

Номер патента: US20240063062A1. Автор: Mitsuhiro Togo,Takahito Fujita,Kazutaka Yoshizawa,Hokuto Kodate,Kouta ONOGI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of manufacturing heat sink and heat sink

Номер патента: US20210138592A1. Автор: Keiichi Takahashi,Kazuto Arai. Владелец: Nakamura Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor package and methods of forming the same

Номер патента: US20200135567A1. Автор: Chen-Hua Yu,Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Wei-Chih Chen,Meng-Che Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor package and methods of forming the same

Номер патента: US20210296270A1. Автор: Chen-Hua Yu,Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Wei-Chih Chen,Meng-Che Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Metal-insulator-metal capacitor and methods of fabrication

Номер патента: US09818689B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US09893239B2. Автор: Takaaki Tada,Takayoshi Wakaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Selective recessing to form a fully aligned via

Номер патента: US20180315654A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Elbert E. Huang,Theodorus E. Standaert,Jessica Dechene,Joe Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Selective recessing to form a fully aligned via

Номер патента: US20240347383A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Elbert Huang,Jessica Dechene,Joe Lee,Thedonus E. Standaert. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240313066A1. Автор: Chan Hwang,Soo Kyung Kim,Jonghyun JUNG,Moosong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040152339A1. Автор: Masayuki Imai,Yoshihide Tada,Tsukasa Yonekawa,Shin Yokoyama,Genji Nakamura,Anri Nakajima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-08-05.

Method of forming a MOS transistor in a semiconductor device and a MOS transistor fabricated thereby

Номер патента: US20020195666A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-26.

Carbon nanotube field-effect transistor with sidewall-protected metal contacts

Номер патента: US09972800B2. Автор: Shu-Jen Han,Jianshi Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of forming contact and semiconductor device manufactured by using the method

Номер патента: US20130277848A1. Автор: Ki Jun Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Methods of forming an apparatus, and related apparatuses, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20200194438A1. Автор: Yu Jen Lin,Oscar O. Enomoto,Chia Wei Tsai,Chin Chuan Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

High density multi-time programmable resistive memory devices and method of forming thereof

Номер патента: US09768231B2. Автор: Eng Huat Toh,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods of forming a capacitor, semiconductor device, and fine pattern, and semiconductor device formed by the methods

Номер патента: US20200312853A1. Автор: Jinwoo Bae,Sejin Park,Yoonyoung CHOI,Sungsoo YIM,Seongmo KOO,Byeongmoo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of fabricating a structure with an oxide layer of a desired thickness on a Ge or SiGe substrate

Номер патента: US20060270244A1. Автор: Nicolas Daval,Yves-Mathieu Le Vaillant. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12094804B2. Автор: Zhan Ying,Jie Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Four CPP wide memory cell with buried power grid, and method of fabricating same

Номер патента: US12137548B2. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien,Wei-Chang Zhao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method of manufacturing an organic light emitting display device

Номер патента: US09881981B2. Автор: Chun-Gi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated circuit switching device, structure and method of manufacture

Номер патента: WO2008134225A2. Автор: Madhu P. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-06.

Carbon nanotube field-effect transistor with sidewall-protected metal contacts

Номер патента: US20170125711A1. Автор: Shu-Jen Han,Jianshi Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20220059497A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of manufacturing solid-state image sensor, solid-state image sensor, and camera

Номер патента: US20160293657A1. Автор: Yasuhiro Kawabata,Kei Aoki,Masaki Kurihara,Takayuki Sumida,Naoki Inatani,Masao Ishioka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, substrate processing apparatus and computer-readable recording medium

Номер патента: US20160305017A1. Автор: Tsuyoshi Takeda,Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of fabricating image sensor and image sensor thereof

Номер патента: US20110186950A1. Автор: Fang-Ming Huang,Shao-Min Hung,Han-Kang Liu,Bo-Nan Chen. Владелец: Himax Imaging Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Method of forming solder bumps

Номер патента: US10840202B2. Автор: Hiroyuki Mori,Eiji Nakamura,Takashi Hisada,Toyohiro Aoki,Yasumitsu Orii. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Unit pixel of image sensor, image sensor including the same and method of manufacturing image sensor

Номер патента: US09929204B2. Автор: Yong-Chan Kim,Moo-Sup Lim,Eun-sub SHIM,Seung-sik KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of manufacturing solid-state image sensor, solid-state image sensor, and camera

Номер патента: US09893110B2. Автор: Yasuhiro Kawabata,Kei Aoki,Masaki Kurihara,Takayuki Sumida,Naoki Inatani,Masao Ishioka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, substrate processing apparatus and computer-readable recording medium

Номер патента: US09745656B2. Автор: Tsuyoshi Takeda,Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-08-29.

Fabrication methods of transparent conductive electrode and array substrate

Номер патента: US09659975B2. Автор: Chunsheng Jiang,Meili Wang,Fengjuan LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Wrap around cross-couple contact structure with enhanced gate contact size

Номер патента: US20230018698A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US20180082895A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US10229852B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-12.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US20180090375A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US10699951B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: Elpis Technologies Inc. Дата публикации: 2020-06-30.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US20170170068A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Wrap around cross-couple contact structure with enhanced gate contact size

Номер патента: US11784125B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Apparatus for and method of manufacturing a semiconductor die carrier

Номер патента: WO2000025350A9. Автор: Lakshminarasimha Krishnapura,Stanford W Crane Jr,Daniel Larcomb. Владелец: Silicon Bandwidth Inc. Дата публикации: 2000-09-21.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: EP1929531A2. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Edward Sargent,Larissa Levina,Ian Howard,Jason Clifford,Ethan J. D. Klem. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-11.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: WO2007102051A3. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Edward Sargent,Larissa Levina,Ian Howard,Jason Clifford,Ethan J D Klem. Владелец: Ethan J D Klem. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor Device and Method of Forming Vertically Offset Bond on Trace Interconnect Structure on Leadframe

Номер патента: US20130154067A1. Автор: Reza A. Pagaila,HunTeak Lee,KiYoun Jang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of manufacturing light-emitting element

Номер патента: US10497686B2. Автор: Yuta OKA,Nami ABE. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-12-03.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332011A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-03.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4439630A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding apparatus

Номер патента: EP3832702A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-09.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240332034A1. Автор: Shenggao Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Electronic structure, manufacturing method of electronic structure, and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240332454A1. Автор: Takuma Ishikawa,Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Yutaka Kitajima,Hiroto Kawada,Hironori Furuta,Yusuke Nakai. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device

Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Forming method of superposition checking mark, manufacturing method of a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09881874B2. Автор: Kenichi Yasuda,Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of forming a buffer layer in a solar cell, and a solar cell formed by the method

Номер патента: US09825197B2. Автор: Shih-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09768064B1. Автор: Chun-Wei Hsu,Chi-Jen Liu,Yi-Sheng Lin,Liang-Guang Chen,Cheng-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods Of Forming An Array Of Memory Cells, Methods Of Forming A Plurality Of Field Effect Transistors, Methods Of Forming Source/Drain Regions And Isolation Trenches, And Methods Of Forming A Series Of Spaced Trenches Into A Substrate

Номер патента: US20140045317A1. Автор: Davis Neal L.,Khurana Ranjan,Housley Richard T.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-02-13.

Electro-static discharge protection device having a modulated control input terminal

Номер патента: US6078487A. Автор: Hamid Partovi,Kaizad R. Mistry,David B. Krakauer,William A. McGee. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Method of fabricating semiconductor device including a recessed channel

Номер патента: US20120231605A1. Автор: Ki-Hong Kim,Young-Pil Kim,Hyung-ik Lee,In-Sun Jung,Jung-yun Won,Woo-sung Jeon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor device with self-aligning landing pad and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200373305A1. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Method of fabricating semiconductor device including a recessed channel

Номер патента: US8835257B2. Автор: Ki-Hong Kim,Young-Pil Kim,Hyung-ik Lee,In-Sun Jung,Jung-yun Won,Woo-sung Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-16.

Method of forming isolation layer structure and method of manufacturing a semiconductor device including the same

Номер патента: US20110117721A1. Автор: Min Kim,Seung-Bae Park,Ju-Wan Kim,Kyu-Tae Na,Dae-Young Kwak,Il-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-19.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230403895A1. Автор: Seungsoo Ryu,Youngok Park,Heeju WOO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11764062B2. Автор: Fu-Cheng Chang,Ping-Hao LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Package structure and method of forming the same

Номер патента: US20240266336A1. Автор: Hsin-Chieh Huang,Hsi-Kuei Cheng,Chih-Kang Han,Ching Fu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US20180305817A1. Автор: Kosuke Takagi,Ryota Sasajima,Shintaro Kogura. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-10-25.

Chip-on-wafer package and method of forming same

Номер патента: US09806055B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of fabricating semiconductor image sensor device having back side illuminated image sensors with embedded color filters

Номер патента: US09786716B2. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09691606B2. Автор: Katsuyoshi Harada,Yoshiro Hirose,Yoshinobu Nakamura,Yoshitomo Hashimoto,Ryota Sasajima. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of joining electrical and mechanical components using laminated modular preforms

Номер патента: WO2023138902A3. Автор: Bawa Singh,Oscar Khaselev,Rohan P. Setna,Matthew SIEBENHUHNER,Maurizio FENECH,Andres SOCARRAS. Владелец: ALPHA ASSEMBLY SOLUTIONS INC.. Дата публикации: 2023-11-02.

Chemical liquid, manufacturing method of modified substrate, and manufacturing method of laminate

Номер патента: US20240368753A1. Автор: Atsushi Mizutani,Akihiro HAKAMATA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of manufacturing solar cell

Номер патента: US09887314B2. Автор: Hyungjin Kwon,Youngsung Yang,Junghoon Choi,Chungyi Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Method for forming a complementary bipolar transistor structure including a self-aligned vertical PNP transistor

Номер патента: US4997775A. Автор: Chang-Ming Hsieh,Mario M. Pelella,Robert K. Cook,Kiyosi Isihara. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-03-05.

Microelectronic device fabricating method, method of forming a pair of conductive device components of different base widths from a common deposited conductive layer, and integrated circuitry

Номер патента: US6894368B2. Автор: Alan R. Reinberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Method of forming contact holes

Номер патента: US5320932A. Автор: Hiroshi Haraguchi,Yasuhisa Yoshida,Hitoshi Tsuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-06-14.

Structure and method of forming vias

Номер патента: US5847457A. Автор: Girish A. Dixit,Fu-Tai Liou,Fusen E. Chen. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 1998-12-08.

Method of adjusting signal to noise ratio of SRAM and invertor structure

Номер патента: US10276446B1. Автор: Cheng-Hsiung Chen,Wei-Chi Lee,Chang-Hung CHEN,Po-Yu YANG,Han-Tsun Wang,Mei-Ying Fan,Mu-Kai Tsai,Guan-Shyan Lin,Tsz-Hui Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-04-30.

Semiconductor device structure with protected bump and method of forming the same

Номер патента: US20210159197A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Chang-Jung Hsueh,Kuan-Liang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Organic light emitting diode display and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20210233985A1. Автор: JIA Tang,Jangsoon IM. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Method of forming a semiconductor device including strain reduced structure

Номер патента: US20180047686A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Yu-feng Chen,Tsung-Ding Wang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Display device including capping pattern and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237472A1. Автор: Yong-Hwan Park,Miyoung Kim,Jongseok Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Electronic device including a capacitor and a process of forming the same

Номер патента: US20090020849A1. Автор: Bradley P. Smith,Edward O. Travis. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-01-22.

Protective layer for contact pads in fan-out interconnect structure and method of forming same

Номер патента: US09941244B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Chin-Chuan Chang,Tsei-Chung Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of making N-type thin film transistor

Номер патента: US09843006B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Guan-Hong Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of forming an integrated circuit and related integrated circuit

Номер патента: US10324256B2. Автор: LI ZHANG,Bing Wang,Eng Kian Kenneth LEE,Siau Ben CHIAH,Wenjia Zhang,Zhaomin Zhu,Jurgen Michel,Soo-Jin Chua,Li-Shiuan Peh. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2019-06-18.

Method of making a semiconductor memory circuit device

Номер патента: US5389558A. Автор: Yoshiyuki Kaneko,Kozo Watanabe,Masaki Nagao,Hiroyuki Miyazawa,Kazuya Endo,Hiroyuki Uchiyama,Naokatsu Suwanai,Atushi Ogishima,Kyoichiro Asayama,Takashi Yoneoka,Hiroki Soeda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-02-14.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10796976B2. Автор: Szu-Wei Lu,Chin-Fu Kao,Li-Hui Cheng,Chih-Chien Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor package and methods of forming the same

Номер патента: US11837502B2. Автор: Chen-Hua Yu,Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Wei-Chih Chen,Meng-Che Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Display substrate, method of forming the same and display device

Номер патента: US20210074788A1. Автор: Yang Zhou,Bo Cheng,Shun Zhang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Method of forming doughnut-shaped skyrmion

Номер патента: US10937949B1. Автор: Kyoung-Woong Moon,Chan Yong Hwang. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2021-03-02.

