Diode formed of PMOSFET and schottky diodes

21-02-2017 дата публикации

Номер:

US9576949B2

Автор: Cheng-Hsiung Kuo, Jam-Wem Lee, Ming-Hsiang Song, Wan-Yen Lin, Yue-Der Chih

Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd

Контакты:

Номер заявки:

Дата заявки:

CPC - классификация

H H0 H01 H01L H01L2 H01L27 H01L27/H01L27/0 H01L27/02 H01L27/022 H01L27/0222 H01L27/07 H01L27/072 H01L27/0727 H01L29 H01L29/H01L29/0 H01L29/06 H01L29/061 H01L29/0619 H01L29/8 H01L29/87 H01L29/872 H02 H02M H02M3 H02M3/H02M3/0 H02M3/07

IPC - классификация

G G0 G04 G04G G04G1 G04G19 G04G19/G04G19/0 G04G19/04 H H0 H01 H01L H01L2 H01L29 H01L29/H01L29/8 H01L29/87 H01L29/872

Получить PDF