Epitaxial silicon carbide single crystal substrate manufacturing method

11-01-2012 дата публикации

Номер:

JP4850960B2

Автор: 崇藍郷, 弘克矢代, 弘志柘植, 正史中林, 正和勝野, 泰三星野, 辰雄藤本

Принадлежит: Nippon Steel Corp

Контакты:

Номер заявки:

Дата заявки:

CPC - классификация

C C2 C23 C23C C23C1 C23C16 C23C16/C23C16/4 C23C16/42 C3 C30 C30B C30B2 C30B25 C30B25/C30B25/1 C30B25/10 C30B25/16 C30B29 C30B29/C30B29/3 C30B29/36 H H0 H01 H01L H01L2 H01L21 H01L21/H01L21/0 H01L21/02 H01L21/023 H01L21/0237 H01L21/02378 H01L21/024 H01L21/0243 H01L21/02433 H01L21/025 H01L21/0252 H01L21/02529 H01L21/026 H01L21/0262 H01L21/0266 H01L21/02661 H01L21/2 H01L21/20 H01L21/205

IPC - классификация

C C3 C30 C30B C30B2 C30B25 C30B25/C30B25/1 C30B25/16 C30B25/2 C30B25/20 C30B29 C30B29/C30B29/3 C30B29/36

Получить PDF