Method of forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230361165A1. Автор: Liuyang ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11901255B2. Автор: Szu-Wei Lu,Chin-Fu Kao,Li-Hui Cheng,Chih-Chien Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor Package and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230377975A1. Автор: Chen-Hua Yu,Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Wei-Chih Chen,Meng-Che Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230420293A1. Автор: Ying Song,Zhaopei CUI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of forming doughnut-shaped skyrmion

Номер патента: US20210050509A1. Автор: Kyoung-Woong Moon,Chan Yong Hwang. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2021-02-18.

Methods of forming staircase structures and related staircase structures and semiconductor device structures

Номер патента: EP3732706A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Kaveri Jain,Robert Dembi,Lance Williamson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Methods of forming staircase structures

Номер патента: US10600681B2. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Kaveri Jain,Robert Dembi,Lance Williamson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-24.

Methods of forming staircase structures and related staircase structures and semiconductor device structures

Номер патента: WO2019133289A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Kaveri Jain,Robert Dembi,Lance Williamson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor Devices, Multi-Die Packages, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170256487A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor Devices, Multi-Die Packages, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160155730A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US12100617B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Tsung-Wen Chen,Chao-Wei Lin,Janbo Zhang,Chia-Yi Chu,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor devices, multi-die packages, and methods of manufacure thereof

Номер патента: US09984969B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor devices, multi-die packages, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09659863B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacture of a multi-site high-speed silicon pin-photosensitive element

Номер патента: RU2654961C1. Автор: Андрей Константинович Будтолаев,Павел Евгеньевич Хакуашев,Галина Владимировна Либерова,Андрей Викторович Рыбаков,Владимир Евгеньевич Степанюк. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2018-05-23.

SOI device and method of fabrication

Номер патента: US20020063285A1. Автор: De-Yuan Wu,Chih-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Nonvolatile ferroelectric memory without a separate cell plate line and method of manufacturing the same

Номер патента: US6118687A. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-12.

Image sensor, camera system comprising the image sensor and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20050230681A1. Автор: Willem Hoekstra,Joris Maas,Hein Folkerts,Daniel Wilhelmus Verbugt,Natalia Lokianova,Daniel Hermes,Adrianus Mierop. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-10-20.

Method of forming structured-open-network polishing pads

Номер патента: US9108291B2. Автор: Hamed Lakrout. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2015-08-18.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US11955370B2. Автор: Yung-Cheng Lu,Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Bo-Cyuan Lu,Sung-En Lin,Chunyao Wang,Chieh-Ping WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190189636A1. Автор: Seola GANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Selective recessing to form a fully aligned via

Номер патента: US11837501B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Theodorus E. Standaert,Elbert Huang,Jessica Dechene,Joe Lee. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11437232B2. Автор: Atsushi Takahashi,Takaya Ishino,Kazunori Zaima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-06.

Thin film transistor array panel and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090278128A1. Автор: Seok-Je Seong,Hyung-Don Na,Yoon-Seok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10580802B2. Автор: Seola GANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-03.

Selective recessing to form a fully aligned via

Номер патента: US20210082758A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Elbert E. Huang,Theodorus E. Standaert,Jessica Dechene,Joe Lee. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190189423A1. Автор: Atsushi Takahashi,Takaya Ishino,Kazunori Zaima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Selective recessing to form a fully aligned via

Номер патента: US10832952B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Elbert E. Huang,Theodorus E. Standaert,Jessica Dechene,Joe Lee. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-11-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180130935A1. Автор: Masatsugu Ichikawa,Yuta OKA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Pattern forming method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11024510B2. Автор: Tsubasa IMAMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Integrated circuit, memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230071284A1. Автор: Chih-Wei Hung,Kuo-Pin Chang,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Method of manufacturing organic light emitting display device having cathode electrode connected with an auxiliary electrode via a gap space between the first and second banks

Номер патента: US20180204894A1. Автор: Jin-Hee Jang,Sejune Kim,SoJung LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Package lid including a multi-layer structure for heat dissipation and methods of forming the same

Номер патента: US20240290683A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wen-Yi Lin,Kuo-Chio Liu,Chien-Chen Li,Kuang-Chun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of extracting properties of a layer on a wafer

Номер патента: US20240234216A9. Автор: Jaeho Kim,Namil Koo,Suhwan PARK,Ingi KIM,Junbum Park,Sunhong JUN,Inkeun BAEK,Ikseon Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of extracting properties of a layer on a wafer

Номер патента: US20240136232A1. Автор: Jaeho Kim,Namil Koo,Suhwan PARK,Ingi KIM,Junbum Park,Sunhong JUN,Inkeun BAEK,Ikseon Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Methods of plasma processing using a pulsed electron beam

Номер патента: WO2021141651A1. Автор: Alok Ranjan,Peter Ventzek. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor structure and method of manufacturing same

Номер патента: US12074126B2. Автор: QIAN Xu,Liang Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Image capturing device and method of controlling image capturing device

Номер патента: RU2609540C2. Автор: Кадзунари КИТАНИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2017-02-02.

Method of point-like silicate thread crystals growing

Номер патента: RU2653026C1. Автор: Алевтина Сергеевна Самофалова,Валерий Александрович Небольсин,Александр Игоревич Дунаев,Александр Федорович Татаренков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-04.

Forming a semiconductor device using a protective layer

Номер патента: WO2021257301A1. Автор: Shihsheng Chang,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-12-23.

Input/output interface cell, semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: EP4391056A1. Автор: Hayoung Kim,Kibum Kim,Yongeun CHO,Hyunjeong ROH,Seonkyeong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Liquid Crystal Display Unit Structure Including a Patterned Etch Stop Layer Above a First Data Line Segment

Номер патента: US20120218489A1. Автор: Hsiang-Lin Lin,Liu-Chung Lee,Kuo-Yu Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor apparatus including uncrowned and crowned cells and method of making

Номер патента: US20200050733A1. Автор: Wen-Hao Chen,Meng-Kai Hsu,Yuan-Te Hou,Lee-Chung Lu,Prasenjit Ray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4016590A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana,Michele DERAI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Devices and methods related to switch linearization by compensation of a field-effect transistor

Номер патента: US11855361B2. Автор: Nuttapong Srirattana,Zhiyang Liu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Methods of forming carbon-silicon composite material on a current collector

Номер патента: WO2020247526A1. Автор: Benjamin Yong Park,Rahul R. Kamath,Fred Bonhomme. Владелец: ENEVATE CORPORATION. Дата публикации: 2020-12-10.

Methods of forming carbon-silicon composite material on a current collector

Номер патента: WO2020247526A8. Автор: Benjamin Yong Park,Rahul R. Kamath,Fred Bonhomme. Владелец: ENEVATE CORPORATION. Дата публикации: 2021-09-23.

Methods of forming lithium-silicon alloys for electrochemical cells

Номер патента: US12074313B2. Автор: Xiaosong Huang,Zhongyi Liu. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Nanofiber electrode and method of forming same

Номер патента: US09905870B2. Автор: Peter N. Pintauro,Wenjing Zhang. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-27.

Field emission cathode device and method of forming a field emission cathode device

Номер патента: WO2022070093A1. Автор: Jian Zhang. Владелец: Ncx Corporation. Дата публикации: 2022-04-07.

Field emission cathode device and method of forming a field emission cathode device

Номер патента: US20240079196A1. Автор: Jian Zhang. Владелец: NCX Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Field emission cathode device and method of forming a field emission cathode device

Номер патента: US11967479B2. Автор: Jian Zhang. Владелец: NCX Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of forming an energy storage

Номер патента: US20200052339A1. Автор: Maik Vieluf,Markus PIWKO. Владелец: Von Ardenne Asset GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-02-13.

Inspection tool and method of determining a distortion of an inspection tool

Номер патента: US11728129B2. Автор: Peter Christianus Johannes Maria DE LOIJER. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-08-15.

Deep-eutectic-solvent-based (des) electrolytes for cathode/solid electrolyte interfaces in solid-state batteries and methods of making the same

Номер патента: US20240097196A1. Автор: Michael Edward Badding,Zhen Song,Tongping XIU,Jianmeng Su. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of manufacturing a planar electrode with large surface area

Номер патента: US20110019337A1. Автор: Gary Yama,Po-Jui Chen,Matthias Illing,Matthieu Liger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2011-01-27.

Method of making field emitter

Номер патента: US20150364287A1. Автор: Yang Wei,Shou-Shan Fan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Method of manufacturing member pattern, method of manufacturing wiring structure, method of manufacturing electron source, and method of manufacturing image display device

Номер патента: US20040018449A1. Автор: Shuji Yamada,Takahiro Hachisu,Tadayasu Meguro. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-29.

Methods of forming features

Номер патента: US20180114674A1. Автор: Sriram Viswanathan,Sridhar Dubbaka,Christina Hutchinson. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-26.

Methods of forming a fiber coupling device and fiber coupling device

Номер патента: US09971108B2. Автор: Michael De Jong,Eric Stephan TEN HAVE,Andreas Matiss,Martin Spreemann. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of forming features

Номер патента: US09767989B2. Автор: Sriram Viswanathan,Sridhar Dubbaka,Christina Hutchinson. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods of forming arrays of fuel cells on a composite surface

Номер патента: US09705138B2. Автор: Jeremy Schrooten,Paul Sobejko,Erin Cooney. Владелец: Intelligent Energy Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory cell, memory device, and methods of forming the same

Номер патента: SG11201806324UA. Автор: XINPENG WANG,Hideaki Fukuzawa,Jun Yu,Michael Han,Vladimir Bliznetsov. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2018-08-30.

Improved frequency multiplier and method of producing the same

Номер патента: WO1994028605A1. Автор: Moshe Oron,David Eger,Mordechai Katz,Avigdor Zussman,Adolf Shahna. Владелец: Isorad U.S.A., Inc.. Дата публикации: 1994-12-08.

Method of manufacturing a filament, filament manufactured thereby, and x-ray tube having the filament

Номер патента: US20240234070A1. Автор: Sung Ho Cho,Re Na Lee,Byoung Tae JANG. Владелец: Remedi Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Electrical component and method of forming same

Номер патента: US11756741B2. Автор: Mark R. Boone,Joachim Hossick-Schott,Chunho Kim,Mark Henschel. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2023-09-12.

Electrical component and method of forming same

Номер патента: US12070609B2. Автор: Mark R. Boone,Joachim Hossick-Schott,Mark Henschel. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Double heterostructure laser and a method of making same

Номер патента: CA1226659A. Автор: Dan Botez,John C. Connolly. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1987-09-08.

Method of forming floating structure of substrate and method of manufacturing floating structure gate electrode and field emission device employing the floating structure

Номер патента: US20030113450A1. Автор: Young-Jun Park,In-taek Han. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-19.

Method and device for observing a specimen in a field of view of an electron microscope

Номер патента: US20020027199A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Isao Nagaoki,Hiromi Inada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-03-07.

Method and device for observing a specimen in a field of view of an electron microscope

Номер патента: US20040173749A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Isao Nagaoki,Hiromi Inada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Method of selective metal deposition using separated reactant activation and plasma discharging zones

Номер патента: WO2024123432A1. Автор: Jiang Lu,Joung Joo Lee,Avgerinos V. Gelatos,Joseph Hernandez,Xianmin Tang,Dien-Yeh Wu,Weifeng Ye,Yiyang WAN,Ying-Bing JIANG,Gary HOW. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Spark plug electrode and method of making

Номер патента: US20100187967A1. Автор: Jeffrey T. Boehler,Matthew B. Below,Jonathon Barricklow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-29.

Capacitive energy storage device and method of producing the same

Номер патента: US20020012220A1. Автор: Charles Clark,William Lawless. Владелец: Ceramphysics Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Method of using resistance soldering device

Номер патента: US20240250487A1. Автор: William Falk. Владелец: Aptiv Technologies Ag. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of fabricating mask of gate electrode of field-emission display

Номер патента: US20060051885A1. Автор: Shih-Hsun Chen,Jui-Ting Hsu,Jia-Hung Wu,Pu-Hsin Chang,Shih-Chien Hsiao. Владелец: Teco Nanotech Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-09.

