METHOD FOR PRODUCING ETCHABLE STRUCTURES USING A LASER HAVING A WAVELENGTH IN THE INFRARED RANGE
Номер патента: US20150001179A1
Опубликовано: 01-01-2015
Автор(ы): NIGGEMANN RALF, PEUSTER Heiko
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-01-2015
Автор(ы): NIGGEMANN RALF, PEUSTER Heiko
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for forming different patterns in a semiconductor structure using a single mask
Номер патента: US09679803B2. Автор: YEN-CHENG Lu,Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.