Method of preparing dry electrode

Номер патента: EP4439689A1. Автор: Hyun Nam,Donggeun Lee,Yeonhee YOON,Ilkyong KWON,Jinhyon Lee,Ahram Pyun,Seongdae Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Method of preparing slurry with anti-dendritic lithium for coating dried on anode and battery so made

Номер патента: US20230207773A1. Автор: Wei-Chao Chen,Hong-zheng LAI,Tseng-Lung Chang. Владелец: Solidedge Solution Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

A method of producing a composite, more precisely a nanoporous body and a nanoporous body produced thereby

Номер патента: WO1997011923A1. Автор: Sergey Konstantinovitch Gordeev,Sergey Germanovich Zhukov,Peter Ivanovietc Belobrov,Juri Pavlovietc Dikov,Andrej Nicolajvietc Smolianinov. Владелец: Alfar International Ltd.. Дата публикации: 1997-04-03.

Cascaded arrangement of lower order filters and method of designing the same

Номер патента: US20030155994A1. Автор: François Jeanjean,Geert Van Wonterghem. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2003-08-21.

Method of determining a relocation start in a mobile communication system, radio network controller having a relocation start determination function, and mobile communication system including the radio network controller

Номер патента: US20060217155A1. Автор: Hiroaki Kuwano. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-09-28.

Camera device having a flexible substrate for image stabilization mechanism with a coil on its surface

Номер патента: US11838633B2. Автор: Kazuo Shikama,Takashi Iwasaki. Владелец: Aac Optics Nanning Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Method of regulating a digital phase-locked circuit, and a digital phase-locked circuit having a voltage-controlled oscillator

Номер патента: US6009133A. Автор: Anders B. Nielsen. Владелец: Dsc Communications As. Дата публикации: 1999-12-28.

Double-bit non-volatile memory structure and corresponding method of manufacture

Номер патента: US20020121657A1. Автор: Chin-Yang Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Double-bit non-volatile memory structure and corresponding method of manufacture

Номер патента: US20030022443A1. Автор: Chin-Yang Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor device having a time delay function

Номер патента: US4947064A. Автор: Chang-Hyun Kim,Won-Tae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1990-08-07.

Method of thinning for EEPROM tunneling oxide device

Номер патента: US5439838A. Автор: Ming-Tzong Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-08-08.

Method of forming conformal barrier layers for protection of thermoelectric materials

Номер патента: EP2643494A1. Автор: Charles A. Paulson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Method of forming conformal barrier layers for protection of thermoelectric materials

Номер патента: WO2012071173A1. Автор: Charles A. Paulson. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2012-05-31.

Pixel and method of aging the pixel

Номер патента: US20240312417A1. Автор: Guanghai Jin,Juwon YOON,Junghun NOH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of forming common secret key of two remote subscribers

Номер патента: RU2719554C1. Автор: Дмитрий Николаевич Молдовян. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)". Дата публикации: 2020-04-21.

Charge pumps, logic circuits including charge pumps, logic devices including logic circuits, and methods of operating logic circuits

Номер патента: EP4415266A1. Автор: Santosh Sharma,Mei Yu Soh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Manufacturing method of magnetoresistive effect element, manufacturing method of thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US20070279801A1. Автор: Takeo Kagami,Naoki Ohta. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

High-capacitance dynamic random access memory cell having a storage capacitor on a continuous irregular surface

Номер патента: US5936273A. Автор: Anchor Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-08-10.

Method of processing audio data, electronic device and storage medium

Номер патента: US20230087531A1. Автор: LEI Jia,Tao Sun,Liqiang Zhang,Jiankang Hou,Zhipeng Nie. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20070252188A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20100068857A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Method of fabricating wiring board

Номер патента: US8387241B2. Автор: Hironori Sato,Masao Izumi,Kenji Nishio,Masaki Muramatsu,Kazunaga Higo,Takuya Torii. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-05.

Electrically-erasable, electrically-programmable read-only memory cell with a selectable threshold voltage and methods for its use

Номер патента: US5200919A. Автор: Cetin Kaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-04-06.

Manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240284601A1. Автор: Kazuhiro Yokoi,Yusuke Fujii,Norihide Shimohara,Kazuo Kamohara. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Comparator circuit with feedback and method of operation

Номер патента: US20200021279A1. Автор: Manmohan Rana,Carl Culshaw,Srikanth Jagannathan,Christopher James Micielli. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Low power clock buffer having a reduced, clocked, pull-down transistor

Номер патента: US6124737A. Автор: Sudarshan Kumar,Kamal J. Koshy,Jiann-Cherng James Lan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-09-26.

Method of manufacturing memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US20240276701A1. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Current sensor integrated circuit with a dual gauge lead frame

Номер патента: US11768230B1. Автор: Alexander Latham,Shixi Louis Liu,Maxwell McNally. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7208801B2. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050265112A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070148854A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Field effect transistor limiter circuitry

Номер патента: US4933646A. Автор: Donald J. Sauer. Владелец: RCA Licensing Corp. Дата публикации: 1990-06-12.

Field effect transistor limiter circuitry

Номер патента: CA2012239C. Автор: Donald Jon Sauer. Владелец: RCA Licensing Corp. Дата публикации: 1999-06-01.

Semiconductor device with daisy-chained delay cells and method of forming same

Номер патента: US12015410B2. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Qingchao Meng,Zhang-Ying YAN,Huaixin XIAN,Longbiao LEI,Sinpei GOA. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Multi-layer panel and method of manufacturing such a panel

Номер патента: US20100007959A1. Автор: Uwe Maass. Владелец: Musion Systems Ltd. Дата публикации: 2010-01-14.

Bulk acoustic wave resonators having convex surfaces, and methods of forming the same

Номер патента: US12119803B2. Автор: Ting-Ta Yen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Resonator and method of preparing a resonator

Номер патента: US20230387883A1. Автор: CHAO Gao,Yaxin Wang,Chengliang SUN,Yang Zou,Yao Cai,Dawdon CHEAM,Yuanhang QU,Bowoon SOON. Владелец: Wuhan Memsonics Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of driving a light emitting display and display

Номер патента: US12027118B2. Автор: BO LIU,Hiromitsu Katsui,Maxime LEMAITRE. Владелец: Mattrix Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of forming a line of high density floating gate transistors

Номер патента: US5658814A. Автор: Roger R. Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-08-19.

Method of fitting a hearing device to a user, a fitting system for a hearing device and a hearing device

Номер патента: US09936315B2. Автор: Anders Højsgaard Thomsen. Владелец: Oticon AS. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of manufacturing an ultrasonic probe

Номер патента: US7316059B2. Автор: Shohei Sato. Владелец: Aloka Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-08.

Storage controller compressing indicator data, storage device including the same, and method of operating the same

Номер патента: US12019871B2. Автор: Hong Rak Son,Youngsuk Ra,Kwanwoo NOH,Jae Hun JANG,Mankeun SEO,Hanbyeul Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of managing communication traffic for multiple communication technologies and communication device thereof

Номер патента: US20140269309A1. Автор: I-Feng SU,Yu-Ju Lee,Hao-Sheng Hsu,Pao-Chen Wu. Владелец: Ralink Technology Corp Taiwan. Дата публикации: 2014-09-18.

Motor rotor and methods of manufacture

Номер патента: EP4191840A1. Автор: David Morgan,Liam Bowman. Владелец: Eta Green Power Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Hearing instrument charger device and system, and a method of manufacturing a holder therefor

Номер патента: DK202170091A1. Автор: NIELSEN Henrik,DAVIDS Soren,John Chappell Thomas. Владелец: GN Hearing AS. Дата публикации: 2022-06-20.

Method of packetizing encoded symbols and apparatus using the same

Номер патента: US8774220B2. Автор: Dong Ju Lee,Jin Woo Hong,Wan Kim,Jong Soo Lim,Hwang Jun Song,Hyung Rai Oh,Hyun Chul Joo,Ki Ung Jung. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2014-07-08.

A method of detecting a fault in a transmission line in an ac power transmission system

Номер патента: WO2024193819A1. Автор: Zoran Gajic. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of performing handover procedure, making handover decision for device-to-device communications and control node thereof

Номер патента: US09992815B2. Автор: Mei-Ju Shih,Hung-Yu Wei,Hua-Lung Tsai,Ho-Yuan Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of conveying a location information representing a physical location of a communication device, a computer program product for executing the method, and the communication device for conveying the location information

Номер патента: US09661484B2. Автор: James Smith,Karl Klaghofer,Thomas Scharnagl. Владелец: Unify GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-05-23.

An electrolysis system and a method of generating hydrogen

Номер патента: AU2021356293A1. Автор: Joshua Sharp. Владелец: Sharpie Innovations Pty Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Apparatus and method of communication of same

Номер патента: EP4085562A1. Автор: Hao Lin. Владелец: OROPE FRANCE SARL. Дата публикации: 2022-11-09.

Apparatus and method of communication of same

Номер патента: WO2021171053A1. Автор: Hao Lin. Владелец: OROPE FRANCE SARL. Дата публикации: 2021-09-02.

Methods of image acquiring and electronic devices

Номер патента: US9332178B2. Автор: Zhou Yu. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Integrated circuit, memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12063785B2. Автор: Chih-Wei Hung,Kuo-Pin Chang,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of forming a chalcogenide memory cell having a horizontal electrode and a memory cell produced by the method

Номер патента: US20060281218A1. Автор: Yi Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-14.

Method of sending information through a tree and ring topology of a network system

Номер патента: EP1728174A2. Автор: Lars Ramfelt,Fredrik Orava. Владелец: Metro Packet Systems Inc. Дата публикации: 2006-12-06.

Method of reading out digital images and related device

Номер патента: US20080129850A1. Автор: Chun-Chang Wang. Владелец: Altek Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Memory device storing logical page data and operating method of the memory device

Номер патента: US12106806B2. Автор: Jeong Hwan Kim,Jae Woong Kim,In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Woo Pyo Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of Transmitting and Receiving Audio Signals and Apparatus Thereof

Номер патента: US20170054552A1. Автор: LEI Ming,Alexander Peysakhovich,Jiong Huang. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Computer-based systems and/or computing devices programmed for instant issuance of a replacement physical access instrument; and methods of use thereof

Номер патента: US20240232882A9. Автор: Kevin Osborn,Srinivasa Chigurupati. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

System and method of providing multiple antennas to track satellite movement

Номер патента: US20220011395A1. Автор: James Alexander Morris Tuchel,Andrew Louis Burks. Владелец: Space Exploration Technologies Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Telematics terminal and method of changing communication setting of telematics terminal

Номер патента: US20230300575A1. Автор: Jaeyoon Ko. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Dioxaborines as organic n-semiconductors, process for the production of semiconductors utilizing dioxaborines, and semiconductor component, field effect transistor, and diode having a dioxaborine

Номер патента: US20030234396A1. Автор: Günter Schmid,Lisa Davis,Marcus Halik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

A method of selectively treating vegetation in a field

Номер патента: EP4167736A2. Автор: Heath Aaron THOMPSON,Andrew Douglas SNOWBALL,David Paul LOWE. Владелец: EXEL INDUSTRIES SA. Дата публикации: 2023-04-26.

A method of selectively treating vegetation in a field

Номер патента: WO2021255676A2. Автор: Heath Aaron THOMPSON,Andrew Douglas SNOWBALL,David Paul LOWE. Владелец: EXEL INDUSTRIES. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of controlling the irrigation of a field with a center pivot irrigation system

Номер патента: US20130116836A1. Автор: Kevin Abts,Nick Emanuel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-09.

Emission control driver including a stage that sets a gate control signal at different times to a first voltage and a second voltage

Номер патента: US12073791B2. Автор: Minjeong Kim,Chulkyu Kang,Kimyeong Eom,Haijung IN,Soongi KWON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Systems and methods of controlling resource distribution to a field

Номер патента: US20230230372A1. Автор: Arthur Chen,Roman Andrew KOZAK,Yu Zheng Jiang,Charles Yicheng Ju,Andre Peter Kamal Tewfik. Владелец: Verdi Expeditions Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Systems and methods of controlling resource distribution to a field

Номер патента: WO2023135537A1. Автор: Arthur Chen,Roman Andrew KOZAK,Yu Zheng Jiang,Charles Yicheng Ju,Andre Peter Kamal Tewfik. Владелец: Verdi Expeditions Inc.. Дата публикации: 2023-07-20.

Systems and methods of controlling resource distribution to a field

Номер патента: CA3240911A1. Автор: Arthur Chen,Roman Andrew KOZAK,Yu Zheng Jiang,Charles Yicheng Ju,Andre Peter Kamal Tewfik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-20.

Lampshade ring assembly, lampshade apparatus, and method of assembling the same

Номер патента: US12111037B2. Автор: Nathaniel David Pratt. Владелец: Ponderose LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

FFS Mode LCD and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20090115951A1. Автор: Seung Jun Baek,Tae Hyun Jun. Владелец: Hydis Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Method of packaging for thin fragile parts

Номер патента: WO2009008957A1. Автор: Christopher Corrado. Владелец: Greene, Tweed of Delaware, Inc.. Дата публикации: 2009-01-15.

Method for measuring 3D coordinates of a surface with a portable articulated arm coordinate measuring machine having a camera

Номер патента: US09772173B2. Автор: Paul C. Atwell,Yu Gong. Владелец: Faro Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of recognizing a pattern in a field having a multi-valent amplitude and device for performing such a method

Номер патента: IE63103B1. Автор: Johannes Arnoldus Corn Bernsen,Van Den Reinier Boomgaard. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1995-03-22.

A method of selectively treating vegetation in a field

Номер патента: AU2021291711A1. Автор: Heath Aaron THOMPSON,Andrew Douglas SNOWBALL,David Paul LOWE. Владелец: EXEL INDUSTRIES SA. Дата публикации: 2022-12-22.

Method of determining the magnitude of a field variable of an energy wave

Номер патента: EP3023779A3. Автор: David Wright,Craig Chapman,Sree Vamsi TAMMINENI,Mani Seethapathy,Stephen WISEALL,Pathmeswaran Raju. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2016-07-13.

Resistance spot welding workpiece stack-ups having a steel workpiece and an aluminum workpiece with a steel plate

Номер патента: US20190283168A1. Автор: David R. Sigler,Blair E. Carlson,Charles E. Jensen. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2019-09-19.

A method of selectively treating vegetation in a field

Номер патента: WO2021255676A3. Автор: Heath Aaron THOMPSON,Andrew Douglas SNOWBALL,David Paul LOWE. Владелец: EXEL INDUSTRIES. Дата публикации: 2022-02-17.

A method of selectively treating vegetation in a field

Номер патента: US20230292737A1. Автор: Heath Aaron THOMPSON,Andrew Douglas SNOWBALL,David Paul LOWE. Владелец: EXEL INDUSTRIES SA. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of tracking and quantifying the offline advertising efficiency by providing the possibility to have a "click offline" interaction with it, using specific visual identification elements and applications installed on mobile devices.

Номер патента: WO2018164596A2. Автор: Maria Georgiana POPA. Владелец: Popa Maria Georgiana. Дата публикации: 2018-09-13.

Methods of performing transperineal biopsy procedures using an access needle and a biopsy guide having a pivotable platform

Номер патента: US12114889B1. Автор: Matthew J. Allaway. Владелец: Corbin Clinical Resources LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Imaging module and reader for, and method of, reading a target over a field of view by image capture with a visually prominent indicator of a center zone of the field of view

Номер патента: CA2976397C. Автор: Igor Vinogradov,Vladimir Gurevich,Darran Michael Handshaw. Владелец: Symbol Technologies LLC. Дата публикации: 2018-10-02.

Seal integrity evaluation device and method of use thereof

Номер патента: MY163643A. Автор: Anthony Edward Dzikowicz. Владелец: Nestec SA. Дата публикации: 2017-10-13.

FFS mode LCD and method of manufacturing the same

Номер патента: US7847905B2. Автор: Seung Jun Baek,Tae Hyun Jun. Владелец: Hydis Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-07.

Method and data storage device with a snubber supported on an actuator and having a distal edge configured to have differing arcuate portions

Номер патента: US8233232B2. Автор: XIONG Liu,Choon Kiat Lim,Chuen Buan Lee,Jui Jing Lim. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-07-31.

Heat exchanger having a plurality of vertical pipes for upward passage of a first heat-exchanging medium

Номер патента: CA1162911A. Автор: Dick G. Klaren. Владелец: Esmil BV. Дата публикации: 1984-02-28.

Semiconductor memory device having a second voltage supplier supplying transfer gates with a second voltage higher than a first voltage

Номер патента: US20020024868A1. Автор: Koichi Nishimura,Shinya Fujioka,Hiroyoshi Tsuboi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-28.

Method of operating electric arc furnace

Номер патента: MY190096A. Автор: Ogawa Masato,Tanaka Yoshikazu,TOMITA Noriyuki,MATSUO Kunio,NAGATANI Akihiro. Владелец: Daido Steel Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-28.

Swinging door with a door closer having a slide rail at the door frame with a suspension system for adjusting the height of the slide rail with respect to the door frame

Номер патента: US20020100140A1. Автор: Bernd Winkler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Method of constructing a plastic rope to be introduced into a conical roller or similar mechanism in the manufacture of hard bonbons with a stratified core

Номер патента: US4615890A. Автор: Jurgen Schluter,Reinhard Mergelsberg,José Vilchez,Harmut Hagen. Владелец: Otto Hansel GmbH. Дата публикации: 1986-10-07.

Method of producing a welded steel blank with the provision of a filler wire having a defined carbon content, associated welded blank, method of producing a welded part with hot press-formed and cooled steel part and associated part

Номер патента: EP4282576A2. Автор: Maria POIRIER,Cristian ALVAREZ,Thierry LIZON. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2023-11-29.

Method of producing a welded steel blank with the provision of a filler wire having a defined carbon content, associated welded blank, method of producing a welded part with hot press-formed and cooled steel part and associated part

Номер патента: EP4282576A3. Автор: Maria POIRIER,Cristian ALVAREZ,Thierry LIZON. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2024-03-13.

Method of predicting the dynamic behavior of water table in an anisotropic unconfined aquifer having a general time-varying recharge rate from multiple rectangular recharge basins

Номер патента: US20090024369A1. Автор: Ajai Manglik,Shivendra Nath Rai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-22.

Field effect mode electro-optical device having a quasi-random photospacer arrangement

Номер патента: US8139195B2. Автор: Chien-Hui Wen,Zhiming Zhuang,David M. Emig. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2012-03-20.

Method of marking an article having at least a polyolefin surface and an article having a polyolefin surface provided with a black mark of decomposed polyolefin

Номер патента: US4578329A. Автор: Albert Holsappel. Владелец: Wavin BV. Дата публикации: 1986-03-25.

Modular fuel injector having a terminal connector interconnecting an electromagnetic actuator with a pre-bent electrical terminal

Номер патента: EP1219817A1. Автор: Michael J. Hornby,Michael P. Dallmeyer. Владелец: Siemens Automotive Corp. Дата публикации: 2002-07-03.

Arrangement for and method of optimizing the monitoring of a controlled area with a radio frequency identification (rfid) tag reader having a phased antenna array

Номер патента: EP2929484A2. Автор: Benjamin J. BEKRITSKY,Neeral SESHADRI. Владелец: Symbol Technologies LLC. Дата публикации: 2015-10-14.

Arrangement for and method of optimizing the monitoring of a controlled area with a radio frequency identification (rfid) tag reader having a phased antenna array

Номер патента: WO2014092991A2. Автор: Benjamin J. BEKRITSKY,Neeral SESHADRI. Владелец: Symbol Technologies, Inc.. Дата публикации: 2014-06-19.

Wind turbine having a circular or conical tower structure with passive flow control means and use of such circular tower structure

Номер патента: WO2020057706A1. Автор: Peter Grabau,Ib Frydendal. Владелец: ENVISION ENERGY (DENMARK) APS. Дата публикации: 2020-03-26.

Tensioner for a traction device having an overpressure valve with a sealing cage, and traction device drive having a such tensioner

Номер патента: US20130345002A1. Автор: Peter Tyroller. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2013-12-26.

Draper header with a belt guard and a draper belt having a crop-retaining rib

Номер патента: US8091330B2. Автор: Randy Lohrentz,Christopher T. Sauerwein,James R. Schmidt. Владелец: AGCO Corp. Дата публикации: 2012-01-10.

Beverage filling machine for filling cans having a heat exchange unit secured internally thereof with a liquid beverage

Номер патента: EP3344572A1. Автор: Mitchell J. Joseph. Владелец: Joseph Company International Inc. Дата публикации: 2018-07-11.

Meter having a communication interface for receiving and interfacing with a communication device

Номер патента: US11815365B2. Автор: Erran Kagan. Владелец: EI Electronics LLC. Дата публикации: 2023-11-14.

Construction element having a bond structure for a turbo engine, method for the production of a construction element having a bond structure for a turbo engine, and turbo engine having a construction element having a bond structure

Номер патента: US20200049018A1. Автор: Robert Vassen,Martin TANDLER,Daniel E. Mack,Susanne Schrüfer,Frank Kurze. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2020-02-13.

Internal combustion engine provided with a water-based operating liquid feeding system having a heating device

Номер патента: EP3805536A1. Автор: Antonio Barbuto,Antonio Zito. Владелец: Marelli Europe Spa. Дата публикации: 2021-04-14.

Methods for aligning a laser with a flow stream and systems thereof

Номер патента: EP3688441A1. Автор: Qing Shao,Jianying Cao. Владелец: Becton Dickinson and Co. Дата публикации: 2020-08-05.

Paper web having a surface that includes a plurality of sections, at least one of the sections having a plurality of positions, with ink applied to the paper web surface at some of the plurality of positions

Номер патента: US20180058007A1. Автор: Gregory T. Johnson,Andrew G. BOMSTAD,Thomas J. Petersen,Joseph A. Schulz,Mark F. Gerrits. Владелец: GPCP IP Holdings LLC. Дата публикации: 2018-03-01.

Recording and/or reproducing Apparatus Having a Station Transmission Coil for Contactless Communication with a Cassette Transponder

Номер патента: US6650500B2. Автор: Ernst Kovacs. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-11-18.

Display device with a plurality of rotatable sleeve elements, each having a plurality of indicia thereon

Номер патента: US20090300955A1. Автор: Marc J. Puglisi. Владелец: Ben S Loeb Inc. Дата публикации: 2009-12-10.

Ink jet recording method using a printhead having a pressure chamber connected to a nozzle with a connection portion

Номер патента: US09889660B2. Автор: Jun Ito,Kenichiro Kubota,Naoki Koike,Keiji Iida. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Pressure actuated valves and methods of use

Номер патента: CA3089081A1. Автор: David B. Malcolm. Владелец: MALCO LLC. Дата публикации: 2022-02-05.

A medical implant & methods of making same

Номер патента: WO2017114676A1. Автор: Valentine Kanyanta,Jonee Christine Paredes ZUNEGA,Xiaoxue ZHANG,Mehmet Serdar Ozbayraktar,Miriam MIRANDA-FERNANDEZ. Владелец: ELEMENT SIX (UK) LIMITED. Дата публикации: 2017-07-06.

Installation method of fastener for sealed and heat-insulating tank

Номер патента: RU2694068C1. Автор: Шлупп Сирил. Владелец: Газтранспорт Эт Технигаз. Дата публикации: 2019-07-09.

Systems and methods for forming a double dome container

Номер патента: EP4408598A1. Автор: Jaesuk PARK,Yihai Shi,Sebastijan Jurendic,Vishwanath Hegadekatte. Владелец: Novelis Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Method of forming a dental appliance

Номер патента: US12023846B2. Автор: Yan Chen,Chunhua Li. Владелец: Align Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Mold gate structures

Номер патента: CA3024357A1. Автор: Sami Samuel ARSAN,James Osborne Plumpton. Владелец: HUSKY INJECTION MOLDING SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Mold gate structures

Номер патента: CA3024357C. Автор: Sami Samuel ARSAN,James Osborne Plumpton. Владелец: HUSKY INJECTION MOLDING SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2023-01-03.

Mxene-graphene field effect transistor virus sensor

Номер патента: WO2023034113A3. Автор: Yang Wang,Donghyun Kim,Chenglin Wu,Risheng Wang,Yuwei Zhang,Yue-Wern HUANG,Yanxiao LI,Jiaoli LI. Владелец: The Curators of the University of Missouri. Дата публикации: 2023-04-13.

Polymer microfilters and methods of manufacturing the same

Номер патента: CA2798246C. Автор: Cha-Mei Tang,Olga V. Makarova,Platte T. Amstutz. Владелец: Creatv Microtech Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Polymer microfilters and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP2566598A1. Автор: Cha-Mei Tang,Olga V. Makarova,Platte T Amstutz. Владелец: Creatv Microtech Inc. Дата публикации: 2013-03-13.

Drive method of liquid discharging head and liquid discharging apparatus

Номер патента: US20220288926A1. Автор: Takahiro Katakura,Takanori Aimono,Shotaro Tamai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Drive method of liquid discharging head and liquid discharging apparatus

Номер патента: US20240316922A1. Автор: Takahiro Katakura,Takanori Aimono,Shotaro Tamai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Drive method of liquid discharging head and liquid discharging apparatus

Номер патента: US12128683B2. Автор: Takahiro Katakura,Takanori Aimono,Shotaro Tamai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of driving a display panel and display device performing the same

Номер патента: US09805673B2. Автор: Joon-Chul Goh,Bong-Hyun You,Won-Sik Oh,Dong-Hwa Shin,Hyun-Sik HWANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of forming a reinforced panel component

Номер патента: US11981090B2. Автор: Marcus Anthony Belcher,Timothy J. Luchini,Daniel Richard FERRIELL. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-05-14.

Fibrin particles and methods of forming fibrin particles

Номер патента: US12030918B2. Автор: John Oakey,Alan STENQUIST. Владелец: UNIVERSITY OF WYOMING. Дата публикации: 2024-07-09.

A method of forming a reinforced panel component and a related apparatus

Номер патента: CA3078890C. Автор: Marcus Anthony Belcher,Timothy J. Luchini,Daniel Richard FERRIELL. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of forming a reinforced panel component and a related apparatus

Номер патента: US20240269941A1. Автор: Marcus Anthony Belcher,Timothy J. Luchini,Daniel Richard FERRIELL. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Reduced material container and method of forming same

Номер патента: US12128601B2. Автор: Mark Blystone,Corey Janes,Darrel LEE,Richard SIERADZKI. Владелец: DISCMA AG. Дата публикации: 2024-10-29.

Vascular stent and method of making vascular stent

Номер патента: EP2164431A1. Автор: Michael Krivoruchko,Michael Craven,Matthew Baldwin,Gianfranco Pelligrini. Владелец: Medtronic Vascular Inc. Дата публикации: 2010-03-24.

Method of forming a core component

Номер патента: US20130125506A1. Автор: John Peter Walsh,Allen Ray Hill,Henry M. Coghlan,Geoffrey B. Hardwick. Владелец: Masonite Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Multi-panel display device, blank, and method of forming the device

Номер патента: US20170032708A1. Автор: Stephen P. Dashe. Владелец: Artskills Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Electrophoresis systems, devices, and associated methods of analysis

Номер патента: US09855684B2. Автор: Cornelius F. Ivory. Владелец: Washington State University WSU. Дата публикации: 2018-01-02.

Multi-panel display device, blank, and method of forming the device

Номер патента: US09741266B2. Автор: Stephen P. Dashe. Владелец: Artskills Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Overmolded medical connector tubing and method of producing same

Номер патента: RU2649471C2. Автор: Майкл А. СПОН,Кори Дж. ПРАЙС,Эндрю В. МЕЙЕР. Владелец: БАЙЕР ХелсКер ЛЛСи. Дата публикации: 2018-04-03.

Photoresist composition and method for forming a metal pattern

Номер патента: US20140183162A1. Автор: Hoon Kang,Jae-Sung Kim,Ki-hyun Cho,Dong-Min Kim,Eun Jeagal,Seung-Ki Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Optical device having structural and refractive index gradation, and method of fabricating the same

Номер патента: US12109641B2. Автор: Ludovic Godet,Kang LUO,Jinrui GUO,Daihua Zhang,Rami HOURANI,Nai-Wen Pi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods of purifying hydrocarbon streams containing mercaptans

Номер патента: RU2691985C2. Автор: Джонатан Эндрю ТЕРТЕЛ,Луиджи ЛАРИЧИА. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2019-06-19.

Organic light emitting display having a variable power supply for organic light emitting diode sensing and method of driving the same

Номер патента: US09697774B2. Автор: Jin Wook Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of fragrancing a surface

Номер патента: EP1331920A1. Автор: Gabor Heltovics,Jill Maureen Mattila. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2003-08-06.

Method of forming a dynamically transformable nanotwinned structure in an austenite steel alloy

Номер патента: US20240240277A1. Автор: QIAN LI,Tao Yang. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-07-18.

Light sensing circuit, touch panel including the same, and method of driving the light sensing circuit

Номер патента: US8754875B2. Автор: Do-youb Kim,Soon-Sung Ahn,Yong-sung Park,Deok-Young Choi,In-Ho Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-17.

Method of producing liquid hydrocarbons from a syngas

Номер патента: WO2023187316A1. Автор: Michiel Nijemeisland,Craig Foster,Andrew James COE,Stuart William ALLAN,Cuijie JIANG. Владелец: Johnson Matthey Davy Technologies Limited. Дата публикации: 2023-10-05.

A method of calibrating a holographic projector

Номер патента: EP4411488A1. Автор: Sebastian DE ECHANIZ. Владелец: Envisics Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method of Calibrating a Holographic Projector

Номер патента: US20240264565A1. Автор: Sebastian R. de Echaniz. Владелец: Envisics Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of producing liquid hydrocarbons from a syngas

Номер патента: AU2023244548A1. Автор: Michiel Nijemeisland,Craig Foster,Andrew James COE,Stuart William ALLAN,Cuijie JIANG. Владелец: Johnson Matthey Davy Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

High throughput whole blood inertial focusing device and method of use

Номер патента: US20240278239A1. Автор: Daniel F. Hayes,Sunitha Nagrath,Kaylee J. Smith. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-08-22.

High throughput whole blood inertial focusing device and method of use

Номер патента: EP4366862A1. Автор: Daniel F. Hayes,Sunitha Nagrath,Kaylee J. Smith. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-05-15.

Method of driving display panel and display apparatus for performing the same

Номер патента: US09881575B2. Автор: Hoi-Sik Moon,Min-Yup Chae,Hak-Mo CHOI. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Display apparatus and method of driving the same

Номер патента: US09812062B2. Автор: Hyungryul KANG,Cheolmin Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Stamped product and method of production and line of production equipment for obtaining stamped articles

Номер патента: RU2671028C1. Автор: Йосиаки НАКАДЗАВА,Кенитиро ОЦУКА,Масахиро Саито,Рюити НИСИМУРА. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2018-10-29.

Contact thermo-optical structure and its application for non-invasive imaging of histamine-induced hyperthermal subcutaneous reaction magnitude in cutaneous allergic reaction, recording device and method of allergic reaction diagnosis

Номер патента: EP3250116A1. Автор: Jacek Stepien. Владелец: NEXUS EKSPERTYZY I BADANIA DR JACEK STEPIEN. Дата публикации: 2017-12-06.

Obturator, methods of forming a prefabricated, innervated, pre-vascularized, prelaminated (pipp) flap using an obturator to maintain a stoma or lumen, and methods of restoring damaged or surgically-removed soft tissue with a pipp free or rotational flap

Номер патента: US20220168469A1. Автор: Stephen E. Feinberg,James Brian WASHINGTON,Shiuhyang Kuo. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2022-06-02.

Improved nanopore sensing device, components and method of manufacture

Номер патента: GB2590775A. Автор: Anthony Clarke James,Robert Hyde Jason,Miguel Ortiz Bahamon Pedro,Raymond Mackett Paul,Greasty Robert,Edward McKendry Jonathan,david jackson Mark,Kenneth John Wiltshire Richard,Rhys Davies Rhodri,Hyland Mark,Singh Sanghera Gurdial. Владелец: Oxford Nanopore Technologies PLC. Дата публикации: 2021-07-07.

Simulation method, simulation apparatus, storage medium, film forming method, and method of producing cured product

Номер патента: US12079551B2. Автор: Junichi Seki,Tosiya Asano,Yuichiro Oguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Photomask using separated exposure technique, method of fabricating photomask, and apparatus for fabricating photomask by using the method

Номер патента: US20070231715A1. Автор: Sung-Ho Park,Byung-gook Kim,Seong-Woon Choi,Hee-Bom Kim,Hak-Seung Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-04.

Photomask using separated exposure technique, method of fabricating photomask, and apparatus for fabricating photomask by using the method

Номер патента: US20110244376A1. Автор: Sung-Ho Park,Byung-gook Kim,Seong-Woon Choi,Hee-Bom Kim,Hak-Seung Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-06.

Method of analyzing biomaterial

Номер патента: US20180340946A1. Автор: Young Jun Kim,Wan Joong Kim,Eun Hye Jang,Hyoyoung Cho. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-11-29.

Method of preparing basement membrane, method of constructing basement membrane specimen,reconstituted artificial tissue using the basement membrane specimen and process for producing the same

Номер патента: EP1437147A4. Автор: Katsumi Mochitate. Владелец: National Institute for Environmental Studies. Дата публикации: 2007-10-03.

Toner purging development apparatus and a method of producing custom color on demand using same

Номер патента: US20030235434A1. Автор: Ronald Godlove. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2003-12-25.

Simulation method, simulation apparatus, storage medium, film forming method, and method of producing cured product

Номер патента: US20240346209A1. Автор: Junichi Seki,Tosiya Asano,Yuichiro Oguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of manufacturing a resin-laminated board

Номер патента: US09757893B1. Автор: Yoshitaka Matsubara,Tadatoshi Tanji. Владелец: Kyoraku Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of forming a workpiece made of a naturally aging alloy

Номер патента: US09719150B2. Автор: Kevin Thomas Slattery. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-08-01.

Infill structure with increased z-strength

Номер патента: EP4263176A1. Автор: Jirí Konvicný,Sarita Sharma. Владелец: Ultimaker Bv. Дата публикации: 2023-10-25.

Method of processing silicon substrate and method of manufacturing substrate for liquid discharge head

Номер патента: US8287747B2. Автор: Keisuke Kishimoto,Taichi YONEMOTO. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-10-16.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: EP4393166A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2024-07-03.

Method of processing silicon substrate and method of manufacturing substrate for liquid discharge head

Номер патента: US20100323526A1. Автор: Keisuke Kishimoto,Taichi YONEMOTO. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Vehicle rim with one of at least one subpreform flange area; and method of making a rim body

Номер патента: AU2023202667A1. Автор: Olaf RÜGER,Christoph Schranz. Владелец: Advanced International Multitech Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Char-based block pavrers and brick veneers and methods of making same

Номер патента: WO2024155713A1. Автор: HUA Yu,Kam Weng NG,Chooi Kim Lau,Suraj PRASAD PANDY. Владелец: UNIVERSITY OF WYOMING. Дата публикации: 2024-07-25.

Frost protected shallow footing system, a sectional form unit, and a method of footing system assembly using a plurality of sectional form units

Номер патента: CA2845360C. Автор: David L. Lewis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-01-12.

A method of printing onto a balloon blank

Номер патента: WO2012085510A3. Автор: Aamer Shams,Kazveen AAMER. Владелец: Aamer Shams. Дата публикации: 2012-09-27.

Preparation method of carotenoid agent

Номер патента: US20240279148A1. Автор: Xinde Xu,Di Zhou,Qinghua Yu,Yongqi WANG,Lanfang ZHU,Yalong BAI. Владелец: Zhejiang Medicine Co Ltd Xinchangpharmaceutical Factory. Дата публикации: 2024-08-22.

Fastening collar installation apparatus and methods of installing a fastener system

Номер патента: US12083581B2. Автор: Arnaud Brunet. Владелец: Howmet Aerospace Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

A method of printing onto a balloon blank

Номер патента: EP2655075A2. Автор: Aamer Shams,Kazveen AAMER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-30.

A method of printing onto a balloon blank

Номер патента: GB201116672D0. Автор: . Владелец: SHAMS KAZVEEN. Дата публикации: 2011-11-09.

A preparation method of carotenoid agent

Номер патента: EP4421064A1. Автор: Xinde Xu,Di Zhou,Qinghua Yu,Yongqi WANG,Lanfang ZHU,Yalong BAI. Владелец: Zhejiang Keming Biopharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Vehicle rim with one of at least one subpreform flange area; and method of making a rim body

Номер патента: AU2023202667B2. Автор: Olaf RÜGER,Christoph Schranz. Владелец: Advanced International Multitech Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of fabricating a multianalyte detection device and devices thereof

Номер патента: EP4364211A2. Автор: Narendra Kumar,Kenneth S. Burch,Michael GEIWITZ,Matthew CATALANO. Владелец: Boston College. Дата публикации: 2024-05-08.

Methods of fabricating a multianalyte detection device and devices thereof

Номер патента: WO2023149966A2. Автор: Narendra Kumar,Kenneth S. Burch,Michael GEIWITZ,Matthew CATALANO. Владелец: The Trustees of Boston College. Дата публикации: 2023-08-10.

Methods of fabricating a multianalyte detection device and devices thereof

Номер патента: CA3223457A1. Автор: Narendra Kumar,Kenneth S. Burch,Michael GEIWITZ,Matthew CATALANO. Владелец: Boston College. Дата публикации: 2023-08-10.

Methods of fabricating a multianalyte detection device and devices thereof

Номер патента: WO2023149966A3. Автор: Narendra Kumar,Kenneth S. Burch,Michael GEIWITZ,Matthew CATALANO. Владелец: The Trustees of Boston College. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of forming image and image forming apparatus

Номер патента: US6999707B2. Автор: Takehiko Okamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-14.

Lay-up method of composite aircraft parts comprising an opening

Номер патента: US20240100788A1. Автор: Manuel Recio Melero,Yolanda Miguez Charines,Estelle Baligand,Pedro Cabrera Rodriguez. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SL. Дата публикации: 2024-03-28.

Living building materials, methods of manufacture thereof and articles comprising the same

Номер патента: US20240109808A1. Автор: Stephen Bell,Jeffrey Cameron,Sherri COOK,Mija HUBLER,Wilfred V. Srubar, III,Linfei Li. Владелец: Prometheus Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Blank, method of making a package, and a package

Номер патента: SE2330224A1. Автор: Jari Rinne. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of making microarrays

Номер патента: WO2009064565A1. Автор: DING Wang,John C. Hulteen,Jun-Ying Zhang,Terry L. Smith,Jerome C. Porque,Haiyan Zhang,Lisa A. Dick. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2009-05-22.

Portable computer and method of forming rear cover thereof

Номер патента: US20070056965A1. Автор: Tae-hee Jeung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-15.

Laminates and method of manufacture thereof

Номер патента: GB2626182A. Автор: Nicholas Edwards David,Michael Drew Bruce,John Cooper Michael. Владелец: Linermist Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190227385A1. Автор: Jong-Hoon Kim,Jeongki Kim,Dongil Son,Cheonjae MAENG,Jeaheon AHN,Jang-II Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Method of making microarrays

Номер патента: EP2217913A1. Автор: DING Wang,John C. Hulteen,Jun-Ying Zhang,Terry L. Smith,Jerome C. Porque,Haiyan Zhang,Lisa A. Dick. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2010-08-18.

A modular building system and a method of assembling building elements to construct such building system

Номер патента: EP3158137A1. Автор: Nikolai KJÆR. Владелец: Nordic Build Ivs. Дата публикации: 2017-04-26.

Optical waveguide device and manufacturing method of optical waveguide device

Номер патента: US20190377132A1. Автор: Junichi Hasegawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of multi-layer lithography

Номер патента: WO2007148160A3. Автор: Terry Sparks. Владелец: Terry Sparks. Дата публикации: 2008-07-24.

Methods of coating fiber containing materials and coated fiber containing materials

Номер патента: US12018431B2. Автор: Venkateshwarlu Kalsani,Roxalana Lee Martin,Benjamin Kabagambe,Shanti Swarup,Irina G. Schwendeman,Lindsay Elise Matolyak,LuAnn Holsing,Ronald James Kralic, Jr.. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of making gas turbine engine blade from composite material

Номер патента: RU2689618C2. Автор: Клеман РУССИЙ,Давид МАРСАЛЬ,Жереми БЛАШЬЕ. Владелец: Сафран Эркрафт Энджинз. Дата публикации: 2019-05-28.

Method of producing supported cobalt-based fischer-tropsch synthesis catalyst

Номер патента: RU2458100C2. Автор: ДЕ ЛУСДРЕХТ Ян ВАН,Абдул Мутхалиб САИБ,Майкл Стивен ДАТТ,Ян Маттеус БОТА,Якобус Лукас ВИСАГИ,Йоханнес Герхардус КУРТЗЕН,Алта БОМЕР. Владелец: Сасол Текнолоджи (Проприетери) Лимитед. Дата публикации: 2012-08-10.

System and method of using oral care product

Номер патента: RU2696279C1. Автор: Йохан ЛУБ,ЛАТ Антониус Вильхельмус Мария ДЕ,Николас Петрюс ВИЛЛАРД,Вина МОХАН,Найджел Дэвид ЙОУНГ,Джеймс Дональд ГВАЙЕР,Херманн Кристиан РЕКЦИУС,Зейнеп САБАХ,Эстелль Жюли Дороте БЕРНАР-ФИШЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2019-08-01.

Methods of forming a permeable proppant pack in a geothermal formation

Номер патента: AU2022405004A1. Автор: Susan Petty,Matt Uddenburg,Geoff Garrison. Владелец: Altarock Energy Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Frozen additive for use with a heated beverage

Номер патента: EP1713897A1. Автор: Robert Breslow,Monica J. Breslow. Владелец: Sandia Design Llc. Дата публикации: 2006-10-25.

Method of Making a Metal Grating in a Waveguide and Device Formed

Номер патента: US20200049883A1. Автор: Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Method of forming a simulated combustible fuel element

Номер патента: US20130149451A1. Автор: Kristoffer Hess,Kelly Stinson,Michael Jach,Martyn Champ. Владелец: Dimplex North America Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Methods of forming a permeable proppant pack in a geothermal formation

Номер патента: US20230174848A1. Автор: Susan Petty,Matt Uddenburg,Geoff Garrison. Владелец: Altarock Energy Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of manufacturing an absorbent article having a fin seam

Номер патента: EP3073973A1. Автор: Joseph Daniel Coenen,Marcille Faye Ruman,Joseph J. SINA,Lori ROOCKS,Adam Schoultz,Kathy Irene Bennett,Daniel Marvin Nussbaum. Владелец: Kimberly Clark Corp. Дата публикации: 2016-10-05.

Method of forming a wall plate package

Номер патента: US4067169A. Автор: Joseph P. Stefani,Louis Zampini, Jr.. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1978-01-10.

Small crystal ferrierite and method of making the same

Номер патента: RU2640072C9. Автор: Хун-синь ЛИ,Антон ПЕТУШКОВ,Уильям Е. КОРМАЙЕР. Владелец: ПиКью КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2018-05-30.

A rotary steerable drilling assembly with a rotating steering device for drilling deviated wellbores

Номер патента: WO2022026559A1. Автор: Volker Peters. Владелец: Baker Hughes, a GE company, LLC. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of aerial electrical exploration and device for its implementation

Номер патента: RU2652655C1. Автор: Георгий Михайлович Тригубович,Антон Владимирович Чернышев,Александр Владимирович Куклин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Аэрогеофизическая разведка". Дата публикации: 2018-04-28.

Method of producing a dry powder composition containing an anticholinergic, corticosteroid and beta-adrenergic agent

Номер патента: RU2741427C1. Автор: Фаусто Пиветти,Франческа Скьяретти,Алессандро КАВЕККИ,Кристина МЕРУЗИ. Владелец: Кьези Фармачеутичи С.п.А.. Дата публикации: 2021-01-26.

Touch panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20180052542A1. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Method and apparatus for forming a structural member

Номер патента: EP1507608A1. Автор: Frank A. Horton,Gianfranco Gabbianelli,Richard Ashley. Владелец: Magna International Inc. Дата публикации: 2005-02-23.

Formaldehyde-free binder compositions and methods of making the binders

Номер патента: US20170158923A1. Автор: Jawed Asrar,Uranchimeg Lester,Kiarash Alavi. Владелец: JOHNS MANVILLE. Дата публикации: 2017-06-08.

Method of printing a biosensor platform

Номер патента: US20210283934A1. Автор: Jonathan Lloyd,Davide DEGANELLO,Kar Seng Teng. Владелец: Swansea University. Дата публикации: 2021-09-16.

Method of manufacturing a composite insert

Номер патента: US12054311B2. Автор: Martin Hornung,Josef Hudina,Gregory A. KRUEGER,Michael J. Flener. Владелец: Henkel AG and Co KGaA. Дата публикации: 2024-08-06.

Optical system for providing a hexapole illumination and method of forming a photoresist pattern on a substrate using the same

Номер патента: US20050105072A1. Автор: Chan Hwang,Dong-Seok Nam,Young-Seog Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-19.

Systems and methods of curing additive manufactured materials

Номер патента: US20170001380A1. Автор: Zhen Xiao. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-01-05.

Method of manufacturing a composite insert by molding

Номер патента: US09988184B2. Автор: Martin Hornung,Josef Hudina,Gregory A. KRUEGER,Michael J. Flener. Владелец: Henkel AG and Co KGaA. Дата публикации: 2018-06-05.

Formaldehyde-free binder compositions and methods of making the binders

Номер патента: US09695311B2. Автор: Jawed Asrar,Kiarash Alavi Shooshtari,Uranchimeg Lester. Владелец: JOHNS MANVILLE. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of producing steel pipe

Номер патента: RU2653035C2. Автор: Масаюки ХОРИЭ,Тосихиро МИВА. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2018-05-04.

Device for guiding cell migration and method of guiding cell migration using said device

Номер патента: RU2603083C2. Автор: БЕРР Маэль ЛЕ,Матьё ПЕЛЬ,Йон ЧЕНЬ,Яньцзунь ЛИУ. Владелец: Сантр Насьональ Де Ля Решерш Сьентифик-Снрс. Дата публикации: 2016-11-20.

Method of making impeller of centrifugal compressor from composite material

Номер патента: RU2652269C2. Автор: Владимир Александрович Грибановский,Владимир Сергеевич Жернаков,Сергей Николаевич Никитин,Виктор Леонидович Юрьев,Арсен Маратович Ахметов. Владелец: Акционерное общество "Институт технологии и организации производства" (АО НИИТ). Дата публикации: 2018-04-25.

Systems and methods for forming a double dome container

Номер патента: WO2023056114A1. Автор: Jaesuk PARK,Yihai Shi,Sebastijan Jurendic,Vishwanath Hegadekatte. Владелец: Novelis Inc.. Дата публикации: 2023-04-06.

Methods of forming and reading servo track and data storage apparatus

Номер патента: US20100033864A1. Автор: Sang-hyun Park,Kwang Jo JUNG,Da Woon CHUNG,Yoon Chul CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-11.

Systems and methods for forming a double dome container

Номер патента: CA3233407A1. Автор: Jaesuk PARK,Yihai Shi,Sebastijan Jurendic,Vishwanath Hegadekatte. Владелец: Novelis Inc Canada. Дата публикации: 2023-04-06.

Drive Method Of Liquid Discharge Apparatus

Номер патента: US20240227390A1. Автор: Toshiyuki Yamagata,Ken Yamagishi,Kento Nawa,Tomohiro MATSUBAYASHI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Concrete/plastic wall panel and method of assembling

Номер патента: US9366029B2. Автор: Gregory R. Sheehy. Владелец: EPI 04 Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Improved method of expanded bed chromatography

Номер патента: WO2002032537A3. Автор: Walter Francis Junior Prouty. Владелец: Walter Francis Junior Prouty. Дата публикации: 2002-07-11.

Method of laser induced marking of an article

Номер патента: US20150167147A1. Автор: Harald De Buhr,Ralf SCHUPP. Владелец: Braun GmbH. Дата публикации: 2015-06-18.

Concrete/plastic wall panel and method of assembling

Номер патента: US20150354214A1. Автор: Gregory R. Sheehy. Владелец: EPI 04 Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Blowout preventer seal and method of using same

Номер патента: WO2012106061A3. Автор: James Allen Douty,Jeffrey Thomas Melancon. Владелец: NATIONAL OILWELL VARCO, L.P.. Дата публикации: 2012-12-06.

Native protein electrophoresis and methods of use

Номер патента: US9709526B2. Автор: David H. Petering,William J. Wobig,Andrew Nowakowski. Владелец: UWM Research Foundation Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Native protein electrophoresis and methods of use

Номер патента: US20140311908A1. Автор: David H. Petering,William J. Wobig,Andrew Nowakowski. Владелец: UWM Research Foundation Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Method of detecting fraud in procurement and system thereof

Номер патента: SG11201805483VA. Автор: Rajaraman Kanagasabai,Adam Maciej WESTERSKI,Sian Hui Kelvin Sim. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2018-07-30.

Multi-piece shower wall system and method of installation

Номер патента: US09833111B2. Автор: Raymond C. Torres. Владелец: Aquatic Co. Дата публикации: 2017-12-05.

Retention pin and method of forming

Номер патента: US09752607B2. Автор: James C. Muskat. Владелец: Rolls Royce North American Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Native protein electrophoresis and methods of use

Номер патента: US09709526B2. Автор: David H. Petering,William J. Wobig,Andrew Nowakowski. Владелец: UWM Research Foundation Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of treating produced or flowback water with nucleophilic agent to deactivate breaker

Номер патента: RU2681326C1. Автор: Брэндон Марк ВИТТУР,Чарлз Дейвид АРМСТРОНГ,Маршалл Г. ОЛТ. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2019-03-06.

Surface modification method of cement

Номер патента: RU2715276C1. Автор: Сергей Анатольевич Стельмах,Евгений Михайлович Щербань,Александр Каюмович Халюшев,Мухума Пахрудинович Нажуев,Николай Михайлович Зайченко,Андрей Александрович Чернильник. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет", (ДГТУ). Дата публикации: 2020-02-26.

Method of estimating cell migration into structure of material or scaffold

Номер патента: RU2740566C1. Автор: Сергей Артурович Чесноков,Роман Сергеевич Ковылин,Диана Яковлевна Алейник,Владимир Валерьевич Юдин,Марфа Николаевна Егорихина,Ирина Николаевна Чарыкова,Юлия Павловна Рубцова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлоорганической химии им. Г.А. Разуваева Российской академии наук (ИМХ РАН). Дата публикации: 2021-01-15.

Method of authenticating printed products by introducing latent information into image

Номер патента: RU2686620C1. Автор: Юрий Сергеевич Андреев,Ольга Александровна Гурьянова,Екатерина Александровна Пухова. Владелец: Екатерина Александровна Пухова. Дата публикации: 2019-04-29.

Method of commixing of fluid mediums

Номер патента: RU2247595C2. Автор: Харальд ЛИНГА,Инге Сверре Лунд НИЛЬСЕН,Финн Патрик НИЛЬСЕН,Руне ФАНТОФТ,Гейр Инге ЭЙДЕ. Владелец: Статойл Аса. Дата публикации: 2005-03-10.

Material with composite particles on substrate, method of producing said material and method of producing compounds using material with composite particles on substrate as chemical synthesis catalyst

Номер патента: RU2437715C1. Автор: Кен СУЗУКИ,Тацуо ЯМАГУТИ. Владелец: Асахи Касеи Кемикалз Корпорейшн. Дата публикации: 2011-12-27.

Method of adjusting diameter of elongated rod

Номер патента: RU2732956C2. Автор: Пьер-Ив Жиндра,Жольт АЛЬБЕРТ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2020-09-25.

Polymer microfiltration devices, methods of manufacturing the same and the uses of the microfiltration devices

Номер патента: CA2856405C. Автор: Yunqi Zhang,Cha-Mei Tang. Владелец: Creatv Microtech Inc. Дата публикации: 2021-05-25.

LCD device and method of forming the same

Номер патента: GB2311403A. Автор: Jeong-Hyun Kim,Kyoung-Nam Lim,Young-Jin Oh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 1997-09-24.

Polymer microfiltration devices, methods of manufacturing the same and the uses of the microfiltration devices

Номер патента: AU2019271979A1. Автор: Yunqi Zhang,Cha-Mei Tang. Владелец: Creatv Microtech Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Superhard constructions & methods of making same

Номер патента: GB2533866A. Автор: Wang Dong. Владелец: Element Six UK Ltd. Дата публикации: 2016-07-06.

Venting member, feeding bottle assembly, and method of forming a venting member

Номер патента: WO2023180770A1. Автор: Nicholas Cudworth. Владелец: Mayborn (Uk) Limited. Дата публикации: 2023-09-28.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US9159436B2. Автор: Do-Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Polymer microfiltration devices, methods of manufacturing the same and the uses of the microfiltration devices

Номер патента: AU2023285752A1. Автор: Yunqi Zhang,Cha-Mei Tang. Владелец: Creatv Microtech Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Detecting method of pixel circuit, driving method of display panel and display device

Номер патента: US11776438B2. Автор: Danna SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of forming anti-reflection coatings

Номер патента: WO2021150470A1. Автор: Franco Gaspari. Владелец: IntriEnergy Inc.. Дата публикации: 2021-07-29.

Manufacturing method of reinforced layer

Номер патента: US20220032531A1. Автор: Koji Katano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Composite Dual Channel Drill Pipes and Method of Manufacture

Номер патента: US20210032943A1. Автор: Graham Hitchcock. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2021-02-04.

Composite dual channel drill pipes and methods of manufacture

Номер патента: WO2021022142A1. Автор: Graham Hitchcock. Владелец: Aramco Services Company. Дата публикации: 2021-02-04.

Composite dual channel drill pipes and methods of manufacture

Номер патента: EP3994330A1. Автор: Graham Hitchcock. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2022-05-11.

Methods of Making Orthodontic Appliances

Номер патента: US20110062609A1. Автор: Joseph M. Desimone,Robert E. Tricca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-17.

Methods of determining operating conditions of silicon carbide power MOSFET devices associated with aging, related circuits and computer program products

Номер патента: US11474145B2. Автор: FEI Yang,SHI Pu,Chi XU,Bilal Akin,Enes Ugur. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2022-10-18.

Method of converging charged particles and device therefor

Номер патента: WO2024149979A1. Автор: Dimitrios Sideris. Владелец: GENETIC MICRODEVICES LIMITED. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of making disposable absorbent article with intergral landing zone

Номер патента: MY133749A. Автор: KLINE Mark James,Johnson Kevin Charles,Weirich David Michael. Владелец: Procter & Gamble. Дата публикации: 2007-11-30.

Method of making disposable absorbent article with integral landing zone

Номер патента: WO1998011855A1. Автор: Mark James Kline,David Michael Weirich,Kevin Charles Johnson. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 1998-03-26.

Data structure, processing method of structured document described using that data structure, program for implementing the method, and storage medium storing the program

Номер патента: US20050086593A1. Автор: Yuji Kobayashi,Kentaro Matsumoto,Yuji Suga,Katsuki Ishii,Hirowo Inoue,Hidetomo Sohma,Masahiko Takaku,Jun Fujisawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-04-21.

Degradable and recyclable cellulose containing compositions and methods of making the same

Номер патента: US20240060239A1. Автор: Donggang Yao,Chris LUETTGEN,Natalie Duprez. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of modifying a windscreen wiper drive mechanism

Номер патента: GB2627282A. Автор: Siddall Jeremy. Владелец: Jaguar Land Rover Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Display substrate, display apparatus, method of controlling a display apparatus, and method of fabricating display substrate

Номер патента: US20210181870A1. Автор: Tao Jiang,Tao MA,Ling Han,Xinyang TANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Display substrate, display apparatus, method of controlling a display apparatus, and method of fabricating display substrate

Номер патента: EP3685221A1. Автор: Tao Jiang,Tao MA,Ling Han,Xinyang TANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-29.

A method of producing a carbon fibre reinforced composite

Номер патента: WO2024170871A1. Автор: Adam Chaplin,Weili Qiu,Harry Holt,John GRASMEDER. Владелец: VICTREX MANUFACTURING LIMITED. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods of manufacturing a pair of jaw members of an end-effector assembly for a surgical instrument

Номер патента: US09687295B2. Автор: Daniel A. Joseph. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of forming a self-flanging nut joint

Номер патента: US3938239A. Автор: Corliss Lauth. Владелец: LAUTH FASTENERS Ltd. Дата публикации: 1976-02-17.

Method of manufacturing ring-shaped articles

Номер патента: RU2667112C2. Автор: Юдзи ИСИВАРИ,Дзюн ОСОНЭ. Владелец: Хитачи Металз, Лтд.. Дата публикации: 2018-09-14.

Method of analysis and/or processing of fertilized egg

Номер патента: RU2665136C1. Автор: Вячеслав Александрович Базлов,Тариел Зурабович Мамуладзе,Алла Михайловна Зайдман,Наталья Юрьевна Пахомова,Елена Леонидовна Строкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Новосибирский научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии им. Я.Л. Цивьяна" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "ННИИТО им. Я.Л. Цивьяна" Минздрава России). Дата публикации: 2018-08-28.

Method of producing extract based on whole cereal grains

Номер патента: RU2586152C2. Автор: Стефан ХААС,БИСЕБЕКЕ Роб ТЕ,Майкл ВОЛТЕРС,Никола МАРЬЯНОВИЧ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2016-06-10.

Method of producing castings with directed structure

Номер патента: RU2732492C1. Автор: Юрий Иванович Фоломейкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный институт авиационного моторостроения имени П.И. Баранова". Дата публикации: 2020-09-17.

Method of forming a metal-to-metal seal in high pressure applications with low contact stress

Номер патента: CA2184864C. Автор: Maurice William Slack,Jaroslaw Nowinka,Trent M.V. Kaiser. Владелец: Centre for Frontier Engineering Research Institute. Дата публикации: 2004-05-11.

Method of flexible design element manufacture from composite material

Номер патента: RU2633719C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Александр Игоревич Цыбин,Александр Евгеньевич Раскутин,Денис Вячеславович Гращенков,Ирина Викторовна Зеленина,Антон Андреевич Евдокимов,Сергей Игоревич Мишкин,Вячеслав Сергеевич Дышенко,Алена Дмитриевна Чиреш. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2017-10-17.

Method of producing diamine/dicarboxylic acid salt

Номер патента: RU2730455C2. Автор: Руди Рулкенс,Эрик Гролман. Владелец: ДСМ АйПи АССЕТС Б.В.. Дата публикации: 2020-08-24.

Anode for electrolysis of aqueous solution of alkali and method of making anode for electrolysis of aqueous solution of alkali

Номер патента: RU2709479C1. Автор: Фумия ЦУДЗИИ,Акихиро КАТО,Юдзи КАМЕИ,Икуо СИМОМУРА,Икуо НАГАСИМА. Владелец: Кавасаки Юкогё Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-12-18.

Method of manufacturing and filling of package and corresponding package

Номер патента: RU2709755C2. Автор: Шорс Флорис КРЮСИУС. Владелец: Н.В. Нютрисиа. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of operating p-channel memory

Номер патента: US7200040B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-04-03.

Method of removing photoresist, laminate, method of forming metallic pattern, polyimide resin and stripper

Номер патента: US20210223699A1. Автор: Che-Wei Chang,Yung-Yu Lin,Chi-Yu Lai,Ming-Che CHUNG,Tz-Jin Yang. Владелец: Echem Solutions Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Pixel circuit and method of driving the same

Номер патента: US11984077B2. Автор: Il-Hun Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Reduced material container and method of forming same

Номер патента: US20240083093A1. Автор: Mark Blystone,Corey Janes,Darrel LEE,Richard SIERADZKI. Владелец: DISCMA AG. Дата публикации: 2024-03-14.

A multi-material device for heat transfer and a method of manufacture

Номер патента: EP3948140A1. Автор: Jayesh Modi,Jeffrey David Lang,Vahram PAPYAN,Steven Ronald TAYLOR,Bharath PARASURAMAN. Владелец: Titomic Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Audio signal encoding and decoding method using learning model, training method of learning model, and encoder and decoder that perform the methods

Номер патента: US20220262378A1. Автор: Tae Jin Lee,Inseon Jang,Seung Kwon Beack,Jongmo Sung,Woo-taek Lim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-08-18.

Apparatus, system and method of appending a group of files to files on a clipboard of a desktop

Номер патента: WO2004088509A3. Автор: Neal Richard Marion,George Ramsay Iii. Владелец: George Ramsay Iii. Дата публикации: 2005-01-20.

Multilayer record carrier and method of manufacturing thereof and recording thereon

Номер патента: MY141044A. Автор: Woudenberg Van Roel. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2010-02-25.

A mem gyroscope and a method of making same

Номер патента: EP1305256A2. Автор: Randall L. Kubena,David T. Chang. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2003-05-02.

Method of manufacturing painted profiles from metallic strips and a corresponding machine

Номер патента: US20010037553A1. Автор: Diego Luis Caballero Garcia. Владелец: EURODILUVID SL. Дата публикации: 2001-11-08.

Medical devices, system and methods of treatment

Номер патента: EP4368240A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Drive Method of Display Panel, Storage Medium, Drive Device and Display Device

Номер патента: US20220375404A1. Автор: Jun Hong,Fei Xu,Yanbin Wang,Wenhong Tian,JIngyong Li. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Image recorded material and method of producing same, and laminate and method of producing same

Номер патента: US12070963B2. Автор: Masaharu Kawai,Ayato SATO,Takeshi MIYATO. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of generating signal for test in memory device using multi-level signaling and memory device performing the same

Номер патента: US11755234B2. Автор: Byungsuk Woo,Yongho Cho,Younguk Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of inoculating magnesium on compacted graphite iron, and cylinder block and cylinder head manufactured by using the method

Номер патента: US20110056077A1. Автор: Jae Kee Lee,Won Soo Nam,Heong Joo Park,Myoung Gu Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2011-03-10.

Audio signal encoding and decoding method using learning model, training method of learning model, and encoder and decoder that perform the methods

Номер патента: US11694703B2. Автор: Tae Jin Lee,Inseon Jang,Seung Kwon Beack,Jongmo Sung,Woo-taek Lim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-07-04.

Device for illuminating an object with a controlled light intensity and associated method

Номер патента: AU2022205258A1. Автор: Guillaume Chenegros,Joël CHAVAS,Benjamin R. BENOSMAN. Владелец: Institut National de la Sante et de la Recherche Medicale INSERM. Дата публикации: 2022-08-11.

Computer implemented method of determining a transfer function of a module or a component and generating such component

Номер патента: EP4302209A1. Автор: Theo GELUK. Владелец: Siemens Industry Software NV. Дата публикации: 2024-01-10.

Photonic superlattice-based devices and compositions for use in luminescent imaging, and methods of using the same

Номер патента: EP3433604A1. Автор: Cheng Frank Zhong,Dietrich Dehlinger,Juraj Topolancik. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

Optical transceiver and methods of making and using the same

Номер патента: US12072540B2. Автор: Jian Yang,Jin Liu,Yuanjun Huang,Xiaohui Tang,Jinglei MAO. Владелец: Source Photonics Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Medical devices, system and methods of treatment

Номер патента: WO2024100256A1. Автор: George Malliaras,Damiano Giuseppe Barone,Ben Woodington,Alejandro Carnicer LOMBARTE. Владелец: Cambridge Enterprise Limited. Дата публикации: 2024-05-16.

Quick mountable assembly for handle, handle assembly, and method of mounting the same

Номер патента: US20240229501A9. Автор: Liming Ye,Chuanbao Zhu,Shuanglin Bai,Chunzhi Liu. Владелец: Xiamen Lota International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of assembling a frame

Номер патента: US12075930B2. Автор: Robert Terry COYLE, Jr.,Steven Patrick McGowan. Владелец: MCS Industries Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Manufacturing method of housing and apparatus having the same

Номер патента: US20240342997A1. Автор: Takuma Endo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Method and apparatus for isotropic stereolithographic 3D printing with a variable speed and power hybrid light source

Номер патента: US12122090B2. Автор: Gianni Zitelli. Владелец: Axtra3D Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Angle sensor and method of measuring an angle of a magnetic field

Номер патента: US09995797B2. Автор: Radivoje Popovic,Sasa Spasic,Marjan Blagojevic,Sasa Dimitrijevic,Dragana Popovic Renella. Владелец: SENIS AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Data acquisition method of substrate processing apparatus and sensing substrate

Номер патента: US09915677B2. Автор: Hikaru AKADA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Photo-acoustic imaging apparatus and method of displaying photo-acoustic images

Номер патента: US09883808B2. Автор: Jung-Taek Oh,Jung-Ho Kim,Dal-Kwon Koh,Jong-Kyu JUNG. Владелец: Samsung Medison Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Image recorded material and method of producing same, and laminate and method of producing same

Номер патента: US20240375421A1. Автор: Masaharu Kawai,Ayato SATO,Takeshi MIYATO. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

RNAi-based method of screening and characterizing drug combinations

Номер патента: US09670486B2. Автор: Michael Hemann,Douglas A. Lauffenburger,Justin Pritchard. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-06-06.

Paper or paperboard substrate, method of manufacturing substrate, and package formed from substrate

Номер патента: RU2543206C2. Автор: Исто ХЕЙСКАНЕН,Кай БАКФОЛЬК,Ларс АКСРУП. Владелец: СТОРА ЭНСО ОЙЙ. Дата публикации: 2015-02-27.

Method of bulk soil cementation

Номер патента: RU2656656C2. Автор: Анатолий Александрович Абраменко,Сергей Николаевич Золотухин,Ольга Борисовна Кукина,Александр Юрьевич Вязов,Антон Сергеевич Лобосок. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-06-06.

Method of filtration material production

Номер патента: RU2635617C1. Автор: Айтан Галандар кызы Мурадова,Александр Игоревич Шарапаев,Валерий Семенович Митин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева". Дата публикации: 2017-11-14.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US11442321B2. Автор: Dong Hee Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-13.

A process of forming a light beam path in a dielectric mirror

Номер патента: CA2638127C. Автор: Tyler Anderson,Ahmed Bouzid. Владелец: Li Cor Inc. Дата публикации: 2016-03-29.

A method of forming a reinforced panel component and a related apparatus

Номер патента: CA3078890A1. Автор: Marcus Anthony Belcher,Timothy J. Luchini,Daniel Richard FERRIELL. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-01-19.

Process of forming a light beam path in a dielectric mirror

Номер патента: US8613520B2. Автор: Tyler Anderson,Ahmed Bouzid. Владелец: Li Cor Inc. Дата публикации: 2013-12-24.

Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070153204A1. Автор: Do-Sung Kim,Byung-chul Ahn. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Methods of producing slanted gratings with variable etch depths

Номер патента: US20210141131A1. Автор: Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Joseph C. Olson,Morgan Evans. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Methods of producing slanted gratings with variable etch depths

Номер патента: WO2021096660A1. Автор: Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Joseph C. Olson,Morgan Evans. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of forming a core component

Номер патента: US20110296793A1. Автор: John Peter Walsh,Allen Ray Hill,Henry M. Coghlan,Geoffrey B. Hardwick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-08.

Method of ultrasonic welding thermoplastic composite components

Номер патента: EP4397472A1. Автор: Shyan Bob Shen,Michael Van Tooren,Andrew Adan,Roberto Ramos. Владелец: Rohr Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Method and apparatus for forming a finished cylindrical surface

Номер патента: GB2466282B. Автор: John Taylor. Владелец: Dana UK Axle Ltd. Дата публикации: 2012-12-05.

Methods of three-dimensional electrophoretic deposition for ceramic and cermet applications and systems thereof

Номер патента: US20160348262A1. Автор: Joshua D. Kuntz,Marcus Worsley,Klint Aaron Rose. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2016-12-01.

Engineered nerve grafts, methods of making the same, and methods of treatment using the same

Номер патента: WO2024144997A1. Автор: Curt DEISTER,Nikunj Kumar Agrawal. Владелец: AXOGEN CORPORATION. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of severing useful lengths interconnected through small fillets

Номер патента: US4111345A. Автор: Franz Vossen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-09-05.

Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target

Номер патента: US20020132721A1. Автор: Jianxing Li,Tim Scott,Tamara White. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target

Номер патента: WO2001044535A1. Автор: Jianxing Li,Tim Scott,Tamara White. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2001-06-21.

Oxygen diffusion evaluation method of oxide film stacked body

Номер патента: US20120214259A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yutaka Okazaki,Atsuo Isobe,Keitaro Imai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS FOR AND A METHOD OF DETERMINING SURFACE CHARACTERISTICS

Номер патента: US20120004888A1. Автор: . Владелец: Taylor Hobson Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method of Making Tapered Looped Suture

Номер патента: US20120004686A1. Автор: Maiorino Nicholas,Bowns William R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DTV TRANSMITTING SYSTEM AND METHOD OF PROCESSING BROADCAST DATA THEREIN

Номер патента: US20120002730A1. Автор: Choi In Hwan,Kwak Kook Yeon,Lee Hyoung Gon,Kim Byoung Gill,Kim Jin Woo,Kim Jong Moon,Song Won Gyu,KIM Jae Hyung,HONG Sung Ryong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Making a Combustion Turbine Component Having a Plurality of Surface Cooling Features and Associated Components

Номер патента: US20120000072A9. Автор: James Allister W.,Morrison Jay A.,Merrill Gary B.,Fraser Iain A.,Paulus John R.,Lane Jay E.,Appleby Mike P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MOLDED ELASTOMERIC FLEXURAL ELEMENTS FOR USE IN A LASER SCANNING ASSEMBLIES AND SCANNERS, AND METHODS OF MANUFACTURING, TUNING AND ADJUSTING THE SAME

Номер патента: US20120002259A1. Автор: Plesko George. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-LAYER PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A PANEL

Номер патента: US20120002288A1. Автор: Maass Uwe. Владелец: MUSION SYSTEMS LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SATIATION POUCHES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004590A1. Автор: Stack Richard S.,Williams Michael S.,Glenn Richard A.,Athas William L.,LUNSFORD John,Balbierz Dan. Владелец: Barosense, Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

ADAPTIVE DATA READER AND METHOD OF OPERATING

Номер патента: US20120000982A1. Автор: Gao WenLiang,Cherry Craig D.. Владелец: Datalogic Scanning, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

STILTS WITH NON-CIRCULAR SUPPORT POLE AND METHOD OF IMPROVING SAFETY

Номер патента: US20120004078A1. Автор: . Владелец: CINTA TOOLS, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEOTIDE SEQUENCES ENCODING GSH1 POLYPEPTIDES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004114A1. Автор: . Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY AND PIONEER HI-BRED INTERNATIONAL. Дата публикации: 2012-01-05.

SUPPORT PLATFORM AND METHOD OF CONSTRUCTION THEREOF

Номер патента: US20120000020A1. Автор: Newton John Reginald. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ABSORPTION HEAT PUMP SYSTEM AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120000221A1. Автор: Wang Kai,Abdelaziz Omar,Vineyard Edward Allan,ZALTASH Abdolreza. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FIXTURE FOR EVALUATING A METAL-TO-METAL SEAL BETWEEN TUBULAR COMPONENTS AND METHOD OF USE OF SAME

Номер патента: US20120000273A1. Автор: Slack Maurice. Владелец: NOETIC ENGINEERING 2008 INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Fluid-Permeable Body Having a Superhydrophobic Surface

Номер патента: US20120000848A1. Автор: MULLINS John,Lyons Alan M.,Schabel Michael J.. Владелец: LUCENT TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE PRESSURE VESSEL AND METHOD OF ASSEMBLING THE SAME

Номер патента: US20120000916A1. Автор: Kleber Richard M.,Kia Hamid G.,Wang Chen-Shih,Carsley John E.,Berger Elisabeth J.,SUN Ce,Schultheis Valentin,Fell Stephan. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Lamp With A Truncated Reflector Cup

Номер патента: US20120002423A1. Автор: . Владелец: OSRAM SYLVANIA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

EXPANDABLE SUPPORT DEVICE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004726A1. Автор: GREENHALGH E. Skott,ROMANO John-Paul. Владелец: STOUT MEDICAL GROUP, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF TREATING DEGENERATIVE BONE CONDITIONS

Номер патента: US20120004594A1. Автор: Howe James,Schulz Olaf,Swaim Rick,Huber Bryan,Batts Joel,Harness David,Belaney Ryan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Electrosurgical Devices with Wire Electrode And Methods of Use Thereof

Номер патента: US20120004657A1. Автор: . Владелец: Salient Surgical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DELIVERING A CONDUIT INTO A HEART WALL TO PLACE A CORONARY VESSEL IN COMMUNICATION WITH A HEART CHAMBER AND REMOVING TISSUE FROM THE VESSEL OR HEART WALL TO FACILITATE SUCH COMMUNICATION

Номер патента: US20120004589A1. Автор: . Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Acoustic horn and method of making same (versions)

Номер патента: RU2519852C1. Автор: Алексей Юрьевич Химичев. Владелец: Алексей Юрьевич Химичев. Дата публикации: 2014-06-20.

Method of manufacturing flexible plastic film

Номер патента: NZ628728A. Автор: Thomas Grose Frank. Владелец: Thomas Grose Frank. Дата публикации: 2016-03-31.

LONG-ACTING VETERINARY POLYPEPTIDES AND METHODS OF PRODUCING AND ADMINISTERING SAME

Номер патента: US20120004286A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONFINEMENT GROUP FOR A PLATE HEAT EXCHANGER, A METHOD OF OBTAINING SUCH AN EXCHANGER, AND A METHOD OF ABSORBING STRESS IN A CONFINEMENT GROUP FOR PACK-TYPE PLATE HEAT EXCHANGERS

Номер патента: US20120000638A1. Автор: CIPRIANI Luca. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2342517C2. Автор: Владимир Григорьевич Мосиенко,Рамиз Алиджавад Оглы Гасумов,Любовь Викторовна Швец,Михаил Николаевич Пономаренко,Сергей Владимирович Нерсесов,Сергей Анатольевич Громадский,Марат Алямович Кашапов,Владимир Евгеньевич Петялин,Рамиз Алиджавад Оглы Гасумов (RU),Михаил Николаевич Пономаренко (RU),Любовь Викторовна Швец (RU),Владимир Григорьевич Мосиенко (RU),Сергей Владимирович Нерсесов (RU),Сергей Анатольевич Громадский (RU),Марат Ал мович Кашапов (RU),лин Владимир Евгеньевич Пет (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Северо-Кавказский научно-исследовательский проектный институт природных газов" Открытого акционерного общества "Газпром" (ОАО "СевКавНИПИгаз" ОАО "Газпром"). Дата публикации: 2008-12-27.

Номер патента: RU2399103C2. Автор: Евгений Георгиевич Жиляков,Сергей Павлович Белов,Александр Сергеевич Белов,Виктор Владимирович Муромцев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный университет". Дата публикации: 2010-09-10.

Method of producing catalyst for cleaning water from hydrocarbon contaminants

Номер патента: RU2479349C1. Автор: Александр Владиленович Гороховский,Елена Васильевна Третьяченко,Мария Александровна Викулова,Владимир Георгиевич Гоффман,Диана Сергеевна Ковалева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2013-04-20.

Method of obtaining hydrogen and products of oxidation of aluminium and device to this end

Номер патента: RU2342470C2. Автор: Игорь Николаевич Могилевский. Владелец: Игорь Николаевич Могилевский. Дата публикации: 2008-12-27.

METHOD OF FORMING A FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING A GATE STRUCTURE WITH A FIRST SECTION HAVING A FIRST EFFECTIVE WORK FUNCTION ABOVE A CENTER PORTION OF THE CHANNEL REGION AND WITH SECOND SECTIONS HAVING A SECOND EFFECTIVE WORK FUNCTION ABOVE OPPOSING SIDEWALLS OF THE CHANNEL REGION

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты